KR101438797B1 - 금속 촉매 식각 방법을 이용한 수직 나노구조를 포함하는 광학기기 및 그 제조 방법. - Google Patents
금속 촉매 식각 방법을 이용한 수직 나노구조를 포함하는 광학기기 및 그 제조 방법. Download PDFInfo
- Publication number
- KR101438797B1 KR101438797B1 KR1020130015754A KR20130015754A KR101438797B1 KR 101438797 B1 KR101438797 B1 KR 101438797B1 KR 1020130015754 A KR1020130015754 A KR 1020130015754A KR 20130015754 A KR20130015754 A KR 20130015754A KR 101438797 B1 KR101438797 B1 KR 101438797B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nano structure
- substrate
- vertical nano
- vertical
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 title 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims abstract description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/0229—Optical fibres with cladding with or without a coating characterised by nanostructures, i.e. structures of size less than 100 nm, e.g. quantum dots
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
- G02B2207/101—Nanooptics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
본원 발명은 수직 나노구조를 이용하여 광학 기기 등을 제작하는 방법으로, Si, Ge 등의 단결정 반도체 기판, GaAs, InP 등의 III-V 화합물 반도체 기판, SOI (silicon on insulator) 기판 중 적어도 어느 하나인 기판을 준비 단계, 상기 세정된 기판 상에 리소그라피(Lithography) 방법, 셀프 어셈블리 템플릿(Self-assembly template) 방법 중 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 원하는 수직 나노 구조를 패터닝 하는 단계, 금, 은, 백금 등의 금속 중 어느 하나, 둘 이상의 조합을 포함하는 촉매 금속을 최종적으로 완성하고자 하는 수직 나노구조의 역상 패턴으로 기판 상부에 증착하는 단계, 불산(HF)과 과산화수소(H2O2) 혼합 수용액에 담지하는 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 나노구조를 제작하는 단계 등을 이용한다.
이를 통해, 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 격자 구조를 제작함으로써, 보다 더 미세하고, 정교한 패턴들을 용이하게 제작하고자 한다.
이와 같이 제작된 SWG 구조를 가진 나노 구조를 갖는 광학 기기는 기존의 건식 식각을 이용하여 제작된 구조에 비하여 보다 더 효과적인 성능을 가질 수 있다.
이를 통해, 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 격자 구조를 제작함으로써, 보다 더 미세하고, 정교한 패턴들을 용이하게 제작하고자 한다.
이와 같이 제작된 SWG 구조를 가진 나노 구조를 갖는 광학 기기는 기존의 건식 식각을 이용하여 제작된 구조에 비하여 보다 더 효과적인 성능을 가질 수 있다.
Description
본원 발명은 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 실리콘 등의 물질을 이용하여 수직 나노구조, 더욱 바람직하게는 수직 나노 벽 구조를 제작함으로써, 나노 렌즈 기능을 할 수 있는 구조를 만드는 방법에 대한 것이다.
더 상세히 말하면, 수직 나노 벽 구조를 제작하는 과정에서 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수십 내지 수백 나노 미터의 식각 공정을 보다 용이하게 하는 것이 가능하다.
이러한 수직 나노 벽 구조를 패터닝하는 기존의 건식 식각 방법에 비해 보다 가파를 경사 구조와 보다 더 미세한 패턴 식각이 가능하여, 나노 렌즈의 특성을 극대화시키는 것이 가능한 공정이다.
광학시스템은 현재의 첨단 기술의 일부인 카메라, TV, 현미경, 망원경 등에 필수적인 요소이며 그 중에서도 렌즈가 매우 중요한 역할을 하고 있다.
보통 카메라나 망원경에 쓰이는 광학 렌즈는 기본적으로 볼록 렌즈와 오목 렌즈 여러 장을 조합해 만든다.
이때 렌즈의 두께와 구면 형태에 따라 빛이 서로 다른 각도로 회절하게 하게 되고 이를 조절해 피사체의 초점을 맞추는 방식이다.
