KR101460380B1 - 혼합광 생성 장치 및 그러한 장치에 대한 제조 방법 - Google Patents

혼합광 생성 장치 및 그러한 장치에 대한 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101460380B1
KR101460380B1 KR1020097017627A KR20097017627A KR101460380B1 KR 101460380 B1 KR101460380 B1 KR 101460380B1 KR 1020097017627 A KR1020097017627 A KR 1020097017627A KR 20097017627 A KR20097017627 A KR 20097017627A KR 101460380 B1 KR101460380 B1 KR 101460380B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
conversion member
semiconductor chip
cavity
support member
Prior art date
Application number
KR1020097017627A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090108097A (ko
Inventor
벌트 브라운
게르트루드 크라우터
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20090108097A publication Critical patent/KR20090108097A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101460380B1 publication Critical patent/KR101460380B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

기술된 발명은 혼합광을 생성하기 위한 장치 및 그러한 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 이 때, 전자기 1차 복사를 방출하는 반도체칩은 1차 복사의 빔 경로에서 발광 변환 부재를 포함한다. 또한, 본 장치는 결합 부재 및 지지 부재를 더 포함하고, 지지 부재는 발광 변환 부재 및 결합 부재를 지지하고 형성한다.
반도체칩, 발광 변환, 광학적 편향, 부착력, LED

Description

혼합광 생성 장치 및 그러한 장치에 대한 제조 방법{ARRANGEMENT FOR GENERATING MIXED LIGHT，AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SUCH AN ARRANGEMENT}
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2007 003 808.0 및 10 2007 006 349.2 의 우선권을 주장하며, 이의 개시 내용은 본문에서 참조로 포함된다.
본 발명은 적어도 하나의 반도체 소자를 이용하여 혼합광을 생성하기 위한 장치 내지 상기 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날 많은 분야에서 혼합 광원이 사용된다. 예를 들면, 혼합 광원은 이미지 재현 기술 내지 영사 기술의 분야에 사용되기도 하고, 손전등과 같은 간단한 응용 분야에서도 사용된다. 혼합 광원은 사용 방식에 따라, 다양한 색으로 생성된다.
손전등에 사용하기 위해, 혼합 광원은 백색 광원으로 실시되는 것이 유리하다. 이 때, 가시적 파장 영역, 즉 380 nm 내지 780 nm의 가능한한 많은 파장들이 동시에 생성되어 방출되는 것이 목표이다. 에너지 저장을 이용하여 혼합 광원이 동작하는 경우, 높은 색 충실도(color fidelity)외에 매우 양호한 에너지 평형이 유리하다. 이를 통해, 한편으로는 조사된 대상을 가능한한 신뢰할만 하게 반사시켜 상기 대상에 대한 평소의 주관적인 인지가 가능하다. 다른 한편으로는, 혼합 광원의 장시간 동작이 유지되기 위해 높은 에너지 효율이 유리하다.
오늘날, 혼합 광원은 반도체를 이용하여 발생하고, 소위 1차 색들의 추가적인 동시 중첩을 통해 생성된다. 이러한 1차 색들은 예를 들면 LED와 같은 방출형 반도체칩을 통해 생성되는 전자기 복사들이며, 상기 복사들은 가시적 파장 영역에 대해 상대적으로 좁은 파장 영역에 있다. 예를 들면, 625 nm 내지 740 nm의 영역에서 파장의 생성은 적색을, 520 nm 내지 565 nm에서는 녹색을, 또는 450 nm 내지 500 nm에서는 청색을 나타낸다. 이와 마찬가지로, 다른 파장 영역들도 고려할 수 있다. 이러한 색들을 가장 상이한 조합으로 동시에 중첩시킴으로써, 다양한 색의 혼합광이 생성된다.
1차 색들의 중첩은 이제까지 추가적 혼합을 이용하여 수행되었다. 예를 들면, 이미지 재현 내지 영사 기술에서, 적색, 녹색 및 청색의 서브픽셀들 즉 화소의 하위 요소들은 서로 다르게 제어된다. 이러한 제어를 통해, 상기 색들은 서로 다르게 중첩된다. 관찰자가 이미지 재현 장치 내지 영사면으로부터 충분히 떨어져 있고, 화소 수가 많은 경우, 추가적 색 혼합에 따른 다색 이미지들이 각인된다.
