KR101501488B1 - Paste for Thick-film Resistor and Method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 후막 공정을 활용하여 고주파에서 대전력 특성 구현이 가능한 저항체용 조성물과 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저항체용 조성물은 루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 포함하되, 상기 유리 첨가물은 ZnO를 주성분으로 하며, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a composition for a resistor capable of realizing a large power characteristic at a high frequency by using a thick film process and a manufacturing method thereof. The composition for a resistor according to the present invention comprises a ruthenium oxide (RuOx) conductive material, a glass additive, and a dispersant, wherein the glass additive is a lead oxide (PbO) containing ZnO as a main component and reacting with the ruthenium oxide to generate a gas, , Cadmium, bismuth, copper, and alkaline earth-based elements.
Description
본 발명은 후막 저항체용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 저항체 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 후막 공정을 활용하여 고주파에서 대전력 특성 구현이 가능한 저항체용 조성물과 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a paste composition for a thick-film resistor and a method for manufacturing a resistor using the paste composition, and more particularly, to a composition for a resistor capable of realizing high-power characteristics at a high frequency by using a thick-film process, and a method for manufacturing the same.
현재 소형의 전자기기를 개발하기 위해서 저항 등의 수동 소자의 크기를 줄이고, 인쇄회로기판의 회로 폭과 선폭 간의 간격을 줄임으로써 소형화하고 있으나, 최근에는 인쇄회로기판 내부에 수동소자의 기능을 하는 물질을 기판 내부에 넣어 줌으로서 회로 기판 표면에서의 공간을 넓히는 효과를 얻고 있다.Currently, miniaturization is being made by reducing the size of passive elements such as resistors and reducing the interval between the circuit width and line width of the printed circuit board in order to develop small electronic devices. Recently, however, The effect of widening the space on the surface of the circuit board is obtained.
이런 의미에서, 후막 저항체(또는 후막 레지스터) 페이스트는 절연 기판의 표면에 형성된 전도체 패턴 또는 전극 상에 조성물을 인쇄한 후, 이 인쇄물을 소성함으로써 후막 레지스터를 형성하는 조성물이다. 이렇게 형성되는 후막 저항체는 넓은 범위의 저항값들을 구현할 수 있기 때문에, 하이브리드 전자 회로에서 저항체 구성 요소로서 많이 활용되어 왔다. In this sense, the thick film resistor (or thick film resistor) paste is a composition for forming a thick film resistor by printing a composition on a conductor pattern or electrode formed on the surface of an insulating substrate and then firing the printed material. Since the thick film resistor formed in this manner can realize a wide range of resistance values, it has been widely used as a resistor component in a hybrid electronic circuit.
일반적으로 후막 레지스트 조성물, 즉 후막 저항체용 페이스트는 유기용매(유기 매질 또는 유기 비히클) 중에 도전성 재료(전도성 성분)와 유기조성물(유리물 바인더 또는 유기 가교제)을 분산시켜서 제조한다. 여기서, 상기 도전성 재료는 주로 후막 저항체의 전기적 특성을 결정하는 역할을 하며, 이러한 전도성 성분으로는 주로 납루테늄 산화물이나 루테늄 피로클로르 옥사이드 등이 사용되고 있다. 그리고, 상기 유기 조성물은 저항체의 저항값을 조절하는 것과 동시에 페이스트를 일체적으로 융합시켜서 기판에 결합시키는 역할을 하며 또한, 상기 유기 조성물은 후막용 페이스트의 도포 특성, 특히 레올로지에 영향을 미치는 요소이다.In general, a thick film resist composition, that is, a thick film resistor paste is prepared by dispersing a conductive material (conductive component) and an organic composition (a glass water binder or an organic crosslinking agent) in an organic solvent (organic medium or organic vehicle). Here, the conductive material mainly serves to determine the electrical characteristics of the thick-film resistor, and lead ruthenium oxide, ruthenium pyrochloreoxide, etc. are mainly used as the conductive component. In addition, the organic composition plays a role of controlling the resistance value of the resistor and integrally fusing the paste and bonding the paste to the substrate. The organic composition is also useful as a coating material for a thick film paste, to be.