그러나 종래의 광학 렌즈는 일반적으로 두꺼운 유리로 만들어진 탓에 우수한 광학 특성을 가지고는 있지만 그 부피가 크고 무거우며 제한된 기능만을 수행하게 된다.
따라서, 다양한 분야에 소형화된 얇고 가벼운 렌즈들을 필요로 하고 있다.
이러한 필요성을 충족시키기 위해 프레넬(Fresnel) 렌즈를 이용하고 있으며, 이는 오버 헤드 프로젝터, DVD 플레이어 및 카메라의 광학 시스템에서 찾아볼 수 있다.
이러한 렌즈는 입사광에 대해 선택적인 위상 이동을 통해 초점을 가질 수 있으며, 원하는 위상 변화를 위해 수십 내지 수백 나노미터의 설계된 크기로 정확히 제작되어야 한다.
이와 같이 어려운 공정 방법이 프레넬(Fresnel) 렌즈 대신, 최근 보고된 Subwavelength Grating(SWG) 의 광학 공명을 이용하여 렌즈 구조를 제작하는 방법이 최근 보고되었다.
이 구조는 입사 파장보다 작은 각각의 격자 구조들이 회절 현상을 통해 입사광의 위상 변화를 유발하고, 공진기의 크기 변화에 따라 다른 위상 변화를 야기한다.
따라서, 이러한 크기가 다른 공진기 배열이 거의 모든 위상 변화를 일으킬 수 있게 되고, 일반 렌즈와 같이 초점을 형성하게 되며, 높은 반사율을 가진 반사 거울 기능을 할 수 있게 된다.
이러한 SWG 구조는 기존의 프레넬(Fresnel) 렌즈 구조에 비하여 리소그라피 공정을 이용하여 패터닝되고 제작할 수 있다는 공정 장점뿐만 아니라, 기하학적인 매개변수인 격자의 두께, 주기 또는 듀티 사이클 (Duty cycle)에 의하여 반사 스펙트럼의 프로파일이 제어되어 제작자에 의도 맞추어 충분히 자유로운 설계가 가능하다는 장점이 있다.
따라서, 카메라, 센서와 같은 광학 분야의 렌즈 분야, 레이저 응용 분야, 광메모리와 같은 분야에 응용 가능성을 갖는다.
촉매 금속 식각 방법은 실리콘 등의 기판에서 금, 은, 백금과 같은 금속을 패터닝한 후, HF와 H2O2 수용액에 담그게 되면, 금속들이 촉매 역할을 하게 되며 촉매 금속 하부에 위치한 실리콘이 산화되면서 식각된다.
이러한 현상들로 인해 촉매 금속이 덮여 있지 않은 부분이 남게 되어 수직 형태의 구조를 띄게 되는 것이 가능하다.
본원 발명은 실리콘 등의 기판에 Subwavelength Grating(SWG) 구조를 이용하여 나노 렌즈 등의 광학 기기 구조를 제작하는 과정을 이용한다.
더욱 자세히는, 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 격자 구조를 제작함으로써, 보다 더 미세하고, 정교한 패턴들을 용이하게 제작하고자 한다.
이와 같이 제작된 SWG 구조를 가진 나노 구조를 갖는 광학 기기는 기존의 건식 식각을 이용하여 제작된 구조에 비하여 보다 더 효과적인 성능을 가질 수 있다.
본원 발명은 수직 나노구조를 이용하여 광학 기기 등을 제작하는 방법으로, 단결정 반도체 기판, III-V 화합물 반도체 기판, SOI(silicon on insulator) 기판, 금속 기판, 유리 기판, 고분자 기판 중 적어도 어느 하나를 준비하는 단계, 기판 상에 리소그라피(Lithography) 방법, 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template) 방법 중 어느 하나 이상의 방법을 이용하여 원하는 수직 나노 구조를 패터닝 하는 단계, 상기 패터닝된 기판 상부에 촉매 금속을 최종적으로 완성하고자 하는 수직 나노구조의 역상 패턴으로 기판 상부에 증착하는 단계, 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 나노구조를 제작하는 단계 등을 이용한다.
