KR101445601B1

KR101445601B1 - 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101445601B1
Application number: KR1020120080480A
Authority: KR
Inventors: 박종인; 이남희; 정봉용; 정회현
Original assignee: 비아이 이엠티 주식회사
Priority date: 2012-07-24
Filing date: 2012-07-24
Publication date: 2014-10-06
Also published as: KR20140014468A

Abstract

본 발명은 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 반도체 칩 트레이 제조장치는, 상호 맞닿아 내부에 용융수지가 주입되는 캐비티(cavity)가 형성되며, 어느 하나에 상기 용융수지가 주입되는 게이트가 형성된 제1금형유닛과 제2금형유닛; 상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛에 각각 설치되어 상기 용융수지를 냉각되도록 하는 제1냉각라인과 제2냉각라인;을 포함하고, 상기 제1냉각라인과 상기 제2냉각라인 중 적어도 어느 하나는, 내부로 냉각유체가 인입 및 인출되는 연결 냉각라인과, 상기 연결 냉각라인과 연결되며 상기 연결 냉각라인보다 상기 캐비티 방향으로 더 인접하게 형성된 메인 냉각라인을 포함하며, 상기 캐비티를 통해 성형되는 상기 반도체 칩 트레이의 중앙영역과 가장자리 영역의 냉각속도가 균일해지도록 상기 연결 냉각라인은 상기 캐비티 가장자리 영역에 위치하고, 상기 메인 냉각라인은 상기 캐비티 중앙영역에 위치하도록 설치되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 반도체 칩 트레이 제조시 성형품의 전체 냉각속도가 균일해져 반도체 칩 트레이의 잔류응력을 제거하여 휘거나 뒤틀림을 방지할 수 있는 반도체 칩 트레이 제조장치가 제공된다.

Description

반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법{DEVICE FOR MAUNFACTURING OF SEMICONDUCTOR TRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 칩 트레이의 휨 현상이 방지되도록 반도체 칩 트레이 사출성형시 성형품 전체의 냉각속도를 균일하게 하여 성형품의 잔류응력을 제거할 수 있는 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 칩 트레이는 반도체 패키지를 반송할 때와 혹은 출하할 때 등에 이용되는 반도체 장치 수납용으로서 주로 판형으로 형성된다.

상기 트레이는 도 1에 도시된 바와 같이 반도체 패키지를 수납하는 다수의 오목형의 수납부가 일 면에 형성되어 있어 각각의 반도체 패키지가 각 수납부에 수납되며, 수납된 상태에서 트레이를 적층되게 할 수 있다.

도 2는 종래 반도체 칩 트레이 제조장치의 횡단면도이고, 도 3은 종래 반도체 칩 트레이 제조장치의 종단면도이고, 도 4는 종래 반도체 칩 트레이 제조장치의 요부사시도이다.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 종래 반도체 칩 트레이 제조장치는 상호 간에 맞닿아 내부에 용융수지가 주입되어 제품이 성형되는 공간인 캐비티를 형성하는 제1금형유닛(110)과 제2금형유닛(120)을 포함하여 마련된다.

여기서, 제1금형유닛(110)과 제2금형유닛(120) 중 어느 하나에 용융수지가 주입되는 게이트(113)가 형성된다.

통상적으로 판 형상의 반도체 칩 트레이는 다양한 치수에 대응하기 위해 외측에 위치하는 베이스 몰딩 금형의 내부에 착탈 가능한 코어 금형을 별도로 마련하여 상호 결합되도록 구성된다.

즉, 제1금형유닛(110)과 제2금형유닛(120)은 각각 외측에 위치하는 제1 베이스몰딩 금형(111) 및 제2 베이스몰딩 금형(121)과, 내부에 위치하는 제1 코어금형(112) 및 제2 코어금형(122)으로 마련된다.

그리고, 제1 베이스몰딩 금형(111) 및 제2 베이스몰딩 금형(121)에는 일 방향으로 평행한 형태의 관 형상으로 각각 제1냉각라인(130)과 제2냉각라인(140)이 형성된다.

