KR101443869B1 - 전원관리회로 및 이를 포함하는 센서노드 - Google Patents

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KR101443869B1 KR1020130041037A KR20130041037A KR101443869B1 KR 101443869 B1 KR101443869 B1 KR 101443869B1 KR 1020130041037 A KR1020130041037 A KR 1020130041037A KR 20130041037 A KR20130041037 A KR 20130041037A KR 101443869 B1 KR101443869 B1 KR 101443869B1
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주영환
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Abstract

전원관리회로 및 이를 포함하는 센서노드가 개시된다. 상기 전원관리회로는, 입력전압을 충전하는 충전부; 상기 충전부에 충전된 충전전압과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력하는 비교부; 및 상기 비교부의 비교결과에 기초하여 상기 내부회로의 전원으로 공급되는 상기 충전전압의 출력을 제어하는 논리회로부를 포함하며,상기 논리회로부는 다수의 MOSFET들을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면 히스테리시스를 갖는 전원관리회로에 구현되는 소자의 수가 적기 때문에 소비되는 전력이 작고, 집적화했을 경우 소형화에 유리한 효과가 있다.

Description

전원관리회로 및 이를 포함하는 센서노드{Power management circuit and sensor node having the same}
본 발명은 전원관리회로 및 이를 포함하는 센서노드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 히스테리시스(hysteresis)를 갖는 저전력 전원관리회로 및 이를 포함하는 센서노드에 관한 것이다.
에너지 하베스팅(Energy Harvesting) 기술은 열, 진동, 풍력, 또는 온도변화 등을 이용하여 에너지를 생산하는 기술로, 최근 상기 에너지 하베스팅 기술은 통신 노드, 특히 센서 네트워크에 도입되고 있다.
예컨대, 에너지 하베스팅 기술은 센서 네트워크의 각 노드에 전원을 공급하는데 사용된다. 그러나, 일반적인 센서노드는 공급되는 전원문제로 인해 패킷 송신 기능만을 지원한다. 그 결과 센서노드가 소비하는 평균 소비 전력은 크게 줄지만, 단방향 통신(즉, 송신)만 가능하기 때문에 통신 네트워크에서 데이터의 송수신 등 정상적인 기능을 할 수 없는 문제가 있다.
일반적으로 센서노드는 에너지 하베스팅 장치에 의해 전원을 공급받는 경우, 전원관리회로를 포함하며, 상기 전원관리회로는 에너지 하베스팅에 의해서 공급되는 전력을 축전기에 충전하고 충전된 전압이 소정의 전압 이상이 되면 내부회로(예컨대, MCU(Micro Controller Unit))에 전력을 공급한다.
또한, 상기 전원관리회로는 충전된 전압이 상기 소정의 전압 이하가 되면 상기 내부 회로에 전력을 공급하지 않도록 차단하고, 상기 축전기에 상기 내부회로가 충분히 구동 가능한 전력 수준까지 전압을 충전한다.
그러나, 일반적인 전원관리회로는 다수의 소자를 포함하여 소비전력이 많고 이로 인해 차지하는 면적이 큰 단점이 있는바, 소자의 수가 적어 소비전력을 감소시키고, 집적화했을 때 소형화가 가능한 전원관리회로 및 이를 포함하는 센서노드에 대한 발명이 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은, 히스테리시스(hysteresis)를 갖는 저전력 전원관리회로 및 상기 전원관리회로를 포함하는 센서노드를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은, 적은 소자의 수로 구현 가능한 전원관리회로 및 상기 전원관리회로를 포함하는 센서노드를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 입력전압을 충전하는 충전부; 상기 충전부에 충전된 충전전압과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력하는 비교부; 및 상기 비교부의 비교결과에 기초하여 내부회로의 전원으로 공급되는 상기 충전전압의 출력을 제어하는 논리회로부를 포함하며, 상기 논리회로부는 다수의 MOSFET들을 포함할 수 있다.
