KR101476480B1 - 유리 시트 성형 방법 및 장치 - Google Patents

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    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B17/00—Forming molten glass by flowing-out, pushing-out, extruding or drawing downwardly or laterally from forming slits or by overflowing over lips
    • C03B17/06—Forming glass sheets
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Abstract

유리 멜트 흐름을 지지(support)하기 위한 성형체를 포함하는 장치를 개시하며, 상기 성형체는 실질적으로 수직 성형 표면 및 경사진 성형 표면을 포함한다. 수직 성형 표면의 높이 및 경사진 표면들 사이의 각도는 유리 멜트로 용해되어 이후에 성형체에서 재결정되는 성형체를 포함하는 물질의 양이 최소화 되도록 선택되어진다.

Description

유리 시트 성형 방법 및 장치{A METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A GLASS SHEET}
본 발명은 유리 시트 성형 장치 및 보다 상세하게는 유리에 감소된 양의 고형 불순물(inclusions)을 생성시키는 유리 시트 성형용 성형체에 관한 것이다.
융합(fusion) 공정은 시트 유리를 제조하기 위한 유리 제조 분야에서 사용되는 기초 기술 중의 하나이다. 예컨대, 플로트 및 슬롯 드로우 공정과 같은 공지의 다른 공정과 비교하여, 융합 공정은 유리 시트 표면이 우수한 평탄성(flatness) 및 평활성(smoothness)을 가진 유리 시트를 제조하는 공정이다. 결과적으로, 융합 공정은 LCD 제조분야에서 사용되는 유리 기판 제조에서 특히 중요한 기술이 되고 있다.
융합공정, 특히, 오버플로우 다운드로우 융합 공정은 Stuart M. Dockerty에 허여된 미국 특허 번호 3,338,696 및 3,682,609의 공통된 주제이다. 여기에 기재된 바와 같이 유리 멜트는 "이소파이프"로 알려진 내화성 몸체로 형성된 트로프(trough)로 공급된다.
Dockerty 특허에서 기재된 바와 같은 예시적인 융합 다운드로우 공정은, 일단 정상상태 작동이 달성되면, 유리 멜트가 양쪽 측면 위에서 트로프 상부로 오버플로우하여, 다음엔 아랫방향으로 이소파이프의 외부 표면을 따라서 내부(inward)로 흐르는 유리의 2개의 절반(two half) 시트를 형성한다. 2개 시트는 이소파이프의 바닥(bottom) 또는 루트(root)에서 만나며, 여기에서 유리는 서로 융합(fuse)되어 단일의 유리 시트를 만든다. 그리고 나서, 단일 시트는 드로우잉(drawing) 장비로 삽입되며, 여기에서 시트가 루트로부터 드로우 되는 비율로 시트의 두께를 조절한다. 드로우잉 장비는 단일 시트가 장비와 접촉하기 전에 냉각될 수 있도록 루트로부터 충분히 다운스트림에 위치한다.
최종 유리 시트의 외부 표면은 공정의 전 부분 동안, 이소파이트의 외부 표면의 어떠한 부분과도 접촉하지 않는다. 오히려, 이들 표면은 단지 주변 대기만을 만난다. 최종 시트를 형성하는 2개의 절반 시트의 내부 표면이 상기 이소파이프와 접촉하지만, 이들 내부 표면은 이소파이프의 루트에서 함께 융합되어, 최종 시트의 몸체내로 묻혀버리게 된다. 이러한 방식으로, 최종 시트의 외부 표면의 우수한 성질이 달성된다.
융합 공정에 사용되는 이소파이프는 고온하에 있으며, 유리 멜트와 같은 실질적으로 기계적인 로드(loads)는 트로프로 흘러서 잉소파이프 외부 표면으로 흐른다. 이들의 요구 조건을 유지하기 위해서, 이소파이프는 전형적이고 바람직하게 내화성 물질의 이소스태틱하게(isotatically) 압축된 블록(따라서, "이소파이프"라고 명명)으로 만들어진다.
