KR101434284B1 - Composition of stripper for photoresist - Google Patents

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KR101434284B1
KR101434284B1 KR1020140010130A KR20140010130A KR101434284B1 KR 101434284 B1 KR101434284 B1 KR 101434284B1 KR 1020140010130 A KR1020140010130 A KR 1020140010130A KR 20140010130 A KR20140010130 A KR 20140010130A KR 101434284 B1 KR101434284 B1 KR 101434284B1
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amine
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photoresist
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이진규
김상인
황재웅
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재원산업 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a photoresist stripping fluid composition, which provides a photoresist stripping fluid composition containing, as polar solvents, selectively mixed amines and solketal so as to improve the detachment from photoresist and the corrosion inhibition for both copper and aluminium.

Description

포토레지스트 박리액 조성물{COMPOSITION OF STRIPPER FOR PHOTORESIST}COMPOSITION OF STRIPPER FOR PHOTORESIST [0002]

본 발명은 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 특정 아민류를 선택적으로 사용함과 아울러 솔케탈을 극성용제로 사용함으로써 포토레지스트에 대하여 우수한 박리 성능 및 금속 부식 억제 성능이 우수한 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist stripping liquid composition, and more particularly, to a photoresist stripping liquid composition which selectively uses specific amines and is used as a polar solvent to form a photoresist stripping liquid ≪ / RTI >

반도체소자의 집적회로 또는 평판표시소자의 미세회로 제조공정은 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 선택적으로 노광하고, 현상처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.In an integrated circuit of a semiconductor device or a microcircuit manufacturing process of a flat panel display device, a photoresist is uniformly coated on a conductive metal film or an insulating film formed on a substrate, selectively exposed, and developed to form a photoresist pattern.

여기서, 도전성 금속막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 구리 또는 구리합금 등이고, 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등이다. 이어서, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 습식 또는 건식으로 식각하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부층에 전사한 후, 불필요한 포토레지스트층을 포토레지스트 박리액(스트리퍼) 조성물로 제거하는 과정으로 진행된다.Here, the conductive metal film is aluminum or an aluminum alloy, copper or a copper alloy, and the insulating film is a silicon oxide film or a silicon nitride film. Subsequently, the conductive metal film or the insulating film is etched by wet or dry using the patterned photoresist film as a mask to transfer the fine circuit pattern to the lower layer of the photoresist, and then the unnecessary photoresist layer is removed by a photoresist stripper composition The process proceeds to the removal process.

일본공개특허공보 소51-72503호는 탄소수 10 내지 20개의 알킬 벤젠 설폰산 및 비점이 150℃ 이상인 비할로겐화 방향족 탄화수소를 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. Japanese Patent Laid-Open Publication No. 51-72503 discloses a resist removing composition comprising an alkyl benzene sulfonic acid having 10 to 20 carbon atoms and a non-halogenated aromatic hydrocarbon having a boiling point of 150 캜 or higher.

또한, 일본공개특허공보 소57-84456호는 디메틸설폭사이드 또는 디에틸설폭사이드와 유기 설폰화합물을 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. Japanese Patent Laid-Open Publication No. Sho 57-84456 discloses a composition for removing a resist containing dimethyl sulfoxide or diethyl sulfoxide and an organic sulfone compound.

또한 미국특허 제4,256,294호는 알킬아릴 설폰산, 탄소수 6 내지 9 개의 친수성 방향족 설폰산 및 비점이 150℃ 이상인 비할로겐화 방향족 탄화수소를 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다.Also, U.S. Patent No. 4,256,294 discloses a composition for removing resist comprising alkylarylsulfonic acid, a hydrophilic aromatic sulfonic acid having 6 to 9 carbon atoms, and a non-halogenated aromatic hydrocarbon having a boiling point of 150 ° C or higher.

그러나 상기와 같은 종래 레지스트 제거용 조성물들은 알루미늄, 구리 또는 구리 합금 등의 도전성 금속막에 대한 부식이 심하고, 강한 독성으로 환경오염문제가 있어 사용이 곤란하다는 문제점이 있다. However, conventional compositions for removing resist have a problem that corrosion of conductive metal films such as aluminum, copper, and copper alloy is severe and it is difficult to use due to environmental pollution problem due to strong toxicity.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 수용성 알칸올 아민을 필수성분으로 여러 유기용매에 혼합시켜 포토레지스트 박리액 조성물을 제조하는 기술들이 제안되어 왔다.In order to solve the above problems, there have been proposed techniques for preparing a photoresist stripper composition by mixing a water-soluble alkanolamine as an essential component with various organic solvents.

예컨대, 한국공개특허 제2010-0125109호, 한국공개특허 제2005-0001811호 등에는 모노에탄올아민, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민 등의 1차, 2차, 3차 아민류를 함유하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다.For example, Korean Patent Publication No. 2010-0125109 and Korean Patent Publication No. 2005-0001811 disclose compositions for removing a resist containing primary, secondary, and tertiary amines such as monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine .

이러한 특허들에 사용된 포토레즈시트 제거용 조성물은 TFT LCD 제조공정 중 리소그래피 공정의 포토레지스트 스트립(Photoresist Strip) 공정은 박리(Stripper)능력을 최대화하기 위하여 아민류, 극성 유기 용제류 및 물이 혼합된 박리액 조성물을 사용하고 있다.The composition for removing the photoresist sheet used in these patents is a photoresist strip process of a lithographic process in the process of manufacturing a TFT LCD. In order to maximize the stripper capability, a mixture of amines, polar organic solvents and water A release liquid composition is used.

하지만, 이러한 박리액 조성물에 포함되어 있는 하이드록사이드(Hydroxide) 및 아민류의 세정제(cleaning agent)는 박리 능력에는 큰 기여를 하지만, 여전히 Al과 Cu 배선막의 부식을 초래하는 문제점이 있다. However, the cleaning agents of hydroxides and amines contained in such a peeling liquid composition contribute greatly to peeling ability, but still cause corrosion of Al and Cu wiring films.

이러한 부식 문제를 최소화하기 위하여 Al 및 Cu 배선용 박리액 조성물은 선택적인 금속 부식억제제(Metal Inhibitor)를 사용하며 배선막의 부식을 최소화하고 있으나, 상기 부식억제제(Inhibitor)는 Al 및 Cu와의 높은 반응성으로 배선막에 잔류하는 성질을 보여 주며, 이에 따른 Device의 전기적 특성 저하 및 불량율을 높이는 원인으로 작용한다. 또한 범용적으로 사용되는 아졸(Azole) 및 카테콜(Catechol)류의 부식억제제(Inhibitor)는 인체에 영향을 주는 환경오염원으로 알려짐으로써 사용의 정도를 최소화하는 요구가 높아지고 있다.In order to minimize such corrosion problems, the stripper composition for Al and Cu wiring uses a selective metal corrosion inhibitor to minimize the corrosion of the wiring film. However, the corrosion inhibitor has a high reactivity with Al and Cu, It shows the property of remaining in the film, which causes the deterioration of the electric characteristics of the device and the defect rate. In general, azole and catechol corrosion inhibitors are known as environmental pollutants affecting the human body, so that there is a growing demand for minimizing the degree of use.

