KR101498150B1 - Arc chamber for ion source head of ion implantation apparatus - Google Patents

Arc chamber for ion source head of ion implantation apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101498150B1
KR101498150B1 KR20130107876A KR20130107876A KR101498150B1 KR 101498150 B1 KR101498150 B1 KR 101498150B1 KR 20130107876 A KR20130107876 A KR 20130107876A KR 20130107876 A KR20130107876 A KR 20130107876A KR 101498150 B1 KR101498150 B1 KR 101498150B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pair
plate
hole
sides
bottom plate
Prior art date
Application number
KR20130107876A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이용택
Original Assignee
주식회사 밸류엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 밸류엔지니어링 filed Critical 주식회사 밸류엔지니어링
Priority to KR20130107876A priority Critical patent/KR101498150B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101498150B1 publication Critical patent/KR101498150B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055—Arc discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

The present invention relates to an arc chamber for an ion source head of an ion implantation device capable of saving time and manpower required for production by separating a floor plate and wall frames of four sides and assembling it easily stably. The act chamber comprises; a floor plate wherein a connection hole connected with a gas supply pipe is formed and a pair of first assembling pins which are separated is installed on the top of front and rear sides; a front side plate which is assembled to the top of the front side of the floor plate and forms an installation hole so that a repeller is penetrated and forms a pair of first insertion grooves on the upper and lower sides of the front sides to face the first assembling pins located on the top of the front side of the floor plate and forms a pair of first vertical grooves vertically on both sides of the rear side; a rear side plate which is assembled to the top of the rear side of the floor plate and forms a penetration hole so that a filament is penetrated and forms a pair of second insertion grooves on the upper and lower sides of the rear side to face the first assembling pin located on the top of the rear side of the floor plate and forms a pair of second vertical groove vertically on both sides of the front side to face the first vertical groove; a pair of side plates which are fitted between the first and second vertical grooves; and a top cover which is closely arranged on the top of the front side plate, the rear side plate, and the side plates and has an ion discharge hole in which an ion is discharged. A pair of second assembling pins is installed on the lower side of the front and rear sides of the top cover to be fitted between the first and second insertion grooves.

Description

이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버{ARC CHAMBER FOR ION SOURCE HEAD OF ION IMPLANTATION APPARATUS}ARC CHAMBER FOR ION SOURCE HEAD OF ION IMPLANT APPARATUS FOR ION SOURCE HEAD IN ION IMPLANTATION APPARATUS

본 발명은 반도체 제조 장비에 사용되는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 바닥판과 4면의 벽체를 분리하여 제작하고 손쉽고 견고하게 조립될 수 있도록 하여 제작에 소요되는 시간과 인력이 현저히 절감되도록 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버에 관한 것이다.
The present invention relates to an arc chamber for an ion source head of an ion implantation apparatus used in semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to an arc chamber for manufacturing an ion source head by separating a bottom plate and a wall on four sides, To an arc chamber for an ion source head of an ion implantation apparatus.

일반적으로 웨이퍼를 가공하는 공정에서는 웨이퍼의 표면에 회로 패턴을 형성하기 위해 박막, 사진, 식각 및 확산 등의 공정이 반복적으로 수행되며, 반도체 재료에서의 가장 중요한 특성 중의 하나인 전기 전도율은 불순물을 첨가하여 조절한다.Generally, in the step of processing a wafer, processes such as thin film, photo, etching and diffusion are repeatedly performed to form a circuit pattern on the surface of the wafer. The electric conductivity, which is one of the most important characteristics in semiconductor materials, .

이렇게 반도체에 불순물을 첨가하는 방법에는 확산(Diffusion)에 의한 방법과 이온을 주입하는 방법이 있다. 그 중 이온주입방법은 도핑(Dopping)시키고자 하는 불순물 물질을 이온화시킨 후에 가속시킴으로서, 높은 운동 에너지의 불순물 원자를 웨이퍼 표면에 강제 주입시키는 기술이다.There are two methods of adding impurities to the semiconductor: a diffusion method and an ion implantation method. Among them, the ion implantation method is a technique for forcibly injecting impurity atoms having high kinetic energy into the wafer surface by ionizing and then accelerating the impurity material to be doped.

보통 웨이퍼 표면에 불순물을 주입하는 공정인 이온주입공정(Ion implantation)은 순수 반도체 기판(예를 들면, Si 기판)에 붕소, 알루미늄, 인듐과 같은 p형 불순물과 안티몬, 인, 비소와 같은 n형 불순물 등을 플라즈마 이온빔 상태로 만든 후, 반도체 결정 속에 침투시켜 필요한 전도형 및 비저항의 소자를 얻는 공정이다.Ion implantation, which is a process of implanting impurities on the surface of a wafer, is generally performed by implanting p-type impurities such as boron, aluminum, indium, and n-type impurities such as antimony, phosphorus, and arsenic into a pure semiconductor substrate Impurities or the like into a plasma ion beam state, and then impregnating the semiconductor into crystals to obtain elements of necessary conduction type and resistivity.

이러한 이온주입공정은 기판에 주입되는 불순물의 농도를 용이하게 조절할 수 있고, 원하는 이온, 원하는 이온량, 원하는 깊이만큼 기판의 이온을 주입할 수 있는 장점이 있다.Such an ion implantation process can easily control the concentration of impurities implanted into the substrate, and has an advantage that ions of the substrate can be injected with a desired ion, a desired ion amount, and a desired depth.

이와 같은 이온주입공정에 사용되는 이온 주입 장치는 이온을 생성하는 이온 소스 헤드(Ion source head), 생성된 이온을 분류하는 이온 분석부(Ion analyzer), 분류된 이온의 주사 방향을 유도하는 이온 주사부(Beam gate), 주사된 이온이 웨이퍼 표면에 주입되는 이온 주입부(Target) 및 각 부분의 기계적 동작을 보조하는 보조 설비(Utility) 등을 포함한 구성을 갖는다.The ion implantation apparatus used in such an ion implantation process includes an ion source head for generating ions, an ion analyzer for classifying the generated ions, A beam gate, an ion implantation target where the injected ions are injected into the wafer surface, and an auxiliary device for assisting the mechanical operation of each part.