LCD 기판으로써 사용되는 시트 유리의 제조과정에서 손실(loss)의 원천은 제조 공정에서 사용되는 지르콘 이소파이프 내 및 지르콘 이소파이프를 넘어서 유리가 통과한 결과로 유리에 생기는 지르콘 결정 불순물(여기에서는 "지르콘 결정" 또는 "제 2 지르콘 결점(defects)"이라 언급)의 존재 때문이다. 제 2 지르콘 결정 문제는 보다 고온에서 생성되는 것이 필요한 실투-민감성(devitrification-sensitive) 유리에 보다 자주 언급되고 있다.
최종(finished) 유리 시트에서 발견되는 지르콘 결정에서 남아있는 지르콘은 지르콘 이소파이프의 상부가 그 근원이다. 특히, 이들 결점은 이소파이프 트로프 내에서 또한 이소파이프 외측면위에서 상부 벽(위어)의 온도 및 점도에서, 최종적으로 유리 멜트내로 지르코니아(예컨대, ZrO2 및/또는 Zr+4 + 2O-2)가 용해된 것이다. 상기 유리 온도는 보다 높으며, 이들의 점도는 이소파이프의 낮은 부분에 비해 보다 낮은 데, 이는 유리가 이소파이프를 따라 이동할 때 유리가 냉각되어 보다 점성이 높아지기 때문이다.
유리 멜트에서 지르코니아의 용해도 및 확산성은 유리 온도 및 점도의 함수(예컨대, 유리 온도가 감소하고, 점도가 증가함에 따라, 더 적은 양의 지르코니아가 용액에 존재하게 되고, 확산 속도는 감소된다)이다. 유리가 이소파이프의 바닥(루트) 근처에 존재할 때, 유리는 지르코니아로 과포화(supersaturated) 될 수 있다. 결과적으로, 지르콘 결정(예컨대, 제 2 지르콘 결정)은 핵화하며, 지르콘 이소파이프의 바닥 부분(예컨대, 루트)에서 성장한다. 궁극적으로 이러한 결정은 유리 흐름을 방해하여 시트의 융합 라인에서 또는 부근에서 결점을 가지게 된다.
일 구현예에서, 유리 시트 성형 위한 장치는 경사진 성형 표면, 상기 경사진 성형 표면과 실질적으로 교차하는(intersecing) 수직 성형 표면 및 상기에서 경사진 성형 표면 사이의 각도는 42 도 미만을 포함하는 성형체를 포함한다.
유리 멜트를 제공하는 단계(providing), 상기 멜트를 결정성 내화성(crystalline refractory) 물질을 포함하는 성형체 위로 흘리는 단계(flowing), 상기에서 성형체는 경사진 성형 표면, 상기 경사진 성형 표면과 실질적으로 교차하는(intersecing) 수직 성형 표면을 더 포함하며, 상기에서 수직 성형 표면의 최대 높이 및 경사진 성형 표면 사이의 각도는 유리 멜트내에서 용해된 내화성 물질의 농도를 최소화하기 위해 선택된다.
전술한 일반적인 설명 및 후술한 본 발명의 구현예의 상세한 설명 모두는 본 발명의 성질 및 본성의 개괄 또는 프레임워크를 제공하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면은 본 발명의 더 나은 이해를 위해 제공되는 것이며, 본 명세서에 병합되어 명세서의 일부분을 구성하는 것으로 이해되어야 한다. 상기 도면은 본 명세서와 함게 본 발명의 예시적인 구현예를 설명하며, 본 발명의 원칙 및 작동방법을 제공한다.
본 발명의 성형체는 불순물이 감소된 유리 시트를 성형할 수 있다.
도 1은 본 발명의 구현예에 따른 유리 시트 성형을 위한 성형체의 측면도이다.
도 2는 경사진 성형 표면사이의 각도를 보여주는 도 1의 성형체의 단면도이다.
