KR101496059B1 - Method of obtaining location information of dies - Google Patents

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KR101496059B1
KR101496059B1 KR20130165292A KR20130165292A KR101496059B1 KR 101496059 B1 KR101496059 B1 KR 101496059B1 KR 20130165292 A KR20130165292 A KR 20130165292A KR 20130165292 A KR20130165292 A KR 20130165292A KR 101496059 B1 KR101496059 B1 KR 101496059B1
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die
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position coordinates
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이정섭
박필규
한승남
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세메스 주식회사
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    • H01L2225/06596—Structural arrangements for testing

Abstract

The present invention relates to a method to obtain information on the positions of a plurality of dies to a wafer composed of the dies attached to a dicing tape individually. The method comprises: a step of obtaining images of a first die positioned on the central part of the wafer using a camera in order to obtain a coordinate of the position of the first die; a step of obtaining images of a second die adjacent in an X-axis direction from the first die in order to obtain a coordinate of the position of the second die; and a step of calculating an X-axis direction pitch between the dies and the arrangement angle of the wafer using the coordinates of the position of the first and second dies.

Description

다이들의 위치 정보를 획득하는 방법{Method of obtaining location information of dies}Field of the Invention < RTI ID = 0.0 > [0001] < / RTI &

본 발명의 실시예들은 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 다이싱 공정에 의해 개별화된 후 다이싱 테이프에 부착된 복수의 반도체 다이들로 이루어진 웨이퍼에 대하여 상기 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention are directed to a method for obtaining position information of dies. More particularly, the present invention relates to a method for acquiring position information of dies for a wafer made up of a plurality of semiconductor dies attached to a dicing tape after individualization by a dicing process.

집적 회로 소자들과 같은 반도체 소자들은 일반적으로 실리콘웨이퍼와 같은 기판 상에 일련의 처리 공정들을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 막을 형성하는 증착 공정, 상기 막을 전기적 특성들을 갖는 패턴들로 형성하기 위한 식각 공정, 상기 패턴들에 불순물들을 주입 또는 확산시키기 위한 이온 주입 공정 또는 확산 공정, 상기 패턴들이 형성된 웨이퍼로부터 불순물들을 제거하기 위한 세정 및 린스 공정 등을 반복적으로 수행함으로써 상기 반도체 소자들이 상기 웨이퍼 상에 형성될 수 있다.Semiconductor devices, such as integrated circuit devices, can generally be formed by repeatedly performing a series of process steps on a substrate, such as a silicon wafer. For example, there may be employed a deposition process for forming a film on a wafer, an etching process for forming the film into patterns having electrical characteristics, an ion implantation process or diffusion process for implanting or diffusing impurities into the patterns, The semiconductor elements can be formed on the wafer by repeatedly performing a cleaning and rinsing process or the like to remove impurities from the wafer.

이어서, 상기 웨이퍼는 백 그라인드 공정 및 다이싱 공정을 통하여 두께가 얇아질 수 있으며 또한 복수의 개별화된 반도체 다이들로 분할될 수 있다. 상기 반도체 다이들은 대략 원형 링 형태의 마운트 프레임에 장착된 다이싱 테이프에 부착될 수 있으며 다이 본딩 공정과 몰딩 공정 등을 통해 반도체 패키지로 제조될 수 있다.The wafer may then be thinned through a backgrind process and a dicing process and may be further divided into a plurality of individualized semiconductor dies. The semiconductor dies may be attached to a dicing tape mounted on a mount ring of a generally circular ring shape and may be fabricated into a semiconductor package through a die bonding process, a molding process, or the like.

한편, 상기와 같이 웨이퍼 상에 반도체 소자들이 형성된 후 상기 웨이퍼에 대한 검사 공정이 수행될 수 있다. 상기 웨이퍼를 검사하기 위한 장치는 상기 웨이퍼 상의 반도체 소자들에 검사 이미지들을 획득하기 위한 카메라와 상기 웨이퍼를 조명하기 위한 조명 유닛 등을 포함할 수 있다. 일 예로서, 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0029532호, 제10-2013-0130510호 등에는 카메라와 경사 조명을 구비하는 검사 장치가 개시되어 있다.Meanwhile, after the semiconductor elements are formed on the wafer as described above, the wafer may be inspected. The apparatus for inspecting the wafer may include a camera for acquiring inspection images on the semiconductor elements on the wafer, an illumination unit for illuminating the wafer, and the like. As an example, Korean Patent Laid-Open Nos. 10-2010-0029532 and 10-2013-0130510 disclose an inspection apparatus having a camera and oblique illumination.

그러나, 상기와 다르게 상기 백 그라인드 공정과 다이싱 공정이 수행된 후 상기 개별화된 다이들에 대하여 검사 공정이 수행될 수도 있다. 이 경우, 상기 다이싱 공정과 상기 다이들의 이면에 다이싱 테이프를 부착하는 공정에서 상기 다이들의 위치가 변화될 수 있으며, 이에 따라 상기 다이들에 대한 검사 이미지들을 획득하기가 어려워질 수 있다.However, the inspection process may be performed on the individual dies after the back grind process and the dicing process are performed. In this case, the positions of the dies may be changed in the step of attaching the dicing tape to the back of the dicing step and the dies, so that it may become difficult to obtain inspection images for the dies.

특히, 상기 검사 공정을 위하여 상기 마운팅 프레임이 상기 검사 장치의 척 상에 로드되는 경우 상기 다이싱 테이프가 소정 부분 확장될 수 있으며, 이에 따라 상기 다이들 사이의 피치가 변화될 수 있다. 또한, 상기 다이들이 상기 다이싱 테이프에 부착되는 과정에서 전체적으로 배치 각도가 변화될 수 있다.In particular, when the mounting frame is loaded on the chuck of the inspection apparatus for the inspection process, the dicing tape can be extended to a certain extent, so that the pitch between the dies can be changed. Also, the placement angle may be changed as a whole during the process of attaching the dies to the dicing tape.

결과적으로, 상기 다이싱 공정 및 다이싱 테이프 부착 공정에서 제공되는 상기 다이들의 위치 정보만으로 상기 다이들에 대한 검사 공정을 수행하기에는 어려움이 있으며, 이에 따라 상기 다이싱 테이프에 부착된 다이들의 검사를 위하여 상기 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법에 대한 요구가 제기되고 있다.As a result, it is difficult to perform the inspection process on the dies only by the positional information of the dies provided in the dicing process and the dicing tape attaching process. Accordingly, in order to inspect the dies attached to the dicing tape There is a need for a method of obtaining position information of the dies.

본 발명의 실시예들은 다이싱 테이프에 부착된 다이들의 검사를 위하여 상기 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Embodiments of the present invention are directed to providing a method for acquiring position information of dies for inspection of dies attached to a dicing tape.

