KR101439096B1 - Substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판처리방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 공정시간과 기판의 회전속도가 가변되더라도, 기판이 회전시작위치와 동일한 위치에서 정지되도록 즉, 회전정지위치와 회전종료위치가 동일하게 되도록 기판의 회전속도를 제어할 수 있는 기판처리방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing method and, more particularly, to a substrate processing method and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing method and a substrate processing method, To a substrate processing method capable of controlling a rotation speed of a substrate.
도 1에는 일반적으로 반도체 처리공정에서 사용되는 기판처리장치에 대한 개략적인 구성도가 개시되어 있다.FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus used in a semiconductor processing process in general.
일반적으로 반도체 소자를 제조하는 공정으로는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 포토 리소그래피(Photo lithography) 공정, 식각(Etching) 공정, 이온 주입 공정, 화학적 기계적 연마(CMP : Chemical mechanical polishing) 공정 등과 같은 단위 공정들을 포함하며, 이러한 단위 공정들을 반복적, 그리고 순차적으로 진행하여 반도체 기판(W)으로 사용되는 실리콘 기판 상에 전기적인 회로 패턴을 형성한다.
Generally, semiconductor devices are manufactured by a chemical vapor deposition (CVD) process, a sputtering process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a chemical mechanical polishing process And CMP (Chemical Mechanical Polishing) process. These unit processes are repeatedly and sequentially performed to form an electrical circuit pattern on the silicon substrate used as the semiconductor substrate W.
상술한 각각의 공정에 있어서 기판 처리 공정마다 공정가스의 양이나, 기판의 회전속도 등 각각의 공정조건이 필요한데, 특히 기판의 평면 저속 회전이 필요한 공정에서는 기판의 회전속도는 사용자가 적절하게 임의로 정하는 방식을 따르고 있다. In each of the above-described processes, the respective process conditions such as the amount of the process gas and the rotation speed of the substrate are required for each of the substrate process steps. Particularly, in the process in which the substrate needs to be rotated at low speed, .
이와 관련하여, 공정조건으로서 기판의 회전수를 제어하여 도포액을 도포하는 방법으로서, 한국등록특허 제10-0285524호에는 반도체웨이퍼, 포토마스크용의 유리기판(W), 액정표시장치용의 유리기판(W), 광디스크용의 기판(W) 등(이하, 간단히 기판(W)이라 부른다)을 소정의 공급회전수로 저속회전시키면서, 포토레지스트액, SOG액 (실리카계 피막형성재라고도 부른다), 폴리이미드수지 등의 도포액을 공급한 후, 그 기판(W)을 피막형성 회전수로 고속회전시켜 소망하는 막두께의 도포피막을 형성하는 기술이 개시되어 있다.
In this connection, Korean Patent Registration No. 10-0285524 discloses a method of applying a coating liquid by controlling the number of revolutions of a substrate as a process condition. Japanese Patent Application Laid-open No. 10-0285524 discloses a method of manufacturing a semiconductor wafer, a glass substrate (W) for a photomask, A photoresist solution, an SOG solution (also referred to as a silica-based coating film forming material) while rotating the substrate W, a substrate W for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate W) at a predetermined feed rotation speed, , A polyimide resin or the like is supplied to the substrate W, and the substrate W is rotated at a high rotation speed to form a coating film having a desired film thickness.
공정조건에 따라, 원하는 막 특성을 얻기 위해서는 기판상에 도포액이 균일하게 도포되어야 한다. 필요에 따라 원하는 박막의 맵 특성을 변경하여야 하거나, 목표로 하는 박막의 맵 특성에 도달하지 못하거나 하여, 공정조건을 변경할 필요가 있는 경우, 공정조건의 하나로서 기판의 회전속도를 변경할 경우가 있다. Depending on the process conditions, the coating liquid must be applied uniformly on the substrate in order to obtain desired film properties. There is a case where the rotational speed of the substrate is changed as one of the process conditions when it is necessary to change the map characteristic of the desired thin film as required or to fail to reach the target map characteristic of the thin film and to change the process condition .
그러나, 종래에는 공정조건으로서 기판의 회전속도를 변경할 경우, 기판의 회전속도와 회전시간과의 상관관계를 무시하여 회전속도만을 변경하기 때문에 기판의 특정영역만이 공정처리에 많이 노출되어 박막의 맵 특성이 서로 다른 결과를 나타내어 오류가 발생하는 문제점이 있었다. However, conventionally, when the rotation speed of the substrate is changed as a process condition, only the rotation speed is changed by neglecting the correlation between the rotation speed of the substrate and the rotation time, so that only a specific region of the substrate is exposed to the process, There is a problem that errors occur due to different characteristics.