도 3은 경사진 성형 표면 및 수직 성형 표면의 높이사이의 각도가 감소되었을 때, 성형 표면에서 온도 프로파일에 따른 효과(성형 표면을 오르내리는 움직임)를 그래프로 보여주는 도면이다.
도 4는 2개의 이소파이프 루트 각도에서, 이소파이프 성형 표면으로부터 거리의 따라, 유리 멜트에 용해된 이소파이프 물질의 농도 wt% - 물질의 포화 농도 wt%를 보여주는 도면이다.
도 5는 경사진 성형 표면을 포함하는 본 발명에 따른 성형체의 또다른 구현예이다.
도 6은 이소파이프 거리에 따라, 유리 멜트에서 과량의 포화 농도로 존재하는 이소파이프 물질의 농도를 보여주는 도면이다.
본 발명에 따른 유리 시트 제조를 위한 융합 다운드로우 공정에서, 유리 형성 전구체(배치)가 용융(molten) 원료(raw) 물질 또는 유리 멜트를 형성하기 위해 로(furnace)에서 용융되며, 이것은 이후 성형체를 넘쳐 흘러서(flowing over) 유리 시트를 형성한다. 일반적으로, 그러한 성형체는 상부의 성형 표면 및 상부의 성형 표면을 교차하는 경사진 성형표면을 포함한다. 상기 경사진 성형표면은 성형체의 바닥 또는 루트로 모인다(converge). 상기 상부 표면은 전형적으로 실질적으로 수직 및 평행이다.
성형체 또는 이소파이프 디자인은 수많은 요소를 고려해야 한다. 용융 원료 물질이 성형체에 있는 트로트로 도입되고, 상기 성형체는 그들의 측면에서 댐(위어)에 의해 결합되어 있다. 용융된 원료 물질은 유리 멜트의 흐름이 위어의 상부위로 흐를 수 있도록 충분히 낮은 점도, 즉 충분히 높은 온도에서 성형체에 도입되어야 한다. 그리고 나서, 용융된 원료 유리는 경사진 성형표면을 포함하는 상기 성형체의 외부 성형표면 아래로 흘러, 성형체의 바닥으로 흐른다. 경사진 성형표면들 사이의 각도가 너무 커서 중력 때문에 유리가 상기 이소파이프로부터 분리되지 않도록 해야한다.
다른 한편, 성형체의 바닥 또는 루트로부터 떠나는 용융된 원료 물질은 충분히 높은 점도, 즉 충분히 낮은 온도에 있어서, 용융된 원료 물질이 연속적으로 드로우 되도록 해야한다. 그러나 도로우가 너무 늦어져 원료물질의 점도가 유리 멜트 결정의 원인이 되는 용융된 원료 물질의 액상(liquidus) 점도 이하로 떨어져서는 안된다.
또한, 성형체는 성형체에 대한 손상 없이, 가열 조건 변화(예컨대, 가열 또는 냉각)의 스트레스를 견딜수 있어야만 한다. 또한 성형체는 성형체 무게 때문에 발생하는 성형체의 새그(sag)나 크립(creep) 저항성이 있어야 하며, 또한 고온에서 장기간 작동할 수 있어야 한다.
만일 성형체를 오버플로우하는 유리 멜트가 고온에서 너무 오랬동안 상기 성형표면을 내려가면, 성형체를 포함하는 물질은 용해될 수 있고, 이후 루트와 같은 성형체의 보다 차가운 부분에서 재결정될 수 있다. 결정은 결정이 깨져서(break off) 유리 흐름내에 혼입(entrained)되고, 결국 최종 유리 제품내에 결점이 일으킬 정도로 성장할 수 있다. 본 발명은 유리 멜트로 용해되는 성형체 물질의 양을 제한함으로써 결정 재성장 양을 감소시키고자 하였다.