본 발명의 실시예들에 따르면, 개별화된 상태로 다이싱 테이프 상에 부착된 복수의 다이들로 이루어진 웨이퍼에 대하여 상기 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법에 있어서, 카메라를 이용하여 상기 웨이퍼의 중심 부위에 위치된 제1 다이의 이미지를 획득하여 상기 제1 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계와, 상기 제1 다이로부터 X축 방향으로 인접하는 제2 다이의 이미지를 획득하여 상기 제2 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계와, 상기 제1 및 제2 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼의 배치 각도를 산출하는 단계가 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, there is provided a method of acquiring position information of dies for a wafer comprising a plurality of dies attached on a dicing tape in an individualized state, Obtaining an image of a first die positioned in the X-axis direction from the first die to obtain an image of the first die positioned in the X- And calculating the placement angle of the wafer and the pitch in the X-axis direction between the dies using the positional coordinates of the first and second dies.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼의 에지 부위에 배치된 다이들 중 적어도 2개의 에지 다이들에 대한 이미지들을 획득하여 상기 에지 다이들의 위치 좌표들을 획득하는 단계와, 상기 에지 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심 위치 좌표를 산출하는 단계가 더 수행될 수 있으며, 상기 제1 다이의 이미지는 상기 산출된 중심 위치 좌표를 이용하여 획득할 수 있다.According to embodiments of the present invention, there is provided a method comprising: obtaining images for at least two of the dies of dice disposed at an edge of the wafer to obtain position coordinates of the edge dies; Calculating a center position coordinate of the wafer using the calculated center position coordinates, and the image of the first die can be obtained using the calculated center position coordinates.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 및 제2 다이들의 위치 좌표들은 상기 제1 및 제2 다이들의 이미지들에서 기 설정된 패턴을 검출하고 상기 패턴을 기준으로 획득될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the positional coordinates of the first and second dies may be detected based on the pattern and detecting a predetermined pattern in the images of the first and second dies.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 다이의 위치 좌표를 이용하여 상기 카메라의 위치를 보정할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the position of the camera can be corrected using the position coordinates of the first die.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 산출된 웨이퍼의 배치 각도를 이용하여 상기 카메라의 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.According to embodiments of the present invention, the position of the camera is corrected using the calculated placement angle of the wafer.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 X축 방향으로 상기 웨이퍼의 에지 부위에 위치된 제3 다이의 이미지를 획득하여 상기 제3 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계와, 상기 제1 및 제3 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼의 배치 각도를 이차 산출하는 단계가 더 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, obtaining an image of a third die positioned at an edge portion of the wafer in the X-axis direction to obtain position coordinates of the third die; The pitch of the X-axis direction between the dies and the placement angle of the wafer may be further calculated using the positional coordinates of the wafer.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 X축 방향으로 상기 제3 다이에 대하여 상기 웨이퍼의 반대쪽 에지 부위에 위치된 제4 다이의 이미지를 획득하여 상기 제4 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계와, 상기 제3 및 제4 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼의 배치 각도를 최종 산출하는 단계가 더 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, obtaining an image of a fourth die positioned at an opposite edge portion of the wafer relative to the third die in the X axis direction to obtain position coordinates of the fourth die, And finally calculating the pitch of the wafer in the X-axis direction and the placement angle of the wafer using the position coordinates of the third and fourth dies.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 최종 산출된 웨이퍼의 배치 각도에 따라 상기 제3 및 제4 다이들이 상기 X축 방향과 평행하게 위치되도록 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계가 더 수행될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the step of rotating the wafer may be further performed so that the third and fourth dies are positioned parallel to the X-axis direction according to the arrangement angle of the finally calculated wafer.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 웨이퍼를 회전시킨 후 상기 제1 다이의 이미지를 이차 획득하여 상기 제1 다이의 위치 좌표를 보정하는 단계가 더 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, further step of correcting the positional coordinates of the first die by secondary acquisition of the image of the first die after rotating the wafer may be performed.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 다이로부터 Y축 방향으로 인접하는 제5 다이의 이미지를 획득하여 상기 제5 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계와, 상기 제1 및 제5 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 Y축 방향 피치를 산출하는 단계가 더 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, there is provided a method comprising: obtaining an image of a fifth die adjacent in the Y axis direction from the first die to obtain position coordinates of the fifth die; The step of calculating the Y-axis direction pitch between the dies using the coordinates may be further performed.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 Y축 방향으로 상기 웨이퍼의 에지 부위에 위치된 제6 다이의 이미지를 획득하여 상기 제6 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계와, 상기 제1 및 제6 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 Y축 방향 피치를 이차 산출하는 단계가 더 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, there is provided a method comprising: obtaining an image of a sixth die positioned at an edge portion of the wafer in the Y axis direction to obtain position coordinates of the sixth die; A second step of calculating a Y-axis direction pitch between the dies using the positional coordinates of the dies may be further performed.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 Y축 방향으로 상기 제6 다이에 대하여 상기 웨이퍼의 반대쪽 에지 부위에 위치된 제7 다이의 이미지를 획득하여 상기 제7 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계와, 상기 제6 및 제7 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 Y축 방향 피치를 최종 산출하는 단계가 더 수행될 수 있다.According to embodiments of the present invention, obtaining an image of a seventh die positioned at an opposite edge portion of the wafer relative to the sixth die in the Y axis direction to obtain position coordinates of the seventh die, And finally calculating the pitch in the Y-axis direction between the dies using the positional coordinates of the sixth and seventh dies.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, X축 방향으로 웨이퍼의 양쪽 에지 부위들에 위치된 제3 및 제4 다이들의 이미지들을 획득하고, 이로부터 상기 제3 및 제4 다이들의 위치 좌표들을 획득하며, 상기 제3 및 제4 다이들의 위치 좌표로부터 상기 다이들의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼의 배치 각도를 획득할 수 있다.According to embodiments of the present invention as described above, images of third and fourth dies located at both edge portions of the wafer in the X-axis direction are obtained, from which the position coordinates of the third and fourth dies And obtain the pitch of the dies in the X-axis direction and the placement angle of the wafer from the position coordinates of the third and fourth dies.

또한, 상기와 같이 획득된 웨이퍼의 배치 각도를 이용하여 상기 제3 및 제4 다이들이 상기 X축 방향에 대하여 평행하게 위치될 수 있도록 상기 웨이퍼를 회전시킴으로써 상기 웨이퍼의 배치 각도를 보정할 수 있다.Further, the arrangement angle of the wafer can be corrected by rotating the wafer so that the third and fourth dies can be positioned parallel to the X-axis direction by using the obtained arrangement angles of the wafers.

