KR101444525B1 - 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 및 그 제조방법 - Google Patents

대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 직경이 450mm 이상의 대구경 실리콘 단결정을 성장시키기 위한 고온 환경 하에서도 부식을 억제할 수 있는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 흑연도가니; 상기 흑연도가니 내측면에 안착되는 석영도가니; 및 상기 흑연도가니 내측면과 맞닿는 상기 석영도가니 외측면에 구비된 질화 붕소(BN)층;을 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니를 제공한다.
또한, 본 발명은 흑연도가니가 만들어지는 제1단계; 석영도가니가 만들어지는 제2단계; 상기 석영도가니의 외측면에 질화 붕소층이 코팅되는 제3단계; 및 상기 질화 붕소층이 상기 흑연도가니 내측면에 맞닿도록 상기 석영도가니를 상기 흑연도가니에 안착시키는 제4단계;를 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 제조방법을 제공한다.

Description

대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 및 그 제조방법 {CRUCIBLE FOR GROWING LARGE DIAMETER SILICON SINGLE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEROF}
본 발명은 직경이 450mm 이상의 대구경 실리콘 단결정을 성장시키기 위한 고온 환경 하에서도 부식을 억제할 수 있는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자에서 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼는 초크랄스키법에 의해 성장된 실리콘 단결정을 가공함으로써 제조된다.
이와 같은 실리콘 단결정 성장방법에서는 석영도가니에 다결정 실리콘을 장입하고, 이를 흑연 발열체에 의해 가열하여 용융시킨 후, 용융 결과 형성된 실리콘 용융액에 종자 결정(seed crystal)을 담그고, 이를 회전하면서 인상시킴으로써, 실리콘 단결정을 성장시킨다. 이때, 실리콘 용융액을 담고 있는 석영도가니를 지지하기 위하여 종방향으로 3분할 또는 횡방향으로 2분할된 흑연도가니를 사용한다.
상기와 같은 실리콘 단결정을 성장시키는 온도 조건은, 다결정 실리콘의 장입량과 실리콘 단결정의 직경에 따라 다소 차이가 있는데, 대구경화될수록 온도 조건이 높아지게 된다. 즉, 450mm와 같이 결정의 크기가 대구경화 됨에 따라 결정 성장부의 열손실이 증가될 뿐 아니라 가열 히터의 발열량도 증가하게 되고, 히터의 발열량이 증가함에 따라 발열부에 전달되는 열량이 증가되어 핫존(Hot zone) 자체의 온도가 증가하게 되며, 핫존에 위치한 도가니의 온도 역시 높아지게 된다. 이때, 직경이 450mm 이상의 대구경 실리콘 단결정을 성장시키기 위하여 도가니 측의 온도가 대략 1700 ~ 1800℃ 정도의 분포를 나타내고 있다.
도 1 내지 도 2는 종래의 도가니 구조가 도시된 도면이다.
종래의 도가니는 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이 흑연도가니(1)와 석영도가니(3)로 이루어지는데, 상기 흑연도가니(1)와 석영도가니(3)의 직접적인 접촉을 방지하기 위하여 흑연 포일(2)이 개재된다.
도 3 내지 도 4는 종래의 도가니에서 직경 300mm 및 직경 450mm의 결정 성장 후의 모습이 각각 도시된 도면이다.
종래의 도가니가 도 3에 도시된 바와 같이 직경 300mm의 결정 성장 조건 즉, 도가니 측의 온도가 약 1700℃ 미만에 노출되면, 흑연 포일은 탄화규소(SiC)화되더라도 흑연도가니와 석영도가니 사이에 유지된다.
하지만, 종래의 도가니가 도 4에 도시된 바와 같이 직경 450mm의 결정 성장 조건 즉, 도가니 측의 온도가 약 1700 ~ 1800℃ 사이에 노출되면, 흑연 포일은 모두 반응하여 사라지게 된다. 따라서, 이후에 흑연도가니(SiO2)와 석영도가니(C)가 직접적인 접촉하거나, 석영도가니(C)에서 분출된 산화규소(SiO) 가스와 흑연도가니(C)에서 분출된 탄소(C) 가스가 반응하면, 탄화규소(SiC)가 반응물로 생성되며, 이러한 탄화규소(SiC)는 흑연도가니 내벽을 부식시키게 된다.
