KR20140141485A - Film forming apparatus and film forming method - Google Patents

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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

A film forming apparatus according to an embodiment is a film forming apparatus in which a treatment liquid is supplied to the surface of a rotating substrate from a moving nozzle, the treatment liquid is applied in a vortex form to the surface of the substrate, and a film is formed from the applied treatment liquid as the substrate rotates. The film forming apparatus is provided with a holding and supporting unit that holds and supports the substrate; a driving unit that rotates the holding and supporting unit; a treatment liquid supply unit that supplies the treatment liquid to the surface of the substrate which is held and supported by the holding and supporting unit; and a control unit that controls at least the driving unit. The control unit rotates the holding and supporting unit at a second rotation speed, which is lower than a first rotation speed for the application of the treatment liquid, so that the film is formed from the applied treatment liquid.

Description

성막 장치 및 성막 방법{FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a film forming apparatus,

본 출원은, 2013년 5월 31일에 출원한 선행하는 일본 특허 출원 제2013-115277호에 의한 우선권의 이익에 기초를 두고, 또한 그 이익을 청구하고 있으며, 그 내용 전체가 인용에 의해 여기에 포함된다.This application claims the benefit of, and claims the benefit of, the prior art Japanese Patent Application No. 2013-115277, filed on May 31, 2013, .

후술하는 실시 형태는, 대략 성막 장치 및 성막 방법에 관한 것이다.The embodiments to be described later relate roughly to a film forming apparatus and a film forming method.

기판의 중심측으로부터 외주 단부측을 향하여 노즐을 이동시키면서, 그 노즐로부터 회전하는 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 소용돌이 형상으로 처리액을 도포하고, 그 후, 처리액을 도포할 때의 회전 속도보다도 빠른 회전 속도로 기판을 회전시켜서, 도포된 처리액으로부터 막을 형성하는 기술이 있다.A process liquid is supplied onto the surface of the substrate rotating from the nozzle while moving the nozzle from the center side toward the outer circumferential end side of the substrate to apply the process liquid in a spiral shape to the surface of the substrate, There is a technique of forming a film from the applied process liquid by rotating the substrate at a rotation speed that is higher than the rotation speed at the time when the substrate is rotated.

이와 같은 기술을 사용하면, 막 두께의 균일화를 도모할 수 있다.By using such a technique, the film thickness can be made uniform.

그러나, 처리액의 도포 종료 후에, 처리액을 도포할 때의 회전 속도보다도 빠른 회전 속도로 기판을 회전시키면, 기판의 표면에 있는 처리액의 일부가 비산되어, 처리액의 이용 효율이 나빠진다.However, when the substrate is rotated at a rotational speed higher than the rotational speed at the time of applying the treatment liquid after the end of application of the treatment liquid, a part of the treatment liquid on the surface of the substrate is scattered, resulting in poor utilization efficiency of the treatment liquid.

그로 인해, 처리액의 이용 효율의 향상과, 막 두께의 균일화를 도모할 수 있는 기술의 개발이 요망되었다.Therefore, it has been desired to develop a technique capable of improving the utilization efficiency of the treatment liquid and uniformizing the film thickness.

본 발명은 처리액의 이용 효율의 향상과, 막 두께의 균일화를 도모할 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of improving utilization efficiency of a treatment liquid and uniformizing the film thickness.

실시 형태에 따른 성막 장치는, 이동하는 노즐로부터 회전하는 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 상기 기판의 표면에 소용돌이 형상으로 상기 처리액을 도포하고, 기판의 회전에 의해, 도포된 상기 처리액으로부터 막을 형성한다.A film forming apparatus according to an embodiment is a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention that supplies a treatment liquid to a surface of a rotating substrate from a moving nozzle and applies the treatment liquid in a spiral shape to the surface of the substrate, To form a film.

이 성막 장치는, 상기 기판을 보유 지지하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지부를 회전시키는 구동부와, 상기 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 적어도 상기 구동부를 제어하는 제어부를 구비하고 있다.The film forming apparatus includes a holding portion for holding the substrate, a driving portion for rotating the holding portion, a processing liquid supply portion for supplying the processing liquid to the surface of the substrate held by the holding portion, As shown in Fig.

그리고, 상기 제어부는, 상기 처리액을 도포할 때의 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시켜서, 상기 도포된 처리액으로부터 막을 형성한다.The control unit rotates the holding unit at a second rotational speed that is slower than the first rotational speed at the time of applying the processing liquid to form a film from the applied processing liquid.

본 발명은 처리액의 이용 효율의 향상과, 막 두께의 균일화를 도모할 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can provide a film forming apparatus and a film forming method capable of improving utilization efficiency of a treatment liquid and making the film thickness uniform.

도 1은 본 실시 형태에 따른 성막 장치(1)를 예시하기 위한 모식 단면도.
도 2는 본 실시 형태에 따른 성막 장치(1)를 예시하기 위한 모식 평면도.
도 3은 처리액(110)의 공급과, 기판(100)의 표면에 있어서의 처리액(110)의 도포 형태를 예시하기 위한 모식도.
도 4는 비교예에 따른 막(120)의 형성을 예시하기 위한 모식도.
도 5는 비교예에 따른 막(120)의 형성을 예시하기 위한 모식도.
도 6은 성막 장치(1)의 작용 및 성막 방법을 예시하기 위한 플로우차트이다.1 is a schematic cross-sectional view for illustrating a film forming apparatus 1 according to the present embodiment.
2 is a schematic plan view illustrating a film forming apparatus 1 according to the present embodiment.
3 is a schematic view for illustrating the supply of the treatment liquid 110 and the application form of the treatment liquid 110 on the surface of the substrate 100. Fig.
4 is a schematic diagram illustrating the formation of a film 120 according to a comparative example.
5 is a schematic diagram illustrating the formation of a film 120 according to a comparative example.
6 is a flowchart for illustrating the operation of the deposition apparatus 1 and the deposition method.

이하, 도면을 참조하면서, 실시 형태에 대하여 예시한다. 또한, 각 도면 중, 마찬가지의 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절히 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted as appropriate.

도 1은 본 실시 형태에 따른 성막 장치(1)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for illustrating a film forming apparatus 1 according to the present embodiment.

도 2는 본 실시 형태에 따른 성막 장치(1)를 예시하기 위한 모식 평면도이다.2 is a schematic plan view for illustrating a film forming apparatus 1 according to the present embodiment.

또한, 도 2는 도 1에 있어서의 A-A선 화살표도이다.2 is an A-A line arrow in Fig. 1. Fig.

도 3은 처리액(110)의 공급과, 기판(100)의 표면에서의 처리액(110)의 도포 형태를 예시하기 위한 모식도이다.3 is a schematic diagram illustrating the supply of the treatment liquid 110 and the application form of the treatment liquid 110 on the surface of the substrate 100. Fig.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 성막 장치(1)에는, 보유 지지부(2), 구동부(3), 컵(4), 처리액 공급부(5), 제1 유동성 제어부(6), 제2 유동성 제어부(7) 및 제어부(8)가 설치되어 있다.1 and 2, the film forming apparatus 1 is provided with a holding section 2, a driving section 3, a cup 4, a process liquid supply section 5, a first fluidity control section 6, 2 fluidity control unit 7 and a control unit 8 are provided.

보유 지지부(2)는 기판(100)을 적재함과 함께, 적재된 기판(100)을 보유 지지한다.The holding part 2 holds the substrate 100 together with the substrate 100 thereon.

