KR101438687B1 - Organic electroluminescent device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광 소자에 관한 것으로서, 특히 유기물질로 이루어진 유기전계발광 다이오드의 발광층 또는 박막 트랜지스터의 활성층 등이 자외선(UV)에 노출되는 것이 방지된 유기전계발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 다수의 화소가 정의된 제 1 기판; 상기 제 1 기판의 화소마다 적어도 하나씩 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 제 1 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 제 2 전극; 및 외부로부터의 광 중에 자외선을 반사시켜 발광층이 자외선에 노출되는 것을 차단하는 광결정층; 에 의해 달성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device in which an emission layer of an organic electroluminescent diode made of an organic material or an active layer of a thin film transistor is prevented from being exposed to ultraviolet rays. The present invention comprises a first substrate on which a plurality of pixels are defined; A thin film transistor formed at least one pixel for each pixel of the first substrate; A first electrode formed on the first substrate to be connected to the thin film transistor; A light emitting layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the light emitting layer; And a photonic crystal layer which reflects ultraviolet light from outside and blocks exposure of the light emitting layer to ultraviolet rays; Lt; / RTI >

유기전계발광 소자, 발광층, 자외선 An organic electroluminescent device, a light emitting layer, ultraviolet

Description

유기전계발광 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent device,

본 발명은 유기전계발광 소자에 관한 것으로서, 유기전계발광 다이오드의 발광층과 유기박막 트랜지스터의 활성층이 자외선에 노출되는 것이 방지되어 사용수명이 길어진 유기전계발광 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device in which an emission layer of an organic electroluminescent diode and an active layer of an organic thin film transistor are prevented from being exposed to ultraviolet rays,

오늘날과 같은 정보화 사회에 있어서 전자표시 소자의 역할은 매우 중요해지고 있으며, 다양한 전자표시 소자가 산업 분야 및 생활에 있어서 널리 이용되고 있다.In today's information society, the role of electronic display devices is becoming very important, and various electronic display devices are widely used in industry and in daily life.

이러한 전자표시 소자는 주로 텔레비젼이나 컴퓨터 모니터 등으로 사용되고 있으며, 가장 오랜 역사를 갖는 전자표시 소자인 음극선관(CRT) 표시장치는 높은 시장 점유율을 차지하고 있으나, 무거운 중량, 큰 부피 및 높은 소비 전력 등과 같은 단점을 많이 가지고 있다.Such an electronic display device is mainly used in a television or a computer monitor, and a cathode ray tube (CRT) display device having the longest history of electronic display devices occupies a high market share. However, it has a large weight, a large volume and a high power consumption It has a lot of disadvantages.

따라서, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 의하여 새로운 전자표시 소자로서 유기전계발광 소자, 액정표시 소자 등과 같은 평판표시 소자가 개발되었으며, 이와 같이 다양한 평판표시 소자는 경량, 박형 등과 같은 장점이 있어 소비자들의 많은 관심을 끌고 있다.Therefore, in recent years, due to the rapid development of semiconductor technology, flat panel display devices such as organic electroluminescent devices and liquid crystal display devices have been developed as new electronic display devices. Such various flat panel display devices have merits such as light weight and thinness, It attracts a lot of attention.

최근에는 상기에 언급한 바와 같은 경량, 박형 등과 같은 장점에 더하여, 백라이트가 필요하지 않은 장점으로 인해 소비전력 측면에서 유리한 유기전계발광 소자에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.In recent years, in addition to the advantages such as lightness and thinness as mentioned above, research on an organic electroluminescent device which is advantageous from the viewpoint of power consumption due to the advantage that a backlight is not required is actively studied.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래의 일반적인 유기전계발광 소자에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional organic electroluminescent device will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1에는 종래의 일반적인 유기전계발광 소자의 일 예를 개략적으로 도시하였다.FIG. 1 schematically shows an example of a conventional organic electroluminescent device.

도 1에 도시한 바와 같이 종래의 일반적인 유기전계발광 소자는, 다수의 화소가 정의되고 각 화소에 박막 트랜지스터(3)가 형성된 제 1 기판(1)과, 상기 제 1 기판(1)과 대향하도록 배치된 제 2 기판(2)이 구비된다.As shown in FIG. 1, a conventional organic electroluminescent device includes a first substrate 1 on which a plurality of pixels are defined and a thin film transistor 3 is formed on each pixel, and a second substrate 1 facing the first substrate 1 And a second substrate 2 disposed thereon.

상기 제 1 기판(1)의 각 화소에는 상기 박막 트랜지스터(3)와 연결된 제 1 전극(4a)과, 상기 제 1 전극(4a) 상에 형성된 발광층(4d), 상기 발광층(4d) 상에 형성된 제 2 전극(4f)으로 구성된 유기전계발광 다이오드(4)가 마련된다. 여기서, 상기 제 1 전극(4a)은 각 화소에 개별적으로 형성되되 투명한 도전성 물질인 ITO(indium tin oxide)으로 형성되며, 제 2 전극(4f)은 모든 화소에 공통전극으로 형성되되 불투명한 금속으로 형성된다.Each pixel of the first substrate 1 is provided with a first electrode 4a connected to the thin film transistor 3, a light emitting layer 4d formed on the first electrode 4a, a light emitting layer 4d formed on the light emitting layer 4d, And the organic electroluminescent diode 4 composed of the second electrode 4f is provided. Here, the first electrode 4a is formed of indium tin oxide (ITO), which is a transparent conductive material, and the second electrode 4f is formed as a common electrode for all the pixels and is formed of an opaque metal .

