KR101942513B1 - Apparatus for plasma cleaning and method for plasma cleaning - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 세정장치 및 세정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 가장자리와 측면 및 기판의 하부면을 단일 챔버에서 세정할 수 있는 플라즈마 세정장치 및 세정방법에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 세정장치는 기판의 세정 공정이 수행되는 챔버; 및 상기 챔버 내부의 제1 영역과 제2 영역에 각각 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하고, 상기 전원공급부는 상기 제1 영역의 플라즈마 형성을 위한 전원과 상기 제2 영역의 플라즈마 형성을 위한 전원을 순차적으로 공급하며, 상기 제1 영역에 형성된 플라즈마와 상기 제2 영역에 형성된 플라즈마는 상기 기판의 서로 다른 부분을 세정할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma cleaning apparatus and a cleaning method, and more particularly, to a plasma cleaning apparatus and a cleaning method capable of cleaning an edge and a side surface of a substrate and a lower surface of the substrate in a single chamber.
A plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber in which a cleaning process of a substrate is performed; And a power supply for supplying a power for forming a plasma to each of a first region and a second region in the chamber, wherein the power supply unit supplies power for plasma formation of the first region, The plasma generated in the first region and the plasma formed in the second region may be used to clean different portions of the substrate.

Description

플라즈마 세정장치 및 세정방법{Apparatus for plasma cleaning and method for plasma cleaning}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a plasma cleaning apparatus and a plasma cleaning method,

본 발명은 플라즈마 세정장치 및 세정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 측면 및 기판의 하부면을 단일 챔버에서 세정할 수 있는 플라즈마 세정장치 및 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma cleaning apparatus and a cleaning method, and more particularly, to a plasma cleaning apparatus and a cleaning method capable of cleaning a side surface of a substrate and a lower surface of the substrate in a single chamber.

실리콘 웨이퍼 등 기판의 상부면에 집적회로를 형성하기 위해서는 박막 증착 공정, 사진묘화 공정, 식각 공정, 세정 공정 등의 단위공정들이 일괄적으로 또는 반복적으로 수행된다. 일괄 공정 중 생성되는 파티클은 반도체 소자의 수율에 직접적인 영향을 주는 요소로서 주로 세정 공정을 통하여 반복적으로 제거된다.In order to form an integrated circuit on the upper surface of a substrate such as a silicon wafer, unit processes such as a thin film deposition process, a photographic imaging process, an etching process, and a cleaning process are performed collectively or repeatedly. The particles generated in the batch process are elements that directly affect the yield of semiconductor devices and are mainly removed repeatedly through the cleaning process.

세정 공정은 주로 용제나 초순수에 침적하고 교반하여 파티클을 제거하는 습식 세정으로 행해지고 있으나, 세정 공정 장치는 기판의 측면 또는 하부면을 물리적으로 접촉하여 고정하기 때문에 세정 공정 동안 기판에 증착된 박막이 측면 또는 하부면에서 탈착될 수 있는 문제점이 발생된다. 다시 말하면, 기판의 측면 또는 하부면에 증착되어 있던 박막이 습식 세정 공정 중에 탈착되어 기판의 상부면에 파티클로 남게 되어 반도체 소자의 수율을 저하시키는 한 원인이 된다.The cleaning process is mainly performed by wet cleaning in which particles are removed by immersion and stirring in a solvent or ultrapure water. However, since the cleaning process apparatus physically contacts and fixes the side surface or the lower surface of the substrate, the thin film deposited on the substrate during the cleaning process, Or may be detached from the lower surface. In other words, the thin film deposited on the side surface or the lower surface of the substrate is desorbed during the wet cleaning process and remains as particles on the upper surface of the substrate, which is a cause of lowering the yield of semiconductor devices.

기판의 측면 및 기판의 하부면에 증착된 박막은 습식 세정 공정뿐만 아니라 다른 공정에서도 기판 처리시의 기계적인 접촉 또는 열적 스트레스 등에 의하여 파티클을 생성할 수 있는 내적 요인이 된다. 또한, 기판의 측면에서의 금속 성분이 플라즈마 아킹(plasma arcing)을 유발하여 반도체 소자의 생산성 저하 및 경제적 손실을 발생시킨다.The thin film deposited on the side surface of the substrate and the lower surface of the substrate is an internal factor that can generate particles by mechanical contact or thermal stress during substrate processing as well as wet cleaning process in other processes. In addition, the metal component on the side surface of the substrate induces plasma arcing, resulting in lower productivity and economic loss of the semiconductor device.

한편, 기판의 측면 및 기판의 하부면을 건식 세정하는 경우에는 기판 측면의 세정과 기판 하부면의 세정을 서로 다른 챔버에서 별도의 공정으로 진행하게 되어 기판의 세정시에 기계적인 접촉, 플라즈마에 의한 가열 등으로 인한 기판의 스트레스(stress)가 증가하며, 공정 시간이 늘어나는 문제점이 있다.On the other hand, when the side surface of the substrate and the lower surface of the substrate are dry-cleaned, the cleaning of the side surface of the substrate and the cleaning of the lower surface of the substrate proceed to separate processes in different chambers, The stress of the substrate due to heating or the like is increased, and the process time is increased.

한국등록특허공보 제10-0696955호Korean Patent Registration No. 10-0696955

본 발명은 기판의 측면 및 기판의 하부면을 단일 챔버에서 인시튜로 세정할 수 있는 플라즈마 세정장치 및 세정방법을 제공한다.The present invention provides a plasma cleaning apparatus and cleaning method capable of cleaning a side surface of a substrate and a lower surface of the substrate in situ in a single chamber.

본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 세정장치는 기판의 세정 공정이 수행되는 챔버; 및 상기 챔버 내부의 제1 영역과 제2 영역에 각각 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하고, 상기 전원공급부는 상기 제1 영역의 플라즈마 형성을 위한 전원과 상기 제2 영역의 플라즈마 형성을 위한 전원을 순차적으로 공급하며, 상기 제1 영역에 형성된 플라즈마와 상기 제2 영역에 형성된 플라즈마는 상기 기판의 서로 다른 부분을 세정할 수 있다.A plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber in which a cleaning process of a substrate is performed; And a power supply for supplying a power for forming a plasma to each of a first region and a second region inside the chamber, wherein the power supply unit supplies power for plasma formation of the first region, The plasma generated in the first region and the plasma formed in the second region may be used to clean different portions of the substrate.

상기 기판의 상부면에 대향하도록 배치되는 기판 가열부;를 더 포함할 수 있다.And a substrate heating unit arranged to face the upper surface of the substrate.

상기 기판의 상부면 온도를 측정하는 제1 온도센서; 및A first temperature sensor for measuring the temperature of the upper surface of the substrate; And

상기 기판의 하부 온도를 측정하는 제2 온도센서;를 더 포함할 수 있다.And a second temperature sensor for measuring a lower temperature of the substrate.

상기 챔버는 상기 기판의 상부면에 대향하는 절연부를 포함할 수 있다.The chamber may include an insulating portion facing the upper surface of the substrate.

상기 절연부의 내부에 상기 절연부의 둘레를 따라 극성이 교번되어 배치되는 복수의 자석부재;를 더 포함할 수 있다.And a plurality of magnet members arranged in the insulating portion alternately with a polarity along the periphery of the insulating portion.

상기 절연부와 상기 기판의 상부면 사이의 거리를 측정하는 간격 측정센서;를 더 포함할 수 있다.And an interval measuring sensor for measuring a distance between the insulating portion and the upper surface of the substrate.

상기 기판이 지지되는 제1 기판지지부; 및 상기 기판의 가장자리에 공정 가스를 공급하는 제1 가스공급부;를 더 포함하고, 상기 제1 영역에 플라즈마를 형성하는 경우에, 상기 전원공급부는 상기 제1 기판지지부 또는 상기 제1 가스공급부에 전원을 공급하며, 상기 제1 영역에 형성된 플라즈마는 상기 기판의 측면을 세정할 수 있다.A first substrate supporting part on which the substrate is supported; And a first gas supply unit for supplying a process gas to an edge of the substrate, wherein when the plasma is formed in the first region, the power supply unit supplies power to the first substrate support unit or the first gas supply unit, And the plasma formed in the first region may clean the side surface of the substrate.

상기 제1 가스공급부는 고리 형상으로 형성되어 상기 공정 가스를 분배하는 가스 분배부재를 포함할 수 있다.The first gas supply part may include a gas distribution member formed in an annular shape to distribute the process gas.

상기 기판 하부면의 적어도 일부가 노출되도록 상기 기판을 지지하는 제2 기판지지부; 및 상기 기판의 하부에 공정 가스를 공급하는 제2 가스공급부;를 더 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 제2 영역에 형성된 플라즈마는 상기 기판의 하부면을 세정할 수 있다.A second substrate support for supporting the substrate such that at least a portion of the substrate lower surface is exposed; And a second gas supply unit for supplying a process gas to a lower portion of the substrate, wherein the second region is located below the substrate, and the plasma formed in the second region is used for cleaning the lower surface of the substrate .

그 내부에 플라즈마가 형성되며, 상기 기판의 하부에 배치되는 플라즈마 형성관;을 더 포함하고, 상기 제2 가스공급부는 상기 플라즈마 형성관의 내부에 상기 공정 가스를 공급할 수 있다.And a plasma generating tube in which a plasma is formed and disposed at a lower portion of the substrate, and the second gas supplying portion is capable of supplying the processing gas into the plasma generating tube.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정방법은 기판의 가장자리에 플라즈마를 형성하여 기판의 측면을 세정하는 과정; 및 상기 기판의 하부에 플라즈마를 형성하여 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정;을 포함하고, 상기 기판의 측면을 세정하는 과정과 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정은 단일 챔버에서 단계적으로 수행될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma cleaning method comprising: cleaning a side surface of a substrate by forming a plasma at an edge of the substrate; And cleaning the lower surface of the substrate by forming a plasma at a lower portion of the substrate. The process of cleaning the side surface of the substrate and cleaning the lower surface of the substrate may be performed stepwise in a single chamber .

상기 기판의 하부 온도와 상기 기판의 상부면 온도를 측정하는 과정; 및 상기 기판 하부와 상기 기판 상부면의 온도차에 따라 상기 기판의 상부면을 가열하는 과정;을 더 포함할 수 있다.Measuring a lower temperature of the substrate and a temperature of a top surface of the substrate; And heating the upper surface of the substrate according to a temperature difference between the lower surface of the substrate and the upper surface of the substrate.

본 발명의 실시 형태에 따른 플라즈마 세정장치는 챔버 내부의 제1 영역과 제2 영역에 각각 플라즈마를 형성하여 기판의 측면 및 기판의 하부면을 단일 챔버에서 인시튜(in-situ)로 세정할 수 있다. 또한, 기판의 측면과 기판의 하부면을 분리하여 세정함으로써, 각 부분에 증착된 박막 두께에 따라 적절한 세정 공정을 수행할 수 있고, 상대적으로 두껍게 증착되는 기판 측면의 박막을 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라 기판 측면의 박막에 의한 플라즈마 아킹(plasma arcing)을 방지할 수 있으며, 생산성 저하 및 경제적 손실을 감소시킬 수 있다.The plasma cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention can form a plasma in each of the first region and the second region inside the chamber so that the side surface of the substrate and the lower surface of the substrate can be cleaned in situ in a single chamber have. Further, by separately cleaning the side surface of the substrate and the lower surface of the substrate, an appropriate cleaning process can be performed according to the thickness of the thin film deposited on each portion, and the thin film on the side surface of the substrate that is relatively thick can be effectively removed. As a result, plasma arcing due to the thin film on the side surface of the substrate can be prevented, and productivity and economical loss can be reduced.

