KR101434964B1 - Highly ordered anodic aluminum oxide template and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿은 알루미늄 막; 상기 알루미늄 막 위에 형성된 가이드 라인 패턴; 상기 알루미늄 막 위에 상기 가이드 라인 패턴을 따라 형성된 것으로, 복수의 나노홀을 이루는 다공성 산화 알루미늄;을 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.
또한, 개시된 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 (가) 알루미늄 막을 교대 배치되는 제1영역과 제2영역으로 나누고, 상기 제1영역만을 1차 양극 산화 시키는 단계; (나) 상기 제1영역에 생성된 산화 알루미늄을 제거하는 단계; (다) 상기 알루미늄 막의 상기 제1영역 및 제2영역을 2차 양극 산화 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.An anodic aluminum template and a method of making the same are disclosed. The disclosed anodic aluminum template includes an aluminum film; A guideline pattern formed on the aluminum film; And porous aluminum oxide formed on the aluminum film along the guide line pattern to form a plurality of nano holes.
The method of manufacturing an anodized aluminum template further includes the steps of: (a) firstly anodizing only the first region by dividing the aluminum film into a first region and a second region alternately arranged; (B) removing aluminum oxide produced in the first region; (C) secondary anodizing the first region and the second region of the aluminum film.

Description

높은 규칙도를 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법{Highly ordered anodic aluminum oxide template and method of manufacturing the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to an anodized aluminum template having a high degree of regularity and a method of manufacturing the same.

본 발명은 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 나노홀이 규칙적으로 생성되도록 가이드 패턴을 이용한 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an anodized aluminum template and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an anodized aluminum template using a guide pattern so that nano holes are regularly formed and a method of manufacturing the same.

알루미늄을 양극 산화시키면 산화된 알루미늄 표면에 나노홀이 형성되며, 이렇게 생성된 나노홀은 저장매체, 센서, 필터 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. 특히, 나노홀이 장범위에 걸쳐 규칙적인 형태로 만들어지면, 차세대 Tb/in2 수준의 고밀도 기록용 자기 기록 매체를 구현하기 위한 균일한 규칙성을 갖는 기판 제작에 응용할 수 있고, GMR,TMR 등 자성 다층박막을 나노홀에 충진하여 자기메모리로의 응용이 가능하며, 대면적에 나노 크기의 패턴을 할 수 있는 템플릿을 제작하여 나노 임프린트 스탬프 제작을 위한 마스터로 사용할 수 있는 등 응용이 크게 기대된다.When anodized aluminum is used, nano-holes are formed on the surface of oxidized aluminum. The nano-holes thus produced can be applied to various fields such as storage media, sensors, and filters. In particular, when the nanoholes are formed in a regular shape over a long range, it can be applied to the production of a substrate having uniform regularity for realizing a next-generation Tb / in 2- level high-density recording magnetic recording medium and GMR, TMR It is expected that the magnetic multilayer thin film can be applied to the magnetic memory by filling the nanoholes, and a template capable of forming a nano-sized pattern on a large area can be used as a master for manufacturing a nanoimprint stamp. .

