KR101450417B1 - Electrostatic protection component and production method therefor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 ESD 전압 인가 후의 절연 저항의 저하를 최대한 적게 할 수 있고 또, 부품마다의 절연 저항의 편차도 최대한 작게 할 수 있는 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 정전기 보호 부품 (100) 의 구성을, 세라믹스 기판 (1) 상에 형성되고, 갭 (4 a) 을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극 (2a, 2b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 상에 형성되어 표면 전극 (2a, 2b) 의 상면 (2a-3, 2b-3) 및 양측면 (2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5) 을 덮고, 또한, 갭 (4a) 에 이어지는 갭 (4b) 을 개재하여 대향하고 있는 유리막 (21a, 21b) 과, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖고, 중앙부 (5c) 가 갭 (4a, 4b) 에 형성되고, 양측부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 과 겹쳐져 있는 정전기 보호막 (5) 을 갖는 구성으로 한다.An object of the present invention is to provide an electrostatic protection component and a method of manufacturing the same that can minimize the deterioration of insulation resistance after ESD voltage is applied and can minimize variation of insulation resistance of each component. The configuration of the electrostatic protection component 100 includes surface electrodes 2a and 2b formed on the ceramic substrate 1 and opposed to each other via the gap 4a and surface electrodes 2a and 2b, 2b-3 and 2b-3 of the surface electrodes 2a and 2b and the side surfaces 2a-4, 2a-5, 2b-4 and 2b-5 of the surface electrodes 2a and 2b, Glass films 21a and 21b which are opposed to each other via a gap 4b following the center portion 5c and both side portions 5a and 5b and a central portion 5c are formed in the gaps 4a and 4b, The side portions 5a and 5b have the electrostatic protection film 5 overlapping the upper surfaces 21a-2 and 21b-2 of the glass films 21a and 21b.
Description
본 발명은 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an electrostatic protection component and a manufacturing method thereof.
최근, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기는, 소형화, 고기능화가 진행되고 있지만, 이것에 수반하여 전자 기기의 내전압이 저하되고 있다. 이 때문에, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기에는, 정전기 펄스나 외래 노이즈에 의해 인가되는 과전압으로부터 당해 전자 기기를 보호하기 위해서 정전기 보호 부품이 사용되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices such as portable information devices are being made smaller and more sophisticated, but the withstanding voltage of electronic devices has been reduced accordingly. For this reason, static electricity protection parts are used for electronic devices such as portable information devices in order to protect the electronic devices from overvoltage applied by electrostatic pulses or extraneous noise.
정전기 보호 부품은 갭을 개재하여 대향하는 표면 전극과, 상기 갭에 형성된 정전기 보호막을 갖는 것으로서, 전자 기기에 있어서 과전압이 인가될 우려가 있는 라인과 그라운드 사이에 형성되어, 상기 라인에 과전압이 인가되었을 때에 상기 표면 전극 사이 (즉 정전기 보호막) 에서 방전함으로써 당해 과전압으로부터 전자 기기를 보호한다.The electrostatic protection component is provided with a surface electrode facing each other with a gap interposed therebetween and an electrostatic protective film formed in the gap. The electrostatic protection component is formed between a line and a ground in which an overvoltage may be applied in an electronic device, (I.e., the electrostatic protection film) between the surface electrodes to protect the electronic device from the overvoltage.
현재, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기의 소형화, 고기능화의 진전에 수반하여, 정전기 보호 부품에 대한 과전압 보호 기능의 요구가 점점 더 높아지고 있기 때문에, 정전기 보호 부품의 여러 특성의 향상이 주장되고 있다.BACKGROUND ART At present, with the advancement of miniaturization and high performance of electronic devices such as portable information devices, there is a growing demand for an overvoltage protection function for electrostatic protection components, and thus it is claimed that various characteristics of the electrostatic protection components are improved.
그리고, 정전기 보호 부품의 여러 특성 중, 특히 중요한 것 중 하나로 절연 저항이 있다. 절연 저항은 최대한 큰 (즉 리크 전류가 최대한 작은) 쪽이 바람직하고, 또, 부품마다 절연 저항 (리크 전류) 의 편차도 최대한 작은 쪽이 바람직하다. 그런데, 절연 저항은, 정전기 보호 부품에 ESD (Electro-Static Discharge) 전압을 인가 후에 저하되고, 또한, 그 전압 인가 횟수가 증가함에 따라서 더욱 저하되는 경향이 있다.Among the various characteristics of electrostatic protection parts, insulation resistance is one of the most important ones. It is preferable that the insulation resistance is as large as possible (that is, the leakage current is as small as possible), and the deviation of the insulation resistance (leakage current) is preferably as small as possible. However, the insulation resistance is lowered after application of an ESD (Electro-Static Discharge) voltage to the electrostatic protection component, and further tends to decrease as the number of times of application of the voltage increases.
따라서 본 발명은 상기의 사정을 감안하여, ESD 전압 인가 후의 절연 저항의 저하를 최대한 적게 할 수 있고, 또, 부품마다의 절연 저항의 편차도 최대한 작게 할 수 있는 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 하고 있다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an electrostatic protection component and a method of manufacturing the same that can minimize the decrease in insulation resistance after ESD voltage application and minimize variations in insulation resistance for each component .
상기 과제를 해결하는 방책으로는, 크게 나누어, 정전기 보호 부품의 구조를 연구하는 방책과, 정전기 보호막의 재료를 연구하는 방책이 고려된다. 본 발명은 전자의 방책에 주목하여, 정전기 보호 부품의 구조를 예의 검토한 결과로서 얻어진 것으로, 이하와 같은 특징을 갖고 있다.As measures for solving the above problems, there are roughly divided measures for studying the structure of the electrostatic protection part and measures for studying the material of the electrostatic protection film. The present invention focuses on the electronic countermeasures and is obtained as a result of intensive studies on the structure of the electrostatic protection component, and has the following features.
즉, 제 1 발명의 정전기 보호 부품은, 절연 기판 상에 형성되고, 제 1 갭을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극과,That is, the electrostatic discharge protection component of the first invention comprises: a surface electrode which is formed on an insulating substrate and which is opposed to the surface electrode via a first gap;
상기 표면 전극 상에 형성되어 상기 표면 전극의 상면 및 양측면을 덮고, 또한, 상기 제 1 갭에 이어지는 제 2 갭을 개재하여 대향하고 있는 절연막과,An insulating film formed on the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the surface electrode and opposed to each other via a second gap following the first gap;
중앙부와 양측부를 갖고, 상기 중앙부가 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성되고, 상기 양측부가 상기 절연막의 상면과 겹쳐져 있는 정전기 보호막을 갖고 있는 것을 특징으로 한다.And an electrostatic protection film having a central portion and both side portions, the central portion being formed in the first gap and the second gap, and the both side portions being overlapped with the upper surface of the insulating film.
또, 제 2 발명의 정전기 보호 부품은, 제 1 발명의 정전기 보호 부품에 있어서,The electrostatic discharge protection component of the second invention is the electrostatic discharge protection component of the first invention,
상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 한다.The insulating film is a glass film.
또, 제 3 발명의 정전기 보호 부품은, 제 1 또는 제 2 발명의 정전기 보호 부품에 있어서,The electrostatic discharge protection component of the third invention is the electrostatic discharge protection component of the first or second invention,
상기 정전기 보호막과 보호막 사이에 중간층이 형성되어 있고,An intermediate layer is formed between the electrostatic protective film and the protective film,
상기 절연막이, 이 중간층과 상기 표면 전극 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 한다.And the insulating film is sandwiched between the intermediate layer and the surface electrode.
또, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법은, 제 1 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법으로서,The method for manufacturing an electrostatic protection component of the fourth invention is the method for manufacturing the electrostatic protection component of the first invention,
절연 기판 상에 표면 전극의 막을 형성하는 제 1 공정과,A first step of forming a film of a surface electrode on an insulating substrate,
상기 표면 전극의 막 상에 절연막을 형성하고, 이 절연막에 의해 상기 표면 전극의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과,A second step of forming an insulating film on the film of the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the film of the surface electrode with the insulating film;
상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을 절단하여, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 제 3 공정과,A third step of forming a first gap and a second gap by cutting the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step,
중앙부와 양측부를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부를 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성하고, 상기 양측부를 상기 절연막의 상면에 겹치도록 하여, 정전기 보호막을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.And a fourth step of forming the central portion in the first gap and the second gap in such a shape as to have the central portion and the both side portions and overlapping the both side portions on the upper surface of the insulating film to form the electrostatic protective film .
