KR101498192B1 - 원격 플라즈마 발생기 - Google Patents

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Abstract

원격 플라즈마 발생기가 개시된다. 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기는, 서로 맞대어져 결합되며, 내주면에 호형의 제1환홈이 형성된 제1 및 제2바디로 구성된 외부본체; 상기 외부본체의 내부에 삽입되며, 서로 맞대어져 결합되고, 상기 제1환홈과 대칭되는 호형의 제2환홈이 외주면에 형성된 제3 및 제4바디로 구성된 내부본체;를 포함하고, 상기 제1환홈과 제2환홈이 맞대어져 토러스 형상의 통로가 형성되어 이루어지며, 또한 제1 및 제2바디 그리고 제3 및 제4바디에 냉각수 순환통로가 형성되어 냉각수 순환에 의한 냉각이 이루어질 수 있다.
이에 따르면, 원격 플라즈마 발생기의 챔버의 형상을 원형 토러스 형상으로 형성함으로써, 내부에 발생되었던 식각 현상이 해소될 수 있어 내구성이 향상될 수 있으며, 이로 인해 수명이 연장될 수 있게 되고, 또한 식각에 의한 오염원 발생을 원천적으로 배제할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따르면, 고열의 플라즈마에 의해 축적되는 열을 냉각수의 순환에 의해 냉각시킬 수 있어 고전력의 파워로 장시간 동안 플라즈마 방전을 할 수 있게 되는 효과가 있다.

Description

원격 플라즈마 발생기{Remotly Plasma Generator}
본 발명은 원격 플라즈마 발생기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 원격 플라즈마 발생기의 챔버의 형상이 원형으로 제조되고, 내부의 채널을 원형인 토러스 형상으로 함으로써 종래의 문제점이었던 내부 모서리 부분에 대해 집중적으로 발생되었던 식각 현상이 해소될 수 있어 내구성의 향상과 수명 연장을 도모할 수 있는 원격 플라즈마 발생기에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 방전은 해리 가스에 사용되어 이온, 자유 라디칼(free radical), 원자 및 분자를 포함하는 활성 가스를 생산할 수 있다.
활성 가스는 반도체 웨이퍼, 분말, 및 다른 가스와 같은 물질을 가공하는 것을 포함하는 많은 산업응용분야 및 과학응용분야에 이용된다. 플라즈마 특성과 가공되는 물질에 대한 플라즈마 노출 조건은 응용분야에 따라 광범위하게 변화된다.
예를 들면, 가공되려는 물질이 피해에 민감하거나, 다른 것과 관련있는 어떤 물질의 선택적인 식각이 필요하기 때문에, 몇몇 응용분야는 저 운동에너지(예를 들면 작은 전기 볼트)를 갖는 이온의 사용이 요구된다.
이방성 식각 또는 평탄화 절연 증착과 같은 다른 응용분야는 고 운동에너지를 갖는 이온의 사용이 요구된다.
몇몇 응용분야는 가공되려는 물질이 고밀도 플라즈마에 직접 노출되는 것이 요구된다. 그러한 응용분야는 이온-활성 화학반응과 높은 종횡비(aspect-ratio) 구조로 물질의 식각과 증착을 하는 것을 포함한다.
물질이 이온으로 인한 피해에 민감하거나 공정이 높은 선택도의 조건을 갖기 때문에 다른 응용분야에서는 가공되려는 물질을 플라즈마로부터 차폐하는 것이 필요하다.
플라즈마는 직류(DC)방전, 고주파(RF)방전, 및 극초단파방전을 포함하는 다양한 방법으로 생성시킬 수 있다. 직류방전은 가스 내의 두 전극 사이에 전위를 인가함으로써 달성될 수 있다. 고주파 방전은 전력 공급원으로부터의 에너지를 플라즈마에 전기용량적으로(capacitively) 또는 유도적으로 결합시킴으로써 달성될 수 있다.