상기된 바와 같은 제조장치를 이용한 반도체 칩 트레이 제조방법은, 제1금형유닛(110)과 제2금형유닛(120)이 상호 맞닿도록 하여 금형을 닫고, 캐비티에 용융수지를 주입하여 반도체 칩 트레이를 성형한 상태에서, 사전에 설정된 온도로 제1냉각라인(130)과 제2냉각라인(140)에 소정의 냉각유체가 흐르도록 하여 성형품(a)을 냉각하며, 냉각이 완료된 후 성형품(a)을 취출하도록 구성된다.

그런데, 상기와 같은 방법을 이용하여 생산된 제품상태의 반도체 칩 트레이에 반도체 패키지를 수납하여 반송하거나 혹은 반도체 패키지를 수납하여 출하하고 난 후 반도체 칩 트레이가 뒤틀리거나 휘는 변형이 발생하는 문제점이 있었다.

변형의 원인은 성형품 냉각시 성형품의 제1금형유닛(110)과 맞닿아 있는 부분의 냉각속도와 제2금형유닛(120)과 맞닿아 있는 부분의 냉각속도가 서로 달라서 냉각이 완료된 후에 성형품 내부에 응력이 잔존하는 문제점에서 기인한다.

본 발명의 과제는 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 칩 트레이 제조시 성형품의 전체 냉각속도를 균일하게 하여 반도체 칩 트레이의 잔류응력을 제거할 수 있는 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 성형품 내부의 잔류응력을 제거함으로써 성형품이 제품으로 출하시 휘거나 뒤틀림이 방지될 수 있는 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 성형품 전체의 냉각속도를 균일하게 함으로써 제조공정의 소요시간을 절감할 수 있는 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제는, 본 발명에 따라, 반도체 칩 트레이를 제조하기 위한 제조장치에 있어서, 상호 맞닿아 내부에 용융수지가 주입되는 캐비티(cavity)가 형성되며, 어느 하나에 상기 용융수지가 주입되는 게이트가 형성된 제1금형유닛과 제2금형유닛; 상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛에 각각 설치되어 상기 용융수지를 냉각되도록 하는 제1냉각라인과 제2냉각라인;을 포함하고, 상기 제1냉각라인과 상기 제2냉각라인 중 적어도 어느 하나는, 내부로 냉각유체가 인입 및 인출되는 연결 냉각라인과, 상기 연결 냉각라인과 연결되며 상기 연결 냉각라인보다 상기 캐비티 방향으로 더 인접하게 형성된 메인 냉각라인을 포함하며, 상기 캐비티를 통해 성형되는 상기 반도체 칩 트레이의 중앙영역과 가장자리 영역의 냉각속도가 균일해지도록 상기 연결 냉각라인은 상기 캐비티 가장자리 영역에 위치하고, 상기 메인 냉각라인은 상기 캐비티 중앙영역에 위치하도록 설치되는 것에 의해 달성될 수 있다.

여기서, 상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛은 각각 몰드베이스 금형과, 상기 몰드베이스 금형 내부에 코어금형을 포함하며, 상기 제1냉각라인 또는 상기 제2냉각라인 중 적어도 어느 하나의 메인 냉각라인은 해당 금형유닛의 코어 금형에 설치될 수 있다.

또한, 각 금형유닛의 몰드베이스에 설치되는 연결 냉각라인과, 코어금형에 설치되는 메인 냉각라인이 서로 연통되는 부분에는 상기 냉각유체의 누수를 방지하는 밀봉부재가 더 설치된다.

또한, 상기 제1냉각라인과 상기 제2냉각라인의 지름은 5mm 내지 12mm 이고, 각 냉각라인의 메인 냉각라인과 상기 캐비티 벽면 간의 사이거리는 5mm 내지 15mm일 수 있다.

