KR101450417B1 - Electrostatic protection component and production method therefor - Google Patents

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다츠키 히라노
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가마야 덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 ESD 전압 인가 후의 절연 저항의 저하를 최대한 적게 할 수 있고 또, 부품마다의 절연 저항의 편차도 최대한 작게 할 수 있는 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 정전기 보호 부품 (100) 의 구성을, 세라믹스 기판 (1) 상에 형성되고, 갭 (4 a) 을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극 (2a, 2b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 상에 형성되어 표면 전극 (2a, 2b) 의 상면 (2a-3, 2b-3) 및 양측면 (2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5) 을 덮고, 또한, 갭 (4a) 에 이어지는 갭 (4b) 을 개재하여 대향하고 있는 유리막 (21a, 21b) 과, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖고, 중앙부 (5c) 가 갭 (4a, 4b) 에 형성되고, 양측부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 과 겹쳐져 있는 정전기 보호막 (5) 을 갖는 구성으로 한다.An object of the present invention is to provide an electrostatic protection component and a method of manufacturing the same that can minimize the deterioration of insulation resistance after ESD voltage is applied and can minimize variation of insulation resistance of each component. The configuration of the electrostatic protection component 100 includes surface electrodes 2a and 2b formed on the ceramic substrate 1 and opposed to each other via the gap 4a and surface electrodes 2a and 2b, 2b-3 and 2b-3 of the surface electrodes 2a and 2b and the side surfaces 2a-4, 2a-5, 2b-4 and 2b-5 of the surface electrodes 2a and 2b, Glass films 21a and 21b which are opposed to each other via a gap 4b following the center portion 5c and both side portions 5a and 5b and a central portion 5c are formed in the gaps 4a and 4b, The side portions 5a and 5b have the electrostatic protection film 5 overlapping the upper surfaces 21a-2 and 21b-2 of the glass films 21a and 21b.

Description

정전기 보호 부품 및 그 제조 방법{ELECTROSTATIC PROTECTION COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an electrostatic protection component,

본 발명은 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an electrostatic protection component and a manufacturing method thereof.

최근, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기는, 소형화, 고기능화가 진행되고 있지만, 이것에 수반하여 전자 기기의 내전압이 저하되고 있다. 이 때문에, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기에는, 정전기 펄스나 외래 노이즈에 의해 인가되는 과전압으로부터 당해 전자 기기를 보호하기 위해서 정전기 보호 부품이 사용되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices such as portable information devices are being made smaller and more sophisticated, but the withstanding voltage of electronic devices has been reduced accordingly. For this reason, static electricity protection parts are used for electronic devices such as portable information devices in order to protect the electronic devices from overvoltage applied by electrostatic pulses or extraneous noise.

정전기 보호 부품은 갭을 개재하여 대향하는 표면 전극과, 상기 갭에 형성된 정전기 보호막을 갖는 것으로서, 전자 기기에 있어서 과전압이 인가될 우려가 있는 라인과 그라운드 사이에 형성되어, 상기 라인에 과전압이 인가되었을 때에 상기 표면 전극 사이 (즉 정전기 보호막) 에서 방전함으로써 당해 과전압으로부터 전자 기기를 보호한다.The electrostatic protection component is provided with a surface electrode facing each other with a gap interposed therebetween and an electrostatic protective film formed in the gap. The electrostatic protection component is formed between a line and a ground in which an overvoltage may be applied in an electronic device, (I.e., the electrostatic protection film) between the surface electrodes to protect the electronic device from the overvoltage.

또한, 종래의 정전기 보호 부품이 개시되어 있는 선행 기술 문헌으로는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 이 있다.In addition, as a prior art document in which a conventional electrostatic protection component is disclosed, there is, for example, the following Patent Document 1. 일본 공개특허공보 2009-194130호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-194130

현재, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기의 소형화, 고기능화의 진전에 수반하여, 정전기 보호 부품에 대한 과전압 보호 기능의 요구가 점점 더 높아지고 있기 때문에, 정전기 보호 부품의 여러 특성의 향상이 주장되고 있다.BACKGROUND ART At present, with the advancement of miniaturization and high performance of electronic devices such as portable information devices, there is a growing demand for an overvoltage protection function for electrostatic protection components, and thus it is claimed that various characteristics of the electrostatic protection components are improved.

그리고, 정전기 보호 부품의 여러 특성 중, 특히 중요한 것 중 하나로 절연 저항이 있다. 절연 저항은 최대한 큰 (즉 리크 전류가 최대한 작은) 쪽이 바람직하고, 또, 부품마다 절연 저항 (리크 전류) 의 편차도 최대한 작은 쪽이 바람직하다. 그런데, 절연 저항은, 정전기 보호 부품에 ESD (Electro-Static Discharge) 전압을 인가 후에 저하되고, 또한, 그 전압 인가 횟수가 증가함에 따라서 더욱 저하되는 경향이 있다.Among the various characteristics of electrostatic protection parts, insulation resistance is one of the most important ones. It is preferable that the insulation resistance is as large as possible (that is, the leakage current is as small as possible), and the deviation of the insulation resistance (leakage current) is preferably as small as possible. However, the insulation resistance is lowered after application of an ESD (Electro-Static Discharge) voltage to the electrostatic protection component, and further tends to decrease as the number of times of application of the voltage increases.

따라서 본 발명은 상기의 사정을 감안하여, ESD 전압 인가 후의 절연 저항의 저하를 최대한 적게 할 수 있고, 또, 부품마다의 절연 저항의 편차도 최대한 작게 할 수 있는 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 하고 있다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an electrostatic protection component and a method of manufacturing the same that can minimize the decrease in insulation resistance after ESD voltage application and minimize variations in insulation resistance for each component .

상기 과제를 해결하는 방책으로는, 크게 나누어, 정전기 보호 부품의 구조를 연구하는 방책과, 정전기 보호막의 재료를 연구하는 방책이 고려된다. 본 발명은 전자의 방책에 주목하여, 정전기 보호 부품의 구조를 예의 검토한 결과로서 얻어진 것으로, 이하와 같은 특징을 갖고 있다.As measures for solving the above problems, there are roughly divided measures for studying the structure of the electrostatic protection part and measures for studying the material of the electrostatic protection film. The present invention focuses on the electronic countermeasures and is obtained as a result of intensive studies on the structure of the electrostatic protection component, and has the following features.

즉, 제 1 발명의 정전기 보호 부품은, 절연 기판 상에 형성되고, 제 1 갭을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극과,That is, the electrostatic discharge protection component of the first invention comprises: a surface electrode which is formed on an insulating substrate and which is opposed to the surface electrode via a first gap;

상기 표면 전극 상에 형성되어 상기 표면 전극의 상면 및 양측면을 덮고, 또한, 상기 제 1 갭에 이어지는 제 2 갭을 개재하여 대향하고 있는 절연막과,An insulating film formed on the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the surface electrode and opposed to each other via a second gap following the first gap;

중앙부와 양측부를 갖고, 상기 중앙부가 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성되고, 상기 양측부가 상기 절연막의 상면과 겹쳐져 있는 정전기 보호막을 갖고 있는 것을 특징으로 한다.And an electrostatic protection film having a central portion and both side portions, the central portion being formed in the first gap and the second gap, and the both side portions being overlapped with the upper surface of the insulating film.

또, 제 2 발명의 정전기 보호 부품은, 제 1 발명의 정전기 보호 부품에 있어서,The electrostatic discharge protection component of the second invention is the electrostatic discharge protection component of the first invention,

상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 한다.The insulating film is a glass film.

또, 제 3 발명의 정전기 보호 부품은, 제 1 또는 제 2 발명의 정전기 보호 부품에 있어서,The electrostatic discharge protection component of the third invention is the electrostatic discharge protection component of the first or second invention,

상기 정전기 보호막과 보호막 사이에 중간층이 형성되어 있고,An intermediate layer is formed between the electrostatic protective film and the protective film,

상기 절연막이, 이 중간층과 상기 표면 전극 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 한다.And the insulating film is sandwiched between the intermediate layer and the surface electrode.

또, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법은, 제 1 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법으로서,The method for manufacturing an electrostatic protection component of the fourth invention is the method for manufacturing the electrostatic protection component of the first invention,

절연 기판 상에 표면 전극의 막을 형성하는 제 1 공정과,A first step of forming a film of a surface electrode on an insulating substrate,

상기 표면 전극의 막 상에 절연막을 형성하고, 이 절연막에 의해 상기 표면 전극의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과,A second step of forming an insulating film on the film of the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the film of the surface electrode with the insulating film;

상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을 절단하여, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 제 3 공정과,A third step of forming a first gap and a second gap by cutting the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step,

중앙부와 양측부를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부를 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성하고, 상기 양측부를 상기 절연막의 상면에 겹치도록 하여, 정전기 보호막을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.And a fourth step of forming the central portion in the first gap and the second gap in such a shape as to have the central portion and the both side portions and overlapping the both side portions on the upper surface of the insulating film to form the electrostatic protective film .

또, 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법은, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서,The method of manufacturing an electrostatic protection component of a fifth invention is the method of manufacturing an electrostatic protection component of the fourth invention,

상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 한다.The insulating film is a glass film.

또, 제 6 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법은, 제 4 또는 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서,The method for manufacturing an electrostatic protection component of a sixth invention is the method for manufacturing an electrostatic protection component according to the fourth or fifth invention,

상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 것을 특징으로 한다.In the third step, the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step are cut at the same time by using a third harmonic laser having a UV wavelength region, And a second gap is formed.

제 1 발명의 정전기 보호 부품에 의하면, 절연 기판 상에 형성되고, 제 1 갭을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극과, 상기 표면 전극 상에 형성되어 상기 표면 전극의 상면 및 양측면을 덮고, 또한, 상기 제 1 갭에 이어지는 제 2 갭을 개재하여 대향하고 있는 절연막과, 중앙부와 양측부를 갖고, 상기 중앙부가 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성되고, 상기 양측부가 상기 절연막의 상면과 겹쳐져 있는 정전기 보호막을 갖고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극에 대해서는, 표면 전극 사이의 제 1 갭에만 정전기 보호막이 형성되어 있다. 즉, 정전기 보호막은, 표면 전극에 대해 갭측의 단면에만 접하고 있고, 상기 단면 이외의 부분에는 접하고 있지 않다.According to a first aspect of the present invention, there is provided an electrostatic protection device comprising: a surface electrode formed on an insulating substrate and opposed to a surface of the surface electrode through a first gap; a first electrode formed on the surface electrode and covering an upper surface and both surfaces of the surface electrode, An insulating film facing each other through a second gap following the first gap, an electrostatic protection film having a central portion and both side portions, the central portion being formed in the first gap and the second gap, The electrostatic protection film is formed only on the first gap between the surface electrodes with respect to the surface electrode. That is, the electrostatic protection film is in contact with only the end face on the gap side with respect to the surface electrode, and is not in contact with the portion other than the end face.

이 때문에, 제 1 발명의 정전기 보호 부품은, 정전기 보호막이 표면 전극의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품에 비해, 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, in the electrostatic protection device of the first invention, the insulation resistance can be made much larger than that of the electrostatic protection device in which the electrostatic protection film is also in contact with a portion other than the end surface of the surface electrode. Further, Can be made very small.

