KR101421696B1 - 투명전극의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비하는 단계; 상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 잉크를 채워넣는 단계; 상기 잉크가 채워진 상기 투명기재에 열을 인가하여 상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성하는 단계; 및 상기 부분 소성된 잉크를 소성 촉진화하는 단계를 포함하되, 상기 소성 촉진화를 위해 광에너지를 인가하거나 화학적 소성 촉진제를 처리하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법이 제공된다.
Description
본 명세서에 개시된 기술은 일반적으로 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.
현재 국내 IT 제조업체들의 터치스크린 탑재기기 생산이 급증세를 보이면서 기존 터치스크린용 인듐주석산화물(ITO) 필름이 주원료로 쓰이는 인듐(indium)의 수급 불균형 우려가 커지는 상황이다. ITO의 경우 전도도가 미흡하고 쉽게 깨지는 문제로 대형 스크린 제작에 어려움이 있고 플렉서블 기판에 부적합하다. 최근 투명전극에 있어서, 터치스크린 원가의 37~40%를 차지하는 ITO 필름을 메탈(은 또는 구리) 메쉬, 은 나노와이어, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀 등으로 대체하려는 연구개발이 진행되고 있다. CNT는 정전용량 및 패턴 형성에 문제가 있고, 그래핀의 경우 양산성이 부족하고, 대면적화나 가격 및 패턴 형성 등에 문제가 있으며, 전도성 고분자의 경우 신뢰성이 낮고 전도도가 충분치 않은 문제가 있다. 한편 은 나노와이어의 경우 투과율, 전도도 및 코팅성이 필요하나 헤이즈(haze) 문제나 패턴형성을 위해 에칭이 필요하는 점, 잉크 가격 등에서 문제가 있다. 기타 알루미늄이나 은 필름에 리버스 옵셋으로 포토레지스트를 인쇄한 후 에칭하는 방식이나 은염사진 기술을 이용한 방식 등이 있다.
이 중 현재 메탈 메쉬 형태가 낮은 저항값을 갖는 장점으로 유력한 대체 후보로 꼽히고 있다. 메탈 메쉬 방식은 기존 ITO의 한계인 터치스크린 대형화나 플렉서블 디스플레이 개발에도 이점을 가질 것으로 보인다. 공정에 따라 사용되는 메탈은 은(silver)과 동(copper)으로 나뉘며 약 3 내지 8 미크론의 패턴을 갖는다.
메탈 메쉬 공정은 직접 패턴 형성방식으로 에칭이 필요없고 전도도 및 투과율이 우수하여 대형 터치스크린에 유리하다. 메탈 메쉬는 투명한 글래스 또는 필름 위에 메탈이 직교 형태로 배치되며 기존 터치패널에 사용되는 ITO 투명 전극 대신 금속을 미세하게 패널에 입히는 방식으로 제조되고 있다. 금속의 특성상 투과율이 0에 가깝다는 한계를 극복하기 위해 금속을 격자 형태로 배치해 투과율을 높이는 방식을 택해 평균 95% 이상의 투과율 확보가 가능한 것으로 알려져 있다. 은 메쉬의 경우 음각 형태의 홈을 UV 포토 공정으로 형성한 뒤에 은 페이스트를 채우는 방식으로 만들어지며, 동 메쉬의 경우 엠보싱 후 시드 형성 후 전주도금(electroforming) 방식 또는 시드 층을 잉크젯 프린팅 후 도금하는 방식으로 만들어질 수 있다.
통상적으로 터치스크린용 은 메쉬 형태의 투명 전극의 경우 은 페이스트(일반적으로 1만 내지 5만 cps의 점도, 은 입자 크기 3 미크론 내외)를 투명기재 상에 형성된 5 내지 8 미크론의 너비 및 깊이를 갖는 홈에 닥터 블레이드를 사용하여 채운 후 건조한 다음 시인성 개선을 위해 은 페이스트 위에 흑화 페이스트를 채우는 방식으로 제조된다. 초대형 터치스크린용이나 일반적인 태양광 용 투명전극 또는 EMI 용 메쉬 전극인 경우는 이보다 선폭이 넓어도(보통 100미크론 이하) 무방하다.
하지만 상기와 같이 5 내지 8 미크론 크기의 패턴이 형성될 경우 모아레(moire) 현상이 나타나므로 이를 최소화하기 위해서는 3 미크론급 이하의 미세패턴의 형성이 필요하다. 그런데 기존의 페이스트로는 높은 점도 및 레올로지 특성으로 인해 수율, 신뢰성, 공정, 비용 등에서 한계에 부딪힐 수 있다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비하는 단계; 상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 잉크를 채워넣는 단계; 상기 잉크가 채워진 상기 투명기재에 열을 인가하여 상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성하는 단계; 및 상기 부분 소성된 잉크를 소성 촉진화하는 단계를 포함하되, 상기 소성 촉진화를 위해 광에너지를 인가하거나 화학적 소성 촉진제를 처리하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법이 제공된다.
일 구현예에서, 상기 미세 선폭은 50 nm 내지 50 um이다.
일 구현예에서, 상기 금속 화합물이 금속 전구체이다.
일 구현예에서, 상기 투명기재 표면에 잔존한 상기 잉크를 제거하는 단계를 더 포함한다.
일 구현예에서, 상기 금속 전구체는 은 화합물이다.
일 구현예에서, 상기 부분 소성을 위한 온도 범위는 60 내지 170℃이다.
일 구현예에서, 상기 부분 소성 후 저항이 10 내지 1011 Ω/□이다.
일 구현예에서, 상기 화학적 소성 촉진제는 환원제이다.