그리고, 상기 제 1 전극(4a)과 발광층(EML; emission layer)(4d)의 사이에는 정공주입층(HIL; hole injection layer)(4b), 정공수송층(HTL; hole transporting layer)(4c)이 형성되고 발광층(4d)과 제 2 전극(4f)의 사이에는 전자수송층(ETL; electron transporting layer)(4e)이 형성된다.A hole injection layer (HIL) 4b and a hole transporting layer (HTL) 4c are formed between the first electrode 4a and the emission layer (EML) 4d. And an electron transporting layer (ETL) 4e is formed between the light emitting layer 4d and the second electrode 4f.

이와 같은 구조를 가지는 종래의 일반적인 유기전계발광 소자는 투명한 제 1 전극(4a)과 불투명한 제 2 전극(4f)에 의하여 하부발광(bottom emission) 방식을 이루게 된다.A conventional organic electroluminescent device having such a structure has bottom emission by a transparent first electrode 4a and an opaque second electrode 4f.

하지만, 상기와 같은 하부발광 방식의 유기전계발광 소자는 개구율의 제한이 있어, 최근의 전자표시 소자의 고해상도의 추세에 맞지 않는 문제점이 있다.However, the organic light emitting device of the lower emission type as described above has a limitation of the aperture ratio, which is incompatible with the trend of high resolution of recent electronic display devices.

따라서, 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 도 2에 도시한 바와 같은 상부발광(top emission) 방식의 유기전계발광 소자가 제안되었다.Therefore, in order to solve the above problems, a top emission type organic electroluminescent device as shown in FIG. 2 has been proposed.

도 2는 종래의 일반적인 유기전계발광 소자, 즉 상부발광 방식의 유기전계발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a conventional organic electroluminescent device, that is, an organic electroluminescent device of a top emission type.

도 2에 도시한 바와 같은 상부발광 방식의 유기전계발광 소자는 상술한 하부발광 방식의 유기전계발광 소자와 비교하면 유기전계발광 다이오드(14)의 발광층(14d)에서 생성된 빛이 외부로 방출되는 방향이 상부인 점에서 그 차이가 있으며, 제 1 전극(14a)은 불투명한 금속으로 형성되고 제 2 전극(14f)은 투명한 도전성 물질로 형성된다.The organic electroluminescent device of the top emission type as shown in FIG. 2 is different from the above-described organic electroluminescent device of the bottom emission type in that light generated in the emission layer 14d of the organic electroluminescent diode 14 is emitted to the outside The first electrode 14a is formed of an opaque metal and the second electrode 14f is formed of a transparent conductive material.

즉, 상기 제 1 전극(14a)은 발광층(14d)에서 생성된 빛을 반사하는 역할을 수행해야하므로 불투명한 금속으로 형성되고 제 2 전극(14f)은 발광층(14d)에서 생성된 빛을 투과하는 역할을 수행해야하므로 투명한 도정성 물질로 형성된다.That is, the first electrode 14a is formed of an opaque metal to reflect the light generated in the light emitting layer 14d, and the second electrode 14f is formed of a material that transmits light generated in the light emitting layer 14d So that it is formed of transparent opaque material.

그리고, 필요에 따라 제 1 전극(14a)의 하부에 반사층(17)이 추가로 더 형성되어, 발광층(14d)으로부터 생성된 빛이 상부 방향으로 용이하게 안내되도록 한다.A reflective layer 17 is further formed under the first electrode 14a as necessary so that light generated from the light emitting layer 14d can be easily guided upward.

상술한 바와 같은 하부발광 및 상부발광 방식의 유기전계발광 소자는 경량, 박형 등의 장점에 더불어 백라이트가 필요하지 않아 소비전력 측면에서 유리한 장점이 있지만, 유기전계발광 다이오드(14)를 이루는 발광층(14d)이 자외선(UV)에 노출되어 전계 특성이 저하됨으로 인해 액정표시 소자 등 다른 종류의 평판표시 소자보다 수명이 짧다는 단점이 있다.The organic light emitting device of the lower emission type and the upper emission type as described above is advantageous in terms of power consumption because it does not require a backlight in addition to being advantageous in that it is light in weight and thin. However, the organic light emitting diode 14d ) Is exposed to ultraviolet rays (UV) to deteriorate the electric field characteristics, resulting in a short life span of other types of flat panel display devices such as liquid crystal display devices.

최근에는 제 1 기판(1, 11)의 각 화소에 형성된 박막 트랜지스터(3, 13) 또한 유기물질을 이용하여 형성함으로써 유연성이 더욱 부여된 유기전계발광 소자에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있는데, 이와 같이 유기전계발광 소자에 구비된 유기전계발광 다이오드(4, 14)의 발광층(4d, 14d)뿐만 아니라 박막 트랜지스터(3, 13)의 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 물질로 형성되면, 유기전계발광 다이오드(4, 14)의 발광층(4d, 14d)과 박막 트랜지스터(3, 13)의 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 자외선(UV)에 노출된 경우에 유기전계발광 다이오드(4, 14) 및 박막 트랜지스터(3, 13)의 특성이 저하됨으로 인하여 수명이 더욱 단축되게 되는 문제점이 있다.In recent years, studies have been actively made on an organic electroluminescent device in which flexibility is further increased by forming thin film transistors 3 and 13 formed on each pixel of the first substrate 1 and 11 using an organic material. If the active layer or the gate electrode, the source electrode and the drain electrode of the thin film transistors 3 and 13 as well as the light emitting layers 4d and 14d of the organic electroluminescent diodes 4 and 14 provided in the organic electroluminescent device are formed of an organic material, When the light emitting layers 4d and 14d of the organic electroluminescent diodes 4 and 14 and the active layer, the gate electrode, the source electrode and the drain electrode of the thin film transistors 3 and 13 are exposed to ultraviolet rays UV, 4, and 14 and the thin film transistors 3 and 13 are degraded, the lifetime is further shortened.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 유기전계발광 다이오드의 발광층이 자외선에 노출되지 않으므로 인하여 긴 수명이 확보된 유기전계발광 소자를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device having a long lifetime because the light emitting layer of the organic electroluminescent diode is not exposed to ultraviolet rays.

