KR101475305B1 - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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Abstract

기판의 타겟부 상에 빔을 투영하기 위한 광학 컬럼을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 광학 컬럼은 상기 타겟부 상으로 상기 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 상기 리소그래피 장치는 상기 기판에 대하여 상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부를 이동시키기 위한 액추에이터 및 상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 기판의 타겟부 사이 및/또는 상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 광학 컬럼의 고정부 사이의 윈도우(940)를 더 포함하고, 상기 윈도우는 상기 윈도우의 이동을 줄이거나 최소화하도록 상기 리소그래피 장치 내에 구성되고 배열된다.There is provided a lithographic apparatus including an optical column for projecting a beam onto a target portion of a substrate, the optical column including a projection system configured to project the beam onto the target portion. The lithographic apparatus may further include an actuator for moving the optical column or at least a portion thereof relative to the substrate and an actuator for moving a moving portion of the optical column and a target portion of the substrate and / Wherein the window is configured and arranged in the lithographic apparatus to reduce or minimize movement of the window.

Figure R1020127032510
Figure R1020127032510

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a lithographic apparatus,

본 발명은 리소그래피 장치, 프로그램가능한 패터닝 디바이스, 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a lithographic apparatus, a programmable patterning device, and a device manufacturing method.

리소그래피 장치는 기판 또는 기판의 일부 상에 원하는 패턴을 부여하는 기기이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(IC), 평판 디스플레이 및 미세 구조를 갖는 기타 다른 디바이스 또는 구조체의 제조에 이용될 수 있다. 기존 리소그래피 장치에서, 마스크 또는 레티클로 지칭될 수 있는 패터닝 디바이스가 IC, 평판 디스플레이 또는 기타 다른 디바이스의 개별 층에 대응되는 회로 패턴을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 패턴은, 예를 들어 기판 상에 제공된 방사선 감응성 재료(레지스트)의 층 상으로의 이미징을 통해, 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼 또는 유리 플레이트)(중 일부) 상에 전사될 수 있다.A lithographic apparatus is a device that imparts a desired pattern onto a substrate or a portion of a substrate. Lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs), flat panel displays and other devices or structures having microstructures. In existing lithographic apparatus, a patterning device, which may be referred to as a mask or a reticle, may be used to generate a circuit pattern corresponding to an individual layer of an IC, flat panel display or other device. Such a pattern may be transferred onto (some of) a substrate (e.g., a silicon wafer or a glass plate) through imaging onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate, for example.

회로 패턴 대신에, 이러한 패터닝 디바이스는 다른 패턴, 예를 들어 컬러 필터 패턴, 또는 도트 매트릭스를 생성하는데 이용될 수 있다. 기존의 마스크 대신에, 패터닝 디바이스는 회로 또는 다른 응용가능한 패턴을 생성하는, 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이를 포함하는 패터닝 어레이를 포함할 수 있다. 기존의 마스크 기반 시스템에 비하여 이러한 "마스크리스(maskless)" 시스템의 장점은, 패턴이 보다 신속하게 적은 비용으로 제공 및/또는 변화될 수 있다는 점이다. Instead of a circuit pattern, such a patterning device may be used to create another pattern, for example a color filter pattern, or a dot matrix. Instead of a conventional mask, the patterning device may include a patterning array that includes an array of individually controllable elements that produce a circuit or other applicable pattern. The advantage of this "maskless" system over conventional mask based systems is that the pattern can be provided and / or changed more quickly at less cost.

따라서, 마스크리스 시스템은 프로그램가능한 패터닝 디바이스(예를 들어, 공간 광 변조기, 콘트라스트 디바이스 등)를 포함한다. 이러한 프로그램가능한 패터닝 디바이스는, 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이를 이용하여 원하는 패터닝된 빔을 형성하도록 프로그래밍(예를 들어, 전자적으로 또는 광학적으로 프로그래밍)된다. 프로그램가능한 패터닝 디바이스의 유형에는 마이크로 미러 어레이, 액정 디스플레이(LCD) 어레이, 격자 광 밸브 어레이 등이 있다.Thus, the maskless system includes a programmable patterning device (e.g., a spatial light modulator, a contrast device, etc.). Such a programmable patterning device is programmed (e.g., electronically or optically programmed) to form a desired patterned beam using an array of individually controllable elements. Types of programmable patterning devices include micro-mirror arrays, liquid crystal display (LCD) arrays, grating light valve arrays, and the like.

예를 들면 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 포함하는, 유연하고 저비용인 리소그래피 장치를 제공하는 것이 바람직하다. It would be desirable to provide a lithographic apparatus that is flexible and low cost, including, for example, a programmable patterning device.

일 실시예에서 리소그래피 장치가 개시되고, 이러한 리소그래피 장치는, 원하는 패턴에 따라 변조된 복수의 빔에 기판의 노광 영역을 노출하도록 구성된 변조기 및 변조된 빔을 기판 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 변조기가 노광 영역에 대하여 이동가능할 수 있고, 및/또는 투영 시스템이 복수의 빔을 수신하기 위한 렌즈의 어레이를 갖고 이러한 렌즈의 어레이가 노광 영역에 대하여 이동가능할 수 있다.In one embodiment, a lithographic apparatus is disclosed, which includes a modulator configured to expose an exposed region of a substrate to a plurality of beams modulated according to a desired pattern, and a projection system configured to project the modulated beam onto the substrate . The modulator may be movable relative to the exposure area, and / or the projection system may have an array of lenses for receiving a plurality of beams and such an array of lenses may be movable relative to the exposure area.

일 실시예에서, 리소그래피 장치는, 예를 들어 기판의 타겟부 상에 패턴을 생성할 수 있는 광학 컬럼을 구비할 수 있다. 이러한 광학 컬럼은 빔을 방출하도록 구성된 자기-발광 콘트라스트 디바이스, 및 상기 타겟부 상으로 빔의 적어도 일부를 투영하도록 구성된 투영 시스템을 구비할 수 있다. 이러한 장치는 기판에 대하여 광학 컬럼 또는 그 일부를 이동시키기 위한 액추에이터를 구비할 수 있다. 상기 광학 컬럼의 이동부(moving part)와 상기 기판의 타겟부 사이에 윈도우가 제공되고, 및/또는 상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 광학 컬럼의 고정부(non-moving part) 사이에 윈도우가 제공될 수 있다.In one embodiment, the lithographic apparatus may include an optical column, for example, that can generate a pattern on a target portion of a substrate. The optical column may include a self-emitting contrast device configured to emit a beam, and a projection system configured to project at least a portion of the beam onto the target portion. Such an apparatus may include an actuator for moving the optical column or a portion thereof relative to the substrate. A window is provided between a moving part of the optical column and a target portion of the substrate and / or a window is provided between the moving part of the optical column and a non-moving part of the optical column .

이동가능한 광학 컬럼 또는 그 일부와 상기 타겟부 사이의 윈도우 및/또는 상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 광학 컬럼의 고정부 사이의 윈도우는 이동할 수 있다. 이러한 윈도우의 이동은 타겟부 상에 투영되는 빔의 이동을 유발할 수 있고, 이는 기판의 타겟부 상으로 빔을 투영하는데에 유해하다.The window between the movable optical column or a portion thereof and the window between the target portion and / or the movable portion of the optical column and the fixed portion of the optical column can move. This movement of the window may cause movement of the beam to be projected onto the target portion, which is detrimental to projecting the beam onto the target portion of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치로서,According to an embodiment of the present invention, there is provided a lithographic apparatus comprising:

기판의 타겟부 상에 빔을 투영하기 위한 광학 컬럼으로서, 상기 타겟부 상으로 상기 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 광학 컬럼;An optical column for projecting a beam onto a target portion of a substrate, comprising: an optical column comprising a projection system configured to project the beam onto the target portion;

상기 기판에 대하여 상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부를 이동시키기 위한 액추에이터; 및An actuator for moving the optical column or at least a portion thereof relative to the substrate; And

상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 기판의 타겟부 사이 및/또는 상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 광학 컬럼의 고정부 사이의 윈도우A window between the moving part of the optical column and the target part of the substrate and / or between the moving part of the optical column and the fixed part of the optical column

를 포함하고,Lt; / RTI >

상기 윈도우는 상기 윈도우의 이동을 줄이거나 최소화하도록 상기 리소그래피 장치 내에 구성되고 배열되는, 리소그래피 장치가 제공된다.Wherein the window is constructed and arranged in the lithographic apparatus to reduce or minimize movement of the window.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,According to an embodiment of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising projecting a patterned beam of radiation onto a substrate,

광학 컬럼의 투영 시스템을 이용하여 기판 상으로 빔을 투영함으로써, 상기 광학 컬럼을 이용하여 상기 기판의 타겟부 상에 패턴을 생성하는 단계;Projecting a beam onto a substrate using a projection system of an optical column to generate a pattern on a target portion of the substrate using the optical column;

상기 빔이 윈도우를 통과하도록 하는 단계; 및Causing the beam to pass through a window; And

상기 윈도우의 이동을 줄이거나 최소화하면서 상기 기판에 대하여 상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부를 이동시키는 단계Moving the optical column or at least a portion thereof relative to the substrate while reducing or minimizing movement of the window

를 포함하는, 디바이스 제조 방법이 제공된다.A device manufacturing method is provided.

본 명세서에 통합되어 본 명세서의 일부를 형성하는 첨부된 도면은 본 발명의 실시예를 예시하고, 상세한 설명의 내용과 함께, 본 발명의 원리를 설명하고 통상의 기술자가 본 발명을 실시 및 이용할 수 있도록 하는 역할을 한다. 도면에서, 유사한 참조 부호는 동일하거나 기능적으로 유사한 구성요소를 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다.
도 6a 내지 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 평면도 및 측면도이다.
도 7a 내지 7o는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 평면도 및 측면도이다.
도 7p는 본 발명의 일 실시예에 따른 개별적으로 어드레스가능한(addressable) 요소의 전력/순방향 전류 그래프를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치에 대한 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이의 개략적인 평면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예를 이용하여 기판에 패턴을 전사하는 모드를 나타낸다.
도 13은 광학 엔진의 개략적인 배열을 나타낸다.
도 14a 및 14b는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다.
도 16a는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도이다.
도 16b는 기판에 대한 센서의 검출 영역의 개략적인 위치를 나타낸다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측단면도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 평면도 레이아웃이다.
도 20은 도 19의 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 3차원 도면이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 광학 요소(242) 세트의 3가지 상이한 회전 위치를 나타낸다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 광학 요소(242) 세트의 3가지 상이한 회전 위치를 나타낸다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 광학 요소(242) 세트의 5가지 상이한 회전 위치를 나타낸다.
도 24는 기판의 폭에 걸쳐 전체 커버리지를 획득하기 위해 5.6 mm의 지름을 갖는 표준 레이저 다이오드가 이용되는 경우, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 중 일부의 개략적인 레이아웃을 나타낸다.
도 25는 도 24의 세부사항에 대한 개략적인 레이아웃을 나타낸다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도 레이아웃이다.
도 27은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도 레이아웃이다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 광학 요소(242) 세트의 5가지 상이한 회전 위치를 나타낸다.
도 29는 도 28의 리소그래피 장치 중 일부의 개략적인 3차원 도면이다.
도 30은 도 28 및 29의 하나의 이동가능한 광학 요소(242) 세트에 의해 8개의 라인들이 동시에 기록되는 구성을 개략적으로 나타낸다.
도 31은 도 28 및 29의 구성에서 이동형 루프탑(rooftop)을 이용하여 초점을 제어하기 위한 개략적인 구성을 나타낸다.
도 32는 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대하여 이동가능한 광학 요소를 갖는, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측단면도이다.
도 33은 리소그래피 장치 중 일부를 나타낸다.
도 34는 도 33의 리소그래피 장치의 평면도이다.
도 35는 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 36은 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 37은 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 38a 내지 38c는 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 39는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are incorporated in and constitute a part of this specification, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention and to enable a person skilled in the art to make and use the invention . In the drawings, like reference numbers may indicate identical or functionally similar elements.
1 is a schematic side view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention.
6A-6D are schematic plan and side views of a portion of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention.
7A-7O are schematic plan and side views of a portion of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention.
Figure 7P illustrates a graph of power / forward current of individually addressable elements in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 8 is a schematic side view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention.
9 is a schematic side view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention.
10 is a schematic side view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 11 is a schematic plan view of an array of individually controllable elements for a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
12 shows a mode of transferring a pattern onto a substrate using an embodiment of the present invention.
Figure 13 shows a schematic arrangement of the optical engine.
14A and 14B are schematic side views of a portion of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
15 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
16A is a schematic side view of a portion of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
16B shows a schematic position of the detection area of the sensor with respect to the substrate.
17 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
18 is a schematic side cross-sectional view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 19 is a schematic plan layout of a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and a movable optical element relative thereto that are substantially fixed in an XY plane, in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 20 is a schematic three-dimensional view of a portion of the lithographic apparatus of Figure 19;
Figure 21 is a schematic side view layout of a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and an optical element moveable therewith substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, Lt; RTI ID = 0.0 > 242 < / RTI >
Figure 22 is a schematic side view layout of a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and an optical element moveable therewith substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, Lt; RTI ID = 0.0 > 242 < / RTI >
Figure 23 is a schematic side view layout of a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and an optical element movable relative thereto that is substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, Lt; RTI ID = 0.0 > 242 < / RTI >
Figure 24 shows a schematic layout of some of the individually controllable elements 102 when a standard laser diode having a diameter of 5.6 mm is used to obtain full coverage over the width of the substrate.
Figure 25 shows a schematic layout for the details of Figure 24;
Figure 26 is a schematic side view layout of some of the lithographic apparatus having individually controllable elements and movable optical elements that are substantially fixed in the XY plane, in accordance with one embodiment of the present invention.
Figure 27 is a schematic side view layout of some of the lithographic apparatus having individually controllable elements and moving optical elements that are substantially fixed in the XY plane, in accordance with one embodiment of the present invention.
Figure 28 is a schematic side view layout of a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and a movable optical element relative thereto that are substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, Lt; RTI ID = 0.0 > 242 < / RTI >
29 is a schematic three-dimensional view of a portion of the lithographic apparatus of FIG.
Figure 30 schematically shows a configuration in which eight lines are simultaneously recorded by one movable optical element 242 set of Figures 28 and 29;
Fig. 31 shows a schematic configuration for controlling focus using a mobile roof rooftop in the configuration of Figs. 28 and 29; Fig.
32 is a schematic side cross-sectional view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention, having an individually controllable element and an optical element moveable therewith substantially fixed in the XY plane, in accordance with an embodiment of the present invention. to be.
33 shows a part of the lithographic apparatus.
34 is a plan view of the lithographic apparatus of FIG. 33;
Figure 35 schematically depicts a lithographic apparatus.
Figure 36 schematically depicts a lithographic apparatus.
Figure 37 schematically depicts a lithographic apparatus.
Figures 38A-C schematically illustrate a lithographic apparatus.
Figure 39 schematically depicts a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention.

마스크리스 리소그래피 장치, 마스크리스 리소그래피 방법, 프로그램가능한 패터닝 디바이스 및 다른 장치, 제조물 및 방법에 대한 하나 이상의 실시예가 본원에서 기술된다. 일 실시예에서, 저비용 및/또는 유연한 마스크리스 리소그래피 장치가 제공된다. 마스크리스 유형이므로, 예를 들어 IC 또는 평판 디스플레이를 노광하기 위해 어떠한 기존 마스크도 필요치 않다. 마찬가지로, 패키징 응용을 위해 하나 이상의 링이 필요하지 않다; 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 에지 투영을 피하기 위해 패키징 응용에 대해 디지털 에지 처리 "링"을 제공할 수 있다. 마스크리스 유형(디지털 패터닝)은 플렉서블 기판과 함께 이용될 수 있다.One or more embodiments of a maskless lithographic apparatus, a maskless lithographic method, a programmable patterning device, and other apparatus, articles, and methods are described herein. In one embodiment, a low cost and / or flexible maskless lithographic apparatus is provided. Since it is a maskless type, no conventional mask is needed to expose, for example, an IC or flat panel display. Likewise, no more than one ring is required for a packaging application; The programmable patterning device may provide a digital edge processing "ring" for the packaging application to avoid edge projection. The maskless type (digital patterning) can be used with a flexible substrate.

일 실시예에서, 리소그래피 장치는 초-비-임계(super-non-critical) 응용이 가능하다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 0.1㎛ 이상의 분해능, 예를 들어 0.5㎛ 이상의 분해능 또는 1㎛ 이상의 분해능이 가능하다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 20㎛ 이하의 분해능, 예를 들어 10㎛ 이하의 분해능, 또는 5㎛ 이하의 분해능이 가능하다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 0.1 내지 10㎛ 분해능이 가능하다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 50nm 이상의 오버레이, 예를 들면 100nm 이상의 오버레이, 200nm 이상의 오버레이, 또는 300nm 이상의 오버레이가 가능하다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 500nm 이하의 오버레이, 예를 들면 400nm 이하의 오버레이, 300nm 이하의 오버레이, 또는 200nm 이하의 오버레이가 가능하다. 이러한 오버레이 및 분해능 값은 기판 크기 및 재료와 무관할 수 있다.In one embodiment, the lithographic apparatus is capable of super-non-critical applications. In one embodiment, the lithographic apparatus is capable of a resolution of 0.1 탆 or more, for example, a resolution of 0.5 탆 or more, or a resolution of 1 탆 or more. In one embodiment, the lithographic apparatus is capable of a resolution of 20 microns or less, for example, a resolution of 10 microns or less, or a resolution of 5 microns or less. In one embodiment, the lithographic apparatus is capable of 0.1 to 10 μm resolution. In one embodiment, the lithographic apparatus is capable of an overlay of 50 nm or more, for example, an overlay of 100 nm or more, an overlay of 200 nm or more, or an overlay of 300 nm or more. In one embodiment, the lithographic apparatus is capable of an overlay of 500 nm or less, for example, an overlay of 400 nm or less, an overlay of 300 nm or less, or an overlay of 200 nm or less. Such overlay and resolution values may be independent of substrate size and material.

일 실시예에서, 리소그래피 장치는 고도로 유연성이 있다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 상이한 크기, 유형 및 특성을 가진 기판에 대해 크기조정가능(scalable)하다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 실질적으로 무제한의 필드 크기를 갖는다. 따라서, 리소그래피 장치는 하나의 리소그래피 장치 또는 대체로 공통의 리소그래피 장치 플랫폼을 이용하는 다수의 리소그래피 장치를 이용하여 다수의 응용(예를 들어, IC, 평판 디스플레이, 패키징 등)을 가능하게 할 수 있다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 유연성이 있는 제조를 위해서 자동화된 작업 생성을 허용한다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 3D 집적을 제공한다.In one embodiment, the lithographic apparatus is highly flexible. In one embodiment, the lithographic apparatus are scalable for substrates having different sizes, types, and characteristics. In one embodiment, the lithographic apparatus has a substantially unlimited field size. Thus, a lithographic apparatus may enable a number of applications (e.g., IC, flat panel display, packaging, etc.) using a single lithographic apparatus or a plurality of lithographic apparatuses using a generally common lithographic apparatus platform. In one embodiment, the lithographic apparatus permits automated job creation for flexible manufacturing. In one embodiment, the lithographic apparatus provides 3D integration.

일 실시예에서, 리소그래피 장치는 저비용이다. 일 실시예에서, 단지 통상의 기성(off-the-shelf) 컴포넌트가 이용된다(예를 들면, 방사선 방출 다이오드, 단순한 이동가능한 기판 홀더, 및 렌즈 어레이). 일 실시예에서, 단순한 투영 광학을 가능하게 하기 위해 픽셀-그리드 이미징이 이용된다. 일 실시예에서, 비용 및/또는 복잡성을 줄이기 위해 단일 스캔 방향을 갖는 기판 홀더가 이용된다. In one embodiment, the lithographic apparatus is low cost. In one embodiment, only conventional off-the-shelf components are used (e.g., a radiation emitting diode, a simple movable substrate holder, and a lens array). In one embodiment, pixel-grid imaging is used to enable simple projection optics. In one embodiment, a substrate holder having a single scan direction is used to reduce cost and / or complexity.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영 장치(100)를 개략적으로 나타낸다. 장치(100)는 패터닝 디바이스(104), 대물 홀더(106)(예를 들어, 대물 테이블, 예컨대 기판 테이블), 및 투영 시스템(108)을 포함한다.Figure 1 schematically depicts a lithographic projection apparatus 100 according to one embodiment of the present invention. The apparatus 100 includes a patterning device 104, an object holder 106 (e.g., an object table, e.g., a substrate table), and a projection system 108.

일 실시예에서, 패터닝 디바이스(104)는 빔(110)에 패턴을 부가하기 위해 방사선을 변조하는 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 포함한다. 일 실시예에서, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 위치는 투영 시스템(108)에 대해 고정될 수 있다. 그러나, 대안적인 구성에서, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는, (예를 들어, 투영 시스템(108)에 대해서) 특정 파라미터에 따라 복수의 개별적으로 제어가능한 요소 중 하나 이상을 정확히 위치시키기 위한 위치 설정기구(미도시)에 연결될 수 있다.In one embodiment, the patterning device 104 includes a plurality of individually controllable elements 102 that modulate radiation to add a pattern to the beam 110. In one embodiment, the position of the plurality of individually controllable elements 102 may be fixed relative to the projection system 108. However, in an alternative configuration, the plurality of individually controllable elements 102 may be configured to accurately position one or more of the plurality of individually controllable elements (e.g., relative to the projection system 108) (Not shown).

일 실시예에서, 패터닝 디바이스(104)는 자기-발광 콘트라스트 디바이스이다. 이러한 패터닝 디바이스(104)는 방사선 시스템의 필요성을 배제하고, 이는 예를 들어 리소그래피 장치의 비용 및 크기를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어 발광 다이오드(LED), 유기 LED(OLED), 폴리머 LED(PLED), 또는 레이저 다이오드(예컨대, 고상 레이저 다이오드)이다. 일 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 레이저 다이오드이다. 일 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 청자색 레이저 다이오드(예를 들어, Sanyo 모델 번호 DL-3146-151)이다. 이러한 다이오드는 Sanyo, Nichia, Osram, 및 Nitride와 같은 회사에 의해 공급될 수 있다. 일 실시예에서, 다이오드는 약 365nm 또는 약 405nm 파장을 갖는 방사선을 방출한다. 일 실시예에서, 다이오드는 0.5 내지 100 mW 범위에서 선택된 출력 전력을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드의 크기(순수한 다이(naked die)의 크기)는 250 내지 600 마이크로미터의 범위에서 선택된다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 1 내지 5 평방 마이크로미터 범위에서 선택된 방출 영역을 갖는다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 7 내지 44도 범위에서 선택된 발산 각을 갖는다. 일 실시예에서, 패터닝 디바이스(104)는 약 6.4×108W/(㎡.sr) 이상의 전체 휘도를 제공하기 위한 구성(예를 들어, 방출 영역, 발산 각, 출력 전력 등)을 갖는 약 1×105 개의 다이오드를 갖는다.In one embodiment, the patterning device 104 is a self-emitting contrast device. This patterning device 104 precludes the need for a radiation system, which can, for example, reduce the cost and size of the lithographic apparatus. For example, each individually controllable element 102 may be a radiation emitting diode, such as a light emitting diode (LED), an organic LED (OLED), a polymer LED (PLED), or a laser diode to be. In one embodiment, each individually controllable element 102 is a laser diode. In one embodiment, each individually controllable element 102 is a blue violet laser diode (e.g., Sanyo model number DL-3146-151). Such diodes can be supplied by companies such as Sanyo, Nichia, Osram, and Nitride. In one embodiment, the diode emits radiation having a wavelength of about 365 nm or about 405 nm. In one embodiment, the diode may provide a selected output power in the 0.5 to 100 mW range. In one embodiment, the size of the laser diode (the size of the naked die) is selected in the range of 250 to 600 micrometers. In one embodiment, the laser diode has a selected emission area in the range of 1 to 5 square micrometers. In one embodiment, the laser diode has a selected divergence angle in the range of 7 to 44 degrees. In one embodiment, the patterning device 104 is configured to provide a brightness of about 1 (e.g., about 1 x 10 < 8 > W / × 10 5 diodes.

일 실시예에서, 자기-발광 콘트라스트 디바이스는, 다른 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 고장나거나 적절히 동작하지 못하는 경우, "여분의" 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 이용될 수 있도록 하기 위해 필요한 것보다 많은 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 포함한다. 일 실시예에서, 여분의 개별적으로 제어가능한 요소는, 예를 들어 이하 도 5와 관련하여 논의되는 바와 같이, 이동가능한 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 이용하는 실시예에서 유리하게 이용될 수 있다.In one embodiment, the self-emitting contrast device is required to allow an "extra" individually controllable element 102 to be utilized, in the event that another individually controllable element 102 fails or does not operate properly ≪ / RTI > and more individually addressable elements 102 than do < RTI ID = 0.0 > In one embodiment, redundant individually controllable elements can be advantageously utilized in embodiments that utilize moveable, individually controllable elements 102, for example, as discussed below in connection with FIG.

일 실시예에서, 자기-발광 콘트라스트 디바이스의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는, 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 레이저 다이오드)의 전력/순방향 전류 곡선의 경사 부분에서 동작한다. 이는 보다 효율적일 수 있고 더 적은 전력 소모/열을 유발할 수 있다. 일 실시예에서, 사용 시에, 개별적으로 제어가능한 요소당 광 출력은, 1mW 이상, 예를 들어 10mW 이상, 25mW 이상, 50mW 이상, 100mW 이상, 또는 200mW 이상이다. 일 실시예에서, 사용 시에, 개별적으로 제어가능한 요소당 광 출력은 300mW 미만, 250mW 미만, 200mW 미만, 150mW 미만, 100mW 미만, 50mW 미만, 25mW 미만, 또는 10mW 미만이다. 일 실시예에서, 사용 시에, 개별적으로 제어가능한 요소를 동작시키기 위해 프로그램가능한 패터닝 디바이스당 전력 소모는, 10kW 미만, 예를 들어 5kW 미만, 1kW 미만, 또는 0.5kW 미만이다. 일 실시예에서, 사용 시에, 개별적으로 제어가능한 요소를 동작시키기 위해 프로그램가능한 패터닝 디바이스당 전력 소모는, 100W 이상, 예를 들어 300W 이상, 500W 이상, 또는 1kW 이상이다. In one embodiment, the individually controllable element 102 of the self-emitting contrast device operates in a sloped portion of the power / forward current curve of the individually controllable element 102 (e.g., a laser diode). This may be more efficient and may result in less power dissipation / heat. In one embodiment, in use, the light output per individually controllable element is at least 1 mW, such as at least 10 mW, at least 25 mW, at least 50 mW, at least 100 mW, or at least 200 mW. In one embodiment, in use, the light output per individually controllable element is less than 300 mW, less than 250 mW, less than 200 mW, less than 150 mW, less than 100 mW, less than 50 mW, less than 25 mW, or less than 10 mW. In one embodiment, in use, the power consumption per programmable patterning device to operate the individually controllable elements is less than 10 kW, for example less than 5 kW, less than 1 kW, or less than 0.5 kW. In one embodiment, in use, the power consumption per programmable patterning device to operate the individually controllable element is greater than or equal to 100W, such as greater than 300W, greater than 500W, or greater than 1kW.

리소그래피 장치(100)는 대물 홀더(106)를 포함한다. 이러한 실시예에서, 대물 홀더는 기판(114)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼 또는 유리 기판)을 홀딩하기 위한 대물 테이블(106)을 포함한다. 대물 테이블(106)은 이동가능하고, 특정 파라미터에 따라 기판(114)을 정확히 위치시키기 위한 위치 설정기구(116)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 위치 설정기구(116)는 투영 시스템(108) 및/또는 패터닝 디바이스(104)에 대하여 기판(114)을 정확히 위치시킬 수 있다. 일 실시예에서, 대물 테이블(106)의 이동은, 도 1에 명시적으로 나타나 있지는 않지만, 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 선택적으로 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 포함하는 위치 설정기구(116)를 이용하여 실현될 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 장치에는 대물 테이블(106)을 이동시키기 위한 적어도 하나의 숏-스트로크 모듈이 없다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 위치시키기 위해 유사한 시스템이 이용될 수 있다. 대안적으로/부가적으로 빔(110)이 이동가능할 수 있지만, 대물 테이블(106) 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 필요한 상대적인 이동을 제공하도록 고정된 위치를 가질 수 있다는 점을 인식해야 한다. 이러한 구성은 장치의 크기를 제한하는데 도움이 될 수 있다. 예를 들어 평판 디스플레이의 제조에 적용가능한 일 실시예에서, 대물 테이블(106)은 고정될 수 있고, 위치 설정기구(116)가 대물 테이블(106)에 대해(예를 들면, 대물 테이블 위로) 기판(114)을 이동시키도록 구성된다. 예를 들어, 대물 테이블(106)은 실질적으로 일정한 속도로 기판(114)을 스캔하기 위한 시스템을 구비할 수 있다. 이것이 수행되는 경우, 대물 테이블(106)에는 평탄한 최상부 표면 상에 복수의 개구부가 구비될 수 있고, 가스가 이러한 개구부를 통해 공급되어 기판(114)을 지지할 수 있는 가스 쿠션을 제공할 수 있다. 이는 통상 가스 베어링 구성이라 지칭된다. 기판(114)은, 빔(110)의 경로에 대해서 기판(114)을 정확히 위치시킬 수 있는 하나 이상의 액추에이터(미도시)를 이용하여 대물 테이블(106) 위에서 이동된다. 대안적으로 기판(114)은, 개구부를 통한 가스의 통과를 선택적으로 개시하고 중지시킴으로써, 대물 테이블(106)에 대하여 이동될 수 있다. 일 실시예에서, 대물 홀더(106)는 기판이 롤링하는 롤 시스템일 수 있고 위치 설정기구(116)는, 대물 테이블(106) 상으로 기판을 제공하도록 이러한 롤 시스템을 회전시키기 위한 모터일 수 있다.The lithographic apparatus 100 includes an objective holder 106. In this embodiment, the object holder comprises an object table 106 for holding a substrate 114 (e.g., a resist-coated silicon wafer or glass substrate). The object table 106 is movable and can be connected to a positioning mechanism 116 for accurately positioning the substrate 114 according to certain parameters. For example, the positioning mechanism 116 can accurately position the substrate 114 with respect to the projection system 108 and / or the patterning device 104. In one embodiment, movement of the object table 106 is accomplished using a long-stroke module (not shown) and optionally a short-stroke module (E.g., fine positioning). In one embodiment, such a device does not have at least one short-stroke module for moving the object table 106. A similar system can be used to locate the individually controllable element 102. It will be appreciated that while the beam 110 may alternatively / additionally be movable, the object table 106 and / or the individually controllable element 102 may have a fixed position to provide the required relative movement Should be. This configuration can help limit the size of the device. For example, in one embodiment applicable to the manufacture of flat panel displays, the object table 106 can be fixed and the positioning mechanism 116 can be moved relative to the object table 106 (e.g., above the object table) (114). For example, the object table 106 may have a system for scanning the substrate 114 at a substantially constant rate. If this is done, the object table 106 can be provided with a plurality of openings on a flat top surface and gas can be supplied through these openings to provide a gas cushion that can support the substrate 114. This is commonly referred to as a gas bearing configuration. The substrate 114 is moved over the object table 106 using one or more actuators (not shown) that can accurately position the substrate 114 relative to the path of the beam 110. Alternatively, the substrate 114 can be moved relative to the object table 106 by selectively starting and stopping the passage of gas through the opening. In one embodiment, the object holder 106 may be a roll system in which the substrate rolls and the positioning mechanism 116 may be a motor for rotating such roll system to provide a substrate on the object table 106 .

기판(114)의 타겟부(120)(예를 들어, 하나 이상의 다이) 상으로, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의해 변조된 패터닝된 빔을 투영하기 위해, 투영 시스템(108)(예를 들어, 석영 및/또는 CaF2 렌즈 시스템 또는 이러한 재료로 만들어진 렌즈 요소를 포함하는 반사굴절 시스템, 또는 미러 시스템)이 이용될 수 있다. 투영 시스템(108)은 패턴이 기판(114) 상에 코히어런트하게(coherently) 형성되도록 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의해 제공된 패턴의 이미지를 투영할 수 있다. 대안적으로 투영 시스템(108)은, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 요소들이 셔터로서 동작하는 2차 소스의 이미지를 투영할 수 있다.To project the patterned beam modulated by the individually controllable element 102 onto a target portion 120 (e.g., one or more dies) of the substrate 114, a projection system 108 (e.g., For example, a quartz and / or CaF 2 lens system or a refraction system including a lens element made of such material, or a mirror system) may be used. The projection system 108 may project an image of a pattern provided by a plurality of individually controllable elements 102 so that the pattern is coherently formed on the substrate 114. [ Alternatively, the projection system 108 may project an image of a secondary source, in which elements of the plurality of individually controllable elements 102 act as shutters.

이러한 점에서, 투영 시스템은 예컨대 2차 소스를 형성하고 기판(114) 상에 스팟을 이미징하기 위해 포커싱 요소, 또는 복수의 포커싱 요소(본원에서는 일반적으로 렌즈 어레이라 지칭함), 예를 들면 마이크로-렌즈 어레이(MLA로 알려짐) 또는 프레넬(Fresnel) 렌즈 어레이를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이(예를 들어, MLA)는 적어도 10개의 포커싱 요소, 예를 들면 적어도 100개의 포커싱 요소, 적어도 1,000개의 포커싱 요소, 적어도 10,000개의 포커싱 요소, 적어도 100,000개의 포커싱 요소, 또는 적어도 1,000,000개의 포커싱 요소를 포함한다. 일 실시예에서, 패터닝 디바이스에서의 개별적으로 제어가능한 요소의 수는 렌즈 어레이에서의 포커싱 요소의 수보다 크거나 같다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이는 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이에서 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소, 예를 들어 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이에서 단 하나의 개별적으로 제어가능한 요소, 또는 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이에서 2개 이상의 개별적으로 제어가능한 요소, 예컨대 3개 이상, 5개 이상, 10개 이상, 20개 이상, 25개 이상, 35개 이상, 또는 50개 이상의 개별적으로 제어가능한 요소와 광학적으로 연관되는 포커싱 요소를 포함한다; 일 실시예에서, 이러한 포커싱 요소는 5,000개 미만의 개별적으로 제어가능한 요소, 예를 들어 2,500개 미만, 1,000개 미만, 500개 미만, 또는 100개 미만의 개별적으로 제어가능한 요소와 광학적으로 연관된다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이는 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이에서 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소와 광학적으로 연관되는 2개 이상의 포커싱 요소(예를 들어, 1,000개 이상, 대다수, 또는 거의 모두)를 포함한다.In this regard, the projection system may include, for example, a focusing element, or a plurality of focusing elements (generally referred to herein as a lens array), for example to form a secondary source and to image a spot on a substrate 114, Array (also known as MLA) or a Fresnel lens array. In one embodiment, the lens array (e.g., MLA) includes at least 10 focusing elements, such as at least 100 focusing elements, at least 1,000 focusing elements, at least 10,000 focusing elements, at least 100,000 focusing elements, Includes 1,000,000 focusing elements. In one embodiment, the number of individually controllable elements in the patterning device is greater than or equal to the number of focusing elements in the lens array. In one embodiment, the lens array comprises one or more individually controllable elements in the array of individually controllable elements, for example, only one individually controllable element in the array of individually controllable elements, or an individually controllable element Such as three or more, five or more, ten or more, twenty or more, twenty-five or more, thirty-five or more, or more than 50 individually controllable elements A focusing element; In one embodiment, such a focusing element is optically associated with less than 5,000 individually controllable elements, for example less than 2,500, less than 1,000, less than 500, or less than 100 individually controllable elements. In one embodiment, the lens array includes two or more focusing elements (e.g., more than 1,000, most or nearly all) optically associated with one or more individually controllable elements in an array of individually controllable elements do.

일 실시예에서 렌즈 어레이는, 예를 들어 하나 이상의 액추에이터를 이용하여, 적어도 기판 쪽으로 그리고 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동가능하다. 기판 쪽으로 그리고 기판으로부터 멀어지도록 렌즈 어레이를 이동시킬 수 있게 되면, 기판을 이동시킬 필요 없이 예를 들어 초점 조정이 가능해진다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이의 개별적인 렌즈 요소, 예를 들어 렌즈 어레이의 각각의 개별 렌즈 요소는 적어도 기판 쪽으로 그리고 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동가능하다(예를 들어, 비평판(non-flat) 기판 상에서 국소적인 초점 조정을 위해 또는 각각의 광학 컬럼을 동일한 초점 거리에 있게 하기 위해). In one embodiment, the lens array is movable at least toward and away from the substrate using, for example, one or more actuators. If the lens array can be moved toward and away from the substrate, for example, focus adjustment is possible without moving the substrate. In one embodiment, the individual lens elements of the lens array, e.g., each individual lens element of the lens array, are movable at least toward and away from the substrate (e.g., on a non-flat substrate) For local focus adjustment, or to have each optical column at the same focal distance).

일 실시예에서, 렌즈 어레이는 플라스틱 포커싱 요소(예를 들어 사출 성형에 의해 제조가 용이하고, 및/또는 비용이 적당함)를 포함하고, 여기서 예를 들어 방사선의 파장은 약 400nm 이상(예를 들어, 405nm)이다. 일 실시예에서, 방사선의 파장은 약 400nm 내지 500nm 범위에서 선택된다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이는 석영 포커싱 요소를 포함한다. 일 실시예에서, 각각의 포커싱 요소 또는 복수의 포커싱 요소는 비대칭 렌즈일 수 있다. 이러한 비대칭성은 복수의 포커싱 요소 각각에 대해 동일할 수 있거나, 복수의 포커싱 요소 중 하나 이상의 포커싱 요소에 대해서는 복수의 포커싱 요소 중 하나 이상의 다른 포커싱 요소와는 상이할 수 있다. 비대칭 렌즈는 타원 방사선 출력을 원형 투영된 스팟으로 변환하거나 그 역으로 변환하는 것을 용이하게 할 수 있다.In one embodiment, the lens array comprises a plastic focusing element (e.g., easy to manufacture and / or cost-effective by injection molding), wherein the wavelength of the radiation is, for example, For example, 405 nm). In one embodiment, the wavelength of the radiation is selected in the range of about 400 nm to 500 nm. In one embodiment, the lens array comprises a quartz focusing element. In one embodiment, each focusing element or plurality of focusing elements may be an asymmetric lens. This asymmetry may be the same for each of the plurality of focusing elements, or may differ from one or more of the plurality of focusing elements for one or more of the plurality of focusing elements. An asymmetric lens can facilitate converting an elliptical radiation output to a circularly projected spot or vice versa.

일 실시예에서, 포커싱 요소는 시스템에 대해 낮은 개구수(NA)를 얻기 위해 초점으로부터 벗어나 기판 상으로 방사선을 투영하도록 구성된 높은 개구수(NA)를 갖는다. 렌즈의 NA가 높을수록 NA가 낮은 이용가능한 렌즈보다 더 경제적이고, 일반적이고, 및/또는 더 양호한 품질일 수 있다. 일 실시예에서, 낮은 NA는 0.3 이하이고, 다른 실시예에서 0.18, 0.15 이하이다. 따라서, 이보다 높은 NA 렌즈는 시스템에 대한 설계 NA보다 큰 NA, 예를 들어 0.3보다 크거나, 0.18보다 크거나, 또는 0.15보다 큰 NA를 갖는다.In one embodiment, the focusing element has a high numerical aperture (NA) configured to project radiation onto the substrate away from focus to obtain a low numerical aperture (NA) for the system. The higher NA of the lens may be more economical, more general, and / or better quality than an available lens with a lower NA. In one embodiment, the low NA is less than or equal to 0.3, and in other embodiments is less than or equal to 0.18 and less than or equal to 0.15. Thus, higher NA lenses have an NA greater than the designed NA for the system, e.g., greater than 0.3, greater than 0.18, or greater than 0.15.

일 실시예에서, 투영 시스템(108)은 패터닝 디바이스(104)와 분리되어 있지만, 반드시 그럴 필요는 없다. 투영 시스템(108)은 패터닝 디바이스(104)와 통합될 수 있다. 예를 들어, 렌즈 어레이 블록 또는 플레이트는 패터닝 디바이스(104)에 부착(통합)될 수 있다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이는 공간적으로 분리된 개별적인 소형렌즈(lenslet)의 형태일 수 있고, 각각의 소형렌즈는 이하 보다 상세히 기술되는 바와 같이 패터닝 디바이스(104)의 개별적으로 어드레스가능한 요소에 부착(통합)된다.In one embodiment, the projection system 108 is separate from the patterning device 104, but need not be. The projection system 108 may be integrated with the patterning device 104. For example, the lens array block or plate may be attached (integrated) to the patterning device 104. In one embodiment, the lens array may be in the form of a separate spatially separated lenslet, and each small lens may be attached to an individually addressable element of the patterning device 104 as described in more detail below Integration).

선택적으로, 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 방사선(예를 들어, 자외(UV) 방사선)을 공급하기 위한 방사선 시스템을 포함할 수 있다. 패터닝 디바이스가 그 자체로 방사선 소스, 예를 들면 레이저 다이오드 어레이 또는 LED 어레이인 경우, 리소그래피 장치는 방사선 시스템 없이, 즉 패터닝 디바이스 이외의 방사선 소스, 또는 적어도 단순화된 방사선 시스템 없이, 설계될 수 있다.Alternatively, the lithographic apparatus may include a radiation system for supplying radiation (e.g., ultraviolet (UV) radiation) to a plurality of individually controllable elements 102. If the patterning device is itself a radiation source, such as a laser diode array or LED array, the lithographic apparatus may be designed without a radiation system, i. E. Without a radiation source other than the patterning device, or at least a simplified radiation system.

방사선 시스템은 방사선 소스로부터 방사선을 수신하도록 구성된 조명 시스템(조명기)을 포함한다. 조명 시스템은 다음의 요소 중 하나 이상을 포함한다: 방사선 전달 시스템(예를 들어, 적합한 안내 미러; directing mirror), 방사선 조절기(예를 들어, 빔 확장기; beam expander), 방사선의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 설정하기 위한 조정기(일반적으로, 조명기의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있음), 집속기(integrator), 및/또는 집광기(condenser). 조명 시스템은 방사선의 단면에서 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖도록, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 제공될 방사선을 조절하는데 사용될 수 있다. 조명 시스템은 방사선을 복수의 서브-빔으로 분할하도록 구성될 수 있고, 이러한 각각의 서브-빔은 예를 들어 복수의 개별적으로 제어가능한 요소 중 하나 이상과 연관될 수 있다. 2차원 회절 격자가 예를 들어 방사선을 서브-빔으로 분할하는데 이용될 수 있다. 본 명세서에서, 용어 "방사선의 빔" 및 "방사선 빔"은 빔이 복수의 이러한 방사선 서브-빔으로 구성되는 상황을 포괄하지만, 이에 한정되지 않는다.The radiation system includes an illumination system (illuminator) configured to receive radiation from a radiation source. The illumination system includes one or more of the following elements: a radiation delivery system (e.g., a suitable directing mirror), a radiation conditioner (e.g., a beam expander), an angular intensity distribution of the radiation (generally, the outer radius and / or the inner radius range of the intensity distribution in the pupil plane of the illuminator, typically referred to as outer-sigma and inner-sigma, respectively) are adjusted A collector, an integrator, and / or a condenser. The illumination system may be used to adjust the radiation to be provided to the individually controllable element 102 so as to have a desired uniformity and intensity distribution in the cross-section of the radiation. The illumination system may be configured to split the radiation into a plurality of sub-beams, each of which may be associated with, for example, one or more of a plurality of individually controllable elements. A two-dimensional diffraction grating may be used, for example, to split the radiation into sub-beams. As used herein, the terms "beam of radiation" and "radiation beam" encompass but are not limited to situations in which the beam is comprised of a plurality of such radiation sub-beams.

방사선 시스템은 또한, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)로의 공급 또는 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의한 공급을 위해 방사선을 생성하는 방사선 소스(예를 들어, 엑시머 레이저)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 방사선 소스가 엑시머 레이저인 경우, 방사선 소스 및 리소그래피 장치(100)는 별도의 구성요소일 수 있다. 이러한 경우, 방사선 소스는 리소그래피 장치(100)의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선은 방사선 소스로부터 조명기로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사선 소스가 수은 램프인 경우에, 이러한 방사선 소스는 리소그래피 장치(100)에 통합된 부품일 수도 있다. 이러한 두 가지 경우 모두 본 발명의 범위 내에 포함된다는 점을 이해해야 한다.The radiation system also includes a radiation source (e.g., an excimer laser) that generates radiation for supply to a plurality of individually controllable elements 102 or for supply by a plurality of individually controllable elements 102 . For example, where the radiation source is an excimer laser, the radiation source and lithographic apparatus 100 may be separate components. In this case, the radiation source is not considered to form part of the lithographic apparatus 100, and radiation is transmitted from the radiation source to the illuminator. In other cases, for example, where the radiation source is a mercury lamp, such a radiation source may be a component integrated into the lithographic apparatus 100. It is to be understood that both of these cases are included within the scope of the present invention.

일 실시예에서 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)일 수 있는 방사선 소스는, 일 실시예에서, 5 nm 이상, 예를 들어 10 nm 이상, 50 nm 이상, 100 nm 이상, 150 nm 이상, 175 nm 이상, 200 nm 이상, 250 nm 이상, 275 nm 이상, 300 nm 이상, 325 nm 이상, 350 nm 이상, 또는 360 nm 이상의 파장을 갖는 방사선을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 방사선은 450 nm 이하, 예컨대 425 nm 이하, 375 nm 이하, 360 nm 이하, 325 nm 이하, 275 nm 이하, 250 nm 이하, 225 nm 이하, 200 nm 이하, 또는 175 nm 이하의 파장을 갖는다. 일 실시예에서, 방사선은 436 nm, 405 nm, 365 nm, 355 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 126 nm, 및/또는 13.5 nm를 포함하는 파장을 갖는다. 일 실시예에서, 방사선은 약 365 nm 또는 약 355 nm의 파장을 포함한다. 일 실시예에서, 방사선은 넓은 대역의 파장을 포함하고, 예를 들어 365 nm, 405 nm 및 436 nm를 포함한다. 355 nm 레이저 소스가 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 방사선은 약 405 nm의 파장을 갖는다.In one embodiment, the radiation source, which in one embodiment may be a plurality of individually controllable elements 102, may include, in one embodiment, at least 5 nm, such as at least 10 nm, at least 50 nm, at least 100 nm, at least 150 nm, a wavelength of at least 200 nm, at least 250 nm, at least 275 nm, at least 300 nm, at least 325 nm, at least 350 nm, or at least 360 nm. In one embodiment, the radiation has a wavelength of 450 nm or less, such as 425 nm or less, 375 nm or less, 360 nm or less, 325 nm or less, 275 nm or less, 250 nm or less, 225 nm or less, 200 nm or less, Respectively. In one embodiment, the radiation has a wavelength comprising 436 nm, 405 nm, 365 nm, 355 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 126 nm, and / or 13.5 nm. In one embodiment, the radiation comprises a wavelength of about 365 nm or about 355 nm. In one embodiment, the radiation comprises a broad band of wavelengths, including for example 365 nm, 405 nm and 436 nm. A 355 nm laser source may be used. In one embodiment, the radiation has a wavelength of about 405 nm.

일 실시예에서, 방사선은 조명 시스템으로부터 패터닝 디바이스(104)에, 0 내지 90°, 예를 들어 5 내지 85°, 15 내지 75°, 25 내지 65°, 또는 35 내지 55°의 각도로 안내된다. 조명 시스템으로부터의 방사선은 패터닝 디바이스(104)로 직접 제공될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 방사선은 빔 스플리터(미도시)를 이용하여 조명 시스템으로부터 패터닝 디바이스(104)로 안내될 수 있고, 이러한 빔 스플리터는 방사선이 초기에 빔 스플리터에 의해 반사되어 패터닝 디바이스(104)로 안내되도록 구성된다. 패터닝 디바이스(104)는 빔을 변조하여 다시 빔 스플리터로 반사시키고, 빔 스플리터는 변조된 빔을 기판(114)을 향해 투과시킨다. 그러나, 패터닝 디바이스(104) 및 이어서 기판(114)으로 방사선을 안내하기 위해 대안적인 구성이 이용될 수 있음을 인식해야 한다. 특히, 투과형 패터닝 디바이스(104)(예를 들어, LCD 어레이)가 이용되거나 패터닝 디바이스(104)가 자기-발광형(예를 들어 복수의 다이오드)인 경우, 조명기 시스템 구성은 요구되지 않을 수 있다.In one embodiment, the radiation is guided from the illumination system to the patterning device 104 at an angle of 0 to 90 degrees, for example 5 to 85 degrees, 15 to 75 degrees, 25 to 65 degrees, or 35 to 55 degrees . The radiation from the illumination system may be provided directly to the patterning device 104. In an alternative embodiment, the radiation can be guided from the illumination system to the patterning device 104 using a beam splitter (not shown), where the radiation is initially reflected by the beam splitter, As shown in FIG. The patterning device 104 modulates the beam and reflects it back to the beam splitter, which transmits the modulated beam toward the substrate 114. However, it should be appreciated that alternative configurations may be used to guide the radiation to the patterning device 104 and subsequently the substrate 114. In particular, if the transmissive patterning device 104 (e.g., an LCD array) is used or the patterning device 104 is a self-emissive type (e.g., a plurality of diodes), then the fixture system configuration may not be required.

리소그래피 장치(100)의 동작에 있어서, 패터닝 디바이스(104)가 방사선을 방출하지 않는 경우(예를 들어, LED를 포함), 방사선은 방사선 시스템(조명 시스템 및/또는 방사선 소스)으로부터 패터닝 디바이스(104)(예를 들어, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소) 상에 입사되고 패터닝 디바이스(104)에 의해 변조된다. 패터닝된 빔(110)은 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의해 생성된 후 투영 시스템(108)을 통과하고, 투영 시스템(108)은 기판(114)의 타겟부(120) 상으로 빔(110)을 포커싱한다.In operation of the lithographic apparatus 100, radiation may be emitted from a radiation system (e.g., an illumination system and / or a radiation source) to the patterning device 104 ) (E. G., A plurality of individually controllable elements) and modulated by the patterning device 104. The patterned beam 110 is generated by a plurality of individually controllable elements 102 and then passes through the projection system 108 and the projection system 108 directs the beam 110 onto the target portion 120 of the substrate 114. [ (Not shown).

위치 설정기구(116)(및 선택적으로, 베이스(136) 상의 위치 센서(134)(예를 들어, 간섭계 빔(138)을 수신하는 간섭계 측정 디바이스, 선형 인코더 또는 용량성 센서))를 이용하여, 예를 들어 빔(110)의 경로에 상이한 타겟부(120)를 위치시키도록 기판(114)은 정확히 이동될 수 있다. 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대한 위치 설정기구가 이용되어, 예를 들어 스캔 중에, 빔(110)의 경로에 대해 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 위치를 정확히 수정할 수 있다. Using a positioning mechanism 116 (and, optionally, a position sensor 134 (e.g., interferometric measuring device, linear encoder or capacitive sensor receiving interferometer beam 138) on base 136) The substrate 114 may be moved accurately to position a different target portion 120 in the path of the beam 110, for example. A positioning mechanism for a plurality of individually controllable elements 102 may be used to accurately correct the position of a plurality of individually controllable elements 102 relative to the path of the beam 110, for example during a scan .

본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)가 기판 상의 레지스트를 노광하기 위한 것으로 기술되었지만, 리소그래피 장치(100)는 레지스트 없는 리소그래피에서 이용하기 위해 패터닝된 빔(110)을 투영하는데 이용될 수 있음을 이해할 것이다.Although the lithographic apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is described as being for exposing a resist on a substrate, the lithographic apparatus 100 may be used to project the patterned beam 110 for use in resist- .

여기에 도시되어 있는 바와 같이, 리소그래피 장치(100)는 반사형이다(예를 들어, 반사형의 개별적으로 제어가능한 요소를 채용). 대안적으로, 리소그래피 장치는 투과형일 수 있다(예를 들어, 투과형의 개별적으로 제어가능한 요소를 채용).As shown therein, the lithographic apparatus 100 is of a reflective type (e.g. employing reflective, individually controllable elements). Alternatively, the lithographic apparatus may be of a transmissive type (e.g. employing a transmissive, individually controllable element).

도시되어 있는 장치(100)는 예를 들면 다음과 같은 하나 이상의 모드로 이용될 수 있다:The depicted apparatus 100 may be used, for example, in one or more of the following modes:

1. 스텝 모드에서는, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및 기판(114)을 기본적으로 정지 상태로 유지하면서, 전체 패터닝된 방사선 빔(110)을 한 번에 타겟부(120) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟부(120)가 패터닝된 방사선 빔(110)에 노출될 수 있도록 기판(114)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 정지 노광에서 이미징되는 타겟부(120)의 크기를 제한한다.1. In step mode, the entire patterned radiation beam 110 is projected onto the target portion 120 at one time while keeping the individually controllable element 102 and the substrate 114 essentially stationary A single stop exposure). The substrate 114 is then moved in the X and / or Y directions so that a different target portion 120 may be exposed to the patterned beam of radiation 110. In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion 120 imaged in a single stop exposure.

2. 스캔 모드에서는, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및 기판(114)을 동기적으로 스캐닝하면서, 패터닝된 방사선 빔(110)을 타겟부(120) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 상대적인 기판의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 동적 노광에서 타겟부의 폭(비-스캐닝 방향)을 제한하는 한편, 스캐닝 이동의 길이는 타겟부의 높이(스캐닝 방향)를 제한한다. 2. In the scan mode, the patterned radiation beam 110 is projected onto the target portion 120 (i.e., a single dynamic exposure) while synchronously scanning the individually controllable element 102 and the substrate 114. [ . The velocity and direction of the substrate relative to the individually controllable elements can be determined by the magnification (reduction factor) and image reversal characteristics of the projection system PS. In scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width (non-scanning direction) of the target portion in a single dynamic exposure while the length of the scanning movement limits the height of the target portion (the scanning direction).

