KR101472913B1 - Cleaning member and method of cleaning using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 모재와, 모재의 적어도 일 면상에 형성되며 고전압에 의해 차징된 전극을 포함하고, 반도체 제조 장치 내부에 투입되어 정전기에 의해 반도체 제조 장치 내부의 파티클을 흡착하는 클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법을 제시한다.The present invention relates to a cleaning member which is formed on at least one surface of a base material and has an electrode charged by a high voltage and which is charged into a semiconductor manufacturing apparatus and adsorbs particles inside the semiconductor manufacturing apparatus by static electricity, .

Description

클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법{Cleaning member and method of cleaning using the same}Cleaning member and method of cleaning using same

본 발명은 클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 제조 장치 내의 파티클을 흡착하여 제거하는 클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a cleaning member and a cleaning method using the cleaning member. More particularly, the present invention relates to a cleaning member for adsorbing and removing particles in a semiconductor manufacturing apparatus, and a cleaning method using the cleaning member.

일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상부에 소정 구조의 박막이 복수 적층되어 제조된다. 이러한 반도체 소자의 제조 공정은 웨이퍼 상에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 이용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출시키는 노광 및 현상 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각 공정 등을 복수 회 반복 실시하여 소정 구조의 박막을 복수 적층 형성하게 된다.Generally, a semiconductor device is manufactured by stacking a plurality of thin films having a predetermined structure on a wafer. The semiconductor device manufacturing process includes a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a wafer, an exposure and development process for exposing a selected region of the thin film using a photosensitive material, an etching process for removing and patterning a thin film of the selected region And the like are repeated a plurality of times to form a plurality of thin films each having a predetermined structure.

이러한 반도체 소자 제조 공정은 소정의 반응 공간이 마련된 챔버 내부에서 이루어진다. 즉, 증착 챔버, 식각 챔버 등을 포함하는 복수의 챔버가 구비된다. 또한, 챔버 내에서 소정 공정을 수행하기 위해 챔버의 내부는 소정의 압력 및 온도를 유지하게 된다. 이러한 복수의 챔버를 웨이퍼가 이동하면서 해당 공정이 수행되어 소정 구조의 복수의 박막을 형성하게 된다.Such a semiconductor device manufacturing process is performed inside a chamber provided with a predetermined reaction space. That is, a plurality of chambers including a deposition chamber, an etching chamber, and the like are provided. Further, in order to perform a predetermined process in the chamber, the inside of the chamber maintains a predetermined pressure and temperature. The wafer is moved through the plurality of chambers and the corresponding process is performed to form a plurality of thin films having a predetermined structure.

그런데, 웨이퍼가 복수의 챔버를 이동하면서 웨이퍼를 통해 챔버 내부에 먼지 등의 환경성 파티클이 유입된다. 예를 들어, 웨이퍼는 진공 또는 상압 등의 분위기를 이동하면서 배면에 파티클이 흡착되고, 배면에 흡착된 파티클은 챔버 내부의 웨이퍼 지지대에 떨어지게 된다. 또한, 웨이퍼 지지대 상에 떨어진 파티클은 예를 들어 플라즈마를 활성화시킬 때 챔버 내부에 떠다닐 수 있고, 웨이퍼 상에서 공정 불량의 원인이 된다.However, as the wafer moves through a plurality of chambers, environmental particles such as dust enter the chamber through the wafer. For example, the particles are adsorbed on the back surface while the wafer moves in an atmosphere of vacuum or atmospheric pressure, and the particles adsorbed on the back surface fall on the wafer support inside the chamber. In addition, the particles that fall on the wafer support can float inside the chamber, for example, when activating the plasma, and cause a process failure on the wafer.

이렇게 챔버 내에 잔류하는 파티클을 완전히 제거하기 위해서는 공정을 정지하고 챔버를 상압으로 한 후 클리닝 공정을 실시해야 한다. 그러나, 공정을 중단하면 다시 챔버를 소정 온도 및 압력의 공정 분위기로 재설정하는데 많은 시간이 필요하며, 클리닝 시간 및 공정 분위기 재설정 시간 동안 제조 공정이 중단되므로 많은 생산성 손실이 발생된다.In order to completely remove the particles remaining in the chamber, the process should be stopped and the chamber should be at atmospheric pressure before the cleaning process. However, if the process is stopped, it takes much time to reset the chamber to the process atmosphere of the predetermined temperature and pressure again, and the production process is interrupted during the cleaning time and the process atmosphere reset time, resulting in a lot of productivity loss.

따라서, 챔버의 진공 분위기를 유지하고 반도체 제조 공정 이전 또는 도중에 챔버 내부의 파티클을 제거하는 방법이 고려되고 있다. 그중의 하나로서 일본특허공개공보 제1998-154686호에는 소정의 점착력을 갖는 시트를 이용하여 웨이퍼 지지대 상의 파티클을 제거하는 것이 제시되었다. 그러나, 점착 시트가 웨이퍼 지지대에 달라붙어 떨어지지 않거나 점착제가 웨이퍼 지지대 상에 묻게 되는 경우가 발생될 수 있어 공정을 위한 웨이퍼가 웨이퍼 지지대에 접착되는 문제가 발생될 수 있다. 또한, 점착 시트를 이용하면 챔버 내부에 떠다니는 파티클을 제거할 수 없어 챔버 내부에는 파티클이 여전히 존재하게 된다.Therefore, a method of maintaining the vacuum atmosphere of the chamber and removing particles inside the chamber before or during the semiconductor manufacturing process is considered. As one of them, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1998-154686 discloses removing particles on a wafer support using a sheet having a predetermined adhesive force. However, there may occur a case where the adhesive sheet does not stick to the wafer support and does not fall off, or the adhesive may be stuck on the wafer support, so that the wafer for the process may stick to the wafer support. In addition, if the adhesive sheet is used, the particles floating inside the chamber can not be removed, and the particles still exist inside the chamber.

본 발명은 웨이퍼 지지대 뿐만 아니라 공정 챔버 내의 파티클을 제거할 수 있는 클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법을 제공한다.The present invention provides a cleaning member capable of removing particles in a process chamber as well as a wafer support, and a cleaning method using the cleaning member.

본 발명은 웨이퍼 형상으로 제작되고 고전압으로 차징되어 정전기에 의해 챔버 내부의 파티클을 흡착할 수 있는 클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법을 제공한다.
The present invention provides a cleaning member made of a wafer shape and charged with a high voltage to adsorb particles inside the chamber by static electricity, and a cleaning method using the cleaning member.

본 발명의 일 양태에 따른 클리닝 부재는 모재; 및 상기 모재의 적어도 일 면상에 형성되며 고전압에 의해 차징된 전극을 포함하고, 반도체 제조 장치 내부에 투입되어 정전기에 의해 상기 반도체 제조 장치 내의 파티클을 흡착한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a cleaning member comprising: a base material; And an electrode formed on at least one surface of the base material and charged with a high voltage, and is charged into the semiconductor manufacturing apparatus to adsorb particles in the semiconductor manufacturing apparatus by static electricity.