또, 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법은, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서,The method of manufacturing an electrostatic protection component of a fifth invention is the method of manufacturing an electrostatic protection component of the fourth invention,
상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 한다.The insulating film is a glass film.
또, 제 6 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법은, 제 4 또는 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서,The method for manufacturing an electrostatic protection component of a sixth invention is the method for manufacturing an electrostatic protection component according to the fourth or fifth invention,
상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 것을 특징으로 한다.In the third step, the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step are cut at the same time by using a third harmonic laser having a UV wavelength region, And a second gap is formed.
제 1 발명의 정전기 보호 부품에 의하면, 절연 기판 상에 형성되고, 제 1 갭을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극과, 상기 표면 전극 상에 형성되어 상기 표면 전극의 상면 및 양측면을 덮고, 또한, 상기 제 1 갭에 이어지는 제 2 갭을 개재하여 대향하고 있는 절연막과, 중앙부와 양측부를 갖고, 상기 중앙부가 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성되고, 상기 양측부가 상기 절연막의 상면과 겹쳐져 있는 정전기 보호막을 갖고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극에 대해서는, 표면 전극 사이의 제 1 갭에만 정전기 보호막이 형성되어 있다. 즉, 정전기 보호막은, 표면 전극에 대해 갭측의 단면에만 접하고 있고, 상기 단면 이외의 부분에는 접하고 있지 않다.According to a first aspect of the present invention, there is provided an electrostatic protection device comprising: a surface electrode formed on an insulating substrate and opposed to a surface of the surface electrode through a first gap; a first electrode formed on the surface electrode and covering an upper surface and both surfaces of the surface electrode, An insulating film facing each other through a second gap following the first gap, an electrostatic protection film having a central portion and both side portions, the central portion being formed in the first gap and the second gap, The electrostatic protection film is formed only on the first gap between the surface electrodes with respect to the surface electrode. That is, the electrostatic protection film is in contact with only the end face on the gap side with respect to the surface electrode, and is not in contact with the portion other than the end face.
이 때문에, 제 1 발명의 정전기 보호 부품은, 정전기 보호막이 표면 전극의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품에 비해, 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, in the electrostatic protection device of the first invention, the insulation resistance can be made much larger than that of the electrostatic protection device in which the electrostatic protection film is also in contact with a portion other than the end surface of the surface electrode. Further, Can be made very small.
제 2 발명의 정전기 보호 부품에 의하면, 제 1 발명의 정전기 보호 부품에 있어서, 상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 정전기 보호 부품을 제조할 때, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.According to the electrostatic protection device of the second invention, in the electrostatic protection device of the first invention, since the insulating film is a glass film, it is easy to form a glass film having heat resistance and insulation at the time of manufacturing the electrostatic protection component And can be carried out at low cost.
제 3 발명의 정전기 보호 부품에 의하면, 제 1 또는 제 2 발명의 정전기 보호 부품에 있어서, 상기 정전기 보호막과 보호막 사이에 중간층이 형성되어 있고, 상기 절연막이 이 중간층과 상기 표면 전극 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 절연막의 개재에 의해, 중간층은 표면 전극에 접촉하고 있지 않다. 이 때문에, 중간층을 개재하여 표면 전극 사이에서 이상 방전이 발생하는 것을, 절연막에 의해 확실하게 저지할 수 있다. 이 경우, 예를 들어, 비교적 절연성이 낮은 재료를 사용하여 중간층을 형성하는 것도 가능해지기 때문에, 중간층의 재료 선택의 폭이 넓어진다는 효과도 얻어진다.According to the electrostatic protection device of the third invention, in the electrostatic protection device of the first or second invention, an intermediate layer is formed between the electrostatic protection film and the protective film, and the insulating film is interposed between the intermediate layer and the surface electrode The intermediate layer does not contact the surface electrode due to the presence of the insulating film. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of an abnormal discharge between the surface electrodes through the intermediate layer by the insulating film. In this case, for example, it is also possible to form the intermediate layer by using a material having a relatively low insulating property, so that an effect of broadening the selection of the material of the intermediate layer is also obtained.
제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의하면, 제 1 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법으로서, 절연 기판 상에 표면 전극의 막을 형성하는 제 1 공정과, 상기 표면 전극의 막 상에 절연막을 형성하고, 이 절연막에 의해 상기 표면 전극의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을 절단하여, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 제 3 공정과, 중앙부와 양측부를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부를 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성하고, 상기 양측부를 상기 절연막의 상면에 겹치도록 하여 정전기 보호막을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극에 대해서는, 표면 전극 사이의 제 1 갭에만 정전기 보호막을 형성할 수 있다. 즉, 정전기 보호막을 표면 전극에 대해 갭측의 단면에만 접하고, 상기 단면 이외의 부분에는 접하지 않도록 형성할 수 있다.According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrostatic protection component according to the first aspect of the invention, comprising: a first step of forming a film of a surface electrode on an insulating substrate; A second step of covering the upper surface and both side surfaces of the film of the surface electrode with the insulating film; a step of cutting the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step, A third step of forming a second gap and a step of forming a central portion in the first gap and a second gap in a shape having a central portion and both side portions and overlapping the both side portions on the upper surface of the insulating film to form an electrostatic protective film The electrostatic protection film can be formed only on the first gap between the surface electrodes with respect to the surface electrode. That is, the electrostatic protection film can be formed so as to be in contact with only the end face on the gap side with respect to the surface electrode and not with the portion other than the end face.
이 때문에, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의해 제조한 정전기 보호 부품은, 정전기 보호막이 표면 전극의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품에 비해 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, in the electrostatic protection device manufactured by the method for manufacturing an electrostatic protection device of the fourth invention, the insulation resistance can be made much larger than the electrostatic protection device in which the electrostatic protection film is also in contact with a portion other than the end surface of the surface electrode, , And the deviation of the insulation resistance of each component can be made very small.
또, 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의하면, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.According to the method of manufacturing an electrostatic protection component of the fifth invention, in the method of manufacturing an electrostatic protection component of the fourth invention, since the insulating film is a glass film, it is easy to form a glass film having heat resistance and insulation And can be carried out at low cost.
또, 제 6 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의하면, 제 4 또는 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 것을 특징으로 하고 있기 때문에 제 1 갭 및 제 2 갭을 용이하게 양호한 정밀도로 형성할 수 있다. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrostatic protection component according to the fourth or fifth aspect of the invention, wherein in the third step, a film of the surface electrode formed in the first step, The first gap and the second gap are formed by simultaneously cutting the insulating film formed in the second step using a third harmonic laser having a UV wavelength region, Can be easily formed with good precision.
도 1 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 구조를 나타내는 단면도 (도 2 의 B-B 선 화살표 단면도) 이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 구조를 나타내는 상면도 (도 1 의 A 방향 화살표도) 이다.
도 3(a) 는 도 1 의 C-C 선 화살표 단면도, (b) 는 도 1 의 D-D 선 화살표 단면도이다.
도 4 는 비교예의 정전기 보호 부품의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정을 나타내는 플로우 차트이다.
도 6 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정의 제 1 설명도이다.
도 7 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정의 제 2 설명도이다.
도 8 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정의 제 3 설명도이다.
도 9(a) 는 본 발명 (실시예) 의 정전기 보호 부품 (유리막 있음) 의 ESD 억제 피크 전압 측정 결과를 나타내는 표, (b) 는 비교예의 정전기 보호 부품 (유리막 없음) 의 ESD 억제 피크 전압 측정 결과를 나타내는 표이다.
도 10(a) 는 본 발명 (실시예) 의 정전기 보호 부품 (유리막 있음) 의 리크 전류 측정 결과를 나타내는 표, (b) 는 비교예의 정전기 보호 부품의 리크 전류 측정 결과를 나타내는 표이다.
도 11 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예 (유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 단면도 (도 12 의 F-F 선 화살표 단면도) 이다.
도 12 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예(유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 상면도 (도 11 의 E 방향 화살표도) 이다.
도 13(a) 는 도 11 의 G-G 선 화살표 단면도, (b) 는 도 11 의 H-H 선 화살표 단면도이다.
도 14 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예(유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 단면도 (도 15 의 J-J 선 화살표 단면도) 이다.
도 15 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예(유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 상면도 (도 14 의 I 방향 화살표도) 이다.Fig. 1 is a cross-sectional view (sectional view taken along the line BB in Fig. 2) showing the structure of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
2 is a top view (A directional view in Fig. 1) showing the structure of an electrostatic discharge protection component according to an embodiment of the present invention.