이와 같은 기본 구성으로 이루어진 후막 저항체용 페이스트를 활용하여 후막 저항체를 제조하는 제작 순서는 도1a 내지 도 1e에 표시되어 있다. 이것은 종래 기술에 따른 스크린 프린팅법에 의해 열경화성 후막 레지스터를 제조하는 과정을 나타내는 순서도이다. 이를 상세히 설명하면 먼저 기판(101) 위에 동박(102)을 부착하거나(도 1a) 또는 도금에 의하여 원하는 모양의 금속 패드(103)를 형성한다(도 1b).A fabrication procedure for manufacturing a thick-film resistor using the paste for a thick-film resistor having such a basic structure is shown in Figs. 1A to 1E. This is a flowchart showing the process of manufacturing a thermosetting thick film resistor by a screen printing method according to the prior art. First, a copper foil 102 is attached to the substrate 101 (FIG. 1A) or a
그리고, 이러한 금속 패드(103) 사이에 스크린 프린팅 방법을 활용하여 후막 레지스터 페이스트 또는 잉크(104)를 도포한다(도 1c). 도포된 후막 레지스터는 레벨링 및 건조를 거쳐 유기 용매를 휘발시킨 후, 열경화 공정을 거쳐 유기레진을 경화시킴으로써 최종적인 저항체를 얻는다(도 1d). 마지막으로, 이렇게 제작된 저항체 표면에 보호막을 처리함으로써 후막 레지스터를 완성한다(도 1e).Then, a thick film resistor paste or
한편, 고주파에서 대전력 특성 구현이 가능한 저항체 조성물은 루테늄 산화물(RuOx) 및 이의 혼합물을 활용한다. 이때, 기판은 주로 알루미늄 재질이 사용된다.On the other hand, a resistor composition capable of realizing high-power characteristics at high frequencies utilizes ruthenium oxide (RuOx) and a mixture thereof. At this time, the substrate is mainly made of aluminum.
일반적으로 고주파수(1GHz 이상)의 대전력(100watt 이상) 환경에서 저항체 조성물을 활용하고자 할 때 발생하는 높은 열은 알루미늄 재질의 기판에 부정적인 영향을 끼친다. 또한, 기존의 저항체 조성물에는 루테늄 산화물 이외에 기판 재료와의 부착성을 향상시키기 위해 유리 첨가물이 사용된다. Generally, the high heat generated when using a resistor composition in a high power (1 GHz or more) and high power (100 watt or more) environment has a negative influence on the aluminum substrate. In addition to ruthenium oxide, a glass additive is used in the conventional resistor composition in order to improve adhesion with a substrate material.
이러한 유리 첨가물의 경우, 대기 중에서 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 발생시켜 제작된 저항체에 기포를 발생시키는 문제를 일으킨다.Such a glass additive reacts with the ruthenium oxide in the air to generate gas, which causes a problem of generating air bubbles in the manufactured resistor.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여, 고주파수의 대전력 환경에서 질화 알루미늄(AlN) 재질의 기판에 발생하는 고온에 강인한 저항체 페이스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a resistor paste composition resistant to high temperature generated in a substrate made of aluminum nitride (AlN) in a high-frequency, high-power environment.
본 발명의 다른 목적은 질화 알루미늄(AlN) 재질의 기판과의 부착성을 향상시킴과 동시에 가스 발생을 억제시킬 수 있는 개선된 유리 첨가물을 포함하는 저항체 페이스트 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a resistive paste composition comprising an improved glass additive capable of improving adhesion to a substrate of an aluminum nitride (AlN) material while suppressing gas generation.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
전술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일면에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물은 유기용매 내에서 분산되어 이루어지는 고주파 대전력 환경에 강인한 후막 저항체용 페이스트 조성물에 있어서, 루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 포함하되, 상기 유리 첨가물은 ZnO를 주성분으로 하며, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.The paste composition for a thick-film resistor according to one aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems is a paste composition for a thick-film resistor which is resistant to a high-frequency power environment dispersed in an organic solvent. The paste composition comprises a ruthenium oxide (RuOx) (PbO), cadmium, bismuth, copper, and alkaline earth metal (ZnO), which are mainly composed of ZnO and react with the ruthenium oxide to generate a gas, earth system is not included.
여기서, 상기 유리 첨가물은 ZnO-B2O3-SiO2계 원소를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. Here, the glass additive preferably contains a ZnO-B2O3-SiO2-based element as a main component.