한편, 일본공개특허 제1999-278992호에는 흑연도가니 표면에 일종의 반응 억제재가 되는 SiC 코팅하여 석영도가니와의 직접적인 접촉을 방지하는 구조가 기재되어 있고, 한국공개특허 제2001-000889호에는 석영도가니와 접촉하는 흑연도가니 내측면에 SiOX 기체와 반응하지 않는 질화 붕소가 도포되는 구조가 기재되어 있다.
상기와 같이 일본공개특허 제1999-278992호에 나타나는 종래의 도가니는 SiC 코팅하여 흑연도가니와 석영도가니의 직접적인 접촉을 방지할 수 있다.
하지만, 대구경 실리콘 단결정을 성장시키기 위한 온도 조건인 약 1700℃ 이상에 장시간 노출되면, 탄화규소(SiC) 또한 반응하여 산화규소(SiO) 가스와 일산화탄소(CO) 가스로 전환되기 때문에 실제로 흑연도가니와 석영도가니의 직접적인 접촉을 방지하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 한국공개특허 제2001-000889호에 나타나는 종래의 도가니는 석영도가니의 곡률 반경이 변하는 부위와 인접한 흑연도가니의 틈새 부분에 질화 붕소(BN) 용액을 도포함으로써, 흑연도가니의 틈새로 산화규소(SiO) 가스가 빠른 유속으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.
하지만, 질화 붕소(BN) 용액은 브러쉬로 도포하더라도 접착력을 제공하기 위하여 일종의 접착제인 Binder를 포함하는데, 고온 조건 하에서 질화 붕소 용액에 포함된 Binder 물질이 휘발됨에 따라 접착력이 감소될 뿐 아니라 이로 인하여 생성된 기체에 의해 쉽게 벗겨지게 되며, 따라서 흑연도가니의 틈새에 여전히 빠른 유속으로 산화규소(SiO) 가스가 유동될 뿐 아니라 산화규소(SiO)에 의한 흑연도가니의 반응 및 마찰이 발생되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 약 1700℃ 이상의 고온 조건 하에서 흑연도가니와 석영도가니의 직접적인 접촉을 효과적으로 방지할 수 있는 대구경 단결정 성장용 도가니 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 흑연도가니; 상기 흑연도가니 내측면에 안착되는 석영도가니; 및 상기 흑연도가니 내측면과 맞닿는 상기 석영도가니 외측면에 구비된 질화 붕소(BN)층;을 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니를 제공한다.
또한, 본 발명은 흑연도가니가 만들어지는 제1단계; 석영도가니가 만들어지는 제2단계; 상기 석영도가니의 외측면에 질화 붕소층이 코팅되는 제3단계; 및 상기 질화 붕소층이 상기 흑연도가니 내측면에 맞닿도록 상기 석영도가니를 상기 흑연도가니에 안착시키는 제4단계;를 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 제조방법을 제공한다.
본 발명은 대구경 실리콘 단결정을 성장시키기 위한 약 1700 ~ 1800℃의 고온 하에서도 질화 붕소층이 흑연도가니와 석영도가니의 직접 접촉에 의한 화학적 반응을 효과적으로 억제하고, 나아가 흑연도가니로부터 산화규소의 발생을 억제함으로써, 대구경 실리콘 단결정 생산 환경을 개선하여 대구경 실리콘 단결정의 순도를 높일 뿐 아니라 흑연도가니의 부식을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은 흑연 호일을 생략하더라도 질화 붕소층이 흑연도가니와 석영도가니 사이의 직접적인 접촉을 방지함으로써, 흑연 호일 생략으로 인한 생산비용을 절감시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은 바인더 물질이 생략된 질화 붕소 용액을 석영도가니의 미세 요철부에 스프레이 형태로 분사함으로써, 바인더 물질에 의한 화학적 반응을 차단하고, 바인더 물질이 생략되더라도 질화 붕소층의 흡착력을 높일 수 있는 이점이 있다.