3. 펄스 모드에서는, 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 기본적으로 정지 상태로 유지하고 펄스(예를 들어, 펄스형 방사선 소스에 의해 제공되거나 개별적으로 제어가능한 요소를 펄싱함으로써 제공된 펄스)를 이용하여 전체 패턴을 기판(114)의 타겟부(120) 상에 투영한다. 기판(114)은 실질적으로 일정한 속도로 이동되어 패터닝된 빔(110)이 기판(114)에 걸쳐 라인을 스캔하게 된다. 개별적으로 제어가능한 요소에 의해 제공된 패턴은 펄스와 펄스 사이에 필요한 만큼 업데이트되고, 기판(114) 상의 원하는 위치에서 연속적인 타겟부(120)가 노광되도록 펄스의 타이밍이 설정된다. 결과적으로, 패터닝된 빔(110)은 기판(114)의 스트립에 대해 완전한 패턴을 노광하도록 기판(114)에 걸쳐 스캔할 수 있다. 전체 기판(114)이 라인별로(line by line) 노광될 때까지 이러한 과정은 반복된다.3. In pulse mode, the individually controllable element 102 is kept essentially stationary and pulsed (e.g., provided by a pulsed radiation source or provided by pulsing individually controllable elements) The entire pattern is projected onto the target portion 120 of the substrate 114. The substrate 114 is moved at a substantially constant rate to cause the patterned beam 110 to scan the line across the substrate 114. [ The pattern provided by the individually controllable element is updated as necessary between the pulses and the pulses and the timing of the pulses is set such that successive target portions 120 at a desired location on the substrate 114 are exposed. As a result, the patterned beam 110 can be scanned across the substrate 114 to expose a complete pattern for the strip of substrate 114. This process is repeated until the entire substrate 114 is exposed line by line.

4. 연속적 스캔 모드에서는, 기판(114)이 변조된 방사선 빔(B)에 대해 실질적으로 일정한 속도로 스캐닝되고, 패터닝된 빔(110)이 기판(114)에 걸쳐 스캔하고 이를 노광할 때 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 상의 패턴이 업데이트된다는 점만 제외하고는, 펄스 모드와 기본적으로 동일하다. 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 상의 패턴의 업데이트와 동기화된, 실질적으로 일정한 방사선 소스 또는 펄스형 방사선 소스가 이용될 수 있다. 4. In the continuous scan mode, the substrate 114 is scanned at a substantially constant speed relative to the modulated radiation beam B and the patterned beam 110 is scanned across the substrate 114 and exposed It is basically the same as the pulse mode except that the pattern on the array of controllable elements is updated. A substantially constant radiation source or pulsed radiation source synchronized with the updating of the pattern on the array of individually controllable elements may be used.

또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들도 채용될 수 있다.Combinations and / or variations on the above described modes of use, or entirely different modes of use, may also be employed.

도 2는 웨이퍼(예를 들어, 300 mm 웨이퍼)와 함께 이용하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 리소그래피 장치(100)는 웨이퍼(114)를 홀딩하기 위한 기판 테이블(106)을 포함한다. 기판 테이블(106)을 적어도 X 방향으로 이동시키기 위한 위치 설정기구(116)가 기판 테이블(106)과 연관되어 있다. 선택적으로, 위치 설정기구(116)는 기판 테이블(106)을 Y 방향 및/또는 Z 방향으로 이동시킬 수 있다. 위치 설정기구(116)는 또한 X 방향, Y 방향, 및/또는 Z 방향을 중심으로 기판 테이블(106)을 회전시킬 수 있다. 따라서, 위치 설정기구(116)는 6 이하의 자유도로 이동을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 기판 테이블(106)은 X 방향으로만 이동을 제공하고, 이는 비용을 절감하고 덜 복잡하다는 장점이 있다. 일 실시예에서, 기판 테이블(106)은 릴레이 광학기기(relay optics)를 포함한다.2 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention for use with a wafer (e.g., a 300 mm wafer). As shown in FIG. 2, the lithographic apparatus 100 includes a substrate table 106 for holding a wafer 114. A positioning mechanism 116 for moving the substrate table 106 at least in the X direction is associated with the substrate table 106. Alternatively, the positioning mechanism 116 may move the substrate table 106 in the Y and / or Z directions. The positioning mechanism 116 may also rotate the substrate table 106 about the X direction, the Y direction, and / or the Z direction. Accordingly, the positioning mechanism 116 can provide movement of less than six degrees of freedom. In one embodiment, the substrate table 106 provides movement only in the X direction, which has the advantage of reducing cost and making it less complex. In one embodiment, the substrate table 106 includes relay optics.

리소그래피 장치(100)는 프레임(160) 상에 배열된 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 더 포함한다. 프레임(160)은 기판 테이블(106) 및 위치 설정기구(116)로부터 기계적으로 격리될 수 있다. 기계적 격리는 예를 들어, 기판 테이블(106) 및/또는 위치 설정기구(116)에 대해 프레임과는 별도의 견고한 베이스 또는 그라운드에 프레임(160)을 연결함으로써 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 프레임(160)과 프레임(160)이 연결되는 구조체 사이에, 이러한 구조체가 그라운드, 견고한 베이스 또는 기판 테이블(106) 및/또는 위치 설정기구(116)를 지지하는 프레임인지 여부와 무관하게, 댐퍼가 제공될 수 있다.The lithographic apparatus 100 further includes a plurality of individually addressable elements 102 arranged on the frame 160. The frame 160 may be mechanically isolated from the substrate table 106 and the positioning mechanism 116. [ Mechanical isolation may be provided, for example, by connecting the frame 160 to a solid base or ground separate from the frame for the substrate table 106 and / or positioning mechanism 116. Additionally or alternatively, between the frame 160 and the structure to which the frame 160 is connected, such a structure may be used as a frame, a frame or the like supporting the ground, the rigid base or substrate table 106 and / Regardless of whether or not a damper is provided, a damper can be provided.

본 실시예에서, 각각의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어 청자색 레이저 다이오드이다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 Y 방향을 따라 연장되는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 적어도 3개의 별개 어레이로 배열될 수 있다. 일 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 어레이는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 인접한 어레이로부터 X 방향으로 엇갈려(stagger) 배열된다. 리소그래피 장치(100), 특히 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 본원에서 보다 상세히 기술되는 바와 같이 픽셀-그리드 이미징을 제공하도록 구성될 수 있다.In this embodiment, each individually addressable element 102 is a radiation emitting diode, for example, a violet laser diode. As shown in FIG. 2, the individually addressable elements 102 may be arranged in at least three distinct arrays of individually addressable elements 102 extending along the Y direction. In one embodiment, the arrays of individually addressable elements 102 are staggered in the X direction from adjacent arrays of individually addressable elements 102. The lithographic apparatus 100, and specifically the individually addressable element 102, can be configured to provide pixel-grid imaging as described in more detail herein.

개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 각 어레이는, 용이한 복제를 위해 유닛으로 제조될 수 있는 개별 광학 엔진 컴포넌트 중 일부일 수 있다. 나아가, 프레임(160)은 임의의 수의 이러한 광학 엔진 컴포넌트를 손쉽게 채택하도록 확장가능하고 구성가능하도록 구성될 수 있다. 광학 엔진 컴포넌트는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 어레이 및 렌즈 어레이(170)의 조합을 포함할 수 있다(예를 들면 도 8 참조). 예를 들어, 도 2에서 3개의 광학 엔진 컴포넌트(연관된 렌즈 어레이(170)가 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 각각의 개별 어레이 아래에 있음)가 도시되어 있다. 따라서, 일 실시예에서, 다중 광학 컬럼 구성이 제공될 수 있고, 각 광학 엔진이 컬럼을 형성한다.Each array of individually addressable elements 102 may be part of a separate optical engine component that may be manufactured as a unit for easy reproduction. Further, the frame 160 can be configured to be expandable and configurable to easily employ any number of such optical engine components. The optical engine component may include an array of individually addressable elements 102 and a combination of lens arrays 170 (see, e.g., FIG. 8). For example, in FIG. 2 there are shown three optical engine components (the associated lens array 170 being under each individual array of individually addressable elements 102). Thus, in one embodiment, multiple optical column configurations may be provided and each optical engine forms a column.

또한, 리소그래피 장치(100)는 정렬 센서(150)를 포함한다. 정렬 센서는 기판(114)의 노광 이전 및/또는 노광 중에 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 기판(114) 사이의 정렬을 결정하기 위해 이용된다. 정렬 센서(150)의 결과는 리소그래피 장치(100)의 제어기에 의해 이용되어, 예를 들면 정렬을 개선하기 위해 기판 테이블(106)을 위치시키도록 위치 설정기구(116)를 제어할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 제어기는 예를 들어 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 연관된 위치 설정기구를 제어하여 정렬을 개선하도록 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 중 하나 이상을 위치시킬 수 있다. 일 실시예에서, 정렬 센서(150)는 정렬을 수행하기 위한 패턴 인식 기능/소프트웨어를 포함할 수 있다.In addition, the lithographic apparatus 100 includes an alignment sensor 150. The alignment sensor is used to determine the alignment between the individually addressable element 102 and the substrate 114 prior to exposure of the substrate 114 and / or during exposure. The result of the alignment sensor 150 may be used by the controller of the lithographic apparatus 100 to control the positioning mechanism 116 to position the substrate table 106, for example, to improve alignment. Additionally or alternatively, the controller can position one or more of the individually addressable elements 102 to improve alignment, for example by controlling a positioning mechanism associated with the individually addressable element 102. [ In one embodiment, the alignment sensor 150 may include pattern recognition functionality / software for performing alignment.

부가적으로 또는 대안적으로, 리소그래피 장치(100)는 레벨 센서(150)를 포함한다. 레벨 센서(150)는 기판(114)이 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)로부터 패턴의 투영에 대해 수평(level)인지 여부를 결정하는데 이용된다. 레벨 센서(150)는 기판(114)의 노광 이전 및/또는 노광 중에 레벨을 결정할 수 있다. 레벨 센서(150)의 결과는 리소그래피 장치(100)의 제어기에 의해 이용되어, 예를 들어 레벨링(leveling)을 개선하기 위해 기판 테이블(106)을 위치시키도록 위치 설정기구(116)를 제어할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 제어기는 예를 들어 투영 시스템(108)(예를 들어, 렌즈 어레이)과 연관된 위치 설정기구를 제어하여 레벨링을 개선하도록 투영 시스템(108)의 요소(예를 들어, 렌즈 어레이)를 위치시킬 수 있다. 일 실시예에서, 레벨 센서는 기판(114)에 초음파 빔을 투영함으로써 동작하고, 및/또는 기판(114)에 전자기 방사선 빔을 투영함으로써 동작할 수 있다.Additionally or alternatively, the lithographic apparatus 100 includes a level sensor 150. The level sensor 150 is used to determine whether the substrate 114 is level with respect to the projection of the pattern from the individually addressable element 102. The level sensor 150 may determine the level prior to and / or during exposure of the substrate 114. The result of the level sensor 150 may be used by the controller of the lithographic apparatus 100 to control the positioning mechanism 116 to position the substrate table 106 for example to improve leveling have. Additionally or alternatively, the controller may control the positioning mechanism associated with, for example, the projection system 108 (e.g., a lens array) Lens array). In one embodiment, the level sensor may operate by projecting an ultrasonic beam onto substrate 114 and / or by projecting an electromagnetic radiation beam onto substrate 114.

일 실시예에서, 정렬 센서 및/또는 레벨 센서로부터의 결과는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 의해 제공되는 패턴을 변경하는데 이용될 수 있다. 패턴은, 예를 들어 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 기판(114) 사이의 광학기기(존재한다면)로부터 발생하는 왜곡, 기판(114)의 위치설정에 있어서의 불균일, 기판(114)의 요철(unevenness) 등을 수정하도록 변경될 수 있다. 따라서, 정렬 센서 및/또는 레벨 센서로부터의 결과는 비선형 왜곡 수정을 실행하도록, 투영된 패턴을 변경하는데 이용될 수 있다. 비선형 왜곡 수정은 예를 들어 일관된 선형 또는 비선형 왜곡을 갖지 않을 수 있는 플렉서블 디스플레이를 위해 유용할 수 있다.In one embodiment, the results from the alignment sensor and / or the level sensor can be used to alter the pattern provided by the individually addressable element 102. [ The pattern may include, for example, distortion resulting from the optical instrument (if present) between the individually addressable element 102 and the substrate 114, unevenness in positioning the substrate 114, (unevenness), and the like. Thus, the results from the alignment sensor and / or the level sensor can be used to modify the projected pattern to effect nonlinear distortion correction. Nonlinear distortion correction may be useful, for example, for flexible displays that may not have consistent linear or nonlinear distortion.

리소그래피 장치(100)의 동작에 있어서, 기판(114)은 예를 들어 로봇 핸들러(미도시)를 이용하여 기판 테이블(106) 상에 로딩된다. 그 다음에 기판(114)은 프레임(160) 및 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 아래에서 X 방향으로 변위된다. 기판(114)은 레벨 센서 및/또는 정렬 센서(150)에 의해 측정된 후 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 이용하여 패턴에 노광된다. 예를 들어, 기판(114)이 투영 시스템(108)의 초점 평면(이미지 평면)을 통해 스캔되는 동안, 서브-빔 및 따라서 이미지 스팟(S)(예를 들어, 도 12 참조)은 패터닝 디바이스(104)에 의해 적어도 부분적으로 ON 또는 완전히 ON 또는 OFF로 스위치된다. 패터닝 디바이스(104)의 패턴에 대응하는 피처가 기판(114) 상에 형성된다. 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 예를 들어 본원에서 기술되는 바와 같이 픽셀-그리드 이미징을 제공하도록 동작할 수 있다.In operation of the lithographic apparatus 100, the substrate 114 is loaded onto the substrate table 106 using, for example, a robot handler (not shown). Substrate 114 is then displaced in the X direction under frame 160 and individually addressable element 102. The substrate 114 is exposed to the pattern using the individually addressable element 102 after being measured by the level sensor and / or the alignment sensor 150. For example, while the substrate 114 is being scanned through the focal plane (image plane) of the projection system 108, the sub-beam and thus the image spot S (see, e.g., Figure 12) 104 at least partially or fully ON or OFF. A feature corresponding to the pattern of the patterning device 104 is formed on the substrate 114. The individually addressable element 102 may, for example, be operable to provide pixel-grid imaging as described herein.

일 실시예에서, 기판(114)은 양의 X 방향으로 완전히 스캔된 후 음의 X 방향으로 완전히 스캔될 수 있다. 이러한 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 반대 측에 부가적인 레벨 센서 및/또는 정렬 센서(150)가 음의 X 방향 스캔을 위해 필요할 수 있다.In one embodiment, the substrate 114 may be fully scanned in the positive X direction and then completely in the negative X direction. In this embodiment, an additional level sensor and / or alignment sensor 150 on the opposite side of the individually addressable element 102 may be needed for negative X-directional scanning.

도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따라, 예를 들어 평판 디스플레이(예를 들어, LCD, OLED 디스플레이 등)의 제조에 있어서 기판을 노광하기 위한 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2에 도시되어 있는 리소그래피 장치(100)와 마찬가지로, 리소그래피 장치(100)는 평판 디스플레이 기판(114)을 홀딩하기 위한 기판 테이블(106), 6 이하의 자유도로 기판 테이블(106)을 이동시키기 위한 위치 설정기구(116), 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 기판(114) 사이의 정렬을 결정하기 위한 정렬 센서(150), 및 기판(114)이 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)로부터 패턴의 투영에 대해 수평인지 여부를 결정하기 위한 레벨 센서(150)를 포함한다.3 is a schematic plan view of a lithographic apparatus for exposing a substrate in the manufacture of, for example, a flat panel display (e.g., LCD, OLED display, etc.), in accordance with an embodiment of the present invention. 2, the lithographic apparatus 100 includes a substrate table 106 for holding a flat panel display substrate 114, a substrate table 106 for holding the substrate table 106 at a speed of 6 degrees or less, An alignment sensor 150 for determining the alignment between the individually addressable element 102 and the substrate 114 and an alignment sensor 150 for determining the alignment of the pattern 114 from the individually addressable element 102. [ And a level sensor 150 for determining whether it is horizontal with respect to the projection.

리소그래피 장치(100)는 프레임(160) 상에 배열된 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 더 포함한다. 본 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 각각은 방사선 방출 다이오드, 예를 들어 청자색 레이저 다이오드이다. 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 Y 방향을 따라 연장되는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 다수의(예를 들어, 8개 이상의) 고정형 별개 어레이로 배열된다. 일 실시예에서, 어레이는 실질적으로 고정되어 있고, 즉 투영 중에 유의적으로 이동하지 않는다. 또한 일 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 다수의 어레이는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 인접한 어레이로부터 X 방향으로 교번하여 엇갈리게 배열된다. 리소그래피 장치(100), 특히 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 픽셀-그리드 이미징을 제공하도록 구성될 수 있다.The lithographic apparatus 100 further includes a plurality of individually addressable elements 102 arranged on the frame 160. In this embodiment, each of the individually addressable elements 102 is a radiation emitting diode, for example a violet laser diode. 3, the individually addressable elements 102 are arranged in a plurality (e.g., eight or more) of fixedly discrete arrays of individually addressable elements 102 that extend along the Y direction . In one embodiment, the array is substantially fixed, i.e. it does not move significantly during projection. Also, in one embodiment, multiple arrays of individually addressable elements 102 are staggered alternating in the X direction from adjacent arrays of individually addressable elements 102. The lithographic apparatus 100, in particular the individually addressable element 102, can be configured to provide pixel-grid imaging.

리소그래피 장치(100)의 동작에 있어서, 패널 디스플레이 기판(114)은 예를 들어 로봇 핸들러(미도시)를 이용하여 기판 테이블(106) 상에 로딩된다. 그 다음에 기판(114)은 프레임(160) 및 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 아래에서 X 방향으로 변위된다. 기판(114)은 레벨 센서 및/또는 정렬 센서(150)에 의해 측정된 후 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 이용하여 패턴에 노광된다. 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 예를 들어 본원에서 기술되는 바와 같이 픽셀-그리드 이미징을 제공하도록 동작할 수 있다.In operation of the lithographic apparatus 100, the panel display substrate 114 is loaded onto the substrate table 106 using, for example, a robot handler (not shown). Substrate 114 is then displaced in the X direction under frame 160 and individually addressable element 102. The substrate 114 is exposed to the pattern using the individually addressable element 102 after being measured by the level sensor and / or the alignment sensor 150. The individually addressable element 102 may, for example, be operable to provide pixel-grid imaging as described herein.

도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따라, 롤-투-롤(roll-to-roll) 플렉서블 디스플레이/전자기기와 함께 이용하기 위한 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다. 도 3에 도시되어 있는 리소그래피 장치(100)와 마찬가지로, 리소그래피 장치(100)는 프레임(160) 상에 배열된 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 포함한다. 본 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 각각은 방사선 방출 다이오드, 예를 들어 청자색 레이저 다이오드이다. 또한, 리소그래피 장치는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 기판(114) 사이의 정렬을 결정하기 위한 정렬 센서(150), 및 기판(114)이 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)로부터 패턴의 투영에 대해 수평인지 여부를 결정하기 위한 레벨 센서(150)를 포함한다.Figure 4 is a schematic plan view of a lithographic apparatus for use with a roll-to-roll flexible display / electronic device, in accordance with an embodiment of the present invention. As with the lithographic apparatus 100 shown in FIG. 3, the lithographic apparatus 100 includes a plurality of individually addressable elements 102 arranged on a frame 160. In this embodiment, each of the individually addressable elements 102 is a radiation emitting diode, for example a violet laser diode. The lithographic apparatus also includes an alignment sensor 150 for determining the alignment between the individually addressable element 102 and the substrate 114 and an alignment sensor 150 for determining the alignment of the pattern from the individually addressable element 102 And a level sensor 150 for determining whether it is horizontal or not.

리소그래피 장치는 또한, 그 위에서 기판(114)이 이동되는 대물 테이블(106)을 갖는 대물 홀더를 포함할 수 있다. 기판(114)은 플렉서블하고, 위치 설정기구(116)에 연결되는 롤 상으로 롤링되고, 이러한 위치 설정기구(116)는 롤을 회전시키는 모터일 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 일 실시예에서 기판(114)은 위치 설정기구(116)에 연결되는 롤로부터 롤링될 수 있고, 이러한 위치 설정기구(116)는 롤을 회전시키는 모터일 수 있다. 일 실시예에서, 적어도 2개의 롤이 제공되고, 하나의 롤로부터 기판이 롤링되고 다른 하나의 롤 상으로 기판이 롤링된다. 일 실시예에서, 예를 들어 기판(114)이 롤과 롤 사이에서 충분히 강성(stiff)이 있는 경우 대물 테이블(106)은 제공될 필요가 없다. 이러한 경우, 여전히 대물 홀더, 예를 들어 하나 이상의 롤이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 기판 캐리어-리스(carrier-less)(예를 들어, 캐리어-리스-호일(CLF)) 및/또는 롤-투-롤(roll-to-roll) 제조를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 시트-투-시트(sheet-to-sheet) 제조를 제공할 수 있다.The lithographic apparatus may also include an object holder having an object table 106 on which the substrate 114 is moved. The substrate 114 is flexible and is rolled onto a roll that is connected to the positioning mechanism 116, and such positioning mechanism 116 may be a motor that rotates the roll. Additionally or alternatively, in one embodiment, the substrate 114 may be rolled from a roll that is coupled to a positioning mechanism 116, which may be a motor that rotates the roll. In one embodiment, at least two rolls are provided, from which the substrate is rolled and the substrate is rolled onto the other roll. In one embodiment, the object table 106 need not be provided if, for example, the substrate 114 is sufficiently stiff between rolls. In this case, the object holder, for example one or more rolls, may still be provided. In one embodiment, the lithographic apparatus can be used to provide substrate carrier-less (e.g., carrier-less-foil (CLF)) and / or roll-to-roll manufacturing . In one embodiment, the lithographic apparatus may provide for sheet-to-sheet manufacture.

리소그래피 장치(100)의 동작에 있어서, 플렉서블 기판(114)은 프레임(160) 및 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 아래에서 X 방향으로, 롤 상으로 및/또는 롤로부터 롤링된다. 기판(114)은 레벨 센서 및/또는 정렬 센서(150)에 의해 측정된 후 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 이용하여 패턴에 노광된다. 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 예를 들어 본원에서 기술되는 바와 같이 픽셀-그리드 이미징을 제공하도록 동작할 수 있다.In operation of the lithographic apparatus 100, the flexible substrate 114 is rolled in the X direction, rollwise and / or roll under the frame 160 and the individually addressable element 102. The substrate 114 is exposed to the pattern using the individually addressable element 102 after being measured by the level sensor and / or the alignment sensor 150. The individually addressable element 102 may, for example, be operable to provide pixel-grid imaging as described herein.

도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따라, 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 갖는 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2에 도시되어 있는 리소그래피 장치(100)와 마찬가지로, 리소그래피 장치(100)는 기판(114)을 홀딩하기 위한 기판 테이블(106), 6 이하의 자유도로 기판 테이블(106)을 이동시키기 위한 위치 설정기구(116), 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 기판(114) 사이의 정렬을 결정하기 위한 정렬 센서(150), 및 기판(114)이 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)로부터 패턴의 투영에 대해 수평인지 여부를 결정하기 위한 레벨 센서(150)를 포함한다.5 is a schematic plan view of a lithographic apparatus having a moveable individually addressable element 102, in accordance with an embodiment of the present invention. 2, the lithographic apparatus 100 includes a substrate table 106 for holding a substrate 114, a positioning system (not shown) for moving the substrate table 106 to a degree of freedom of 6 or less, An alignment sensor 150 for determining the alignment between the individually addressable element 102 and the substrate 114 and an alignment sensor 150 for determining the alignment of the pattern from the individually addressable element 102 And a level sensor 150 for determining whether it is horizontal or not.

리소그래피 장치(100)는 프레임(160) 상에 배열된 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 더 포함한다. 본 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 각각은 방사선 방출 다이오드, 예컨대 레이저 다이오드, 예를 들어 청자색 레이저 다이오드이다. 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 Y 방향을 따라 연장되는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 다수의 별개 어레이(200)로 배열된다. 또한 일 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 다수의 어레이(200)는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 인접한 어레이로부터 X 방향으로 교번하여 엇갈리게 배열된다. 리소그래피 장치(100), 특히 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 픽셀-그리드 이미징을 제공하도록 구성될 수 있다. 그러나, 일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 픽셀-그리드 이미징을 제공할 필요가 없다. 오히려, 리소그래피 장치(100)는, 기판 상으로의 투영을 위해 개별 픽셀을 형성하지 않고 오히려 기판 상으로의 투영을 위해 실질적으로 연속적인 이미지를 형성하는 방식으로, 기판 상으로 다이오드의 방사선을 투영할 수 있다. The lithographic apparatus 100 further includes a plurality of individually addressable elements 102 arranged on the frame 160. In this embodiment, each of the individually addressable elements 102 is a radiation emitting diode, for example a laser diode, for example a violet laser diode. 5, the individually addressable elements 102 are arranged in a plurality of discrete arrays 200 of individually addressable elements 102 extending along the Y direction. Also, in one embodiment, multiple arrays 200 of individually addressable elements 102 are staggered alternating in the X direction from adjacent arrays of individually addressable elements 102. The lithographic apparatus 100, in particular the individually addressable element 102, can be configured to provide pixel-grid imaging. However, in one embodiment, the lithographic apparatus 100 need not provide pixel-grid imaging. Rather, the lithographic apparatus 100 may be configured to project the radiation of a diode onto a substrate in a manner that does not form individual pixels for projection onto the substrate but rather forms a substantially continuous image for projection onto the substrate .

일 실시예에서, 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 중 하나 이상은, 빔(110)의 전부 또는 일부를 투영하기 위해 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 이용되는 노광 영역과, 이러한 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 빔(110)을 전혀 투영하지 않는 노광 영역 외부의 위치 사이에서 이동가능하다. 일 실시예에서, 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는, 노광 영역(204; 도 5에서 옅은 음영의 영역)에서, 턴온(turn ON) 또는 적어도 부분적으로 ON 상태로 되는, 즉 방사선을 방출하고, 노광 영역(204) 외부에 위치하는 경우에는 턴오프(turn OFF)되는, 즉 방사선을 방출하지 않는 방사선 방출 디바이스이다.In one embodiment, one or more of the plurality of individually addressable elements 102 may include an exposure area in which one or more individually addressable elements 102 are used to project all or a portion of the beam 110, One or more individually addressable elements 102 are movable between positions outside the exposure area that do not project the beam 110 at all. In one embodiment, the one or more individually addressable elements 102 are configured to turn on or at least partially turn on, i.e., emit radiation, in the exposure region 204 (region of light shade in Figure 5) And is turned off when it is located outside the exposure area 204, that is, does not emit radiation.

일 실시예에서, 이러한 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 노광 영역(204) 내부 및 노광 영역(204) 외부에서 턴온될 수 있는 방사선 방출 디바이스이다. 이러한 상황에서, 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는, 예를 들어 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 의해 노광 영역(204)에서 방사선이 적절히 투영되지 않은 경우 보상 노광을 제공하도록, 노광 영역(204) 외부에서 턴온될 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 노광 영역(204) 반대 측 어레이의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 중 하나 이상이, 노광 영역(204)에서 실패하거나 부적절한 방사선 투영을 수정하도록 턴온될 수 있다.In one embodiment, the one or more individually addressable elements 102 are radiation emitting devices that can be turned on within the exposure region 204 and outside the exposure region 204. In this situation, the one or more individually addressable elements 102 may be configured to provide a compensating exposure if the radiation is not appropriately projected, e.g., by the one or more individually addressable elements 102, And may be turned on outside the exposure area 204. [ For example, referring to FIG. 5, one or more of the individually addressable elements 102 of the array on the opposite side of the exposure region 204 may be turned on to correct for missed or improper projection of the radiation in the exposure region 204 .

일 실시예에서, 노광 영역(204)은 기다란 라인이다. 일 실시예에서, 노광 영역(204)은 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 1차원 어레이이다. 일 실시예에서, 노광 영역(204)은 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 2차원 어레이이다. 일 실시예에서, 노광 영역(204)은 기다랗다.In one embodiment, the exposure area 204 is an elongated line. In one embodiment, the exposure region 204 is a one-dimensional array of one or more individually addressable elements 102. In one embodiment, the exposure region 204 is a two-dimensional array of one or more individually addressable elements 102. In one embodiment, the exposure area 204 is diagonal.

일 실시예에서, 각각의 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 별개로 이동될 수 있고 유닛으로서 함께 이동될 필요는 없다.In one embodiment, each moveable individually addressable element 102 may be moved separately and need not be moved together as a unit.

일 실시예에서, 이러한 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소는 이동가능하고, 사용 시에, 적어도 빔(110)의 투영 중에 빔(110)의 전파 방향을 가로지르는 방향으로 이동한다. 예를 들어 일 실시예에서, 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 빔(110)의 투영 중에 빔(110)의 전파 방향에 실질적으로 수직한 방향으로 이동하는 방사선 방출 디바이스이다.In one embodiment, such one or more individually addressable elements are movable and, in use, move in a direction transverse to the propagation direction of the beam 110 at least during projection of the beam 110. For example, in one embodiment, the one or more individually addressable elements 102 are radiation-emitting devices that move in a direction substantially perpendicular to the propagation direction of the beam 110 during projection of the beam 110.

일 실시예에서, 각각의 어레이(200)는 도 6에 도시되어 있는 바와 같이 플레이트를 따라 배열된 복수의 공간적으로 분리된 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 갖는, 측방향으로 변위가능한 플레이트이다. 사용 시에, 각 플레이트는 방향(208)을 따라 병진 운동한다. 사용 시에, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 이동은, 빔(110)의 전부 또는 일부를 투영하기 위해 노광 영역(204)(도 6에 짙은 음영 영역으로 도시됨)에 위치되도록 적절히 타이밍 설정될 수 있다. 예를 들어 일 실시예에서, 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 방사선 방출 디바이스이고, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 턴온 또는 턴오프는, 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 노광 영역(204)에 있을 때 이들이 턴온되고, 노광 영역(204)의 외부에 있을 때 턴오프되도록, 타이밍 설정된다. 예를 들어, 도 6(a)에서, 방사선 방출 다이오드(200)의 복수의 2차원 어레이는 방향(208)으로 병진 운동한다 ― 2개의 어레이는 양의 방향(208)으로, 2개의 어레이 사이의 중간 어레이는 음의 방향(208)으로. 방사선 방출 다이오드(102)의 턴온 또는 턴오프는, 각 어레이(200)의 특정 방사선 방출 다이오드(102)가 노광 영역(204)에 있을 때 턴온되고, 노광 영역(204) 외부에 있을 때 턴오프되도록, 타이밍 설정된다. 물론 어레이(200)는, 예를 들어 어레이(200)가 이동의 끝부분에 도달할 때, 반대 방향으로 이동할 수 있고, 다시 말해서 2개의 어레이는 음의 방향(208)으로, 2개의 어레이 사이의 중간 어레이는 양의 방향(208)으로 이동할 수 있다. 추가적인 예로서, 도 6(b)에서는, 방사선 방출 다이오드(200)의 복수의 인터리빙된 1차원 어레이가 방향(208)으로 병진 운동한다 ― 양의 방향(208)과 음의 방향(208)으로 교번하여. 방사선 방출 다이오드(102)의 턴온 또는 턴오프는, 각 어레이(200)의 특정 방사선 방출 다이오드(102)가 노광 영역(204)에 있을 때 턴온되고, 노광 영역(204) 외부에 있을 때 턴오프되도록, 타이밍 설정된다. 물론, 어레이(200)는 반대 방향으로 이동할 수 있다. 추가적인 예로서, 도 6(c)에서는, 방사선 방출 다이오드(200)의 단일 어레이는(1차원으로 도시되지만 반드시 그럴 필요는 없음) 방향(208)으로 병진 운동한다. 방사선 방출 다이오드(102)의 턴온 또는 턴오프는, 각 어레이(200)의 특정 방사선 방출 다이오드(102)가 노광 영역(204)에 있을 때 턴온되고, 노광 영역(204) 외부에 있을 때 턴오프되도록, 타이밍 설정된다.In one embodiment, each array 200 is a laterally displaceable plate having a plurality of spatially separated individually addressable elements 102 arranged along the plate as shown in FIG. In use, each plate translates along direction 208. In use, movement of the individually addressable element 102 is properly timed to be positioned in the exposure area 204 (shown as a dark shaded area in FIG. 6) to project all or a portion of the beam 110 . For example, in one embodiment, the one or more individually addressable elements 102 are radiation-emitting devices, and the turn-on or turn-off of the individually addressable elements 102 is controlled by one or more individually addressable elements 102 Are turned on when they are in the exposure area 204 and turned off when they are outside the exposure area 204. [ For example, in Figure 6 (a), a plurality of two-dimensional arrays of radiation-emitting diodes 200 translate in a direction 208-the two arrays are arranged in a positive direction 208, The middle array is in the negative direction 208. The turn-on or turn-off of the radiation-emitting diode 102 is turned on when the particular radiation-emitting diode 102 of each array 200 is in the exposure region 204 and is turned off when it is outside the exposure region 204 , Timing is set. Of course, the array 200 can move in the opposite direction, for example when the array 200 reaches the end of travel, that is, the two arrays can be moved in the negative direction 208, The intermediate array can move in the positive direction 208. [ 6B, a plurality of interleaved one-dimensional arrays of radiation emitting diodes 200 translate in a direction 208 - alternating in the positive direction 208 and the negative direction 208, So. The turn-on or turn-off of the radiation-emitting diode 102 is turned on when the particular radiation-emitting diode 102 of each array 200 is in the exposure region 204 and is turned off when it is outside the exposure region 204 , Timing is set. Of course, the array 200 can move in the opposite direction. As a further example, in FIG. 6 (c), a single array of radiation-emitting diodes 200 translates in a direction 208 (shown, but not necessarily, one-dimensional). The turn-on or turn-off of the radiation-emitting diode 102 is turned on when the particular radiation-emitting diode 102 of each array 200 is in the exposure region 204 and is turned off when it is outside the exposure region 204 , Timing is set.

일 실시예에서, 각각의 어레이(200)는 플레이트 주위에 배열된 복수의 공간적으로 분리된 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 갖는 회전가능한 플레이트이다. 사용 시에, 각 플레이트는 예를 들어 도 5에서 화살표로 나타낸 방향으로 자신의 축(206)을 중심으로 회전한다. 다시 말해서, 어레이(200)는 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 시계 방향 및 반시계 방향으로 교번하여 회전할 수 있다. 대안적으로, 각 어레이(200)는 시계 방향으로 회전하거나 반시계 방향으로 회전할 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(200)는 전체 둘레를 회전한다. 일 실시예에서, 어레이(200)는 전체 둘레보다 작은 호만큼 회전한다. 일 실시예에서, 예를 들어 기판이 Z 방향으로 스캔되는 경우, 어레이(200)는 X 또는 Y 방향으로 연장되는 축을 중심으로 회전할 수 있다. 일 실시예에서, 도 6(d)를 참조하면, 어레이(200)의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 에지에 배열되어 기판(114)을 향해 반경방향 외향으로 투영할 수 있다. 기판(114)은 어레이(200)의 일측 중 적어도 일부 둘레에서 연장될 수 있다. 이러한 경우, 어레이(200)는 X 방향으로 연장되는 축을 중심으로 회전하고 기판(114)은 X 방향으로 이동한다.In one embodiment, each array 200 is a rotatable plate having a plurality of spatially separated individually addressable elements 102 arranged about the plate. In use, each plate rotates about its axis 206 in the direction indicated by the arrow in Fig. 5, for example. In other words, the array 200 can alternately rotate clockwise and counterclockwise as shown in Fig. Alternatively, each array 200 may rotate clockwise or counterclockwise. In one embodiment, the array 200 rotates about its entire periphery. In one embodiment, the array 200 rotates by less than the entire circumference. In one embodiment, for example when the substrate is scanned in the Z direction, the array 200 may rotate about an axis extending in the X or Y direction. 6D, the individually addressable elements 102 of the array 200 can be arranged at the edges and projected radially outwardly toward the substrate 114. In one embodiment, The substrate 114 may extend around at least a portion of one side of the array 200. In this case, the array 200 rotates about an axis extending in the X direction and the substrate 114 moves in the X direction.

사용 시에, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 이동은 빔(110)의 전부 또는 일부를 투영하기 위해 노광 영역(204)에 위치되도록 적절히 타이밍 설정될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 방사선 방출 디바이스이고, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 턴온 또는 턴오프는, 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 노광 영역(204)에 있을 때 이들이 턴온되고, 노광 영역(204)의 외부에 있을 때 턴오프되도록, 타이밍 설정된다. 그러므로, 일 실시예에서 방사선 방출 디바이스(102)는 이동 중에 모두 on 상태로 유지될 수 있고 이후 방사선 방출 디바이스(102) 중 특정 디바이스가 노광 영역(204)에서 off 상태로 변조된다. 노광 영역(204) 외부의 턴온된 방사선 방출 디바이스(102)로부터 노광 영역(204)을 보호(shield)하기 위해, 노광 영역(204) 외부의 기판과 방사선 방출 디바이스(102) 사이의 적절한 실드가 요구될 수 있다. 방사선 방출 디바이스(102)를 지속적으로 on 상태로 함으로써 방사선 방출 디바이스(102)를 사용 중에 실질적으로 균일한 온도로 유지하는 것이 용이해진다. 일 실시예에서, 방사선 방출 디바이스(102)는 대부분의 시간 동안 off 상태로 유지될 수 있고 방사선 방출 디바이스(102) 중 하나 이상이 노광 영역(204)에 있을 때 턴온될 수 있다.In use, the movement of the individually addressable element 102 may be suitably timed to be positioned in the exposure area 204 to project all or a portion of the beam 110. For example, in one embodiment, the one or more individually addressable elements 102 are radiation-emitting devices, and the turn-on or turn-off of the individually addressable elements 102 is controlled by one or more individually addressable elements 102 Are turned on when they are in the exposure area 204 and turned off when they are outside the exposure area 204. [ Therefore, in one embodiment, the radiation-emitting device 102 can all remain on during movement, and then a particular one of the radiation-emitting devices 102 is modulated into an off state in the exposure area 204. [ An appropriate shield between the substrate outside the exposure region 204 and the radiation emitting device 102 is required to shield the exposed region 204 from the turned on radiation emitting device 102 outside the exposed region 204 . By continuously putting the radiation-emitting device 102 in an on-state, it becomes easy to maintain the radiation-emitting device 102 at a substantially uniform temperature during use. In one embodiment, the radiation-emitting device 102 may be kept off for most of the time and may be turned on when one or more of the radiation-emitting devices 102 is in the exposure area 204.

일 실시예에서, 회전가능한 플레이트는 도 7에 도시되어 있는 바와 같은 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 7(a)는 회전가능한 플레이트의 개략적 평면도를 나타낸다. 이러한 회전 가능한 플레이트는, (플레이트 주위에 배열된 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 단일 어레이(200)를 개략적으로 나타내는 도 5의 회전가능한 플레이트에 비해) 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 다수의 서브어레이(210)가 이러한 플레이트 주위에 배열된 어레이(200)를 가질 수 있다. 도 7(a)에서, 하나의 서브어레이(210)의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 다른 서브어레이(210)의 2개의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 사이에 있도록, 서브어레이(210)는 서로에 대해 엇갈려 배열된 것으로 도시되어 있다. 그러나, 서브어레이(210)의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 서로 정렬될 수 있다. 본 예에서는, 모터(216)에 의해, 도 7(a)에서 Z 방향으로의 축을 중심으로 모터(216)를 통해, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 개별적으로 또는 함께 회전될 수 있다. 모터(216)는 회전가능한 플레이트에 부착될 수 있고 프레임, 예를 들어 프레임(160)에 연결되거나, 프레임, 예를 들어 프레임(160)에 부착되고, 회전가능한 플레이트에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 모터(216)(또는 예를 들어, 다른 곳에 위치한 어떤 모터)는, 개별적으로든 또는 함께이든, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 다른 운동을 유발할 수 있다. 예를 들어, 모터(216)는 X, Y, 및/또는 Z 방향으로 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 중 하나 이상의 병진 운동을 유발할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 모터(216)는 X 및/또는 Y방향을 중심으로 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 중 하나 이상의 회전(즉, Rx 및/또는 Ry 운동)을 유발할 수 있다.In one embodiment, the rotatable plate may have a configuration as shown in Fig. For example, Figure 7 (a) shows a schematic plan view of a rotatable plate. This rotatable plate has a plurality of individually addressable elements 102 (as compared to the rotatable plate of FIG. 5, which schematically depicts a single array 200 of individually addressable elements 102 arranged about the plate) Subarrays 210 may have arrays 200 arranged around such plates. In FIG. 7 (a), the sub-array 210 is configured so that the individually addressable elements 102 of one sub-array 210 are between two individually addressable elements 102 of the other sub- Are shown staggered relative to one another. However, the individually addressable elements 102 of the sub-array 210 may be aligned with each other. In this example, the individually addressable elements 102 can be rotated individually or together by the motor 216 via the motor 216 about an axis in the Z direction in Fig. 7 (a). The motor 216 can be attached to a rotatable plate and connected to a frame, for example a frame 160, or to a frame, for example a frame 160, and to a rotatable plate. In one embodiment, the motor 216 (or any motor located elsewhere, for example) may cause different motions of the individually addressable element 102, either individually or together. For example, the motor 216 may cause one or more translational movements of the individually addressable elements 102 in the X, Y, and / or Z directions. Additionally or alternatively, the motor 216 may cause one or more rotations (i.e., R x and / or R y motion) of the individually addressable elements 102 about the X and / or Y direction .

도 7(b)에 평면도로 개략적으로 도시된 회전가능한 플레이트의 실시예에서, 회전가능한 플레이트는 중심 영역에 개구부(212)를 가질 수 있고, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 어레이(200)가 플레이트 상에서 이러한 개구부(212) 외부에 배열된다. 그러므로 예를 들어, 회전가능한 플레이트는 도 7(b)에 도시되어 있는 바와 같이 환형 디스크를 형성할 수 있고, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 어레이(200)는 디스크 둘레로 배열된다. 개구부는, 회전가능한 플레이트의 무게를 줄이고, 및/또는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 냉각을 용이하게 할 수 있다.In an embodiment of the rotatable plate shown schematically in plan view in Figure 7 (b), the rotatable plate may have an opening 212 in the central region, and the array 200 of individually addressable elements 102 Is arranged on the plate outside such opening (212). Thus, for example, the rotatable plate can form an annular disk as shown in FIG. 7 (b), and the array of individually addressable elements 102 is arranged around the disk. The openings may reduce the weight of the rotatable plate and / or facilitate cooling of the individually addressable element 102.

일 실시예에서, 회전가능한 플레이트는 지지대(214)를 이용하여 외주부에서 지지될 수 있다. 지지대(214)는 베어링, 예를 들어 롤러 베어링 또는 가스 베어링일 수 있다. 도 7(a)에 도시되어 있는 바와 같이, 모터(216)에 의해 회전(및/또는 다른 운동 예를 들어, X, Y, 및/또는 Z 방향으로의 병진 운동 및/또는 Rx 운동 및/또는 Ry 운동)이 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 지지대(214)는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 축(A)을 중심으로 회전하도록 하는(및/또는 다른 운동 예를 들어, X, Y, 및/또는 Z 방향으로의 병진 운동 및/또는 Rx 운동 및/또는 Ry 운동을 제공하는) 모터를 포함할 수 있다.In one embodiment, the rotatable plate can be supported at the outer periphery using a support 214. The support 214 may be a bearing, for example a roller bearing or a gas bearing. (And / or other motions, e.g., translational motion in the X, Y, and / or Z directions and / or R x motions and / or motions), as shown in Figure 7 (a) Or R y motion) may be provided. Additionally or alternatively, the support 214 may be configured to cause the individually addressable element 102 to rotate about axis A (and / or other motions, e.g., X, Y, and / or Z Direction and / or R x motion and / or R y motion).

일 실시예에서, 도 7(d) 및 7(e)를 참조하면, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 어레이(200)를 갖는 회전가능한 플레이트는 회전가능한 구조체(218)에 부착될 수 있다. 회전가능한 구조체(218)는 축(B)을 중심으로 모터(220)에 의해 회전될 수 있다. 또한 회전가능한 플레이트는 회전가능한 구조체(218)에 대하여 모터(216)에 의해 회전될 수 있고, 모터(216)는 회전가능한 플레이트가 축(A)을 중심으로 회전하도록 한다. 일 실시예에서, 회전 축(A 및 B)은 서로 일치하지 않고 따라서 이러한 축들은 도 7(d) 및 7(e)에 도시되어 있는 바와 같이 공간적으로 분리되어 있다. 일 실시예에서, 회전 축(A 및 B)은 서로 실질적으로 평행하다. 노광 중에 사용 시에, 회전가능한 구조체(218) 및 회전가능한 플레이트 양자 모두가 회전한다. 이러한 회전은, 노광 영역(204) 내의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 실질적으로 직선으로 정렬될 수 있도록 조절될 수 있다. 이는, 예를 들어 노광 영역(204) 내의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 실질적으로 직선으로 정렬되지 않을 수 있는 도 5의 실시예와 비교될 수 있다.Referring to Figures 7 (d) and 7 (e), in one embodiment, a rotatable plate having an array 200 of individually addressable elements 102 may be attached to the rotatable structure 218. The rotatable structure 218 can be rotated by the motor 220 about the axis B. [ The rotatable plate can also be rotated by the motor 216 relative to the rotatable structure 218 and the motor 216 causes the rotatable plate to rotate about the axis A. [ In one embodiment, the rotational axes A and B do not coincide with one another and thus these axes are spatially separated as shown in Figs. 7 (d) and 7 (e). In one embodiment, the rotational axes A and B are substantially parallel to each other. During use during exposure, both the rotatable structure 218 and the rotatable plate rotate. This rotation can be adjusted so that the individually addressable elements 102 in the exposure area 204 can be aligned substantially in a straight line. This can be compared, for example, to the embodiment of FIG. 5 in which the individually addressable elements 102 in the exposure area 204 may not be aligned in a substantially straight line.

전술한 바와 같이, 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소를 이용하면, 필요한 경우 개별적으로 어드레스가능한 요소를 노광 영역(204) 내로 이동시킴으로써 개별적으로 어드레스가능한 요소의 수를 줄일 수 있다. 따라서, 열 부하가 감소될 수 있다.As described above, the use of moveable individually addressable elements can reduce the number of individually addressable elements by moving individually addressable elements into the exposure area 204, if desired. Thus, the heat load can be reduced.

일 실시예에서, (예를 들어, 회전가능한 플레이트 상에) 이론적으로 필요한 것보다 많은 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소가 제공될 수 있다. 이러한 구성의 가능한 장점은, 하나 이상의 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소가 손상되거나 동작하지 않는 경우, 그 대신에 다른 하나 이상의 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소가 이용될 수 있다는 점이다. 부가적으로 또는 대안적으로, 여분의 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소는 개별적으로 어드레스가능한 요소 상의 열 부하를 제어할 수 있는 장점을 가질 수 있는데, 이는 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소가 더 많이 제공될수록 노광 영역(204) 외부의 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소가 냉각될 수 있는 가능성이 더 높아지기 때문이다.In one embodiment, more movable individually addressable elements may be provided (e.g., on a rotatable plate) than are theoretically necessary. A possible advantage of such a configuration is that, in the event that one or more moveable individually addressable elements are not corrupted or otherwise in operation, the other one or more moveable individually addressable elements can be used instead. Additionally or alternatively, the redundantly moveable individually addressable elements may have the advantage of being able to control the heat load on the individually addressable elements, as more movable individually addressable elements are provided Since it is more likely that the movable individually addressable elements outside the exposure area 204 can be cooled.

일 실시예에서, 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 낮은 열 전도율을 갖는 재료에 임베딩된다. 예를 들어, 이러한 재료는 세라믹, 예를 들어 코디어라이트 또는 코디어라이트계 세라믹 및/또는 Zerodur 세라믹일 수 있다. 일 실시예에서, 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 열 전도율이 높은 재료, 예를 들어 금속, 예컨대 비교적 가벼운 질량을 갖는 금속, 예를 들어 알루미늄 또는 티타늄에 임베딩된다. In one embodiment, the moveable individually addressable elements 102 are embedded in a material having a low thermal conductivity. For example, such materials may be ceramics, such as cordierite or cordierite ceramics and / or Zerodur ceramics. In one embodiment, the moveable individually addressable element 102 is embedded in a material having a high thermal conductivity, such as a metal, e.g., a metal having a relatively light mass, such as aluminum or titanium.

일 실시예에서, 어레이(200)는 온도 제어 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 7(f)를 참조하면, 어레이(200)는 어레이를 냉각하기 위해 어레이(200) 상에, 어레이(200) 주변에 또는 어레이(200)를 통해 냉각 유체를 이송하기 위한 유체(예컨대, 액체) 전도 채널(222)을 가질 수 있다. 채널(222)은 이러한 채널을 통해 유체를 순환시키기 위한 적절한 열 교환기 및 펌프(228)에 연결될 수 있다. 공급부(224) 및 리턴부(226)가 채널(222)과 열 교환기 및 펌프(228) 사이에 연결되어 유체의 순환 및 온도 제어를 용이하게 할 수 있다. 어레이 내에, 어레이 상에 또는 어레이 주변에 어레이(200)의 파라미터를 측정하기 위한 센서(234)가 제공될 수 있고, 이러한 측정은 예를 들어 열 교환기 및 펌프에 의해 제공된 유체 흐름의 온도를 제어하는데 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 센서(234)는 어레이(200) 본체의 팽창률 및/또는 수축률을 측정할 수 있고, 이러한 측정은 열 교환기 및 펌프에 의해 제공된 유체 흐름의 온도를 제어하는데 이용될 수 있다. 이러한 팽창률 및/또는 수축률은 온도의 대용물(proxy)이다. 일 실시예에서, 센서(234)는 어레이(200)와 통합될 수 있고(도트 형태의 센서(234)로 도시되어 있는 바와 같이), 및/또는 어레이(200)와는 별개일 수 있다(박스 형태의 센서(234)로 나타낸 바와 같이). 어레이(200)와는 별개인 센서(234)는 광학 센서일 수 있다.In one embodiment, the array 200 may include a temperature control configuration. For example, referring to FIG. 7 (f), the array 200 may include a plurality of arrays 200 on the array 200 for cooling the arrays, a fluid for transporting cooling fluid around the arrays 200, (E.g., liquid) conduction channel 222. The channel 222 may be connected to a suitable heat exchanger and pump 228 for circulating fluid through this channel. A supply portion 224 and a return portion 226 may be connected between the channel 222 and the heat exchanger and the pump 228 to facilitate fluid circulation and temperature control. A sensor 234 may be provided within the array to measure the parameters of the array 200 on or around the array, and such measurements may be performed, for example, by controlling the temperature of the fluid flow provided by the heat exchanger and the pump Can be used. In one embodiment, the sensor 234 can measure the rate of expansion and / or shrinkage of the array 200 body and such measurements can be used to control the temperature of the fluid flow provided by the heat exchanger and pump. This rate of expansion and / or shrinkage is a proxy for temperature. In one embodiment, the sensor 234 may be integrated with the array 200 (as shown by the dotted sensor 234), and / or may be separate from the array 200 As indicated by sensor 234 of FIG. The sensor 234, which is separate from the array 200, may be an optical sensor.

일 실시예에서, 도 7(g)를 참조하면, 어레이(200)는 열 방산(dissipation)을 위해 표면적을 증가시키도록 하나 이상의 핀(fin; 230)을 가질 수 있다. 핀(들)(230)은 예를 들어 어레이(200)의 상부면 및/또는 어레이(200)의 측면 상에 있을 수 있다. 선택적으로, 열 방산을 용이하게 하기 위해 핀(들)(230)과 협력하도록 하나 이상의 추가적인 핀(232)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 핀(들)(232)은 핀(들)(230)으로부터 열을 흡수할 수 있고, 도 7(f)에 대해 도시되고 기술된 것 유사한 유체(예를 들어, 액체) 전도 채널 및 연관된 열 교환기/펌프를 포함할 수 있다. In one embodiment, referring to Figure 7 (g), the array 200 may have one or more fins 230 to increase the surface area for heat dissipation. The pin (s) 230 may be, for example, on the top surface of the array 200 and / or on the side of the array 200. Optionally, one or more additional pins 232 may be provided to cooperate with pin (s) 230 to facilitate heat dissipation. For example, the pin (s) 232 may absorb heat from the pin (s) 230 and may be fluid (e.g., liquid) conduction channels similar to those shown and described with respect to Figure 7 (f) And an associated heat exchanger / pump.

일 실시예에서, 도 7(h)를 참조하면, 유체를 통해 열 방산을 용이하게 하기 위해 어레이(200)는 유체(238)가 어레이(200) 본체와 접촉하도록 유지하도록 구성된 유체 한정 구조체(236)에 또는 유체 한정 구조체(236) 주변에 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 유체(238)는 액체, 예컨대 물일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 한정 구조체(236)는 유체 한정 구조체(236)와 어레이(200) 본체 사이에 밀봉을 제공한다. 일 실시예에서, 이러한 밀봉은 예를 들어 가스 흐름 또는 모세관력을 통해 제공되는 무접촉 밀봉일 수 있다. 일 실시예에서 유체(238)는, 유체 전도 채널(222)에 대해서 기술된 것과 마찬가지로, 순환되어 열 방산을 촉진시킨다. 유체(238)는 유체 공급 디바이스(240)에 의해 공급될 수 있다.7H, the array 200 includes a fluid confinement structure 236 configured to maintain fluid 238 in contact with the array 200 body to facilitate heat dissipation through the fluid. In one embodiment, ) Or around the fluid confinement structure 236. [0050] In one embodiment, fluid 238 may be a liquid, such as water. In one embodiment, the fluid confinement structure 236 provides a seal between the fluid confinement structure 236 and the array 200 body. In one embodiment, such sealing may be, for example, a contactless seal provided through a gas flow or capillary force. In one embodiment, the fluid 238 is circulated to promote heat dissipation, as described for the fluid conduction channel 222. Fluid 238 may be supplied by fluid supply device 240.