상기 모재의 일면 상에 형성된 제 1 전극과, 상기 모재의 타면 상의 가장자리에 형성된 돌출부와, 상기 돌출부 내측의 상기 모재의 타면 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 전극은 양의 고전압 및 음의 고전압의 적어도 어느 하나로 각각 차징된다.A first electrode formed on one side of the base material; a protrusion formed on an edge of the other side of the base material; and a second electrode formed on the other side of the base material inside the protrusion, And a negative high voltage, respectively.

또한, 상기 제 1 및 제 2 전극의 적어도 어느 하나는 적어도 둘 이상으로 분할 형성되고, 분할 형성된 전극이 서로 다른 전위의 고전압으로 차징된다.At least one of the first and second electrodes is divided into at least two or more, and the divided electrodes are charged with a high voltage of different potential.

서로 이격된 제 1 및 제 2 모재와, 상기 제 1 및 제 2 모재 사이에 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 및 제 2 모재 상에 각각 형성된 제 2 및 제 3 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극에 양의 고전압 또는 음의 고전압이 인가되고, 상기 제 2 및 제 3 전극은 상기 제 1 전극에 인가된 고전압과 반대 극성으로 차징된다.
A first electrode formed between the first and second base materials, and a second and a third electrode formed on the first and second base materials, respectively, the first and second base materials being spaced apart from each other, A positive high voltage or negative high voltage is applied to the electrode, and the second and third electrodes are charged with the opposite polarity to the high voltage applied to the first electrode.

본 발명의 다른 양태에 따른 클리닝 방법은 모재 상의 적어도 일면 상에 고전압으로 차징된 전극이 형성된 적어도 하나의 클리닝 부재를 마련하는 단계; 및 상기 클리닝 부재를 반도체 제조 장치 내부에 투입하여 상기 반도체 제조 장치 내부의 파티클을 정전기를 이용하여 흡착하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a cleaning method comprising: preparing at least one cleaning member having electrodes charged with high voltage on at least one surface of a base material; And injecting the cleaning member into the semiconductor manufacturing apparatus to adsorb the particles inside the semiconductor manufacturing apparatus using static electricity.

상기 클리닝 부재는 운반 용기 내에 수납하여 복수의 반도체 제조 장치를 이동한다.The cleaning member is accommodated in a transportation container to move a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses.

상시 클리닝 부재는 고전압으로 차징된 후 상기 운반 용기 내에 수납되거나, 상기 운반 용기 내에서 고전압으로 차징된다.
The regular cleaning member is charged with a high voltage and then housed in the carrier container or charged with a high voltage in the carrier container.

본 발명의 실시 예들은 모재와 모재의 적어도 일 면상에 마련되며 고전압에 의해 차징된 전극을 포함하는 클리닝 부재를 처리 챔버 내부에 투입하여 처리 챔버 내부의 환경성 파티클을 흡착한다. 즉, 처리 챔버 내부의 웨이퍼 지지대 상에 존재하는 파티클 뿐만 아니라 처리 챔버 내부에 부유하는 파티클을 클리닝 부재의 정전기를 이용하여 흡착할 수 있다.Embodiments of the present invention include a cleaning member provided on at least one side of a base material and a base material and including electrodes charged by a high voltage into the processing chamber to adsorb the environmental particles inside the processing chamber. That is, not only the particles existing on the wafer support table inside the processing chamber but also the particles floating inside the processing chamber can be adsorbed by using the static electricity of the cleaning member.

따라서, 처리 챔버 내부의 분위기를 조절하지 않고도 웨이퍼의 처리 공정 중에 처리 챔버 내부의 파티클을 제거할 수 있고, 그에 따라 생산성 손실을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼 처리 공정 전에 처리 챔버 내부에 잔류하는 파티클을 제거할 수 있으므로 파티클에 의한 웨이퍼 상의 공정 오류를 방지할 수 있다.Therefore, particles in the processing chamber can be removed during processing of the wafer without adjusting the atmosphere inside the processing chamber, thereby preventing productivity loss. In addition, it is possible to remove the particles remaining in the processing chamber before the wafer processing process, thereby preventing a process error on the wafer due to the particles.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 클리닝 부재의 단면도.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 클리닝 부재가 적용되는 반도체 제조 장치의 개략 구성도 및 처리 챔버의 단면도.1 to 3 are sectional views of a cleaning member according to embodiments of the present invention.
4 and 5 are a schematic structural view of a semiconductor manufacturing apparatus to which a cleaning member according to the present invention is applied and a sectional view of the processing chamber;

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 클리닝 부재의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a cleaning member according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 클리닝 부재는 모재(110)와, 모재(110) 상의 적어도 일면에 형성되며 고전압으로 차징(charging)된 전극(120)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a cleaning member according to an embodiment of the present invention includes a base material 110 and electrodes 120 formed on at least one surface of the base material 110 and charged with a high voltage.

모재(110)는 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 웨이퍼와 동일 형상으로 마련된다. 이러한 모재(110)는 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 또한, 모재(110)는 쿼츠(quartz) 재질로 마련될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 클리닝 부재는 증착 챔버 및 식각 챔버의 파티클 제거에 이용될 수 있고, 노광 챔버의 파티클 제거에 이용될 수 있는데, 증착 및 식각 챔버의 파티클 제거에 이용되는 경우 모재(110)는 실리콘 웨이퍼 재질로 마련될 수 있고, 노광 챔버의 파티클 제거에 이용되는 경우 마스크의 재질, 예를 들어 쿼츠 재질로 마련될 수 있다. 물론, 실리콘 웨이퍼 재질로 이루어지는 경우에도 노광 챔버의 파티클 제거에 이용될 수 있고, 쿼츠 재질로 이루이지는 경우에도 증착 챔버 및 식각 챔버의 파티클 제거에 이용될 수 있다. 그러나, 모재(110)는 실리콘 웨이퍼, 쿼츠 뿐만 아니라 전극(120)과 절연되는 절연 물질로 제작될 수 있다. 물론, 모재(110)는 도전 재질로 제작될 수도 있는데, 이 경우 모재(110)와 전극(120) 사이에는 절연 물질이 마련될 수 있다. 절연 물질로는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등이 이용될 수 있다. 이러한 모재(110)는 공정에 이용되는 웨이퍼의 크기로 마련될 수 있는데, 예를 들어 300㎜ 또는 450㎜의 직경으로 마련될 수 있다.The base material 110 is provided in the same shape as the wafer used in the semiconductor device manufacturing process. The base material 110 may be a silicon wafer used for manufacturing a semiconductor device. The base material 110 may be made of quartz. That is, the cleaning member according to the present invention can be used for removing particles from the deposition chamber and the etching chamber, and can be used for removing particles from the exposure chamber. When used for deposition and removal of particles from the etching chamber, Silicon wafer, and may be provided with a mask material, for example, a quartz material when used to remove particles from the exposure chamber. Of course, it can be used for removing particles in the exposure chamber even when made of a silicon wafer material, and can be used for removing particles in the deposition chamber and the etching chamber even when made of quartz material. However, the base material 110 may be made of a silicon wafer, quartz, as well as an insulating material insulated from the electrode 120. Of course, the base material 110 may be made of a conductive material. In this case, an insulating material may be provided between the base material 110 and the electrode 120. As the insulating material, silicon oxide, silicon nitride, or the like can be used. The base material 110 may be provided in the size of a wafer used in the process, for example, 300 mm or 450 mm in diameter.