추가적으로, Y축 방향으로 상기 웨이퍼의 양쪽 에지 부위들에 위치된 제6 및 제7 다이들의 이미지들을 획득하고, 이로부터 상기 제6 및 제7 다이들의 위치 좌표들을 획득하며, 상기 제6 및 제7 다이들의 위치 좌표로부터 상기 다이들의 Y축 방향 피치를 획득할 수 있다.Additionally, images of the sixth and seventh dies located at both edge portions of the wafer in the Y-axis direction are obtained, from which the positional coordinates of the sixth and seventh dies are obtained, and the sixth and seventh The pitch of the dies in the Y-axis direction can be obtained from the position coordinates of the dies.

결과적으로, 상기 다이들의 위치 좌표들을 상기 다이들의 검사 공정 이전에 실측을 통해 획득함으로써 상기 다이 검사 공정에서 상기 다이들의 검사 이미지들을 용이하게 획득할 수 있으며, 이에 따라 상기 다이들의 검사 이미지들을 획득하는데 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있으며, 또한 상기 다이 검사 공정의 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.As a result, it is possible to easily obtain the inspection images of the dies in the die inspection process by obtaining the positional coordinates of the dies through actual inspection before the inspection process of the dies, thereby obtaining the inspection images of the dies The reliability of the die inspection process can be greatly improved.

도 1은 다이싱 테이프에 부착된 복수의 다이들로 이루어진 웨이퍼에 대하여 검사 공정을 수행하기 위한 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 다이싱 테이프에 부착된 다이들을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법을 설명하기 위한 순서도들이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic diagram showing an apparatus for performing an inspection process on a wafer composed of a plurality of dies attached to a dicing tape. FIG.
2 is a schematic plan view for explaining dies attached to the dicing tape.
3 and 4 are flowcharts for explaining a method of acquiring position information of dies according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described in more detail below with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Thus, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the areas illustrated in the drawings, but include deviations in the shapes, the areas described in the drawings being entirely schematic and their shapes Is not intended to illustrate the exact shape of the area and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 다이싱 테이프에 부착된 복수의 다이들로 이루어진 웨이퍼에 대하여 검사 공정을 수행하기 위한 장치를 나타내는 개략적인 구성도이며, 도 2는 다이싱 테이프에 부착된 다이들을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.Fig. 1 is a schematic structural view showing an apparatus for performing an inspection process on a wafer composed of a plurality of dies attached to a dicing tape, Fig. 2 is a schematic plan view for explaining dies attached to the dicing tape to be.

도 1 및 도 2를 참조하면, 다이 검사 장치(100)는 백 그라인드 공정 및 다이싱 공정에 의해 두께가 얇아지고 개별화된 복수의 다이들(20)에 대한 검사를 수행하기 위하여 사용될 수 있다. 특히 상기 개별화된 다이들(20)로 구성된 웨이퍼(10)는 다이싱 테이프(30)에 부착된 상태로 상기 다이 검사 장치(100)로 로드될 수 있으며, 이때 상기 다이싱 테이프(30)는 대략 원형 링 형태의 마운트 프레임(40)에 장착될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the die inspection apparatus 100 may be used to perform inspection of a plurality of dies 20 that are thinned and individualized by a back grind process and a dicing process. Particularly, the wafer 10 composed of the individualized dies 20 can be loaded into the die inspection apparatus 100 while attached to the dicing tape 30, And can be mounted on the mount frame 40 in the form of a circular ring.

상기 다이 검사 장치(110)는 상기 다이싱 테이프(30)에 부착된 다이들(20)에 대한 이미지들을 획득하기 위한 카메라(110)와, 상기 다이들(20)을 지지하기 위한 척(120)을 포함할 수 있다. 상기 척(120)은 상기 다이들(10)을 지지하기 위한 제1 서포트 영역(122)과, 상기 제1 서포트 영역(122)의 외측에 구비되며 상기 다이싱 테이프(30)가 장착된 상기 마운트 프레임(40)을 지지하기 위한 제2 서포트 영역(124)을 포함할 수 있다.The die inspection apparatus 110 includes a camera 110 for obtaining images for the dies 20 attached to the dicing tape 30 and a chuck 120 for supporting the dies 20, . ≪ / RTI > The chuck 120 includes a first support area 122 for supporting the dies 10 and a second support area 122 provided on the outer side of the first support area 122 for supporting the dicing tape 30 And a second support region 124 for supporting the frame 40.

특히, 상기 제1 서포트 영역(122)은 상기 제2 서포트 영역(124)보다 높게 구성될 수 있으며, 이에 의해 상기 다이싱 테이프(30)가 다소 확장될 수 있으며 이에 의해 충분히 긴장된 상태를 유지할 수 있다. 결과적으로, 상기 다이싱 테이프(30) 상에 부착된 다이들(20) 사이의 간격이 변화될 수 있으며, 이에 따라 상기 검사 공정을 수행하기 이전에 상기 다이들(20)의 위치 정보를 획득할 필요가 있다.In particular, the first support area 122 may be configured to be higher than the second support area 124, thereby allowing the dicing tape 30 to be somewhat expanded and thereby maintaining a sufficiently taut state . As a result, the distance between the dies 20 attached on the dicing tape 30 can be changed, thereby obtaining the position information of the dies 20 before performing the inspection process There is a need.

한편, 도시되지는 않았으나, 상기 카메라(110)는 별도의 구동부(미도시)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있으며, 상기 척(120)은 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 조절하기 위하여 회전 가능하게 구성될 수 있다. 일 예로서, 상기 카메라(110)는 직교 좌표 로봇에 의해 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동될 수 있으며, 상기 척(120)은 다이렉트 드라이브 모터 등과 같은 회전 구동부(미도시)에 의해 회전 가능하게 구성될 수 있다.Although not shown, the camera 110 may be configured to be movable in a horizontal direction by a separate driving unit (not shown), and the chuck 120 may adjust the angle of placement of the wafer 10 And can be configured to be rotatable. For example, the camera 110 may be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by a rectangular coordinate robot, and the chuck 120 may be rotated by a rotation driving unit (not shown) such as a direct drive motor Lt; / RTI >

또한, 상기 카메라(110)에 의해 획득된 이미지들은 이미지 분석 유닛(130)에 의해 분석될 수 있으며, 이에 의해 상기 다이들(20)의 위치 좌표 및 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도가 획득될 수 있다.The images acquired by the camera 110 can also be analyzed by the image analysis unit 130 so that the positional coordinates of the dies 20 and the placement angle of the wafer 10 can be obtained have.