이에 본 발명자는 강알카리성 아민을 사용하면서 물이 휘발되어도 안정적인 포토레지스트 박리 성능과 부식 억제 성능을 가지는 수계 포토레지스트 박리액을 개발하고자 하였다. Accordingly, the present inventor has developed a photoresist peeling solution having stable photoresist peeling performance and corrosion inhibition performance even when water is volatilized while using a strong alkaline amine.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 솔케톨을 유기용매로 사용함과 아울러 1차, 2차, 3차 아민 중 2종 이상을 선택적으로 사용함으로써 부식억제제를 거의 사용하지 않고도 Al 및 Cu 등과 같은 금속 배선막의 부식을 최소화하면서 박리능력 또한 최대한 유지할 수 있는 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a process for producing a polyurethane foam, which comprises using solketol as an organic solvent and selectively using two or more kinds of primary, secondary, and tertiary amines, And a peeling liquid composition capable of maintaining the peeling ability at the maximum while minimizing corrosion of metal wiring films such as Al and Cu.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일실시예는, (2,2-디메틸-1,3-디옥솔란-4-일)메탄올이 함유된 극성용제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다.An embodiment of the present invention for solving the above problems provides a photoresist stripper composition comprising a polar solvent containing (2,2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl) methanol.

바람직하게는, 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은, 1차 아민류 또는 2차 아민류 중 적어도 하나를 포함하는 제 1유기용제; 및 2차 아민류와 3차 아민류 중 적어도 하나를 포함하는 제 2유기용제;를 더 포함할 수 있으며, 상기 1차 아민류, 2차 아민류 및 3차 아민류는 사슬형인 것이 바람직하며, 상기 제 1유기용제와 상기 제 2유기용제는 서로 상이한 것을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Preferably, the photoresist stripper solution composition of the present invention comprises a first organic solvent containing at least one of primary amines or secondary amines; And a second organic solvent containing at least one of a secondary amine and a tertiary amine, wherein the primary amine, the secondary amine and the tertiary amine are preferably in a chain form, and the first organic solvent And the second organic solvent are preferably different from each other.

상기 제 1유기용제는, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디에탄올아민 및 2-메틸아민에탄올로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 상기 제 2유기용제는, 디에탄올아민, 프로필모노에탄올아민, 부틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 에틸디에탄올아민, 프로필디에탄올아민 및 부틸디에탄올아민으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The first organic solvent may be selected from the group consisting of monoethanolamine, monoisopropanolamine, diethanolamine and 2-methylamine ethanol. The second organic solvent may be selected from the group consisting of diethanolamine, propylmonoethanolamine, butyl And may be selected from the group consisting of ethanolamine, triethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylethanolamine, diethylethanolamine, ethyldiethanolamine, propyldiethanolamine and butyldiethanolamine.

또한, 상기 극성용제는, N-메틸-2-피롤리돈, 설포란, 1,2-디메틸이미다졸, 1,3디-디메틸-2-이미다졸이디논, 1,3-디메틸-3,4,5,6-테트라하이드로-2(1H)-피리미디논, 및 N-N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 비양자성 극성용제와, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르, 모노에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르, 모노프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 테트라부틸글리콜 및 폴리부틸렌글리콜로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 양자성 극성용제를 더 포함할 수 있다.The polar solvent may be at least one selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, sulfolane, 1,2-dimethylimidazole, 1,3-dimethyl- , 4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, and NN-dimethylpropionamide, at least one aprotic polar solvent selected from the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol Monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol methyl ether, monoethyleneglycol, diethyleneglycol, triethyleneglycol, tetraethylglycol, polyethylene glycol, dipropyleneglycol monomethyl Ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol methyl ether, monopropylene glycol, dipropylene glycol Butylene glycol, triethylene may further include propylene glycol, tetra-butyl glycol and polybutylene protic polar solvent is selected at least one from the group consisting of butylene glycol.

바람직하게는, 본 발명의 박리액 조성물은 수산화기를 2이상 포함하는 다가 알코올류, 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸, 아미노트리아졸, 카르복실벤조트리아졸, 1-[비스(하이드록시에틸)아미노에틸]톨릴트리아졸, 1-하이드록시 벤조트리아졸(HBT), 니트로 벤조트리아졸(NBT)), 카테콜, 솔비톨 및 글루코닉산으로 이루어진 군에서 적 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 부식억제제를 더 포함할 수 있다.Preferably, the releasing solution composition of the present invention comprises a polyhydric alcohol having two or more hydroxyl groups, a tolyltriazole, a benzotriazole, an aminotriazole, a carboxylbenzotriazole, 1- [bis (hydroxyethyl) aminoethyl (NBT)), catechol, sorbitol, and gluconic acid, which is at least one selected from the group consisting of benzyltriazole, tolyltriazole, 1-hydroxybenzotriazole (HBT), nitrobenzotriazole .

한편, 상기 제 1유기용제와 상기 제 2유기용제의 중량비는 1.1:1 내지 4:1인 것이 바람직하며, 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 pH가 10이상(10% water solution 기준)인 것이 바람직하다.The weight ratio of the first organic solvent to the second organic solvent is preferably 1.1: 1 to 4: 1, and the pH of the photoresist stripper composition of the present invention is 10 or more (based on 10% water solution) desirable.

바람직하게는, 상기 제 1유기용제는 0.1~10중량%이고, 상기 제 2유기용제는 0.1~10중량%이며, 상기 비양자성 극성용제는 1~50중량%이며, 상기 양자성 극성용제는 10~70중량%이며, 상기 부식방지제는 0~2중량%이며, 상기 물은 0.1~70중량%일 수 있으며, 상기 제 1유기용제를 구성하는 상기 제 1차 아민류는 0~4중량%인 것이 바람직하다.Preferably, the first organic solvent is 0.1 to 10 wt%, the second organic solvent is 0.1 to 10 wt%, the aprotic polar solvent is 1 to 50 wt%, the protonic polar solvent is 10 To 70% by weight, the corrosion inhibitor may be 0 to 2% by weight, the water may be 0.1 to 70% by weight, the primary amine constituting the first organic solvent may be 0 to 4% by weight desirable.

본 발명에 따르면, 솔케탈을 유기용매로 사용하고, 아민류를 선택적으로 사용함으로써 건식 식각(dry etch) 후 포토레지스트 또는 범용 레지스트에 대하여 우수한 박리 성능을 가지는 박리액 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a peeling liquid composition having excellent peeling performance for photoresist or general-purpose resist after dry etching by using sol-gel as an organic solvent and selectively using amines.