그리고, 본 발명의 목적은 제 1 기판의 각 화소에 형성된 박막 트랜지스터의 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 등이 유기 물질로 형성된 유기 박막 트랜지스터인 경우에 상기 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 등이 자외선에 노출되지 않으므로 인하여 긴 수명이 확보된 유기전계발광 소자를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an organic thin film transistor in which an active layer or a gate electrode, a source electrode and a drain electrode of a thin film transistor formed in each pixel of a first substrate is an organic thin film transistor formed of an organic material, And an electrode or the like is not exposed to ultraviolet rays, thereby providing an organic electroluminescent device with a long lifetime.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자는, 다수의 화소가 정의된 제 1 기판; 상기 제 1 기판의 화소마다 적어도 하나씩 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 제 1 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 제 2 전극; 및 외부로부터의 광 중에 자외선을 반사시켜 발광층이 자외선에 노출되는 것을 차단하는 광결정층; 을 포함하여 구성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device including a first substrate having a plurality of pixels defined therein; A thin film transistor formed at least one pixel for each pixel of the first substrate; A first electrode formed on the first substrate to be connected to the thin film transistor; A light emitting layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the light emitting layer; And a photonic crystal layer which reflects ultraviolet light from outside and blocks exposure of the light emitting layer to ultraviolet rays; .

상기와 같은 구성을 가지는 유기전계발광 소자는 자외선을 차단하도록 설정된 광결정층에 의해 자외선(UV)이 차단됨으로써 유기전계발광 다이오드의 발광층이 자외선에 노출되지 않으므로, 유기전계발광 다이오드의 전계 특성이 저하되는 속도가 최소화되는 효과가 있다.In the organic electroluminescent device having the above-described structure, ultraviolet rays are blocked by a photonic crystal layer configured to block ultraviolet rays, so that the light emitting layer of the organic electroluminescent diode is not exposed to ultraviolet rays, There is an effect that speed is minimized.

이에 따라, 유기전계발광 다이오드의 수명이 연장되어 유기전계발광 소자의 수명에 대한 신뢰성을 제공할 수 있는 장점이 있다.Accordingly, the lifetime of the organic electroluminescent diode is prolonged to provide reliability for the lifetime of the organic electroluminescent device.

그리고, 상기와 같은 구성을 가지는 유기전계발광 소자는 제 1 기판의 각 화소에 구비된 박막 트랜지스터, 즉 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터가 유기 박막 트랜지스터인 경우에 유기 박막 트랜지스터의 활성층이 자외선에 노출되지 않으므로, 긴 수명이 확보되는 효과가 있다. 특히, 유기 박막 트랜지스터의 활성층뿐만 아니라 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극이 유기 물질로 이루어진 경우에 광결정층에 의해서 활성층뿐만 아니라 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 자외선(UV)으로부터 보호할 수 있으므로, 광결정층은 더욱 큰 효과를 발하게 된다.In the organic electroluminescent device having the above-described structure, when the thin film transistor provided in each pixel of the first substrate, that is, the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are organic thin film transistors, the active layer of the organic thin film transistor is not exposed to ultraviolet rays Therefore, there is an effect that a long life is secured. In particular, when the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode as well as the active layer of the organic thin film transistor are made of an organic material, the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode as well as the active layer can be protected from ultraviolet rays by the photonic crystal layer, The photonic crystal layer is more effective.

이에 따라, 유기 박막 트랜지스터의 수명이 연장되어 유기전계발광 소자의 수명에 대한 신뢰성을 제공할 수 있는 장점이 있다.Accordingly, the lifetime of the organic thin film transistor is prolonged and reliability of the lifetime of the organic electroluminescent device can be provided.

그리고, 상기와 같은 구성을 가지는 유기전계발광 소자에 구비된 광결정층은 패턴을 이루지 않고 제 2 전극 상의 전체에 균일한 두께를 가지도록 형성되므로 그 형성이 용이한 장점이 있다.In addition, since the photonic crystal layer included in the organic electroluminescent device having the above-described structure is formed to have a uniform thickness over the entire surface of the second electrode without forming a pattern, it is easy to form the photonic crystal layer.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic electroluminescent device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자의 화소 구조를 도시하였으며, 도 4에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자의 단면 모습을 간략하게 도시하였고, 도 5에는 도 3의 구동 박막 트랜지스터와 유기전계발광 다이오드의 단면의 모습을 상세하게 도시하였다.FIG. 3 illustrates a pixel structure of an organic electroluminescent device according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows a cross-sectional view of a driving TFT and an organic light emitting diode in detail.

도 3과 도 4에 도시한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자는, 다수의 화소가 정의된 제 1 기판(101); 상기 제 1 기판(101)의 화소마다 적어도 하나씩 형성된 박막 트랜지스터(103); 상기 박막 트랜지스터(103)와 연결되도록 제 1 기판(101) 상에 형성된 제 1 전극(104a); 상기 제 1 전극(104a) 상에 형성된 발광층(104d); 상기 발광층(104d) 상에 형성된 제 2 전극(104f); 및 외부로부터의 광 중에 자외선(UV)을 반사시켜 발광층(104d)이 자외선(UV)에 노출되는 것을 차단하는 광결정층(105); 을 포함하여 구성된다.3 and 4, an organic electroluminescent device according to a preferred embodiment of the present invention includes a first substrate 101 on which a plurality of pixels are defined; A thin film transistor (103) formed at least one pixel for each pixel of the first substrate (101); A first electrode 104a formed on the first substrate 101 to be connected to the thin film transistor 103; A light emitting layer 104d formed on the first electrode 104a; A second electrode 104f formed on the light emitting layer 104d; And a photonic crystal layer 105 for reflecting ultraviolet rays (UV) out of light from the outside and blocking exposure of the light emitting layer 104d to ultraviolet rays (UV); .