평행판은 에너지를 플라즈마에 전기용량적으로 결합시키도록 사용될 수 있다. 유도코일은 플라즈마에서 전류를 유도시키도록 사용될 수 있다. 극초단파방전은 극초단파 에너지 소스를 가스를 포함하는 방전챔버에 결합시킴으로써 생성될 수 있다.
플라즈마 방전은, 플라즈마를 구성하고 있는 대전종(charged species)과 플라즈마에 의해 활성화될 수 있는 중성종(neutral species) 양쪽이, 가공되려는 물질과 밀접하게 접촉하고 있는 것과 같은 방식으로 생성될 수 있다.
선택적으로 플라즈마 방전은 가공되려는 물질로부터 멀리 떨어져 생성될 수 있고, 그래서 비교적 소수의 대전종이 가공되려는 물질과 접촉을 하게 되고, 반면에 중성종은 여전히 접촉될 수 있을 것이다.
그러한 플라즈마 방전은 보통 원격 플라즈마 방전 또는 다운스트림(downstream) 플라즈마 방전이라고 명명된다.
그 구조에 따라, 가공되는 물질과 관련된 위치 결정, 가공 조건(플라즈마 내의 가스종, 압력, 유속, 전력), 플라즈마 소스가 이러한 두가지 일반적인 유형중 하나 또는 양쪽 모두의 특징을 가질 수 있다.
이에 관련된 선행기술로는 국내공개특허 공개번호 특2001-0021723호의 「원격 플라즈마 세정장치」가 개시된 바 있다.
상기 선행기술은 챔버 벽 및 상기 챔버 벽내부 성분과의 낮은 반응성을 갖는 기판 처리시스템내의 챔버를 세정하기 위한 방법 및 장치에 관련된다.
한편 종래 기술에 따른 원격 플라즈마 발생기는 클리닝용, 예를들어 챔버 세정용으로 사용해왔었다.
하지만 최근에는 원격 플라즈마 발생기를 공정용으로 사용하려는 추세여서 지금까지 보다 좀 더 효율적인 원격 플라즈마 발생기가 요구되었다.
종래 원격 플라즈마 발생기의 챔버 형상은 사각형상이므로 내부의 모서리 부분이 집중적으로 식각이 되는 문제점이 발생되었고, 이로 인해 주기적인 교체가 요구되므로 유지 비용이 많이 소요되었으며, 또한 식각에 의해 발생된 미립자들이 공정의 오염원으로 작용하게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 원격 플라즈마 발생기의 챔버의 형상을 원형으로 형성함으로써, 내부의 채널을 원형인 토러스 형상으로 하여 종래의 문제점이었던 내부 모서리 부분에 대해 집중적으로 발생되었던 식각 현상이 해소될 수 있어 내구성이 향상될 수 있고, 수명이 연장될 수 있으며 식각에 의한 오염원 발생을 원천적으로 배제할 수 있도록 한 원격 플라즈마 발생기를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적은, 서로 맞대어져 결합되며, 내주면에 호형의 제1환홈이 형성된 제1 및 제2바디로 구성된 외부본체; 상기 외부본체의 내부에 삽입되며, 서로 맞대어져 결합되고, 상기 제1환홈과 대칭되는 호형의 제2환홈이 외주면에 형성된 제3 및 제4바디로 구성된 내부본체;를 포함하고, 상기 제1환홈과 제2환홈이 맞대어져 토러스 형상의 통로가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기에 의해 달성될 수 있다.