3 (a) is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 1, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.
4 is a cross-sectional view showing the structure of an electrostatic protection component of a comparative example.
5 is a flowchart showing a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
6 is a first explanatory diagram of a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
7 is a second explanatory diagram of a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
8 is a third explanatory diagram of a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9A is a table showing ESD suppression peak voltage measurement results of the electrostatic protection parts (with a glass film) of the present invention (embodiment), FIG. 9B is a table showing ESD suppression peak voltage measurements of electrostatic protection parts This is a table showing the results.
10A is a table showing results of leakage current measurement of electrostatic protection parts (with a glass film) of the present invention (embodiment), and FIG. 10B is a table showing results of leakage current measurement of the electrostatic protection parts of the comparative example.
Fig. 11 is a cross-sectional view (FF line arrow cross-sectional view in Fig. 12) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
Fig. 12 is a top view (E direction arrow in Fig. 11) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
13 (a) is a sectional view taken along the line GG in Fig. 11, and Fig. 13 (b) is a sectional view taken along the line HH in Fig.
Fig. 14 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line JJ in Fig. 15) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
Fig. 15 is a top view (I-direction arrow in Fig. 14) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 실시형태예를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
먼저, 도 1 ∼ 도 3 에 기초하여, 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 구조에 대해 설명한다.First, a structure of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig.
도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 정전기 보호 부품 (100) 은, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기의 프린트 기판에 표면 실장하기 위한 부품으로서, 상기 프린트 기판에 실장되어 있는 전자 회로 (전자 부품) 를 정전기 펄스나 외래 노이즈에 의한 과전압으로부터 보호하기 위해, 상기 전자 기기에 있어서 상기 과전압이 인가될 우려가 있는 라인과 그라운드 사이에 형성되는 것이다.The
도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 바와 같이, 절연 기판인 세라믹스 기판 (1) 의 표면 (1a) 에는 표면 전극 (2a, 2b) 이 형성되고, 세라믹스 기판 (1) 의 이면 (1b) 에는 이면 전극 (3a, 3b) 이 형성되어 있다. 표면 전극 (2a, 2b) 은, 기판 표면 (1a) 의 길이 방향 전체에 걸쳐 형성되는 한편, 이면 전극 (3a, 3b) 은, 기판 이면 (1b) 의 양단 부분에 형성되어 있다.
기판 표면 (1a) 의 중앙부에 있어서, 표면 전극 (2a, 2b) 사이에는, 갭 (협소부) (4a) (제 1 갭) 이 형성되어 있다. 즉, 표면 전극 (2a, 2b) 은, 갭 (4a) 을 개재하여 대향하고 있다. 갭 (4a) 는 레이저법 등의 절단 수단에 의해 표면 전극의 막을 절단 가공하여 형성되어 있고, 폭 (d) 이 10 ㎛ 정도 (본 실시형태예에서는 7 ㎛) 인 것이다.A gap (narrow portion) 4a (first gap) is formed between the
그리고, 표면 전극 (2a) 상 (갭 근방) 에는 절연막인 유리막 (21a) 이 형성되고, 표면 전극 (2b) 상 (갭 근방) 에는 절연막인 유리막 (21b) 이 형성되어 있다. 유리막 (21a, 21b) 사이에는, 갭 (협소부) (4b) (제 2 갭) 이 형성되어 있다. 즉, 유리막 (21a, 21b) 은, 갭 (4b) 을 개재하여 대향하고 있다. 갭 (4b) 은, 갭 (4a) 과 동일하게 레이저법 등의 절단 수단에 의해 유리막을 절단 가공하여 형성된 폭 (d) 이 10 ㎛ 정도 (본 실시형태예에서는 7 ㎛) 인 것으로서, 갭 (4a) 에 이어져 있다. 하층의 갭 (4a) 과 상층의 갭 (4b) 은 서로 겹쳐 있다.A
표면 전극 (2a) 의 갭측의 단부 (2a-1) 는, 그 상면 (2a-3) 과 양측면 (2a-4, 2a-5) 이 (즉 갭측의 단면 (2a-6) 이외의 부분이), 유리막 (21a) 에 의해 덮여 있다 (특히 도 3(a) 를 참조). 동일하게, 표면 전극 (2b) 의 갭측의 단부 (2b-1) 는, 그 상면 (2b-3) 과 양측면 (2b-4, 2b-5) 이 (즉 갭측의 단면 (2b-6) 이외의 부분이), 유리막 (21b) 에 의해 덮여 있다 (특히 도 3(b) 를 참조).The
갭 (4a, 4b) 에는 정전기 보호막 (5) 이 형성되고, 이 정전기 보호막 (5) 과 표면 전극 (2a, 2b) 이 접속되어 있다. 또한, 표면 전극 (2a) 의 단부 (2a-1) 는 갭측의 단면 (2a-6) 이외의 부분이 유리막 (21a) 에 덮여 있기 때문에, 정전기 보호막 (5) 은, 표면 전극 (2a) 에 대해 단면 (2a-6) 에만 접하고, 상기 단면 (2a-6) 이외의 부분에는 접하고 있지 않다. 동일하게, 표면 전극 (2b) 의 단부 (2b-1) 는 갭측의 단면 (2b-6) 이외의 부분이 유리막 (21b) 에 덮여 있기 때문에, 정전기 보호막 (5) 은, 표면 전극 (2b) 에 대해 단면 (2b-6) 에만 접하고, 상기 단면 (2b-6) 이외의 부분에는 접하고 있지 않다.An
상세히 서술하면, 정전기 보호막 (5) 은 종단면 형상 (도 1 참조) 이 T 자 형상을 이루고 있고, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖고 있다. 정전기 보호막 (5) 의 중앙부 (5c) 는, 전술한 바와 같이 갭 (4a, 4b) 에 형성되어 있고(즉 갭 (4a, 4b) 을 막고 있고), 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 는, 유리막 (21a, 21b) 의 갭측의 단부 (21a-1, 21b-1) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 에 각각 겹쳐 있다 (즉 유리막 (21a, 21b) 의 내측의 양단을 덮고 있다).More specifically, the
정전기 보호 부품의 구조를 예의 검토한 결과, ESD 전압을 인가 후의 절연 저항의 저하를 최대한 적게 하려면, 정전기 보호막 (5) 을 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) 에만 형성하는 것이 바람직하다.As a result of intensive studies on the structure of the electrostatic protection component, it is preferable to form the
그러나, 도 4 에 나타내는 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 과 같이, 유리막은 형성하지 않고 표면 전극 (2a, 2b) 상에 직접, 스크린 인쇄법에 의해 정전기 보호막 (5) 을 형성한 경우, 갭 (4a) 의 폭이 매우 좁기 때문에, 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) 을 형성하는 것은 불가능하여, 어떻게 해도 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 가, 표면 전극 (2a, 2b) 의 단부 (2a-1, 2b-1) 의 상면 (2a-3, 2b-3) 과 겹쳐진 상태가 되지 않을 수 없다.However, when the