즉, 작업자가 기판의 회전속도를 변경하여 지정하더라도 공정시간이 동적으로 가변함에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 회전시작위치(P0)에서 회전하기 시작해서 회전시작위치(P0)에서 정지하지 않고 기판(W)의 회전시작위치(P0)와 회전종료위치(Pt)가 상이하게 되는 상황이 발생하여, 일부 영역에서 공정처리에 더 많이 노출되거나 일부 영역에서 공정처리에 적게 노출되어 기판의 전 영역에서 균일한 공정처리가 이루어지지 않는 문제가 발생한다. That is, even if the operator changes the rotation speed of the substrate and designates the processing time dynamically, the substrate W starts to rotate at the rotation start position P0 as shown in Fig. 2, The rotation start position P0 of the substrate W and the rotation end position Pt become different from each other without stopping in the processing of the substrate P There arises a problem that uniform process processing is not performed in the entire region of the substrate exposed.
예를 들면, 특정공정단계에서, 공정작업자가 설정한 분당회전수가 2 RPM이고, 공정시간이 84초인 경우에, 서셉터(120)의 회전수는 2.8가 됨에 따라, 도 2의 (a)에 도시된 회전시작위치(P0)에서 2.8번이 회전된 다음에 정지하게 되는데, 이때, 회전시작위치(P0)와 회전종료위치(Pt) 사이에는 288도(=0.8ⅹ360)의 각도만큼의 잔여각도가 발생하게 되고, 이에 따라, 면적 A에 해당되는 부분이 면적 B에 해당되는 부분보다 도포액이 더 도포됨에 따라, 도포액이 기판(W)에 균일하게 도포될 수 없다는 문제점이 있다.
For example, in a specific process step, when the number of rotations per minute set by the process operator is 2 RPM and the process time is 84 seconds, the number of rotations of the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 필요에 따라 공정시간과 기판의 회전속도가 가변되더라도, 기판이 회전시작위치와 동일한 위치에서 정지되도록 즉, 회전정지위치와 회전종료위치가 동일하게 되도록 기판의 회전속도를 제어하여 기판의 전체 영역에서 균일한 공정처리가 이루어질 수 있는 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for controlling a substrate rotation speed, And to provide a substrate processing method in which a uniform processing process can be performed in the entire region of the substrate by controlling the rotation speed of the substrate to be the same.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 기판처리방법은, 공정조건의 변경에 따라 공정시간과 기판의 회전속도를 변경하여 설정하고 저장하는 단계와, 상기 공정시간과 회전속도로부터 기판의 회전수를 산출하는 단계와, 상기 회전수가 정수가 아닐 때에는 상기 회전수의 값에 근접한 정수로 보정하여 보정회전수를 설정하는 단계와, 상기 보정회전수와 상기 공정시간으로부터 기판의 보정 회전속도를 산출하는 단계와, 상기 공정시간 동안에 상기 보정 회전속도에 의해 기판을 공정처리하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, the method comprising: setting and storing a process time and a rotation speed of the substrate in accordance with a change in a process condition; Calculating a correction rotation speed by correcting the rotation speed to an integer close to the rotation speed value when the rotation speed is not an integer; calculating a correction rotation speed of the substrate from the correction rotation speed and the process time; And processing the substrate by the corrected rotational speed during the processing time.
여기서, 상기 회전속도 및 상기 보정회전속도는 분당회전수(RPM)인 것을 특징으로 한다.Here, the rotation speed and the correction rotation speed are RPM per minute.
여기서, 기판의 회전수 N은 N = (공정시간/60) ⅹ (기판의 회전속도)에 의해 산출되는 것을 특징으로 한다. Here, the number of revolutions N of the substrate is calculated by N = (process time / 60) x (rotation speed of the substrate).
여기서, 상기 보정회전수는 상기 회전수의 값을 절삭하거나 반올림하거나 올림한 정수값으로 설정되는 것을 특징으로 한다. Here, the correction rotation speed is set to an integer value obtained by cutting, rounding, or rounding up the value of the rotation speed.