본원 발명에 의하면 수십 내지 수백 나노미터의 두께를 가지는 수직 나노 구조를 건식 식각을 사용하지 않고 금속 촉매 식각 방법을 사용하여 더 미세한 패턴을 용이하게 식각하는 것이 가능하다.
또한, 단차 부분에서 경사가 발생하는 문제를 피하기 어려웠던 건식 식각과 달리 금속 촉매 식각 방법을 이용하면 90도의 급격한 경사를 유지하며 식각이 가능하게 되어 문제를 해결할 수 있다.
금속 촉매 식각 방법을 이용하여 나노 렌즈 등의 광학 기기를 제작하게 되면 리소그라피 공정 또는 그 외의 패터닝 공정을 이용하여 촉매 금속만 패터닝 된다면 다양한 미세 구조를 쉽게 제작이 가능하다.
마지막으로 Subwavelength grating(SWG) 구조를 이용한 나노 렌즈에서 반사율을 향상시키기 위하여 복층 구조를 많이 사용하게 되는데, 이 경우에 서로 다른 4족 원소를 복층으로 쌓게 되더라도 금속 촉매 식각을 이용할 수 있으므로 공정 범위에 대한 확장성이 크다는 장점이 있다.
도 1a은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 렌즈를 제작하는 방법을 나타낸다.
도 1b는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 필터를 제작하는 방법을 나타낸다.
도 1c은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 거울을 제작하는 방법을 나타낸다.
도 2는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 광학기기를 제작하는 방법 중 기판 준비 단계를 나타낸다.
도 3은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 광학기기를 제작하는 방법 중 촉매 금속을 증착하는 단계를 나타낸다.
도 4는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기를 나타낸다.
도 5는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기의 단면도를 나타낸다.
도 6은 본원 발명의 다른 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기를 나타낸다.
도 1b는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 필터를 제작하는 방법을 나타낸다.
도 1c은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 거울을 제작하는 방법을 나타낸다.
도 2는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 광학기기를 제작하는 방법 중 기판 준비 단계를 나타낸다.
도 3은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 광학기기를 제작하는 방법 중 촉매 금속을 증착하는 단계를 나타낸다.
도 4는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기를 나타낸다.
도 5는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기의 단면도를 나타낸다.
도 6은 본원 발명의 다른 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기를 나타낸다.
본원 발명에 의한 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기(400)를 제조하는 방법은 기판(100)을 준비하는 제 1 단계, 상기 기판 상(110)에 원하는 수직 나노구조(300)를 패터닝 하는 제 2 단계, 상기 패터닝된 기판 상부에 촉매 금속을 최종적으로 완성하고자 하는 수직 나노구조(300)의 역상 패턴으로 증착하는 제 3 단계, 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 상기 촉매 금속이 증착된 기판에 수직 나노구조(300)를 제작하는 제 4 단계를 포함하는 것이 가능할 것이다.
상기 제 1 단계에서 상기 기판(100)은 단결정 반도체 기판, III-V 화합물 반도체 기판, SOI(silicon on insulator) 기판, 금속 기판, 유리 기판, 고분자 기판 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직할 것이나 이에 한정된 것은 아니다.
더욱 자세히는, Si, Ge 등의 단결정 반도체 기판, GaAs, InP 등의 III-V 화합물 반도체 기판, SOI(silicon on insulator) 기판, 금속 기판, 유리 기판, 고분자 기판 중에 선택하는 것이 바람직하며, Si 단결정 반도체 기판이 가장 바람직할 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
상기 제 1 단계와 제 2 단계 사이에 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2) 혼합 용액, 불산(HF) 희석 용액 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하여 상기 기판(100)의 불순물을 제거하는 세정 단계가 더 포함되는 것이 바람직할 것이다.