그래서, 본 발명에서는, 제조 방법을 연구하여, 도 1 등에 나타내는 바와 같이 표면 전극 (2a, 2b) 상에 유리막 (21a, 21b) 을 형성한 후, 유리막 (21a, 21b) 상으로부터 스크린 인쇄법에 의해 정전기 보호막 (5) 을 형성하는 방법을 실시했다. 그 결과, 유리막 (21a, 21b) 에 대해서는, 갭 (4b) 에 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 이 형성될 뿐만 아니라, 정전기 보호막 (5) 의 양단부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 의 상면에 겹쳐지지만, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 정전기 보호막 (5) 의 양단부 (5a, 5b) 가 상면 (2a-3, 2b-3) 과 겹쳐지는 유리막 (21a, 21b) 에 의해 막아질 수 있기 때문에 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 을 형성할 수 있었다.Thus, in the present invention, the manufacturing method is studied, and
정전기 보호막 (5) 은, 바인더인 실리콘 수지에 도전성 입자와 절연성 입자의 2 종을 혼합하여 이루어지는 재료를 사용하여 형성한 것이다. 도전성 입자 및 절연성 입자는, 도전성 입자의 표면에 부동태층을 형성하는 것이나, 절연성 입자의 표면에 다른 물질을 도프하는 것 등의 특수한 처리를 실시하지 않은 것이다.The
또, 도전성 입자는 도전성 금속 입자의 알루미늄 (Al) 분말이고, 절연성 입자는 산화아연 (ZnO) 분말이다. 산화아연 분말에는, JIS 규격의 제 1 종의 절연성을 갖는 산화아연, 즉 체적 저항률 200 MΩ㎝ 이상의 산화아연을 사용하고 있다. 또한, 실리콘 수지와 알루미늄 분말과 산화아연의 3 성분의 배합비는, 상기 실리콘 수지가 100 중량부인데 대해, 상기 알루미늄 분말이 160 중량부 이상, 상기 산화아연 분말이 120 중량부이다. 이 정전기 보호용 페이스트의 배합비는, ESD 억제 피크 전압을 500 V 이하이고, ESD 내량 (耐量) (20 회 전압 인가) 이 규격값의 리크 전류 10 ㎂ 이하 (절연 저항 R=3MΩ 이상) 라는 목표값을, 본 발명과 비교예의 정전기 보호 부품 (100, 200) 의 어느 것에 있어서도 만족하는 것이다. 그러나, 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 쪽이 보다 리크 전류가 작다 (도 10 참조 : 상세 후술). 따라서, 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 이, 보다 절연성이 향상되어 있다. 또한, ESD 억제 피크 전압이란, 방전 개시시에 생기는 전압이다.The conductive particles are aluminum (Al) powder of conductive metal particles, and the insulating particles are zinc oxide (ZnO) powder. As the zinc oxide powder, zinc oxide having an insulating property of the first kind according to the JIS standard, that is, zinc oxide having a volume resistivity of 200 M? Cm or more is used. The blending ratio of the silicone resin, the aluminum powder and the zinc oxide is 100 parts by weight, and the aluminum powder is 160 parts by weight or more and the zinc oxide powder is 120 parts by weight. The mixing ratio of this electrostatic protection paste should be such that the ESD suppression peak voltage is 500 V or less and the ESD tolerance (20 times voltage) is the target value of the leakage current of 10 ㎂ or less (insulation resistance R = 3 MΩ or more) , And the
표면 전극 (2a, 2b) 상에는, 상부 전극 (6a, 6b) 이 각각 형성되어 있다. 표면 전극 (2a, 2b) 은 박막이기 때문에, 상부 전극 (6a, 6b) 에 의해 표면 전극 (2a, 2b) 의 기계적 강도를 보강하고 있다. 단, 정전기 보호막 (5) 에는 접하지 않도록 (정전기 보호막 (5) 으로부터 떨어진 위치에), 상부 전극 (6a, 6b) 을 형성하고 있다. 그 이유는, 상부 전극 (6a, 6b) 이 정전기 보호막 (5) 에 접하고 있으면, 정전기 펄스 등에 의한 과전압이 정전기 보호 부품 (100) 에 인가되었을 때, 표면 전극 (2a, 2b) 사이가 아니라, 상부 전극 (6a, 6b) 사이나 상부 전극 (6a, 6b) 과 표면 전극 (2a, 2b) 사이에서 방전이 개시될 우려가 있고, 그 경우에는 정전기 보호 부품 본래의 정전기 보호 기능을 발휘할 수 없어지기 때문이다.
또한, 절연막인 유리막 (21a, 21b) 은, 상부 전극 (6a, 6b) 의 하층에는 형성되어 있지 않다.The
정전기 보호막 (5) 은 중간층 (7) 에 덮여 있고, 중간층 (7) 은 보호막 (8) 에 덮여 있다. 보호막 (8) 은, 양단부 (8a, 8b) 가, 상부 전극 (6a, 6b) 의 일부 (갭측의 부분) 에 각각 겹쳐 있다. 그리고, 유리막 (21a, 21b) 은, 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 와 표면 전극 (2a, 2b) 사이에 개재할 뿐만 아니라, 중간층 (7) 과 표면 전극 (2a, 2b) 사이에도 개재하고 있다.The
보호막 (8) 은 내습성 등이 우수하며, 정전기 보호막 (5) 등을 습도 등의 외부 환경 등으로부터 보호하기 위해서 형성되어 있다. 그러나, 보호막 (8) 은 내열성이 불충분하기 때문에, 방전시에 발열하는 정전기 보호막 (5) 을 직접 보호막 (8) 에 의해 덮지 않고, 내열성이 우수한 중간층 (7) 에 의해 정전기 보호막 (5) 을 덮고, 이 중간층 (7) 을 보호막 (8) 에 의해 덮는 구조로 하고 있다.The
중간층 (7) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 사이에서 이상 방전이 발생하는 것을 회피하는 기능도 갖고 있다. 또, 중간층 (7) 은 실리콘 수지 등의 수지 재료에 실리카 등의 무기 필러를 적당량 첨가한 탄력성이 있는 것 (엘라스토머) 으로서, 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) (정전기 보호막 (5)) 에서 방전되었을 때의 내부 에너지 (내압) 의 상승을 억제하여 (상기 내부 에너지를 흡수하여), 상기 내부 에너지의 상승에 의한 충격에 의해 정전기 보호 부품 (100) 이 파손되는 것을 방지하는 기능 (완충 기능) 도 갖고 있다.The
세라믹스 기판 (1) 의 양단면 (1c, 1d) 에는 단면 전극 (9a, 9b) 이 각각 형성되어 있고, 이들 단면 전극 (9a, 9b) 에 의해 표면 전극 (2a, 2b) 과 이면 전극 (3a, 3b) 을 각각 전기적으로 접속하고 있다. 또, 단면 전극 (9a, 9b) 의 단부 (9a-1, 9a-2, 9b-1, 9b-2) 가, 표면 전극 (2a, 2b) 의 단부 (2a-2, 2b-2) 와 이면 전극 (3a, 3b) 의 단부 (3a-1, 3b-1) 에 각각 겹쳐 있기 때문에, 단면 전극 (9a, 9b) 과 표면 전극 (2a, 2b) 및 이면 전극 (3a, 3b) 의 접속이 보다 확실해져 있다.
또한, 단면 전극 (9a, 9b) 등에 대해, 단자 전극으로서의 신뢰성을 향상시키기 위해, 니켈 (Ni) 의 도금막 (10a, 10b) 과 주석 (Sn) 의 도금막 (11a, 11b) 이 순서대로 형성되어 있다. 니켈 도금막 (10a, 10b) 은 단면 전극 (9a, 9b) 과, 이면 전극 (3a, 3b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 의 일부와, 상부 전극 (6a, 6b) 의 일부를 각각 덮고 있고, 주석 도금막 (11a, 11b) 은 니켈 도금막 (10a, 10b) 을 각각 덮고 있다.Plating
다음으로, 도 5 ∼ 도 8 에 기초하여, 본 실시형태예의 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 5 의 플로우 차트의 각 제조 공정 (단계) 에는 S1 ∼ S20 의 부호를 교부했다. 또, 도 6(a) ∼ (d), 도 7(a) ∼ (d), 도 8(a) ∼ (d) 에는, 각 제조 공정에 있어서의 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 상태를 순서대로 나타내고 있다.Next, a method of manufacturing the
또한, 본 실시형태예에서는 1005 타입의 정전기 보호 부품 (100) (도 2 에 나타내는 폭 (W) 이 0.5 ㎜, 길이 (L) 가 1.0 ㎜ 인 것) 을 제조했다.In this embodiment, a 1005 type electrostatic protection device 100 (having a width W of 0.5 mm and a length L of 1.0 mm shown in Fig. 2) was manufactured.
