KR101393606B1 - 분산 브래그 반사기를 가진 상부 전극을 이용한 발광다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드의 광 방출 효율을 증가시키기 위하여 상부 전극 바로 아래에 DBR의 형성과 관련된다. 본 발명의 발광다이오드는 상부 전극의 하면에 DBR을 포함하고, 상기 DBR은 발광다이오드의 구조 성장 시 이용되는 환경에서 성장될 수 있다. 상부 전극에 의해 흡수될 광이 상기 DBR에 의해 반사됨으로써 발광다이오드 외부로 방출되는 광량이 증가하게 된다.

Description

분산 브래그 반사기를 가진 상부 전극을 이용한 발광다이오드 및 그 제조 방법{Light emitting diode using upper electrode with distributed Bragg reflector and fabrication method thereof}
본 발명은 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드의 광 방출 효율을 증가시키기 위하여 상부 전극 바로 아래에 분산 브래그 반사기(DBR)를 형성하는 것과 관련된다.
발광다이오드는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이다. 발광 색은 AlGaAs, GaAsP, InGaN, GaN, AlGaN, GaP, ZnSe, AlGaInP 등과 같은 사용되는 재료에 따라서 다르며, 자외선 영역에서, 가시광선, 적외선 영역에 이르기까지 특정 파장으로 발광하는 것을 제조할 수 있다.
일 예로, AlGaInP계 발광다이오드는 주입되는 전기에너지를 약 570nm 내지 약 630nm 범위 내의 특정 파장을 가진 광으로 변환시킬 수 있다. 특정 파장의 변화는 발광다이오드가 가지는 밴드갭의 크기에 의해 좌우되는데, 밴드갭 크기는 Al과 Ga의 조성비를 변화시킴으로써 쉽게 조절할 수 있고, 예컨대 Al의 조성비를 증가시킬수록 파장이 짧아진다.
발광다이오드는 일반적으로 고품질의 박막 성장을 가능하게 하는 금속유기화학증착(MOCVD) 시스템을 이용하여 제조된다. 발광다이오드는 기본적으로 n형 층(하부 제한층)과 p형 층(상부 제한층) 사이에 특정 파장을 위해 계산된 조성비를 갖는 도핑이 되지 않은 재료로 이루어진 고효율 활성층을 가진 구조를 갖는다.
발광다이오드는 작동을 위한 전압 인가를 위해 일반적으로 발광다이오드의 상부와 하부에 전극이 형성되어 있다. 이들 전극 사이에 순방향 바이어스가 인가되면 n형 층의 전자가 p형 층의 정공과 활성층에서 만나서 재결합하고 이때 특정 파장을 가진 광이 방출된다. 활성층으로부터 발생된 광이 실제로 발광다이오드의 외부로 완전히 빠져 나왔을 때 발광다이오드의 광이 시각적으로 감지된다.
발광다이오드의 효율은 일반적으로 활성층의 방출 영역에 크게 좌우되지만, 실제 이런 방출 영역으로부터 나온 상당량의 광이 그 방출 영역 바로 위쪽에 존재하는 상부 전극에 의해 흡수되어 발광다이오드의 효율이 크게 저하된다. 따라서 필수적으로 사용되는 발광다이오드의 상부 전극이 발광다이오드의 효율을 크게 감소시키는 한 원인임이 널리 알려져 있다.
상부 전극 자체를 금(Ag) 같이 반사율이 높은 금속형 반사막으로 형성하여 상부 전극에 의해 광이 흡수되는 것을 최소화하는 것이 고려될 수 있으나, 이러한 반사막을 수십 nm 단위 이하로 성장시키기가 어려울 뿐만 아니라, 오믹 콘택(ohmic contact)을 위한 고온의 열 처리 시 그 형태가 변형되기 때문에 실질적으로 적용하기가 곤란하다.
상부 전극으로 흡수되는 광에 의한 발광다이오드의 효율 감소를 보상하기 위해 일부 연구진에서는 윈도우층, 전류방지층 등을 형성하여 상부 전극보다 더 확대된 방출 영역을 확보함으로써 효율을 개선하고 있으나, 중요 문제점인 상부 전극으로 인한 광 흡수에 관한 방지 방법이나 재사용하고자 하는 뚜렷한 개선책이 제시되지 않고 있다.