일 구현예에서, 상기 소성 촉진화 단계 후 흑화 처리를 하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비하는 단계; 상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 금속 전구체 잉크를 채워넣는 단계; 상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성하여 저항이 10 내지 1011 Ω/□이 되도록 하는 단계; 상기 투명기재 표면에 잔존하는 상기 금속 전구체 잉크를 제거하는 단계; 및 상기 부분 소성된 잉크에 환원제를 처리하여 소성을 완결하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법이 제공된다.
일 구현예에서, 상기 패턴은 메쉬형 패턴이다.
일 구현예에서, 상기 환원제는 소디움 하이포포스파이트(sodium hypophosphite), 소디움 설파이트(sodium sulfite), 소디움 보로하이드라이드(sodium borohydride), 디메틸아민보란(dimethylamine borane), 디에틸아민보란(diethylamine borane), 카보히드라자이드(carbohydrazide), 히드라진(hydrazine), 로셀염(Rochelle salt), 에리소베이트(erythobate), 디에틸히드록실아민(diethylhydroxylamine), 메틸에틸케톡심(methylethylketoxime), 히드로퀴논(hydroquinone), 포름산, 포름알데히드, 포름산 암모늄(ammonium formate), 트리에틸암모늄(triethylammonium formate), 테트라메틸암모늄(tetramethylammonium formate), 글루코스, 시트릭 산, 아스코빈산, 페니돈(phenidone), 퀸히드론(quinhydrone), 파라-메틸아미노페놀 설페이트(p-methylaminophenol sulfate), 1,2,3-트리히드록시 벤젠(1,2,3-trihydroxybenzene), 파라-아미노페놀(p-aminophenol), 디아미노페놀(diaminophenol), 2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸 설페이트 (2-[(4-Amino-3-methylphenyl)ethylamino]ethyl sulfate), N-[2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸] 메탄설폰아미드 (N-[2-[(4-amino-3-methylphenyl)ethylamino]ethyl] methanesulfonamide) 및 4-(N-에틸-N-2-히드록시에틸)-2-메틸페닐렌디아민 설페이트(4-(N-ethyl-N-2-hydroxyethyl)-2-methylphenylenediamine sulfate)로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상이다.
일 구현예에서, 상기 금속 전구체 잉크는 소성형 은 잉크이다.
본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비하는 단계; 상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 금속 전구체 잉크 및 환원제를 채워넣는 단계; 상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성하여 저항이 10 내지 1011 Ω/□이 되도록 하는 단계; 상기 투명기재 표면에 잔존하는 상기 금속 전구체 잉크를 제거하는 단계; 및 상기 부분 소성된 잉크를 추가 소성하여 소성을 완결하는 단계를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타낸 공정흐름도이다.
도 2는 메쉬 구조의 패턴이 형성된 투명전극의 사시도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전극의 제조과정을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 투명전극을 제조하는 다양한 방식들을 나타낸다.
도 2는 메쉬 구조의 패턴이 형성된 투명전극의 사시도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전극의 제조과정을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 투명전극을 제조하는 다양한 방식들을 나타낸다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 일 구현예에 따른 메쉬형 투명전극 제조방법은 다음과 같은 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타낸 공정흐름도이다. 도 1을 참조하면, 단계 S1에서 미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비한다. 상기 투명기재는 투광성을 가지며 금속 전극을 지지할 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리비닐알코올(PVA), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), 폴리스티렌(PS), 유리 등의 재질로 된 것일 수 있다. 이때 상기 투명기재의 표면은 소정의 패턴을 갖는 요철 형상을 가질 수 있다. 상기 패턴은 상기 투명기재의 표면을 엠보싱하여 형성하거나, 또는 UV 아크릴 수지를 이용한 리소그래피 공정으로 형성한 것일 수 있다.
상기 소정의 패턴은 가로와 세로 방향의 선들이 교차하는 형태를 가질 수 있다. 이 경우 패턴을 이루는 선들은 미세 선폭을 갖는 홈들을 구비하고 추후 금속 성분이 이러한 홈들을 채움으로써 전체적으로 금속메쉬전극을 형성할 수 있다.
도 2는 메쉬 구조의 패턴이 형성된 투명전극의 사시도를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 투명전극(200)은 투명기재(210)에 금속 선들이 서로 교차하여 이루고 있는 금속메쉬전극(220)을 구비한다.
단계 S2에서 상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 잉크를 채워넣는다. 보통 메쉬형 투명전극의 제조는 은 입자와 바인더, 용매 등을 혼합하여 제조한 점도가 수천 내지 수만 cps 범위를 갖는 고점도의 건조형 페이스트 잉크를 사용하는 방식이 일반적이다. 하지만 3~4 미크론 이하의 보다 미세한 패턴을 갖는 메쉬형에 고점도 페이스트 잉크를 사용할 경우 홈 내부를 채우기 어려워 충진율이 떨어지거나 단선이 발생하는 문제점이 발생할 수 있다. 또한 충진이 되더라도 바인더를 사용하므로 입자간의 접촉 불량에 의해 충분한 전도도를 나타내지 못할 수 있다.
그리하여 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전극의 제조방법에 따르면, 고점도 페이스트 잉크 대신 저점도 소성형 잉크가 사용된다. 상기 저점도 소성형 잉크는 바인더가 없이 또는 바인더를 최소화함으로써 낮은 점도로 인해 패턴 필름, 즉 투명기재의 홈에 용이하게 채워질 수 있다. 여기서 저점도라 함은 1 내지 500 cps, 바람직하게는 3 내지 100 cps를 말한다. 잉크가 도포된 후에는 소성(소결, sintering)을 수행함으로써 전극이 완성된다.