여기서, 상기 기판의 보정회전속도는 Vt = (Nt ⅹ 60)/(공정시간)에 의해 산출되는 것을 특징으로 한다. Here, the correction rotational speed of the substrate is calculated by Vt = (Nt ⅹ 60) / (process time).
(여기서, Vt는 기판의 보정 회전속도, Nt는 기판의 보정회전수를 의미한다)
(Where Vt is the correction rotation speed of the substrate and Nt is the correction rotation speed of the substrate)
상술한 본 발명의 기판처리방법에 의하면, 필요에 따라 공정시간과 기판의 회전속도가 가변되더라도, 정수 값을 가지는 보정회전수에 의해 기판의 회전속도를 보정하여 기판이 회전시작위치와 동일한 위치에서 정지되도록 즉, 회전정지위치와 회전종료위치가 동일하게 되도록 기판의 회전속도를 제어하여 기판의 전체 영역에서 균일한 공정처리가 이루어질 수 있다.
According to the above-described substrate processing method of the present invention, even if the process time and the rotation speed of the substrate are varied as needed, the rotation speed of the substrate is corrected by the correction rotation number having an integer value, The rotation speed of the substrate can be controlled so that the rotation stop position and the rotation end position are the same, so that uniform processing can be performed in the entire region of the substrate.
도 1은 기판 처리 장치의 구성도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 종래의 기술에서 공정조건의 변경에 따라 기판의 회전속도만을 변경한 경우 기판의 회전시작위치와 공정종료후 기판의 회전종료위치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법에 의한 공정시작시의 기판의 회전시작위치와 공정종료후 기판의 회전종료위치를 개략적으로 도시한 것이다. 1 schematically shows the structure of a substrate processing apparatus.
FIG. 2 schematically shows the rotation start position of the substrate and the rotation end position of the substrate after the end of the process when only the rotation speed of the substrate is changed according to the change of the process conditions in the conventional technique.
3 schematically shows a flow chart of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 schematically shows a substrate rotation start position and a substrate rotation end position at the start of a process according to a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
상술한 본 발명의 목적, 특징 및 장점은 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 기판처리방법을 상세히 설명한다.
The above objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description. Hereinafter, a substrate processing method according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 공정챔버(110), 기판 지지부재인 서셉터(120), 구동부(130), 분사부(140), 공정소스 공급부(150), 제어부(160), 정보입력수단(170)을 포함한다. 1, a
본 발명의 일 실시예에서, 공정챔버(110)는 표면에 박막이 형성되는 공정의 대상물인 기판(W)을 외부와 격리시켜 박막 형성을 위한 증착 공정이 수행되는 내부공간이 마련된 박스형 부재인 것을 예로 하지만, 반드시 이에 한정되지 않는다. In an embodiment of the present invention, the
공정챔버(110)의 일측에는 출입구(111)가 제공된다. 공정 진행시 기판(W)들은 출입구(미도시)를 통해 공정챔버(110)로 출입한다. 본 실시예에서, 공정챔버(110)의 내부공간에는 서셉터(120)와 분사부(140)가 설치된다. 여기서, 서셉터(120)는 공정챔버(110)의 내부공간의 하부에 설치되고, 분사부(140)는 공정챔버(110)의 내부공간에서 서셉터(120)의 상부에 설치된다.
An entrance (111) is provided at one side of the process chamber (110). During the process, the substrates W enter and exit the
본 실시예에서, 서셉터(120)는 기판(W)을 지지 및 기판(W)을 회전시키는 부재이다. 본 실시예에 따른 서셉터(120)는 공지기술인 바, 이하에서는 서셉터(120)에 대한 구체적인 구조 및 하위구성요소, 예컨대, 기판(W)을 가열하는 히터부재, 기판(W)을 승강시키기위한 복수의 리프트 핀과 같은 구성요소에 대한 구체적인 설명 및 이들의 연결관계, 그리고 이들의 작동방식에 대해서는 구체적인 설명을 생략하기로 한다.In this embodiment, the
또한, 상기 서셉터는 본 출원인의 선행특허출원 10-2012-0035523호에 개시된 바와 같이, 서셉터의 외주부에 원통형 형상으로 형성되고, 내부에 히터를 수용하며, 내측끝단에 절곡되어 기판이 안착될 수 있도록 형성된 쿼츠링을 구비하며, 상기 쿼츠링을 회전시켜 쿼츠링에 안착된 기판을 회전시키면서 기판상에 박막을 증착시킬 수 있도록 구성될 수 있다.
