KR101463109B1 - 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법 - Google Patents

멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법 Download PDF

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Abstract

플라스마 발생 장치가 개시되며, 상기 플라스마 발생 장치는 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 본체부; 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워; 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함하되, 상기 주 제어부는 상기 소스 파워에 인가되는 펄스 신호를 제어하여 상기 플라스마의 특성을 조절한다.

Description

멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법{PLASMA GENERATOR INCLUDING MULTI ELECTRODES AND METHOD FOR GENERATING PLASMA USING THE SAME}
본 발명은 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 장치를 이용한 플라스마 발생 방법에 관한 것이고, 보다 구체적으로 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법이다.
최근 반도체 산업의 발전에 따라 반도체 소자가 전반적인 전자, 기계 등의 제품에 이용되고 있다. 소형화되면서도 고효율의 성능을 가진 전자, 기계 제품을 생산하기 위해서 반도체 소자도 초소형화할 필요성이 있었고, 새로운 재료를 이용한 반도체 소자 제조, 피처리 기판의 대형화와 같은 방법을 통해 반도체 소자의 특성을 향상시켜야 할 필요성도 함께 부각되었다.
반도체는 일반적으로 식각, 증착, 세정, 에싱 등의 제조 공정을 거쳐 제작되는데, 이중에서도 식각, 증착 등의 제조 공정에서 플라스마를 적용하는 기술에 대한 연구가 활발하게 이루어져 왔다.
예를 들어, 반도체 공정 중 증착 공정에서 플라스마를 사용하는 경우에 대해 간략하게 설명하면 다음과 같다. 피처리 기판에 대한 증착 공정 시 일반적으로 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)공정을 활용 한다. 기체 상태의 반응물들을 플라스마를 통과시켜 화학 활성을 증진시키고, 그로 인해 낮은 온도에서 화학 반응이 일어나게끔 하여 반도체 기판에 반응물을 증착 시킨다.
또한, 예를 들어, 반도체 공정 중 식각 공정에서 플라스마를 사용하는 경우에 대해 간략하게 설명하면 다음과 같다. 보편적인 건식 식각 방법의 하나로 플라스마를 이용한 반응성 이온 식각(RIE) 공정이 있다. 반응성 이온 식각은 전극에 RF전압을 인가하고, 전극에 인가된 RF전압을 통해 플라스마를 발생시켜 피처리 기판에 대한 식각 공정을 진행한다. 이러한 식각 공정은 스퍼터링(Sputtering), 화학 에칭, 이온 상승 에칭(Ion Enhanced Etching), 이온 상승 억제(Ion Enhanced inhibiton) 등과 같은 메커니즘이 조합되어 이루어진다.
한편, 최근에는 반도체 공정의 수율 향상을 위해 대면적으로 공정이 이루어지는 경우가 증가하게 되었고, 이러한 대면적 공정 시 발생하는 문제점을 해결 및 보완하기 위한 연구도 함께 이루어져 왔다. 이때, 대형화된 피처리 기판에 대해 식각, 증착 등의 공정이 효율적으로 이루어질 수 있도록 플라스마를 균일하게 발생시키는 처리 기술이 요구된다.
이와 관련하여, 한국공개특허 제 10-2008-0073416호 (발명의 명칭: 플라즈마 식각 장치)은 반도체 기판이 배치되는 스테이지에 제 1 전극 및 제 2 전극을 배치하고, 제 1 전극 및 제 2 전극에 각기 상이한 주파수를 인가하는 플라즈마 식각 장치를 개시하고 있다. 하지만, 제 1 전극 및 제 2 전극의 위치가 스테이지 하부에 있어 플라스마 발생에 끼치는 영향이 미비하고, 제 1 전극 및 제 2 전극에 인가되는 주파수가 기설정된 크기와 주기로만 인가되어 주파수 조절로 인한 효과를 기대하기 어렵다. 따라서, 종래 공개된 기술을 이용하여 대면적화된 피처리 기판에 대해 반도체 공정을 포함하는 다양한 공정을 수행하는 것은 어렵다는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예는 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 창출된 것으로서, 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치를 제공하고, 멀티전극에 인가되는 상이한 주파수를 가진 신호를 제어하여 균일하게 플라스마를 발생시킬 수 있는 플라스마 발생 장치 및 이를 이용한 플라스마 발생 방법에 관한 것이다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면에 따른 플라스마 발생 장치는 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 본체부; 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워; 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함하되, 상기 주 제어부는 상기 소스 파워에 인가되는 펄스 신호를 제어하여 상기 플라스마의 특성을 조절한다.
본 발명의 제 2 측면에 따른 플라스마 발생 방법은 a) 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치를 구비하는 단계; b) 소스 파워를 통해 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 단계; c) 주 제어부를 통해 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 단계; 및 d) 상기 동기화시킨 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 단계를 포함하되, 상기 d) 단계는 상기 c) 단계에서 제어되는 펄스 신호를 통해 상기 플라스마의 특성을 조절한다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나인 플라스마 발생 장치는 멀티전극 및 멀티전극에 상이한 주파수의 펄스 신호를 인가하는 소스 파워를 포함함으로써, 플라스마가 균일하게 발생되게 할 수 있다.