도 1 및 2에서는 본 발명에 따른 일 구현예에 따른 유리 시트의 제조에 사용되는 성형체 또는 이소파이프 10를 보여준다. 이소파이프 10은 유입구 14를 통해 공급부(도면에는 보이지 않음)로부터 유리 멜트를 수용하기 위한 트로프 12, 위어 16, 18, 바운딩 트로프 12, 수직 성형 표면 20, 22 및 경사진 성형 표면 24, 26을 포함한다. 수직 성형 표면 20, 22는 트랜지션(transition) 라인 또는 브레이크 28, 30을 각각 가로지르는 경사진 성형표면을 교차한다. 경사진 성형 표면 24, 26은 각도 α를 가지도록 위치하며, 또한 이소파이프의 바닥 또는 루트 32와 교차한다. 수직 성형 표면 20, 22는 바람직하게는 실질적으로 평행하다. 이소파이프 10은 길이 L이며, 전체 높이 H이다. 루트 32 및 브레이크 28, 30 사이의 수직 거리는 h이며, 브레이크 및 위어 16, 18의 상부 사이의 거리는 h' 이며, h'는 최대 값 h'max 내지 최소 값 h'min 사이로 다양하다. 따라서, H는 최대 Hmax 내지 최소 Hmin 사이에서 다양하다.
유리 멜트 34는 유입구 14를 통해 이소파이프 10로 공급되며, 이후 유리 멜트는 위어 16, 18의 상부, 예컨대, 수직 성형 표면 20, 22 에서 이소파이프 10위를 오버 플로우하며, 2개의 다른 흐름으로써 성형 표면 20, 22 및 24, 26 아래로 흐른다. 2개의 유리 흐름은 루트 32에서 재결합 또는 융합되어 유리 시트 36을 형성하고, 풀링(pulling) 장비에 의해 아래로 드로우되며, 풀링 롤은 38로 표시된다. 이소파이프 10은 전형적으로 지르콘 또는 알루미나 같은 세라믹 내화성 물질로 구성되어 있다. 이소파이프 10은 바람직하게는 이소파이프의 성형표면 위에 있는 유리 멜트의 온도를 제어하기 위한 인클로져(enclosure) 내에 수직으로 배열된 가열 요소 42를 포함하는 인클로져내에 하우징되어 있다.
도 2에서 보듯이, 수직 성형 표면 20, 22은 일반적으로 가열 요소 42에 의해 가열되는 내부 머플 벽 44, 46에 대해 평행하다. 일반적으로 수직 성형 표면 20, 22을 흘러내리는 유리 멜트의 온도는 실질적으로 일정하다. 다른 한편, 경사진 성형 표면 24, 26은 경사져 있으며, 이소파이프 아래의 보다 냉각된 온도에 노출된다. 즉, 경사진 또는 모아진(converged) 성형 표면은 수직 요소 뿐만아니라 그들의 방향성이 수평 요소를 가지고 있다. 결과적으로, 유리 멜트가 경사진 성형 표면을 내려올 때 유리 멜트는 냉각된다. 이소파이프 위의 위치에 따른 온도의 결과적인 프로파일은 도 3의 곡선 50과 같으며, 이것은 수직 성형 표면(위어의 상부로부터 브레이크-섹션 50a)에 대해 일반적으로 일정한 온도를 보여주며, 일반적으로 선형은 브레이크로부터 루트로 이소파이프아래로 움직일 때 온도가 감소한다-섹션 50b.
고온에서 장시간 있는 경우, 유리 멜트내로 용해되는 이소파이프 물질이 용해되는 것을 야기시킬 수 있음이 발견되었다. 결과적으로 유리 멜트에 용해되어 이후 유리 멜트의 흐름에서 침전될 수 있는 이소파이프 물질의 양의 감소가 수직 성형 표면의 높이를 감소시킴으로서 감소시킬 수 있음이 발견되었다.