그리고, 상기 이온 소스 헤드는 필라멘트가 설치된 아크 챔버(Arc chamber)와, 아크 챔버의 내부를 고 진공상태로 유지시키는 진공 펌프 등을 포함하는 구조로 이루어지며, 이러한 이온 소스 헤드에는 아크 챔버의 내부로 가스 및 고주파 전원이 공급되어 이온이 생성되는 공정이 수행된다.The ion source head is composed of an arc chamber in which filaments are installed and a vacuum pump for maintaining the inside of the arc chamber in a high vacuum state. Gas and high-frequency power are supplied to generate ions.

즉, 고 진공상태에서 아크 챔버에 있는 필라멘트에 전류를 흘려줌으로써 가열된 필라멘트에서 열전자가 방출되고, 이때의 열전자가 아크 챔버 내부에 공급된 소스인 기체와 충돌하게 됨으로써 기체원자가 최외곽 전자를 잃게 되어 이온화가 되는 한편, 이렇게 이온화된 이온 빔은 이온 분석기를 통과하여 불순물 이온이 제거된 다음, 일정 에너지를 갖도록 가속되어 목표 물질에 주사되는 공정이 수행된다.That is, when a current is supplied to the filament in the arc chamber in a high vacuum state, a hot electron is emitted from the heated filament, and the thermoelectron collides with a gas, which is a source supplied into the arc chamber, The ionized ion beam is passed through an ion analyzer to remove impurity ions, and then accelerated so as to have a constant energy, thereby performing a process of scanning the target material.

상기 이온주입공정에서 원하는 이온을 생성시켜주는 첫 단계가 바로 이온 소스 헤드에서부터 시작되며, 이온화가 이루어질 때 필라멘트 전원부, 캐소드 전원부 및 리펠러 전원부의 연결시 각각의 전원부의 절연을 만들기 위해 세라믹 소재의 인슐레이터를 사용하게 된다.The first step of generating the desired ions in the ion implantation process starts from the ion source head. When ionization is performed, a ceramic insulator (not shown) is used to insulate each power source when the filament power supply unit, the cathode power supply unit, and the repeller power supply unit are connected. .

이와 같이 구성되는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드의 일예를 도 7 및 도 8에 도시하여 그 구성과 작동 관계를 설명하면 다음과 같다. 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 이온 소스 헤드는 반도체 이온 주입 장치의 핵심 부품으로 이온을 발생시켜주는 원천이 되는 어셈블리로써, 내부에 공간을 가지는 수직의 관 부재로 이루어진 헤드 본체(10)가 마련된다.An example of the ion source head of the ion implantation apparatus constructed as above is shown in FIGS. 7 and 8. The structure and operation of the ion source head will be described below. As shown in FIGS. 7 and 8, the ion source head is an essential source of ions generated by a semiconductor ion implantation apparatus. The ion source head includes a head body 10 ).

상기 헤드 본체(10)의 상부에는 이온빔이 만들어지는 공간을 제공하는 아크 챔버(13)가 배치되며, 상기 아크 챔버(13)는 양쪽의 지지대(32)에 의해 받쳐지는 구조로 설치된다.An arc chamber 13 is provided in the upper part of the head body 10 to provide a space in which an ion beam is generated. The arc chamber 13 is supported by both supports 32.

이에 따라, 상기 헤드 본체(10)와 아크 챔버(13)의 사이에는 소정의 공간이 조성될 수 있게 되고, 이렇게 만들어진 공간 내에 인슐레이터(14)와 같은 부품들이 설치될 수 있게 된다. Accordingly, a predetermined space can be formed between the head main body 10 and the arc chamber 13, and components such as the insulator 14 can be installed in the space.

상기 아크 챔버(13)는 바닥면에 가스유입홀이 마련된 사각의 케이스 형태로 이루어지고, 내부에는 열전자를 방출하는 캐소드로서의 필라멘트(11)가 한쪽에 설치되는 동시에 맞은편으로는 캐소드의 엔드캡(23)을 통해 방출된 열전자를 반사시켜 챔버 가운데로 모아주는 역할을 하는 리펠러(12)가 설치된다.The arc chamber 13 is formed in a rectangular case shape having a gas inlet hole on its bottom surface. A filament 11 serving as a cathode for emitting thermoelectrons is provided on one side of the arc chamber 13, and an end cap 23 for collecting the thermoelectrons emitted from the thermoelectrons to the center of the chamber.

특히, 상기 필라멘트(11)를 내부에 수용하는 엔드캡(23)의 경우, 별도의 부재에 의해 지지되는 구조를 갖게 된다.In particular, in the case of the end cap 23 housing the filament 11 therein, the end cap 23 is supported by a separate member.

예를 들면, 상기 필라멘트 인슐레이터(14)에는 플레이트 형태의 필라멘트 마운팅(24)이 하단 지지되는 구조로 수직 설치되고, 이렇게 설치되는 필라멘트 마운팅(24)의 상단부에 엔드캡(23)이 관통되는 구조로 설치된다. For example, the filament insulator 14 is vertically installed in a structure in which a plate-shaped filament mounting 24 is supported at the bottom, and the end cap 23 is passed through the upper end of the filament mounting 24 Respectively.

상기 소스 헤드의 아크 챔버(13)는 반응가스(소스가스)와 필라멘트에서 방출되는 열전자를 강제 충돌시켜 중성상태의 반응가스에서 전자를 떼어내어 양이온을 생성시키는 공간을 제공한다. The arc chamber 13 of the source head provides a space for forcibly colliding the reaction gas (source gas) and the thermoelectrons emitted from the filament to remove electrons from the reaction gas in a neutral state to generate positive ions.

즉, 아크 챔버(13) 내에 주입되는 반응가스와 필라멘트에서 방사되는 열전자의 충돌로 생긴 이온화 가스가 반도체 기판에 주입되어 반도체 기판에 이온 영역을 형성시키는 역할을 하게 된다.That is, the ionization gas generated by the collision between the reaction gas injected into the arc chamber 13 and the thermoelectrons emitted from the filament is injected into the semiconductor substrate to form an ion region in the semiconductor substrate.