대한민국 공개특허공보 제2009-0060216호는 전극에 의한 광 흡수를 감소시키는 방안으로서 반도체 재료와 전극 사이에 두꺼운 유전체 재료를 형성시켜 광의 반사를 향상시킬 수 있음을 개시한다. 그러나 유전체는 절연체와 비슷한 높은 저항을 가지고 있어서 전극과 반도체 재료 간의 전류를 제한하게 되므로 발광다이오드의 전류-전압 특성 및 효율을 감소시킨다. 따라서 상기 공개특허는 전극의 일부는 반도체 재료와 전기적으로 접속되고 전극의 다른 일부는 유전체 재료의 상부에 배치되는 구조를 제시하지만, 이것은 전극과 반도체 재료 간의 접촉 면적을 크게 감소시켜 결국 높은 인가 전압과 방출 영역 감소에 따른 효율 저하를 야기하므로 바람직하지 않다.
본 발명의 목적은 발광다이오드에 있어서 활성층의 방출 영역으로부터 방출된 후 상부 전극에 의해 흡수되어 소멸되는 광을 반사시켜 광 방출 효율을 증가시킬 수 있는 발광다이오드를 설계하는 것이다.
본 발명은 또한 발광다이오드에서 성장 시스템의 변경 없이 상부 전극 측에 DBR을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 발광다이오드는 상부 전극의 하면에 분산 브래그 반사기(DBR: distributed Bragg reflector)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 DBR은 약 650~940nm 파장 범위의 적외광을 방출하는 GaAs계 또는 AlGaAs계 발광다이오드, 또는 약 590~630nm 파장 범위의 가시광을 방출하는 GaP계, GaAsP계 또는 AlGaAs계 발광다이오드 분야로 적용하기에 바람직하다. 녹색 광보다 짧은 파장의 광을 방출하는 InGaN, GaN, AlGaN 같은 재료로 이루어진 발광다이오드의 경우, 후술하는 DBR 재료와의 격자상수 차이로 인한 격자 부정합 때문에 DBR의 성장이 곤란하고, 또한 DBR이 성장되더라도 결함이 발생하거나 하부 발광다이오드 구조에 부정적인 영향을 주게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 DBR은 성장 조건에 따라 특정 파장의 광을 반사할 수 있는 반사막이다. 통상의 기술자에게 이해되는 바와 같이, DBR은 굴절률이 다른 두 종의 재료를 여러 층으로 번갈아 적층하여 형성된다. DBR의 반사율 R은 다음 식에 의해 주어지는 것으로 알려져 있다:
Figure 112012055154883-pat00001
따라서 DBR의 반사율은 사용되는 두 재료의 굴절률(n2/n1)의 비를 올리거나 적층되는 반복 쌍의 수(N)를 늘리면 증가한다.
본 발명에 있어서, 상기 DBR은 상대적으로 높은 굴절률의 재료와 상대적으로 낮은 굴절률의 재료의 반복 구조로 이루어지고, 발광다이오드의 발광 파장에 따라 해당 파장의 광을 반사시킬 수 있도록 그 구성 물질 및 조성비가 달라진다. 예컨대, 상기 DBR을 위해 Al0.5In0.5P/GaAs, Al0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P, Al0.5In0.5P/(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P, AlGaAs/GaAs, AlAs/AlGaAs, AlAs/GaAs 등이 바람직하게 사용될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 상기 DBR은 발광다이오드 에피택셜 층들의 최상층에 형성된다. 예컨대, 상기 DBR은 발광다이오드가 윈도우층을 포함하지 않을 경우 상부 제한층인 p형 층 상에 성장된다. 윈도우층이 존재할 경우, DBR의 성장을 위해서 상기 윈도우층은 상기 DBR의 재료와 실질적으로 동일하거나 유사한 격자상수를 갖는 재료, 바람직하게는 p형 AlGaAs로 형성되고, 상기 DBR은 그 위에 성장된다.
본 발명에 있어서, 바람직하게는, 상기 DBR은 상부 전극과의 오믹 콘택을 위해 최상부에 GaAs층을 포함한다. 즉, GaAs를 포함하는 DBR의 경우 최상부층은 GaAs로 마감되고, GaAs를 포함하지 않는 DBR의 경우 DBR의 맨 위층에 GaAs층이 적층된다. 발광다이오드 성장에 사용되는 재료들 중 Al이 함유된 재료는 산화에 의해 절연체화 됨으로써 그 위에 전극 형성을 어렵게 한다. GaAs는 발광다이오드의 전류-전압 특성에 영향을 주지 않으면서 양호한 오믹 콘택을 제공할 수 있다.
상기 DBR은 전극 영역 외의 다른 표면 방출 영역에 영향을 주지 않도록 상기 상부 전극과 사이즈가 동일하거나 그보다 작게 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 용어 “표면 방출 영역”은 발광다이오드의 상면의 노출 표면 중 상부 전극을 제외한 표면 부분을 나타낸다. 따라서 발광다이오드를 위에서 즉, 상부 전극 측에서 수직으로 내려다 볼 때, 상기 DBR은 상기 상부 전극에 의해 완전히 가려지도록 형성된다.