상기 제1 및 제2바디의 결합 부위에는 기밀성을 가지며, 전기적 연속성을 단절시킬 수 있는 절연부재가 장착되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1바디는 일측에 냉각수 공급관이 연결되는 공급플러그가 형성되고, 내부에 제1냉각수 순환통로가 형성되며, 상기 제2바디는 일측에 냉각수 회수관이 연결되는 회수플러그가 형성되고, 내부에 제2냉각수 순환통로가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2냉각수 순환통로를 연결하는 연결통로가 내부에 형성되며, 결합된 제1 및 제2바디의 일측에 장착되는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제3 및 제4바디에는 제3 및 제4냉각수 순환통로가 각기 형성되며, 상기 제3 및 제4냉각수 순환통로는 상기 제1 및 제2냉각수 순환통로와 통하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 내부본체 또는 외부본체 중 어느 하나에는 내부의 통로를 관찰할 수 있는 뷰 포트가 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 뷰 포트는 통로까지 통하는 통공과, 상기 통공에 연결되며 내부본체 또는 외부본체의 외면에 형성되는 결합홈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 뷰 포트에 결합되는 고정수단과, 상기 고정수단에 결합되는 검출수단과, 상기 검출수단에 연결되어 플라즈마 상태를 파악하는 스펙트럼 분석기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 고정수단은 통공에 결합되며 중공으로 된 절연체; 상기 절연체의 상단에 결합되는 투광체; 상기 투광체와 절연체를 고정시키며 결합홈에 결합되는 장착하우징; 상기 장착하우징의 상부에 결합되며 검출수단이 결합되는 브라켓;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 검출수단은 상기 브라켓과 장착하우징을 관통하여 결합되며 그 선단이 투광체에 접촉되는 광 화이버 케이블인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 원격 플라즈마 발생기의 챔버의 형상을 원형 토러스 형상으로 형성함으로써 초기 플라즈마 생성에 유리해질 수 있고, 내부에 발생되었던 식각 현상이 해소될 수 있어 내구성이 향상될 수 있으며, 이로 인해 수명이 연장될 수 있게 되고, 또한 식각에 의한 오염원 발생을 원천적으로 배제할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따르면, 고열의 플라즈마에 의해 축적되는 열을 냉각수의 순환에 의해 냉각시킬 수 있어 고전력의 파워로 장시간 동안 플라즈마 방전을 할 수 있게 되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 분해사시도,
도 3은 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 평단면도,
도 4는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기의 냉각구조를 보여주는 평면도,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 사시도,
도 6은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 원격 플라즈마 발생기의 일부분을 확대한 분해사시도,
도 7은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 원격 플라즈마 발생기의 일부분을 확대한 단면도.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.
실시예 1
첨부된 도면 중에서, 도 1은 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 사시도, 도 2는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 분해사시도, 도 3은 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 평단면도, 도 4는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기의 냉각구조를 보여주는 평면도이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 원격 플라즈마 발생기(A)는, 서로 맞대어져 결합되며, 내주면에 호형의 제1환홈(S1)이 형성된 제1 및 제2바디(100,200)로 구성된 외부본체;
상기 외부본체의 제1 및 제2바디(100,200)의 내부에 삽입되며, 서로 맞대어져 결합되고, 제1환홈(S1)과 대칭되는 호형의 제2환홈(S2)이 외주면에 형성된 제3 및 제4바디(300,400)로 구성된 내부본체;를 포함하고,
제1환홈(S1)과 제2환홈(S2)이 맞대어져 토러스(torus:원환체) 형상의 통로(S3)가 형성되어 이루어진다.
제1 및 제2바디(100,200)는 전도성 금속 재질이며 동일한 형상과 크기로 이루어지고, 서로 맞대어져 결합되는 것으로, 내주면에 형성된 제1환홈(S1)에 의해 원형의 환홈이 내부에 형성된다.
제3 및 제4바디(300,400)는 전도성 금속재질이며 제1 및 제2바디(100,200)의 내측 반원형 홈부에 결합되도록 반원형으로 형성되며, 그 외주면에 제2환홈(S2)이 형성되는데, 제2환홈(S2)은 제1환홈(S1)과 동일한 단면적으로 갖는 반원형으로 형성된다.
따라서 제1환홈(S1)과 제2환홈(S2)이 서로 대응되게 밀착되었을때 원형의 단면적을 갖는 통로(S3)가 형성되며, 이 통로(S3)는 토러스 형상으로 이루어지게 된다.