따라서, 가스공급관(21)을 통해 아크 챔버(13)의 내부로 소스가스가 주입되면, 주입된 소스가스는 캐소드의 필라멘트(11)에서 방출되어 리펠러(12) 방향으로 빠르게 이동하는 열전자 및 리펠러(12)에 의해 반사되는 열전자와 충돌되어 이온화되고, 이온화된 후에는 빔 형태로 되어 상부덮개(31)의 이온방출구를 통해 외부로 토출되므로써, 반도체 기판에 이온 영역을 형성시키게 된다.Therefore, when the source gas is injected into the arc chamber 13 through the gas supply pipe 21, the injected source gas is discharged from the filament 11 of the cathode and is rapidly transferred to the re- Collides with the thermoelectrons reflected by the feller 12 and is ionized. After being ionized, the ion beam is shaped into a beam and is discharged to the outside through the ion outlet of the upper cover 31, thereby forming an ion region in the semiconductor substrate.

특히, 상기 아크 챔버(13)는 상기 상부덮개(31)를 제외한 바닥판과 4면의 벽체가 일체를 이루는 일체형 구조로 이루어진다.Particularly, the arc chamber 13 has an integral structure in which the bottom plate excluding the upper lid 31 and the walls on four sides are integrated.

그런데, 상기와 같은 종래 기술에는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the above-described conventional techniques have the following problems.

종래의 아크 챔버는 텅스텐과 같은 초경질 소재이면서 취성이 높은 소재로 제작되기 때문에, 아크 챔버의 바닥판과 4면의 벽체를 일체로 형성하여 제작하기가 매우 까다롭고 그 제작에 많은 시간과 인력이 소요되는 문제점이 있었다.
Since the conventional arc chamber is made of ultra hard material such as tungsten and high brittleness material, it is very difficult to manufacture by forming the bottom plate of the arc chamber and the wall on four sides, and it takes a lot of time and manpower There was a problem.

등록특허 제1149826호 "반도체 제조장비의 소스 헤드"(2012.05.18)Registered Patent No. 1149826 "Source Head of Semiconductor Manufacturing Equipment" (2012.05.18)

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로,SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art,

본 발명의 목적은, 바닥판과 4면의 벽체를 분리하여 제작하고 손쉽고 견고하게 조립될 수 있도록 하여 제작에 소요되는 시간과 인력이 현저히 절감되도록 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버를 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide an arc chamber for an ion source head of an ion implantation apparatus in which a bottom plate and four walls are separately manufactured and assembled easily and firmly so that time and manpower required for fabrication are significantly reduced. .

또한, 본 발명의 다른 목적은, 상부덮개를 분리 가능하게 조립하여 아크 챔버의 내부에 설치되는 필라멘트 등의 부품의 교체가 간편하게 이루어질 수 있도록 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버를 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide an arc chamber for an ion source head of an ion implantation apparatus in which an upper lid can be removably assembled so that components such as filaments installed inside the arc chamber can be easily replaced .

또한, 본 발명의 다른 목적은, 결합핀과 결합공을 통해 측면판과 바닥판의 조립 및 결합이 보다 견고하게 이루어지도록 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버를 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide an arc chamber for an ion source head of an ion implantation apparatus, in which assembly and coupling of a side plate and a bottom plate are made more robust through a coupling pin and a coupling hole.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 삽입홈을 쐐기 형상으로 형성하여 삽입홈의 가공이 비교적 손쉽게 이루어지도록 하면서 삽입홈에 대한 조립핀이 결합이 보다 견고하게 이루어지도록 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버를 제공함에 있다.
It is another object of the present invention to provide an ion source head for an ion implantation apparatus in which an insertion groove is formed in a wedge shape so that the insertion groove can be relatively easily machined, Arc chamber.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 "이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버"는, 가스공급관이 연결되는 연결공이 형성되고, 전방과 후방의 상면에 상호 이격되는 한 쌍의 제1 조립핀이 각각 설치되는 바닥판과; 상기 바닥판의 전방 상부에 조립되고, 리펠러가 관통되도록 설치공이 형성되며, 상기 바닥판의 전방 상면에 위치하는 상기 제1 조립핀에 대응하여 전면의 상부와 하부에 한 쌍씩 제1 삽입홈이 형성되고, 배면의 양측에 수직으로 한 쌍의 제1 수직홈이 형성되는 전면판과; 상기 바닥판의 후방 상부에 조립되고, 필라멘트가 관통되도록 관통공이 형성되며, 상기 바닥판의 후방 상면에 위치하는 상기 제1 조립핀에 대응하여 배면의 상부와 하부에 한 쌍씩 제2 삽입홈이 형성되고, 상기 제1 수직홈에 대응하여 전면의 양측에 수직으로 한 쌍의 제2 수직홈이 형성되는 배면판과; 상기 제1 수직홈과 제2 수직홈의 사이에 각각 끼워지는 한 쌍의 측면판과; 상기 전면판과 배면판 및 한 쌍의 측면판의 상면에 밀착되게 배치되고, 이온이 방출되는 이온방출구를 가지며, 상기 제1 삽입홈과 제2 삽입홈에 끼워져 조립되도록 전방과 후방의 하면에 한 쌍의 제2 조립핀이 각각 설치되는 상부덮개를; 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an arc chamber for an ion source head of an ion implantation apparatus, comprising: a pair of first and second spaced- A bottom plate on which the assembly pins are respectively installed; A first insertion hole is formed in the upper part and the lower part of the front plate corresponding to the first assembly pin located on the front upper surface of the bottom plate, A front plate on which a pair of first vertical grooves are formed perpendicularly on both sides of the back surface; A pair of second insertion grooves are formed on the upper and lower sides of the rear surface corresponding to the first assembly pins located on the rear upper surface of the bottom plate so as to form through holes so that the filaments pass through, A rear plate having a pair of second vertical grooves perpendicular to both sides of the front surface corresponding to the first vertical grooves; A pair of side plates sandwiched between the first vertical grooves and the second vertical grooves, respectively; And an ion discharge port through which ions are discharged and which are arranged in close contact with the upper surfaces of the front plate, the back plate and the pair of side plates, An upper cover on which a pair of second assembly pins are respectively installed; .