상기 DBR은 기판 위에 발광다이오드의 에피택셜 층들을 성장시킨 후 그 최상층부에 동일한 장비를 이용하여 성장된다. 상기 발광다이오드의 에피택셜 성장은 금속유기화학기상증착(MOCVD), 분자선 에피택시(MBE) 등 당해 기술분야에서 알려진 기법에 의해 수행될 수 있다. DBR의 성장 후 그 위에는 상부 전극이, 기판의 아래에는 하부 전극이 바람직하게는 증착에 의해 형성된다. 상기 상부 전극와 상기 DBR을 소정의 패턴으로 에칭하면, 하면에 DBR이 형성된 상부 전극을 제공할 수 있다.
본 발명에 의해서 상부 전극이 그 하면에 DBR을 가진 새로운 구조의 발광다이오드가 제시되었다.
일반적으로 활성층의 방출 영역으로부터 나와 상부 전극에 의해 흡수되는 광이 본 발명의 발광다이오드에서는 상부 전극 아래에 증착된 DBR에 의해 반사되어 발광다이오드 외부로 방출되는 광량이 증가하게 된다.
DBR의 성장은 발광다이오드의 성장에 적용된 장비와 조건 하에서 수행될 수 있으므로, 추가적인 비용이나 복잡한 기술 없이도 발광다이오드의 효율을 증가시킬 수 있다. 더욱이, DBR은 발광다이오드 구조와 결정학적으로 일치하여 고품질의 박막 성장이 가능하다.
도 1은 통상적인 AlGaInP계 발광다이오드(a)와 본 발명의 일 실시예에 따른 DBR을 가진 상부 전극을 가진 AlGaInP계 발광다이오드(b)를 비교하여 나타낸 단면도이다.
도 2는 통상적인 AlGaInP계 발광다이오드(c)와 본 발명의 일 실시예에 따른 AlGaInP계 발광다이오드(d)의 광 방출 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 AlGaInP계 발광다이오드의 DBR을 가진 상부 전극의 제조 공정도이다.
도 4 및 도 5는 AlAs/AlxGa1-xAs로 이루어진 DBR에서 X의 변화에 따른 반사 파장과 반사율의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 6는 AlAs/AlGaAs DBR의 적층 쌍 개수에 따른 반사율의 변화를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 부가적인 양태, 특징 및 이점은 대표적인 실시예의 하기 설명을 포함하고, 그 설명은 수반하는 도면들과 함께 이해되어야 한다. 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위해, 각 도면에서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시될 수 있다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 하기 실시예는 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자가 본 발명을 이해하고 용이하게 실시하기 위해 본 발명의 바람직한 실시형태를 예시하기 위한 것이지, 본 발명을 제한하는 것으로서 해석되어서는 안 된다. 통상의 기술자는 본 발명의 사상과 목적 범위 내에서 다양한 변경과 수정이 가능함을 인식할 것이다.
도 1 내지 3은 본 발명에 적용 가능한 발광다이오드 중 특히 AlGaInP계 발광다이오드와 관련하여 상세하게 설명한다. 도 1은 통상적인 AlGaInP계 발광다이오드(a)와 본 발명의 일 실시예에 따른 DBR을 가진 상부 전극이 적용된 AlGaInP계 발광다이오드(b)에서 이들의 단면 구조와 방출 영역에 대한 설명이다. 기존의 AlGaInP계 발광다이오드(a)는 도시된 바와 같이 위에서부터 상부 전극(1), p형 층(3), 활성층(4), n형 층(5), n형 기판(6) 및 하부 전극(7)의 층 구조를 기본적으로 갖는다. 도면에 도시되지 않았지만, AlGaInP계 발광다이오드(a)는 기판(6)과 하부 전극(7) 사이에는 하부 전극에 의해 흡수될 광을 반사하는 반사층을, 상부 전극(1)과 p형 층(3) 사이에는 전류 확산 및 광 방출 영역 증가를 위한 윈도우층을 보통 포함한다.
n형 기판 (6) 위에 n형 층(5)이 성장되고, 광을 방출하는 활성층(4)은 이러한 n형 층(5)의 성장 후 p형 층(3)의 성장 전에 성장된다. 상부 전극(1)은 p형 층(3) 위에 형성되어 활성층(4)에 양극 전압을 인가하는 역할을 하고, 하부 전극(7)은 기판(6) 아래에 형성되어 활성층(4)에 음극 전압을 인가하는 역할을 한다.