또한, 상기 용융수지 냉각시 상기 제1냉각라인과 상기 제2냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 서로 다르게 제어되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제1냉각라인의 냉각온도으로 인입되는 냉각유체의 온도는 20℃ 내지 30℃이고, 상기 제2냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 50℃ 내지 90℃일 수 있다.

한편, 상기 반도체 칩 트레이 제조장치를 이용한 제조방법은, 제1금형유닛과 제2금형유닛을 서로 맞닿게 하여 금형을 닫은 상태에서 내부에 형성된 캐비티로 제1금형유닛 또는 제2금형유닛 중 어느 하나에 형성된 게이트를 통해 용융수지를 주입하여 반도체 칩 트레이를 성형하는 단계; 상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛에 각각 설치되며, 연결 냉각라인과 상기 캐비티와 인접한 영역에서 상기 연결 냉각라인보다 상기 캐비티 방향으로 더 인접하도록 형성된 메인 냉각라인으로 적어도 어느 하나가 구성된 제1냉각라인 또는 제2냉각라인을 통해서 캐비티에 주입된 용융수지를 냉각하는 단계; 및, 냉각 완료 후, 상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛을 분리하여 성형된 상기 반도체 칩 트레이를 취출하는 단계;를 포함한다.

여기서, 용융수지 냉각시, 상기 제1냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 20℃ 내지 30℃이고, 상기 제2냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 50℃ 내지 90℃가 되도록 제어하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 본 발명의 과제는 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 칩 트레이 제조시 성형품의 전체 냉각속도를 균일하게 하여 반도체 칩 트레이의 잔류응력을 제거하여 휘거나 뒤틀림을 방지할 수 있는 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법이 제공된다.

또한, 냉각속도를 균일하게 함으로써 제조공정의 소요시간이 단축되어 제조비용이 절감되는 반도체 칩 트레이 제조장치 및 그 제조방법이 제공된다.

도 1은 반도체 칩 트레이의 사시도,
도 2는 종래 반도체 칩 트레이 제조장치의 횡단면도,
도 3은 종래 반도체 칩 트레이 제조장치의 종단면도,
도 4는 종래 반도체 칩 트레이 제조장치의 요부사시도,
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이 제조장치의 횡단면도,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이 제조장치의 종단면도,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이 제조장치의 요부사시도,
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이 제조공정도,
도 9는 반도체 칩 트레이의 실험도이다.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이 제조장치에 대하여 상세하게 설명한다.

도 5와 도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이 제조장치의 횡단면도와 종단면도이고, 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이 제조장치의 요부사시도이다.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이는 제1금형유닛(10), 제2금형유닛(20) 및 각 금형유닛에 설치되는 제1냉각라인(30)과 제2냉각라인(40)을 포함하여 구성된다.

상기 제1금형유닛(10)과 제2금형유닛(20)은 상호 맞닿아 내부에 제품 성형 공간인 캐비티(cavity)가 형성되도록 마련되며, 어느 하나는 고정되고 어느 하는 가동되어 상호 맞닿게 제어된다.

또한, 제1금형유닛(10)과 제2금형유닛(20)은 각각 외측에 제1 베이스몰딩 금형(11)과 제2 베이스몰딩 금형(21)이 위치하며, 내부에 각각 제1 코어금형(12)과 제2 코어금형(22)이 위치하며, 여기서 각 코어금형은 소정의 결합수단에 의해 각 베이스몰딩에 착탈가능하게 결합된다.

또한, 제1금형유닛(10)과 제2금형유닛(20) 중 어느 하나에는 용융수지가 주입되는 게이트(13)가 형성되며, 게이트(13)는 제1 베이스몰딩 금형(11) 및 제2 코어금형(12)을 관통하여 내부에 형성된 캐비티(cavity)와 연통되도록 형성된다.

본 실시예에서는 제1금형유닛(10)이 가동금형이고, 제2금형유닛(20)이 고정금형이며, 제1금형유닛(10)에 게이트(13)가 형성된다.

그리고, 각 베이스몰딩과 각 코어금형이 결합되는 위치 중 후술할 각 냉각라인의 연결 냉각라인(31)과 메인 냉각라인(32)이 상호 연통되는 부분에는 밀봉부재(14)가 설치된다.