상기 잉크는 금속 화합물을 주성분으로 한다. 상기 금속 화합물은 금속 전구체일 수 있다. 상기 금속 전구체는 금속의 염산화물, 황산화물, 질산화염, 인산화물 등 무기산 금속염 화합물일 수 있다.
예를 들어 상기 금속 전구체는 은 또는 구리 화합물일 수 있으며, 바람직하게는 부분 소성 공정 중에 산화 안정성이 우수한 면에서 은 화합물일 수 있다.
상기 은 화합물의 구체적인 예로서, 말론산 은 (silver malonates), 카르복실산 은 (silver carboxylates), 또는 은 착체 화합물(silver complexes)일 수 있다
상기 은 화합물의 구체적인 예로서, 말론산 은 (silver malonates), 카르복실산 은 (silver carboxylates), 또는 은 착체 화합물(silver complexes) 등일 수 있는데 이러한 은 화합물들은 한국특허출원 10-2012-0149495 및 10-2013-0020270, Chem. Vapor Deposition, 7, p111 (2001)), Organometallics, 15, p2575 (1996), Chem. Mater., 16, p2021 (2004), US 7691294 B2, US 2011/0111138A1, US 8,226,755 B2, 및 J. Am. Chem. Soc., 134, 1419, 2012), WO 2007/004437A1, Makromol Rapid Commun., 26, p315 (2005), J. Mater. Sci., 41, p4153 (2006), Chem. Mater., 21, p343 (2009))등 참고문헌에서 볼 수 있다.
상기 은 화합물의 좀더 구체적인 예로서, 2-(히드록시이미노)말론산 은(Silver 2-(hydroxyimino) malonate), 디알릴말론산 은(silver diallylmalonate), 메틸말론산 은(silver methylmalonate), 포름산 은(silver formate), 초산 은(silver acetate), 트리플루오로 아세트산 은(silver trifluoroacetate), 옥살산 은(silver oxalate), 1,3-아세톤디카르복실산 은(silver 1,3-acetonedicarboxylate), 아세토아세트산 은(silver acetoacetate), 2-메틸-아세토 초산 은(silver 2-methyl-acetoacetate), 옥살산 은(silver oxalate), 젖산 은(silver lactate), 말론산 은(silver malonate), 말릭산 은 (silver maliate) 말레산 은(silver maleate), 푸마릭산 은(silver fumarate), 글리옥실산 은(silver glyoxylate), 이타콘 산 은(silver itaconate), 피루빅산 은(silver pyruvate), 숙신산 은(silver succinate), 글루탈산 은(silver glutalate), 글루콘산 은(silver gluconate), 피크릭산 은(silver picrate), 시트릭산 은(silver citrate), 이미노디아세트산 은(silver iminodiacetate), 니트릴로트리아세트산 은(silver nitrilotriacetate), 에틸렌디아민 테트라아세트산 은, (silver ethylenediaminetetraacetate), 네오데칸산 은(silver neodecanoate), 스테아린산 은(silver stearate), 은 알킬 암모늄 카바메이트(silver alkylammonium carbamates), 은 알킬 암모늄 카보네이트계 화합물(silver alkylammonium carbonates)등을 들 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
단계 S3에서 상기 잉크가 채워진 상기 투명기재에 열을 인가하여 상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성한다. 앞서 설명한 바와 같이 저점도 소성형 잉크를 상기 투명기재에 도포하여 패턴을 이루는 홈에 채운 뒤에는 소성과정을 거치는데 이때 고온에서 소성할 경우 상기 투명기재(패턴 필름)가 변형될 수 있다. 특히 미세 패턴의 경우 고온에 의한 변형은 큰 문제가 될 수 있다. 실제로 장력(tension)이 걸린 상태의 롤투롤 공정에서 패턴 필름의 변형이 발생될 수 있다. 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 위에 UV 아크릴 수지로 패터닝한 것과 FPCB 본딩 부분의 치수공차 발생이 허용치 범위에 있는 것이 바람직하다. 다만 패턴 필름의 변형 방지를 위해 소성 온도를 낮추더라도 형성된 금속 전극이 충분한 전도도를 나타낼 수 있는 것이 좋다.
한편 금속 전구체가 도포된 필름은 나노입자들이 소결되면서 벌크(bulk) 상태로 되어 박막 상태에서 증착(보통 100나노미터)한 것과 유사한 전도도를 내는데 이때 미소결된 나노 형태의 입자들은 검은 색에 가까운 브라운 컬러를 보인다. 따라서 이를 제거하는 세정 과정이 필요하다. 그런데 소결시 닥터 블레이드 등으로 홈을 채우는 과정에서 홈 이외의 표면에 남는 잉크도 함께 소결이 되어버릴 경우 세척이 곤란해질 수 있다. 이 경우 투명전극에서 헤이즈 문제가 발생할 수 있다. 한편 소결이 충분하지 않으면 세정 과정에서 충진된 도막에 손상이 생길 수 있다.
결론적으로 미세패턴의 메쉬형 투명 전극을 개발하기 위해서는 세척 가능한 저온 소성형 잉크가 필요하다. 하지만 예를 들어 90℃ 정도의 저온에서도 충분한 전도도(면저항 1 Ω/□ 이하)를 갖는 잉크는 현재까지 개발되지 않은 상태이다. 따라서 충분한 전도도를 가지면서도 헤이즈 문제가 없는 새로운 공정이 요구된다. 본 단계에서는 고온에서의 완전한 소성이 아닌 소정 온도 이하에서의 부분 소성, 즉 충분히 소성되지 않은 적당한 상태로 소성을 일단 수행함으로써 추후 세정공정 중 도막 손상이 없으면서도 헤이즈 문제를 방지할 수 있도록 한다. 그리고 다음 단계에서 설명하겠지만 열을 인가하지 않는 물리적 또는 화학적 방식으로 소성 촉진화함으로써 금속 나노입자들이 벌크 상태로 뭉치도록 하여 원하는 전도도를 얻는다.