상기 제 3 단계에서 상기 촉매 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 납(Pb) 중 어느 하나, 둘 이상의 조합을 포함하는 것이 바람직할 것이나, 이 또한 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 3 단계에서 촉매 금속 증착은 열 기상 증착 (Tevaporator), 스퍼터링 증착 (Sputtering) 방법, 증발 증착(evaporation) 방법 등 물리 기상 증착 또는, 화학 기상 증착 방법 중 어느 하나 이상 이용하는 것이 바람직할 것이나 이에 한정된 것은 아니다.
이를 통해, 촉매 금속 증착 후 포토레지스트를 제거하여 패턴을 형성하는 리프트 오프 (Lift-off) 방법을 이용할 수 있고 또는 에치백 공정을 이용하여 패턴을 형성 가능할 것이다.
또한, 템플릿과 같은 구조를 이용하게 된다면, 템플릿 상부에 촉매 금속을 증착하고 템플릿을 제거한 후 촉매 금속을 실리콘 기판에 액상에서 전사하는 방법을 이용할 수도 있을 것이다.
상기 제 4 단계에서 불산(HF)과 과산화수소(H2O2) 혼합 수용액에 담지하는 금속 촉매 식각 방법을 이용하여 수직 나노구조(300)를 제작하는 것이 가능할 것이다.
또한, 식각용액은 불산(HF)과 과산화수소(H2O2)의 혼합 비율, 불산(HF)과 과산화수소(H2O2)의 혼합 농도, 반응 온도, 식각 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜, 상기 수직 나노구조의 높이 및 배향을 조절하는 것이 가능할 것이다.
상기 과정에서 H2O2는 산화제로서 역할을 한다. 촉매 금속은 반응에 직접 참여하지 않고, 반응을 촉진하는 촉매 역할만 하게 되므로, 반응 중 금속이 계속 잔존하는 상태로 유지되어 촉매 금속이 존재하는 영역만 기판의 물질, 가장 바람직하게는 실리콘이 식각되고, 이로써 실리콘 수직 구조가 형성될 수 있다.
도 1a은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조(300)를 이용하여 광학 기기(400)인 렌즈를 제작하는 방법을 나타낸다.
상기 제 2 단계에서 상기 수직 나노구조(300)가 비주기적인 패턴을 갖도록 리소그라피(Lithography) 방법을 이용하여 패터닝하는 것이 가능할 것이다.
상기 리소그라피 방법은 포토리소그라피 공정, 스캐너(Scanner) 리소그라피 공정, 스텝퍼(Stepper) 리소그라피 공정, 전자빔(E-beam) 리소그라피 공정 중 어느 하나 이상 포함하는 것이 바람직할 것이나 이에 한정된 것은 아니다.
상기 제 4 단계 이후에 상기 기판(100)에 잔존하는 촉매 금속을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이는 염산(HCl)과 질산(HNO3)의 혼합 용액을 이용하여 잔존하는 상기 촉매 금속을 제거하는 것이 바람직할 것이다.
도 2는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 광학기기를 제작하는 방법 중 기판 준비 단계를 나타낸다.
상기 수직 나노구조(300)는 Subwavelength grating 구조인 것이 가능하며 렌즈에 사용하고자 하는 빛의 파장보다 작아야 한다. 입사 파장보다 작은 각각의 격자 구조들이 회절 현상을 통해 입사광의 위상 변화를 유발하고, 공진기의 크기 변화에 따라 다른 위상 변화를 야기한다. 따라서, 이러한 크기가 다른 공진기 배열이 거의 모든 위상 변화를 일으킬 수 있게 되고, 일반 렌즈와 같이 초점을 형성하게 되며, 높은 반사율을 가진 반사 거울 기능을 할 수 있게 된다.
따라서, 일반적으로 대략 수십 내지 수백 나노 미터 크기를 가지는 패턴을 형성해야 한다.
렌즈를 형성하기 위한 서브웨이브렝스 그래이팅(Subwavelength grating) 패턴의 폭, 간격, 높이와 같은 요소들은 입사광의 파장과 위상의 변화에 따라 달라진다.
이러한 정보는 실제 제작에 앞서 전산모사를 통해서 선행할 수 있으며, 다양한 요소들에 의해 위상 변화를 일으키는 정도를 계산하고 그에 따라서 일정하게 위상 변화를 일으키는 영역을 선택하여 실제 렌즈 제작을 위한 설계를 한다.