또한, 본 발명에 따르면, 부식억제제를 거의 사용하지 않고도 알루미늄과 구리 등과 같은 금속 배선막의 부식을 최소화할 수 있으므로, 알루미늄과 구리 배선 모두에 적용할 수 있으며, 낮은 온도의 공정 조건에 적용 가능하고, 환경 유해물질이 없고 수분 함량이 높아 친환경적인 박리액 조성물을 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, since corrosion of a metal wiring film such as aluminum and copper can be minimized without using almost no corrosion inhibitor, it can be applied to both aluminum and copper wiring, is applicable to low temperature process conditions, It is possible to provide an environmentally friendly peeling liquid composition having no environmentally harmful substance and high moisture content.

이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은, 1차 아민류 또는 2차 아민류 중 적어도 하나를 포함하는 제 1유기용제와, 2차 아민류와 3차 아민류 중 적어도 하나를 포함하는 제 2유기용제와, 솔케탈이 함유된 양자성 극성용제를 포함한다. The photoresist stripper composition of the present invention comprises a first organic solvent containing at least one of primary amines or secondary amines, a second organic solvent containing at least one of secondary amines and tertiary amines, And a proton-containing polar solvent.

바람직하게는, 본 발명의 박리액 조성물은 비양자성 극성용제 및 물을 더 포함할 수 있으며, 경우에 따라 부식억제제를 소량 포함할 수 있다. 이때, 물은 전체 박리액 조성물의 0.1~70중량%인 것이 바람직하다.Preferably, the release liquid composition of the present invention may further comprise an aprotic polar solvent and water, and in some cases may contain a small amount of corrosion inhibitor. At this time, it is preferable that water is 0.1 to 70% by weight of the total exfoliant composition.

먼저, 본발명의 양자성 극성용제에 대하여 설명한다.First, the protonic polar solvent of the present invention will be described.

본 발명의 양자성 극성용제는 솔케탈을 반드시 포함한다. 또한, 본 발명의 양자성 극성용제는 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르, 모노에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르, 모노프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 테트라부틸글리콜 및 폴리부틸렌글리콜로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 양자성 극성용제를 더 포함할 수 있다.The protonic polar solvent of the present invention necessarily includes a sol-gel. In addition, the protonic polar solvent of the present invention may be at least one selected from the group consisting of diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol methyl ether, Diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethyl glycol, polyethylene glycol, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol methyl ether , Monopropylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, tetrabutyl glycol, and polybutylene glycol. The polar solvent may be at least one selected from the group consisting of propylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, tetrabutyl glycol and polybutylene glycol.

바람직하게는, 본 발명의 양자성 극성용제는 N-메틸-2-피롤리돈, 설포란, 1,2-디메틸이미다졸, 1,3-디메틸-2-이미다졸이디논, 1,3-디메틸-3,4,5,6-테트라하이드로-2(1H)-피리미디논, 및 N-N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 비양자성 극성용제를 더 포함할 수 있다.Preferably, the protonic polar solvent of the present invention is selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, sulfolane, 1,2-dimethylimidazole, 1,3-dimethyl- -Dimethyl-3,4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, and NN-dimethylpropionamide in the presence of at least one aprotic polar solvent.

일반적으로 극성 용제는 부식 억제 능력이 우수한 경우에는 포토레지스트 용해력이 떨어지고 포토레지스트 용해력이 우수한 경우에는 부식 억제 능력이 떨어진다. Generally, when the polar solvent is excellent in the corrosion inhibiting ability, the photoresist solubility is poor and the photoresist solubility is excellent, the corrosion inhibiting ability is low.

따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 하기 화학식 1과 같이 표시되는 솔케탈을 포함하는 극성용제를 사용한다. 이와 같이 솔케탈을 포함하는 극성용제를 사용함으로써 포토레지스트 용해력을 향상과 포토레지스트 재흡착을 방지할 수 있을 뿐만 아니라금속 배선의 부식 억제 능력 저하를 방지할 수 있게 된다. Accordingly, in order to solve such a problem, the present invention uses a polar solvent containing a sol-gel as shown in Chemical Formula 1 below. By using a polar solvent including a sol-gel, it is possible not only to improve the solubility of the photoresist and to prevent the adsorption of the photoresist, but also to prevent deterioration of the corrosion inhibiting ability of the metal wiring.

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112014008904538-pat00001
Figure 112014008904538-pat00001

솔케탈은 (2,2-디메틸-1,3-디옥솔란-4-일)메탄올을 지칭하는 것으로, 이는 이소프로필리덴 글리세롤(Isopropylidene glycerol)이라고도 명명된다.Solketal refers to (2,2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl) methanol, also referred to as isopropylidene glycerol.

바람직하게는, 상기 비양자성 극성용제는 전체 박리액 조성물의 1~50중량%이며, 상기 양자성 극성용제는 10~70중량%일 수 있다.Preferably, the aprotic polar solvent is 1 to 50% by weight of the total exfoliant composition and the protonic polar solvent is 10 to 70% by weight.

다음으로, 본 발명의 박리액 조성물에 함유된 아민류에 대하여 설명한다. 본 발명의 아민류는 1차 아민류 또는 2차 아민류 중에서 선택된 적어도 1종의 제 1유기용제와, 2차 아민류 또는 3차 아민류 중에서 선택된 적어도 1종의 제 2유기용제를 포함한다.Next, the amines contained in the release liquid composition of the present invention will be described. The amines of the present invention include at least one first organic solvent selected from primary amines or secondary amines and at least one second organic solvent selected from secondary amines or tertiary amines.

최근 사용되는 수계 포토레지스트 박리액의 경우, 지속적인 사용에 따른 물의 휘발로 박리성능과 부식방지 성능이 급격히 변할 수 있어 대부분 강알칼리성 아민을 사용하지 못하고 있는 실정이다.In the case of a water-based photoresist stripping solution which has been recently used, the peeling performance and the corrosion-preventing performance may be rapidly changed due to the volatilization of water due to continuous use, and thus most of the strong alkaline amines can not be used.

하지만, 건식 식각(Dry etch) 후의 변성 포토레지스트와 범용 포토레지스트를 낮은 온도에서 빠르게 제거하기 위해서는, 강알카리성 아민이 함유된 박리액 조성물을 사용할 필요가 있다. 따라서, 강알칼리성 아민을 사용하기 위해 1차 아민 또는 pH가 높은 특정 2차 아민을 선택적으로 사용하여야 한다. However, in order to quickly remove the denatured photoresist and the general-purpose photoresist after dry etching at a low temperature, it is necessary to use a release liquid composition containing a strong alkaline amine. Therefore, in order to use a strong alkaline amine, a primary amine or a specific secondary amine with a high pH should be selectively used.

이와 같이 아민류를 선택적으로 사용함으로써 강알칼리성 아민을 사용하면서도 물이 휘발되어도 안정적인 포토레지스트 박리 성능과 부식 억제 성능을 가질 수 있는 수계 박리액 조성물을 제조할 수 있게 된다.By selectively using amines, it is possible to produce a water-based exfoliating liquid composition capable of having stable photoresist peeling performance and corrosion inhibition performance even when water is volatilized while using strong alkaline amines.