제1 및 제2바디(100,200)와 그 내부에 결합되는 제3 및 제4바디(300,400)는 용접되어 정합된 상태로 일체가 되도록 하여, 내부에 토러스 형상의 통로(S3)가 형성될 수 있도록 한다.
용접 방식의 구체적인 예로는 전자빔(e-beam), 브레이징(brazing), 마찰교반용접 등이다.
따라서 토러스 형상의 통로(S3)를 통해 플라즈마 방전이 이루어지게 되므로 종래와 같은 모서리가 존재하지 않게 되므로, 종래 문제점으로 지적되었던 모서리의 식각으로 인해 발생되는 오염 미립자를 원천적으로 방지할 수 있고, 아울러 내면이 매끄럽고 곡면이므로 미세 미립자가 누적되지 않아 이물질의 유입이 해소될 수 있어 플라즈마 효율이 개선될 수 있다.
제1 및 제2바디(100,200)와 제3 및 제4바디(300,400)는 전도성 금속재질로 이루어지는데, 바람직하게는 전도성 금속재질은 알루미늄, 니켈, 구리, 철의 합금으로 이루어진다.
제1 및 제2바디(100,200)의 결합 부위에는 기밀성을 가지며, 전기적 연속성을 단절시킬 수 있는 절연부재(500)가 장착된다.
절연부재(500)는 기밀성을 가지며, 전기적 연속성을 단절시킬 수 있도록 하기 위해 제1환홈(S1) 및 제2환홈(S2)의 단부에 밀착되는 O-링이 바람직하다.
한편 제1 및 제2바디(100,200) 그리고 제3 및 제4바디(300,400)에는 내부에 냉각수가 순환되도록 하여 냉각될 수 있어 고전력의 파워로 장시간 동안 플라즈마 방전이 가능해질 수 있다.
따라서 제1외부본체(100)는 일측에 냉각수 공급관(P1)이 연결되는 공급플러그(P5)가 형성되고, 내부에 제1냉각수 순환통로(T1)가 형성된다.
제1냉각수 순환통로(T1)는 제1환홈(S1)에 근접되게 형성되며 제1외부본체(100)의 하부에서부터 인입되어 제1외부본체(100)의 상부로 순환되도록 형성된다.
한편 제2외부본체(200)는 일측에 냉각수 회수관(P2)이 연결되는 회수플러그(P6)가 형성되고, 내부에 제2냉각수 순환통로(T2)가 형성된다.
제2냉각수 순환통로(T2)는 제2환홈(S2)에 근접되게 형성되며 제2외부본체(200)의 하부에서부터 인입되어 제2외부본체(200)의 상부로 순환되도록 형성된다.
또한 제1 및 제2냉각수 순환통로(T1,T2)를 연결하는 연결통로(720)가 내부에 형성되며, 결합된 제1 및 제2바디(100,200)의 일측에 장착되는 연결부(700)가 형성된다.
따라서 제1냉각수 순환통로(T1)의 말단부에 연결통로(720)가 연결되어, 이 연결통로(720)가 제2냉각수 순환통로(T2)에 연결됨으로써 냉각수가 중단됨없이 연속적으로 순환될 수 있다.
한편 제3 및 제4바디(300,400)에는 제3 및 제4냉각수 순환통로(T3,T4)가 각기 형성된다.
바람직하게는 제3 및 제4냉각수 순환통로(T3,T4)는 상기 제1 및 제2냉각수 순환통로(T1,T2)와 통하도록 형성된다.
즉, 제1냉각수 순환통로(T1)에서 분기된 냉각수 순환통로(S3)가 제3내부본체(300)의 제3냉각수 순환통로(S3)와 연결된다.
또 제2냉각수 순환통로(T2)에서 분기된 냉각수 순환통로(S3)가 제4내부본체(400)의 제4냉각수 순환통로(S3)와 연결된다.