그리고 기판 하부면의 세정 공정시에 기판 가열부를 통해 기판의 상부면을 가열함으로써, 기판 하부에 형성된 플라즈마의 열로 인한 기판의 휨(warpage)을 방지할 수 있다.The upper surface of the substrate is heated through the substrate heating unit during the cleaning process of the lower surface of the substrate to prevent warpage of the substrate due to the heat of the plasma formed under the substrate.

또한, 챔버의 절연부 내부에 그 둘레를 따라 극성이 교번되도록 복수의 자석부재를 배치함으로써, 자기장을 통해 기판의 상부면 중앙부의 증착 영역에 플라즈마 및 파티클의 유입을 방지할 수 있다.It is also possible to prevent the inflow of plasma and particles into the deposition region at the central portion of the upper surface of the substrate through the magnetic field by disposing a plurality of magnet members so that the polarity is alternated within the insulating portion of the chamber around the circumference thereof.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 세정장치를 나타낸 그림.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판의 측면과 하부면을 나타낸 그림.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 챔버의 절연부를 나타낸 그림.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 측면의 세정을 위한 전원 공급을 설명하기 위한 개념도.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 분배부재를 설명하기 위한 개념도.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 하부면의 세정 공정을 나타내는 그림.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정방법을 나타내는 순서도.1 illustrates a plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a side and a bottom view of a substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating an insulation portion of a chamber according to an embodiment of the present invention.
4 is a conceptual diagram illustrating power supply for cleaning the side surface of a substrate according to an embodiment of the present invention;
5 is a conceptual view for explaining a gas distribution member according to an embodiment of the present invention;
6 is a view illustrating a cleaning process of the lower surface of the substrate according to one embodiment of the present invention.
7 is a flowchart showing a plasma cleaning method according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. In the description, the same components are denoted by the same reference numerals, and the drawings are partially exaggerated in size to accurately describe the embodiments of the present invention, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 세정장치를 나타낸 그림으로, 기판 측면의 세정 공정을 나타내는 그림이다.FIG. 1 is a view illustrating a plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, which illustrates a cleaning process of a substrate side.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 기판(10)의 세정 공정이 수행되는 챔버(110); 및 상기 챔버(110) 내부의 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 각각 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 공급하는 전원공급부(120);를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a plasma cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 110 in which a cleaning process of a substrate 10 is performed; And a power supply unit 120 for supplying power to form the plasma in the first region 21 and the second region 22 in the chamber 110, respectively.

챔버(110)는 기판(10)의 세정 공정이 수행될 수 있으며, 외부와 격리된 진공 분위기를 조성할 수 있다. 여기서, 기판(10)은 웨이퍼를 포함할 수 있고, 박막이 증착된 기판일 수 있으며, 그 상부면에 2차원 구조, 3차원 수직 적층구조(3D NAND) 등의 패턴(pattern)이 형성된 기판일 수 있다. 예를 들어, 챔버(110)는 표면 산화반응를 시킨 알루미늄 재질로 구성될 수 있으며, 반입슬롯(112) 등의 접합(또는 탈착) 부분은 고무링 등의 밀봉부재(미도시)에 의하여 밀봉(sealing)될 수 있다. 그리고 챔버(110)에는 그 내부에 진공 분위기를 형성하기 위하여 진공펌프(미도시)가 연결된 배기포트(191)가 형성될 수 있다. 또한, 챔버(110)의 내부에는 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 플라즈마가 형성될 수 있다.The chamber 110 can perform a cleaning process of the substrate 10 and can create a vacuum atmosphere isolated from the outside. Here, the substrate 10 may include a wafer, a substrate on which a thin film is deposited, and a substrate on which a pattern such as a two-dimensional structure or a three-dimensional vertical stacked structure (3D NAND) . For example, the chamber 110 may be made of an aluminum material that has undergone a surface oxidation reaction, and the joining (or detachment) portion of the receiving slot 112 may be sealed by a sealing member such as a rubber ring ). An exhaust port 191 connected to a vacuum pump (not shown) may be formed in the chamber 110 to form a vacuum atmosphere therein. In addition, plasma may be formed in the first region 21 and the second region 22 in the chamber 110.

전원공급부(120)는 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 공급할 수 있으며, 챔버(110) 내부의 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 각각 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 공급할 수 있고, 고주파(RF) 전원을 공급할 수 있다. 예를 들어, 전극 등에 전원을 공급하여 플라즈마를 형성할 수 있으며, 공정 가스를 플라즈마 상태로 변환시킬 수 있다. 이때, 서로 다른 구성(예를 들어, 전극)에 전원을 공급하여 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 각각 플라즈마를 형성할 수도 있고, 동일한 구성의 위치를 변화시켜 전원을 공급함으로써 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 각각 플라즈마를 형성할 수도 있다. 또한, 전원공급부(120)는 하나의 전원공급원으로 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 각각 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 공급할 수도 있고, 제1 전원공급원(121)과 제2 전원공급원(122)으로 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 각각 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 각각 공급할 수도 있다.The power supply unit 120 can supply a power for forming a plasma and can supply power to form a plasma in the first region 21 and the second region 22 in the chamber 110, (RF) power. For example, a plasma can be formed by supplying power to an electrode or the like, and the process gas can be converted into a plasma state. At this time, plasma may be formed in the first region 21 and the second region 22 by supplying power to different configurations (for example, electrodes), or power may be supplied by changing the positions of the same configurations Plasma may be formed in the first region 21 and the second region 22, respectively. The power supply unit 120 may supply power to form a plasma in each of the first region 21 and the second region 22 as one power supply source and may supply power to the first power supply 121 and the second power supply 121. [ The power source for supplying the plasma to the first region 21 and the second region 22 may be respectively supplied to the supply source 122.

그리고 전원공급부(120)는 제1 영역(21)의 플라즈마 형성을 위한 전원과 제2 영역(22)의 플라즈마 형성을 위한 전원을 순차적으로 공급할 수 있으며, 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에는 이시(異時)에 플라즈마가 형성될 수 있고, 시간을 분할하여 서로 다른 시간에 제1 영역(21)의 플라즈마와 제2 영역(22)의 플라즈마가 형성될 수 있으면 제1 영역(21)과 제2 영역(22)의 플라즈마 형성 순서는 상관없다. 즉, 제1 영역(21)에 먼저 플라즈마가 형성될 수도 있고, 제2 영역(22)에 먼저 플라즈마가 형성될 수도 있다.The power supply unit 120 may sequentially supply a power source for plasma formation in the first region 21 and a power source for plasma formation in the second region 22 and may include a first region 21 and a second region The plasma of the first region 21 and the plasma of the second region 22 can be formed at different times by dividing the time, 21 and the second region 22 do not matter. That is, the plasma may be formed first in the first region 21, or may be formed first in the second region 22.

또한, 제1 영역(21)에 형성된 플라즈마와 제2 영역(22)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 서로 다른 부분을 세정할 수 있다. 박막이 증착된 기판(10)의 경우에는 기판(10)의 부분별로 증착된 박막의 두께가 상이할 수 있으며, 각 부분에 증착된 박막 두께에 따라 기판(10)의 각 부분을 세정할 수 있다. 이에 따라 제1 영역(21)에 형성된 플라즈마와 제2 영역(22)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 서로 다른 부분을 세정할 수 있고, 이를 통해 기판(10)의 각 부분을 분할하여 세정할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(21)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 가장자리와 측면을 세정할 수 있고, 제2 영역(22)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 하부면을 세정할 수 있다.In addition, the plasma formed in the first region 21 and the plasma formed in the second region 22 can clean different portions of the substrate 10. In the case of the substrate 10 on which the thin film is deposited, the thickness of the thin film deposited by each portion of the substrate 10 may be different, and each portion of the substrate 10 may be cleaned according to the thickness of the thin film deposited on each portion . Accordingly, the plasma formed in the first region 21 and the plasma formed in the second region 22 can clean different portions of the substrate 10, thereby dividing and cleaning each portion of the substrate 10 . For example, the plasma formed in the first region 21 can clean the edges and sides of the substrate 10, and the plasma formed in the second region 22 can clean the lower surface of the substrate 10 .

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판의 측면과 하부면을 나타낸 그림이다.FIG. 2 is a side and a bottom view of a substrate according to an embodiment of the present invention. FIG.

도 2를 참조하면, 박막이 증착된 기판(10)은 기판(10)의 상부면, 측면(Edge; E) 및 하부면(Backside; B)에 증착된 박막의 두께가 각각 상이한 것을 알 수 있다. 특히, 도 2와 같이 제1 막(11), 제2 막(12), 제3 막(13) 등 복수의 막(11,12,13)이 적층된 경우에는 기판(10)의 상부면, 측면(E) 및 하부면(B)에 증착된 박막의 두께 차이가 더욱 심화된다. 또한, 기판(10)의 측면(E) 주변(즉, 상기 기판의 가장자리와 측면)은 증착된 박막으로 인한 플라즈마 아킹(plasma arcing)의 발생 확률(또는 빈도)이 높아짐으로써 공정의 불안정 및 제1 기판지지부(또는 제2 기판지지부)에 손상(damage)을 가져올 수 있으므로, 효과적인 세정이 필요하다. 반면에, 기판(10)의 하부면(B)은 증착 공정에서 증착 장비의 구조상 박막의 증착율이 작아 필요에 따라 세정이 필요하다.2, the substrate 10 on which the thin film is deposited has different thicknesses of the thin films deposited on the upper surface, the edge E, and the backside B of the substrate 10, respectively . In particular, when a plurality of films 11, 12 and 13 such as the first film 11, the second film 12 and the third film 13 are stacked as shown in Fig. 2, the upper surface of the substrate 10, The difference in thickness of the thin film deposited on the side surface (E) and the lower surface (B) is further intensified. In addition, since the probability (or frequency) of occurrence of plasma arcing due to the deposited thin film is increased around the side surface E of the substrate 10 (i.e., the edge and the side surface of the substrate) It may cause damage to the substrate supporting portion (or the second substrate supporting portion), so that effective cleaning is required. On the other hand, the lower surface B of the substrate 10 requires a cleaning process as needed because the deposition rate of the thin film on the structure of the deposition equipment in the deposition process is small.

이로 인해 기판(10)의 측면(E)과 하부면(B)을 동시에 세정할 경우에는 기판(10)의 측면(E)에 증착된 박막을 완전히 제거하기 위한 플라즈마의 조건(예를 들어, 세기, 형성시간 등)으로 인해 기판(10)의 하부면(B)에 증착된 박막뿐만 아니라 박막이 제거되어 노출된 기판(10) 자체(즉, 상기 기판의 하부면)도 식각(또는 손상)되게 되고, 기판(10)의 하부면(B)에 손상을 주지 않기 위해 플라즈마의 세기 또는 형성시간을 줄이게 되면 기판(10)의 측면(E)에 증착된 박막을 완전히 제거하지 못하게 된다. 또한, 복수의 막(11,12,13)이 적층된 적층구조에서는 적층구조로 인해 기판(10)의 스트레스(stress)가 발생하며, 기판(10)의 측면(E)과 하부면(B)을 동시에 세정할 경우에 기판(10)의 스트레스가 더욱 심해짐으로 인해 기판(10) 또는 기판(10) 상부면에 형성된 박막(또는 패턴)이 손상될 수 있고, 반도체 소자의 수율(또는 생산성)이 저하될 수 있다.The substrate 10 can be cleaned simultaneously with the side surface E and the bottom surface B of the substrate 10 so that the condition of the plasma for completely removing the thin film deposited on the side surface E of the substrate 10 Not only the thin film deposited on the lower surface B of the substrate 10 but also the thin film is removed and the exposed substrate 10 itself (i.e., the lower surface of the substrate) is also etched (or damaged) And reducing the intensity or formation time of the plasma in order not to damage the lower surface B of the substrate 10 prevents the thin film deposited on the side surface E of the substrate 10 from being completely removed. In the laminated structure in which the plurality of films 11, 12 and 13 are laminated, stress of the substrate 10 occurs due to the laminated structure, and the side surface E and the lower surface B of the substrate 10, The thin film (or pattern) formed on the substrate 10 or the upper surface of the substrate 10 may be damaged due to the deeper stress of the substrate 10, and the yield (or productivity) Can be lowered.