일 실시예에서, 도 7(h)를 참조하면, 어레이(200)는 어레이(200) 본체를 향해 유체(238)를 투사하도록 구성된 유체 공급 디바이스(240)에 또는 유체 공급 디바이스(240) 근방에 위치되어 유체를 통한 열 방산을 용이하게 할 수 있다. 일 실시예에서, 유체(238)는 가스, 예를 들어 청정 건조 공기, N2, 비활성 가스 등이다. 유체 한정 구조체(236) 및 유체 공급 디바이스(240)는 도 7(h)에서 함께 도시되어 있지만, 반드시 함께 제공되어야 할 필요는 없다.7 (h), the array 200 may be disposed in or adjacent to the fluid supply device 240 configured to project fluid 238 toward the array 200 body. In one embodiment, Thereby facilitating heat dissipation through the fluid. In one embodiment, the fluid 238 is a gas, such as clean dry air, N 2 , an inert gas, or the like. The fluid confinement structure 236 and the fluid supply device 240 are shown together in Figure 7 (h), but need not necessarily be provided together.

일 실시예에서, 어레이(200) 본체는 예를 들어 유체 전도 채널(222)을 위한 공동을 갖는 실질적으로 고형인 구조이다. 일 실시예에서, 어레이(200) 본체는 대부분 개방되어 있는 실질적으로 프레임형 구조체이고, 이러한 구조체에는 다양한 컴포넌트, 예를 들어 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 유체 전도 채널(222) 등이 부착된다. 이러한 개방형 구조는 가스 흐름을 용이하게 하고, 및/또는 표면적을 증가시킨다. 일 실시예에서, 어레이(200) 본체는, 가스 흐름을 용이하게 하고, 및/또는 표면적을 증가시키기 위해, 본체 내로 또는 본체를 통해 복수의 공동을 갖는 실질적으로 고형인 구조체이다.In one embodiment, the array 200 body is a substantially solid structure having cavities for fluid conduction channel 222, for example. In one embodiment, the array 200 body is a substantially frame-like structure that is largely open, to which various components, such as individually addressable elements 102, fluid conduction channels 222, etc., are attached . This open structure facilitates gas flow, and / or increases surface area. In one embodiment, the array 200 body is a substantially solid structure having a plurality of cavities into or through the body to facilitate gas flow and / or increase surface area.

이제까지 냉각을 제공하기 위한 실시예가 기술되었지만, 대안적으로 또는 부가적으로 실시예는 가열을 제공할 수 있다.While embodiments to provide cooling have been described heretofore, alternatively or additionally embodiments may provide heating.

일 실시예에서, 어레이(200)는 바람직하게는 노광 이용 중에 실질적으로 일정한 정상 상태 온도로 유지된다. 그러므로 예를 들어, 어레이(200)의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 전부 또는 대부분이, 노광 전에, 원하는 정상 상태 온도 또는 이러한 온도 근방에 도달하도록 파워-온 될 수 있고, 노광 중에는 어레이(200)를 냉각 및/또는 가열하여 정상 상태 온도로 유지되도록 임의의 하나 이상의 온도 제어 구성이 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 원하는 정상 상태 온도 또는 이러한 온도 근방에 도달하도록 노광 이전에 어레이(200)를 가열하기 위해 임의의 하나 이상의 온도 제어 구성이 이용될 수 있다. 그 다음에, 노광 중에, 어레이(200)를 냉각 및/또는 가열하여 정상 상태 온도로 유지되도록 임의의 하나 이상의 온도 제어 구성이 이용될 수 있다. 정상 상태 온도로 유지하기 위해 센서(234)로부터의 측정이 피드포워드 및/또는 피드백 방식으로 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 어레이(200) 각각은 동일한 정상 상태 온도를 가질 수 있거나, 복수의 어레이(200) 중 하나 이상의 어레이(200)가 복수의 어레이(200) 중 다른 하나 이상의 어레이(200)와는 상이한 정상 상태 온도를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(200)는 원하는 정상 상태 온도보다 높은 온도로 가열되고 나서, 임의의 하나 이상의 온도 제어 구성에 의해 적용되는 냉각 때문에 및/또는 원하는 정상 상태 온도보다 높은 온도로 유지하기에는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 이용이 불충분하기 때문에, 노광 중에 온도가 떨어진다.In one embodiment, the array 200 is preferably maintained at a substantially constant steady state temperature during exposure use. Thus, for example, all or most of the individually addressable elements 102 of the array 200 can be powered on to reach a desired steady state temperature or near this temperature, prior to exposure, and the array 200 ) May be cooled and / or heated to maintain a steady state temperature. In one embodiment, any one or more temperature control configurations may be used to heat the array 200 prior to exposure to reach the desired steady state temperature or near this temperature. Any one or more temperature control configurations may then be used to allow the array 200 to cool and / or heat to a steady state temperature during exposure. Measurements from sensor 234 may be used in a feedforward and / or feedback manner to maintain steady state temperatures. In one embodiment, each of the plurality of arrays 200 may have the same steady state temperature, or at least one of the arrays 200 of the plurality of arrays 200 may be the array 200 of the plurality of arrays 200. [ Lt; RTI ID = 0.0 > temperature. ≪ / RTI > In one embodiment, the array 200 is heated to a temperature greater than the desired steady-state temperature, and then cooled individually to maintain a temperature higher than the desired steady-state temperature and / or due to cooling applied by any one or more temperature- Since the use of the addressable element 102 is insufficient, the temperature falls during exposure.

일 실시예에서, 열 제어 및 전반적인 냉각을 개선하기 위해서, 노광 영역을 따라 및/또는 노광 영역에 걸쳐 어레이(200) 본체의 수가 증가된다. 그러므로 예를 들어 도 5에 도시되어 있는 4개의 어레이(200) 대신에, 5개, 6개, 7개, 8개, 9개, 10개 또는 그 이상의 어레이(200)가 제공될 수 있다. 보다 적은 수의 어레이, 예를 들어 하나의 어레이(200), 예컨대 기판 전체 폭을 커버하는 단일한 대형 어레이가 제공될 수 있다.In one embodiment, to improve thermal control and overall cooling, the number of arrays 200 bodies is increased along the exposure areas and / or over the exposure areas. Thus, for example, five, six, seven, eight, nine, ten or more arrays 200 may be provided instead of the four arrays 200 shown in FIG. A smaller number of arrays, for example, one array 200, for example a single large array covering the entire width of the substrate, may be provided.

일 실시예에서, 본원에서 기술된 바와 같은 렌즈 어레이는 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소와 연관 또는 통합된다. 예를 들어, 렌즈 어레이 플레이트가 각각의 이동가능한 어레이(200)에 부착될 수 있고, 따라서 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 함께 이동가능(예를 들어, 회전가능)할 수 있다. 전술한 바와 같이, 렌즈 어레이 플레이트는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 대해서 변위가능할 수 있다(예를 들어, Z 방향으로). 일 실시예에서, 복수의 렌즈 어레이 플레이트가 어레이(200)에 대해 제공될 수 있고, 각 렌즈 어레이 플레이트는 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 서로 다른 서브세트와 연관될 수 있다.In one embodiment, a lens array as described herein is associated with or integrated with a moveable individually addressable element. For example, a lens array plate may be attached to each movable array 200, and thus movable (e.g., rotatable) with the individually addressable element 102. As discussed above, the lens array plate may be displaceable relative to the individually addressable element 102 (e.g., in the Z direction). In one embodiment, a plurality of lens array plates may be provided for array 200, and each lens array plate may be associated with a different subset of a plurality of individually addressable elements 102.

일 실시예에서, 도 7(i)를 참조하면, 각각의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 앞에 단일한 별개의 렌즈(242)가 부착될 수 있고, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 함께 이동가능(예를 들어, 축(A)을 중심으로 회전가능)할 수 있다. 또한, 렌즈(242)는 액추에이터(244)를 이용하여 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 대해(예를 들어, Z 방향으로) 변위가능할 수 있다. 일 실시예에서, 도 7(j)를 참조하면, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 및 렌즈(242)는 액추에이터(244)에 의해 어레이(200)의 본체(246)에 대하여 함께 변위될 수 있다. 일 실시예에서, 액추에이터(244)는 Z 방향으로만 렌즈(242)를 변위(즉, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 대하여 또는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 함께 변위)시키도록 구성된다. 7 (i), a single discrete lens 242 may be attached in front of each individually addressable element 102 and may be moved along with the individually addressable element 102. In one embodiment, (For example, it is rotatable about the axis A). The lens 242 may also be displaceable (e.g., in the Z direction) with respect to the individually addressable element 102 using an actuator 244. 7 (j), individually addressable element 102 and lens 242 may be displaced together by actuator 244 relative to body 246 of array 200 . In one embodiment, the actuator 244 is configured to displace the lens 242 only in the Z direction (i.e., displace with respect to the individually addressable element 102 or with the individually addressable element 102) .

일 실시예에서, 액추에이터(244)는 3 이하의 자유도로(Z방향, X 방향을 중심으로 하는 회전 및/또는 Y 방향을 중심으로 하는 회전) 렌즈(242)를 변위시키도록 구성된다. 일 실시예에서, 액추에이터(244)는 6 이하의 자유도로 렌즈(242)를 변위시키도록 구성된다. 렌즈(242)가 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 대하여 이동가능한 경우, 렌즈(242)는 액추에이터(244)에 의해 이동되어 기판에 대해 렌즈(242)의 초점 위치를 변화시킬 수 있다. 렌즈(242)가 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 함께 이동가능한 경우, 렌즈(242)의 초점 위치는 실질적으로 일정하지만, 기판에 대해서 변위된다. 일 실시예에서, 렌즈(242)의 이동은, 어레이(200)의 각각의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 연관된 각 렌즈(242)에 대해 개별적으로 제어된다. 일 실시예에서, 복수의 렌즈(242)의 서브세트는 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 대응하는 서브세트에 대하여 또는 이러한 서브세트와 함께 이동가능하다. 후자의 상황에 있어서, 보다 낮은 데이터 오버헤드 및/또는 보다 신속한 응답을 위해 초점 제어의 정밀성은 희생될 수 있다. 일 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 의해 제공된 방사선 스팟의 크기는 디포커스(defocus)에 의해 조정될 수 있고, 다시 말해서 디포커싱이 클수록 스팟 크기가 커지게 된다. In one embodiment, the actuator 244 is configured to displace the lens 242 in three degrees of freedom or less (rotation in the Z direction, rotation about the X direction and / or rotation about the Y direction). In one embodiment, the actuator 244 is configured to displace the lens 242 to a degree of freedom of 6 or less. When the lens 242 is movable relative to the individually addressable element 102, the lens 242 may be moved by the actuator 244 to change the focal position of the lens 242 relative to the substrate. When the lens 242 is movable with the individually addressable element 102, the focal position of the lens 242 is substantially constant, but displaced with respect to the substrate. In one embodiment, the movement of the lens 242 is controlled individually for each lens 242 associated with each individually addressable element 102 of the array 200. In one embodiment, a subset of the plurality of lenses 242 is movable with or for a corresponding subset of the plurality of individually addressable elements 102. [ In the latter situation, the precision of focus control may be sacrificed for lower data overhead and / or faster response. In one embodiment, the size of the radiation spot provided by the individually addressable element 102 can be adjusted by defocusing, i. E., The larger the defocusing, the larger the spot size.

일 실시예에서, 도 7(k)를 참조하면, 그 안에 개구부를 갖는 개구부 구조체(248)가 렌즈(242) 아래에 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 개구부 구조체(248)는 렌즈(242) 위에, 렌즈(242)와 이에 대응하는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 사이에 위치할 수 있다. 개구부 구조체(248)는 렌즈(242), 이에 대응하는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 및/또는 인접한 렌즈(242)/개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 회절 효과를 제한할 수 있다.In one embodiment, referring to FIG. 7 (k), an aperture structure 248 having an aperture therein may be located below the lens 242. In one embodiment, the aperture structure 248 may be located on the lens 242, between the lens 242 and the corresponding individually addressable element 102. The aperture structure 248 may limit the diffraction effect of the lens 242, the corresponding individually addressable element 102, and / or the adjacent lens 242 / individually addressable element 102. [

일 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 방사선 방출 디바이스, 예를 들어 레이저 다이오드일 수 있다. 이러한 방사선 방출 디바이스는 높은 공간적 코히어런스를 가질 수 있고, 따라서 스페클 문제가 제기될 수 있다. 이러한 스페클 문제를 피하기 위해, 방사선 방출 디바이스에 의해 방출된 방사선은 빔 부분의 위상을 다른 빔 부분에 대해 시프트(shift)시킴으로써 스크램블되어야 한다. 일 실시예에서, 도 7(l) 및 7(m)을 참조하면, 플레이트(250)가 예를 들어, 프레임(160) 상에 위치할 수 있고, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 플레이트(250)에 대해 이동된다. 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 플레이트(250)에 대해 그 위에서 이동될 때, 플레이트(250)는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 의해 기판을 향해 방출되는 방사선의 공간적 코히어런스의 붕괴(disruption)를 유발한다. 일 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 플레이트(250)에 대해 그 위에서 이동될 때, 플레이트(250)는 렌즈(242)와 이에 대응하는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 사이에 위치한다. 일 실시예에서, 플레이트(250)는 렌즈(242)와 기판 사이에 위치할 수 있다.In one embodiment, the individually addressable element 102 may be a radiation emitting device, for example a laser diode. Such a radiation-emitting device can have a high spatial coherence, and thus a speckle problem can be posed. To avoid this speckle problem, the radiation emitted by the radiation emitting device must be scrambled by shifting the phase of the beam portion relative to the other beam portion. 7 (1) and 7 (m), plate 250 may be positioned, for example, on frame 160, and individually addressable element 102 may be positioned on a plate 250). When the individually addressable element 102 is moved over the plate 250, the plate 250 is subjected to a collapse of the spatial coherence of the radiation emitted toward the substrate by the individually addressable element 102 disruption. In one embodiment, when the individually addressable element 102 is moved over the plate 250, the plate 250 is positioned between the lens 242 and the corresponding individually addressable element 102 do. In one embodiment, the plate 250 may be positioned between the lens 242 and the substrate.

일 실시예에서, 도 7(n)을 참조하면, 공간적 코히어런스 붕괴 디바이스(252)가, 노광 영역 상으로 방사선을 투영하는 적어도 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 기판 사이에 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 공간적 코히어런스 붕괴 디바이스(252)는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 렌즈(242) 사이에 위치하고, 본체(246)에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 공간적 코히어런스 붕괴 디바이스(252)는 위상 변조기, 진동 플레이트, 또는 회전 플레이트이다. 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 기판을 향해 방사선을 투영할 때, 공간적 코히어런스 붕괴 디바이스(252)는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 의해 방출되는 방사선의 공간적 코히어런스의 붕괴를 유발한다. 7 (n), a spatial coherence decay device 252 may be positioned between the substrate and at least the individually addressable element 102 that projects radiation onto the exposure area . In one embodiment, the spatial coherence decay device 252 may be located between the individually addressable element 102 and the lens 242 and attached to the body 246. In one embodiment, the spatial coherence decay device 252 is a phase modulator, a vibrating plate, or a rotating plate. As the individually addressable element 102 projects the radiation toward the substrate, the spatial coherence decay device 252 causes the spatial coherence of the radiation emitted by the individually addressable element 102 to collapse do.

일 실시예에서, 렌즈 어레이가 (함께 유닛으로서든 또는 개별 렌즈로서든) 바람직하게는 열 전도율이 높은 재료를 통해 어레이(200)에 부착되어, 렌즈 어레이로부터 어레이(200)로의 열 전도를 용이하게 하고, 따라서 냉각이 보다 유리하게 이루어질 수 있다.In one embodiment, the lens array is attached to the array 200 (preferably either as a unit or as a separate lens) through a material with a high thermal conductivity to facilitate thermal conduction from the lens array to the array 200 And thus cooling can be made more advantageous.

일 실시예에서, 어레이(200)는 레벨 센서(150)와 유사한, 하나 이상의 초점 또는 레벨 센서(254)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 센서(254)는 어레이(200)의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 각각에 대해 또는 어레이(200)의 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 대해 초점을 측정하도록 구성될 수 있다. 따라서, 초점을 벗어난(out of focus) 상태가 검출되면, 초점은 어레이(200)의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 각각에 대해 또는 어레이(200)의 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 대해 수정될 수 있다. 예를 들어, Z 방향으로(및/또는 X 방향을 중심으로 및/또는 Y 방향을 중심으로) 렌즈(242)를 이동시킴으로써 초점이 수정될 수 있다.In one embodiment, the array 200 may include one or more focus or level sensors 254, similar to the level sensor 150. For example, the sensor 254 may be configured to measure focus for each individually addressable element 102 of the array 200 or for a plurality of individually addressable elements 102 of the array 200 have. Thus, when an out of focus condition is detected, the focus may be focused on each of the individually addressable elements 102 of the array 200 or on a plurality of individually addressable elements 102 of the array 200 Lt; / RTI > For example, the focus can be modified by moving the lens 242 in the Z direction (and / or about the X direction and / or the Y direction).

일 실시예에서, 센서(254)는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 통합된다(또는 어레이(200)의 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)와 통합될 수 있다). 도 7(o)를 참조하면, 예시적인 센서(254)가 개략적으로 도시되어 있다. 초점 검출 빔(256)은 기판 표면으로부터 재안내(redirect; 예를 들면, 반사)되고, 렌즈(242)를 통과하여 반-은도금 거울(258)에 의해 검출기(262)를 향해 안내된다. 일 실시예에서, 초점 검출 빔(256)은 기판으로부터 재안내될 수 있는, 노광 용도로 이용되는 방사선일 수 있다. 일 실시예에서, 초점 검출 빔(256)은 기판으로 안내되는 전용 빔일 수 있고, 이러한 전용 빔은 기판에 의해 재안내되는 경우 빔(256)이 된다. 빔(256)이 검출기(262) 상에 충돌하기 전에 나이프 에지(260)(개구부일 수 있음)가 빔(256)의 경로에 놓인다. 본 실시예에서, 검출기(262)는 도 7(o)에서 도시되어 있는 바와 같이 검출기(262)의 스플릿에 의한 적어도 2개의 방사선 감응부(예를 들어, 영역 또는 검출기)를 포함한다. 기판이 초점이 맞는 상태(in focus)이면, 예리한 이미지가 에지(260)에 형성되어 검출기(262)의 방사선 감응부는 동일한 양의 방사선을 수신한다. 기판이 초점이 맞지 않는 상태이면, 빔(256)은 시프트되고 이미지는 에지(260) 앞에 또는 에지(260) 뒤에 형성될 것이다. 따라서, 에지(260)는 빔(256)의 특정 부분을 인터셉트할 수 있고 검출기(262)의 하나의 방사선 감응부는 검출기(262)의 다른 방사선 감응부보다 작은 양의 방사선을 수신할 수 있다. 검출기(262)의 방사선 감응부로부터의 출력 신호들을 비교하면, 빔(256)이 재안내된 기판 평면이, 원하는 위치와 얼마나 상이한지 또 어느 방향으로 상이한지를 알 수 있다. 이러한 신호는 전자적으로 처리되어, 예를 들면 렌즈(242)를 조정할 수 있는 제어 신호를 제공할 수 있다. 미러(258), 에지(260) 및 검출기(262)는 어레이(200)에 장착될 수 있다. 일 실시예에서, 검출기(262)는 쿼드 셀일 수 있다.In one embodiment, the sensor 254 is integrated with the individually addressable element 102 (or may be integrated with a plurality of individually addressable elements 102 of the array 200). Referring to Figure 7 (o), an exemplary sensor 254 is schematically illustrated. The focus detection beam 256 is redirected (e.g., reflected) from the substrate surface and passes through the lens 242 and is directed towards the detector 262 by a half-silvering mirror 258. In one embodiment, the focus detection beam 256 may be radiation used for exposure purposes, which may be redirected from the substrate. In one embodiment, the focus detection beam 256 can be a dedicated beam that is guided to the substrate, which becomes beam 256 when redirected by the substrate. The knife edge 260 (which may be an opening) is placed in the path of the beam 256 before the beam 256 collides on the detector 262. In this embodiment, the detector 262 includes at least two radiation sensitive portions (e.g., regions or detectors) by a split of the detectors 262 as shown in Fig. 7 (o). If the substrate is in focus, a sharp image is formed on the edge 260 and the radiation sensitive portion of the detector 262 receives the same amount of radiation. If the substrate is out of focus, the beam 256 is shifted and the image will be formed either before the edge 260 or behind the edge 260. Thus, edge 260 may intercept a particular portion of beam 256 and one radiation sensitive portion of detector 262 may receive a smaller amount of radiation than other radiation sensitive portions of detector 262. By comparing the output signals from the radiation sensitive portion of the detector 262, it can be seen how the reoriented substrate plane of the beam 256 is different from the desired position and in what direction. Such a signal may be electronically processed, for example, to provide a control signal to adjust the lens 242. Mirror 258, edge 260, and detector 262 may be mounted to array 200. In one embodiment, the detector 262 may be a quad-cell.

일 실시예에서, (어느 때든지) 133개가 작동하는, 400개의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 600 내지 1,200개가 작동하는, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 선택적으로, 예를 들어 예비 및/또는 수정 노광 용도로(예컨대, 전술한 바와 같이) 부가적인 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 제공될 수 있다. 작동하는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 수는 패터닝을 위해 특정 방사선량을 필요로 하는, 예를 들어 레지스트에 의존할 수 있다. 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 회전가능한 경우, 이러한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 1,200개가 작동하는, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 가지고 6 Hz의 회전수로 회전될 수 있다. 보다 적은 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 있는 경우 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 더 높은 회전수로 회전할 수 있다; 보다 많은 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 있는 경우 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 더 낮은 회전수로 회전할 수 있다.In one embodiment, there may be 400 individually addressable elements 102 (at any one time) operating at 133. In one embodiment, the individually addressable elements 102, which operate from 600 to 1,200, may be provided with additional individually addressable elements (e.g., as described above) for use in, for example, preliminary and / (102) may be provided. The number of individually addressable elements 102 that operate may depend on, for example, resist, which requires a specific amount of radiation for patterning. When the individually addressable element 102 is rotatable, this individually addressable element 102 may be rotated at a rotational frequency of 6 Hz with the individually addressable element 102 operating at 1,200. When there are fewer individually addressable elements 102, the individually addressable elements 102 can rotate at a higher number of revolutions; When there are more individually addressable elements 102, the individually addressable elements 102 can rotate at a lower number of revolutions.

일 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 수는, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 어레이에 비해, 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 이용하여 감소될 수 있다. 예를 들어, (어느 때든지) 600 내지 1,200개가 작동하는, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 제공될 수 있다. 나아가, 이렇게 감소된 수는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 어레이와 실질적으로 유사한 결과를 발생시킬 수 있지만, 하나 이상의 장점을 가진다. 예를 들어, 청자색 다이오드의 어레이를 이용하여 충분한 노광 용량(capability)을 위해서, 100,000개의 청자색 다이오드의 어레이가 필요할 수 있고, 예를 들어 200개의 다이오드 × 500개의 다이오드로 배열될 수 있다. 10 kHz의 회전수로 동작하는 경우, 레이저 다이오드당 광 전력(optical power)은 0.33 mW 가 될 것이다. 레이저 다이오드당 전력은 150 mW = 35 mA × 4.1 V 일 것이다. 그러므로 어레이에 대해, 전력은 15 kW 가 될 것이다. 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소를 이용하는 일 실시예에서, 133개가 작동하는, 400개의 청자색 다이오드가 제공될 수 있다. 9 MHz의 회전수로 동작하는 경우, 레이저 다이오드당 광 전력은 250 mW 가 될 것이다. 레이저 다이오드당 전력은 1000 mW = 240 mA × 4.2 V 일 것이다. 그러므로 어레이에 대해, 전력은 133 W 가 될 것이다. 따라서, 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 구성의 다이오드는 예를 들어 도 7(p)에 도시되어 있는 바와 같이, 광 출력 전력 대 순방향 전류 곡선의 경사 부분(240 mA 대 35 mA)에서 동작할 수 있고, 다이오드당 높은 출력 전력(250 mW 대 0.33 mW)을 내지만, 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소에 대해서 낮은 전력(133 W 대 15 kW)을 낼 것이다. 따라서, 이러한 다이오드는 보다 효율적으로 이용될 수 있고, 전력 소모 및/또는 열 발생이 감소하게 된다.In one embodiment, the number of individually addressable elements 102 can be reduced using an individually addressable element 102 that is moveable relative to an array of individually addressable elements 102. For example, an individually addressable element 102 may be provided that operates from 600 to 1,200 (at any time). Further, this reduced number can produce results that are substantially similar to the array of individually addressable elements 102, but have one or more advantages. For example, an array of 100,000 blue-violet diodes may be required for sufficient exposure capacity using an array of bluish-purple diodes, for example, 200 diodes by 500 diodes. When operating at 10 kHz, the optical power per laser diode will be 0.33 mW. The power per laser diode will be 150 mW = 35 mA x 4.1 V. Therefore, for the array, the power will be 15 kW. In one embodiment using movable individually addressable elements, 400 bluish-purple diodes operating at 133 may be provided. When operating at a rotational frequency of 9 MHz, the optical power per laser diode will be 250 mW. The power per laser diode will be 1000 mW = 240 mA x 4.2 V. Therefore, for the array, the power will be 133 W. Thus, the diodes of the movable individually addressable element 102 configuration can be operated at the slope portion (240 mA versus 35 mA) of the optical output power versus the forward current curve, for example, as shown in Figure 7 (p) And will produce a low power (133 W vs. 15 kW) for a plurality of individually addressable elements, while producing a high output power per diode (250 mW vs. 0.33 mW). Therefore, such a diode can be used more efficiently, and power consumption and / or heat generation is reduced.

따라서, 일 실시예에서, 다이오드는 전력/순방향 전류 곡선의 경사 부분에서 동작한다. 전력/순방향 전류 곡선의 경사 부분이 아닌 부분에서 동작하게 되면, 방사선의 인코히어런스(incoherence)를 유발할 수 있다. 일 실시예에서, 다이오드는 5 mW 보다 크지만 20 mW 이하, 또는 30 mW 이하, 또는 40 mW 이하의 광 전력으로 동작한다. 일 실시예에서, 다이오드는 300 mW 보다 큰 광 전력으로 동작하지 않는다. 일 실시예에서, 다이오드는 다중-모드보다는 단일-모드로 동작한다.Thus, in one embodiment, the diode operates at the slope portion of the power / forward current curve. Operating in a non-tilted portion of the power / forward current curve may cause incoherence of the radiation. In one embodiment, the diode operates at an optical power greater than 5 mW but no greater than 20 mW, or no greater than 30 mW, or no greater than 40 mW. In one embodiment, the diode does not operate with optical power greater than 300 mW. In one embodiment, the diode operates in a single-mode rather than a multi-mode.

어레이(200) 상의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)의 수는 특히(그리고 위에서 또한 언급한 정도까지), 어레이(200)에 의해 커버하고자 하는 노광 영역의 길이, 노광 중에 어레이가 이동되는 속도, 스팟 크기(즉, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)로부터 기판 상에 투영되는 스팟의 단면 치수, 예를 들어 폭/지름), 각각의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)가 제공해야 하는 원하는 세기(예를 들어, 기판 또는 기판 상의 레지스트에 대한 손상을 방지하기 위해 2개 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소를 통해 기판 상의 스팟에 대해 의도된 방사선량을 확산시키는 것이 필요한지 여부), 기판의 소정 스캔 속도, 비용 고려사항, 개별적으로 어드레스가능한 요소가 턴온 또는 턴오프되는 주파수, 및 여분의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)에 대한 필요성(이전에 논의된 바와 같이; 예를 들어, 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소가 고장난 경우 예컨대 예비 또는 수정 노광 용도)에 의존할 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(200)는 적어도 100개의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 예를 들어 적어도 200개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 400개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 600개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 1,000개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 1,500개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 2,500개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 또는 적어도 5,000개의 개별적으로 어드레스가능한 요소를 포함한다. 일 실시예에서, 어레이(200)는 50,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 예컨대 25,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 15,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 10,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 7,500개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 5,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 2,500개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 1,200개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 600개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 또는 300개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소를 포함한다. The number of individually addressable elements 102 on the array 200 may vary, in particular (and to the extent mentioned above), the length of the exposure area to be covered by the array 200, the rate at which the array is moved during exposure, (E.g., the dimensions of the spots projected onto the substrate from individually addressable elements 102, e.g., width / diameter), the desired intensity that each individually addressable element 102 should provide For example, whether it is necessary to diffuse the intended dose of radiation for a spot on the substrate through two or more individually addressable elements to prevent damage to the substrate or resist on the substrate), a predetermined scan rate of the substrate, , The frequency at which the individually addressable element is turned on or off, and the frequency at which the individually addressable element 102 Necessity; may depend on the (As previously discussed, for example, if the addressable elements in at least one individual faulty or for example pre-corrected exposure purposes). In one embodiment, the array 200 includes at least 100 individually addressable elements 102, e.g., at least 200 individually addressable elements, at least 400 individually addressable elements, at least 600 individually addressable elements Elements, at least 1,000 individually addressable elements, at least 1,500 individually addressable elements, at least 2,500 individually addressable elements, or at least 5,000 individually addressable elements. In one embodiment, the array 200 includes less than 50,000 individually addressable elements 102, such as less than 25,000 individually addressable elements, less than 15,000 individually addressable elements, less than 10,000 individually An addressable element, less than 7,500 individually addressable elements, less than 5,000 individually addressable elements, less than 2,500 individually addressable elements, less than 1,200 individually addressable elements, less than 600 individually An addressable element, or less than 300 individually addressable elements.

일 실시예에서, 어레이(200)는 10cm 길이의 노광 영역마다(즉, 어레이의 개별적으로 어드레스가능한 요소의 수를 10cm 길이의 노광 영역으로 표준화(normalization)), 적어도 100개의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 예를 들어 적어도 200개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 400개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 600개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 1,000개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 1,500개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 적어도 2,500개의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 또는 적어도 5,000개의 개별적으로 어드레스가능한 요소를 포함한다. 일 실시예에서, 어레이(200)는 10cm 길이의 노광 영역마다(즉, 어레이의 개별적으로 어드레스가능한 요소의 수를 10cm 길이의 노광 영역으로 표준화), 50,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 예컨대 25,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 15,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 10,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 7,500개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 5,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 2,500개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 1,200개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 600개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소, 또는 300개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 요소를 포함한다. In one embodiment, the array 200 includes at least 100 individually addressable elements (i. E., A number of individually addressable elements of the array is normalized to a 10 cm long exposure area) 102), for example at least 200 individually addressable elements, at least 400 individually addressable elements, at least 600 individually addressable elements, at least 1,000 individually addressable elements, at least 1,500 individually addressable elements, , At least 2,500 individually addressable elements, or at least 5,000 individually addressable elements. In one embodiment, the array 200 includes less than 50,000 individually addressable elements 102 for each 10 cm long exposure area (i. E., Normalizing the number of individually addressable elements in the array to a 10 cm long exposure area) Such as less than 25,000 individually addressable elements, less than 15,000 individually addressable elements, less than 10,000 individually addressable elements, less than 7,500 individually addressable elements, less than 5,000 individually addressable elements Elements, less than 2,500 individually addressable elements, no more than 1,200 individually addressable elements, no more than 600 individually addressable elements, or no more than 300 individually addressable elements.

일 실시예에서, 어레이(200)는 75% 미만의 여분의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 예컨대 67% 이하, 50% 이하, 약 33% 이하, 25% 이하, 20% 이하, 10% 이하, 또는 5% 이하의 여분의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 포함한다. 일 실시예에서, 어레이(200)는 적어도 5%의 여분의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 예컨대 적어도 10%, 적어도 25%, 적어도 33%, 적어도 50%, 또는 적어도 65%의 여분의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 포함한다. 일 실시예에서, 어레이는 약 67%의 여분의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 포함한다.In one embodiment, the array 200 includes less than 75% of the extra individually addressable elements 102, such as less than 67%, less than 50%, less than about 33%, less than 25%, less than 20%, less than 10% , Or no more than 5% of the extra individually addressable elements 102. In one embodiment, the array 200 includes at least 5% of redundant individually addressable elements 102, such as at least 10%, at least 25%, at least 33%, at least 50%, or at least 65% Lt; RTI ID = 0.0 > 102 < / RTI > In one embodiment, the array includes about 67% of the extra individually addressable elements 102.

일 실시예에서, 기판 상의 개별적인 어드레스가능한 요소의 스팟 크기는, 10 미크론 이하, 5 미크론 이하, 예컨대 3 미크론 이하, 2 미크론 이하, 1 미크론 이하, 0.5 미크론 이하, 0.3 미크론 이하, 또는 약 0.1 미크론 이하이다. 일 실시예에서, 기판 상의 개별적인 어드레스가능한 요소의 스팟 크기는, 0.1 미크론 이상, 0.2 미크론 이상, 0.3 미크론 이상, 0.5 미크론 이상, 0.7 미크론 이상, 1 미크론 이상, 1.5 미크론 이상, 2 미크론 이상, 또는 5 미크론 이상이다. 일 실시예에서, 스팟 크기는 약 0.1 미크론이다. 일 실시예에서, 스팟 크기는 약 0.5 미크론이다. 일 실시예에서, 스팟 크기는 약 1 미크론이다. In one embodiment, the spot size of the individual addressable elements on the substrate is less than 10 microns, 5 microns or less, such as 3 microns or less, 2 microns or less, 1 micron or less, 0.5 microns or less, 0.3 microns or less, to be. In one embodiment, the spot size of the individual addressable elements on the substrate is at least 0.1 micron, at least 0.2 micron, at least 0.3 micron, at least 0.5 micron, at least 0.7 micron, at least 1 micron, at least 1.5 micron, at least 2 micron, Micron. In one embodiment, the spot size is about 0.1 micron. In one embodiment, the spot size is about 0.5 microns. In one embodiment, the spot size is about 1 micron.

리소그래피 장치(100)의 동작에 있어서, 기판(114)은 예를 들어 로봇 핸들러(미도시)를 이용하여 기판 테이블(106) 상에 로딩된다. 그 다음에 기판(114)은 프레임(160) 및 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 아래에서 X 방향으로 변위된다. 기판(114)은, 위에서 논의된 바와 같이, 레벨 센서 및/또는 정렬 센서(150)에 의해 측정된 후 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 이용하여 패턴에 노광된다. 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)는 예를 들어 본원에서 기술된 바와 같이 픽셀-그리드 이미징을 제공하도록 동작할 수 있다.In operation of the lithographic apparatus 100, the substrate 114 is loaded onto the substrate table 106 using, for example, a robot handler (not shown). Substrate 114 is then displaced in the X direction under frame 160 and individually addressable element 102. Substrate 114 is exposed to the pattern using individually addressable elements 102 after being measured by level sensor and / or alignment sensor 150, as discussed above. The individually addressable element 102 may, for example, be operable to provide pixel-grid imaging as described herein.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측면도이다. 도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 리소그래피 장치(100)는 패터닝 디바이스(104) 및 투영 시스템(108)을 포함한다. 투영 시스템(108)은 2개의 렌즈(176, 172)를 포함한다. 제1 렌즈(176)는 패터닝 디바이스(104)로부터 변조된 방사선 빔(110)을 수신하고 이러한 빔을 콘트라스트 개구부를 통해 개구부 스탑(174)에 포커싱하도록 구성된다. 추가적인 렌즈(미도시)가 개구부에 위치될 수 있다. 그 다음에, 방사선 빔(110)은 발산하여 제2 렌즈(172)(예컨대, 필드 렌즈)에 의해 포커싱된다. Figure 8 is a schematic side view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention. As shown in FIG. 8, the lithographic apparatus 100 includes a patterning device 104 and a projection system 108. The projection system 108 includes two lenses 176, The first lens 176 is configured to receive the modulated radiation beam 110 from the patterning device 104 and to focus the beam onto the aperture stop 174 through the contrast aperture. An additional lens (not shown) may be located in the opening. The radiation beam 110 then diverges and is focused by the second lens 172 (e.g., a field lens).

투영 시스템(108)은 변조된 방사선 빔(110)을 수신하도록 구성된 렌즈 어레이(170)를 더 포함한다. 패터닝 디바이스(104)에서 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소에 대응하는, 변조된 방사선 빔(110)의 상이한 부분이, 렌즈 어레이(170)의 각각의 상이한 렌즈를 통과한다. 각 렌즈는 변조된 방사선 빔(110)의 각 부분을 기판(114) 상에 놓여있는 지점에 포커싱한다. 이런 식으로, 방사선 스팟(S)의 어레이(도 12 참조)가 기판(114) 상에 노출된다. 도시되어 있는 렌즈 어레이(170) 중 단지 5개의 렌즈만이 도시되어 있지만, 렌즈 어레이는 수백 또는 수천개의 렌즈를 포함할 수 있다는 점을 이해할 것이다(동일한 내용이 패터닝 디바이스(104)로서 이용되는 개별적으로 제어가능한 요소에도 적용된다).The projection system 108 further includes a lens array 170 configured to receive the modulated radiation beam 110. A different portion of the modulated radiation beam 110, corresponding to one or more individually controllable elements in the patterning device 104, passes through each different lens of the lens array 170. Each lens focuses each portion of the modulated radiation beam 110 at a point on the substrate 114. In this way, an array of radiation spots S (see Figure 12) is exposed on the substrate 114. It will be appreciated that although only five of the lens arrays 170 shown are shown, the lens arrays may include hundreds or even thousands of lenses (the same is used individually for the patterning device 104 Also applies to controllable elements).

도 8에 도시되어 있는 바와 같이, 기판(114)과 렌즈 어레이(170) 사이에 자유 작업 거리(FWD)가 제공된다. 이러한 거리는 예를 들어 초점 수정이 가능하도록 기판(114) 및/또는 렌즈 어레이(170)의 이동을 가능하게 한다. 일 실시예에서, 자유 작업 거리는 1 내지 3mm의 범위, 예컨대 약 1.4mm이다. 패터닝 디바이스(104)의 개별적으로 어드레스가능한 요소는 피치(P)로 배열되어 있고, 이는 결과적으로 기판(114)에서 이미징 스팟의 피치(P)와 연관된다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이(170)는 0.15 또는 0.18의 NA를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 이미징 스팟 크기는 약 1.6㎛이다.A free working distance FWD is provided between the substrate 114 and the lens array 170, as shown in Fig. This distance enables movement of the substrate 114 and / or the lens array 170, for example, to enable focus correction. In one embodiment, the free working distance is in the range of 1 to 3 mm, e.g., about 1.4 mm. The individually addressable elements of the patterning device 104 are arranged at a pitch P which is consequently associated with the pitch P of the imaging spots in the substrate 114. In one embodiment, the lens array 170 may provide a NA of 0.15 or 0.18. In one embodiment, the imaging spot size is about 1.6 占 퐉.

본 실시예에서, 투영 시스템(108)은, 기판(114) 상의 이미지 스팟의 어레이 간격이 패터닝 디바이스(104)의 픽셀의 어레이 간격과 동일하다는 점에서, 1:1 투영 시스템일 수 있다. 개선된 분해능을 제공하기 위해, 이미지 스팟은 패터닝 디바이스(104)의 픽셀보다 훨씬 작을 수 있다.In this embodiment, the projection system 108 may be a 1: 1 projection system in that the array spacing of image spots on the substrate 114 is the same as the array spacing of the pixels of the patterning device 104. In order to provide improved resolution, the image spot may be much smaller than the pixels of the patterning device 104.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 측면도이다. 이러한 실시예에서는, 렌즈 어레이(170) 이외에 패터닝 디바이스(104)와 기판(114) 사이에 어떠한 광학기기도 없다.9 is a schematic side view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention. In this embodiment, in addition to the lens array 170, there is no optical device between the patterning device 104 and the substrate 114. [

도 9의 리소그래피 장치(100)는 패터닝 디바이스(104) 및 투영 시스템(108)을 포함한다. 이러한 경우, 투영 시스템(108)은 단지 변조된 방사선 빔(110)을 수신하도록 구성된 렌즈 어레이(170)만을 포함한다. 패터닝 디바이스(104)의 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소에 대응하는, 변조된 방사선 빔(110)의 상이한 부분이, 렌즈 어레이(170)의 각각의 상이한 렌즈를 통과한다. 각 렌즈는 변조된 방사선 빔(110)의 각 부분을 기판(114) 상에 놓여있는 지점에 포커싱한다. 이런 식으로, 방사선 스팟(S)의 어레이(도 12 참조)가 기판(114) 상에 노광된다. 도시되어 있는 렌즈 어레이(170) 중 단지 5개의 렌즈만이 나타나 있지만, 렌즈 어레이는 수백 또는 수천개의 렌즈를 포함할 수 있다는 점을 이해할 것이다(동일한 내용이 패터닝 디바이스(104)로서 이용되는 개별적으로 제어가능한 요소에도 적용된다).The lithographic apparatus 100 of FIG. 9 includes a patterning device 104 and a projection system 108. In this case, the projection system 108 includes only a lens array 170 configured to receive the modulated radiation beam 110 only. A different portion of the modulated radiation beam 110, corresponding to one or more individually controllable elements of the patterning device 104, passes through each of the different lenses of the lens array 170. Each lens focuses each portion of the modulated radiation beam 110 at a point on the substrate 114. In this way, an array of radiation spots S (see FIG. 12) is exposed on the substrate 114. It will be appreciated that although only five of the lens arrays 170 shown are shown, the lens array may include hundreds or even thousands of lenses (the same contents may be individually controlled Applicable to possible elements).

도 8과 마찬가지로, 기판(114)과 렌즈 어레이(170) 사이에 자유 작업 거리(FWD)가 제공된다. 이러한 거리는 예를 들어 초점 수정을 할 수 있도록 기판(114) 및/또는 렌즈 어레이(170)가 이동될 수 있게 한다. 패터닝 디바이스(104)의 개별적으로 어드레스가능한 요소는 피치(P)로 배열되어 있고, 이는 결과적으로 기판(114)에서 이미징 스팟의 피치(P)와 연관된다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이(170)는 0.15의 NA를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 이미징 스팟 크기는 약 1.6㎛이다.As in Fig. 8, a free working distance FWD is provided between the substrate 114 and the lens array 170. Fig. This distance allows the substrate 114 and / or the lens array 170 to be moved, for example, to effect focus correction. The individually addressable elements of the patterning device 104 are arranged at a pitch P which is consequently associated with the pitch P of the imaging spots in the substrate 114. In one embodiment, the lens array 170 may provide a NA of 0.15. In one embodiment, the imaging spot size is about 1.6 占 퐉.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 도 5와 관련하여 위에서 논의된 바와 같이 이동가능한 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 이용하는 리소그래피 장치의 개략적인 측면도이다. 이러한 실시예에서는, 렌즈 어레이(170) 이외에 패터닝 디바이스(104)와 기판(114) 사이에 어떠한 광학기기도 없다.Figure 10 is a schematic side view of a lithographic apparatus using a movable individually addressable element 102 as discussed above in connection with Figure 5 in accordance with an embodiment of the present invention. In this embodiment, in addition to the lens array 170, there is no optical device between the patterning device 104 and the substrate 114. [

도 10의 리소그래피 장치(100)는 패터닝 디바이스(104) 및 투영 시스템(108)을 포함한다. 이러한 경우, 투영 시스템(108)은 단지 변조된 방사선 빔(110)을 수신하도록 구성된 렌즈 어레이(170)만을 포함한다. 패터닝 디바이스(104)의 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소에 대응하는, 변조된 방사선 빔(110)의 상이한 부분이, 렌즈 어레이(170)의 각각의 상이한 렌즈를 통과한다. 각 렌즈는 변조된 방사선 빔(110)의 각 부분을 기판(114) 상에 놓여있는 지점에 포커싱한다. 이런 식으로, 방사선 스팟(S)의 어레이(도 12 참조)가 기판(114) 상에 노광된다. 도시되어 있는 렌즈 어레이(170) 중 단지 5개의 렌즈만이 나타나 있지만, 렌즈 어레이는 수백 또는 수천개의 렌즈를 포함할 수 있다는 점을 이해할 것이다(동일한 내용이 패터닝 디바이스(104)로서 이용되는 개별적으로 제어가능한 요소에도 적용된다).The lithographic apparatus 100 of FIG. 10 includes a patterning device 104 and a projection system 108. In this case, the projection system 108 includes only a lens array 170 configured to receive the modulated radiation beam 110 only. A different portion of the modulated radiation beam 110, corresponding to one or more individually controllable elements of the patterning device 104, passes through each of the different lenses of the lens array 170. Each lens focuses each portion of the modulated radiation beam 110 at a point on the substrate 114. In this way, an array of radiation spots S (see FIG. 12) is exposed on the substrate 114. It will be appreciated that although only five of the lens arrays 170 shown are shown, the lens array may include hundreds or even thousands of lenses (the same contents may be individually controlled Applicable to possible elements).

도 8과 마찬가지로, 기판(114)과 렌즈 어레이(170) 사이에 자유 작업 거리(FWD)가 제공된다. 이러한 거리는 예를 들어 초점 수정을 할 수 있도록 기판(114) 및/또는 렌즈 어레이(170)가 이동될 수 있게 한다. 패터닝 디바이스(104)의 개별적으로 어드레스가능한 요소는 피치(P)로 배열되어 있고, 이는 결과적으로 기판(114)에서 이미징 스팟의 피치(P)와 연관된다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이(170)는 0.15의 NA를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 이미징 스팟 크기는 약 1.6㎛이다.As in Fig. 8, a free working distance FWD is provided between the substrate 114 and the lens array 170. Fig. This distance allows the substrate 114 and / or the lens array 170 to be moved, for example, to effect focus correction. The individually addressable elements of the patterning device 104 are arranged at a pitch P which is consequently associated with the pitch P of the imaging spots in the substrate 114. In one embodiment, the lens array 170 may provide a NA of 0.15. In one embodiment, the imaging spot size is about 1.6 占 퐉.

도 11은 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 구체적으로 6개의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)를 나타낸다. 본 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소(102) 각각은 방사선 방출 다이오드, 예를 들어 청자색 레이저 다이오드이다. 각각의 방사선 방출 다이오드는 다이오드를 제어하기 위해 방사선 방출 다이오드에 전류를 공급하기 위한 2개의 전원 라인을 연결(bridge)한다. 따라서, 이러한 다이오드는 어드레스가능한 그리드를 형성한다. 2개의 전원 라인 사이의 폭은 대략 250㎛이고, 방사선 방출 다이오드는 대략 500㎛의 피치를 갖는다.FIG. 11 shows a plurality of individually addressable elements 102, specifically six individually addressable elements 102. In this embodiment, each of the individually addressable elements 102 is a radiation emitting diode, for example a violet laser diode. Each radiation-emitting diode bridges two power lines for supplying current to the radiation-emitting diode to control the diode. Thus, such a diode forms an addressable grid. The width between the two power supply lines is approximately 250 mu m, and the radiation emitting diode has a pitch of approximately 500 mu m.

도 12는 기판(114) 상의 패턴이 어떻게 생성될 수 있는지를 개략적으로 나타낸다. 채워진 원은 투영 시스템(108)의 렌즈 어레이(MLA)에 의해 기판(114) 상으로 투영된 스팟(S) 어레이를 나타낸다. 기판(114)은, 일련의 노광이 기판 상에 노출됨에 따라, X 방향으로 투영 시스템(108)에 대하여 이동된다. 속이 빈 원은 기판 상에 이전에 노출되었던 스팟 노광(SE)을 나타낸다. 도시되어 있는 바와 같이, 투영 시스템(108) 내의 렌즈 어레이(170)에 의해 기판(114) 상으로 투영된 각 스팟은 기판(114) 상에 스팟 노광의 열(R)을 노출한다. 기판(114)에 대한 완전한 패턴은 각 스팟(S)에 의해 노출된 스팟 노광(SE)의 모든 열(R)의 총합에 의해 생성된다. 이러한 구성은 통상 "픽셀 그리드 이미징"이라 지칭된다. 도 12는 개략적인 도면이고 스팟(S)은 실질적으로 중첩될 수 있음을 이해할 것이다.12 schematically illustrates how a pattern on substrate 114 can be generated. The filled circle represents a spot (S) array projected onto the substrate 114 by a lens array (MLA) of the projection system 108. The substrate 114 is moved relative to the projection system 108 in the X direction as a series of exposures are exposed on the substrate. The hollow circle represents the spot exposure (SE) that was previously exposed on the substrate. As shown, each spot projected onto substrate 114 by lens array 170 in projection system 108 exposes row R of spot exposure on substrate 114. The complete pattern for the substrate 114 is produced by the sum of all the rows R of the spot exposure SE exposed by each spot S. [ This configuration is commonly referred to as "pixel grid imaging ". It will be appreciated that FIG. 12 is a schematic representation and that the spots S may be substantially overlapping.

방사선 스팟(S)의 어레이는 기판(114)에 대해서 각도(α)로 배열됨을 알 수 있다(기판(114)의 에지는 X 및 Y 방향에 평행하게 놓여있다). 이는, 기판(114)이 스캐닝 방향(X 방향)으로 이동될 때 각 방사선 스팟이 기판의 상이한 영역 위에서 통과함으로써, 방사선 스팟(S)의 어레이에 의해 기판 전체가 커버될 수 있게 하기 위함이다. 일 실시예에서, 각도(α)는 20°이하, 10°이하, 예컨대 5°이하, 3°이하, 1°이하, 0.5°이하, 0.25°이하, 0.10°이하, 0.05°이하, 또는 0.01°이하이다. 일 실시예에서, 각도(α)는 적어도 0.0001°, 예를 들어 적어도 0.001°이다. 어레이의 경사각(α) 및 스캐닝 방향으로의 어레이의 폭은, 기판(114)의 전체 표면적이 어드레스되도록, 이미지 스팟 크기와 스캐닝 방향에 수직인 방향으로의 어레이 간격에 따라 결정된다.It can be seen that the array of radiation spots S is arranged at an angle a relative to the substrate 114 (the edge of the substrate 114 lies parallel to the X and Y directions). This is so that when the substrate 114 is moved in the scanning direction (X direction), each radiation spot passes over a different area of the substrate so that the entire substrate can be covered by the array of radiation spots S. In one embodiment, the angle alpha is less than 20 degrees, less than 10 degrees, such as less than 5 degrees, less than 3 degrees, less than 1 degrees, less than 0.5 degrees, less than 0.25 degrees, less than 0.10 degrees, less than 0.05 degrees, Or less. In one embodiment, the angle alpha is at least 0.0001 degrees, for example at least 0.001 degrees. The inclination angle a of the array and the width of the array in the scanning direction are determined according to the image spot size and the array spacing in the direction perpendicular to the scanning direction so that the entire surface area of the substrate 114 is addressed.

도 13은, 각각의 광학 엔진이 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소를 포함하는 복수의 광학 엔진을 이용하여 전체 기판(114)이 어떻게 단일 스캔으로 노광될 수 있는지를 개략적으로 나타낸다. 방사선 스팟(S)(미도시)의 8개의 어레이(SA)가 8개의 광학 엔진에 의해 생성되고, 이러한 8개의 광학 엔진은, 방사선 스팟(S)의 하나의 어레이의 에지가 방사선 스팟(S)의 인접한 어레이의 에지와 약간 중첩되도록, "체스판"에서의 2개의 열(R1, R2) 또는 엇갈린 구성으로 배열된다. 일 실시예에서, 광학 엔진은 적어도 3개의 열, 예컨대 4개의 열 또는 5개의 열로 배열된다. 이런 식으로, 방사선의 대역은 기판(W)의 폭을 가로질러 연장되어, 전체 기판의 노광이 단일 스캔으로 수행될 수 있게 된다. 이러한 "전체 폭" 단일 패스 노광은 2회 이상의 패스를 연결하는 스티칭(stitching)의 문제를 피하는데 도움이 되고, 기판 통과 방향을 가로지르는 방향으로 기판이 이동될 필요가 없을 수 있기 때문에 기계 풋프린트를 감소시킬 수도 있다. 임의의 적합한 수의 광학 엔진이 이용될 수 있음을 인식할 것이다. 일 실시예에서, 광학 엔진의 수는 적어도 1, 예를 들어 적어도 2, 적어도 4, 적어도 8, 적어도 10, 적어도 12, 적어도 14, 또는 적어도 17개이다. 일 실시예에서, 광학 엔진의 수는, 40개 미만, 예를 들어 30개 미만 또는 20개 미만이다. 각각의 광학 엔진은 별개의 패터닝 디바이스(104)를 포함할 수 있고, 전술한 바와 같이 선택적으로 별개의 투영 시스템(108) 및/또는 방사선 시스템을 포함할 수 있다. 그러나, 2개 이상의 광학 엔진이 방사선 시스템, 패터닝 디바이스(104) 및/또는 투영 시스템(108)의 하나 이상 중 적어도 일부를 공유할 수 있다는 점을 이해할 것이다.FIG. 13 schematically shows how an entire optical disk drive can be exposed with a single scan using a plurality of optical engines, each optical engine including one or more individually addressable elements. Eight arrays SA of radiation spots S (not shown) are created by eight optical engines, where the edges of one array of radiation spots S are aligned with the radiation spots S, Are arranged in two rows (R1, R2) or in a staggered configuration in the "chess board" such that they slightly overlap the edges of the adjacent arrays of rows. In one embodiment, the optical engine is arranged in at least three rows, e.g., four rows or five rows. In this way, the band of radiation extends across the width of the substrate W, allowing exposure of the entire substrate to be performed in a single scan. This "full width" single pass exposure helps to avoid the problem of stitching connecting two or more passes, and since the substrate need not be moved in a direction across the substrate passing direction, . It will be appreciated that any suitable number of optical engines may be used. In one embodiment, the number of optical engines is at least 1, such as at least 2, at least 4, at least 8, at least 10, at least 12, at least 14, or at least 17. In one embodiment, the number of optical engines is less than 40, such as less than 30 or less than 20. Each optical engine may include a separate patterning device 104 and may optionally include a separate projection system 108 and / or a radiation system as described above. However, it will be appreciated that two or more optical engines may share at least some of the radiation system, patterning device 104 and / or one or more of the projection system 108.