도 1 내지 도 2는 종래의 도가니 구조가 도시된 도면.
도 3은 종래의 도가니에서 직경 300mm의 결정 성장 후의 모습이 도시된 도면.
도 4는 종래의 도가니에서 직경 450mm의 결정 성장 후의 모습이 도시된 도면.
도 5는 본 발명에 따른 도가니가 적용된 대구경 실리콘 단결정 성장장치가 도시된 도면.
도 6은 본 발명에 따른 도가니의 주요부가 도시된 도면.
도 7은 흑연도가니와 석영도가니 및 그 사이에 흑연 포일(Graphite foil)을 삽입한 구조에서 질화 붕소(BN)층의 위치와 성분에 따라 결정 성장 후에 위치별 부식 정도가 도시된 도면.
도 8a는 본 발명의 도가니에 브러시(Brush)로 질화 붕소(BN)층을 형성한 경우 결정 성장 후에 부식 정도가 도시된 도면.
도 8b는 본 발명의 도가니에 스프레이(Spray)로 질화 붕소(BN)층을 형성한 경우 결정 성장 후에 부식 정도가 도시된 도면.
도 9a는 흑연도가니와 석영도가니 및 그 사이에 흑연 포일(Graphite foil) 및 질화 붕소(BN) 시트를 삽입한 구조에서 결정 성장 후에 위치별 부식 정도가 도시된 도면.
도 9b는 도 9a의 직선 부분(straight)에서 결정 성장 후에 흑연 포일(Graphite foil)과 질화 붕소(BN) 시트 상태가 도시된 도면.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 도가니가 적용된 대구경 실리콘 단결정 성장장치가 도시된 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 도가니의 주요부가 도시된 도면이다.
본 발명에 따른 대구경 실리콘 단결정 성장장치는 도 5에 도시된 바와 같이 실리콘 용융액(M)이 담긴 도가니(110)와, 상기 도가니(110)에 열을 공급하는 히터(120)와, 상기 히터(120)로부터 발생된 열을 효율적으로 공급하기 위한 단열재(130)와, 상기 도가니(110)에 상측에 회전 또는 인상 가능하게 설치된 샤프트(140)와, 상기 샤프트(140) 하단에 구비된 종자 결정(150)을 포함하도록 구성된다.
상기 도가니(110)는 외벽을 형성하는 흑연도가니(111)와, 내벽을 형성하는 석영도가니(112)와, 상기 석영도가니(112) 외벽면에 코팅된 질화 붕소층(BN, 113)으로 이루어진다.
상기 흑연도가니(111)는 흑연 재질로 만들어지는데, 종방향으로 분할되도록 구성되며, 그 하부에 소정 회전축이 구비됨에 따라 회전 가능하게 설치된다.
상기 석영도가니(112)는 역시 석영 재질로 만들어지는데, 일종의 보울(bowl) 형태로 상기 흑연도가니(111) 내측에 안착된다. 이때, 상기 흑연도가니(111)와 석영도가니(112) 사이에 직접적인 접촉이 일어나지 않도록 흑연 호일(Graphite foil)이 구비될 수 있지만, 흑연 호일의 기능을 대신할 수 있는 질화 붕소층(113)이 구비됨에 따라 생략될 수 있다.
상기 질화 붕소층(113)을 형성하는 질화붕소는 흑연과 유사한 6방정계 구조를 갖고 있어 화학적, 물리적으로 흑연과 유사하지만, 백색으로서 전기적으로 뛰어난 절연체이며, 가스, 진공 등의 불활성 분위기에서는 최대 3000℃ 까지 안정하여 열적 우수성을 가진다.