즉, 본 발명은 상기 기판 상에 원하는 수직 나노구조를 패터닝 하는 제 2 단계에 선행하여 렌즈에 적용될 입사광의 파장과 위상의 변화를 기초로하여 서브웨이브렝스그래이팅(Subwavelength grating)을 위한 패턴의 폭, 간격, 높이를 전산모사를 통해 산출해내는 단계를 포함한다.
즉, 본 발명은 상기 기판 상에 원하는 수직 나노구조를 패터닝 하는 제 2 단계에 선행하여 렌즈에 적용될 입사광의 파장과 위상의 변화를 기초로하여 서브웨이브렝스그래이팅(Subwavelength grating)을 위한 패턴의 폭, 간격, 높이를 전산모사를 통해 산출해내는 단계를 포함한다.
수십 내지 수백 나노 미터 크기의 조밀한 미세 패턴을 형성하기 위해서 크게 두 가지 방법이 존재한다.
일반적으로 사용될 수 있는 리소그라피 방법이 있으며, 또 다른 방법으로는 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template)을 이용하여 패터닝 하는 방법이 있다.
이 방법은 수직 나노구조(300)의 주기성에 따라 사용 방법이 달라질 수 있다.
주기적인 패턴의 경우에는 템플릿과 같은 구조를 이용하여 쉽게 반복 패턴을 형성할 수 있지만, 비주기적인 패턴의 경우에는 자연적으로 구현하기 힘든 패턴이므로 리소그라피 공정을 이용해야 한다.
주기적인 패턴의 경우는 필터에 사용될 수 있으며, 비주기적인 패턴들은 위상 변화를 통해 렌즈로서 사용될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
도 3은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 광학기기를 제작하는 방법 중 촉매 금속을 증착하는 단계를 나타낸다.
상기의 방법으로 제조된 렌즈는 수직 나노구조(300)가 비주기적인 패턴을 갖는 것이 바람직할 것이나 이에 한정된 것은 아니다.
상기 렌즈의 수직 나노구조(300)의 폭, 높이, 상기 수직 나노 구조(300)가 격자 구조인 경우 듀티 사이클(duty cycle) 등을 다양하게 함으로써 입사광의 위상 변화 등의 렌즈 성능을 조절하는 것 또한 가능할 것이다.
또한, 렌즈의 수직 나노구조(300)를 굴절율이 다른 물질들을 복층으로 구성하는 것 또한 가능할 것이다.
또한, 상기 렌즈의 기판을 Thinning 공정을 이용하여 얇게 두께 조절하여 투과율을 제어하거나 유리 기판과 같이 전사 기능을 갖도록 제어하는 것도 가능할 것이다. 이러한 공정을 포함할 경우 기판은 실리콘인 것이 가장 바람직하지만 이에 한정된 것은 아니다.
도 4는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기를 나타낸다.
도 5는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기의 단면도를 나타낸다.
도 1b는 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조(300)를 이용하여 광학 기기(400)인 필터를 제작하는 방법을 나타낸다.
상기 제 2 단계에서 상기 수직 나노구조가 주기적인 패턴을 갖도록 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template) 방법을 이용하여 패터닝 하는 것이 바람직할 것이다.
이와 같이, 상기 셀프 어셈블리 템플릿 방법은 AAO(Anodic Aluminum Oxide) 템플릿, Block Copolmyer 템플릿 중 적어도 어느 하나 이상 포함하는 것이 가능할 것이다.
수직 나노구조(300)를 이용하여 광학 기기(400)인 필터를 제작하는 방법은 수직 나노구조(300)를 이용하여 광학 기기(400)인 렌즈를 제작하는 방법과 달리 상기 (ii) 단계와 같이 상기 기판 상에 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template) 방법을 이용하여 원하는 수직 나노 구조를 패터닝 하는 것이 바람직할 것이나, 이 또한 여기에 한정된 것은 아니다.