보유 지지부(2)는 컵(4)의 내부에 설치되어 있다. 보유 지지부(2)는 적재부(2a)와 축부(2b)를 갖는다.The holding part (2) is provided inside the cup (4). The holding portion 2 has a loading portion 2a and a shaft portion 2b.

적재부(2a)는 원판 형상을 나타내고, 한쪽 면이 기판(100)을 적재하는 적재면(2a1)으로 되어 있다. 또한, 적재부(2a)는 적재면(2a1)에 적재된 기판(100)을 보유 지지한다. 기판(100)의 보유 지지는, 예를 들어 도시하지 않은 진공 펌프 등을 사용한 흡착에 의해 행할 수 있다.The loading section 2a has a disk shape, and one side is a loading surface 2a1 on which the substrate 100 is loaded. Further, the loading section 2a holds the substrate 100 loaded on the loading surface 2a1. The holding of the substrate 100 can be performed by, for example, suction using a vacuum pump or the like (not shown).

축부(2b)의 한쪽 단부는, 적재부(2a)의 적재면(2a1)과는 반대측 면에 설치되어 있다. 또한, 축부(2b)의 다른 쪽 단부는 구동부(3)에 접속되어 있다.One end of the shaft portion 2b is provided on the side opposite to the loading surface 2a1 of the loading portion 2a. The other end of the shaft portion 2b is connected to the driving portion 3. [

구동부(3)는 보유 지지부(2)를 회전시킨다.The driving part 3 rotates the holding part 2. [

구동부(3)는 컵(4)의 내부에 설치되어 있다. 구동부(3)는, 예를 들어 회전 속도를 변화시킬 수 있는 서보 모터 등의 제어 모터를 구비한 것으로 할 수 있다.The driving unit 3 is provided inside the cup 4. [ The driving unit 3 may be provided with a control motor such as a servomotor capable of changing the rotational speed, for example.

컵(4)은 적어도 보유 지지부(2)의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있다.The cup (4) is provided so as to surround at least the periphery of the holding portion (2).

컵(4)은 기판(100)의 표면에 도포된 처리액(110)이 성막 장치(1)의 외부로 비산되는 것을 억제한다.The cup 4 suppresses the scattering of the processing liquid 110 applied to the surface of the substrate 100 to the outside of the film forming apparatus 1. [

컵(4)은 중앙부에 보유 지지부(2)가 설치되는 공간(4a)을 갖고 있다. 공간(4a)의 외측에는, 컵(4)의 저부를 향하여 경사진 공간(4b)이 설치되어 있다. 공간(4a) 및 공간(4b)의 상방은 개구되어 있다. 또한, 컵(4)의 상면(4e)은 적재부(2a)에 적재된 기판(100)의 표면(상면)보다도 높은 위치에 있다.The cup (4) has a space (4a) in which a holding portion (2) is installed at a central portion. A space (4b) inclined toward the bottom of the cup (4) is provided outside the space (4a). And the space above the space 4a and the space 4b is opened. The upper surface 4e of the cup 4 is located higher than the surface (upper surface) of the substrate 100 mounted on the mounting portion 2a.

또한, 컵(4)의 저부에는 배출구(4c)가 설치되어 있다. 배출구(4c)에는, 도시하지 않은 회수부가 접속되어 있다. 기판(100)으로부터 배출된 처리액(110)은, 공간(4b)을 통해서 컵(4)의 저부로 유도되고, 배출구(4c)를 통해서 도시하지 않은 회수부에 의해 회수된다.Further, a discharge port 4c is provided at the bottom of the cup 4. [ A discharge portion (not shown) is connected to the discharge port 4c. The treatment liquid 110 discharged from the substrate 100 is led to the bottom of the cup 4 through the space 4b and is recovered by the recovery unit not shown through the discharge port 4c.

처리액 공급부(5)는 보유 지지부(2)에 보유 지지되어 회전하는 기판(100)의 표면에 처리액(110)을 공급한다.The treatment liquid supply unit 5 supplies the treatment liquid 110 to the surface of the substrate 100 held by the holding unit 2 and rotating.

이 경우, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 중심측으로부터 외주 단부측을 향하여 노즐(5a)을 이동시키면서, 노즐(5a)로부터 회전하는 기판(100)의 표면에 처리액(110)을 공급한다.3, the nozzle 5a is moved from the center side toward the outer peripheral side of the substrate 100, and the surface of the substrate 100 rotating from the nozzle 5a is treated with the treatment liquid 110 ).

그렇게 하면, 기판(100)의 표면에 소용돌이 형상으로 처리액(110)이 도포된다.Then, the treatment liquid 110 is applied to the surface of the substrate 100 in a spiral shape.

처리액 공급부(5)는 노즐(5a), 수납부(5b), 공급부(5c) 및 이동부(5d)를 갖는다.The treatment liquid supply unit 5 has a nozzle 5a, a storage unit 5b, a supply unit 5c, and a moving unit 5d.

노즐(5a)의 일단부에는 토출구(5a1)가 설치되고, 타단부에는 공급구(5a2)가 설치되어 있다.A discharge port (5a1) is provided at one end of the nozzle (5a) and a supply port (5a2) is provided at the other end.

수납부(5b)는 처리액(110)을 수납한다.The storage portion 5b accommodates the process liquid 110. [

처리액(110)은, 예를 들어 포토레지스트액 등으로 할 수 있다.The treatment liquid 110 may be, for example, a photoresist liquid or the like.

공급부(5c)는 수납부(5b)에 수납되어 있는 처리액(110)을 노즐(5a)을 통해서 기판(100)의 표면에 공급한다. 공급부(5c)는, 예를 들어 펌프나 유량 조정 밸브 등을 갖는 것으로 할 수 있다.The supply part 5c supplies the treatment liquid 110 stored in the storage part 5b to the surface of the substrate 100 through the nozzle 5a. The supply section 5c may have, for example, a pump or a flow rate adjusting valve.

이동부(5d)는 보유 지지부(5d1), 축부(5d2), 지지부(5d3) 및 구동부(5d4)를 갖는다.The moving part 5d has a holding part 5d1, a shaft part 5d2, a supporting part 5d3 and a driving part 5d4.

보유 지지부(5d1)는 축부(5d2)에 설치되고, 축부(5d2)를 따라 이동한다. 또한, 보유 지지부(5d1)는 토출구(5a1)측을 적재부(2a)를 향해서 노즐(5a)을 보유 지지한다.The holding portion 5d1 is provided on the shaft portion 5d2 and moves along the shaft portion 5d2. The holding portion 5d1 holds the nozzle 5a toward the loading portion 2a on the side of the discharge port 5a1.

축부(5d2)는 적재면(2a1)의 상방을 가로지르도록 설치되어 있다.The shaft portion 5d2 is provided so as to cross the upper side of the loading surface 2a1.

지지부(5d3)는 축부(5d2)의 양 단부에 각각 설치되어 있다. 지지부(5d3)는 컵(4)의 상면(4e) 등에 설치할 수 있다.The supporting portions 5d3 are provided at both ends of the shaft portion 5d2. The support portion 5d3 can be provided on the upper surface 4e of the cup 4 or the like.

구동부(5d4)는 축부(5d2)의 한쪽 단부에 접속되어 있다.The driving portion 5d4 is connected to one end of the shaft portion 5d2.