어떤 특별한 이론에 의해 지지되는 것은 아니지만, 유리 멜트가 움직여야 하는 수직 성형 표면에서의 거리를 감소시키는 것이 유리 멜트가 이소파이프 상부에서 존재하는 고온에 노출되는 시간을 감소시키는 것으로 생각된다. 따라서, 이소파이프 물질이 유리 멜트내로 용해되는 시간이 적어지며, 이소파이프의 더 냉각된 영역, 예컨대, 루트 32 부근에서 침전될 수 있는 이소파이프 물질을 덜 용해시킨다.
동시에, 수직 성형 표면의 높이를 단지 감소시킴으로써 이소파이프의 전체 높이를 감소시킬 수 있다. 전체 높이의 감소는 이소파이프가 새그를 보다 많이 만들 가능성 때문에 바람직하지 않다. 따라서, 이소파이프 자체의 전체 높이 H를 감소시키지 않고 수직 성형 표면의 높이를 감소시키는 것이 바람직하다. 이것은 경사진 성형 표면들 사이의 각도 α를 감소시킴으로써 달성될 수 있다. 이소파이프의 일정한 위어 대 위어 넓이 W를 가정하면, 수직 성형 표면의 높이 h'가 이소파이프의 전체 높이 H를 유지하기 위해 더 작아질 때, 각도 α는 더 작아진다.
경사진 성형표면들 사이의 각도가 감소하면 또한 이소파이프의 전체 무게가 감소되는 이익이 추가되어, 새그가 감소하고, 온도 변화(예컨대, 가열 및 냉각)동안 열적으로 유도된 스트레스가 감소한다.
도 2에서, 감소된 각도 α는 경사진 성형 표면 24, 26을 24', 26'로 표시되는 안쪽 위치로 움직이는 효과를 가진다. 결과적으로 브레이크 28, 30은 28', 30'으로 표시되는 각각의 위쪽 위치로 움직이고, h' 가 감소하고 과량의 이소파이프 물질은 제거된다. 이것은 도 3 및 곡선 52에 나타난 온도 프로파일로써 나타낼 수 있다. 도 3에서 보듯이, 비록 곡선 52에서 최초 및 최종 온도가 곡선 50과 동일하더라도, 곡선 52로 나타나는 전체 온도 프로파일은 평탄(보다 직선)하며 새로이-한정된 브레이크(newly-defined break)에서 온도는 보다 냉각되었다. 즉, 위어들 상부사이에서 온도 프로파일-섹션 52a-는 섹션 50a 보다 보다 빠르게 온도가 감소하며, 브레이크 및 루트(섹션 52b)사이의 곡선 50의 부분은 이들에 대응되는 카운터파트 50b 보다 온도변화가 적다. 바람직하게, 각도 α는 42도 미만이다. 바람직하게 α는 약 35도 미만이며, 바람직하게는 α는 30도 미만이다.
도 4는 길이 약 295 cm 및 이소파이프 유입구 단부에서 전체 최대 높이 Hmax가 100 cm 인 이소파이프에 대한 모델화된 데이터를 보여준다. 이소파이프를 넘쳐 흐르는 흐름은 약 1500 파운드/시간으로 가정되었다. 곡선 54는 각도 α가 42도이며, 위어 상부 온도 1246 , 브레이크 온도 1238 및 루트 온도 1181.5 를 가진 이소파이프를 나타내며, 곡선 56은 경사진 성형 표면들 사이의 각도 α가 30도, 위어 상부 온도 1242 , 브레이크 온도 1238 및 루트 온도 1181.5 를 가진 동일한 이소파이프를 나타낸다. 결정 성장의 경향이 유리 멜트(C)에 용해된 지르코니아의 양으로부터 유리 멜트(Cs)에서 지르코니아의 포화농도를 뺀 것을 그린 수직선으로 나타낸다. 도 4는 루트에서 각도가 42도에서 30도로 감소되었을 때, 용해된 지르코니아로부터 지르콘 재결정 형성의 예상된 경향은 감소한다는 것을 보여준다. 예컨대, 이소파이프 20 의 성형 표면부터의 거리에서, 각도 42도의 주어진 온도에서 지르코니아 농도 C - 지르코니아 Cs에 대한 포화농도는 약 0.05 wt%, 반면에 30도 각도에서 농도 차이는 약 0.046wt%였다. 도 4에서, 경사진 성형 표면들 사이의 각도가 42도에서 30도로 감소할 때 용해된 지르코니아 피크 양이 안쪽으로 움직여서 이소파이프 성형 표면에 더 가까워지는 것이 분명하였다. 이것은 결정 성장이 더 작은 각도의 이소파이프 표면에 더 가까워져 지연되는 것을 의미한다. 따라서, 특정 길이를 넘는 결정의 성장이 지연될 수 있으며, 결정이 깨져(break off) 유리 멜트 흐름내에서 혼입(entrained) 될 수 있는 가능성이 낮아진다.