본 발명에서는 박리력 향상을 위하여 1차 아민류 또는 2차 아민류 중에서 선택되는 적어도 하나를 함유하는 제 1유기용제를 사용한다. 이러한 1차 아민류 또는 2차 아민류는 사슬형인 것이 바람직하다. 예컨대, 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민 등과 같은 1차 아민류나, 디에탄올아민, 2-메틸아민에탄올 등과 같은 2차 아민류를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 사슬형은 직쇄형과 분지형을 모두 포함한다.In the present invention, a first organic solvent containing at least one selected from a primary amine or a secondary amine is used for improving the peeling force. These primary amines or secondary amines are preferably in a chain form. For example, it is preferred to use primary amines such as monoethanolamine, monoisopropanolamine and the like, and secondary amines such as diethanolamine, 2-methylamine ethanol and the like. Here, the chain type includes both a straight chain type and a branched type.

이때, 2차 아민류를 제 1유기용제로 사용하는 것이 보다 바람직할 수 있으며, 제 1유기용제는 전체 박리액 조성물의 0.1~10중량%, 1차 아민류는 0~4중량%인 것이 바람직하다. 1차 아민류의 양이 너무 많으면 박리성능은 좋아지지만 금속 부식 억제 성능이 저하될 수 있다. 따라서, 1차 아민류는 0~4중량%, 바람직하게는 0~2중량%, 보다 바람직하게는 0~1중량%인 것이 좋다.In this case, it is more preferable to use secondary amines as the first organic solvent. It is preferable that the first organic solvent is 0.1 to 10% by weight of the total exfoliant composition and 0 to 4% by weight of the primary amine. If the amount of the primary amine is too large, although the peeling performance is improved, the metal corrosion inhibiting performance may be deteriorated. Therefore, it is preferable that the primary amine is 0 to 4% by weight, preferably 0 to 2% by weight, and more preferably 0 to 1% by weight.

한편, 상기와 같이 pH가 높은 1차 또는 2차 아민을 선택적으로 사용할 경우 박리력은 향상시킬 수 있지만, 이들 아민은 금속 배선 등의 심각한 부식을 초래하는 문제점을 발생시킨다. 따라서, 이를 해결하기 위해서는 부식 방지제를 다량 첨가해야 되는 문제점이 발생하는바, 본발명은 고가이면서 다른 부작용을 가지는 부식 방지제 대신 강알카리성 아민의 부식성을 억제하기 위하여 2차 또는 3차 아민을 일정량 선택적으로 사용하여 부식을 크게 억제시켰다. On the other hand, when the primary or secondary amine having a high pH is selectively used as described above, the peeling force can be improved, but these amines cause a problem of causing serious corrosion of metal wiring and the like. Therefore, in order to solve this problem, it is required to add a large amount of corrosion inhibitor. Accordingly, in order to suppress the corrosiveness of the strong alkaline amine instead of the expensive and other side effect corrosion inhibitor, Which greatly suppressed corrosion.

본 발명의 일실시예에 따르면 포토레지스트 박리를 목적으로 1차 아민을 사용할 경우에는 2차 또는 3차 아민을 사용하여 부식을 억제시킬 수 있고, 포토레지스트 박리를 위하여 높은 pH를 가지는 2차 아민을 사용할 경우에는 3차 아민을 사용하여 부식을 억제할 수 있다. 부식을 억제하기 위해 사용되는 아민은 포토레지스트 박리력을 고려하여 종류와 사용량이 결정되어야 할 것이다.According to one embodiment of the present invention, when a primary amine is used for photoresist stripping, secondary or tertiary amines can be used to inhibit corrosion, and a secondary amine having a high pH When used, tertiary amines can be used to inhibit corrosion. Amines used to inhibit corrosion should be determined in consideration of photoresist stripping power and type and amount of amine.

본 발명에서는 제 1유기용제의 금속 배선에 대한 부식성을 억제하기 위하여 특정 2차 아민 또는 3차 아민 중 적어도 하나를 포함하는 제 2유기용제를 사용한다. 제 2유기용제는 전체 박리액 조성물의 0.1~10중량%인 것이 바람직하다.In the present invention, a second organic solvent containing at least one of a specific secondary amine or tertiary amine is used for suppressing the corrosiveness of the first organic solvent to metal wiring. The second organic solvent is preferably 0.1 to 10% by weight of the total exfoliant composition.

이러한 제 2유기용제는 제 1유기용제와 상이한 것이 바람직하며, 제 2아민류용제로 사용될 수 있는 2차 아민류로는 디에탄올아민, 프로필모노에탄올아민, 부틸에탄올아민 등이 있고, 3차 아민류로는 트리에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 에틸디에탄올아민, 프로필디에탄올아민, 부틸디에탄올아민 등이 있을 수 있다.It is preferable that the second organic solvent is different from the first organic solvent. Secondary amines that can be used as the second amine solvent include diethanolamine, propylmonoethanolamine, butylethanolamine and the like. As tertiary amines, Triethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylethanolamine, diethylethanolamine, ethyldiethanolamine, propyldiethanolamine, butyldiethanolamine, and the like.

이와 같이 제 1유기용제와 제 2유기용제를 선택적으로 혼용하여 사용함으로써, 박리능력을 향상시킴과 동시에 금속 배선의 부식성 억제할 수 있게 된다.By selectively using the first organic solvent and the second organic solvent in combination as described above, the peeling ability can be improved and the corrosion resistance of the metal wiring can be suppressed.

바람직하게는, 2차 아민류에서 선택된 1종 이상의 제 1유기용제와, 2차 아민류 또는 3차 아민류에서 선택된 1종 이상의 제 2유기용제를 사용할 수 있으며, 제 1유기용제와 상기 제 2유기용제는 1.1:1 내지 4:1의 중량비로 사용되는 것이 바람직하다.Preferably, at least one first organic solvent selected from secondary amines and at least one second organic solvent selected from secondary amines or tertiary amines can be used, and the first organic solvent and the second organic solvent It is preferably used in a weight ratio of 1.1: 1 to 4: 1.

포토레지스트의 박리력을 향상시키기 위해서는 높은 pH를 가지는 강알칼리성 아민을 선택적으로 사용하는 것이 바람직한데, 2차 및 3차 아민류를 혼용하여 사용시, 박리액 조성물의 pH 범위가 10 이상(10% Water Solution 기준), 바람직하게는 10.5 이상, 보다 바람직하게는 11 이상인 것이 좋다.In order to improve the peeling force of the photoresist, it is preferable to use a strongly alkaline amine having a high pH selectively. When the secondary and tertiary amines are used in combination, the pH range of the peeling liquid composition is 10 or more (10% Standard), preferably 10.5 or more, and more preferably 11 or more.

상기한 바와 같이, 아민류를 선택적으로 사용함으로써 박리액 조성물에 부식억제제를 별도로 첨가할 필요가 없거나 극소량의 부식억제제만 사용해도 된다.As described above, by selectively using amines, it is not necessary to separately add a corrosion inhibitor to the release liquid composition, or only a very small amount of corrosion inhibitor may be used.