그리고 상기 루테늄 산화물 전도성 재료는 10 내지 80 중량%의 함량을 가지고, 상기 유리 첨가물은 3 내지 15 중량%의 함량을 가지고, 상기 분산제는 상기 루테늄 산화물 전도성 재료의 0.5 내지 1.5 중량%의 함량을 가지는 것이 바람직하다.And the ruthenium oxide conductive material has an amount of 10 to 80 wt.%, The glass additive has an amount of 3 to 15 wt.%, And the dispersant has an amount of 0.5 to 1.5 wt.% Of the ruthenium oxide conductive material desirable.
본 발명의 다른 면에 다른 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법은 유기 조성물 및 무기물계 가교제를 유기용매 내에 분산시켜서 유기물 레진을 준비하는 단계; 루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 상기 유기물 레진에 투여한 후 혼합하는 단계; 및 상기 혼합된 유기물 레진에 대해서 탈포 및 필터링 과정을 거친 후, 3-roll 밀링을 실시하는 단계를 포함한다.In another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a paste composition for a thick-film resistor, comprising: dispersing an organic composition and an inorganic cross-linking agent in an organic solvent to prepare an organic resin; Ruthenium oxide (RuOx) conductive material, a glass additive, and a dispersant to said organic resin and mixing; And subjecting the mixed organic resin to defoaming and filtering, followed by 3-roll milling.
여기서, 상기 유리 첨가물은 ZnO를 주성분으로 하며, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.Here, the glass additive includes ZnO as a main component, an element selected from the group consisting of lead oxide (PbO), cadmium, bismuth, copper, and alkaline earth based elements that react with the ruthenium oxide to generate a gas Is not included.
본 발명에 따르면, 고주파수의 대전력 환경에서 질화 알루미늄(AlN) 재질의 기판에 발생하는 고온에 강인한 저항체 페이스트 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a resistive paste composition resistant to high temperature generated in a substrate made of aluminum nitride (AlN) in a high-frequency, high-power environment.
또한, 질화 알루미늄(AlN) 재질의 기판과의 부착성을 향상시킴과 동시에 가스 발생을 억제시킬 수 있는 개선된 유리 첨가물을 포함하는 저항체 페이스트 조성물을 제공할 수 있다.In addition, it is possible to provide a resistive paste composition comprising an improved glass additive capable of improving the adhesion of the aluminum nitride (AlN) material to the substrate and suppressing gas generation.
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 스크린 프린팅 법에 의해 후막 저항체를 제조하는 과정을 도시한 공정도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법을 도시한 순서도.FIGS. 1A to 1E are process drawings showing a process of manufacturing a thick film resistor by a screen printing method according to a related art.
2 is a flowchart showing a method of manufacturing a paste composition for a thick-film resistor according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의된다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성소자, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성소자, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to a person skilled in the art, and the invention is defined by the scope of the claims. It is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms " comprises, " and / or "comprising" refer to the presence or absence of one or more other components, steps, operations, and / Or additions.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법을 도시한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a paste composition for a thick-film resistor according to an embodiment of the present invention.
본 발명에 있어서는, 유기용매 내에 분산되는 저항체 조성물로서 도전성 재료인 루테늄 산화물 재료를 유리 첨가물과 함께 혼합하는 조합이 중요하고, 상기 조합으로 후막 저항체용 페이스트를 제조하여 형성된 후막 저항체는 AlN 기판과 대기 중에서 반응을 억제하여 기포 발생을 줄이는 것을 특징으로 한다.In the present invention, it is important to combine a ruthenium oxide material, which is a conductive material, with a glass additive as a resistor composition dispersed in an organic solvent, and the thick film resistor formed by combining the above- Thereby suppressing the reaction and reducing the occurrence of bubbles.
구체적으로, 본 발명에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물은 도전성재료와 유리 첨가물과 바인더, 분산제 및 유기물 레진(유기 용매와 유기 조성물)을 포함하고, 이들 성분으로 이루어지는 저항체 조성물이 유기용매(유기 비히클)와 혼합되어 이루어지는 것이다.Specifically, the paste composition for a thick-film resistor according to the present invention comprises a conductive material, a glass additive, a binder, a dispersant, and an organic resin (an organic solvent and an organic composition), and a resistor composition comprising these components is mixed with an organic solvent .