또한, 본 발명에 따른 "이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버"의 상기 측면판은, 그 상면의 전방과 후방에 각각 형성되고 내측에 암나사산이 형성되는 체결공을, 더 포함하고, 상기 상부덮개는, 상기 체결공에 대응하여 상기 상부덮개를 관통하여 형성되는 볼트관통공과, 상기 볼트관통공을 통해 상기 체결공에 분리 가능하게 체결되는 체결볼트를, 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
Further, the side plate of the "arc chamber for the ion source head of the ion implantation apparatus" according to the present invention further comprises a fastening hole formed in the front and rear of the upper surface thereof, The lid further includes a bolt through-hole formed through the upper cover corresponding to the fastening hole, and a fastening bolt removably fastened to the fastening hole through the bolt through-hole.

또한, 본 발명에 따른 "이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버"의 상기 바닥판은, 상기 측면판의 하면에 대응하여 상기 바닥판의 상면 양측에 돌출되게 설치되는 다수의 결합핀을, 더 포함하고, 상기 측면판은, 상기 결합핀이 끼워져 고정되도록 상기 측면판의 하면에 형성되는 다수의 결합공을, 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
The bottom plate of the " arc chamber for the ion source head of the ion implantation apparatus "according to the present invention includes a plurality of coupling pins protruding from both sides of the upper surface of the bottom plate corresponding to the lower surface of the side plate, And the side plate further includes a plurality of coupling holes formed on a lower surface of the side plate so that the coupling pins are inserted and fixed.

또한, 본 발명에 따른 "이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버"의 상기 결합핀은, 상기 결합공에 억지끼움되어 고정되는 것을 특징으로 한다.
The joint pin of the "arc chamber for the ion source head of the ion implantation apparatus" according to the present invention is fixedly secured to the joint hole.

또한, 본 발명에 따른 "이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버"의 상기 제1 삽입홈과 제2 삽입홈은, 그 외측이 넓고 내측이 좁은 쐐기 형상으로 형성되고 상기 제1 조립핀과 제2 조립핀이 밀착되도록 상기 제1 삽입홈과 제2 삽입홈의 내측이 라운드지게 형성되는 것을 특징으로 한다.
The first insertion groove and the second insertion groove of the "arc chamber for the ion source head of the ion implantation apparatus" according to the present invention are formed in a wedge shape having a wide outer side and a narrow inner side, The first insertion groove and the second insertion groove are rounded so that the two assembly pins closely contact each other.

상술한 바와 같은 본 발명은, 바닥판과 4면의 벽체를 분리하여 제작하고 손쉽고 견고하게 조립될 수 있도록 하여 제작에 소요되는 시간과 인력이 현저히 절감되고, 그에 따라 제작 비용이 저하되고 생산성이 향상되는 효과를 갖는다.As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture the bottom plate and the four-sided wall separately, and assemble easily and firmly, thereby significantly reducing the time and manpower required for the fabrication, .

또한, 본 발명은, 상부덮개를 분리 가능하게 조립하여 아크 챔버의 내부에 설치되는 필라멘트 등의 부품의 교체가 간편하게 이루어질 수 있고, 그에 따라 사용상의 편의성이 증진되는 효과를 갖는다.Further, according to the present invention, the upper cover can be detachably assembled to easily replace parts such as filaments installed in the arc chamber, thereby improving convenience in use.

또한, 본 발명은, 결합핀과 결합공을 통해 측면판과 바닥판의 조립 및 결합이 보다 견고하게 이루어지는 효과를 갖는다.Further, the present invention has the effect that the assembling and coupling of the side plate and the bottom plate are made more robust through the coupling pin and the coupling hole.

또한, 본 발명은, 삽입홈을 쐐기 형상으로 형성하여 삽입홈의 가공이 비교적 손쉽게 이루어지고, 삽입홈에 대한 조립핀이 결합이 보다 견고하게 이루어지는 효과를 갖는다.
In addition, the present invention has the effect that the insertion groove is formed in a wedge shape so that the insertion groove can be relatively easily machined, and the assembly pin for the insertion groove is more firmly engaged.

도 1은 본 발명에 따른 아크 챔버의 분해 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 아크 챔버의 결합 사시도,
도 3은 도 2의 정면도,
도 4는 본 발명에 따른 아크 챔버의 배면 사시도,
도 5는 도 4의 정면도,
도 6은 본 발명에 따른 아크 챔버의 개략적인 평단면도,
도 7은 종래의 이온 소스 헤드를 보인 사시도,
도 8은 종래의 이온 소스 헤드의 작동 상태를 보인 개략적인 종단면도.1 is an exploded perspective view of an arc chamber according to the present invention,
2 is an exploded perspective view of an arc chamber according to the present invention,
Fig. 3 is a front view of Fig. 2,
4 is a rear perspective view of an arc chamber according to the present invention,
Fig. 5 is a front view of Fig. 4,
6 is a schematic top cross-sectional view of an arc chamber according to the present invention,
7 is a perspective view showing a conventional ion source head,
8 is a schematic vertical cross-sectional view showing an operation state of a conventional ion source head.

이하 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 첨부 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 다수의 상이한 형태로 구현될 수 있고, 기술된 실시예에 제한되지 않음을 이해하여야 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention can be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도 1은 본 발명에 따른 아크 챔버의 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 아크 챔버의 결합 사시도이며, 도 3은 도 2의 정면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 아크 챔버의 배면 사시도이며, 도 5는 도 4의 정면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 아크 챔버의 개략적인 평단면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view of an arc chamber according to the present invention, FIG. 2 is an assembled perspective view of an arc chamber according to the present invention, FIG. 3 is a front view of FIG. 2, and FIG. 4 is a rear perspective view of an arc chamber according to the present invention Fig. 5 is a front view of Fig. 4, and Fig. 6 is a schematic plan sectional view of an arc chamber according to the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버는 바닥판(100)과, 상기 바닥판(100)의 전방에 조립되는 전면판(200)과, 상기 바닥판(100)의 후방에 조립되는 배면판(300)과, 상기 전면판(200)과 배면판(300)의 사이에 조립되는 한 쌍의 측면판(400)과, 상기 바닥판(100)의 상부에 조립되는 상부덮개(500)를 포함한다.As shown, the arc chamber for the ion source head of the ion implantation apparatus according to the present invention includes a bottom plate 100, a front plate 200 assembled in front of the bottom plate 100, A pair of side plates 400 assembled between the front plate 200 and the back plate 300 and a pair of side plates 400 installed on the bottom plate 100, And an upper cover 500 to be assembled.