The susceptor is formed in a cylindrical shape on the outer periphery of the susceptor as shown in the applicant's prior patent application No. 10-2012-0035523. The susceptor accommodates the heater therein and is bent at the inner end to seat the substrate And the quartz ring may be rotated to deposit a thin film on the substrate while rotating the substrate placed on the quartz ring.
본 실시예에서, 서셉터(120)는 구동부(130)에 연결되어, 구동부(130)의 작동시 회전작동된다. 여기서, 구동부(130)는 공정챔버(110)의 외부에 설치된다. 구동부(130)로는 구동모터의 회전수와 회전속도를 제어할 수 있는 엔코더가 설치된 스텝핑 모터를 사용될 수 있다. 구동부(130)는 제어부(160)에 연결되어, 제어부(160)에 의해 제어되어, 서셉터(120)를 회전시킨다. In this embodiment, the
한편, 본 발명의 일 실시예에서, 공정챔버(110)의 내부공간에는 서셉터(120)에 안착된 기판(W)으로 공정물질(예컨대, 공정가스 또는 도포액)을 분사하기 위한 분사부(140)가 설치된다. 이때, 분사부(140)는 서셉터(120)의 상부에 위치된다. 분사부(140)에는 공정소스공급부(150)가 연결된다. 여기서, 공정소스공급부(150)는 공정챔버(110)의 외부에 설치된다. 공정소스공급부(150)는 제어부(160)에 연결된다. 여기서, 제어부(160)는 공정소스공급부(150)에서 분사부(140)로 제공되는 공정가스 또는 도포액 등과 같은 공정소스의 양을 제어할 수 있다. In an embodiment of the present invention, a spraying part (not shown) for spraying a process material (for example, a process gas or a coating liquid) onto a substrate W mounted on the
본 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 제어부(160)는 구동부(130)와 공정소스공급부(150)에 연결된다. 그리고, 제어부(160)는 정보입력수단(170)과 연결된다. 본 발명의 일 실시예에서, 제어부(160)는 정보입력수단(170)에 의해 입력된 공정조건에 따라, 구동부(130)와 공정소스공급부(150)를 제어할 수 있다.
In this embodiment, as shown in FIG. 1, the
이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법에 대해 설명하기로 한다.
Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 원하는 박막의 맵 특성을 변경하여야 하거나, 목표로 하는 박막의 맵 특성에 도달하지 못하거나 하여 공정조건을 변경할 필요가 있는 경우, 공정조건의 하나로서 기판의 회전속도와 회전수를 보정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법이다. The substrate processing method according to the present invention is characterized in that when it is necessary to change the map characteristic of a desired thin film or if it is necessary to change the process condition by failing to reach the target map characteristic of the thin film, And the number of revolutions is corrected.
즉, 변경된 공정시간 동안에 기판의 회전수 및 회전속도를 보정하고 제어하여, 기판(W)의 회전시작위치(P0)와 기판(W)의 회전종료위치(Pt)가 동일위치에 오도록 제어부(160)를 통해 구동부(130)를 제어하기 위한 방법으로서, 이를 구현하기 위해 다음과 같은 과정이 진행된다.
The
우선, 공정조건의 변경에 따라 공정시간과 기판의 회전속도를 변경하여 설정하고 이를 제어부에 저장한다. First, the process time and the rotation speed of the substrate are changed and set according to the change of the process condition, and the process time is stored in the control unit.
여기서, 공정조건의 변경은, 동일 공정에서 원하는 박막의 맵 특성을 변경하여야 하거나 목표로 하는 박막의 맵 특성에 도달하지 못하거나 하여 공정조건을 변경하는 경우일 수도 있고, 어느 한 공정에서 다른 공정으로 공정이 진행될 때에 공정조건이 변경되는 경우일 수도 있다. Here, the change of the process condition may be a change of the map characteristic of the desired thin film in the same process, a change of the process condition due to the failure to reach the target property of the thin film, It may be the case that the process conditions are changed when the process proceeds.
공정조건이 변경될 경우, 본 실시예에 있어서는 다양한 공정조건 중에서 특히 기판의 회전속도와 공정시간을 주요 파라미터로 삼는다. 상술한 바와 같이, 본 실시예에 있어서, 공정조건의 변경에 따라 공정시간과 기판의 회전속도를 변경하여 설정하고 이를 제어부에 저장한다. When the process conditions are changed, in this embodiment, the rotational speed of the substrate and the process time are used as the main parameters among various process conditions. As described above, in the present embodiment, the process time and the rotation speed of the substrate are changed and set according to the change of the process conditions, and are stored in the control unit.