제 1유기용제로 1차 아민류를 사용할 경우에는 부식억제제를 극소량 첨가하는 것이 바람직한데, 글리세린, 솔비톨, 자일리톨 등과 같이 수산화기를 2이상 포함하는 다가 알코올류, 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸, 아미노트리아졸, 카르복실벤조트리아졸, 1-[비스(하이드록시에틸)아미노에틸]톨릴트리아졸, 1-하이드록시 벤조트리아졸(HBT), 니트로 벤조트리아졸(NBT)) 등과 같은 트리아졸류, 카테콜, 솔비톨, 글루코닉산 등이 사용될 수 있을 것이다. 이러한 부식억제제는 하나 이상의 성분으로 이루어질 수 있으며, 그 사용양은 전체 박리액 조성물 대비 0~2중량%인 것이 바람직하다.When primary amines are used as the first organic solvent, it is preferable to add a very small amount of a corrosion inhibitor. Examples thereof include polyhydric alcohols containing two or more hydroxyl groups such as glycerin, sorbitol, xylitol, etc .; polyhydric alcohols such as tolyltriazole, , Triazoles such as carboxybenzotriazole, 1- [bis (hydroxyethyl) aminoethyl] tolyltriazole, 1-hydroxybenzotriazole (HBT), nitrobenzotriazole (NBT) Sorbitol, gluconic acid, and the like. Such a corrosion inhibitor may be composed of one or more components, and it is preferable that the corrosion inhibitor is used in an amount of 0 to 2% by weight based on the total exfoliant composition.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 솔케탈을 포함하는 극성용제와 특정 아민류가 혼용된 박리액 조성물을 사용함으로써, 포토레지스트를 완벽히 박리, 용해시킴과 동시에 포토레지스트가 표면에 재부착되는 것을 최소화할 수 있다. 뿐만 아니라 부식 억제 성능 또한 우수하여 별도의 부식방지제를 첨가할 필요가 없거나 극소량만 첨가해도 부식을 억제시킬 수 있다.As described above, by using the release liquid composition in which the polar solvent containing the sol-gel and the specific amines are mixed, the photoresist can be completely peeled and dissolved and the re-adhesion of the photoresist to the surface can be minimized . In addition, since the corrosion inhibiting performance is excellent, it is not necessary to add an additional corrosion inhibitor or it is possible to suppress corrosion even if only a very small amount is added.

이에 따라 일반적인 TFT LC용 포토레지스트 박리액 조성물에 사용되는 아민류, 양자성 극성 용매류, 비양자성 극성용매류 및 부식방지제의 조성물에서, 솔케탈의 첨가에 따른 박리성능을 최대화 할 수 있는 단순 조성비화 및 환경에 영향을 주는 Al 및 Cu 부식방지제의 함량을 최소화할 수 있는 TFT LCD용 포토레지스트 박리액 조성물을 도출할 수 있었다.
Accordingly, in a composition of amines, protonic solvents, aprotic polar solvents, and corrosion inhibitors used in general photoresist stripper compositions for TFT LC, a simple composition which can maximize the peeling performance by the addition of the socaretal, A photoresist stripping liquid composition for TFT LCD which can minimize the contents of Al and Cu corrosion inhibitors affecting the environment can be derived.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 설명하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. However, the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present invention.

하기 표에서 사용되는 약어의 의미는 아래와 같은 화합물을 지칭하고 박리평가 기준 및 부식 평가기준 또한 아래와 같은 기준으로 표시하기로 한다.The meanings of the abbreviations used in the following table are referred to as the following compounds, and the release evaluation criteria and the corrosion evaluation standards are also indicated by the following criteria.

※ 약어의 의미※ Abbreviation Meaning

NMP: N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone)NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르BDG: diethylene glycol monobutyl ether

MEG: 모노에틸렌글리콜MEG: Monoethylene glycol

DIW: 탈이온수(deionized water)DIW: Deionized water

TT: 톨릴트리아졸(tolyltriazole)TT: tolyltriazole

MEA: 모노에탄올아민, MIPA: 모노이소프로판올아민, DEA: 디에탄올아민, MMEA: 2-메틸아미노에탄올, TEA: 트리에탄올아민, MDEA: 모노메틸디에탄올아민
MEA: monoethanolamine, MIPA: monoisopropanolamine, DEA: diethanolamine, MMEA: 2-methylaminoethanol, TEA: triethanolamine, MDEA: monomethyldiethanolamine

※ 박리 평가기준※ Peeling evaluation standard

◎: 박리성능 우수, ○: 박리성능 양호⊚: Excellent peeling performance, ∘: Good peeling performance

△: 박리성능 양호하지 못함, Х: 박리성능 불량
△: poor peeling performance, Х: poor peeling performance

※ 부식억제 성능 평가기준※ Corrosion inhibition performance evaluation standard

◎: 부식억제 성능 우수, ○: 부식억제 양호?: Excellent corrosion inhibition performance,?: Good corrosion inhibition

△: 부식억제 성능 양호하지 못함, Х: 부식 억제 성능 거의 없음
△: No corrosion inhibition performance, Х: No corrosion inhibition performance

<< 실시예Example 1> 1>

1차 아민, 2차 아민, 3차 아민의 조성비에 따른 구리(Cu), 알루미늄(Al) 부식 억제 성능 및 포토레지스트 박리 성능 특성 평가 결과는 아래 표 1과 같았다. Table 1 shows the evaluation results of copper (Cu) and aluminum (Al) corrosion inhibiting performance and photoresist peeling performance according to composition ratios of primary amine, secondary amine and tertiary amine.

[표 1][Table 1]

Figure 112014008904538-pat00002
Figure 112014008904538-pat00002

상기 표 1에서 알 수 있는 것과 같이, 사용하는 아민의 종류 및 사용량(중량)에 따라 구리 및 알루미늄에 대한 부식 억제 성능 및 포토레지스트 박리성능이 달라질 수 있다.As can be seen from Table 1, the corrosion inhibiting performance against copper and aluminum and the photoresist stripping performance may vary depending on the type and amount (weight) of the amine used.

강알칼리성인 1차 아민을 단독 사용한 조성물 1-1, 1-2의 경우, 포토레지스트 박리성능은 우수하나 구리와 알루미늄 부식 억제 성능이 거의 없음을 알 수 있으며, 2차 아민을 단독 사용한 조성물 1-3, 1-4를 참조해보면 아민 종류에 따라 부식 억제 능력이 양호하지 못하거나 거의 없다는 것을 알 수 있다. 또한, 3차 아민을 단독 사용한 조성물 1-5, 1-6의 경우 부식 억제 성능은 양호하나 박리성능이 불량함을 알 수 있다.The compositions 1-1 and 1-2 using a strong alkali primary amine alone showed excellent photoresist peeling performance but showed almost no copper and aluminum corrosion inhibition performance. The compositions 1-3 , 1-4, it can be seen that the corrosion inhibiting ability is not good or very little depending on the type of amine. In addition, the compositions 1-5 and 1-6 using the tertiary amine alone show good corrosion inhibiting performance but poor peeling performance.