본 명세서에 있어서, "부분 소성"의 정의는 특별히 제한할 필요는 없지만 추후 세척 용액 및/또는 화학적 소성 촉진제 처리 과정에서 도막이 손상되지 않고 양호한 전도도를 나타낼 수 있는 정도로 열을 인가하는 것을 지칭한다. 예를 들면 양호한 전도도의 기준으로서, 형성된 전극이 실험적으로는 부분 소성 후 저항이 10 ~1011 Ω/□, 바람직하게는 102 ~109 Ω/□, 보다 바람직하게는 103 ~108 Ω/□ 범위의 전도도를 가지면 좋다. 이보다 저항이 낮거나(전도도가 좋은 경우) 저항이 높으면(전도도가 나쁜 경우) 각각 나중에 표면에 남아있는 이물질이 깨끗하게 세척이 되지 않아 헤이즈 문제를 발생시킬 수 있거나 소성이 너무 안되어 금속 막이 세척 용액 및/또는 화학적 소성 촉진제에 손상을 입게 되어 원하는 전도도를 얻기가 어려운 단점이 있다. 상기 양호한 전도도를 얻기 위해 저점도 소성형 잉크를 패턴 필름의 홈에 채운 후 소정의 온도, 예를 들어 60 내지 170℃, 바람직하게는 70 내지 150℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 130℃ 범위에서 처리하는 것이 좋다. 잉크의 성분에 따라 소성 온도는 상기 범위에서 적절히 선택될 수 있으며, 저온일수록 패턴 형상 유지에 유리하다.
단계 S4에서 상기 부분 소성된 잉크를 소성 촉진화한다. 이때 소성 촉진을 위해 열을 가하는 대신 광에너지를 인가하거나 화학적 소성 촉진제를 처리한다. 필요에 따라 단계 S3와 단계 S4 사이에 상기 투명기재 표면에 잔존하는 상기 잉크를 제거하는 세정 단계를 더 포함할 수 있다. 이렇게 잉크 도포과정에서 기재 표면에 묻은 이물질(잔존하는 부분 소성된 잉크)을 제거한 후 패턴에 손상을 줄 수 있는 열을 가하는 대신 상술한 다른 방법으로 소성 촉진화한다. 또는 추후 세정에 문제가 없다면 상기 이물질 제거 전에 소성 촉진화를 하여도 무방하다. 상술한 광에너지 인가 방식은 레이져(Laser), 포톤(photon), 전자빔, 극자외선(deep-UV) 등을 부분 소성된 잉크에 인가하는 방식일 수 있으며, 화학적 소성 촉진제를 처리하는 방식의 예로 금속 이온의 환원을 돕는 환원제를 부분 소성된 잉크가 들어 있는 투명기재의 홈에 투입하는 방식일 수 있다.
상기 환원제로서 금속 이온으로부터 금속으로 환원을 돕는 물질이면 특별히 제한되지 않지만, 소디움 하이포포스파이트(sodium hypophosphite), 소디움 설파이트(sodium sulfite), 소디움 보로하이드라이드(sodium borohydride), 디메틸아민보란(dimethylamine borane), 디에틸아민보란(diethylamine borane), 카보히드라자이드(carbohydrazide), 히드라진(hydrazine), 로셀염(Rochelle salt), 에리소베이트(erythobate), 디에틸히드록실아민(diethylhydroxylamine), 메틸에틸케톡심(methylethylketoxime), 히드로퀴논(hydroquinone), 포름산, 포름알데히드, 포름산 암모늄(ammonium formate), 트리에틸암모늄(triethylammonium formate), 테트라메틸암모늄(tetramethylammonium formate), 글루코스, 시트릭 산, 아스코빈산, 페니돈(phenidone), 퀸히드론(quinhydrone), 파라-메틸아미노페놀 설페이트(p-methylaminophenol sulfate), 1,2,3-트리히드록시 벤젠(1,2,3-trihydroxybenzene), 파라-아미노페놀(p-aminophenol), 디아미노페놀(diaminophenol), 2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸 설페이트 (2-[(4-Amino-3-methylphenyl)ethylamino]ethyl sulfate), N-[2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸] 메탄설폰아미드 (N-[2-[(4-amino-3-methylphenyl)ethylamino]ethyl] methanesulfonamide) 및 4-(N-에틸-N-2-히드록시에틸)-2-메틸페닐렌디아민 설페이트(4-(N-ethyl-N-2-hydroxyethyl)-2-methylphenylenediamine sulfate)로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 소성 촉진화에 의해 금속 나노입자가 완전히 소결되어 원하는 전도도를 갖는 투명전극이 형성될 수 있다.
필요에 따라 환원 공정 후 도금 공정(전해 또는 무전해 도금)을 추가하거나 금속 전극 보호를 하기 위한 흑화 처리 공정이 추가될 수 있다.
상기 흑화 처리에 의해 투명 전극의 신뢰성이 확보되며 시인성이 개선될 수 있다. 이러한 흑화 공정은 우레탄 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 실리콘 수지 등의 열 또는 UV 경화성 수지에 카본, 탄소나노튜브, 그래핀, 니켈, 또는 코발트 등의 나노 금속입자 또는 나노 금속 산화물입자, 유기 흑색 염료나 안료가 포함된 것을 이용하여 충진을 수행하여 이루어질 수 있다.