상기 비교부는, 상기 충전전압과 제1 기준전압을 비교하고 제1 비교신호를 출력하는 제1 비교기; 및 상기 충전전압과 제2 기준전압을 비교하고 제2 비교신호를 출력하는 제2 비교기를 포함하며, 상기 논리회로부는, 상기 제1 비교신호에 응답하여 상기 내부회로에 상기 충전전압을 출력하고, 상기 제2 비교신호에 응답하여 상기 내부회로에 공급되는 상기 충전전압을 차단할 수 있다.
상기 논리회로부는, 상기 제1 비교신호 및 상기 제2 비교신호에 기초하여 스위칭신호를 출력하는 스위칭신호 출력부; 및 상기 스위칭신호에 응답하여 상기 충전전압을 출력하는 출력스위치를 포함할 수 있다.
상기 출력부는, 제1 노드와 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제1 MOSFET; 제2 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제2 MOSFET; 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 접속되고 제4 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제3 MOSFET; 상기 제4 노드와 제5 노드 사이에 접속되고 상기 제2 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제4 MOSFET; 및 상기 제5 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제3 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제5 MOSFET를 포함할 수 있으며, 상기 제3 노드의 신호는 상기 출력스위치의 게이팅 신호일 수 있다.
상기 출력부는, 상기 제4 노드와 제6 노드 사이에 접속된 제1 저항; 상기 제1 노드와 상기 제6 노드 사이에 접속된 제2 저항; 및 상기 제3 노드와 상기 제6 노드 사이에 접속된 제3 저항을 더 포함하며, 상기 출력스위치는 상기 제6 노드와 상기 충전전압이 출력되는 출력노드 사이에 접속될 수 있다.
상기 제1 기준전압과 제2 기준전압의 레벨은 서로 다를 수 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 전력을 발생시키는 전력발생소자; 상기 전력발생소자에 의해서 발생된 전압을 내부회로에 공급하는 전원관리회로를 포함하며, 상기 전원관리회로는, 상기 전력발생소자에서 발생된 전압을 충전하는 충전부; 상기 충전부에 충전된 충전전압과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력하는 비교부; 및 상기 비교부의 비교결과에 기초하여 상기 내부회로에 전원으로 공급되는 상기 충전전압의 출력을 제어하는 논리회로부를 포함하며,상기 논리회로부는 다수의 MOSFET들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전원관리회로 및 상기 전원관리회로를 포함하는 센서노드는 히스테리시스를 갖는 전원관리회로에 구현되는 소자의 수가 적기 때문에 소비되는 전력이 작고, 집적화했을 경우 소형화에 유리한 효과가 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전원관리회로 및 상기 전원관리회로를 포함하는 센서노드는 소비되는 전력이 작기 때문에 에너지 하베스팅 시스템에 의해서 전원이 공급되는 상황에서도 정상적인 동작이 가능한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원관리회로의 구성도이다.
도 2는 도 1의 충전부의 회로도이다.
도 3은 도 1의 비교부의 구성도이다.
도 4는 도 1의 논리회로부의 구성도이다.
도 5는 도 1의 전원관리회로의 동작 타이밍도이다.
도 6은 도 1의 전원관리회로를 포함하는 센서노드이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
또한, 본 명세서에 있어서는 어느 하나의 구성요소가 다른 구성요소로 신호를 '전송(또는, 제공, 전달)'하는 경우에는 상기 구성요소는 상기 다른 구성요소로 직접 상기 신호를 전송(또는, 제공, 전달)할 수도 있고, 적어도 하나의 또 다른 구성요소를 통하여 상기 데이터를 상기 다른 구성요소로 전송(또는, 제공, 전달)할 수도 있는 것을 의미한다.
반대로 어느 하나의 구성요소가 다른 구성요소로 신호를 '직접 전송(또는, 제공, 전달)'하는 경우에는 상기 구성요소에서 다른 구성요소를 통하지 않고 상기 다른 구성요소로 상기 신호가 전송(또는, 제공, 전달)되는 것을 의미한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원관리회로의 구성도이고, 도 2는 도 1의 충전부의 회로도이다. 도 3은 도 1의 비교부의 구성도이고, 도 4는 도 1의 논리회로부의 구성도이다. 도 1 내지 도 4를 참조하면, 전원관리회로(10)는 충전부(12), 비교부(14), 및 논리회로부(16)를 포함할 수 있다.