하지만, 본 발명에서는 기판(10) 측면의 세정과 기판(10) 하부면의 세정을 분할하여 실시함으로써, 각 부분에 증착된 박막 두께에 따라 적절한(또는 알맞은) 세정 공정을 수행할 수 있고, 상대적으로 두껍게 증착되는 기판(10) 측면의 박막을 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라 기판(10) 측면의 박막에 의한 플라즈마 아킹을 방지할 수 있으며, 반도체 소자의 생산성 저하 및 경제적 손실을 감소시킬 수 있다.However, in the present invention, by performing the cleaning of the side surface of the substrate 10 and the cleaning of the lower surface of the substrate 10, it is possible to perform an appropriate (or appropriate) cleaning process according to the thickness of the thin film deposited on each portion, It is possible to effectively remove the thin film on the side of the substrate 10 which is thickly deposited. Accordingly, the plasma arc caused by the thin film on the side surface of the substrate 10 can be prevented, and the productivity and the economic loss of the semiconductor device can be reduced.

그리고 본 발명에서는 챔버(110) 내부의 제1 영역(21)과 제2 영역(22)에 각각 플라즈마를 형성하여 기판(10)의 가장자리와 측면 및 기판(10)의 하부면을 단일 챔버(110)에서 인시튜(in-situ)로 세정할 수 있다. 이에 따라 기판(10) 측면의 세정 공정과 기판(10) 하부면의 세정 공정을 단일 챔버(110)에서 인시튜로 진행하여 공정 시간의 단축 및 비용 절감을 할 수 있다.In the present invention, the plasma is formed in the first region 21 and the second region 22 in the chamber 110 so that the edge and the side surface of the substrate 10 and the lower surface of the substrate 10 are connected to the single chamber 110 In-situ. ≪ / RTI > Accordingly, the cleaning process of the side surface of the substrate 10 and the cleaning process of the lower surface of the substrate 10 can be performed in situ from the single chamber 110, thereby shortening the process time and cost.

본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 기판(10)의 상부면에 대향하도록 배치되는 기판 가열부(130);를 더 포함할 수 있다. 기판 가열부(130)는 기판(10)의 상부면에 대향하도록 배치될 수 있고, 기판(10)의 상부면을 가열할 수 있으며, 챔버(110)의 상부(예를 들어, 상기 챔버 상부면의 내측 또는 외측)에 제공될 수 있다. 기판(10)의 하부면을 세정하는 경우, 기판(10)의 하부에 형성되는 플라즈마에 의해 많은 열이 발생되어 기판(10)의 상부와 하부의 온도차가 발생함으로써, 기판(10)의 휨(warpage)이 발생할 수 있고, 이에 따라 기판(10) 또는 기판(10) 상부면의 박막이 손상될 수 있다. 이로 인해 기판(10)의 상부와 하부의 온도차 발생을 억제 또는 방지할 수 있도록 기판(10)의 상부면을 가열할 수 있고, 기판(10)의 상부와 하부의 온도차를 줄일 수 있다. 또한, 금속(metal)이 증착된 기판(10)의 경우에는 기판(10)의 상부면을 가열하여 부산물에 의한 부식을 방지할 수도 있다.The plasma cleaning apparatus 100 according to the present invention may further include a substrate heating unit 130 disposed to face the upper surface of the substrate 10. [ The substrate heating section 130 may be arranged to face the upper surface of the substrate 10 and may heat the upper surface of the substrate 10 and may be heated by the upper portion of the chamber 110 The inner side or the outer side of the inner side). When the lower surface of the substrate 10 is cleaned, a large amount of heat is generated by the plasma formed at the lower portion of the substrate 10 to generate a temperature difference between the upper and lower portions of the substrate 10, warpage may occur and thus the thin film on the substrate 10 or the top surface of the substrate 10 may be damaged. The upper surface of the substrate 10 can be heated so as to suppress or prevent the temperature difference between the upper portion and the lower portion of the substrate 10 and the temperature difference between the upper portion and the lower portion of the substrate 10 can be reduced. Further, in the case of the substrate 10 on which the metal is deposited, the upper surface of the substrate 10 may be heated to prevent corrosion due to by-products.

한편, 기판(10)의 측면을 세정하는 경우에 플라즈마의 열에 의한 기판(10) 측면의 온도 상승으로 발생되는 기판(10)의 가장자리와 중앙부의 온도차도 기판 가열부(130)를 통해 기판(10)의 상부면 중앙부를 가열함으로써 줄일 수 있다. 그리고 기판 가열부(130)는 열복사(thermal radiation)를 이용하여 기판(10)의 상부면을 가열할 수 있고, 자외선 램프(UV lamp)를 포함할 수 있으며, 기판 가열부(130)가 챔버(110) 상부면의 외측에 배치되는 경우에는 챔버(110)가 그 상부면의 적어도 일부에 투명 창(window) 등의 투명부를 포함할 수 있고, 상기 투명부는 절연부(111)일 수 있다.The temperature difference between the edge of the substrate 10 and the center of the substrate 10 caused by the temperature rise of the side surface of the substrate 10 due to the heat of the plasma when the side surface of the substrate 10 is cleaned is also reduced through the substrate heating unit 130 By heating the central portion of the upper surface of the upper portion The substrate heating unit 130 may heat the upper surface of the substrate 10 using thermal radiation and may include an ultraviolet lamp. The substrate heating unit 130 may be a chamber The chamber 110 may include a transparent portion such as a transparent window on at least a part of the upper surface thereof and the transparent portion may be the insulating portion 111.

본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 기판(10)의 상부면 온도를 측정하는 제1 온도센서(31); 및 기판(10)의 하부 온도를 측정하는 제2 온도센서(32);를 더 포함할 수 있다. 제1 온도센서(31)는 기판(10)의 상부면 온도를 측정할 수 있으며, 국부적인 온도를 측정하는 국부 온도센서일 수 있고, 기판(10) 상부면의 국부적인 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 제1 온도센서(31)는 적외선(Infrared; IR) 온도센서를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 온도센서(31)는 챔버(110)의 상부에 제공될 수 있으며, 챔버(110) 상부면의 내측 또는 외측에 위치할 수 있다. 제1 온도센서(31)가 기판(10)의 상부면에서 온도를 측정하지만, 기판(10)의 전반적인 온도를 측정하게 되면, 제1 온도센서(31)에 기판(10) 하부면 온도 또는 기판(10)의 하부 온도가 반영된 온도가 측정되어 제1 온도센서(31)의 측정값이 기판(10)의 하부 온도를 측정한 제2 온도센서(32)의 측정값과 유사하게 됨으로써, 기판 가열부(130)를 통해 적절한 기판(10) 상부면의 가열이 어렵게 된다.A plasma cleaning apparatus 100 according to the present invention includes a first temperature sensor 31 for measuring a temperature of a top surface of a substrate 10; And a second temperature sensor 32 for measuring the temperature of the lower portion of the substrate 10. The first temperature sensor 31 can measure the top surface temperature of the substrate 10 and can be a local temperature sensor that measures the local temperature and can measure the local temperature of the top surface of the substrate 10 . For example, the first temperature sensor 31 may include an infrared (IR) temperature sensor. Here, the first temperature sensor 31 may be provided at an upper portion of the chamber 110, and may be located at an inner side or an outer side of the upper surface of the chamber 110. The first temperature sensor 31 measures the temperature on the upper surface of the substrate 10 but the temperature of the lower surface of the substrate 10 or the substrate temperature of the substrate 10 is measured by the first temperature sensor 31, The temperature at which the lower temperature of the substrate 10 is reflected is measured and the measured value of the first temperature sensor 31 is similar to the measured value of the second temperature sensor 32 that measures the lower temperature of the substrate 10, It becomes difficult to heat the upper surface of the appropriate substrate 10 through the portion 130.

하지만, 제1 온도센서(31)가 기판(10) 상부면의 국부적인 온도를 측정하게 되면, 기판(10)의 상부면 온도와 기판(10)의 하부 온도의 정확한 차이를 알 수 있어 기판(10) 하부(또는 상기 기판 하부면)의 온도 상승에 따라 적절하면서 정밀하게 기판 가열부(130)를 이용하여 기판(10)의 상부면을 가열할 수 있고, 기판(10)의 휨(또는 뒤틀림)을 방지할 수 있다.However, when the first temperature sensor 31 measures the local temperature of the upper surface of the substrate 10, it is possible to know an accurate difference between the upper surface temperature of the substrate 10 and the lower temperature of the substrate 10, It is possible to appropriately and accurately heat the upper surface of the substrate 10 using the substrate heating part 130 in accordance with the temperature rise of the lower part (or the lower surface of the substrate) Can be prevented.

제2 온도센서(32)는 기판(10)의 하부 온도를 측정할 수 있으며, 기판(10)의 하부면 온도를 측정할 수도 있고, 기판(10) 하부면의 주변(또는 주위) 온도를 측정할 수도 있다. 이때, 제2 온도센서(32)는 챔버(110) 내부에 제공될 수 있으며, 기판(10)의 하부(또는 하부면)에서 기판(10) 하부면의 주변 온도 또는 기판(10)의 전반적인 온도를 측정할 수도 있고, 기판(10) 하부면의 국부적인 온도를 측정할 수도 있다. 예를 들어, 제2 온도센서(32)는 열전대(Thermo Couple; TC) 센서일 수 있고, 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)에 설치될 수도 있다. 기판(10)의 하부면은 기판(10) 하부에서 형성된 플라즈마의 열이 전달되어 가열되므로, 기판(10) 하부의 플라즈마 영역(또는 상기 제2 영역)의 전반적인 온도를 측정하여도 기판(10) 하부면의 온도(또는 온도상승률)를 파악할 수 있고, 이러한 제2 온도센서(32)의 측정값을 기판 가열부(130)를 제어하는 데에 사용하여도 문제가 없다. 한편, 기판(10) 하부면의 국부적인 온도를 측정하는 경우에는 기판(10)의 상부면 온도와 정확한 기판(10)의 하부면 온도를 비교할 수 있어 기판 가열부(130)를 이용하여 기판(10) 상부면을 보다 정밀하게 가열할 수 있다.The second temperature sensor 32 may measure the lower temperature of the substrate 10 and may measure the lower surface temperature of the substrate 10 and measure the ambient temperature You may. At this time, the second temperature sensor 32 may be provided inside the chamber 110 and the temperature of the lower surface of the substrate 10 on the lower side (or the lower surface) of the substrate 10 or the overall temperature of the substrate 10 Or the local temperature of the lower surface of the substrate 10 may be measured. For example, the second temperature sensor 32 may be a thermocouple (TC) sensor and may be mounted on the first substrate support 140 or the second substrate support 160. The lower surface of the substrate 10 is heated by transferring the plasma generated at the lower portion of the substrate 10 so that the overall temperature of the plasma region (or the second region) The temperature of the lower surface (or the rate of temperature rise) can be grasped, and the measured value of the second temperature sensor 32 can be used to control the substrate heating unit 130. In the case of measuring the local temperature of the lower surface of the substrate 10, the temperature of the upper surface of the substrate 10 can be compared with the temperature of the lower surface of the substrate 10, 10) The top surface can be heated more precisely.