혼합 광원의 생성을 위한 다른 가능성도 사용된다. 이 때, 대부분은, 특정한 좁은 파장 영역의 전자기 복사를 방출하는 반도체 소자가 사용된다. 이러한 복사는 계속하여 1차 복사로 표현된다. 상기 전자기 복사는 가시적 파장 영역에 완전히 있지 않아도 되거나, 부분적으로 있어야 한다. 상기 복사는 발광 변환 부재를 이용하여 적어도 부분적으로 2차 파장으로 변환된다.
예를 들면, 1차 복사의 생성을 위해, 반도체 소자에 있는 반도체칩의 pn-접 합의 활성층들은 서로 다르게 도핑된다. 이를 통해 발생하는 에너지 레벨 스킴(scheme)의 서로 다른 에너지차는 밴드갭으로도 표현되는데, 이를 통해 서로 다른 파장의 광이 방출된다. 상기 방출된 광의 파장은 에너지 레벨차에 직접적으로 의존하며 도핑에 의해 조건적으로 조절될 수 있다.
반도체칩의 방출된 1차 파장은 발광 변환 부재를 이용하여 적어도 부분적으로 2차 파장으로 변환된다. 이를 위해, 상기 발광 변환 부재가 반도체칩의 1차 복사의 빔 경로에 삽입되되, 1차 복사의 방출된 전체 광자들(photons)이 발광 변환 부재에서 광학적으로 동일한 길이의 경로로 진행함으로써, 변환되어야 할 모든 광자들이 동일한 방식으로 새로운 2차 파장으로 변환되는 것이 중요하다.
발광 변환 부재를 이용하여 1차 파장을 2차 파장으로 변환하는 반도체 소자는 매우 비용 집약적인 고가의 공정을 통해 제조된다. 상기 제조의 목적은, 특히, 발광 변환 부재를 가능한한 방출성 반도체칩의 빔 경로에 삽입하되, 생성된 혼합광이 반도체 소자의 전체 출사 영역에 걸쳐 일정한 파장 스펙트럼을 가지도록 삽입하는 것이다. 현재, 이러한 항상성을 구현하기 위해, 실크 스크린 공정 및 침강 공정이 일반적이다. 다른 방법은, 방출성 반도체칩으로부터 발광 변환 부재를 공간적으로 분리하는 것이다.
실크 스크린 공정으로 제조하는 경우, 예를 들면, 반도체칩의 접촉면들은 자유롭게 둘 수 있다. 이를 위해, 본딩부를 정화하는 것이 필요하다. 다른 문제는, 방출성 반도체칩의 작은 모서리 길이이다. 오늘날, 반도체칩에 발광체를 직접 배치하는 것은, 수 마이크로 미터로는 어렵다. 이러한 제작 변수 및 그에 따라 필요 한 제작 장비의 세정은 고가의 공정이므로 매우 비용 집약적이다.
침강 공정을 이용하여 혼합 광원을 제조하는 경우, 발광체를 수지와 혼합하여 칩상에 배치한다. 두 개의 물질의 서로 다른 점성을 활용한다. 한편으로는, 두 개의 물질은 시간이 지남에 따라 분리되는데, 발광체 물질이 묽은 액상 수지로부터 침전되어 두 물질의 분리가 진행되면서 그러하다. 다른 한편으로는, 마찬가지로 점성을, 발광체가 특정한 임계 온도부터 침전되는 온도 공정에 의해 제어할 수 있다.
상기 두 개의 방법을 통해, 전체 반도체 소자의 복사 특성과 관련하여 방출된 혼합광 파장의 스펙트럼의 편차가 가능한 한 낮게 유지되도록, 발광체를 배치할 수 있다. 물론, 이러한 공정의 단점은 이러한 항상성을 얻기 위해 고 비용이 든다는 것이다.
본 발명의 과제는 간단한 공정 조건으로 제조될 수 있으면서 안정적인 파장 스펙트럼을 가지는 혼합광을 생성하는 것이다. 따라서, 복사 영역에 걸쳐 방출된 혼합광의 파장 스펙트럼의 가능한한 낮은 편차 및 높은 에너지 효율을 얻어야 한다. 상기 과제는 독립 청구항들에 제공된 처리들로 해결된다.