이동부(5d)는 보유 지지부(5d1)에 보유 지지된 노즐(5a)의 위치를 변화시킨다.The moving part 5d changes the position of the nozzle 5a held by the holding part 5d1.

예를 들어, 보유 지지부(5d1)를 너트, 축부(5d2)를 볼 나사, 구동부(5d4)를 서보 모터 등의 제어 모터 등으로 할 수 있다.For example, the holding portion 5d1 may be a nut, the shaft portion 5d2 may be a ball screw, and the driving portion 5d4 may be a control motor such as a servo motor.

제1 유동성 제어부(6)는 도포된 처리액(110)으로부터 형성된 막(120)의 기판(100)의 외주 단부 근방에 있는 영역에서의 유동성이 높아지도록 제어한다.The first flow control section 6 controls the flowability of the film 120 formed from the applied processing liquid 110 in the region near the outer peripheral end of the substrate 100 to be high.

제2 유동성 제어부(7)는 도포된 처리액(110)으로부터 형성된 막(120)의 유동성이 낮아지도록 제어한다.The second flow control section 7 controls the flowability of the film 120 formed from the applied processing liquid 110 to be lowered.

또한, 제1 유동성 제어부(6) 및 제2 유동성 제어부(7)에 관한 상세는 후술한다.The details of the first fluidity control unit 6 and the second fluidity control unit 7 will be described later.

제어부(8)는 성막 장치(1)에 설치된 각 요소의 동작을 제어한다.The control unit 8 controls the operation of each element provided in the film forming apparatus 1. [

제어부(8)는, 예를 들어 적재부(2a)에 의한 기판(100)의 보유 지지의 제어, 구동부(3)에 의한 보유 지지부(2)의 회전 속도의 제어(기판(100)의 회전 속도의 제어), 공급부(5c)에 의한 처리액(110)의 공급의 제어, 구동부(5d4)에 의한 노즐(5a)의 위치 제어, 공급부(6c)에 의한 용매의 공급의 제어, 건조 유닛(7a)에 의한 용매의 증발의 제어, 구동부(5d4)에 의한 건조 유닛(7a)의 위치 제어 등을 행한다.The control unit 8 controls the holding of the substrate 100 by the loading unit 2a and the control of the rotating speed of the holding unit 2 by the driving unit 3 The control of the supply of the processing liquid 110 by the supplying section 5c, the control of the position of the nozzle 5a by the driving section 5d4, the control of the supply of the solvent by the supplying section 6c, ), The control of the position of the drying unit 7a by the driving unit 5d4, and the like.

여기서, 비교예에 따른 처리액(110)으로부터 형성된 막(120)의 상태에 대하여 예시한다.Here, the state of the film 120 formed from the treatment liquid 110 according to the comparative example is exemplified.

도 4 및 도 5는, 비교예에 따른 막(120)의 상태를 예시하기 위한 모식도이다.4 and 5 are schematic diagrams for illustrating the state of the film 120 according to the comparative example.

기판(100)의 표면에 막(120)을 형성할 때는, 먼저, 도 3에 예시한 바와 같이, 기판(100)의 중심측으로부터 외주 단부측을 향하여 노즐(5a)을 이동시키면서, 노즐(5a)로부터 회전하는 기판(100)의 표면에 처리액(110)을 공급한다.When forming the film 120 on the surface of the substrate 100, first, as shown in Fig. 3, the nozzle 5a is moved from the center side toward the outer peripheral side of the substrate 100 while moving the nozzle 5a The processing liquid 110 is supplied to the surface of the rotating substrate 100.

그렇게 하면, 기판(100)의 표면에 소용돌이 형상으로 처리액(110)이 도포된다.Then, the treatment liquid 110 is applied to the surface of the substrate 100 in a spiral shape.

이어서, 처리액(110)을 도포할 때의 회전 속도보다도 빠른 회전 속도로 기판(100)을 회전시킨다.Subsequently, the substrate 100 is rotated at a rotational speed higher than the rotational speed at the time of applying the treatment liquid 110. [

이와 같이 하면, 기판(100)의 표면에 소용돌이 형상으로 도포된 처리액(110)이 기판(100)의 외측을 향해서 퍼지고, 처리액(110)으로부터 형성된 막 두께가 균일한 막(120)을 형성할 수 있다.The processing liquid 110 coated on the surface of the substrate 100 in the form of a spiral is spread out toward the outside of the substrate 100 and the film 120 having a uniform film thickness formed from the processing liquid 110 is formed can do.

그러나, 처리액(110)을 도포할 때의 회전 속도보다도 빠른 회전 속도로 기판(100)을 회전시키면, 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 표면에 있는 처리액(110)의 일부가 비산되어, 처리액(110)의 이용 효율이 나빠진다.However, when the substrate 100 is rotated at a rotational speed higher than the rotational speed at the time of applying the treatment liquid 110, as shown in Fig. 4, a part of the treatment liquid 110 on the surface of the substrate 100 And the use efficiency of the treatment liquid 110 deteriorates.

이 경우, 처리액(110)의 도포 후에 있어서, 처리액(110)을 도포할 때의 기판(100)의 회전 속도를 유지하도록 해도, 막(120)을 형성할 수 있다.In this case, the film 120 can be formed even after the application of the treatment liquid 110, even if the rotation speed of the substrate 100 at the time of applying the treatment liquid 110 is maintained.

이와 같이 하면, 비산되는 처리액(110)의 양을 저감시킬 수 있으므로, 처리액(110)의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.In this manner, the amount of the processing liquid 110 to be scattered can be reduced, and the utilization efficiency of the processing liquid 110 can be improved.

그런데, 완전히 경화하기 전의 막(120)에는 유동성이 있으므로, 기판(100)의 회전에 의해, 처리액(110)이 기판(100)의 외주 단부 근방에 모이기 쉬워진다.However, since the film 120 before being completely cured has fluidity, the treatment liquid 110 is likely to gather near the outer peripheral end of the substrate 100 by the rotation of the substrate 100.

그로 인해, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 외주 단부 근방의 상방에, 막(120)의 솟아 오른 부분(120a)이 형성되기 쉬워진다.As a result, the rising portion 120a of the film 120 is easily formed above the vicinity of the outer peripheral end of the substrate 100, as shown in Fig.

즉, 처리액(110)의 도포 후에 있어서도, 처리액(110)을 도포할 때의 기판(100)의 회전 속도를 유지하도록 하면, 처리액(110)의 이용 효율을 향상시킬 수 있지만, 막(120)에서의 막 두께의 균일화를 도모하는 것이 곤란해진다.That is, even after the application of the treatment liquid 110, the use efficiency of the treatment liquid 110 can be improved by maintaining the rotation speed of the substrate 100 at the time of applying the treatment liquid 110, It is difficult to achieve uniformity of the film thickness in the case where the film thicknesses are in the range of 120 to 120 nm.

이 경우, 막(120)의 유동성이 높아질수록, 솟아 오른 부분(120a)이 형성되기 쉬워지므로, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 도모하는 것이 더 곤란해진다.In this case, the higher the fluidity of the film 120, the more easily the rising portion 120a is formed, and it becomes more difficult to achieve uniformity of the film thickness of the film 120. [

예를 들어, 처리액(110)이 포토레지스트액 등인 경우에는, 막(120)의 유동성이 높아지므로, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 도모하는 것이 매우 곤란해진다.For example, when the treatment liquid 110 is a photoresist liquid or the like, the fluidity of the film 120 becomes high, and it becomes very difficult to achieve uniformity of the film thickness in the film 120.