여기서, 기판의 회전속도는 사용자가 설정한 분당 회전수(RPM)이고, 공정시간은 프로그램에 의해 변경된 공정시간(sec)이다. Here, the rotational speed of the substrate is the number of revolutions per minute (RPM) set by the user, and the process time is the process time (sec) changed by the program.
본 실시예에 있어서는, 설명의 편의를 위하여 상기 기판의 회전속도는 2 rpm이고, 공정시간 dT는 84sec인 것을 예로 하여 설명한다.
In the present embodiment, for convenience of explanation, the rotation speed of the substrate is 2 rpm and the process time dT is 84 sec.
그런 다음, 상기 기판의 회전속도와 공정시간으로부터 공정시간 동안의 기판의 회전수(N)을 산출한다. 여기서, 기판의 회전수 N은 다음의 식에 의해 산출된다.
Then, the rotation speed (N) of the substrate during the process time is calculated from the rotation speed of the substrate and the process time. Here, the rotation speed N of the substrate is calculated by the following equation.
N = (dT/60) ⅹ (기판의 회전속도)
N = (dT / 60) x (rotational speed of substrate)
상기 기판의 회전속도가 2 rpm이고, 공정시간이 84 sec일 경우, 기판의 회전수 N은 2.8이다. When the rotation speed of the substrate is 2 rpm and the process time is 84 sec, the rotation number N of the substrate is 2.8.
이 때, 기판의 회전수가 정수의 값을 가질 때에는 기판은 회전시작위치에서 회전하기 시작하여 공정시간이 경과한 후에 다시 회전시작위치에서 종료되어 회전시작위치와 회전종료위치가 동일하게 된다. At this time, when the number of revolutions of the substrate has an integer value, the substrate starts rotating at the rotation start position, and after the elapse of the process time, the rotation end position is ended at the rotation start position.
그러나, 상기 예에서와 같이 기판의 회전수가 2.8로서 정수가 아닌 값을 가질 때에는, 0.8의 값에 해당하는 만큼의 잔여각도를 가지게 된다. However, as in the above example, when the number of revolutions of the substrate is 2.8 and the value is not an integer, the residual angle corresponding to the value of 0.8 is obtained.
이 때, 잔여각도는 0.8 ⅹ 360˚= 288˚이다. At this time, the residual angle is 0.8 x 360 ° = 288 °.
즉, 기판의 전체 영역에서 288˚만큼의 영역은 나머지 72˚에 해당하는 영역에 비하여 기판처리공정에 더 많이 노출되어 기판의 전체영역에서 균일한 공정처리가 이루어지지 못함을 의미한다. That is, the region of 288 deg. In the entire region of the substrate is exposed to the substrate process more than the region of the remaining 72 deg., Which means that the uniform process can not be performed in the entire region of the substrate.
이에 따라, 기판의 전체영역에서 균일한 공정처리가 이루어지도록 보정할 필요가 있다.
Accordingly, it is necessary to correct the uniformity of the entire region of the substrate so that the processing can be performed uniformly.
따라서, 상기 회전수가 정수가 아닐 때에는 상기 회전수의 값에 근접한 정수로 보정하여 보정회전수(Nt)를 설정한다. Therefore, when the number of revolutions is not an integer, the number of revolutions Nt is set by correcting to an integer close to the value of the number of revolutions.
그런 다음, 상기 보정회전수(Nt)와 상기 공정시간으로부터 기판의 보정 회전속도(Vt)를 산출한다. 여기서, 기판의 보정회전속도는 다음 식에 의해 산출될 수 있다. Then, the correction rotation speed Vt of the substrate is calculated from the correction rotation speed Nt and the process time. Here, the correction rotation speed of the substrate can be calculated by the following equation.
Vt = (Nt ⅹ 60)/(공정시간)Vt = (Nt ⅹ 60) / (process time)
그런 다음, 상기 공정시간 동안에 상기 보정 회전속도에 의해 기판을 공정처리한다.
Then, the substrate is processed by the correction rotational speed during the process time.