제 2 발명의 정전기 보호 부품에 의하면, 제 1 발명의 정전기 보호 부품에 있어서, 상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 정전기 보호 부품을 제조할 때, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.According to the electrostatic protection device of the second invention, in the electrostatic protection device of the first invention, since the insulating film is a glass film, it is easy to form a glass film having heat resistance and insulation at the time of manufacturing the electrostatic protection component And can be carried out at low cost.

제 3 발명의 정전기 보호 부품에 의하면, 제 1 또는 제 2 발명의 정전기 보호 부품에 있어서, 상기 정전기 보호막과 보호막 사이에 중간층이 형성되어 있고, 상기 절연막이 이 중간층과 상기 표면 전극 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 절연막의 개재에 의해, 중간층은 표면 전극에 접촉하고 있지 않다. 이 때문에, 중간층을 개재하여 표면 전극 사이에서 이상 방전이 발생하는 것을, 절연막에 의해 확실하게 저지할 수 있다. 이 경우, 예를 들어, 비교적 절연성이 낮은 재료를 사용하여 중간층을 형성하는 것도 가능해지기 때문에, 중간층의 재료 선택의 폭이 넓어진다는 효과도 얻어진다.According to the electrostatic protection device of the third invention, in the electrostatic protection device of the first or second invention, an intermediate layer is formed between the electrostatic protection film and the protective film, and the insulating film is interposed between the intermediate layer and the surface electrode The intermediate layer does not contact the surface electrode due to the presence of the insulating film. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of an abnormal discharge between the surface electrodes through the intermediate layer by the insulating film. In this case, for example, it is also possible to form the intermediate layer by using a material having a relatively low insulating property, so that an effect of broadening the selection of the material of the intermediate layer is also obtained.

제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의하면, 제 1 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법으로서, 절연 기판 상에 표면 전극의 막을 형성하는 제 1 공정과, 상기 표면 전극의 막 상에 절연막을 형성하고, 이 절연막에 의해 상기 표면 전극의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을 절단하여, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 제 3 공정과, 중앙부와 양측부를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부를 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성하고, 상기 양측부를 상기 절연막의 상면에 겹치도록 하여 정전기 보호막을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극에 대해서는, 표면 전극 사이의 제 1 갭에만 정전기 보호막을 형성할 수 있다. 즉, 정전기 보호막을 표면 전극에 대해 갭측의 단면에만 접하고, 상기 단면 이외의 부분에는 접하지 않도록 형성할 수 있다.According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrostatic protection component according to the first aspect of the invention, comprising: a first step of forming a film of a surface electrode on an insulating substrate; A second step of covering the upper surface and both side surfaces of the film of the surface electrode with the insulating film; a step of cutting the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step, A third step of forming a second gap and a step of forming a central portion in the first gap and a second gap in a shape having a central portion and both side portions and overlapping the both side portions on the upper surface of the insulating film to form an electrostatic protective film The electrostatic protection film can be formed only on the first gap between the surface electrodes with respect to the surface electrode. That is, the electrostatic protection film can be formed so as to be in contact with only the end face on the gap side with respect to the surface electrode and not with the portion other than the end face.

이 때문에, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의해 제조한 정전기 보호 부품은, 정전기 보호막이 표면 전극의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품에 비해 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, in the electrostatic protection device manufactured by the method for manufacturing an electrostatic protection device of the fourth invention, the insulation resistance can be made much larger than the electrostatic protection device in which the electrostatic protection film is also in contact with a portion other than the end surface of the surface electrode, , And the deviation of the insulation resistance of each component can be made very small.

또, 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의하면, 제 4 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.According to the method of manufacturing an electrostatic protection component of the fifth invention, in the method of manufacturing an electrostatic protection component of the fourth invention, since the insulating film is a glass film, it is easy to form a glass film having heat resistance and insulation And can be carried out at low cost.

또, 제 6 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 의하면, 제 4 또는 제 5 발명의 정전기 보호 부품의 제조 방법에 있어서, 상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 것을 특징으로 하고 있기 때문에 제 1 갭 및 제 2 갭을 용이하게 양호한 정밀도로 형성할 수 있다. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrostatic protection component according to the fourth or fifth aspect of the invention, wherein in the third step, a film of the surface electrode formed in the first step, The first gap and the second gap are formed by simultaneously cutting the insulating film formed in the second step using a third harmonic laser having a UV wavelength region, Can be easily formed with good precision.

도 1 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 구조를 나타내는 단면도 (도 2 의 B-B 선 화살표 단면도) 이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 구조를 나타내는 상면도 (도 1 의 A 방향 화살표도) 이다.
도 3(a) 는 도 1 의 C-C 선 화살표 단면도, (b) 는 도 1 의 D-D 선 화살표 단면도이다.
도 4 는 비교예의 정전기 보호 부품의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정을 나타내는 플로우 차트이다.
도 6 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정의 제 1 설명도이다.
도 7 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정의 제 2 설명도이다.
도 8 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 제조 공정의 제 3 설명도이다.
도 9(a) 는 본 발명 (실시예) 의 정전기 보호 부품 (유리막 있음) 의 ESD 억제 피크 전압 측정 결과를 나타내는 표, (b) 는 비교예의 정전기 보호 부품 (유리막 없음) 의 ESD 억제 피크 전압 측정 결과를 나타내는 표이다.
도 10(a) 는 본 발명 (실시예) 의 정전기 보호 부품 (유리막 있음) 의 리크 전류 측정 결과를 나타내는 표, (b) 는 비교예의 정전기 보호 부품의 리크 전류 측정 결과를 나타내는 표이다.
도 11 은 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예 (유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 단면도 (도 12 의 F-F 선 화살표 단면도) 이다.
도 12 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예(유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 상면도 (도 11 의 E 방향 화살표도) 이다.
도 13(a) 는 도 11 의 G-G 선 화살표 단면도, (b) 는 도 11 의 H-H 선 화살표 단면도이다.
도 14 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예(유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 단면도 (도 15 의 J-J 선 화살표 단면도) 이다.
도 15 는 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 다른 구조예(유리막 부분의 구조예) 를 나타내는 상면도 (도 14 의 I 방향 화살표도) 이다.
Fig. 1 is a cross-sectional view (sectional view taken along the line BB in Fig. 2) showing the structure of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
2 is a top view (A directional view in Fig. 1) showing the structure of an electrostatic discharge protection component according to an embodiment of the present invention.
3 (a) is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 1, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.
4 is a cross-sectional view showing the structure of an electrostatic protection component of a comparative example.
5 is a flowchart showing a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
6 is a first explanatory diagram of a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
7 is a second explanatory diagram of a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
8 is a third explanatory diagram of a manufacturing process of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9A is a table showing ESD suppression peak voltage measurement results of the electrostatic protection parts (with a glass film) of the present invention (embodiment), FIG. 9B is a table showing ESD suppression peak voltage measurements of electrostatic protection parts This is a table showing the results.
10A is a table showing results of leakage current measurement of electrostatic protection parts (with a glass film) of the present invention (embodiment), and FIG. 10B is a table showing results of leakage current measurement of the electrostatic protection parts of the comparative example.
Fig. 11 is a cross-sectional view (FF line arrow cross-sectional view in Fig. 12) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
Fig. 12 is a top view (E direction arrow in Fig. 11) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
13 (a) is a sectional view taken along the line GG in Fig. 11, and Fig. 13 (b) is a sectional view taken along the line HH in Fig.
Fig. 14 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line JJ in Fig. 15) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.
Fig. 15 is a top view (I-direction arrow in Fig. 14) showing another structural example (structural example of the glass film portion) of the electrostatic protection component according to the embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태예를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

먼저, 도 1 ∼ 도 3 에 기초하여, 본 발명의 실시형태예에 관련된 정전기 보호 부품의 구조에 대해 설명한다.First, a structure of an electrostatic protection component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig.

도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 정전기 보호 부품 (100) 은, 휴대 정보 기기 등의 전자 기기의 프린트 기판에 표면 실장하기 위한 부품으로서, 상기 프린트 기판에 실장되어 있는 전자 회로 (전자 부품) 를 정전기 펄스나 외래 노이즈에 의한 과전압으로부터 보호하기 위해, 상기 전자 기기에 있어서 상기 과전압이 인가될 우려가 있는 라인과 그라운드 사이에 형성되는 것이다.The electrostatic protection device 100 shown in Figs. 1 to 3 is a component for surface mounting on a printed circuit board of an electronic device such as a portable information device. The electronic circuit (electronic component) mounted on the printed circuit board is subjected to electrostatic discharge And is formed between the line and the ground in which the overvoltage is likely to be applied in the electronic apparatus in order to protect it from overvoltage due to extraneous noise.

도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 바와 같이, 절연 기판인 세라믹스 기판 (1) 의 표면 (1a) 에는 표면 전극 (2a, 2b) 이 형성되고, 세라믹스 기판 (1) 의 이면 (1b) 에는 이면 전극 (3a, 3b) 이 형성되어 있다. 표면 전극 (2a, 2b) 은, 기판 표면 (1a) 의 길이 방향 전체에 걸쳐 형성되는 한편, 이면 전극 (3a, 3b) 은, 기판 이면 (1b) 의 양단 부분에 형성되어 있다.Surface electrodes 2a and 2b are formed on the surface 1a of the ceramics substrate 1 as an insulating substrate and back electrodes 1b are formed on the back surface 1b of the ceramic substrate 1, , 3b are formed. The front surface electrodes 2a and 2b are formed over the entire lengthwise direction of the substrate surface 1a while the back surface electrodes 3a and 3b are formed at both end portions of the back surface of the substrate 1b.

기판 표면 (1a) 의 중앙부에 있어서, 표면 전극 (2a, 2b) 사이에는, 갭 (협소부) (4a) (제 1 갭) 이 형성되어 있다. 즉, 표면 전극 (2a, 2b) 은, 갭 (4a) 을 개재하여 대향하고 있다. 갭 (4a) 는 레이저법 등의 절단 수단에 의해 표면 전극의 막을 절단 가공하여 형성되어 있고, 폭 (d) 이 10 ㎛ 정도 (본 실시형태예에서는 7 ㎛) 인 것이다.A gap (narrow portion) 4a (first gap) is formed between the surface electrodes 2a and 2b at the central portion of the substrate surface 1a. That is, the surface electrodes 2a and 2b are opposed to each other via the gap 4a. The gap 4a is formed by cutting a surface electrode film by a cutting means such as a laser method and has a width d of about 10 占 퐉 (7 占 퐉 in the present embodiment).

그리고, 표면 전극 (2a) 상 (갭 근방) 에는 절연막인 유리막 (21a) 이 형성되고, 표면 전극 (2b) 상 (갭 근방) 에는 절연막인 유리막 (21b) 이 형성되어 있다. 유리막 (21a, 21b) 사이에는, 갭 (협소부) (4b) (제 2 갭) 이 형성되어 있다. 즉, 유리막 (21a, 21b) 은, 갭 (4b) 을 개재하여 대향하고 있다. 갭 (4b) 은, 갭 (4a) 과 동일하게 레이저법 등의 절단 수단에 의해 유리막을 절단 가공하여 형성된 폭 (d) 이 10 ㎛ 정도 (본 실시형태예에서는 7 ㎛) 인 것으로서, 갭 (4a) 에 이어져 있다. 하층의 갭 (4a) 과 상층의 갭 (4b) 은 서로 겹쳐 있다.A glass film 21a serving as an insulating film is formed on the surface electrode 2a (in the vicinity of the gap), and a glass film 21b serving as an insulating film is formed on the surface electrode 2b (in the vicinity of the gap). A gap (narrow portion) 4b (second gap) is formed between the glass films 21a and 21b. That is, the glass films 21a and 21b are opposed to each other via the gap 4b. The gap 4b has a width d of about 10 占 퐉 (7 占 퐉 in the present embodiment) formed by cutting the glass film by a cutting means such as a laser method in the same manner as the gap 4a, ). The gap 4a in the lower layer overlaps the gap 4b in the upper layer.