그로 인해, 본 실시 형태에 따른 성막 장치(1)에 있어서는, 기판(100)의 회전 속도를 적절히 전환함으로써, 처리액(110)의 이용 효율의 향상과, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 도모하도록 하고 있다.Therefore, in the film forming apparatus 1 according to the present embodiment, by appropriately changing the rotational speed of the substrate 100, it is possible to improve the utilization efficiency of the process liquid 110 and to improve the utilization efficiency of the process liquid 110, So as to achieve uniformity.

예를 들어, 제어부(8)는 처리액(110)을 도포할 때의 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시켜서, 도포된 처리액(110)으로부터 막(120)을 형성한다.For example, the control unit 8 rotates the holding unit 2 at a second rotational speed that is slower than the first rotational speed at the time of applying the processing liquid 110, ).

이와 같이 하면, 기판(100)의 회전에 의해, 기판(100)의 외주 단부 근방에 모인 처리액(110)의 일부를 기판(110)의 중심측으로 이동시킬 수 있다. 즉, 기판(100)의 외주 단부 근방에 모인 처리액(110)의 일부를 기판(110)의 중심측으로 이동시킴으로써, 도 5에 예시한 솟아 오른 부분(120a)의 형성을 억제할 수 있다.A part of the processing liquid 110 collected near the outer peripheral end of the substrate 100 can be moved toward the center of the substrate 110 by the rotation of the substrate 100. [ That is, by moving a part of the processing liquid 110 collected near the outer peripheral end of the substrate 100 toward the center of the substrate 110, it is possible to suppress the formation of the raised portion 120a shown in FIG.

또한, 처리액(110)을 도포할 때의 기판(100)의 제1 회전 속도보다도 회전 속도를 하강시킴으로써, 비산되는 처리액(110)의 양을 더 저감시킬 수 있다.Further, by lowering the rotation speed of the substrate 100 at the time of applying the treatment liquid 110 to the first rotation speed, the amount of the treatment liquid 110 to be scattered can be further reduced.

그로 인해, 처리액(110)의 이용 효율의 향상과, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 도모할 수 있다.As a result, the utilization efficiency of the treatment liquid 110 can be improved and the film thickness of the film 120 can be made uniform.

또한, 처리액(110)의 공급 시에, 기판(100)의 회전 속도를 변화시키는 경우가 있다.In addition, there is a case where the rotation speed of the substrate 100 is changed when the treatment liquid 110 is supplied.

예를 들어, 노즐(5a)의 위치가 기판(100)의 중심측으로부터 기판(100)의 외주 단부측이 됨에 따라서 기판(100)의 회전 속도를 높게 하거나, 반대로, 낮게 하거나 하는 경우가 있다.For example, the rotation speed of the substrate 100 may be increased or decreased as the position of the nozzle 5a becomes the outer peripheral end side of the substrate 100 from the center side of the substrate 100. [

이와 같은 경우에는, 처리액(110)의 공급 시의 최고 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 기판(100)을 회전시키도록 하면 된다.In such a case, the substrate 100 may be rotated at a second rotational speed that is slower than the maximum rotational speed when the process liquid 110 is supplied.

또한, 제어부(8)는 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킨 후에, 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킬 수도 있다.The control unit 8 may also rotate the holding unit 2 at a third rotational speed that is faster than the second rotational speed after rotating the holding unit 2 at the second rotational speed.

이와 같이 하면, 기판(100)의 외주 단부 근방에 모인 처리액(110)의 일부를 기판(110)의 중심측으로 이동시키고, 그 후, 기판(110)의 중심측으로 이동한 처리액(110)의 일부를 기판(100)의 외주 단부측으로 이동시킬 수 있다.A part of the treatment liquid 110 collected near the outer peripheral end of the substrate 100 is moved toward the center of the substrate 110 and thereafter the treatment liquid 110 moved toward the center of the substrate 110 It is possible to move a part of the substrate 100 toward the outer peripheral end side of the substrate 100. [

그로 인해, 처리액(110)을 이동시켜서 고르게 할 수 있으므로, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 더욱 도모할 수 있다.Therefore, the treatment liquid 110 can be moved and evened, so that the film thickness of the film 120 can be more uniform.

또한, 제3 회전 속도는, 제1 회전 속도와 동일해도 되고, 달라도 된다.The third rotation speed may be the same as or different from the first rotation speed.

또한, 제어부(8)는 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킨 후에, 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도와, 제3 회전 속도보다도 느린 제4 회전 속도로 차례로 전환하여 보유 지지부(2)를 회전시킬 수도 있다.After rotating the holding portion 2 at the second rotation speed, the control portion 8 sequentially switches the rotation speed from the third rotation speed that is faster than the second rotation speed to the fourth rotation speed that is slower than the third rotation speed, (2).

이와 같이 하면, 기판(100)의 외주 단부측과, 기판(100)의 중심측 사이에서, 처리액(110)의 일부를 반복하여 이동시킬 수 있다.In this way, a part of the treatment liquid 110 can be moved repeatedly between the outer peripheral end side of the substrate 100 and the center side of the substrate 100. [

그로 인해, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 더 도모할 수 있다.As a result, the film thickness of the film 120 can be further uniformed.

또한, 제4 회전 속도는, 제2 회전 속도와 동일해도 되고, 달라도 된다.The fourth rotation speed may be the same as or different from the second rotation speed.

또한, 제3 회전 속도와 제4 회전 속도의 전환이 복수회 행해지는 경우에는, 각 전환 시마다에서의 제3 회전 속도가 각각 동일해도 되고, 달라도 된다. 또한, 각 전환 시마다에서의 제4 회전 속도가 각각 동일해도 되고, 달라도 된다.When the third rotational speed and the fourth rotational speed are switched a plurality of times, the third rotational speed may be the same or different at each switching time. Further, the fourth rotational speeds at the time of each switching may be the same or different.

여기서, 처리액(110)의 이동 상태는, 처리액(110)의 점도, 처리액(110)의 경화성, 처리액(110)의 양, 기판(100)의 크기, 온도 등의 환경 조건 등의 영향을 받을 수 있다.The movement state of the process liquid 110 is determined by the viscosity of the process liquid 110, the curing property of the process liquid 110, the amount of the process liquid 110, the size of the substrate 100, It can be affected.

그러나, 기판(100)의 회전 속도, 회전 속도의 유지 시간, 회전 속도의 전환수 등의 적정값은, 미리, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 구할 수 있다.However, appropriate values such as the rotational speed of the substrate 100, the holding time of the rotational speed, the number of times of switching of the rotational speed, and the like can be obtained by conducting experiments or simulations in advance.

이어서, 제1 유동성 제어부(6)에 대하여 더 설명한다.Next, the first flow control section 6 will be further described.

도 1 또는 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 유동성 제어부(6)는, 노즐(6a), 수납부(6b), 공급부(6c) 및 보유 지지부(6d)를 갖는다.As shown in Fig. 1 or Fig. 2, the first flow control section 6 has a nozzle 6a, a storage section 6b, a supply section 6c, and a holding section 6d.

노즐(6a)의 일단부에는 토출구(6a1)가 설치되고, 타단부에는 공급구(6a2)가 설치되어 있다. 노즐(6a)은 공급부(6c)에 의해 공급된 용매를 미스트 형상으로 하여 분무한다.A discharge port (6a1) is provided at one end of the nozzle (6a), and a supply port (6a2) is provided at the other end. The nozzle 6a sprays the solvent supplied by the supply portion 6c in a mist shape.