센서네트워크의 센서노드(예컨대, 도 6)에 구현되어 내부회로(예컨대, MCU(Micro Controller Unit), 130)에 구동전압을 공급할 수 있는 전원관리회로(10)는 충전부(12), 비교부(14), 및 논리회로부(16)를 포함할 수 있다.
상기 충전부(12)는 입력전압(Vin)을 충전할 수 있다. 상기 충전부(12)는 적어도 하나의 축전기(C)로 구성될 수 있으며, 입력전압(Vin)을 상기 적어도 하나의 축전기(C)에 충전하고 충전된 전압을 내부회로(예컨대, MCU(Micro Controller Unit), 도 6의 130)에 공급할 수 있다.
한편, 상기 충전부(12)는 입력전압(Vin)이 커질수록 저장할 수 있는 전력량이 증가하기 때문에 승압회로(미도시)를 더 포함할 수 있으며, 이때 상기 승압회로는 과전압 차단회로를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에서, 입력전압(Vin)이 3.3(V)라고 가정하면 적어도 하나의 축전기(C)의 용량은 내부회로를 충분히 구동시킬 전력량과 사용자가 내부회로를 동작시키려는 주기에 따라 달라질 수 있다.
예컨대, 내부회로가 동작할 때 필요한 구동전압이 3.3(V), 구동전류가 40(mA), 동작이 끝날 때까지 걸리는 시간이 0.1(초)라고 가정하였을 때, 소비되는 에너지(J)는 다음과 같다.
Figure 112013032562691-pat00001
(수학식 1에서 E소비는 내부회로가 소비하는 에너지이다.)
Figure 112013032562691-pat00002
(수학식 2에서 C충전은 적어도 하나의 축전기(C)의 용량이고, V공급은 상기 적어도 하나의 축전기(C)에 공급되는 입력전압(Vin)의 크기이다.)
Figure 112013032562691-pat00003
즉, 수학식 3에 의하여 적어도 하나의 축전기(C)의 용량이 2.4mF인 경우, 충전부(12)는 내부 회로를 구동할 정도의 충분한 에너지를 저장할 수 있다.
상기 비교부(14)는 충전부(12)에 충전된 충전전압(Vc)과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력할 수 있다. 상기 비교부(14)는 전압감지기(Voltage detector) 또는 Reset IC 등 비교기를 내장한 반도체 소자로 구현될 수 있으며, 상기 비교부(14)는 히스테리시스 특성을 갖는 슈미트 트리거(Schmitt trigger)일 수 있다.
상기 비교부(14)는 제1 비교기(141) 및 제2 비교기(143)를 포함할 수 있다. 상기 제1 비교기(141)는 충전전압(Vc)과 제1 기준전압을 비교하고 제1 비교신호(V1)를 출력할 수 있다.
예컨대, 제1 기준전압이 3.2(V)인 경우, 상기 제1 비교기(141)는 상기 충전전압(Vc)이 제1 기준전압(예컨대, 3.2(V))보다 큰 경우, 제1 상태(예컨대, '하이' 또는 '1')를 갖는 제1 비교신호(V1)를 출력할 수 있다.
또는, 상기 제1 비교기(141)는 상기 충전전압(Vc)이 제1 기준전압(예컨대, 3.2(V))보다 작은 경우, 제2 상태(예컨대, '로우' 또는 '0')를 갖는 제1 비교신호(V1)를 출력할 수 있다.
또한, 상기 제2 비교기(143)는 충전전압(Vc)과 제2 기준전압을 비교하고 제2 비교신호(V2)를 출력할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 기준전압이 2.7(V)인 경우, 상기 제2 비교기(143)는 상기 충전전압(Vc)이 제2 기준전압(예컨대, 2.7(V))보다 큰 경우, 제1 상태(예컨대, '하이' 또는 '1')를 갖는 제2 비교신호(V1)를 출력할 수 있다.