표면 전극 (2a) 의 갭측의 단부 (2a-1) 는, 그 상면 (2a-3) 과 양측면 (2a-4, 2a-5) 이 (즉 갭측의 단면 (2a-6) 이외의 부분이), 유리막 (21a) 에 의해 덮여 있다 (특히 도 3(a) 를 참조). 동일하게, 표면 전극 (2b) 의 갭측의 단부 (2b-1) 는, 그 상면 (2b-3) 과 양측면 (2b-4, 2b-5) 이 (즉 갭측의 단면 (2b-6) 이외의 부분이), 유리막 (21b) 에 의해 덮여 있다 (특히 도 3(b) 를 참조).The gap 2a-1 on the gap side of the surface electrode 2a is formed such that the upper surface 2a-3 and both side surfaces 2a-4 and 2a-5 (i.e., the portion other than the end surface 2a- , And is covered with a glass film 21a (see Fig. 3 (a) in particular). Similarly, the gap portion 2b-1 on the gap side of the surface electrode 2b is formed so that the upper surface 2b-3 and both side surfaces 2b-4 and 2b-5 (i.e., Portion) is covered with the glass film 21b (particularly, see Fig. 3 (b)).

갭 (4a, 4b) 에는 정전기 보호막 (5) 이 형성되고, 이 정전기 보호막 (5) 과 표면 전극 (2a, 2b) 이 접속되어 있다. 또한, 표면 전극 (2a) 의 단부 (2a-1) 는 갭측의 단면 (2a-6) 이외의 부분이 유리막 (21a) 에 덮여 있기 때문에, 정전기 보호막 (5) 은, 표면 전극 (2a) 에 대해 단면 (2a-6) 에만 접하고, 상기 단면 (2a-6) 이외의 부분에는 접하고 있지 않다. 동일하게, 표면 전극 (2b) 의 단부 (2b-1) 는 갭측의 단면 (2b-6) 이외의 부분이 유리막 (21b) 에 덮여 있기 때문에, 정전기 보호막 (5) 은, 표면 전극 (2b) 에 대해 단면 (2b-6) 에만 접하고, 상기 단면 (2b-6) 이외의 부분에는 접하고 있지 않다.An electrostatic protection film 5 is formed in the gaps 4a and 4b and the electrostatic protection film 5 and the surface electrodes 2a and 2b are connected. Since the end portion 2a-1 of the surface electrode 2a is covered with the glass film 21a except for the end surface 2a-6 on the gap side, the electrostatic protective film 5 is formed on the surface electrode 2a But is in contact with only the end face 2a-6 and not with the other end face 2a-6. Likewise, since the end portion 2b-1 of the surface electrode 2b is covered with the glass film 21b except for the end surface 2b-6 on the gap side, the electrostatic protective film 5 is formed on the surface electrode 2b But is not in contact with a portion other than the cross section 2b-6.

상세히 서술하면, 정전기 보호막 (5) 은 종단면 형상 (도 1 참조) 이 T 자 형상을 이루고 있고, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖고 있다. 정전기 보호막 (5) 의 중앙부 (5c) 는, 전술한 바와 같이 갭 (4a, 4b) 에 형성되어 있고(즉 갭 (4a, 4b) 을 막고 있고), 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 는, 유리막 (21a, 21b) 의 갭측의 단부 (21a-1, 21b-1) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 에 각각 겹쳐 있다 (즉 유리막 (21a, 21b) 의 내측의 양단을 덮고 있다).More specifically, the electrostatic protection film 5 has a T-shape in longitudinal section (see FIG. 1), and has a central portion 5c and both side portions 5a and 5b. The central portion 5c of the electrostatic protection film 5 is formed in the gaps 4a and 4b as described above (that is, the gaps 4a and 4b are closed) 21b-2 of the end portions 21a-1, 21b-1 on the gap sides of the glass films 21a, 21b (i.e., the glass films 21a, 21b) Lt; / RTI >

정전기 보호 부품의 구조를 예의 검토한 결과, ESD 전압을 인가 후의 절연 저항의 저하를 최대한 적게 하려면, 정전기 보호막 (5) 을 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) 에만 형성하는 것이 바람직하다.As a result of intensive studies on the structure of the electrostatic protection component, it is preferable to form the electrostatic protection film 5 only in the gap 4a between the surface electrodes 2a and 2b in order to minimize the decrease of the insulation resistance after application of the ESD voltage .

그러나, 도 4 에 나타내는 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 과 같이, 유리막은 형성하지 않고 표면 전극 (2a, 2b) 상에 직접, 스크린 인쇄법에 의해 정전기 보호막 (5) 을 형성한 경우, 갭 (4a) 의 폭이 매우 좁기 때문에, 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) 을 형성하는 것은 불가능하여, 어떻게 해도 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 가, 표면 전극 (2a, 2b) 의 단부 (2a-1, 2b-1) 의 상면 (2a-3, 2b-3) 과 겹쳐진 상태가 되지 않을 수 없다.However, when the electrostatic protection film 5 is formed directly on the surface electrodes 2a and 2b by a screen printing method without forming a glass film, as in the electrostatic protection device 200 of the comparative example shown in Fig. 4, It is impossible to form the electrostatic protective film 5 only on the gap 4a so that the both side portions 5a and 5b of the electrostatic protective film 5 are covered with the surface electrodes 2a and 2b, 3 and 2b-3 of the end portions 2a-1 and 2b-1 of the side wall 2a.

그래서, 본 발명에서는, 제조 방법을 연구하여, 도 1 등에 나타내는 바와 같이 표면 전극 (2a, 2b) 상에 유리막 (21a, 21b) 을 형성한 후, 유리막 (21a, 21b) 상으로부터 스크린 인쇄법에 의해 정전기 보호막 (5) 을 형성하는 방법을 실시했다. 그 결과, 유리막 (21a, 21b) 에 대해서는, 갭 (4b) 에 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 이 형성될 뿐만 아니라, 정전기 보호막 (5) 의 양단부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 의 상면에 겹쳐지지만, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 정전기 보호막 (5) 의 양단부 (5a, 5b) 가 상면 (2a-3, 2b-3) 과 겹쳐지는 유리막 (21a, 21b) 에 의해 막아질 수 있기 때문에 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 을 형성할 수 있었다.Thus, in the present invention, the manufacturing method is studied, and glass films 21a and 21b are formed on the surface electrodes 2a and 2b as shown in FIG. 1 and the like. Thereafter, from the glass films 21a and 21b, A method of forming the electrostatic protection film 5 was carried out. As a result, not only the electrostatic protective film 5 (the central portion 5c) is formed in the gap 4b but also the both end portions 5a and 5b of the electrostatic protective film 5 are covered with the glass films 21a and 21b Glass films 21a and 21b which are overlapped with the upper surfaces 2a-3 and 2b-3 at both ends 5a and 5b of the electrostatic protection film 5 are formed on the surface electrodes 2a and 2b, The electrostatic protection film 5 (central portion 5c) can be formed only in the gap 4a.

정전기 보호막 (5) 은, 바인더인 실리콘 수지에 도전성 입자와 절연성 입자의 2 종을 혼합하여 이루어지는 재료를 사용하여 형성한 것이다. 도전성 입자 및 절연성 입자는, 도전성 입자의 표면에 부동태층을 형성하는 것이나, 절연성 입자의 표면에 다른 물질을 도프하는 것 등의 특수한 처리를 실시하지 않은 것이다.The electrostatic protection film 5 is formed by using a material obtained by mixing two kinds of conductive particles and insulating particles in a silicone resin as a binder. The conductive particles and the insulating particles are not subjected to special treatment such as formation of a passive layer on the surface of the conductive particles or doping of the surface of the insulating particles with other substances.

또, 도전성 입자는 도전성 금속 입자의 알루미늄 (Al) 분말이고, 절연성 입자는 산화아연 (ZnO) 분말이다. 산화아연 분말에는, JIS 규격의 제 1 종의 절연성을 갖는 산화아연, 즉 체적 저항률 200 MΩ㎝ 이상의 산화아연을 사용하고 있다. 또한, 실리콘 수지와 알루미늄 분말과 산화아연의 3 성분의 배합비는, 상기 실리콘 수지가 100 중량부인데 대해, 상기 알루미늄 분말이 160 중량부 이상, 상기 산화아연 분말이 120 중량부이다. 이 정전기 보호용 페이스트의 배합비는, ESD 억제 피크 전압을 500 V 이하이고, ESD 내량 (耐量) (20 회 전압 인가) 이 규격값의 리크 전류 10 ㎂ 이하 (절연 저항 R=3MΩ 이상) 라는 목표값을, 본 발명과 비교예의 정전기 보호 부품 (100, 200) 의 어느 것에 있어서도 만족하는 것이다. 그러나, 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 쪽이 보다 리크 전류가 작다 (도 10 참조 : 상세 후술). 따라서, 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 이, 보다 절연성이 향상되어 있다. 또한, ESD 억제 피크 전압이란, 방전 개시시에 생기는 전압이다.The conductive particles are aluminum (Al) powder of conductive metal particles, and the insulating particles are zinc oxide (ZnO) powder. As the zinc oxide powder, zinc oxide having an insulating property of the first kind according to the JIS standard, that is, zinc oxide having a volume resistivity of 200 M? Cm or more is used. The blending ratio of the silicone resin, the aluminum powder and the zinc oxide is 100 parts by weight, and the aluminum powder is 160 parts by weight or more and the zinc oxide powder is 120 parts by weight. The mixing ratio of this electrostatic protection paste should be such that the ESD suppression peak voltage is 500 V or less and the ESD tolerance (20 times voltage) is the target value of the leakage current of 10 ㎂ or less (insulation resistance R = 3 MΩ or more) , And the electrostatic protection devices 100 and 200 of the present invention and the comparative example. However, the static electricity protection component 100 of the present invention has a smaller leakage current (see FIG. 10: detailed later). Therefore, the electrostatic protection device 100 of the present invention has improved insulation. The ESD suppression peak voltage is a voltage generated at the start of discharge.

표면 전극 (2a, 2b) 상에는, 상부 전극 (6a, 6b) 이 각각 형성되어 있다. 표면 전극 (2a, 2b) 은 박막이기 때문에, 상부 전극 (6a, 6b) 에 의해 표면 전극 (2a, 2b) 의 기계적 강도를 보강하고 있다. 단, 정전기 보호막 (5) 에는 접하지 않도록 (정전기 보호막 (5) 으로부터 떨어진 위치에), 상부 전극 (6a, 6b) 을 형성하고 있다. 그 이유는, 상부 전극 (6a, 6b) 이 정전기 보호막 (5) 에 접하고 있으면, 정전기 펄스 등에 의한 과전압이 정전기 보호 부품 (100) 에 인가되었을 때, 표면 전극 (2a, 2b) 사이가 아니라, 상부 전극 (6a, 6b) 사이나 상부 전극 (6a, 6b) 과 표면 전극 (2a, 2b) 사이에서 방전이 개시될 우려가 있고, 그 경우에는 정전기 보호 부품 본래의 정전기 보호 기능을 발휘할 수 없어지기 때문이다.Upper electrodes 6a and 6b are formed on the surface electrodes 2a and 2b, respectively. Since the surface electrodes 2a and 2b are thin films, the mechanical strength of the surface electrodes 2a and 2b is reinforced by the upper electrodes 6a and 6b. However, the upper electrodes 6a and 6b are formed so as not to be in contact with the electrostatic protection film 5 (in a position away from the electrostatic protection film 5). The reason is that when the upper electrodes 6a and 6b are in contact with the electrostatic protection film 5, when an overvoltage due to the electrostatic pulse or the like is applied to the electrostatic protection component 100, not between the surface electrodes 2a and 2b, Discharge may start between the electrodes 6a and 6b or between the upper electrodes 6a and 6b and the surface electrodes 2a and 2b and in this case the static electricity protection function inherent to the electrostatic protection part can not be exerted to be.