본원에서 기술된 실시예에서, 개별적으로 어드레스가능한 요소를 제어하기 위한 제어기가 제공된다. 예를 들어, 개별적으로 어드레스가능한 요소가 방사선 방출 디바이스인 실시예에서, 이러한 제어기는 개별적으로 어드레스가능한 요소가 언제 턴온 또는 턴오프 되는지를 제어할 수 있고 개별적으로 어드레스가능한 요소의 고 주파수 변조를 가능하게 한다. 제어기는 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소에 의해 방출되는 방사선의 전력을 제어할 수 있다. 제어기는 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 요소에 의해 방출되는 방사선의 세기를 변조할 수 있다. 제어기는 개별적으로 어드레스가능한 요소의 어레이 중 모두 또는 일부에 대해 세기 균일성을 제어/조정할 수 있다. 제어기는 이미징 에러, 예를 들어 에텐듀(etendue) 및 광 수차(예컨대, 코마, 비점수차 등)를 수정하기 위해 개별적으로 어드레스가능한 요소의 방사선 출력을 조정할 수 있다. In the embodiment described herein, a controller is provided for controlling individually addressable elements. For example, in embodiments where the individually addressable element is a radiation emitting device, such a controller may control when the individually addressable element is turned on or off and enable high frequency modulation of the individually addressable element do. The controller can control the power of the radiation emitted by the one or more individually addressable elements. The controller may modulate the intensity of the radiation emitted by the one or more individually addressable elements. The controller can control / adjust intensity uniformity for all or a portion of the arrays of individually addressable elements. The controller can adjust the radiation output of the individually addressable elements to correct imaging errors, such as etendue and optical aberrations (e.g., coma, astigmatism, etc.).

리소그래피에서, 기판 상의 레지스트 층을 방사선에 선택적으로 노출함으로써, 예를 들면 패터닝된 방사선에 레지스트 층을 노출함으로써, 기판 상에 원하는 피처를 생성할 수 있다. 특정한 최소 방사선량("방사선량 임계값")를 수신하는 레지스트의 영역은 화학적 반응을 겪게 되지만, 다른 영역은 변화되지 않은 채 남게 된다. 레지스트 층에서 이런 식으로 생성된 화학적 차이는 레지스트의 현상, 즉 적어도 최소한의 방사선량을 수신한 영역을 선택적으로 제거하거나 또는 최소한의 방사선량을 수신하지 못한 영역을 선택적으로 제거하는 것을 가능하게 한다. 결과적으로, 기판 중 일부는 레지스트에 의해 여전히 보호되지만, 레지스트가 제거된 기판의 영역은 노광되어, 예를 들어 추가적인 처리 단계, 예컨대 기판의 선택적 에칭, 선택적인 금속 증착 등에 의해 원하는 피처를 생성하는 것을 가능하게 한다. 원하는 피처 내에서 기판 상의 레지스트 층의 영역으로 전달되는 방사선이 충분히 높은 세기를 가져, 이러한 영역이 노광 중에 방사선량 임계값을 넘어서는 방사선량을 수신하는 한편, 기판 상의 다른 영역은, 0 또는 실질적으로 보다 낮은 방사선 세기를 제공하도록 대응하는 개별적으로 제어가능한 요소를 설정함으로써, 방사선량 임계값 미만의 방사선량을 수신하도록, 패터닝 디바이스에서 개별적으로 제어가능한 요소를 설정함으로써 방사선의 패터닝이 이루어질 수 있다. In lithography, a desired feature can be created on a substrate by selectively exposing the resist layer on the substrate to radiation, for example by exposing the resist layer to patterned radiation. The area of the resist that receives a particular minimum radiation dose (the "radiation dose threshold") undergoes a chemical reaction, while the other area remains unchanged. The chemical difference generated in this way in the resist layer makes it possible to develop the resist, that is to say selectively remove the area receiving the least amount of radiation, or selectively remove the area not receiving the minimum amount of radiation. As a result, some of the substrate is still protected by the resist, but the area of the substrate from which the resist has been removed may be exposed to produce desired features, for example by additional processing steps such as selective etching of the substrate, . The radiation transmitted to the region of the resist layer on the substrate in the desired feature has a sufficiently high intensity that this region receives a radiation dose exceeding the radiation dose threshold during exposure while the other region on the substrate is at or near zero By setting the corresponding individually controllable elements to provide a low radiation intensity, the patterning of the radiation can be accomplished by setting the individually controllable elements in the patterning device to receive a radiation dose below the radiation dose threshold.

실제로는, 개별적으로 제어가능한 요소가 피처 경계의 일측에 최대 방사선 세기를 제공하고 다른 측에 최소 방사선 세기를 제공하도록 설정되더라도, 원하는 피처의 에지에서의 방사선량은 주어진 최대 방사선량으로부터 0의 방사선량으로 갑자기 변화되지는 않을 수도 있다. 대신에, 회절 효과에 기인하여, 방사선량의 레벨은 전이 영역에 걸쳐 하락할 수 있다. 그러면, 레지스트의 현상 이후 궁극적으로 형성되는, 원하는 피처의 경계 위치는, 수신된 방사선량이 방사선량 임계값 미만으로 떨어지는 위치에 의해 결정된다. 전이 영역에 걸친 방사선량의 하락의 프로파일, 즉 피처 경계의 정확한 위치는, 피처 경계 상에 있거나 피처 경계 주위에 있는 기판 상의 지점에 방사선을 제공하는 개별적으로 제어가능한 요소를, 최대 또는 최소 세기 레벨뿐만 아니라 최대 세기 레벨과 최소 세기 레벨 사이의 세기 레벨로 설정함으로써, 보다 정확하게 제어될 수 있다. 이는 통상적으로 "그레이스케일링" 또는 "그레이레벨링"이라 지칭된다.In practice, even though the individually controllable element is set to provide the maximum radiation intensity to one side of the feature boundary and to provide the minimum radiation intensity to the other side, the radiation dose at the edge of the desired feature is the radiation dose of zero from a given maximum radiation dose It may not change suddenly. Instead, due to the diffraction effect, the level of radiation dose can fall over the transition region. The boundary position of the desired feature, which is ultimately formed after the development of the resist, is then determined by the position at which the received radiation dose falls below the radiation dose threshold. The profile of the decrease in the amount of radiation across the transition area, i.e., the precise location of the feature boundary, can be achieved by providing individually controllable elements that provide radiation to points on the substrate that are on or around the feature boundary, But can be more accurately controlled by setting the intensity level between the maximum intensity level and the minimum intensity level. This is commonly referred to as "gray scaling" or "gray leveling ".

그레이스케일링은, 주어진 개별적으로 제어가능한 요소에 의해 기판에 제공되는 방사선 세기가 단지 2가지 값(다시 말해서 단지 최소값 및 최대값)으로 설정될 수 있는 리소그래피 시스템에서 가능한 제어보다, 피처 경계의 위치에 대해 더 양호한 제어를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 적어도 3개의 상이한 방사선 세기 값, 예컨대 적어도 4개의 방사선 세기 값, 적어도 8개의 방사선 세기 값, 적어도 16개의 방사선 세기 값, 적어도 32개의 방사선 세기 값, 적어도 64개의 방사선 세기 값, 적어도 100개의 방사선 세기 값, 적어도 128개의 방사선 세기 값, 또는 적어도 256개의 방사선 세기 값이 기판 상에 투영될 수 있다. 패터닝 디바이스가 방사선 소스 자체인 경우(예를 들어, 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드의 어레이), 예를 들어 전달되는 방사선의 세기 레벨을 제어함으로써 그레이스케일링이 실시될 수 있다. 콘트라스트 디바이스가 마이크로미러 디바이스인 경우, 예를 들어 마이크로미러의 경사각을 제어함으로써 그레이스케일링이 실시될 수 있다. 또한, 콘트라스트 디바이스에서 복수의 프로그램가능한 요소를 그룹화하고 그룹 내에서 주어진 시간에 스위치 온 또는 스위치 오프되는 요소의 수를 제어함으로써 그레이스케일링이 실시될 수 있다.Grayscaling is more efficient than control possible in a lithography system where the radiation intensity provided to a substrate by a given individually controllable element can be set to only two values (i.e., only minimum and maximum values) It is possible to provide better control. In one embodiment, at least three different radiation intensity values, e.g., at least four radiation intensity values, at least eight radiation intensity values, at least sixteen radiation intensity values, at least 32 radiation intensity values, at least 64 radiation intensity values, 100 radiation intensity values, at least 128 radiation intensity values, or at least 256 radiation intensity values may be projected onto the substrate. If the patterning device is the radiation source itself (e.g., an array of light emitting diodes or laser diodes), gray scaling may be performed, for example, by controlling the intensity level of the transmitted radiation. When the contrast device is a micro mirror device, gray scaling can be performed, for example, by controlling the inclination angle of the micromirror. Gray scaling may also be performed by grouping a plurality of programmable elements in the contrast device and controlling the number of elements that are switched on or off at any given time in the group.

일례에서, 패터닝 디바이스는 다음을 포함하는 일련의 상태를 가질 수 있다: (a) 제공되는 방사선이 대응하는 픽셀의 세기 분포에 최소 또는 0의 기여를 하는 암 상태(black state); (b) 제공되는 방사선이 최대 기여를 하는 명 상태(whitest state); 및 (c) 제공되는 방사선이 중간 정도의 기여를 하는 그 사이의 복수의 상태. 이러한 상태는 정상적인(normal) 빔 패터닝/프린팅을 위해 이용되는 정상 세트, 및 결함 있는 요소의 영향을 보상하기 위해 이용되는 보상 세트로 나뉜다. 정상 세트는 암 상태 및 중간 상태의 제1 그룹을 포함한다. 이러한 제1 그룹은 그레이 상태(gray state)라고 기술될 것이고, 최소 암 상태 값으로부터 특정한 정상적인 최대값에 이르기까지, 대응하는 픽셀 세기에 대해 점진적으로 증가하는 기여를 제공하도록 선택될 수 있다. 보상 세트는 명 상태와 함께, 중간 상태의 남아 있는 제2 그룹을 포함한다. 중간 상태의 이러한 제2 그룹은 화이트 상태(white state)라고 기술될 것이고, 정상적인 최대값보다 큰 기여를 제공하고, 명 상태에 대응하는 진정한 최대값에 이르기까지 점진적으로 증가하도록 선택될 수 있다. 중간 상태의 제2 그룹이 화이트 상태라고 기술되지만, 이는 단지 정상적인 노광 단계와 보상하는 노광 단계 사이의 구별을 용이하게 하기 위함이라는 점을 이해할 것이다. 복수의 상태 전체는 대안적으로, 암 상태와 명 상태 사이의 일련의 그레이 상태로 기술될 수 있고, 그레이스케일 프린팅이 가능하도록 선택될 수 있다.In one example, the patterning device may have a series of states including: (a) a black state in which the radiation provided contributes a minimum or zero to the intensity distribution of the corresponding pixel; (b) a whitest state in which the provided radiation makes a maximum contribution; And (c) a plurality of states in between, wherein the provided radiation has a moderate contribution. This state is divided into a normal set used for normal beam patterning / printing, and a compensation set used to compensate for the effects of defective elements. The normal set includes a first group of dark states and intermediate states. This first group will be described as a gray state and can be selected to provide a gradually increasing contribution to the corresponding pixel intensity, from the minimum dark state value to a particular normal maximum value. The compensation set includes the remaining second group of intermediate states, together with the nominal state. This second group of intermediate states will be described as a white state and can be selected to provide a contribution greater than the normal maximum and gradually increase to a true maximum corresponding to the light state. While the second group of intermediate states is described as being white, it will be appreciated that this is only to facilitate distinction between the normal exposure step and the compensating exposure step. The entire plurality of states may alternatively be described as a series of gray states between a dark state and a light state, and may be selected to enable gray scale printing.

전술한 것에 부가적인 목적 또는 대안적인 목적으로 그레이스케일링이 이용될 수 있음을 인식해야 한다. 예를 들어, 노광 이후의 기판의 처리는, 수신된 방사선량 레벨에 따라 기판에 셋 이상의 잠재적인 반응 영역이 존재하도록 튜닝될 수 있다. 예를 들어, 제1 임계값 미만의 방사선량을 수신하는 기판의 부분은 제1 방식으로 반응한다; 제1 임계값을 넘어서지만 제2 임계값 미만의 방사선량을 수신하는 기판의 부분은 제2 방식으로 반응한다; 제2 임계값을 넘어서는 방사선량을 수신하는 기판의 부분은 제3 방식으로 반응한다. 따라서, 셋 이상의 원하는 방사선량 레벨을 갖는 방사선량 프로파일이 기판에 걸쳐 제공되도록 그레이스케일링이 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 방사선량 프로파일은 적어도 2개의 원하는 방사선량 레벨, 예컨대 적어도 3개의 원하는 방사선량 레벨, 적어도 4개의 원하는 방사선량 레벨, 적어도 6개의 원하는 방사선량 레벨, 또는 적어도 8개의 원하는 방사선량 레벨을 갖는다. It should be appreciated that grayscaling may be used for additional or alternative purposes in the foregoing. For example, the processing of the substrate after exposure can be tuned such that there are more than two potential reaction areas in the substrate, depending on the received radiation dose level. For example, a portion of a substrate receiving a radiation dose below a first threshold reacts in a first manner; A portion of the substrate that receives a radiation dose that is above a first threshold but below a second threshold reacts in a second manner; The portion of the substrate receiving the radiation dose beyond the second threshold reacts in a third manner. Thus, gray scaling may be used such that a radiation dose profile having three or more desired dose levels is provided across the substrate. In one embodiment, the radiation dose profile includes at least two desired radiation dose levels, such as at least three desired radiation dose levels, at least four desired radiation dose levels, at least six desired radiation dose levels, or at least eight desired radiation dose levels Respectively.

방사선량 프로파일은, 전술한 바와 같이, 기판 상의 각 지점에서 수신되는 방사선의 세기를 단순히 제어하는 방법 이외의 다른 방법에 의해 제어될 수 있다는 것도 인식해야 한다. 예를 들어, 기판 상의 각 지점에 의해 수신되는 방사선량은 대안적으로 또는 부가적으로, 이러한 지점의 노광 기간을 제어함으로써 제어될 수 있다. 추가적인 예로서, 기판 상의 각 지점은 복수의 연속하는 노광에서 방사선을 수신할 수 있다. 그러므로, 각 지점에 의해 수신되는 방사선량은 대안적으로 또는 부가적으로, 이러한 복수의 연속하는 노광 중 선택된 서브세트를 이용하여 이러한 지점을 노광함으로써 제어될 수 있다.It should also be appreciated that the radiation dose profile can be controlled by any other means than simply controlling the intensity of the radiation received at each point on the substrate, as described above. For example, the amount of radiation received by each point on the substrate may alternatively or additionally be controlled by controlling the exposure duration of such points. As a further example, each point on the substrate may receive radiation in a plurality of successive exposures. Therefore, the amount of radiation received by each point may alternatively or additionally be controlled by exposing such points using a selected subset of such a plurality of successive exposures.

기판 상에 패턴을 형성하기 위해서는, 패터닝 디바이스의 각각의 개별적으로 제어가능한 요소를 노광 공정 중의 각 스테이지에서 필수 상태로 설정하는 것이 필요하다. 그러므로, 필수 상태를 나타내는 제어 신호가 각각의 개별적으로 제어가능한 요소에 전송되어야 한다. 바람직하게는, 리소그래피 장치가 제어 신호를 생성하는 제어기(400)를 포함한다. 기판 상에 형성될 패턴은 벡터-규정(vector-defined) 포맷, 예를 들어 GDSII으로 리소그래피 장치에 제공될 수 있다. 각각의 개별적으로 제어가능한 요소에 대해 설계 정보를 제어 신호로 변환하기 위해, 제어기는 하나 이상의 데이터 조작(manipulation) 디바이스를 포함하고, 이러한 각각의 데이터 조작 디바이스는 패턴을 나타내는 데이터 스트림에 대해 처리 단계를 수행하도록 구성된다. 데이터 조작 디바이스는 집합적으로 "데이터경로"라 지칭될 수 있다.In order to form a pattern on a substrate, it is necessary to set each individually controllable element of the patterning device to a required state at each stage of the exposure process. Therefore, a control signal indicating the required state must be transmitted to each individually controllable element. Preferably, the lithographic apparatus includes a controller 400 that generates a control signal. The pattern to be formed on the substrate may be provided to the lithographic apparatus in a vector-defined format, for example GDSII. To convert design information to control signals for each individually controllable element, the controller includes one or more data manipulation devices, each of which manipulates the data stream representing the pattern . The data manipulation device may collectively be referred to as a "data path ".

데이터경로의 데이터 조작 디바이스는 다음의 기능 중 하나 이상을 수행하도록 구성될 수 있다; 벡터 기반 설계 정보를 비트맵 패턴 데이터로 변환하는 것; 비트맵 패턴 데이터를 원하는 방사선량 맵(즉 기판에 걸쳐 원하는 방사선량 프로파일)으로 변환하는 것; 원하는 방사선량 맵을 각각의 개별적으로 제어가능한 요소에 대해 원하는 방사선 세기 값으로 변환하는 것; 및 각각의 개별적으로 제어가능한 요소에 대해 원하는 방사선 세기 값을 대응하는 제어 신호로 변환하는 것.The data manipulation device of the data path may be configured to perform one or more of the following functions: Converting vector-based design information into bitmap pattern data; Converting the bitmap pattern data into a desired radiation dose map (i.e., the desired radiation dose profile across the substrate); Converting the desired radiation dose map to a desired radiation intensity value for each individually controllable element; And converting the desired radiation intensity value to a corresponding control signal for each individually controllable element.

일 실시예에서, 제어 신호는 유선 또는 무선 통신에 의해, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로 공급될 수 있다. 나아가, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로부터의 신호는 제어기(400)로 통신될 수 있다.In one embodiment, the control signals may be provided to the individually controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) by wire or wireless communication. Further, signals from the individually controllable elements 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) may be communicated to the controller 400.

도 14(a)를 참조하면, 무선 실시예에서, 송수신기(또는 단지 송신기)(406)는 송수신기(또는 단지 수신기)(402)에 의해 수신되도록 제어 신호를 포함하는 신호를 발신한다. 제어 신호는 하나 이상의 라인(404)에 의해 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)로 전송된다. 일 실시예에서, 송수신기(406)로부터의 신호는 다수의 제어 신호를 포함할 수 있고 송수신기(402)는 이러한 신호를 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)에 대해 다수의 제어 신호로 역다중화(demultiplex)할 수 있다. 일 실시예에서, 무선 송신은 무선 주파수(RF)에 의해 이루어질 수 있다.Referring to Figure 14 (a), in a wireless embodiment, a transceiver (or just a transmitter) 406 emits a signal comprising a control signal to be received by a transceiver (or receiver only) The control signals are transmitted to each individually controllable element 102 by one or more lines 404. In one embodiment, the signal from the transceiver 406 may comprise a plurality of control signals and the transceiver 402 may transmit this signal to each of the individually controllable elements 102 and / or one or more other devices (e.g., For example, a sensor can be demultiplexed into a plurality of control signals. In one embodiment, the wireless transmission may be by radio frequency (RF).

도 14(b)를 참조하면, 유선 실시예에서, 하나 이상의 라인(404)이 제어기(400)를 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)에 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(200) 본체로 및/또는 어레이(200) 본체로부터 각각의 제어 신호를 전달하기 위해 단일한 라인(404)이 제공될 수 있다. 그 다음에, 어레이(200) 본체에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)에 제어 신호가 개별적으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 무선 실시예와 마찬가지로, 제어 신호는 단일한 라인 상에서 송신되도록 다중화될 수 있고, 그 다음에 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로 제공되도록 역다중화될 수 있다. 일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)의 개별적인 제어 신호를 전달하기 위해 복수의 라인(404)이 제공될 수 있다. 어레이(200)가 회전가능한 경우, 라인(들)(404)이 회전축(A)을 따라 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 신호는 모터(216)에서 또는 모터(216) 주위에서 슬라이딩 접촉을 통해 어레이(200) 본체로 또는 어레이(200) 본체로부터 제공될 수 있다. 이는 회전가능한 실시예의 경우 유리할 수 있다. 슬라이딩 접촉은 예를 들어 플레이트에 접촉하는 브러시를 통해서 이루어질 수 있다.14 (b), in a wired embodiment, one or more lines 404 connect the controller 400 to an individually controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) . In one embodiment, a single line 404 may be provided to transfer the respective control signals to and / or from the array 200 body. Control signals may then be separately provided to the individually controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) in the array 200 body. For example, as in the wireless embodiment, the control signals can be multiplexed to be transmitted on a single line, and then transmitted to the individually controllable element 102 and / or to one or more other devices (e.g., sensors) Can be demultiplexed. In one embodiment, a plurality of lines 404 may be provided to convey individual control signals of the individually controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors). When the array 200 is rotatable, the line (s) 404 may be provided along the axis of rotation A. In one embodiment, the signal may be provided to the array 200 body or from the array 200 body via a sliding contact around the motor 216 or around the motor 216. This may be advantageous for a rotatable embodiment. The sliding contact can be made, for example, through a brush contacting the plate.

일 실시예에서, 라인(들)(404)은 광학 라인일 수 있다. 이러한 경우, 신호는 예를 들어 상이한 제어 신호가 상이한 파장으로 전달될 수 있는 광학 신호일 수 있다.In one embodiment, line (s) 404 may be an optical line. In this case, the signal may be, for example, an optical signal over which different control signals can be transmitted at different wavelengths.

제어 신호와 유사한 방식으로, 유선 또는 무선 수단에 의해, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)에 전력이 공급될 수 있다. 예를 들어, 유선 실시예에서, 신호를 전달하는 라인과 동일한지 여부에 관계없이, 전력이 하나 이상의 라인들(404)에 의해 공급될 수 있다. 전력을 송신하기 위해 전술한 바와 같이 슬라이딩 접촉 구성이 제공될 수 있다. 무선 실시예에서, 전력은 RF 커플링에 의해 전달될 수 있다.Power can be supplied to the individually controllable element 102 or to one or more other devices (e.g., sensors), by wired or wireless means, in a manner similar to control signals. For example, in a wireline embodiment, power may be supplied by one or more lines 404, regardless of whether it is the same as the line carrying the signal. A sliding contact configuration may be provided as described above to transmit power. In a wireless embodiment, power can be delivered by RF coupling.

이전의 논의가 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)에 공급된 제어 신호에 초점을 두고 있지만, 대안적으로 또는 부가적으로, 적절한 구성을 통해 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로부터 제어기(400)로의 신호의 송신을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 통신은 일방향(예를 들어, 단지 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로 또는 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로부터) 또는 양방향(즉, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로부터 그리고 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로)일 수 있다. 예를 들어, 송수신기(402)는 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로부터의 다수의 신호를 송수신기(406)로의 송신을 위해 다중화할 수 있고, 송수신기(406)에서 이러한 신호는 개별 신호로 역다중화될 수 있다.While the previous discussion has focused on the control signals supplied to the individually controllable elements 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors), it is alternatively or additionally And the transmission of signals from the controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) to the controller 400. [ Thus, communication can be performed in one direction (e.g., only with individually controllable elements 102 and / or with one or more other devices (e.g., sensors) or with individually controllable elements 102 and / (E.g., from a sensor) or bi-directional (i.e., from an individually controllable element 102 and / or from one or more other devices (e.g., sensors) (E. G., A sensor). ≪ / RTI > For example, transceiver 402 may multiplex multiple signals from an individually controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) for transmission to transceiver 406, In the transceiver 406, these signals may be demultiplexed into separate signals.

일 실시예에서, 패턴을 제공하기 위한 제어 신호가 변경되어, 기판 상의 패턴의 적절한 공급 및/또는 실현에 영향을 미칠 수 있는 요인을 고려할 수 있다. 예를 들어, 제어 신호에 수정이 적용되어 하나 이상의 어레이(200)의 가열을 고려할 수 있다. 이러한 가열은 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 지시 방향의 변화를 유발할 수 있고, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선의 균일성 등을 변화시킬 수 있다. 일 실시예에서, 예를 들어 센서(234)로부터 어레이(200)(예컨대 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 어레이)와 연관되어 측정된 온도 및/또는 팽창/수축률은, 그렇지 않다면 패턴을 형성하기 위해 제공되었을 제어 신호를 변경하는데 이용될 수 있다. 그러므로, 예를 들어 노광 중에, 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 온도가 변화할 수 있고, 이러한 변화는 단일의 일정한 온도로 제공될 투영된 패턴의 변화를 유발할 수 있다. 따라서, 제어 신호는 이러한 변화를 고려하도록 변경될 수 있다. 마찬가지로, 일 실시예에서, 정렬 센서 및/또는 레벨 센서(150)로부터의 결과가, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의해 제공되는 패턴을 변경하는데 이용될 수 있다. 패턴은 개별적으로 제어가능한 요소(102)와 기판(114) 사이의 예를 들면 광학기기(존재한다면), 기판(114)의 위치설정에 있어서의 불균일, 기판(114)의 요철 등으로부터 발생할 수 있는, 예컨대 왜곡을 수정하기 위해 변경될 수 있다.In one embodiment, the control signal for providing the pattern may be altered to take into account factors that may affect the proper supply and / or realization of the pattern on the substrate. For example, a correction may be applied to the control signal to account for the heating of one or more arrays 200. Such heating may cause a change in the direction of orientation of the individually controllable element 102 and may change the uniformity of the radiation from the individually controllable element 102, and the like. In one embodiment, the temperature and / or the expansion / contraction rate measured in association with the array 200 (e.g., an array of one or more of the individually controllable elements 102) from the sensor 234, for example, May be used to change the control signal that would have been provided to form the signal. Thus, for example, during exposure, the temperature of the individually controllable element 102 can change, and this change can cause a change in the projected pattern to be provided at a single constant temperature. Therefore, the control signal can be changed to account for such a change. Likewise, in one embodiment, the results from the alignment sensor and / or level sensor 150 may be used to alter the pattern provided by the individually controllable element 102. [ The pattern can be generated from positioning of the substrate 114 between the individually controllable element 102 and the substrate 114, for example, an optical device (if present), irregularities in the substrate 114, , E.g., to correct for distortion.

일 실시예에서, 제어 신호의 변화는, 측정된 파라미터(예를 들어, 레벨 센서 등에 의한 측정된 온도, 측정된 거리 등)로부터 발생하는, 원하는 패턴에 대한 물리/광학적 결과에 대한 이론에 기초하여 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제어 신호의 변화는 측정된 파라미터로부터 발생하는, 원하는 패턴에 대한 물리/광학적 결과에 대한 실험적 또는 경험적 모델에 기초하여 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제어 신호의 변화는 피드포워드 및/또는 피드백 방식으로 적용될 수 있다.In one embodiment, the change in the control signal is based on a theory of the physical / optical results for the desired pattern, resulting from the measured parameters (e.g., temperature measured by the level sensor, measured distance, etc.) Can be determined. In one embodiment, a change in the control signal may be determined based on an empirical or empirical model of the physical / optical results for the desired pattern, resulting from the measured parameters. In one embodiment, changes in the control signal may be applied in a feedforward and / or feedback manner.

일 실시예에서, 리소그래피 장치는 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의해 기판을 향해 전달되거나 전달될 방사선의 특성을 측정하기 위한 센서(500)를 포함할 수 있다. 이러한 센서는 스팟 센서 또는 투과 이미지 센서일 수 있다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 세기, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선의 균일성, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 스팟의 단면 크기 또는 영역, 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 스팟의 (X-Y 평면 상의) 위치를 결정하는데 이러한 센서가 이용될 수 있다.In one embodiment, the lithographic apparatus may comprise a sensor 500 for measuring the characteristics of radiation to be transmitted or transmitted towards the substrate by one or more of the individually controllable elements 102. [ Such a sensor may be a spot sensor or a transmission image sensor. The radiation intensity from the individually controllable element 102, the uniformity of the radiation from the individually controllable element 102, the cross-sectional size or area of the radiation spot from the individually controllable element 102, and / Such a sensor can be used to determine the position (on the XY plane) of the radiation spot from the controllable element 102.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이고, 센서(500)의 몇몇 예시적인 위치를 보여준다. 일 실시예에서, 기판(114)을 홀딩하기 위한 기판 테이블(106)에 또는 기판 테이블(106) 상에 하나 이상의 센서(500)가 제공된다. 예를 들어, 센서(500)는 기판 테이블(106)의 선단 에지 및/또는 기판 테이블(106)의 후단 에지에 제공될 수 있다. 본 실시예에서, 각 어레이(200)에 대해 하나씩, 4개의 센서(500)가 도시되어 있다. 바람직하게는, 기판(114)에 의해 커버되지 않을 수 있는 위치에 이러한 센서가 위치된다. 대안적이고 부가적인 예에서, 센서는 기판 테이블(106)의 측면 에지, 바람직하게는 기판(114)에 의해 커버되지 않을 수 있는 위치에, 제공될 수 있다. 기판 테이블(106)의 선단 에지의 센서(500)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 노광 전 검출을 위해 이용될 수 있다. 기판 테이블(106)의 후단 에지의 센서(500)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 노광 후 검출을 위해 이용될 수 있다. 기판 테이블(106)의 측면 에지의 센서(500)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 노광 중 검출("온-더-플라이" 검출)을 위해 이용될 수 있다.Figure 15 is a schematic plan view of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention and shows some exemplary locations of the sensor 500. [ In one embodiment, one or more sensors 500 are provided on or in the substrate table 106 for holding the substrate 114. For example, the sensor 500 may be provided at the leading edge of the substrate table 106 and / or at the trailing edge of the substrate table 106. In this embodiment, four sensors 500, one for each array 200, are shown. Preferably, such a sensor is located in a position that may not be covered by the substrate 114. In an alternative, additional example, the sensor may be provided at a lateral edge of the substrate table 106, preferably at a location that may not be covered by the substrate 114. The sensor 500 at the leading edge of the substrate table 106 may be used for pre-exposure detection of the individually controllable element 102. The sensor 500 at the trailing edge of the substrate table 106 may be used for post-exposure detection of the individually controllable element 102. The sensor 500 at the lateral edge of the substrate table 106 may be used for detection during exposure ("on-the-fly" detection) of the individually controllable element 102.

도 16(a)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부에 대한 개략적인 측면도를 나타낸다. 이러한 예에서는, 단지 하나의 어레이(200)가 도시되고, 리소그래피 장치의 다른 부분은 단순화를 위해 생략된다; 본원에서 기술되는 센서는 각각의 어레이(200) 또는 어레이(200) 중 일부에 적용될 수 있다. 센서(500)의 위치에 대한 몇몇 부가적인 실시예 또는 대안적인 실시예가 도 16(a)에 도시되어 있다(기판 테이블(106)의 센서(500)에 부가하여). 제1 실시예는, 빔 재안내 구조체(502)(예를 들면, 반사형 미러 구성)를 통해 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터 방사선을 수신하는 프레임(160) 상의 센서(500)이다. 이러한 제1 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 X-Y 평면에서 이동하고, 따라서 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 상이한 요소들이 빔 재안내 구조체(502)에 방사선을 제공하도록 위치될 수 있다. 부가적이거나 대안적인 제2 실시예는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 후방 측으로부터, 즉 노광 방사선이 제공되는 측의 반대 측으로부터, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선을 수신하는, 프레임(160) 상의 센서(500)이다. 이러한 제2 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 X-Y 평면에서 이동하고, 따라서 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 상이한 요소들이 센서(500)에 방사선을 제공하도록 위치될 수 있다. 제2 실시예에서의 센서(500)는 노광 영역(204)에서 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 경로에 도시되어 있지만, 센서(500)는 센서(510)가 도시되어 있는 곳에 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 프레임(160) 상의 센서(500)는 고정된 위치에 있거나, 또는 예컨대 대응하는 액추에이터에 의해 이동가능할 수 있다. 상기 제1 및 제2 실시예는, 노광 전 및/또는 노광 후 감지(sensing)에 부가하여 또는 이의 대안으로서, "온-더-플라이" 감지를 제공하는데 이용될 수 있다. 제3 실시예는 구조체(504, 506) 상의 센서(500)이다. 구조체(504, 506)는 액추에이터(508)에 의해 이동가능할 수 있다. 일 실시예에서, 구조체(504)는 기판 테이블이 이동할 수 있는 경로 아래에(도 16(a)에 도시되어 있는 바와 같이) 또는 이러한 경로의 측면에 위치된다. 일 실시예에서, 구조체(504)는 액추에이터(508)에 의해, 기판 테이블(106)이 그곳에 없다면 도 16(a)에 도시되어 있는 기판 테이블(106)의 센서(500)의 위치로 이동될 수 있고, 구조체(504)가 경로의 측면에 있다면 이러한 이동은 (도 16(a)에 도시되어 있는 바와 같이) Z-방향일 수 있거나, X 및/또는 Y 방향일 수 있다. 일 실시예에서, 구조체(506)는 기판 테이블이 이동될 수 있는 경로 위에(도 16(a)에 도시되어 있는 바와 같이) 또는 이러한 경로의 측면에 위치된다. 일 실시예에서, 구조체(506)는 액추에이터(508)에 의해, 기판 테이블(106)이 그곳에 없다면 도 16(a)에 도시되어 있는 기판 테이블(106)의 센서(500)의 위치로 이동될 수 있다. 구조체(506)는 프레임(160)에 부착될 수 있고 프레임(160)에 대해 변위가능할 수 있다.Referring to Figure 16 (a), there is shown a schematic side view of a portion of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention. In this example, only one array 200 is shown and other parts of the lithographic apparatus are omitted for simplicity; The sensors described herein may be applied to each of the arrays 200 or some of the arrays 200. Some additional or alternative embodiments of the position of the sensor 500 are shown in Figure 16 (a) (in addition to the sensor 500 of the substrate table 106). The first embodiment is a sensor 500 on a frame 160 that receives radiation from an individually controllable element 102 through a beam redirecting structure 502 (e.g., a reflective mirror configuration). In this first embodiment, the individually controllable element 102 moves in the XY plane, so that different elements of the individually controllable element 102 can be positioned to provide radiation to the beam redirecting structure 502 have. An additional or alternate second embodiment is a system that receives radiation from an individually controllable element 102 from the rear side of the individually controllable element 102, i.e., from the opposite side of the side from which exposure radiation is provided, And a sensor 500 on the frame 160. In this second embodiment, the individually controllable element 102 moves in the X-Y plane, so that different elements of the individually controllable element 102 can be positioned to provide radiation to the sensor 500. [ Although the sensor 500 in the second embodiment is shown in the path of the individually controllable element 102 in the exposure area 204, the sensor 500 can be located where the sensor 510 is shown . In one embodiment, the sensor 500 on the frame 160 may be in a fixed position, or may be movable, e.g., by a corresponding actuator. The first and second embodiments may be used to provide "on-the-fly" sensing in addition to or as an alternative to pre- and / or post-exposure sensing. The third embodiment is a sensor 500 on the structures 504 and 506. Structures 504 and 506 may be movable by an actuator 508. [ In one embodiment, the structure 504 is located below the path through which the substrate table is movable (as shown in Figure 16 (a)) or on the side of such a path. In one embodiment, the structure 504 can be moved by the actuator 508 to the position of the sensor 500 of the substrate table 106 shown in Figure 16 (a) if the substrate table 106 is not there And if the structure 504 is on the side of the path, this movement can be in the Z-direction (as shown in Figure 16 (a)) or in the X and / or Y directions. In one embodiment, the structure 506 is located on a path over which the substrate table can be moved (as shown in Figure 16 (a)) or on the side of such a path. In one embodiment, the structure 506 can be moved by the actuator 508 to the position of the sensor 500 of the substrate table 106 shown in Figure 16 (a) if the substrate table 106 is not there have. The structure 506 can be attached to the frame 160 and be displaceable relative to the frame 160. [

하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의해 기판을 향해 전달되거나 전달될 방사선의 특성을 측정하기 위한 동작으로서, 센서(500) 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 방사선 빔을 이동시킴으로써, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선의 경로에 센서(500)를 위치시킨다. 그러므로, 일례로서 기판 테이블(106)은, 도 16(a)에 도시되어 있는 바와 같이 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선의 경로에 센서(500)를 위치시키도록 이동될 수 있다. 이러한 경우, 센서(500)는 노광 영역(204)에서 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 경로 내에 위치된다. 일 실시예에서, 센서(500)는 노광 영역(204) 외부의 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 빔 재안내 구조체(502)가 그곳에 없다면, 좌측 편에 도시되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소(102))의 경로 내에 위치될 수 있다. 일단 방사선의 경로에 위치되면, 센서(500)는 방사선을 검출하고 방사선의 특성을 측정할 수 있다. 감지를 용이하게 하기 위해, 센서(500)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 이동할 수 있고, 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 센서(500)에 대해 이동될 수 있다. By moving the radiation beam of the sensor 500 and / or the individually controllable element 102, as an operation for measuring the characteristics of the radiation to be transferred or transmitted to the substrate by the one or more individually controllable elements 102 , Placing the sensor (500) in the path of radiation from the individually controllable element (102). Thus, by way of example, the substrate table 106 can be moved to position the sensor 500 in the path of radiation from the individually controllable element 102 as shown in Figure 16 (a). In this case, the sensor 500 is located in the path of the individually controllable element 102 in the exposure area 204. [ In one embodiment, the sensor 500 is configured to control the individually controllable elements 102 (e.g., the beam re-directing structure 502, if it is not there, Lt; / RTI > possible element 102). Once located in the path of radiation, the sensor 500 can detect the radiation and measure the characteristics of the radiation. To facilitate sensing, the sensor 500 can move relative to the individually controllable element 102, and / or the individually controllable element 102 can be moved relative to the sensor 500.

추가적인 예로서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선이 빔 재안내 구조체(502) 상에 충돌하도록 하는 위치로, 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 이동될 수 있다. 빔 재안내 구조체(502)는 빔을 프레임(160) 상의 센서(500)로 안내한다. 감지를 용이하게 하기 위해, 센서(500)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 이동할 수 있고, 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 센서(500)에 대하여 이동될 수 있다. 본 예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 노광 영역(204) 외부에서 측정된다. As a further example, the individually controllable element 102 may be moved to a position such that radiation from the individually controllable element 102 collides against the beam redirecting structure 502. The beam redirecting structure 502 directs the beam to the sensor 500 on the frame 160. To facilitate sensing, the sensor 500 may move relative to the individually controllable element 102, and / or the individually controllable element 102 may be moved relative to the sensor 500. In this example, the individually controllable element 102 is measured outside the exposure area 204.

일 실시예에서, 센서(500)는 고정되거나 이동될 수 있다. 고정된 경우, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 바람직하게는 감지를 용이하게 하기 위해 고정형 센서(500)에 대하여 이동가능하다. 예를 들어, 어레이(200)는 센서(500)에 의한 감지를 용이하게 하기 위해 센서(500)(예를 들면, 프레임(160) 상의 센서(500))에 대하여 이동(예컨대, 회전 또는 병진 운동)될 수 있다. 센서(500)가 이동가능한 경우(예를 들어, 기판 테이블(106) 상의 센서(500)), 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 감지를 위해 정지된 채로 유지될 수 있거나, 또는 예를 들어 감지의 속도를 높이기 위해 이동될 수 있다.In one embodiment, the sensor 500 may be fixed or movable. When fixed, the individually controllable element 102 is preferably movable relative to the stationary sensor 500 to facilitate sensing. For example, the array 200 may be moved (e.g., rotated or translated) relative to the sensor 500 (e.g., the sensor 500 on the frame 160) to facilitate sensing by the sensor 500. For example, ). When the sensor 500 is movable (e.g., the sensor 500 on the substrate table 106), the individually controllable element 102 can be kept stationary for sensing, Lt; RTI ID = 0.0 > speed. ≪ / RTI >

센서(500)는 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 캘리브레이션(calibration)하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 스팟의 위치는, 노광 전에 센서(500)에 의해 검출될 수 있고, 이에 따라 시스템이 캘리브레이션된다. 그 다음에, 스팟의 이러한 예상된 위치에 기초하여 노광이 조절될 수 있다(예를 들어, 기판(114)의 위치가 제어되고, 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 위치가 제어되며, 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 턴오프 또는 턴온이 제어되는 등). 나아가, 후속적으로 캘리브레이션이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 캘리브레이션은 노광 직후에, 추가적인 노광 전에, 예를 들어 기판 테이블(106)의 후단 에지 상의 센서(500)를 이용하여 이루어질 수 있다. 캘리브레이션은 각 노광 전에, 특정한 횟수의 노광 후에 이루어질 수 있다. 나아가, 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 스팟의 위치는 센서(500)를 이용하여 "온-더-플라이"로 검출될 수 있고, 따라서 노광이 조절된다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 아마도 "온-더-플라이" 감지에 기초하여 다시 캘리브레이션될 수 있다.The sensor 500 may be used to calibrate one or more of the individually controllable elements 102. For example, the position of the spot of the individually controllable element 102 can be detected by the sensor 500 before exposure, and the system is thereby calibrated. The exposure can then be adjusted based on this expected position of the spot (e.g., the position of the substrate 114 is controlled, the position of the individually controllable element 102 is controlled, The turn-off or turn-on of the controllable element 102 is controlled, etc.). Furthermore, calibration may be performed subsequently. For example, calibration may be performed immediately after exposure, prior to additional exposure, e.g., using sensor 500 on the trailing edge of substrate table 106. Calibration may be performed before each exposure, after a specific number of exposures. Further, the position of the spots of the individually controllable element 102 can be detected with the sensor 500 as "on-the-fly" The individually controllable element 102 may be re-calibrated based on perhaps "on-the-fly" sensing.

일 실시예에서, 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 개별적으로 제어가능한 요소(102) 중 어느 것이 특정 위치에 있는지 또는 이용 중인지를 검출할 수 있도록 코딩될 수 있다. 일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 마커를 포함할 수 있고, 센서(510)는 RFID일 수 있는 마커, 바코드 등을 검출하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102) 각각은 마커를 판독하기 위해 센서(510)에 인접하도록 이동될 수 있다. 개별적으로 제어가능한 요소(102) 중 어느 것이 센서(510)에 인접하는지에 대해 알게 되면, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 중 어느 것이 센서(500)에 인접하는지, 노광 영역(204)에 있는지 등을 알 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 상이한 주파수를 갖는 방사선을 제공하기 위해 이용될 수 있고, 센서(500, 510)는 개별적으로 제어가능한 요소(102) 중 어느 것이 센서(500, 510)에 인접하는지를 검출하기 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102) 각각은 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선을 수신하는 센서(500, 510)에 인접하도록 이동될 수 있고, 그 다음에 센서(500, 510)는 수신된 방사선을 역다중화하여 특정 시간에 개별적으로 제어가능한 요소(102) 중 어느 것이 센서(500, 510)에 인접하였는지를 결정할 수 있다. 이러한 정보로부터, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 중 어느 것이 센서(500)에 인접하는지, 노광 영역(204)에 있는지 등을 알 수 있다.In one embodiment, one or more of the individually controllable elements 102 can be coded to detect which of the individually controllable elements 102 is in a particular position or in use. In one embodiment, the individually controllable element 102 may include a marker, and the sensor 510 may be used to detect markers, barcodes, and the like, which may be RFID tags. For example, each of the plurality of individually controllable elements 102 may be moved adjacent the sensor 510 to read the marker. Knowing which of the individually controllable elements 102 are adjacent to the sensor 510 determines which of the individually controllable elements 102 is adjacent to the sensor 500, in the exposure area 204, etc. . In one embodiment, each individually controllable element 102 may be used to provide radiation having a different frequency, and the sensors 500, 510 may be any of the individually controllable elements 102, 500, < RTI ID = 0.0 > 510). ≪ / RTI > For example, each of a plurality of individually controllable elements 102 may be moved adjacent a sensor 500, 510 that receives radiation from an individually controllable element 102, , 510 may demultiplex the received radiation to determine which of the individually controllable elements 102 is adjacent to the sensor 500, 510 at a particular time. From this information, it can be seen which of the individually controllable elements 102 is adjacent to the sensor 500, in the exposure area 204, and so on.

일 실시예에서, 위에서 논의된 바와 같이, 6 이하의 자유도로 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 위치를 결정하기 위해 위치 센서가 제공될 수 있다. 예를 들어, 센서(510)는 위치 검출을 위해 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 센서(510)는 간섭계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 센서(510)는 하나 이상의 1차원 인코더 격자 및/또는 하나 이상의 2차원 인코더 격자를 검출하기 위해 이용될 수 있는 인코더를 포함할 수 있다.In one embodiment, as discussed above, a position sensor may be provided to determine the position of one or more individually controllable elements 102 with a freedom of six or less. For example, the sensor 510 may be used for position detection. In one embodiment, the sensor 510 may comprise an interferometer. In one embodiment, the sensor 510 may include an encoder that may be used to detect one or more one-dimensional encoder gratings and / or one or more two-dimensional encoder gratings.

일 실시예에서, 센서(520)는 기판으로 전달된 방사선의 특성을 결정하기 위해 제공될 수 있다. 이러한 실시예에서, 센서(520)는 기판에 의해 재안내된 방사선을 캡쳐한다. 예시적인 용도로, 센서(520)에 의해 캡쳐되는 재안내된 방사선은 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 스팟의 위치를 결정하는 것을 용이하게 하기 위해 이용될 수 있다(예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 스팟의 오정렬의 경우). 특히, 센서(520)는 기판 중 방금 노광된 부분으로부터 재안내된 방사선, 즉 잠상을 캡쳐할 수 있다. 이러한 미부(tail)의 재안내된 방사선의 세기에 대한 측정은, 스팟이 적절히 정렬되었는지 여부에 대한 표시를 제공할 수 있다. 예를 들어, 이러한 미부의 반복된 측정은 반복적인 신호를 제공할 수 있고, 이러한 신호로부터의 편차는 스팟의 오정렬을 나타낼 것이다(예를 들어, 위상을 벗어난 신호는 오정렬을 나타낼 수 있다). 도 16(b)는 기판(114)의 노광된 영역(522)에 대한 센서(520)의 검출 영역의 개략적인 위치를 나타낸다. 본 실시예에서, 3개의 검출 영역이 도시되고, 이의 결과는 오정렬의 인식을 돕기 위해 비교 및/또는 조합될 수 있다. 단지 하나의 검출 영역, 예를 들면 좌측 편에 있는 검출 영역이 이용될 필요가 있다. 일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 검출기(262)는 센서(520)와 유사한 방식으로 이용될 수 있다. 예를 들어, 우측 편에 있는 어레이(200)의 노광 영역(204) 외부의 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 기판 상에서 잠상으로부터 재안내된 방사선을 검출하는데 이용될 수 있다.In one embodiment, the sensor 520 may be provided to determine the characteristics of the radiation delivered to the substrate. In this embodiment, the sensor 520 captures the radiation guided by the substrate. For example purposes, the re-directed radiation captured by the sensor 520 may be used to facilitate determining the position of the radiation spot from the individually controllable element 102 (e.g., In the case of misalignment of the radiation spot from the controllable element 102). In particular, the sensor 520 can capture the redirected radiation, i.e., latent image, from the portion just exposed in the substrate. The measurement of the intensity of the re-directed radiation of this tail may provide an indication as to whether or not the spot is properly aligned. For example, repeated measurements of these tail may provide a repetitive signal, and deviations from this signal will indicate a misalignment of the spot (e.g., out-of-phase signals may indicate misalignment). 16B shows the schematic position of the detection area of the sensor 520 with respect to the exposed area 522 of the substrate 114. As shown in Fig. In this embodiment, three detection regions are shown and the results thereof may be compared and / or combined to aid in the recognition of misalignment. Only one detection area, for example, the detection area on the left side needs to be used. In one embodiment, the detector 262 of the individually controllable element 102 may be used in a manner similar to the sensor 520. [ For example, one or more individually controllable elements 102 outside the exposure area 204 of the array 200 on the right hand side can be used to detect the redirected radiation from the latent image on the substrate.

도 17은 리소그래피 장치의 일 실시예를 나타낸다. 본 실시예에서, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 회전가능한 폴리곤(600; polygon)을 향해 방사선을 안내한다. 방사선이 충돌하는 폴리곤(600)의 표면(604)은 렌즈 어레이(170)를 향해 방사선을 재안내한다. 렌즈 어레이(170)는 기판(114)을 향해 방사선을 재안내한다. 노광 중에, 폴리곤(600)은 축(602)을 중심으로 회전하여, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102) 각각으로부터의 개별적인 빔을 Y 방향으로 렌즈 어레이(170)에 걸쳐 이동하도록 한다. 구체적으로, 이러한 빔은 폴리곤(600)의 각각의 새로운 면이 방사선과 충돌함에 따라 양의 Y 방향으로 렌즈 어레이(170)에 걸쳐 반복적으로 스캔할 것이다. 본원에서 기술된 바와 같이, 원하는 패턴을 제공하도록 노광 중에 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 변조된다. 폴리곤은 임의의 수의 적절한 변을 가질 수 있다. 나아가, 렌즈 어레이(170)의 렌즈에 각각의 빔이 충돌하도록, 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 회전형 폴리곤(600)과 타이밍을 맞추어 변조된다. 일 실시예에서, 폴리곤의 반대 측에, 즉 우측 편에, 추가적인 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 제공되어, 폴리곤(600)의 표면(606)에 방사선이 충돌하도록 할 수 있다.17 shows an embodiment of a lithographic apparatus. In the present embodiment, a plurality of individually controllable elements 102 direct radiation toward a rotatable polygon 600 (polygon). The surface 604 of the polygon 600 where the radiation impinges redirects the radiation toward the lens array 170. The lens array 170 redirects the radiation toward the substrate 114. During exposure, polygon 600 rotates about axis 602 to move individual beams from each of a plurality of individually controllable elements 102 across lens array 170 in the Y direction. Specifically, this beam will scan repeatedly across the lens array 170 in the positive Y direction as each new face of the polygon 600 collides with the radiation. As described herein, the individually controllable element 102 is modulated during exposure to provide the desired pattern. The polygon may have any number of suitable sides. Further, the individually controllable element 102 is modulated in timing with the rotatable polygon 600 such that each beam impinges on the lens of the lens array 170. [ In one embodiment, an additional plurality of individually controllable elements 102 may be provided on the opposite side of the polygon, i.e., on the right side, to cause radiation to impinge on the surface 606 of the polygon 600. [

일 실시예에서, 진동형 광학 요소가 폴리곤(600) 대신에 이용될 수 있다. 진동형 광학 요소는 렌즈 어레이(170)에 대하여 임의의 고정된 각도를 갖고, Y 방향으로 전후로 병진 운동하여 빔이 렌즈 어레이(170)에 걸쳐 Y 방향으로 전후로 스캔될 수 있게 한다. 일 실시예에서, 축(602)을 중심으로 호를 그리며 전후로 회전형 광학 요소가 폴리곤(600) 대신에 이용될 수 있다. 호를 그리며 광학 요소를 전후로 회전시킴으로써, 빔은 렌즈 어레이(170)에 걸쳐 Y 방향으로 전후로 스캔된다. 일 실시예에서, 폴리곤(600), 진동 광학 요소, 및/또는 회전형 광학 요소는 하나 이상의 미러 표면을 갖는다. 일 실시예에서, 폴리곤(600), 진동형 광학 요소, 및/또는 회전형 광학 요소는 프리즘을 포함한다. 일 실시예에서, 폴리곤(600) 대신에 음향-광학 변조기가 이용될 수 있다. 음향-광학 변조기는 렌즈 어레이(170)에 걸쳐 빔을 스캔하기 위해 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 렌즈 어레이(170)가 방사선 경로에서 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)와 폴리곤(600), 진동형 광학 요소, 회전형 광학 요소, 및/또는 음향-광학 변조기 사이에 배치될 수 있다.In one embodiment, a vibrating optical element may be used in place of the polygon 600. The oscillating optical element has an arbitrary fixed angle to the lens array 170 and translates back and forth in the Y direction so that the beam can be scanned back and forth in the Y direction across the lens array 170. In one embodiment, a rotatable optical element may be used in place of the polygon 600 before and after arcing about an axis 602. By rotating the optical element back and forth while drawing the arc, the beam is scanned back and forth in the Y direction across the lens array 170. In one embodiment, the polygon 600, the vibration optical element, and / or the rotatable optical element have one or more mirror surfaces. In one embodiment, polygon 600, oscillating optical element, and / or rotatable optical element comprise a prism. In one embodiment, an acousto-optic modulator may be used in place of the polygon 600. [ An acousto-optic modulator may be used to scan the beam across the lens array 170. In one embodiment, a lens array 170 is disposed between the plurality of individually controllable elements 102 in the radiation path and the polygon 600, oscillating optical element, rotatable optical element, and / or acousto-optical modulator .

따라서, 일반적으로 노광 영역(예컨대, 기판)의 폭은, 노광 영역의 폭으로 분할된 방사선 출력의 폭보다 적은 방사선 출력으로 커버될 수 있다. 일 실시예에서, 이는 노광 영역에 대해 방사선 빔 소스를 이동시키거나 노광 영역에 대해 방사선 빔을 이동시키는 것을 포함할 수 있다. Thus, in general, the width of the exposure area (e.g., substrate) can be covered with a radiation output that is less than the width of the radiation output divided by the width of the exposure area. In one embodiment, this may include moving the radiation beam source relative to the exposure area or moving the radiation beam relative to the exposure area.

도 18은 본 발명의 일 실시예에 따라 이동가능한 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 갖는 리소그래피 장치(100)의 개략적인 측단면도이다. 도 5에 도시되어 있는 리소그래피 장치와 마찬가지로, 리소그래피 장치(100)는 기판을 홀딩하기 위한 기판 테이블(106), 및 6 이하의 자유도로 기판 테이블(106)을 이동시키기 위한 위치 설정기구(116)를 포함한다.18 is a schematic side cross-sectional view of a lithographic apparatus 100 having an individually controllable element 102 movable in accordance with an embodiment of the present invention. 5, the lithographic apparatus 100 includes a substrate table 106 for holding a substrate and a positioning mechanism 116 for moving the substrate table 106 to a degree of freedom of 6 or less .

리소그래피 장치(100)는 프레임(160) 상에 배열된 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 더 포함한다. 본 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어, 레이저 다이오드, 예컨대 청자색 레이저 다이오드이다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 Y 방향을 따라 연장되는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 어레이(200)로 배열된다. 하나의 어레이(200)가 도시되어 있지만, 리소그래피 장치는 예를 들어 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 복수의 어레이(200)를 포함할 수 있다.The lithographic apparatus 100 further includes a plurality of individually controllable elements 102 arranged on the frame 160. In this embodiment, each individually controllable element 102 is a radiation emitting diode, e.g., a laser diode, such as a violet laser diode. The individually controllable elements 102 are arranged in an array 200 of individually controllable elements 102 that extend along the Y direction. Although one array 200 is shown, the lithographic apparatus may include a plurality of arrays 200, for example, as shown in FIG.