본 발명에 따르면, 혼합광의 생성을 위해, 전자기 1차 복사를 방출하는 적어도 하나의 반도체칩을 포함한 장치가 제공된다. 반도체칩은 상기 반도체칩의 빔 경로에서 발광 변환 부재, 결합 부재 및 지지 부재를 포함한다. 이 때, 지지 부재는 발광 변환 부재를 형성하는 부재이며, 발광 변환 부재는 상기 지지 부재를 이용하여 빔 경로에 삽입된다. 유리하게는, 지지 부재는 상기 지지 부재의 형상을 이용하여 발광 변환 부재를 빔 경로에 삽입시킨다.
또한, 혼합광을 생성하는 장치의 제조 방법이 제공되기도 한다. 반도체칩을 통해 생성된 전자기 1차 복사는 발광 변환 부재를 이용하여 적어도 부분적으로 전자기 2차 복사로 변환된다. 발광 변환 부재는 지지 부재를 이용하여 반도체칩의 1차 복사의 빔 경로에 위치하며, 상기 반도체칩과 결합하여, 상기 지지 부재상에서 발광 변환 부재의 균일한 분포가 달성된다. 방출될 혼합광 파장에 대해 결합 부재 및 지지 부재가 투명하도록 유리하게 형성됨으로써, 혼합광의 최대 투과도가 얻어진다. 이러한 방식으로 장치를 제조함으로써, 이러한 장치를 위한 제조 공정은 실질적으로 더욱 간단하다.
본 발명의 다른 유리한 형성예들은 종속 청구항들에 제공된다.
특정한 파장의 혼합광을 생성하기 위해, 반도체칩을 이용하여 구현되는 장치가 기술된다. 적어도 하나의 반도체칩은 빔 경로에서 발광 변환 부재를 포함하고, 상기 반도체 소자는 1차 파장을 방출한다. 이러한 전자기 1차 복사는 적어도 부분적으로 전자기 2차 복사로 변환된다. 이러한 장치의 장점은, 복수 개의 반도체 소자들 대신 하나의 반도체 소자를 이용하여 혼합광을 생성한다는 것이다. 형성적 지지 부재가 발광 변환 부재를 빔 경로에 삽입함으로써, 복사 영역에 걸쳐 방출된 혼합광의 파장 영역이 일정하게 얻어진다.
지지 부재에 발광 변환 부재가 위치함으로써, 소기의 위치화가 얻어지고, 1차 복사의 최대 변환이 가능하다. 유리하게는, 지지 부재는, 발광 변환 부재가 균일하게 분포하도록 형성된다. 이를 통해, 균일한 발광 변환층이 생성되고, 변환 부재에 의해 변환되어야 할 전체 광자들을 위해 일정한 광학 경로가 얻어진다.
지지 부재에 형성된 캐비티에 발광 변환 부재가 위치함으로써 정확한 위치화가 가능하다. 이 때의 장점은 상기 장치를 공정 기술적으로 간단하게 구현한다는 것이다. 마찬가지로, 상기 캐비티에는 결합 부재가 삽입된다. 지지 부재의 캐비티의 형태에 의해, 상기 결합 부재도 마찬가지로 균일하게 위치 및 분포하며, 따라서, 상기 결합 수단에 의해 전자기 1차 복사의 광자들의 일정한 광학적 주행 경로가 얻어진다. 이를 통해, 광자들은 전자기 2차 복사의 광을 방출할 것이다.
발광체의 형태로 발광 변환 부재를 형성함으로써, 발광 변환 부재가 수지 혼합물과 화합하여 반도체칩의 빔 경로에 삽입될 수 있다.
예를 들면, 렌즈 효과를 얻기 위해, 지지 부재를 광학 부재로 형성함으로써, 방출된 혼합광 파장이 광학적으로 편향될 수 있다. 이를 통해, 복사 영역에 걸쳐 방출될 혼합광의 파장 영역의 편차가 보상되고, 그러므로 반도체 소자의 에너지 효율이 더 크게 얻어진다.