전극(120)은 모재(110)의 적어도 일면 상에 형성된다. 즉, 전극(120)은 모재(110)의 상면 또는 하면에 형성될 수 있고, 모재(110)의 상면 및 하면에 모두 형성될 수 있다. 이러한 전극(120)은 도전 물질로 형성될 수 있는데, 예를 들어 금속 물질을 이용하여 모재(110) 상에 소정 두께로 형성될 수 있다. 금속 물질로는 예를 들어 크롬이 이용될 수 있다. 이러한 전극(120)은 고전압으로 차징된다. 즉, 전극(120)은 모재(110)의 일면에 형성되는 경우 양(+)의 고전압으로 차징될 수 있고, 음(-)의 고전압으로 차징될 수도 있다. 또한, 전극(120)은 모재(110)의 일면 및 타면에 형성되는 경우 양면이 모두 양(+)의 고전압 또는 음(-)의 고전압으로 차징될 수 있고, 일면이 양(+)의 고전압으로 차징되고 타면이 음(-)의 고전압으로 차징될 수 있다. 전극(120)을 양(+) 또는 음(-)의 고전압으로 차징하기 위해 전극에 양(+) 또는 음(-)의 고전압을 각각 인가할 수 있는데, 예를 들어 1㎸ 정도의 양(+)의 고전압 또는 -1㎸의 음(-)의 고전압을 인가할 수 있다. 즉, 전원 장치를 이용하여 양(+) 고전압 또는 음(-)의 고전압을 전극(120)에 인가한 후 전원 장치를 이격시키면 전극(120)은 플로팅 상태를 유지하므로 고전압을 유지하게 된다. 이렇게 전극(120)에 양(+) 및 음(-)의 적어도 어느 하나의 고전압이 차징된 클리닝 부재는 정전기에 의해 처리 챔버 내부의 파티클을 흡착할 수 있다. 즉, 양(+)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재는 음(-)의 파티클을 흡착할 수 있고, 음(-)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재는 양(+)의 파티클을 흡착할 수 있다. 따라서, 처리 챔버 내부의 음(-)의 파티클 및 양(+)의 파티클을 모두 제거하기 위해 양(+)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재와 음(-)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재를 처리 챔버 내부에 투입할 수 있다.
The electrode 120 is formed on at least one surface of the base material 110. That is, the electrode 120 may be formed on the upper surface or the lower surface of the base material 110, and may be formed on both the upper surface and the lower surface of the base material 110. The electrode 120 may be formed of a conductive material. For example, the electrode 120 may have a predetermined thickness on the base material 110 using a metal material. As the metal material, for example, chromium can be used. This electrode 120 is charged with a high voltage. That is, when the electrode 120 is formed on one surface of the base material 110, the electrode 120 may be charged with a positive high voltage and may be charged with a negative high voltage. When the electrode 120 is formed on one surface and the other surface of the base material 110, both surfaces can be charged with a high voltage or a high voltage of positive (+), And can be charged with a high voltage of negative (-). In order to charge the electrode 120 at a high positive or negative voltage, a high positive or negative voltage may be applied to the electrode. For example, ) Or a minus (-) high voltage of -1 kV. That is, when a positive (+) high voltage or a negative (-) high voltage is applied to the electrode 120 using the power supply unit and then the power supply unit is separated from the power supply unit, the electrode 120 maintains a floating state and thus maintains a high voltage. In this way, the cleaning member charged with at least any one of positive and negative high voltages to the electrode 120 can adsorb particles inside the processing chamber by static electricity. That is, a cleaning member charged with a positive (+) high voltage can adsorb a negative (-) particle, and a cleaning member charged with a negative (-) high voltage can adsorb a positive (+) particle. Therefore, a cleaning member charged with a positive (+) high voltage and a cleaning member charged with a negative (-) high voltage to remove both negative (+) particles and positive (+) particles in the processing chamber, It can be put inside.

도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 클리닝 부재의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a cleaning member according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 클리닝 부재는 제 1 및 제 2 모재(110a, 110b)와, 제 1 및 제 2 모재(110a, 110b) 사이에 마련된 제 1 전극(120a)과, 제 1 및 제 2 모재(110a, 110b) 상에 각각 형성된 제 2 및 제 3 전극(120b, 120c)를 포함한다. 즉, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 클리닝 부재는 복수의 전극(120a, 120b, 120c)이 절연성의 모재(110a, 110b)에 의해 절연되어 형성된 구조를 갖는다. 여기서, 제 1 및 제 2 모재(110a, 110b)은 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있으며 쿼츠 또는 절연 물질을 이용할 수 있다. 실리콘 웨이퍼를 이용하는 경우 클리닝 부재는 반도체 공정에 이용되는 실리콘 웨이퍼보다 두껍게 마련될 수 있다. 그러나, 쿼츠 또는 절연 물질을 이용하는 경우 전체 두께를 반도체 공정에 이용되는 실리콘 웨이퍼의 두께로 제작할 수 있다. 2, a cleaning member according to another embodiment of the present invention includes first and second base materials 110a and 110b, a first electrode 120a provided between the first and second base materials 110a and 110b, And second and third electrodes 120b and 120c formed on the first and second base materials 110a and 110b, respectively. That is, the cleaning member according to another embodiment of the present invention has a structure in which a plurality of electrodes 120a, 120b, and 120c are insulated by insulating base materials 110a and 110b. Here, the first and second base materials 110a and 110b may be silicon wafers, and quartz or an insulating material may be used. In the case of using a silicon wafer, the cleaning member may be provided thicker than the silicon wafer used in the semiconductor process. However, when a quartz or an insulating material is used, the entire thickness can be made to the thickness of a silicon wafer used in a semiconductor process.

이러한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 클리닝 부재는 제 1 및 제 2 모재(110a, 110b) 사이의 제 1 전극(120a)에 양(+) 또는 음(-)의 고전압을 인가하면 제 2 및 제 3 전극(120b, 120c)에 제 1 전극(120a)에 인가된 고전압과 반대 극성의 고정압이 차징된다. 즉, 제 1 전극(120a)에 양(+)의 고전압을 인가하면 제 2 및 제 3 전극(120b, 120c)은 음(-)의 고전압으로 차징된다. 또한, 제 1 전극(120b)에 음(-)의 고전압을 인가하면 제 2 및 제 3 전극(120b, 120c)은 양(+)의 고전압으로 차징된다. 이는 제 1 전극(120a)과 제 2 및 제 3 전극(120b, 120c)가 일종의 캐패시터로 작용하기 때문이다. 이때, 제 1 전극(120a)에 고전압을 인가하기 위해 제 1 전극(120a)은 적어도 일부가 외부로 노출될 수 있다. 예를 들어, 제 1 모재(110a) 또는 제 2 모재(110b)의 측면으로 제 1 전극(120a)의 일부가 노출되어 전원 장치가 연결될 수 있다.
The cleaning member according to another embodiment of the present invention may apply a positive or negative high voltage to the first electrode 120a between the first and second base materials 110a and 110b, The fixed voltage of the opposite polarity to the high voltage applied to the first electrode 120a is charged to the three electrodes 120b and 120c. That is, when a positive high voltage is applied to the first electrode 120a, the second and third electrodes 120b and 120c are charged with a negative high voltage. When a negative high voltage is applied to the first electrode 120b, the second and third electrodes 120b and 120c are charged with a positive high voltage. This is because the first electrode 120a and the second and third electrodes 120b and 120c act as a kind of capacitor. At this time, in order to apply a high voltage to the first electrode 120a, at least a part of the first electrode 120a may be exposed to the outside. For example, a part of the first electrode 120a may be exposed to the side of the first base material 110a or the second base material 110b to connect the power source device.