본 실시예에서, 어레이(200)는 회전가능한 플레이트이고, 복수의 공간적으로 분리된 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 이러한 회전가능한 플레이트 주위에 배열된다. 사용 시에, 플레이트는 자신의 축(206)을 중심으로, 예를 들어 도 5에서 화살표로 나타낸 방향으로 회전한다. 어레이(200)의 플레이트는 모터(216)를 이용하여 축(206)을 중심으로 회전한다. 또한, 어레이(200)의 플레이트는 모터(216)에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있어 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 기판 테이블(106)에 대하여 변위될 수 있다. In this embodiment, the array 200 is a rotatable plate, and a plurality of spatially separated, individually controllable elements 102 are arranged around this rotatable plate. In use, the plate rotates about its axis 206, for example in the direction indicated by the arrow in Fig. The plate of the array 200 rotates about an axis 206 using a motor 216. In addition, the plate of the array 200 can be moved in the Z direction by the motor 216 so that the individually controllable elements 102 can be displaced with respect to the substrate table 106.

본 실시예에서, 어레이(200)는 열 방산을 위해 표면적을 증가시키도록 하나 이상의 핀(230)을 포함할 수 있다. 핀(들)(230)은 예를 들어 어레이(200)의 상부면 상에 있을 수 있다. 선택적으로, 열 방산을 용이하게 하기 위해 핀(들)(230)과 협력하도록 하나 이상의 추가적인 핀(232)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 핀(들)(232)은 핀(들)(230)으로부터 열을 흡수할 수 있고, 도 7(f)에 대해 도시되고 기술된 것과 유사한 유체(예를 들어, 액체) 전도 채널 및 연관된 열 교환기/펌프를 포함할 수 있다. In this embodiment, the array 200 may include one or more pins 230 to increase the surface area for heat dissipation. The pin (s) 230 may be, for example, on the top surface of the array 200. Optionally, one or more additional pins 232 may be provided to cooperate with pin (s) 230 to facilitate heat dissipation. For example, the pin (s) 232 may absorb heat from the pin (s) 230 and may be a fluid (e.g., liquid) conduction channel similar to that shown and described with respect to Figure 7 (f) And an associated heat exchanger / pump.

본 실시예에서, 렌즈(242)가 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102) 전방에 위치할 수 있고, 개별적으로 제어가능한 요소(102)와 함께 이동가능(예를 들어, 축(A)을 중심으로 회전가능)할 수 있다. 도 18에는, 2개의 렌즈(242)가 도시되어 있고 어레이(200)에 부착되어 있다. 또한, 렌즈(242)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 변위가능할 수 있다(예를 들어, Z 방향으로).In this embodiment, a lens 242 may be positioned in front of each individually controllable element 102 and may be movable with the individually controllable element 102 (e.g., As shown in Fig. In FIG. 18, two lenses 242 are shown and attached to the array 200. In addition, the lens 242 may be displaceable relative to the individually controllable element 102 (e.g., in the Z direction).

본 실시예에서, 그 안에 개구부를 갖는 개구부 구조체(248)가 렌즈(242) 위에, 렌즈(242)와 대응하는 개별적으로 제어가능한 요소(102) 사이에 위치할 수 있다. 개구부 구조체(248)는 렌즈(242), 대응하는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102), 및/또는 인접한 렌즈(242)/개별적으로 제어가능한 요소(102)의 회절 효과를 제한할 수 있다.In this embodiment, an aperture structure 248 having an aperture therein may be located on the lens 242, between the lens 242 and the corresponding individually controllable element 102. The aperture structure 248 may limit the diffraction effects of the lens 242, the corresponding individually addressable element 102, and / or the adjacent lens 242 / individually controllable element 102. [

본 실시예에서, 센서(254)에는 개별적으로 어드레스가능한 요소(102)(또는 어레이(200)의 복수의 개별적으로 어드레스가능한 요소(102))가 제공될 수 있다. 본 실시예에서, 센서(254)는 초점을 검출하도록 구성된다. 초점 검출 빔(256)은 기판 표면으로부터 재안내(예를 들면, 반사)되고, 렌즈(242)를 통과하여, 예컨대 반-은도금 거울(258)에 의해 검출기(262)를 향해 안내된다. 일 실시예에서, 초점 검출 빔(256)은 기판으로부터 재안내될 수 있는, 노광 용도로 이용되는 방사선일 수 있다. 일 실시예에서, 초점 검출 빔(256)은 기판으로 안내되는 전용 빔일 수 있고, 이러한 전용 빔은 기판에 의해 재안내되는 경우 빔(256)이 된다. 예시적인 초점 센서가 도 7(o)와 관련하여 전술한 바 있다. 미러(258) 및 검출기(262)는 어레이(200)에 장착될 수 있다. In this embodiment, the sensor 254 may be provided with an individually addressable element 102 (or a plurality of individually addressable elements 102 of the array 200). In this embodiment, the sensor 254 is configured to detect focus. The focus detection beam 256 is redirected (e.g., reflected) from the substrate surface and is directed through the lens 242 towards the detector 262, for example, by a half-silvering mirror 258. In one embodiment, the focus detection beam 256 may be radiation used for exposure purposes, which may be redirected from the substrate. In one embodiment, the focus detection beam 256 can be a dedicated beam that is guided to the substrate, which becomes beam 256 when redirected by the substrate. An exemplary focus sensor has been described above with respect to Figure 7 (o). Mirror 258 and detector 262 may be mounted to array 200.

본 실시예에서, 제어 신호는 유선 또는 무선 통신에 의해, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)에 제공될 수 있다. 또한, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및/또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)로부터의 신호가 제어기로 통신될 수 있다. 도 18에서, 회전축(206)을 따라 라인(들)(404)이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 라인(들)(404)은 광학 라인일 수 있다. 이러한 경우, 신호는 예를 들어 상이한 제어 신호가 상이한 파장으로 전달될 수 있는 광학 신호일 수 있다. 제어 신호와 유사한 방식으로, 유선 또는 무선 수단에 의해, 개별적으로 제어가능한 요소(102) 또는 하나 이상의 다른 디바이스(예를 들어, 센서)에 전력이 공급될 수 있다. 예를 들어, 유선 실시예에서, 신호를 전달하는 라인과 동일한지 여부와 관계없이, 전력이 하나 이상의 라인들(404)에 의해 공급될 수 있다. 무선 실시예에서, 전력은 700에 도시되어 있는 바와 같이 RF 커플링에 의해 전달될 수 있다.In this embodiment, the control signals may be provided to the individually controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) by wire or wireless communication. In addition, signals from the individually controllable element 102 and / or one or more other devices (e.g., sensors) may be communicated to the controller. In FIG. 18, line (s) 404 may be provided along the axis of rotation 206. In one embodiment, line (s) 404 may be an optical line. In this case, the signal may be, for example, an optical signal over which different control signals can be transmitted at different wavelengths. Power can be supplied to the individually controllable element 102 or to one or more other devices (e.g., sensors), by wired or wireless means, in a manner similar to control signals. For example, in a wireline embodiment, power may be supplied by one or more lines 404, regardless of whether it is the same as the line carrying the signal. In a wireless embodiment, power may be delivered by RF coupling, as shown at 700.

본 실시예에서, 리소그래피 장치는 하나 이상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 의해 기판을 향해 전달되거나 전달될 방사선의 특성을 측정하기 위한 센서(500)를 포함할 수 있다. 이러한 센서는 스팟 센서 또는 투과 이미지 센서일 수 있다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 세기, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선의 균일성, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 스팟의 단면 크기 또는 영역, 및/또는 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 방사선 스팟의 (X-Y 평면 상의) 위치를 결정하는데 이러한 센서가 이용될 수 있다. 본 실시예에서, 센서(500)는 프레임(160) 상에 있고, 기판 테이블(106)에 인접할 수 있거나 기판 테이블(106)을 통해 접근가능할 수 있다.In the present embodiment, the lithographic apparatus may comprise a sensor 500 for measuring the characteristics of radiation to be transmitted or transmitted towards the substrate by one or more of the individually controllable elements 102. [ Such a sensor may be a spot sensor or a transmission image sensor. The radiation intensity from the individually controllable element 102, the uniformity of the radiation from the individually controllable element 102, the cross-sectional size or area of the radiation spot from the individually controllable element 102, and / Such a sensor can be used to determine the position (on the XY plane) of the radiation spot from the controllable element 102. In this embodiment, the sensor 500 is on the frame 160, may be adjacent to the substrate table 106, or accessible through the substrate table 106.

일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 X-Y 평면에서 이동가능하기 보다는, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 기판의 노광 중에 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 X-Y 평면에서 이동할 수 없다는 의미는 아니다. 예를 들어, 이러한 요소는 이들의 위치를 수정하기 위해 X-Y 평면에서 이동가능할 수 있다. 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 갖는 것의 가능한 장점은, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 보다 손쉽게 전력 및/또는 데이터 전달이 이루어질 수 있다는 점이다. 추가적이거나 대안적으로 가능한 장점은, 시스템의 초점 깊이보다 크고, 이동형 제어가능한 요소의 피치보다 높은 공간 주파수인 기판에서의 높이 차이를 보상하기 위해 초점을 국소적으로 조정하는 능력이 개선된다는 점이다. In one embodiment, rather than the individually controllable element 102 being movable in the X-Y plane, the individually controllable element 102 is substantially fixed in the X-Y plane during exposure of the substrate. It does not mean that the individually controllable element 102 can not move in the X-Y plane. For example, these elements may be movable in the X-Y plane to modify their position. A possible advantage of having a substantially fixed individually controllable element 102 is that power and / or data transfer can be made to the individually controllable element 102 more easily. A further or alternative possible advantage is that the ability to locally adjust the focus to compensate for height differences in the substrate that is greater than the focal depth of the system and is higher than the pitch of the movable controllable element is improved.

본 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 실질적으로 고정되어 있지만, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대해 이동하는 적어도 하나의 광학 요소가 있다. X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 다양한 구성들 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소가 이제부터 기술된다.In this embodiment, the individually controllable element 102 is substantially fixed, but there is at least one optical element that moves relative to the individually controllable element 102. The various configurations of the individually controllable element 102 that are substantially fixed in the X-Y plane and the optical elements that are movable relative thereto are now described.

이후의 설명에서, 용어 "렌즈"는 일반적으로, 문맥이 허용하는 한 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 및 정전기형 광학 컴포넌트를 포함하는 다양한 유형의 광학 컴포넌트 중 임의의 하나 또는 이들의 조합, 예를 들면 참조된 렌즈와 동일한 기능을 제공하는 임의의 굴절형, 반사형, 및/또는 회절 광학 요소를 포괄하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, 이미징 렌즈는 광 전력을 갖는 기존 굴절형 렌즈의 형태, 광 전력을 갖는 슈바르츠실트(Schwarzschild) 반사형 시스템의 형태, 및/또는 광 전력을 갖는 존 플레이트(zone plate)의 형태로 구현될 수 있다. 나아가 이미징 렌즈는, 결과적인 효과가 기판 상에 수렴하는 빔을 생성하는 것이라면, 비-이미징 광학기기를 포함할 수 있다.In the following description, the term "lens" generally refers to any one or any of various types of optical components including refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, and electrostatic optical components, Reflective, and / or diffractive optical element that provides the same function as the lens, lens, or combination of lenses, for example, the referenced lens. For example, an imaging lens may be implemented in the form of a conventional refractive lens with optical power, in the form of a Schwarzschild reflective system with optical power, and / or in the form of a zone plate with optical power . Further, the imaging lens may include non-imaging optics if the resulting effect is to produce a beam that converges on the substrate.

또한 이후의 설명에서는, 미러 어레이 변조기의 미러 또는 복수의 방사선 소스과 같은 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 참조한다. 그러나, 이러한 설명은 보다 일반적으로 복수의 빔을 출력하도록 구성된 변조기를 지칭하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, 변조기는 방사선 소스에 의해 제공되는 빔으로부터 복수의 빔을 출력하기 위한 음향-광학 변조기일 수 있다.In the following description, too, reference is made to a plurality of individually controllable elements 102, such as a mirror of a mirror array modulator or a plurality of radiation sources. However, it should be understood that this description refers more generally to a modulator configured to output a plurality of beams. For example, the modulator may be an acousto-optic modulator for outputting a plurality of beams from a beam provided by the radiation source.

도 19는 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 레이저 다이오드) 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소(242)를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 평면도 레이아웃이다. 본 실시예에서는, 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 프레임에 부착되어 있고 X-Y 평면에서 실질적으로 고정되어 있으며, 복수의 이미징 렌즈(242)는 이러한 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 실질적으로 X-Y 평면에서 이동하고(도 19에서 휠(801)의 회전 표시로 나타낸 바와 같이), 기판은 방향(803)으로 이동한다. 일 실시예에서, 이미징 렌즈(242)는 축을 중심으로 회전함으로써 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대해 이동한다. 일 실시예에서, 이미징 렌즈(242)는 축을 중심으로 (예를 들면, 도 19에 도시되어 있는 방향으로) 회전형 구조체 상에 장착되고 원형으로 (예를 들면, 도 19에 부분적으로 도시되어 있는 바와 같이) 배열된다. Figure 19 is a schematic diagram of an optical system according to an embodiment of the present invention having a plurality of individually controllable elements 102 (e.g., laser diodes) and a movable optical element 242 Is a schematic plan view layout for some of the lithographic apparatus. In this embodiment, a plurality of individually controllable elements 102 are attached to the frame and are substantially fixed in the XY plane, and the plurality of imaging lenses 242 are substantially (As indicated by the rotational display of wheel 801 in Fig. 19), and the substrate moves in direction 803. In this way, In one embodiment, the imaging lens 242 moves relative to the individually controllable element 102 by rotating about an axis. In one embodiment, the imaging lens 242 is mounted on the rotatable structure about an axis (e.g., in the direction shown in Figure 19) and is mounted in a circular fashion (e. G., Partially shown in Figure 19) As shown in FIG.

각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 이동형 이미징 렌즈(242)에 시준된 빔을 제공한다. 일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 하나 이상의 시준 렌즈와 연관되어 시준된 빔을 제공한다. 일 실시예에서, 시준 렌즈(들)는 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있고 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 부착되어 있는 프레임에 부착된다. Each individually controllable element 102 provides a collimated beam to a mobile imaging lens 242. [ In one embodiment, the individually controllable element 102 is associated with one or more collimating lenses to provide a collimated beam. In one embodiment, the collimating lens (s) is attached to a frame that is substantially fixed to the X-Y plane and to which the individually controllable element 102 is attached.

본 실시예에서, 시준된 빔의 단면 폭은 이미징 렌즈(242)의 단면 폭보다 작다. 따라서 시준된 빔이 이미징 렌즈(242)의 광학적으로 투과성이 있는 부분 내에 완전히 들어오자마자, 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 레이저 다이오드)가 스위치 온 될 수 있다. 그 다음에, 빔이 이미징 렌즈(242)의 광학적으로 투과성이 있는 부분의 외부로 빠질 때 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 레이저 다이오드)는 스위치 오프 된다. 따라서, 일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 빔은 어느 때든지 단일한 이미징 렌즈(242)를 통과한다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 빔에 대한 이미징 렌즈(242)의 결과적인 횡단은, 턴온되는 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터 기판 상에 대응하는 이미징된 라인(800)을 생성한다. 도 19에서는, 3개의 이미징된 라인(800)이, 도 19에서 3개의 예시적인 개별적으로 제어가능한 요소(102) 각각에 대해 도시되어 있지만, 도 19에서 나머지 개별적으로 제어가능한 요소(102)도 기판 상에 대응하는 이미징된 라인(800)을 생성할 수 있음이 명백할 것이다.In this embodiment, the cross-sectional width of the collimated beam is smaller than the cross-sectional width of the imaging lens 242. [ Thus, as soon as the collimated beam enters the optically transmissive portion of the imaging lens 242, the individually controllable element 102 (e.g., a laser diode) can be switched on. The individually controllable element 102 (e.g., a laser diode) is then switched off when the beam exits the optically transmissive portion of the imaging lens 242. Thus, in one embodiment, the beam from the individually controllable element 102 passes through a single imaging lens 242 at any time. The resulting traversal of the imaging lens 242 to the beam from the individually controllable element 102 produces a corresponding imaged line 800 on the substrate from each individually controllable element 102 that is turned on do. 19, three imaged lines 800 are shown for each of the three exemplary individually controllable elements 102 in FIG. 19, but the remaining individually controllable elements 102 in FIG. Lt; RTI ID = 0.0 > 800 < / RTI >

도 19의 레이아웃에서, 이미징 렌즈(242) 피치는 1.5mm일 수 있고, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 빔의 단면 폭(예를 들면, 지름)은 0.5mm 보다 약간 작다. 이러한 구성을 이용하면, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)로, 길이가 약 1mm인 라인을 기록하는 것이 가능하다. 그러므로, 0.5mm의 빔 지름 및 1.5mm의 이미징 렌즈(242) 지름의 이러한 구성에서, 듀티 사이클은 67% 정도로 높을 수 있다. 이미징 렌즈(242)에 대해 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 적절히 위치시킴으로써, 기판의 폭에 걸쳐 완전한 커버리지가 가능하다. 그러므로, 예를 들어 단지 표준 5.6mm 지름의 레이저 다이오드가 이용되는 경우, 도 19에 도시되어 있는 바와 같이, 레이저 다이오드의 몇몇 동심 링이 기판 폭에 걸쳐 전체 커버리지를 획득하기 위해 이용될 수 있다. 그러므로, 본 실시예에서, 단지 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 고정형 어레이를 이용하거나 아마도 본원에서 기술되는 이동형 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 이용하는 것보다 적은 수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 레이저 다이오드)를 이용하는 것이 가능할 수 있다.19, the imaging lens 242 pitch can be 1.5 mm, and the cross-sectional width (e.g., diameter) of the beam from each individually controllable element 102 is slightly less than 0.5 mm. With this configuration, it is possible to record a line with a length of about 1 mm, with each individually controllable element 102. Thus, in this configuration of a beam diameter of 0.5 mm and an imaging lens 242 diameter of 1.5 mm, the duty cycle may be as high as 67%. By properly positioning the individually controllable element 102 with respect to the imaging lens 242, complete coverage over the width of the substrate is possible. Therefore, for example, when only a standard 5.6 mm diameter laser diode is used, some concentric rings of laser diodes can be used to obtain full coverage over the substrate width, as shown in FIG. Thus, in the present embodiment, fewer, individually controllable elements 102 (such as those shown in FIG. 1) are used than using a fixed array of individually controllable elements 102 or perhaps using the mobile, individually controllable elements 102 described herein ) (For example, a laser diode) may be used.

본 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 모든 이동형 이미징 렌즈(242)에 의해 이미징될 것이기 때문에 각각의 이미징 렌즈(242)는 동일해야 한다. 본 실시예에서, 보다 높은 NA 렌즈가 필요하지만, 예를 들어 0.3보다 큰, 0.18보다 큰, 또는 0.15보다 큰 NA 렌즈가 필요하지만 모든 이미징 렌즈(242)가 필드를 이미징할 필요가 있는 것은 아니다. 이러한 하나의 광학 요소를 이용하면, 회절 제한된 이미징이 가능하다.In this embodiment, each imaging lens 242 must be identical since each individually controllable element 102 will be imaged by all of the movable imaging lenses 242. [ In this embodiment, a higher NA lens is required, but not all imaging lenses 242 need to image the field, for example an NA lens greater than 0.3, greater than 0.18, or greater than 0.15 is required. With this single optical element, diffraction limited imaging is possible.

기판 상의 빔의 초점은 시준된 빔이 렌즈의 어느 곳으로 진입하는지와 관계없이 이미징 렌즈(242)의 광학축에 고정되어 있다(예를 들면, 도 19의 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 3차원 도면을 나타내는 도 20 참조). 이러한 구성의 단점은, 이미징 렌즈(242)로부터 기판을 향한 빔이 텔리센트릭 하지 않고, 결과적으로 초점 에러가 발생하여 오버레이 에러를 유발할 수 있는 가능성이 있다는 점이다.The focus of the beam on the substrate is fixed to the optical axis of the imaging lens 242, regardless of where the collimated beam enters the lens (e.g., a schematic three-dimensional 20). A disadvantage of this arrangement is that the beam from the imaging lens 242 towards the substrate is not telecentric, resulting in a focus error and possibly an overlay error.

본 실시예에서, (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에서) X-Y 평면에서 이동하지 않는 요소를 이용함으로써 초점을 조정하는 것은 비네팅(vignetting)을 유발할 가능성이 있다. 따라서, 원하는 초점의 조정이 이동형 이미징 렌즈(242)에서 발생해야 한다. 따라서 이는 이동형 이미징 렌즈(242)보다 높은 주파수의 액추에이터를 필요로 할 수 있다.In this embodiment, adjusting the focus by using an element that does not move in the X-Y plane (e.g., in the individually controllable element 102) is likely to cause vignetting. Thus, adjustment of the desired focus must occur at the mobile imaging lens 242. [ Therefore, it may require an actuator of higher frequency than the mobile imaging lens 242. [

도 21은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대한 이미징 렌즈(242) 세트의 3가지 상이한 회전 위치를 보여준다. 본 실시예에서, 이미징 렌즈(242)가 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터 시준된 빔을 수신하기 위한 2개의 렌즈(802, 804)를 포함하게 함으로써, 도 19 및 20의 리소그래피 장치는 연장된다. 도 19에서와 마찬가지로, 이미징 렌즈(242)는 X-Y 평면에서 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 이동한다(예를 들어, 이미징 렌즈(242)가 적어도 부분적으로 원형으로 배열되는 경우 축을 중심으로 회전). 본 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 빔은 이미징 렌즈(242)에 도달하기 전에 렌즈(806)에 의해 시준되지만, 일 실시예에서 이러한 렌즈는 제공될 필요가 없다. 렌즈(806)는 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있다. 기판은 X 방향으로 이동한다.Figure 21 is a schematic side view layout for a portion of a lithographic apparatus having individually controllable elements and movable optical elements that are substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, 3 shows three different rotational positions of the set of imaging lenses 242 for element 102. By allowing the imaging lens 242 to include two lenses 802 and 804 for receiving the collimated beam from the individually controllable element 102 in this embodiment, the lithographic apparatus of Figures 19 and 20 are extended . 19, the imaging lens 242 moves relative to the individually controllable element 102 in the XY plane (e.g., when the imaging lens 242 is at least partially circularly arranged, ). In this embodiment, the beam from the individually controllable element 102 is collimated by the lens 806 before it reaches the imaging lens 242, but in one embodiment such a lens need not be provided. The lens 806 is substantially fixed in the X-Y plane. The substrate moves in the X direction.

2개의 렌즈(802, 804)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터 기판으로의 시준된 빔의 광로에 배열되어, 기판을 향하는 빔이 텔리센트릭 하게 된다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)와 렌즈(804) 사이에서 렌즈(802)는 실질적으로 동일한 초점 길이를 갖는 2개의 렌즈(802A, 802B)를 포함한다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 시준된 빔은, 렌즈(802B)가 빔을 이미징 렌즈(804)를 향해 시준하도록 2개의 렌즈(802A, 802B) 사이에서 포커싱된다. 이미징 렌즈(804)는 기판 상으로 빔을 이미징한다.The two lenses 802 and 804 are arranged in the optical path of the collimated beam from the individually controllable element 102 to the substrate such that the beam towards the substrate is telecentric. Between the individually controllable element 102 and the lens 804, the lens 802 includes two lenses 802A and 802B having substantially the same focal length. The collimated beam from the individually controllable element 102 is focused between the two lenses 802A and 802B such that the lens 802B collimates the beam towards the imaging lens 804. [ Imaging lens 804 implements the beam onto the substrate.

본 실시예에서, 렌즈(802)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대해 X-Y 평면에서 소정의 속도로(예를 들어, 특정 RPM(분당 회전수)으로) 이동한다. 따라서 본 실시예에서, 렌즈(802)로부터 나가는 시준된 빔은, 렌즈(802)와 동일한 속도로 이동하는 경우의 이동하는 이미징 렌즈(242)의 속도의 2배의 속도를 X-Y 평면에서 가질 것이다. 따라서 본 실시예에서, 이미징 렌즈(804)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대해 렌즈(802)와는 다른 속도로 이동한다. 특히, 이미징 렌즈(804)는 렌즈(802)의 2배의 속도로(예를 들면, 렌즈(802)의 RPM의 2배) X-Y 평면에서 이동하여 빔은 기판 상에 텔리센트릭 하게 포커싱될 것이다. 렌즈(802)로부터 나가는 시준된 빔을 이미징 렌즈(804)에 이렇게 정렬하는 것은 도 21에서 3개의 예시적인 위치에 개략적으로 도시되어 있다. 나아가, 기판 상의 실제 기록이 도 19의 예에 비하여 2배의 속도로 수행될 것이므로, 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 파워는 2배가 되어야 한다.In this embodiment, the lens 802 moves at a predetermined rate (e.g., at a specific RPM (number of revolutions per minute)) in the X-Y plane with respect to the individually controllable element 102. Thus, in this embodiment, the collimated beam exiting lens 802 will have a velocity in the X-Y plane that is twice the velocity of moving imaging lens 242 when traveling at the same speed as lens 802. Thus, in the present embodiment, the imaging lens 804 moves at a different speed than the lens 802 with respect to the individually controllable element 102. In particular, the imaging lens 804 moves in the XY plane at twice the speed of the lens 802 (e.g., twice the RPM of the lens 802) and the beam will be telecentricly focused on the substrate . This alignment of the collimated beam exiting the lens 802 onto the imaging lens 804 is schematically illustrated in three exemplary positions in FIG. Further, since the actual recording on the substrate will be performed at twice the speed of the example of FIG. 19, the power of the individually controllable element 102 must be doubled.

본 실시예에서, (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에서) X-Y 평면에서 이동하지 않는 요소를 이용함으로써 초점을 조정하는 것은 텔리센트릭 특성의 손실 및 비네팅을 유발할 가능성이 있다. 따라서, 원하는 초점의 조정이 이동형 이미징 렌즈(242)에서 발생해야 한다.In this embodiment, adjusting the focus by using elements that do not move in the X-Y plane (e.g., in the individually controllable element 102) is likely to cause loss of telecentric characteristics and vignetting. Thus, adjustment of the desired focus must occur at the mobile imaging lens 242. [

나아가 본 실시예에서는, 모든 이미징 렌즈(242)가 필드를 이미징할 필요가 있는 것은 아니다. 이러한 하나의 광학 요소를 이용하면, 회절 제한된 이미징이 가능하다. 약 65%의 듀티 사이클이 가능하다. 일 실시예에서, 렌즈(806, 802A, 802B 및 804)는 2개의 비구면 렌즈 및 2개의 구면 렌즈를 포함할 수 있다.Further, in the present embodiment, not all the imaging lenses 242 need to image the field. With this single optical element, diffraction limited imaging is possible. A duty cycle of about 65% is possible. In one embodiment, lenses 806, 802A, 802B, and 804 may include two aspherical lenses and two spherical lenses.

일 실시예에서, 약 380개의 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 표준 레이저 다이오드)가 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 약 1,400개의 이미징 렌즈(242) 세트가 이용될 수 있다. 표준 레이저 다이오드를 이용하는 실시예에서는, 약 4,200개의 이미징 렌즈(242) 세트가 이용될 수 있고, 이는 휠 상에 6개의 동심 링으로 배열될 수 있다. 일 실시예에서, 이미징 렌즈의 회전형 휠은 약 12,000 RPM으로 회전할 수 있다.In one embodiment, about 380 individually controllable elements 102 (e.g., standard laser diodes) may be used. In one embodiment, a set of about 1,400 imaging lenses 242 may be used. In an embodiment using a standard laser diode, a set of about 4,200 imaging lenses 242 may be used, which may be arranged in six concentric rings on the wheel. In one embodiment, the rotatable wheel of the imaging lens can rotate at about 12,000 RPM.

도 22는 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대한 이미징 렌즈(242) 세트의 3가지 상이한 회전 위치를 보여준다. 본 실시예에서는, 도 21과 관련하여 기술된 바와 같이 상이한 속도로 이동하는 렌즈를 피하기 위해서, 이미징 렌즈(242)를 이동시키기 위한 이른바 4f 텔리센트릭 인/텔리센트릭 아웃 이미징 시스템이 도 22에 도시되어 있는 바와 같이 이용될 수 있다. 이동형 이미징 렌즈(242)는 X-Y 평면에서 실질적으로 동일한 속도로 이동하는(예를 들어, 이미징 렌즈(242)가 적어도 부분적으로 원형으로 배열된 경우 축을 중심으로 회전하는) 2개의 이미징 렌즈(808, 810)를 포함하고, 기판에 대한 입력 및 출력으로서 텔리센트릭 빔, 즉 텔리센트릭 이미징 빔을 수신한다. 확대율 1의 이러한 구성에서, 기판 상의 이미지는 이동형 이미징 렌즈(242)의 2배의 속도로 이동한다. 기판은 X 방향으로 이동한다. 이러한 구성에서, 광학기기는 비교적 큰 NA, 예를 들어 0.3보다 큰, 0.18보다 큰, 또는 0.15보다 큰 NA로 필드를 이미징할 필요가 있을 것이다. 이러한 구성은 2개의 단일 요소 광학기기로는 가능하지 않을 수 있다. 회절 제한된 이미지를 얻기 위해서는 매우 정확한 정렬 공차를 갖는 6개 이상의 요소가 필요할 수 있다. 약 65%의 듀티 사이클이 가능하다. 본 실시예에서, 이동가능한 이미징 렌즈(242)를 따라 이동하지 않거나 또는 이동가능한 이미징 렌즈(242)와 함께 이동하지 않는 요소를 이용하면 국소적으로 포커싱하는 것도 비교적 용이하다. Figure 22 is a schematic side view layout for a portion of a lithographic apparatus having individually controllable elements and movable optical elements that are substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, 3 shows three different rotational positions of the set of imaging lenses 242 for element 102. In this embodiment, a so-called 4f telecentric in / telecentric out imaging system for moving the imaging lens 242, in order to avoid lenses moving at different speeds as described in connection with Fig. 21, And can be used as shown. The mobile imaging lens 242 includes two imaging lenses 808,810 (e.g., rotating about an axis if the imaging lens 242 is at least partially circularly arranged) moving at substantially the same velocity in the XY plane ) And receives a telecentric beam, i.e., a telecentric imaging beam, as an input and an output to the substrate. In this configuration of magnification ratio 1, the image on the substrate travels at twice the speed of the movable imaging lens 242. The substrate moves in the X direction. In such an arrangement, the optics would need to image the field with a relatively large NA, for example greater than 0.3, greater than 0.18, or greater than 0.15. This configuration may not be possible with two single element optics. To obtain a diffraction limited image, more than six elements with very precise alignment tolerances may be required. A duty cycle of about 65% is possible. In this embodiment, it is relatively easy to locally focus using elements that do not move along the movable imaging lens 242 or that do not move with the movable imaging lens 242. [

도 23은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대한 이미징 렌즈(242) 세트의 5가지 상이한 회전 위치를 보여준다. 본 실시예에서는, 도 21과 관련하여 기술된 바와 같이 상이한 속도로 이동하는 렌즈를 피하고, 도 22와 관련하여 논의된 바와 같이 필드를 이미징하지 않는 광학기기를 갖기 위해서, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 렌즈의 조합이 이동형 이미징 렌즈(242)와 조합된다. 도 23을 참조하면, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 제공된다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터 빔을 시준하고 시준된 빔(예컨대, 0.5mm의 단면 폭(예를 들어, 지름)을 가짐)을 렌즈(812)에 제공하기 위해, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 선택적인 시준 렌즈(806)가 제공된다.Figure 23 is a schematic side view layout for a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and a movable optical element that are substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, Showing the five different rotational positions of the set of imaging lenses 242 for the element 102. FIG. In this embodiment, in order to avoid lenses moving at different velocities as described in connection with Fig. 21 and to have optics that do not image fields as discussed in connection with Fig. 22, they are substantially fixed in the XY plane Is combined with the movable imaging lens (242). Referring to Figure 23, there is provided an individually controllable element 102 that is substantially fixed in the X-Y plane. (Not shown) to collimate the beam from the individually controllable element 102 and to provide the lens 812 with a collimated beam (e.g., having a cross-sectional width (e.g., diameter) of 0.5 mm) An optional collimating lens 806 is provided.

렌즈(812)는 또한 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있고 이동형 이미징 렌즈(242)의 필드 렌즈(814)(예컨대, 1.5mm의 단면 폭(예를 들어, 지름)을 가짐)에 시준된 빔을 포커싱한다. 렌즈(814)는 비교적 큰 초점 거리(예를 들어, f=20mm)를 가진다. The lens 812 is also substantially fixed in the XY plane and focuses the collimated beam onto a field lens 814 (e.g., having a cross-sectional width (e.g., diameter) of 1.5 mm) of the mobile imaging lens 242 do. The lens 814 has a relatively large focal length (e.g., f = 20 mm).

이동가능한 이미징 렌즈(242)의 필드 렌즈(814)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 이동한다(예를 들어, 이미징 렌즈(242)가 적어도 부분적으로 원형으로 배열된 경우 축을 중심으로 회전). 필드 렌즈(814)는 이동형 이미징 렌즈(242)의 이미징 렌즈(818)를 향해 빔을 안내한다. 필드 렌즈(814)와 마찬가지로, 이미징 렌즈(818)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 이동한다(예를 들어, 이미징 렌즈(242)가 적어도 부분적으로 원형으로 배열된 경우 축을 중심으로 회전). 본 실시예에서, 필드 렌즈(814)는 이미징 렌즈(818)와 실질적으로 동일한 속도로 이동한다. 필드 렌즈(814)와 이미징 렌즈(818)의 쌍은 서로에 대해 정렬된다. 기판은 X 방향으로 이동한다.The field lens 814 of the movable imaging lens 242 moves relative to the individually controllable element 102 (e.g., rotating about an axis if the imaging lens 242 is at least partially circularly arranged) . The field lens 814 directs the beam towards the imaging lens 818 of the mobile imaging lens 242. As with the field lens 814, the imaging lens 818 moves relative to the individually controllable element 102 (e.g., rotating about an axis if the imaging lens 242 is at least partially circularly arranged) . In this embodiment, the field lens 814 moves at substantially the same speed as the imaging lens 818. The pair of field lens 814 and imaging lens 818 are aligned with respect to each other. The substrate moves in the X direction.

필드 렌즈(814)와 이미징 렌즈(242) 사이에 렌즈(816)가 있다. 렌즈(816)는 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있고 필드 렌즈(814)로부터 이미징 렌즈(818)로 빔을 시준한다. 렌즈(816)는 비교적 큰 초점 거리(예를 들어, f=20mm)를 가진다.There is a lens 816 between the field lens 814 and the imaging lens 242. The lens 816 is substantially fixed in the X-Y plane and collimates the beam from the field lens 814 to the imaging lens 818. The lens 816 has a relatively large focal length (e.g., f = 20 mm).

본 실시예에서, 필드 렌즈(814)의 광축은 대응하는 이미징 렌즈(816)의 광축과 일치할 것이다. 필드 렌즈(814)는, 렌즈(816)에 의해 시준되는 빔의 주요 광선이 이미징 렌즈(818)의 광축과 일치하도록, 빔이 폴딩(folding)되게 설계된다. 이런 식으로, 기판을 향한 빔은 텔리센트릭하다. In this embodiment, the optical axis of the field lens 814 will coincide with the optical axis of the corresponding imaging lens 816. The field lens 814 is designed such that the beam is folded such that the primary light beam of the beam that is collimated by the lens 816 coincides with the optical axis of the imaging lens 818. [ In this way, the beam towards the substrate is telecentric.

렌즈(812 및 816)는 큰 f 값에 기인하여 단순한 구형 렌즈일 수 있다. 필드 렌즈(814)는 이미지 품질에 영향을 주지 않아야 하고 이 또한 구형 요소일 수 있다. 본 실시예에서, 시준 렌즈(806) 및 이미징 렌즈(818)는 필드를 이미징할 필요가 없는 렌즈이다. 이러한 단일 요소 광학기기를 이용하면, 회절 제한 이미징이 가능하다. 약 65%의 듀티 사이클이 가능하다.Lenses 812 and 816 may be simple spherical lenses due to their large f value. Field lens 814 should not affect image quality and may also be a spherical element. In this embodiment, collimating lens 806 and imaging lens 818 are lenses that do not need to image fields. With such a single element optical instrument, diffraction limited imaging is possible. A duty cycle of about 65% is possible.

일 실시예에서, 이동가능한 이미징 렌즈(242)가 회전가능한 경우, 기판의 폭에 걸쳐 전체 커버리지를 획득하기 위해 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및 렌즈의 적어도 2개의 동심 링이 제공된다. 일 실시예에서, 이러한 링 상에서 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 1.5mm의 피치로 배열된다. 5.6mm의 지름을 갖는 표준 레이저 다이오드가 이용되는 경우, 전체 커버리지를 위해 적어도 6개의 동심 링이 필요할 수 있다. 도 24 및 25는 이러한 구성에 따라 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 동심 링의 구성을 나타낸다. 일 실시예에서, 이는 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 대응하는 렌즈를 갖는 대략 380개의 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 될 것이다. 이동형 이미징 렌즈(242)는 렌즈(814, 818)의 700×6개의 링 = 4,200개의 세트를 가질 것이다. 이러한 구성을 이용하면, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)로 약 1mm의 길이를 갖는 라인을 기록하는 것이 가능하다. 일 실시예에서, 약 1,400 개의 이미징 렌즈(242) 세트가 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 렌즈(812, 814, 816 및 818)는 4개의 비구면 렌즈를 포함할 수 있다.In one embodiment, when the movable imaging lens 242 is rotatable, at least two concentric rings of lenses and individually controllable elements 102 are provided to obtain full coverage over the width of the substrate. In one embodiment, the individually controllable elements 102 on such a ring are arranged at a pitch of 1.5 mm. If a standard laser diode with a diameter of 5.6 mm is used, at least six concentric rings may be required for full coverage. Figures 24 and 25 illustrate the construction of concentric rings of individually controllable elements 102 in accordance with this configuration. In one embodiment, this would be approximately 380 individually controllable elements 102 with corresponding lenses substantially fixed in the X-Y plane. The mobile imaging lens 242 will have 700 x 6 rings = 4,200 sets of lenses 814, 818. With this arrangement, it is possible to record a line having a length of about 1 mm with each individually controllable element 102. In one embodiment, a set of about 1,400 imaging lenses 242 may be used. In one embodiment, lenses 812, 814, 816, and 818 may comprise four aspherical lenses.

본 실시예에서, (예를 들어, 개별적으로 제어가능한 요소(102)에서) X-Y 평면에서 이동하지 않는 요소를 이용함으로써 초점을 조정하는 것은 텔리센트릭 특성의 상실을 초래하고 비네팅을 유발할 가능성이 있다. 따라서, 원하는 초점의 조정이 이동형 이미징 렌즈(242)에서 발생해야 한다. 그러므로 이는 이동형 이미징 렌즈(242)보다 높은 주파수의 액추에이터를 필요로 할 수 있다.In the present embodiment, adjusting the focus by using an element that does not move in the XY plane (e.g., in the individually controllable element 102) results in loss of telecentric characteristics and is likely to cause vignetting . Thus, adjustment of the desired focus must occur at the mobile imaging lens 242. [ Therefore, it may require an actuator of higher frequency than the movable imaging lens 242. [

도 26은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측면도 레이아웃이다. 본 실시예에서, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 이동형 이미징 렌즈(242)에 커플링하기 위해 광학적 디로테이터(derotator)가 이용된다.Figure 26 is a schematic side view layout for a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and a movable optical element that are substantially fixed in the X-Y plane, in accordance with an embodiment of the present invention. In this embodiment, an optical derotator is used to couple the individually controllable element 102, which is substantially fixed in the X-Y plane, to the movable imaging lens 242. [

본 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는, 선택적인 시준 렌즈와 함께, 링으로 배열된다. 2개의 포물곡면 미러(820, 822)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 시준된 빔의 링을 디로테이터(824)에 대해 허용가능한 지름으로 감소시킨다. 도 26에서, Pechan 프리즘이 디로테이터(824)로 이용된다. 디로테이터가 이미징 렌즈(242)의 속도에 비해 1/2의 속도로 회전하는 경우, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 개별 이미징 렌즈(242)에 대하여 실질적으로 고정된 것으로 보인다. 2개의 추가적인 포물곡면 미러(826, 828)는 디로테이터(824)로부터 디로테이트된 빔의 링을 이동가능한 이미징 렌즈(242)에 대해 허용가능한 지름까지 팽창시킨다. 기판은 X 방향으로 이동한다. In this embodiment, the individually controllable elements 102 are arranged in a ring with an optional collimating lens. The two parabolic curved mirrors 820 and 822 reduce the ring of collimated beams from the individually controllable elements 102 to an acceptable diameter for the detolator 824. [ In Fig. 26, a Pechan prism is used as the derotator 824. Each separately controllable element 102 appears to be substantially fixed with respect to the individual imaging lens 242 when the di rotator rotates at a speed half the speed of the imaging lens 242. [ Two additional parabolic curved mirrors 826 and 828 expand the rings of the de-rotated beam from the di rotator 824 to an acceptable diameter for the movable imaging lens 242. The substrate moves in the X direction.

본 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 이미징 렌즈(242)와 쌍을 이룬다. 그러므로, 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 동심 링 상에 장착하는 것이 가능하지 않을 수 있고, 따라서, 기판의 폭에 걸친 전체 커버리지가 획득되지 못할 수 있다. 약 33%의 듀티 사이클이 가능하다. 본 실시예에서, 이미징 렌즈(242)는 필드를 이미징할 필요가 없는 렌즈이다.In this embodiment, each individually controllable element 102 is paired with an imaging lens 242. Therefore, it may not be possible to mount the individually controllable elements 102 on a concentric ring, and thus the overall coverage across the width of the substrate may not be obtained. A duty cycle of about 33% is possible. In this embodiment, the imaging lens 242 is a lens that does not need to image the field.

도 27은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측면도 레이아웃이다. 본 구성에서, 이미징 렌즈(242)는 X-Y 평면에서 연장되는 방향을 중심으로 회전하도록 구성된다(예를 들어, 도 19 내지 26과 관련하여 기술된 바와 같이 회전형 휠 보다는 예컨대 회전형 드럼). 도 27을 참조하면, 이동가능한 이미징 렌즈(242)가 예를 들어, Y 방향을 중심으로 회전하도록 구성된 드럼 상에 배열된다. 이동가능한 이미징 렌즈(242)는, 이동가능한 이미징 렌즈(242)와 드럼의 회전축 사이에서 Y 방향으로 직선으로 연장되는 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터 방사선을 수신한다. 원칙적으로, 이러한 드럼의 이동가능한 이미징 렌즈(242)에 의해 기록될 수 있는 라인은 기판의 스캔 방향(831)에 평행할 수 있다. 따라서, 45°로 장착된 디로테이터(830)는, 이미징된 라인이 기판의 스캔 방향에 수직이 되도록, 드럼의 이동가능한 이미징 렌즈(242)에 의해 이루어진 라인을 90°만큼 회전시키도록 구성된다. 기판은 X 방향으로 이동한다.Figure 27 is a schematic side view layout for a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element that is substantially fixed in the X-Y plane and a movable optical element therealong, in accordance with an embodiment of the present invention. In this configuration, the imaging lens 242 is configured to rotate about a direction extending in the X-Y plane (e.g., a rotatable drum rather than a rotatable wheel as described in connection with FIGS. 19-26). 27, a movable imaging lens 242 is arranged on a drum configured to rotate, for example, about the Y direction. The movable imaging lens 242 receives radiation from the individually controllable element 102, which extends linearly in the Y direction between the movable imaging lens 242 and the rotational axis of the drum. In principle, the lines that can be written by the movable imaging lens 242 of this drum may be parallel to the scan direction 831 of the substrate. Thus, the di rotator 830 mounted at 45 ° is configured to rotate the line made by the movable imaging lens 242 of the drum by 90 ° so that the imaged line is perpendicular to the scanning direction of the substrate. The substrate moves in the X direction.

기판 상의 모든 스트라이프에 대하여, 원형으로 배열된 이동가능한 이미징 렌즈(242)가 드럼 상에 필요할 수 있다. 이러한 하나의 원이 기판 상에 3mm 폭 스트라이프를 기록할 수 있고 기판 너비가 300mm인 경우, 700 (드럼의 원주 상의 광학기기) × 100 = 70,000개의 광학 어셈블리가 드럼 상에 필요할 수 있다. 실린더형 광학기기가 드럼 상에서 이용되는 경우 더 적을 수 있다. 나아가, 이러한 실시예에서 이미징 광학기기는 특정 필드를 이미징할 필요가 있을 수 있고 이는 광학기기를 더 복잡하게 할 수 있다. 약 95%의 듀티 사이클이 가능하다. 이러한 실시예의 장점은, 이미징된 스트라이프가 실질적으로 동일한 길이를 갖고 실질적으로 평행하며 직선일 수 있다는 점이다. 이동가능한 이미징 렌즈(242)를 따라 이동하지 않거나 이동가능한 이미징 렌즈(242)와 함께 이동하지 않는 요소를 이용하면 또한 국소적으로 포커싱하는 것이 비교적 용이하다.For all stripes on the substrate, a circularly arranged imaging lens 242 may be required on the drum. If such a circle can record a 3 mm wide stripe on a substrate and the substrate width is 300 mm, 700 (optics on the circumference of the drum) x 100 = 70,000 optical assemblies may be required on the drum. And may be less when cylindrical optics are used on the drum. Further, in this embodiment, the imaging optics may need to image a particular field, which may make the optics more complex. A duty cycle of about 95% is possible. An advantage of this embodiment is that the imaged stripes can be substantially parallel and straight, with substantially the same length. It is also relatively easy to locally focus using elements that do not move along the movable imaging lens 242 or that do not move with the movable imaging lens 242.

도 28은 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측면도 레이아웃으로서, 개별적으로 제어가능한 요소에 대한 이미징 렌즈(242) 세트의 5가지 상이한 회전 위치를 보여준다.28 is a schematic side view layout for a portion of a lithographic apparatus having individually controllable elements and movable optical elements that are substantially fixed in the XY plane, according to one embodiment of the present invention, Lt; / RTI > shows the five different rotational positions of the set of imaging lenses 242 for the element.

도 28을 참조하면, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 제공된다. 이동가능한 이미징 렌즈(242)는 복수의 렌즈 세트를 포함하고, 이러한 각각의 렌즈 세트는 필드 렌즈(814) 및 이미징 렌즈(818)를 포함한다. 기판은 X 방향으로 이동한다. 28, there is provided an individually controllable element 102 that is substantially fixed in the X-Y plane. The movable imaging lens 242 includes a plurality of lens sets, each of which includes a field lens 814 and an imaging lens 818. The substrate moves in the X direction.

이동가능한 이미징 렌즈(242)의 필드 렌즈(814)(예를 들어, 구형 렌즈)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 방향(815)으로 이동한다(예를 들어, 이미징 렌즈(242)가 적어도 부분적으로 원형으로 배열된 경우 축을 중심으로 회전). 필드 렌즈(814)는 이동가능한 이미징 렌즈(242)의 이미징 렌즈(818)(예를 들면, 이중 비구면 렌즈와 같은 비구면 렌즈)를 향해 빔을 안내한다. 필드 렌즈(814)와 마찬가지로, 이미징 렌즈(818)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)에 대하여 이동한다(예를 들어, 이미징 렌즈(242)가 적어도 부분적으로 원형으로 배열된 경우 축을 중심으로 회전). 이러한 실시예에서, 필드 렌즈(814)는 이미징 렌즈(18)와 실질적으로 동일한 속도로 이동한다.The field lens 814 (e.g., a spherical lens) of the movable imaging lens 242 moves in direction 815 relative to the individually controllable element 102 (e.g., the imaging lens 242 At least partially circularly arranged, about the axis). The field lens 814 guides the beam toward the imaging lens 818 of the movable imaging lens 242 (e.g., an aspherical lens such as a double aspherical lens). As with the field lens 814, the imaging lens 818 moves relative to the individually controllable element 102 (e.g., rotating about an axis if the imaging lens 242 is at least partially circularly arranged) . In this embodiment, the field lens 814 moves at substantially the same speed as the imaging lens 18.

필드 렌즈(814)의 초점 평면은 이미징 렌즈(818)의 역 초점 평면과 위치(815)에서 일치하고, 이는 텔리센트릭 인/텔리센트릭 아웃 시스템을 제공한다. 도 23의 구성과는 대조적으로, 이미징 렌즈(818)는 특정 필드를 이미징한다. 필드 렌즈(814)의 초점 길이는 이미징 렌즈(818)에 대한 필드 크기가 2 내지 3도보다 작은 반각(half angle)이 되게 하는 길이이다. 이러한 경우에도, 하나의 단일 요소 광학기기(예를 들면, 이중 비구면 단일 요소)로 회절 제한된 이미징을 얻는 것이 여전히 가능하다. 필드 렌즈(814)는 각각의 필드 렌즈(814) 사이의 간격이 없이 장착되도록 구성된다. 이러한 경우 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 듀티 사이클은 약 95%일 수 있다.The focal plane of the field lens 814 coincides at a location 815 with the inverse focal plane of the imaging lens 818, providing a telecentric in / telecentric out system. In contrast to the configuration of FIG. 23, the imaging lens 818 implements a particular field. The focal length of the field lens 814 is such that the field size for the imaging lens 818 is a half angle less than two to three degrees. Even in this case, it is still possible to obtain diffraction-limited imaging with one single-element optical device (e.g., a double aspherical single element). The field lens 814 is configured to be mounted without a gap between each field lens 814. In this case, the duty cycle of the individually controllable element 102 may be about 95%.

이미징 렌즈(818)의 초점 길이는, 기판에서 0.2의 NA의 경우, 이러한 렌즈가 필드 렌즈(814)의 지름보다 커지지 않도록 하는 길이이다. 필드 렌즈(814)의 지름과 동일한 이미징 렌즈(818)의 초점 길이는, 이미징 렌즈(818)를 장착하기 위해 충분한 공간을 남겨 놓는 이미징 렌즈(818)의 지름을 제공할 것이다. The focal length of the imaging lens 818 is such that, in the case of a NA of 0.2 at the substrate, such a lens is not larger than the diameter of the field lens 814. The focal length of the imaging lens 818 that is equal to the diameter of the field lens 814 will provide the diameter of the imaging lens 818 leaving sufficient space to mount the imaging lens 818. [

필드 각 때문에, 필드 렌즈(814)의 피치보다 약간 큰 라인이 기록될 수 있다. 이는 또한 이미징 렌즈(818)의 초점 길이에 따라, 기판 상에서 이웃하는 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 이미징된 라인 사이에 중첩을 제공한다. 따라서, 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 하나의 링 상에 이미징 렌즈(242)와 동일한 피치로 장착될 수 있다.Because of the field angle, a line slightly larger than the pitch of the field lens 814 can be recorded. Which also provides superimposition between the imaged lines of the neighboring individually controllable elements 102 on the substrate, depending on the focal length of the imaging lens 818. [ Thus, the individually controllable element 102 can be mounted on the same ring at the same pitch as the imaging lens 242.

도 29는 도 28의 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 3차원 도면이다. 본 도면에서는, 5개의 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 5개의 대응하는 이동가능한 이미징 렌즈 세트(242)와 함께 도시되어 있다. 추가적인 개별적으로 제어가능한 요소(102)와 대응하는 이동가능한 이미징 렌즈 세트(242)가 제공될 수 있음이 명백할 것이다. 기판은 화살표(819)로 나타낸 바와 같이 X 방향으로 이동한다. 일 실시예에서, 필드 렌즈(814)는 그 사이에 간격이 없이 배열된다. 퓨필(pupil) 평면은 817에 위치한다.29 is a schematic three-dimensional view of a portion of the lithographic apparatus of FIG. In the figure, five individually controllable elements 102 are shown with five corresponding movable imaging lens sets 242. In this figure, It will be apparent that additional individually controllable elements 102 and corresponding movable imaging lens set 242 may be provided. The substrate moves in the X direction as indicated by the arrow 819. [ In one embodiment, the field lens 814 is arranged without a gap therebetween. The pupil plane is located at 817.

비교적 작은 이중 비구면 이미징 렌즈(818)를 피하고, 이동형 이미징 렌즈(242)의 광학기기의 양을 줄이며, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로서 표준 레이저 다이오드를 이용하기 위해서, 본 실시예에서는, 이동가능한 이미징 렌즈(242)의 단일 렌즈 세트로 다수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 이미징할 가능성이 있다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)가 각각의 이동가능한 이미징 렌즈(242)의 필드 렌즈(814) 상에 텔리센트릭 하게 이미징되는 한, 대응하는 이미징 렌즈(818)는 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 빔을 기판 상에 텔리센트릭 하게 다시 이미징(re-image)할 것이다. 예를 들면, 8개의 라인이 동시에 기록되는 경우, 필드 렌즈(814) 지름 및 이미징 렌즈(818)의 초점 거리는 동일한 수율로 8배만큼 증가될 수 있는 반면, 이동가능한 이미징 렌즈(242)의 양은 8배만큼 감소할 수 있다. 나아가, 필드 렌즈(814) 상에 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 이미징하기 위해 필요한 광학기기 중 일부는 공통적일 수 있기 때문에, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 광학기기는 감소될 수 있다. 단일한 이동가능한 이미징 렌즈(242) 세트에 의해 동시에 8개의 라인이 기록되는 이러한 구성은, 이미징 렌즈(242)의 회전축(821) 및 이러한 회전축(821)으로부터 이미징 렌즈(242) 세트의 반지름(823)과 함께, 도 30에 개략적으로 도시되어 있다. (단일한 이동가능한 이미징 렌즈(242) 세트에 의해 동시에 8개의 라인이 기록되는 경우) 1.5mm 내지 12mm의 피치로부터 시작하게 되면, 개별적으로 제어가능한 요소(102)로서 표준 레이저 다이오드를 장착하기 위한 충분한 공간을 남겨 놓게 된다. 일 실시예에서, 224개의 개별적으로 제어가능한 요소(102)(예를 들어, 표준 레이저 다이오드)가 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 120개의 이미징 렌즈(242) 세트가 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 28개의 실질적으로 고정되어 있는 광학기기 세트가 224개의 개별적으로 제어가능한 요소(102)와 함께 이용될 수 있다.In order to avoid a relatively small dual aspheric imaging lens 818 and to reduce the amount of optics of the mobile imaging lens 242 and to use a standard laser diode as an individually controllable element 102, There is a possibility to image a number of individually controllable elements 102 with a single lens set of imaging lenses 242. [ The corresponding imaging lens 818 includes an individually controllable element 102 as long as the individually controllable element 102 is telecentricly imaged onto the field lens 814 of each movable imaging lens 242. [ Will re-image the beam from the substrate back onto the substrate telecentrically. For example, if eight lines are to be recorded at the same time, the diameter of the field lens 814 and the focal length of the imaging lens 818 may be increased by 8 times in the same yield, while the amount of the movable imaging lens 242 is 8 It can be reduced by a factor of two. Further, because some of the optics needed to image the individually controllable element 102 on the field lens 814 may be common, the optics that are substantially fixed in the X-Y plane may be reduced. This configuration in which eight lines are simultaneously recorded by a single set of movable imaging lenses 242 is achieved by rotating the imaging lens 242 from the rotational axis 821 and the radius of the set of imaging lenses 242 from that rotational axis 821 , And is schematically shown in Fig. (When eight lines are simultaneously recorded by a single set of movable imaging lenses 242) begins at a pitch of 1.5 mm to 12 mm, sufficient to mount a standard laser diode as an individually controllable element 102 Leaving space. In one embodiment, 224 individually controllable elements 102 (e.g., standard laser diodes) may be used. In one embodiment, a set of 120 imaging lenses 242 may be used. In one embodiment, 28 sets of substantially fixed optics can be used with 224 individually controllable elements 102.