최초의 공정 (단계 S1) 에서는, 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 세라믹스 기판 (1) 을, 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 공정 (도시 생략) 에 받아들인다. 여기서는 세라믹스 기판 (1) 으로서 알루미나 기판을 사용하였다. 이 알루미나 기판은, 96 % 알루미나를 세라믹스 재료로 사용함으로써 제조한 것이다.In the first step (step S1), the
또한, 도 6(a) 에는 1 개편 (個片) 의 정전기 보호 부품 (100) 에 대응하는 하나의 개편 영역의 세라믹스 기판 (1) 만을 도시하고 있지만, 단계 S15 에서 1 차 분할되기 전의 실제 세라믹스 기판 (1) 은, 1 차 슬릿과 2 차 슬릿이 종횡으로 복수개 형성되고, 개편 영역이 종횡으로 복수개 연결된 시트상의 것이다.6A shows only one piece of the
다음의 공정 (단계 S2) 에서는, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 세라믹스 기판 (1) 의 이면 (1b) 에 이면 전극 (3a, 3b) 을 형성한다. 이면 전극 (3a, 3b) 은, 스크린 인쇄법에 의해, 전극 페이스트를 기판 이면 (1b) 에 도포하여 패턴화함으로써 형성된다. 여기서는 전극 페이스트로서 은 (Ag) 페이스트를 사용한하였다. 스크린 인쇄한 이면 전극 (3a, 3b) 은, 건조시켜 전극 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.In the next step (step S2), the
다음의 공정 (단계 S3) 에서는, 도 6(c) 에 나타내는 바와 같이, 세라믹스 기판 (1) 의 표면 (1a) 에 표면 전극 (2) 의 막 (나중의 공정에서 표면 전극 (2a, 2b) 을 형성하기 위한 막) 을 형성한다. 표면 전극의 막 (2) 은, 스크린 인쇄법에 의해, 전극 페이스트를 기판 표면 (1a) 에 도포하여 패턴화함으로써 형성된다. 여기서는 전극 페이스트로서 금 레지네이트 페이스트를 사용하였다. 스크린 인쇄한 표면 전극 (2) 의 막은, 건조시켜 전극 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.In the next step (step S3), as shown in Fig. 6 (c), the
또한, 표면 전극 (2) 의 막을 형성하기 위한 전극 페이스트로는, 금 이외의 레지네이트 페이스트 (금속 유기물 페이스트) 를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 백금 (Pt) 이나 은 (Ag) 의 레지네이트 페이스트 등을 사용할 수 있다. 이면 전극 (3a, 3b) 을 형성하기 위한 전극 페이스트로서 은·파라듐 (Ag·Pd) 페이스트를 사용할 수도 있다.As the electrode paste for forming the film of the
다음의 공정 (단계 S4) 에서는, 단계 S2 에서 형성한 이면 전극 (3a, 3b) 과 단계 S3 에서 형성한 표면 전극 (2) 을, 850 ℃ 의 온도에서 40 분간, 동시에 소성 한다.In the next step (step S4), the
그리고, 다음의 공정 (단계 S5) 에서는, 도 6(d) 에 나타내는 바와 같이, 표면 전극 (2) 의 중앙부에 유리막 (21) (나중의 공정에서 유리막 (21a, 21b) 을 형성하기 위한 막) 을 형성한다. 유리막 (21) 은, 스크린 인쇄법에 의해, 붕규산계 유리 페이스트를 표면 전극 (2) 상에 (표면 전극 (2) 의 중앙부를 덮도록) 도포하여 패턴화함으로써 형성된다.6 (d), a glass film 21 (a film for forming the
다음의 공정 (단계 S6) 에서는, 단계 S5 에서 형성한 유리막 (21) 을, 600 ℃ 의 온도에서 소성했다.In the next step (step S6), the
다음의 공정 (단계 S7) 에서는, 도 7(a) 에 나타내는 바와 같이, UV 파장 영역을 갖는 레이저 (도시 생략) 를 사용한 레이저법에 의해, 단계 S6 에서 소성한 유리막 (21) 의 중앙부와 단계 S4 에서 소성한 표면 전극 (2) 의 중앙부를 동시에 절단 가공함으로써, 일렬로 이어지는 (서로 겹치는) 상층의 갭 (4b) 과 하층의 갭 (4a) 을 동시에 형성한다. 여기서는 UV 파장 영역을 갖는 레이저로서 제 3 차 고조파 레이저 (파장 : 355 ㎚) 를 사용하였다. 갭 (4a, 4b) 의 폭 (d) 은 7 ㎛ 로 했다. 갭 (4a, 4b) 을 형성한 결과, 갭 (4a) 을 개재하여 1 쌍의 표면 전극 (2a, 2b) 이 대향하는 구조가 되고, 또한, 갭 (4b) 을 개재하여 1 쌍의 유리막 (21a, 21b) 이 대향하는 구조가 된다.In the next step (step S7), as shown in Fig. 7 (a), the central part of the
다음의 공정 (단계 S8) 에서는, 도 7(b) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 도전성 페이스트를 표면 전극 (2a, 2b) 의 각각에 도포하여 패턴화 함으로써, 표면 전극 (2a, 2b) 상에 상부 전극 (6a, 6b) 을 형성한다. 이 때의 스크린 인쇄의 횟수는 1 회이다. 상부 전극 (6a, 6b) 은, 정전기 보호막 (5) 에 접촉하지 않도록 하기 위해, 정전기 보호막 (5) 으로부터 떨어진 위치에 있어서, 표면 전극 (2a, 2b) 과 겹쳐지도록 형성된다. 스크린 인쇄 후의 상부 전극 (6a, 6b) 은, 건조시켜 도전성 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.In the next step (Step S8), as shown in Fig. 7 (b), the conductive paste is applied to each of the
이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는, 메시 사이즈 400 이고, 에멀션 두께 8±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : st400).The screen mesh used in this screen printing has a mesh size of 400 and an emulsion thickness of 8 占 占 퐉 (part number: st400).
또, 도전성 페이스트로는, 은 분말과 에폭시 수지를 혼련 (混練) 한 것을 사용하였다. 또한, 이것에 한정되지 않고, 니켈 (Ni), 구리 (Cu) 분말 등과 에폭시 수지를 혼련한 후막 (厚膜) 전극 페이스트 등을, 상부 전극용의 도전성 페이스트로서 사용해도 된다.As the conductive paste, silver powder and epoxy resin were mixed and kneaded. The present invention is not limited to this, and a thick film electrode paste or the like obtained by kneading an epoxy resin with nickel (Ni), copper (Cu) powder or the like may be used as the conductive paste for the upper electrode.
다음의 공정 (단계 S9) 에서는, 도 7(c) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 정전기 보호용 페이스트를 갭 (4a, 4b) 부분에 도포하여 패턴화함으로써, 정전기 보호막 (5) 을 형성한다. 이 때 정전기 보호막 (5) 은 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖는 형상이 된다. 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 정전기 보호막 (5) 의 중앙부 (5c) 가 갭 (4a) 에만 형성되어 (갭 (4a) 을 막고), 표면 전극 (2a, 2b) 에 접속되고, 유리막 (21a, 21b) 에 대해서는, 정전기 보호막 (5) 의 중앙부 (5c) 가 갭 (4b) 에 형성되고 (갭 (4b) 을 막고), 또한, 정전기 보호막 (5) 의 양단부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 의 일부 (갭측의 단부) 와 겹쳐진다.In the next step (step S9), as shown in Fig. 7 (c), the
스크린 인쇄 후의 정전기 보호막 (5) 은, 100 ℃ 의 온도에서 10 분간 건조시켜 정전기 보호용 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.The electrostatic
또한, 이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는 캘린더 메시로, 메시 사이즈 400 이고 선 직경 18 ㎛, 에멀션 두께 5±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : cal400/18).The screen mesh used in this screen printing is a calendered mesh having a mesh size of 400, a line diameter of 18 mu m and an emulsion thickness of 5 +/- 2 mu m (part number: cal400 / 18).
또, 여기서 사용한 정전기 보호용 페이스트는, 실리콘 수지의 바인더를 기본 재료로 하고, 이 실리콘 수지에, 도전성 입자로서 사용한 알루미늄 분말과, 절연성 입자로서 사용한 산화아연 분말의 2 종을 혼련한 것이다. 또한, 이들 3 성분의 배합비는, 실리콘 수지가 100 중량부인데 대해, 알루미늄 분말이 160 중량부, 산화아연 분말이 120 중량부로 했다. 이 경우, ESD 억제 피크 전압이 500 V 이하이고, ESD 내량이 규격값의 리크 전류 10 ㎂ 이하 (절연 저항 R=3MΩ 이상) 라는 목표값을 만족한다.The electrostatic protection paste used here is obtained by kneading two kinds of the aluminum powder used as the conductive particles and the zinc oxide powder used as the insulating particles in the silicone resin with the base material of the silicone resin as the base material. The mixing ratio of these three components was 160 parts by weight of the aluminum powder and 120 parts by weight of the zinc oxide powder while the silicone resin was 100 parts by weight. In this case, the target value of the ESD suppression peak voltage is 500 V or less and the ESD internal capacity is a leakage current of 10 ㎂ or less (insulation resistance R = 3 MΩ or more).
또, 실리콘 수지로는, 체적 저항률 2×1015Ω㎝, 유전율 2.7 의 부가 반응형 실리콘 수지를 사용하였다.In addition, a silicone resin with, an addition reaction type silicone resin of the volume resistivity of 2 × 10 15 Ω㎝, dielectric constant of 2.7 was used.