바람직하게는, 반도체칩의 표면 및 결합 부재의 표면은 평편하게 형성된다. 이를 통해, 광은 상기 표면의 법선에 평행하게 출사되고, 전자기 1차 복사 산란광이 방지된다. 또 다른 바람직한 방법으로, 결합 부재는 출사될 혼합광에 대해 투명하게 형성된다. 따라서, 결합 부재가 어떠한 에너지도 흡수하지 않으므로 에너지 효율이 증가한다. 지지 부재와 반도체칩 사이에서 결합 부재의 필요한 유지력은 예를 들면 부착 또는 압력- 및 인장력을 통해 생성된다.
이하, 본 발명은 도면들과 관련한 실시예들에 의거하여 설명되며, 동일하거나 동일하게 작용하는 구성 요소의 도면은 각각 동일한 참조 번호로 표시된다. 도시된 요소들은 축척에 맞는 것으로 볼 수 없으며, 오히려 개별 요소들은 더 나은 이해를 위해 과장되어 크게 도시되거나, 과장되어 간략하게 도시될 수 있다.
도 1은 발광 변환 부재 및 결합 부재를 위한 캐비티를 포함하는 지지 부재를 개략적 도면으로 도시한다.
도 2는 혼합광을 생성하기 위한 장치의 제1 실시예를 개략적 도면으로 도시한다.
도 3은 혼합광을 생성하기 위한 장치의 제2 실시예를 개략적 도면으로 도시한다.
도 1에는, 발광 변환 부재(3) 및 결합 부재(4)를 위한 캐비티(2)를 포함하는 지지 부재(1)가 개략적으로 도시되어 있다.
지지 부재(1)는 반구형으로 실시된다. 상기 도면에는, 상기 반구의 중심점을 절개한 2차원 단면도가 도시되어 있다. 구형의 밑면이면서 그와 동시에 반도체칩(5)을 위한 접촉면은 평면으로 형성되지 않고, 개방된 캐비티(2)를 특징으로 한다. 이러한 캐비티는 3개의 부분 공간들(2a, 2b, 2c)로 나누어지며, 상기 부분 공간들은 밑면에 대해 평행한 서로 다른 평면에 존재한다. 이 때 상기 부분 공간들(2b, 2c)은 동일한 평면에 존재한다. 반구의 중심점으로부터 멀리 이격된 캐비 티(2a)의 평면은 발광 변환 부재(3)의 배치 및 위치화를 위한 역할을 한다. 캐비티(2b)는 결합 부재(4)의 배치 및 위치화를 위한 역할을 하며, 캐비티(2c)는 본딩 와이어부(5b)을 위한 위치부를 나타낸다.
도 2는 혼합광을 생성하기 위한 장치의 제1 실시예를 개략적 도면으로 도시한다. 도 2a에는 도 1에 소개된 지지 부재(1)의 형태가 다시 실시된다. 도 2b에서 발광 변환 부재(3)는 주입 유닛(7a)을 이용하여 상기 발광 변환 부재를 위해 구비된 캐비티(2a)에 배치된다.
도 2c에서, 장치의 또 다른 주입 유닛(7b)을 이용하여 결합 부재(4)가 제공되며, 상기 결합 부재(4)는 이를 위해 구비된 캐비티(2b)에 삽입된다. 상기 실시예에서, 결합 부재는 접착제의 형태로 사용된다. 발광 변환 부재(3)는 이미 캐비티(2a)에 위치하고 있다. 도 2d에는, 상기 위치되어 균일하게 배열된 발광 변환 부재(3) 및 결합 부재(4)를 포함하는 지지 부재(1)가 도시되어 있다. 도 2e에서, 접촉 연결부(5a), 본딩 와이어부(5b), 하우징(5c) 및 반도체칩(5d)으로 구성된 LED 지지부(5)는 결합 단계(6)를 통해 상기 도 2d의 구조체와 조합된다. 도 2f는 지지 부재(1), 발광체(3), 결합 부재(4) 및 LED 지지부(5)로 구성되어 완성된 장치를 도시한다.