상기 밀봉부재를 통해 각 냉각라인의 연결 냉각라인(31)과 메인 냉각라인(32)이 상호 연통되는 부분에서 냉각유체의 누수를 방지할 수 있다.

반도체 칩 트레이로 성형되는 용융수지는 흔히 전도성과 대전 방지성이 부여된 수지를 사용하며, 반도체 베이킹 온도에 따라 수지의 종류가 대략적으로 정해져 있고, 각 온도에서 이 수지들로 제조된 반도체 칩 트레이는 치수 안정성이 보장되어야 한다.

가령, 반도체가 베이킹되는 온도에 따라 아크릴로부타디엔스타이렌계 수지(베이킹 온도 약 60℃~약 70℃), 폴리페닐렌옥사이드 또는 폴리페닐렌에테르계 수지(베이킹 온도 약 120℃~약 150℃), 폴리설폰계 수지(베이킹 온도 약 120℃ ~ 약 150℃), 폴리에테르설폰계 수지(베이킹 온도 약 180℃) 등이 사용된다.

상기 제1냉각라인(30)과 제2냉각라인(40)은 내부에 소정의 냉각유체가 인입, 인출 및 이동가능하도록 관 형상으로 마련되며, 각각 연결 냉각라인(31,41)과, 연결 냉각라인(31,41)과 연결되는 메인 냉각라인(32,42)으로 구성된다.

그리고, 제1냉각라인(30)과 제2냉각라인(40)은 각각 제1금형유닛(10)과 제2금형유닛(20)에 평행하게 배열된 형태로 다수 개가 설치된다.

여기서, 각 냉각라인의 연결 냉각라인(31,41)은 각 베이스몰딩 금형에 설치되고, 메인 냉각라인(32,42)은 각 코어 금형에 설치된다.

즉, 메인 냉각라인(32,42)은 연결 냉각라인(31,41)과 비교하여 용융수지가 주입되는 캐비티에 더 인접하도록 설치된다.

여기서, 제1냉각라인(30)과 제2냉각라인(40)의 지름은 5mm 내지 12mm일 때, 각 냉각라인의 메인 냉각라인(32,42)과 성형품(A) 간의 사이거리는 5mm 내지 15mm인 것이 바람직하다.

여기서, 사이거리는 메인 냉각라인(32,42)의 원주상의 한 지점과 캐비티 중 가장 많이 돌출된 벽면의 한 지점과의 사이거리 중 최단거리로 정의될 수 있다.

만약, 상기 사이거리가 15mm를 초과하는 경우에는 성형품(A) 전체적으로 냉각은 가능하나, 평행한 형태의 냉각라인 형태를 가지는 종래 장치와 실질적으로 냉각시간이 동일해져 냉각효율이 개선되지 않는다.

또한, 상기 사이거리가 5mm 미만인 경우에는 성형품(A) 전체의 냉각속도가 부분적으로 서로 달라져 제품으로 완성시에 휨 또는 뒤틀림 현상이 발생한다.

한편, 제1냉각라인(30)과 제2냉각라인(40)으로 인입되는 냉각유체의 온도는 서로 다르게 설정되며, 게이트(13)가 형성된 제1금형유닛(10)의 온도가 제2금형유닛(20)보다 상대적으로 온도가 더 높으므로 제1냉각라인(30)의 온도를 더 낮도록 제어하는 것이 바람직하다.

바람직하게는, 제1냉각라인(30)으로 인입되는 냉각유체의 온도는 20℃ 내지 30℃로 설정하고, 제2냉각라인(40)으로 인입되는 냉각유체의 온도는 50℃ 내지 90℃가 되도록 설정하여 냉각되도록 하는 것이 바람직하다.