상기 바닥판(100)은 가스공급관이 연결되는 연결공(101)이 형성되고 전방과 후방의 상면에 상호 이격되는 한 쌍의 제1 조립핀(102)이 각각 설치되는 것으로, 본 아크 챔버의 바닥면을 형성하는 역할을 하면서 상기 제1 조립핀(102)이 설치되는 공간을 제공하는 역할을 한다.The bottom plate 100 is provided with a pair of first assembly pins 102 which are spaced apart from each other on a front surface and a rear surface of the bottom plate 100, And serves to provide a space in which the first assembly pin 102 is installed.

상기 연결공(101)은 상기 가스공급관이 연결되는 통로를 제공하는 역할을 한다. 상기 제1 조립핀(102)은 상기 전면판(200)과 배면판(300)이 상기 바닥판(100)의 상면에 조립될 수 있도록 하는 것이다.The connection hole 101 serves to provide a passage through which the gas supply pipe is connected. The first assembly pin 102 allows the front plate 200 and the rear plate 300 to be assembled to the upper surface of the bottom plate 100.

상기 전면판(200)은 상기 바닥판(100)의 전방 상부에 조립되고 리펠러가 관통되도록 설치공(201)이 형성되며 상기 바닥판(100)의 전방 상면에 위치하는 상기 제1 조립핀(102)에 대응하여 전면의 상부와 하부에 한 쌍씩 제1 삽입홈(202)이 형성되고 배면의 양측에 수직으로 한 쌍의 제1 수직홈(203)이 형성되는 것으로, 상기 바닥판(100)의 상면에 상기 제1 조립핀(102)과 상기 제1 삽입홈(202)에 의해 견고하면서 긴밀하게 조립되어 본 아크 챔버의 전면을 형성하는 역할을 한다.The front plate 200 is assembled to a front upper portion of the bottom plate 100 and a mounting hole 201 is formed so that a repeller passes through the front plate 200. The first assembly pin A pair of first vertical grooves 203 are formed vertically on both sides of the rear surface of the bottom plate 100, Tightly and tightly assembled on the upper surface of the first assembly pin 102 and the first insertion groove 202 to form the front surface of the present arc chamber.

상기 설치공(201)은 상기 리펠러가 본 아크 챔버의 내부로 관통되는 통로를 제공하는 역할을 하고, 상기 제1 삽입홈(202)은 상기 제1 조립핀(102)이 삽입되어 상기 바닥판(100)의 상면에 상기 전면판(200)이 손쉽게 조립되도록 하는 것이다.The installation hole 201 serves to provide a passage through which the refiller passes into the main arc chamber. The first insertion hole 202 is formed by inserting the first assembly pin 102, So that the front plate 200 is easily assembled to the upper surface of the front plate 100.

상기 제1 삽입홈(202)은 그 외측이 넓고 내측이 좁은 쐐기 형상으로 형성되어 상기 제1 조립핀(102)과 아래에 설명되는 상기 상부덮개(500)의 제2 조립핀(502)이 원활히 삽입되면서 가공이 간편하게 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 제1 삽입홈(202)은 그 내측이 라운드지게 형성되어 상기 제1 조립핀(102)의 외주면이 상기 제1 삽입홈(202)의 내측에 밀착되도록 하여 상기 제1 삽입홈(202)에 상기 제1 조립핀(102)과 아래에 설명되는 상기 상부덮개(500)의 제2 조립핀(502)이 긴밀하게 조립되도록 하는 것이 가장 바람직하다.The first insertion groove 202 is formed in a wedge shape having a wide outer side and a narrow inner side so that the first assembly pin 102 and the second assembly pin 502 of the upper lid 500, It is preferable that the processing is easily formed while being inserted. The first insertion groove 202 is rounded so that the outer circumferential surface of the first assembly pin 102 is in close contact with the inside of the first insertion groove 202, It is most preferable that the first assembly pin 102 and the second assembly pin 502 of the upper cover 500 described below be closely assembled.

상기 제1 수직홈(203)은 한 쌍의 상기 측면판(400)의 일단이 수직으로 끼워져 간편하면서 긴밀하게 조립되도록 하는 것이다.The first vertical grooves 203 are formed so that one end of each of the pair of side plates 400 is vertically inserted into the first vertical grooves 203 so as to be easily and tightly assembled.

상기 배면판(300)은 상기 바닥판(100)의 후방 상부에 조립되고 필라멘트가 관통되도록 관통공(301)이 형성되며 상기 바닥판(100)의 후방 상면에 위치하는 상기 제1 조립핀(102)에 대응하여 배면의 상부와 하부에 한 쌍씩 제2 삽입홈(302)이 형성되고 상기 제1 수직홈(203)에 대응하여 전면의 양측에 수직으로 한 쌍의 제2 수직홈(303)이 형성되는 것으로, 상기 바닥판(100)의 상면에 상기 제1 조립핀(102)과 상기 제2 삽입홈(302)에 의해 견고하면서 긴밀하게 조립되어 본 아크 챔버의 배면을 형성하는 역할을 한다.The rear plate 300 is assembled to a rear upper portion of the bottom plate 100 and has a through hole 301 through which the filaments are inserted. The first assembly pin 102 positioned at the rear upper surface of the bottom plate 100 A pair of second vertical grooves 303 are formed vertically on both sides of the front surface corresponding to the first vertical grooves 203, And is rigidly and closely assembled to the upper surface of the bottom plate 100 by the first and second insertion holes 102 and 302 to form a back surface of the present arc chamber.

상기 관통공(301)은 상기 필라멘트가 본 아크 챔버의 내부로 관통되는 통로를 제공하는 역할을 하고, 상기 제2 삽입홈(302)은 상기 제1 조립핀(102)이 삽입되어 상기 바닥판(100)의 상면에 상기 배면판(300)이 손쉽게 조립되도록 하는 것이다.The through hole (301) serves to provide a path through which the filament penetrates into the main arc chamber, and the second insertion groove (302) is formed by inserting the first assembly pin (102) The back plate 300 is easily assembled to the upper surface of the base plate 100.