이때, 상기 질화 붕소층(113)은 질화 붕소(BN) 파우더가 일종의 희석제인 IPA에 희석된 용액 형태로서, 상기 석영도가니(112)의 외측면에 코팅되도록 구비되는데, 기존에 고온에서 휘발하는 일종의 접착제인 바인더(Binder)를 포함하지 않는다. 따라서, 상기 질화 붕소층(113)은 접착력이 떨어질 수 있는데, 접착력을 높이기 위하여 상기 석영도가니(112)의 외측면에 설정크기 이상의 거칠기를 갖는 미세한 요철부(112a)를 형성하고, 상기의 질화 붕소(BN) 용액을 상기 석영도가니(112)에 스프레이 분사하여 코팅되도록 한다. 이때, 상기 질화 붕소(BN) 용액을 브러시(brush)로 칠하여 상기 질화 붕소층(113)을 형성할 수도 있지만, 스프레이 분사하는 것이 브러시로 칠하는 것보다 접착력을 높일 수 있으며, 하기에서 설명될 실험 결과를 통하여 확인할 수 있다.
그런데, 질화 붕소(BN)dmf 이용하여 질화 붕소층(113)을 형성하기 위한 방법은 CVD 혹은 PVD 등의 다양한 증착 방법에 의해서도 형성될 수 있으며, 이런 질화 붕소층(113)을 형성하는 방법은 비용 및 면적 대비 효율성을 고려하여 선택될 수 있다.
이와 같이 구성된 대구경 실리콘 단결정 성장장치의 작동을 살펴보면, 다음과 같다.
상기 히터(120)가 작동됨에 따라 상기 도가니(110) 및 그 내부에 실리콘 용융액(M)이 가열되고, 상기 종자 결정(150)이 상기 도가니(110) 측의 실리콘 용융액에 담긴 다음, 상기 샤프트(140)를 회전축을 중심으로 회전시키면, 상기 종자 결정(150)과 동일한 방향성을 가지는 단결정이 성장된다. 물론, 상기 샤프트(140)의 인상 속도를 조절하여 실리콘 단결정의 직경을 변화시키면서 성장시킬 수 있다.
이때, 상기 히터(120)가 상기 도가니(110)의 둘레 부분을 가열하기 때문에 결정 성장 시에 상기 도가니(110)의 측면이 대략 1700~1800℃의 고온 환경에 놓이게 된다. 하지만, 상기 흑연도가니(111)와 석영도가니(112)는 상기 질화 붕소층(113)에 의해 직접적으로 접촉하지 않으며, 상기 질화 붕소층(113)은 바인더 물질을 포함하지 않기 때문에 약 1700~1800℃ 온도 하에서도 기화되지 않을 뿐 아니라 상기 흑연도가니(111)와 석영도가니(112)와도 화학 반응도 일으키지 않는다.
따라서, 상기기와 같이 구성된 도가니(110)가 고온 환경에서 사용되더라도 상기 흑연도가니(111)와 석영도가니(112)의 직접적인 접촉에 의한 탄화 규소(SiC)화 반응을 효과적으로 억제하고, 고온 환경 하에서 상기 석영도가니(112)의 외측면에서 발생되는 산화규소(SiO) 가스 및 이 과정에서 생성되는 일산화탄소(CO) 가스 또는 이산화탄소(CO2) 가스에 의한 탄화규소(SiC)화 반응도 효과적으로 억제할 수 있다.
이와 같이 생성될 수 있는 산화규소(SiO) 가스와 일산화탄소(CO) 가스는 분압이 높아 분할된 흑연도가니(111) 내부로 유입될 수 있는데, 상기 석영도가니(112) 외벽으로부터 산화규소(SiO) 가스의 발생을 차단할 수 있어 상기 흑연도가니(111)의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 7은 흑연도가니와 석영도가니 및 그 사이에 흑연 포일(Graphite foil)을 삽입한 구조에서 질화 붕소(BN)층의 위치와 성분에 따라 결정 성장 후에 위치별 부식 정도가 도시된 도면이다.
상기에서 언급한 바와 같이 흑연도가니 내측에 흑연 포일이 위치되고, 석영도가니의 외측면이 흑연 포일과 맞닿도록 안착되는 구조를 기준으로 살펴볼 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 1 조건은 석영도가니 외측면에 브러시에 의해 형성된 질화 붕소층과 이와 맞닿도록 흑연 포일이 구비된 부분이고, 3 조건은 석영도가니 외측면과 맞닿도록 흑연 포일이 구비된 부분이며, 5 조건은 질화 붕소층이 스프레이 분사에 의해 흑연 포일의 일면에 구비된 부분이다. 이때, 도가니는 보울 형태로 형성되며, 측면을 straight, 측면과 바닥면 사이의 둥근 모서리 부분을 round, 바닥면을 bottom이라고 표시되어 있다.