부분소성 및 소성 촉진 후 흑화처리는 공정단축을 위해 기존의 흑화 페이스트에 상기의 소성 촉진제를 혼합하여 사용하거나 또는 수계, 알코올계나 혼합계 흑색 잉크를 사용하거나 여기에 소성 촉진제를 혼합하여 사용하여도 좋다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전극의 제조과정을 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 3의 (a)에서 소정 크기의 미세 선폭 a를 갖는 패턴 필름(300)이 제공된다. 상기 미세 선폭 a의 크기는 특별히 제한되지 않지만, 고점도 페이스트 잉크로는 충진이 어려운 크기를 포함하며, 예를 들어 상기 a의 크기는 6um 이하, 5 um 이하, 4 um 이하, 또는 모아레 현상이 최소화되는 3um 이하일 수 있다. 패턴 필름(300)의 피치 b는 투명전극의 용도에 따라 다양하게 정해질 수 있으며 예를 들어 50 내지 500 um일 수 있다.
다음 도 3의 (b)에서 다양한 방법으로 금속화합물 잉크(310)를 패턴 필름(300)의 표면에 도포하여 홈(305) 내부에 충진한다. 이때 잉크의 도포 방법으로서 페이스트 잉크에 비해 다양한 방식이 적용될 수 있으며, 예를 들면 스핀(spin) 코팅, 피펫팅(pipetting), 블레이드(blade)코팅, 바(bar) 또는 로드(rod) 코팅, 롤(roll) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 커틴(curtain)코팅, 딥(dip) 코팅, 플로(flow) 코팅, 콤마(comma)코팅, 슬롯다이(slot die) 코팅, 디스펜싱(dispensing), 나이프 코팅, 그라비아(마이크로), 플렉소, 노즐 프린팅, 잉크젯 프린팅 등이 있으며 도포 방법이 이들에 특별히 한정될 필요는 없다. 이때 도포과정에서 패턴 필름(300)의 표면에도 금속화합물 잉크(315)가 잔존할 수 있다.
다음 도 3의 (c)에서 금속화합물 잉크(310)에 열을 가하여 부분 소성된 잉크 층(320)을 형성한다.
다음 도 3의 (d)에서 패턴 필름(300)의 표면에 잔존하는 부분 소성된 이물질(325)을 제거한다. 제거를 위해 사용되는 세정 용매는 패턴 필름(300)에 손상을 입히지 않도록 물, 알코올(메탄올, 에탄올, 이소프로판올), 또는 물과 알코올의 혼합용액이 가장 좋으나, 경우에 따라 기재의 손상에 의한 헤이즈가 발생하지 않는 범위에서 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK), 글리콜, 글라임, 카비톨 등의 유기 용매를 사용하거나, 물, 알코올 또는 이들의 혼합 용매에 상기 유기 용매를 첨가하여 세정 용매로 사용할 수 있다. 헤이즈 방지를 위한 바람직한 예로서, 상기 유기 용매가 물, 알코올 또는 이들의 혼합 용매에 대하여 5 내지 30 중량% 이하로 첨가된 세정 용매가 사용될 수 있다.
도 3의 (e)에서 부분 소성된 잉크층(320)을 열 대신 물리적 또는 화학적 방법으로 소성 촉진화하여 금속 전극층(330)을 형성한다. 이러한 소성 촉진화 방식에는 환원 공정이 포함될 수 있다.
도 3의 (f)에서 필요에 따라 환원 공정 후 금속 전극 보호를 하기 위한 흑화 처리 공정이 추가될 수 있다. 그 결과 흑화 잉크층(340)이 금속 전극층(330) 위에 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 투명전극의 제조방법에 따르면, 점도가 100cps 이하로 낮아 패턴 필름에 금속화합물이 주성분인 잉크를 충진하는 과정이 용이하며, 소성형 잉크 및 환원제를 사용하기 때문에 두께가 얇아도 충분히 전도도를 나타낼 수 있다. 한편 단점으로 생각되는 헤이즈 문제는 잉크 충진 후 충분히 소성하지 않고 적당한 상태(세척시 충진된 도막 손상이 없으면서 환원제 처리 후 원하는 전도도를 갖는 상태)로 소성한 후 충진되지 않은 표면에 묻은 잔유물을 세척제로 제거하고 환원제 처리를 하는 방식으로 수행되거나 또는 상황에 따라 헤이즈 문제가 없는 경우 환원체 처리 후 세정작업을 해도 무방하다.
몇몇 구현예에서 투명전극의 제조방법은 다양한 방식으로 공정을 변화하여 적용할 수 있다. 도 4는 투명전극을 제조하는 다양한 방식들을 나타낸다.
일 구현예에서, 화학적, 기계적 특성 등의 신뢰성 확보 차원이나, UV 아크릴 패턴의 경우 굴절율 매칭을 위하여 흑색 잉크 처리된 표면 위에 UV 경화형 수지를 코팅할 수도 있다.