도 1a 내지 도 1d는 일반적인 알루미늄 양극 산화 과정을 보이는 도면이다. 도 1a와 같이, 전해 연마된 알루미늄 막(10)을 1차 양극 산화시키면 도 1b와 같은 다공성 산화 알루미늄(12)이 형성된다. 산화 알루미늄(12)을 제거하면 도 1c와 같은 형상이 되며, 이를 다시 2차 양극 산화 시킴으로써 도 1d와 같이 나노홀(16)을 이루는 다공성 산화 알루미늄(14)이 형성된다. 이와 같은 양극 산화 과정에서 규칙도를 결정하는 요인은 1차 양극 산화 시간이다. 1차 양극 산화 시간이 길어짐에 따라 나노홀 사이의 작용으로 인해 보다 균일한 나노홀이 형성된다. 그러나 알루미늄이 수백 ㎛두께의 쉬트(sheet) 형태로 된 경우와는 달리, 예를 들어, 패턴 매체(patterned media)에 응용하기 위해, 수 ㎛ 두께의 범위의 박막 형태로 된 경우에는 1차 양극 산화 시간을 충분히 길게 할 수 없어 균일한 나노홀을 만들기가 어렵다.FIGS. 1A to 1D are views showing a general aluminum anodizing process. As shown in FIG. 1A, when the aluminum film 10 subjected to electrolytic polishing is primary anodized, porous aluminum oxide 12 as shown in FIG. 1B is formed. When the aluminum oxide 12 is removed, a shape as shown in FIG. 1C is obtained. Secondarily anodizing the aluminum oxide 12 again forms the porous aluminum oxide 14 forming the nanoholes 16 as shown in FIG. 1D. In the anodic oxidation process, the primary anodization time is determined by the rule. As the first anodization time becomes longer, more uniform nanoholes are formed due to the action between the nanoholes. However, unlike the case where aluminum is in the form of a sheet having a thickness of several hundreds of micrometers, for example, for application to patterned media, in the case of a thin film having a thickness of several micrometers, It is difficult to make uniform nanoholes because the time can not be made long enough.

본 발명은 상술한 종래의 문제점에 따라 안출된 것으로, 나노홀이 규칙적으로 생성되도록 가이드 라인 패턴을 이용한 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an anodized aluminum template using a guide line pattern and a method of manufacturing the same, so that nano holes are regularly generated.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 양극 산화 알루미늄 템플릿은 알루미늄 막; 상기 알루미늄 막 위에 형성된 가이드 라인 패턴; 상기 알루미늄 막 위에 상기 가이드 라인 패턴을 따라 형성된 것으로, 복수의 나노홀을 이루는 다공성 산화 알루미늄;을 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.In order to achieve the above object, an anodic aluminum template according to the present invention comprises an aluminum film; A guideline pattern formed on the aluminum film; And porous aluminum oxide formed on the aluminum film along the guide line pattern to form a plurality of nano holes.

상기 가이드 라인 패턴은, 그루브와 랜드가 교번 형성된 패턴인 것을 특징으로 한다.The guide line pattern is a pattern in which grooves and lands are alternately formed.

상기 알루미늄 막은 두께가 대략 10㎛ 이하의 박막으로 형성될 수 있다.The aluminum film may be formed as a thin film having a thickness of about 10 mu m or less.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 (가) 알루미늄 막을 교대 배치되는 제1영역과 제2영역으로 나누고, 상기 제1영역만을 1차 양극 산화 시키는 단계; (나) 상기 제1영역에 생성된 산화 알루미늄을 제거하는 단계; (다) 상기 알루미늄 막의 상기 제1영역 및 제2영역을 2차 양극 산화 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing an anodized aluminum template according to an embodiment of the present invention includes the steps of: (a) first anodizing only the first region by dividing an aluminum film into a first region and a second region alternately arranged; (B) removing aluminum oxide produced in the first region; (C) secondary anodizing the first region and the second region of the aluminum film.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 나노홀 스탬프의 제조방법은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 양극 산화 알루미늄 템플릿의 다공성 산화 알루미늄 위로 금속 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 위로 금속층을 도금하는 단계; 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 한다. In addition, the method of manufacturing a nanohole stamp according to an embodiment of the present invention includes forming a metal seed layer on a porous aluminum oxide of an anodized aluminum template prepared according to an embodiment of the present invention; Plating a metal layer on the seed layer; And removing the anodic aluminum template.