따라서 냉각수는 제1냉각수 순환통로(T1)를 통과한 후 일부는 연결통로(720)를 통해 제2냉각수 순환통로(T2)로 공급되고, 일부는 제3냉각수 순환통로(S3)로 공급되는 것이다.
그리고 제2냉각수 순환통로(T2)의 냉각수는 일부가 제4냉각수 순환통로(S3)로 공급된다.
이와 같이 제1 및 제2바디(100,200)와 제3 및 제4바디(300,400)에 연속적으로 냉각수가 공급됨으로써 냉각효율이 향상될 수 있고, 고전압의 플라즈마 방전에 의한 열을 냉각시킬 수 있어 장시간의 방전이 가능해진다.
실시예 2
한편 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 원격 플라즈마 발생기를 나타낸 사시도, 도 6은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 원격 플라즈마 발생기의 일부분을 확대한 분해사시도, 도 7은 상기 도 5에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 원격 플라즈마 발생기의 일부분을 확대한 단면도이다.
도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 원격 플라즈마 발생기는, 서로 맞대어져 결합되며, 내주면에 호형의 제1환홈(S1)이 형성된 제1 및 제2바디(100,200)로 구성된 외부본체; 상기 외부본체의 내부에 삽입되며, 서로 맞대어져 결합되고, 상기 제1환홈(S1)과 대칭되는 호형의 제2환홈(S2)이 외주면에 형성된 제3 및 제4바디(300,400)로 구성된 내부본체;를 포함하고, 상기 제1환홈(S1)과 제2환홈(S2)이 맞대어져 토러스 형상의 통로(S3)가 형성되어 이루어지고, 상기 내부본체 또는 외부본체 중 어느 하나에는 내부의 통로(S3)를 관찰할 수 있는 뷰 포트(800)가 형성된 것이다.
상기 뷰 포트(800)는 통로(S3)까지 통하는 통공(810)과, 상기 통공(810)에 연결되며 내부본체 또는 외부본체의 외면에 형성되는 결합홈(814)을 포함하여 구성된다.
그리고 상기 뷰 포트(800)에 결합되는 고정수단과, 상기 고정수단에 결합되는 검출수단과, 상기 검출수단에 연결되어 플라즈마 상태를 파악하는 스펙트럼 분석기(미도시)를 포함하여 구성된다.
상기 고정수단은, 상기 뷰 포트(800)의 통공(810)에 결합되며 중공으로 된 절연체(821); 상기 절연체(821)의 상단에 결합되는 투광체(822); 상기 투광체(822)와 절연체(821)를 고정시키며 결합홈(814)에 결합되는 장착하우징(823); 상기 장착하우징(823)의 상부에 결합되며 검출수단이 결합되는 브라켓(824);을 포함하여 구성된다.
절연체(821)는 내부 통로(S3)의 고열에 견딜 수 있는 절연소재로 이루어지고 중공을 갖도록 원통형상으로 형성되는데, 상부 외주면에는 통공(810)의 입구에 안착되도록 환턱이 형성되며, 외주에 오링(825)이 결합된다.
투광체(822)는 통로(S3)의 플라즈마를 관찰할 수 있되 고열을 차단할 수 있도록 내열성이 높고 강도가 강한 사파이어 재질로 이루어진 것이며, 절연체(821)의 오링(825)에 밀착된다.
상기 검출수단은 상기 브라켓(824)과 장착하우징(823)을 관통하여 결합되며 그 선단이 투광체(822)에 접촉되는 광 화이버 케이블(830);로 이루어진다.
이와 같이 구성된 뷰 포트(800)를 조립하는 과정을 살펴보면, 통공(810)의 입구에 절연체(821)를 결합하고, 절연체(821)의 상단에 투광체(822)를 올려놓은 후 장착하우징(823)을 결합하여 고정시킨다.