상기 제2 삽입홈(302)은 그 외측이 넓고 내측이 좁은 쐐기 형상으로 형성되어 상기 제1 조립핀(102)과 아래에 설명되는 상기 상부덮개(500)의 제2 조립핀(502)이 원활히 삽입되면서 가공이 간편하게 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 제2 삽입홈(302)은 그 내측이 라운드지게 형성되어 상기 제1 조립핀(102)의 외주면이 상기 제2 삽입홈(302)의 내측에 밀착되도록 하여 상기 제2 삽입홈(302)에 상기 제1 조립핀(102)과 아래에 설명되는 상기 상부덮개(500)의 제2 조립핀(502)이 긴밀하게 조립되도록 하는 것이 가장 바람직하다.The second insertion groove 302 is formed in a wedge shape having a wide outer side and a narrow inner side so that the first assembly pin 102 and the second assembly pin 502 of the upper lid 500 described below are smoothly It is preferable that the processing is easily formed while being inserted. The second insertion groove 302 is formed in a round shape so that the outer circumferential surface of the first assembly pin 102 is in close contact with the inside of the second insertion groove 302, It is most preferable that the first assembly pin 102 and the second assembly pin 502 of the upper cover 500 described below be closely assembled.

상기 제2 수직홈(303)은 한 쌍의 상기 측면판(400)의 타단이 수직으로 끼워져 간편하면서 긴밀하게 조립되도록 하는 것이다.The second vertical grooves 303 are formed so that the other ends of the pair of side plates 400 are vertically fitted to each other to be easily and tightly assembled.

상기 측면판(400)은 한 쌍으로 구비되고 상기 제1 수직홈(203)과 제2 수직홈(303)의 사이에 각각 끼워지는 상기 바닥판(100)의 상면으로 상기 전면판(200)과 배면판(300)의 사이에 긴밀하게 조립된다.The side plates 400 are provided as a pair and are connected to the upper surface of the bottom plate 100 sandwiched between the first vertical grooves 203 and the second vertical grooves 303, And is tightly assembled between the back plate (300).

이와 같이 상기 바닥판(100)의 상면으로 상기 전면판(200)과 배면판(300) 그리고 한 쌍의 상기 측면판(400)이 각각 상호 긴밀하게 조립됨으로써, 사각 케이스 형태의 공간을 형성하게 된다.As described above, the front plate 200, the back plate 300, and the pair of side plates 400 are tightly assembled to the upper surface of the bottom plate 100, thereby forming a rectangular case-shaped space .

상기 상부덮개(500)는 상기 전면판(200)과 배면판(300) 및 한 쌍의 측면판(400)의 상면에 밀착되게 배치되고 이온이 방출되는 이온방출구(501)를 가지며 상기 제1 삽입홈(202)과 제2 삽입홈(302)에 끼워져 조립되도록 전방과 후방의 하면에 한 쌍의 제2 조립핀(502)이 각각 설치되는 것으로, 상기 전면판(200)과 배면판(300) 그리고 한 쌍의 상기 측면판(400)에 의해 형성되는 사각 케이스의 상면을 덮는 역할을 한다.The upper lid 500 has an ion outlet 501 disposed in close contact with the upper surfaces of the front plate 200 and the rear plate 300 and the pair of side plates 400 to discharge ions, A pair of second assembly pins 502 are installed on the front and rear lower surfaces so as to be inserted into the insertion groove 202 and the second insertion groove 302 and the front plate 200 and the back plate 300 And covers the upper surface of the rectangular case formed by the pair of side plates 400. As shown in FIG.

상기 이온방출구(501)는 본 아크 챔버의 내부에서 형성되는 이온이 방출되는 통로를 제공하는 역할을 하고, 상기 제2 조립핀(502)은 상기 제1 삽입홈(202)과 제2 삽입홈(302)에 각각 긴밀하게 끼워져 상기 상부덮개(500)를 상기 전면판(200)과 배면판(300)에 손쉽고 긴밀하게 조립할 수 있도록 하는 것이다.The ion discharge port 501 serves to provide a passage through which ions formed in the arc chamber are discharged, and the second assembly pin 502 is inserted into the first insertion groove 202 and the second insertion groove 502, The upper lid 500 can be easily and tightly assembled to the front plate 200 and the rear plate 300 by tightly fitting the upper lid 500 into the front plate 200 and the rear plate 300, respectively.

또한, 상기 측면판(400)은 그 상면의 전방과 후방에 각각 형성되고 내측에 암나사산이 형성되는 체결공(401)을 더 포함하고, 상기 상부덮개(500)는 상기 체결공(401)에 대응하여 상기 상부덮개(500)를 관통하여 형성되는 볼트관통공(503)과, 상기 볼트관통공(503)을 통해 상기 체결공(401)에 분리 가능하게 체결되는 체결볼트(504)를 더 포함한다.The side plate 400 further includes a fastening hole 401 formed on the front side and a rear side of the upper side thereof and having a female threaded portion formed on the inside thereof and the upper lid 500 is adapted to correspond to the fastening hole 401 A bolt through hole 503 formed through the upper cover 500 and a fastening bolt 504 detachably fastened to the fastening hole 401 through the bolt through hole 503 .

상기 체결공(401)은 상기 체결볼트(504)가 체결되면서 상기 상부덮개(500)가 상기 측면판(400)에 분리 가능하게 고정될 수 있도록 하는 것이다. 이와 같이 상기 상부덮개(500)가 상기 측면판(400)에서 분리 가능함으로써, 상기 상부덮개(500)를 필요에 따라 분리하여 본 아크 챔버를 개방하고 그 내부에 설치되는 필라멘트 등과 같은 부품의 교체가 간편하게 할 수 있게 된다.The fastening hole 401 is formed such that the upper lid 500 can be detachably fixed to the side plate 400 while the fastening bolt 504 is fastened. Since the upper lid 500 can be detached from the side plate 400, the upper lid 500 can be separated as necessary to open the main arc chamber, and replacement of parts such as filaments, It becomes easy to do.

상기 볼트관통공(503)은 상기 체결볼트(504)가 상기 상부덮개(500)를 관통하면서 상기 체결볼트(504)의 머리가 상기 상부덮개(500)에 걸릴 수 있도록 하는 것이고, 상기 체결볼트(504)는 상기 체결공(401)에 나사 결합되어 상기 상부덮개(500)를 상기 측면판(400)에 고정할 수 있도록 하는 것이다.The bolt through hole 503 allows the head of the fastening bolt 504 to be caught by the upper lid 500 while the fastening bolt 504 passes through the upper lid 500, 504 are screwed to the fastening holes 401 so as to fix the upper lid 500 to the side plate 400.