본 실시예에서, 이동가능한 이미징 렌즈(242)를 따라 이동하지 않거나 이동가능한 이미징 렌즈(242)와 함께 이동하지 않는 요소를 이용하면 또한 국소적으로 포커싱하는 것이 비교적 용이하다. 필드 렌즈(814) 상의 개별적으로 제어가능한 요소(102)의 텔리센트릭 이미지가 광축을 따라 이동되고 텔리센트릭 하게 유지되는 한, 기판 상의 이미지의 초점만이 변화할 것이고 이미지는 텔리센트릭 한 채 남아 있을 것이다. 도 31은 도 28 및 29의 구성에서 이동형 루프탑을 이용하여 초점을 제어하기 위한 개략적인 구성을 나타낸다. 루프탑(예를 들면, 프리즘 또는 미러 세트)(834)을 갖는 2개의 폴딩 미러(832)는 필드 렌즈(814) 이전에 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터의 텔리센트릭 빔에 위치한다. 루프탑(834)을 방향(833)으로 폴딩 미러(832)로부터 멀어지거나 폴딩 미러(832)를 향해 이동시킴으로써, 이미지는 광축을 따라 시프트되고, 따라서 기판에 대해서도 시프트된다. 축방향 초점 변화는 F/값의 제곱 비율과 같으므로 광축을 따라 확대율이 크기 때문에, F/2.5 빔으로 기판에서의 25㎛ 디포커스는 5.625mm(37.5/2.5)2 의 f/37.5 빔으로 필드 렌즈(814)에서 초점 시프트를 제공할 것이다. 다시 말해서, 루프탑(834)은 이의 1/2로 이동해야 한다.In this embodiment, it is also relatively easy to locally focus using elements that do not move along the movable imaging lens 242 or that do not move with the movable imaging lens 242. As far as the telecentric image of the individually controllable element 102 on the field lens 814 is moved along the optical axis and remains telecentric, only the focal point of the image on the substrate will change and the image will be telecentric It will remain. Fig. 31 shows a schematic configuration for controlling focus using a movable roof top in the configurations of Figs. 28 and 29; Fig. Two folding mirrors 832 with a roof top (e.g., a prism or mirror set) 834 are located in the telecentric beam from the individually controllable element 102 prior to the field lens 814. By moving the roof top 834 in the direction 833 away from the folding mirror 832 or toward the folding mirror 832, the image is shifted along the optical axis and thus also shifted with respect to the substrate. Axial focus shift is F / is the same proportion to the square of the value along the optical axis due to enlargement in size, 25㎛ defocus at the substrate to F / 2.5 beam field to f / 37.5 beam of 5.625mm (37.5 / 2.5) 2 Lens 814 will provide a focus shift. In other words, the loop top 834 must move to half thereof.

도 32는 본 발명의 일 실시예에 따라, X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소 및 이에 대해 이동가능한 광학 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측단면도이다. 도 32는 도 23과 유사한 구성을 나타내고 있지만, 도 19-22 및/또는 도 24-31의 실시예 중 임의의 것에 맞추도록 적절히 수정될 수 있다.32 is a schematic side cross-sectional view of a portion of a lithographic apparatus having an individually controllable element and a movable optical element that are substantially fixed in the X-Y plane, in accordance with an embodiment of the present invention. 32 shows a configuration similar to that of FIG. 23, but may be suitably modified to suit any of the embodiments of FIGS. 19-22 and / or 24-31.

도 32를 참조하면, 리소그래피 장치(100)는 기판을 홀딩하기 위한 기판 테이블(106), 및 6 이하의 자유도로 기판 테이블(106)을 이동시키기 위한 위치 설정기구(116)를 포함한다.32, the lithographic apparatus 100 includes a substrate table 106 for holding a substrate, and a positioning mechanism 116 for moving the substrate table 106 to a degree of freedom of 6 or less.

리소그래피 장치(100)는 프레임(160) 상에 배열된 복수의 개별적으로 제어가능한 요소(102)를 더 포함한다. 본 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어, 레이저 다이오드, 예컨대 청자색 레이저 다이오드이다. 개별적으로 제어가능한 요소(102)는 프레임(838) 상에 배열되고 Y 방향을 따라 연장된다. 하나의 프레임(838)만 도시되어 있지만, 리소그래피 장치는 예를 들어 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 어레이(200)와 마찬가지로 복수의 프레임(838)을 가질 수 있다. 프레임(838) 상에는 렌즈(812 및 816)가 추가로 배열된다. 프레임(838), 따라서 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및 렌즈(812 및 816)는 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있다. 프레임(838), 개별적으로 제어가능한 요소(102) 및 렌즈(812 및 816)는 액추에이터(836)에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있다. The lithographic apparatus 100 further includes a plurality of individually controllable elements 102 arranged on the frame 160. In this embodiment, each individually controllable element 102 is a radiation emitting diode, e.g., a laser diode, such as a violet laser diode. The individually controllable elements 102 are arranged on the frame 838 and extend along the Y direction. Although only one frame 838 is shown, the lithographic apparatus may have a plurality of frames 838 as well as the array 200, for example, as shown in FIG. On the frame 838, lenses 812 and 816 are further arranged. The frame 838, and thus the individually controllable element 102, and the lenses 812 and 816 are substantially fixed in the X-Y plane. The frame 838, the individually controllable element 102 and the lenses 812 and 816 can be moved in the Z direction by an actuator 836. [

본 실시예에서, 프레임(840)은 회전가능하도록 제공된다. 프레임(840) 상에는 필드 렌즈(814) 및 이미징 렌즈(818)가 배열되고, 필드 렌즈(814) 및 이미징 렌즈(818)의 조합은 이동가능한 이미징 렌즈(242)를 형성한다. 사용 시에, 플레이트는 자신의 축(206)을 중심으로, 예를 들어 어레이(200)에 대하여 도 5에서 화살표로 표시된 방향으로, 회전한다. 프레임(840)은 모터(216)를 이용하여 축(206)을 중심으로 회전된다. 또한, 이동가능한 이미징 렌즈(242)가 기판 테이블(106)에 대해 변위될 수 있도록, 프레임(840)은 모터(216)에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있다. In this embodiment, the frame 840 is provided so as to be rotatable. A field lens 814 and an imaging lens 818 are arranged on the frame 840 and the combination of the field lens 814 and the imaging lens 818 forms a movable imaging lens 242. [ In use, the plate rotates about its axis 206, e.g., in the direction indicated by the arrow in FIG. 5 relative to the array 200. The frame 840 is rotated about an axis 206 using a motor 216. Frame 840 can also be moved in the Z direction by motor 216 so that movable imaging lens 242 can be displaced relative to substrate table 106. [

본 실시예에서, 그 안에 개구부를 갖는 개구부 구조체(248)가 렌즈(812) 위에, 렌즈(812)와 대응하는 개별적으로 제어가능한 요소(102) 사이에 위치할 수 있다. 개구부 구조체(248)는 렌즈(812), 대응하는 개별적으로 제어가능한 요소(102), 및/또는 인접한 렌즈(812)/개별적으로 제어가능한 요소(102)의 회절 효과를 제한할 수 있다.In this embodiment, an aperture structure 248 having an aperture therein may be located on the lens 812, between the lens 812 and the corresponding individually controllable element 102. The aperture structure 248 may limit the diffraction effect of the lens 812, the corresponding individually controllable element 102, and / or the adjacent lens 812 / the individually controllable element 102.

일 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 광학 요소, 예컨대 렌즈를 포함하는 하나 이상의 이동가능한 플레이트(890)(예를 들어, 회전가능한 플레이트, 예컨대 회전가능한 디스크)를 포함한다. 도 32의 실시예에서는, 필드 렌즈(814)를 갖는 플레이트(890) 및 이미징 렌즈(818)를 갖는 플레이트(890)가 도시되어 있다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 사용 중에 회전하는 어떠한 반사형 광학 요소도 없다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 임의의 개별적으로 제어가능한 요소(102) 또는 모든 개별적으로 제어가능한 요소(102)로부터 방사선을 수신하고 사용 중에 회전하는 어떠한 반사형 광학 요소도 없다. 일 실시예에서, 하나 이상의(예를 들면, 모든) 플레이트(890)는 실질적으로 평탄하고, 예컨대 플레이트의 하나 이상의 표면 위 또는 아래에 돌출되어 있는 어떠한 광학 요소도(또는 광학 요소의 부분도) 갖고 있지 않다. 이는, 예를 들어 플레이트(890)가 충분히 두껍게 되도록 하거나(즉, 적어도 광학 요소의 높이보다 두껍거나, 돌출되지 않도록 광학 요소를 배치) 플레이트(890) 위에 평탄한 커버 플레이트(미도시)를 제공함으로써 달성될 수 있다. 플레이트의 하나 이상의 표면이 실질적으로 평탄하도록 하는 것은, 장치가 사용 중일 때 예를 들면 노이즈 감소에 도움이 될 수 있다. In one embodiment, the lithographic apparatus 100 includes one or more movable plates 890 (e.g., rotatable plates, e.g., rotatable disks) that include an optical element, e.g., a lens. In the embodiment of Figure 32, a plate 890 with a field lens 814 and a plate 890 with an imaging lens 818 are shown. In one embodiment, the lithographic apparatus is free of any reflective optical elements that are rotated during use. In one embodiment, the lithographic apparatus does not have any reflective optical element that receives radiation from any individually controllable element 102 or from all individually controllable elements 102 and that rotates during use. In one embodiment, one or more (e. G., All) plates 890 are substantially planar and have any optical element (or portion of the optical element) projecting above or below one or more surfaces of the plate It is not. This may be accomplished, for example, by providing a flat cover plate (not shown) on the plate 890 to allow the plate 890 to be thick enough (i. E. At least to place the optical element at least thicker than the height of the optical element, . Having the at least one surface of the plate substantially planar can help reduce noise, for example, when the device is in use.

도 33은 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있는 개별적으로 제어가능한 요소를 갖는 리소그래피 장치 중 일부에 대한 개략적인 측단면도이다. 리소그래피 장치(900)는 기판을 홀딩하기 위한 기판 테이블(902), 및 6 이하의 자유도로 기판 테이블(902)을 이동시키기 위한 위치 설정기구(904)를 포함한다. 기판은 레지스트 코팅된 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 기판은 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 기판은 다각형(예를 들어, 직사각형) 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 유리 플레이트이다. 일 실시예에서, 기판은 플라스틱 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 호일이다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 롤-투-롤(roll-to-roll) 제조에 적합하다.33 is a schematic side cross-sectional view of a portion of a lithographic apparatus having individually controllable elements substantially fixed in the X-Y plane. The lithographic apparatus 900 includes a substrate table 902 for holding a substrate and a positioning mechanism 904 for moving the substrate table 902 to a degree of freedom of 6 or less. The substrate may be a resist coated substrate. In one embodiment, the substrate is a wafer. In one embodiment, the substrate is a polygonal (e.g., rectangular) substrate. In one embodiment, the substrate is a glass plate. In one embodiment, the substrate is a plastic substrate. In one embodiment, the substrate is a foil. In one embodiment, the lithographic apparatus is suitable for roll-to-roll manufacturing.

리소그래피 장치(900)는 복수의 빔을 방출하도록 구성된 복수의 개별적으로 제어가능한 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)를 더 포함한다. 일 실시예에서, 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어, 발광 다이오드(LED), 유기 LED(OLED), 폴리머 LED(PLED), 또는 레이저 다이오드(예컨대, 고상 레이저 다이오드)이다. 일 실시예에서, 각각의 개별적으로 제어가능한 요소(906)는 청자색 레이저 다이오드(예를 들어, Sanyo 모델 번호 DL-3146-151)이다. 이러한 다이오드는 Sanyo, Nichia, Osram, 및 Nitride와 같은 회사에 의해 공급될 수 있다. 일 실시예에서, 다이오드는 예컨대 약 365nm 또는 약 405nm 파장을 갖는 UV 방사선을 방출한다. 일 실시예에서, 다이오드는 0.5 내지 100 mW 범위에서 선택된 출력 전력을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드의 크기(순수한 다이 크기)는 100 내지 800 마이크로미터의 범위에서 선택된다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 1 내지 5 평방 마이크로미터 범위에서 선택된 방출 영역을 갖는다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 7 내지 44도 범위에서 선택된 발산 각을 갖는다. 일 실시예에서, 다이오드는 약 6.4×108W/(㎡.sr) 이상의 전체 휘도를 제공하기 위한 구성(예를 들어, 방출 영역, 발산 각, 출력 전력 등)을 갖는다.The lithographic apparatus 900 further includes a plurality of individually controllable self-emitting contrast devices 906 configured to emit a plurality of beams. In one embodiment, the self-emitting contrast device 906 includes a radiation emitting diode, for example, a light emitting diode (LED), an organic LED (OLED), a polymer LED (PLED), or a laser diode to be. In one embodiment, each individually controllable element 906 is a blue violet laser diode (e.g., Sanyo model number DL-3146-151). Such diodes can be supplied by companies such as Sanyo, Nichia, Osram, and Nitride. In one embodiment, the diode emits UV radiation having, for example, a wavelength of about 365 nm or about 405 nm. In one embodiment, the diode may provide a selected output power in the 0.5 to 100 mW range. In one embodiment, the size of the laser diode (pure die size) is selected in the range of 100 to 800 micrometers. In one embodiment, the laser diode has a selected emission area in the range of 1 to 5 square micrometers. In one embodiment, the laser diode has a selected divergence angle in the range of 7 to 44 degrees. In one embodiment, the diode has a configuration (e.g., emission region, divergence angle, output power, etc.) to provide a total luminance of about 6.4 x 10 8 W / (m 2.

개별적으로 제어가능한 디바이스(906)는 프레임(908) 상에 배열되고 Y 방향 및/또는 X 방향을 따라 연장될 수 있다. 하나의 프레임(908)만 도시되어 있지만, 리소그래피 장치는 복수의 프레임(908)을 가질 수 있다. 프레임(908) 상에는 렌즈(920)가 추가로 배열된다. 프레임(908), 따라서 개별적으로 제어가능한 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906) 및 렌즈(920)는 X-Y 평면에 실질적으로 고정되어 있다. 프레임(908), 개별적으로 제어가능한 콘트라스트 디바이스(906) 및 렌즈(920)는 액추에이터(910)에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있다. 대안적으로, 렌즈(920)는 특정 렌즈와 관련된 액추에이터에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있다. 각 렌즈(920)에는 자신의 액추에이터가 제공될 수 있다. The individually controllable device 906 may be arranged on the frame 908 and extend along the Y direction and / or the X direction. Although only one frame 908 is shown, the lithographic apparatus may have a plurality of frames 908. On the frame 908, a lens 920 is further arranged. The frame 908, and thus the individually controllable self-emitting contrast device 906 and the lens 920 are substantially fixed in the X-Y plane. The frame 908, the individually controllable contrast device 906 and the lens 920 can be moved in the Z direction by the actuator 910. [ Alternatively, the lens 920 may be moved in the Z direction by an actuator associated with the particular lens. Each lens 920 may be provided with its own actuator.

자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)는 빔을 방출하도록 구성될 수 있고 투영 시스템(920, 924 및 930)은 기판의 타겟부 상으로 빔을 투영하도록 구성될 수 있다. 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906) 및 투영 시스템은 광학 컬럼을 형성한다. 리소그래피 장치(900)는 기판에 대하여 광학 컬럼 또는 이의 일부를 이동시키도록 구성된 액추에이터(예를 들면, 모터(918))를 포함할 수 있다. 그 위에 필드 렌즈(924) 및 이미징 렌즈(930)가 배열된 프레임(912)은 액추에이터로 회전가능할 수 있다. 필드 렌즈(924) 및 이미징 렌즈(930)의 조합이 이동가능한 광학기기(914)를 형성한다. 사용 중에, 프레임(912)은 자신의 축(916)을 중심으로, 예를 들어 도 34에서 화살표로 표시된 방향으로, 회전한다. 프레임(912)은 액추에이터, 예를 들면 모터(918)를 이용하여 축(916)을 중심으로 회전된다. 또한, 이동가능한 광학기기(914)가 기판 테이블(902)에 대해 변위될 수 있도록, 프레임(912)은 모터(910)에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있다. The self-emitting contrast device 906 may be configured to emit a beam and the projection systems 920, 924, and 930 may be configured to project the beam onto a target portion of the substrate. The self-emitting contrast device 906 and the projection system form an optical column. The lithographic apparatus 900 may include an actuator (e.g., a motor 918) configured to move an optical column or a portion thereof relative to a substrate. A frame 912 on which the field lens 924 and the imaging lens 930 are arranged may be rotatable by an actuator. The combination of the field lens 924 and the imaging lens 930 forms a movable optical device 914. In use, the frame 912 rotates about its axis 916, e.g., in the direction indicated by the arrow in Fig. The frame 912 is rotated about an axis 916 using an actuator, for example, a motor 918. The frame 912 can be moved in the Z direction by the motor 910 so that the movable optical device 914 can be displaced with respect to the substrate table 902. [

그 안에 개구부를 갖는 개구부 구조체(922)가 렌즈(920) 위에, 렌즈(920)와 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906) 사이에 위치할 수 있다. 개구부 구조체(922)는 렌즈(920), 대응하는 개별적으로 제어가능한 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906), 및/또는 인접한 렌즈(920)/개별적으로 제어가능한 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)의 회절 효과를 제한할 수 있다. An aperture structure 922 having an aperture therein may be positioned on the lens 920 between the lens 920 and the self-emission contrast device 906. The aperture structure 922 is configured to provide a diffractive effect 908 of a lens 920, a corresponding individually controllable self-emitting contrast device 906, and / or an adjacent lens 920 / individually controllable self- .

도시되어 있는 장치는 프레임(912)을 회전시키고 동시에 광학 컬럼 아래에서 기판 테이블(902) 상의 기판을 이동시킴으로써 이용될 수 있다. 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)는 렌즈(920, 924 및 930)가 서로에 대해 실질적으로 정렬될 때 렌즈(920, 924 및 930)를 통해 빔을 방출할 수 있다. 렌즈(924 및 930)를 이동시킴으로써, 기판 상의 빔의 이미지는 기판의 부분에 걸쳐 스캔된다. 광학 컬럼 아래에서 기판 테이블(902) 상의 기판을 동시에 이동시킴으로써, 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)의 이미지의 대상이 되는 기판의 부분 또한 이동한다. 또한 광학 컬럼 또는 이중 일부의 회전을 제어하고 기판의 속도를 제어하는 제어기의 제어 하에서 고속으로 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)를 스위치 온 및 오프 함으로써, 필요한 패턴이 기판 상의 레지스트 층에 이미징될 수 있다.The depicted apparatus can be used by rotating the frame 912 and simultaneously moving the substrate on the substrate table 902 below the optical column. The self-emitting contrast device 906 may emit a beam through the lenses 920, 924, and 930 when the lenses 920, 924, and 930 are substantially aligned with respect to each other. By moving the lenses 924 and 930, the image of the beam on the substrate is scanned over a portion of the substrate. By simultaneously moving the substrate on the substrate table 902 under the optical column, the portion of the substrate that is the object of the image of the self-emitting contrast device 906 is also moved. Also, by switching on and off the self-emission contrast device 906 at high speed under the control of a controller that controls the rotation of the optical column or a portion of the two and controls the speed of the substrate, the required pattern can be imaged onto the resist layer on the substrate .

도 34는 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)를 갖는 도 33의 리소그래피 장치의 개략적인 평면도이다. 도 33에 도시되어 있는 리소그래피 장치(900)와 마찬가지로, 리소그래피 장치(900)는 기판(928)을 홀딩하기 위한 기판 테이블(902), 및 6 이하의 자유도로 기판 테이블(902)을 이동시키기 위한 위치 설정기구(904)를 포함한다. 일 실시예에서 리소그래피 장치는 개별적으로 어드레스가능한 요소(906)와 기판(928) 사이의 정렬을 결정하고 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)의 투영에 대하여 기판(928)이 수평인지를 결정하기 위한 정렬/레벨 센서(932)를 더 포함한다. 도시되어 있는 바와 같이, 기판(928)은 직사각형 형상을 갖지만, 부가적으로 또는 대안적으로 둥근 형상의 기판 또한 처리될 수 있다.34 is a schematic plan view of the lithographic apparatus of FIG. 33 with self-emission contrast device 906. FIG. 33, the lithographic apparatus 900 includes a substrate table 902 for holding a substrate 928, and a position for moving the substrate table 902 to a degree of freedom of 6 or less And a setting mechanism 904. In one embodiment, the lithographic apparatus may be arranged to determine alignment between the individually addressable element 906 and the substrate 928 and to determine alignment of the substrate 928 with respect to the projection of the self- / Level sensor 932 as shown in FIG. As shown, the substrate 928 has a rectangular shape, but additionally or alternatively, a round shaped substrate may also be processed.

자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)는 프레임(926) 상에 배열된다. 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어, 레이저 다이오드, 예컨대 청자색 레이저 다이오드이다. 도 34에 도시되어 있는 바와 같이, 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)는 X-Y 평면에서 연장되는 어레이(934)로 배열될 수 있다.The self-emitting contrast device 906 is arranged on a frame 926. The self-emitting contrast device 906 is a radiation emitting diode, for example a laser diode, such as a violet laser diode. As shown in FIG. 34, the self-emitting contrast device 906 may be arranged in an array 934 extending in the X-Y plane.

이러한 어레이(934)는 기다란 라인일 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 어레이(934)는 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 콘트라스트 디바이스(906)의 1차원 어레이일 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 어레이(934)는 하나 이상의 개별적으로 어드레스가능한 콘트라스트 디바이스(906)의 2차원 어레이일 수 있다.This array 934 may be an elongated line. In one embodiment, such an array 934 can be a one-dimensional array of one or more individually addressable contrast devices 906. In one embodiment, such an array 934 may be a two-dimensional array of one or more individually addressable contrast devices 906.

화살표로 나타낸 방향으로 회전할 수 있는 회전형 프레임(912)이 제공될 수 있다. 회전형 프레임에는 개별적으로 어드레스가능한 콘트라스트 디바이스(906) 각각의 이미지를 제공하기 위해 렌즈(924, 930)(도 33 참조)가 제공될 수 있다. A rotatable frame 912 capable of rotating in a direction indicated by an arrow can be provided. The rotatable frame may be provided with lenses 924 and 930 (see FIG. 33) to provide an image of each individually addressable contrast device 906.

장치에는 기판에 대하여 프레임(912), 및 렌즈(924, 930)를 포함하는 광학 컬럼을 회전시키기 위한 액추에이터가 제공될 수 있다. 광학 컬럼 또는 그 일부의 이동은 렌즈 주위에 난류를 유발할 수 있다. 이러한 이동은 광학 컬럼을 둘러싸는 매질에 밀도 변화를 유발할 수 있다. 이러한 밀도 변화는 기판(928) 상의 빔의 이미징을 열화시키는, 슐리렌(Schlieren)이라 지칭되는 광학적 효과를 유발할 수 있다. The apparatus may be provided with an actuator for rotating an optical column including a frame 912 and lenses 924 and 930 with respect to the substrate. Movement of the optical column or a portion thereof can cause turbulence around the lens. This movement can cause a density change in the medium surrounding the optical column. This change in density can cause optical effects, referred to as Schlieren, which degrade the imaging of the beam on the substrate 928. [

도 35 및 36은 도 33의 리소그래피 장치를 개략적으로 나타내며, 이러한 장치는 빔에 대한 광학 컬럼의 이동부 주위의 매질의 밀도 변화의 광학적 효과를 줄이도록 구성되어 있다. 격실(936)은 회전형 프레임(912)을 실질적으로 둘러쌀 수 있고, 격실(936) 내의 공간은 압력을 감소시키기 위해 펌프(944)에 의해 배기(evacuate)될 수 있다. 전체 격실(936)에 걸쳐 감소된 압력을 전달하기 위해 하나 이상의 개구부가 제공될 수 있다. 이러한 압력을 감소시킴으로써 슐리렌 효과를 감소시킬 수 있다. 격실 내의 압력은 1 bar 미만, 100 mbar 미만, 20 mbar 미만, 또는 10 mbar 미만의 레벨로 감소될 수 있다.35 and 36 schematically illustrate the lithographic apparatus of FIG. 33, which is configured to reduce the optical effect of the density variation of the medium around the moving part of the optical column relative to the beam. The compartment 936 may substantially surround the rotatable frame 912 and the space within the compartment 936 may be evacuated by the pump 944 to reduce the pressure. One or more openings may be provided to deliver the reduced pressure across the compartment 936. By reducing these pressures, the effect of the schlieren can be reduced. The pressure in the compartment can be reduced to less than 1 bar, less than 100 mbar, less than 20 mbar, or less than 10 mbar.

격실(936)에는, 슐리렌 효과를 감소시키기 위해, 가스 저장소(946)로부터 특정 매질, 예를 들어 헬륨이 제공될 수 있다. 헬륨을 이용하는 장점은 통상적인 공기보다 양호한 냉각 특성을 가진다는 점이다. 광학 컬럼 또는 그 일부의 이동은 리소그래피 장치의 일부를 가열시킬 수 있다. 헬륨의 개선된 냉각 능력은 이러한 가열을 감소시킬 수 있다. 헬륨의 제공은 격실(936)과 렌즈(924, 930) 사이의 공간 및/또는 압력의 감소와 조합될 수 있거나, 별개의 해결책으로 이용될 수 있다. 감소된 압력 및 헬륨과 같은 특정 가스는 슐리렌 효과를 더 감소시키기 위해 보다 낮은 회전 속도와 조합될 수 있다.In the compartment 936, a specific medium, such as helium, may be provided from the gas reservoir 946 to reduce the schlieren effect. The advantage of using helium is that it has better cooling characteristics than conventional air. The movement of the optical column or a portion thereof can heat a portion of the lithographic apparatus. The improved cooling capacity of helium can reduce this heating. The provision of helium may be combined with a reduction in space and / or pressure between the compartment 936 and the lenses 924, 930, or may be used as a separate solution. Certain gases, such as reduced pressure and helium, can be combined with lower rotational speeds to further reduce the schlieren effect.

자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)에 의해 방출되는 빔(938)은 격실 내의 윈도우(940)를 통과하여 기판 테이블 상의 기판(928)에 이른다. 프레임(912)의 이동은 프레임(912)이 이동하고 있는 매질에 난류를 유발할 수 있다. 이러한 난류에 의해 윈도우(940)가 이동할 수 있다. 윈도우(940)의 이러한 이동은 빔 또한 이동하게 할 수 있고, 이는 기판의 타겟부 상으로 빔을 투영하는데에 유해할 것이다. The beam 938 emitted by the self-emitting contrast device 906 passes through window 940 in the compartment to the substrate 928 on the substrate table. Movement of the frame 912 may cause turbulence in the medium in which the frame 912 is moving. The window 940 can be moved by this turbulence. This movement of the window 940 can also cause the beam to move, which would be detrimental to projecting the beam onto the target portion of the substrate.

부가적으로 또는 대안적으로, 윈도우(940)의 이동은 격실(936) 내의 압력을 감소시킴으로써 유발될 수 있다. 격실은 제한된 강성을 가질 수 있고, 압력을 감소시킴으로써 상부 플레이트(956) 및/또는 하부 플레이트(954)가 휠 수 있으며, 따라서 윈도우(940)를 이동시키고, 이에 의해 빔(938) 또한 이동하게 된다. 격실 내의 압력은 1 bar 미만, 100 mbar 미만, 30 mbar 미만 및/또는 10 mbar 미만의 레벨로 제어될 수 있다.Additionally or alternatively, movement of the window 940 may be caused by reducing the pressure in the compartment 936. The compartment may have a limited stiffness and lowering the pressure may cause the top plate 956 and / or the bottom plate 954 to move, thus moving the window 940, thereby also moving the beam 938 . The pressure in the compartment can be controlled to less than 1 bar, less than 100 mbar, less than 30 mbar and / or less than 10 mbar.

도 36은 도 33의 리소그래피 장치를 개략적으로 나타내고, 이러한 장치는 빔에 대한 광학 컬럼의 이동부 주위의 매질의 밀도 변화의 광학적 효과를 줄이도록 구성된다. 격실(936)은 회전형 프레임(912)을 실질적으로 둘러쌀 수 있고, 격실(936) 내의 공간은 압력을 감소시키기 위해 펌프(944)에 의해 배기될 수 있다. 전체 격실(936)을 통해 감소된 압력을 전달하기 위해 하나 이상의 개구부(942)가 제공될 수 있다. 이러한 압력을 감소시킴으로써 슐리렌 효과를 감소시킬 수 있다. 격실 내의 압력은 1 bar 미만, 100 mbar 미만, 20 mbar 미만, 또는 10 mbar 미만의 레벨로 감소될 수 있다.Fig. 36 schematically depicts the lithographic apparatus of Fig. 33, which is configured to reduce the optical effect of the density variation of the medium around the moving part of the optical column relative to the beam. The compartment 936 may substantially surround the rotatable frame 912 and the space in the compartment 936 may be vented by the pump 944 to reduce the pressure. One or more openings 942 may be provided to deliver the reduced pressure through the entire compartment 936. [ By reducing these pressures, the effect of the schlieren can be reduced. The pressure in the compartment can be reduced to less than 1 bar, less than 100 mbar, less than 20 mbar, or less than 10 mbar.

격실(936)에는, 슐리렌 효과를 감소시키기 위해, 가스 저장소(946)로부터 특정 매질, 예를 들어 헬륨이 제공될 수 있다. 헬륨을 이용하는 장점은 통상적인 공기보다 양호한 냉각 특성을 가진다는 점이다. 광학 컬럼 또는 그 일부의 이동은 리소그래피 장치의 일부를 가열시킬 수 있다. 헬륨의 개선된 냉각 능력은 이러한 가열을 감소시킬 수 있다. 헬륨의 제공은 격실(936)과 렌즈(924, 930) 사이의 공간 및/또는 압력의 감소와 조합될 수 있거나, 별개의 해결책으로 이용될 수 있다. 감소된 압력 및 헬륨과 같은 특정 가스는 슐리렌 효과를 더 감소시키기 위해 보다 낮은 회전 속도와 조합될 수 있다. 윈도우(940)의 이동은 격실(936) 내의 압력을 감소시킴으로써 유발될 수 있다. 격실은 제한된 강성을 가질 수 있고, 압력을 감소시킴으로써 격실의 상부 플레이트(956) 및/또는 하부 플레이트(954)가 휠 수 있으며, 따라서 윈도우(940)를 이동시키고, 이에 의해 빔(938) 또한 이동하게 된다. 격실 내의 압력은 1 bar 미만, 100 mbar 미만, 30 mbar 미만 및/또는 10 mbar 미만의 레벨로 제어될 수 있다.In the compartment 936, a specific medium, such as helium, may be provided from the gas reservoir 946 to reduce the schlieren effect. The advantage of using helium is that it has better cooling characteristics than conventional air. The movement of the optical column or a portion thereof can heat a portion of the lithographic apparatus. The improved cooling capacity of helium can reduce this heating. The provision of helium may be combined with a reduction in space and / or pressure between the compartment 936 and the lenses 924, 930, or may be used as a separate solution. Certain gases, such as reduced pressure and helium, can be combined with lower rotational speeds to further reduce the schlieren effect. Movement of the window 940 may be caused by reducing the pressure in the compartment 936. The compartment may have limited rigidity and the lower plate 954 and / or the upper plate 956 of the compartment may be rotated by reducing the pressure, thus moving the window 940, thereby also moving the beam 938 . The pressure in the compartment can be controlled to less than 1 bar, less than 100 mbar, less than 30 mbar and / or less than 10 mbar.

도 37은 빔에 대한 광학 컬럼의 이동부 주위의 매질의 밀도 변화의 광학적 효과를 줄이도록 구성된 리소그래피 장치이다. 자기-발광 콘트라스트 디바이스(906)는 회전형 프레임(912)에 연결되어 있는 회전형 렌즈(924, 930) 및 고정형 렌즈(920)를 통해 방사선 빔을 방출한다. 격실(936)은 회전형 렌즈(924, 930)에 대해 실질적으로 폐쇄된 환경을 제공한다. 폐쇄된 환경은 감소된 압력을 가질 수 있고, 및/또는 전술한 바와 같이 헬륨이 제공될 수 있다. 프레임(912)의 이동은 프레임(912)이 이동하는 매질에 난류를 유발할 수 있다. 이러한 난류에 의해 윈도우(940)가 이동할 수 있다. 윈도우(940)의 이러한 이동은 빔 또한 이동하게 할 수 있고, 이는 기판의 타겟부 상으로 빔을 투영하는데에 유해할 것이다.Figure 37 is a lithographic apparatus configured to reduce the optical effect of density changes of the medium around the moving part of the optical column relative to the beam. A self-emitting contrast device 906 emits a beam of radiation through rotating lenses 924, 930 and fixed lens 920 that are connected to a rotatable frame 912. The compartment 936 provides a substantially closed environment for the rotatable lenses 924,930. The enclosed environment may have a reduced pressure, and / or helium may be provided as described above. Movement of the frame 912 may cause turbulence in the medium in which the frame 912 moves. The window 940 can be moved by this turbulence. This movement of the window 940 can also cause the beam to move, which would be detrimental to projecting the beam onto the target portion of the substrate.

윈도우의 이동은 격실(936) 내의 압력을 감소시킴으로써 유발될 수 있다. 격실(936)은 제한된 강성을 가질 수 있고, 압력을 감소시킴으로써 격실(936)의 상부 플레이트(956) 및/또는 하부 플레이트(954)가 휠 수 있으며, 따라서 상부 및/또는 하부 플레이트에서 윈도우를 이동시키고, 이에 의해 빔 또한 이동하게 된다. 격실 내의 압력은 1 bar 미만, 100 mbar 미만, 30 mbar 미만 및/또는 10 mbar 미만의 레벨로 제어될 수 있다.Movement of the window can be caused by reducing the pressure in the compartment 936. The compartment 936 may have a limited stiffness and by lowering the pressure the upper plate 956 and / or the lower plate 954 of the compartment 936 may be rotated, thus moving the window in the upper and / Thereby also moving the beam. The pressure in the compartment can be controlled to less than 1 bar, less than 100 mbar, less than 30 mbar and / or less than 10 mbar.

도 38a 내지 38c는 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다. 도 38a는 회전부(950)가 구비되어 있는 회전형 프레임(912)(부분적으로 도시됨)을 개시하고, 이러한 회전부(950)는 렌즈들(924, 930) 사이의 공간을 부분적으로 폐쇄하고, 빔이 통과하도록 부분적으로 개방되어 있다. 이처럼 회전형 프레임은 본 실시예에서 회전형 드럼과 보다 유사할 것이다. 렌즈들(924, 930) 사이의 난류는 이런 식으로 최소화될 수 있다. 또한 리소그래피 장치에는 고정형 커버링(952)이 제공되고, 이러한 고정형 커버링(952)은 렌즈들(920, 924) 사이의 공간을 부분적으로 둘러싸면서 빔이 통과하도록 개방된 공간을 남겨 놓는다. 윈도우(940)가 고정형 커버링(952)의 하부에 제공되어 가스가 고정형 커버링(952) 내부의 개방된 공간에 진입하는 것을 방지할 수 있게 된다. 렌즈(930) 아래에는, 윈도우(940)를 갖는 플레이트(948)가 제공되어 난류를 줄이거나 최소화하게 된다. 윈도우(940)는 또한 기판으로부터 나오는 이물질로부터 렌즈(930)를 보호할 수 있다.Figures 38A-C schematically illustrate a lithographic apparatus. 38A discloses a rotatable frame 912 (partially shown) having a rotatable portion 950 that partially closes the space between the lenses 924 and 930, Is partially open. Such a rotatable frame will be more similar to the rotating drum in this embodiment. The turbulence between the lenses 924 and 930 can be minimized in this way. The lithographic apparatus is also provided with a fixed cover 952, which partially encloses the space between the lenses 920, 924 leaving a space open for the beam to pass through. A window 940 may be provided below the stationary cover 952 to prevent gas from entering the open space within the stationary cover 952. [ Below the lens 930, a plate 948 with a window 940 is provided to reduce or minimize turbulence. The window 940 can also protect the lens 930 from foreign objects coming from the substrate.

도 38b는 이동형 렌즈(924 및 930) 근방에 플레이트(948)가 제공되는 실시예를 개시한다. 플레이트(948)에는 투명한 부분, 즉 윈도우(940)가 구비될 수 있다. 플레이트(948)는 이동형 렌즈 주위에 난류를 감소시키고 슐리렌 효과를 줄일 수 있다.Fig. 38B discloses an embodiment in which a plate 948 is provided in the vicinity of movable lenses 924 and 930. Fig. The plate 948 may be provided with a transparent portion, i.e., a window 940. Plate 948 can reduce turbulence and reduce the effect of shrinkage around the moveable lens.

도 38c는 빔 주위에 고정형 커버링(952)이 제공되는 실시예를 개시한다. 고정형 커버링(952)에는 빔이 통과하는 커버링(952) 내의 개방 공간 근방에 투명한 윈도우(940)가 제공된다. 렌즈(924 및 930)의 이동에 의해 유발되는 난류에 대한 빔의 감도를 이런 식으로 줄이게 된다. 렌즈(924 및 930)의 이동은 프레임(912)이 이동하는 매질에 난류를 유발할 수 있다. 이러한 난류에 의해 윈도우(940)가 이동할 수 있다. 윈도우(940)의 이러한 이동은 빔 또한 이동하게 할 수 있고, 이는 기판의 타겟부 상으로 빔을 투영하는데에 유해할 것이다.Figure 38c discloses an embodiment in which a fixed covering 952 is provided around the beam. The fixed cover 952 is provided with a transparent window 940 near the open space in the covering 952 through which the beam passes. This reduces the sensitivity of the beam to turbulence caused by the movement of the lenses 924 and 930. Movement of the lenses 924 and 930 may cause turbulence in the medium through which the frame 912 moves. The window 940 can be moved by this turbulence. This movement of the window 940 can also cause the beam to move, which would be detrimental to projecting the beam onto the target portion of the substrate.

도 39는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치 중 일부를 측면으로부터 그리고 상부로부터 개략적으로 나타낸다. 격실(936)(단지 부분적으로 도시됨)에는 윈도우(940)가 구비된 하부 플레이트(954)가 제공된다. 윈도우(940)는 높은 강성을 갖고 장치에 기계적으로 장착된다. 하부 플레이트(954) 및 윈도우(940)는, 하부 플레이트의 이동이 윈도우(940)의 이동을 유발하지 않도록 비교적 낮은 강성으로 가요성 있게 연결될 수 있다. 예를 들어, 윈도우(940)는 글루(glue), 멤브레인, 가요성 접착제 또는 고무로 하부 플레이트(954)에 연결될 수 있다. 윈도우(940)에는 이를 하부 플레이트(954)에 장착하기 위해 고무 O-링이 제공될 수 있다. 이런 식으로, 하부 플레이트(954)는 윈도우(940)에 힘을 가하지 않고 안쪽으로 이동할 수 있다. 윈도우(940)는 장치의 격실(936) 또는 베이스 프레임에 강성을 갖고 장착될 수 있다. 윈도우(940)가 전체 하부 플레이트(954)보다 작기 때문에, 윈도우(940) 상의 힘은 훨씬 더 작다. 그러므로, 움직임 없이 광학적으로 평탄하고, 및/또는 올바른 위치에 머물러 있도록 윈도우(940)를 장착하는 것이 보다 용이해진다.Figure 39 schematically illustrates a portion of a lithographic apparatus according to an embodiment of the present invention, from a side view and from above. The compartment 936 (only partially shown) is provided with a lower plate 954 with a window 940. The window 940 is mechanically mounted to the device with high rigidity. The lower plate 954 and the window 940 can be flexibly connected with relatively low stiffness such that movement of the bottom plate does not cause movement of the window 940. [ For example, the window 940 can be connected to the bottom plate 954 with a glue, a membrane, a flexible adhesive or rubber. The window 940 may be provided with a rubber O-ring for mounting it on the lower plate 954. [ In this way, the lower plate 954 can move inward without exerting pressure on the window 940. [ The window 940 may be rigidly mounted to the compartment 936 of the device or base frame. Because the window 940 is smaller than the entire bottom plate 954, the force on the window 940 is much smaller. Therefore, it is easier to mount the window 940 so as to remain optically flat and / or in the correct position without movement.

윈도우(940)와 하부 플레이트 사이에 누설 시일(leaky seal; 958)이 제공될 수 있다. 누설 시일은 매우 작은 개구부, 예를 들어 200 마이크로미터 미만, 50 마이크로미터 미만 또는 10 마이크로미터 미만의 개구부이고, 이는 윈도우를 하부 플레이트(954)로부터 기계적으로 격리시킨다. 이러한 작은 개구부는 누설 시일(958)을 통한 가스의 유입을 격실의 내부로 제한한다.A leaky seal 958 may be provided between the window 940 and the bottom plate. The leak seal is a very small opening, e. G., Less than 200 micrometers, less than 50 micrometers, or less than 10 micrometers, which mechanically isolates the window from the bottom plate 954. This small opening restricts the inflow of gas through the leak seal 958 to the interior of the compartment.

실시예는 또한, 다음과 같은 번호의 항목으로 이하 제시된다:Embodiments are also presented below with the following numbered items:

1. 리소그래피 장치로서,1. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더;A substrate holder configured to hold a substrate;

필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔에 기판의 노광 영역을 노출하도록 구성된 변조기; 및A modulator configured to expose an exposure area of the substrate to a plurality of beams modulated according to a required pattern; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성되고, 복수의 빔을 수신하는 렌즈 어레이를 포함하는 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate, the projection system comprising a lens array for receiving a plurality of beams,

을 포함하고, 상기 투영 시스템은 노광 영역의 노광 중에 변조기에 대해 렌즈 어레이를 이동시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the projection system is configured to move the lens array relative to the modulator during exposure of the exposure area.

2. 제1 실시예에 있어서,2. In the first embodiment,

각각의 렌즈는 변조기로부터 기판으로의 복수의 빔 중 적어도 하나의 빔의 빔 경로를 따라 배열되는 적어도 2개의 렌즈를 포함하는, 리소그래피 장치.Each lens comprising at least two lenses arranged along a beam path of at least one of the plurality of beams from the modulator to the substrate.

3. 제2 실시예에 있어서,3. In the second embodiment,

적어도 2개의 렌즈 중 제1 렌즈는 필드 렌즈를 포함하고 적어도 2개의 렌즈 중 제2 렌즈는 이미징 렌즈를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the first of the at least two lenses comprises a field lens and the second of the at least two lenses comprises an imaging lens.

4. 제3 실시예에 있어서,4. In the third embodiment,

필드 렌즈의 초점 평면은 이미징 렌즈의 역 초점 평면과 일치하는, 리소그래피 장치.Wherein the focal plane of the field lens coincides with the inverse focal plane of the imaging lens.

5. 제3 실시예 또는 제4 실시예에 있어서,5. In the third embodiment or the fourth embodiment,

이미징 렌즈는 이중 비구면 렌즈를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the imaging lens comprises a double aspherical lens.

6. 제3 실시예 내지 제5 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,6. In any one of the third to fifth embodiments,

필드 렌즈의 초점 길이는, 이미징 렌즈에 대한 필드 크기가 2 내지 3도보다 작은 반각이 되게 하는 길이인, 리소그래피 장치.Wherein the focal length of the field lens is such that the field size for the imaging lens is a half angle smaller than two to three degrees.

7. 제3 실시예 내지 제6 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,7. In any one of the third to sixth embodiments,

이미징 렌즈의 초점 길이는, 기판에서 NA가 0.2인 경우, 이미징 렌즈가 필드 렌즈의 지름보다 커지지 않도록 하는 길이인, 리소그래피 장치.Wherein the focal length of the imaging lens is such that the imaging lens is not larger than the diameter of the field lens when NA is 0.2 on the substrate.

8. 제7 실시예에 있어서,8. In the seventh embodiment,

이미징 렌즈의 초점 길이는 필드 렌즈의 지름과 동일한, 리소그래피 장치.Wherein the focal length of the imaging lens is equal to the diameter of the field lens.

9. 제3 실시예 내지 제8 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,9. In any one of the third to eighth embodiments,

복수의 빔이 필드 렌즈 및 이미징 렌즈의 단일 조합으로 이미징되는, 리소그래피 장치.Wherein a plurality of beams are imaged in a single combination of a field lens and an imaging lens.

10. 제3 실시예 내지 제9 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,10. In any one of the third to ninth embodiments,

변조기로부터 필드 렌즈로의 복수의 빔 중 적어도 하나의 빔의 빔 경로를 따라 배열된 초점 제어 디바이스를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a focus control device arranged along a beam path of at least one of the plurality of beams from the modulator to the field lens.

11. 제10 실시예에 있어서,11. The method of embodiment 10,

초점 제어 디바이스는 폴딩 미러(folding mirror) 및 이동가능한 루프탑을 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the focus control device comprises a folding mirror and a movable roof top.

12. 제3 실시예에 있어서,12. In a third embodiment,

제1 렌즈로부터 제2 렌즈로 빔을 시준하기 위한 렌즈를 상기 경로에 더 포함하는, 리소그래피 장치.And a lens for collimating the beam from the first lens to the second lens.

13. 제12 실시예에 있어서,13. The twelfth embodiment,

빔을 시준하기 위한 상기 경로 상의 렌즈는 변조기에 대하여 실질적으로 고정되어 있는, 리소그래피 장치.Wherein the lens on the path for collimating the beam is substantially fixed to the modulator.

14. 제3 실시예, 제12 실시예 또는 제13 실시예에 있어서,14. In the third embodiment, the twelfth embodiment or the thirteenth embodiment,

변조기와 제1 렌즈 사이의 경로에, 제1 렌즈를 향해 복수의 빔 중 적어도 하나의 빔을 포커싱하기 위한 렌즈를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a lens in a path between the modulator and the first lens for focusing at least one of the plurality of beams toward the first lens.

15. 제14 실시예에 있어서,15. The process of embodiment 14,

빔을 포커싱하기 위한 상기 경로 상의 렌즈는 변조기에 대해 실질적으로 고정되어 있는, 리소그래피 장치.Wherein the lens on the path for focusing the beam is substantially fixed to the modulator.

16. 제3 실시예 또는 제12 실시예 내지 제15 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,16. In any one of the third or twelfth to fifteenth embodiments,

필드 렌즈의 광축은 이미징 렌즈의 광축과 일치하는, 리소그래피 장치.Wherein the optical axis of the field lens coincides with the optical axis of the imaging lens.

17. 제2 실시예에 있어서,17. In a second embodiment,

적어도 2개의 렌즈 중 제1 렌즈는 적어도 2개의 서브-렌즈를 포함하고, 복수의 빔 중 적어도 하나의 빔은 2개의 서브-렌즈의 중간에서 포커싱되는, 리소그래피 장치.Wherein the first of the at least two lenses comprises at least two sub-lenses and at least one of the plurality of beams is focused in the middle of the two sub-lenses.

18. 제17 실시예에 있어서,18. The process of embodiment 17,

적어도 2개의 서브-렌즈 각각은 실질적으로 동일한 초점 길이를 갖는, 리소그래피 장치.Each of the at least two sub-lenses having substantially the same focal length.

19. 제2 실시예, 제17 실시예 또는 제18 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,19. In any one of the second, seventeenth, or eighteenth embodiment,

제1 렌즈는 적어도 2개의 렌즈 중 제2 렌즈를 향해 시준된 빔을 출력하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the first lens is configured to output a collimated beam towards the second of the at least two lenses.

20. 제2 실시예, 또는 제17 실시예 내지 제19 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,20. In any one of the second embodiment, or the seventeenth through nineteenth embodiments,

적어도 2개의 렌즈 중 제1 렌즈를, 적어도 2개의 렌즈 중 제2 렌즈와는 상이한 속도로 이동시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the first lens of the at least two lenses is configured to move at a different speed than the second one of the at least two lenses.

21. 제20 실시예에 있어서,21. The twentieth embodiment,

제2 렌즈의 속도는 제1 렌즈의 속도의 2배인, 리소그래피 장치.The speed of the second lens being twice the speed of the first lens.

22. 제1 실시예에 있어서,22. In a first embodiment,

각각의 렌즈는 4f 텔리센트릭 인/텔리센트릭 아웃 이미징 시스템을 포함하는, 리소그래피 장치.Each lens comprising a 4f telecentric in / telecentric out imaging system.

23. 제22 실시예에 있어서,23. The process of embodiment 22,

4f 텔리센트릭 인/텔리센트릭 아웃 이미징 시스템은 적어도 6개의 렌즈를 포함하는, 리소그래피 장치.4f. A lithographic apparatus comprising a telecentric in / telecentric out imaging system comprising at least six lenses.

24. 제1 실시예에 있어서,24. In a first embodiment,

변조기와 렌즈 어레이 사이에 디로테이터(derotator)를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a derotator between the modulator and the lens array.

25. 제24 실시예에 있어서,25. The process of embodiment 24,

디로테이터는 Pechan 프리즘을 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the di rotator comprises a Pechan prism.

26. 제24 실시예 또는 제25 실시예에 있어서,26. The twenty-fourth embodiment or the twenty-fifth embodiment,

디로테이터는 렌즈 어레이의 속도의 1/2로 이동하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the divertor is configured to move to a half of the speed of the lens array.

27. 제24 실시예 내지 제26 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,27. In any one of the twenty-fourth to twenty-sixth embodiments,

변조기와 디로테이터 사이에서 빔의 크기를 감소시키기 위한 포물곡면 미러를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a parabolic curved mirror for reducing the size of the beam between the modulator and the de-rotator.

28. 제24 실시예 내지 제27 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,28. In any one of the twenty-fourth to twenty-seventh embodiments,

디로테이터와 렌즈 어레이 사이에서 빔의 크기를 증가시키기 위한 포물곡면 미러를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a parabolic curved mirror for increasing the size of the beam between the di rotator and the lens array.

29. 제1 실시예 내지 제28 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,29. In any one of the first through twenty-eighth embodiments,

렌즈 어레이는 변조기에 대하여 회전되는, 리소그래피 장치.Wherein the lens array is rotated relative to the modulator.

30. 제1 실시예 내지 제29 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,30. In any one of the first through twenty-ninth embodiments,

변조기는 전자기 방사선을 방출하기 위한 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the modulator comprises a plurality of individually controllable radiation sources for emitting electromagnetic radiation.

31. 제1 실시예 내지 제29 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,31. In any one of the first through twenty-ninth embodiments,

변조기는 마이크로미러 어레이를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the modulator comprises a micromirror array.

32. 제1 실시예 내지 제29 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,32. In any one of the first to twenty-ninth embodiments,

변조기는 방사선 소스 및 음향-광학 변조기를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the modulator comprises a radiation source and an acousto-optic modulator.

33. 디바이스 제조 방법으로서,33. A device manufacturing method comprising:

필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 제공하는 단계; 및Providing a plurality of beams modulated according to a required pattern; And

복수의 빔을 수신하는 렌즈 어레이를 이용하여 기판 상으로 복수의 빔을 투영하는 단계; 및Projecting a plurality of beams onto a substrate using a lens array that receives a plurality of beams; And

투영 중에 빔에 대하여 렌즈 어레이를 이동시키는 단계Moving the lens array relative to the beam during projection

를 포함하는, 디바이스 제조 방법.≪ / RTI >

34. 제33 실시예에 있어서,34. The method of embodiment 33,

각각의 렌즈는 적어도 하나의 빔의 소스로부터 기판으로의 복수의 빔 중 적어도 하나의 빔의 빔 경로를 따라 배열되는 적어도 2개의 렌즈를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Each lens comprising at least two lenses arranged along a beam path of at least one of the plurality of beams from the source of the at least one beam to the substrate.

35. 제34 실시예에 있어서,35. The method of embodiment 34,

적어도 2개의 렌즈 중 제1 렌즈는 필드 렌즈를 포함하고, 적어도 2개의 렌즈 중 제2 렌즈는 이미징 렌즈를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the first of the at least two lenses comprises a field lens and the second of the at least two lenses comprises an imaging lens.

36. 제35 실시예에 있어서,36. The method of embodiment 35,

필드 렌즈의 초점 평면은 이미징 렌즈의 역 초점 평면과 일치하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the focal plane of the field lens coincides with the inverse focal plane of the imaging lens.

37. 제35 실시예 또는 제36 실시예에 있어서,37. The 35th embodiment or the 36th embodiment,

이미징 렌즈는 이중 비구면 렌즈를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the imaging lens comprises a double aspherical lens.

38. 제35 실시예 내지 제37 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,38. In any one of the 35th to 37th embodiments,

필드 렌즈의 초점 길이는, 이미징 렌즈에 대한 필드 크기가 2 내지 3도보다 작은 반각이 되게 하는 길이인, 디바이스 제조 방법.Wherein the focal length of the field lens is such that the field size for the imaging lens is a half angle smaller than two to three degrees.

39. 제35 실시예 내지 제38 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,39. The method according to any one of < RTI ID = 0.0 > 35th < / RTI &

이미징 렌즈의 초점 길이는, 기판에서 0.2의 NA인 경우, 이미징 렌즈가 필드 렌즈의 지름보다 커지지 않도록 하는 길이인, 디바이스 제조 방법.Wherein the focal length of the imaging lens is such that the imaging lens is not larger than the diameter of the field lens when NA is 0.2 at the substrate.