아래 표는 전체 최대 높이 Hmax가 약 97.8 및 넓이 W 약 28 cm를 가진 예시적인 이소파이프의 α 및 h' max의 근사치를 보여준다. 이소파이프 길이는 254 cm를 초과할 수 있다.
또다른 구현예 도 5에서, 성형체(이소파이프) 60은 트로트 62, 위어 64, 66, 제 1쌍의 경사진 성형 표면 68, 70 및 제 2쌍의 경사진 성형 표면 72, 74를 포함하는 단면을 보여준다. 제 2쌍의 경사진 성형 표면 72, 74는 이소파이프의 바닥에서 루트 76을 교차한다. 도 4의 구현예에 따른, 제 1쌍의 경사진 표면 68, 70은 그들사이의 각도 β를 형성한다. 각도 β는 바람직하게는 42도 미만이다. 제 2 성형 표면 72, 74는 제 성형 표면 68, 70을 교차한다. 제 2 성형 표면 72, 74는 제 1성형 표면 68, 70을 교차한다. 제 2 성형 표면 72, 74는 그들 사이에 각도 θ를 형성한다. 이소파이프 60은 제 1쌍의 경사진 성형 표면 68, 70을 교차하는 수직 성형 표면 78, 80을 포함할 수 있다.
각도 θ는 바람직하게는 각도 β 미만이다. 각도 β는 예컨대 42도 미만, 바람직하게는 35도 미만, 더 바람직하게는 25도 미만, 바람직하게는 20도 미만이다.
도 4의 구현예, 루트에 인접한 경사진 성형 표면들 사이의 더 작은 각도가 주어진 수직 거리에서 달성될 수 있다. 예컨대, 주어진 성형체 높이(루트 및 위어 상부 사이의 거리) 및 주어진 성형체 최대 넓이(위어 바깥쪽으로부터 반대 위어의 바깥쪽 사이의 거리)에서, 루트에 인접한 여러쌍의 경사진 성형 표면들 사이의 더 작은 각도가 단지 한 쌍의 경사진 성형 표면이 사용되었을 때보다 달성될 수 있다.
도 6은 이소파이프의 성형 표면 위를 넘쳐흐르는(flowing over) 유리 멜트내에 존재 하는 용해된 이소파이프 물질의 농도에 대한 예시적인 한계를 보여주는 모델화된 데이터이다. 특히, 이소파이프 길이에 따른 중간 지점에서 채취된(taken) 지르콘을 함유하는 이소파이프를 보여준다. 유리 멜트 흐름은 1500 파운드/시간으로 가정되었으며, 온도 범위(최대에서 최소)는 1243에서 1125이다. 플롯은 2개의 곡선 82, 84에 의해 나누어지는 3개의 영역을 보여준다.