또한, 절연막인 유리막 (21a, 21b) 은, 상부 전극 (6a, 6b) 의 하층에는 형성되어 있지 않다.The glass films 21a and 21b which are insulating films are not formed under the upper electrodes 6a and 6b.

정전기 보호막 (5) 은 중간층 (7) 에 덮여 있고, 중간층 (7) 은 보호막 (8) 에 덮여 있다. 보호막 (8) 은, 양단부 (8a, 8b) 가, 상부 전극 (6a, 6b) 의 일부 (갭측의 부분) 에 각각 겹쳐 있다. 그리고, 유리막 (21a, 21b) 은, 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 와 표면 전극 (2a, 2b) 사이에 개재할 뿐만 아니라, 중간층 (7) 과 표면 전극 (2a, 2b) 사이에도 개재하고 있다.The electrostatic protection film 5 is covered with the intermediate layer 7 and the intermediate layer 7 is covered with the protective film 8. [ The protective film 8 has the both end portions 8a and 8b superimposed on a part of the upper electrodes 6a and 6b (portions on the gap side). The glass films 21a and 21b are not only sandwiched between the side portions 5a and 5b of the electrostatic protection film 5 and the surface electrodes 2a and 2b but also between the intermediate layer 7 and the surface electrodes 2a and 2b, .

보호막 (8) 은 내습성 등이 우수하며, 정전기 보호막 (5) 등을 습도 등의 외부 환경 등으로부터 보호하기 위해서 형성되어 있다. 그러나, 보호막 (8) 은 내열성이 불충분하기 때문에, 방전시에 발열하는 정전기 보호막 (5) 을 직접 보호막 (8) 에 의해 덮지 않고, 내열성이 우수한 중간층 (7) 에 의해 정전기 보호막 (5) 을 덮고, 이 중간층 (7) 을 보호막 (8) 에 의해 덮는 구조로 하고 있다.The protective film 8 is excellent in moisture resistance and is formed to protect the electrostatic protection film 5 from an external environment such as humidity. However, since the protective film 8 is insufficient in heat resistance, the electrostatic protective film 5, which generates heat during discharging, is not directly covered with the protective film 8, and the electrostatic protective film 5 is covered with the intermediate layer 7 having excellent heat resistance , And the intermediate layer 7 is covered with the protective film 8.

중간층 (7) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 사이에서 이상 방전이 발생하는 것을 회피하는 기능도 갖고 있다. 또, 중간층 (7) 은 실리콘 수지 등의 수지 재료에 실리카 등의 무기 필러를 적당량 첨가한 탄력성이 있는 것 (엘라스토머) 으로서, 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) (정전기 보호막 (5)) 에서 방전되었을 때의 내부 에너지 (내압) 의 상승을 억제하여 (상기 내부 에너지를 흡수하여), 상기 내부 에너지의 상승에 의한 충격에 의해 정전기 보호 부품 (100) 이 파손되는 것을 방지하는 기능 (완충 기능) 도 갖고 있다.The intermediate layer 7 also has a function of avoiding occurrence of abnormal discharge between the surface electrodes 2a and 2b. The intermediate layer 7 is a flexible material (elastomer) obtained by adding an appropriate amount of an inorganic filler such as silica to a resin material such as a silicone resin to form a gap 4a between the surface electrodes 2a and 2b A function of preventing the rise of the internal energy (internal pressure) at the time of discharging in the internal space (absorbing the internal energy) to prevent the damage of the electrostatic protection component 100 due to the impact caused by the rise of the internal energy Buffering function).

세라믹스 기판 (1) 의 양단면 (1c, 1d) 에는 단면 전극 (9a, 9b) 이 각각 형성되어 있고, 이들 단면 전극 (9a, 9b) 에 의해 표면 전극 (2a, 2b) 과 이면 전극 (3a, 3b) 을 각각 전기적으로 접속하고 있다. 또, 단면 전극 (9a, 9b) 의 단부 (9a-1, 9a-2, 9b-1, 9b-2) 가, 표면 전극 (2a, 2b) 의 단부 (2a-2, 2b-2) 와 이면 전극 (3a, 3b) 의 단부 (3a-1, 3b-1) 에 각각 겹쳐 있기 때문에, 단면 전극 (9a, 9b) 과 표면 전극 (2a, 2b) 및 이면 전극 (3a, 3b) 의 접속이 보다 확실해져 있다.Sectional electrodes 9a and 9b are formed on both end faces 1c and 1d of the ceramic substrate 1. The surface electrodes 2a and 2b and the back electrodes 3a and 3b are formed by these end face electrodes 9a and 9b, 3b are electrically connected to each other. The end portions 9a-1, 9a-2, 9b-1 and 9b-2 of the end surface electrodes 2a and 2b and the end portions 2a-2 and 2b- The connection between the cross-section electrodes 9a and 9b and the surface electrodes 2a and 2b and the backside electrodes 3a and 3b is more preferable because the electrodes 3a and 3b are overlapped with the end portions 3a-1 and 3b- It is clear.

또한, 단면 전극 (9a, 9b) 등에 대해, 단자 전극으로서의 신뢰성을 향상시키기 위해, 니켈 (Ni) 의 도금막 (10a, 10b) 과 주석 (Sn) 의 도금막 (11a, 11b) 이 순서대로 형성되어 있다. 니켈 도금막 (10a, 10b) 은 단면 전극 (9a, 9b) 과, 이면 전극 (3a, 3b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 의 일부와, 상부 전극 (6a, 6b) 의 일부를 각각 덮고 있고, 주석 도금막 (11a, 11b) 은 니켈 도금막 (10a, 10b) 을 각각 덮고 있다.Plating films 11a and 11b of nickel (Ni) plated films 10a and 10b and tin (Sn) are formed in order to improve the reliability of the terminal electrodes with respect to the end surface electrodes 9a and 9b . The nickel plated films 10a and 10b cover the end faces 9a and 9b and the back face electrodes 3a and 3b and a part of the face electrodes 2a and 2b and the upper electrodes 6a and 6b And the tin plating films 11a and 11b cover the nickel plating films 10a and 10b, respectively.

다음으로, 도 5 ∼ 도 8 에 기초하여, 본 실시형태예의 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 5 의 플로우 차트의 각 제조 공정 (단계) 에는 S1 ∼ S20 의 부호를 교부했다. 또, 도 6(a) ∼ (d), 도 7(a) ∼ (d), 도 8(a) ∼ (d) 에는, 각 제조 공정에 있어서의 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 상태를 순서대로 나타내고 있다.Next, a method of manufacturing the electrostatic protection device 100 of this embodiment will be described with reference to Figs. 5 to 8. Fig. In each manufacturing step (step) in the flowchart of Fig. 5, the symbols S1 to S20 are given. 6A to 6D, Figs. 7A to 7D, and 8A to 8D show the manufacturing states of the electrostatic protection device 100 in each manufacturing step in the order .

또한, 본 실시형태예에서는 1005 타입의 정전기 보호 부품 (100) (도 2 에 나타내는 폭 (W) 이 0.5 ㎜, 길이 (L) 가 1.0 ㎜ 인 것) 을 제조했다.In this embodiment, a 1005 type electrostatic protection device 100 (having a width W of 0.5 mm and a length L of 1.0 mm shown in Fig. 2) was manufactured.

최초의 공정 (단계 S1) 에서는, 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 세라믹스 기판 (1) 을, 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 공정 (도시 생략) 에 받아들인다. 여기서는 세라믹스 기판 (1) 으로서 알루미나 기판을 사용하였다. 이 알루미나 기판은, 96 % 알루미나를 세라믹스 재료로 사용함으로써 제조한 것이다.In the first step (step S1), the ceramic substrate 1 is received in a manufacturing process (not shown) of the electrostatic protection component 100, as shown in Fig. 6 (a). Here, an alumina substrate was used as the ceramics substrate 1. This alumina substrate was manufactured by using 96% alumina as a ceramic material.

또한, 도 6(a) 에는 1 개편 (個片) 의 정전기 보호 부품 (100) 에 대응하는 하나의 개편 영역의 세라믹스 기판 (1) 만을 도시하고 있지만, 단계 S15 에서 1 차 분할되기 전의 실제 세라믹스 기판 (1) 은, 1 차 슬릿과 2 차 슬릿이 종횡으로 복수개 형성되고, 개편 영역이 종횡으로 복수개 연결된 시트상의 것이다.6A shows only one piece of the ceramic substrate 1 corresponding to one piece of the electrostatic protection component 100. However, in the step S15, the actual ceramic substrate 1 before the first division (1) is a sheet-like sheet in which a plurality of primary slits and secondary slits are formed longitudinally and laterally, and a plurality of rearranged regions are vertically and horizontally connected.

다음의 공정 (단계 S2) 에서는, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 세라믹스 기판 (1) 의 이면 (1b) 에 이면 전극 (3a, 3b) 을 형성한다. 이면 전극 (3a, 3b) 은, 스크린 인쇄법에 의해, 전극 페이스트를 기판 이면 (1b) 에 도포하여 패턴화함으로써 형성된다. 여기서는 전극 페이스트로서 은 (Ag) 페이스트를 사용한하였다. 스크린 인쇄한 이면 전극 (3a, 3b) 은, 건조시켜 전극 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.In the next step (step S2), the back electrodes 3a and 3b are formed on the back surface 1b of the ceramics substrate 1 as shown in Fig. 6 (b). The back electrodes 3a and 3b are formed by applying an electrode paste to the back surface 1b of the substrate by a screen printing method and patterning them. Here, silver (Ag) paste was used as an electrode paste. The screen-printed back electrodes 3a and 3b are dried to evaporate the solvent in the electrode paste.

다음의 공정 (단계 S3) 에서는, 도 6(c) 에 나타내는 바와 같이, 세라믹스 기판 (1) 의 표면 (1a) 에 표면 전극 (2) 의 막 (나중의 공정에서 표면 전극 (2a, 2b) 을 형성하기 위한 막) 을 형성한다. 표면 전극의 막 (2) 은, 스크린 인쇄법에 의해, 전극 페이스트를 기판 표면 (1a) 에 도포하여 패턴화함으로써 형성된다. 여기서는 전극 페이스트로서 금 레지네이트 페이스트를 사용하였다. 스크린 인쇄한 표면 전극 (2) 의 막은, 건조시켜 전극 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.In the next step (step S3), as shown in Fig. 6 (c), the surface electrode 2a of the surface electrode 2 (surface electrodes 2a and 2b in the later process) Is formed. The film 2 of the surface electrode is formed by applying an electrode paste to the substrate surface 1a by screen printing and patterning it. In this case, a gold resinate paste was used as an electrode paste. The film of the screen-printed surface electrode 2 is dried to evaporate the solvent in the electrode paste.