챔버(110)는 기판(10)의 상부면에 대향하는 절연부(111)를 포함할 수 있다. 절연부(111)는 기판(10)의 상부면에 대향할 수 있으며, 챔버(110) 상부면의 적어도 일부에 제공될 수 있다. 이때, 절연부(111)의 평면 형상은 기판(10)의 평면 형상과 동일할 수도 있고, 기판(10)의 상부면 중앙부의 증착 영역 또는 패턴 영역(즉, 상기 기판의 활용 영역)의 형상과 동일할 수도 있으며, 절연부(111)의 폭(또는 최장폭)은 기판(10)의 폭(또는 최장폭)과 같거나 기판(10)의 폭보다 소정 폭(예를 들어, 약 0.1 ~ 2 ㎜)만큼 작을 수 있다. 절연부(111)의 형상과 폭을 통해 기판(10)의 상부면에서 세정되는 기판(10)의 가장자리를 제한할 수 있고, 절연부(111)와 기판(10) 상부면의 간격(gap)을 조정하여 기판(10)의 가장자리를 제한할 수도 있다.The chamber 110 may include an insulating portion 111 facing the upper surface of the substrate 10. The insulating portion 111 may be opposed to the upper surface of the substrate 10 and may be provided on at least a part of the upper surface of the chamber 110. At this time, the plane shape of the insulating portion 111 may be the same as the plane shape of the substrate 10, and the shape of the deposition region or the pattern region (that is, the utilization region of the substrate) (Or the longest width) of the insulating portion 111 may be equal to or greater than the width of the substrate 10 (for example, about 0.1 to 2 Mm). It is possible to limit the edge of the substrate 10 to be cleaned on the upper surface of the substrate 10 through the shape and the width of the insulating portion 111 and the gap between the insulating portion 111 and the upper surface of the substrate 10, So as to limit the edge of the substrate 10.

절연부(111)와 기판(10) 상부면의 간격이 플라즈마 시스(plasma sheath) 이하가 되면, 기판(10)의 측면 또는 하부면의 세정을 위해 제1 영역(21) 또는 제2 영역(22)에 형성된 플라즈마가 기판(10)의 상부면 중앙부의 증착 영역(또는 패턴 영역)에 침투하는 것을 방지할 수 있고, 기판(10)의 상부면 중앙부의 증착 영역으로의 파티클(particle) 등의 이물질 또는 공정 가스(예를 들어, 반응가스)의 유입을 차단할 수도 있다. 예를 들어, 절연부(111)는 챔버(110)의 상부면에서 내측으로 돌출될 수도 있고, 길이(또는 높이)가 조절될 수도 있다.The first region 21 or the second region 22 may be provided for cleaning the side surface or the lower surface of the substrate 10 when the distance between the insulating portion 111 and the upper surface of the substrate 10 is less than a plasma sheath It is possible to prevent the plasma formed on the substrate 10 from penetrating into the deposition region (or pattern region) at the central portion of the upper surface of the substrate 10 and to prevent foreign substances such as particles to the deposition region at the center portion of the upper surface of the substrate 10 Or a process gas (for example, a reaction gas). For example, the insulating portion 111 may protrude inward from the upper surface of the chamber 110, and the length (or height) may be adjusted.

한편, 기판 가열부(130)가 챔버(110) 상부면의 외측에 배치된 자외선 램프를 이용하는 경우에는 절연부(111)가 석영(Quartz) 등의 투명 재료로 이루어질 수 있고, 이러한 경우에는 자외선 램프의 복사열이 절연부(111)를 통과하여 기판(10)의 상부면을 잘 가열할 수 있다. 즉, 챔버(110)의 내부에는 진공 분위기가 형성될 뿐만 아니라 기판(10)의 상부면 중앙부에는 증착 영역의 오염 또는 손상을 방지하기 위해 가스의 유입을 차단하여 대류에 의해 기판(10)의 상부면을 가열하기가 어렵고, 상기 증착 영역의 손상을 방지하기 위해서는 기판(10)의 상부면에 접촉될 수도 없어 전도에 의해 기판(10)의 상부면을 가열하기도 어려우므로, 자외선 램프 등에서 발생되는 복사열을 투명한 절연부(111)를 통과시켜 기판(10)의 상부면에 전달함으로써, 기판(10)의 상부면을 효과적으로 가열할 수 있다. 또한, 기판 가열부(130)가 챔버(110)의 외측에 배치될 수 있어 파티클에 의한 기판 가열부(130)의 오염을 방지할 수도 있다.When the substrate heating unit 130 uses an ultraviolet lamp disposed outside the upper surface of the chamber 110, the insulating unit 111 may be made of a transparent material such as quartz. In this case, So that the upper surface of the substrate 10 can be heated well. That is, not only a vacuum atmosphere is formed inside the chamber 110, but also a gas is prevented from flowing in the center of the upper surface of the substrate 10 in order to prevent the deposition region from being contaminated or damaged, Since it is difficult to heat the upper surface of the substrate 10 by conduction because it is difficult to heat the surface of the substrate 10 in order to prevent damage to the deposition region and thus it is difficult to contact the upper surface of the substrate 10, Is passed through the transparent insulating portion 111 and transferred to the upper surface of the substrate 10, whereby the upper surface of the substrate 10 can be effectively heated. In addition, the substrate heating unit 130 may be disposed outside the chamber 110 to prevent contamination of the substrate heating unit 130 by the particles.

그리고 절연부(111)가 투명한 경우에는 적외선 등이 절연부(111)를 통과할 수 있어 제1 온도센서(31)인 적외선(IR) 온도센서 등을 챔버(110)의 외측에 배치할 수 있고, 파티클에 의한 제1 온도센서(31)의 오염을 방지할 수 있다.When the insulating part 111 is transparent, an infrared ray or the like can pass through the insulating part 111 and an infrared (IR) temperature sensor or the like as the first temperature sensor 31 can be disposed outside the chamber 110 , And the contamination of the first temperature sensor 31 by the particles can be prevented.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 챔버의 절연부를 나타낸 그림으로, 도 3(a)는 절연부의 개략사시도이고, 도 3(b)는 절연부의 개략평면도이다.FIG. 3 is a view showing an insulating part of a chamber according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 (a) is a schematic perspective view of the insulating part, and FIG. 3 (b) is a schematic plan view of the insulating part.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 절연부(111)의 내부에 절연부(111)의 둘레를 따라 극성이 교번되어 배치되는 복수의 자석부재(41);를 더 포함할 수 있다. 복수의 자석부재(41)는 절연부(111)의 내부에 절연부(111)의 둘레를 따라 극성이 교번되어 배치될 수 있다. 여기서, 복수의 자석부재(41)는 영구자석일 수도 있고, 전자석일 수도 있으며, 극성이 교번되도록 구성할 수 있으면 족하다. 이러한 경우, 플럭스(Flux) 배열에 의한 자기장에 의하여 자기력선에 수직한 방향으로 이온화된 입자가 이동할 수 없어 기판(10)의 상부면 중앙부의 증착 영역으로 플라즈마가 유입되는 것을 차단할 수 있고, 상기 증착 영역으로의 파티클(또는 이물질)의 유입도 방지할 수 있다. 이에 따라 더욱 효과적으로 기판(10)의 상부면 중앙부로 유입되는 플라즈마 및 파티클을 차단할 수 있고, 상기 증착 영역의 손상 또는 오염을 방지할 수 있다.3, a plasma cleaning apparatus 100 according to the present invention includes a plurality of magnet members 41 disposed inside an insulating portion 111 with alternating polarities along the periphery of an insulating portion 111, . The plurality of magnet members 41 may be disposed in the insulated portion 111 with alternating polarities along the periphery of the insulated portion 111. Here, the plurality of magnet members 41 may be a permanent magnet, an electromagnet, or alternatively, alternating polarities. In this case, the ionized particles can not move in a direction perpendicular to the magnetic force lines due to the magnetic field generated by the flux arrangement, and plasma can be prevented from flowing into the deposition region at the central portion of the upper surface of the substrate 10, It is possible to prevent the inflow of particles (or foreign matter) Accordingly, it is possible to more effectively block the plasma and particles flowing into the central portion of the upper surface of the substrate 10, and to prevent damage or contamination of the deposition region.

그리고 절연부(111)의 외곽(또는 외측)에만 복수의 자석부재(41)를 배치함으로써, 절연부(111)의 중앙부에 복사열 등이 통과할 수 있는 영역을 제공할 수 있다.A plurality of magnet members 41 are disposed only on the outer side (or outer side) of the insulating portion 111, so that a region through which radiant heat can pass can be provided in the central portion of the insulating portion 111.

본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 절연부(111)와 기판(10)의 상부면 사이의 거리를 측정하는 간격 측정센서(51);를 더 포함할 수 있다. 간격 측정센서(51)는 절연부(111)와 기판(10)의 상부면 사이의 거리를 측정할 수 있다. 이러한 경우, 기판(10)의 상부면이 절연부(111)에 접촉되는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 기판(10)의 상부면 중앙부의 증착 영역이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 절연부(111)와 기판(10) 상부면의 간격이 플라즈마 시스 이하가 되도록 하여 기판(10)의 측면 또는 하부면의 세정시에 기판(10)의 상부면 중앙부의 증착 영역으로 플라즈마 또는 파티클이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 간격 측정센서(51)는 접촉 센서 또는 비접촉 센서일 수 있으며, 레이저(laser) 센서, 캐패시터(capacitor) 센서, 포토(photo) 센서 등을 포함할 수 있다. 이때, 레이저 센서 또는 포토 센서인 경우에는 투명한 절연부(111)를 통해 레이저 또는 빛을 투과시켜 거리를 측정할 수 있고, 레이저 센서 또는 포토 센서를 챔버(110)의 외측에 배치하여 파티클에 의한 오염을 방지할 수 있다.The plasma cleaning apparatus 100 according to the present invention may further include an interval measuring sensor 51 for measuring the distance between the insulating portion 111 and the upper surface of the substrate 10. [ The distance measuring sensor 51 can measure the distance between the insulating portion 111 and the upper surface of the substrate 10. [ In this case, it is possible to prevent the upper surface of the substrate 10 from being in contact with the insulating portion 111, thereby preventing the deposition region at the center portion of the upper surface of the substrate 10 from being damaged, 111 or the upper surface of the substrate 10 is less than or equal to the plasma sheath so that the plasma or particles penetrate into the deposition region at the central portion of the upper surface of the substrate 10 at the time of cleaning the side surface or the lower surface of the substrate 10 . Here, the gap measuring sensor 51 may be a contact sensor or a non-contact sensor, and may include a laser sensor, a capacitor sensor, a photo sensor, and the like. At this time, in the case of a laser sensor or a photo sensor, a distance can be measured by transmitting laser or light through a transparent insulating part 111, and a laser sensor or a photosensor is disposed outside the chamber 110, Can be prevented.

예를 들어, 절연부(111)와 기판(10) 상부면의 간격이 소정 간격(예를 들어, 상기 절연부와 상기 기판의 상부면이 접촉되지 않는 최소한의 간격)이 되면, 절연부(111)와 기판(10) 상부면의 간격이 더 이상 줄어들지 못하도록 할 수 있고, 절연부(111)와 기판(10) 상부면의 간격이 소정 간격(예를 들어, 플라즈마 시스)보다 커지는 경우에는 플라즈마가 형성되지 않도록 할 수도 있다. 이와 같이, 간격 측정센서(51)는 인터로크(interlock) 기능에 사용될 수 있고, 본 발명의 플라즈마 세정장치(100)는 간격 측정센서(51)를 통해 인터로크 기능을 수행하는 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다.For example, when the distance between the insulating portion 111 and the upper surface of the substrate 10 becomes a predetermined distance (for example, the minimum distance between the insulating portion and the upper surface of the substrate) The distance between the upper surface of the substrate 10 and the upper surface of the substrate 10 can be prevented from being further reduced and if the interval between the insulating portion 111 and the upper surface of the substrate 10 is larger than a predetermined distance (for example, Or may be formed not to be formed. In this way, the interval measuring sensor 51 can be used for an interlock function, and the plasma cleaning apparatus 100 of the present invention can include a controller (not shown) performing the interlock function through the interval measuring sensor 51, As shown in FIG.