영역 I 지르코니아 농도(곡선 82 내)에 있는 조건하에서 이소파이프 작동은 안전한 작동을 보여주며, 결정 파괴(breakage) 기회가 적다. 즉, 도 4에서 보이듯이, X 축은 포화농도를 초과하는 용해된 이소파이프 물질의 주어진 농도에 대해 이소파이프 위에 있는 결정 성장의 최대 길이로써 해석될 수 있다. 도면에 의하며, C-Cs 농도 0 에서, 곡선 82는 최대 결정 길이 70 를 보여준다. 70 초과하는 곳에 불충분하게 용해된 이소파이프 물질이 있어 결정성장의 원료가 된다. 70 및 그 미만에서, 결정 파괴(breakage)는 덜 문제가 되는 것이 발견되었다.
영역 III 아래에서 작동하는 것은 바람직하지 못한 수행임을 보여준다. 영역 III에서 작동(곡선 84 바깥쪽)은 결정 성장이 안전한 길이를 초과할 수 있는(결정이 쉽게 깨져 유리 멜트에 혼입 될 수 있는) 충분한 농도의 용해된 이소파이프 물질을 제공한다. 결국, 영역 II(곡선 82 및 84 사이)내에 있는 작동은 영역 I 및 III 사이의 중간단계의 수행을 보여준다.
본 발명의 전술한 구현예는 특히 "바람직한" 구현예는 단지 수행가능한 예시에 불과하며, 본 발명의 원칙을 명확하게 이해시키기 위한 열거에 불과하다. 수많은 수정과 개량이 본 발명의 사상 및 원칙과 실질적으로 벗어나지 않은 채 본 발명의 전술한 구현예에 가능하다. 모든 그러한 수정 및 개량이 명세서의 개시 범위, 본 발명 및 하기의 청구항에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (9)

  1. 유리 시트를 성형하는 장치에 있어서,
    성형체를 포함하며,
    상기 성형체는:
    상기 성형체의 바닥에 대해 수직 방향으로 배치된 수직 성형 표면;
    상기 수직 성형 표면과 교차하는 제 1쌍의 경사진 성형 표면; 및
    상기 제 1쌍의 경사진 성형 표면과 교차하는 제 2쌍의 경사진 성형 표면;을 포함하며,
    상기 제 1쌍의 경사진 성형 표면들 사이의 각도는 42 도 미만이고,
    상기 제 2쌍의 경사진 성형 표면들 사이의 각도는 상기 제 1쌍의 경사진 성형 표면들 사이의 각도보다 작으며, 그리고 상기 수직 성형 표면의 최대 높이 h'max는 60 cm 미만이고, 이로 인해, 유리 멜트내에서 용해된 내화성 물질의 농도는 감소되는 유리 시트 성형 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 성형체의 길이는 적어도 265 cm인 유리 시트 성형 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서, 상기 유리 시트 성형 장치는 제 2쌍의 경사진 성형 표면들이 상기 성형체의 바닥에서 교차하는 유리 시트 성형 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 2쌍의 경사진 성형 표면들 사이의 각도는 42 도 미만인 유리 시트 성형 장치.
  7. 유리 시트를 성형하는 방법에 있어서,
    유리 멜트를 제공하는 단계; 및
    상기 유리 멜트를 결정성 내화성(crystalline refractory) 물질을 포함하는 성형체 위로 흘리는 단계;를 포함하며,
    상기 성형체는, 상기 성형체의 바닥에 대해 수직 방향으로 배치된 수직 성형 표면과, 상기 수직 성형 표면과 교차하는 제 1쌍의 경사진 성형 표면과, 그리고 상기 제 1쌍의 경사진 성형 표면과 교차하는 제 2쌍의 경사진 성형 표면을 포함하고,
    상기 수직 성형 표면의 최대 높이 및 제 2쌍의 경사진 성형 표면들 사이의 각도는 상기 유리 멜트내에서 용해된 내화성 물질의 농도를 최소화하기 위해 선택되며, 그리고 상기 수직 성형 표면의 최대 높이는 60 cm 미만인 유리 시트 성형 방법.
  8. 삭제
  9. 제 7항에 있어서, 상기 제 1쌍의 경사진 성형 표면들 사이의 각도는 42도 미만인 유리 시트 성형 방법.
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