상대적으로 온도가 낮은 round 및 bottom 영역의 석영도가니 외벽 접촉 부분을 살펴보면, 1 조건보다 5 조건에서 진한 회색 부분으로 나타나는 흑연 포일이 더 많이 남아 있어 산화 규소화 반응이 억제된 것을 볼 수 있다.
상대적으로 온도가 높은 straight 영역의 석영도가니 외벽 접촉 부분을 살펴 보면, 1 조건은 전영역이 탄화 규소화된 것으로 나타나지만, 5 조건은 흰색 부분으로 나타나는 질화 붕소층이 일부 남아있는 것을 볼 수 있다.
다시 말하면, 1 조건의 브러시로 질화 붕소층을 형성한 부분에서 질화 붕소층을 거의 볼 수 없는 반면, 5 조건의 스프레이 분사로 질화 붕소층을 형성한 부분에서 질화 붕소층이 남아있는 것을 볼 수 있다. 즉, 1 조건의 질화 붕소층은 바인더 물질을 포함하는 반면, 5 조건의 질화 붕소층은 바인더 물질을 포함하지 않기 때문에 고온 온도 하에서 바인더 물질이 휘발된 1 조건의 질화 붕소층은 남아있지 않는 반면, 그렇지 않은 5 조건의 질화 붕소층은 남아있는 것을 볼 수 있다.
따라서, 대구경 실리콘 단결정을 성장시키기 위한 고온 환경 조건에서 적용되는 질화 붕소층은 바인더를 포함하지 않는 성분으로 구성되는 것이 바람직하며, 흡착력을 높이기 위하여 상기에서 설명한 바와 같이 석영도가니의 미세 요철부를 구비하거나, 스프레이 분사와 같은 방법으로 형성되는 것이 바람직하다.
도 8a는 본 발명의 도가니에 브러시(Brush)로 질화 붕소(BN)층을 형성한 경우 결정 성장 후에 부식 정도가 도시된 도면이고, 도 8b는 본 발명의 도가니에 스프레이(Spray)로 질화 붕소(BN)층을 형성한 경우 결정 성장 후에 부식 정도가 도시된 도면이다.
도 8a에 도시된 바와 같이 질화 붕소층을 브러시로 석영도가니 외측면에 형성시킨 다음, 고온 하에서 단결정을 성장시키면, 모든 영역에서 질화 붕소층이 남아있는 것을 볼 수 있다.
도 8b에 도시된 바와 같이 질화 붕소층을 스프레이 분사로 흑연 포일의 일면에 형성시킨 다음, 고온 하에서 단결정을 성장시키면, 상대적으로 온도 범위가 낮은 round 및 bottom 영역에서 일부 질화 붕소층과 흑연 포일이 남아있는 반면, 상대적으로 온도 범위가 높은 straight 영역에서 일부 질화 붕소만 남아 있고, 나머지 부분은 탄화 규소화된 것을 볼 수 있다.
상기의 실험 결과를 기준으로 질화 붕소층을 석영도가니 외측면에 구비하면, 단결정 성장 시에 도가니 전체가 회전됨에 따라 석영도가니가 흑연도가니 내벽에 밀착되고, 이로 인하여 석영도가니가 외부에서 유입된 가스의 영향을 받기 어려울 뿐 아니라 석영도가니 자체에서 반응에 의해 발생되는 산화규소 가스를 억제할 수 있기 때문에 질화 붕소층을 유지할 수 있다.
따라서, 질화 붕소층은 흑연도가니 내측면에 구비되는 것보다 석영도가니 외측면에 구비되는 것이 바람직하다.