한편, 접촉을 통해 절연부(111)와 기판(10) 상부면의 간격을 제한할 수도 있으며, 기판(10)의 가장자리에만 접촉되도록 할 수도 있고, 기판(10)의 상부면 중앙부의 증착 영역보다 돌출된 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)의 일부분에 접촉되도록 할 수도 있다.The distance between the insulating portion 111 and the upper surface of the substrate 10 may be limited through contact or may be limited to only the edge of the substrate 10, Or may contact a portion of the protruded first substrate support 140 or the second substrate support 160.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 측면의 세정을 위한 전원 공급을 설명하기 위한 개념도이다.4 is a conceptual diagram for explaining a power supply for cleaning the substrate side according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 기판(10)이 지지되는 제1 기판지지부(140); 및 기판(10)의 가장자리에 공정 가스를 공급하는 제1 가스공급부(150);를 더 포함할 수 있고, 제1 영역(21)에 플라즈마를 형성하는 경우에, 전원공급부(120)는 제1 기판지지부(140) 또는 제1 가스공급부(150)에 전원을 공급할 수 있으며, 제1 영역(21)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 측면을 세정할 수 있다. 제1 기판지지부(140)는 기판(10)이 지지될 수 있고, 승강할 수 있으며, 기판(10) 측면의 세정시 공정 유무에 따른 플라즈마에 의한 온도변화로 제1 기판지지부(140)의 온도차를 최소화하기 위하여 제1 기판지지부(140) 내부에 내부 유로(미도시)를 형성하여 열교환기를 이용한 유체(예를 들어, 냉매)를 흐르게 함으로써, 온도편차를 줄여 챔버(110) 내부의 공정안정화에 도움을 줄 수 있다.Referring to FIG. 4, a plasma cleaning apparatus 100 according to the present invention includes a first substrate support 140 on which a substrate 10 is supported; And a first gas supply unit 150 for supplying a process gas to the edge of the substrate 10. When the plasma is formed in the first region 21, the power supply unit 120 may include a first The substrate support 140 or the first gas supply unit 150 can be supplied with power and the plasma formed in the first region 21 can clean the side surface of the substrate 10. [ The temperature of the first substrate supporting part 140 can be raised or lowered by the temperature change due to the presence or absence of the process during the cleaning of the side surface of the substrate 10, An internal flow path (not shown) is formed in the first substrate supporting part 140 to flow a fluid (for example, a refrigerant) using a heat exchanger to reduce the temperature deviation, thereby stabilizing the process inside the chamber 110 You can help.

여기서, 기판(10)의 측면을 세정하면서 기판(10) 하부면의 가장자리(즉, 상기 기판 상부면의 가장자리와 대응되는 영역)도 함께 세정하는 경우에는 제1 기판지지부(140) 지지면의 폭이 기판(10)의 폭보다 소정 폭(예를 들어, 상기 가장자리의 폭)만큼 작을 수 있다. 한편, 제1 기판지지부(140)에는 제1 기판지지부(140)의 승강시에 기판(10)의 움직임을 방지하기 위해 정전척(ESC)을 적용할 수 있고, 이러한 경우에도 기판(10)의 정렬이 가능하도록 하기 위해 제1 기판지지부(140)가 수평 방향(예를 들어, x, y축)으로 자유롭게 움직일 수 있도록 구성될 수도 있다.When cleaning the side surface of the substrate 10 while cleaning the edge of the lower surface of the substrate 10 (that is, the area corresponding to the edge of the substrate upper surface), the width of the supporting surface of the first substrate supporting portion 140 May be smaller than the width of the substrate 10 by a predetermined width (for example, the width of the edge). An electrostatic chuck (ESC) may be applied to the first substrate supporting part 140 to prevent the substrate 10 from moving when the first substrate supporting part 140 moves up and down. In this case, The first substrate support 140 may be configured to move freely in a horizontal direction (e.g., x, y axis) so that alignment is possible.

제1 가스공급부(150)는 기판(10)의 가장자리에 공정 가스를 공급할 수 있으며, 기판(10)의 상부에서 기판(10) 상부면의 가장자리로 상기 공정 가스를 공급할 수도 있고, 기판(10)의 측부에서 기판(10)의 측면으로 상기 공정 가스를 공급할 수도 있다. 이때, 기판(10)의 측부에서 상기 공정 가스를 공급하게 되는 경우에는 상기 공정 가스의 흐름이 기판(10)의 상부면 중앙부로 형성되게 되므로, 기판(10)의 상부에서 상기 공정 가스를 공급하는 것이 바람직할 수 있고, 기판(10)의 가장자리와 측면을 세정하기 위해 기판(10) 상부면의 가장자리로 상기 공정 가스를 공급할 수 있다. 여기서, 제1 가스공급부(150)는 절연부(111)의 둘레에 제공될 수 있으며, 절연부(111)의 둘레에서 기판(10) 상부면의 가장자리로 상기 공정 가스를 공급할 수 있다.The first gas supply unit 150 may supply the process gas to the edge of the substrate 10 and may supply the process gas to the edge of the upper surface of the substrate 10 at the top of the substrate 10, The process gas may be supplied to the side of the substrate 10 at the side of the substrate 10. At this time, when the process gas is supplied from the side of the substrate 10, the flow of the process gas is formed at the center of the upper surface of the substrate 10, And may supply the process gas to the edge of the upper surface of the substrate 10 to clean the edges and sides of the substrate 10. The first gas supply part 150 may be provided around the insulating part 111 and may supply the process gas to the edge of the upper surface of the substrate 10 around the insulating part 111.

그리고 제1 영역(21)에 플라즈마를 형성하는 경우에, 전원공급부(120)는 제1 기판지지부(140) 또는 제1 가스공급부(150)에 전원을 공급할 수 있으며, 제1 영역(21)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 측면을 세정할 수 있다. 제1 영역(21)에 플라즈마를 형성하여 기판(10)의 측면을 세정할 수 있으며, 제1 기판지지부(140) 또는 제1 가스공급부(150)에 전원을 공급하여 기판(10)의 측면 영역(즉, 상기 제1 영역)에 플라즈마를 형성할 수 있다. 제1 기판지지부(140)에 전원을 공급하는 경우에는 제1 가스공급부(150)가 접지될 수 있고, 제1 가스공급부(150)에 전원을 공급하는 경우에는 제1 기판지지부(140)가 접지(Ground)될 수 있으며, 제1 기판지지부(140)와 제1 가스공급부(150)의 사이 영역에 플라즈마가 형성되어 기판(10)의 측면 영역에 플라즈마가 제공(또는 형성)될 수 있다.When the plasma is formed in the first region 21, the power supply unit 120 may supply power to the first substrate support unit 140 or the first gas supply unit 150, and may supply power to the first region 21 The formed plasma can clean the side of the substrate 10. It is possible to clean the side surface of the substrate 10 by forming a plasma in the first region 21 and supply power to the first substrate supporting portion 140 or the first gas supplying portion 150, (That is, the first region). When supplying power to the first substrate supporting part 140, the first gas supplying part 150 can be grounded. When supplying power to the first gas supplying part 150, the first substrate supporting part 140 is grounded, A plasma may be formed between the first substrate supporting part 140 and the first gas supplying part 150 to provide plasma to the side surface area of the substrate 10. [

한편, 제1 기판지지부(140)와 함께 제2 기판지지부(160)도 사용하는 경우에는 제2 기판지지부(160)에 전원을 공급할 수도 있고, 제2 기판지지부(160)가 접지될 수도 있다. 이러한 경우, 제1 기판지지부(140)와 제2 기판지지부(160)의 사이 영역 또는 제1 가스공급부(150)와 제2 기판지지부(160)의 사이 영역에도 플라즈마가 형성되어 기판(10)의 측면뿐만 아니라 기판(10) 하부면 가장자리도 효과적으로 세정할 수 있다.When the second substrate supporting part 160 is used together with the first substrate supporting part 140, power may be supplied to the second substrate supporting part 160 and the second substrate supporting part 160 may be grounded. In this case, a plasma is also formed between the first substrate supporting part 140 and the second substrate supporting part 160 or between the first gas supplying part 150 and the second substrate supporting part 160, Not only the side surface but also the bottom edge of the substrate 10 can be effectively cleaned.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 가스 분배부재를 설명하기 위한 개념도이다.5 is a conceptual diagram for explaining a gas distribution member according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제1 가스공급부(150)는 고리 형상으로 형성되어 상기 공정 가스를 분배하는 가스 분배부재(151)를 포함할 수 있다. 가스 분배부재(151)는 고리(ring) 형상으로 형성될 수 있고, 기판(10)의 형상에 따라 상기 공정 가스를 기판(10)의 가장자리(또는 둘레)에 균일하게 분배하여 분사(또는 공급)할 수 있다. 이에 따라 기판(10)의 가장자리와 측면이 균일하게 세정될 수 있고, 세정률(또는 세정 속도) 차이에 의한 기판(10)의 손상을 억제 또는 방지할 수 있다.Referring to FIG. 5, the first gas supply unit 150 may include a gas distribution member 151 formed in an annular shape to distribute the process gas. The gas distribution member 151 may be formed in a ring shape and uniformly distributes the process gas to the edge (or periphery) of the substrate 10 according to the shape of the substrate 10, can do. Thus, the edge and the side surface of the substrate 10 can be uniformly cleaned, and the damage of the substrate 10 due to the difference in cleaning rate (or cleaning rate) can be suppressed or prevented.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 하부면의 세정 공정을 나타내는 그림이다.6 is a view illustrating a cleaning process of a lower surface of a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 기판(10) 하부면의 적어도 일부가 노출되도록 기판(10)을 지지하는 제2 기판지지부(160); 및 기판(10)의 하부에 공정 가스를 공급하는 제2 가스공급부(170);를 더 포함할 수 있고, 제2 영역(22)은 기판(10)의 하부에 위치할 수 있으며, 제2 영역(22)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 하부면을 세정할 수 있다.Referring to FIG. 6, a plasma cleaning apparatus 100 according to the present invention includes a second substrate supporting part 160 for supporting a substrate 10 such that at least a part of a lower surface of the substrate 10 is exposed; And a second gas supply unit 170 for supplying a process gas to the lower portion of the substrate 10. The second region 22 may be positioned below the substrate 10, The plasma formed on the substrate 22 can clean the lower surface of the substrate 10.

제2 기판지지부(160)는 기판(10) 하부면의 적어도 일부가 노출되도록 기판(10)을 지지할 수 있으며, 기판(10) 하부면의 가장자리를 지지하여 기판(10) 하부면의 중앙부가 노출되도록 할 수 있다. 이를 통해 기판(10)의 하부면을 세정할 수 있다. 여기서, 제2 기판지지부(160)는 기판(10)이 이탈되지 않고 정확한 위치에 안정적으로 지지될 수 있도록 상부면 가장자리에 이탈방지턱(161)이 형성될 수 있으며, 승강할 수도 있다.The second substrate support 160 may support the substrate 10 such that at least a portion of the lower surface of the substrate 10 is exposed and the center of the lower surface of the substrate 10 supports the edge of the lower surface of the substrate 10 To be exposed. Whereby the lower surface of the substrate 10 can be cleaned. Here, the second substrate supporting part 160 may be formed with a separation preventing edge 161 at the edge of the upper surface so that the substrate 10 can be stably supported at an accurate position without being detached, and may be raised or lowered.