본 발명에 따른 양극 산화 알루미늄 템플릿은 형성된 나노홀이 소정의 가이드라인을 따라 형성됨으로써 규칙도가 향상된 구조를 갖는다. 또한, 본 발명의 실시예에 의한 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 일부 영역에 대하여만 1차 양극 산화 공정을 수행하고 다음 전체적으로 2차 양극 산화 공정을 거치도록 하여, 보다 규칙적인 배열을 가지는 나노홀이 형성되게 된다. 또한, 1차 양극 산화 시간을 길게 할 수 없어 규칙적인 나노홀을 형성하기 어려운 경우, 즉, 대략 10 ㎛이하의 알루미늄 박막인 경우에도 본 발명의 제조방법에 의해 규칙도를 향상시킬 수 있다. The anodized aluminum template according to the present invention has a structure in which the formed nano holes are formed along a predetermined guide line to improve the degree of regularity. In the method of manufacturing an anodized aluminum template according to an embodiment of the present invention, a primary anodization process is performed only on a partial region, and then a secondary anodization process is performed as a whole to obtain a nano hole . In addition, the degree of regularity can be improved by the manufacturing method of the present invention even in the case where regular primary anodization time can not be lengthened and it is difficult to form regular nano holes, that is, an aluminum thin film of about 10 m or less.

도 1a 내지 도 1d는 일반적인 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 양극 산화 알루미늄 템플릿의제조방법을 설명하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 나노홀 스탬프의 제조방법을 설명하는 도면이다.FIGS. 1A to 1D are diagrams illustrating a method of manufacturing a general anodized aluminum template.
2A to 2G are views illustrating a method of manufacturing an aluminum anodized template according to an embodiment of the present invention.
3A to 3J are views illustrating a method of manufacturing an anodized aluminum template according to another embodiment of the present invention.
4A to 4C are views illustrating a method of manufacturing a nanohole stamp according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양극 산화 알루미늄 템플릿, 나노홀 스탬프, 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법 및 나노홀 스탬프의 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an anodized aluminum template, a nanohole stamp, a method of manufacturing an anodized aluminum template, and a method of manufacturing a nanohole stamp according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 의한 양극 산화 알루미늄 템플릿의 구조 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.FIGS. 2A to 2G are views illustrating a structure of an anodized aluminum template according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same. In the following drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size of each element in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

도 2a와 같이, 알루미늄 막(110)을 준비한다. 알루미늄 막(110)의 표면은 평탄한 상태로 준비한다. 평탄한 표면을 형성하기 위해, 예를 들어, 과염소산(HClO4)과 에탄올(CH3CH2OH)을 1:4로 혼합한 용액을 이용하여 전해연마(electro-polishing)하거나 또는 증발기(evaporator)를 사용할 수 있다. 알루미늄 막(110)은 수 ㎛ 두께의 박막에서 수백 ㎛ 두께의 쉬트(sheet) 형태까지 모두 가능하다.2A, an aluminum film 110 is prepared. The surface of the aluminum film 110 is prepared in a flat state. Electro-polishing is carried out using a solution of perchloric acid (HClO 4 ) and ethanol (CH 3 CH 2 OH) in a ratio of 1: 4 in order to form a flat surface, or an evaporator Can be used. The aluminum film 110 can be formed from a thin film having a thickness of several micrometers to a sheet having a thickness of several hundreds of micrometers.

도 2b를 참조하면, 알루미늄 막(110) 위에 소정 패턴의 마스크패턴층(115)을 형성한다. 마스크패턴층(115)은 후술하는 양극 산화 공정시 보다 규칙적인 형태로 나노홀이 생성되도록 가이드라인을 형성하기 위한 것이다. 마스크패턴층(115)을 포토리지스트(photo resist) 또는 레진(resin)을 알루미늄 막(110) 위에 형성한 후 나노 임프린트(nano imprint), 전자 빔 리소그라피(e-beam lithography) 또는 포토 리소그라피(photo lithography)를 이용하여 형성할 수 있다. Referring to FIG. 2B, a mask pattern layer 115 having a predetermined pattern is formed on the aluminum film 110. The mask pattern layer 115 is for forming a guide line so that nano holes are formed in a more regular form than in the anodic oxidation process described later. A mask pattern layer 115 is formed on the aluminum film 110 by a photo resist or a resin and is then patterned by nano imprint, e-beam lithography, or photolithography lithography).