상기 필터를 제조하는 방법은 상기 제 4 단계 이후에 상기 기판에 잔존하는 촉매 금속을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것이 바람직할 것이다.
도 1c은 본원 발명의 실시 예에 의한 수직 나노구조를 이용하여 광학 기기(400)인 거울을 제작하는 방법을 나타낸다.
수직 나노구조(300)를 이용하여 광학 기기(400)인 거울을 제작하는 방법은 상기 렌즈와 필터의 제조 방법과 달리 상기 기술한 바와 같이, 촉매 금속 식각 과정 이후 잔존하는 촉매 금속을 제거하지 않고 그대로 유지시켜, 거울 형태로 이용되는 구조에서는 반사율을 높일 수 있으므로 장점으로 이용될 수 있다.
상기 방법으로 제조되고, 상기 수직 나노구조(300)가 비주기적 패턴, 주기적인 패턴 중 어느 하나 이상의 패턴을 갖는 것을 갖는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조(300)를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 거울은 상기 필터의 수직 나노구조(300)를 굴절율이 다른 물질들을 복층으로 구성하는 것이 가능할 것이다.
본원 발명에 의해 제조된 상기 광학 기기는 수직 나노구조를 굴절율이 다른 물질들을 복층으로 구성하는 것이 가능하다.
또한, 상기 광학 기기의 수직 나노구조 사이에 상기 수직 나노구조와 다른 굴절률을 갖는 물질을 채우는 것이 가능할 것이다.
예를 들어, 상기 수직 나노구조 이외의 물질을 채우지 않는다면, 상기 수직 나노 구조 사이에는 에어(Air)가 채워질 것이다.
본원 발명에 의해 제조된 렌즈는 비주기적 패턴을 갖는 수직 나노구조 어레이를 포함하여 이루어질 것이다.
또한, 본원 발명에 의해 제조된 필터는 주기적 패턴을 갖는 수직 나노구조 어레이를 포함하여 이루어질 것이다.
이와 비교하여, 본원 발명에 의해 제조된 거울은 비주기적 패턴, 주기적인 패턴 중 어느 하나 이상의 패턴을 갖는 수직 나노구조 어레이와 상기 수직 나노구조 어레이 이외의 상기 기판 상부에 형성된 금속층을 포함하여 이루어질 것이다.
도 6에서 확인할 수 있는 바와 같이 수직 나노구조를 이용하여 제조된 광학기기의 다양한 패턴을 사용하는 것이 가능할 것이나, 이는 일 예에 해당하는 것으로 이에 한정된 것은 아니다.
본 발명을 첨부된 도면과 함께 설명하였으나, 이는 본 발명의 요지를 포함하는 다양한 실시 형태 중의 하나의 실시 예에 불과하며, 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 하는 데에 그 목적이 있는 것으로, 본 발명은 상기 설명된 실시 예에만 국한되는 것이 아님은 명확하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 하기의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서의 변경, 치환, 대체 등에 의해 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함될 것이다. 또한, 도면의 일부 구성은 구성을 보다 명확하게 설명하기 위한 것으로 실제보다 과장되거나 축소되어 제공된 것임을 명확히 한다.