이와 같은 구성을 가지는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자의 각 구성요소에 대하여 설명하면 다음과 같다.The constituent elements of the organic electroluminescent device according to the preferred embodiment of the present invention having such a structure will now be described.

도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자는 다수의 화소가 정의된 제 1 기판(101)과, 상기 제 1 기판(101)과 대향하는 제 2 기판(102)이 구비된다.4, an organic electroluminescent device according to a preferred embodiment of the present invention includes a first substrate 101 having a plurality of pixels defined therein, a second substrate 102 facing the first substrate 101, Respectively.

도 3을 참조하면, 상기 제 1 기판(101) 상에는 게이트 라인(GL1, GL2, GL3,...)과 데이터 라인(DL1, DL2, DL3,...)이 종횡으로 교차하도록 형성되어 다수의 화소가 정의된다.Referring to FIG. 3, gate lines GL1, GL2, GL3, ... and data lines DL1, DL2, DL3, ... are formed on the first substrate 101 so as to cross vertically and horizontally, Pixels are defined.

편의상 도 4에는 상기 제 1 기판(101)의 각 화소에 박막 트랜지스터(103)를 하나씩만 도시하였지만, 도 3에는 상기 제 1 기판(101)의 각 화소에 있어서 게이트 라인(GL1, GL2, GL3,...)과 데이터 라인(DL1, DL2, DL3,...)이 교차하는 영역에 스위칭 박막 트랜지스터(103a)를 도시하였고 또한 상기 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(103b)를 도시하였으며 이로써 각 화소에는 두 개의 박막 트랜지스터(103a, 103b)가 마련됨을 알 수 있다.4 shows only one thin film transistor 103 for each pixel of the first substrate 101. In FIG. 3, the gate lines GL1, GL2, GL3, ... and the data lines DL1, DL2, DL3, ... and the driving thin film transistor 103b connected to the switching thin film transistor 103a Thus, it can be seen that two thin film transistors 103a and 103b are provided in each pixel.

그리고, 상기 제 1 기판(101)에는 전원라인(VDD)이 상기 데이터 라인(DL1, DL2, DL3,...)과 나란한 방향으로 형성된다.A power supply line V DD is formed on the first substrate 101 in a direction parallel to the data lines DL 1, DL 2, DL 3,.

도 3을 참조하면, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(103a)는 게이트 전극과, 활성층과, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성된다. 이와 같은 스위칭 박막 트랜지스터(103a)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL1, GL2, GL3,...)과 연결되고 소스 전극은 데이터 라인(DL1, DL2, DL3,...)과 연결된다.Referring to FIG. 3, the switching thin film transistor 103a includes a gate electrode, an active layer, and a source electrode and a drain electrode. The gate electrode of the switching thin film transistor 103a is connected to the gate lines GL1, GL2, GL3, ... and the source electrode thereof is connected to the data lines DL1, DL2, DL3,.

그리고, 도 3과 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 구동 박막 트랜지스터(103b)는 게이트 전극(103a1)과, 상기 게이트 전극(103a1) 상에 형성된 게이트 절연막(103b2)과, 상기 게이트 절연막(103b2) 상에 형성된 활성층(103b3)과, 상기 활성층(103b3) 상에 형성된 소스 전극(103b4) 및 드레인 전극(103b5)과, 상기 소스 전극(103b4) 및 드레인 전극(103b5) 상에 형성된 보호막(103b6)을 포함하여 구성되며, 상기 보호막(103b6) 상에는 드레인 전극(103b5)의 일부 영역을 노출하는 콘택홀(106)이 형성된다. 이와 같은 구동 박막 트랜지스터(103b)의 게이트 전극(103b1)은 스위칭 박막 트랜지스터(103a)의 드레인 전극과 연결되고 소스 전극(103b4)은 전원라인(VDD)과 연결되고 드레인 전극(103b5)은 제 1 전극(104a)과 연결된다.3 and 5, the driving thin film transistor 103b includes a gate electrode 103a1, a gate insulating film 103b2 formed on the gate electrode 103a1, a gate insulating film 103b2, A source electrode 103b4 and a drain electrode 103b5 formed on the active layer 103b3 and a protective film 103b6 formed on the source electrode 103b4 and the drain electrode 103b5, And a contact hole 106 exposing a part of the drain electrode 103b5 is formed on the protective film 103b6. The gate electrode 103b1 of the driving thin film transistor 103b is connected to the drain electrode of the switching thin film transistor 103a and the source electrode 103b4 is connected to the power source line V DD and the drain electrode 103b5 is connected to the first And is connected to the electrode 104a.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)는, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나가 유기 물질로 형성됨으로써 유연성이 더욱 부여될 수 있는데, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자를 설명함에 있어서는 활성층만이 유기 물질로 형성된 경우를 그 예로 한다.The switching thin film transistor 103a and the driving thin film transistor 103b having the above-described structure may be more flexible because at least one of the active layer, the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode is formed of an organic material, In the description of the organic electroluminescent device according to the preferred embodiment of the present invention, only the active layer is formed of an organic material.