다음, 도 2c를 참조하면, 마스크패턴층(115)을 식각 마스크로 하여 알루미늄 막(110)을 식각한다. 상기 식각에 의해 알루미늄 막(110)에 그루브(groove)로 된 제1영역(110a)이 형성된다. 다음, 알루미늄 막(110)을 1차 양극 산화(anodizing)시킨다. 즉, 전해액에서 알루미늄 막(110)을 양극으로 하고 전류를 통하게 하여 알루미늄 막(110)의 표면에 다공성 산화 피막이 형성되게 한다. 양극산화 조건으로 예를 들어 온도 5℃, 전압 40V 및 0.3M의 옥살산(oxalic acid)이 사용될 수 있다. Next, referring to FIG. 2C, the aluminum film 110 is etched using the mask pattern layer 115 as an etching mask. A first region 110a of a groove is formed in the aluminum film 110 by the etching. Next, the aluminum film 110 is first anodized. That is, the aluminum film 110 is used as an anode in an electrolytic solution, and current is allowed to flow to form a porous oxide film on the surface of the aluminum film 110. As the anodizing condition, for example, a temperature of 5 DEG C, a voltage of 40 V and 0.3 M of oxalic acid may be used.

알루미늄 막(110)의 제1영역(110a)이 오픈되어 있으므로, 제1영역(110a)에 다공성 산화 알루미늄(Al2O3)이 형성된다. 다음, 마스크패턴층(115)를 제거하면, 도 2e와 같이, 랜드(land)로 된 제2영역(110b)이 드러난다. 다음, 제1영역(110a)에 형성된 산화 알루미늄(125)을 제거하여, 도 2f와 같은 형상이 된다. 산화 알루미늄(125)의 제거를 위해, 예를 들어, 크롬산(H2CrO4)과 인산(H3PO4)을 혼합한 용액의 온도를 대략 60℃ 정도로 하여 알루미늄 막(110)을 30분 이상 담가둔다. 도 2f의 알루미늄 막(110)을 2차 양극 산화시키면, 제1영역(110a) 및 제2영역(110b)에 나노홀(h)을 이루는 다공성 산화 알루미늄(120,130)이 형성되어 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)이 제조된다. 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)에 나노홀(h)들은 제1영역(110a) 및 제2영역(110b)을 이루는 그루브/랜드 구조를 가이드라인으로 하여 형성되므로 대면적에 랜덤하게 형성되는 경우에 비해 보다 규칙적인 배열을 갖게 된다.Since the first region (110a) of the aluminum film 110 is opened, the porous aluminum oxide (Al 2 O 3) is formed in the first region (110a). Next, when the mask pattern layer 115 is removed, a second region 110b made of a land is exposed as shown in Fig. 2E. Next, the aluminum oxide 125 formed in the first region 110a is removed to have a shape as shown in FIG. 2F. The aluminum oxide film 125 is removed by setting the temperature of the solution obtained by mixing chromic acid (H 2 CrO 4 ) and phosphoric acid (H 3 PO 4 ) to about 60 ° C. for 30 minutes or more Let's soak. When the aluminum film 110 of FIG. 2F is subjected to the second anodization, the porous aluminum oxide 120 and 130 forming the nano holes h are formed in the first region 110a and the second region 110b, 200). Since the nano holes h are formed in the anodic aluminum template 200 using the groove / land structure constituting the first region 110a and the second region 110b as a guideline, And have a more regular arrangement.