제1 기판지지부(140)와 함께 제2 기판지지부(160)를 사용하는 경우, 제2 기판지지부(160)는 제1 기판지지부(140)의 폭(상기 제1 기판지지부 지지면의 폭)보다 크고 기판(10)의 폭보다 작은 중공부를 가질 수 있으며, 상기 중공부를 통해 기판(10) 하부면의 중앙부가 노출될 수 있고, 기판(10) 하부면의 가장자리가 제2 기판지지부(160)에 지지될 수 있다. 이때, 제1 기판지지부(140)는 승강하여 상기 중공부를 통과할 수 있으며, 제1 기판지지부(140)가 제2 기판지지부(160)보다 높아지는 경우에는 제1 기판지지부(140)에 기판(10) 하부면의 중앙부가 지지될 수 있고, 제1 기판지지부(140)가 제2 기판지지부(160)보다 낮아지는 경우에는 제2 기판지지부(160)에 기판(10) 하부면의 가장자리가 지지될 수 있다.The width of the first substrate supporting portion 140 (the width of the first substrate supporting portion supporting surface) is larger than the width of the first substrate supporting portion 140. In this case, when the second substrate supporting portion 160 is used together with the first substrate supporting portion 140, The central portion of the lower surface of the substrate 10 may be exposed through the hollow portion and the edge of the lower surface of the substrate 10 may be exposed to the second substrate supporting portion 160 Can be supported. When the first substrate supporting part 140 is higher than the second substrate supporting part 160, the first substrate supporting part 140 may be moved up and down to pass through the hollow part. In this case, The edge of the lower surface of the substrate 10 may be supported by the second substrate supporting part 160 when the first substrate supporting part 140 is lower than the second substrate supporting part 160 .

이와 같이, 제1 기판지지부(140)와 제2 기판지지부(160)는 교대로 기판(10)을 지지할 수 있다. 제1 기판지지부(140)에 기판(10)이 지지되는 경우에는 기판(10)의 가장자리와 측면이 모두 노출될 수 있어 제1 영역(21)에 형성된 플라즈마를 이용하여 기판(10)의 가장자리와 측면을 효과적으로 세정할 수 있고, 제2 기판지지부(160)에 기판(10)이 지지되는 경우에는 상기 중공부를 통해 노출되는 기판(10) 하부면의 중앙부를 제2 영역(22)에 형성된 플라즈마를 이용하여 효과적으로 세정할 수 있다. 이때, 기판(10) 하부면의 가장자리는 기판(10)의 가장자리와 측면을 세정하면서 같이 세정될 수 있다.In this way, the first substrate support 140 and the second substrate support 160 can support the substrate 10 alternately. When the substrate 10 is supported on the first substrate supporting part 140, both the edge and the side surface of the substrate 10 can be exposed, and the plasma generated in the first area 21 can be used to The central portion of the lower surface of the substrate 10 exposed through the hollow portion can be cleaned by plasma generated in the second region 22 So that it can be effectively cleaned. At this time, the edge of the lower surface of the substrate 10 can be cleaned while cleaning the edge and the side surface of the substrate 10.

한편, 기판(10) 측면의 세정시에 제2 기판지지부(160)를 승강시켜 기판(10) 하부면의 가장자리와 제2 기판지지부(160)의 상부면의 간격을 조절하여 플라즈마의 형성 영역 및/또는 플라즈마(또는 상기 공정 가스)의 흐름을 제어할 수 있다. 또한, 제2 기판지지부(160) 상부면 가장자리의 이탈방지턱(161)을 통해 플라즈마의 흐름을 기판(10)의 하부면 가장자리로 유도하여 기판(10)의 하부면 가장자리를 효과적으로 세정할 수 있다.When cleaning the side surface of the substrate 10, the second substrate supporting part 160 is raised and lowered to adjust the distance between the edge of the lower surface of the substrate 10 and the upper surface of the second substrate supporting part 160, And / or the flow of the plasma (or the process gas). In addition, the bottom edge of the substrate 10 can be effectively cleaned by guiding the flow of the plasma to the bottom edge of the substrate 10 through the separation preventing jaws 161 on the upper edge of the second substrate supporting portion 160.

제2 가스공급부(170)는 기판(10)의 하부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 이때, 제1 가스공급부(150)와 함께 제2 가스공급부(170)를 사용하는 경우에는 동일한 공정 가스를 사용할 수도 있고, 상이한 공정 가스를 사용할 수도 있으며, 상이한 공정 가스를 사용하는 경우에는 세정하려고 하는 부분의 박막 종류 또는 박막 두께에 따라 공정 가스의 종류 또는 농도를 서로 다르게 할 수 있다. 또한, 제2 가스공급부(170)는 기판(10)의 형상에 따라 상기 공정 가스를 분배하여 공급하는 제2 가스분배부재(171)를 포함할 수 있다. 제2 가스분배부재(171)는 가스 분배부재(151)와 같이 고리 형상으로 형성될 수 있고, 상기 공정 가스를 기판(10)의 둘레에 균일하게 분배하여 공급할 수 있다. 이에 따라 기판(10) 하부의 플라즈마 형성 공간에 균일하게 플라즈마가 형성될 수 있고, 기판(10)의 하부면이 균일하게 세정될 수 있으며, 세정률 차이에 의한 기판(10)의 손상을 억제 또는 방지할 수 있다.The second gas supply unit 170 can supply the process gas to the lower portion of the substrate 10. At this time, when the second gas supply unit 170 is used together with the first gas supply unit 150, the same process gas may be used, or different process gas may be used, and in the case of using different process gas, The kind or concentration of the process gas can be made different depending on the type of the thin film or the thickness of the thin film. The second gas supply unit 170 may include a second gas distribution member 171 for distributing and supplying the process gas according to the shape of the substrate 10. The second gas distribution member 171 may be formed in an annular shape like the gas distribution member 151 and can uniformly distribute and supply the process gas around the substrate 10. [ Accordingly, the plasma can be uniformly formed in the plasma forming space under the substrate 10, the lower surface of the substrate 10 can be uniformly cleaned, and the damage of the substrate 10 due to the difference in cleaning rate can be suppressed .

그리고 제2 영역(22)은 기판(10)의 하부에 위치할 수 있으며, 제2 영역(22)에 형성된 플라즈마는 기판(10)의 하부면을 세정할 수 있다. 기판(10) 하부의 제2 영역(22)에 플라즈마를 형성하여 기판(10)의 하부면을 세정할 수 있으며, 기판(10)의 하부 공간에 플라즈마를 형성할 수 있다. 이때, 기판(10)의 하부면과 챔버(110)의 하부면 사이에 플라즈마를 형성할 수 있으며, 제1 기판지지부(140)도 사용하는 경우에는 기판(10)의 하부면과 제1 기판지지부(140)의 상부면 사이에 플라즈마를 형성할 수 있고, 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)를 승강하여 기판(10)의 하부면과 제1 기판지지부(140)의 상부면의 간격을 조정함으로써 플라즈마의 형성 공간(예를 들어, 플라즈마 형성 공간의 부피)을 조절할 수 있다.The second region 22 may be located below the substrate 10 and the plasma formed in the second region 22 may clean the lower surface of the substrate 10. A plasma may be formed in the second region 22 under the substrate 10 to clean the lower surface of the substrate 10 and form a plasma in the lower space of the substrate 10. [ At this time, plasma may be formed between the lower surface of the substrate 10 and the lower surface of the chamber 110. When the first substrate supporting part 140 is also used, The plasma can be formed between the upper surface of the first substrate supporting part 140 and the upper surface of the first substrate supporting part 140 by moving the first substrate supporting part 140 or the second substrate supporting part 160 up and down, By adjusting the interval of the surfaces, the formation space of the plasma (for example, the volume of the plasma formation space) can be adjusted.

이에 제2 가스공급부(170)를 통한 공정 가스의 농도 조절 및 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)의 승강을 통한 플라즈마의 세기와 균일도 조절을 통해 기판(10)의 하부면을 적절하면서도 효과적으로 세정할 수 있다.The concentration of the process gas through the second gas supply unit 170 and the intensity and uniformity of the plasma through the elevation of the first substrate support unit 140 or the second substrate support unit 160, Can be properly and effectively cleaned.

한편, 플라즈마 형성 공간의 종횡비(또는 플라즈마 형성 공간의 폭에 대한 높이의 비율)에 따라 플라즈마의 균일도가 달라지며, 플라즈마 형성 공간의 종횡비를 조절하여 최적의 균일도를 얻을 수 있다. 플라즈마 형성 공간의 종횡비가 감소하면, 플라즈마 확산에 의해 플라즈마의 균일도가 향상될 수 있으며, 플라즈마 형성 공간의 종횡비가 약 1.5보다 낮아지면 최고 밀도 지점의 이동으로 플라즈마의 균일도가 다시 감소할 수 있다. 이에 따라 최적의 균일도를 얻기 위해 플라즈마 형성 공간의 종횡비를 약 1 ~ 2로 조절할 수 있다.On the other hand, the uniformity of the plasma varies depending on the aspect ratio of the plasma forming space (or the ratio of the height to the width of the plasma forming space), and the aspect ratio of the plasma forming space is adjusted to obtain the optimum uniformity. If the aspect ratio of the plasma forming space is reduced, the uniformity of the plasma can be improved by the plasma diffusion, and if the aspect ratio of the plasma forming space is lower than about 1.5, the uniformity of the plasma can be reduced again by the movement at the highest density point. Accordingly, the aspect ratio of the plasma forming space can be adjusted to about 1 to 2 in order to obtain an optimum uniformity.

그리고 전원공급부(120)는 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)에 전원을 공급하여 기판(10)의 하부면과 제1 기판지지부(140)의 상부면 사이(즉, 상기 기판 하부의 제2 영역)에 플라즈마를 형성할 수도 있고, 기판(10) 하부에 유도 코일(182) 등의 전극을 배치하여 상기 전극에 전원을 공급함으로써 기판(10)의 하부 영역(즉, 상기 제2 영역)에 플라즈마를 형성할 수도 있다.The power supply unit 120 supplies power to the first substrate support unit 140 or the second substrate support unit 160 so that the gap between the lower surface of the substrate 10 and the upper surface of the first substrate support unit 140 A plasma may be formed in the lower region of the substrate 10 by placing an electrode such as an induction coil 182 under the substrate 10 and supplying power to the electrode, The second region).

본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 그 내부에 플라즈마가 형성되며, 기판(10)의 하부에 배치되는 플라즈마 형성관(181);을 더 포함할 수 있고, 제2 가스공급부(170)는 플라즈마 형성관(181)의 내부에 상기 공정 가스를 공급할 수 있다. 플라즈마 형성관(181)은 그 내부에 플라즈마가 형성될 수 있고, 기판(10)의 하부 영역에 배치될 수 있다. 플라즈마 형성관(181)과 같이 플라즈마가 수용될 수 있는 공간이 없는 경우에는 챔버(110) 내부의 진공 분위기를 위한 배기에 의해 기판(10)의 하부 영역에 플라즈마가 오래 머물지 못할 뿐만 아니라 기판(10)의 하부면에 도달하는 플라즈마(또는 이온화된 입자)도 얼마되지 않게 되어 기판(10) 하부면의 세정이 효과적으로 이루어지지 않게 된다.The plasma cleaning apparatus 100 according to the present invention may further include a plasma forming tube 181 having a plasma formed therein and disposed at a lower portion of the substrate 10, The process gas can be supplied to the inside of the plasma forming tube 181. The plasma forming tube 181 may have a plasma formed therein and may be disposed in a lower region of the substrate 10. [ In the case where there is no space in which the plasma can be received, such as the plasma forming tube 181, the plasma can not stay in the lower region of the substrate 10 by exhausting for the vacuum atmosphere inside the chamber 110, The plasma (or ionized particles) reaching the lower surface of the substrate 10 is not so much, and the cleaning of the lower surface of the substrate 10 is not effectively performed.

하지만, 본 발명에서는 플라즈마 형성관(181)을 통해 플라즈마의 형성 공간(또는 수용 공간)을 제공하여 플라즈마를 오랜시간 모아둘 수 있을 뿐만 아니라 플라즈마의 흐름을 기판(10)의 하부면으로 유도하여 기판(10)의 하부면에 도달하는 플라즈마가 많아지게 함으로써 기판(10)의 하부면을 효과적으로 세정할 수 있다.However, according to the present invention, a plasma forming space (or an accommodating space) is provided through the plasma forming tube 181 so that the plasma can be collected for a long time and the flow of the plasma is guided to the lower surface of the substrate 10, It is possible to effectively clean the lower surface of the substrate 10 by increasing the amount of plasma reaching the lower surface of the substrate 10.