상기 바닥판(100)은 상기 측면판(400)의 하면에 대응하여 상기 바닥판(100)의 상면 양측에 돌출되게 설치되는 다수의 결합핀(103)을 더 포함하고, 상기 측면판(400)은 상기 결합핀(103)이 끼워져 고정되도록 상기 측면판(400)의 하면에 형성되는 다수의 결합공(402)을 더 포함한다.The bottom plate 100 further includes a plurality of engagement pins 103 protruding from both sides of the top surface of the bottom plate 100 corresponding to the bottom surface of the side plate 400, Further includes a plurality of coupling holes 402 formed on a lower surface of the side plate 400 so that the coupling pins 103 are inserted and fixed.

상기 결합핀(103)은 상기 결합공(402)에 끼워짐으로써, 상기 바닥판(100)과 상기 측면판(400) 사이의 결합력과 조립성을 향상시키는 역할을 한다.The coupling pin 103 is fitted in the coupling hole 402 to improve the coupling force and the assembling property between the bottom plate 100 and the side plate 400.

이와 같은 역할을 하는 상기 결합핀(103)은 상기 결합공(402)에 억지끼움되어 고정되는 것이 바람직한데, 이는 상기 결합핀(103)을 상기 결합공(402)에 억지끼움함으로써, 상기 측면판(400)이 상기 바닥판(100)의 상면에 견고하게 조립된다.It is preferable that the coupling pin 103 having such a function is fixedly secured to the coupling hole 402. This is because the coupling pin 103 is constrained to the coupling hole 402, (400) is firmly assembled on the top surface of the bottom plate (100).

이와 같이 구성되는 본 아크 챔버는 상기 바닥판(100), 전면판(200), 배면판(300), 측면판(400), 및 상부덮개(500)가 상호 조립되도록 구성됨으로써, 상기 바닥판(100), 전면판(200), 배면판(300) 및 측면판(400)을 일체로 가공할 필요없이 개별적으로 가공할 수 있게 되어 그 생산성이 현저히 향상된다.The main arc chamber thus constructed is configured such that the bottom plate 100, the front plate 200, the back plate 300, the side plates 400, and the top lid 500 are assembled together, 100, the front plate 200, the back plate 300, and the side plate 400 can be individually processed without having to integrally process them, and productivity is remarkably improved.

특히, 본 아크 챔버의 소재가 초경질 소재인 텅스텐이라는 점을 감안하면 본 아크 챔버의 제작을 위한 가공 상의 이점은 충분히 인지 가능하다.
In particular, given the fact that the material of the present arc chamber is tungsten, which is a super hard material, the processing advantages for manufacturing the present arc chamber are sufficiently recognizable.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It is clear that the present invention can be suitably modified and applied in the same manner. Therefore, the above description does not limit the scope of the present invention, which is defined by the limitations of the following claims.

한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함을 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention.

100 : 바닥판
101 : 연결공 102 : 제1 조립핀
103 : 결합핀
200 : 전면판
201 : 설치공 202 : 제1 삽입홈
203 : 제1 수직홈
300 : 배면판
301 : 관통공 302 : 제2 삽입홈
303 : 제2 수직홈
400 : 측면판
401 : 체결공 402 : 결합공
500 : 상부덮개
501 : 이온방출구 502 : 제2 조립핀
503 : 볼트관통공 504 : 체결볼트100: bottom plate
101: connection hole 102: first assembly pin
103:
200: front plate
201: installation hole 202: first insertion groove
203: first vertical groove
300: rear plate
301: through hole 302: second insertion groove
303: second vertical groove
400: side plate
401: fastening hole 402: fastening hole
500: upper cover
501: ion outlet 502: second assembly pin
503: bolt through hole 504: fastening bolt

Claims (5)