도 3a 내지 도 3j는 본 발명의 다른 실시예에 의한 산화 알루미늄 템플릿(200)의 제조방법을 설명한다. 도 3a와 같이 알루미늄 막(110)을 준비하고, 도 3b와 같이 알루미늄 막(110) 위에 하드마스크층(113)을 형성한다. 하드마스크층(113)의 재질로는 알루미늄 막(110)보다 식각 비율(etch rate)이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 SiO2 또는 SiN과 같은 물질이 채용될 수 있다.3A to 3J illustrate a method of manufacturing the aluminum oxide template 200 according to another embodiment of the present invention. 3A, an aluminum film 110 is prepared, and a hard mask layer 113 is formed on the aluminum film 110 as shown in FIG. 3B. As the material of the hard mask layer 113, a material having an etch rate lower than that of the aluminum film 110 is preferably used. For example, materials such as SiO 2 or SiN may be employed.

다음, 도 3c와 같이, 하드마스크층(113) 위에 소정 패턴의 마스크패턴층(115)을 형성한다. 마스크패턴층(115)은 포토리지스트, 레진과 같은 물질로, 나노 임프린트(nano imprint), 전자 빔 리소그라피(e-beam lithography) 또는 포토 리소그라피(photo lithography)를 이용하여 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 3C, a mask pattern layer 115 having a predetermined pattern is formed on the hard mask layer 113. The mask pattern layer 115 may be formed of a material such as a photoresist or a resin using a nano imprint, an e-beam lithography, or a photolithography.

다음, 도 3d와 같이 마스크패턴층(115)을 식각 마스크로 하여 하드마스크층(113)을 식각한다. 하드마스크층(113)은 마스크패턴층(115)과 동일한 패턴이 된다. 다음, 마스크패턴층(115)을 제거하면 도 3e와 같은 형상이 된다. 이 때, 마스크패턴층(115)의 제거는 후술하는 1차 양극산화 단계 후에 하는 것도 가능하다. 다음, 패턴된 하드마스크층(113)을 식각 마스크로 하여 알루미늄 막(110)을 식각한다. 도 3f와 같이 그루브로 된 제1영역(110a)이 형성된다. 본 실시예는 알루미늄 막(110) 위에 하드마스크층(113)을 형성하는 단계를 포함하고, 하드마스크층(113)을 식각 마스크로 하여 알루미늄 막(110)을 식각하는 점에서 도 2a 내지 도 2g에서 설명한 실시예와 차이가 있다. 하드마스크층(113)을 식각 마스크로 사용하는 것은 그루브 형성을 위한 식각시 그루브의 깊이를 원하는 대로 조절할 수 있도록 하기 위한 것이다. 즉, 식각 마스크의 식각 비율이 알루미늄 막(110)의 식각 비율보다 높은 경우, 그루브의 깊이가 형성되기 전에 식각 마스크가 완전히 식각되어 그루브의 깊이를 더 이상 깊게 하는 것이 제한될 수 있음을 염두에 둔 것이다. 따라서, 식각 비율이 낮은 하드마스크층(113)을 식각 마스크로 사용하는 경우 그루브 형성시 깊이 조절을 보다 용이하게 할 수 있다. 다음, 도 3g 내지 3j의 과정은 도 2d 내지 도 2g에서 설명한 과정과 실질적으로 동일하다. 알루미늄 막(110)의 제1영역(110a)를 1차 양극산화시켜 다공성 산화 알루미늄(125)을 형성하고, 하드마스크층(113)을 제거하고, 산화 알루미늄(125)을 제거한 후 제1영역(110a)과 제2영역(110b)을 2차 양극산화시킨다. 이와 같은 과정에 따라 제조된 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)에 나노홀(h)들은 제1영역(110a) 및 제2영역(110b)을 이루는 그루브/랜드 구조를 가이드라인으로 하여 형성되므로 대면적에 랜덤하게 형성되는 경우에 비해 보다 규칙적인 배열을 갖게 된다.Next, as shown in FIG. 3D, the hard mask layer 113 is etched using the mask pattern layer 115 as an etching mask. The hard mask layer 113 has the same pattern as that of the mask pattern layer 115. Next, when the mask pattern layer 115 is removed, a shape as shown in FIG. 3E is obtained. At this time, the removal of the mask pattern layer 115 can be performed after the primary anodizing step described later. Next, the aluminum film 110 is etched using the patterned hard mask layer 113 as an etching mask. A first region 110a made of a groove is formed as shown in FIG. This embodiment includes a step of forming a hard mask layer 113 on the aluminum film 110 and etching the aluminum film 110 using the hard mask layer 113 as an etching mask. Which is different from the embodiment described in Fig. The use of the hard mask layer 113 as an etch mask is intended to enable the depth of the grooves to be adjusted as desired during the etching for forming the grooves. That is, when the etch rate of the etch mask is higher than the etch rate of the aluminum film 110, it may be limited to etch the etch mask completely before the depth of the groove is formed to further deeper the depth of the groove will be. Accordingly, when the hard mask layer 113 having a low etching rate is used as an etching mask, the depth of the groove can be more easily controlled. Next, the processes of Figs. 3G to 3J are substantially the same as the processes described in Figs. 2D to 2G. The first area 110a of the aluminum film 110 is first anodized to form the porous aluminum oxide 125 and the hard mask layer 113 is removed and the aluminum oxide 125 is removed, 110a and the second region 110b are subjected to secondary anodization. Since the nano holes h are formed in the anodic aluminum template 200 manufactured in accordance with the above-described process using the groove / land structure constituting the first region 110a and the second region 110b as a guideline, They have a more regular arrangement than in the case of random formation.