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법을 설명하기 위한 순서도들이다.3 and 4 are flowcharts for explaining a method of acquiring position information of dies according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of acquiring position information of dies according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

S100 단계에서, 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위에 배치된 다이들 중 적어도 2개의 에지 다이들(20E)에 대한 이미지들을 획득하여 상기 에지 다이들(20E)의 위치 좌표들을 획득한다.In step S100, images are acquired for at least two of the dies 20E arranged at the edge portion of the wafer 10 to obtain the positional coordinates of the edge dies 20E.

구체적으로, 상기 카메라(110)를 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위에 배치된 다이들 중에서 임의로 선택된 2개의 에지 다이들(20E) 상으로 순차 이동시킬 수 있으며, 상기 에지 다이들(20E)의 이미지들을 각각 획득한다. 이때, 상기 카메라(110)는 기 설정된 다이들(20)의 초기 위치 정보를 이용하여 상기 에지 다이들(20E) 상부로 이동될 수 있다. 상기 다이들(20)의 초기 위치 정보는 상기 다이싱 공정 및 상기 다이들(20)을 상기 다이싱 테이프(30)에 부착하는 공정 설비로부터 미리 제공될 수 있다.Specifically, the camera 110 can be sequentially moved onto two arbitrarily selected two of the dice 20E arranged at the edge portion of the wafer 10, and the image of the edge dice 20E Respectively. At this time, the camera 110 can be moved to the upper portion of the edge dies 20E using the initial position information of the predetermined dies 20. [ The initial position information of the dies 20 may be provided in advance from the dicing process and the process equipment for attaching the dies 20 to the dicing tape 30. [

상기 초기 위치 정보에는 상기 다이들(20) 사이의 피치, 상기 다이들(20)의 개수 및 크기, 상기 마운트 프레임(40)과 상기 웨이퍼(10) 사이의 상대적인 위치 정보 등이 포함될 수 있다.The initial position information may include the pitch between the dies 20, the number and size of the dies 20, relative position information between the mount frame 40 and the wafer 10, and the like.

한편, 상기에서는 2개의 에지 다이들(20E)을 선택하고 있으나, 이와 다르게 3개 이상의 에지 다이들(20E)이 선택될 수도 있다. 또한, 상기 에지 다이들(20E)의 위치 좌표는 상기 에지 다이들(20E)의 상부 표면에 형성된 식별 패턴을 기준으로 획득될 수 있다. 예를 들면, 상기 다이들(20)의 상부 표면에 형성된 전극 패드들 중 일부가 상기 식별 패턴으로 미리 설정될 수 있다. 그러나, 상기 식별 패턴으로는 상기 다이들(20)의 상부 표면에서 식별 가능한 다양한 패턴들이 사용될 수 있으므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.Meanwhile, although two edge dies 20E are selected in the above description, three or more edge dies 20E may alternatively be selected. In addition, the positional coordinates of the edge dice 20E can be obtained based on the identification pattern formed on the upper surface of the edge dies 20E. For example, some of the electrode pads formed on the upper surface of the dies 20 may be preset with the identification pattern. However, various patterns that can be identified on the upper surface of the dies 20 may be used for the identification pattern, so that the scope of the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 에지 다이들(20E)의 위치 좌표로서 상기 식별 패턴의 위치 좌표가 사용될 수도 있으며, 이와 다르게 상기 식별 패턴에 의해 산출될 수 있는 상기 에지 다이들(20E)의 중심 좌표가 상기 에지 다이들(20E)의 위치 좌표로서 사용될 수도 있다. 한편, 상기 에지 다이들(20E)의 중심 좌표는 상기 식별 패턴의 위치 좌표와 상기 초기 위치 정보를 이용하여 산출될 수 있다.Also, the positional coordinates of the identification pattern may be used as the positional coordinates of the edge dies 20E, or alternatively, the center coordinates of the edge dies 20E, which can be calculated by the identification pattern, May be used as the positional coordinates of the second lens unit 20E. The center coordinates of the edge dice 20E may be calculated using the position coordinates of the identification pattern and the initial position information.

S110 단계에서, 상기 획득된 에지 다이들(20E)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 웨이퍼(10)의 중심 위치 좌표를 산출한다. 상기 웨이퍼(10)의 중심 위치 좌표는 상기 초기 위치 정보로부터 제공되는 상기 웨이퍼(10)의 반지름을 이용하여 산출될 수 있다.In step S110, the center position coordinates of the wafer 10 are calculated using the position coordinates of the obtained edge dies 20E. The center position coordinates of the wafer 10 can be calculated using the radius of the wafer 10 provided from the initial position information.

S120 단계에서, 상기 웨이퍼(10)의 중심 부위에 위치된 제1 다이(201)의 이미지를 획득하여 상기 제1 다이(201)의 위치 좌표를 획득한다.In step S120, an image of the first die 201 positioned at the central portion of the wafer 10 is acquired to obtain the positional coordinates of the first die 201. [

구체적으로, 상기 카메라(110)를 상기 산출된 웨이퍼(10)의 중심 위치 좌표로 이동시킨 후 상기 제1 다이(201)의 이미지를 획득할 수 있다. 상기 제1 다이(201)의 이미지에서 상기 제1 다이(201)의 식별 패턴이 검출될 수 있으며, 상기 제1 다이(201)의 식별 패턴이 위치된 좌표가 상기 제1 다이(201)의 위치 좌표로 저장될 수 있다.Specifically, the image of the first die 201 may be obtained after moving the camera 110 to the center position coordinates of the calculated wafer 10. The identification pattern of the first die 201 may be detected in the image of the first die 201 and the coordinates at which the identification pattern of the first die 201 is located may be the position of the first die 201 Can be stored as coordinates.

한편, 상기 제1 다이(201)는 상기 웨이퍼(10)의 중심에 위치된 다이일 수 있다. 그러나, 이와 다르게 상기 웨이퍼(10)의 중심에 인접한 다이들 중 하나가 상기 제1 다이(201)일 수도 있다. 이는 상기 다이들(20)의 종류에 따라서, 상기 웨이퍼(10)의 중심에 다이(20)가 없을 수도 있기 때문이다.Meanwhile, the first die 201 may be a die positioned at the center of the wafer 10. Alternatively, however, one of the dies adjacent the center of the wafer 10 may be the first die 201. This is because there may be no die 20 in the center of the wafer 10, depending on the type of the die 20.