덧붙여 말하면, 결합 부재는 유지력을 인가하는 역할을 한다. 도 2의 실시예에서, 결합 수단은 예를 들면 접착제와 같이 부착성 부재로 고려되며, 이상적으로는, 상기 결합 수단을 이용하여 LED 지지부(5)와 지지 부재(1) 사이의 유지력이 원자간 레벨로 얻어진다.
도 2에 도시된 실시예에서, 캐비티는 발광 변환 부재(3) 및 결합 부재(4)의 배치를 위해서, 그리고 상기 부재들의 균일한 배열을 위해 역할한다. 도 2에 따르면, 평면으로 삽입된 부재들을 확인할 수 있다. 이상적으로는, 반도체칩(5e)의 표면도 마찬가지로 평면이다. 바람직하게는, 이러한 처리를 통해, 1차 복사가 표면 법선에 대해 평행하게 방출된다.
캐비티의 정확한 형태를 통해, 상기 부재들(3, 4)의 배치, 위치화 및 균일한 배열이 실크 스크린 또는 침강과 같은 고가의 공정을 필요로 하지 않고도 수행될 수 있다. 두 물질의 균일한 배열을 통해, 방출된 1차 파장은 빔 경로의 각 구간에서 상기 두 개의 부재들(3, 4)에 의해 동일한 광학 경로로 진행하고, 따라서 1차 복사에서 주요한 1차 파장은 변환된 2차 복사에 존재하는 2차 파장으로 적어도 부분적으로 변환된다.
지지 부재가 예를 들면 산란 또는 집광 렌즈와 같은 광학 부재로도 실시된다면, 한편으로는 혼합광의 광학적 편향이 발생하고, 다른 한편으로는 집속 및 그로 인한 광도의 세기 향상이 달성된다. 상기 제공된 기하학적 형상을 통해, 생성된 혼합광의 파장 영역의 편차는 최소가 된다.
도 3은 혼합광을 생성하기 위한 장치의 제2 실시예를 개략적 도면으로 도시한다. 선행한 도면과 실질적으로 다른 것은, 지지 부재(1)의 형태이다. 본원에서, 캐비티(2)는 발광 변환 부재(3) 및 본딩 와이어부(5b)를 위해서만 구비된다. 도 3b는 도 2c와 동일한다. 도 3c에서, 발광 변환 부재(3)가 장착된 지지 부재(1)는 LED 지지부(5)와 결합된다(6). 도 3d에는 지지 부재(1), LED 지지부(5), 발광 변환 부재(3) 및 결합 부재(4)를 포함하여 완성된 장치가 도시되어 있다.
이러한 실시예에서, 반도체칩(5e) 및 지지 부재(1)의 기하학적 형상은, 상기 결합 단계(6)에서 프레스 핏(press fit)이 발생하도록 선택된다. 이러한 결합은 반도체칩(5e)과 지지 부재(1)의 접촉면들 사이의 마찰에 의해서만 발생하는 유지력으로 얻어진다. 기계적 유지력은, 언더커팅(undercutting), 특정한 기하학적 형성, 스냅온(snap-on), 추가적인 기계적 홀딩 요소 등을 구비함으로써 인가되거나 향상될 수 있으나, 이들은 상세히 도시되어 있지 않다.
기술된 발명은 혼합광을 생성하는 장치 및 그러한 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 본원에서, 전자기 1차 복사를 방출하는 반도체칩은 1차 복사의 빔 경로에서 발광 변환 부재를 포함한다. 또한, 본 장치는 결합 부재 및 지지 부재를 더 포함하고, 상기 지지 부재는 발광 변환 부재 및 결합 부재를 지지하고 형성한다.