상기한 바와 같이 본 발명의 실시 예들에 따른 클리닝 부재는 이송 수단, 예를 들어 이송 로봇의 로봇 암에 안치되어 처리 챔버 내부로 투입되고, 처리 챔버 내부의 파티클이 정전기에 의해 클리닝 부재의 전극 상에 흡착된다. 즉, 웨이퍼 지지대 상부에 흡착된 파티클 및 처리 챔버 내부에 부유하는 파티클이 클리닝 부재에 흡착될 수 있다. 또한, 클리닝 부재는 이송 로봇에 의해 처리 챔버 내부로 투입된 후 소정 시간 후에 인출될 수도 있고, 웨이퍼 지지대 상에 안착된 후 소정 시간 후에 인출될 수도 있다. 그런데, 웨이퍼 지지대 상에 안착되는 경우 전극(120)은 웨이퍼 지지대와 접촉되는 모재(110)의 일면에는 형성되지 않는 것이 바람직하다. 즉, 전극(120)의 전하가 웨이퍼 지지대를 통해 방전될 수 있고, 예를 들어 정전력에 의해 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대의 경우 전극(120)의 전하에 의해 정전력이 변화될 수도 있다. 따라서, 웨이퍼 지지대 상에 클리닝 부재가 안착되는 경우 클리닝 부재의 하측에는 전극(120)이 형성되지 않는 것이 바람직하고, 그에 따라 웨이퍼 지지대 상에 잔류하는 파티클을 흡착하지 못할 수도 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 즉 클리닝 부재가 웨이퍼 지지대 상에 안착되면서 웨이퍼 지지대 상의 파티클을 흡착할 수 있도록 하기 위해 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 클리닝 부재를 이용할 수 있다.As described above, the cleaning member according to the embodiments of the present invention is placed in the processing chamber by the transfer means, for example, the robot arm of the transfer robot, and the particles in the processing chamber are electrostatically charged on the electrodes of the cleaning member And is adsorbed. That is, the particles adsorbed on the wafer support table and the particles floating inside the treatment chamber can be adsorbed to the cleaning member. Further, the cleaning member may be drawn out after a predetermined time after being inserted into the processing chamber by the transfer robot, or may be taken out after a predetermined time after being placed on the wafer support. However, when mounted on the wafer support, the electrode 120 is preferably not formed on one side of the base material 110 that is in contact with the wafer support. That is, the charge of the electrode 120 can be discharged through the wafer support, and in the case of a wafer support that supports the wafer, for example, by an electrostatic force, the electrostatic force may be changed by the charge of the electrode 120. [ Accordingly, when the cleaning member is mounted on the wafer support table, it is preferable that the electrode 120 is not formed on the lower side of the cleaning member, so that the particles remaining on the wafer support table may not be adsorbed. To solve this problem, a cleaning member according to another embodiment of the present invention, as shown in Fig. 3, may be used to allow particles to be adsorbed on the wafer support while the cleaning member is seated on the wafer support .

도 3을 참조하면, 모재(110)와, 모재(110)의 상면에 형성된 제 1 전극(120a)과, 모재(110)의 하면 가장자리에 형성된 돌출부(130)와, 돌출부(130)를 제외한 모재(110)의 하면에 형성된 제 2 전극(120b)을 포함할 수 있다. 즉, 모재(110)의 하면 가장자리에 소정 폭의 돌출부(130)가 형성되고 돌출부(130)가 웨이퍼 지지대에 접촉되어 클리닝 부재가 웨이퍼 지지대 상에 안착될 수 있다. 또한, 돌출부(130)에 의해 모재(110)의 하면과 웨이퍼 지지대 사이에는 소정 공간이 마련되고 모재(110) 하면에 고전압으로 차징된 제 2 전극(120b)이 형성되어 제 2 전극(120b)에 의해 웨이퍼 지지대 상의 파티클을 흡착할 수 있다. 여기서, 돌출부(130)는 모재(110) 하면의 가장자리에 소정 폭 및 높이로 형성될 수 있는데, 하면 가장자리를 따라 전체적으로 형성될 수 있고, 웨이퍼 지지대 상에 클리닝 부재가 지지될 수 있는 크기로 적어도 두 영역에 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(130)는 예를 들어 1㎜의 높이로 형성되어 제 2 전극(120b)이 웨이퍼 지지대와 1㎜ 정도의 간격을 유지할 수 있다.3, the first electrode 120a formed on the upper surface of the base material 110, the protrusion 130 formed on the bottom edge of the base material 110, the base material 110 excluding the protrusions 130, And a second electrode 120b formed on the lower surface of the substrate 110. [ That is, a protrusion 130 having a predetermined width is formed at the bottom edge of the base material 110, and the protrusion 130 is brought into contact with the wafer support table so that the cleaning member can be seated on the wafer support table. A predetermined space is formed between the lower surface of the base material 110 and the wafer support by the projections 130 and a second electrode 120b charged with a high voltage is formed on the lower surface of the base material 110, The particles on the wafer support can be adsorbed. The protrusion 130 may be formed at a predetermined width and height at the edge of the lower surface of the base material 110. The protrusion 130 may be formed entirely along the lower edge of the base material 110, Lt; / RTI > region. In addition, the protrusion 130 may be formed to have a height of, for example, 1 mm so that the second electrode 120b may maintain a gap of about 1 mm from the wafer support.

한편, 모재(110)의 상면 형성된 제 1 전극(120a)과 하면에 형성된 제 2 전극(120b)은 각각 적어도 둘 이상으로 분할되어 형성될 수 있고, 적어도 둘로 분할된 전극에 양(+)의 고전압 및 음(-)의 고전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(120a)은 모재(110) 상면에 소정 간격 이격되어 두개로 분할되어 형성되고, 하나에는 양(+)의 고전압이 인가되고 다른 하나에는 음(-)의 고전압이 인가될 수 있다. 따라서, 제 1 전극(120a)이 양(+) 및 음(-)의 고전압으로 차징될 수 있다.
On the other hand, the first electrode 120a formed on the upper surface of the base material 110 and the second electrode 120b formed on the lower surface may be formed by being divided into at least two or more, and positive (+) high voltage And a negative (-) high voltage may be applied. For example, the first electrode 120a is formed by dividing the upper surface of the base material 110 at a predetermined interval into two parts, one of which is applied with a positive high voltage and the other is applied with a negative high voltage . Therefore, the first electrode 120a can be charged with a high positive voltage and a negative negative voltage.