알루미늄 분말로는, 알루미늄을 용융하여, 고압 분무하고 냉각 고화시켜 이루어지는 평균 입경 3.0 ∼ 3.6 ㎛ 의 알루미늄 분말을 사용하였다.As the aluminum powder, aluminum powder having an average particle size of 3.0 to 3.6 mu m, which is obtained by melting aluminum, spraying it under high pressure, and cooling and solidifying it, was used.
산화아연 분말로는, JIS 규격의 제 1 종 절연성 (체적 저항률 200 MΩ㎝ 이상) 을 갖는 산화아연을 사용하였다. 또, 이 산화아연 분말에는, 입경이 0.3 ∼ 1.5 ㎛ 로 분포하고, 평균 입경이 0.6 ㎛ 이고, 1 차 응집에서의 입경이 1.5 ㎛ 인 산화아연 분말을 적용했다.As the zinc oxide powder, zinc oxide having a
다음의 공정 (단계 S10) 에서는, 단계 S8 에서 형성한 상부 전극 (6a, 6b) 과 단계 S9 에서 형성한 정전기 보호막 (5) 을, 200 ℃ 의 온도에서 30 분간, 동시에 베이킹한다.In the next step (step S10), the
다음의 공정 (단계 S11) 에서는, 도 7(d) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 실리콘 수지 페이스트를, 정전기 보호막 (5) 및 유리막 (21a, 21b) 에 도포하여 패턴화함으로써, 정전기 보호막 (5) 등을 덮는 중간층 (7) 을 형성한다. 이 때의 스크린 인쇄의 횟수는 1 회이다.7 (d), a silicone resin paste is applied to the
여기서는 실리콘 수지 페이스트로서 40 ∼ 50 % 의 실리카를 함유하는 실리콘 수지 페이스트를 사용하였다.Here, a silicone resin paste containing 40 to 50% of silica as a silicone resin paste was used.
또, 이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는 캘린더 메시로, 메시 사이즈 400 이고, 선 직경 18 ㎛, 에멀션 두께 5±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : cal400/18).The screen mesh used in the screen printing is a calendered mesh having a mesh size of 400, a line diameter of 18 mu m and an emulsion thickness of 5 +/- 2 mu m (part number: cal400 / 18).
다음의 공정 (단계 S12) 에서는, 단계 S11 에서 형성한 중간층 (7) 을, 150 ℃ 의 온도에서 30 분간 베이킹을 한다.In the next step (step S12), the
다음의 공정 (단계 S13) 에서는, 도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 에폭시 수지 페이스트를, 중간층 (7), 유리막 (21a, 21b), 표면 전극 (2a, 2b) 및 상부 전극 (6a, 6b) 에 도포하여 패턴화함으로써, 중간층 (7) 등을 덮는 보호막 (8) 을 형성한다. 이 때의 스크린 인쇄의 횟수는 2 회이다.In the next step (Step S13), an epoxy resin paste is applied to the
또한, 이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는, 메시 사이즈 400 이고, 에멀션 두께 10±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : 3DSus400/19).The screen mesh used in the screen printing had a mesh size of 400 and an emulsion thickness of 10 ± 2 μm (part number:
다음의 공정 (단계 S14) 에서는, 단계 S13 에서 형성한 보호막 (8) 을, 200 ℃ 의 온도에서 30 분간 베이킹한다.In the next step (step S14), the
다음의 공정 (단계 S15) 에서는, 시트 형상의 세라믹스 기판 (1) 에 형성되어 있는 1 차 슬릿을 따라, 세라믹스 기판 (1) 을 1 차 분할한다. 그 결과, 세라믹스 기판 (1) 은 복수개의 개편 영역이 횡일렬로 연결된 띠형상의 것이 되어, 단면 (1c, 1d) 이 생긴다.In the next step (Step S15), the
다음의 공정 (단계 S16) 에서는, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 전사법에 의해, 도전성 페이스트를, 세라믹스 기판 (1) 의 단면 (1c, 1d), 표면 전극 (2a, 2b) 의 일부, 이면 전극 (3a, 3b) 의 일부에 도포하고, 이것을 다음의 공정 (단계 S17) 에서, 200 ℃ 의 온도에서 30 분간 베이킹함으로써, 단면 전극 (9a, 9b) 을 형성한다. 이 때 단면 전극 (9a, 9b) 은 표면 전극 (2a, 2b) 및 이면 전극 (3a, 3b) 에 일부 겹치고, 표면 전극 (2a, 2b) 과 이면 전극 (3a, 3b) 을 전기적으로 접속한다.In the next step (step S16), as shown in Fig. 8 (b), the conductive paste is applied to the end faces 1c and 1d of the
여기서는 도전성 페이스트로서 은 분말과 에폭시 수지를 혼련한 페이스트를 사용하였다.Here, a paste obtained by kneading a silver powder and an epoxy resin as a conductive paste was used.
다음의 공정 (단계 S18) 에서는, 띠형상의 세라믹스 기판 (1) 에 형성되어 있는 2 차 슬릿을 따라, 세라믹스 기판 (1) 을 2 차 분할한다. 그 결과, 세라믹스 기판 (1) 은 각 개편 영역마다 분할되어, 개편이 된다.In the next step (Step S18), the
다음의 공정 (단계 S19) 에서는, 도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 배럴 도금 방식에 의해, 단면 전극 (9a, 9b) 과, 이면 전극 (3a, 3b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 의 일부와, 상부 전극 (6a, 6b) 의 일부 상에 전기 도금하여, 니켈 도금막 (10a, 10b) 을 형성한다.In the next step (Step S19), the
마지막 공정 (단계 S20) 에서는, 도 8(d) 에 나타내는 바와 같이, 배럴 도금 방식에 의해, 단계 S19 에서 형성한 니켈 도금막 (10a, 10b) 상에 전기 도금하여, 주석 도금막 (11a, 11b) 을 형성한다. 이렇게 하여, 정전기 보호 부품 (100) 이 완성된다.In the last step (step S20), the
다음으로, 도 9 및 도 10 에 기초하여, 본 발명의 유리막 (21a, 21b) 을 갖는 정전기 보호 부품 (100) (도 1) 과, 비교예의 유리막이 없는 정전기 보호 부품 (200) 에 대해 실시한 ESD 시험의 결과에 대해 설명한다.9 and 10, the electrostatic protection device 100 (FIG. 1) having the
ESD 시험은, IEC61000-4-2 8 ㎸ 에 준거한 ESD 전압을 정전기 보호 부품 (100, 200) 에 인가하는 방법으로 실시하였다.The ESD test was performed by applying an ESD voltage conforming to IEC61000-4-2 8 kV to the
본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 에 대해서는, 상기와 동일한 제조 공정으로 10 개의 시료를 제조하고, 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 에 대해서는, 유리막이 없는 것 이외에는 상기와 동일한 제조 공정에서 10 개의 시료를 제조했다. 그리고, 어느 시료에 대해서도 ESD 전압을 20 회 인가하였다.For the
도 9(a) 에는 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 의 시료에 대해 1 회째 ESD 전압 인가시의 ESD 억제 피크 전압의 측정 결과를 나타내고, 도 9(b) 에는 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 의 시료에 대해 1 회째 ESD 전압 인가시의 ESD 억제 피크 전압의 측정 결과를 나타내고 있다.9 (a) shows the result of measurement of the ESD suppression peak voltage at the first application of the ESD voltage to the sample of the
이들 측정 결과로부터, ESD 억제 피크 전압에 관해서는, 모든 시료가 500 V 이하의 목표값을 만족하고 있으며, 양 시료에 현저한 차이는 관찰되지 않았다.From these measurement results, with respect to the ESD suppression peak voltage, all the samples satisfied the target value of 500 V or less, and no significant difference was observed in both samples.