본 실시예에서는 제1냉각라인(30)과 제2냉각라인(40) 모두 연결 냉각라인(31,41)과 메인 냉각라인(32,42)으로 형성된 것을 설명하였으나, 필요에 따라 게이트(13)가 형성된 제1금형유닛(10)에 설치되는 제1냉각라인(10)만 연결 냉각라인과 메인 냉각라인으로 구성되게 할 수도 있다.

다음, 상기와 같은 반도체 칩 트레이 제조장치를 이용하여 반도체 칩 트레이를 제조하는 방법에 대해 설명한다.

도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 칩 트레이용 제조장치를 이용한 제조공정도이다.

도 8을 참조하면, 먼저, 제1금형유닛(10)과 제2금형유닛(20)을 서로 맞닿게 하여 금형을 닫은 상태에서 내부에 형성된 캐비티로 제1금형유닛(10)의 게이트(13)를 통해 용융수지를 주입하여 반도체 칩 트레이를 성형한다(S10).

그리고, 제1금형유닛(10)과 제2금형유닛에 설치된 제1냉각라인(10)과 제2냉각라인(20)의 연결 냉각라인(31,41)과 메인 냉각라인(32,42)을 통해 냉각유체를 인입, 이동 및 인출시키면서 캐비티에 주입된 용융수지를 냉각한다(S20).

이때, 연결 냉각라인이 각 코어금형에 위치하게 됨으로써 성형품(A) 전체가 균일한 냉각속도를 가지면서 냉각되게 된다.

균일한 냉각속도를 갖도록 하기 위한 각 냉각라인의 온도 설정 범위는 제1냉각라인(30)으로 인입되는 냉각유체는 20℃ 내지 30℃로 설정하고, 제2냉각라인(40)으로 인입되는 냉각유체는 50℃ 내지 90℃이다.

이어, 냉각 완료 후, 제1금형유닛(10)과 제2금형유닛(20)을 분리하여 성형된 반도체 칩 트레이를 취출한다(S30).

그리고, 취출 후 성형품(A)의 버(bur) 등을 제거하는 후속공정을 통해서 제품으로 제조를 완료한다.

상술한 방법을 구체적으로 적용한 실험예는 다음과 같다.

(실험예)

사용한 용융수지는 MPPO(Modified polyphenylene oxide)이고, 수지온도는 270℃ ~ 300℃이며, 금형온도는 50℃ ~ 80℃의 조건으로 설정하고, 성형할 반도체 칩 트레이의 두께(T)는 0.8cm이며, 냉각시간은 11초이다.

(1) 종래 냉각라인과 같이 평행한 형태의 냉각라인을 설치하고, 제1냉각라인과 제2냉각라인의 냉각온도를 동일하게 하여 냉각

(2) 본 발명의 제1실시예와 같은 냉각라인을 설치하고, 제1냉각라인과 제2냉각라인의 냉각온도를 제1실시예에서와 같은 범위로 설정하여 냉각

상기와 같은 조건으로 실험을 통해 성형된 반도체 칩 트레이는 도 9와 같이 성형되며, 각 실험 조건에 따른 세로 휨과 가로 휨 값을 비교하면 아래 표 1과 같다.

구분	세로 warpage(휨)			가로 warpage(휨)
구분	Top Max	Bottom Max	평균	Top Max	Bottom Max	평균
실험(1)	0.46	0.48	0.47	1.60	1.63	1.62
실험(2)	0.19	0.19	0.19	0.14	0.10	0.12

상기 표에 도시된 바와 같이, 실험(1)과 비교하여 실험(2)에서 세로휨에서 0.28mm, 가로휨에서 1.50mm의 개선된 결과를 확인할 수 있다.

즉, 본원발명에서와 같이 메인 냉각라인을 코어 금형에 설치하고, 아울러 각 냉각라인의 냉각온도를 서로 다르게 함으로써 종래보다 현저하게 휨 또는 비틀림현상이 줄어드는 효과가 있다.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.