도 5를 참조하면, 상기 제 1 전극(104a)은 보호막(103b6) 상에 형성되며 콘택홀(106)을 통해 구동 박막 트랜지스터(103b)의 드레인 전극(106b5)과 연결된다.Referring to FIG. 5, the first electrode 104a is formed on the passivation layer 103b6 and is connected to the drain electrode 106b5 of the driving TFT 103b through the contact hole 106. Referring to FIG.

도 4를 참조하면, 상기 제 1 전극(104a)은 투명한 도전성 물질 또는 불투명한 금속으로 형성되는데, 특히 제 1 전극(104a)이 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 도전성 물질로 형성된 경우에는 제 1 전극(104a)이 형성된 층의 하부에 반사층(107)이 추가로 형성됨으로써 발광층(104d)에서 생성된 빛이 상부 방향으로 안내되어 상부 발광(top emission) 방식을 이룰 수 있을 것이다.4, when the first electrode 104a is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), the first electrode 104a is formed of a transparent conductive material or an opaque metal. The reflective layer 107 is further formed under the layer on which the electrode 104a is formed so that the light generated in the light emitting layer 104d is guided upward to achieve top emission.

그리고, 상기 제 1 전극(104a)의 상부에는 유기물질로 형성된 발광층(104d)이 형성되고, 상기 발광층(104d) 상에는 제 2 전극(104f)이 형성되며, 이로써 제 1 전극(104a), 발광층(104d) 및 제 2 전극(104f)은 유기전계발광 다이오드(104)를 이루게 된다.A light emitting layer 104d made of an organic material is formed on the first electrode 104a and a second electrode 104f is formed on the light emitting layer 104d so that the first electrode 104a, 104d and the second electrode 104f form an organic light emitting diode 104. [

도 4를 참조하면, 상기 제 2 전극(104f)은 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명한 도전성 물질로 형성되며, 이로써 발광층(104d)에서 생성된 빛이 그 특성의 변 환 없이 제 2 전극(104f)을 투과하므로 상부 발광(top emission) 방식을 이룰 수 있게 된다.Referring to FIG. 4, the second electrode 104f is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), so that light generated in the light emitting layer 104d is incident on the second electrode 104f The top emission method can be achieved.

그리고, 상기 제 1 전극(104a)과 발광층(EML; emission layer)(104d)의 사이에는 정공주입층(HIL; hole injection layer)(104b), 정공수송층(HTL; hole transporting layer)(104c)이 형성되고 발광층(104d)과 제 2 전극(104f)의 사이에는 전자수송층(ETL; electron transporting layer)(104e)이 형성되는데, 이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자의 설명에 있어서 편의상 정공주입층(104b), 정공수송층(104c), 전자수송층(104e)은 제외하고 설명하도록 한다.A hole injection layer (HIL) 104b and a hole transporting layer (HTL) 104c are formed between the first electrode 104a and the emission layer (EML) 104d. And an electron transporting layer (ETL) 104e is formed between the light emitting layer 104d and the second electrode 104f. Hereinafter, in the description of the organic electroluminescent device according to the preferred embodiment of the present invention, The hole injecting layer 104b, the hole transporting layer 104c, and the electron transporting layer 104e are omitted.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자를 설명함에 있어서, 유기전계발광 다이오드(104)의 제 2 전극(104f)은 투명한 도전성 물질로 형성되고 제 1 전극(104a)이 형성된 층의 하부에는 반사층(107)이 형성됨으로써 발광층(104d)에서 생성된 빛이 상부 방향으로 안내되어 제 2 기판(102)을 통해 상부로 방출되는 상부 발광 방식을 이루는 것을 그 예로 하였지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 유기전계발광 다이오드(104)의 제 2 전극(104f)은 불투명한 금속으로 형성되고 제 1 전극(104a)이 투명한 도전성 물질로 형성됨으로써 발광층(104d)에서 생성된 빛이 하부 방향으로 안내되어 제 1 기판(101)을 통해 하부로 방출되는 하부 발광 방식을 이룰 수 있다.In the description of the organic electroluminescent device according to the preferred embodiment of the present invention, the second electrode 104f of the organic electroluminescent diode 104 is formed of a transparent conductive material, and the first electrode 104a The light emitted from the light emitting layer 104d is guided upward and is emitted upward through the second substrate 102 by forming the reflective layer 107. However, the present invention is not limited thereto The second electrode 104f of the organic light emitting diode 104 is formed of an opaque metal and the first electrode 104a is formed of a transparent conductive material so that the light generated in the light emitting layer 104d is guided downward And a lower light emitting method of emitting light to the lower side through the first substrate 101 can be achieved.

도 4를 참조하면, 상기 제 2 전극(104f) 상에는 가시광선은 투과하고 자외선(UV)은 차단하는 광결정층(105)이 형성된다.Referring to FIG. 4, a photonic crystal layer 105 is formed on the second electrode 104f to transmit visible light and shield ultraviolet (UV) light.

상기 광결정층(105)은 도 4에 도시된 바와 같이 제 2 전극(104f)의 상면에 형성되되, 제 1 기판(101) 상에 형성된 다수의 화소 모두와 오버랩될 수 있도록 형성된다.The photonic crystal layer 105 is formed on the upper surface of the second electrode 104f as shown in FIG. 4. The photonic crystal layer 105 is formed to overlap with all of the plurality of pixels formed on the first substrate 101.