수납부(6b)는, 용매를 수납한다. 용매는, 예를 들어 처리액(110)에 포함되는 용매와 동일한 것으로 할 수 있다. 처리액(110)이 포토레지스트액인 경우에는, 용매는, 예를 들어 케톤계 용제나 알코올계 용제 등으로 할 수 있다.The accommodating portion 6b accommodates the solvent. The solvent may be the same as the solvent contained in the treatment liquid 110, for example. When the treatment liquid 110 is a photoresist liquid, the solvent may be, for example, a ketone solvent or an alcohol solvent.

공급부(6c)는, 수납부(6b)에 수납되어 있는 용매를 노즐(6a)을 통해서, 막(120)의 기판(100)의 외주 단부 근방에 있는 영역에 공급한다. 공급부(6c)는, 예를 들어 수납부(6b)에 질소 가스 등을 공급하는 것으로 할 수 있다. 공급부(6c)에 의해 수납부(6b)에 질소 가스 등을 공급함으로써, 수납부(6b)에 수납되어 있는 용매가 노즐(6a)을 향해서 압송된다. 보유 지지부(6d)는 토출구(6a1)측을 적재부(2a)를 향해서 노즐(6a)을 기판(100)의 외주 단부 근방의 상방에 보유 지지한다. 보유 지지부(6d)는 컵(4)의 상면(4e)에 설치되어 있다.The supply portion 6c supplies the solvent stored in the storage portion 6b to the region of the film 120 near the outer peripheral end of the substrate 100 through the nozzle 6a. The supply section 6c may be configured to supply nitrogen gas or the like to the storage section 6b, for example. By supplying nitrogen gas or the like to the storage portion 6b by the supply portion 6c, the solvent stored in the storage portion 6b is pressure-fed toward the nozzle 6a. The holding support portion 6d holds the nozzle 6a on the side of the discharge port 6a1 toward the loading portion 2a above the vicinity of the outer peripheral end of the substrate 100. [ The holding portion 6d is provided on the upper surface 4e of the cup 4. [

제1 유동성 제어부(6)는, 막(120)의 기판(100)의 외주 단부 근방에 있는 영역에 용매를 공급한다.The first flow control unit 6 supplies the solvent to the region of the film 120 near the outer peripheral end of the substrate 100. [

막(120)의 기판(100)의 외주 단부 근방에 있는 영역에 용매를 공급하면, 그 영역에서의 막(120)의 유동성을 높일 수 있다.When the solvent is supplied to the region of the film 120 near the outer peripheral end of the substrate 100, the flowability of the film 120 in the region can be increased.

그로 인해, 도 5에 예시한 솟아 오른 부분(120a)의 형성을 억제할 수 있으므로, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 도모할 수 있다.Therefore, the formation of the raised portion 120a shown in Fig. 5 can be suppressed, so that the film thickness of the film 120 can be made uniform.

이어서, 제2 유동성 제어부(7)에 대하여 더 설명한다.Next, the second flow control section 7 will be further described.

도 1 또는 도 2에 도시한 바와 같이, 제2 유동성 제어부(7)는, 건조 유닛(7a)과 보유 지지부(7b)를 갖는다.As shown in Fig. 1 or Fig. 2, the second flow control portion 7 has a drying unit 7a and a holding portion 7b.

건조 유닛(7a)은 막(120)에 포함되는 용매를 증발시켜서 막(120)의 유동성을 낮게 한다. 건조 유닛(7a)은, 예를 들어 적외선 히터나 온풍 히터 등으로 할 수 있다. 이 경우, 막(120)에 외력을 가하면, 막 두께의 균일성이 나빠질 우려가 있다. 그로 인해, 건조 유닛(7a)은, 적외선 히터 등과 같이 막(120)에 외력을 가하지 않는 것으로 하는 것이 바람직하다.The drying unit 7a evaporates the solvent contained in the film 120 to lower the fluidity of the film 120. [ The drying unit 7a may be, for example, an infrared heater, a warm air heater, or the like. In this case, if an external force is applied to the film 120, uniformity of film thickness may be deteriorated. Therefore, it is preferable that the drying unit 7a does not apply an external force to the film 120 like an infrared heater or the like.

보유 지지부(7b)는 축부(5d2)에 설치되고, 축부(5d2)를 따라 이동한다. 또한, 보유 지지부(7b)는 건조 유닛(7a)를 적재부(2a)의 상방에 보유 지지한다.The holding portion 7b is provided on the shaft portion 5d2 and moves along the shaft portion 5d2. Further, the holding portion 7b holds the drying unit 7a above the loading portion 2a.

보유 지지부(7b)는 축부(5d2), 지지부(5d3) 및 구동부(5d4)에 의해 축부(5d2)를 따라 이동한다.The holding portion 7b moves along the shaft portion 5d2 by the shaft portion 5d2, the supporting portion 5d3 and the driving portion 5d4.

처리액 공급부(5)와 제2 유동성 제어부(7)에서는 사용하는 시기가 다르기 때문에, 처리액 공급부(5)와 제2 유동성 제어부(7)에서, 축부(5d2), 지지부(5d3) 및 구동부(5d4)를 겸용할 수 있다. 또한, 처리액 공급부(5) 및 제2 유동성 제어부(7)에, 축부(5d2), 지지부(5d3) 및 구동부(5d4)를 각각 설치하도록 해도 된다. 단, 축부(5d2), 지지부(5d3) 및 구동부(5d4)를 겸용으로 하면, 기구의 간소화나 공간 절약화를 도모할 수 있다.The treatment liquid supply section 5 and the second fluidity control section 7 are different from each other in the timing at which the treatment liquid supply section 5 and the second fluidity control section 7 use the shaft part 5d2 and the support part 5d3, 5d4). The shaft portion 5d2, the support portion 5d3, and the drive portion 5d4 may be provided in the treatment liquid supply portion 5 and the second fluidity control portion 7, respectively. However, if the shaft portion 5d2, the support portion 5d3, and the drive portion 5d4 are also used, the mechanism can be simplified and the space can be saved.

여기서, 기판(100)의 표면에 형성된 막(120)은, 완전히 경화되어 있지 않은 경우가 있다. 그로 인해, 후공정에 있어서, 베이크로 등에 의해 막(120)을 건조시켜서, 완전히 경화시키는 경우가 있다.Here, the film 120 formed on the surface of the substrate 100 may not be completely cured. Therefore, in the post-process, the film 120 may be dried by a baking furnace or the like to be completely cured.

이 경우, 막(120)의 유동성이 비교적 높은 상태 그대로이면, 성막 장치(1)로부터 베이크로 등으로 기판(100)을 반송할 때, 막(120)이 변형되어 막 두께의 균일성이 나빠질 우려가 있다.In this case, if the fluidity of the film 120 remains relatively high, when the substrate 100 is transported from the film forming apparatus 1 to the baking furnace or the like, the film 120 may be deformed and the uniformity of the film thickness may deteriorate .

그로 인해, 본 실시 형태에 따른 성막 장치(1)에 있어서는, 제2 유동성 제어부(7)를 설치하여, 막(120)의 유동성을 낮게 할 수 있도록 하고 있다.Therefore, in the film forming apparatus 1 according to the present embodiment, the second fluidity control unit 7 is provided to make the fluidity of the film 120 low.