또한, 표면 전극 (2) 의 막을 형성하기 위한 전극 페이스트로는, 금 이외의 레지네이트 페이스트 (금속 유기물 페이스트) 를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 백금 (Pt) 이나 은 (Ag) 의 레지네이트 페이스트 등을 사용할 수 있다. 이면 전극 (3a, 3b) 을 형성하기 위한 전극 페이스트로서 은·파라듐 (Ag·Pd) 페이스트를 사용할 수도 있다.As the electrode paste for forming the film of the surface electrode 2, a resin paste other than gold (metal organic paste) may be used. For example, a resin paste of platinum (Pt) or silver (Ag) can be used. As the electrode paste for forming the back electrodes 3a and 3b, silver-palladium (Ag · Pd) paste may be used.

다음의 공정 (단계 S4) 에서는, 단계 S2 에서 형성한 이면 전극 (3a, 3b) 과 단계 S3 에서 형성한 표면 전극 (2) 을, 850 ℃ 의 온도에서 40 분간, 동시에 소성 한다.In the next step (step S4), the back electrodes 3a and 3b formed in step S2 and the surface electrodes 2 formed in step S3 are simultaneously fired at a temperature of 850 DEG C for 40 minutes.

그리고, 다음의 공정 (단계 S5) 에서는, 도 6(d) 에 나타내는 바와 같이, 표면 전극 (2) 의 중앙부에 유리막 (21) (나중의 공정에서 유리막 (21a, 21b) 을 형성하기 위한 막) 을 형성한다. 유리막 (21) 은, 스크린 인쇄법에 의해, 붕규산계 유리 페이스트를 표면 전극 (2) 상에 (표면 전극 (2) 의 중앙부를 덮도록) 도포하여 패턴화함으로써 형성된다.6 (d), a glass film 21 (a film for forming the glass films 21a and 21b in a later process) is formed in the central portion of the surface electrode 2 in the next step (step S5) . The glass film 21 is formed by applying a borosilicate glass paste to the surface electrode 2 (covering the center portion of the surface electrode 2) by screen printing and patterning.

다음의 공정 (단계 S6) 에서는, 단계 S5 에서 형성한 유리막 (21) 을, 600 ℃ 의 온도에서 소성했다.In the next step (step S6), the glass film 21 formed in step S5 was fired at a temperature of 600 占 폚.

다음의 공정 (단계 S7) 에서는, 도 7(a) 에 나타내는 바와 같이, UV 파장 영역을 갖는 레이저 (도시 생략) 를 사용한 레이저법에 의해, 단계 S6 에서 소성한 유리막 (21) 의 중앙부와 단계 S4 에서 소성한 표면 전극 (2) 의 중앙부를 동시에 절단 가공함으로써, 일렬로 이어지는 (서로 겹치는) 상층의 갭 (4b) 과 하층의 갭 (4a) 을 동시에 형성한다. 여기서는 UV 파장 영역을 갖는 레이저로서 제 3 차 고조파 레이저 (파장 : 355 ㎚) 를 사용하였다. 갭 (4a, 4b) 의 폭 (d) 은 7 ㎛ 로 했다. 갭 (4a, 4b) 을 형성한 결과, 갭 (4a) 을 개재하여 1 쌍의 표면 전극 (2a, 2b) 이 대향하는 구조가 되고, 또한, 갭 (4b) 을 개재하여 1 쌍의 유리막 (21a, 21b) 이 대향하는 구조가 된다.In the next step (step S7), as shown in Fig. 7 (a), the central part of the glass film 21 fired in step S6 and the central part of the glass film 21 fired in step S4 The upper portion gap 4b and the lower layer gap 4a are formed at the same time by cutting the central portion of the surface electrode 2 fired at the same time. Here, a third harmonic laser (wavelength: 355 nm) was used as a laser having a UV wavelength range. The width d of the gaps 4a and 4b was set to 7 mu m. As a result of forming the gaps 4a and 4b, a pair of surface electrodes 2a and 2b are opposed to each other via the gap 4a and a pair of glass films 21a , 21b are opposed to each other.

다음의 공정 (단계 S8) 에서는, 도 7(b) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 도전성 페이스트를 표면 전극 (2a, 2b) 의 각각에 도포하여 패턴화 함으로써, 표면 전극 (2a, 2b) 상에 상부 전극 (6a, 6b) 을 형성한다. 이 때의 스크린 인쇄의 횟수는 1 회이다. 상부 전극 (6a, 6b) 은, 정전기 보호막 (5) 에 접촉하지 않도록 하기 위해, 정전기 보호막 (5) 으로부터 떨어진 위치에 있어서, 표면 전극 (2a, 2b) 과 겹쳐지도록 형성된다. 스크린 인쇄 후의 상부 전극 (6a, 6b) 은, 건조시켜 도전성 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.In the next step (Step S8), as shown in Fig. 7 (b), the conductive paste is applied to each of the surface electrodes 2a and 2b by screen printing to pattern the surface electrodes 2a and 2b The upper electrodes 6a and 6b are formed. The number of times of screen printing at this time is one. The upper electrodes 6a and 6b are formed so as to overlap with the surface electrodes 2a and 2b at positions away from the electrostatic protection film 5 in order to prevent them from coming into contact with the electrostatic protection film 5. [ The upper electrodes 6a and 6b after the screen printing are dried to evaporate the solvent in the conductive paste.

이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는, 메시 사이즈 400 이고, 에멀션 두께 8±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : st400).The screen mesh used in this screen printing has a mesh size of 400 and an emulsion thickness of 8 占 占 퐉 (part number: st400).

또, 도전성 페이스트로는, 은 분말과 에폭시 수지를 혼련 (混練) 한 것을 사용하였다. 또한, 이것에 한정되지 않고, 니켈 (Ni), 구리 (Cu) 분말 등과 에폭시 수지를 혼련한 후막 (厚膜) 전극 페이스트 등을, 상부 전극용의 도전성 페이스트로서 사용해도 된다.As the conductive paste, silver powder and epoxy resin were mixed and kneaded. The present invention is not limited to this, and a thick film electrode paste or the like obtained by kneading an epoxy resin with nickel (Ni), copper (Cu) powder or the like may be used as the conductive paste for the upper electrode.

다음의 공정 (단계 S9) 에서는, 도 7(c) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 정전기 보호용 페이스트를 갭 (4a, 4b) 부분에 도포하여 패턴화함으로써, 정전기 보호막 (5) 을 형성한다. 이 때 정전기 보호막 (5) 은 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖는 형상이 된다. 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 정전기 보호막 (5) 의 중앙부 (5c) 가 갭 (4a) 에만 형성되어 (갭 (4a) 을 막고), 표면 전극 (2a, 2b) 에 접속되고, 유리막 (21a, 21b) 에 대해서는, 정전기 보호막 (5) 의 중앙부 (5c) 가 갭 (4b) 에 형성되고 (갭 (4b) 을 막고), 또한, 정전기 보호막 (5) 의 양단부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 의 일부 (갭측의 단부) 와 겹쳐진다.In the next step (step S9), as shown in Fig. 7 (c), the electrostatic protection film 5 is formed by applying the electrostatic protection paste to the gaps 4a and 4b and patterning them by screen printing do. At this time, the electrostatic protection film 5 has a shape having a central portion 5c and both side portions 5a and 5b. The central portion 5c of the electrostatic protection film 5 is formed only on the gap 4a (covering the gap 4a) and connected to the surface electrodes 2a and 2b, The central portion 5c of the electrostatic protection film 5 is formed in the gap 4b and the both ends 5a and 5b of the electrostatic protection film 5 are covered with the glass film (End portions on the gap side) of the upper surfaces 21a-2 and 21b-2 of the first and second electrodes 21a and 21b.

스크린 인쇄 후의 정전기 보호막 (5) 은, 100 ℃ 의 온도에서 10 분간 건조시켜 정전기 보호용 페이스트 중의 용제를 증발시킨다.The electrostatic protective film 5 after the screen printing is dried at a temperature of 100 캜 for 10 minutes to evaporate the solvent in the electrostatic protection paste.

또한, 이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는 캘린더 메시로, 메시 사이즈 400 이고 선 직경 18 ㎛, 에멀션 두께 5±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : cal400/18).The screen mesh used in this screen printing is a calendered mesh having a mesh size of 400, a line diameter of 18 mu m and an emulsion thickness of 5 +/- 2 mu m (part number: cal400 / 18).

또, 여기서 사용한 정전기 보호용 페이스트는, 실리콘 수지의 바인더를 기본 재료로 하고, 이 실리콘 수지에, 도전성 입자로서 사용한 알루미늄 분말과, 절연성 입자로서 사용한 산화아연 분말의 2 종을 혼련한 것이다. 또한, 이들 3 성분의 배합비는, 실리콘 수지가 100 중량부인데 대해, 알루미늄 분말이 160 중량부, 산화아연 분말이 120 중량부로 했다. 이 경우, ESD 억제 피크 전압이 500 V 이하이고, ESD 내량이 규격값의 리크 전류 10 ㎂ 이하 (절연 저항 R=3MΩ 이상) 라는 목표값을 만족한다.The electrostatic protection paste used here is obtained by kneading two kinds of the aluminum powder used as the conductive particles and the zinc oxide powder used as the insulating particles in the silicone resin with the base material of the silicone resin as the base material. The mixing ratio of these three components was 160 parts by weight of the aluminum powder and 120 parts by weight of the zinc oxide powder while the silicone resin was 100 parts by weight. In this case, the target value of the ESD suppression peak voltage is 500 V or less and the ESD internal capacity is a leakage current of 10 ㎂ or less (insulation resistance R = 3 MΩ or more).

또, 실리콘 수지로는, 체적 저항률 2×1015Ω㎝, 유전율 2.7 의 부가 반응형 실리콘 수지를 사용하였다.In addition, a silicone resin with, an addition reaction type silicone resin of the volume resistivity of 2 × 10 15 Ω㎝, dielectric constant of 2.7 was used.

알루미늄 분말로는, 알루미늄을 용융하여, 고압 분무하고 냉각 고화시켜 이루어지는 평균 입경 3.0 ∼ 3.6 ㎛ 의 알루미늄 분말을 사용하였다.As the aluminum powder, aluminum powder having an average particle size of 3.0 to 3.6 mu m, which is obtained by melting aluminum, spraying it under high pressure, and cooling and solidifying it, was used.

산화아연 분말로는, JIS 규격의 제 1 종 절연성 (체적 저항률 200 MΩ㎝ 이상) 을 갖는 산화아연을 사용하였다. 또, 이 산화아연 분말에는, 입경이 0.3 ∼ 1.5 ㎛ 로 분포하고, 평균 입경이 0.6 ㎛ 이고, 1 차 응집에서의 입경이 1.5 ㎛ 인 산화아연 분말을 적용했다.As the zinc oxide powder, zinc oxide having a type 1 insulating property (volume resistivity of 200 M? Cm or more) according to JIS standard was used. The zinc oxide powder used was a zinc oxide powder having a particle diameter of 0.3 to 1.5 占 퐉, an average particle diameter of 0.6 占 퐉, and a particle diameter of 1.5 占 퐉 in primary agglomeration.