한편, 상기 보정회전수는 상기 회전수의 값을 절삭하거나 반올림하거나 올림한 정수값으로 설정할 수 있다. 이하, 보정회전수를 설정하고, 보정회전속도를 산출하는 각각의 경우에 대하여 설명한다. Meanwhile, the correction rotation speed may be set to an integer value obtained by cutting, rounding, or rounding the value of the rotation speed. Hereinafter, each case of setting the correction rotation speed and calculating the correction rotation speed will be described.
1) 상기 보정회전수를 상기 산출된 기판의 회전수에서 소수점을 절삭하여 이루어지는 정수로 설정한다. 예컨대, 공정시간이 84초이고 기판의 회전속도가 2rpm인 경우에, 기판의 회전수(N)는 2.8이 되는데, 2.8에서 소수점인 0.8을 절삭하여 기판의 보정회전수(Nt)를 2로 한다.1) The correction rotation speed is set to an integer obtained by cutting the decimal point from the calculated rotation speed of the substrate. For example, in the case where the process time is 84 seconds and the rotation speed of the substrate is 2 rpm, the rotation speed N of the substrate becomes 2.8, and the rotation speed Nt of the substrate is 2 by cutting the decimal point 0.8 at 2.8 .
이후, 보정회전수(Nt)는 2이고, 공정시간이 84초인 경우에 기판의 보정회전속도는 1.42857rpm(=2rpmⅹ(60s/84s))이 된다. Thereafter, when the correction rotation speed Nt is 2 and the process time is 84 seconds, the correction rotation speed of the substrate becomes 1.42857 rpm (= 2 rpm ⅹ (60s / 84s)).
따라서, 공정시간 84초 동안에 기판을 보정회전속도인 1.42857rpm으로 회전시켜 공정처리하면, 공정시간 종료후에는 기판은 회전시작위치에서 회전종료되어 기판의 전체 영역에서 균일한 공정처리가 이루어질 수 있다.
Therefore, when the substrate is processed and rotated at a correction rotation speed of 1.42857 rpm in the process time of 84 seconds, after the completion of the process time, the substrate is rotated at the rotation start position so that uniform processing can be performed in the entire region of the substrate.
2) 상기 보정회전수를 상기 산출된 기판의 회전수에서 소수점을 반올림하여 이루어지는 정수로 설정한다. 예컨대, 공정시간이 84초이고 분당회전수가 2rpm인 경우에, 기판의 회전수는 2.8이 되는데, 여기서, 즉, 2.8에서 소수점인 0.8을 반올림하여 3이 보정회전수가 된다. 2) The correction rotation speed is set to an integer obtained by rounding off the decimal point from the calculated rotation speed of the substrate. For example, when the process time is 84 seconds and the number of revolutions per minute is 2 rpm, the number of revolutions of the substrate becomes 2.8, where 0.8 is rounded to 0.8, and 3 is the correction rotation number.
이후, 보정회전수 3이고, 공정시간이 84초인 경우에 있어서, 기판의 보정회전속도는 2.1428rpm(=3rpmⅹ(60s/84s))이 된다. Thereafter, when the correction rotation speed is 3 and the process time is 84 seconds, the correction rotation speed of the substrate becomes 2.1428 rpm (= 3 rpm ⅹ (60s / 84s)).
따라서, 공정시간 84초 동안에 기판을 보정회전속도인 2.1428rpm 으로 회전시켜 공정처리하면, 공정시간 종료후에는 기판은 회전시작위치에서 회전종료되어 기판의 전체 영역에서 균일한 공정처리가 이루어질 수 있다.
Therefore, if the substrate is processed and rotated at a correction rotational speed of 2.1428 rpm in the process time of 84 seconds, after the completion of the process time, the substrate is rotated at the rotation start position, and uniform processing can be performed in the entire region of the substrate.
3) 상기 보정회전수를 상기 산출된 기판의 회전수에서 소수점을 올림하여 이루어지는 정수로 설정한다. 3) The correction rotation speed is set to an integer obtained by rounding off the decimal point from the calculated rotation speed of the substrate.
예컨대, 공정시간이 84초이고 분당회전수가 2rpm인 경우에, 기판의 공정회전수는 2.8이 되는데, 이를 강제올림하여 3이 보정회전수가 된다. For example, when the process time is 84 seconds and the number of revolutions per minute is 2 rpm, the process revolution number of the substrate becomes 2.8, which is forcibly rounded up to 3 and the corrected rotation number.