또는, 상기 제2 비교기(143)는 상기 충전전압(Vc)이 제2 기준전압(예컨대, 2.7(V))보다 작은 경우, 제2 상태(예컨대, '로우' 또는 '0')를 갖는 제2 비교신호(V2)를 출력할 수 있다.
한편, 상기 제1 기준전압과 제2 기준전압의 레벨은 서로 다를 수 있으며, 바람직하게는 상기 제1 기준전압의 전압레벨인 상기 제2 기준전압의 전압레벨보다 클 수 있다.
상기 논리회로부(16)는 비교부(14)의 비교결과에 기초하여 내부회로의 전원으로 공급되는 충전전압(Vc)의 출력을 제어할 수 있다. 상기 논리회로부(16)는 출력부(161) 및 출력스위치(M6)를 포함할 수 있다. 상기 출력부(161)는 제1 비교신호(V1) 및 상기 제2 비교신호(V2)에 기초하여 스위칭신호(VN3)를 출력할 수 있다.
상기 논리회로부(16)는 제1 MOSFET(M1), 제2 MOSFET(M2), 제3 MOSFET(M3), 제4 MOSFET(M4), 및 제5 MOSFET(M5)를 포함할 수 있다.
상기 제1 MOSFET(M1)는 제1 노드(N1)와 접지단자(NG) 사이에 접속되고 상기 제1 비교신호(V1)에 응답하여 게이팅(또는, 스위칭)될 수 있으며, 상기 제2 MOSFET(M2)는 제2 노드(N2)와 상기 접지단자(NG) 사이에 접속되고 상기 제1 노드(N1)의 신호에 응답하여 게이팅될 수 있다.
상기 제3 MOSFET(M3)는 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3) 사이에 접속되고 제4 노드(N4)의 신호에 응답하여 게이팅될 수 있고, 제4 MOSFET(M4)는 제4 노드(N4)와 제5 노드(N5) 사이에 접속되고 상기 제2 비교신호(V2)에 응답하여 게이팅될 수 있다.
상기 제5 MOSFET(M5)는 제5 노드(N5)와 접지단자(NG) 사이에 접속되고 상기 제3 노드의 신호(VN3)에 응답하여 게이팅될 수 있으며, 이때, 상기 제3 노드(N3)의 신호(VN3)는 출력스위치(M6)의 게이팅 신호일 수 있다.
한편, 상기 논리회로부(16)는 제1 저항(R1), 제2 저항(R2), 및 제3 저항(R3)을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 저항(R1)은 제4 노드(N4)와 제6 노드(N6) 사이에 접속될 수 있으며, 제2 저항(R2)은 상기 제1 노드(N1)와 상기 제6 노드(N6) 사이에 접속될 수 있으며, 제3 저항(R3)은 상기 제3 노드(N3)와 상기 제6 노드(N6) 사이에 접속될 수 있다.
이때, 상기 제1 내지 제3 저항(R1 내지 R3)의 크기는 논리회로부에서 손실되는 전력을 최소화하기 위하여 매우 크게 설정될 수 있다.
한편, 상기 출력스위치(M6)는 상기 제6 노드(N6)와 상기 충전전압이 출력되는 출력노드 사이에 접속되어 제3 노드(N3)의 신호레벨인 스위칭신호(VN3)에 응답하여 게이팅(또는, 스위칭)되어 충전전압(Vc)을 내부회로로 공급할 수 있다.
도 5는 도 1의 전원관리회로도의 동작 타이밍도이다. 도 5를 참조하여, 논리회로부(16)의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 논리회로부(16)는 충전부(12)의 충전전압(Vc)이 제1 기준전압(예컨대, 3.2(V)) 보다 높은 경우("t1" 시점), 제1 상태(예컨대, '하이' 또는 '1')을 갖는 스위칭신호(VN3)를 발생하여 출력스위치(M6)를 통하여 내부회로부에 상기 충전전압(Vc)을 공급할 수 있다.