40. 제39 실시예에 있어서,40. The process of embodiment 39,

이미징 렌즈의 초점 길이는 필드 렌즈의 지름과 동일한, 디바이스 제조 방법.Wherein the focal length of the imaging lens is equal to the diameter of the field lens.

41. 제35 실시예 내지 제40 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,41. In any one of the 35th to 40th embodiments,

복수의 빔이 필드 렌즈 및 이미징 렌즈의 단일 조합으로 이미징되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the plurality of beams is imaged in a single combination of a field lens and an imaging lens.

42. 제35 실시예 내지 제41 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,42. In any one of the 35th to 41nd embodiments,

복수의 빔 중 적어도 하나의 빔의 소스와 필드 렌즈 사이에 초점 제어 디바이스를 이용하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 제조 방법.Using a focus control device between a source of at least one of the plurality of beams and a field lens.

43. 제42 실시예에 있어서,43. The process of embodiment 42 wherein < RTI ID = 0.0 >

초점 제어 디바이스는 폴딩 미러 및 이동가능한 루프탑을 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the focus control device comprises a folding mirror and a movable roof top.

44. 제35 실시예에 있어서,44. The process of embodiment 35 wherein,

렌즈를 이용하여 제1 렌즈와 제2 렌즈 사이에서 적어도 하나의 빔을 시준하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 제조 방법.Further comprising the step of collimating at least one beam between the first lens and the second lens using a lens.

45. 제44 실시예에 있어서,45. The process of embodiment 44,

적어도 하나의 빔을 시준하기 위한 렌즈는 적어도 하나의 빔에 대하여 실질적으로 고정되어 있는, 디바이스 제조 방법.Wherein the lens for collimating at least one beam is substantially fixed with respect to at least one beam.

46. 제35 실시예, 제44 실시예 또는 제45 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,46. The method as in any one of the 35th, 44th, or 45th embodiments,

적어도 하나의 빔의 소스와 제1 렌즈 사이의 경로에서 렌즈를 이용하여 제1 렌즈를 향해 복수의 빔 중 적어도 하나의 빔을 포커싱하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 제조 방법.Further comprising the step of focusing at least one of the plurality of beams toward the first lens using a lens in a path between the source of the at least one beam and the first lens.

47. 제46 실시예에 있어서,47. The process of embodiment 46 wherein < RTI ID = 0.0 >

적어도 하나의 빔을 포커싱하기 위한 렌즈는 적어도 하나의 빔에 대해 실질적으로 고정되어 있는, 디바이스 제조 방법.Wherein the lens for focusing at least one beam is substantially fixed with respect to at least one beam.

48. 제35 실시예 또는 제44 실시예 내지 제47 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,48. The method according to any one of the thirty-fifth to 44th embodiments,

필드 렌즈의 광축은 대응하는 이미징 렌즈의 광축과 일치하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the optical axis of the field lens coincides with the optical axis of the corresponding imaging lens.

49. 제34 실시예에 있어서,49. The process of embodiment 34,

적어도 2개의 렌즈 중 제1 렌즈는 적어도 2개의 서브-렌즈를 포함하고, 복수의 빔 중 적어도 하나의 빔은 2개의 서브-렌즈 중간에서 포커싱되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the first of the at least two lenses comprises at least two sub-lenses, and at least one of the plurality of beams is focused in the middle of the two sub-lenses.

50. 제49 실시예에 있어서,50. The process of embodiment 49,

적어도 2개의 서브-렌즈 각각은 실질적으로 동일한 초점 길이를 갖는, 디바이스 제조 방법.Each of the at least two sub-lenses having substantially the same focal length.

51. 제34 실시예, 제49 실시예 또는 제50 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,51. The method as in any of the 34th, 49th, or 50th embodiments,

제1 렌즈는 적어도 2개의 렌즈 중 제2 렌즈를 향해 시준된 빔을 출력하도록 구성되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the first lens is configured to output a collimated beam toward the second one of the at least two lenses.

52. 제34 실시예, 또는 제49 실시예 내지 제51 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,52. The method according to any one of the thirty-fourth to fifty-first embodiments, or forty-eighth to fifty-first embodiments,

적어도 2개의 렌즈 중 제1 렌즈를, 적어도 2개의 렌즈 중 제2 렌즈와는 상이한 속도로 이동시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Moving a first one of the at least two lenses at a different speed than a second one of the at least two lenses.

53. 제52 실시예에 있어서,53. The process of embodiment 52 wherein < RTI ID = 0.0 >

제2 렌즈의 속도는 제1 렌즈의 속도의 2배인, 디바이스 제조 방법.Wherein the speed of the second lens is twice the speed of the first lens.

54. 제33 실시예에 있어서,54. The method of embodiment 33,

각각의 렌즈는 4f 텔리센트릭 인/텔리센트릭 아웃 이미징 시스템을 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein each lens comprises a 4f telecentric in / telecentric out imaging system.

55. 제54 실시예에 있어서,55. The process of embodiment 54,

4f 텔리센트릭 인/텔리센트릭 아웃 이미징 시스템은 적어도 6개의 렌즈를 포함하는, 디바이스 제조 방법.4f. A method of manufacturing a device, wherein the telecentric in / telecentric out imaging system comprises at least six lenses.

56. 제33 실시예에 있어서,56. The method of embodiment 33,

디로테이터를 이용하여 빔의 소스와 렌즈 어레이 사이에서 빔을 디로테이팅하는 단계를 더 포함하는, 디바이스 제조 방법.Further comprising derotating the beam between the source of the beam and the lens array using a di rotator.

57. 제56 실시예에 있어서,57. The method of embodiment 56,

디로테이터는 Pechan 프리즘을 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the di rotator comprises a Pechan prism.

58. 제56 실시예 또는 제57 실시예에 있어서,58. The process cartridge of embodiment 56 or claim 57,

디로테이터를 렌즈 어레이의 속도의 1/2로 이동시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.And moving the di rotator to one half the speed of the lens array.

59. 제56 실시예 내지 제58 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,59. In any one of embodiments 56 to 58,

포물곡면 미러를 이용하여 빔의 소스와 디로테이터 사이에서 빔의 크기를 감소시키는 단계를 더 포함하는, 디바이스 제조 방법.Further comprising using a parabolic curved mirror to reduce the size of the beam between the source of the beam and the detonator.

60. 제56 실시예 내지 제59 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,60. In any one of the 56th to 59th embodiments,

포물곡면 미러를 이용하여 빔의 소스와 디로테이터 사이에서 빔의 크기를 증가시키는 단계를 더 포함하는, 디바이스 제조 방법.Further comprising increasing the size of the beam between the source of the beam and the detonator using a parabolic curved mirror.

61. 제33 실시예 내지 제60 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,61. In any one of embodiments 33 to 60,

렌즈 어레이를 빔에 대하여 회전시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.And rotating the lens array relative to the beam.

62. 제33 실시예 내지 제61 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,62. The method according to any one of the thirty-third to sixty-first embodiments,

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스 각각이 복수의 빔 각각을 방출하는, 디바이스 제조 방법.Each of the plurality of individually controllable radiation sources emitting each of the plurality of beams.

63. 제33 실시예 내지 제61 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,63. In any one of the 33nd to 61nd embodiments,

마이크로미러 어레이가 복수의 빔을 방출하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the micromirror array emits a plurality of beams.

64. 제33 실시예 내지 제61 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,64. In any one of embodiments 33 to 61,

방사선 소스 및 음향-광학 변조기가 복수의 빔을 생성하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the radiation source and the acousto-optic modulator generate a plurality of beams.

65. 리소그래피 장치로서,65. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

전자기 방사선을 방출하기 위한 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔에 기판의 노광 영역을 노출하도록 구성된 변조기; 및A modulator comprising a plurality of individually controllable radiation sources for emitting electromagnetic radiation and configured to expose an exposure area of the substrate to a plurality of beams modulated according to a required pattern; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성되고, 복수의 빔을 수신하기 위한 렌즈 어레이를 포함하는 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate, the projection system comprising a lens array for receiving a plurality of beams,

을 포함하고,/ RTI >

상기 투영 시스템은 노광 영역의 노광 중에 개별적으로 제어가능한 방사선 소스에 대하여 렌즈 어레이를 이동시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the projection system is configured to move the lens array relative to an individually controllable radiation source during exposure of the exposure region.

66. 디바이스 제조 방법으로서,66. A device manufacturing method comprising:

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 이용하여 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 제공하는 단계;Providing a plurality of beams modulated according to a required pattern using a plurality of individually controllable radiation sources;

복수의 빔을 수신하는 렌즈 어레이를 이용하여 기판 상으로 복수의 빔을 투영하는 단계; 및Projecting a plurality of beams onto a substrate using a lens array that receives a plurality of beams; And

투영 중에 개별적으로 제어가능한 방사선 소스에 대하여 렌즈 어레이를 이동시키는 단계Moving the lens array relative to the individually controllable radiation source during projection

를 포함하는, 디바이스 제조 방법.≪ / RTI >

67. 리소그래피 장치로서,67. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔에 기판의 노광 영역을 노출하도록 구성된 변조기; 및A modulator configured to expose an exposure area of the substrate to a plurality of beams modulated according to a required pattern; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성되고, 복수의 빔을 수신하기 위한 복수의 렌즈 어레이를 포함하는 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate, the projection system comprising a plurality of lens arrays for receiving a plurality of beams,

을 포함하고,/ RTI >

각각의 렌즈 어레이는 복수의 빔의 빔 경로를 따라 별개로 배열되는, 리소그래피 장치.Each lens array being arranged separately along a beam path of the plurality of beams.

68. 제67 실시예에 있어서,68. The process of embodiment 67 wherein < RTI ID = 0.0 >

투영 시스템은 노광 영역의 노광 중에 변조기에 대하여 렌즈 어레이를 이동시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the projection system is configured to move the lens array relative to the modulator during exposure of the exposure area.

69. 제67 실시예 또는 제68 실시예에 있어서,69. The 67th embodiment or the 68th embodiment,

각각의 어레이의 렌즈는 일체형(single body)으로 배열되는, 리소그래피 장치.Wherein the lenses of each array are arranged in a single body.

70. 리소그래피 장치로서,70. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

전자기 방사선을 방출하기 위한 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔에 기판의 노광 영역을 노출하도록 구성되며, 복수의 방사선 소스 모두는 아닌 이보다 적은 방사선 소스 만이 어느 때든지 노광 영역을 노광할 수 있도록, 노광 영역의 노광 중에 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스를 이동시키도록 구성된 변조기; 및A plurality of individually controllable radiation sources for emitting electromagnetic radiation and configured to expose an exposure area of the substrate to a plurality of beams modulated according to a required pattern, wherein less than a few radiation sources, A modulator configured to move a plurality of radiation sources relative to the exposure area during exposure of the exposure area so that the exposure area can be exposed at any time; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

71. 리소그래피 장치로서,71. A lithographic apparatus comprising:

필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 제공하도록 구성된 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스로서, 이러한 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스는 방사선을 방출하는 위치와 방출하지 않는 위치 사이에서 이동가능한, 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스;A plurality of individually controllable radiation sources configured to provide a plurality of beams modulated in accordance with a required pattern, wherein at least one of the plurality of radiation sources is movable between a position emitting radiation and a position not emitting radiation, A plurality of individually controllable radiation sources;

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; 및A substrate holder configured to hold a substrate; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

72. 리소그래피 장치로서,72. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

전자기 방사선을 방출하기 위한 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔에 기판의 노광 영역을 노출하도록 구성되며, 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스로부터의 방사선이 복수의 방사선 소스 중 적어도 다른 하나의 방사선 소스로부터의 방사선과 동시에 인접하거나 중첩되도록, 노광 영역의 노광 중에 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스를 이동시키도록 구성된 변조기; 및A plurality of individually controllable radiation sources for emitting electromagnetic radiation and configured to expose an exposure area of the substrate to a plurality of beams modulated according to a desired pattern, wherein at least one of the plurality of radiation sources A modulator configured to move at least one radiation source of the plurality of radiation sources relative to the exposure area during exposure of the exposure area such that the radiation is adjacent or overlapping with radiation from at least another of the plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

73. 리소그래피 장치로서,73. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더;A substrate holder configured to hold a substrate;

필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성된 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스로서, 이러한 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스는 노광 영역에 방사선을 방출할 수 있는 위치와 노광 영역에 방사선을 방출할 수 없는 위치 사이에서 이동가능한, 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스; 및A plurality of individually controllable radiation sources configured to provide a plurality of beams modulated according to a desired pattern to an exposure area of the substrate, wherein at least one of the plurality of radiation sources has a position capable of emitting radiation to the exposure area A plurality of individually controllable radiation sources movable between a position where the radiation is not able to emit radiation to the exposure area and a position where radiation can not be emitted; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

74. 리소그래피 장치로서,74. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역의 노광 중에 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스를 이동시키도록 구성된 변조기로서, 상기 변조기는 노광 영역으로의 복수의 빔 출력을 갖고, 상기 빔 출력은 복수의 방사선 소스의 출력 영역보다 작은 영역을 갖는, 변조기; 및A plurality of individually controllable radiation sources configured to provide a plurality of beams modulated according to a desired pattern to an exposure region of the substrate, the plurality of beams being configured to move a plurality of radiation sources relative to an exposure region during exposure of the exposure region The modulator having a plurality of beam outputs to an exposure region, the beam output having a region smaller than an output region of a plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

75. 리소그래피 장치로서,75. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

개별적으로 제어가능한 방사선 소스의 복수의 어레이를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 각 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 각 노광 영역에 대하여 각 어레이를 이동시키거나, 각 노광 영역에 대하여 각 어레이로부터의 복수의 빔을 이동시키거나, 각 노광 영역에 대하여 어레이 및 복수의 빔 양자 모두를 이동시키도록 구성된 변조기로서, 사용 중에 복수의 어레이 중 어레이의 각 노광 영역은 복수의 어레이 중 다른 어레이의 각 노광 영역에 인접하거나 중첩되는, 변조기; 및A plurality of arrays of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to each of the exposure areas of the substrate, wherein each array is moved relative to each exposure area, Wherein each of the plurality of arrays in the array is configured to move a plurality of beams from each of the plurality of arrays during movement of the array and a plurality of beams for each of the plurality of arrays, A modulator adjacent or superimposed on each exposure area of the other array; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

76. 리소그래피 장치로서,76. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키거나, 노광 영역에 대하여 복수의 빔을 이동시키거나, 노광 영역에 대하여 복수의 각 방사선 소스 및 복수의 빔 양자 모두를 이동시키도록 구성된 변조기로서, 사용 중에 각각의 방사선 소스는 각각의 전력/순방향 전류 곡선 중 경사 부분에서 동작하는, 변조기; 및A plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a desired pattern to an exposure region of the substrate, wherein each of the plurality of radiation sources is moved relative to the exposure region, A modulator configured to move a plurality of beams or to move both a plurality of respective radiation sources and a plurality of beams with respect to an exposure area, wherein each radiation source in use operates at an oblique portion of each power / A modulator; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

77. 리소그래피 장치로서,77. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키거나, 노광 영역에 대하여 복수의 빔을 이동시키거나, 노광 영역에 대하여 복수의 각 방사선 소스 및 복수의 빔 양자 모두를 이동시키도록 구성된 변조기로서, 개별적으로 제어가능한 방사선 소스 각각은 청자색 레이저 다이오드를 포함하는, 변조기; 및A plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a desired pattern to an exposure region of the substrate, wherein each of the plurality of radiation sources is moved relative to the exposure region, A modulator configured to move a plurality of beams or to move both a plurality of respective radiation sources and a plurality of beams with respect to an exposure area, wherein each of the individually controllable radiation sources comprises a blue-violet laser diode; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

78. 리소그래피 장치로서,78. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 적어도 2개의 동심 원형 어레이로 배열되는, 변조기; 및A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged in at least two concentric circular arrays; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

79. 제78 실시예에 있어서,79. The method of embodiment 78,

원형 어레이 중 적어도 하나의 원형 어레이는 원형 어레이 중 적어도 다른 하나의 원형 어레이와 엇갈린(staggered) 방식으로 배열되는, 리소그래피 장치.Wherein at least one circular array of circular arrays is arranged in a staggered manner with at least one other circular array of circular arrays.

80. 리소그래피 장치로서,80. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 구조체의 중심 둘레에 배열되고 상기 구조체는 복수의 방사선 소스의 내부에 구조체를 통해 연장되는 개구부를 갖는, 변조기; 및A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged around a center of the structure and the structure has an opening extending through the structure inside the plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

81. 제80 실시예에 있어서,81. The process of embodiment 80,

방사선 소스에 또는 방사선 소스 외부에 기판 구조체를 홀딩하기 위한 지지대를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a support for holding the substrate structure at or outside the radiation source.

82. 제81 실시예에 있어서,82. The process of embodiment 81 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 지지대는 구조체의 이동을 허용하는 베어링을 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the support includes a bearing that allows movement of the structure.

83. 제81 실시예 또는 제82 실시예에 있어서,83. The 81st embodiment or the 82nd embodiment,

상기 지지대는 구조체를 이동시키기 위한 모터를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the support comprises a motor for moving the structure.

84. 리소그래피 장치로서,84. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 구조체의 중심 둘레에 배열되는, 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged around a center of the structure;

방사선 소스에 또는 방사선 소스 외부에 구조체를 홀딩하기 위한 지지대로서, 구조체를 회전시키거나 구조체의 회전을 허용하도록 구성된 지지대; 및A support for holding a structure to or from a radiation source, the support configured to rotate the structure or allow rotation of the structure; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

85. 제84 실시예에 있어서,85. The process of embodiment 84 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 지지대는 구조체의 회전을 허용하는 베어링을 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the support includes a bearing that allows rotation of the structure.

86. 제84 실시예 또는 제85 실시예에 있어서,86. The process of embodiment 84 or 85 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 지지대는 구조체를 회전시키기 위한 모터를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the support comprises a motor for rotating the structure.

87. 리소그래피 장치로서,87. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 이동가능한 구조체 상에 배열되며, 이동가능한 구조체는 이동가능한 플레이트 상에 배열되는, 변조기; 및A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged on a movable structure and the movable structure is arranged on a movable plate; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

88. 제87 실시예에 있어서,88. The process as set forth in claim 87,

상기 이동가능한 구조체는 회전가능한, 리소그래피 장치.Wherein the movable structure is rotatable.

89. 제87 실시예 또는 제88 실시예에 있어서,89. The process as set forth in embodiment 87 or 88,

상기 이동가능한 플레이트는 회전가능한, 리소그래피 장치.Wherein the movable plate is rotatable.

90. 제89 실시예에 있어서,90. The process as claimed in claim 89,

상기 이동가능한 플레이트의 회전 중심은 이동가능한 구조체의 회전 중심과 불일치하는, 리소그래피 장치.Wherein the center of rotation of the movable plate is inconsistent with the center of rotation of the movable structure.

91. 리소그래피 장치로서,91. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 배열되는, 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged within the movable structure or on the movable structure;

적어도 복수의 방사선 소스에 인접한 곳에 온도 제어 유체를 제공하기 위해 이동가능한 구조체에 배열되는 유체 채널; 및A fluid channel arranged in the movable structure to provide a temperature control fluid adjacent at least a plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

92. 제91 실시예에 있어서,92. The process of embodiment 91 wherein < RTI ID = 0.0 >

이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 위치되는 센서를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a sensor located within the movable structure or on the movable structure.

93. 제91 실시예 또는 제92 실시예에 있어서,93. The process of embodiment 91 or 92, wherein < RTI ID = 0.0 >

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스에 인접한 위치에 배치되지만, 이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 배치되지는 않는 센서를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a sensor disposed at a location adjacent to the at least one radiation source of the plurality of radiation sources, but not disposed within or within the movable structure.

94. 제92 실시예 또는 제93 실시예에 있어서,94. The process as in any one of embodiments 92 through 93,

센서는 온도 센서를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the sensor comprises a temperature sensor.

95. 제92 실시예 내지 제94 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,95. In any one of the embodiments 92 to 94,

센서는 구조체의 팽창률 및/또는 수축률을 측정하도록 구성된 센서를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the sensor comprises a sensor configured to measure the rate of expansion and / or shrinkage of the structure.

96. 리소그래피 장치로서,96. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 배열되는, 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged within the movable structure or on the movable structure;

구조체의 온도 제어를 제공하기 위해 이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 배열되는 핀(fin); 및A fin arranged in the movable structure or on the movable structure to provide temperature control of the structure; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

97. 제96 실시예에 있어서,97. The process of embodiment 96,

이동가능한 구조체 내의 또는 이동가능한 구조체 상의 상기 핀과 협력하는 고정 핀을 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a retaining pin cooperating with the pin within the moveable structure or on the moveable structure.

98. 제97 실시예에 있어서,98. The process of embodiment 97,

이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 적어도 2개의 핀을 포함하고, 상기 고정 핀은 이동가능한 구조체 내의 또는 이동가능한 구조체 상의 상기 적어도 2개의 핀 중 적어도 하나의 핀과 이동가능한 구조체 내의 또는 이동가능한 구조체 상의 상기 적어도 2개의 핀 중 적어도 다른 하나의 핀 사이에 배치되는, 리소그래피 장치.Wherein the at least two fins in the movable structure or at least one of the at least two fins on the movable structure are movable in or on the movable structure, And at least one of the at least two fins on the substrate.

99. 리소그래피 장치로서,99. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 배열되는, 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure area of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure area, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged in the movable structure or on the movable structure;

구조체의 온도를 제어하기 위해 구조체의 외측면에 유체를 공급하도록 구성된 유체 공급 디바이스; 및A fluid supply device configured to supply fluid to the outer surface of the structure to control the temperature of the structure; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

100. 제99 실시예에 있어서,100. The process of embodiment 99 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 유체 공급 디바이스는 기체를 공급하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the fluid supply device is configured to supply gas.

101. 제99 실시예에 있어서,101. The process of embodiment 99 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 유체 공급 디바이스는 액체를 공급하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the fluid supply device is configured to supply liquid.

102. 제101 실시예에 있어서,102. The process as claimed in claim 101,

액체를 구조체와 접촉하게끔 유지하도록 구성된 유체 한정 구조체를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a fluid confinement structure configured to hold the liquid in contact with the structure.

103. 제102 실시예에 있어서,[0073] 103. The process of embodiment 102,

상기 유체 한정 구조체는 구조체와 유체 한정 구조체 사이에 밀봉을 유지하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the fluid confinement structure is configured to maintain a seal between the structure and the fluid confinement structure.

104. 리소그래피 장치로서,104. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기; 및A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the plurality of radiation sources being movable relative to the exposure region; And

복수의 방사선 소스 중 각각의 방사선 소스 근방에 또는 각각의 방사선 소스에 부착되어 각 방사선 소스과 함께 이동가능한 구조적으로 분리된 렌즈A plurality of radiation sources, each of the plurality of radiation sources being attached to or in proximity to a respective radiation source,

를 포함하는, 리소그래피 장치.And a lithographic apparatus.

105. 제104 실시예에 있어서,105. The process of embodiment 104,

각 방사선 소스에 대하여 렌즈를 변위시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising an actuator configured to displace the lens relative to each radiation source.

106. 제104 실시예 또는 제105 실시예에 있어서,106. The process cartridge of embodiment 104 or 105 wherein:

렌즈 및 각 방사선 소스를 지지하는 구조체에 대하여 렌즈 및 각 방사선 소스를 변위시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising an actuator configured to displace the lens and each radiation source relative to the lens and the structure supporting each radiation source.

107. 제105 실시예 또는 제106 실시예에 있어서,107. The process of embodiment 105 or 106 above,

액추에이터는 3 이하의 자유도로 렌즈를 이동시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the actuator is configured to move the lens at a degree of freedom of 3 or less.

108. 제104 실시예 내지 제107 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,108. In any one of embodiments 104-107,

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스로부터의 하류에 개구부 구조체를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising an aperture structure downstream from at least one of the plurality of radiation sources.

109. 제104 실시예 내지 제107 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,109. The reader as in any one of embodiments 104-107,

렌즈는 렌즈 및 각 방사선 소스를 지지하며 열 전도율이 높은 구조체에 부착되는, 리소그래피 장치.Wherein the lens supports the lens and each radiation source and is attached to a structure having a high thermal conductivity.

110. 리소그래피 장치로서,110. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the plurality of radiation sources being movable relative to the exposure region;

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스로부터의 방사선을 스크램블하도록 구성된 공간적 코히어런스 붕괴 디바이스; 및A spatial coherence decay device configured to scramble the radiation from at least one of the plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

111. 제110 실시예에 있어서,111. The process of embodiment 110 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 공간적 코히어런스 붕괴 디바이스는 고정형 플레이트를 포함하고 상기 적어도 하나의 방사선 소스는 플레이트에 대해 이동가능한, 리소그래피 장치.Wherein the spatial coherence decay device comprises a fixed plate and the at least one radiation source is movable relative to the plate.

112. 제110 실시예에 있어서,112. The process of embodiment 110,

상기 공간적 코히어런스 붕괴 디바이스는: 위상 변조기, 회전형 플레이트 또는 진동형 플레이트 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the spatial coherence decay device comprises at least one selected from: a phase modulator, a rotatable plate, or a vibratory plate.

113. 리소그래피 장치로서,113. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the plurality of radiation sources being movable relative to the exposure region;

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스과 연관된 초점을 측정하도록 구성된 센서로서, 센서 중 적어도 일부는 상기 적어도 하나의 방사선 소스 내에 또는 상기 적어도 하나의 방사선 소스 상에 있는, 센서; 및A sensor configured to measure a focus associated with at least one of the plurality of radiation sources, wherein at least some of the sensors are within the at least one radiation source or on the at least one radiation source; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

114. 제113 실시예에 있어서,114. The process of embodiment 113 wherein < RTI ID = 0.0 >

센서는 개별적으로 각 방사선 소스과 연관된 초점을 측정하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the sensor is configured to individually measure a focus associated with each radiation source.

115. 제113 실시예 또는 제114 실시예에 있어서,115. The process of embodiment 113 or claim 114,

센서는 나이프 에지 초점 검출기인, 리소그래피 장치.Wherein the sensor is a knife edge focus detector.

116. 리소그래피 장치로서,116. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the plurality of radiation sources being movable relative to the exposure region;

복수의 방사선 소스를 각각 제어하고, 및/또는 복수의 방사선 소스에 전력을 공급하기 위해 복수의 방사선 소스에 신호 및/또는 전력을 무선으로 송신하도록 구성된 송신기; 및A transmitter configured to wirelessly transmit signals and / or power to a plurality of radiation sources to control a plurality of radiation sources, respectively, and / or to power a plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

117. 제116 실시예에 있어서,117. The process of embodiment 116 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 신호는 복수의 신호를 포함하고, 상기 리소그래피 장치는 각 방사선 소스를 향하여 복수의 신호 각각을 전송하기 위한 역다중화기를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the signal comprises a plurality of signals and wherein the lithographic apparatus further comprises a demultiplexer for transmitting each of the plurality of signals toward each radiation source.

118. 리소그래피 장치로서,118. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 배열되는, 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged within the movable structure or on the movable structure;

이동가능한 구조체에 제어기를 연결하고, 복수의 방사선 소스를 각각 제어하고, 및/또는 복수의 방사선 소스에 전력을 공급하기 위해 복수의 방사선 소스에 복수의 신호 및/또는 전력을 송신하도록 구성된 단일 라인; 및A single line configured to couple a controller to a moveable structure, to control a plurality of radiation sources, and / or to transmit a plurality of signals and / or power to a plurality of radiation sources to supply power to the plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

119. 제118 실시예에 있어서,119. The process of embodiment 118 wherein < RTI ID = 0.0 >

신호는 복수의 신호를 포함하고, 상기 리소그래피 장치는 각 방사선 소스를 향하여 복수의 신호 각각을 전송하기 위한 역다중화기를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the signal comprises a plurality of signals and wherein the lithographic apparatus further comprises a demultiplexer for transmitting each of the plurality of signals toward each radiation source.

120. 제118 실시예 또는 제119 실시예에 있어서,120. The process of embodiment 118 or 119, wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 라인은 광학 라인을 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the line comprises an optical line.

121. 리소그래피 장치로서,121. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the plurality of radiation sources being movable relative to the exposure region;

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스에 의해 기판을 향해 전달되거나 전달될 방사선의 특성을 측정하기 위한 센서; 및A sensor for measuring a characteristic of radiation to be transmitted or transmitted towards the substrate by at least one radiation source of the plurality of radiation sources; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

122. 제121 실시예에 있어서,122. The process of embodiment 121,

센서 중 적어도 일부는 기판 홀더 내에 또는 기판 홀더 상에 위치하는, 리소그래피 장치.Wherein at least a portion of the sensors are located in or on the substrate holder.

123. 제122 실시예에 있어서,123. The process of embodiment 122 wherein,

상기 센서 중 적어도 일부는 기판이 기판 홀더 상에 지지되어 있는 영역의 외부 위치에서, 기판 홀더 내에 또는 기판 홀더 상에 위치하는, 리소그래피 장치.Wherein at least some of the sensors are located in or on the substrate holder at an external location of a region where the substrate is supported on the substrate holder.

124. 제121 실시예 내지 제123 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,124. The method as in any one of the embodiments 121-123,

상기 센서 중 적어도 일부는 사용 시에 실질적으로 기판의 스캐닝 방향으로 연장되는 기판 측에 위치하는, 리소그래피 장치.Wherein at least some of the sensors are located at the substrate side which, in use, extends substantially in the scanning direction of the substrate.

125. 제121 실시예 내지 제124 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서, 125. The method as in any one of the embodiments 121-124,

상기 센서 중 적어도 일부는 이동가능한 구조체를 지지하기 위한 프레임에 또는 프레임 상에 장착되는, 리소그래피 장치.Wherein at least some of the sensors are mounted on or in a frame for supporting a movable structure.

126. 제121 실시예 내지 제125 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서, 126. The method as in any one of embodiments 121-125,

상기 센서는 노광 영역 외부의 적어도 하나의 방사선 소스로부터의 방사선을 측정하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the sensor is configured to measure radiation from at least one radiation source outside the exposure area.

127. 제121 실시예 내지 제126 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서, 127. The method as in any one of embodiments 121-126,

상기 센서 중 적어도 일부는 이동가능한, 리소그래피 장치.Wherein at least a portion of the sensor is movable.

128. 제121 실시예 내지 제127 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서, 128. The method as in any one of embodiments 121-123,

상기 센서 결과에 기초하여 적어도 하나의 방사선 소스를 캘리브레이션하도록 구성된 제어기를 더 포함하는, 리소그래피 장치.And a controller configured to calibrate the at least one radiation source based on the sensor results.

129. 리소그래피 장치로서, 129. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 복수의 방사선 소스는 이동가능한 구조체 내에 또는 이동가능한 구조체 상에 배열되는, 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure region, Wherein the radiation source of the radiation source is arranged within the movable structure or on the movable structure;

이동가능한 구조체의 위치를 측정하기 위한 센서; 및A sensor for measuring the position of the movable structure; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

130. 제129 실시예에 있어서,130. The process of embodiment 129,

상기 센서 중 적어도 일부는 이동가능한 구조체를 지지하는 프레임에 또는 프레임 상에 장착되는, 리소그래피 장치.Wherein at least some of the sensors are mounted on or in a frame that supports a movable structure.

131. 리소그래피 장치로서,131. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기로서, 각각의 복수의 방사선 소스는 식별자(identification)를 갖거나 제공하는, 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a desired pattern to an exposure area of the substrate, the modulator configured to move each of the plurality of radiation sources relative to the exposure area, A plurality of radiation sources of the modulator, the modulator having or providing an identification;

상기 식별자를 검출하도록 구성된 센서; 및A sensor configured to detect the identifier; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

132. 제131 실시예에 있어서,132. The process of embodiment 131,

상기 센서 중 적어도 일부는 복수의 방사선 소스를 지지하는 프레임에 또는 프레임 상에 장착되는, 리소그래피 장치.Wherein at least some of the sensors are mounted on or in a frame that supports a plurality of radiation sources.

133. 제131 실시예 또는 제132 실시예에 있어서,133. The process of embodiment 131 or 132 above,

상기 식별자는 각 방사선 소스로부터의 방사선의 주파수를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the identifier comprises a frequency of radiation from each radiation source.

134. 제131 실시예 내지 제133 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,134. The method as in any one of embodiments 131-133,

상기 식별자는: 바코드, 무선 주파수 식별자, 또는 마크 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the identifier comprises at least one of: a bar code, a radio frequency identifier, or a mark.

135. 리소그래피 장치로서,135. A lithographic apparatus comprising:

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더; A substrate holder configured to hold a substrate;

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하고, 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 기판의 노광 영역에 제공하도록 구성되며, 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 각각을 이동시키도록 구성된 변조기;A modulator configured to include a plurality of individually controllable radiation sources and configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern to an exposure region of the substrate, the plurality of radiation sources being movable relative to the exposure region;

기판에 의해 재안내되는, 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스로부터의 방사선을 검출하도록 구성된 센서; 및A sensor configured to detect radiation from at least one radiation source of the plurality of radiation sources, redirected by the substrate; And

기판 상으로 변조된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템A projection system configured to project a modulated beam onto a substrate

을 포함하는, 리소그래피 장치./ RTI >

136. 제135 실시예에 있어서,136. The process of embodiment 135,

상기 센서는 재안내된 방사선으로부터 기판 상에 입사하는 적어도 하나의 방사선 소스로부터의 방사선 스팟의 위치를 결정하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the sensor is configured to determine a position of a radiation spot from at least one radiation source incident on the substrate from the redirected radiation.

137. 제70 실시예 내지 제136 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,137. In any one of embodiments 70-136,

변조기는 복수의 빔의 전파 방향에 실질적으로 평행한 축을 중심으로 적어도 하나의 방사선 소스를 회전시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the modulator is configured to rotate at least one radiation source about an axis substantially parallel to the direction of propagation of the plurality of beams.

138. 제70 실시예 내지 제137 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,138. The method as in any one of embodiments 70-137,

변조기는 복수의 빔의 전파 방향을 횡단하는 방향으로 적어도 하나의 방사선 소스를 병진 이동시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the modulator is configured to translate at least one radiation source in a direction transverse to the direction of propagation of the plurality of beams.

139. 제70 실시예 내지 제138 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,[0072] 139. The method as in any one of embodiments 70-138,

변조기는 복수의 빔을 이동시키도록 구성된 빔 편향기를 포함하는, 리소그래피 장치.The modulator comprising a beam deflector configured to move a plurality of beams.

140. 제139 실시예에 있어서,140. The process of embodiment 139,

상기 빔 편향기는 미러, 프리즘, 또는 음향-광학 변조기로 이루어진 군에서 선택되는, 리소그래피 장치.Wherein the beam deflector is selected from the group consisting of a mirror, a prism, or an acousto-optic modulator.

141. 제139 실시예에 있어서,141. The process of embodiment 139,

상기 빔 편향기는 폴리곤을 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the beam deflector comprises a polygon.

142. 제139 실시예에 있어서,142. The process of embodiment 139,

상기 빔 편향기는 진동하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the beam deflector is configured to vibrate.

143. 제139 실시예에 있어서,143. The process of embodiment 139,

상기 빔 편향기는 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the beam deflector is configured to rotate.

144. 제70 실시예 내지 제143 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,144. The method as in any one of embodiments 70-143,

기판 홀더는 복수의 빔이 제공되는 방향으로 기판을 이동시키도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the substrate holder is configured to move the substrate in a direction in which a plurality of beams are provided.

145. 제144 실시예에 있어서,145. The process of embodiment 144,

기판의 이동은 회전인, 리소그래피 장치.Wherein movement of the substrate is rotation.

146. 제70 실시예 내지 제145 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,146. The method as in any one of embodiments 70-145,

복수의 방사선 소스는 함께 이동가능한, 리소그래피 장치.Wherein the plurality of radiation sources are movable together.

147. 제70 실시예 내지 제146 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,147. In any one of embodiments 70-146,

복수의 방사선 소스는 원형으로 배열되는, 리소그래피 장치.Wherein the plurality of radiation sources are arranged in a circular shape.

148. 제70 실시예 내지 제147 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,148. The method according to any one of embodiments 70-147,

복수의 방사선 소스는 플레이트에 서로 이격되어 배열되는, 리소그래피 장치.Wherein the plurality of radiation sources are arranged spaced apart from one another on the plate.

149. 제70 실시예 내지 제148 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,149. The method as in any one of embodiments 70-148,

투영 시스템은 렌즈 어레이를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the projection system comprises a lens array.

150. 제70 실시예 내지 제149 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,150. In any one of the 70th to 149th embodiments,

투영 시스템은 본질적으로 렌즈 어레이로 이루어진, 리소그래피 장치.Wherein the projection system consists essentially of a lens array.

151. 제149 실시예 또는 제150 실시예에 있어서,151. The process of embodiment 149 or claim 150,

렌즈 어레이의 렌즈는 높은 개구수를 갖고, 리소그래피 장치는 렌즈의 개구수를 효율적으로 낮추기 위해서 기판이 렌즈와 연관된 방사선의 초점을 벗어나도록 하는, 리소그래피 장치.The lens of the lens array has a high numerical aperture and the lithographic apparatus allows the substrate to be out of focus of the radiation associated with the lens in order to effectively lower the numerical aperture of the lens.

152. 제70 실시예 내지 제151 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,152. The method as in any one of embodiments 70-115,

각각의 방사선 소스는 레이저 다이오드를 포함하는, 리소그래피 장치.Each radiation source comprising a laser diode.

153. 제152 실시예에 있어서,153. The 152nd embodiment,

각각의 레이저 다이오드는 약 405 nm 파장을 갖는 방사선을 방출하도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein each laser diode is configured to emit radiation having a wavelength of about 405 nm.

154. 제70 실시예 내지 제153 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,154. In any one of embodiments 70-139,

노광 중에 복수의 방사선 소스를 실질적으로 일정한 온도로 유지하도록 구성된 온도 제어기를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a temperature controller configured to maintain the plurality of radiation sources at a substantially constant temperature during exposure.

155. 제154 실시예에 있어서,155. The process of embodiment 154,

온도 제어기는 노광 이전에 실질적으로 일정한 온도로 또는 실질적으로 일정한 온도 근방으로 복수의 방사선 소스를 가열하도록 구성된, 리소그래피 장치.The temperature controller is configured to heat the plurality of radiation sources to a substantially constant temperature or near a substantially constant temperature prior to exposure.

156. 제70 실시예 내지 제155 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,156. The method as in any one of embodiments 70-155,

방향을 따라 배열된 적어도 3개의 별개 어레이를 포함하고, 각각의 어레이는 복수의 방사선 소스를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein each array comprises a plurality of radiation sources. ≪ RTI ID = 0.0 > 31. < / RTI >

157. 제70 실시예 내지 제156 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,157. The method as in any one of embodiments 70 to 156,

복수의 방사선 소스는 적어도 약 1,200 개의 방사선 소스를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the plurality of radiation sources comprise at least about 1,200 radiation sources.

158. 제70 실시예 내지 제157 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,[0352] 158. The method as in any one of embodiments 70-139,

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스과 기판 사이의 정렬을 결정하기 위한 정렬 센서를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising an alignment sensor for determining alignment between at least one of the plurality of radiation sources and the substrate.

159. 제70 실시예 내지 제158 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,159. The method according to any one of embodiments 70-138,

복수의 빔 중 적어도 하나의 빔의 초점에 대하여 기판의 위치를 결정하기 위한 레벨 센서를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a level sensor for determining the position of the substrate relative to the focal point of at least one of the plurality of beams.

160. 제158 실시예 또는 제159 실시예에 있어서,160. The controller of embodiment 158 or 159,

정렬 센서 결과 및/또는 레벨 센서 결과에 기초하여 패턴을 변경하도록 구성된 제어기를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a controller configured to change the pattern based on the alignment sensor result and / or the level sensor result.

161. 제70 실시예 내지 제160 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,161. In any one of embodiments 70-160,

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스의 온도 측정 또는 적어도 하나의 방사선 소스과 연관된 측정에 기초하여 패턴을 변경하도록 구성된 제어기를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a controller configured to change a pattern based on a temperature measurement of at least one of the plurality of radiation sources or a measurement associated with the at least one radiation source.

162. 제70 실시예 내지 제161 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,162. In any one of embodiments 70-161,

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스에 의해 기판을 향해 전달되거나 전달될 방사선의 특성을 측정하기 위한 센서를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a sensor for measuring a characteristic of radiation to be transmitted or transmitted towards the substrate by at least one radiation source of the plurality of radiation sources.

163. 리소그래피 장치로서,163. A lithographic apparatus comprising:

필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 제공하도록 구성된 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스;A plurality of individually controllable radiation sources configured to provide a plurality of beams modulated according to a required pattern;

복수의 소형렌즈를 포함하는 렌즈 어레이; 및A lens array including a plurality of small lenses; And

기판을 홀딩하도록 구성된 기판 홀더A substrate holder configured to hold a substrate

를 포함하고, Lt; / RTI >

사용 중에, 복수의 방사선 소스과 기판 사이에 렌즈 어레이 이외의 다른 광학기기가 없는, 리소그래피 장치.Wherein during use, there is no optical device other than the lens array between the plurality of radiation sources and the substrate.

164. 프로그램가능한 패터닝 디바이스로서, 164. A programmable patterning device,

적어도 한 방향으로 이격된 방사선 방출 다이오드의 어레이를 갖는 기판; 및A substrate having an array of radiation emitting diodes spaced apart in at least one direction; And

방사선 방출 다이오드의 방사선 하류 측의 렌즈 어레이The lens array on the downstream side of the radiation of the radiation-

를 포함하는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.The programmable patterning device.

165. 제164 실시예에 있어서,165. The process of embodiment 164 wherein < RTI ID = 0.0 >

렌즈 어레이는 복수의 마이크로렌즈를 갖는 마이크로렌즈 어레이를 포함하고, 다수의 마이크로렌즈는 다수의 방사선 방출 다이오드에 대응하며, 방사선 방출 다이오드 각각에 의해 선택적으로 전달되는 방사선을 마이크로스팟의 어레이로 포커싱하도록 배치되는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.The lens array includes a microlens array having a plurality of microlenses, wherein the plurality of microlenses correspond to the plurality of radiation emitting diodes, and are arranged to focus the radiation selectively transmitted by each of the radiation emitting diodes to an array of microspots A programmable patterning device.

166. 제164 실시예 또는 제165 실시예에 있어서,166. The process of any one of embodiments 164-116,

방사선 방출 다이오드는 적어도 2개의 직교하는 방향으로 이격되어 있는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.Wherein the radiation-emitting diodes are spaced apart in at least two orthogonal directions.

167. 제164 실시예 내지 제166 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,167. The method as in any one of embodiments 164-166,

방사선 방출 다이오드는 낮은 열 전도율의 물질에 임베딩되는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.A radiation-emitting diode is embedded in a material having a low thermal conductivity.

168. 디바이스 제조 방법으로서,168. A device manufacturing method comprising:

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 이용하여 기판의 노광 영역을 향해 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 제공하는 단계;Providing a plurality of beams modulated according to a required pattern toward an exposure area of the substrate using a plurality of individually controllable radiation sources;

복수의 방사선 소스 모두는 아닌 이보다 적은 방사선 소스 만이 어느 때든지 노광 영역을 노광할 수 있도록, 복수의 빔을 제공하는 동안 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스를 이동시키는 단계; 및Moving at least one radiation source of the plurality of radiation sources while providing a plurality of beams such that less than a plurality of radiation sources can expose an exposure area at any time; And

기판 상으로 복수의 빔을 투영하는 단계Projecting a plurality of beams onto a substrate

를 포함하는, 디바이스 제조 방법.≪ / RTI >

169. 디바이스 제조 방법으로서,169. A device manufacturing method comprising:

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 이용하여 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 제공하는 단계;Providing a plurality of beams modulated according to a required pattern using a plurality of individually controllable radiation sources;

방사선을 방출하는 위치와 방출하지 않는 위치 사이에서 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스를 이동시키는 단계; 및Moving at least one radiation source of the plurality of radiation sources between a position at which radiation is emitted and a position at which radiation is not emitted; And

기판 상으로 복수의 빔을 투영하는 단계Projecting a plurality of beams onto a substrate

를 포함하는, 디바이스 제조 방법.≪ / RTI >

170. 디바이스 제조 방법으로서,170. A device manufacturing method comprising:

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 이용하여 필요한 패턴에 따라 변조된 빔을 제공하는 단계 및 렌즈 어레이만을 이용하여 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스로부터 변조된 빔을 기판에 투영하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Providing a modulated beam according to a required pattern using a plurality of individually controllable radiation sources and projecting the modulated beam from the plurality of individually controllable radiation sources onto the substrate using only the lens array. / RTI >

171. 디바이스 제조 방법으로서,171. A method for manufacturing a device,

복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 이용하여 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 전자기 방사선 빔을 제공하는 단계;Providing a plurality of modulated electromagnetic radiation beams using a plurality of individually controllable radiation sources;

복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스로부터의 방사선이 적어도 다른 하나의 방사선 소스로부터의 방사선에 동시에 인접하거나 중첩되도록, 노광 영역의 노광 중에 노광 영역에 대하여 복수의 방사선 소스 중 적어도 하나의 방사선 소스를 이동시키는 단계; 및 At least one radiation source of the plurality of radiation sources relative to the exposure area during exposure of the exposure area so that radiation from at least one radiation source of the plurality of radiation sources simultaneously adjoins or overlaps radiation from at least the other radiation source Moving; And

기판 상으로 복수의 빔을 투영하는 단계Projecting a plurality of beams onto a substrate

를 포함하는, 디바이스 제조 방법.≪ / RTI >

172. 제168 실시예 내지 제171 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,172. The method as in any one of embodiments 168-171,

상기 이동하는 단계는 복수의 빔의 전파 방향에 실질적으로 평행한 축을 중심으로 적어도 하나의 방사선 소스를 회전시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the moving step comprises rotating at least one radiation source about an axis substantially parallel to the propagation direction of the plurality of beams.

173. 제168 실시예 내지 제172 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,173. In any one of the 168th through 172th embodiments,

상기 이동하는 단계는 복수의 빔의 전파 방향을 횡단하는 방향으로 적어도 하나의 방사선 소스를 병진 이동시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the moving step comprises translating at least one radiation source in a direction transverse to the direction of propagation of the plurality of beams.

174. 제168 실시예 내지 제173 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,[0073] 174. In any one of embodiments 168-173,

빔 편향기를 이용함으로써 복수의 빔을 이동시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.And moving the plurality of beams by using a beam deflector.

175. 제174 실시예에 있어서,175. The process of embodiment 174 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 빔 편향기는 미러, 프리즘, 또는 음향-광학 변조기로 이루어진 군에서 선택되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the beam deflector is selected from the group consisting of a mirror, a prism, or an acousto-optic modulator.

176. 제174 실시예에 있어서,176. The process of embodiment 174 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 빔 편향기는 폴리곤을 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the beam deflector comprises a polygon.

177. 제174 실시예에 있어서,177. The process of embodiment 174 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 빔 편향기는 진동하도록 구성되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the beam deflector is configured to vibrate.

178. 제174 실시예에 있어서,178. The process of embodiment 174 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 빔 편향기는 회전하도록 구성되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the beam deflector is configured to rotate.

179. 제168 실시예 내지 제178 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,179. The method as in any one of embodiments 168-178,

복수의 빔이 제공되는 방향으로 기판을 이동시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.And moving the substrate in a direction in which a plurality of beams are provided.

180. 제179 실시예에 있어서,180. The process of embodiment 179 wherein < RTI ID = 0.0 >

기판의 이동은 회전인, 디바이스 제조 방법.Wherein movement of the substrate is rotation.

181. 제168 실시예 내지 제180 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,181. In any one of embodiments 168-180,

복수의 방사선 소스를 함께 이동시키는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.And moving the plurality of radiation sources together.

182. 제168 실시예 내지 제181 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,182. The method as in any one of embodiments 168-181,

복수의 방사선 소스는 원형으로 배열되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the plurality of radiation sources are arranged in a circular shape.

183. 제168 실시예 내지 제182 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,183. In any one of the 168th through 182nd embodiments,

복수의 방사선 소스는 플레이트에 서로 이격되어 배열되는, 디바이스 제조 방법.Wherein the plurality of radiation sources are arranged on the plate spaced apart from each other.

184. 제168 실시예 내지 제183 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,[0072] 184. The method according to any one of embodiments 168-183,

투영하는 단계는 렌즈 어레이를 이용하여 기판 상으로 각 빔의 이미지를 형성하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein projecting comprises forming an image of each beam onto a substrate using a lens array.

185. 제168 실시예 내지 제184 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,185. The method as in any one of embodiments 168-184,

투영하는 단계는 실질적으로 렌즈 어레이만을 이용하여 기판 상으로 각 빔의 이미지를 형성하는 단계를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein projecting comprises forming an image of each beam onto the substrate using substantially only the lens array.

186. 제168 실시예 또는 제185 실시예에 있어서,186. The process of any one of embodiments 168-185,

각각의 방사선 소스는 레이저 다이오드를 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein each radiation source comprises a laser diode.

187. 제186 실시예에 있어서,187. The process of embodiment 186 wherein < RTI ID = 0.0 >

각각의 레이저 다이오드는 약 405 nm 파장을 갖는 방사선을 방출하도록 구성되는, 디바이스 제조 방법.Wherein each laser diode is configured to emit radiation having a wavelength of about 405 nm.

188. 제168 실시예 내지 제187 실시예 중 어느 하나의 실시예의 방법에 따라 제조되는 평판 디스플레이.188. A flat panel display produced according to the method of any one of embodiments 168-187.

189. 제168 실시예 내지 제187 실시예 중 어느 하나의 실시예의 방법에 따라 제조되는 집적 회로 디바이스.189. An integrated circuit device manufactured in accordance with the method of any one of embodiments 168-187.

190. 방사선 시스템으로서,190. A radiation system,

복수의 이동가능한 방사선 어레이로서, 각각의 방사선 어레이는 필요한 패턴에 따라 변조된 복수의 빔을 제공하도록 구성된 복수의 개별적으로 제어가능한 방사선 소스를 포함하는, 방사선 어레이; 및A plurality of moveable radiation arrays, each radiation array comprising a plurality of individually controllable radiation sources configured to provide a plurality of beams modulated according to a desired pattern; And

각각의 방사선 어레이를 이동시키도록 구성된 모터A motor configured to move each radiation array

를 포함하는, 방사선 시스템..

191. 제190 실시예에 있어서,191. The process of embodiment 190 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 모터는 복수의 빔의 전파 방향에 실질적으로 평행한 축을 중심으로 각각의 방사선 어레이를 회전시키도록 구성되는, 방사선 시스템.Wherein the motor is configured to rotate each radiation array about an axis substantially parallel to the direction of propagation of the plurality of beams.

192. 제190 실시예 또는 제191 실시예에 있어서,192. The 190th embodiment or 191nd embodiment,

상기 모터는 복수의 빔의 전파 방향을 횡단하는 방향으로 각각의 방사선 어레이를 병진 이동시키도록 구성되는, 방사선 시스템.Wherein the motor is configured to translate each radiation array in a direction transverse to the direction of propagation of the plurality of beams.

193. 제190 실시예 내지 제192 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,193. In any one of the 190th through 192th embodiments,

복수의 빔을 이동시키도록 구성된 빔 편향기를 더 포함하는, 방사선 시스템.≪ / RTI > further comprising a beam deflector configured to move a plurality of beams.

194. 제193 실시예에 있어서,194. The 193 < th > embodiment,

상기 빔 편향기는 미러, 프리즘, 또는 음향-광학 변조기로 이루어진 군에서 선택되는, 방사선 시스템.Wherein the beam deflector is selected from the group consisting of a mirror, a prism, or an acousto-optic modulator.

195. 제193 실시예에 있어서,195. The process of embodiment 193 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 빔 편향기는 폴리곤을 포함하는, 방사선 시스템.Wherein the beam deflector comprises a polygon.

196. 제193 실시예에 있어서,196. The process of embodiment 193 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 빔 편향기는 진동하도록 구성되는, 방사선 시스템.Wherein the beam deflector is configured to vibrate.

197. 제193 실시예에 있어서,197. The process of embodiment 193 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 빔 편향기는 회전하도록 구성되는, 방사선 시스템.Wherein the beam deflector is configured to rotate.

198. 제190 실시예 내지 제197 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,198. The method as in any one of embodiments 190-197,

각 방사선 어레이의 복수의 방사선 소스는 함께 이동가능한, 방사선 시스템.Wherein a plurality of radiation sources of each radiation array are movable together.

199. 제190 실시예 내지 제198 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,199. In any one of embodiments 190-198,

각 방사선 어레이의 복수의 방사선 소스는 원형으로 배열되는, 방사선 시스템.Wherein a plurality of radiation sources of each radiation array are arranged in a circular shape.

200. 제190 실시예 내지 제199 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,200. The method according to any one of embodiments 190-199,

각 방사선 어레의 복수의 방사선 소스는 플레이트에 서로 이격되어 배열되는, 방사선 시스템.Wherein a plurality of radiation sources of each radiation array are arranged spaced apart from one another on the plate.

201. 제190 실시예 내지 제200 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,201. The system as in any one of embodiments 190-100,

각 방사선 어레이와 연관된 렌즈 어레이를 더 포함하는, 방사선 시스템.Further comprising a lens array associated with each radiation array.

202. 제201 실시예에 있어서,202. The process of embodiment 201 wherein < RTI ID = 0.0 >

각 방사선 어레이의 복수의 방사선 소스 각각은 방사선 어레이와 연관된 렌즈 어레이의 렌즈와 연관되는, 방사선 시스템.Each of the plurality of radiation sources of each radiation array being associated with a lens of a lens array associated with the radiation array.

203. 제190 실시예 내지 제202 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,203. The reader as in any one of embodiments 190 to 202,

각 방사선 어레이의 복수의 방사선 소스 각각은 레이저 다이오드를 포함하는, 방사선 시스템. Wherein each of the plurality of radiation sources of each radiation array comprises a laser diode.

204. 제203 실시예에 있어서,204. The process of embodiment 203,

각각의 레이저 다이오드는 약 405 nm 파장을 갖는 방사선을 방출하도록 구성되는, 방사선 시스템.Wherein each laser diode is configured to emit radiation having a wavelength of about 405 nm.