100: 기판 110: 기판 상부
200: 촉매 금속이 증착된 패턴 300: 수직 나노구조
400: 광학 기기
200: 촉매 금속이 증착된 패턴 300: 수직 나노구조
400: 광학 기기
Claims (17)
- 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기를 제조하는 방법에 있어서,
기판(100)을 준비하는 제 1 단계;
상기 기판(100) 상에 원하는 수직 나노구조(300)를 패터닝 하는 제 2 단계;
상기 패터닝된 기판 상부(110)에 촉매 금속을 최종적으로 완성하고자 하는 수직 나노구조(300)의 역상 패턴으로 증착하는 제 3 단계; 및
금속 촉매 식각 방법을 이용하여 상기 촉매 금속이 증착된 기판(100)에 수직 나노구조(300)를 제작하는 제 4 단계
를 포함하며,
상기 기판(100) 상에 원하는 수직 나노구조(300)를 패터닝 하는 제 2 단계에 선행하여 렌즈에 적용될 입사광의 파장과 위상의 변화를 기초로하여 서브웨이브렝스그래이팅(Subwavelength grating)을 구현하기 위한 패턴의 폭, 간격, 높이를 전산모사를 통해 산출해내는 단계를 포함하고,
상기 제 3 단계에서,
상기 촉매 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 납(Pb) 중 어느 하나, 둘 이상의 조합을 포함하며,
상기 제 4 단계에서,
식각용액은 불산(HF)과 과산화수소(H2O2)의 혼합 비율, 불산(HF)과 과산화수소(H2O2)의 혼합 농도, 반응 온도, 식각 시간 중 어느 하나 이상을 변화시켜, 상기 수직 나노구조(300)의 높이 및 배향을 조절하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 단계에서
상기 기판(100)은 단결정 반도체 기판(100), III-V 화합물 반도체 기판(100), SOI(silicon on insulator) 기판(100), 금속 기판(100), 유리 기판(100), 고분자 기판(100) 중 적어도 어느 하나인 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기 제조 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 단계와 제 2 단계 사이에,
황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2) 혼합 용액, 불산(HF) 희석 용액 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하여 상기 기판(100)의 불순물을 제거하는 세정 단계가 더 포함되는 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 광학 기기 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 렌즈를 제조하는 방법에 있어서,
상기 제 2 단계에서,
상기 수직 나노구조(300)가 비주기적인 패턴을 갖도록 리소그라피(Lithography) 방법을 이용하여 패터닝 하는 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 렌즈 제조 방법. - 청구항 6에 있어서,
상기 제 4 단계 이후에,
상기 기판(100)에 잔존하는 촉매 금속을 제거하는 단계를 포함하는 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 렌즈 제조 방법. - 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 필터를 제조하는 방법에 있어서,
상기 제 2 단계에서,
상기 수직 나노구조(300)가 주기적인 패턴을 갖도록 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template) 방법을 이용하여 패터닝 하는 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 필터 제조 방법. - 청구항 8에 있어서,
상기 셀프 어셈블리 템플릿 방법은
AAO(Anodic Aluminum Oxide) 템플릿, Block Copolmyer 템플릿 중 적어도 어느 하나 이상 포함하는 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 필터 제조 방법. - 청구항 8에 있어서,
상기 제 4 단계 이후에,
상기 기판(100)에 잔존하는 촉매 금속을 제거하는 단계를 포함하는 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 필터 제조 방법. - 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 방법으로 거울을 제조하는 방법에 있어서,
상기 제 2 단계에서,
상기 수직 나노구조(300)가 비주기적 패턴, 주기적인 패턴 중 어느 하나 이상의 패턴을 갖도록 리소그라피(Lithography) 방법, 셀프 어셈블리 템플릿 (Self-assembly template) 방법 중 적어도 어느 하나 이상 이용하여 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 거울 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 셀프 어셈블리 템플릿 방법은
AAO(Anodic Aluminum Oxide) 템플릿, Block Copolmyer 템플릿 중 어느 하나 이상 포함하는 것
을 특징으로 하는 수직 나노구조를 포함하는 거울 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130015754A KR101438797B1 (ko) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 금속 촉매 식각 방법을 이용한 수직 나노구조를 포함하는 광학기기 및 그 제조 방법. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130015754A KR101438797B1 (ko) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 금속 촉매 식각 방법을 이용한 수직 나노구조를 포함하는 광학기기 및 그 제조 방법. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140102451A KR20140102451A (ko) | 2014-08-22 |
| KR101438797B1 true KR101438797B1 (ko) | 2014-09-16 |
Family