1차 아민과 2차 아민을 혼용하여 사용한 조성물 1-7, 1-8, 1-9, 1-10의 경우를 살펴보면, 알루미늄 부식 억제 성능이 거의 없으며, 아민의 종류 및 중량에 따라 구리 부식 억제 성능과 박리성능이 달라짐을 알 수 있다.In the case of compositions 1-7, 1-8, 1-9, 1-10 using a mixture of primary amine and secondary amine, there is almost no inhibition of aluminum corrosion inhibition, and copper corrosion inhibition The performance and the peeling performance are different.

또한, 1차 아민과 3차 아민을 혼용하여 사용한 조성물 1-11, 1-12, 1-13, 1-14의 경우 역시 알루미늄 부식 억제 성능이 거의 없으며, 아민의 종류 및 중량에 따라 구리 부식 억제 성능과 박리성능이 달라짐을 알 수 있다.In the case of compositions 1-11, 1-12, 1-13 and 1-14 in which primary amines and tertiary amines were used in combination, there was also almost no aluminum corrosion inhibition performance, and copper corrosion inhibition The performance and the peeling performance are different.

사용하는 1차 아민류의 혼합 사용되는 2차 또는 3차 아민류의 양이 1차 아민과 동일하면 박리성능이 비교적 양호하지 못한 편이지만, 1차 아민류의 양이 더 많으면 박리성능이 양호해진다는 것을 알 수 있다. 이로써, 강알칼리성인 1차 아민류가 박리성능에 크게 기여한다는 것을 알 수 있다.Mixing of Primary Amines to be Used When the amount of secondary or tertiary amines used is the same as that of the primary amine, the peeling performance is relatively poor. However, when the amount of primary amines is larger, . As a result, it can be seen that the primary amine having strong alkali activity contributes greatly to the peeling performance.

한편, 1차, 2차 및 3차를 모두 혼용 사용한 조성물 1-15, 1-16, 1-17, 1-18의 경우 여전히 알루미늄에 대한 부식 억제 성능은 거의 없으며, 이들을 동량으로 사용시 박리성능 또한 불량함을 알 수 있다. On the other hand, compositions 1-15, 1-16, 1-17 and 1-18 using both primary, secondary and tertiary carbides still have almost no corrosion inhibiting performance against aluminum, and when using them in the same amount, It can be seen that it is bad.

하지만, 2차 아민과 3차 아민을 혼용 사용한 조성물 1-19, 1-20, 1-21, 1-22의 경우, 구리와 알리미늄 모두에 대한 부식 억제 능력이 양호하다는 것을 알 수 있으며, 2차와 3차 아민의 종류 및 사용량에 따라 박리 성능이 달라짐을 알 수 있다.
However, in the case of compositions 1-19, 1-20, 1-21, and 1-22 in which a secondary amine and a tertiary amine are mixed, it can be seen that the corrosion inhibiting ability is excellent both in copper and in aluminum. It can be seen that the peeling performance varies depending on the type and amount of the tertiary amine and the tertiary amine.

<< 실시예Example 2> 2>

실시예 2에서는 아민의 종류 및 사용량과 함께 극성용제로 BDG와 함께 MEG를 사용하는 대신 솔케탈을 사용할 경우 금속 부식 억제 성능 및 포토레지스트 박리성능에 대한 성능 평가를 실시하였다. 평가 결과는 하기 표 3와 같다.In Example 2, the performance of the metal corrosion inhibiting performance and the photoresist peeling performance were evaluated when using sol-gel instead of MEG together with BDG as a polar solvent together with the type and amount of amine. The evaluation results are shown in Table 3 below.

[표 2][Table 2]

Figure 112014008904538-pat00003
Figure 112014008904538-pat00003

상기 표 2에서 알 수 있는 것과 같이, 조성물 2-1은 표 1의 조성물 1-3과 비교하여 MEG 대신 솔케탈을 사용한 점을 제외하고는 조성물이 동일하다.As can be seen from the above Table 2, the composition 2-1 is the same as the composition 1-3 in Table 1, except that a solketal is used instead of MEG.

표 1에서 확인할 수 있는 것과 같이 조성물 1-3은 구리 및 알루미늄에 대한 부식 억제 성능이 양호하지 못하면서도 박리성능 또한 양호하지 못했지만, 상기 표 2에서 확인할 수 있는 것과 같이, 양자성 극성용제로 MEG 대신 솔케탈을 사용함으로써 포토레지스트 박리성능이 양호해지는 것을 알 수 있다.As can be seen in Table 1, the composition 1-3 did not exhibit satisfactory corrosion inhibition performance against copper and aluminum, but also had poor peeling performance. However, as shown in Table 2, It can be seen that the photoresist peeling performance is improved by using the sol-gel.

또한, 표 1의 조성물 1-4와 표 2의 2-2 또한 극성용제를 달리 사용했을 뿐인데, 솔케탈을 사용할 경우 알루미늄 부식 억제 성능이 향상된다는 것을 확인할 수 있다.In addition, the compositions 1-4 of Table 1 and 2-2 of Table 2 were only used differently for the polar solvent, and it can be confirmed that the use of the soleketal improves the aluminum corrosion inhibition performance.

마찬가지로, 1차 아민과 2차 아민을 혼용 사용한 경우와(조성물 2-3, 2-4), 1차 아민과 3차 아민을 혼용 사용한 경우에도(조성물 2-5, 2-6) 극성용제로 솔케탈을 사용하면 알루미늄 부식 억제 성능과 박리성능이 향상된다는 것을 확인할 수 있다. 특히, 조성물 2-3 내지 2-6의 경우 박리성능이 가장 우수하다.Likewise, when the primary amine and the secondary amine are used in combination (compositions 2-3 and 2-4) and the primary amine and the tertiary amine are used in combination (compositions 2-5 and 2-6), a polar solvent It can be seen that the use of the sole ketal improves the aluminum corrosion inhibition performance and the peeling performance. Particularly, the compositions 2-3 to 2-6 exhibit the best peeling performance.

또한, 2차 아민과 3차 아민을 혼용 사용하고 극성용제로 솔케탈을 사용한 조성물 2-7과 2-8은 극성용제로 MEG를 사용한 경우에 비해 박리성능이 향상됨을 확인할 수 있다.Also, it can be seen that the compositions 2-7 and 2-8 using a secondary amine and a tertiary amine as a solvent and using a solvent as a polar solvent improved the peeling performance as compared with the case where MEG was used as a polar solvent.

이로써, 박리조성물에 솔케탈을 첨가하면 금속에 대한 부식 억제 성능 및 박리 성능이 향상됨을 확인할 수 있다.
As a result, it can be confirmed that the addition of solketal to the peeling composition improves the corrosion inhibiting performance and the peeling performance for the metal.

<< 실시예Example 3> 3>

아민류의 조성비에 따른 박리성능이 최상일 때 솔케탈 첨가 유무에 따른 알루미늄 및 구리 부식 억제 성능을 평가한 결과는 하기 표 3과 같다.Table 3 shows the evaluation results of aluminum and copper corrosion inhibition performance with or without addition of the salketal when the peeling performance according to the composition ratio of amines was the best.

[표 3][Table 3]

Figure 112014008904538-pat00004
Figure 112014008904538-pat00004

표 2에서 아민류의 조성비에 따른 박리성능이 최상일 때의 조성물은, 조성물 2-3, 2-4, 2-5, 2-6 및 2-8임을 알 수 있으며, 표 3에서는 이와 같이 박리성능이 최상인 아민류의 조성비를 유지하면서 솔케탈을 첨가하는 경우와 첨가하지 않는 경우로 나누어 특성 평가를 하였다.It can be seen that the composition when the peeling performance is the best according to the composition ratio of amines in Table 2 is Composition 2-3, 2-4, 2-5, 2-6 and 2-8, and in Table 3, The characteristics were evaluated by dividing the case where the composition ratio of the best amines was maintained while the case where the sol -

상기 표 3을 참조하여 솔케탈을 극성용제로 사용한 경우와 사용하지 않은 경우 금속 부식 억제 성능을 살펴보면, 솔케탈을 사용하지 않은 조성물 3-1, 3-2, 3-3, 3-4 및 3-6에 비해 솔케탈을 사용한 조성물(조성물 2-3, 2-4, 2-5, 2-6, 2-7 및 2-8)의 경우 박리성능은 여전히 우수하면서, 구리 및 알루미늄 모두에 대한 부식 억제 성능이 향상된다는 것을 확인할 수 있다.As shown in Table 3, when the sol-ketal was used as a polar solvent and when it was not used, the corrosion inhibition performance of the metal was examined. The compositions 3-1, 3-2, 3-3, 3-4 and 3- (Composition 2-3, 2-4, 2-5, 2-6, 2-7 and 2-8) compared to the composition (Composition 2-3, 2-7 and 2-8) It can be confirmed that the corrosion inhibiting performance is improved.

또한, 2차 아민과 3차 아민을 혼용 사용한 경우에도 솔케탈을 극성용제로 사용할 경우 부식 억제 성능이 향상된다는 것을 확인할 수 있다.Further, even when a secondary amine and a tertiary amine are used in combination, it can be confirmed that the corrosion inhibiting performance is improved when the solvent is used as a polar solvent.

상기 표 3을 통해 알 수 있는 것과 같이, 솔케탈을 극성용제와 함께 2차 아민과 3차 아민을 혼용 사용할 경우(조성물 2-7 및 2-8) 박리성능이 우수하면서 구리와 알루미늄에 대한 부식 억제 성능 또한 양호하다. 이때, 2차 아민과 3차 아민의 중량비가 1.1:1 내지 4:1, 바람직하게는 2:1 내지 3:1, 보다 바람직하게는 2:1인 것이 금속에 대한 부식 억제 성능 및 박리성능 측면에서 좋다. 아민의 총 함량을 특정 함량으로 고정한 경우 2차 아민과 3차 아민의 중량비가 2:1 이하인 경우에는 상대적으로 박리성능이 저하되고, 2:1 이상인 경우 특히 3:1 이상인 경우에는 부식이 심해질 수 있다. 
As can be seen from Table 3, when the sol-ketal was used in combination with a polar solvent and a secondary amine and a tertiary amine (compositions 2-7 and 2-8), the corrosion resistance to copper and aluminum Suppression performance is also good. At this time, it is preferable that the weight ratio of the secondary amine to the tertiary amine is in the range of 1.1: 1 to 4: 1, preferably 2: 1 to 3: 1, more preferably 2: Good. When the total content of amines is fixed to a specific content, the peeling performance is relatively decreased when the weight ratio of the secondary amine and the tertiary amine is less than 2: 1, and when the weight ratio is more than 2: 1, have.

<< 실시예Example 4> 4>

솔케탈 함량비에 따른 알루미늄/구리 부식 억제 성능 및 포토레지스트 박리성능을 평가한 결과는 하기 표 4와 같다.The evaluation results of the aluminum / copper corrosion inhibiting performance and the photoresist peeling performance according to the soaketal content ratio are shown in Table 4 below.

[표 4][Table 4]

Figure 112014008904538-pat00005
Figure 112014008904538-pat00005

상기 표 4에서 확인할 수 있는 것과 같이, 2차 아민, 3차 아민, 비양자성 극성용제인 NMP와 DIW의 사용량을 동일하게 유지하고, 양자성 극성용제를 박리액 조성물 대비 44중량% 사용시 양자성 극성용제의 조성비를 달리하면 금속 부식 억제 성능과 포토레지스트 박리성능이 달라진다.As can be seen in Table 4, when the amounts of the secondary amine, the tertiary amine, the nonionic polar solvent NMP and the DIW were kept the same, and when the quantitative polar solvent was used in an amount of 44% by weight based on the peeling liquid composition, When the composition ratio of the solvent is different, the metal corrosion inhibiting performance and the photoresist peeling performance are different.

예컨대, 조성물 4-1과 같이, 비양자성 극성용제로 BDG를 24중량%, 솔케탈을 20중량% 사용시 박리성능과 알루미늄 부식 억제 성능이 가장 우수하면서 구리에 대한 부식 억제 성능 또한 양호함을 알 수 있다. For example, when 24% by weight of BDG and 20% by weight of sol-gel are used as an aprotic polar solvent as in Composition 4-1, it has been found that the peeling performance and the aluminum corrosion inhibition performance are the most excellent and the corrosion inhibition performance against copper is also good have.

또한, 조성물 2-8과 조성물 4-1을 비교해보면, 솔케탈의 양이 많아질수록 알루미늄 부식 억제 성능이 향상되는 것을 확인할 수 있다. 하지만, 솔케탈을 30중량% 사용할 경우 오히려 박리성능은 20중량%일 때에 비해 저하된다. 그러나, 이 경우 구리 부식 억제 성능은 오히려 향상된다는 것을 알 수 있다.Further, when comparing the composition 2-8 with the composition 4-1, it can be seen that the aluminum corrosion inhibition performance is improved as the amount of the sarkelet is increased. However, when 30 wt% of the sol-gel is used, the peeling performance is deteriorated as compared with 20 wt%. However, it can be seen that the copper corrosion inhibiting performance is rather improved in this case.

한편, 솔케탈의 양이 BDG에 비해 현저히 많은 조성물 4-3의 경우 구리 및 알루미늄에 대한 부식 억제 성능은 가장 좋아지지만, 포토레지스트 박리 성능이 저하되는 것을 확인할 수 있으며, 반대로 솔케탈의 양이 가장 적은 조성물 4-4의 경우 박리성능은 우수하지만 알루미늄 부식 억제 성능이 그렇게 양호하지는 못하다는 것을 확인할 수 있다.On the other hand, in the case of composition 4-3, in which the amount of sorketal is significantly higher than that of BDG, the corrosion inhibition performance against copper and aluminum is the best, but the photoresist peeling performance is lowered. Conversely, 4-4 shows that although the peeling performance is excellent, the aluminum corrosion inhibition performance is not so good.