※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※
10: 제1금형유닛 11: 제1 베이스몰딩 금형
12: 제1 코어금형 13: 게이트
20: 제2금형유닛 21 : 제2 베이스몰딩 금형
22: 제2 코어금형 30 : 제1냉각라인
40: 제2냉각라인 31, 41: 연결 냉각라인
32, 42: 메인 냉각라인

Claims

반도체 칩 트레이를 제조하기 위한 제조장치에 있어서,
상호 맞닿아 내부에 용융수지가 주입되는 캐비티(cavity)가 형성되며, 어느 하나에 상기 용융수지가 주입되는 게이트가 형성된 제1금형유닛과 제2금형유닛;
상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛에 각각 설치되어 상기 용융수지를 냉각되도록 하는 제1냉각라인과 제2냉각라인;을 포함하고,
상기 제1냉각라인과 상기 제2냉각라인 중 적어도 어느 하나는, 내부로 냉각유체가 인입 및 인출되는 연결 냉각라인과, 상기 연결 냉각라인과 연결되며 상기 연결 냉각라인보다 상기 캐비티 방향으로 더 인접하게 형성된 메인 냉각라인을 포함하며,
상기 캐비티를 통해 성형되는 상기 반도체 칩 트레이의 길이방향 중앙영역 및 가장자리 영역의 냉각속도가 균일해지도록 상기 연결 냉각라인은 상기 캐비티 의 길이방향 가장자리 영역에 위치하고, 상기 메인 냉각라인은 상기 캐비티의 길이방향 중앙영역에 위치하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조장치.
제 1항에 있어서,
상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛은 각각 몰드베이스 금형과, 상기 몰드베이스 금형 내부에 코어금형을 포함하며, 상기 제1냉각라인 또는 상기 제2냉각라인 중 적어도 어느 하나의 메인 냉각라인은 해당 금형유닛의 코어 금형에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조장치.
제 2항에 있어서,
각 금형유닛의 몰드베이스에 설치되는 연결 냉각라인과, 코어금형에 설치되는 메인 냉각라인이 서로 연통되는 부분에는 상기 냉각유체의 누수를 방지하는 밀봉부재가 더 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조장치.
제 2항에 있어서,
상기 제1냉각라인과 상기 제2냉각라인의 지름은 5mm 내지 12mm 이고, 상기 제1냉각라인의 메인 냉각라인 또는 상기 제2냉각라인의 메인 냉각라인 중 적어도 어느 하나와 상기 캐비티 벽면 간의 사이거리는 5mm 내지 15mm인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조장치.
제 1항에 있어서,
상기 용융수지 냉각시 상기 제1냉각라인과 상기 제2냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 서로 다르게 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조장치.
제 5항에 있어서,
상기 제1냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 20℃ 내지 30℃이고, 상기 제2냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 냉각온도는 50℃ 내지 90℃인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조장치.
반도체 칩 트레이를 제조하기 위한 제조방법에 있어서,
제1금형유닛과 제2금형유닛을 서로 맞닿게 하여 금형을 닫은 상태에서 내부에 형성된 캐비티로 제1금형유닛 또는 제2금형유닛에 형성된 게이트를 통해 용융수지를 주입하여 반도체 칩 트레이를 성형하는 단계;
상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛에 각각 설치되며, 상기 캐비티의 길이방향 가장자리 영역에 위치하는 연결 냉각라인과, 상기 연결냉각라인과 연결되며 상기 캐비티의 길이방향 중앙영역에 위치하며 상기 연결냉각라인보다 상기 캐비티와 더 인접하게 형성된 메인 냉각라인으로 구성된 제1냉각라인 또는 제2냉각라인을 통해서 상기 캐비티에서 성형되는 상기 반도체 칩 트레이를 냉각하는 단계; 및,
냉각 완료 후, 상기 제1금형유닛과 상기 제2금형유닛을 분리하여 성형된 상기 반도체 칩 트레이를 취출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조방법.
제 7항에 있어서,
용융수지 냉각시, 상기 제1냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 20℃ 내지 30℃이고, 상기 제2냉각라인으로 인입되는 냉각유체의 온도는 50℃ 내지 90℃가 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 트레이 제조방법.