다음은 도 4a 내지 도 4c를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 나노홀 스탬프(300)의 제조방법을 설명한다. 나노홀 스탬프(300)는 본 발명에 의한 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)과 동일한 형상의 나노홀 구조를 다량 복제할 수 있도록 만들어지는 것이다. 이를 위하여, 나노홀 스탬프(300)는 도 2a 내지 도 2g 또는 도 3a 내지 도 3j에서 설명한 제조방법에 의해 제조된 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)을 마스크로 하여 형성한다. 즉, 도 4a와 같이 본 발명의 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)의 다공성 산화 알루미늄(120,130) 위로 금속 시드층(300')을 형성한다. 스퍼터링(sputtering) 또는 증발(evaporation)의 방법으로, 도금시 전극으로 사용될, 예를 들면 니켈(Ni)과 같은 금속물질을 시드층(300')으로 증착한다. 다음, 도 4b와 같이, 시드층(300') 위로 스탬프(300)를 형성한다. 스탬프(300)는 시드층(300')을 전극으로 하여 예를 들어 니켈과 같은 금속물질을 도금하여 형성한다. 다음, 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)을 제거하면, 도 4c와 같은 나노홀 스탬프(300)가 제조된다. 양극 산화 알루미늄 템플릿(200)의 제거를 위해, 수산화나트륨(NaOH) 또는 크롬산(H2CrO4)과 인산(H3PO4)을 혼합한 용액을 사용할 수 있다. 이와 같이 제조된 나노홀 스탬프(300)를 사용하는 나노 임프린트 방법으로 양극 산화 알루미늄 템플릿(200) 상에 형성된 것과 동일한 나노홀 구조를 다량 복제할 수 있게 된다.4A to 4C, a method of manufacturing the nanohole stamp 300 according to an embodiment of the present invention will be described. The nano hole stamp 300 is made to replicate a large number of nanohole structures having the same shape as the anodized aluminum template 200 according to the present invention. For this, the nanohole stamp 300 is formed using the anodized aluminum template 200 manufactured by the manufacturing method described in FIGS. 2A to 2G or 3A to 3J as a mask. That is, as shown in FIG. 4A, a metal seed layer 300 'is formed on the porous aluminum oxide 120, 130 of the anodized aluminum template 200 of the present invention. A metal material such as nickel (Ni) to be used as an electrode in plating is deposited on the seed layer 300 'by a method of sputtering or evaporation. Next, as shown in FIG. 4B, a stamp 300 is formed on the seed layer 300 '. The stamp 300 is formed by plating a metal material such as nickel using the seed layer 300 'as an electrode. Next, when the anodized aluminum template 200 is removed, a nanohole stamp 300 as shown in FIG. 4C is produced. A solution prepared by mixing sodium hydroxide (NaOH) or chromic acid (H 2 CrO 4 ) and phosphoric acid (H 3 PO 4 ) can be used for removing the anodic aluminum template 200. By using the nano-imprint method using the nanohole stamp 300 manufactured in this way, it is possible to replicate the same nano-hole structure as that formed on the anodized aluminum template 200 in a large amount.