가스공급관이 연결되는 연결공(101)이 형성되고, 전방과 후방의 상면에 상호 이격되는 한 쌍의 제1 조립핀(102)이 각각 설치되는 바닥판(100)과;
상기 바닥판(100)의 전방 상부에 조립되고, 리펠러가 관통되도록 설치공(201)이 형성되며, 상기 바닥판(100)의 전방 상면에 위치하는 상기 제1 조립핀(102)에 대응하여 전면의 상부와 하부에 한 쌍씩 제1 삽입홈(202)이 형성되고, 배면의 양측에 수직으로 한 쌍의 제1 수직홈(203)이 형성되는 전면판(200)과;
상기 바닥판(100)의 후방 상부에 조립되고, 필라멘트가 관통되도록 관통공(301)이 형성되며, 상기 바닥판(100)의 후방 상면에 위치하는 상기 제1 조립핀(102)에 대응하여 배면의 상부와 하부에 한 쌍씩 제2 삽입홈(302)이 형성되고, 상기 제1 수직홈(203)에 대응하여 전면의 양측에 수직으로 한 쌍의 제2 수직홈(303)이 형성되는 배면판(300)과;
상기 제1 수직홈(203)과 제2 수직홈(303)의 사이에 각각 끼워지는 한 쌍의 측면판(400)과;
상기 전면판(200)과 배면판(300) 및 한 쌍의 측면판(400)의 상면에 밀착되게 배치되고, 이온이 방출되는 이온방출구(501)를 가지며, 상기 제1 삽입홈(202)과 제2 삽입홈(302)에 끼워져 조립되도록 전방과 후방의 하면에 한 쌍의 제2 조립핀(502)이 각각 설치되는 상부덮개(500)를; 포함하고,
상기 제1 삽입홈(202)과 제2 삽입홈(302)은, 그 외측이 넓고 내측이 좁은 쐐기 형상으로 형성되고 상기 제1 조립핀(102)과 제2 조립핀(502)이 밀착되도록 상기 제1 삽입홈(202)과 제2 삽입홈(302)의 내측이 라운드지게 형성되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버.
A bottom plate 100 having a connection hole 101 to which a gas supply pipe is connected, and a pair of first assembly pins 102 spaced apart from each other on the front and rear upper surfaces;
An installation hole 201 is formed in the front upper part of the bottom plate 100 so as to allow the repeller to pass therethrough and a second hole 201 corresponding to the first assembly pin 102 positioned on the front upper surface of the bottom plate 100 A front plate 200 having a pair of first insertion grooves 202 formed at an upper portion and a lower portion of a front surface thereof and a pair of first vertical grooves 203 formed at both sides of a rear surface thereof vertically;
A through hole 301 is formed in the rear upper portion of the bottom plate 100 to allow the filament to pass through the through hole 301 and the back surface of the bottom plate 100, A pair of second vertical grooves 303 are formed on both sides of the front surface corresponding to the first vertical grooves 203, (300);
A pair of side plates (400) sandwiched between the first vertical grooves (203) and the second vertical grooves (303);
The first insertion groove 202 and the first insertion groove 202 are disposed in close contact with the upper surface of the front plate 200 and the rear plate 300 and the pair of side plates 400, And a pair of second assembly pins (502) mounted on the front and rear lower surfaces of the upper cover (500) so as to be fitted into the second insertion groove (302); Including,
The first insertion groove 202 and the second insertion groove 302 are formed in a wedge shape having a wide outer side and a narrow inner side and the first assembly pin 102 and the second assembly pin 502 are closely contacted with each other, Wherein an inner side of the first insertion groove (202) and a side of the second insertion groove (302) are rounded.
제1항에 있어서,
상기 측면판(400)은,
그 상면의 전방과 후방에 각각 형성되고 내측에 암나사산이 형성되는 체결공(401)을, 더 포함하고,
상기 상부덮개(500)는,
상기 체결공(401)에 대응하여 상기 상부덮개(500)를 관통하여 형성되는 볼트관통공(503)과,
상기 볼트관통공(503)을 통해 상기 체결공(401)에 분리 가능하게 체결되는 체결볼트(504)를, 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버.
The method according to claim 1,
The side plate (400)
And a fastening hole (401) formed on the front and rear sides of the upper surface thereof and having a female threaded portion formed on the inside thereof,
The upper lid 500 may be,
A bolt through hole 503 formed through the upper cover 500 corresponding to the fastening hole 401,
And a fastening bolt (504) detachably fastened to the fastening hole (401) through the bolt through hole (503).
제1항에 있어서,
상기 바닥판(100)은,
상기 측면판(400)의 하면에 대응하여 상기 바닥판(100)의 상면 양측에 돌출되게 설치되는 다수의 결합핀(103)을, 더 포함하고,
상기 측면판(400)은,
상기 결합핀(103)이 끼워져 고정되도록 상기 측면판(400)의 하면에 형성되는 다수의 결합공(402)을, 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버.
The method according to claim 1,
The bottom plate (100)
And a plurality of engagement pins 103 protruding from both sides of the upper surface of the bottom plate 100 corresponding to a lower surface of the side plate 400,
The side plate (400)
Further comprising a plurality of coupling holes (402) formed in a lower surface of the side plate (400) so that the coupling pins (103) are inserted and fixed.
제3항에 있어서,
상기 결합핀(103)은, 상기 결합공(402)에 억지끼움되어 고정되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이온 소스 헤드용 아크 챔버.
The method of claim 3,
Wherein the coupling pin (103) is fixedly secured to the coupling hole (402).
삭제delete
KR20130107876A 2013-09-09 2013-09-09 Arc chamber for ion source head of ion implantation apparatus KR101498150B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130107876A KR101498150B1 (en) 2013-09-09 2013-09-09 Arc chamber for ion source head of ion implantation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130107876A KR101498150B1 (en) 2013-09-09 2013-09-09 Arc chamber for ion source head of ion implantation apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101498150B1 true KR101498150B1 (en) 2015-03-04

Family

ID=53026081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130107876A KR101498150B1 (en) 2013-09-09 2013-09-09 Arc chamber for ion source head of ion implantation apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101498150B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019190659A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Improved performance extraction set

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200288281Y1 (en) * 2002-06-21 2002-09-10 동부전자 주식회사 arc chamber structure of ion implanter
KR20040045187A (en) * 2002-11-22 2004-06-01 삼성전자주식회사 A arc chamber with a couple of body in a source head at an ion implantation machine

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200288281Y1 (en) * 2002-06-21 2002-09-10 동부전자 주식회사 arc chamber structure of ion implanter
KR20040045187A (en) * 2002-11-22 2004-06-01 삼성전자주식회사 A arc chamber with a couple of body in a source head at an ion implantation machine

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019190659A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Improved performance extraction set
TWI718491B (en) * 2018-03-27 2021-02-11 美商瓦里安半導體設備公司 Extraction plate
TWI761866B (en) * 2018-03-27 2022-04-21 美商瓦里安半導體設備公司 Extraction set and workpiece processing system
JP2022084724A (en) * 2018-03-27 2022-06-07 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド Extraction set with improved performance
JP7303918B2 (en) 2018-03-27 2023-07-05 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド Extraction set with improved performance

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8796649B2 (en) Ion implanter
TWI673776B (en) Sic coating in an ion implanter
KR20080065276A (en) Dual mode ion source for ion implantation
JP2010521765A (en) Front plate for ion source
US10262833B2 (en) Temperature controlled ion source
US8183542B2 (en) Temperature controlled ion source
US20090101834A1 (en) Ion beam extraction assembly in an ion implanter
TWI550678B (en) Ion source and method of generating hot electrons thereof
KR101498150B1 (en) Arc chamber for ion source head of ion implantation apparatus
KR20080102830A (en) Ion generator
KR101404916B1 (en) Unit for supplying gas and ion beam source having the unit
KR100584791B1 (en) Ion source and ion implanter having the same
KR101149826B1 (en) Source head for semiconductor production
US10217600B1 (en) Indirectly heated cathode ion source assembly
KR101726189B1 (en) Repeller for ion implanter
TWM554221U (en) Filament, cathode module and ion implantation equipment
CN216528735U (en) Carbon ion source device with reflector power supply
KR100706788B1 (en) Filament member and ion source of an ion implantation apparatus having the filament member
JPH0353402Y2 (en)
US11961696B1 (en) Ion source cathode
KR200288468Y1 (en) Ion Implanter using Bernas Type Filament System
US11545330B2 (en) Ion source with multiple bias electrodes
KR100610766B1 (en) Ion Formation Chamber
CN114360991A (en) Carbon ion source device with reflector power supply
KR101692205B1 (en) Source head for semiconductor equipment

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200109

Year of fee payment: 6