도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 클리닝 부재를 이용하여 클리닝되는 반도체 제조 장치의 구성도이고, 도 5는 웨이퍼 처리부의 개략 단면도이다.4 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus that is cleaned using a cleaning member according to embodiments of the present invention, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a wafer processing section.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조 장치는 복수의 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 수납하여 운반하는 운반 용기(200)와, 이송 로봇(310)이 마련되며 복수의 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 이송하는 웨이퍼 이송부(300)와, 웨이퍼를 안치하여 웨이퍼 상에 소정의 공정을 실시하는 웨이퍼 처리부(400)와, 웨이퍼 이송부(300)와 웨이퍼 처리부(400) 사이에 마련된 로드락 챔버(500)를 더 포함할 수 있다.4 and 5, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a transport container 200 for storing and transporting a plurality of wafers or cleaning members 100, and a transport robot 310 A wafer transfer section 300 for transferring a plurality of wafers or cleaning members 100, a wafer processing section 400 for carrying out a predetermined process on a wafer by placing the wafer, a wafer transfer section 300 and a wafer processing section 400, And a load lock chamber 500 disposed between the load lock chamber 500 and the load lock chamber 500.

운반 용기(200)는 복수의 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 수납하여 운반한다. 운반 용기(200)는 300㎜ 또는 450㎜ 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 복수 수납하고 이를 반송하는 풉(foup)을 포함할 수 있다. 즉, 박막 형성 공정을 위한 웨이퍼를 수납하는 운반 용기와 반도체 제조 장치를 클리닝하기 위한 클리닝 부재(100)를 수납하는 운반 용기(200)가 별도로 마련될 수 있다. 다시 말하면, 웨이퍼와 클리닝 부재(100)는 동일 운반 용기(200)에 수납되어 운반되지 않고 서로 다른 운반 용기(200)에 수납되어 운반된다. 이러한 풉을 포함한 운반 용기(200)는 복수의 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 수납된 상태에서 일 공정에서 타 공정으로 이동하기 위해 밀폐 상태를 유지한다. 이를 위해 운반 용기(200)는 내부에 소정의 공간이 마련된 예를 들어 육면체 형상으로 마련되고 예를 들어 25매의 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 적층 보관될 수 있도록 예를 들어 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)의 적어도 가장자리를 지지할 수 있는 지지 부재(미도시)가 마련될 수 있다. 또한, 운반 용기(200)는 일 측면에 도어(미도시)가 마련된다. 도어는 운반 용기(200)가 웨이퍼 이송부(300)에 연결되면 운반 용기(200)에 보관된 복수의 웨이퍼에 일 공정을 수행하거나 클리닝 부재(100)를 이용하여 반도체 제조 장치를 클리닝하기 위해 개방될 수 있다. 한편, 클리닝 부재(100)를 운반하는 운반 용기(200)는 운반 용기(200) 내부에서 클리닝 부재(100)에 고전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 운반 용기(200) 내의 클리닝 부재(100)의 가장자리를 지지하는 지지 부재에 접촉 전극(미도시)가 마련되고, 클리닝 부재(100)가 지지 부재에 지지될 때 전극(120)이 접촉 전극에 연결될 수 있다. 즉, 접촉 전극은 예를 들어 스위치의 온/오프에 의해 지지 부재의 소정 영역으로부터 돌출되거나 지지 부재의 소정 영역 내측으로 들어갈 수 있다. 또한, 운반 용기(200)의 외부에는 접촉 전극과 연결되는 커넥터(미도시)가 마련되고, 커넥터는 전원 인가 단자와 연결될 수 있다. 따라서, 커넥터가 전원 인가 단자와 연결되고 고전원이 인가되면 접촉 전극을 통해 클리닝 부재(100)의 전극(120)에 고전압이 인가되도록 한다. 전원 인가 후 웨이퍼 이송부(200)의 이송 로봇에 의해 클리닝 부재(100)를 지지함으로써 클리닝 부재(100)에 고전압이 차징된 상태로 이동하게 된다. 물론, 클리닝 부재(100)는 고전압으로 차징된 후 운반 용기(200) 내에 수납될 수도 있다.The transport container 200 accommodates and transports a plurality of wafers or cleaning members 100. The transport container 200 may include a 300 mm or 450 mm wafer or a foup that houses and carries a plurality of cleaning members 100. That is, a transport container for storing a wafer for a thin film forming process and a transport container 200 for storing a cleaning member 100 for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus may be separately provided. In other words, the wafer and the cleaning member 100 are housed in the same transport container 200 and transported in different transport containers 200 without being transported. The carrying container 200 including the FOUP maintains a closed state in order to move from one process to another in a state in which a plurality of wafers or cleaning members 100 are accommodated. For this purpose, the transport container 200 is provided with a predetermined space, for example, in a hexahedron shape. For example, a wafer or a cleaning member (for example, A support member (not shown) capable of supporting at least the edge of the support member 100 may be provided. In addition, a door (not shown) is provided on one side of the transportation container 200. The door is opened to perform a process on a plurality of wafers stored in the transport container 200 or to clean the semiconductor manufacturing apparatus using the cleaning member 100 when the transport container 200 is connected to the wafer transfer unit 300 . Meanwhile, the carrier container 200 carrying the cleaning member 100 can apply a high voltage to the cleaning member 100 within the carrier container 200. For example, a contact electrode (not shown) is provided on a support member for supporting the edge of the cleaning member 100 in the transport container 200, and when the cleaning member 100 is supported on the support member, Can be connected to the contact electrode. That is, the contact electrode may protrude from a predetermined region of the support member or enter a predetermined region of the support member by, for example, turning on / off the switch. In addition, a connector (not shown) connected to the contact electrode may be provided on the outside of the container 200, and the connector may be connected to the power applying terminal. Accordingly, when the connector is connected to the power applying terminal and a high power is applied, a high voltage is applied to the electrode 120 of the cleaning member 100 through the contact electrode. A high voltage is charged to the cleaning member 100 by moving the cleaning member 100 by the transfer robot of the wafer transfer unit 200 after power is applied. Of course, the cleaning member 100 may be housed in the transport container 200 after being charged with a high voltage.