그리고, 막(120)의 유동성을 낮게 함으로써, 막(120)이 변형되어 막 두께의 균일성이 나빠지는 것을 억제할 수 있도록 하고 있다.By lowering the flowability of the film 120, the film 120 is deformed and the uniformity of the film thickness can be suppressed from being deteriorated.

또한, 건조 유닛(7a)은, 적재면(2a1)(기판(100))의 상방을 소정의 방향으로 이동시킨다. 그로 인해, 기판(100)의 회전과, 건조 유닛(7a)의 이동에 의해, 기판(100)의 표면에 형성된 막(120)의 특정한 영역에서의 유동성을 낮게 하거나, 막(120)의 전체 영역에 있어서의 유동성을 낮게 하거나 할 수 있다.Further, the drying unit 7a moves the upper side of the mounting surface 2a1 (substrate 100) in a predetermined direction. The rotation of the substrate 100 and the movement of the drying unit 7a can reduce the fluidity in a specific region of the film 120 formed on the surface of the substrate 100, It is possible to lower the fluidity in the case of the present invention.

이어서, 성막 장치(1)의 작용과 함께, 본 실시 형태에 따른 성막 방법을 예시한다.Next, the film forming method according to the present embodiment will be illustrated along with the function of the film forming apparatus 1.

도 6은 성막 장치(1)의 작용 및 성막 방법을 예시하기 위한 플로우차트이다.6 is a flowchart for illustrating the operation of the deposition apparatus 1 and the deposition method.

도 6에 도시한 바와 같이, 먼저, 도시하지 않은 반송 장치 등에 의해 기판(100)을 적재부(2a)의 적재면(2a1)에 적재한다(스텝 S1).As shown in Fig. 6, first, the substrate 100 is loaded on the mounting surface 2a1 of the mounting portion 2a by a transfer device or the like (not shown) (step S1).

이어서, 도시하지 않은 진공 펌프 등을 사용한 흡착 등에 의해, 적재면(2a1)에 적재된 기판(100)을 보유 지지한다(스텝 S2).Subsequently, the substrate 100 mounted on the mounting surface 2a1 is held by suction or the like using a vacuum pump (not shown) or the like (step S2).

이어서, 회전시킨 기판(100)의 표면에 처리액(110)을 공급한다(스텝 S3).Then, the process liquid 110 is supplied to the surface of the rotated substrate 100 (step S3).

먼저, 제어부(8)는 구동부(3)를 제어하고, 제1 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킨다.First, the control unit 8 controls the driving unit 3 and rotates the holding unit 2 at the first rotational speed.

계속해서, 기판(100)의 중심측으로부터 외주 단부측을 향하여 노즐(5a)을 이동시키면서, 노즐(5a)로부터 회전하는 기판(100)의 표면에 처리액(110)을 공급한다.Subsequently, the process liquid 110 is supplied to the surface of the substrate 100 rotating from the nozzle 5a while moving the nozzle 5a from the center side of the substrate 100 toward the outer peripheral end side.

그렇게 하면, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 표면에 소용돌이 형상으로 처리액(110)이 도포된다.3, the treatment liquid 110 is coated on the surface of the substrate 100 in a spiral shape.

이어서, 처리액(110)을 도포할 때의 기판(100)의 회전 속도보다도 느린 회전 속도로 기판(100)을 회전시킨다(스텝 S4).Subsequently, the substrate 100 is rotated at a rotational speed that is slower than the rotational speed of the substrate 100 when the process liquid 110 is applied (step S4).

즉, 제어부(8)는 구동부(3)를 제어하여, 처리액(110)을 도포할 때의 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킨다.That is, the control unit 8 controls the driving unit 3 to rotate the holding unit 2 at a second rotational speed that is slower than the first rotational speed when the processing liquid 110 is applied.

기판(100)이 보유 지지된 보유 지지부(2)를 회전시킴으로써, 소용돌이 형상으로 도포된 처리액(110)으로부터 막(120)을 형성할 수 있다.The film 120 can be formed from the treatment liquid 110 applied in a spiral shape by rotating the holding portion 2 having the substrate 100 held thereon.

또한, 처리액(110)을 도포할 때의 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킴으로써, 기판(100)의 외주 단부 근방에 모인 처리액(110)의 일부를 기판(110)의 중심측으로 이동시킬 수 있다. 그로 인해, 도 5에 예시한 솟아 오른 부분(120a)의 형성을 억제할 수 있다.A part of the treatment liquid 110 collected near the outer peripheral end of the substrate 100 is rotated by rotating the holding portion 2 at a second rotation speed that is slower than the first rotation speed when the treatment liquid 110 is applied And can move to the center side of the substrate 110. As a result, the formation of the bulged portion 120a shown in Fig. 5 can be suppressed.

또한, 처리액(110)을 도포할 때의 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킴으로써, 비산되는 처리액(110)의 양을 저감시킬 수 있다.Further, by rotating the holding portion 2 at a second rotational speed that is slower than the first rotational speed at the time of applying the processing liquid 110, the amount of the processing liquid 110 scattered can be reduced.

그로 인해, 처리액(110)의 이용 효율의 향상과, 막(120)에 있어서의 막 두께의 균일화를 도모할 수 있다.As a result, the utilization efficiency of the treatment liquid 110 can be improved and the film thickness of the film 120 can be made uniform.

또한, 전술한 바와 같이, 제어부(8)는, 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킨 후에, 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킬 수도 있다.As described above, the control unit 8 may rotate the holding unit 2 at a third rotational speed that is faster than the second rotational speed after rotating the holding unit 2 at the second rotational speed.

또한, 제어부(8)는 제2 회전 속도로 보유 지지부(2)를 회전시킨 후에, 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도와, 제3 회전 속도보다도 느린 제4 회전 속도로 차례로 전환하여 보유 지지부(2)를 회전시킬 수도 있다.After rotating the holding portion 2 at the second rotation speed, the control portion 8 sequentially switches the rotation speed from the third rotation speed that is faster than the second rotation speed to the fourth rotation speed that is slower than the third rotation speed, (2).

또한, 필요에 따라, 이하의 처리를 행할 수 있다.Further, if necessary, the following process can be performed.

예를 들어, 막(120)의 기판(100)의 외주 단부 근방에 있는 영역의 유동성이 높아지도록 제어할 수 있다.For example, it is possible to control the flowability of the region of the film 120 near the outer peripheral end of the substrate 100 to be high.

예를 들어, 막(120)의 기판(100)의 외주 단부 근방에 있는 영역을 향해서, 노즐(6a)로부터 미스트 형상의 용매를 분무한다. 분무된 용매에 의해, 막(120)의 상기 영역에서의 유동성이 높아진다. 그로 인해, 막(120)에 솟아 오른 부분(120a)이 형성되기 어려워진다.For example, a mist-like solvent is sprayed from the nozzle 6a toward a region of the film 120 near the outer peripheral end of the substrate 100. [ The flowability of the film 120 in the above region is enhanced by the sprayed solvent. As a result, the raised portion 120a on the film 120 becomes difficult to be formed.

또한, 예를 들어 막 두께의 균일화가 종료된 후에, 막(120)의 유동성이 낮아지도록 제어할 수도 있다.Further, for example, after the homogenization of the film thickness is completed, the flowability of the film 120 may be controlled to be lowered.

이 경우에는, 먼저, 구동부(3)에 의해, 기판(100)(보유 지지부(2))을 소정의 회전 속도로 회전시킨다.In this case, first, the substrate 100 (holding portion 2) is rotated at a predetermined rotation speed by the driving portion 3.