여기서, 상기 도전성재료는 절연체인 유기 조성물 내에 분산됨으로써, 구조물인 후막저항체에 도전성을 부여하는 역할을 한다. 본 발명은 도전성 재료로 루테늄 산화물을 사용하고, 이의 특성을 개선하고자 특수한 유리 첨가물을 실험을 통해 검증된 비율로 혼합함으로써, 고주파 대전력 환경에서 우수한 특성을 가지는 저항체를 제공한다.Here, the conductive material is dispersed in an organic composition which is an insulator, thereby providing conductivity to the thick-film resistor as a structure. The present invention provides a resistor having excellent properties in a high-frequency-to-power environment by using ruthenium oxide as the conductive material and mixing the special glass additive in a proven ratio experimentally to improve its properties.
예컨대, 본 발명에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물은 루테늄 산화물과, 유리 첨가물과, 바인더, 분산제, 및 유기용제를 포함할 수 있다. For example, the paste composition for a thick-film resistor according to the present invention may include ruthenium oxide, a glass additive, a binder, a dispersant, and an organic solvent.
여기서, 상기 유리 첨가물은 ZnO를 주성분으로 하며, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.Here, the glass additive includes ZnO as a main component, an element selected from the group consisting of lead oxide (PbO), cadmium, bismuth, copper, and alkaline earth based elements that react with the ruthenium oxide to generate a gas Is not included.
종래의 유리 첨가물은 알루미나(AlN) 기판용의 경우 PbO를 포함한다. 여기서, PbO는 상기 알루미나(AlN) 기판과 대기 중에서 반응하여 가스를 발생시켜, 완성된 페이스트 조성물에 기포를 발생시키는 문제를 일으켜 왔다. 이와 같은 문제를 해결하기 위한 방법으로 본 발명에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물은 ZnO가 주성분이고, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper)가 사실상 포함되지 않은 유리 첨가물을 사용한다. Conventional glass additives include PbO for alumina (AlN) substrates. Here, PbO reacts with the alumina (AlN) substrate in the atmosphere to generate gas, which causes a problem of generating bubbles in the finished paste composition. As a method for solving such a problem, the paste composition for a thick-film resistor according to the present invention comprises ZnO as a main component, lead oxide (PbO), cadmium, bismuth, copper ) Are used.
또한, 저항체를 제작하는 공정에서 산, 염기처리에서 반응을 억제하기 위해 상기 유리 첨가물에는 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소가 포함되지 않는다. Further, in order to suppress the reaction in the acid and base treatment in the step of manufacturing the resistor, the glass additive does not contain an alkaline earth-based element.
따라서, 본 발명에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물은 ZnO-B2O3-SiO2계 원소를 주성분으로 하는 유리 첨가물을 포함하는 것이 바람직하다.Accordingly, the paste composition for a thick-film resistor according to the present invention preferably includes a glass additive containing ZnO-B2O3-SiO2 as a main component.
한편, 저저항(10Ω)에서 고저항(1㏀) 구현 가능한 하이브리드 저항체 특성을 제공하기 위해, 저항체 조성물에서 루테늄 산화물의 함량은 10 내지 80 중량%으로 조절되는 것이 바람직하다. On the other hand, in order to provide a hybrid resistor characteristic capable of realizing a high resistance (1 k?) At a low resistance (10?), The content of ruthenium oxide in the resistor composition is preferably adjusted to 10 to 80 wt%.
또한, 유리 첨가물의 함량은 3 내지 15 중량%, 상기 분산제의 함량은 상기 루테늄 산화물 전도성 재료의 0.5 내지 1.5 중량%으로 조절되는 것이 바람직하다. The content of the glass additive is preferably 3 to 15% by weight, and the content of the dispersing agent is preferably adjusted to 0.5 to 1.5% by weight of the ruthenium oxide conductive material.
한편, 후막 저항체 페이스트 조성물을 제조하는데 사용되는 바인더 및 유기용제는 추후 열처리(소결) 공정에서 소진된다.On the other hand, the binder and the organic solvent used for preparing the thick-film resistor paste composition are exhausted in the subsequent heat treatment (sintering) process.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 후막 저항체용 페이스트 조성물의 제조방법은 먼저 유기조성물 및 무기물계 가교제를 유기용매 내에 분산시켜서 유기물 레진을 준비하고(S210), 상기 준비된 유기물 레진에 루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 투여한 후 혼합한다(S220).As shown in FIG. 2, the method for manufacturing a paste composition for a thick-film resistor according to the present invention comprises first preparing an organic resin by dispersing an organic composition and an inorganic-based crosslinking agent in an organic solvent (S210) (RuOx) conductive material, a glass additive, and a dispersing agent (S220).