S130 단계에서, 상기 제1 다이(201)로부터 X축 방향으로 인접하는 제2 다이(202)의 이미지를 획득하여 상기 제2 다이(202)의 위치 좌표를 획득한다.In step S130, an image of the second die 202 adjacent in the X-axis direction is obtained from the first die 201 to obtain the position coordinates of the second die 202. [

구체적으로, 상기 초기 위치 정보를 이용하여 상기 카메라(110)를 X축 방향으로 기 설정된 피치만큼 이동시킨 후 상기 제2 다이(202)의 이미지를 획득할 수 있다. 또한, 상기 제2 다이(202)의 이미지로부터 상기 제2 다이(202)의 식별 패턴이 검출될 수 있으며, 상기 제2 다이(202)의 식별 패턴이 위치된 좌표가 상기 제2 다이(202)의 위치 좌표로 저장될 수 있다.Specifically, the camera 110 may be moved in the X-axis direction by a predetermined pitch using the initial position information, and then the image of the second die 202 may be acquired. In addition, an identification pattern of the second die 202 can be detected from an image of the second die 202, and a coordinate where the identification pattern of the second die 202 is located is detected by the second die 202, As shown in FIG.

S140 단계에서, 상기 획득된 제1 및 제2 다이들(201, 202)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들(20) 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 산출할 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도는 상기 X축 방향에 대하여 상기 제1 및 제2 다이들(201, 202)이 위치된 방향을 의미한다.In step S140, the position coordinates of the first and second dies 201 and 202 are used to calculate the pitch in the X-axis direction between the dies 20 and the placement angle of the wafer 10 have. At this time, the arrangement angle of the wafer 10 means the direction in which the first and second dies 201 and 202 are positioned with respect to the X-axis direction.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도시되지는 않았으나, 상기 제2 다이(202)의 위치 좌표를 획득하기 이전에 상기 제1 다이(201)의 위치 좌표를 이용하여 상기 카메라(110)의 위치를 보정하는 단계가 더 수행될 수 있다. 일 예로서, 상기 다이들(20)의 크기가 상기 카메라(110)의 시야 범위보다 크거나 대략 비슷한 경우 상기 카메라(110)의 위치 보정없이 상기 카메라(110)를 상기 제2 다이(202)의 상부로 이동시키는 경우 상기 획득된 제2 다이(202)의 이미지에서 상기 제2 다이(202)의 식별 패턴이 용이하게 검출되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 카메라(110)의 위치를 상기 제1 다이(201)의 위치 좌표로 보정한 후 상기 카메라(110)를 상기 제2 다이(202)의 상부로 이동시키고, 이어서 상기 제2 다이(202)의 이미지를 획득함으로써 상기 제2 다이(202)의 식별 패턴을 용이하게 검출할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, although not shown, before obtaining the positional coordinates of the second die 202, the position coordinates of the first die 201 are used to determine the position of the camera 110 A step of correcting the position may be further performed. As an example, if the size of the dies 20 is greater than or approximately equal to the field of view of the camera 110, the camera 110 may be positioned on the second die 202 The identification pattern of the second die 202 in the image of the obtained second die 202 may not be easily detected. The camera 110 is moved to the upper portion of the second die 202 and then the second die 202 The identification pattern of the second die 202 can be easily detected.

상술한 바와 같이 제1 및 제2 다이들(201, 202)의 이미지들로부터 상기 다이들(20) 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 산출한 후 상기 웨이퍼(10)를 회전시켜 상기 제1 및 제2 다이들(201, 202)이 상기 X축 방향과 평행하게 배열되도록 할 수 있다.The pitch of the X-axis direction between the dies 20 and the arrangement angle of the wafer 10 is calculated from the images of the first and second dies 201 and 202 as described above, So that the first and second dies 201 and 202 are arranged in parallel to the X-axis direction.

그러나, 상기와 같이 제1 및 제2 다이들(201, 202)의 이미지들에 기초하여 산출된 상기 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도는 다소 부정확할 수 있으므로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이를 보완하기 위하여 S150 단계에서 상기 X축 방향으로 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위에 위치된 제3 다이(203)의 이미지를 획득하여 상기 제3 다이(203)의 위치 좌표를 획득하고, S160 단계에서 상기 제1 및 제3 다이들(201, 203)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 이차 산출할 수 있다.However, the pitches of the dice 20 in the X-axis direction and the arrangement angles of the wafers 10 calculated based on the images of the first and second dies 201 and 202 as described above may be somewhat inaccurate In order to compensate for this, according to an embodiment of the present invention, in step S150, an image of a third die 203 positioned at an edge portion of the wafer 10 in the X-axis direction is obtained, The pitches of the dies 20 in the X-axis direction and the pitches of the wafers 10 are determined by using the positional coordinates of the first and third dies 201 and 203 in step S160. The angle can be calculated secondarily.

구체적으로, 상기 산출된 웨이퍼(10)의 배치 각도를 이용하여 상기 카메라(110)의 위치를 보정한 후 상기 제1 및 제2 다이들(201, 202)의 위치 좌표들에 의해 산출된 상기 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도 및 상기 초기 위치 정보의 다이 개수를 이용하여 상기 카메라(110)를 상기 제3 다이(203)의 상부로 이동시킬 수 있으며, 이어서 상기 제3 다이(203)의 이미지와 위치 좌표를 획득할 수 있다.Specifically, the position of the camera 110 is corrected using the calculated placement angle of the wafer 10, and the position of the camera 110 is corrected using the position coordinates of the first and second dies 201, The camera 110 can be moved to the upper portion of the third die 203 by using the pitch of the X-axis direction of the wafer 20, the angle of the wafer 10, and the number of dies of the initial position information, And then obtain the image and positional coordinates of the third die 203.

또한, 상기 제1 및 제3 다이들(201, 203)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 제1 및 제3 다이들(201, 203) 사이의 X축 방향 평균 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도가 산출될 수 있다.In addition, by using the positional coordinates of the first and third dies 201 and 203, the average pitch in the X-axis direction between the first and third dies 201 and 203 and the arrangement angle of the wafer 10 Can be calculated.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기와 같이 이차 산출된 상기 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 더욱 정확하게 하기 위하여, S170 단계에서 상기 X축 방향으로 상기 제3 다이(203)에 대하여 상기 웨이퍼(10)의 반대쪽 에지 부위에 위치된 제4 다이(204)의 이미지를 획득하여 상기 제4 다이(204)의 위치 좌표를 획득하고, S180 단계에서 상기 제3 및 제4 다이들(203, 204)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 최종 산출할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in order to further accurately determine the pitch of the dies 20 in the X-axis direction and the arrangement angle of the wafer 10, The position of the fourth die 204 is obtained by acquiring an image of the fourth die 204 positioned at an edge portion opposite to the wafer 10 with respect to the third die 203, The pitches of the dies 20 in the X-axis direction and the placement angle of the wafer 10 can be finally calculated using the positional coordinates of the third and fourth dies 203 and 204. [

구체적으로, 상기 제1 및 제3 다이들(201, 203)의 위치 좌표들에 의해 이차 산출된 상기 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도 및 상기 초기 위치 정보의 다이 개수를 이용하여 상기 카메라(110)를 상기 제4 다이(204)의 상부로 이동시킬 수 있으며, 이어서 상기 제4 다이(204)의 이미지와 위치 좌표를 획득할 수 있다.Specifically, the pitches of the dice 20 in the X-axis direction secondary to the position coordinates of the first and third dies 201 and 203, the arrangement angle of the wafer 10, The camera 110 may be moved to an upper portion of the fourth die 204 using the number of dies of the fourth die 204 and then the image and position coordinates of the fourth die 204 may be obtained.