도 4 및 상기의 설명에는 상기 광결정층(105)이 제 2 전극(104f)의 상면에 형성된 것을 그 예로 하였지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 광결정층(105)은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 제 2 기판(102)의 상면에 형성되는 등 외부로부터 제 2 기판(102)을 통해 제 1 기판(101)과 제 2 기판(102) 사이의 공간으로 유입되는 광 중에서 자외선(UV)이 유기전계발광 다이오드(104)의 발광층(104d)에 도달하지 못하도록 차단할 수 있는 위치이되 제 2 전극(104f)보다 상부의 위치라면 어느 곳이든 가능할 것이다.Although the photonic crystal layer 105 is formed on the upper surface of the second electrode 104f in FIG. 4 and the above description, the present invention is not limited thereto. The photonic crystal layer 105 may be formed on the upper surface of the second electrode 104f, (Ultraviolet (UV) light) incident from the outside into the space between the first substrate 101 and the second substrate 102 through the second substrate 102 from the outside, which is formed on the upper surface of the second substrate 102, May be blocked from reaching the light emitting layer 104d of the organic light emitting diode 104 and may be located anywhere above the second electrode 104f.

물론, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(103a)은 구동 박막 트랜지스터(103b)는 활성층이 유기물질로 형성된 유기 박막 트랜지스터일 수 있는데, 이 경우 상기 광결정층(105)의 위치를 정함에 있어서 유기전계발광 다이오드(104)의 발광층(104d)의 위치뿐만 아니라 스위칭 박막 트랜지스터(103a)의 활성층과 구동 박막 트랜지스터(103b)의 활성층(103b3)의 위치 또한 고려되어야 할 것이다.Of course, the switching thin film transistor 103a may be an organic thin film transistor in which the active layer is formed of an organic material. In this case, in determining the position of the photonic crystal layer 105, the organic thin film transistor 103b The positions of the active layer of the switching thin film transistor 103a and the active layer 103b3 of the driving thin film transistor 103b should be considered as well as the position of the light emitting layer 104d of the driving thin film transistor 103b.

나아가, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)는 활성층뿐만 아니라 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 물질로 형성된 유기 박막 트랜지스터일 수 있는데, 이 경우 상기 광결정층(105)의 위치를 정함에 있어서 유기전계발광 다이오드(104)의 발광층(104d)의 위치뿐만 아니라 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)의 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극의 위치 또한 고려되어야 할 것이다.In addition, the switching thin film transistor 103a and the driving thin film transistor 103b may be organic thin film transistors in which not only the active layer but also the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are formed of an organic material. In this case, The position of the active layer, the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of the switching thin film transistor 103a and the driving thin film transistor 103b as well as the position of the light emitting layer 104d of the organic light emitting diode 104 should be considered will be.

즉, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)의 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 물질로 형성된 유기 박막 트랜지스터인 경우에는, 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)에 있어서 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중에 유기 물질로 형성된 구성 요소가 자외선(UV)에 노출되지 않도록 하기 위하여 광결정층(105)은 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)의 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중에 적어도 유기 물질로 형성된 구성 요소보다 상부의 위치에 형성되어야 한다.That is, when the active layer or gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of the switching thin film transistor 103a and the driving thin film transistor 103b are organic thin film transistors formed of an organic material, the switching thin film transistor 103a and the driving thin film transistor The photonic crystal layer 105 includes a switching thin film transistor 103a and a driving thin film transistor 103b so as not to expose the active layer or the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode to a component formed of an organic material, ) Or the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode, at least above the constituent elements formed of the organic material.

도 6을 참조하면, 상기 광결정층(105)은 다수의 구형 입자로 이루어져 규칙적인 다수의 층을 이루는 제 1 영역(105a)과, 상기 제 1 영역(105a)을 이루는 구형 입자들 사이의 공간을 이루는 제 2 영역(105b)으로 이루어진다.6, the photonic crystal layer 105 includes a first region 105a formed of a plurality of spherical particles and constituting a plurality of regular layers, and a second region 105b formed of a plurality of spherical particles, And a second region 105b.

이와 같이 제 1 영역(105a)과 제 2 영역(105b)으로 이루어진 광결정층(105)은 제 1 영역(105a)을 이루는 다수의 구형 입자가 제 2 영역(105b) 내에 고르게 규칙적으로 분산된 콜로이드 결정을 이루며, 제 1 영역(105a)을 이루고 있는 각 층 간의 거리(도 6의 d 참조)를 적절히 설정하고 제 1 영역(105a)의 굴절률과 제 2 영역(105b)의 굴절률의 차이를 적절히 설정함에 따라 투과 및 반사되는 빛의 파장대가 결정된다.The photonic crystal layer 105 composed of the first region 105a and the second region 105b can be formed in such a manner that a plurality of spherical particles forming the first region 105a are uniformly and regularly dispersed in the second region 105b, The distance between the respective layers constituting the first region 105a (see FIG. 6D) is appropriately set, and the difference between the refractive index of the first region 105a and the refractive index of the second region 105b is appropriately set The wavelength range of the transmitted and reflected light is determined.

즉, 상기 광결정층(105)의 제 1 영역(105a)의 다수의 구형 입자의 크기와, 제 1 영역(105a)의 다수의 구형 입자가 이루는 각 층 간의 거리(d)와, 제 1 영역(105a)의 굴절률과 제 2 영역(105b)의 굴절률의 차이는 광결정층(105)이 외부로 부터 유입되는 광 중에서 자외선(UV)을 차단할 수 있는 기능이 부여되도록 설계되어 적용되는 것이 바람직하다.That is, the size of a plurality of spherical particles in the first region 105a of the photonic crystal layer 105 and the distance d between each of the plurality of spherical particles in the first region 105a, It is preferable that the difference between the refractive index of the second region 105a and the refractive index of the second region 105b is designed and applied so that the photonic crystal layer 105 is provided with a function of blocking the ultraviolet rays from the light entering from the outside.