계속해서, 건조 유닛(7a)을 작동시킴과 함께, 이동부(5d)에 의해 건조 유닛(7a)의 위치를 이동시킨다. 예를 들어, 기판(100)의 중심측으로부터 외주 단부측을 향하여 건조 유닛(7a)의 위치를 이동시키거나, 기판(100)의 외주 단부측으로부터 중심측을 향해서 건조 유닛(7a)의 위치를 이동시키거나, 기판(100)의 중심측과 외주 단부측 사이를 왕복하도록 건조 유닛(7a)의 위치를 이동시킬 수 있다.Subsequently, the drying unit 7a is operated and the position of the drying unit 7a is moved by the moving unit 5d. For example, the position of the drying unit 7a may be moved from the center side of the substrate 100 toward the outer peripheral end side, or the position of the drying unit 7a may be shifted from the outer peripheral end side toward the center side of the substrate 100 The position of the drying unit 7a can be moved so as to reciprocate between the center side of the substrate 100 and the outer peripheral end side.

건조 유닛(7a)에 의해, 막(120)에 포함되는 용매를 증발시킬 수 있으므로, 막(120)의 유동성을 낮게 할 수 있다. 또한, 기판(100)을 회전시킴과 함께, 건조 유닛(7a)의 위치를 이동시킴으로써, 막(120)의 전체 영역 혹은 막(120)의 특정한 영역에서의 막(120)의 유동성을 낮게 할 수 있다.Since the solvent contained in the film 120 can be evaporated by the drying unit 7a, the fluidity of the film 120 can be lowered. It is also possible to lower the fluidity of the film 120 in the entire region of the film 120 or in a specific region of the film 120 by moving the position of the drying unit 7a while rotating the substrate 100 have.

이 경우, 막(120)의 유동성은, 기판(100)을 반송하는 등으로 했을 때, 막(120)이 변형되어 막 두께의 균일성이 나빠지는 것을 막을 정도로 할 수 있다.In this case, the flowability of the film 120 can be such that the uniformity of the film thickness is prevented from being deteriorated by deforming the film 120 when transporting the substrate 100 or the like.

막(120)의 유동성은, 건조 유닛(7a)의 작동 조건(예를 들어, 온도나 이동 속도 등)이나 기판(100)의 회전 속도 등에 의해 제어할 수 있다.The fluidity of the film 120 can be controlled by operating conditions (for example, temperature, moving speed, etc.) of the drying unit 7a, the rotational speed of the substrate 100, and the like.

여기서, 건조 유닛(7a)의 작동 조건이나 기판(100)의 회전 속도 등은, 용매의 종류, 요구되는 막(120)의 유동성 등의 영향을 받을 수 있다.Here, the operating conditions of the drying unit 7a, the rotational speed of the substrate 100, and the like may be influenced by the type of solvent, the required fluidity of the film 120, and the like.

그러나, 건조 유닛(7a)의 작동 조건이나 기판(100)의 회전 속도 등의 적정값은, 미리, 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 구할 수 있다.However, appropriate values such as the operating condition of the drying unit 7a and the rotation speed of the substrate 100 can be obtained by conducting experiments or simulations in advance.

이어서, 도시하지 않은 반송 장치 등에 의해, 막(120)이 형성된 기판(100)을 성막 장치(1)로부터 추출한다.Subsequently, the substrate 100 on which the film 120 is formed is extracted from the film forming apparatus 1 by a transfer device or the like (not shown).

또한, 추출된 기판(100)은, 베이크로 등에 의해, 더 건조시킬 수 있다.Further, the extracted substrate 100 can be further dried by baking or the like.

이 경우, 막 두께의 균일화가 종료된 후에, 막(120)의 유동성이 낮아지도록 제어해 두면, 성막 장치(1)로부터 베이크로 등으로 기판(100)을 반송할 때, 막(120)이 변형되어 막 두께의 균일성이 나빠지는 것을 억제할 수 있다.In this case, if the flowability of the film 120 is controlled to be lower after the film thickness uniformization is completed, when the substrate 100 is transported from the film forming apparatus 1 to the baking furnace or the like, And deterioration of the uniformity of the film thickness can be suppressed.

이어서, 본 실시 형태에 따른 성막 장치(1) 또는, 성막 방법을 사용한 전자 디바이스의 제조 방법에 대하여 예시한다.Next, a film forming apparatus 1 according to the present embodiment or a method of manufacturing an electronic device using the film forming method will be exemplified.

전자 디바이스의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 반도체 장치의 제조 방법을 예시할 수 있다. 여기서, 반도체 장치의 제조 공정에는, 소위 전공정에 있어서의 성막·레지스트 도포·노광·현상·에칭·레지스트 제거 등에 의해 기판(웨이퍼) 표면에 패턴을 형성하는 공정, 검사 공정, 세정 공정, 열처리 공정, 불순물 도입 공정, 확산 공정, 평탄화 공정 등이 있다. 또한, 소위 후공정에 있어서는, 다이싱, 마운팅, 본딩, 봉입 등의 조립 공정, 기능이나 신뢰성의 검사를 행하는 검사 공정 등이 있다.As a manufacturing method of an electronic device, for example, a manufacturing method of a semiconductor device can be exemplified. Here, the manufacturing steps of the semiconductor device include a step of forming a pattern on the surface of a substrate (wafer) by a film forming process, a resist coating process, a light exposure process, a developing process, an etching process, , An impurity introduction step, a diffusion step, and a planarization step. In the so-called post-process, there are an assembling process such as dicing, mounting, bonding, and sealing, and an inspecting process for inspecting functions and reliability.

본 실시 형태에 따른 성막 장치(1) 또는, 성막 방법은, 예를 들어 레지스트 도포 공정 등에 있어서 사용할 수 있다.The film forming apparatus 1 or the film forming method according to the present embodiment can be used, for example, in a resist coating process or the like.

본 발명의 몇몇 실시 형태를 설명했지만, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규 실시 형태는, 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.While some embodiments of the invention have been described, these embodiments are provided by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These new embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and alterations can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and spirit of the invention, and are included in the scope of equivalents of the invention described in the claims.

Claims (20)