이상에서 설명한 양극 산화 알루미늄 템플릿의 제조방법은 생성되는 나노홀이 보다 규칙적인 배열을 갖도록 마스크패턴층을 이용하여 1차 양극 산화 공정 및 마스크패턴층을 제거하고 2차 양극 산화 공정을 수행하는 점에 그 특징이 있는 것이므로, 나머지 구체적인 제조과정들은 당업자가 적절히 변경, 추가할 수 있다. 예를 들어, 양극산화 조건은 다양하게 변경될 수 있으며, 양극산화시 전해액의 농도, 온도, 인가전압을 조절하여 주기와 규칙도를 조절할 수 있으며, 나노홀의 크기를 확대하는(pore widening) 과정을 더 포함할 수 있다. 또한, 도면에서 제1영역과 제2영역의 폭이 동일해지는 패턴의 마스크패턴층으로 도시하고 있으나, 필요에 따라 어느 한 영역의 폭이 더 큰 형태가 되도록 마스크패턴층의 패턴을 형성할 수도 있다. In the above-described method of manufacturing an anodized aluminum template, a primary anodization process and a mask pattern layer are removed using a mask pattern layer so that the resulting nanoholes have more regular arrangement, and a secondary anodization process is performed And the remaining specific manufacturing processes can be appropriately changed or added by those skilled in the art. For example, the anodizing condition can be variously changed, and the period and the degree of regulation can be controlled by adjusting the concentration, temperature, and applied voltage of the electrolyte during the anodic oxidation, and a process of pore widening . Although the mask pattern layer having the same width as that of the first region and the second region is shown in the drawing, a pattern of the mask pattern layer may be formed so that the width of any one region is larger as necessary .

이러한 본원 발명인 양극 산화 알루미늄 템플릿 및 그 제조방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, it is to be understood that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. It will be appreciated that other embodiments are possible. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the appended claims.

Claims (3)

알루미늄 막;
상기 알루미늄 막 위에 형성된 가이드 라인 패턴;
상기 알루미늄 막 위에 상기 가이드 라인 패턴을 따라 형성된 것으로, 복수의 나노홀을 이루는 다공성 산화 알루미늄을 포함하고,
상기 가이드 라인 패턴은 그루브와 랜드가 교번 형성된 패턴이고,
상기 다공성 산화 알루미늄은, 그루브 부분을 1차 양극 산화시키는 단계, 상기 그루브 부분에 생성되는 산화 알루미늄을 제거하는 단계, 및 상기 알루미늄 막의 상기 그루브 부분과 랜드 부분을 2차 양극 산화시키는 단계를 포함하는 공정에 의해 형성된,
양극 산화 알루미늄 템플릿.Aluminum film;
A guideline pattern formed on the aluminum film;
A porous aluminum oxide formed on the aluminum film along the guide line pattern and having a plurality of nano holes,
The guide line pattern is a pattern in which grooves and lands are alternately formed,
Wherein the porous aluminum oxide is subjected to a first anodizing process of the groove portion, a step of removing aluminum oxide produced in the groove portion, and a second anodizing process of the groove portion and the land portion of the aluminum film Lt; / RTI >
Anodized aluminum template. 삭제delete 제1항의 양극 산화 알루미늄 템플릿을 마스터로 하여 제작된 나노홀 스탬프.A nanohole stamp produced using the anodic aluminum template of claim 1 as a master.
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