다음의 공정 (단계 S10) 에서는, 단계 S8 에서 형성한 상부 전극 (6a, 6b) 과 단계 S9 에서 형성한 정전기 보호막 (5) 을, 200 ℃ 의 온도에서 30 분간, 동시에 베이킹한다.In the next step (step S10), the upper electrodes 6a and 6b formed in step S8 and the electrostatic protective film 5 formed in step S9 are simultaneously baked at a temperature of 200 DEG C for 30 minutes.

다음의 공정 (단계 S11) 에서는, 도 7(d) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 실리콘 수지 페이스트를, 정전기 보호막 (5) 및 유리막 (21a, 21b) 에 도포하여 패턴화함으로써, 정전기 보호막 (5) 등을 덮는 중간층 (7) 을 형성한다. 이 때의 스크린 인쇄의 횟수는 1 회이다.7 (d), a silicone resin paste is applied to the electrostatic protection film 5 and the glass films 21a and 21b by a screen printing method to form a pattern, The intermediate layer 7 covering the protective film 5 and the like is formed. The number of times of screen printing at this time is one.

여기서는 실리콘 수지 페이스트로서 40 ∼ 50 % 의 실리카를 함유하는 실리콘 수지 페이스트를 사용하였다.Here, a silicone resin paste containing 40 to 50% of silica as a silicone resin paste was used.

또, 이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는 캘린더 메시로, 메시 사이즈 400 이고, 선 직경 18 ㎛, 에멀션 두께 5±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : cal400/18).The screen mesh used in the screen printing is a calendered mesh having a mesh size of 400, a line diameter of 18 mu m and an emulsion thickness of 5 +/- 2 mu m (part number: cal400 / 18).

다음의 공정 (단계 S12) 에서는, 단계 S11 에서 형성한 중간층 (7) 을, 150 ℃ 의 온도에서 30 분간 베이킹을 한다.In the next step (step S12), the intermediate layer 7 formed in step S11 is baked at a temperature of 150 DEG C for 30 minutes.

다음의 공정 (단계 S13) 에서는, 도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법에 의해, 에폭시 수지 페이스트를, 중간층 (7), 유리막 (21a, 21b), 표면 전극 (2a, 2b) 및 상부 전극 (6a, 6b) 에 도포하여 패턴화함으로써, 중간층 (7) 등을 덮는 보호막 (8) 을 형성한다. 이 때의 스크린 인쇄의 횟수는 2 회이다.In the next step (Step S13), an epoxy resin paste is applied to the intermediate layer 7, the glass films 21a and 21b, the surface electrodes 2a and 2b, Is applied to the upper electrodes 6a and 6b to be patterned to form a protective film 8 covering the intermediate layer 7 and the like. The number of times of screen printing at this time is two.

또한, 이 스크린 인쇄에서 사용한 스크린 메시는, 메시 사이즈 400 이고, 에멀션 두께 10±2 ㎛ 인 것이다 (품번 : 3DSus400/19).The screen mesh used in the screen printing had a mesh size of 400 and an emulsion thickness of 10 ± 2 μm (part number: 3DSus 400/19).

다음의 공정 (단계 S14) 에서는, 단계 S13 에서 형성한 보호막 (8) 을, 200 ℃ 의 온도에서 30 분간 베이킹한다.In the next step (step S14), the protective film 8 formed in step S13 is baked at a temperature of 200 DEG C for 30 minutes.

다음의 공정 (단계 S15) 에서는, 시트 형상의 세라믹스 기판 (1) 에 형성되어 있는 1 차 슬릿을 따라, 세라믹스 기판 (1) 을 1 차 분할한다. 그 결과, 세라믹스 기판 (1) 은 복수개의 개편 영역이 횡일렬로 연결된 띠형상의 것이 되어, 단면 (1c, 1d) 이 생긴다.In the next step (Step S15), the ceramics substrate 1 is firstly divided along the primary slits formed in the sheet-like ceramic substrate 1. Then, As a result, the ceramic substrate 1 is formed into a strip-like shape in which a plurality of separate regions are connected in a row in a line, and the end faces 1c and 1d are formed.

다음의 공정 (단계 S16) 에서는, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 전사법에 의해, 도전성 페이스트를, 세라믹스 기판 (1) 의 단면 (1c, 1d), 표면 전극 (2a, 2b) 의 일부, 이면 전극 (3a, 3b) 의 일부에 도포하고, 이것을 다음의 공정 (단계 S17) 에서, 200 ℃ 의 온도에서 30 분간 베이킹함으로써, 단면 전극 (9a, 9b) 을 형성한다. 이 때 단면 전극 (9a, 9b) 은 표면 전극 (2a, 2b) 및 이면 전극 (3a, 3b) 에 일부 겹치고, 표면 전극 (2a, 2b) 과 이면 전극 (3a, 3b) 을 전기적으로 접속한다.In the next step (step S16), as shown in Fig. 8 (b), the conductive paste is applied to the end faces 1c and 1d of the ceramics substrate 1, a part of the surface electrodes 2a and 2b And the back electrode portions 3a and 3b are baked at a temperature of 200 DEG C for 30 minutes in the next step (Step S17) to form the end surface electrodes 9a and 9b. At this time, the cross-section electrodes 9a and 9b partially overlap the surface electrodes 2a and 2b and the back surface electrodes 3a and 3b to electrically connect the surface electrodes 2a and 2b and the back surface electrodes 3a and 3b.

여기서는 도전성 페이스트로서 은 분말과 에폭시 수지를 혼련한 페이스트를 사용하였다.Here, a paste obtained by kneading a silver powder and an epoxy resin as a conductive paste was used.

다음의 공정 (단계 S18) 에서는, 띠형상의 세라믹스 기판 (1) 에 형성되어 있는 2 차 슬릿을 따라, 세라믹스 기판 (1) 을 2 차 분할한다. 그 결과, 세라믹스 기판 (1) 은 각 개편 영역마다 분할되어, 개편이 된다.In the next step (Step S18), the ceramics substrate 1 is secondarily divided along the secondary slits formed in the strip-shaped ceramic substrate 1. Then, As a result, the ceramic substrate 1 is divided for each reorganization area and is reorganized.

다음의 공정 (단계 S19) 에서는, 도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 배럴 도금 방식에 의해, 단면 전극 (9a, 9b) 과, 이면 전극 (3a, 3b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 의 일부와, 상부 전극 (6a, 6b) 의 일부 상에 전기 도금하여, 니켈 도금막 (10a, 10b) 을 형성한다.In the next step (Step S19), the end face electrodes 9a and 9b, the back face electrodes 3a and 3b and the face electrodes 2a and 2b are formed by a barrel plating method, as shown in Fig. 8 (c) And a part of the upper electrodes 6a and 6b are electroplated to form nickel plated films 10a and 10b.

마지막 공정 (단계 S20) 에서는, 도 8(d) 에 나타내는 바와 같이, 배럴 도금 방식에 의해, 단계 S19 에서 형성한 니켈 도금막 (10a, 10b) 상에 전기 도금하여, 주석 도금막 (11a, 11b) 을 형성한다. 이렇게 하여, 정전기 보호 부품 (100) 이 완성된다.In the last step (step S20), the nickel plating films 10a and 10b formed in step S19 are electroplated by a barrel plating method to form tin plating films 11a and 11b ). Thus, the electrostatic protection component 100 is completed.

다음으로, 도 9 및 도 10 에 기초하여, 본 발명의 유리막 (21a, 21b) 을 갖는 정전기 보호 부품 (100) (도 1) 과, 비교예의 유리막이 없는 정전기 보호 부품 (200) 에 대해 실시한 ESD 시험의 결과에 대해 설명한다.9 and 10, the electrostatic protection device 100 (FIG. 1) having the glass films 21a and 21b of the present invention and the ESD protection device 200 having no glass film of the comparative example The results of the test will be described.

ESD 시험은, IEC61000-4-2 8 ㎸ 에 준거한 ESD 전압을 정전기 보호 부품 (100, 200) 에 인가하는 방법으로 실시하였다.The ESD test was performed by applying an ESD voltage conforming to IEC61000-4-2 8 kV to the electrostatic protection components 100 and 200.

본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 에 대해서는, 상기와 동일한 제조 공정으로 10 개의 시료를 제조하고, 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 에 대해서는, 유리막이 없는 것 이외에는 상기와 동일한 제조 공정에서 10 개의 시료를 제조했다. 그리고, 어느 시료에 대해서도 ESD 전압을 20 회 인가하였다.For the electrostatic protection component 100 of the present invention, 10 samples were produced in the same manufacturing process as described above. For the electrostatic protection component 200 of the comparative example, 10 samples . The ESD voltage was applied to all the samples 20 times.

도 9(a) 에는 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 의 시료에 대해 1 회째 ESD 전압 인가시의 ESD 억제 피크 전압의 측정 결과를 나타내고, 도 9(b) 에는 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 의 시료에 대해 1 회째 ESD 전압 인가시의 ESD 억제 피크 전압의 측정 결과를 나타내고 있다.9 (a) shows the result of measurement of the ESD suppression peak voltage at the first application of the ESD voltage to the sample of the electrostatic protection device 100 of the present invention. Fig. 9 (b) Shows the measurement result of the ESD suppression peak voltage at the time of the first application of the ESD voltage to the sample of Fig.

이들 측정 결과로부터, ESD 억제 피크 전압에 관해서는, 모든 시료가 500 V 이하의 목표값을 만족하고 있으며, 양 시료에 현저한 차이는 관찰되지 않았다.From these measurement results, with respect to the ESD suppression peak voltage, all the samples satisfied the target value of 500 V or less, and no significant difference was observed in both samples.

한편, 도 10(a) 에는 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 의 시료에 대해 1회째와 10 회째와 20 회째의 ESD 전압 인가 후에 리크 전류를 측정한 결과를 나타내고, 도 10(b) 에는 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 의 시료에 대해 20 회째의 ESD 전압 인가 후에 리크 전류를 측정한 결과를 나타내고 있다.On the other hand, FIG. 10 (a) shows the results of measurement of leak current after the first, 10th and 20th ESD voltage application to the sample of the electrostatic protection device 100 of the present invention, Shows the result of measuring the leak current after the application of the ESD voltage for the 20th time to the sample of the example electrostatic protection component 200. [

그리고, 도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 정전기 보호 부품 (100) 에 대해서는, 모든 시료가, 1 회째와 10 회째와 20 회째 중 어느 ESD 전압 인가 후에 있어서도, 리크 전류가 0.001 ㎂ 라는 매우 작은 값이고, 또한, 시료 (부품) 마다의 리크 전류의 편차도 거의 없었다. 즉, 모든 시료가, 절연 저항이 매우 크고, 또한, 시료마다의 절연 저항의 편차도, 거의 없는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Fig. 10 (a), in the electrostatic protection device 100 of the present invention, even when ESD voltage is applied to all the samples in the first, the 10th, and the 20th, the leakage current is 0.001 라는 And the leak current of each sample (component) was not substantially varied. That is, it was confirmed that all the samples had very high insulation resistance, and there was almost no variation in insulation resistance for each sample.

이에 대하여, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 비교예의 정전기 보호 부품 (200) 에 대해서는, 모든 시료가 10 ㎂ 이하라는 목표값은 만족하고 있지만, 도 10(a) 의 결과와 비교하면, 리크 전류가 큰 시료가 많이 관찰되고, 또한, 시료마다의 리크 전류의 편차도 매우 컸다. 즉, 절연 저항이 비교적 작고, 또한, 시료마다의 절연 저항의 편차도 큰 것을 확인할 수 있었다.On the other hand, as shown in Fig. 10 (b), the static electricity protection component 200 of the comparative example satisfies the target value that all the samples are 10 占 이하 or less. Compared with the result of Fig. 10 (a) A large amount of current samples were observed, and a variation in leakage current for each sample was also very large. That is, it was confirmed that the insulation resistance was relatively small and the variation of insulation resistance per sample was large.