이후, 보정회전수는 3이고, 공정시간이 84초인 경우에 있어서, 기판의 보정회전속도는 2.1428rpm(=3rpmⅹ(60s/84s))이 된다. Thereafter, when the correction rotation number is 3 and the process time is 84 seconds, the correction rotation speed of the substrate becomes 2.1428 rpm (= 3 rpm ⅹ (60s / 84s)).
따라서, 공정시간 84초 동안에 기판을 보정회전속도인 2.1428rpm 으로 회전시켜 공정처리하면, 공정시간 종료후에는 기판은 회전시작위치에서 회전종료되어 기판의 전체 영역에서 균일한 공정처리가 이루어질 수 있다.
Therefore, if the substrate is processed and rotated at a correction rotational speed of 2.1428 rpm in the process time of 84 seconds, after the completion of the process time, the substrate is rotated at the rotation start position, and uniform processing can be performed in the entire region of the substrate.
상술한 1) 내지 3)에서는 기판의 회전수가 정수의 값이 아닐 경우에 소수점 이하의 값을 반올림, 올림, 절삭에 의해 정수의 값으로 설정하는 것을 예로 하였으나, 반드시 이에 한정되지 않고 정수의 값으로 설정할 수 있으면 좋다.
In the above-described 1) to 3), when the number of revolutions of the substrate is not an integer value, the value after the decimal point is set to an integer value by rounding, rounding, and cutting. However, It is good if it can be set.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.
100: 기판처리장치 110: 공정챔버
120: 서셉터 130: 구동부
140: 분사부 150: 공정소스공급부
160: 제어부 100: substrate processing apparatus 110: process chamber
120: susceptor 130:
140: jetting part 150: process source supply part
160:
Claims (5)
상기 공정시간과 회전속도로부터 기판의 회전수를 산출하는 단계와,
상기 회전수가 정수가 아닐 때에는 상기 회전수의 값에 근접한 정수로 보정하여 보정회전수를 설정하는 단계와,
상기 보정회전수와 상기 공정시간으로부터 기판의 보정 회전속도를 산출하는 단계와,
상기 공정시간 동안에 상기 보정 회전속도에 의해 기판을 공정처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
Changing and setting and storing the process time and the rotation speed of the substrate according to the change of the process condition,
Calculating the number of revolutions of the substrate from the process time and the rotation speed,
When the number of revolutions is not an integer, correcting the number of revolutions to an integer close to the value of the number of revolutions,
Calculating a correction rotation speed of the substrate from the correction rotation speed and the process time;
And processing the substrate by the correction rotational speed during the processing time.
상기 회전속도 및 상기 보정회전속도는 분당회전수(RPM)인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
The method according to claim 1,
Wherein the rotation speed and the correction rotation speed are revolutions per minute (RPM).
기판의 회전수 N은 다음 식에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
N = (공정시간/60) ⅹ (기판의 회전속도)
The method according to claim 1,
Wherein the number of revolutions N of the substrate is calculated by the following equation.
N = (process time / 60) x (rotational speed of substrate)
상기 보정회전수는 상기 회전수의 값을 절삭하거나 반올림하거나 올림한 정수값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
The method according to claim 1,
Wherein the correction rotation speed is set to an integer value obtained by cutting, rounding, or rounding the value of the rotation speed.
상기 기판의 보정회전속도는 다음 식에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
Vt = (Nt ⅹ 60)/(공정시간)
(여기서, Vt는 기판의 보정 회전속도, Nt는 기판의 보정회전수를 의미한다)5. The method of claim 4,
Wherein the correction rotation speed of the substrate is calculated by the following equation.
Vt = (Nt ⅹ 60) / (process time)
(Where Vt is the correction rotation speed of the substrate and Nt is the correction rotation speed of the substrate)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130124505A KR101439096B1 (en) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | Substrate processing method |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101439096B1 true KR101439096B1 (en) | 2014-09-12 |
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ID=51759751
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|---|---|
| KR (1) | KR101439096B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302516A (en) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Hitachi Cable Ltd | Vapor growth method |
| JPH08181072A (en) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nec Corp | Film thickness equalizing device |
| JP2001240965A (en) | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Showa Shinku:Kk | Method and apparatus for controlling film thickness distribution in thin film manufacturing apparatus |
| KR20100019318A (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Coating apparatus, coating method, coating and developing apparatus and computer readable recording medium |
-
2013
- 2013-10-18 KR KR1020130124505A patent/KR101439096B1/en active IP Right Grant
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