또한, 상기 제3 및 제4 다이들(203, 204)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 제3 및 제4 다이들(203, 204) 사이의 X축 방향 평균 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도가 산출될 수 있다.Further, by using the positional coordinates of the third and fourth dies 203 and 204, the average pitch in the X-axis direction between the third and fourth dies 203 and 204 and the arrangement angle of the wafer 10 Can be calculated.

상기와 같이 최종 산출된 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도는 상기 X축 방향으로 전체 다이들(20)이 모두 고려된 것이므로 상기 다이들(20) 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도의 정확도가 크게 향상될 수 있다.The pitches of the final calculated dies 20 in the X-axis direction and the arrangement angles of the wafers 10 are determined in consideration of all the dies 20 in the X-axis direction, The accuracy of the pitch in the X-axis direction and the arrangement angle of the wafer 10 can be greatly improved.

본 발명의 일 실시예에 따르면, S190 단계에서 상기 최종 산출된 웨이퍼(10)의 배치 각도에 따라 상기 제3 및 제4 다이들(203, 204)이 상기 X축 방향과 평행하게 위치되도록 상기 웨이퍼(10)를 회전시킬 수 있다. 상기 웨이퍼(10)의 회전은 상기 척(120)에 의해 이루어질 수 있으며, 상기와 같이 웨이퍼(10)의 배치 각도가 상기 X축 방향으로 정렬됨으로써 후속하는 검사 공정에서 상기 다이들(20)에 대한 검사 이미지들이 보다 용이하게 획득될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in step S190, the third and fourth dies 203 and 204 are positioned in parallel with the X-axis direction in accordance with the arrangement angle of the final calculated wafer 10, (10) can be rotated. The rotation of the wafer 10 can be performed by the chuck 120. As described above, the arrangement angle of the wafer 10 is aligned in the X-axis direction, The inspection images can be obtained more easily.

이어서, S200 단계에서 상기 제1 다이(201)의 이미지를 이차 획득하여 상기 제1 다이(201)의 위치 좌표를 보정한다. 이는 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도 보정을 위하여 상기 웨이퍼(10)를 회전시키는 경우 상기 웨이퍼(10)의 제1 다이(201) 위치 좌표가 변화될 수 있기 때문이다. 즉 상기 웨이퍼(10)의 중심과 상기 척(120)의 중심이 서로 다를 수 있으며, 또한, 상기 제1 다이(201)의 위치 좌표가 상기 제1 다이(201)의 식별 패턴을 기준으로 설정된 경우 상기 웨이퍼(10)의 회전에 의해 상기 제1 다이(201)의 위치 좌표가 변경될 수 있기 때문이다.Subsequently, in step S200, the image of the first die 201 is obtained by secondary acquisition to correct the position coordinates of the first die 201. [ This is because the positional coordinates of the first die 201 of the wafer 10 may be changed when the wafer 10 is rotated for correcting the arrangement angle of the wafer 10. The center of the wafer 10 and the center of the chuck 120 may be different from each other and if the positional coordinates of the first die 201 are set based on the identification pattern of the first die 201 This is because the position coordinates of the first die 201 can be changed by the rotation of the wafer 10.

상술한 바와 같이 상기 X축 방향으로 상기 웨이퍼(10)의 X축 방향 평균 피치를 산출하고, 또한 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 산출하여 이를 보정함으로써 후속하는 다이 검사 공정에서 상기 다이들(20)의 검사 이미지를 획득하기가 매우 용이해질 수 있다.As described above, the average pitch in the X-axis direction of the wafer 10 in the X-axis direction is calculated, and the angle of arrangement of the wafers 10 is calculated and corrected so that the dies 20 ) Can be obtained easily.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기와 같이 X축 방향으로 상기 다이들(20)의 피치를 산출한 후 Y축 방향으로 유사한 단계들을 통하여 상기 다이들(20)의 Y축 방향 피치를 산출할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, after calculating the pitches of the dies 20 in the X-axis direction as described above, the pitches of the dies 20 in the Y-axis direction are calculated through similar steps in the Y-axis direction .

예를 들면, S210 단계에서 상기 제1 다이(201)로부터 Y축 방향으로 인접하는 제5 다이(205)의 이미지를 획득하여 상기 제5 다이(205)의 위치 좌표를 획득한다.For example, in step S210, an image of the fifth die 205 adjacent to the first die 201 in the Y-axis direction is obtained to obtain the position coordinates of the fifth die 205. [

구체적으로, 상기 초기 위치 정보를 이용하여 상기 카메라(110)를 Y축 방향으로 기 설정된 피치만큼 이동시킨 후 상기 제5 다이(205)의 이미지를 획득할 수 있다. 또한, 상기 제5 다이(205)의 이미지로부터 상기 제5 다이(205)의 식별 패턴이 검출될 수 있으며, 상기 제5 다이(205)의 식별 패턴이 위치된 좌표가 상기 제5 다이(205)의 위치 좌표로 저장될 수 있다.Specifically, the camera 110 may be moved by a predetermined pitch in the Y-axis direction using the initial position information, and then the image of the fifth die 205 may be acquired. The identification pattern of the fifth die 205 can be detected from the image of the fifth die 205 and the coordinate where the identification pattern of the fifth die 205 is located is detected by the fifth die 205, As shown in FIG.

S220 단계에서, 상기 획득된 제1 및 제5 다이들(201, 205)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들(20) 사이의 Y축 방향 피치를 산출할 수 있다.In step S220, the position coordinates of the obtained first and fifth dies 201 and 205 may be used to calculate the pitch in the Y-axis direction between the dies 20.