그리고 제2 가스공급부(170)는 플라즈마 형성관(181)의 내부에 상기 공정 가스를 공급할 수 있으며, 플라즈마 형성관(181)의 내부에 공급되는 상기 공정 가스를 플라즈마 형성관(181)의 내부에서 플라즈마 상태로 변환시킬 수 있고, 이에 따라 효과적으로 기판(10)의 하부에 플라즈마를 형성할 수 있다.The second gas supply unit 170 may supply the process gas into the plasma forming tube 181 and may supply the process gas supplied to the inside of the plasma forming tube 181 to the inside of the plasma forming tube 181 It is possible to convert the plasma state into the plasma state, thereby effectively forming plasma at the lower portion of the substrate 10.

한편, 플라즈마 형성관(181)의 내부에는 플라즈마 형성관(181)의 둘레에 배치되는 유도 코일(182)에 전원을 공급하여 플라즈마를 형성할 수 있으며, 유도 코일(182)을 통해 플라즈마 형성관(181)의 내부에 형성되는 플라즈마의 균일도가 향상될 수 있다. 여기서, 유도 코일(182)은 플라즈마 형성관(181)의 내부 또는 외부에 배치될 수도 있고, 플라즈마 형성관(181)의 벽 내부에 설치될 수도 있으며, 플라즈마 형성관(181)의 내부 또는 외부에 배치되는 경우에는 파티클에 의해 유도 코일(182)이 오염될 수 있으므로, 플라즈마 형성관(181)의 벽 내부에 설치되는 것이 바람직할 수 있다.A plasma can be formed by supplying power to the induction coil 182 disposed around the plasma generating tube 181. The induction coil 182 is connected to the plasma generating tube 181 through the induction coil 182, The uniformity of the plasma formed inside the plasma display panel 181 can be improved. The induction coil 182 may be disposed inside or outside the plasma forming tube 181 or may be disposed inside the wall of the plasma forming tube 181 or inside or outside the plasma forming tube 181 The induction coil 182 may be contaminated by particles, so that it may be desirable to be installed inside the wall of the plasma forming tube 181. [

그리고 제2 가스공급부(170)는 적어도 일부가 제1 기판지지부(140)에 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제1 기판지지부(140)의 이동에 따라 기판(10)의 하부면과 제1 기판지지부(140)의 상부면 사이에만 상기 공정 가스를 공급하여 플라즈마 형성 공간을 형성할 수 있고, 플라즈마 형성 공간의 바로 밑(또는 플라즈마 형성 공간의 하단)에서 상기 공정 가스가 공급되므로, 플라즈마 형성을 위한 상기 공정 가스가 플라즈마 형성 공간에 안정적으로 공급될 수 있다.At least a portion of the second gas supply part 170 may be formed in the first substrate supporting part 140. In this case, according to the movement of the first substrate supporting part 140, the process gas can be supplied only between the lower surface of the substrate 10 and the upper surface of the first substrate supporting part 140 to form a plasma forming space, Since the process gas is supplied directly below the formation space (or at the lower end of the plasma formation space), the process gas for plasma formation can be stably supplied to the plasma formation space.

본 발명의 플라즈마 세정장치(100)는 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)에 지지된 기판(10)을 정렬시키는 기판 정렬부재(60);를 더 포함할 수 있다. 기판 정렬부재(60)는 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)에 지지된 기판(10)의 위치를 정렬시킬 수 있으며, 복수의 정렬핀(align pin)으로 순차적 또는 동시에 기판(10)을 밀어 정렬시킬 수 있다. 기판(10)이 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)의 중앙에 위치하여야 정상적인 세정 공정이 이루어질 수 있으므로, 기판(10)의 위치가 편중될 경우에 기판 정렬부재(60)를 통해 기판(10)이 제1 기판지지부(140) 또는 제2 기판지지부(160)의 정중앙에 위치하도록 할 수 있고, 기판(10)의 세정 부분이 균일하게 세정될 수 있다.The plasma cleaning apparatus 100 of the present invention may further include a substrate alignment member 60 for aligning the substrate 10 supported by the first substrate support 140 or the second substrate support 160. The substrate alignment member 60 may align the position of the substrate 10 supported by the first substrate support 140 or the second substrate support 160 and may be aligned sequentially or simultaneously with a plurality of alignment pins, (10). Since the substrate 10 is positioned at the center of the first substrate supporting part 140 or the second substrate supporting part 160 so that the normal cleaning process can be performed, The substrate 10 can be positioned in the center of the first substrate supporting portion 140 or the second substrate supporting portion 160 and the cleaning portion of the substrate 10 can be uniformly cleaned.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정방법을 나타내는 순서도이다.7 is a flowchart showing a plasma cleaning method according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정방법을 보다 상세히 살펴보는데, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 세정장치와 관련하여 앞서 설명된 부분과 중복되는 사항들은 생략하도록 한다.Referring to FIG. 7, the plasma cleaning method according to another embodiment of the present invention will be described in detail. However, the elements overlapping with those described above in connection with the plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정방법은 기판의 가장자리에 플라즈마를 형성하여 기판의 측면을 세정하는 과정(S100); 및 상기 기판의 하부에 플라즈마를 형성하여 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200);을 포함할 수 있고, 상기 기판의 측면을 세정하는 과정(S100)과 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200)은 단일 챔버에서 단계적으로 수행될 수 있다. 여기서, ‘단계적’의 의미는 상기 기판의 측면을 세정하는 과정(S100)과 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200)이 동시에 이루어지는 것이 아니라 이시(異時)에 각각 이루어지는 것을 의미하며, 상기 기판의 측면을 세정하는 과정(S100)과 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200)은 순서에 상관없이 각각 이루어질 수 있다. 즉, 상기 기판의 측면을 세정하는 과정(S100)을 먼저 수행한 후에 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200)을 수행할 수도 있고, 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200)을 먼저 수행한 후에 상기 기판의 측면을 세정하는 과정(S100)을 수행할 수도 있다.A plasma cleaning method according to another embodiment of the present invention includes the steps of: (S100) cleaning a side surface of a substrate by forming a plasma at an edge of the substrate; And a step (S200) of cleaning a lower surface of the substrate by forming a plasma at a lower portion of the substrate. The method may further include the step of cleaning the side surface of the substrate (S100) and the step of cleaning the lower surface of the substrate (S200) may be performed step by step in a single chamber. Here, 'stepwise' means that the process of cleaning the side surface of the substrate (S100) and the process of cleaning the lower surface of the substrate (S200) are performed simultaneously, not at the same time, The process of cleaning the side surface of the substrate (S100) and the process of cleaning the lower surface of the substrate (S200) may be performed independently of each other. That is, after performing the step S100 of cleaning the side surface of the substrate, the lower surface of the substrate may be cleaned (S200), or the lower surface of the substrate may be cleaned (S200) And cleaning the side surface of the substrate (S100).

기판의 가장자리에 플라즈마를 형성하여 기판의 측면을 세정할 수 있다(S100). 기판 측면의 세정이 효과적으로 이루어지도록 상기 기판의 가장자리에 플라즈마를 형성하여 상기 기판의 가장자리와 측면을 세정할 수 있다.Plasma is formed at the edge of the substrate to clean the side of the substrate (S100). A plasma may be formed at the edge of the substrate to clean the edge and the side of the substrate so that cleaning of the side surface of the substrate is effectively performed.

그리고 상기 기판의 하부에 플라즈마를 형성하여 상기 기판의 하부면을 세정할 수 있다(S200). 상기 기판 하부면의 세정이 효과적으로 이루어지도록 상기 기판의 하부에 플라즈마를 형성하여 상기 기판의 하부면을 세정할 수 있다.The lower surface of the substrate may be cleaned by forming a plasma at a lower portion of the substrate (S200). The lower surface of the substrate may be cleaned by forming a plasma at a lower portion of the substrate so that cleaning of the lower surface of the substrate is effectively performed.

상기 기판의 측면을 세정하는 과정(S100)과 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200)은 단일 챔버에서 수행될 수 있고, 순서에 관계없이 각각 단계적으로 수행될 수 있다. 본 발명의 플라즈마 세정방법은 상기 기판 측면의 세정 공정과 상기 기판 하부면의 세정 공정을 단일 챔버에서 인시튜로 진행하여 공정 시간의 단축 및 비용 절감을 할 수 있다. 그리고 상기 기판의 측면을 세정하는 과정(S100)과 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200)을 각각 이시에 수행함으로써, 각 부분에 증착된 박막 두께에 따라 적절한 세정 공정을 수행할 수 있고, 상대적으로 두껍게 증착되는 상기 기판 측면의 박막을 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라 상기 기판 측면의 박막에 의한 플라즈마 아킹을 방지할 수 있으며, 반도체 소자의 생산성 저하 및 경제적 손실을 감소시킬 수 있다.The step of cleaning the side surface of the substrate (S100) and the step of cleaning the lower surface of the substrate (S200) may be performed in a single chamber, and may be performed stepwise independently of the order. In the plasma cleaning method of the present invention, the cleaning process of the side surface of the substrate and the cleaning process of the lower surface of the substrate are performed in situ in a single chamber, thereby shortening the process time and cost. Then, a cleaning process (S100) for cleaning the side surface of the substrate and a cleaning process (S200) for cleaning the lower surface of the substrate are respectively performed, and an appropriate cleaning process can be performed according to the thickness of the thin film deposited on each portion, The thin film on the side surface of the substrate which is relatively thickly deposited can be effectively removed. Accordingly, the plasma arc caused by the thin film on the side surface of the substrate can be prevented, and the productivity and the economic loss of the semiconductor device can be reduced.

본 발명에 따른 플라즈마 세정방법은 상기 기판의 하부 온도와 상기 기판의 상부면 온도를 측정하는 과정(S250); 및 상기 기판 하부와 상기 기판 상부면의 온도차에 따라 상기 기판의 상부면을 가열하는 과정(S260);을 더 포함할 수 있다.The plasma cleaning method according to the present invention includes the steps of: measuring a lower temperature of the substrate and a temperature of the upper surface of the substrate (S250); And heating the upper surface of the substrate according to a temperature difference between the lower surface of the substrate and the upper surface of the substrate (S260).

상기 기판의 하부 온도와 상기 기판의 상부면 온도를 측정할 수 있고(S250), 상기 기판 하부와 상기 기판 상부면의 온도차에 따라 상기 기판의 상부면을 가열할 수 있다(S260). 상기 기판의 부분별로 온도차가 발생하는 경우에 상기 기판의 휨(warpage)이 발생할 수 있으며, 상기 기판을 가열하여 상기 기판의 부분별 온도차를 줄일 수 있고, 상기 기판의 휨(또는 뒤틀림)을 방지할 수 있다.The lower temperature of the substrate and the temperature of the upper surface of the substrate may be measured (S250), and the upper surface of the substrate may be heated according to a temperature difference between the lower surface of the substrate and the upper surface of the substrate (S260). Warpage of the substrate may occur when a temperature difference is generated for each part of the substrate and a temperature difference between the parts of the substrate may be reduced by heating the substrate to prevent warp (or warping) of the substrate .