ID=51747248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130015754A KR101438797B1 (ko) | 2013-02-14 | 2013-02-14 | 금속 촉매 식각 방법을 이용한 수직 나노구조를 포함하는 광학기기 및 그 제조 방법. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101438797B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3442032B2 (ja) | 1999-06-11 | 2003-09-02 | 鉄真 李 | カーボンナノチューブの合成方法 |
| KR100447167B1 (ko) | 2001-07-06 | 2004-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 탄소나노튜브의 수직합성 방법 |
| KR100741762B1 (ko) | 2006-03-28 | 2007-07-24 | 한국에너지기술연구원 | 그라파이트 박판 위에 탄소나노튜브를 합성하는 방법 |
-
2013
- 2013-02-14 KR KR1020130015754A patent/KR101438797B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3442032B2 (ja) | 1999-06-11 | 2003-09-02 | 鉄真 李 | カーボンナノチューブの合成方法 |
| KR100447167B1 (ko) | 2001-07-06 | 2004-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 탄소나노튜브의 수직합성 방법 |
| KR100741762B1 (ko) | 2006-03-28 | 2007-07-24 | 한국에너지기술연구원 | 그라파이트 박판 위에 탄소나노튜브를 합성하는 방법 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Zhipeng Huang et al., "Extended Arrays of Vertically Aligned Sub-10 nm Diameter [100] Si Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching," Nano Letters, 2008, Vol. 8, No. 9, pp 3046-3051 * |
| Zhipeng Huang et al., "Extended Arrays of Vertically Aligned Sub-10 nm Diameter [100] Si Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching," Nano Letters, 2008, Vol. 8, No. 9, pp 3046-3051* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140102451A (ko) | 2014-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4368384B2 (ja) | 反射防止材、光学素子、および表示装置ならびにスタンパの製造方法およびスタンパを用いた反射防止材の製造方法 | |
| US10483415B2 (en) | Methods to introduce sub-micrometer, symmetry-breaking surface corrugation to silicon substrates to increase light trapping | |
| US20120206805A1 (en) | Nanowire grid polarizers and methods for fabricating the same | |
| WO2003102633A2 (en) | Spectral filter for green and shorter wavelengths and method of manufacturing same | |
| EP1552328A2 (en) | Spectral filter for green and longer wavelengths | |
| JP2006003447A (ja) | 偏光分離素子及びその製造方法 | |
| JP2007148344A (ja) | 偏光素子及びその製造方法 | |
| JP4637071B2 (ja) | ３次元フォトニック結晶及びそれを用いた機能素子 | |
| CN110347014A (zh) | 一种制备高纵宽比二氧化钛的垂直刻蚀工艺 | |
| US8617799B2 (en) | Post arrays and methods of making the same | |
| JP2012027221A (ja) | ワイヤーグリッド偏光子 | |
| Ye et al. | Plasma-induced, self-masking, one-step approach to an ultrabroadband antireflective and superhydrophilic subwavelength nanostructured fused silica surface | |
| JP2007193249A (ja) | 成形部品の製造方法 | |
| US8155492B2 (en) | Photonic crystal and method of fabrication | |
| KR20100097369A (ko) | 금속 박막의 열적 응집현상을 이용한 기판의 반사방지표면 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된 기판 | |
| KR101438797B1 (ko) | 금속 촉매 식각 방법을 이용한 수직 나노구조를 포함하는 광학기기 및 그 제조 방법. | |
| JP2012103469A (ja) | 光学素子および投射型液晶表示装置 | |
| KR101078812B1 (ko) | 비구면 형태의 실리콘 몰드, 마이크로 렌즈 어레이 및 상기 실리콘 몰드와 마이크로 렌즈 어레이를 제조하는 방법 | |
| KR100941302B1 (ko) | 광결정 광학 소자의 제조 방법 | |
| Yoo et al. | Antireflective silicon nanostructures | |
| KR101399460B1 (ko) | 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법 | |
| KR20230034404A (ko) | 나노구조 광학 디바이스들의 에어-갭 캡슐화 | |
| JP4190448B2 (ja) | ナノデバイスの作製方法 | |
| CN117855298A (zh) | 基于亚波长人工微结构的背入射高速光电探测器 | |
| Ohira et al. | InP 2D nano-structures fabricated by two-time laser holography |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170825 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |