KR101433768B1 - Apparatus for treating substrate and method for leveling substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 처리 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버의 내부에서 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더부 및 상기 기판 홀더부의 상부에 마련되어 상기 기판 홀더부와의 거리를 측정하는 복수의 센서부를 포함하고, 상기 복수의 센서부는 상기 기판 홀더부의 둘레 방향을 따라 동일한 거리로 상호 이격되는 기판 처리 장치 및 이에 있어서의 기판 수평 조절 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus including a chamber for providing a processing space, a substrate holder for holding an edge of the substrate inside the chamber, and a plurality of sensor units provided on the substrate holder for measuring a distance between the substrate holder and the substrate holder, Wherein the plurality of sensor units are spaced apart from each other by the same distance along the circumferential direction of the substrate holder unit, and a method of horizontally adjusting a substrate in the substrate processing apparatus.

이와 같은, 본 발명은 기판이 안착되는 기판 홀더부의 상부에 마련된 복수의 센서부를 통해 기판 홀더부의 수평 각도를 감지하여 수동식 또는 자동식으로 기판 홀더부를 수평 상태로 조절할 수 있다. 이로 인해, 로딩시 또는 공정 중에 수평에서 어긋난 기판을 언제나 수평 상태로 유지시킬 수 있으므로 기판의 파손을 방지할 수 있고, 공정 효율을 극대화할 수 있다.As described above, according to the present invention, the horizontal angle of the substrate holder can be sensed through a plurality of sensor portions provided on the substrate holder portion on which the substrate is mounted, and the substrate holder portion can be adjusted to a horizontal state manually or automatically. This makes it possible to always keep the substrate shifted horizontally during loading or during the process, thereby preventing breakage of the substrate and maximizing the process efficiency.

기판 홀더, 기판 수평, 정렬, 식각, 세정, 플라즈마 Substrate holder, substrate horizontal, alignment, etching, cleaning, plasma

Description

기판 처리 장치 및 기판 수평 조절 방법{Apparatus for treating substrate and method for leveling substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 수평 조절 방법에 관한 것으로, 보다 상세하는 기판이 놓여지는 기판 홀더부의 수평 각도를 검출하고, 이를 통해 기판 홀더부의 수평 상태를 조절함으로써, 기판을 수평 상태로 유지하여 공정을 진행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 수평 조절 방법에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method for adjusting a horizontal level of a substrate, and more particularly, it relates to a method for detecting a horizontal angle of a substrate holder portion on which a more detailed substrate is placed, To a substrate processing apparatus and a substrate leveling method capable of advancing a substrate.

일반적으로 반도체 소자 및 평판 표시 장치는 복수 회의 박막 증착과 식각 공정을 실시하여 제작된다. 즉, 증착 공정을 실시하여 기판의 소정 영역에 박막을 형성하고, 식각 마스크를 이용한 식각 공정을 실시하여 불필요한 박막의 일부를 제거하여 기판 상에 원하는 소정의 회로 패턴(pattern) 또는 회로 소자를 형성함으로써 제작된다.Generally, a semiconductor device and a flat panel display are manufactured by performing a plurality of thin film deposition and etching processes. That is, a deposition process is performed to form a thin film on a predetermined region of the substrate, and an etching process using an etching mask is performed to remove a part of the unnecessary thin film to form a desired predetermined circuit pattern or circuit element on the substrate .

하지만, 상기의 박막 증착 공정시 기판의 전면에 박막을 형성하고, 상기의 식각 공정시 기판의 중심 영역에 형성된 박막을 식각 타겟(target)으로 하기 때문에 기판의 가장자리에는 박막이 제거되지 않은 상태로 잔류하게 된다. 또한, 식각 공정시 필연적으로 공정 부산물 예를 들어, 파티클(particle)이 퇴적되는 현상이 발생한다. 이와 더불어, 기판과 기판을 지지하는 기판 홀더부 사이에 존재하는 틈을 통해 기판의 하면에도 박막 및 파티클이 퇴적될 수 있다. 이처럼, 기판의 가장자리 및 기판의 하면에는 원치않는 퇴적물이 형성될 수 있는데, 이 퇴적물을 제거하지 않고 계속 공정을 진행할 경우 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점이 발생될 수 있다.However, since the thin film is formed on the entire surface of the substrate during the thin film deposition process and the thin film formed in the central region of the substrate is used as the etching target during the etching process, . Also, in the etching process, a process by-product, for example, a particle is necessarily deposited. In addition, thin films and particles can also be deposited on the bottom surface of the substrate through gaps existing between the substrate and the substrate holder for supporting the substrate. As described above, undesired deposits may be formed on the edge of the substrate and the bottom surface of the substrate. When the continuous process is performed without removing the deposit, many problems such as warping of the substrate and difficulty in alignment of the substrate may occur.

따라서, 최근에는 기판의 가장자리 및 기판의 하면에 존재하는 퇴적물을 제거하기 위한 플라즈마 처리 장치가 개발되고 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치는 기판보다 사이즈가 작은 기판 지지부 상에 기판을 안착시켜 기판의 가장자리를 노출시키고, 기판의 상부에 차폐판을 근접 배치시켜 기판의 상면 중심을 보호한 상태에서 노출된 기판의 가장자리에 형성된 퇴적물을 플라즈마를 이용하여 제거한다.Therefore, recently, a plasma processing apparatus for removing sediments existing on the edge of the substrate and the lower surface of the substrate has been developed. In this plasma processing apparatus, a substrate is placed on a substrate support portion having a smaller size than the substrate to expose the edge of the substrate, and a shielding plate is disposed close to the substrate to protect the top surface of the substrate. The deposited sediment is removed using a plasma.

그러나, 상기의 플라즈마 처리 장치로도 기판의 하면 전체 특히, 하면 중심에 형성된 퇴적물을 완전히 제거할 수 없는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 기판 홀더부 상에 기판의 하면 가장자리를 거치하여 기판의 하면을 노출시키고, 기판의 하부에 가스 분사부를 배치시켜 노출된 기판의 하면 전체에 형성된 퇴적물을 플라즈마를 이용하여 제거하는 방식이 제안되었다. 그러나, 이 경우에도 기판 홀더부에 의해 기판의 하면 가장자리가 덮여지므로, 기판의 하면 가장자리에 형성된 퇴적물이 제거되기 어려운 문제점이 있었다. 한편, 플라즈마 처리 공정중에는 기판이 기판 홀더부 상에 수평으로 배치되는 것이 중요하다. 만일, 기판이 수평에서 어긋나게 배치될 경우 기판이 공정 위치로 이동시 또는 언로딩 위치로 이동시 기판이 떨어져서 파손될 수 있으며, 계속 공정을 진행할 경우 기판의 하면 이 균일하게 식각되지 않는 등의 여러 문제점이 발생한다.However, the plasma processing apparatus described above has a problem that the entire bottom surface of the substrate, in particular, the sediment formed at the center of the bottom surface can not be completely removed. In order to solve such a problem, a lower surface of a substrate is exposed on a bottom edge of a substrate on a substrate holder portion, and a gas injection portion is disposed on a lower portion of the substrate to remove sediments formed on the entire lower surface of the exposed substrate using plasma . However, even in this case, since the bottom edge of the substrate is covered by the substrate holder portion, the deposit formed on the bottom edge of the substrate is difficult to remove. On the other hand, during the plasma treatment process, it is important that the substrate is disposed horizontally on the substrate holder portion. If the substrate is shifted horizontally, when the substrate moves to the process position or to the unloading position, the substrate may be broken and may be damaged. When the process is continued, the bottom surface of the substrate may not be uniformly etched .

본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 기판이 안착되는 기판 홀더부의 상부에 복수의 센서부를 설치하고, 이를 통해 기판 홀더부를 수평 각도를 검출하여 기판 홀더부의 수평 상태를 조절함으로써, 로딩시 또는 공정 중에 수평에서 어긋난 기판을 언제나 수평 상태로 유지시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 수평 조절 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a plasma display apparatus which has a plurality of sensor units mounted on a substrate holder unit on which a substrate is placed, And a substrate processing apparatus and a substrate leveling method capable of always keeping the substrate shifted from the horizontal during the process in a horizontal state.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는, 처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에서 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더부; 및 상기 기판 홀더부의 상부에 마련되어 상기 기판 홀더부와의 거리를 측정하는 복수의 센서부; 를 포함하고, 상기 복수의 센서부는 상기 기판 홀더부의 둘레 방향을 따라 동일한 거리로 상호 이격된다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention includes: a chamber for providing a processing space; A substrate holder for supporting an edge of the substrate inside the chamber; And a plurality of sensor units provided on the substrate holder unit and measuring a distance between the substrate holder unit and the substrate holder unit; Wherein the plurality of sensor portions are mutually spaced at equal distances along the circumferential direction of the substrate holder portion.

상기 복수의 센서부 각각은 상기 챔버의 외측에 마련되는 센서와, 상기 센서에서 출력된 광을 상기 챔버의 내측으로 안내하는 시창 포트를 포함하는 것이 바람직하다.Each of the plurality of sensor units preferably includes a sensor provided outside the chamber and a port for guiding light output from the sensor to the inside of the chamber.

상기 시창 포트는, 상하 양측이 개구된 통 형상의 하우징과, 상기 하우징의 하측 개구를 차폐하는 투광성의 밀봉체를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the window port includes a tubular housing having both upper and lower sides opened, and a light-transmitting sealing member for shielding the lower opening of the housing.

상기 복수의 센서부 각각에서 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 기판 조절 부의 수평 각도를 제어하는 제어부를 포함하는 것이 바람직하다.And a controller for controlling the horizontal angle of the substrate controller using distance information measured by each of the plurality of sensor units.

상기 제어부는 상기 기판 홀더부의 하측에 연결되는 수평 조절부를 통해 상기 기판 조절부의 수평 각도를 제어하는 것이 바람직하다.The controller may control a horizontal angle of the substrate controller through a horizontal controller connected to a lower side of the substrate holder.

본 발명의 다른 측면에 따른 기판 수평 조절 방법은, 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더부의 상부에 복수의 센서를 마련하는 단계; 상기 복수의 센서를 통해 복수의 지점에서 각각의 센서에서 기판 홀더부의 상단 가장자리와의 거리를 측정하는 단계; 및 상기 복수의 센서를 통해 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 기판 홀더부를 수평 상태로 조절하는 단계; 를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of horizontally adjusting a substrate, comprising: providing a plurality of sensors on a substrate holder portion supporting an edge of the substrate; Measuring a distance from each sensor to a top edge of the substrate holder portion at a plurality of points through the plurality of sensors; And adjusting the substrate holder to a horizontal state using distance information measured through the plurality of sensors; .

상기 수평 조절 단계는, 상기 복수의 센서를 통해 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 기판 홀더부의수평 각도를 알아내는 단계 및 상기 수평 각도가 미리 설정된 유효 범위를 벗어나면 상기 기판 홀더부를 수평 상태로 조절하는 단계 를 포함하는 것이 바람직하다.The horizontal adjustment step may include a step of determining the horizontal angle of the substrate holder part using the distance information measured through the plurality of sensors and adjusting the substrate holder part to a horizontal state when the horizontal angle is out of a predetermined effective range Step.

본 발명은 기판이 안착되는 기판 홀더부의 상부에 마련된 복수의 센서부를 통해 기판 홀더부의 수평 각도를 감지하여 수동식 또는 자동식으로 기판 홀더부를 수평 상태로 조절할 수 있다. 이로 인해, 로딩시 또는 공정 중에 수평에서 어긋난 기판을 언제나 수평 상태로 유지시킬 수 있으므로 기판의 파손을 방지할 수 있고, 공정 효율을 극대화할 수 있다.According to the present invention, the horizontal angle of the substrate holder can be sensed through a plurality of sensor portions provided on the substrate holder portion on which the substrate is mounted, and the substrate holder portion can be adjusted to a horizontal state manually or automatically. This makes it possible to always keep the substrate shifted horizontally during loading or during the process, thereby preventing breakage of the substrate and maximizing the process efficiency.

또한, 본 발명은 기판 홀더부가 가스 분사부의 상측 공간 측면을 감싸도록 형성되어 가스 분사부와 기판 배면의 사이 공간에 플라즈마를 가두어줌으로써, 플 라즈마의 잔류 시간이 증대시켜 기판 배면에 대한 플라즈마 처리 효율을 향상시킬 수 있다.Further, the present invention is characterized in that the substrate holder is formed so as to surround the upper space side of the gas injection part, and plasma is confined in the space between the gas spraying part and the back surface of the substrate, thereby increasing the plasma residence time of the plasma, Can be improved.

또한, 본 발명은 기판보다 더 큰 외경을 갖는 기판 홀더부를 통해 수평도를 감지하는 방식이기 때문에 외경이 작은 기판을 통해 수평도를 감지하는 방식에 비하여 좀 더 미세하게 기판의 수평도를 감지할 수 있다.In addition, since the present invention is a method of sensing the horizontalness through the substrate holder portion having a larger outer diameter than the substrate, it is possible to detect the horizontalness of the substrate more finely than the method of detecting the horizontalness through the substrate having a small outer diameter have.

이후, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 더욱 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단순 모식도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 상부 평면도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 기판 수평 조절 방법을 설명하기 위한 일부 구성의 분해 사시도이다.FIG. 1 is a simplified schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a top plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is an exploded perspective view of a part of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention for explaining a method of adjusting a substrate level.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기의 기판 처리 장치는 처리 공간을 제공하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내부의 상측에 마련되어 기판(G)의 상면을 보호하는 차폐부(200)와, 상기 챔버(100) 내부의 하측에 마련되어 기판(G)의 하면에 처리 가스를 분사하는 가스 분사부(300) 및 상기 차폐부(200)와 상기 가스 분사부(300) 사 이의 공간 측면을 소정 높이로 둘러싸고, 상측 단부가 기판(G)의 가장자리를 지지하는 기판 홀더부(400)를 포함한다.1 to 3, the substrate processing apparatus includes a chamber 100 for providing a processing space, a shielding portion 200 provided on the upper side of the chamber 100 to protect the upper surface of the substrate G, A gas spraying unit 300 provided below the chamber 100 for spraying a process gas onto the lower surface of the substrate G and a gas spraying unit 300 disposed below the space between the shielding unit 200 and the gas spraying unit 300 And a substrate holder portion 400 which surrounds the substrate G at a predetermined height and supports an edge of the substrate G at an upper end thereof.

또한, 상기의 기판 처리 장치는 기판 홀더부(400)의 상부에 마련되어 상기 기판 홀더부(400)와의 거리를 측정하는 복수의 센서부(920)와, 상기 가스 분사부(300)의 하측에 연결되어 상기 가스 분사부(300) 및 상기 기판 홀더부(400)의 수평 상태를 조절하는 수평 조절부(910) 및 상기 복수의 센서부(920)를 통해 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 수평 조절부(910)를 제어하는 제어부(930)를 더 포함한다. The substrate processing apparatus includes a plurality of sensor units 920 provided at an upper portion of the substrate holder unit 400 and measuring a distance to the substrate holder unit 400, A horizontal adjustment unit 910 for adjusting the horizontal state of the gas injection unit 300 and the substrate holder unit 400 and a horizontal adjustment unit 910 for adjusting the horizontal state of the gas injection unit 300 and the substrate holder unit 400, And a control unit 930 for controlling the control unit 910.

또한, 상기의 기판 처리 장치는 상기 가스 분사부(300)와 기판(G)의 사이 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단(600) 및 상기 수평 조절부(910)의 하측에 연결되어 상기 분사부(300)와 상기 홀더부(400)를 일체로 승강시키는 승강 구동 수단(500)을 더 포함한다.The substrate processing apparatus may further include a plasma generating means 600 for generating plasma in a space between the gas spraying unit 300 and the substrate G and a plasma generating unit 600 connected to the lower side of the horizontal adjusting unit 910, (500) integrally raising and lowering the holder unit (300) and the holder unit (400).

챔버(100)는 상부가 개방되고 내부가 비어있는 원통 형상의 챔버 몸체(101)와, 상기 챔버 몸체(101)의 상부를 덮어주는 챔버 리드(Lid,102)를 포함하는 분리형으로 제작된다. 물론, 상기 챔버 몸체(101)의 내부 형상은 처리할 기판(G) 즉, 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판의 형상에 대응하여 다양하게 변경될 수 있으며, 상기 챔버 몸체(101) 및 상기 챔버 리드(102)가 일체형으로 제작될 수도 있다. 이러한 챔버(100)의 일측 측벽에는 기판(G)이 상기 챔버(100) 내로 인입될 수 있도록 게이트(110)가 마련되고, 타측 측벽의 하부에는 챔버(100) 내부의 배기를 위한 배기부(120)가 마련된다.The chamber 100 is formed as a separate type including a cylindrical chamber body 101 having an open top and an empty interior and a chamber lid 102 covering the top of the chamber body 101. Of course, the internal shape of the chamber body 101 may be variously changed corresponding to the shape of the substrate G to be processed, that is, the semiconductor wafer or the glass substrate, and the chamber body 101 and the chamber lid 102, May be integrally formed. A gate 110 is provided on one side wall of the chamber 100 to allow the substrate G to be drawn into the chamber 100 and a discharge unit 120 for exhausting the inside of the chamber 100 is provided below the other side wall. ).

상기 게이트(110)는 처리할 기판(G)이 인입되거나 또는 처리된 기판(G)이 인출되도록 개방 및 폐쇄되고, 이를 위해 기판(G)이 출입되는 적어도 하나의 출입구(111) 및 상기 출입구(111)를 개폐하는 개폐부(112)를 구비하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 출입구(111)는 기판 인입 및 기판 인출의 분리 제어를 위해 복수로 형성될 수 있을 것이다. 또한, 상기 배기부(120)는 기판 처리시 발생되는 반응 부산물 및 처리 가스 등을 챔버(100) 외부로 배기하는 역할을 하고, 이를 위해 가스가 배출되는 적어도 하나의 배기구(121) 및 상기 배기구(121)에 연결되어 펌핑 압력을 형성하는 펌핑부(122)를 구비하는 것이 바람직하다. 이때, 배기 속도 및 배기 흐름을 제어하기 위해 상기 배기구(112)는 복수로 형성될 수 있을 것이다.The gate 110 is opened and closed so that the substrate G to be processed is brought in or processed and the processed substrate G is opened and closed. At least one gate 111 and a gate 111) for opening and closing the opening / closing part (112). At this time, the entrance (111) may be formed in plural for controlling separation of the substrate pull-in and substrate pull-out. The exhaust unit 120 serves to exhaust reaction byproducts and process gases generated during substrate processing to the outside of the chamber 100. The exhaust unit 120 includes at least one exhaust port 121 through which the gas is exhausted, And a pumping portion 122 connected to the pumping portion 121 to form a pumping pressure. At this time, the exhaust port 112 may be formed in plural to control the exhaust speed and the exhaust flow.

차폐부(200)는 기판(G) 형상에 대응하며 소정 두께를 갖는 판(plate) 형상으로 제작된다. 이러한 차폐부(200)은 원하는 박막 패턴 예를 들어, 소자 패턴이 형성된 기판(G)의 상면에서 플라즈마가 발생하는 것을 차폐하여 소자 패턴이 손상되는 것을 방지한다. 이를 위해, 차폐부(200)은 절연성 재질 예를 들어, 세라믹으로 형성되는 것이 바람직하고, 차폐부(200)과 기판(G) 사이의 이격 거리는 플라즈마가 비활성화되는 거리로 유지되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 이격 거리를 0.01 내지 0.3mm 범위 내로 조절하는 것이 중요하다. 상기 범위보다 이격 거리가 짧을 경우에는 차폐부(200)에 의해 기판(G) 상면의 소자 패턴이 손상될 수 있고, 상기 범위보다 클 경우에는 기판(G) 상면에 플라즈마가 발생하여 소자 패턴이 식각될 수 있다. 또한, 상기 차폐부(200)은 기판(G)의 상면으로 처리 가스가 유입되는 것을 차단하도록 비활성 가스를 분사할 수 있다. 이를 위해, 챔버(100)의 외측에는 비활성 가 스 공급부(800)가 마련되어 챔버(100)의 내측에 마련된 차폐부(200)에 비활성 가스를 공급된다. 상기 차폐부(200)의 몸체에는 입구가 상기 비활성 가스 공급부(800)에 연통되고 출구가 기판(G) 방향으로 개구되는 적어도 하나의 분사 유로(230)가 형성된다.The shield 200 corresponds to the shape of the substrate G and is formed in a plate shape having a predetermined thickness. The shielding portion 200 shields the plasma from being generated on the upper surface of the desired thin film pattern, for example, the substrate G on which the device pattern is formed, thereby preventing the device pattern from being damaged. For this purpose, the shield 200 is preferably formed of an insulating material, for example ceramic, and the distance between the shield 200 and the substrate G is preferably maintained at a distance such that the plasma is deactivated. That is, it is important to adjust the separation distance within the range of 0.01 to 0.3 mm. If the spacing distance is shorter than the above range, the element pattern on the upper surface of the substrate G may be damaged by the shielding part 200. If the distance is larger than the above range, plasma is generated on the upper surface of the substrate G, . In addition, the shield 200 may inject an inert gas to block the introduction of the process gas into the upper surface of the substrate G. [ To this end, an inert gas supply unit 800 is provided outside the chamber 100 to supply an inert gas to the shield 200 provided inside the chamber 100. The body of the shield 200 is formed with at least one injection passage 230 having an inlet communicating with the inert gas supply part 800 and an outlet opening toward the substrate G. [

상기 차폐부(200)의 외측에는 챔버(100)의 상부벽에서 하방으로 돌출된 복수의 스톱퍼(230)가 마련될 수 있다. 상기의 스톱퍼(230)는 소정 높이를 갖는 핀(pin) 형상으로 제작되고, 후술하는 기판 홀더부(400)의 수평부 상부에 위치되는 것이 바람직하다. 물론, 상기 스톱퍼(230)의 위치는 이에 한정되는 것은 아니며 상기 차폐부(200)의 하측에 형성될 수도 있을 것이다. 이러한 스톱퍼(230)는 기판 홀더부(400)가 일정 높이 이상 상승하는 것을 방지함과 동시에 기판 홀더부(400)의 수평부에 지지된 기판(G)과 차폐부(200)의 이격 거리를 일정하게 유지시켜 준다.A plurality of stoppers 230 protruding downward from the upper wall of the chamber 100 may be provided on the outer side of the shield 200. The stopper 230 is preferably formed in a pin shape having a predetermined height and is positioned above a horizontal portion of a substrate holder 400 described later. Of course, the position of the stopper 230 is not limited to this, but may be formed on the lower side of the shield 200. The stopper 230 prevents the substrate holder 400 from rising above a predetermined height and adjusts the distance between the substrate G supported on the horizontal portion of the substrate holder 400 and the shield 200 by a constant .

가스 분사부(300)는 기판(G) 하측(즉, 처리 공간의 하측 영역)에 위치하여 처리 가스를 상기 처리 공간에 분사하는 분사부(310) 및 상기 분사부(310)에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(320)를 구비한다.The gas spraying unit 300 includes a spraying unit 310 located below the substrate G (that is, a lower area of the process space) for spraying a process gas into the process space, And a gas supply unit 320 for supplying the gas.

상기 분사부(310)는 기판(G) 형상에 대응하며 소정 두께를 갖는 판(plate) 형상으로 제작된다. 이때, 분사부(310)의 사이즈는 기판(G)의 사이즈보다 큰 것이 효과적이다. 이를 통해 기판(G) 하면의 전체 영역에 처리 가스를 균일하게 분사할 수 있다. 본 실시예의 분사부(310)는 샤워 헤드(shower head) 방식으로 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 분사부(310)의 몸체에는 복수의 분사 노즐(311)과, 분사 노즐(311)에 연통된 분사 유로(312)가 마련된다. 분사 유로(312)는 몸체의 내부에 마 련되어 가스 공급부(320)로부터 처리 가스를 공급받는다. 분사 유로(312)는 공급받은 처리 가스를 몸체의 내부에서 확산시킨다. 그리고, 분사 노즐(311)은 분사 유로(312)에 연통되도록 형성된다. 분사 노즐(311)은 분사 유로(312) 내에 넓게 퍼진 처리 가스를 기판(G)의 하면 영역으로 분사한다.The jetting unit 310 is formed in a plate shape corresponding to the shape of the substrate G and having a predetermined thickness. At this time, it is effective that the size of the jetting unit 310 is larger than the size of the substrate G. Thereby uniformly injecting the process gas into the entire area of the bottom surface of the substrate (G). The jetting unit 310 of the present embodiment is preferably configured in a shower head manner. That is, a body of the jetting unit 310 is provided with a plurality of jetting nozzles 311 and a jetting flow channel 312 communicated with the jetting nozzles 311. The injection flow path 312 is disposed inside the body and is supplied with the process gas from the gas supply unit 320. The injection flow path 312 diffuses the supplied process gas inside the body. The injection nozzle 311 is formed so as to communicate with the injection path 312. The injection nozzle 311 injects the processing gas spread in the injection path 312 into the lower region of the substrate G. [

한편, 도시되지는 않았지만, 상기 분사부(310)의 몸체에는 공정 온도의 제어를 위해 냉각 수단 및 가열 수단 중 적어도 어느 하나가 설치될 수도 있음은 물론이다. 또한, 도시되지는 않았지만, 상기 분사부(310)의 몸체에는 기판(G)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 위해 복수의 리프트 핀, 바람직하게는 3개 이상의 리프트 핀이 분사부(310)의 몸체를 상하로 관통하도록 설치된다. 이때, 리프트 핀은 소정 높이에 고정되도록 설치되어, 가스 분사부(300) 및 기판 홀더부(400)가 일체로 승강됨에 따라 리프트 핀이 상대적인 이동을 하여 기판(G)이 로딩 또는 언로딩 위치로 이동될 수 있다.Although not shown, it is needless to say that at least one of the cooling means and the heating means may be installed in the body of the jetting unit 310 for controlling the process temperature. Although not shown, a plurality of lift pins, preferably three or more lift pins, are provided on the body of the jetting unit 310 for loading and unloading the substrate G, 310 so as to pass through the body. At this time, the lift pins are fixed to a predetermined height. As the gas injecting unit 300 and the substrate holder unit 400 are integrally moved up and down, the lift pins relatively move and the substrate G is moved to the loading or unloading position Can be moved.

상기 가스 공급부(320)는 분사 유로(312)에 연통된 연통 유로를 통해 세정 가스를 분사 유로(312)에 제공한다. 가스 공급부(320)를 통해 공급되는 처리 가스는 원하는 공정 목적에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예는 기판(G)의 하면에 형성된 퇴적물(박막 및 파티클)을 제거하기 위해 세정 가스가 공급된다.The gas supply unit 320 supplies a cleaning gas to the injection path 312 through a communication path communicated with the injection path 312. The process gas supplied through the gas supply unit 320 may be variously changed according to a desired process purpose. For example, in this embodiment, a cleaning gas is supplied to remove deposits (thin film and particles) formed on the lower surface of the substrate G.

상기 가스 분사부(300) 및 상기 기판 홀더부(400)의 수평 각도를 조절하기 위하여 이들의 하측에는 수평 조절부(910)가 마련된다. 상기 수평 조절부(910)는 가스 분사부(300) 및 기판 홀더부(400)의 하측이 고정되는 상부판(911)과, 상기 상 부판(911)의 하부에 이격되어 배치되는 하부판(912)과, 상기 상부판(911)에 일단이 고정되고 타단이 상기 하부판(912)을 관통하여 연장되는 복수의 나사봉(913)과, 상기 하부판(912)의 하측에 마련되어 각각의 나사봉(913)이 끼워지는 복수의 너트부(914) 및 상기 너트부(914)에 회전력을 인가하는 복수의 회전 구동부(914)를 포함한다. 이때, 너트부(914)는 회전 구동부(914)에 의해 수평 위치가 고정된 상태에서 회전 구동부(914)에 의해 회전될 수 있도록 구성된다. 이러한 수평 조절부(910)는 회전 구동부(914)가 너트부(914)를 회전시킬 때 나사봉(913)의 나사산과 너트부(914)의 암나사산이 서로 맞물리면서 해당 지점에서 상부판(911)과 하부판(912)의 간격이 커지거나 작아진다. 또한, 하부판(912)은 후술하는 승강 구동 수단(500)의 승강축(510)에 고정되어 있으므로, 각각의 회전 구동부(914)를 서로 다른 회전수로 제어하면 상부판(911)과 하부판(912) 사이의 간격이 서로 달라짐으로써, 고정되지 않은 상부판(510)의 수평 각도가 조절될 수 있다. 이로 인해, 상부판(911)에 의해 지지되는 가스 분사부(300) 및 기판 홀더부(400)의 수평 상태가 조절될 수 있다. 물론, 상기의 수평 조절부(910)는 챔버(100) 외측에 마련될 수도 있으며, 가스 분사부(300) 및 기판 홀더부(400)의 수평 각도를 조절할 수만 있다면 다른 어떠한 수단으로도 변경될 수 있을 것이다.In order to adjust the horizontal angle of the gas injecting unit 300 and the substrate holder 400, a horizontal adjusting unit 910 is provided below the gas injecting unit 300 and the substrate holder 400. The horizontal adjusting unit 910 includes a top plate 911 to which the gas injecting unit 300 and the substrate holder unit 400 are fixed and a bottom plate 912 spaced apart from the bottom of the top plate 911, A plurality of screw rods 913 having one end fixed to the top plate 911 and the other end extending through the bottom plate 912 and a plurality of screw rods 913 provided below the bottom plate 912, And a plurality of rotation driving portions 914 for applying a rotational force to the nut portion 914. The nut portion 914 includes a plurality of nut portions 914, At this time, the nut portion 914 is configured to be rotatable by the rotation driving portion 914 in a state where the horizontal position is fixed by the rotation driving portion 914. The horizontal adjustment portion 910 is configured such that when the rotation driving portion 914 rotates the nut portion 914, the thread of the screw rod 913 and the female screw thread of the nut portion 914 are engaged with each other, The interval of the lower plate 912 becomes larger or smaller. Since the lower plate 912 is fixed to the lifting shaft 510 of the lifting and lowering driving means 500 described later, when the respective rotation driving portions 914 are controlled at different rotational speeds, the upper plate 911 and the lower plate 912 Are different from each other, the horizontal angle of the upper plate 510, which is not fixed, can be adjusted. Accordingly, the horizontal state of the gas jetting part 300 and the substrate holder part 400 supported by the top plate 911 can be adjusted. Of course, the horizontal adjustment unit 910 may be provided outside the chamber 100 and may be changed by any other means as long as the horizontal angle of the gas injection unit 300 and the substrate holder unit 400 can be adjusted. There will be.

상기 가스 분사부(300) 및 상기 기판 홀더부(400)의 승강 구동을 위해 수평 조절부(910)의 하측에는 승강 구동 수단(500)이 마련된다. 이러한 승강 구동 수단(500)은 수평 조절부(910)의 하측에 연결된 승강축(510)과, 상기 승강축(510)을 상하로 이동시키는 승강 구동부(520)를 구비한다. 상기 승강축(510)은 수평 조절 부(910)의 하측에서 챔버(100)의 하방으로 연장되며, 그 연장 단부가 챔버(100) 외측에 마련된 승강 구동부(520)에 연결된다. 승강 구동부(520)는 챔버(100) 외측에서 승강축(510)을 상하로 이동시킴으로써 상기 가스 분사부(300) 및 상기 기판 홀더부(400)를 일체로 승강시킨다. 이때, 승강축(510)이 챔버(100)의 바닥판을 관통하여 외부로 연장되어 있다. 따라서, 본 실시예에서는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버(100)의 바닥판에는 승강축(510)이 관통하는 관통구가 형성된다. 그리고, 상기 관통구에 의한 챔버(100) 내부의 밀봉 파괴를 방지하기 위해 상기 관통구의 둘레를 따라 밸로우즈와 같은 밀봉 수단이 마련된다. 그리고, 도 1에서와 같이 승강축(510)과 수평 조절부(910)의 일부에는 가스 공급부(320)로부터 제공되는 처리 가스가 이동하는 연통 유로가 형성된다.The elevating and lowering driving means 500 is provided below the horizontal adjusting portion 910 for driving the gas injecting portion 300 and the substrate holder 400. The elevating and lowering driving means 500 includes a lifting shaft 510 connected to the lower side of the horizontal adjusting portion 910 and a lifting and lowering driving portion 520 for moving the lifting shaft 510 up and down. The lifting shaft 510 extends downward from the chamber 100 below the horizontal adjuster 910 and has an extended end connected to the lifting and lowering driver 520 provided outside the chamber 100. The lifting and lowering driving unit 520 vertically moves the lifting shaft 510 from the outside of the chamber 100 to thereby raise and lower the gas injecting unit 300 and the substrate holder 400 integrally. At this time, the lifting shaft 510 penetrates the bottom plate of the chamber 100 and extends to the outside. Accordingly, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, a through hole is formed in the bottom plate of the chamber 100 through which the lifting shaft 510 passes. A sealing means such as a bellows is provided along the perimeter of the through-hole so as to prevent seal breakage in the chamber 100 due to the through-hole. 1, a communication passage through which the process gas supplied from the gas supply unit 320 moves is formed in the elevation shaft 510 and a part of the horizontal adjustment unit 910. [

본 실시예에서는 가스 분사부(300)로부터 분사된 처리 가스가 기판(G)의 하면으로 분사될 수 있도록 가스 분사부(300)로부터 소정 거리 이격된 상부 공간에 기판(G)이 배치된다. 이를 위해, 가스 분사부(300)의 외측 둘레에는 소정 높이를 갖는 기판 홀더부(400)가 마련된다. 이러한 기판 홀더부(400)는 가스 분사부(300)의 상부 공간 측면을 소정의 높이로 둘러싸는 측벽부(410)와 상기 측벽부(410)에서 내측으로 연장되어 상기 기판(G)이 안착되는 수평부(420)를 포함한다.The substrate G is disposed in an upper space spaced a predetermined distance from the gas spraying unit 300 so that the process gas injected from the gas spraying unit 300 can be injected to the lower surface of the substrate G. [ To this end, a substrate holder 400 having a predetermined height is provided on the outer periphery of the gas spraying unit 300. The substrate holder 400 includes a sidewall 410 surrounding an upper space side of the gas spraying unit 300 at a predetermined height and a sidewall 410 extending inwardly from the sidewall 410 to seat the substrate G And a horizontal portion 420.

상기 측벽부(410)는 가스 분사부(300)의 측면 외측을 감싸는 형상 예를 들어, 수평 단면이 원형의 링 형상을 이루도록 형성되고, 적어도 그 상단이 가스 분사부(300)보다 상방으로 돌출되도록 형성된다. 이로 인해, 가스 분사부(300)의 상측 공간은 측벽부(410)에 의해 둘러싸이며, 가스 분사부(300)에서 분사된 처리 가 스는 가스 분사부(300)의 상측 공간을 둘러싸는 측벽부(410)에 의해 기판(G)과 가스 분사부(300) 사이의 공간에 가두어진다. 따라서, 기판(G)의 하면으로 분사된 처리 가스가 기판(G)의 하부 측방으로 이동하여 배기되는 것을 차단하여 기판(G)의 하면 가장자리에 대한 플라즈마 처리 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 측벽부(410)는 가스 분사부(300)와 기판(G) 사이의 공간에 처리 가스가 잔류하는 시간을 증대시켜 처리 가스에 의한 기판(G)의 하면 영역에 대한 플라즈마 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 한편, 도 3과 같이 상기 측벽부(410)에는 내외측을 연통시키는 복수의 배기구(411)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예의 측벽부(410)에는 원형의 배기구들(411)이 둘레 방향을 따라 일정하게 이격되어 형성되고, 상하로 형성된 배기구들(411)은 서로 엇갈리게 배열된다. 이러한 배기구들(411)은 가스 분사 및 가스 배기시 상기 측벽부(410) 내측 영역의 가스 흐름을 균일하게 유지시켜주는 역할을 한다.The side wall part 410 is formed so as to surround the outside of the side surface of the gas spraying part 300, for example, a ring-shaped horizontal section, and at least the upper end thereof protrudes upward from the gas spraying part 300 . The upper space of the gas spraying unit 300 is surrounded by the side wall unit 410 and the process gas injected from the gas spraying unit 300 is supplied to the side wall part surrounding the upper space of the gas spraying unit 300 410 to the space between the substrate (G) and the gas spraying part (300). Therefore, it is possible to prevent the process gas injected to the lower surface of the substrate G from moving to the lower side of the substrate G and exhausting it, thereby preventing the plasma processing efficiency of the lower edge of the substrate G from lowering. The side walls 410 increase the time for the process gas to remain in the space between the gas injector 300 and the substrate G so that the plasma processing efficiency for the bottom area of the substrate G Can be improved. 3, a plurality of exhaust ports 411 for communicating the inside and outside of the side wall portion 410 may be formed. For example, in the present embodiment, the circular exhaust ports 411 are formed at regular intervals in the circumferential direction, and the exhaust ports 411 formed at the upper and lower sides are arranged alternately. The exhaust holes 411 serve to uniformly maintain the gas flow in the inner region of the sidewall 410 during gas injection and gas exhaust.

상기 수평부(420)는 측벽부(410)의 상단에서 내측 방향으로 연장되어 형성되고, 연장 단부 즉, 기판(G)의 가장자리가 안착되는 영역에는 둘레 방향을 따라 소정의 단턱이 형성된다. 물론, 상기의 단턱은 수평부(420)의 둘레 전체에 형성되는 것이 아니라 둘레 방향을 따라 일부 영역에만 부분적으로 형성될 수도 있을 것이다. 또한, 도시되지는 않았지만, 상기 수평부(420)에는 차폐부(200)의 하면 가장자리에서 돌출되는 스톱퍼(230)의 하측에 상기 스톱퍼(230)의 하단 일부가 수용되는 고정홈이 마련되는 것이 바람직하다.The horizontal part 420 is formed to extend inward from the upper end of the side wall part 410 and a predetermined step is formed along the circumferential direction at the extended end, that is, the area where the edge of the substrate G is seated. Of course, the step may not be formed on the entire circumference of the horizontal portion 420 but may be partially formed on a partial region along the circumferential direction. Although it is not shown in the drawings, the horizontal portion 420 is provided with a fixing groove for receiving a lower end portion of the stopper 230 below the stopper 230 protruding from the bottom edge of the shield 200 Do.

이와 같은 기판 홀더부(400)는 측벽부(410)의 하단이 간격 조절부(440)에 연 결되어 수평 조절부(910)에 고정되는 것이 바람직하다. 상기의 간격 조절부(440)는 탄성체(441)를 구비하므로, 상단에 외력이 가해지거나 가해진 외력이 제거될 때 일정 범위 내에서 전체 길이가 상하로 축소되거나 신장된다. 따라서, 승강 구동 수단(500)에 의해 가스 분사부(300) 및 기판 홀더부(400)가 일체로 상승할 시 기판 홀더부(400)의 상단이 스톱퍼(230)에 닿아 기판 홀더부(400)의 상승이 저지되더라도 일정 범위 내에서는 가스 분사부(300)만을 좀 더 상승시킬 수 있다. 이로 인해, 기판(G)을 지지하는 가스 지지부(400)와 가스 분사부(300)가 단일의 승강 구동 수단(500)에 연결되어 있더라도 기판(G)과 가스 분사부(300) 사이의 이격 거리를 자유롭게 제어할 수 있다.It is preferable that the lower end of the side wall part 410 is connected to the gap adjusting part 440 and fixed to the horizontal adjusting part 910 in such a substrate holder part 400. [ Since the gap adjusting unit 440 includes the elastic body 441, when the external force is applied to the upper end or when the applied external force is removed, the entire length of the gap adjusting unit 440 is reduced or expanded in a certain range. When the gas injecting unit 300 and the substrate holder 400 integrally move up by the elevation driving unit 500, the upper end of the substrate holder unit 400 contacts the stopper 230, It is possible to further raise the gas spraying unit 300 within a certain range. Even if the gas supporter 400 supporting the substrate G and the gas injector 300 are connected to the single lifting and driving means 500, the gap G between the substrate G and the gas injector 300 Can be freely controlled.

한편, 본 실시예에서는 가스 분사부(300)와 기판(G)의 사이 영역에 플라즈마를 발생시켜 처리 가스를 활성화시켜 처리 효율을 증대시킬 수 있다. 이를 위해 다양한 형태의 플라즈마 발생 수단(600)이 사용될 수 있다. 이때, 상기 가스 분사부(300)와 차폐부(200)를 두 전극으로 사용하여 플라즈마를 발생시키는 용량성 결합 플라즈마 방식을 통해 플라즈마를 생성하는 것이 효과적이다. 이를 위해, 플라즈마 발생 수단(600)은 가스 분사부(300)에 고주파의 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원 공급부를 구비하고, 상기 차폐부(200)에 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압 공급부를 더 구비할 수 있다. 이때, 상기 가스 분사부(300)의 분사부 몸체(310)가 전극으로 사용될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 상기 세정 가스 분사부(300) 내에 별도의 플라즈마 전극판이 마련될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 전극판은 분사부 몸체(310) 내에 위치할 수도 있고, 분사부 몸체(310)의 상측 표면에 위치할 수도 있다. 물론, 이에 한정되지 않고, 외부 안테나를 이용한 유도결합 플라즈마 방식을 통해 플라즈마를 발생시킬 수도 있다.On the other hand, in this embodiment, plasma can be generated between the gas spraying unit 300 and the substrate G to activate the process gas, thereby increasing the treatment efficiency. Various types of plasma generating means 600 may be used for this purpose. At this time, it is effective to generate the plasma through the capacitive coupled plasma method in which the gas injecting unit 300 and the shielding unit 200 are used as two electrodes to generate plasma. To this end, the plasma generating unit 600 includes a plasma power supply unit for supplying a high frequency plasma power to the gas injecting unit 300, and further includes a bias voltage supplying unit for supplying a bias voltage to the shielding unit 200 . At this time, the spraying body 310 of the gas spraying unit 300 may be used as an electrode. However, the present invention is not limited thereto, and a separate plasma electrode plate may be provided in the cleaning gas spraying unit 300. In addition, the plasma electrode plate may be positioned within the sprayer body 310 or may be located on the upper surface of the sprayer body 310. Of course, the plasma may be generated through an inductively coupled plasma method using an external antenna.

특히, 본 실시예에서는 공정시에 기판면이 수평 상태를 이루도록 제어하기 위해 기판(G)이 안착되는 기판 홀더부(400)를 수평 각도를 제어하는 수단이 구비된다. 즉, 도 1과 같이 챔버(100)의 상부벽에는 기판 홀더부(400)의 수평부(420)에 대응하여 복수의 센서부(920)가 관통 설치되고, 도 3와 같이 각각의 센서부(920a,920b,920c)는 기판 홀더부(400)의 둘레 방향을 따라 동일한 거리로 이격된다. 이러한 각각의 센서부(920a,920b,920c)는 챔버(100)의 상부벽 외측에 마련되는 센서(921)와, 상기 센서(921)에서 출력된 광을 상기 챔버(100)의 상부벽 내측으로 안내하는 시창 포트(921)를 포함한다. 또한, 각각의 센서부(920a,920b,920c)에서 측정된 거리 정보를 수집하여 기판(G)의 수평 상태를 알아내는 제어부(930)를 구비한다.Particularly, in this embodiment, means for controlling the horizontal angle of the substrate holder 400 on which the substrate G is mounted is provided for controlling the substrate surface to be in a horizontal state in the process. 1, a plurality of sensor units 920 are installed in the upper wall of the chamber 100 in correspondence with the horizontal portion 420 of the substrate holder 400, 920a, 920b, and 920c are spaced the same distance along the circumferential direction of the substrate holder portion 400. [ Each of the sensor units 920a, 920b and 920c includes a sensor 921 provided outside the upper wall of the chamber 100 and a sensor 921 disposed inside the upper wall of the chamber 100 And a guide port 921 for guidance. The control unit 930 collects distance information measured by the respective sensor units 920a, 920b, and 920c to determine the horizontal state of the substrate G. [

상기 센서(921)는 소정 파장의 광을 출력하고, 기판 홀더부(400)의 수평부(420)에서 반사된 광을 입력받아 이들 사이의 거리를 측정한다. 이러한 센서(921)는 레이져 센서를 사용할 수 있고, 도 2 및 도 3과 같이 복수의 지점에서 기판 홀더부(400)와의 거리를 측정할 수 있도록 적어도 3개 이상의 복수(921a,921b,921c)로 구성되는 것이 바람직하다. The sensor 921 outputs light of a predetermined wavelength and receives the light reflected from the horizontal portion 420 of the substrate holder 400 and measures the distance therebetween. The sensor 921 may be a laser sensor and may include at least three or more pluralities 921a, 921b, and 921c so as to measure the distance from the substrate holder 400 at a plurality of points as shown in FIG. 2 and FIG. .

상기 시창 포트(922)는 챔버(100)의 상부벽을 관통하도록 설치되고, 센서(921)에서 출력된 광을 기판 홀더부(400)의 수평부(420)로 안내하는 역할을 한다. 이러한 시창 포트(922)는 상하 양측이 개구된 통 형상의 하우징(922a) 및 적어 도 상기 하우징(922b)의 하측 개구를 차폐하는 투광성의 밀봉체(922b)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 하우징(922a)은 그 상단부가 챔버(100)의 상부벽을 관통하여 고정되도록 설치되고, 그 하단부가 기판 홀더부(400)의 수평부(420)에 근접되도록 하향 돌출되는 것이 바람직하다. 상기 투광성의 밀봉체(922b)는 센서(921)에서 출력된 광이 투과할 수 있는 재질 예를 들어, 석영, 유리 등으로 제작되는 것이 바람직하며, 적어도 하우징(922a)의 하측 개구를 차폐하도록 설치된다. 즉, 하우징(922a)의 내부가 투광성의 밀봉체(922b)로 모두 채워질 수도 있다.The port 922 is provided to penetrate the upper wall of the chamber 100 and serves to guide the light output from the sensor 921 to the horizontal portion 420 of the substrate holder 400. Such a port 922 may include a tubular housing 922a having both upper and lower sides opened and a light-transmitting sealing member 922b for shielding at least the lower opening of the housing 922b. It is preferable that the housing 922a is installed such that an upper end of the housing 922a passes through the upper wall of the chamber 100 and the lower end of the housing 922a protrudes downward to be close to the horizontal portion 420 of the substrate holder 400. [ The light transmitting sealing member 922b is preferably made of a material such as quartz or glass that can transmit the light output from the sensor 921 and is installed to shield at least the lower opening of the housing 922a do. That is, the inside of the housing 922a may be filled with the light-transmitting sealing member 922b.

도 3을 참조하면, 각각의 센서부(920a,920b,920c)에서 측정된 거리 정보는 제어부(930)로 전송되고, 제어부(930)는 이를 해석하여 기판 홀더부(400)의 수평 각도(또는 수평 상태)를 알아낸다. 한편, 본 실시예는 제어부(930)에서 알아낸 기판 홀더부(400)의 수평 각도를 이용하여 작업자가 직접 기판 홀더부(400)의 수평 상태를 조절하는 수동식과, 제어부(930)가 스스로 기판 홀더부(400)의 수평 상태를 조절하는 자동식 두 가지 방식으로 수평 상태에서 어긋난 기판(G)을 다시 수평 상태로 조절할 수 있다. 먼저, 수동식의 경우 제어부(930)는 기판 홀더부(400)의 수평 각도가 미리 설정된 유효 범위를 벗어나면 이를 작업자에게 고지한다. 이때, 고지 수단은 모니터, 경고등, 알림벨 등의 다양한 고지 수단이 사용될 수 있을 것이다. 따라서, 작업자는 고지 수단을 통해 기판 홀더부(400)의 수평 상태를 인지하여 수평 조절부(910)를 통해 기판 홀더부(400)의 수평 각도를 다시 조절하여 기판 홀더부(400)를 원하는 수평 상태로 조절할 수 있다. 반면, 자동식의 경우 제어부(930)는 기판 홀더부(400)의 수평 각도가 미리 설정된 유효 범위를 벗어나면 유 효 범위에서 벗어난 각도 즉, 보정 각도를 계산하고, 수평 조절부(910)를 통해 보정 각도만큼 기판 홀더부(400)의 수평 각도를 다시 조절하여 기판 홀더부(400)를 원하는 수평 상태로 조절할 수 있다.3, the distance information measured by each of the sensor units 920a, 920b, and 920c is transmitted to the controller 930. The controller 930 interprets the distance information to determine the horizontal angle of the substrate holder 400 Horizontal state). In this embodiment, the operator manually adjusts the horizontal state of the substrate holder 400 using the horizontal angle of the substrate holder 400 obtained from the controller 930, The substrate G can be horizontally adjusted again in a horizontal state by two automatic methods of adjusting the horizontal state of the holder 400. [ First, in the case of the manual type, the controller 930 notifies the operator of the fact that the horizontal angle of the substrate holder 400 is out of the predetermined effective range. At this time, the notification means may use various notification means such as a monitor, a warning light, and a notification bell. Accordingly, the operator recognizes the horizontal state of the substrate holder 400 through the notch means and adjusts the horizontal angle of the substrate holder 400 through the horizontal adjuster 910 to adjust the substrate holder 400 to a desired horizontal State. On the other hand, in the case of the automatic type, when the horizontal angle of the substrate holder 400 is out of the predetermined effective range, the controller 930 calculates an angle that is out of the effective range, that is, a correction angle, The substrate holder 400 can be adjusted to a desired horizontal state by adjusting the horizontal angle of the substrate holder 400 by an angle.

이와 같이, 본 실시예는 기판(G)이 안착되는 기판 홀더부(400)의 상부에 마련된 복수의 센서부(920)를 통해 기판 홀더부(400)의 수평 각도를 감지하여 수동식 또는 자동식으로 기판 홀더부(400)를 수평 상태로 조절할 수 있다. 이로 인해, 로딩시 또는 공정 중에 수평에서 어긋난 기판(G)을 언제나 수평 상태로 유지시킬 수 있으므로 기판(G)의 파손을 방지할 수 있고, 공정 효율을 극대화할 수 있다.As described above, in this embodiment, the horizontal angle of the substrate holder 400 is sensed through a plurality of sensor units 920 provided on the upper part of the substrate holder 400 on which the substrate G is placed, The holder portion 400 can be adjusted to a horizontal state. This allows the substrate G to be always held in the horizontal state during loading or during the process so that breakage of the substrate G can be prevented, and the process efficiency can be maximized.

이상, 본 발명에 대하여 전술한 실시예 및 첨부된 도면을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명이 다양하게 변형 및 수정될 수 있음을 알 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단순 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a simplified schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 상부 평면도.2 is a top plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 기판 수평 조절 방법을 설명하기 위한 일부 구성의 분해 사시도.FIG. 3 is an exploded perspective view of a part of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, for explaining a method of horizontally adjusting a substrate. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100: 챔버 200: 차폐부100: chamber 200: shielding part

300: 가스 분사부 400: 기판 홀더부300: gas jetting part 400: substrate holder part

500: 승강 구동 수단 600: 플라즈마 발생 수단500: lift driving means 600: plasma generating means

910: 수평 조절부 920: 센서부910: horizontal adjustment unit 920:

930: 제어부930:

Claims (7)

처리 공간을 제공하는 챔버;A chamber for providing a processing space; 상기 챔버의 상부벽에서 하방으로 돌출된 스톱퍼;A stopper protruding downward from an upper wall of the chamber; 상기 처리 공간에 로딩된 기판의 하측에 위치하는 가스 분사부;A gas spraying unit positioned on a lower side of the substrate loaded in the processing space; 상기 챔버의 내부에서 기판의 가장자리를 지지하도록 상기 가스 분사부의 상부 공간 측면을 소정의 높이로 둘러싸는 측벽부와 상기 측벽부에서 내측으로 연장되어 상기 기판이 안착되는 수평부를 구비한 기판 홀더부;A substrate holder part having a side wall part enclosing an upper space side of the gas injection part at a predetermined height so as to support an edge of the substrate inside the chamber and a horizontal part extending inward from the side wall part and seating the substrate; 상기 기판 홀더부의 하측에 연결되어 상기 가스 분사부와 기판 홀더부의 수평 상태를 조절하는 수평 조절부;A horizontal adjuster connected to a lower side of the substrate holder to adjust the horizontal state of the gas injector and the substrate holder; 상기 기판 홀더부의 측벽부와 상기 수평 조절부를 연결하는 탄성체의 간격 조절부; An elastic member gap adjusting unit connecting the side wall of the substrate holder to the horizontal adjusting unit; 상기 가스 분사부 및 기판 홀더부를 함께 승강 구동을 하는 승강 구동 수단;Lift driving means for moving the gas spraying portion and the substrate holder portion up and down together; 상기 기판 홀더부의 상부에 마련되어 상기 기판 홀더부와의 거리를 측정하는 복수의 센서부; 및A plurality of sensor units provided on the substrate holder unit and measuring a distance from the substrate holder unit; And 상기 복수의 센서부 각각에서 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 기판 홀더부의 수평 각도를 제어하는 제어부;를 포함하고,And a control unit for controlling a horizontal angle of the substrate holder unit using distance information measured by each of the plurality of sensor units, 상기 승강 구동 수단에 의하여 상기 수평 조절부를 상승시킬 때 상기 기판 홀더부의 상단이 스톱퍼에 닿아 상기 기판 홀더부가 상승되지 않더라도 상기 간격 조절부에 의해 상기 가스 분사부만이 상승하여 기판 홀더부의 수평부와 가스 분사부 사이의 이격 거리를 조절함을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Even when the substrate holder portion is not lifted up by the upper end of the substrate holder portion when the horizontal adjustment portion is raised by the lifting / lowering drive means, only the gas spraying portion is lifted by the gap adjusting portion, And the distance between the ejection portions is adjusted. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 복수의 센서부 각각은,Wherein each of the plurality of sensor units comprises: 상기 챔버의 외측에 마련되는 센서와, 상기 센서에서 출력된 광을 상기 챔버의 내측으로 안내하는 시창 포트를 포함하는 기판 처리 장치.A sensor provided outside the chamber and a port for guiding light output from the sensor to the inside of the chamber. 청구항 2에 있어서,The method of claim 2, 상기 시창 포트는,Wherein the port- 상하 양측이 개구된 통 형상의 하우징과, 상기 하우징의 하측 개구를 차폐하는 투광성의 밀봉체를 포함하는 기판 처리 장치.A cylindrical housing having upper and lower sides opened; and a translucent sealing member for shielding a lower opening of the housing. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 복수의 센서부는 상기 기판 홀더부의 둘레 방향을 따라 동일한 거리로 상호 이격되는 기판 처리 장치.Wherein the plurality of sensor portions are spaced apart from each other by the same distance along the circumferential direction of the substrate holder portion. 청구항 4에 있어서,The method of claim 4, 상기 제어부는 상기 수평 조절부를 통해 상기 기판 홀더부의 수평 각도를 제어하는 기판 처리 장치.Wherein the controller controls the horizontal angle of the substrate holder through the horizontal adjuster. 처리 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버의 상부벽에서 하방으로 돌출된 스톱퍼와, 상기 처리 공간에 로딩된 기판의 하측에 위치하는 가스 분사부와, 상기 챔버의 내부에서 기판의 가장자리를 지지하도록 상기 가스 분사부의 상부 공간 측면을 소정의 높이로 둘러싸는 측벽부와 상기 측벽부에서 내측으로 연장되어 상기 기판이 안착되는 수평부를 구비한 기판 홀더부와, 상기 기판 홀더부의 하측에 연결되어 상기 가스 분사부와 기판 홀더부의 수평 상태를 조절하는 수평 조절부와, 상기 기판 홀더부의 측벽부와 상기 수평 조절부를 연결하는 탄성체의 간격 조절부와, 상기 가스 분사부 및 기판 홀더부를 함께 승강 구동을 하는 승강 구동 수단;과, 상기 기판 홀더부의 상부에 마련되어 상기 기판 홀더부와의 거리를 측정하는 복수의 센서부와, 상기 복수의 센서부 각각에서 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 기판 홀더부의 수평 각도를 제어하는 제어부;를 포함하고, 상기 승강 구동 수단에 의하여 상기 수평 조절부를 상승시킬 때 상기 기판 홀더부의 상단이 스톱퍼에 닿아 상기 기판 홀더부가 상승되지 않더라도 상기 간격 조절부에 의해 상기 가스 분사부만이 상승하여 기판 홀더부의 수평부와 가스 분사부 사이의 이격 거리를 조절하는 기판 처리 장치의 기판 수평 조절 방법에 있어서,A stopper protruding downward from an upper wall of the chamber; a gas spraying unit positioned below the substrate loaded in the process space; A substrate holder portion having a side wall portion surrounding an upper space side of the gas injection portion at a predetermined height and a horizontal portion extending inward from the side wall portion and seating the substrate; A horizontal adjusting unit for adjusting the horizontal state of the substrate holder and the horizontal holder, a gap adjusting unit for connecting the side wall of the substrate holder and the horizontal adjusting unit, and a vertical movement driving unit for moving the gas spraying unit and the substrate holder together A plurality of sensor units provided on the substrate holder unit for measuring a distance between the substrate holder unit and the substrate holder unit, And a control unit for controlling the horizontal angle of the substrate holder unit using the distance information measured by each of the sensor units. When the horizontal adjustment unit is raised by the elevation driving unit, the upper end of the substrate holder contacts the stopper, And adjusting the spacing distance between the horizontal part of the substrate holder and the gas spraying part by only the gas spraying part rising by the gap adjusting part even if the holder part is not elevated, 상기 복수의 센서부를 통해 복수의 지점에서 각각의 센서부에서 기판 홀더부의 상단 가장자리와의 거리를 측정하는 단계; 및Measuring a distance from each sensor portion to a top edge of the substrate holder portion at a plurality of points through the plurality of sensor portions; And 상기 복수의 센서부를 통해 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 기판 홀더부를 수평 상태로 조절하는 단계; 를 포함하는 기판 수평 조절 방법.Adjusting the substrate holder unit to a horizontal state using distance information measured through the plurality of sensor units; / RTI &gt; 청구항 6에 있어서,The method of claim 6, 상기 수평 조절 단계는,Wherein the horizontal adjustment step comprises: 상기 복수의 센서부를 통해 측정된 거리 정보를 이용하여 상기 기판 홀더부의 수평 각도를 알아내는 단계; 및Determining a horizontal angle of the substrate holder using distance information measured through the plurality of sensor units; And 상기 수평 각도가 미리 설정된 유효 범위를 벗어나면 상기 기판 홀더부를 수평 상태로 조절하는 단계; 를 포함하는 기판 수평 조절 방법.Adjusting the substrate holder to a horizontal state when the horizontal angle is out of a preset effective range; / RTI &gt;
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