도 9a는 흑연도가니와 석영도가니 및 그 사이에 흑연 포일(Graphite foil) 및 질화 붕소(BN) 시트를 삽입한 구조에서 결정 성장 후에 위치별 부식 정도가 도시된 도면이고, 도 9b는 도 9a의 직선 부분(straight)에서 결정 성장 후에 흑연 포일(Graphite foil)과 질화 붕소(BN) 시트 상태가 도시된 도면이다.
도 9a에 도시된 바와 같이 흑연도가니와 석영도가니 사이에 흑연 포일을 삽입하고, 석영도가니와 접촉하는 표면에 복수개의 질화 붕소(BN) 시트를 위치시키는데, 결정 성장 시에 온도 차이를 보이는 흑연도가니의 straight, round, bottom 영역에 삽입한다.
이와 같은 실험 조건에서 대구경 실리콘 성장환경 즉, 흑연도가니의 straight 영역의 온도를 최대 1700 ~ 1800℃ 로 유지하면서 실험하면, 흑연 포일만 삽입된 부분과 추가로 질화 붕소(BN) 시트가 삽입된 부분을 비교한 실험결과가 다음과 같이 나타난다.
상대적으로 온도가 낮은 round 및 bottom 영역에서 부식 정도는 흑연 포일만 삽입된 부분과 추가로 질화 붕소(BN) 시트가 삽입된 부분과 차이가 없는 반면, 가장 온도가 높은 straight 영역에서 부식 정도는 흑연 포일만 삽입된 부분이 추가로 질화 붕소(BN) 시트가 삽입된 부분보다 0.5mm 정도 더 부식된 것을 볼 수 있다.
도 9b에 도시된 바와 같이 가장 온도가 높은 straight 영역 중 질화 붕소(BN) 시트가 삽입된 부분에서 결정 성장 이후에도 질화 붕소(BN) 시트가 잔류하며, 질화 붕소(BN) 시트를 일부 벗겨내더라도 흑연 포일이 그대로 유지된 것을 볼 수 있다. 즉, 대구경 실리콘 단결정 성장 환경 하에서도 흑연 포일과 질화 붕소(BN)층이 같이 구비되면, 질화 붕소(BN)층이 흑연 포일을 그대로 잔류시켜서 흑연도가니와 석영도가니의 직접적인 접촉 및 화학 반응을 억제하여 흑연도가니의 부식을 방지할 수 있으며, 흑연 포일 없이 질화 붕소(BN)층만 구비되더라도 동일한 효과를 내는 것으로 볼 수 있다.
110 : 도가니 111 : 흑연도가니
112 : 석영도가니 113 : 질화 붕소층

Claims (8)

  1. 흑연도가니;
    상기 흑연도가니 내측면에 안착되는 석영도가니; 및
    상기 흑연도가니 내측면과 맞닿는 상기 석영도가니 외측면에 구비된 질화 붕소(BN)층;을 포함하고
    상기 석영도가니 외측면은 상기 질화 붕소층의 접착력을 높이는 설정크기 이상의 거칠기가 형성된 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 질화 붕소(BN)층은 질화 붕소 파우더가 희석된 용액을 상기 석영도가니 외측면에 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 흑연도가니와 석영도가니 사이에 개재되는 흑연 포일;을 더 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니.
  5. 흑연도가니가 만들어지는 제1단계;
    석영도가니가 만들어지며, 상기 석영도가니 외측면에 설정크기 이상의 거칠기가 형성되는 제2단계;
    상기 석영도가니의 외측면에 질화 붕소층이 코팅되는 제3단계; 및
    상기 질화 붕소층이 상기 흑연도가니 내측면에 맞닿도록 상기 석영도가니를 상기 흑연도가니에 안착시키는 제4단계;를 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3단계는,
    질화 붕소 파우더를 용액에 희석하여 혼합제를 형성하는 제1과정과,
    상기 제1과정에서 혼합된 혼합제가 상기 석영도가니의 외측면에 도포되는 제2과정을 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제4단계는,
    상기 흑연도가니 내측면에 흑연 포일이 위치되는 제1과정과,
    상기 제1과정에서 위치된 흑연 포일에 상기 질화 붕소층이 맞닿도록 상기 석영도가니가 안착되는 제2과정을 포함하는 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 제조방법.
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