Claims (22)

  1. 혼합광 생성 장치에 있어서,
    전자기 1차 복사를 방출하는 적어도 하나의 반도체칩(5e);
    상기 반도체칩(5e)의 1차 복사의 빔 경로에 위치한 발광 변환 부재(3);
    결합 부재(4); 및
    상기 발광 변환 부재(3)를 형성하는 지지 부재(1)를 포함하고, 상기 발광 변환 부재(3)는 상기 지지 부재(1)에 의해 상기 빔 경로에 도입되며,
    상기 발광 변환 부재(3)를 위치시키기 위해, 상기 지지 부재(1) 내에 캐비티(2)가 제공되고, 상기 캐비티(2) 내에 상기 발광 변환 부재 및 상기 결합 부재가 배치되며,
    상기 캐비티(2)는 밑면에 평행한 서로 다른 평면들 상에 위치된 3개의 부분 공간들로 세분되고,
    상기 캐비티의 제1 부분 공간은 상기 발광 변환 부재를 위치시키기 위한 역할을 하며, 제2 부분 공간은 상기 결합 부재를 위치시키기 위한 역할을 하고, 제3 부분 공간은 본딩 와이어링을 수용하기 위한 역할을 하며,
    상기 결합 부재(4)는 접착제인 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 변환 부재(3)는 상기 1차 복사를 적어도 부분적으로 전자기 2차 복사로 변환하는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 반도체칩(5e)은 LED 지지부(5)에 결합되고, 상기 발광 변환 부재(3)는 상기 지지 부재(1)에 의해 상기 반도체칩(5e)의 맞은편에 위치되는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 발광 변환 부재(3)는 상기 지지 부재(1)에 의해 형성되고, 상기 지지 부재는 상기 발광 변환 부재(3)가 균일하게 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 발광 변환 부재(3)는 발광체의 형태인 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 지지 부재(1)는 광학 부재인 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 반도체칩(5e)의 표면은 평면인 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 결합 부재(4)의 표면은 평면인 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 결합 부재(4)는 방출될 혼합광에 대해 투명한 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 혼합광 생성 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 방법은,
    전자기 1차 복사를 방출하는 적어도 하나의 반도체칩(5e)을 제공하는 단계; 지지 부재(1)를 이용하여 상기 1차 복사의 빔 경로에 발광 변환 부재(3)를 위치시키는 단계; 및 결합 부재(4)를 이용하여 상기 발광 변환 부재(3)를 상기 반도체칩(5e)과 결합시키는 단계를 포함하며,
    상기 위치시키는 단계는 상기 지지 부재(1) 내의 캐비티(2)에 의해 구현되고, 상기 캐비티(2) 내에 상기 발광 변환 부재(3)와 상기 결합 부재(4)가 배치되며,
    상기 캐비티(2)는 밑면에 평행한 서로 다른 평면들 상에 위치된 3개의 부분 공간들로 세분되고,
    상기 캐비티의 제1 부분 공간은 상기 발광 변환 부재를 위치시키기 위한 역할을 하며, 제2 부분 공간은 상기 결합 부재를 위치시키기 위한 역할을 하고, 제3 부분 공간은 본딩 와이어링을 수용하기 위한 역할을 하며,
    상기 결합 부재(4)는 접착제인 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치의 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 발광 변환 부재(3)는 상기 캐비티에 의해 균일하게 배열되는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 청구항 14 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 결합 부재(4)는 상기 지지 부재(1) 내의 상기 캐비티(2) 내에 배치되어 균일하게 배열되는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 청구항 14 또는 청구항 16에 있어서,
    생성된 혼합광은 상기 결합 부재(4) 및 상기 지지 부재(1)에 의해 최대한 투과되는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치의 제조 방법.
  21. 청구항 14 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 반도체칩(5e), 상기 결합 부재(4) 및 상기 지지 부재(1)는 평면을 가지는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치의 제조 방법.
  22. 청구항 14 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 지지 부재(1)는 상기 생성된 혼합광을 광학적으로 편향시키는 것을 특징으로 하는 혼합광 생성 장치의 제조 방법.