이동하는 노즐로부터 회전하는 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 상기 기판의 표면에 소용돌이 형상으로 상기 처리액을 도포하고, 기판의 회전에 의해, 도포된 상기 처리액으로부터 막을 형성하는 성막 장치로서,
상기 기판을 보유 지지하는 보유 지지부와,
상기 보유 지지부를 회전시키는 구동부와,
상기 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
적어도 상기 구동부를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 처리액을 도포할 때의 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시켜서, 상기 도포된 처리액으로부터 막을 형성하는, 성막 장치.There is provided a film forming apparatus for supplying a treatment liquid to a surface of a rotating substrate from a moving nozzle, coating the treatment liquid in a spiral shape on the surface of the substrate, and forming a film from the applied treatment liquid by rotation of the substrate,
A holding portion for holding the substrate;
A driving unit for rotating the holding unit,
A processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the surface of the substrate held by the holding unit;
A control unit for controlling at least the driving unit
And,
Wherein the control section rotates the holding section at a second rotational speed that is slower than a first rotational speed when the processing liquid is applied to form a film from the applied processing liquid. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제2 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시킨 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시키는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control section rotates the holding section at a third rotational speed that is higher than the second rotational speed after rotating the holding section at the second rotational speed. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제2 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시킨 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도와, 상기 제3 회전 속도보다도 느린 제4 회전 속도로 차례로 전환하여 상기 보유 지지부를 회전시키는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein the controller rotates the holding portion at the second rotation speed and then sequentially switches the rotation speed to a third rotation speed that is faster than the second rotation speed and a fourth rotation speed that is slower than the third rotation speed, A film forming device. 제1항에 있어서,
상기 도포된 처리액으로부터 형성된 막의 상기 기판의 외주 단부 근방에 있는 영역에서의 유동성이 높아지도록 제어하는 제1 유동성 제어부를 더 구비한, 성막 장치.The method according to claim 1,
Further comprising: a first flow control unit for controlling the flowability of a film formed from the applied treatment liquid to a higher degree in a region in the vicinity of the outer peripheral end of the substrate. 제1항에 있어서,
적어도 상기 보유 지지부의 주위를 둘러싸도록 설치된 컵을 더 구비한, 성막 장치.The method according to claim 1,
And a cup provided so as to surround at least the periphery of the holding portion. 제1항에 있어서,
상기 도포된 처리액으로부터 형성된 막의 유동성이 낮아지도록 제어하는 제2 유동성 제어부를 더 구비한, 성막 장치.The method according to claim 1,
And a second fluidity control unit for controlling the flowability of the film formed from the applied treatment liquid to be lowered. 제1항에 있어서,
상기 처리액 공급부는, 상기 처리액을 토출하는 노즐과, 상기 노즐의 위치를 변화시키는 이동부와, 상기 처리액을 상기 노즐에 공급하는 공급부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 구동부와, 상기 이동부와, 상기 공급부를 제어하여, 상기 기판의 중심측으로부터 외주 단부측을 향하여 상기 노즐을 이동시키면서, 상기 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급하는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein the processing liquid supply unit includes a nozzle for discharging the processing liquid, a moving unit for changing the position of the nozzle, and a supply unit for supplying the processing liquid to the nozzle,
Wherein the control unit controls the driving unit, the moving unit, and the supplying unit so as to move the nozzle from the center side toward the outer circumferential end side of the substrate to the surface of the substrate rotating from the nozzle, Film forming apparatus. 제7항에 있어서,
상기 노즐로부터 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급함으로써, 상기 기판의 표면에 소용돌이 형상으로 상기 처리액이 도포되는, 성막 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the treatment liquid is applied to the surface of the substrate in a spiral shape by supplying the treatment liquid to the surface of the substrate rotating from the nozzle. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 처리액을 도포할 때의 상기 제1 회전 속도보다도 느린 상기 제2 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시킴으로써, 상기 기판의 외주 단부 근방에 모인 상기 처리액의 일부를 상기 기판의 중심측으로 이동시키는, 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein the control section rotates the holding section at the second rotation speed that is lower than the first rotation speed when the processing liquid is applied so that a part of the processing liquid collected in the vicinity of the outer peripheral end of the substrate is returned to the center of the substrate To the film forming apparatus. 제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제2 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시킨 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 빠른 상기 제3 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시킴으로써, 상기 기판의 외주 단부 근방에 모인 상기 처리액의 일부를 상기 기판의 중심측으로 이동시키고, 그 후, 상기 기판의 중심측으로 이동한 상기 처리액의 일부를 상기 기판의 외주 단부측으로 이동시키는, 성막 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the controller rotates the holding portion at the second rotation speed and then rotates the holding portion at the third rotation speed that is faster than the second rotation speed to rotate the holding portion in the vicinity of the outer peripheral end of the substrate, And moves a part of the processing liquid that has moved toward the center side of the substrate toward the outer peripheral end side of the substrate. 제3항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제2 회전 속도로 상기 보유 지지부를 회전시킨 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 빠른 상기 제3 회전 속도와, 상기 제3 회전 속도보다도 느린 상기 제4 회전 속도로 차례로 전환하여 상기 보유 지지부를 회전시킴으로써, 상기 기판의 외주 단부측과, 상기 기판의 중심측 사이에서, 상기 처리액의 일부를 반복하여 이동시키는, 성막 장치.The method of claim 3,
Wherein the controller rotates the holding portion at the second rotation speed and then sequentially switches the third rotation speed that is faster than the second rotation speed and the fourth rotation speed that is slower than the third rotation speed, And part of the treatment liquid is repetitively moved between the outer peripheral end side of the substrate and the center side of the substrate by rotating the supporting part. 제7항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 노즐의 위치 변화에 따라, 상기 기판의 회전 속도를 변화시키는, 성막 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the control unit changes the rotation speed of the substrate in accordance with a change in the position of the nozzle. 제4항에 있어서,
상기 제1 유동성 제어부는, 상기 영역에 용매를 공급하는, 성막 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first flow control section supplies the solvent to the region. 제6항에 있어서,
상기 제2 유동성 제어부는, 상기 막에 포함되는 용매를 증발시키는 건조 유닛을 갖는, 성막 장치.The method according to claim 6,
And the second flow control section has a drying unit for evaporating the solvent contained in the film. 제14항에 있어서,
상기 건조 유닛은, 적외선 히터 및 온풍 히터 중 적어도 어느 하나인, 성막 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the drying unit is at least one of an infrared heater and a hot air heater. 제1항에 있어서,
상기 처리액은, 포토레지스트액인, 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein the treatment liquid is a photoresist liquid. 이동하는 노즐로부터 회전하는 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 상기 기판의 표면에 소용돌이 형상으로 상기 처리액을 도포하고, 기판의 회전에 의해, 도포된 상기 처리액으로부터 막을 형성하는 성막 방법으로서,
상기 처리액을 도포할 때의 제1 회전 속도보다도 느린 제2 회전 속도로 상기 기판을 회전시켜서, 상기 도포된 처리액으로부터 막을 형성하는, 성막 방법.There is provided a film forming method for supplying a process liquid onto a surface of a rotating substrate from a moving nozzle, applying the process liquid in a spiral shape to the surface of the substrate, and forming a film from the applied process liquid by rotation of the substrate,
Wherein the substrate is rotated at a second rotation speed that is slower than the first rotation speed at the time of applying the treatment liquid to form a film from the applied treatment liquid. 제17항에 있어서,
상기 제2 회전 속도로 상기 기판을 회전시킨 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는, 성막 방법.18. The method of claim 17,
And after rotating the substrate at the second rotation speed, rotating the substrate at a third rotation speed that is faster than the second rotation speed. 제17항에 있어서,
상기 제2 회전 속도로 상기 기판을 회전시킨 후에, 상기 제2 회전 속도보다도 빠른 제3 회전 속도와, 상기 제3 회전 속도보다도 느린 제4 회전 속도로 차례로 전환하여 상기 기판을 회전시키는, 성막 방법.18. The method of claim 17,
The substrate is rotated at a third rotational speed that is faster than the second rotational speed and at a fourth rotational speed that is slower than the third rotational speed to rotate the substrate after rotating the substrate at the second rotational speed. 제17항에 있어서,
상기 도포된 처리액으로부터 형성된 막의 상기 기판의 외주 단부 근방에 있는 영역에서의 유동성이 높아지도록, 상기 영역에 용매를 공급하는, 성막 방법.






18. The method of claim 17,
Wherein solvent is supplied to the region so that the fluidity in a region formed near the outer peripheral end of the substrate formed from the applied treatment liquid is enhanced.






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