또한, 상기 논리회로부(16)는 충전부(12)의 충전전압(Vc)이 제2 기준전압(예컨대, 2.7(V)) 보다 낮은 경우("t2" 시점), 제2 상태(예컨대, '로우' 또는 '0')을 갖는 스위칭신호(VN3)를 발생하여 출력스위치(M6)를 통하여 내부회로부에 상기 충전전압(Vc)을 차단할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 의한 전원관리회로(10)는 Hysteresis를 갖는 스위칭 회로이다.
즉, 본 발명의 실시 예에 따른 전원관리회로(10)는 충전전압(Vc)이 제1 기준전압(예컨대, 3.2(V))이 될 때까지 내부회로에 공급되는 전원을 차단하고, 상기 충전전압(Vc)이 제1 기준전압(예컨대, 3.2(V))이상이 되는 경우 충전전압(Vc)을 상기 내부회로로 공급할 수 있다.
또한, 상기 전원관리회로(10)는 상기 충전전압(Vc)이 제1 기준전압(예컨대, 3.2(V))이상이 되어 상기 내부회로에 충전전압(Vc) 공급이 시작되는 경우, 충전전압(Vc)이 제2 기준전압(예컨대, 2.7(V))이 될 때까지 내부회로에 전원을 공급하고, 상기 충전전압(Vc)이 제2 기준전압(예컨대, 2.7(V)) 미만이 되는 경우 내부회로에 공급되는 전원을 차단할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 전원관리회로(10)는 비교기 두 개(141, 143)와 5개의 MOSFET(M1 내지 M5)로 구성된 히스테리시스 회로로 구현되기 때문에 소자의 수가 적어 소비되는 전력이 작고, 집적화했을 경우 소형화에 유리한 효과가 있다.
도 6은 도 1의 전원관리회로를 포함하는 센서노드이다. 도 1 내지 도 6을 참조하면, 센서노드(100)은 전력발생소자(110, 예컨대, 열전소자), 승압회로(120), 전원관리회로(10), 및 내부회로(또는, MCU(Micro Controller Unit), 130)를 포함할 수 있다.
상기 전력발생소자는 열, 진동, 또는 풍력 중에서 적어도 어느 하나에 의해서 전력을 발생시킬 수 있다. 예컨대, 상기 전력발생소자가 열에 의해서 전력을 발생시키는 경우, 상기 전력발생소자는 열전소자(110)일 수 있으며, 상기 열전소자(110)는 열에 의해서 전력을 발생시킬 수 있다.
이때, 상기 열전소자(110)는 제베크(Seeback)효과를 이용한 열전 재료 또는 펠티에(Peltier) 소자(열전 재료) 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 열에 의해서 전력을 외부로 출력할 수 있는 출력단자(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 승압회로(120)는 상기 열전소자(110)로부터 발생된 전압을 승압할 수 있으며, 과전압 차단회로를 포함할 수 있다. 상기 전원관리회로(10)는 히스테리시스특성을 갖는 회로로서 열전소자(110)에 의해서 발생된 전압을 내부회로(130)로 공급할 수 있으며, 상기 전원관리회로의 구성 및 동작에 대한 상세한 설명을 상술하였는바 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 내부회로(130)는 상기 전원관리회로(10)로부터 공급되는 전압을 공급받아 동작할 수 있다. 예컨대, 상기 내부회로(130)는 상기 전원관리회로(10)으로부터 공급되는 전압을 공급받아 소정의 센싱동작을 수행할 수 있으며, 센싱된 결과를 내부의 RF 동작회로 및 RF 안테나를 통하여 출력할 수 있다.
예컨대, 상기 센서노드(100)가 센서네트워크상에서 온도를 감지하는 노드인 경우, 내부회로(130)는 상기 전원관리회로(10)으로부터 공급되는 전압을 공급받아 온도감지를 하고 감지된 온도정보를 RF 안테나를 통하여 출력할 수 있다.