상술한 바와 같이 광결정층(105)에서 투과되거나 반사되는 빛의 파장대를 제어하기 위한 제 1 영역(105a)의 굴절룰과 제 2 영역(105b)의 굴절률의 적절한 차이를 얻기 위해서는, 제 1 영역(105a)을 이루는 물질과 제 2 영역(105b)을 이루는 물질의 적절한 선택이 필요하다.In order to obtain an appropriate difference between the refractive index of the first region 105a for controlling the wavelength band of light transmitted or reflected by the photonic crystal layer 105 and the refractive index of the second region 105b, 105a and the material constituting the second region 105b.

즉, 상기 광결정층(105)에서 투과되거나 반사되는 빛의 파장대를 제어하기 위한 제 1 영역(105a)의 굴절률과 제 2 영역(105b)의 굴절률의 적절한 차이를 얻기 위해서, 제 1 영역(105a)을 이루는 다수의 구형 입자는 금속산화물로 이루어질 수 있으며, 이때 제 2 영역(105b)은 공기 또는 유기화합물로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 제 1 영역(105a)을 이루는 금속산화물은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 티타늄 산화물(TiO2)일 수 있으며, 제 2 영역(105b)을 이루는 유기화합물은 폴리스틸렌(polystylene) 또는 폴리페로세닐실란(polyferrocenylsilane)일 수 있다.That is, in order to obtain an appropriate difference between the refractive index of the first region 105a and the refractive index of the second region 105b for controlling the wavelength range of light transmitted or reflected by the photonic crystal layer 105, May be made of a metal oxide, and the second region 105b may be made of air or an organic compound. Here, the metal oxide forming the first region 105a may be silicon oxide (SiO 2 ) or titanium oxide (TiO 2 ), and the organic compound forming the second region 105b may be polystylene or polyferrocenyl May be polyferrocenylsilane.

그리고, 상기 광결정층(105)에서 투과되거나 반사되는 빛의 파장대를 제어하기 위한 제 1 영역(105a)의 굴절률과 제 2 영역(105b)의 굴절률의 적절한 차이를 얻기 위해서, 제 1 영역(105a)을 이루는 다수의 구형 입자는 유기화합물로 이루어질 수 있으며, 이때 제 2 영역(105b)은 금속산화졸로 이루어질 수 있다.In order to obtain an appropriate difference between the refractive index of the first region 105a and the refractive index of the second region 105b for controlling the wavelength band of light transmitted or reflected by the photonic crystal layer 105, May be composed of an organic compound, and the second region 105b may be formed of a metal oxide sol.

상기에 언급한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자는 도면에 도시한 바와 같은 상부발광 방식 외에도 하부발광 방식을 이룰 수 있는데, 이와 같은 하부발광 방식을 이루는 경우에 외부로부터의 광은 제 1 기판을 통하여 제 1 기판과 제 2 기판의 사이 공간에 유입되므로 이로 인해 광결정층은 제 1 기판의 하부에 형성되는 등 유기전계발광 다이오드의 발광층이 외부로부터의 빛 중에서 자외선(UV)에 노출되지 않도록 하는 범위 내에서 다양한 위치에 형성될 수 있다.As described above, the organic electroluminescent device according to the preferred embodiment of the present invention can realize a bottom emission scheme in addition to the top emission scheme as shown in the figure. In the case of forming the bottom emission scheme, Is introduced into the space between the first substrate and the second substrate through the first substrate, so that the photonic crystal layer is formed on the lower side of the first substrate, and the light emitting layer of the organic light emitting diode is irradiated with ultraviolet And may be formed at various positions within a range that does not allow exposure.

물론, 하부발광 방식을 이루는 경우에도 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 물질로 형성된 경우에는 상기 광결정층의 위치를 정함에 있어서는 유기전계발광 다이오드의 발광층의 위치뿐만 아니라 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 활성층의 위치 또한 고려되어야할 것이다.When the active layer or the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are formed of an organic material, the light emitting layer of the organic light emitting diode The position of the active layer of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor should be considered.

즉, 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 물질로 형성된 유기 박막 트랜지스터인 경우에는, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터에 있어서 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중에 유기 물질로 형성된 구성 요소가 자외선(UV)에 노출되지 않도록 하기 위하여 광결정층은 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중에 적어도 유기 물질로 형성된 구성 요소보다 하부의 위치에 형성되어야 한다.That is, when the active layer or the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are organic thin film transistors formed of an organic material, the active layer or the gate electrode, The photonic crystal layer may be formed on the active layer or the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor so that the constituent element formed of the organic material in the drain electrode is not exposed to the ultraviolet Should be formed in the lower position.

상술한 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자는 제 2 전극(104f)의 상부에 마련된 광결정층(105)에 의해 자외선(UV)이 차단됨으로써 유기전계발광 다이오드(104)의 발광층(104d)이 자외선(UV)에 노출되지 않으므 로, 유기전계발광 다이오드(104)의 긴 수명을 확보할 수 있다.The organic electroluminescent device according to the preferred embodiment of the present invention as described above is configured such that the ultraviolet rays are blocked by the photonic crystal layer 105 provided on the second electrode 104f, Since the organic light emitting diode 104d is not exposed to ultraviolet rays (UV), the long life of the organic light emitting diode 104 can be secured.

또한, 상기 제 1 기판(101)의 각 화소에 구비된 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)가 유기 박막 트랜지스터인 경우에 유기 물질로 형성된 활성층 또는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 자외선(UV)에 노출되지 않으므로, 스위칭 박막 트랜지스터(103a)와 구동 박막 트랜지스터(103b)의 긴 수명을 확보할 수 있다.When the switching thin film transistor 103a and the driving thin film transistor 103b included in each pixel of the first substrate 101 are organic thin film transistors, an active layer or a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode formed of an organic material It is not exposed to ultraviolet rays (UV), and thus the lifetime of the switching thin film transistor 103a and the driving thin film transistor 103b can be secured.