KR1020097017627A 2007-01-25 2008-01-23 혼합광 생성 장치 및 그러한 장치에 대한 제조 방법 KR101460380B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007003808 2007-01-25
DE102007003808.0 2007-01-25
DE102007006349.2 2007-02-08
DE102007006349A DE102007006349A1 (de) 2007-01-25 2007-02-08 Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
PCT/DE2008/000125 WO2008089740A1 (de) 2007-01-25 2008-01-23 Anordnung zur erzeugung von mischlicht und verfahren zur herstellung einer solchen anordnung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090108097A KR20090108097A (ko) 2009-10-14
KR101460380B1 true KR101460380B1 (ko) 2014-11-10

Family

ID=39410523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097017627A KR101460380B1 (ko) 2007-01-25 2008-01-23 혼합광 생성 장치 및 그러한 장치에 대한 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8368101B2 (ko)
EP (1) EP2122696B1 (ko)
JP (1) JP5484070B2 (ko)
KR (1) KR101460380B1 (ko)
CN (1) CN101595574B (ko)
DE (1) DE102007006349A1 (ko)
TW (1) TWI447937B (ko)
WO (1) WO2008089740A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201109065D0 (en) * 2011-05-31 2011-07-13 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-containing materials and light emitting devices incorporating the same
WO2016125064A1 (en) * 2015-02-02 2016-08-11 Aurobindo Pharma Ltd Stable compositions comprising linaclotide
GB201713129D0 (en) 2017-08-16 2017-09-27 British American Tobacco Investments Ltd Flour system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006034703A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und gehäuse für ein optoelektronisches bauelement

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57128768A (en) 1981-02-02 1982-08-10 Kao Corp Reducing agent composition
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP2001092392A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Yazaki Corp 表示装置及びそれを用いた計器
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP2004022517A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2004047387A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機多色発光表示素子およびその製造方法
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
CN1777999B (zh) * 2003-02-26 2010-05-26 美商克立股份有限公司 复合式白色光源及其制造方法
DE10311820A1 (de) * 2003-03-13 2004-09-30 Schott Glas Halbleiterlichtquelle
US20040183081A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Alexander Shishov Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
JP2004349646A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4123057B2 (ja) * 2003-05-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102004034166B4 (de) * 2003-07-17 2015-08-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
TWI433344B (zh) * 2004-12-24 2014-04-01 Kyocera Corp 發光裝置及照明裝置
JP2006302656A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタおよびそれを用いた有機ｅｌディスプレイ
US7342255B2 (en) * 2005-05-27 2008-03-11 Para Light Electronics Co., Ltd. High-brightness light-emitting diode
TW200644265A (en) * 2005-06-10 2006-12-16 Ramtronics Ind Co Ltd Multiple package structure and producing method thereof
KR100665219B1 (ko) * 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006034703A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und gehäuse für ein optoelektronisches bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010517228A (ja) 2010-05-20
KR20090108097A (ko) 2009-10-14
TWI447937B (zh) 2014-08-01
CN101595574A (zh) 2009-12-02
CN101595574B (zh) 2014-04-30
JP5484070B2 (ja) 2014-05-07
EP2122696A1 (de) 2009-11-25
WO2008089740A1 (de) 2008-07-31
DE102007006349A1 (de) 2008-07-31
TW200840100A (en) 2008-10-01
US20100019266A1 (en) 2010-01-28
US8368101B2 (en) 2013-02-05
EP2122696B1 (de) 2016-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1922765B1 (en) Electroluminescent device with a light conversion element
CN110462833A (zh) 多色微型led阵列光源
US7868340B2 (en) Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US20060267037A1 (en) Light emitting diode package
JP5285435B2 (ja) 発光ダイオードモジュール
KR102486428B1 (ko) Led 어레이 모듈
KR101460380B1 (ko) 혼합광 생성 장치 및 그러한 장치에 대한 제조 방법
KR100777410B1 (ko) 발광 소자 모듈 및 그 제조 방법
KR100947440B1 (ko) 지향각 변환 렌즈 및 그것을 포함하는 백라이트용 발광장치
KR20070099350A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
US20220328739A1 (en) Light emitting device
KR20120038511A (ko) 조명 수단을 제조하기 위한 방법 그리고 조명 수단
JP2017135130A (ja) 発光装置
KR20120031732A (ko) 형광체 필름 및 이를 채용한 발광소자 패키지
US20200259314A1 (en) Systems including vertical cavity surface emitting lasers
KR101125456B1 (ko) 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
TW201308683A (zh) 發光二極體
US20220173283A1 (en) Light-emitting device and planar light source
KR20110108935A (ko) 발광장치 및 그 제조방법
KR101103944B1 (ko) 발광소자 패키지
JP6410161B2 (ja) 発光装置、発光装置の製造方法
KR20230101705A (ko) 발광 소자
JP2022161804A (ja) 発光装置
KR20180042727A (ko) 조명 모듈 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치
WO2013136900A1 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171026

Year of fee payment: 4