따라서, 솔케탈의 양을 조절하여 박리성능과 금속 부식 억제 성능을 적절하게 조절할 수 있다는 것을 알 수 있다.
Therefore, it can be seen that by controlling the amount of the sarkelet, the peeling performance and the metal corrosion inhibiting performance can be adjusted appropriately.

<< 실시예Example 5> 5>

부식방지제 사용에 따른 알루미늄/구리 부식억제 성능을 평가한 결과는 하기 표 5와 같다.The results of evaluating aluminum / copper corrosion inhibition performance by using the corrosion inhibitor are shown in Table 5 below.

[표 5][Table 5]

Figure 112014008904538-pat00006
Figure 112014008904538-pat00006

상기 표 5에서 확인할 수 있는 것과 같이, TT(tolyltriazole)와 같은 고가의 부식 방지제를 사용하지 않고 솔케탈만을 사용한 조성물 4-1과, 솔케탈 대신 TT를 사용한 조성물 5-1, 5-2, 5-3, 5-4를 비교해보면, 솔케탈을 사용할 경우 구리 및 알루미늄 모두에 대한 부식 억제 성능이 더 우수하다는 것을 알 수 있다.As can be seen from the above Table 5, the composition 4-1 using a salketalane without using an expensive corrosion inhibitor such as TT (tolyltriazole) and the compositions 5-1, 5-2, 5 -3, and 5-4, it can be seen that the use of the sol-calc is superior to the corrosion inhibition of both copper and aluminum.

또한, 조성물 5-5와 같이 솔케탈과 TT를 모두 사용할 경우, 극소량의 TT만 사용하더라도 구리 및 알루미늄에 대한 부식 억제 성능이 매우 우수하고, 포토레지스트 박리성능 또한 매우 우수하다는 것을 확인할 수 있다.In addition, when using both Solketal and TT as in Composition 5-5, even when only a very small amount of TT is used, it can be confirmed that the corrosion inhibition performance against copper and aluminum is excellent and the photoresist stripping performance is also excellent.

따라서, 본 발명에 따라 솔케탈을 함유하는 박리액 조성물을 사용할 경우, 고가의 부식 방지제를 별도로 사용할 필요가 없거나 사용하더라도 극소량만 사용하더라도 금속 부식 억제 성능을 향상시킴과 동시에 박리성능 또한 향상시킬 수 있다는 것을 알 수 있다.Accordingly, when the release liquid composition containing the sol-gel is used, it is not necessary to separately use an expensive corrosion inhibitor or even if only a very small amount of the corrosion inhibitor is used, the metal corrosion inhibition performance can be improved and the peeling performance can be improved .

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Accordingly, the embodiments disclosed herein are intended to be illustrative rather than limiting, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all the techniques within the scope of the same should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (11)

(2,2-디메틸-1,3-디옥솔란-4-일)메탄올이 함유된 극성용제; 및
2차 아민류와 3차 아민류로 이루어진 유기용제;를 포함하며,
상기 2차 아민류와 3차 아민류의 중량비는 1.1: 1 내지 4: 1인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
(2,2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl) methanol; And
An organic solvent composed of a secondary amine and a tertiary amine,
Wherein the weight ratio of the secondary amine to the tertiary amine is 1.1: 1 to 4: 1.
제 1항에 있어서,
전체 중량 대비, O.O1중량% 이하인 부식방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the photoresist stripping liquid composition further comprises a corrosion inhibitor in an amount of 0.01% by weight or less based on the total weight.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 (2,2-디메틸-1,3-디옥솔란-4-일)메탄올은 조성물 전체 중량 대비 5-40중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the (2,2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl) methanol is 5-40 wt% based on the total weight of the composition.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
pH가 10 이상(10% water solution 기준)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
wherein the pH is 10 or more (based on 10% water solution).
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 2차 아민류와 3차 아민류의 중량비는 2:1인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the weight ratio of the secondary amine to the tertiary amine is 2: 1.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
조성물 전체 중량 대비, 상기 2차 아민류는 4중량%이고, 상기 3차 아민류는 2중량%이며, 상기 (2,2-디메틸-1,3-디옥솔란-4-일)메탄올은 20중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(2, 2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl) methanol is 20% by weight based on the total weight of the composition, the secondary amine is 4 wt%, the tertiary amines are 2 wt% Wherein the photoresist stripper liquid composition is a photoresist stripper liquid composition.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 2차 아민류 및 3차 아민류는 사슬형인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the secondary amines and the tertiary amines are in a chain type.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 2차 아민류는 디에탄올아민, 2-메틸아민에탄올, 프로필모노에탄올아민 및 부틸에탄올아민으로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되고,
상기 3차 아민류는 트리에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 에틸디에탄올아민, 프로필디에탄올아민 및 부틸디에탄올아민으로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the secondary amine is at least one selected from the group consisting of diethanolamine, 2-methylamine ethanol, propyl-monoethanolamine and butylethanolamine,
Wherein the tertiary amine is at least one selected from the group consisting of triethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylethanolamine, diethylethanolamine, ethyldiethanolamine, propyldiethanolamine and butyldiethanolamine. Resist stripper composition.
제 8항에 있어서,
상기 2차 아민류는 디에탄올아민 또는 2-메틸아미노에탄올이고,
상기 3차 아민류는 트리에탄올아민 또는 모노메틸디에탄올아민인 것을 특징으로 하는 포토레지트 박리액 조성물.
9. The method of claim 8,
Wherein said secondary amine is diethanolamine or 2-methylaminoethanol,
Wherein the tertiary amine is triethanol amine or monomethyl diethanol amine.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 극성용제는,
N-메틸-2-피롤리돈, 설포란, 1,2-디메틸이미다졸, 1,3디-디메틸-2-이미다졸이디논, 1,3-디메틸-3,4,5,6-테트라하이드로-2(1H)-피리미디논, 및 N-N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 비양자성 극성용제와,
디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르, 모노에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르, 모노프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 테트라부틸글리콜 및 폴리부틸렌글리콜로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 양자성 극성용제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The polar solvent includes,
Methyl-2-pyrrolidone, sulfolane, 1,2-dimethylimidazole, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-dimethyl- (1H) -pyrimidinone, and N, N-dimethylpropionamide, and at least one non-polar polar solvent selected from the group consisting of tetrahydro-
Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol methyl ether, monoethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethyl Examples of the organic solvent include glycol, polyethylene glycol, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol methyl ether, monopropylene glycol, dipropylene glycol, Propyleneglycol, tetrabutylglycol, and polybutyleneglycol. 10. The photoresist stripper composition according to claim 1, wherein the photopolymerization initiator is at least one selected from the group consisting of propylene glycol, tetrabutyl glycol, and polybutylene glycol.
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