또한, 유리막 (21a, 21b) 의 구조는 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 구조에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 도 11 ∼ 도 13 에 나타내는 구조나, 도 14 및 도 15에 나타내는 구조여도 된다.The structure of the glass films 21a and 21b is not limited to the structures shown in Figs. 1 to 3, and may be a structure shown in Figs. 11 to 13, or a structure shown in Figs. 14 and 15, for example.

상세히 서술하면, 도 11 ∼ 도 13 에 나타내는 정전기 보호 부품 (300) 에서는, 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 정전기 보호 부품 (100) 에 비해 (특히 도 2, 도 3 참조), 유리막 (21a, 21b) 의 폭이 넓어져 있다 (특히 도 12, 도 13 참조 : 이들 도면의 상하 방향이 유리막 (21a, 21b) 의 폭방향이다).1 to 3 (particularly Figs. 2 and 3), the glass films 21a and 21b are provided in the electrostatic protection component 300 shown in Figs. 11 to 13 in detail, (See Figs. 12 and 13: the upper and lower directions in these drawings are the width direction of the glass films 21a and 21b).

구체적으로는, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (100) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 의 폭보다는 넓지만, 정전기 보호막 (5) 의 폭보다는 좁은 폭이 되어 있고, 표면 전극 (2a) 의 양측면 (2a-4, 2a-5) 이나 표면 전극 (2b) 의 양측면 (2b-4, 2b) 을 덮어 상기 측면 (2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5) 이 정전기 보호막 (5) 에 접하는 것을 방지하는 것이 가능한 최소한의 폭을 갖고 있다. 이에 대하여, 도 12 및 도 13 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (300) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 의 폭, 정전기 보호막 (5) 의 폭, 및, 중간층 (7) 의 폭의 어느 것보다도 넓은 폭을 갖고 있다.2 and 3, the glass films 21a and 21b of the electrostatic protection device 100 are wider than the widths of the surface electrodes 2a and 2b, but the glass films 21a and 21b of the electrostatic protection film 5 4a and 2a-5 of the front-surface electrode 2a and both side surfaces 2b-4 and 2b of the front-surface electrode 2b, and the side surfaces 2a-4 and 2a- 5, 2b-4, and 2b-5 are prevented from coming into contact with the electrostatic protection film 5. On the other hand, as shown in Figs. 12 and 13, the glass films 21a and 21b of the electrostatic protection component 300 are formed so that the width of the surface electrodes 2a and 2b, the width of the electrostatic protection film 5, And has a width wider than any of the widths of the intermediate layer 7.

또한, 정전기 보호 부품 (300) 의 다른 구조에 대해서는, 정전기 보호 부품 (100) 의 구조와 동일하다. 또, 정전기 보호 부품 (300) 의 제조 방법에 대해서도, 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법과 동일하다.The other structure of the electrostatic protection component 300 is the same as that of the electrostatic protection component 100. [ The manufacturing method of the electrostatic protection component 300 is also the same as the manufacturing method of the electrostatic protection component 100. [

도 14 의 K-K 선 화살표 단면 및 L-L 선 화살표 단면의 구조에 대해서는, 도 3(a) 에 나타내는 단면 및 도 3(b) 에 나타내는 단면의 구조와 동일하기 때문에, 도 3 을 참조한다.The structure of the K-K line arrow cross section and the L-L line arrow cross section in Fig. 14 is the same as the cross section shown in Fig. 3 (a) and the cross section shown in Fig. 3 (b).

도 3, 도 14 및 도 15 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (400) 은, 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 정전기 보호 부품 (100) 에 비해 (특히 도 1, 도 2 참조), 유리막 (21a, 21b) 의 길이가 짧아져 있다 (특히 도 14, 도 15 참조 : 이들 도면의 좌우 방향이 유리막 (21a, 21b) 의 길이 방향이다).As shown in Figs. 3, 14, and 15, the electrostatic protection component 400 is superior to the electrostatic protection component 100 shown in Figs. 1 to 3 (see Figs. 1 and 2 in particular) 21b are shortened (in particular, see Figs. 14 and 15: the left and right directions in these drawings are the longitudinal directions of the glass films 21a, 21b).

구체적으로는, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (100) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 정전기 보호막 (5) 의 길이 및 중간층 (7) 의 길이의 어느 것보다도 길어져 있다. 이에 대하여, 도 14 및 도 15 에 나타내는 바와 같이, 정전기 보호 부품 (400) 에 있어서의 유리막 (21a, 21b) 은, 정전기 보호막 (5) 의 길이보다는 길지만, 중간층 (7) 의 길이보다는 짧아져 있어 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 와 표면 전극 (2a, 2b) 사이에 개재하여 (즉 표면 전극 (2a, 2b) 의 단부 (2a-1, 2b-1) 의 표면 (2a-3, 2b-3) 을 덮어) 정전기 보호막 (5) 의 양측부 (5a, 5b) 가 표면 전극 (2a, 2b) 에 접하는 것을 방지하는 것이 가능한 최소한의 길이를 갖고 있다.Specifically, as shown in Figs. 1 and 2, the glass films 21a and 21b of the electrostatic protection device 100 are longer than the length of the electrostatic protection film 5 and the length of the intermediate layer 7 have. 14 and 15, the glass films 21a and 21b of the electrostatic protection component 400 are longer than the length of the electrostatic protection film 5 but shorter than the length of the intermediate layer 7 The surfaces 2a-1 and 2b-1 of the surface electrodes 2a and 2b are sandwiched between the side portions 5a and 5b of the electrostatic protection film 5 and the surface electrodes 2a and 2b 5b of the electrostatic protection film 5 can be prevented from being in contact with the surface electrodes 2a, 2b by covering the surface electrodes 2a, 2b-3.

또한, 정전기 보호 부품 (400) 의 다른 구조에 대해서는, 정전기 보호 부품 (100) 의 구조와 동일하다. 또, 정전기 보호 부품 (400) 의 제조 방법에 대해도, 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법과 동일하다.The other structure of the electrostatic protection component 400 is the same as that of the electrostatic protection component 100. [ The manufacturing method of the electrostatic protection component 400 is also the same as the manufacturing method of the electrostatic protection component 100. [

이상과 같이, 본 실시형태예의 정전기 보호 부품 (100, 300, 400) 에 의하면, 세라믹스 기판 (1) 상에 형성되고, 갭 (4a) 을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극 (2a, 2b) 과, 표면 전극 (2a, 2b) 상에 형성되어 표면 전극 (2a, 2b) 의 상면 (2a-3, 2b-3) 및 양측면 (2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5) 을 덮고, 또한, 갭 (4a) 에 이어지는 갭 (4b) 을 개재하여 대향하고 있는 유리막 (21a, 21b) 과, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖고, 중앙부 (5c) 가 갭 (4a) 및 갭 (4b) 에 형성되고, 양측부 (5a, 5b) 가 유리막 (21a, 21b) 상면 (21a-2, 21b-2) 과 겹쳐져 있는 정전기 보호막 (5) 을 갖고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 이 형성되어 있다. 즉, 정전기 보호막 (5) 은, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해 갭측의 단면 (2a-6, 2b-6) 에만 접하고 있고, 상기 단면 (2a-6, 2b-6) 이외의 부분에는 접하고 있지 않다.As described above, according to the electrostatic protection devices 100, 300, and 400 of the present embodiment, the surface electrodes 2a and 2b formed on the ceramic substrate 1 and opposed to each other via the gap 4a, And is formed on the surface electrodes 2a and 2b to cover the upper surfaces 2a-3 and 2b-3 and both side surfaces 2a-4, 2a-5, 2b-4 and 2b-5 of the surface electrodes 2a and 2b Glass films 21a and 21b opposed to each other via the gap 4b following the gap 4a and a central portion 5c and two side portions 5a and 5b and the central portion 5c has a gap 4a And the electrostatic protection film 5 formed on the gap 4b and the side portions 5a and 5b overlapping the upper surfaces 21a-2 and 21b-2 of the glass films 21a and 21b Therefore, with respect to the surface electrodes 2a and 2b, the electrostatic protection film 5 (central portion 5c) is formed only in the gap 4a between the surface electrodes 2a and 2b. That is, the electrostatic protection film 5 contacts only the end faces 2a-6 and 2b-6 of the gap side with respect to the surface electrodes 2a and 2b and contacts the portions other than the end faces 2a-6 and 2b-6 It is not.

이 때문에, 정전기 보호 부품 (100) 은, 정전기 보호막 (5) 이 표면 전극 (2a, 2b) 의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품 (200) 에 비해, 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, the electrostatic protection device 100 can have a significantly higher insulation resistance than the electrostatic protection device 200 that is also in contact with portions other than the end surfaces of the surface electrodes 2a and 2b, In addition, the variation of the insulation resistance of each component can be made very small.

또, 정전기 보호 부품 (100, 300, 400) 에 의하면, 절연막이 유리막 (21a, 21b) 인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 정전기 보호 부품 (100) 을 제조할 때, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막 (21a, 21b) 의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.Since the insulating films are glass films 21a and 21b according to the electrostatic protection components 100, 300, and 400, when the electrostatic protection component 100 is manufactured, the glass films 21a And 21b can be easily and inexpensively formed.

또, 정전기 보호 부품 (100, 300) 에 의하면, 유리막 (21a, 21b) 이, 중간층 (7) 과 표면 전극 (2a, 2b) 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 유리막 (21a, 21b) 의 개재에 의해, 중간층 (7) 은 표면 전극 (2a, 2b) 에 접촉하고 있지 않다. 이 때문에, 중간층 (7) 을 개재하여 표면 전극 (2a, 2b) 사이에서 이상 방전이 발생하는 것을, 유리막 (21a, 21b) 에 의해 확실하게 저지할 수 있다. 이 경우, 예를 들어, 비교적 절연성이 낮은 재료를 사용하여 중간층 (7) 을 형성하는 것도 가능해지기 때문에, 중간층 (7) 의 재료 선택의 폭이 넓어진다는 효과도 얻어진다.According to the electrostatic protection devices 100 and 300, since the glass films 21a and 21b are interposed between the intermediate layer 7 and the surface electrodes 2a and 2b, the glass films 21a and 21b , The intermediate layer 7 does not contact the surface electrodes 2a and 2b. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of abnormal discharge between the surface electrodes 2a and 2b through the intermediate layer 7 by the glass films 21a and 21b. In this case, for example, it is possible to form the intermediate layer 7 by using a material having a relatively low insulating property, so that an effect of broadening the material selection of the intermediate layer 7 is also obtained.