또한, 전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나인 플라스마 발생 장치는 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함함으로써, 발생되는 플라스마 특성을 용이하게 조절할 수 있고, 대면적화된 피처리 물질에 대해 다양한 공정을 효율적으로 수행할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 는 도 1 의 플라스마 발생 장치의 멀티전극을 설명하기 위한 도면이다.
도 3 및 도 4 는 도 1 의 플라스마 발생 장치에 인가되는 펄스 신호를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 방법을 설명하기 위한 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본 발명은 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치에 관한 것으로, 플라스마를 이용하는 모든 종류의 공정을 위해 사용될 수 있다. 특히, 본 발명에서 제안하는 플라스마 발생 장치가 반도체 공정에 적용되는 경우라면, 대면적 식각 및 대면적 증착 공정을 위해 사용될 수 있다. 후술될 실시예는 플라스마 특성 조절에 의한 효과가 명확하게 드러날 수 있도록 플라스마를 이용한 식각 장비에 적용한 예로 설명하지만, 이와 같은 실시예로 용도나 활용 범위가 제한되는 것은 아니다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 을 참조하면, 플라스마 발생 장치(100)는 본체부(110), 소스 파워(120), 주 제어부(130)를 포함한다.
예시적으로 플라스마 발생 장치(100)가 식각 장비에 사용되는 경우, 본체부(110)는 기판(1000)이 놓이는 기판 지지대(111), 본체부(110)의 상단에 배치되는 멀티전극(140)보다 아래에 위치하여 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부(112), 기판 지지대(111) 및 플라스마 발생부(112)가 배치되는 몸체(113), 플라스마 발생부(112)에 촉매 가스를 공급하는 가스 공급부(114)를 포함한다.
예시적으로, 기판(1000)은 가스 공급부(114)를 통해 공급되는 촉매 가스가 본체부(110)에 포함된 멀티전극(140)에 인가되는 펄스 신호와 반응하여 플라스마 발생부(112)에서 플라스마를 형성하게 되고, 형성된 플라스마를 이용해 대면적화된 피처리 기판(1000)에 대한 식각 공정을 하게 된다.
멀티전극(140)은 상술한 본체부(110)의 상단에 위치하며, 중앙전극(141)과 외곽전극(142)을 포함할 수 있다. 예시적으로, 멀티전극(140)은 본체부(110) 상단 중앙에 배치되는 중앙전극(141), 중앙전극(141)과 일정 거리 떨어져 중앙전극(141)을 둘러 싸는 형태로 배치되는 다수의 외곽전극(142)을 포함할 수 있다.
도 2 는 플라스마 발생 장치의 멀티전극을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 를 참조하여 멀티전극(140)에 대해 자세히 살펴본다. 예시적으로, 멀티전극(140)의 중앙 부분에 중앙전극(141)이 위치한다. 외곽전극(142)은 하나 또는 복수 개로 형성될 수 있고, 중앙전극(141)을 둘러싸는 형태로 배치될 수 있다. 중앙전극(141)과 외곽전극(142)의 사이에는 절연체(143)가 위치하여 멀티전극(140)을 형성할 수 있고, 절연체(143)에 구비되는 각 전극을 위한 홈에 각 전극이 끼워지거나 조립되는 형태로 결합될 수 있다. 멀티전극(140)의 형태와 각 구성의 배치는 예시적인 것일 뿐, 이에 국한되지 않는다.
다시 도 1 을 참조하면, 소스 파워(120)는 멀티전극(140)에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가한다. 이때, 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 중앙전극(141)에 인가할 수 있다. 예시적으로, 외곽전극(142)에 60MHz의 주파수를 갖는 RF 펄스 신호를 인가하면, 중앙전극(141)에는 13.56MHz의 주파수를 갖는 RF 펄스 신호를 인가할 수 있다. 인가되는 60MHz와 13.56MHz의 주파수를 갖는 RF 펄스 신호는 예시적인 것일 뿐, 이에 국한되지 않는다.
플라스마 발생 장치(100)에 멀티전극(140)을 구비하고, 멀티전극(140)에 소스 파워(120)를 통해 서로 상이한 주파수를 가진 펄스 신호를 인가하면, 촉매가스 분해도에 변화를 줄 수 있고, 이는 플라스마 발생에 영향을 미친다. 즉, 멀티전극(140)에 서로 상이한 주파수를 가진 펄스 신호를 각각 인가함으로써, 플라스마를 균일하게 발생시킬 수 있고, 발생한 플라스마 특성을 용이하게 조절할 수 있다. 이로 인해 보다 다양한 공정에 플라스마 발생 장치(100)를 적용시켜 활용할 수 있다. 덧붙여, 도면 상에 별도로 도시된 소스 파워(120)는 설명의 편의를 위한 것으로 후술할 주 제어부(140) 혹은 교류발생기(물결 무늬가 내부에 그려진 구성)에 통합되는 형태로 구현될 수 있다.
주 제어부(130)는 소스 파워(120)에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 멀티전극(140)에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시킨다. 클럭 신호는 일정한 간격으로 공급되는 전기적 진동(pulse)을 의미하고, 1초에 몇 번의 사이클로 0과 1의 디지털 신호를 발생하는가와 관계된다. 다시 말하자면, 주 제어부(130)는 중앙전극(141), 외곽전극(142)에 각각 상이한 클럭 신호를 인가하여 중앙전극(141), 외곽전극(142)에 각각 인가되는 펄스 신호가 on 상태를 유지하는 시간 또는 off 상태를 유지하는 시간을 조절할 수 있다.
예시적으로, 주 제어부(130)는 중앙전극(141)과 외곽전극(142)에 각각 인가되는 펄스 신호의 on 또는 off 상태를 조절하도록 소스 파워(120)에 클럭 신호를 인가한다.
전술한 소스 파워(120)를 통해 멀티전극(140)에 인가되는 펄스 신호는 예시적으로 사각파 형태의 파형을 갖는다. 이는, 주 제어부(130)에서 인가되는 클럭 신호에 의해 멀티전극(140)에 인가되는 펄스 신호가 간섭을 받기 때문이다. 기본적인 물결파 형태의 펄스 신호를 사각파 형태로 변형하여 인가하면, 사용자는 필요한 경우 on인 상태와 off인 상태를 디지털 신호처럼 용이하게 조절할 수 있다. 사용자는 주 제어부(130)를 통해 인가되는 펄스 신호의 on 또는 off 구간을 조절하여, 사용자가 원하는 플라스마를 발생시킬 수 있고, 플라스마 특성을 조절할 수 있다.
또한, 전술한 소스 파워(120)를 통해 멀티전극(140)에 인가되는 펄스 신호와 주 제어부(130)를 통해 동기화되는 펄스 신호에 대한 설명은 후술될 도 3 및 도 4 를 통해 상세히 설명하도록 한다.