이후 장착하우징(823)의 외부에는 브라켓(824)이 결합되되, 상기 브라켓(824)에는 검출수단인 광 화이버 케이블(830)이 결합된 상태이며 그 선단이 투광체(822)에 밀착되도록 하여 결합이 완료된다.
이후 광 화이버 케이블(830)은 스펙트럼 분석기에 연결되어 플라즈마 데이터를 수집한 후 분석함으로써 실시간으로 광 파장의 변화를 측정하고, 이를 모니터링하여 반도체 제조 공정에 유용한 데이터를 수득하게 된다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.
100 : 제1외부본체 200 : 제2외부본체
300 : 제3내부본체 400 : 제4내부본체
500 : 절연부재 700 : 연결부
720 : 연결통로 T1 : 제1냉각수 순환통로
T2 : 제2냉각수 순환통로 T3 : 제3냉각수 순환통로
T4 : 제4냉각수 순환통로 S1 : 제1환홈
S2 : 제2환홈 S3 : 통로

Claims (10)

  1. 서로 맞대어져 결합되며, 내주면에 호형의 제1환홈이 형성된 제1 및 제2바디로 구성된 외부본체;
    상기 외부본체의 내부에 삽입되며, 서로 맞대어져 결합되고, 상기 제1환홈과 대칭되는 호형의 제2환홈이 외주면에 형성된 제3 및 제4바디로 구성된 내부본체;를 포함하고,
    상기 제1환홈과 제2환홈이 맞대어져 토러스 형상의 통로가 형성되어 이루어진 것이며,
    상기 제1바디는 일측에 냉각수 공급관이 연결되는 공급플러그가 형성되고, 내부에 제1냉각수 순환통로가 형성되며,
    상기 제2바디는 일측에 냉각수 회수관이 연결되는 회수플러그가 형성되고, 내부에 제2냉각수 순환통로가 형성되고,
    상기 제3 및 제4바디에는 제3 및 제4냉각수 순환통로가 각기 형성되며, 상기 제3 및 제4냉각수 순환통로는 상기 제1 및 제2냉각수 순환통로와 통하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2바디의 결합 부위에는 기밀성을 가지며, 전기적 연속성을 단절시킬 수 있는 절연부재가 장착되는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2냉각수 순환통로를 연결하는 연결통로가 내부에 형성되며, 결합된 제1 및 제2바디의 일측에 장착되는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 내부본체 또는 외부본체 중 어느 하나에는 내부의 통로를 관찰할 수 있는 뷰 포트가 형성된 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 뷰 포트는 통로까지 통하는 통공과, 상기 통공에 연결되며 내부본체 또는 외부본체의 외면에 형성되는 결합홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 뷰 포트에 결합되는 고정수단과, 상기 고정수단에 결합되는 검출수단과, 상기 검출수단에 연결되어 플라즈마 상태를 파악하는 스펙트럼 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 고정수단은
    통공에 결합되며 중공으로 된 절연체;
    상기 절연체의 상단에 결합되는 투광체;
    상기 투광체와 절연체를 고정시키며 결합홈에 결합되는 장착하우징;
    상기 장착하우징의 상부에 결합되며 검출수단이 결합되는 브라켓;을 포함하고,
    상기 검출수단은
    상기 브라켓과 장착하우징을 관통하여 결합되며 그 선단이 투광체에 접촉되는 광 화이버 케이블인 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 발생기.
  10. 삭제
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003264175A (ja) * 2002-03-05 2003-09-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び処理方法
KR20100010568A (ko) * 2008-07-23 2010-02-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마반응기 및 그 제어 방법
KR20120089752A (ko) * 2009-11-18 2012-08-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 소스 디자인

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003264175A (ja) * 2002-03-05 2003-09-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及び処理方法
KR20100010568A (ko) * 2008-07-23 2010-02-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마반응기 및 그 제어 방법
KR20120089752A (ko) * 2009-11-18 2012-08-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 소스 디자인

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