웨이퍼 이송부(300)는 운반 용기(200)와 로드락 챔버(500)에 밀폐 상태로 접속되고, 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 외기에 노출시키지 않고 취급하도록 한다. 이러한 웨이퍼 이송부(300)는 예를 들어 EFEM(Equipment Front End Module)일 수 있다. 웨이퍼 이송부(300)는 운반 용기(200)와 로드락 챔버(500) 사이에서 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 이송하는 이송 로봇(310)을 포함할 수 있다. 이송 로봇(310)은 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 그 상부에서 지지하는 로봇 암과, 로봇 암을 구동시켜 웨이퍼 또는 클리닝 부재를 이동시키는 암 구동부로 이루어질 수 있다. 이러한 이송 로봇(310)은 운반 용기(200)에 수납되어 있는 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 지지하여 로드락 챔버(500)로 반송한다. 또한, 웨이퍼 이송부(300)는 운반 용기(200)가 적재되는 로드 포트(320)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 이송부(300)는 두 개의 로드 포트(320)가 마련되어 두 개의 운반 용기(200)를 로딩할 수 있다. 한편, 웨이퍼 이송부(300)의 상부에는 팬과 필터가 일체화된 필터 유닛(미도시)이 마련될 수 있다. 필터 유닛은 그 상부에 마련된 청정실 필터(미도시)을 통해 여과된 청정화 공기를 웨이퍼 이송부(300) 내부로 다운 플로우(down flow)시킨다. 따라서, 웨이퍼 이송부(300)는 필터 유닛으로부터 다운 플로우된 청정화 공기의 조건으로 유지될 수 있다.The wafer transfer unit 300 is hermetically connected to the carrier container 200 and the load lock chamber 500 so that the wafer or the cleaning member 100 can be handled without being exposed to the outside air. The wafer transfer unit 300 may be, for example, an Equipment Front End Module (EFEM). The wafer transfer unit 300 may include a transfer robot 310 for transferring the wafer or the cleaning member 100 between the transfer container 200 and the load lock chamber 500. The transfer robot 310 may include a robot arm for supporting the wafer or the cleaning member 100 thereon, and an arm driving unit for moving the wafer or the cleaning member by driving the robot arm. The transfer robot 310 supports the wafer or the cleaning member 100 accommodated in the transportation container 200 and transfers the wafer or the cleaning member 100 to the load lock chamber 500. The wafer transfer unit 300 may further include a load port 320 on which the transfer container 200 is loaded. For example, the wafer transfer unit 300 may be equipped with two load ports 320 to load two transfer containers 200. A filter unit (not shown) in which a fan and a filter are integrated may be provided on the wafer transfer unit 300. The filter unit down-flows the purified air filtered through the clean room filter (not shown) provided in the upper part thereof into the wafer transfer unit 300. Thus, the wafer transfer section 300 can be maintained under the condition of the cleaned air flowing down from the filter unit.

웨이퍼 처리부(400)는 복수의 웨이퍼가 순차적으로 공급되어 반도체 제조 공정의 어느 하나를 수행한다. 웨이퍼 처리부(400)는 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 장치, 박막을 식각하는 장치, 노광 및 현상을 수행하는 장치 등 다양한 장치가 이용될 수 있는데, 본 발명의 실시 예는 건식 식각 장치를 예로 들어 설명한다. 이러한 웨이퍼 처리부(400)는 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 안치되고 처리되는 복수의 처리 챔버(410a, 410b, 410c; 410)와, 이송 로봇(422)이 마련되어 로드락 챔버(500)와 복수의 처리 챔버(400) 사이에서 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 이송하는 이송 챔버(420)를 포함할 수 있다. 즉, 이송 챔버(420)의 이송 로봇(422)에 의해 로드락 챔버(500)에 대기하는 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 지지되고 복수의 처리 챔버(410)의 어느 하나에 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 공급하게 된다. 물론, 복수의 처리 챔버(400)가 서로 다른 공정을 실시하도록 구성되는 경우에는 이송 챔버(420)의 이송 로봇(422)에 의해 처리 챔버(400) 사이에서 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 이동하게 된다. 한편, 처리 챔버(410)는 대략 원형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 내부 공간을 가지고, 상측에 위치하는 챔버 덮개에 의해 내부 공간이 기밀하게 유지될 수 있다. 이러한 처리 챔버(410)는 내마모성 및 내열성과 내부식성이 우수한 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 처리 챔버(410)의 측면 또는 하측에는 적어도 하나의 배기구(미도시)가 마련되고, 배기구는 배기관(미도시)을 통해 배기 장치(미도시)와 연결될 수 있다. 배기 장치에 의해 처리 챔버(410)는 예를 들어 10-6Torr의 고진공 상태를 유지할 수 있다. 처리 챔버(410) 내부에는 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)를 지지하는 웨이퍼 지지대(412)와, 반응 가스를 분사하는 가스 분사기(414)가 마련될 수 있다. 웨이퍼 지지대(412)는 처리 챔버(410)의 하측에 마련되며, 적어도 하나의 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 안치되어 지지된다. 이러한 웨이퍼 지지대(412)는 그 내부 또는 하부측에 히터 등의 가열 수단이 마련되어 웨이퍼를 소정 온도로 가열할 수 있다. 또한, 웨이퍼 지지대(412) 내부에는 냉각 수단(미도시)이 더 마련되어 가열 수단과 함께 웨이퍼의 온도를 조절할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 지지대(412)의 하측에는 회전 모터(미도시)와 연결된 구동축(416)이 마련될 수 있고, 그에 따라 웨이퍼 지지대(412)를 회전시킬 수 있다. 가스 분사기(414)는 웨이퍼 지지대(412)와 대향되어 처리 챔버(410)의 상측에 마련되어 외부로부터의 복수의 원료 가스를 처리 챔버(410) 내에 공급한다. 따라서, 처리 챔버(410) 외부에는 복수의 원료 가스를 저장하는 원료 저장부(미도시)가 마련되고, 가스 분사기(414)와 원료 저장부 사이에 공급관(418)이 마련되어 원료 저장부로부터 가스 분사기(414)로 원료 가스를 공급한다. 원료 가스는 기판 상에 형성되는 박막, 식각하고자 하는 박막 등에 따라 다양한 물질이 공급될 수 있다. 한편, 처리 챔버(410)의 일 측에는 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 출입하며, 슬롯 밸브 또는 게이트 밸브 등으로 이루어지는 개폐 수단(419)이 마련될 수 있다. 여기서, 처리 챔버(410)는 복수의 웨이퍼가 로딩 및 언로딩되면서 웨이퍼를 통해 외부로부터 파티클(A)이 유입될 수 있다. 파티클(A)은 웨이퍼 지지대(412) 상에 떨어질 수 있고, 처리 챔버(410) 내부에서 부유할 수 있다. 이러한 파티클(A)을 제거하기 위해 본 발명의 실시 예들에 따른 클리닝 부재(100)는 이송 로봇(422)의 로봇 암에 안치되어 처리 챔버(410) 내부로 투입된다. 클리닝 부재(100)는 로봇 암에 안치된 상태에서 처리 챔버(410) 내에 소정 시간동안 머무를 수 있고, 웨이퍼 지지대(412) 상에 안착된 상태에서 처리 챔버(410) 내에 소정 시간동안 머무를 수 있다. 이렇게 고전압으로 차징된 클리닝 부재(100)가 처리 챔버(410) 내에 투입되면 도 5에 도시된 바와 같이 처리 챔버(410) 내부의 파티클(A)이 정전기에 의해 클리닝 부재(100)의 전극(120) 상에 흡착된다. 즉, 웨이퍼 지지대(412) 상부에 흡착된 파티클(A) 및 처리 챔버(410) 내부에 부유하는 파티클(A)이 클리닝 부재(100)에 흡착될 수 있다. 또한, 처리 챔버(410) 내부의 파티클(A)은 양(+)의 성질을 가질 수 있고, 움(-)의 성질을 가질 수 있기 때문에 양(+)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재(100)와 음(-)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재(100)를 각각 이용하여 파티클(A)을 제거할 수 있다. 즉, 양(+)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재(100)를 이용하여 음(-)의 파티클을 제거할 수 있고, 음(-)의 고전압으로 차징된 클리닝 부재(100)를 이용하여 양(+)의 파티클을 제거할 수 있다. 물론, 클리닝 부재(100)의 일면 및 타면에 각각 전극(120)이 형성되고, 일 전극(120)이 양(+)의 고전압으로 차징되고, 타 전극(120)이 음(-)의 고전압으로 차징된 경우에는 하나의 클리닝 부재(100)를 이용하여 파티클(A)을 제거할 수도 있다. 또한, 클리닝 부재(100)는 처리 챔버(410) 내에 한번 투입할 수도 있고, 복수의 클리닝 부재(100)를 소정 횟수 반복 투입함으로써 파티클(A) 제거 효율을 더 향상시킬 수도 있다. 물론, 클리닝 부재(100)가 처리 챔버(410) 내부에 투입되기 이전에 처리 챔버(410)로 이동하는 과정에서 반도체 제조 장치 내부의 파티클을 제거할 수도 있다.The wafer processing unit 400 sequentially supplies a plurality of wafers to perform any one of the semiconductor manufacturing processes. The wafer processing unit 400 may include various devices such as a device for depositing a thin film on a wafer, an apparatus for etching a thin film, an apparatus for performing exposure and development, and the like. do. The wafer processing unit 400 includes a plurality of processing chambers 410a, 410b, 410c and 410 to which a wafer or a cleaning member 100 is placed and processed and a transfer robot 422, And a transfer chamber 420 for transferring the wafer or cleaning member 100 between the process chambers 400. The wafer or the cleaning member 100 waiting in the load lock chamber 500 is supported by the transfer robot 422 of the transfer chamber 420 and the wafer or the cleaning member 100). Of course, when the plurality of processing chambers 400 are configured to perform different processes, the wafer or cleaning member 100 moves between the processing chambers 400 by the transfer robot 422 of the transfer chamber 420 do. On the other hand, the processing chamber 410 has a predetermined inner space including a substantially circular planar portion and a side wall portion extending upward from the planar portion, and the inner space can be kept airtight by the chamber lid positioned on the upper side. It is preferable that the processing chamber 410 is made of a metal material excellent in abrasion resistance, heat resistance and corrosion resistance. At least one exhaust port (not shown) may be provided on a side surface or a lower surface of the processing chamber 410, and the exhaust port may be connected to an exhaust device (not shown) through an exhaust pipe (not shown). By means of the exhaust system, the processing chamber 410 can maintain a high vacuum of, for example, 10 -6 Torr. A wafer support table 412 for supporting the wafer or the cleaning member 100 and a gas injector 414 for spraying the reaction gas may be provided in the processing chamber 410. The wafer support table 412 is provided below the processing chamber 410, and at least one wafer or cleaning member 100 is supported and supported. The wafer support base 412 can be heated to a predetermined temperature by providing heating means such as a heater on the inside or the lower side thereof. In addition, a cooling means (not shown) is further provided inside the wafer support table 412 to control the temperature of the wafer together with the heating means. A drive shaft 416 connected to a rotation motor (not shown) may be provided below the wafer support table 412, thereby rotating the wafer support table 412. The gas injector 414 is provided on the upper side of the processing chamber 410 so as to face the wafer support table 412 and feeds a plurality of raw material gases from the outside into the processing chamber 410. A raw material storage unit (not shown) for storing a plurality of raw material gases is provided outside the process chamber 410. A supply pipe 418 is provided between the gas injector 414 and the raw material storage unit, (414). Various materials may be supplied to the source gas depending on the thin film formed on the substrate, the thin film to be etched, and the like. On the one hand side of the process chamber 410, a wafer or a cleaning member 100 may be inserted into or removed from the process chamber 410, and an opening / closing means 419 such as a slot valve or a gate valve may be provided. Here, the processing chamber 410 can allow the particles A to be introduced from the outside through the wafer while a plurality of wafers are loaded and unloaded. The particles A may fall on the wafer support 412 and float inside the processing chamber 410. In order to remove such particles A, the cleaning member 100 according to the embodiments of the present invention is placed in the robot arm of the transfer robot 422 and put into the processing chamber 410. The cleaning member 100 can stay in the processing chamber 410 for a predetermined time while being placed on the robot arm and can remain in the processing chamber 410 for a predetermined time while being placed on the wafer support table 412. 5, when the cleaning member 100 charged with high voltage is charged into the processing chamber 410, the particles A in the processing chamber 410 are electrostatically charged by the electrodes 120 of the cleaning member 100 . Particles A adsorbed on the wafer support table 412 and particles A floating inside the treatment chamber 410 can be adsorbed on the cleaning member 100. In addition, since the particle A in the processing chamber 410 can have a positive property and can have a property of a negative nature, the cleaning member 100 charged with a positive high voltage, The particle A can be removed using the cleaning member 100 charged with a high voltage of negative (-) and negative (-), respectively. That is, the negative particles can be removed by using the cleaning member 100 charged with a positive high voltage and the cleaning member 100 charged with a negative high voltage can be used to remove the positive +) Particles can be removed. Of course, the electrodes 120 are formed on one surface and the other surface of the cleaning member 100, and one electrode 120 is charged with a positive high voltage and the other electrode 120 is charged with a negative high voltage In the case of being charged, the particle A may be removed using one cleaning member 100. The cleaning member 100 may be charged into the processing chamber 410 once, or the removal efficiency of the particles A may be further improved by repeatedly injecting the plurality of cleaning members 100 a predetermined number of times. Of course, the particles in the semiconductor manufacturing apparatus may be removed in the process of moving the cleaning member 100 to the processing chamber 410 before being injected into the processing chamber 410.