도 3 및 도 4 는 플라스마 발생 장치에 인가되는 펄스 신호를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 및 도 4 를 참조하면, 위쪽 부분의 펄스 신호는 소스 파워(120)를 통해 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호를 나타낸다. 기본적인 물결파 형태의 펄스 신호를 주 제어부(130)에서 인가되는 클럭 신호에 의해 사각파 형태의 파형으로 변형하여 on 또는 off 구간이 존재하도록 제어할 수 있다.
아래 부분의 펄스 신호는 소스 파워(120)를 통해 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호를 나타낸다. 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호 역시 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호와 마찬가지로 주 제어부(130)에서 인가되는 클럭 신호에 의해 사각파 형태의 파형을 가지고, on 또는 off 구간이 존재하도록 제어할 수 있다.
도 3 에서 중앙전극(141)과 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호를 보면, 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호가 on일 때, 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호는 off이고, 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호가 off일 때, 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호는 on이 되도록 주 제어부(130)를 통해 제어할 수 있다.
또한, 도 4 에서 보면, 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호가 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호의 on인 상태도 포함하도록 주 제어부(130)를 통해 제어할 수 있다.
즉, 외곽전극(142)과 중앙전극(141) 중 적어도 하나에는 펄스 신호가 항상 인가되어, 전체 멀티전극(140)의 입장에서는 꾸준히 on 상태의 펄스 신호를 인가 받게 되는 것이 바람직하다. 다만, 사용자의 선택에 따라 전체 멀티전극(140)에 펄스 신호가 인가되지 않는 off 상태로 제어될 수도 있다. 다만, 멀티전극(140)의 입장에서 인가 받게 되는 펄스 신호는 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호와 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호의 on 또는 off인 구간에 영향을 받을 수 있다. 다시 말해서, 중앙전극(141)과 외곽전극(142)에 각각 인가되는 펄스 신호가 on-off상태이면, 멀티전극(140)의 입장에서 인가 받게 되는 펄스 신호의 주파수는 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호의 주파수이고, 중앙전극(141)과 외곽전극(142)에 각각 인가되는 펄스 신호가 off-on 상태이면, 멀티전극(140)의 입장에서 인가 받게 되는 펄스 신호의 주파수는 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호의 주파수와 동일할 수 있다.
한편, 이하에서는 플라스마 발생 방법에 대해 살핀다.
참고로, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 방법은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 장치(100)를 이용하여 플라스마를 발생시키는 방법에 관한 것으로, 전술한 플라스마 발생 장치(100)에서 설명한 구성과 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 적용하고 이에 대한 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 방법은 멀티전극(140)을 포함하는 플라스마 발생 장치(100)를 구비하는 단계를 포함한다(S510).
다음으로, 소스 파워(120)를 통해 멀티전극(140)에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가한다(S520). 이때, 소스 파워(120)를 통해 멀티전극(140)에 포함된 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 멀티전극(140)에 포함된 중앙전극(141)에 인가할 수 있다.
다음으로, 주 제어부(130)를 통해 소스 파워(120)에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 멀티전극(140)에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시킨다(S530). 단계(S530)는 중앙전극(141)에 인가되는 펄스 신호와 외곽전극(142)에 인가되는 펄스 신호가 번갈아가며 on 상태가 되도록 소스 파워(120)에 인가되는 클럭 신호를 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 단계(S520, S530)에서 멀티전극(140)에 인가되는 펄스 신호가 동기화되도록 주 제어부(130)에 의해 조절되는 것은 앞서 설명한 도 3 내지 도 4 를 참고하여 설명한 내용과 동일하다.
다음으로, 주 제어부(130)를 통해 동기화된 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시킨다(S540).
전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 발생 장치(100)를 이용하여 플라스마를 발생시키면, 멀티전극(140)에 각각 상이한 주파수의 펄스 신호를 인가하는 소스 파워(120)로 인해 플라스마가 균일하게 발생되도록 할 수 있다.
또한, 주 제어부(130)를 통해 클럭 신호를 인가하여 멀티전극(140)에 각각 인가되는 펄스 신호를 동기화시킴으로써, 발생되는 플라스마 특성을 용이하게 조절할 수 있고, 플라스마를 활용하는 다양한 분야의 공정을 위해 사용될 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 플라스마 발생 장치 110: 본체부
111: 기판 지지대 112: 플라스마 발생부
113: 몸체 114: 가스 공급부
120: 소스 파워 130: 주 제어부
140: 멀티전극 141: 중앙전극
142: 외곽전극 143: 절연체
1000: 피처리 기판