이하 다양한 실시예를 통해 본 발명에 대해 더욱 구체적으로 설명하고자 하나 본 발명이 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
측정 및 평가
1) 전도도 평가: 패턴 1cm× 3cm의 직사각형 샘플 제작 후 이를 에이아이티(AIT)사 모델 CMT-SR1000N으로 면 저항 측정 (4 probe)
2) 잉크 안정성 평가: 상기 실시 예에 따라 제조한 잉크를 제조한 후, 48시간 이상 상온 방치 하여 은이 환원이 되는지 여부 측정
3) 잉크젯 프린팅: Dimatix DMP-2831 (10pl 노즐) 장비을 사용하여 상온에서 토출실험
4) 점도 측정: 브룩필드(Brookfield) DV-II +PRO LV (spindle : CPE-40)을 사용하여 측정
5) 표면장력: Sunace Tensiomat 21을 사용하여 측정
6) 헤이즈; Haze Meter, JCH-200S (Oceanoptics)을 사용하여 측정
6) 투과율 및 헤이즈; NDH-5000 (Nippon Denshoku)을 사용하여 측정
실시예
실시 예 1
13.0그램(0.1몰)의 이타콘 산(itaconic acid)을 100밀리리터의 메탄올에 용해하고 교반하면서 여기에 수산화나트륨(NaOH) 8.0그램(0.2몰)을 물 100밀리리터에 녹인 수용액을 서서히 첨가하였다. 상온에서 교반하면서 3시간동안 반응을 진행한 후 반응물을 묽은 질산 수용액을 사용하여 수소이온농도(pH) 7.0으로 조절하고 다음에 물 100밀리리터에 질산은(AgNO3) 34.0그램(0.2몰)을 녹인 용액을 서서히 떨어뜨려 흰색 고체를 석출시켰다. 필터 후 물과 메탄올로 연속해서 잘 씻은 후 진공오븐에서 건조시켜 33.8그램(수율 98.3%)의 흰색 고체를 얻었다. 이렇게 제조된 은 전구체 화합물인 이타콘 산 은(silver itaconate) 2.0그램에 이소부틸아민 4.0그램을 혼합한 후 암모니아수용액 (암모니아 함량; 28~30%) 0.5그램을 서서히 떨어뜨리면서 잘 혼합시키고 여기에 포름산 암모늄 0.2그램, 메탄올 1.0그램 및 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 0.4그램을 순차적으로 첨가하여 잘 혼합하여 용해시켰다. 이 용액을 0.45 미크론 테프론 필터를 사용하여 걸러 투명한 은 전구체 잉크를 제조하였다. 이렇게 제조된 은 잉크는 점도가 7.5cps, 표면장력은 26.5 dyne/cm이었으며 조성물은 상온 및 대기 중에서 안정하였다. 이렇게 제조한 투명한 은 전구체 잉크를 닥터블레이드로 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 채우고 온도 110oC에서 30분간 가열시켜 소성시켜 저항 15kΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 얻어진 필름 표면을 50% 메탄올 수용액으로 세척한 후 여기에 1%의 히드라진 용액 (물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액에 히드라진 수화물(hydrazine hydrate)을 무게비로 1% 첨가한 용액)을 사용하여 환원시키고 다시 50% 메탄올 수용액으로 세정한 후 85℃에서 10분 동안 건조시켜 투과율 90.5%, 헤이즈 0.8%, 저항 1.7 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 2
은 전구체 화합물인 2-(히드록시이미노)말론산 은 [Silver 2-(hydroxyimino) malonate] 2.0그램에 암모니아수용액 (암모니아 함량; 28~30%) 2.0그램을 서서히 떨어뜨려 녹인 맑은 용액에 포름산 암모늄 수용액(50% aqueous ammonium formate) 0.8그램, 2,3-부탄디올 1.0그램, 메탄올 1.0그램, 그리고 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 0.4그램을 순차적으로 첨가한 후 잘 혼합하였다. 이 혼합 용액을 0.45 미크론 테프론 필터에 통과시켜 투명한 은 전구체 잉크를 얻었다. 이렇게 제조된 은 잉크는 점도가 6.8cps, 표면장력은 28.5 dyne/cm이었으며 조성물은 상온 및 대기 중에서 안정하였다. 이를 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 닥터블레이드를 사용하여 메쉬 홈에 채우고 120oC에서 20분간 가열하여 소성시켜 저항 1.2kΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 실시예 1과 같은 방법으로 환원 및 세정 처리하여 건조시켜 투과율 91.2%, 헤이즈 0.7%, 저항 1.2 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 3
은 전구체 화합물인 디알릴말론산 은 [Silver diallylmalonate] 2.0그램에 이소부틸아민 4.0그램을 혼합한 후 암모니아수용액 (암모니아 함량; 28~30%) 0.4그램을 서서히 떨어뜨리면서 잘 혼합시키고 여기에 포름산 암모늄 수용액(50% aqueous ammonium formate) 0.8그램, 메탄올 1.0그램 및 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 0.4그램을 순차적으로 첨가하여 잘 혼합하여 용해시켰다. 이 용액을 0.45 미크론 테프론 필터를 사용하여 걸러 투명한 은 전구체 잉크를 제조하였다. 제조된 은 잉크 조성물을 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 닥터블레이드를 사용하여 메쉬 홈에 채우고 100oC에서 30분간 가열하여 소성시켜 저항 1.8MΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 실시예 1과 같은 방법으로 환원 및 세정 처리하여 건조시켜 투과율 90.8%, 헤이즈 0.8%, 저항 2.2 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 4
은 전구체 화합물인 메틸말론산 은 2.0그램에 암모니아수용액 (암모니아 함량; 28~30%) 2.0그램을 서서히 떨어뜨리면서 잘 혼합시키고 여기에 포름산 암모늄 수용액(50% aquous ammonium formate) 0.8그램, 2,3-부탄디올 0.4그램 및 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 0.4그램을 순차적으로 첨가하여 잘 혼합하여 용해시켰다. 이 용액을 0.45 미크론 테프론 필터를 사용하여 걸러 투명한 은 전구체 잉크를 제조하였다. 제조된 은 잉크 조성물을 제조된 은 잉크 조성물을 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 닥터블레이드를 사용하여 메쉬 홈에 채우고 110oC에서 15분간 가열하여 소성시켜 저항 25MΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 실시예 1과 같은 방법으로 환원 및 세정 처리하여 건조시켜 투과율 90.1%, 헤이즈 1.0%, 저항 1.2 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 5
실시예 1에서 환원제로서 1%의 히드라진 용액 대신에 1%의 히드로퀴논 용액 (물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액에 히드로퀴논(hydroquinone)을 무게비로 1% 첨가한 용액)을 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 실험하여 투과율 90.7%, 헤이즈 0.9%, 저항 2.5 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 6