이어서, S230 단계에서 상기 Y축 방향으로 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위에 위치된 제6 다이(206)의 이미지를 획득하여 상기 제6 다이(206)의 위치 좌표를 획득하고, 계속해서 S240 단계에서 상기 제1 및 제6 다이들(201, 206)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들(20)의 Y축 방향 피치를 이차 산출할 수 있다.Next, in step S230, an image of the sixth die 206 positioned at an edge portion of the wafer 10 in the Y-axis direction is acquired to obtain the position coordinates of the sixth die 206, The pitches of the dies 20 in the Y-axis direction can be quadratically calculated using the positional coordinates of the first and sixth dies 201,

구체적으로, 상기 제1 및 제5 다이들(201, 205)의 위치 좌표들에 의해 산출된 상기 다이들(20)의 Y축 방향 피치 및 상기 초기 위치 정보의 다이 개수를 이용하여 상기 카메라(110)를 상기 제6 다이(206)의 상부로 이동시킬 수 있으며, 이어서 상기 제6 다이(206)의 이미지와 위치 좌표를 획득할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제6 다이들(201, 206)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 제1 및 제6 다이들(201, 206) 사이의 Y축 방향 평균 피치가 산출될 수 있다.Specifically, by using the pitches in the Y-axis direction of the dies 20 calculated by the positional coordinates of the first and fifth dies 201 and 205 and the number of dies of the initial position information, May be moved to the top of the sixth die 206 and then the image and position coordinates of the sixth die 206 may be obtained. In addition, the Y-axis direction average pitch between the first and sixth dies 201 and 206 can be calculated using the positional coordinates of the first and sixth dies 201 and 206.

상기 이차 산출된 상기 다이들(20)의 Y축 방향 피치를 더욱 정확하게 하기 위하여, S250 단계에서 상기 Y축 방향으로 상기 제6 다이(206)에 대하여 상기 웨이퍼(10)의 반대쪽 에지 부위에 위치된 제7 다이(207)의 이미지를 획득하여 상기 제7 다이(207)의 위치 좌표를 획득하고, S260 단계에서 상기 제6 및 제7 다이들(206, 207)의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들(20)의 Y축 방향 피치를 최종 산출할 수 있다.In order to more accurately correct the pitch of the second calculated dies 20 in the Y axis direction, it is preferable that the second die 206 is positioned at the opposite edge of the wafer 10 with respect to the sixth die 206 in the Y axis direction in step S250 Acquiring an image of the seventh die 207 to obtain the position coordinates of the seventh die 207 and using the position coordinates of the sixth and seventh dies 206 and 207 in step S260, It is possible to finally calculate the pitch in the Y-axis direction of the wafer 20.

구체적으로, 상기 제1 및 제6 다이들(201, 206)의 위치 좌표들에 의해 이차 산출된 상기 다이들(20)의 Y축 방향 피치 및 상기 초기 위치 정보의 다이 개수를 이용하여 상기 카메라(110)를 상기 제7 다이(207)의 상부로 이동시킬 수 있으며, 이어서 상기 제7 다이(207)의 이미지와 위치 좌표를 획득할 수 있다.Specifically, by using the pitches of the dies 20 in the Y axis direction secondary to the position coordinates of the first and sixth dies 201 and 206 and the number of dies of the initial position information, 110 to the top of the seventh die 207, and then obtain the image and positional coordinates of the seventh die 207.

상기와 같이 최종 산출된 다이들(20)의 Y축 방향 피치는 상기 Y축 방향으로 전체 다이들(20)이 모두 고려된 것이므로 상기 다이들(20) 사이의 Y축 방향 피치의 정확도가 크게 향상될 수 있다.The final calculated pitches of the dies 20 in the Y-axis direction are those in which all of the dies 20 are considered in the Y-axis direction, so that the accuracy of the pitches in the Y-axis direction between the dies 20 is greatly improved .

한편, 상기 제1 및 제7 다이들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207)의 위치 좌표로서 상기 제1 및 제7 다이들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207)의 식별 패턴이 각각 위치된 좌표가 사용될 수 있으나, 이와 다르게 상기 제1 및 제7 다이들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207) 각각의 중심 좌표가 상기 제1 및 제7 다이들(201, 202, 203, 204, 205, 206, 207)의 위치 좌표로서 사용될 수도 있다.The first and the seventh dies 201, 202, 203, 204, 205, 206, and 207 as positional coordinates of the first and the seventh dies 201, 202, 203, 204, The center coordinates of each of the first and the seventh dies 201, 202, 203, 204, 205, 206, and 207 may be the same as the coordinates of the first and the second dies 7 dies 201, 202, 203, 204, 205, 206,

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, X축 방향으로 웨이퍼(10)의 양쪽 에지 부위들에 위치된 제3 및 제4 다이들(203, 204)의 이미지들을 획득하고, 이로부터 상기 제3 및 제4 다이들(203, 204)의 위치 좌표들을 획득하며, 상기 제3 및 제4 다이들(203, 204)의 위치 좌표로부터 상기 다이들(20)의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 획득할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, images of the third and fourth dies 203 and 204 located at both edge portions of the wafer 10 in the X-axis direction are obtained, The positional coordinates of the third and fourth dies 203 and 204 are obtained and the pitch of the dies 20 in the X axis direction and the pitch of the wafer 20 from the position coordinates of the third and fourth dies 203 and 204, It is possible to acquire the arrangement angle of the display device 10.

또한, 상기와 같이 획득된 웨이퍼(10)의 배치 각도를 이용하여 상기 제3 및 제4 다이들(203, 204)이 상기 X축 방향에 대하여 평행하게 위치될 수 있도록 상기 웨이퍼(10)를 회전시킴으로써 상기 웨이퍼(10)의 배치 각도를 보정할 수 있다.Further, the wafer 10 is rotated (rotated) so that the third and fourth dies 203 and 204 can be positioned parallel to the X-axis direction by using the arrangement angle of the wafer 10 obtained as described above The arrangement angle of the wafer 10 can be corrected.

추가적으로, Y축 방향으로 상기 웨이퍼(10)의 양쪽 에지 부위들에 위치된 제6 및 제7 다이들(206, 207)의 이미지들을 획득하고, 이로부터 상기 제6 및 제7 다이들(206, 207)의 위치 좌표들을 획득하며, 상기 제6 및 제7 다이들(206, 207)의 위치 좌표로부터 상기 다이들(20)의 Y축 방향 피치를 획득할 수 있다.Additionally, images of the sixth and seventh dies 206, 207 located at both edge portions of the wafer 10 in the Y-axis direction are obtained, from which the sixth and seventh dies 206, 207 and obtain the pitch in the Y axis direction of the dies 20 from the position coordinates of the sixth and seventh dies 206,

결과적으로, 상기 다이들(20)의 위치 좌표들을 상기 다이들(20)의 검사 공정 이전에 실측을 통해 획득함으로써 상기 다이 검사 공정에서 상기 다이들(20)의 검사 이미지들을 용이하게 획득할 수 있으며, 이에 따라 상기 다이들(20)의 검사 이미지들을 획득하는데 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있으며, 또한 상기 다이 검사 공정의 신뢰도가 크게 향상될 수 있다.Consequently, it is possible to easily obtain the inspection images of the dies 20 in the die inspection process by obtaining the positional coordinates of the dies 20 through actual measurement before the inspection process of the dies 20 So that the time required to obtain the inspection images of the dies 20 can be greatly shortened and the reliability of the die inspection process can be greatly improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