Claims (8)

  1. 플라스마 발생 장치에 있어서,
    기판이 놓이는 기판 지지대의 상단에 배치된 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 본체부;
    상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워; 및
    상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함하고,
    상기 주 제어부는 상기 소스 파워에 인가되는 펄스 신호를 제어하여 상기 플라스마의 특성을 조절하되,
    상기 멀티 전극에 포함된 중앙전극에 인가되는 펄스 신호와 상기 멀티 전극에 포함된 외곽전극에 인가되는 펄스 신호가 번갈아가며 on 상태가 되도록 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하는 플라스마 발생 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체부는,
    상기 본체부의 상단에 배치되는 멀티전극보다 아래에 위치하여 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부; 및
    상기 플라스마 발생부에 촉매 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 플라스마 발생 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 멀티전극은 상기 본체부의 상단 중앙에 배치되는 중앙전극 및 상기 중앙전극과 일정 거리 떨어져 상기 중앙전극을 둘러 싸는 형태로 배치되는 다수의 외곽전극을 포함하는 것인 플라스마 발생 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 소스 파워는 상기 외곽전극에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 상기 중앙전극에 인가하는 것인 플라스마 발생 장치.
  5. 삭제
  6. 플라스마 발생 장치를 이용한 플라스마 발생 방법에 있어서,
    a) 기판이 놓이는 기판 지지대의 상단에 배치된 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 본체부를 포함하는 플라스마 발생 장치를 제공하는 단계;
    b) 소스 파워를 통해 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 단계;
    c) 주 제어부를 통해 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 단계; 및
    d) 상기 동기화시킨 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 단계를 포함하되,
    상기 c) 단계는,
    상기 멀티전극에 포함된 중앙전극에 인가되는 펄스 신호와 상기 멀티전극에 포함된 외곽전극에 인가되는 펄스 신호가 번갈아가며 on 상태가 되도록 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하는 단계; 및
    상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 단계를 포함하고,
    상기 d) 단계는,
    상기 c) 단계에서 제어되는 펄스 신호를 통해 상기 플라스마의 특성을 조절하는 플라스마 발생 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 b) 단계는 상기 멀티전극에 포함된 외곽전극에 인가되는 펄스 신호의 주파수보다 낮은 주파수의 펄스 신호를 상기 멀티전극에 포함된 중앙전극에 인가하는 플라스마 발생 방법.
  8. 삭제
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