로드락 챔버(500)는 웨이퍼 이송부(300)의 이송 로봇(310) 또는 이송 챔버(420)의 이송 로봇(422)을 통해 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 로딩되며, 예를 들어 10-3Torr 정도의 저진공 상태를 유지한다. 즉, 로드락 챔버(500)는 상압을 유지하는 웨이퍼 이송부(300)와 고진공을 유지하는 웨이퍼 처리부(400) 사이에 이들의 중간 압력을 갖도록 마련되어 버퍼 역할을 하며, 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 대기하게 된다. 이러한 로드락 챔버(500)는 공정 처리를 위해 웨이퍼 이송부(300)로부터 웨이퍼 처리부(400)로 공급되는 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 로딩되는 제 1 로드락 챔버(500a)와, 웨이퍼 처리부(400)로부터 웨이퍼 이송부(300)로 공급되는 공정 처리가 완료된 웨이퍼 또는 클리닝 부재(100)가 로딩되는 제 2 로드락 챔버(500b)를 포함할 수 있다. 또한, 로드락 챔버(500)는 웨이퍼 이송부(300)와 연결되는 부분에 제 1 개폐 수단(510a, 510b)이 마련될 수 있고, 이송 챔버(420)와 연결되는 부분에는 제 2 개폐 수단(520a, 520b)이 마련될 수 있다. 제 1 및 제 2 개폐 수단(510, 520)은 슬롯 밸브 또는 게이트 밸브를 포함할 수 있다.The load lock chamber 500 is a wafer or the cleaning member 100 is loaded through the transfer robot 422 of the transfer robot 310 or a transfer chamber 420 of the wafer transfer unit 300, for example, 10 -3 Torr Vacuum state. That is, the load lock chamber 500 is provided between the wafer transferring part 300 maintaining the normal pressure and the wafer processing part 400 maintaining the high vacuum so as to serve as a buffer, and the wafer or the cleaning member 100 . The load lock chamber 500 includes a first load lock chamber 500a to which a wafer or cleaning member 100 to be supplied from the wafer transfer unit 300 to the wafer processing unit 400 is loaded for processing, And a second load lock chamber 500b on which a wafer or cleaning member 100 to be processed is supplied to the wafer transfer unit 300. [ The load lock chamber 500 may be provided with first opening and closing means 510a and 510b at a portion connected to the wafer transfer portion 300 and second opening and closing means 520a and 510b may be provided at a portion connected to the transfer chamber 420, And 520b may be provided. The first and second opening and closing means 510, 520 may include a slot valve or a gate valve.