한편, 상기 기판의 하부 온도와 상기 기판의 상부면 온도를 측정하는 과정(S250); 및 상기 기판의 상부면을 가열하는 과정(S260)은 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정(S200) 중에 수행될 수 있다. 특히, 상기 기판의 하부면을 세정하는 경우에는 상기 기판의 하부에 형성되는 플라즈마에 의해 많은 열이 발생되어 상기 기판의 상부와 하부의 온도차가 크게 발생함으로 인해 상기 기판의 휨이 발생할 수 있으므로 더욱 문제가 된다. 이로 인해 상기 기판의 상부와 하부의 온도차 발생을 억제 또는 방지할 수 있도록 상기 기판의 상부면을 가열할 수 있고, 상기 기판의 상부와 하부의 온도차를 줄일 수 있다. 또한, 금속(metal)이 증착된 기판의 경우에는 상기 기판의 상부면을 가열하여 부산물에 의한 부식을 방지할 수도 있다.Meanwhile, a step of measuring the lower temperature of the substrate and the upper surface temperature of the substrate (S250); And heating the upper surface of the substrate (S260) may be performed during a step S200 of cleaning the lower surface of the substrate. Particularly, when cleaning the lower surface of the substrate, a large amount of heat is generated by the plasma formed at the lower portion of the substrate, so that the temperature difference between the upper portion and the lower portion of the substrate is largely generated, . Therefore, the upper surface of the substrate can be heated to suppress or prevent the temperature difference between the upper and lower portions of the substrate, and the temperature difference between the upper portion and the lower portion of the substrate can be reduced. Also, in the case of a substrate on which a metal is deposited, the upper surface of the substrate may be heated to prevent corrosion due to by-products.

이처럼, 본 발명에서는 챔버 내부의 제1 영역과 제2 영역에 각각 플라즈마를 형성하여 기판의 측면 및 기판의 하부면을 단일 챔버에서 인시튜로 세정할 수 있다. 또한, 기판의 측면과 기판의 하부면을 분리하여 세정함으로써, 각 부분에 증착된 박막 두께에 따라 알맞은 세정 공정을 수행할 수 있고, 상대적으로 두껍게 증착되는 기판 측면의 박막을 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 기판 측면의 박막에 의한 플라즈마 아킹을 방지할 수 있고, 이로 인해 생산성 저하 및 경제적 손실을 감소시킬 수 있으며, 기판 측면의 세정 공정과 기판 하부면의 세정 공정을 단일 챔버에서 인시튜로 진행하여 공정 시간의 단축 및 비용 절감을 할 수 있다. 그리고 기판 하부면의 세정 공정시에 기판 가열부를 통해 기판의 상부면을 가열함으로써, 기판 하부에 형성된 플라즈마의 열로 인한 기판의 뒤틀림을 방지할 수 있다. 또한, 챔버의 절연부 내부에 그 둘레를 따라 극성이 교번되도록 복수의 자석부재를 배치함으로써, 자기장을 통해 기판의 상부면 중앙부의 증착 영역(또는 패턴 영역)에 플라즈마 및 파티클의 유입을 방지할 수 있다.As described above, in the present invention, the plasma is formed in the first region and the second region in the chamber, respectively, so that the side surface of the substrate and the lower surface of the substrate can be cleaned in situ in a single chamber. Further, by separately cleaning the side surface of the substrate and the lower surface of the substrate, a proper cleaning process can be performed according to the thickness of the thin film deposited on each portion, and the thin film on the side surface of the substrate that is relatively thick can be effectively removed. Therefore, it is possible to prevent the plasma arc caused by the thin film on the side surface of the substrate, thereby reducing the productivity and the economic loss. Also, the cleaning process of the side surface of the substrate and the cleaning process of the lower surface of the substrate can be performed in a single chamber, The time can be shortened and the cost can be reduced. The upper surface of the substrate is heated through the substrate heating unit during the cleaning process of the lower surface of the substrate, thereby preventing the substrate from being twisted due to the heat of the plasma formed under the substrate. Further, by disposing a plurality of magnet members so that the polarity is alternated in the insulating portion of the chamber along the periphery thereof, it is possible to prevent the inflow of plasma and particles into the deposition region (or pattern region) at the center portion of the upper surface of the substrate through the magnetic field have.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limited to the embodiments set forth herein. Those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments may be possible. Accordingly, the technical scope of the present invention should be defined by the following claims.

10 : 기판 11 : 제1 막
12 : 제2 막 13 : 제3 막
21 : 제1 영역 22 : 제2 영역
31 : 제1 온도센서 32 : 제2 온도센서
41 : 자석부재 51 : 간격 측정센서
60 : 기판 정렬부재 100 : 플라즈마 세정장치
110 : 챔버 111 : 절연부
112 : 반입슬롯 120 : 전원공급부
121 : 제1 전원공급원 122 : 제2 전원공급원
130 : 기판 가열부 140 : 제1 기판지지부
150 : 제1 가스공급부 151 : 가스 분배부재
160 : 제2 기판지지부 170 : 제2 가스공급부
171 : 제2 가스분배부재 181 : 플라즈마 형성관
182 : 유도 코일 191 : 배기포트10: substrate 11: first film
12: second film 13: third film
21: first region 22: second region
31: first temperature sensor 32: second temperature sensor
41: magnet member 51: gap measuring sensor
60: substrate alignment member 100: plasma cleaning device
110: chamber 111: insulating part
112: carry-in slot 120: power supply
121: first power source 122: second power source
130: substrate heating section 140: first substrate supporting section
150: first gas supply unit 151: gas distribution member
160: second substrate supporting part 170: second gas supply part
171: second gas distributing member 181: plasma generating tube
182: induction coil 191: exhaust port

Claims (12)

박막이 증착된 기판의 세정 공정이 수행되는 챔버; 및
상기 챔버 내부의 제1 영역과 제2 영역에 각각 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하고,
상기 전원공급부는 상기 제1 영역의 플라즈마 형성을 위한 전원과 상기 제2 영역의 플라즈마 형성을 위한 전원을 순차적으로 공급하여, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 플라즈마를 서로 다른 시간에 형성하고,
상기 제1 영역에 형성된 플라즈마는 상기 기판의 측면 영역에서 상기 기판의 측면을 세정하며, 상기 제2 영역에 형성된 플라즈마는 상기 기판의 하부에서 상기 기판의 하부면을 세정하고,
상기 기판의 상부면 온도를 측정하는 제1 온도센서;
상기 제2 영역에 형성된 플라즈마의 열에 의한 상기 기판의 하부 온도를 측정하는 제2 온도센서; 및
상기 기판의 상부면에 대향하도록 배치되어 상기 기판의 상부면을 가열하는 기판 가열부;를 더 포함하며,
상기 기판 가열부는 상기 제2 영역에 형성된 플라즈마로 상기 기판의 하부면을 세정하는 동안 상기 기판의 상부면을 가열하는 플라즈마 세정장치.A chamber in which a cleaning process of the substrate on which the thin film is deposited is performed; And
And a power supply unit for supplying power to form a plasma in each of the first region and the second region inside the chamber,
Wherein the power supply unit sequentially supplies a power source for plasma formation of the first region and a power source for plasma formation of the second region to form plasma in the first region and the second region at different times,
The plasma formed in the first region cleans the side surface of the substrate in a lateral region of the substrate, and the plasma formed in the second region cleans the lower surface of the substrate in the lower portion of the substrate,
A first temperature sensor for measuring the temperature of the upper surface of the substrate;
A second temperature sensor for measuring a lower temperature of the substrate by the heat of the plasma formed in the second region; And
And a substrate heating unit arranged to face the upper surface of the substrate and to heat the upper surface of the substrate,
Wherein the substrate heating unit heats the upper surface of the substrate while cleaning the lower surface of the substrate with plasma formed in the second region. 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 챔버는 상기 기판의 상부면에 대향하는 절연부를 포함하는 플라즈마 세정장치.The method according to claim 1,
Wherein the chamber includes an insulating portion opposite the upper surface of the substrate. 청구항 4에 있어서,
상기 절연부의 내부에 상기 절연부의 둘레를 따라 극성이 교번되어 배치되는 복수의 자석부재;를 더 포함하는 플라즈마 세정장치.The method of claim 4,
And a plurality of magnet members arranged in the insulating portion alternately with a polarity along the periphery of the insulating portion. 청구항 4에 있어서,
상기 절연부와 상기 기판의 상부면 사이의 거리를 측정하는 간격 측정센서;를 더 포함하는 플라즈마 세정장치.The method of claim 4,
And an interval measuring sensor for measuring a distance between the insulating portion and the upper surface of the substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 기판이 지지되는 제1 기판지지부; 및
상기 기판의 가장자리에 공정 가스를 공급하는 제1 가스공급부;를 더 포함하고,
상기 제1 영역에 플라즈마를 형성하는 경우에,
상기 전원공급부는 상기 제1 기판지지부 또는 상기 제1 가스공급부에 전원을 공급하는 플라즈마 세정장치.The method according to claim 1,
A first substrate supporting part on which the substrate is supported; And
And a first gas supply unit for supplying a process gas to an edge of the substrate,
In the case of forming the plasma in the first region,
Wherein the power supply unit supplies power to the first substrate support unit or the first gas supply unit. 청구항 7에 있어서,
상기 제1 가스공급부는 고리 형상으로 형성되어 상기 공정 가스를 분배하는 가스 분배부재를 포함하는 플라즈마 세정장치.The method of claim 7,
Wherein the first gas supply unit includes a gas distribution member formed in an annular shape to distribute the process gas. 청구항 1에 있어서,
상기 기판 하부면의 적어도 일부가 노출되도록 상기 기판을 지지하는 제2 기판지지부; 및
상기 기판의 하부에 공정 가스를 공급하는 제2 가스공급부;를 더 포함하는 플라즈마 세정장치.The method according to claim 1,
A second substrate support for supporting the substrate such that at least a portion of the substrate lower surface is exposed; And
And a second gas supply unit for supplying a process gas to a lower portion of the substrate. 청구항 9에 있어서,
그 내부에 플라즈마가 형성되며, 상기 기판의 하부에 배치되는 플라즈마 형성관;을 더 포함하고,
상기 제2 가스공급부는 상기 플라즈마 형성관의 내부에 상기 공정 가스를 공급하는 플라즈마 세정장치.The method of claim 9,
And a plasma forming tube in which a plasma is formed and disposed at a lower portion of the substrate,
And the second gas supply unit supplies the process gas into the plasma forming tube. 챔버 내부의 제1 영역에 플라즈마를 형성하여 박막이 증착된 기판의 측면 영역에서 상기 기판의 측면을 세정하는 과정;
상기 기판의 하부의 제2 영역에 플라즈마를 형성하여 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정; 및
상기 제2 영역에 형성된 플라즈마의 열에 의한 상기 기판의 하부 온도와 상기 기판의 상부면 온도를 측정하는 과정;을 포함하고,
상기 기판의 측면을 세정하는 과정과 상기 기판의 하부면을 세정하는 과정은 단일 챔버에서 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 플라즈마를 서로 다른 시간에 형성하여 단계적으로 수행되며,
상기 제2 영역에 형성된 플라즈마로 상기 기판의 하부면을 세정하는 동안 상기 기판의 상부면을 가열하는 과정;을 더 포함하는 플라즈마 세정방법.Forming a plasma in a first region inside the chamber to clean a side surface of the substrate in a side region of the substrate on which the thin film is deposited;
Forming a plasma in a second region below the substrate to clean the lower surface of the substrate; And
And measuring the temperature of the lower surface of the substrate and the temperature of the upper surface of the substrate by the heat of the plasma formed in the second region,
The process of cleaning the side surface of the substrate and cleaning the bottom surface of the substrate are performed step by step by forming plasma in the first region and the second region at different times in a single chamber,
And heating the upper surface of the substrate while cleaning the lower surface of the substrate with the plasma formed in the second region. 청구항 11에 있어서,
상기 기판의 상부면을 가열하는 과정에서는 상기 기판 하부와 상기 기판 상부면의 온도차에 따라 상기 기판의 상부면을 가열하는 플라즈마 세정방법.The method of claim 11,
Wherein the upper surface of the substrate is heated according to a temperature difference between the lower surface of the substrate and the upper surface of the substrate in the process of heating the upper surface of the substrate.
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