실시예 2에서 환원제로서 1%의 히드라진 용액 대신에 1%의 히드로퀴논 용액 (물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액에 히드로퀴논(hydroquinone)을 무게비로 1% 첨가한 용액)을 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 실험하여 투과율 90.4%, 헤이즈 1.0%, 저항 2.3 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 7
실시예 2에서 환원제로서 1%의 히드라진 용액 대신에 1%의 N-[2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸] 메탄설폰아미드 (N-[2-[(4-amino-3-methylphenyl)ethylamino]ethyl] methanesulfonamide) 용액 (물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액에 무게비로 1% 첨가한 용액)을 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 실험하여 투과율 90.2%, 헤이즈 1.1%, 저항 1.8 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 8
실시예 2에서 환원제로서 1%의 히드라진 용액과 실시예 7의 1%의 N-[2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸] 메탄설폰아미드 용액을 1:1 혼합하여 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 실험하여 투과율 90.3%, 헤이즈 1.2%, 저항 1.1 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 9
실시예 6에서와 같은 방법을 2회 반복 실험하여 투과율 90.1%, 헤이즈 1.1%, 저항 0.8 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 10
실시예 2에서 세정제로서 50% 메탄올 수용액을 사용하는 대신에 이소프로필 알코올을 사용하는 것을 제외하고 같은 방법으로 실험하여 투과율 90.6%, 헤이즈 0.9%, 저항 1.3 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 11
은 전구체 화합물로서 투명한 은 착체 잉크인 TEC-IJ-010 (점도가 13.4cps, 표면장력은 30.5 dyne/cm, 잉크테크사 제조)을 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 잉크젯 프린터 (Dimatix DMP-2831)를 사용하여 메쉬 홈에 채우고 100oC에서 10분간 가열하여 소성시켜 저항 30MΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 다음에 표면을 50% 메탄올 수용액으로 세척한 후 여기에 1%의 히드라진 용액(물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액 사용)을 사용하여 환원시키고 85℃에서 10분 동안 건조하고 다시 50% 메탄올 수용액으로 세척하여 투과율 90.4%, 헤이즈 1.0%, 저항 1.8 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 12
실시예 11에서 환원제로서 1%의 히드라진 용액 대신에 1%의 히드로퀴논 용액 (물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액에 히드로퀴논(hydroquinone)을 무게비로 1% 첨가한 용액)을 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 실험하여 투과율 90.2%, 헤이즈 0.8%, 저항 3.1 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 13
실시예 11에서 환원제로서 1%의 히드라진 용액 대신에 1%의 퀸히드론 용액 (물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액에 퀸히드론(quinhydron)을 무게비로 1% 첨가한 용액을 사용한 것을 제외하고 같은 방법으로 실험하면 투과율 90.5%, 헤이즈 0.9%, 저항 2.5 Ω/□의 메쉬형 투명전극이 얻어진다.
실시예 14
은 전구체 화합물인 초산 은(silver acetate) 2.0그램에 암모니아수용액 (암모니아 함량; 28~30%) 2.5그램을 서서히 떨어뜨리면서 잘 혼합시키고 여기에 포름산 암모늄 수용액(50% aquous ammonium formate) 0.8그램, 2,3-부탄디올 0.4그램 및 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 0.4그램을 순차적으로 첨가하여 잘 혼합하여 용해시켰다. 이 용액을 0.45 미크론 테프론 필터를 사용하여 걸러 투명한 은 전구체 잉크를 제조하였다. 제조된 은 잉크 조성물을 제조된 은 잉크 조성물을 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 닥터블레이드를 사용하여 메쉬 홈에 채우고 90oC에서 20분간 가열하여 소성시켜 저항 5MΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 실시예 1과 같은 방법으로 환원 및 세정 처리하여 건조시켜 투과율 91.1%, 헤이즈 0.7%, 저항 1.7 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 15
은 전구체 화합물인 2-메틸-아세토초산 은(silver 2-methyl acetoacetate) 2.0그램에 이소부틸아민 2.0그램, 에틸헥실아민 1.0그램, 암모니아수용액 (암모니아 함량; 28~30%) 0.5그램을 서서히 떨어뜨리면서 잘 혼합시키고 여기에 포름산 암모늄 0.1그램, 에탄올 1.5그램 및 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 0.4그램을 순차적으로 첨가하여 잘 혼합하여 용해시켰다. 이 용액을 0.45 미크론 테프론 필터를 사용하여 걸러 투명한 은 전구체 잉크를 제조하였다. 제조된 은 잉크 조성물을 제조된 은 잉크 조성물을 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 닥터블레이드를 사용하여 메쉬 홈에 채우고 90oC에서 20분간 가열하여 소성시켜 저항 2MΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 환원제로서 1%의 히드라진 용액 대신에 1%의 히드로퀴논 용액 (물과 에탄올을 무게비로 1:1 혼합한 용액에 히드로퀴논(hydroquinone)을 무게비로 1% 첨가한 용액)을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 같은 방법으로 처리하고 건조시켜 투과율 90.6%, 헤이즈 0.9%, 저항 2.5 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
실시예 16
은 전구체 화합물인 네오데칸산 은 [Silver neodecanate] 2.0그램에 이소부틸아민 3.0그램을 혼합한 후 암모니아수용액 (암모니아 함량; 28~30%) 0.5그램을 서서히 떨어뜨리면서 잘 혼합시키고 여기에 포름산 암모늄 0.1그램, 메탄올 1.0그램 및 2-아미노-2-메틸-1-프로판올 0.4그램을 순차적으로 첨가하여 잘 혼합하여 용해시켰다. 이 용액을 0.45 미크론 테프론 필터를 사용하여 걸러 투명한 은 전구체 잉크를 제조하였다. 제조된 은 잉크 조성물을 5 미크론 선폭과 250 미크론 피치를 갖는 PET 필름 기반 메쉬 필름에 닥터블레이드를 사용하여 메쉬 홈에 채우고 100oC에서 30분간 가열시켜 소성시키면 저항 1.1MΩ/□의 전도도를 갖는 메쉬 필름을 얻었다. 실시 예1과 같은 방법으로 환원 및 세정 처리하여 건조시켜 투과율 90.0%, 헤이즈 1.3%, 저항 2.1 Ω/□의 메쉬형 투명전극을 얻었다.