한편, 도 10(a) 에는 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 의 시료에 대해 1회째와 10 회째와 20 회째의 ESD 전압 인가 후에 리크 전류를 측정한 결과를 나타내고, 도 10(b) 에는 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 의 시료에 대해 20 회째의 ESD 전압 인가 후에 리크 전류를 측정한 결과를 나타내고 있다.On the other hand, FIG. 10 (a) shows the results of measurement of leak current after the first, 10th and 20th ESD voltage application to the sample of the
그리고, 도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 에 대해서는, 모든 시료가, 1 회째와 10 회째와 20 회째 중 어느 ESD 전압 인가 후에 있어서도, 리크 전류가 0.001 ㎂ 라는 매우 작은 값이고, 또한, 시료 (부품) 마다의 리크 전류의 편차도 거의 없었다. 즉, 모든 시료가, 절연 저항이 매우 크고, 또한, 시료마다의 절연 저항의 편차도, 거의 없는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Fig. 10 (a), in the
이에 대하여, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 에 대해서는, 모든 시료가 10 ㎂ 이하라는 목표값은 만족하고 있지만, 도 10(a) 의 결과와 비교하면, 리크 전류가 큰 시료가 많이 관찰되고, 또한, 시료마다의 리크 전류의 편차도 매우 컸다. 즉, 절연 저항이 비교적 작고, 또한, 시료마다의 절연 저항의 편차도 큰 것을 확인할 수 있었다.On the other hand, as shown in Fig. 10 (b), the static
또한, 유리막 (21a, 21b) 의 구조는 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 구조에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 도 11 ∼ 도 13 에 나타내는 구조나, 도 14 및 도 15에 나타내는 구조여도 된다.The structure of the
상세히 서술하면, 도 11 ∼ 도 13 에 나타내는 정전기 보호 부품 (300) 에서는, 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 정전기 보호 부품 (100) 에 비해 (특히 도 2, 도 3 참조), 유리막 (21a, 21b) 의 폭이 넓어져 있다 (특히 도 12, 도 13 참조 : 이들 도면의 상하 방향이 유리막 (21a, 21b) 의 폭방향이다).1 to 3 (particularly Figs. 2 and 3), the
구체적으로는, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (100) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 의 폭보다는 넓지만, 정전기 보호막 (5) 의 폭보다는 좁은 폭이 되어 있고, 표면 전극 (2a) 의 양측면 (2a-4, 2a-5) 이나 표면 전극 (2b) 의 양측면 (2b-4, 2b) 을 덮어 상기 측면 (2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5) 이 정전기 보호막 (5) 에 접하는 것을 방지하는 것이 가능한 최소한의 폭을 갖고 있다. 이에 대하여, 도 12 및 도 13 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (300) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 의 폭, 정전기 보호막 (5) 의 폭, 및, 중간층 (7) 의 폭의 어느 것보다도 넓은 폭을 갖고 있다.2 and 3, the
또한, 정전기 보호 부품 (300) 의 다른 구조에 대해서는, 정전기 보호 부품 (100) 의 구조와 동일하다. 또, 정전기 보호 부품 (300) 의 제조 방법에 대해서도, 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법과 동일하다.The other structure of the
도 14 의 K-K 선 화살표 단면 및 L-L 선 화살표 단면의 구조에 대해서는, 도 3(a) 에 나타내는 단면 및 도 3(b) 에 나타내는 단면의 구조와 동일하기 때문에, 도 3 을 참조한다.The structure of the K-K line arrow cross section and the L-L line arrow cross section in Fig. 14 is the same as the cross section shown in Fig. 3 (a) and the cross section shown in Fig. 3 (b).
도 3, 도 14 및 도 15 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (400) 은, 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 정전기 보호 부품 (100) 에 비해 (특히 도 1, 도 2 참조), 유리막 (21a, 21b) 의 길이가 짧아져 있다 (특히 도 14, 도 15 참조 : 이들 도면의 좌우 방향이 유리막 (21a, 21b) 의 길이 방향이다).As shown in Figs. 3, 14, and 15, the
구체적으로는, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (100) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 정전기 보호막 (5) 의 길이 및 중간층 (7) 의 길이의 어느 것보다도 길어져 있다. 이에 대하여, 도 14 및 도 15 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (400) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 정전기 보호막 (5) 의 길이보다는 길지만, 중간층 (7) 의 길이보다는 짧아져 있어 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 와 표면 전극 (2a, 2b) 사이에 개재하여 (즉 표면 전극 (2a, 2b) 의 단부 (2a-1, 2b-1) 의 표면 (2a-3, 2b-3) 을 덮어) 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 가 표면 전극 (2a, 2b) 에 접하는 것을 방지하는 것이 가능한 최소한의 길이를 갖고 있다.Specifically, as shown in Figs. 1 and 2, the
또한, 정전기 보호 부품 (400) 의 다른 구조에 대해서는, 정전기 보호 부품 (100) 의 구조와 동일하다. 또, 정전기 보호 부품 (400) 의 제조 방법에 대해도, 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법과 동일하다.The other structure of the
이상과 같이, 본 실시형태예의 정전기 보호 부품 (100, 300, 400) 에 의하면, 세라믹스 기판 (1) 상에 형성되고, 갭 (4a) 을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극 (2a, 2b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 상에 형성되어 표면 전극 (2a, 2b) 의 상면 (2a-3, 2b-3) 및 양측면 (2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5) 을 덮고, 또한, 갭 (4a) 에 이어지는 갭 (4b) 을 개재하여 대향하고 있는 유리막 (21a, 21b) 과, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖고, 중앙부 (5c) 가 갭 (4a) 및 갭 (4b) 에 형성되고, 양측부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 상면 (21a-2, 21b-2) 과 겹쳐져 있는 정전기 보호막 (5) 을 갖고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 이 형성되어 있다. 즉, 정전기 보호막 (5) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해 갭측의 단면 (2a-6, 2b-6) 에만 접하고 있고, 상기 단면 (2a-6, 2b-6) 이외의 부분에는 접하고 있지 않다.As described above, according to the
이 때문에, 정전기 보호 부품 (100) 은, 정전기 보호막 (5) 이 표면 전극 (2a, 2b) 의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품 (200) 에 비해, 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, the
또, 정전기 보호 부품 (100, 300, 400) 에 의하면, 절연막이 유리막 (21a, 21b) 인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 정전기 보호 부품 (100) 을 제조할 때, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막 (21a, 21b) 의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.Since the insulating films are
또, 정전기 보호 부품 (100, 300) 에 의하면, 유리막 (21a, 21b) 이, 중간층 (7) 과 표면 전극 (2a, 2b) 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 유리막 (21a, 21b) 의 개재에 의해, 중간층 (7) 은 표면 전극 (2a, 2b) 에 접촉하고 있지 않다. 이 때문에, 중간층 (7) 을 개재하여 표면 전극 (2a, 2b) 사이에서 이상 방전이 발생하는 것을, 유리막 (21a, 21b) 에 의해 확실하게 저지할 수 있다. 이 경우, 예를 들어, 비교적 절연성이 낮은 재료를 사용하여 중간층 (7) 을 형성하는 것도 가능해지기 때문에, 중간층 (7) 의 재료 선택의 폭이 넓어진다는 효과도 얻어진다.According to the
또, 본 실시형태예의 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법에 의하면, 세라믹스 기판 (1) 상에 표면 전극 (2) 의 막을 형성하는 제 1 공정과, 표면 전극 (2) 의 막 상에 유리막 (21) 을 형성하고, 이 유리막 (21) 에 의해 표면 전극 (2) 의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극 (2) 의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 유리막 (21) 을 절단하여, 갭 (4a) 과 갭 (4b) 을 형성하는 제 3 공정과, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부 (5c) 를 갭 (4a) 및 갭 (4b) 에 형성하고, 상기 양측부 (5a, 5b) 를 유리막 (21a, 21b) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 에 겹치도록 하여 정전기 보호막 (5) 을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 을 형성할 수 있다. 즉, 정전기 보호막 (5) 을, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해 갭측의 단면 (2a-6, 2b-6) 에만 접하고, 상기 단면 (2a-6, 2b-6) 이외의 부분에는 접하지 않도록 형성할 수 있다.According to the method of manufacturing the
이 때문에, 본 제조 방법에 의해 제조한 정전기 보호 부품 (100) 은, 정전기 보호막 (5) 이 표면 전극 (2a, 2b) 의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품 (200) 에 비해 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, the
또, 본 제조 방법에 의하면, 절연막은 유리막 (21a, 21b) 인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막 (21a, 21b) 의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.According to the present manufacturing method, since the insulating film is the
또, 본 제조 방법에 의하면, 상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극 (2) 의 막과 상기 제 2 공정에서 형성한 유리막 (21) 을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써 갭 (4a, 4b) 을 형성하는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 갭 (4a, 4b) 을 용이하게 양호한 정밀도로 형성할 수 있다.According to the present manufacturing method, in the third step, the film of the
또한, 상기에서는, 1 개의 세라믹스 기판 (1) 상에 1 개의 정전기 보호막 (5) 을 형성한 정전기 보호 부품의 실시예를 서술했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 1 개의 세라믹스 기판 (1) 상에 2 개 이상의 정전기 보호막 (5) 을 형성한 정전기 보호 부품도, 본 발명의 범위 내로 한다.In the above description, the embodiment of the electrostatic protection device in which one
또, 상기에서는, 실리콘 수지와 알루미늄 분말과 산화아연 분말의 3 성분을 혼련한 페이스트를 사용하여 정전기 보호막을 형성하는 경우에 대해 설명했지만, 반드시 이것에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 정전기 보호 부품의 구조는, 상기와는 상이한 성분의 재료에 의해 정전기 보호막이 형성되어 있는 정전기 보호 부품에도 적용할 수 있다.In the above description, the case where the electrostatic protective film is formed by using the paste obtained by kneading the three components of the silicone resin, the aluminum powder and the zinc oxide powder is described. However, the present invention is not limited to this, The structure can also be applied to an electrostatic protection component in which an electrostatic protective film is formed by a material having a different component from the above.