한편, 상기 내부회로(130)는 이차전지의 전원 입력부일 수도 있으며, 이 경우, 상기 전원관리회로(10)는 이차전지에 안정적인 충전전압을 공급하기 위한 히스테리시스 특성을 갖는 전자식 스위치 역할을 할 수 있음은 물론이다.
본 발명은 전술한 실시 예들에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
10 : 전원관리회로
12 : 충전부
14 : 비교부
16 : 논리회로부

Claims (7)

  1. 내부회로에 전원을 공급하는 전원관리회로에 있어서,
    입력전압을 충전하는 충전부;
    상기 충전부에 충전된 충전전압과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력하는 비교부; 및
    상기 비교부의 비교결과에 기초하여 상기 내부회로의 전원으로 공급되는 상기 충전전압의 출력을 제어하는 논리회로부를 포함하며,
    상기 논리회로부는,
    상기 비교 결과로서의 제1 비교신호 및 제2 비교신호에 기초하여 스위칭신호를 출력하는 스위칭신호 출력부를 포함하고,
    상기 스위칭신호 출력부는,
    제1 노드와 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제1 MOSFET;
    제2 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제2 MOSFET;
    상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 접속되고 제4 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제3 MOSFET;
    상기 제4 노드와 제5 노드 사이에 접속되고 상기 제2 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제4 MOSFET; 및
    상기 제5 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제3 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제5 MOSFET를 포함하는 전원관리회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비교부는,
    상기 충전전압과 제1 기준전압을 비교하고 상기 제1 비교신호를 출력하는 제1 비교기; 및
    상기 충전전압과 제2 기준전압을 비교하고 상기 제2 비교신호를 출력하는 제2 비교기를 포함하며,
    상기 논리회로부는,
    상기 제1 비교신호에 응답하여 상기 내부회로에 상기 충전전압을 출력하고, 상기 제2 비교신호에 응답하여 상기 내부회로에 공급되는 상기 충전전압을 차단하는 전원관리회로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 논리회로부는,
    상기 스위칭신호에 응답하여 상기 충전전압을 출력하는 출력스위치를 더 포함하는 전원관리회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3 노드의 신호는 상기 출력스위치의 게이팅 신호인 전원관리회로.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 스위칭신호 출력부는,
    상기 제4 노드와 제6 노드 사이에 접속된 제1 저항;
    상기 제1 노드와 상기 제6 노드 사이에 접속된 제2 저항; 및
    상기 제3 노드와 상기 제6 노드 사이에 접속된 제3 저항을 더 포함하며,
    상기 출력스위치는,
    상기 제6 노드와 상기 충전전압이 출력되는 출력노드 사이에 접속되는 전원관리회로.
  6. 제2항에 있어서, 상기 제1 기준전압과 제2 기준전압의 레벨은 서로 다른 전원관리회로.
  7. 전력을 발생시키는 전력발생소자;
    상기 전력발생소자에 의해서 발생된 전압을 내부회로에 공급하는 전원관리회로를 포함하며,
    상기 전원관리회로는,
    상기 전력발생소자에서 발생된 전압을 충전하는 충전부;
    상기 충전부에 충전된 충전전압과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력하는 비교부; 및
    상기 비교부의 비교결과에 기초하여 상기 내부회로의 전원으로 공급되는 상기 충전전압의 출력을 제어하는 논리회로부를 포함하며,
    상기 논리회로부는,
    상기 비교 결과로서의 제1 비교신호 및 제2 비교신호에 기초하여 스위칭신호를 출력하는 스위칭신호 출력부를 포함하고,
    상기 스위칭신호 출력부는,
    제1 노드와 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제1 MOSFET;
    제2 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제2 MOSFET;
    상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 접속되고 제4 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제3 MOSFET;
    상기 제4 노드와 제5 노드 사이에 접속되고 상기 제2 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제4 MOSFET; 및
    상기 제5 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제3 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제5 MOSFET를 포함하는 센서노드.
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