205. 방사선에 기판을 노출하기 위한 리소그래피 장치로서,205. A lithographic apparatus for exposing a substrate to radiation,

100 내지 25,000개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 갖는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 포함하는, 리소그래피 장치.A programmable patterning device having 100 to 25,000 individually addressable self-luminous elements.

206. 제205 실시예에 있어서,206. The process of embodiment 205 wherein,

적어도 400개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And at least 400 individually addressable self-luminous elements.

207. 제205 실시예에 있어서,207. The process of embodiment 205 wherein,

적어도 1,000개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And at least 1,000 individually addressable self-emitting elements.

208. 제205 실시예 내지 제207 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,208. The method as in any one of embodiments 205-207,

10,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And less than 10,000 individually addressable self-emitting elements.

209. 제205 실시예 내지 제207 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,209. The method as in any one of embodiments 205-207,

5,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And less than 5,000 individually addressable self-emitting elements.

210. 제205 실시예 내지 제209 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,210. The method as in any one of embodiments 205-209,

개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소는 레이저 다이오드인, 리소그래피 장치.Wherein the individually addressable self-emitting element is a laser diode.

211. 제205 실시예 내지 제209 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,211. The method as in any one of embodiments 205 to 209,

개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소는 0.1 내지 3 미크론 범위에서 선택된 기판 상의 스팟 크기를 갖도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the individually addressable self-emissive element is configured to have a spot size on a selected substrate in the range of 0.1 to 3 microns.

212. 제205 실시예 내지 제209 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,212. The method as in any one of embodiments 205 through 209,

개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소는 약 1 미크론의 기판 상의 스팟 크기를 갖도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the individually addressable self-emitting element is configured to have a spot size on a substrate of about 1 micron.

213. 방사선에 기판을 노출하기 위한 리소그래피 장치로서,213. A lithographic apparatus for exposing a substrate to radiation,

10cm의 노광 필드 길이로 표준화되는 경우 100 내지 25,000개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 갖는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 포함하는, 리소그래피 장치.And a programmable patterning device having 100 to 25,000 individually addressable self-luminous elements when standardized with an exposure field length of 10 cm.

214. 제213 실시예에 있어서,214. The process of embodiment 213,

적어도 400개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And at least 400 individually addressable self-luminous elements.

215. 제213 실시예에 있어서,215. The process of embodiment 213,

적어도 1,000개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And at least 1,000 individually addressable self-emitting elements.

216. 제213 실시예 내지 제215 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,216. The method as in any one of embodiments 213-215,

10,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And less than 10,000 individually addressable self-emitting elements.

217. 제213 실시예 내지 제215 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,217. The method as in any one of embodiments 213-215,

5,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 리소그래피 장치.And less than 5,000 individually addressable self-emitting elements.

218. 제213 실시예 내지 제217 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,218. The method as in any one of embodiments 213-27,

개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소는 레이저 다이오드인, 리소그래피 장치.Wherein the individually addressable self-emitting element is a laser diode.

219. 제213 실시예 내지 제217 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,219. The method as in any one of the embodiments 213-27,

개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소는 0.1 내지 3 미크론 범위에서 선택된 기판 상의 스팟 크기를 갖도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the individually addressable self-emissive element is configured to have a spot size on a selected substrate in the range of 0.1 to 3 microns.

220. 제213 실시예 내지 제217 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,220. The method as in any one of the embodiments 213-217,

개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소는 약 1 미크론의 기판 상의 스팟 크기를 갖도록 구성되는, 리소그래피 장치.Wherein the individually addressable self-emitting element is configured to have a spot size on a substrate of about 1 micron.

221. 회전가능한 디스크를 포함하는 프로그램가능한 패터닝 디바이스로서, 221. A programmable patterning device comprising a rotatable disk,

상기 디스크는 100 내지 25,000개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 갖는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스. Wherein the disk has from 100 to 25,000 individually addressable self-emitting elements.

222. 제221 실시예에 있어서,222. The process of embodiment 221,

상기 디스크는 적어도 400개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.Wherein the disk comprises at least 400 individually addressable self-emitting elements.

223. 제221 실시예에 있어서,223. The process as in the embodiment 221,

상기 디스크는 적어도 1,000개의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.Wherein the disk comprises at least 1,000 individually addressable self-emitting elements.

224. 제221 실시예 내지 제223 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,224. In any one of embodiments 221-23,

상기 디스크는 10,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.Wherein the disk comprises less than 10,000 individually addressable self-emitting elements.

225. 제221 실시예 내지 제223 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,225. The method as in any one of the embodiments 221-23,

상기 디스크는 5,000개 미만의 개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소를 포함하는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.Wherein the disk comprises less than 5,000 individually addressable self-emitting elements.

226. 제221 실시예 내지 제225 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,226. The method as in any one of embodiments 221-255,

개별적으로 어드레스가능한 자기-발광 요소는 레이저 다이오드인, 프로그램가능한 패터닝 디바이스.Wherein the individually addressable self-emitting element is a laser diode.

227. 평판 디스플레이의 제조에 있어서 본 발명 중 하나 이상의 용도.227. Use of one or more of the present invention in the manufacture of a flat panel display.

228. 집적 회로 패키징에 있어서 본 발명 중 하나 이상의 용도.228. Use of one or more of the present invention in integrated circuit packaging.

229. 자기-발광 요소를 갖는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하여 방사선에 기판을 노출하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법으로서,229. A lithographic method comprising exposing a substrate to radiation using a programmable patterning device having a self-

노광 중에, 상기 자기-발광 요소를 동작시키기 위한 상기 프로그램가능한 패터닝 디바이스의 전력 소모는 10 kW 미만인, 리소그래피 방법.Wherein during power-on, the power consumption of the programmable patterning device for operating the self-emitting element is less than 10 kW.

230. 제229 실시예에 있어서,230. The process of embodiment 229 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 전력 소모는 5 kW 미만인, 리소그래피 방법.Wherein the power consumption is less than 5 kW.

231. 제229 실시예 또는 제230 실시예에 있어서,231. The method as in 229 or 230,

상기 전력 소모는 적어도 100 mW인, 리소그래피 방법.Wherein the power consumption is at least 100 mW.

232. 제229 실시예 내지 제231 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,232. In any one of embodiments 229 to 231,

상기 자기-발광 요소는 레이저 다이오드인, 리소그래피 방법.Wherein the self-emitting element is a laser diode.

233. 제232 실시예에 있어서,[0323] 233. The process as in embodiment 232,

레이저 다이오드는 청자색 레이저 다이오드인, 리소그래피 방법.Wherein the laser diode is a blue-violet laser diode.

234. 자기-발광 요소를 갖는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하여 방사선에 기판을 노출하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법으로서,234. A lithographic method comprising exposing a substrate to radiation using a programmable patterning device having a self-

사용 시에, 발광 요소당 광 출력은 적어도 1 mW인, 리소그래피 방법.In use, the light output per light emitting element is at least 1 mW.

235. 제234 실시예에 있어서,235. The process of embodiment 234 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 광 출력은 적어도 10 mW인, 리소그래피 방법.Wherein the light output is at least 10 mW.

236. 제234 실시예에 있어서, 236. The process of embodiment 234 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 광 출력은 적어도 50 mW인, 리소그래피 방법.Wherein the light output is at least 50 mW.

237. 제234 실시예 내지 제236 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,237. The method as in any one of embodiments 234 to 236,

상기 광 출력은 200 mW 미만인, 리소그래피 방법.Wherein the light output is less than 200 mW.

238. 제234 실시예 내지 제237 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,238. The method as in any one of the 234th to 237th embodiments,

상기 자기-발광 요소는 레이저 다이오드인, 리소그래피 방법.Wherein the self-emitting element is a laser diode.

239. 제238 실시예에 있어서,239. The process of embodiment 238 wherein < RTI ID = 0.0 >

레이저 다이오드는 청자색 레이저 다이오드인, 리소그래피 방법.Wherein the laser diode is a blue-violet laser diode.

240. 제234 실시예에 있어서,240. The process of embodiment 234 wherein < RTI ID = 0.0 >

광 출력은 5 mW보다 크지만 20 mW 이하인, 리소그래피 방법.Wherein the light output is greater than 5 mW but not greater than 20 mW.

241. 제234 실시예에 있어서,241. The process of embodiment 234 wherein < RTI ID = 0.0 >

광 출력은 5 mW보다 크지만 30 mW 이하인, 리소그래피 방법.Wherein the light output is greater than 5 mW but not greater than 30 mW.

242. 제234 실시예에 있어서,242. The process of embodiment 234 wherein < RTI ID = 0.0 >

광 출력은 5 mW보다 크지만 40 mW 이하인, 리소그래피 방법.Wherein the light output is greater than 5 mW but not greater than 40 mW.

243. 제234 실시예 내지 제242 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,243. In any one of embodiments 234 to 242,

상기 자기-발광 요소는 단일 모드로 동작하는, 리소그래피 방법.Wherein the self-emitting element operates in a single mode.

244. 리소그래피 장치로서,244. A lithographic apparatus comprising:

자기-발광 요소를 갖는 프로그램가능한 패터닝 디바이스; 및A programmable patterning device having a self-luminous element; And

자기-발광 요소로부터 방사선을 수신하기 위한 광학 요소를 갖는 회전가능한 프레임A rotatable frame having an optical element for receiving radiation from the self-

을 포함하고, 광학 요소는 굴절형 광학 요소인, 리소그래피 장치.Wherein the optical element is a refractive optical element.

245. 리소그래피 장치로서,245. A lithographic apparatus comprising:

자기-발광 요소를 갖는 프로그램가능한 패터닝 디바이스; 및A programmable patterning device having a self-luminous element; And

자기-발광 요소로부터 방사선을 수신하기 위한 광학 요소를 갖는 회전가능한 프레임A rotatable frame having an optical element for receiving radiation from the self-

을 포함하고, / RTI >

회전가능한 프레임은 자기-발광 요소 중 임의의 것 또는 모든 것으로부터 방사선을 수신하기 위한 어떠한 반사형 광학 요소도 갖지 않는, 리소그래피 장치.Wherein the rotatable frame has no reflective optical element for receiving radiation from any or all of the self-emitting elements.

246. 리소그래피 장치로서,246. A lithographic apparatus comprising:

프로그램가능한 패터닝 디바이스; 및A programmable patterning device; And

광학 요소를 갖는 플레이트를 포함하는 회전가능한 프레임A rotatable frame comprising a plate with optical elements

을 포함하고, / RTI >

광학 요소를 갖는 플레이트 표면은 평탄한, 리소그래피 장치.The plate surface with optical elements is flat.

247. 평판 디스플레이의 제조에 있어서 본 발명 중 하나 이상의 용도.247. Use of one or more of the present invention in the manufacture of a flat panel display.

248. 집적 회로 패키징에 있어서 본 발명 중 하나 이상의 용도.248. Use of one or more of the present invention in integrated circuit packaging.

249. 상기 방법 중 임의의 것에 따라 제조되는 평판 디스플레이.249. A flat panel display produced according to any of the above methods.

250. 상기 방법 중 임의의 것에 따라 제조되는 집적 회로 디바이스.250. An integrated circuit device manufactured according to any of the above methods.

251. 리소그래피 장치로서,251. A lithographic apparatus comprising:

기판의 타겟부 상에 빔을 투영하기 위한 광학 컬럼 ― 상기 광학 컬럼은 상기 타겟부 상으로 상기 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함함 ―;An optical column for projecting a beam onto a target portion of a substrate, the optical column including a projection system configured to project the beam onto the target portion;

상기 기판에 대하여 상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부를 이동시키기 위한 액추에이터; 및An actuator for moving the optical column or at least a portion thereof relative to the substrate; And

상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 기판의 타겟부 사이 및/또는 상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 광학 컬럼의 고정부 사이의 윈도우A window between the moving part of the optical column and the target part of the substrate and / or between the moving part of the optical column and the fixed part of the optical column

를 포함하고,Lt; / RTI >

상기 윈도우는 상기 윈도우의 이동을 줄이거나 최소화하도록 상기 리소그래피 장치 내에 구성되고 배열되는, 리소그래피 장치.Wherein the window is constructed and arranged in the lithographic apparatus to reduce or minimize movement of the window.

252. 제251 실시예에 있어서,252. The process of embodiment 251 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 광학 컬럼의 이동부를 실질적으로 둘러싸는 실질적으로 폐쇄된 격실을 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a substantially closed compartment substantially surrounding the moving portion of the optical column.

253. 제252 실시예에 있어서,253. The process of embodiment 252 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 격실 내의 압력을 1 bar 미만, 100 mbar 미만, 30 mbar 미만, 또는 10 mbar 미만의 레벨로 제어하기 위한 펌프를 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a pump for controlling the pressure in the compartment to less than 1 bar, less than 100 mbar, less than 30 mbar, or less than 10 mbar.

254. 제252 실시예 또는 제253 실시예에 있어서,254. The process of embodiment 252 or 253,

공기 이외의 매질을 상기 격실에 제공하기 위한 매질 공급원을 더 포함하는, 리소그래피 장치.Further comprising a medium supply for providing a medium other than air to the compartment.

255. 제254 실시예에 있어서,255. The method of embodiment 254,

상기 매질은 헬륨인, 리소그래피 장치.Wherein the medium is helium.

256. 제252 실시예 내지 제255 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,256. In any one of embodiments 252 to 255,

상기 격실에 상기 윈도우가 제공되며, 상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분은 상기 윈도우에 가요성 있게(flexibly) 연결되는, 리소그래피 장치.Wherein the window is provided in the compartment and a portion of the compartment other than the window is flexibly connected to the window.

257. 제252 실시예 내지 제256 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,257. The method of any one of embodiments 252-264,

상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분은 상기 윈도우에 대하여 이동가능한, 리소그래피 장치.Wherein a portion of the compartment other than the window is movable relative to the window.

258. 제257 실시예에 있어서,258. The process of embodiment 257 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 윈도우는 상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분에 O-링 또는 가요성 글루(glue)로 장착되는, 리소그래피 장치.Wherein the window is mounted as an O-ring or as a glue in a portion other than the window of the compartment.

259. 제252 실시예 내지 제258 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,259. The method according to any one of < RTI ID = 0.0 > 252 < / RTI &

상기 격실에는 실질적으로 원형인 하부 플레이트가 구비되고, 상기 윈도우는 상기 실질적으로 원형인 하부 플레이트의 중심으로부터 반경방향 외측으로 상기 실질적으로 원형인 하부 플레이트에 장착되는, 리소그래피 장치.Wherein the compartment is provided with a substantially circular bottom plate and the window is mounted to the substantially circular bottom plate radially outwardly from the center of the substantially circular bottom plate.

260. 제251 실시예 내지 제259 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,260. The method according to any one of < RTI ID = 0.0 > 251 < / RTI >

상기 광학 컬럼의 이동부는 렌즈를 포함하고, 상기 빔은 상기 렌즈 및 상기 윈도우를 통과하며, 상기 렌즈와 상기 윈도우 사이의 거리는 2 cm 미만, 1 cm 미만, 5 mm 미만 또는 2 mm 미만인, 리소그래피 장치.Wherein the moving part of the optical column comprises a lens, the beam passes through the lens and the window, and the distance between the lens and the window is less than 2 cm, less than 1 cm, less than 5 mm or less than 2 mm.

261. 제251 실시예 내지 제260 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,261. The method as in any one of operations 251 to 260,

상기 이동은 500 RPM 초과, 1000 RPM 초과, 2000 RPM 초과 또는 4000 RPM 초과의 회전 이동인, 리소그래피 장치.Wherein said movement is rotational movement in excess of 500 RPM, above 1000 RPM, above 2000 RPM or above 4000 RPM.

262. 제251 실시예 내지 제261 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,262. The method according to any one of < RTI ID = 0.0 > 251 < / RTI >

상기 윈도우는 석영을 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the window comprises quartz.

263. 제251 실시예 내지 제262 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,263. In any one of embodiments 251 to 262,

상기 광학 컬럼은 자기-발광 콘트라스트 디바이스를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the optical column comprises a self-emitting contrast device.

264. 제263 실시예에 있어서,264. The process of embodiment 263 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 자기-발광 콘트라스트 디바이스는 레이저 다이오드를 포함하는, 리소그래피 장치.Wherein the self-emission contrast device comprises a laser diode.

265. 제251 실시예 내지 제264 실시예 중 어느 하나의 실시예에 있어서,265. The method of any one of embodiments 251 to 264,

상기 윈도우는 상기 리소그래피 장치 중 일부에 가요성 있게 연결되고, 상기 리소그래피 장치의 다른 부분에 고정되어 연결되는, 리소그래피 장치.Wherein the window is flexibly connected to a portion of the lithographic apparatus and is fixedly connected to another portion of the lithographic apparatus.

266. 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,266. A device manufacturing method comprising projecting a patterned radiation beam onto a substrate,

광학 컬럼의 투영 시스템을 이용하여 기판 상으로 빔을 투영함으로써, 상기 광학 컬럼을 이용하여 상기 기판의 타겟부 상에 패턴을 생성하는 단계;Projecting a beam onto a substrate using a projection system of an optical column to generate a pattern on a target portion of the substrate using the optical column;

상기 빔이 윈도우를 통과하도록 하는 단계; 및Causing the beam to pass through a window; And

상기 윈도우의 이동을 줄이거나 최소화하면서 상기 기판에 대하여 상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부를 이동시키는 단계Moving the optical column or at least a portion thereof relative to the substrate while reducing or minimizing movement of the window

를 포함하는, 디바이스 제조 방법.≪ / RTI >

267. 제266 실시예에 있어서,267. The process of embodiment 266 wherein < RTI ID = 0.0 >

상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부는 상기 윈도우를 포함하는 격실 내에 있고, 상기 윈도우에 의한 이동을 줄이거나 최소화하는 것은 상기 윈도우와 상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분 사이에 이동을 허용하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.Wherein the optical column or at least a portion thereof is in a compartment containing the window and wherein reducing or minimizing movement by the window includes allowing movement between the window and a portion of the compartment other than the window. Gt;

본 명세서에서는 특히 특정 디바이스 또는 구조체(예를 들면, 집적 회로 또는 평판 디스플레이)의 제조에 리소그래피 장치를 이용하는 것을 참고로 설명했지만, 본원에서 기술된 리소그래피 장치 및 리소그래피 방법은 다른 응용예를 가질 수 있음을 이해해야 한다. 이러한 응용예는 집적 회로, 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), OLED 디스플레이, 박막 자기 헤드, 미소 기전 시스템(MEMS), 미소 광 기전 시스템(MOEMS), DNA 칩, 패키징(예를 들면, 플립 칩, 재배선, 등), 플렉서블 디스플레이 또는 전자기기(종이처럼 권취가능하고 굽힐 수 있으며(bendable), 결함이 없고, 정합성 있으며, 튼튼하고, 얇고, 및/또는 경량인 디스플레이 또는 전자기기, 예컨대 플렉서블 플라스틱 디스플레이) 등의 제조를 포함하나 이에 제한되지 않는다. 또한 예를 들어 평판 디스플레이에서, 본 장치 및 방법은 다양한 층, 예를 들면 박막 트랜지스터 층 및/또는 컬러 필터 층의 생성에 기여하도록 이용될 수 있다. 통상의 기술자라면, 이러한 대안적인 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 툴, 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.Although specific reference may be made in this text to the use of lithographic apparatus in the manufacture of specific devices or structures (e.g., integrated circuits or flat panel displays), it should be understood that the lithographic apparatus and lithographic methods described herein may have other applications I have to understand. Such applications include but are not limited to integrated circuits, integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), OLED displays, thin film magnetic heads, microelectromechanical systems (MEMS) , DNA chips, packaging (e.g., flip chips, rewiring, etc.), flexible displays or electronic devices (such as paper rewindable, bendable, defect-free, consistent, robust, And / or lightweight displays or electronics, such as flexible plastic displays), and the like. Also for example in flat panel displays, the present apparatus and method can be used to contribute to the creation of various layers, such as thin film transistor layers and / or color filter layers. As used herein, the term "wafer" or "die" is used interchangeably with the more general terms "substrate" or "target portion", respectively, As will be understood by those skilled in the art. The substrate referred to herein may be processed in a test track, typically a track (typically a device that applies a layer of resist to a substrate and develops the exposed resist), a metrology tool, and / or an inspection tool. To the extent applicable, the teachings of the present disclosure may be applied to the substrate processing apparatus and other substrate processing apparatuses. Also, for example, the substrate may be processed multiple times to create a multi-layer IC, so that the term substrate used herein may refer to a substrate that already contains multiple processed layers.

평판 디스플레이 기판은 그 형상이 직사각형일 수 있다. 이러한 유형의 기판을 노광하도록 설계된 리소그래피 장치는 직사각형 기판의 전체 폭을 커버하거나 폭 중 일부(예를 들어, 폭의 1/2)를 커버하는 노광 영역을 제공할 수 있다. 기판이 노광 영역 아래에서 스캔되는 동안, 패터닝 디바이스는 패터닝된 빔을 통해 동시에 스캔되거나 패터닝 디바이스는 가변 패턴을 제공할 수 있다. 이런 식으로, 원하는 패턴의 모두 또는 이의 일부가 기판에 전사된다. 노광 영역이 기판의 전체 폭을 커버하는 경우, 노광은 단일 스캔으로 완료될 수 있다. 노광 영역이 예를 들어 기판 폭의 1/2을 커버하는 경우, 기판은 제1 스캔 이후에 횡으로 이동되어 기판의 나머지를 노광하기 위해 추가적인 스캔이 통상 수행될 수 있다.The flat panel display substrate may have a rectangular shape. A lithographic apparatus designed to expose a substrate of this type can cover the entire width of a rectangular substrate or provide an exposure area covering a portion of the width (e.g., 1/2 of the width). While the substrate is scanned below the exposure area, the patterning device may be scanned simultaneously through the patterned beam, or the patterning device may provide a variable pattern. In this way, all or a portion of the desired pattern is transferred to the substrate. If the exposure area covers the entire width of the substrate, the exposure can be completed in a single scan. If the exposure area covers, for example, one-half the substrate width, then the substrate may be moved laterally after the first scan to perform additional scanning to expose the remainder of the substrate.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판(의 일부)에 패턴을 생성하는 것과 같이, 방사선 빔의 단면을 변조하기 위해 사용될 수 있는 어떠한 장치도 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-반전 피처 또는 이른바 보조 피처(assist feature)를 포함하는 경우 기판의 타겟부에 있어서 원하는 패턴에 정확히 대응하지 않을 수도 있음에 주목해야 한다. 마찬가지로, 기판 상에 최종적으로 생성되는 패턴은, 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 상에서 어느 일 순간에 형성된 패턴에도 대응하지 않을 수 있다. 이는, 기판의 각 부분에 형성된 최종 패턴이 주어진 기간 또는 주어진 횟수의 노광에 걸쳐 형성되는 구성에서 그러할 수 있는데, 이러한 주어진 기간 또는 주어진 횟수의 노광 중에 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 상의 패턴 및/또는 기판의 상대적인 위치가 변화하게 되기 때문이다. 일반적으로, 기판의 타겟부 상에 생성되는 패턴은 타겟부에 생성되는 디바이스, 예를 들면 집적 회로 또는 평판 디스플레이의 특정 기능층(예를 들어, 평판 디스플레이의 컬러 필터 층 또는 평판 디스플레이의 박막 트랜지스터 층)에 대응할 것이다. 이러한 패터닝 디바이스의 예는, 예컨대 레티클, 프로그램가능한 미러 어레이, 레이저 다이오드 어레이, 발광 다이오드 어레이, 격자 광 밸브, 및 LCD 어레이를 포함한다. 방사선 빔의 부분의 위상을 방사선 빔의 인접한 부분에 대하여 변조함으로써 방사선 빔에 패턴을 부여하는 복수의 프로그램가능한 요소를 갖는 전자적으로 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 포함하여, 전자 디바이스(예를 들어, 컴퓨터)를 이용하여 패턴을 프로그래밍할 수 있는 패터닝 디바이스, 예컨대 방사선 빔의 부분의 세기를 각각 변조할 수 있는 복수의 프로그램가능한 요소를 포함하는 패터닝 디바이스(예를 들어, 레티클을 제외하고 앞의 문장에서 언급된 모든 디바이스)는 본원에서 집합적으로 "콘트라스트 디바이스"라 지칭된다. 일 실시예에서, 패터닝 디바이스는 적어도 10개의 프로그램가능한 요소, 예컨대 적어도 100개, 적어도 1,000개, 적어도 10,000개, 적어도 100,000개, 적어도 1,000,000개, 또는 적어도 10,000,000개의 프로그램가능한 요소를 포함한다. 이러한 디바이스 중 몇몇에 대한 실시예가 이하 보다 상세하게 논의된다.The term "patterning device " as used herein should be broadly interpreted as referring to any device that can be used to modulate a cross section of a radiation beam, such as to create a pattern on (part of) a substrate. It should be noted that the pattern imparted to the radiation beam may not exactly correspond to the desired pattern in the target portion of the substrate, for example if the pattern comprises a phase-reversal feature or so-called assist feature. Likewise, the pattern ultimately generated on the substrate may not correspond to the pattern formed at any one moment on the array of individually controllable elements. This may be the case in a configuration in which a final pattern formed on each part of the substrate is formed over a given period or a given number of exposures, such that during a given period of time or a given number of exposures the pattern on the array of individually controllable elements and / As shown in FIG. Generally, a pattern created on a target portion of a substrate may be formed in a device, such as an integrated circuit or a specific functional layer of a flat panel display (e.g., a color filter layer of a flat panel display or a thin film transistor layer of a flat panel display) ). Examples of such patterning devices include, for example, reticles, programmable mirror arrays, laser diode arrays, light emitting diode arrays, grating light valves, and LCD arrays. An electronic device (e.g., a computer), including an electronically programmable patterning device having a plurality of programmable elements that impart a pattern to a radiation beam by modulating the phase of the portion of the radiation beam relative to an adjacent portion of the radiation beam (E.g., a patterning device that includes a plurality of programmable elements, each capable of modulating the intensity of a portion of a radiation beam, such as all of the features referred to in the preceding sentence except for the reticle, Devices) are collectively referred to herein as "contrast devices ". In one embodiment, the patterning device includes at least 10 programmable elements, such as at least 100, at least 1,000, at least 10,000, at least 100,000, at least 1,000,000, or at least 10,000,000 programmable elements. Embodiments of some of these devices are discussed in more detail below.

- 프로그램가능한 미러 어레이. 프로그램가능한 미러 어레이는 점탄성 제어 층과 반사성 표면을 갖는 매트릭스-어드레스가능한 표면을 포함할 수 있다. 이러한 장치의 기본적인 원리에 따르면, 예를 들어 반사성 표면의 어드레스된 영역이 입사되는 방사선을 회절된 방사선으로서 반사시키는 반면, 어드레스되지 않은 영역은 입사되는 방사선을 회절되지 않은 방사선으로서 반사시킨다. 적절한 공간 필터를 이용하면, 회절되지 않은 방사선은 반사된 빔으로부터 필터링될 수 있고, 회절된 방사선만이 기판에 도달하도록 남겨 놓는다. 이런 식으로, 매트릭스-어드레스가능한 표면의 어드레싱 패턴에 따라 빔이 패터닝된다. 대안적으로, 필터가 회절된 방사선을 필터링하여, 회절되지 않은 방사선이 기판에 도달하도록 남겨 놓을 수 있을 것이다. 회절성 광학 MEMS 디바이스의 어레이 또한 대응하는 방식으로 이용될 수 있다. 회절성 광학 MEMS 디바이스는 복수의 반사성 리본을 포함할 수 있고, 이러한 복수의 반사성 리본은 입사되는 방사선을 회절된 방사선으로 반사시키는 격자를 형성하도록 서로에 대해 변형될 수 있다. 프로그램가능한 미러 어레이의 추가적인 실시예는 소형 미러의 매트릭스 배열을 이용하고, 이러한 각각의 미러는 적합한 국소적 전기장을 인가하거나 압전 액추에이션 수단을 이용함으로써 축을 중심으로 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 정도는 각 미러의 상태를 규정한다. 이러한 미러는, 요소가 결함이 없는 경우, 제어기로부터의 적절한 제어 신호에 의해 제어가능하다. 각각의 무결함 요소는, 투영된 방사선 패턴에서 대응하는 픽셀의 세기를 조정하기 위해, 일련의 상태 중 어느 것의 상태도 채용할 수 있도록 제어가능하다. 다시 한번, 미러는 매트릭스-어드레스가능하여, 어드레스된 미러는 어드레스되지 않은 미러와는 상이한 방향으로, 입사된 방사선 빔을 반사시키게 된다; 이런 식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레스가능한 미러의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝될 수 있다. 필요한 매트릭스 어드레싱은 적합한 전자 수단을 이용하여 수행될 수 있다. 본원에서 언급된 미러 어레이에 관한 보다 많은 정보는, 예를 들어 미국 특허 제5,296,891호 및 제5,523,193호, 및 PCT 특허 출원 공개 WO 98/38597 및 WO 98/33096으로부터 입수할 수 있고, 이러한 문헌은 원용에 의해 전체로서 본원에 통합된다.- Programmable mirror array. The programmable mirror array may include a matrix-addressable surface having a viscoelastic control layer and a reflective surface. According to the basic principle of this device, for example, the addressed area of the reflective surface reflects the incoming radiation as diffracted radiation, while the unaddressed area reflects the incoming radiation as undiffracted radiation. With a suitable spatial filter, the undiffracted radiation can be filtered out of the reflected beam, leaving only the diffracted radiation to reach the substrate. In this way, the beam is patterned according to the addressing pattern of the matrix-addressable surface. Alternatively, the filter may filter the diffracted radiation, leaving un-diffracted radiation to reach the substrate. An array of diffractive optical MEMS devices may also be used in a corresponding manner. The diffractive optical MEMS device may include a plurality of reflective ribbons that may be deformed relative to one another to form a grating that reflects the incoming radiation to the diffracted radiation. A further embodiment of a programmable mirror array utilizes a matrix array of miniature mirrors, each of which can be individually tilted about an axis by applying a suitable local electric field or using piezoelectric actuation means. The degree of tilt defines the state of each mirror. Such a mirror is controllable by an appropriate control signal from the controller if the element is free of defects. Each defect-free element is controllable so that the state of either of a series of states can be employed to adjust the intensity of the corresponding pixel in the projected radiation pattern. Once again, the mirrors are matrix-addressable so that the addressed mirrors reflect the incident radiation beam in a direction different from the unaddressed mirror; In this way, the reflected beam can be patterned according to the addressing pattern of the matrix-addressable mirror. The required matrix addressing can be performed using suitable electronic means. More information regarding the mirror arrays referred to herein can be found, for example, in U.S. Pat. Nos. 5,296,891 and 5,523,193, and PCT patent applications WO 98/38597 and WO 98/33096, Which is incorporated herein by reference in its entirety.

-프로그램가능한 LCD 어레이. 이러한 구성의 예는 미국 특허 제5,229,872호에 제공되어 있고, 이러한 문헌은 원용에 의해 전체로서 본원에 통합된다.- Programmable LCD array. An example of such a configuration is provided in U.S. Patent No. 5,229,872, which is incorporated herein by reference in its entirety.

리소그래피 장치는 하나 이상의 패터닝 디바이스, 예를 들어 하나 이상의 콘트라스트 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 장치는 서로에 대해 각각 독립적으로 제어되는 개별적으로 제어가능한 요소의 복수의 어레이를 가질 수 있다. 이러한 구성에서, 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 중 일부 또는 모두는 공통의 조명 시스템(또는 조명 시스템의 일부), 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이에 대한 공통의 지지 구조체 및/또는 공통의 투영 시스템(또는 투영 시스템의 일부) 중 적어도 하나를 가질 수 있다. The lithographic apparatus may include one or more patterning devices, e.g., one or more contrasting devices. For example, such devices may have a plurality of arrays of individually controllable elements that are each independently controlled relative to one another. In such an arrangement, some or all of the arrays of individually controllable elements may share a common illumination system (or part of an illumination system), a common support structure for an array of individually controllable elements, and / A portion of the projection system).

피처의 사전-바이어싱(pre-biasing), 광 근접 효과 보정 피처, 위상 변이 기술 및/또는 다수의 노광 기술이 이용되는 경우, 예를 들어 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 상에 "디스플레이"된 패턴은 기판의 층에 또는 기판 상에 최종적으로 전사되는 패턴과는 실질적으로 다를 수 있음을 인식해야 한다. 마찬가지로, 기판 상에 최종적으로 생성되는 패턴은, 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 상에 어느 일 순간에 형성된 패턴에도 대응하지 않을 수 있다. 기판의 각 부분에 형성된 최종 패턴이 주어진 기간 또는 주어진 횟수의 노광에 걸쳐 형성되는 구성에서 그러할 수 있고, 이러한 주어진 기간 또는 주어진 횟수의 노광 중에 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이 상의 패턴 및/또는 기판의 상대적인 위치가 변화하게 되기 때문이다.If pre-biasing of features, optical proximity effect correction features, phase shift techniques and / or multiple exposure techniques are used, for example, a pattern "displayed" on an array of individually controllable elements It should be appreciated that the pattern may be substantially different from the pattern eventually transferred to or onto the substrate. Likewise, a pattern ultimately generated on a substrate may not correspond to a pattern formed at any one moment on an array of individually controllable elements. In a configuration in which a final pattern formed on each portion of the substrate is formed over a given period or a given number of exposures and during such a given period or number of exposures the pattern on the array of individually controllable elements and / This is because the position is changed.

투영 시스템 및/또는 조명 시스템은 방사선 빔을 안내하거나, 형상화(shape)하거나, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광학 컴포넌트, 예를 들어 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 정전기형 또는 다른 유형의 광학 요소, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. The projection system and / or illumination system may include various types of optical components for guiding, shaping, or controlling the beam of radiation, such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic or other types Or any combination thereof. ≪ / RTI >

리소그래피 장치는 둘(예를 들어, 이중 스테이지) 또는 그 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 패터닝 디바이스 테이블)을 갖는 유형일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기기에서는, 부가적인 테이블을 병행하여 사용하거나, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 하나 이상의 다른 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다. The lithographic apparatus may be of a type having two (e.g., dual stage) or more substrate tables (and / or two or more patterning device tables). In such "multiple stage" devices it is possible to use additional tables in parallel, or to use one or more other tables for exposure while performing a preliminary process on one or more tables.

리소그래피 장치는 또한, 기판의 적어도 일부가 비교적 높은 굴절률을 갖는 "액침액", 예를 들어 투영 시스템과 기판 간의 공간이 물로 덮여 있는 유형일 수 있다. 액침액은 또한 리소그래피 장치 내의 다른 공간, 예를 들어 패터닝 디바이스와 투영 시스템 사이의 공간에 부가될 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 NA를 증가시키기 위해 이용된다. 본원에서 사용되는 용어 "액침"은 구조체, 예컨대 기판이 액체에 잠겨야 함을 의미한다기보다는, 오히려 노광 중에 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 위치됨을 의미한다.The lithographic apparatus may also be of the type in which at least a portion of the substrate has a "liquid immersion ", e.g. a space between the projection system and the substrate, which has a relatively high refractive index, is covered with water. The immersion liquid may also be added to another space within the lithographic apparatus, for example, a space between the patterning device and the projection system. The immersion technique is used to increase the NA of the projection system. The term "immersion" as used herein means that the structure, e.g. the substrate, is meant to be immersed in the liquid, rather than the liquid being positioned between the projection system and the substrate during exposure.

또한, 장치는 유체와 기판의 조사된 부분 사이에 상호작용을 허용하기 위해(예를 들어, 기판에 화학물질을 선택적으로 부착하거나 기판의 표면 구조를 선택적으로 수정하기 위해) 유체 처리 셀을 구비할 수 있다.The apparatus also includes a fluid treatment cell (e.g., to selectively adhere the chemical to the substrate or selectively modify the surface structure of the substrate) to allow interaction between the fluid and the irradiated portion of the substrate .

일 실시예에서, 기판은 실질적으로 원형 형상을 가질 수 있고, 선택적으로 주변부 중 일부를 따라 노치부 및/또는 평탄화된 에지를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 기판은 다각형 형상, 예를 들어 직사각형 형상을 가진다. 기판이 실질적으로 원형 형상을 갖는 실시예는, 기판의 지름이 적어도 25mm, 예를 들어 적어도 50mm, 적어도 75mm, 적어도 100mm, 적어도 125mm, 적어도 150mm, 적어도 175mm, 적어도 200mm, 적어도 250mm, 또는 적어도 300mm인 실시예를 포함한다. 일 실시예에서, 기판의 지름은 500mm 이하, 400mm 이하, 350mm 이하, 300mm 이하, 250mm 이하, 200mm 이하, 150mm 이하, 100mm 이하, 또는 75mm 이하이다. 기판이 다각형, 예를 들어 직사각형인 실시예는, 기판의 적어도 한 변, 예를 들어 적어도 두 변, 또는 적어도 세 변의 길이가 적어도 5cm, 예를 들어 적어도 25cm, 적어도 50cm, 적어도 100cm, 적어도 150cm, 적어도 200cm, 또는 적어도 250cm인 실시예를 포함한다. 일 실시예에서, 기판의 적어도 한 변의 길이는 1,000cm 이하, 예컨대 750cm 이하, 500cm 이하, 350cm 이하, 250cm 이하, 150cm 이하, 또는 75cm 이하이다. 일 실시예에서, 기판은 약 250-350cm의 길이 및 약 250-300cm의 폭을 갖는 직사각형 기판이다. 기판의 두께는 변할 수 있고, 예를 들면 기판 재료 및/또는 기판 치수에 어느 정도 의존할 수 있다. 일 실시예에서, 두께는 적어도 50㎛, 예컨대 적어도 100㎛, 적어도 200㎛, 적어도 300㎛, 적어도 400㎛, 적어도 500㎛, 또는 적어도 600㎛이다. 일 실시예에서, 기판의 두께는 5,000㎛ 이하, 예컨대 3,500㎛ 이하, 2,500㎛ 이하, 1,750㎛ 이하, 1,250㎛ 이하, 1,000㎛ 이하, 800㎛ 이하, 600㎛ 이하, 500㎛ 이하, 400㎛ 이하, 또는 300㎛ 이하이다. 본원에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치)에서 처리될 수 있다. 기판의 특성은 노광 전후에, 예컨대 계측 도구, 및/또는 검사 도구로 측정될 수 있다. In one embodiment, the substrate may have a substantially circular shape and may optionally have a notched and / or planarized edge along a portion of the periphery. In one embodiment, the substrate has a polygonal shape, e.g., a rectangular shape. Embodiments in which the substrate has a substantially circular shape include those having a diameter of at least 25 mm, such as at least 50 mm, at least 75 mm, at least 100 mm, at least 125 mm, at least 150 mm, at least 175 mm, at least 200 mm, at least 250 mm, ≪ / RTI > In one embodiment, the diameter of the substrate is less than 500 mm, less than 400 mm, less than 350 mm, less than 300 mm, less than 250 mm, less than 200 mm, less than 150 mm, less than 100 mm, or less than 75 mm. Embodiments in which the substrate is polygonal, e.g., rectangular, include at least one side, e.g., at least two sides, or at least three sides, at least three sides of at least 5 cm, such as at least 25 cm, at least 50 cm, at least 100 cm, At least 200 cm, or at least 250 cm. In one embodiment, the length of at least one side of the substrate is no greater than 1,000 cm, such as no greater than 750 cm, no greater than 500 cm, no greater than 350 cm, no greater than 250 cm, no greater than 150 cm, or no greater than 75 cm. In one embodiment, the substrate is a rectangular substrate having a length of about 250-350 cm and a width of about 250-300 cm. The thickness of the substrate may vary and may depend, for example, to some extent on the substrate material and / or substrate dimensions. In one embodiment, the thickness is at least 50 microns, such as at least 100 microns, at least 200 microns, at least 300 microns, at least 400 microns, at least 500 microns, or at least 600 microns. In one embodiment, the thickness of the substrate is not more than 5,000 mu m, such as not more than 3,500 mu m, not more than 2,500 mu m, not more than 1,750 mu m, not more than 1,250 mu m, not more than 1,000 mu m, Or 300 mu m or less. The substrate referred to herein can be processed in a track, typically a device that applies a layer of resist to a substrate and develops the exposed resist, before and after exposure. The properties of the substrate can be measured before and after exposure, for example with metrology tools and / or inspection tools.

일 실시예에서, 레지스트 층이 기판 상에 제공된다. 일 실시예에서, 기판은 웨이퍼, 예를 들어 반도체 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 웨이퍼 재료는 Si, SiGe, SiGeC, SiC, Ge, GaAs, InP 및 InAs로 이루어진 그룹에서 선택된다. 일 실시예에서, 웨이퍼는 III/V족 화합물 반도체 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 기판은 세라믹 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 유리 기판이다. 유리 기판은, 예를 들어 평판 디스플레이 및 액정 디스플레이 패널의 제조에 유용할 수 있다. 일 실시예에서, 기판은 플라스틱 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 (육안에 대해서) 투명하다. 일 실시예에서, 기판은 색상이 있다. 일 실시예에서, 기판은 색상이 없다. In one embodiment, a resist layer is provided on the substrate. In one embodiment, the substrate is a wafer, for example a semiconductor wafer. In one embodiment, the wafer material is selected from the group consisting of Si, SiGe, SiGeC, SiC, Ge, GaAs, InP and InAs. In one embodiment, the wafer is a III / V compound semiconductor wafer. In one embodiment, the wafer is a silicon wafer. In one embodiment, the substrate is a ceramic substrate. In one embodiment, the substrate is a glass substrate. Glass substrates may be useful, for example, in the manufacture of flat panel displays and liquid crystal display panels. In one embodiment, the substrate is a plastic substrate. In one embodiment, the substrate is transparent (with respect to the naked eye). In one embodiment, the substrate is colored. In one embodiment, the substrate is colorless.

일 실시예에서, 패터닝 디바이스(104)가 기판(114) 위에 있는 것으로 기술되고, 및/또는 도시되어 있지만, 대안적으로 또는 부가적으로 기판(114)의 아래에 위치할 수 있다. 또한 일 실시예에서, 패터닝 디바이스(104) 및 기판(114)은 나란히 위치할 수 있고, 예를 들어 패터닝 디바이스(104) 및 기판(114)은 수직으로 연장되고, 패턴은 수평으로 투영된다. 일 실시예에서, 패터닝 디바이스(104)는 기판(114)의 적어도 2개의 반대 면을 노광하기 위해 제공된다. 예를 들어, 이러한 면을 노광하기 위해, 적어도 기판(114)의 각각의 반대 면 상에, 적어도 2개의 패터닝 디바이스(104)가 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(114)의 일면을 투영하기 위한 단일한 패터닝 디바이스(104) 및 이러한 단일한 패터닝 디바이스(104)로부터 기판(114)의 다른 면 상에 패턴을 투영하기 위한 적절한 광학기기(예를 들면, 빔 안내 미러)가 제공될 수 있다.In one embodiment, the patterning device 104 is described and / or shown as being on the substrate 114, but alternatively or additionally may be located below the substrate 114. Also, in one embodiment, the patterning device 104 and the substrate 114 may be positioned side by side, e.g., the patterning device 104 and the substrate 114 extend vertically, and the pattern is projected horizontally. In one embodiment, the patterning device 104 is provided for exposing at least two opposite surfaces of the substrate 114. For example, to expose such a surface, at least two patterning devices 104 may be provided, at least on opposite sides of the substrate 114. In one embodiment, a single patterning device 104 for projecting one side of the substrate 114 and a suitable optical device (e.g., a single patterning device 104) for projecting the pattern from the single patterning device 104 onto the other side of the substrate 114 For example, a beam guiding mirror) may be provided.

이상에서 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 내부에 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, an embodiment of the present invention may be implemented as a computer program containing one or more sequences of machine-readable instructions describing a method as disclosed above, or a data storage medium (e.g., Semiconductor memory, magnetic or optical disk).

나아가, 본 발명은 특정 실시예 및 예시의 맥락에서 개시되었지만, 통상의 기술자라면, 본 발명은 특정하게 개시된 실시예를 넘어 다른 대안적인 실시예 및/또는 본 발명의 용도 및 명백한 수정예 및 균등물까지 확장된다는 점을 이해할 것이다. 부가적으로, 본 발명의 수많은 변형예가 상세히 도시 및 기술되었지만, 본 개시내용에 기초하여 본 발명의 범위 내에 있는 다른 수정예가 통상의 당업자에게 자명할 것이다. 예를 들어, 실시예의 특정 특징 및 양상의 다양한 조합 또는 부조합이 이루어지더라도 본 발명의 범위 내에 속한다는 점이 예상될 것이다. 따라서, 개시된 발명의 다양한 모드를 형성하기 위해서 개시된 실시예의 다양한 특징 및 양상이 서로 조합되거나 서로 대체될 수 있다는 점을 이해해야 한다. 예를 들어 일 실시예에서, 도 5의 이동가능한 개별적으로 제어가능한 요소는, 예를 들어 백업 시스템을 제공하거나 갖기 위해, 개별적으로 제어가능한 요소의 이동가능하지 않은 어레이와 조합될 수 있다.Furthermore, although the present invention has been disclosed in the context of specific embodiments and examples, it will be apparent to those of ordinary skill in the art that the present invention extends beyond the specifically disclosed embodiments to other alternative embodiments and / or uses of the invention and obvious modifications and equivalents As shown in FIG. Additionally, although numerous modifications and variations of the present invention have been shown and described in detail, other modifications that are within the scope of this invention based on this disclosure will be apparent to those skilled in the art. For example, it is contemplated that various combinations or subcombinations of specific features and aspects of the embodiments are within the scope of the invention. It is therefore to be understood that the various features and aspects of the disclosed embodiments may be combined or substituted with one another to form the various modes of the disclosed invention. For example, in one embodiment, the movable individually controllable elements of FIG. 5 may be combined with non-movable arrays of individually controllable elements, for example to provide or have a backup system.

이와 같이, 본 발명의 다양한 실시예를 전술하였지만, 이들은 예시의 목적으로 제시된 것일 뿐 제한의 목적으로 제시된 것이 아님을 이해해야 한다. 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 형태 및 세부사항에 있어서 다양한 변경이 이루어질 수 있다는 점이 통상의 기술자에게 자명할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 상기 예시적인 실시예 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않고, 단지 청구 범위 및 이의 균등물에 따라 정해져야 한다.Thus, while various embodiments of the invention have been described above, it should be understood that they have been presented by way of example only, and not limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by any of the above-described exemplary embodiments, but should be determined only in accordance with the appended claims and their equivalents.

Claims (17)

리소그래피 장치로서,
기판의 타겟부 상에 빔을 투영하기 위한 광학 컬럼 ― 상기 광학 컬럼은 상기 타겟부 상으로 상기 빔을 투영하도록 구성된 투영 장치를 포함함 ―;
상기 기판에 대하여 상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부를 회전 이동시키기 위한 액추에이터; 및
상기 광학 컬럼의 이동부(moving part)와 상기 기판의 타겟부 사이 및/또는 상기 광학 컬럼의 이동부와 상기 광학 컬럼의 고정부(non-moving part) 사이의 윈도우
를 포함하고,
상기 윈도우는 상기 윈도우의 이동을 줄이거나 최소화하도록 상기 리소그래피 장치 내에 구성되고 배열되는, 리소그래피 장치.
A lithographic apparatus comprising:
An optical column for projecting a beam onto a target portion of a substrate, the optical column including a projection device configured to project the beam onto the target portion;
An actuator for rotationally moving the optical column or at least a portion thereof with respect to the substrate; And
A window between a moving part of the optical column and a target portion of the substrate and / or between a moving part of the optical column and a non-moving part of the optical column
Lt; / RTI >
Wherein the window is constructed and arranged in the lithographic apparatus to reduce or minimize movement of the window.
제1항에 있어서,
상기 광학 컬럼의 이동부를 실질적으로 둘러싸는 실질적으로 폐쇄된 격실을 더 포함하는, 리소그래피 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a substantially closed compartment substantially surrounding the moving portion of the optical column.
제2항에 있어서,
상기 격실 내의 압력을 1 bar 미만의 레벨로 제어하기 위한 펌프를 더 포함하는, 리소그래피 장치.
3. The method of claim 2,
Further comprising a pump for controlling the pressure in the compartment to a level below 1 bar.
제2항 또는 제3항에 있어서,
공기 이외의 매질을 상기 격실에 제공하기 위한 매질 공급원을 더 포함하는, 리소그래피 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Further comprising a medium supply for providing a medium other than air to the compartment.
제4항에 있어서,
상기 매질은 헬륨인, 리소그래피 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the medium is helium.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 격실에 상기 윈도우가 제공되며, 상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분은 상기 윈도우에 가요성 있게(flexibly) 연결되는, 리소그래피 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the window is provided in the compartment and a portion of the compartment other than the window is flexibly connected to the window.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분은 상기 윈도우에 대하여 이동가능한, 리소그래피 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein a portion of the compartment other than the window is movable relative to the window.
제7항에 있어서,
상기 윈도우는 상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분에 O-링 또는 가요성 글루(glue)로 장착되는, 리소그래피 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the window is mounted as an O-ring or as a glue in a portion other than the window of the compartment.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 격실에는 원형인 하부 플레이트가 구비되고, 상기 윈도우는 상기 원형인 하부 플레이트의 중심으로부터 반경방향 외측으로 상기 원형인 하부 플레이트에 장착되는, 리소그래피 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Wherein the compartment is provided with a circular bottom plate and the window is mounted on the circular bottom plate radially outwardly from the center of the circular bottom plate.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 컬럼의 이동부는 렌즈를 포함하고, 상기 빔은 상기 렌즈 및 상기 윈도우를 통과하며, 상기 렌즈와 상기 윈도우 사이의 거리는 2 cm 미만인, 리소그래피 장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the moving part of the optical column includes a lens, the beam passes through the lens and the window, and the distance between the lens and the window is less than 2 cm.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 회전 이동은 500 RPM 초과의 회전 이동인, 리소그래피 장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the rotational movement is a rotational movement in excess of 500 RPM.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 윈도우는 석영을 포함하는, 리소그래피 장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the window comprises quartz.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 컬럼은 자기-발광 콘트라스트 디바이스를 포함하는, 리소그래피 장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the optical column comprises a self-emitting contrast device.
제13항에 있어서,
상기 자기-발광 콘트라스트 디바이스는 레이저 다이오드를 포함하는, 리소그래피 장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the self-emission contrast device comprises a laser diode.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 윈도우는 상기 리소그래피 장치 중 일부에 가요성 있게 연결되고, 상기 리소그래피 장치의 다른 부분에 고정되어 연결되는, 리소그래피 장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the window is flexibly connected to a portion of the lithographic apparatus and is fixedly connected to another portion of the lithographic apparatus.
기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,
광학 컬럼의 투영 장치를 이용하여 기판 상으로 빔을 투영함으로써, 상기 광학 컬럼을 이용하여 상기 기판의 타겟부 상에 패턴을 생성하는 단계;
상기 빔이 윈도우를 통과하도록 하는 단계; 및
상기 윈도우의 이동을 줄이거나 최소화하면서 상기 기판에 대하여 상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부를 회전 이동시키는 단계
를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
A device manufacturing method comprising projecting a patterned radiation beam onto a substrate,
Projecting a beam onto a substrate using a projection apparatus of an optical column to generate a pattern on a target portion of the substrate using the optical column;
Causing the beam to pass through a window; And
Rotating or translating the optical column or at least a portion thereof relative to the substrate while reducing or minimizing movement of the window
≪ / RTI >
제16항에 있어서,
상기 광학 컬럼 또는 적어도 그 일부는 상기 윈도우를 포함하는 격실 내에 있고, 상기 윈도우에 의한 이동을 줄이거나 최소화하는 것은 상기 윈도우와 상기 격실 중 상기 윈도우 이외의 부분 사이에 이동을 허용하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Wherein the optical column or at least a portion thereof is in a compartment containing the window and wherein reducing or minimizing movement by the window includes allowing movement between the window and a portion of the compartment other than the window. Gt;
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013083371A1 (en) 2011-12-05 2013-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6135664B2 (en) * 2012-03-07 2017-05-31 株式会社ニコン Mask, mask unit, exposure apparatus, substrate processing apparatus, and device manufacturing method
CN105137719B (en) * 2015-09-21 2017-10-31 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Gas supply device and the photoetching projection objective lens with it
JP6743884B2 (en) * 2016-03-30 2020-08-19 株式会社ニコン Pattern drawing device and pattern drawing method
WO2018013270A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 Applied Materials, Inc. Micro led array as illumination source
TWI620914B (en) * 2016-10-27 2018-04-11 Toshiba Kk Measuring device
US10741354B1 (en) * 2018-02-14 2020-08-11 Kla-Tencor Corporation Photocathode emitter system that generates multiple electron beams

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1145847A (en) * 1997-07-25 1999-02-16 Nikon Corp Illumination optical equipment, aligner provided with the same and manufacture of device which uses the same
JP2005277421A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Asml Netherlands Bv Lithography optical system
JP2009164371A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Gigaphoton Inc Buffering means of optical element for gas laser, and gas laser device using same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4929054A (en) * 1986-04-28 1990-05-29 The Perkin-Elmer Corporation Mounting for high resolution projection lenses
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
DE59105735D1 (en) 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung EXPOSURE DEVICE.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (en) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Data conversion method for a multi-beam laser printer for very complex microcolytographic designs
JP2004245905A (en) * 2003-02-10 2004-09-02 Tadahiro Omi Mask fabricating device
US6995830B2 (en) * 2003-12-22 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7081947B2 (en) * 2004-02-27 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101446820B1 (en) * 2007-02-06 2014-10-01 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Method and device for monitoring multiple mirror arrays in an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US7768627B2 (en) * 2007-06-14 2010-08-03 Asml Netherlands B.V. Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system
JP2010014798A (en) * 2008-07-01 2010-01-21 Nsk Ltd Micromirror device and optical irradiation apparatus
CN101482641B (en) * 2009-02-23 2010-09-15 上海微电子装备有限公司 Lens fixing device and mounting method
TWI448830B (en) * 2010-02-09 2014-08-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1145847A (en) * 1997-07-25 1999-02-16 Nikon Corp Illumination optical equipment, aligner provided with the same and manufacture of device which uses the same
JP2005277421A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Asml Netherlands Bv Lithography optical system
JP2009164371A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Gigaphoton Inc Buffering means of optical element for gas laser, and gas laser device using same

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Publication number Publication date
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