Claims (14)
- 미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비하는 단계;
상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 잉크를 채워넣는 단계;
상기 잉크가 채워진 상기 투명기재에 열을 인가하여 상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성하는 단계; 및
상기 부분 소성된 잉크를 소성 촉진화하는 단계를 포함하되,
상기 소성 촉진화를 위해 광에너지를 인가하거나 화학적 소성 촉진제를 처리하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 미세 선폭이 50 nm 내지 50 um인 투명전극의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 금속 화합물이 금속 전구체인 투명전극의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 투명기재 표면에 잔존한 상기 잉크를 제거하는 단계를 더 포함하는 투명전극의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 금속 전구체가 은 화합물인 투명전극의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 부분 소성을 위한 온도 범위는 60 내지 170℃인 투명전극의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 부분 소성 후 저항이 10 내지 1011 Ω/□인 투명전극의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 화학적 소성 촉진제는 환원제인 투명전극의 제조방법. - 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소성 촉진화 단계 후 흑화 처리를 하는 단계를 더 포함하는 투명전극의 제조방법. - 미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비하는 단계;
상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 금속 전구체 잉크를 채워넣는 단계;
상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성하여 저항이 10 내지 1011 Ω/□이 되도록 하는 단계;
상기 투명기재 표면에 잔존하는 상기 금속 전구체 잉크를 제거하는 단계; 및
상기 부분 소성된 잉크에 환원제를 처리하여 소성을 완결하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법. - 제10 항에 있어서,
상기 패턴은 메쉬형 패턴인 투명전극의 제조방법. - 제10 항에 있어서,
상기 환원제는 소디움 하이포포스파이트(sodium hypophosphite), 소디움 설파이트(sodium sulfite), 소디움 보로하이드라이드(sodium borohydride), 디메틸아민보란(dimethylamine borane), 디에틸아민보란(diethylamine borane), 카보히드라자이드(carbohydrazide), 히드라진(hydrazine), 로셀염(Rochelle salt), 에리소베이트(erythobate), 디에틸히드록실아민(diethylhydroxylamine), 메틸에틸케톡심(methylethylketoxime), 히드로퀴논(hydroquinone), 포름산, 포름알데히드, 포름산 암모늄(ammonium formate), 트리에틸암모늄(triethylammonium formate), 테트라메틸암모늄(tetramethylammonium formate), 글루코스, 시트릭 산, 아스코빈산, 페니돈(phenidone), 퀸히드론(quinhydrone), 파라-메틸아미노페놀 설페이트(p-methylaminophenol sulfate), 1,2,3-트리히드록시 벤젠(1,2,3-trihydroxybenzene), 파라-아미노페놀(p-aminophenol), 디아미노페놀(diaminophenol), 2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸 설페이트 (2-[(4-Amino-3-methylphenyl)ethylamino]ethyl sulfate), N-[2-[(4-아미노-3-메틸페닐)에틸아미노]에틸] 메탄설폰아미드 (N-[2-[(4-amino-3-methylphenyl)ethylamino]ethyl] methanesulfonamide) 및 4-(N-에틸-N-2-히드록시에틸)-2-메틸페닐렌디아민 설페이트(4-(N-ethyl-N-2-hydroxyethyl)-2-methylphenylenediamine sulfate)로 이루어진 군 중에서 선택되는 1종 이상인 투명전극의 제조방법. - 제10 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 전구체 잉크는 소성형 은 잉크인 투명전극의 제조방법. - 미세 선폭을 갖는 홈을 구비한 패턴이 형성된 투명기재를 준비하는 단계;
상기 홈에 금속 화합물이 주성분인 금속 전구체 잉크 및 환원제를 채워넣는 단계;
상기 금속 전구체 잉크를 부분 소성하여 저항이 10 내지 1011 Ω/□이 되도록 하는 단계;
상기 투명기재 표면에 잔존하는 상기 금속 전구체 잉크를 제거하는 단계; 및
상기 부분 소성된 잉크를 추가 소성하여 소성을 완결하는 단계를 포함하는 투명전극의 제조방법.
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