상기한 바와 같이 본 발명의 실시 예들에 따른 클리닝 부재(100)는 이송 로봇(422)의 로봇 암에 안치되어 처리 챔버(410) 내부로 투입되고, 처리 챔버(410) 내부의 파티클(A)이 정전기에 의해 클리닝 부재(100)의 전극(120) 상에 흡착된다. 즉, 웨이퍼 지지대(412) 상부에 흡착된 파티클(A) 및 처리 챔버(410) 내부에 부유하는 파티클(A)이 클리닝 부재(100)에 흡착될 수 있다. 이때, 클리닝 부재(100)는 이송 로봇(422)에 의해 처리 챔버(410) 내부로 투입된 후 소정 시간 후에 인출될 수도 있고, 웨이퍼 지지대(412) 상에 안착된 후 소정 시간 후에 인출될 수도 있다. 물론, 클리닝 부재(100)가 처리 챔버(410) 내부에 투입되기 이전에 처리 챔버(410)로 이동하는 과정에서 반도체 제조 장치 내부의 파티클을 제거할 수도 있다.
As described above, the cleaning member 100 according to the embodiments of the present invention is placed in the processing chamber 410 in the robot arm of the transfer robot 422, and the particles A in the processing chamber 410 And is adsorbed on the electrode 120 of the cleaning member 100 by static electricity. Particles A adsorbed on the wafer support table 412 and particles A floating inside the treatment chamber 410 can be adsorbed on the cleaning member 100. At this time, the cleaning member 100 may be taken out of the processing chamber 410 by a transfer robot 422 after a predetermined time, or may be taken out after a predetermined time after being placed on the wafer support table 412. Of course, the particles in the semiconductor manufacturing apparatus may be removed in the process of moving the cleaning member 100 to the processing chamber 410 before being injected into the processing chamber 410.

본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical idea of the present invention has been specifically described according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for explanation purposes only and not for the purpose of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

110 : 모재 120 : 전극
100 : 클리닝 부재 200 : 이송 용기
300 : 웨이퍼 이송부 400 : 웨이퍼 처리부
500 : 로드락 챔버110: base material 120: electrode
100: Cleaning member 200: Transfer container
300: wafer transfer part 400: wafer processing part
500: load lock chamber

Claims (9)

모재와,
상기 모재의 일면 상에 형성된 제 1 전극과,
상기 모재의 타면 상의 가장자리에 형성된 돌출부와,
상기 돌출부 내측의 상기 모재의 타면 상에 형성된 제 2 전극을 포함하고,
반도체 제조 장치 내부에 투입되어 정전기에 의해 상기 반도체 제조 장치 내의 파티클을 흡착하는 클리닝 부재.
The base material,
A first electrode formed on one surface of the base material;
A protrusion formed on an edge of the other surface of the base material,
And a second electrode formed on the other surface of the base material inside the protrusion,
A cleaning member charged into a semiconductor manufacturing apparatus to adsorb particles in the semiconductor manufacturing apparatus by static electricity.
삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극은 양의 전압 및 음의 전압의 적어도 어느 하나로 각각 차징된 클리닝 부재.
The cleaning member according to claim 1, wherein the first and second electrodes are respectively charged with at least one of a positive voltage and a negative voltage.
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극의 적어도 어느 하나는 적어도 둘 이상으로 분할 형성되고, 분할 형성된 전극이 서로 다른 전위의 전압으로 차징되는 클리닝 부재.
The cleaning member according to claim 1, wherein at least one of the first and second electrodes is divided into at least two or more, and the divided electrodes are charged with voltages of different potentials.
서로 이격된 제 1 및 제 2 모재와,
상기 제 1 및 제 2 모재 사이에 형성된 제 1 전극과,
상기 제 1 및 제 2 모재 상에 각각 형성된 제 2 및 제 3 전극을 포함하고,
반도체 제조 장치 내부에 투입되어 정전기에 의해 상기 반도체 제조 장치 내의 파티클을 흡착하는 클리닝 부재.
First and second base materials spaced apart from each other,
A first electrode formed between the first and second base metals,
And second and third electrodes respectively formed on the first and second base metals,
A cleaning member charged into a semiconductor manufacturing apparatus to adsorb particles in the semiconductor manufacturing apparatus by static electricity.
청구항 5에 있어서, 상기 제 1 전극에 양의 전압 또는 음의 전압이 인가되고, 상기 제 2 및 제 3 전극은 상기 제 1 전극에 인가된 전압과 반대 극성으로 차징되는 클리닝 부재.
The cleaning member according to claim 5, wherein a positive voltage or a negative voltage is applied to the first electrode, and the second and third electrodes are charged with a polarity opposite to a voltage applied to the first electrode.
모재 상의 적어도 일면 상에 전극이 형성된 적어도 하나의 클리닝 부재를 마련하는 단계;
상기 클리닝 부재를 반도체 제조 장치 내부에 투입하여 상기 반도체 제조 장치 내부의 파티클을 정전기를 이용하여 흡착하는 단계를 포함하고,
상기 클리닝 부재는 상기 모재의 일면 상에 형성된 제 1 전극과, 상기 모재의 타면 상의 가장자리에 형성된 돌출부와, 상기 돌출부 내측의 상기 모재의 타면 상에 형성된 제 2 전극을 포함하거나,
상기 클리닝 부재는 서로 이격된 제 1 및 제 2 모재와, 상기 제 1 및 제 2 모재 사이에 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 및 제 2 모재 상에 각각 형성된 제 2 및 제 3 전극을 포함하는 클리닝 방법.
Providing at least one cleaning member having electrodes on at least one side of the base material;
And injecting the cleaning member into the semiconductor manufacturing apparatus to adsorb particles inside the semiconductor manufacturing apparatus by using static electricity,
Wherein the cleaning member includes a first electrode formed on one side of the base material, a protrusion formed on an edge of the other side of the base material, and a second electrode formed on the other side of the base material inside the protrusion,
Wherein the cleaning member includes first and second base materials spaced apart from each other, a first electrode formed between the first and second base materials, and a second and a third electrode formed on the first and second base materials, respectively Cleaning method.
청구항 7에 있어서, 상기 클리닝 부재는 운반 용기 내에 수납하여 복수의 반도체 제조 장치를 이동하는 클리닝 방법.
8. The cleaning method according to claim 7, wherein the cleaning member is stored in a transportation container to move a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses.
청구항 8에 있어서, 상기 클리닝 부재는 차징된 후 상기 운반 용기 내에 수납되거나, 상기 운반 용기 내에서 차징되는 클리닝 방법.The cleaning method according to claim 8, wherein the cleaning member is stored in the transport container after being charged or is charged in the transport container.
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