또, 본 실시형태예의 정전기 보호 부품 (100) 의 제조 방법에 의하면, 세라믹스 기판 (1) 상에 표면 전극 (2) 의 막을 형성하는 제 1 공정과, 표면 전극 (2) 의 막 상에 유리막 (21) 을 형성하고, 이 유리막 (21) 에 의해 표면 전극 (2) 의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극 (2) 의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 유리막 (21) 을 절단하여, 갭 (4a) 과 갭 (4b) 을 형성하는 제 3 공정과, 중앙부 (5c) 와 양측부 (5a, 5b) 를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부 (5c) 를 갭 (4a) 및 갭 (4b) 에 형성하고, 상기 양측부 (5a, 5b) 를 유리막 (21a, 21b) 의 상면 (21a-2, 21b-2) 에 겹치도록 하여 정전기 보호막 (5) 을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해서는, 표면 전극 (2a, 2b) 사이의 갭 (4a) 에만 정전기 보호막 (5) (중앙부 (5c)) 을 형성할 수 있다. 즉, 정전기 보호막 (5) 을, 표면 전극 (2a, 2b) 에 대해 갭측의 단면 (2a-6, 2b-6) 에만 접하고, 상기 단면 (2a-6, 2b-6) 이외의 부분에는 접하지 않도록 형성할 수 있다.According to the method of manufacturing the electrostatic protection device 100 of the present embodiment, the first step of forming the film of the surface electrode 2 on the ceramic substrate 1 and the second step of forming the glass film A second step of covering the upper surface and both side surfaces of the film of the surface electrode 2 with the glass film 21, the film of the surface electrode 2 formed in the first step, A third step of forming a gap 4a and a gap 4b by cutting the glass film 21 formed in the center portion 5c and the second portion 5b so as to form the central portion 5c and the side portions 5a, Is formed in the gap 4a and the gap 4b and the both side portions 5a and 5b are overlapped on the upper surfaces 21a-2 and 21b-2 of the glass films 21a and 21b to form the electrostatic protection film 5, The surface electrodes 2a and 2b are formed only in the gap 4a between the surface electrodes 2a and 2b, (Central portion 5c) can be formed. That is to say, the electrostatic protection film 5 is contacted only to the end faces 2a-6 and 2b-6 of the gap side with respect to the surface electrodes 2a and 2b and the portions other than the end faces 2a-6 and 2b- .

이 때문에, 본 제조 방법에 의해 제조한 정전기 보호 부품 (100) 은, 정전기 보호막 (5) 이 표면 전극 (2a, 2b) 의 단면 이외의 부분에도 접하고 있는 정전기 보호 부품 (200) 에 비해 절연 저항을 매우 크게 할 수 있고, 또한, 부품마다의 절연 저항의 편차도 매우 작게 할 수 있다.Therefore, the electrostatic protection device 100 manufactured by the present manufacturing method has an insulation resistance greater than that of the electrostatic protection device 200 which is also in contact with the portion other than the end surface of the surface electrodes 2a, 2b And it is possible to make the variation of the insulation resistance for each part very small.

또, 본 제조 방법에 의하면, 절연막은 유리막 (21a, 21b) 인 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 내열성 또한 절연성을 갖는 유리막 (21a, 21b) 의 형성을 용이하고 또한 저렴하게 실시할 수 있다.According to the present manufacturing method, since the insulating film is the glass films 21a and 21b, it is possible to easily and inexpensively form the glass films 21a and 21b having heat resistance and insulation.

또, 본 제조 방법에 의하면, 상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극 (2) 의 막과 상기 제 2 공정에서 형성한 유리막 (21) 을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써 갭 (4a, 4b) 을 형성하는 것을 특징으로 하고 있기 때문에, 갭 (4a, 4b) 을 용이하게 양호한 정밀도로 형성할 수 있다.According to the present manufacturing method, in the third step, the film of the surface electrode 2 formed in the first step and the glass film 21 formed in the second step are separated into a third film having a UV wavelength region And the gaps 4a and 4b are formed by simultaneously cutting them using a harmonic laser so that the gaps 4a and 4b can be easily formed with good precision.

또한, 상기에서는, 1 개의 세라믹스 기판 (1) 상에 1 개의 정전기 보호막 (5) 을 형성한 정전기 보호 부품의 실시예를 서술했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 1 개의 세라믹스 기판 (1) 상에 2 개 이상의 정전기 보호막 (5) 을 형성한 정전기 보호 부품도, 본 발명의 범위 내로 한다.In the above description, the embodiment of the electrostatic protection device in which one electrostatic protection film 5 is formed on one ceramic substrate 1 is described. However, the present invention is not limited to this, The electrostatic protection component in which two or more electrostatic protection films 5 are formed also falls within the scope of the present invention.

또, 상기에서는, 실리콘 수지와 알루미늄 분말과 산화아연 분말의 3 성분을 혼련한 페이스트를 사용하여 정전기 보호막을 형성하는 경우에 대해 설명했지만, 반드시 이것에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 정전기 보호 부품의 구조는, 상기와는 상이한 성분의 재료에 의해 정전기 보호막이 형성되어 있는 정전기 보호 부품에도 적용할 수 있다.In the above description, the case where the electrostatic protective film is formed by using the paste obtained by kneading the three components of the silicone resin, the aluminum powder and the zinc oxide powder is described. However, the present invention is not limited to this, The structure can also be applied to an electrostatic protection component in which an electrostatic protective film is formed by a material having a different component from the above.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명은 정전기 보호 부품 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 정전기 보호 부품의 절연 저항 특성의 향상을 도모하는 경우에 적용하여 유용한 것이다.The present invention relates to an electrostatic protection component and a method of manufacturing the same, and is useful when applied to improve the insulation resistance characteristic of the electrostatic protection component.

1 : 세라믹스 기판, 1a : 기판 표면, 1b : 기판 이면, 1c, 1d : 기판 단면, 2 : 표면 전극의 막, 2a, 2b : 표면 전극, 2a-1, 2a-2, 2b-1, 2b-2 : 표면 전극의 단부, 2a-3, 2b-3 : 표면 전극의 상면, 2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5 : 표면 전극의 측면, 2a-6, 2b-6 : 표면 전극의 단면, 3a, 3b : 이면 전극, 3a-1, 3b-1 : 이면 전극의 단부, 4a, 4b : 갭, 5 : 정전기 보호막, 5a, 5b : 정전기 보호막의 측부, 5c : 정전기 보호막의 중앙부, 6a, 6b : 상부 전극, 7 : 중간층, 8 : 보호막, 8a, 8b : 보호막의 단부, 9a, 9b : 단면 전극, 9a-1, 9a-2, 9b-1, 9b-2 : 단면 전극의 단부, 10a, 10b : 니켈 도금막, 11a, 11b : 주석 도금막, 21, 21a, 21b : 유리막, 21a-1, 21b-1 : 유리막의 단부, 21a-2, 21b-2 : 유리막의 상면, 100 : 정전기 보호 부품 (유리막 있음), 200 : 정전기 보호 부품 (유리막 없음), 300 : 정전기 보호 부품 (유리막 있음), 400 : 정전기 보호 부품 (유리막 있음)The surface electrodes 2a-1, 2a-2, 2b-1, 2b-1, and 2b-2 are formed on the surface of the substrate 1, 2a-3, 2b-3: Upper surface of the surface electrode, 2a-4, 2a-5, 2b-4, 2b-5: Side surface of the surface electrode, 2a-6, 5a and 5b side portions of the electrostatic protection film, 5c: central portion of the electrostatic protection film, 5a and 5b, 9a-1, 9a-2, 9b-1, 9b-2: a cross-sectional electrode of the cross-sectional electrode, 6a, 6b: upper electrode, 7: intermediate layer, 8: protective film, 8a, 8b: 1, 21b-1: the end of the glass film, 21a-2, 21b-2: the upper surface of the glass film, 100: electrostatic protection part with glass film, 200: electrostatic protection part without glass film, 300: electrostatic protection part with glass film, 400: has exist)

Claims (6)

절연 기판 상에 형성되고, 제 1 갭을 개재하여 대향하고 있는 표면 전극과,
상기 표면 전극 상에 형성되어 상기 표면 전극의 상면 및 양측면을 덮고, 또한, 상기 제 1 갭에 이어지는 제 2 갭을 개재하여 대향하고 있는 절연막과,
중앙부와 양측부를 갖고, 상기 중앙부가 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성되고, 상기 양측부가 상기 절연막의 상면과 겹쳐져 있는 정전기 보호막을 갖고 있는 것을 특징으로 하며,
상기 정전기 보호막은, 상기 표면 전극에 대해, 상기 제 1 갭측의 단면에만 접하고, 상기 제 1 갭측의 단면 이외의 부분에는 접하고 있지 않은 것을 특징으로 하는, 정전기 보호 부품.
A surface electrode formed on the insulating substrate and opposed via the first gap,
An insulating film formed on the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the surface electrode and opposed to each other via a second gap following the first gap;
And an electrostatic protection film having a central portion and both side portions, the central portion being formed in the first gap and the second gap, and the both side portions being overlapped with the upper surface of the insulating film,
Wherein the electrostatic protection film is in contact with only the end surface of the first gap side with respect to the surface electrode and is not in contact with a portion other than the end surface of the first gap side.
제 1 항에 있어서,
상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the insulating film is a glass film.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 정전기 보호막과 상이한 보호막을 더 갖고 있고,
상기 정전기 보호막과 상기 상이한 보호막 사이에 중간층이 형성되어 있고,
상기 절연막이, 이 중간층과 상기 표면 전극 사이에 개재하고 있는 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품.
3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a protective film different from the electrostatic protective film,
An intermediate layer is formed between the electrostatic protection layer and the different protective layer,
Wherein the insulating film is sandwiched between the intermediate layer and the surface electrode.
제 1 항에 기재된 정전기 보호 부품의 제조 방법으로서,
절연 기판 상에 표면 전극의 막을 형성하는 제 1 공정과,
상기 표면 전극의 막 상에 절연막을 형성하고, 이 절연막에 의해 상기 표면 전극의 막의 상면 및 양측면을 덮는 제 2 공정과,
상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을 절단하여, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 제 3 공정과,
중앙부와 양측부를 갖는 형상으로 하여, 상기 중앙부를 상기 제 1 갭 및 제 2 갭에 형성하고, 상기 양측부를 상기 절연막의 상면에 겹치도록 하여, 정전기 보호막을 형성하는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 하며,
상기 정전기 보호막은, 상기 표면 전극에 대해, 상기 제 1 갭측의 단면에만 접하고, 상기 제 1 갭측의 단면 이외의 부분에는 접하고 있지 않은 것을 특징으로 하는, 정전기 보호 부품의 제조 방법.
A method for manufacturing an electrostatic protection component according to claim 1,
A first step of forming a film of a surface electrode on an insulating substrate,
A second step of forming an insulating film on the film of the surface electrode and covering the upper surface and both side surfaces of the film of the surface electrode with the insulating film;
A third step of forming a first gap and a second gap by cutting the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step,
And a fourth step of forming the central portion in the first gap and the second gap in such a shape as to have a central portion and both side portions and overlapping the both side portions on the upper surface of the insulating film to form an electrostatic protective film ,
Wherein the electrostatic protection film is in contact with only the end surface of the first gap side with respect to the surface electrode and is not in contact with a portion other than the end surface of the first gap side.
제 4 항에 있어서,
상기 절연막은 유리막인 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품의 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the insulating film is a glass film.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 제 3 공정에서는, 상기 제 1 공정에서 형성한 표면 전극의 막과, 상기 제 2 공정에서 형성한 절연막을, UV 파장 영역을 갖는 제 3 차 고조파 레이저를 사용하여 동시에 절단함으로써, 제 1 갭과 제 2 갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 보호 부품의 제조 방법.
The method according to claim 4 or 5,
In the third step, the film of the surface electrode formed in the first step and the insulating film formed in the second step are cut at the same time by using a third harmonic laser having a UV wavelength region, Wherein the first gap and the second gap form a gap.
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