10 : 웨이퍼 20 : 다이
30 : 다이싱 테이프 40 : 마운트 프레임
100 : 다이 검사 장치 110 : 카메라
120 : 척 20E : 에지 다이
201 : 제1 다이 202 : 제2 다이
203 : 제3 다이 204 : 제4 다이
205 : 제5 다이 206 : 제6 다이
207 : 제7 다이10: wafer 20: die
30: Dicing tape 40: Mounting frame
100: die inspection apparatus 110: camera
120: chuck 20E: edge die
201: first die 202: second die
203: Third die 204: Fourth die
205: fifth die 206: sixth die
207: seventh die

Claims (12)

개별화된 상태로 다이싱 테이프 상에 부착된 복수의 다이들로 이루어진 웨이퍼에 대하여 상기 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법에 있어서,
카메라를 이용하여 상기 웨이퍼의 중심 부위에 위치된 제1 다이의 이미지를 획득하여 상기 제1 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계;
상기 제1 다이로부터 X축 방향으로 인접하는 제2 다이의 이미지를 획득하여 상기 제2 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼의 배치 각도를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.CLAIMS 1. A method for obtaining position information of dies for a wafer comprising a plurality of dies attached on a dicing tape in an individualized state,
Obtaining an image of a first die positioned at a central portion of the wafer using a camera to obtain position coordinates of the first die;
Obtaining an image of a second die adjacent in the X-axis direction from the first die to obtain position coordinates of the second die; And
And calculating an arrangement angle of the wafer and an X-axis direction pitch between the dies using the position coordinates of the first and second dies. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 에지 부위에 배치된 다이들 중 적어도 2개의 에지 다이들에 대한 이미지들을 획득하여 상기 에지 다이들의 위치 좌표들을 획득하는 단계; 및
상기 에지 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심 위치 좌표를 산출하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1 다이의 이미지는 상기 산출된 중심 위치 좌표를 이용하여 획득하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.2. The method of claim 1, further comprising: obtaining images for at least two of the dies disposed at an edge portion of the wafer to obtain position coordinates of the edge dies; And
Further comprising the step of calculating the center position coordinates of the wafer using the position coordinates of the edge dies,
Wherein the image of the first die is obtained using the calculated center position coordinates. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 다이들의 위치 좌표들은 상기 제1 및 제2 다이들의 이미지들에서 기 설정된 패턴을 검출하고 상기 패턴을 기준으로 획득되는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.2. The method of claim 1, wherein the positional coordinates of the first and second dies are detected based on the pattern and detecting a predetermined pattern in the images of the first and second dies How to acquire. 제1항에 있어서, 상기 제1 다이의 위치 좌표를 이용하여 상기 카메라의 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.2. The method of claim 1, wherein the position of the camera is corrected using the position coordinates of the first die. 제1항에 있어서, 상기 산출된 웨이퍼의 배치 각도를 이용하여 상기 카메라의 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.The method of claim 1, wherein the position of the camera is corrected using the calculated placement angle of the wafer. 제5항에 있어서, 상기 X축 방향으로 상기 웨이퍼의 에지 부위에 위치된 제3 다이의 이미지를 획득하여 상기 제3 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계; 및
상기 제1 및 제3 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼의 배치 각도를 이차 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.6. The method of claim 5, further comprising: obtaining an image of a third die positioned at an edge portion of the wafer in the X axis direction to obtain position coordinates of the third die; And
Further comprising the step of secondary calculation of an X-axis direction pitch between the dies and an arrangement angle of the wafer using the position coordinates of the first and third dies. 제6항에 있어서, 상기 X축 방향으로 상기 제3 다이에 대하여 상기 웨이퍼의 반대쪽 에지 부위에 위치된 제4 다이의 이미지를 획득하여 상기 제4 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계; 및
상기 제3 및 제4 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 X축 방향 피치와 상기 웨이퍼의 배치 각도를 최종 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.7. The method of claim 6, further comprising: obtaining an image of a fourth die positioned at an opposite edge portion of the wafer relative to the third die in the X axis direction to obtain position coordinates of the fourth die; And
Further comprising calculating finally the pitch of the X-axis direction and the placement angle of the wafer between the dies using the position coordinates of the third and fourth dies. 제7항에 있어서, 상기 최종 산출된 웨이퍼의 배치 각도에 따라 상기 제3 및 제4 다이들이 상기 X축 방향과 평행하게 위치되도록 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.8. The method according to claim 7, further comprising rotating the wafer such that the third and fourth dies are positioned parallel to the X-axis direction according to an arrangement angle of the finally calculated wafer How to obtain information. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼를 회전시킨 후 상기 제1 다이의 이미지를 이차 획득하여 상기 제1 다이의 위치 좌표를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.9. The method of claim 8, further comprising: acquiring an image of the first die after rotating the wafer to correct positional coordinates of the first die. 제1항에 있어서, 상기 제1 다이로부터 Y축 방향으로 인접하는 제5 다이의 이미지를 획득하여 상기 제5 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계; 및
상기 제1 및 제5 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 Y축 방향 피치를 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.2. The method of claim 1, further comprising: obtaining an image of a fifth die adjacent in the Y axis direction from the first die to obtain position coordinates of the fifth die; And
Further comprising calculating a Y-axis direction pitch between the dies using the position coordinates of the first and fifth dies. 제10항에 있어서, 상기 Y축 방향으로 상기 웨이퍼의 에지 부위에 위치된 제6 다이의 이미지를 획득하여 상기 제6 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계; 및
상기 제1 및 제6 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 Y축 방향 피치를 이차 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.11. The method of claim 10, further comprising: obtaining an image of a sixth die positioned at an edge portion of the wafer in the Y axis direction to obtain position coordinates of the sixth die; And
Further comprising the step of secondary calculating a Y-axis direction pitch between the dies using the position coordinates of the first and sixth dies. 제11항에 있어서, 상기 Y축 방향으로 상기 제6 다이에 대하여 상기 웨이퍼의 반대쪽 에지 부위에 위치된 제7 다이의 이미지를 획득하여 상기 제7 다이의 위치 좌표를 획득하는 단계; 및
상기 제6 및 제7 다이들의 위치 좌표들을 이용하여 상기 다이들 사이의 Y축 방향 피치를 최종 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법.12. The method of claim 11, further comprising: obtaining an image of a seventh die positioned at an opposite edge portion of the wafer relative to the sixth die in the Y axis direction to obtain position coordinates of the seventh die; And
Further comprising final calculating a Y-axis direction pitch between the dies using position coordinates of the sixth and seventh dies.
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