예컨대, 저항체용 페이트스 조성물을 구성하는 각각의 구성성분을 칭량한 후에 상기 유기물 레진에 분산/혼합하여 유기물 레진 혼합물을 준비하고, 이에 대해서 탈포 및 필터링 과정을 거친 후, 3-roll 밀링을 실시하는데(S230), 이것은 통상적인 후막 레지스터 조성물의 제작 방법과 동일하다.For example, after weighing each component constituting the polyester resin composition for a resistor, the organic resin mixture is prepared by dispersing / mixing in the organic resin, followed by defoaming and filtering, followed by 3-roll milling (S230), which is the same as that of a conventional thick film resistor composition.
이상의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 본질적 특성을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명에 표현된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것이 아니라, 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 해석되어야 하고, 그와 동등하거나, 균등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention and various changes and modifications may be made without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention, but are intended to be illustrative, and the scope of the present invention is not limited by these embodiments. It is intended that the present invention cover the modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents, which fall within the scope of the present invention as claimed.
Claims (10)
루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 포함하되,
상기 유리 첨가물은 ZnO을 포함하고, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것이고,
상기 분산제는 상기 루테늄 산화물 전도성 재료의 0.5 내지 1.5 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물.
A paste composition for a thick-film resistor, which is resistant to a high-frequency power environment dispersed in an organic solvent,
A ruthenium oxide (RuOx) conductive material, a glass additive, and a dispersant,
The glass additive includes ZnO and includes elements of lead oxide (PbO), cadmium, bismuth, copper, and alkaline earth-based elements that react with the ruthenium oxide to produce a gas However,
Wherein the dispersing agent has an amount of 0.5 to 1.5% by weight of the ruthenium oxide conductive material.
ZnO-B2O3-SiO2계 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물.
The glass additive according to claim 1,
ZnO-B2O3-SiO2-based element.
10 내지 80 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물.The ruthenium oxide conductive material according to claim 1,
Wherein the composition has a content of 10 to 80% by weight.
3 내지 15 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물.The glass additive according to claim 1,
3 to 15% by weight based on the total weight of the composition.
유기 조성물 및 무기물계 가교제를 유기용매 내에 분산시켜서 유기물 레진을 준비하는 단계;
루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 상기 유기물 레진에 투여한 후 혼합하는 단계; 및
상기 혼합된 유기물 레진에 대해서 탈포 및 필터링 과정을 거친 후, 3-roll 밀링을 실시하는 단계를 포함하되,
상기 유리 첨가물은 ZnO를 포함하며, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것이고,
상기 분산제는 상기 루테늄 산화물 전도성 재료의 0.5 내지 1.5 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법.A method for producing a paste composition for a thick-film resistor which is robust against a high-frequency power environment,
Dispersing the organic and inorganic cross-linking agents in an organic solvent to prepare an organic resin;
Ruthenium oxide (RuOx) conductive material, a glass additive, and a dispersant to the organic resin and mixing; And
Subjecting the mixed organic resin to defoaming and filtering, and then performing 3-roll milling,
The glass additive includes ZnO and includes elements of lead oxide (PbO), cadmium, bismuth, copper, and alkaline earth based materials that react with the ruthenium oxide to produce a gas However,
Wherein the dispersant has an amount of 0.5 to 1.5 wt% of the ruthenium oxide conductive material.
ZnO-B2O3-SiO2계 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법.7. The method of claim 6,
ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -based element.
10 내지 80 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법.7. The ruthenium oxide conductive material according to claim 6,
Wherein the composition has a content of 10 to 80% by weight.
3 내지 15 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법.
7. The method of claim 6,
By weight based on the total weight of the paste composition.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990026804A (en) * | 1997-09-26 | 1999-04-15 | 박원훈 | Method for manufacturing resist paste for LCR co-firing and method for manufacturing thick film resistor using same |
| KR101138238B1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-04-24 | (주) 케이엠씨 테크놀러지 | Manufacturing method of paste composition for resistor using coating metal oxide, thick film resistor and manufacturing method of the resistor |
| KR101138246B1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-04-24 | (주) 케이엠씨 테크놀러지 | Manufacturing method of paste composition having low temperature coefficient resistance for resistor, thick film resistor and manufacturing method of the resistor |
-
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- 2013-08-29 KR KR1020130103174A patent/KR101501488B1/en not_active IP Right Cessation
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|---|---|
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