산업상 이용가능성Industrial availability
본 발명은 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 정전기 보호 부품의 절연 저항 특성의 향상을 도모하는 경우에 적용하여 유용한 것이다.The present invention relates to an electrostatic protection component and a method of manufacturing the same, and is useful when applied to improve the insulation resistance characteristic of the electrostatic protection component.
1 : 세라믹스 기판, 1a : 기판 표면, 1b : 기판 이면, 1c, 1d : 기판 단면, 2 : 표면 전극의 막, 2a, 2b : 표면 전극, 2a-1, 2a-2, 2b-1, 2b-2 : 표면 전극의 단부, 2a-3, 2b-3 : 표면 전극의 상면, 2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5 : 표면 전극의 측면, 2a-6, 2b-6 : 표면 전극의 단면, 3a, 3b : 이면 전극, 3a-1, 3b-1 : 이면 전극의 단부, 4a, 4b : 갭, 5 : 정전기 보호막, 5a, 5b : 정전기 보호막의 측부, 5c : 정전기 보호막의 중앙부, 6a, 6b : 상부 전극, 7 : 중간층, 8 : 보호막, 8a, 8b : 보호막의 단부, 9a, 9b : 단면 전극, 9a-1, 9a-2, 9b-1, 9b-2 : 단면 전극의 단부, 10a, 10b : 니켈 도금막, 11a, 11b : 주석 도금막, 21, 21a, 21b : 유리막, 21a-1, 21b-1 : 유리막의 단부, 21a-2, 21b-2 : 유리막의 상면, 100 : 정전기 보호 부품 (유리막 있음), 200 : 정전기 보호 부품 (유리막 없음), 300 : 정전기 보호 부품 (유리막 있음), 400 : 정전기 보호 부품 (유리막 있음)The
Claims (6)
상기 표면 전극 상에 형성되어 상기 표면 전극의 상면 및 양측면을 덮고, 또한, 상기 제 1 갭에 이어지는 제 2 갭을 개재하여 대향하고 있는 절연막과,
중앙부와 양측부를 갖고, 상기 중앙부가 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성되고, 상기 양측부가 상기 절연막의 상면과 겹쳐져 있는 정전기 보호막을 갖고 있는 것을 특징으로 하며,
상기 정전기 보호막은, 상기 표면 전극에 대해, 상기 제 1 갭측의 단면에만 접하고, 상기 제 1 갭측의 단면 이외의 부분에는 접하고 있지 않은 것을 특징으로 하는, 정전기 보호 부품.A surface electrode formed on the insulating substrate and opposed via the first gap,
An insulating film formed on the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the surface electrode and opposed to each other via a second gap following the first gap;
And an electrostatic protection film having a central portion and both side portions, the central portion being formed in the first gap and the second gap, and the both side portions being overlapped with the upper surface of the insulating film,
Wherein the electrostatic protection film is in contact with only the end surface of the first gap side with respect to the surface electrode and is not in contact with a portion other than the end surface of the first gap side.
상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품.The method according to claim 1,
Wherein the insulating film is a glass film.
상기 정전기 보호막과 상이한 보호막을 더 갖고 있고,
상기 정전기 보호막과 상기 상이한 보호막 사이에 중간층이 형성되어 있고,
상기 절연막이, 이 중간층과 상기 표면 전극 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a protective film different from the electrostatic protective film,
An intermediate layer is formed between the electrostatic protection layer and the different protective layer,
Wherein the insulating film is sandwiched between the intermediate layer and the surface electrode.
절연 기판 상에 표면 전극의 막을 형성하는 제 1 공정과,
상기 표면 전극의 막 상에 절연막을 형성하고, 이 절연막에 의해 상기 표면 전극의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과,
상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을 절단하여, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 제 3 공정과,
중앙부와 양측부를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부를 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성하고, 상기 양측부를 상기 절연막의 상면에 겹치도록 하여, 정전기 보호막을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 하며,
상기 정전기 보호막은, 상기 표면 전극에 대해, 상기 제 1 갭측의 단면에만 접하고, 상기 제 1 갭측의 단면 이외의 부분에는 접하고 있지 않은 것을 특징으로 하는, 정전기 보호 부품의 제조 방법.A method for manufacturing an electrostatic protection component according to claim 1,
A first step of forming a film of a surface electrode on an insulating substrate,
A second step of forming an insulating film on the film of the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the film of the surface electrode with the insulating film;
A third step of forming a first gap and a second gap by cutting the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step,
And a fourth step of forming the central portion in the first gap and the second gap in such a shape as to have a central portion and both side portions and overlapping the both side portions on the upper surface of the insulating film to form an electrostatic protective film ,
Wherein the electrostatic protection film is in contact with only the end surface of the first gap side with respect to the surface electrode and is not in contact with a portion other than the end surface of the first gap side.
상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품의 제조 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the insulating film is a glass film.
상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품의 제조 방법.The method according to claim 4 or 5,
In the third step, the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step are cut at the same time by using a third harmonic laser having a UV wavelength region, Wherein the first gap and the second gap form a gap.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/052986 WO2011104849A1 (en) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | Electrostatic protection component and production method therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120127469A KR20120127469A (en) | 2012-11-21 |
KR101450417B1 true KR101450417B1 (en) | 2014-10-14 |
Family
ID=44506295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127022161A KR101450417B1 (en) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | Electrostatic protection component and production method therefor |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5378589B2 (en) |
KR (1) | KR101450417B1 (en) |
CN (1) | CN102792534B (en) |
TW (1) | TWI427647B (en) |
WO (1) | WO2011104849A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5671149B2 (en) * | 2011-09-28 | 2015-02-18 | 釜屋電機株式会社 | Method for manufacturing electrostatic protection parts |
KR20150044258A (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-24 | 삼성전기주식회사 | Static-protective components and static-protective compositions |
JP2016042436A (en) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | Tdk株式会社 | Static electricity countermeasure element |
KR102048103B1 (en) * | 2014-12-23 | 2019-11-22 | 삼성전기주식회사 | Electrostatic discharge protection device and method for manufacturing thereof |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009267202A (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Panasonic Corp | Static electricity countermeasure component |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2732232B2 (en) * | 1994-12-28 | 1998-03-25 | 釜屋電機株式会社 | Manufacturing method of chip resistor |
US6251513B1 (en) * | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
JP3640146B2 (en) * | 1999-03-31 | 2005-04-20 | ソニーケミカル株式会社 | Protective element |
CN1942042A (en) * | 2005-09-26 | 2007-04-04 | 佳邦科技股份有限公司 | Protecting component of electronic circuit |
JP2007265713A (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Static electricity protective material paste and static electricity countermeasure part using it |
CN201126924Y (en) * | 2007-12-12 | 2008-10-01 | 佳邦科技股份有限公司 | Tiny air gap nano discharging protection component |
-
2010
- 2010-02-25 KR KR1020127022161A patent/KR101450417B1/en active IP Right Grant
- 2010-02-25 JP JP2012501580A patent/JP5378589B2/en active Active
- 2010-02-25 WO PCT/JP2010/052986 patent/WO2011104849A1/en active Application Filing
- 2010-02-25 CN CN201080064459.8A patent/CN102792534B/en active Active
- 2010-03-10 TW TW099106983A patent/TWI427647B/en active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2011104849A1 (en) | 2013-06-17 |
CN102792534A (en) | 2012-11-21 |
TW201129996A (en) | 2011-09-01 |
TWI427647B (en) | 2014-02-21 |
WO2011104849A1 (en) | 2011-09-01 |
KR20120127469A (en) | 2012-11-21 |
JP5378589B2 (en) | 2013-12-25 |
CN102792534B (en) | 2014-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180917 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190926 Year of fee payment: 6 |