그리고, 상술한 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자에 구비된 광결정층(105)은 패턴을 이루지 않고 제 2 전극(104f) 상의 전체에 균일한 두께를 가지도록 형성하면 되므로 그 형성이 용이하다.The photonic crystal layer 105 included in the organic electroluminescent device according to the preferred embodiment of the present invention may be formed to have a uniform thickness over the entire surface of the second electrode 104f without forming a pattern. It is easy to form.

도 1은 종래의 일반적인 유기전계발광 소자의 일 예를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 일반적인 유기전계발광 소자의 다른 예를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing another example of a conventional organic electroluminescent device.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광 소자의 화소 구조를 도시한 회로도.3 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of an organic electroluminescent device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 유기전계발광 소자를 상하 방향으로 절단한 단면의 모습을 도시한 단면도.FIG. 4 is a cross-sectional view showing a cross-sectional view of the organic electroluminescent device of FIG. 3 cut vertically. FIG.

도 5는 도 3의 구동 박막 트랜지스터와 유기전계발광 다이오드의 단면도의 모습을 도시한 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a driving thin film transistor of FIG. 3 and a cross-sectional view of an organic light emitting diode.

도 6은 도 4의 광결정층을 확대하여 도시한 단면도.FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the photonic crystal layer of FIG. 4; FIG.

**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS

101 : 제1 기판 102 : 제 2 기판101: first substrate 102: second substrate

103a : 스위칭 박막 트랜지스터 103b : 구동 박막 트랜지스터103a: switching thin film transistor 103b: driving thin film transistor

104 : 유기전계발광 다이오드 104a : 제 1 전극104: organic electroluminescent diode 104a: first electrode

104d : 발광층 104f: 제 2 전극104d: light emitting layer 104f: second electrode

105 : 광결정층 107: 반사층105: photonic crystal layer 107: reflective layer

Claims (9)

다수의 화소가 정의된 제 1 기판;A first substrate on which a plurality of pixels are defined; 상기 제 1 기판의 화소마다 적어도 하나씩 형성된 박막 트랜지스터;A thin film transistor formed at least one pixel for each pixel of the first substrate; 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 제 1 기판 상에 형성된 제 1 전극;A first electrode formed on the first substrate to be connected to the thin film transistor; 상기 제 1 전극 상에 형성된 발광층;A light emitting layer formed on the first electrode; 상기 발광층 상에 형성된 제 2 전극; 및A second electrode formed on the light emitting layer; And 외부로부터의 광 중에 자외선을 반사시켜 상기 발광층이 자외선에 노출되는 것을 차단하는 광결정층을 포함하여 구성되며, And a photonic crystal layer which reflects ultraviolet light from outside and blocks the light emitting layer from being exposed to ultraviolet rays, 상기 광결정층은 다수의 구형 입자로 이루어져 다수의 층을 이루는 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역을 이루는 구형 입자들 사이의 공간을 이루는 제 2 영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.Wherein the photonic crystal layer comprises a first region comprising a plurality of spherical particles and forming a plurality of layers; And a second region forming a space between the spherical particles constituting the first region. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역을 이루는 다수의 구형 입자는 금속산화물로 이루어지며, The method of claim 1, wherein the plurality of spherical particles forming the first region are made of a metal oxide, 제 2 영역은 공기, 유기화합물 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.And the second region is made of any one selected from the group consisting of air and an organic compound. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 영역을 이루는 금속산화물은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 티타늄 산화물(TiO2)이며, The method of claim 3, wherein the metal oxide constituting the first region is silicon oxide (SiO 2) or titanium oxide (TiO 2), 상기 제 2 영역을 이루는 유기화합물은 폴리스틸렌(polystylene) 또는 폴리페로세닐실란(polyferrocenylsilane)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.Wherein the organic compound forming the second region is a polystyrene or polyferrocenylsilane. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역을 이루는 다수의 구형 입자는 유기화합물로 이루어지며, 제 2 영역은 금속산화졸로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the plurality of spherical particles forming the first region are made of an organic compound, and the second region is made of a metal oxide sol. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 투명한 도전성 물질로 형성되며,The method of claim 1, wherein the second electrode is formed of a transparent conductive material, 상기 광결정층은 제 2 전극의 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.Wherein the photonic crystal layer is formed on an upper portion of the second electrode. 제 6 항에 있어서, 상기 광결정층은 상기 제 2 전극의 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 6, wherein the photonic crystal layer is formed on an upper surface of the second electrode. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 대향하도록 형성되되 제 2 전극 상부에 배치되는 제 2 기판이 추가로 구비되며,The plasma display panel of claim 6, further comprising a second substrate facing the first substrate and disposed above the second electrode, 상기 광결정층은 상기 제 2 기판의 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.Wherein the photonic crystal layer is formed on an upper surface of the second substrate. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 기판의 화소마다 적어도 하나씩 형성된 박막 트랜지스터 각각은, 게이트 전극, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하여 이루어지고,The thin film transistor as claimed in claim 6, wherein each of the thin film transistors formed at least one pixel for each pixel of the first substrate includes a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode, 상기 게이트 전극, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 중에 적어도 어느 하나는 유기물질로 형성되며,At least one of the gate electrode, the active layer, the source electrode, and the drain electrode is formed of an organic material, 상기 광결정층은 박막 트랜지스터의 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.Wherein the photonic crystal layer is formed on an upper portion of the thin film transistor.
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