일반적으로 하부 전극(7)은 활성층(4)으로부터 발생된 광을 외부로 방출하는데 크게 영향을 주지 못하므로 전면 전극 형태로 형성되지만, 상부 전극(1)의 경우는 활성층(4)으로부터 생성된 광을 가장 많이 외부로 방출하는 표면 영역에 속해 있어 그 형태와 크기가 중요하게 고려되고 패턴화된다. 상부 전극(1)의 패턴은 도시된 것에 의해 제한되지 않으며, 다양한 변형이 가능함을 통상의 기술자는 인식할 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드(b)는 상부 전극 바로 아래에 DBR(8)을 가진 점을 제외하면 통상적인 발광다이오드(a)와 동일한 구조를 갖는다. 통상적인 발광다이오드(a)의 경우, 상부 전극(1)과 하부 전극(7) 간에 전압이 인가되면 p형 층(3)의 정공과 n형 층(5)의 전자가 활성층(4)으로 전달되어 재결합에 의해 광을 방출한다. 활성층(4)에는 도면에서 하늘색으로 표시된 방출 영역(2)이 생성되고, 이러한 방출 영역(2)으로부터 방출된 광은 발광다이오드의 외부로 추출되어 시각적으로 인식된다.
통상적인 발광다이오드(a)에서는 상부 전극(1)이 방출 영역(2)의 광을 대부분 흡수하는 경향을 가지므로, 실제 방출 영역(Ereal)은 방출 영역(2)에서 상부 전극(1)의 영역을 뺀 영역에 해당할 것이다. 그러나 DBR(8)을 가진 상부 전극(1)을 이용한 본 발명의 발광다이오드(b)의 경우, DBR(8) 영역이 상부 전극(1)에 의해 흡수될 광을 반사함으로써 실제 방출 영역(Ereal)의 증가에 기여를 하므로 발광다이오드(a)에 비해 높은 실제 방출 영역(Ereal)을 가질 수 있게 된다.
도 2는 상부 전극의 하면에 DBR의 존재 유무에 따라 활성층으로부터 발생된 광의 방출이 어떻게 달라지는지를 보여주기 위한 도면이다. 통상적인 AlGaInP계 발광다이오드(c)와 본 발명에 따른 AlGaInP계 발광다이오드(d)는 방출 영역과 상부 전극의 사이즈가 동일하지만, 발광다이오드(c)의 경우 방출 영역으로부터의 상부 전극 쪽으로의 광은 상부 전극에 의해 흡수되어 발광다이오드(c) 외부로 거의 방출되지 못한다. 반면, 본 발명의 발명의 발광다이오드(d)에서는 그러한 광이 상부 전극의 하면에 형성된 DBR에 의해 반사되어 활성층으로 향하고 그 중 일부는 다시 활성층에 의해 반사되어 발광다이오드(d)의 외부로 빠져나가게 됨으로써, 결과적으로 발광다이오드(d) 외부로 방출되는 광의 양이 증가하게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 DBR(60)을 가진 상부 전극이 형성된 AlGaInP계 발광다이오드의 제조 공정을 나타낸다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 기본적인 구조의 형성은 전형적인 AlGaInP계 발광다이오드의 제작 기술에 따라 수행될 수 있다. 즉, 기판(10) 위에 하부 제한층(20), 활성층(30), 상부 제한층(40) 및 윈도우층(50)이 순차적으로, 바람직하게는 고순도의 층 성장이 가능하고 층의 두께와 조성의 제어가 가능하도록 가스의 흐름을 정밀하게 제어할 수 있는 MOCVD 같은 당해 기술분야에서 잘 알려진 증착법에 의해 성장된다. 그 밖의 구체적인 제조 방법은 당해 기술분야에서 알려진 AlGaInP 발광다이오드의 제조 공정에 따라 수행될 수 있다.
각 층에 구성에 대해 좀더 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 발광다이오드는 AlGaInP계 이므로, 상기 활성층(30)은 (AlxGa1-x)1-yInyP층이다. 상기 활성층(30)은 필요에 따라 단일층, 양자우물 구조, 다중 양자우물 구조 등이 적용될 수 있다. 바람직하게는 상기 활성층(30)은 복수의 층으로 이루어지고, x값을 변화시키면서 층을 형성함에 따라 활성층 전체에 걸쳐 다중양자우물이 형성된 것이다. 따라서 더 많은 전자가 상기 다중양자우물 속의 낮은 에너지 준위로 모이게 되고, 그 결과 전자가 전도대에서 가전자대로 쉽게 전이되어 발광 효과가 증대될 수 있다.
상기 하부 제한층(20)은 n형 AlGaInP층이고, 상기 상부 제한층(40)은 p형 AlGaInP층이다.
상기 기판(10)은 n형 GaAs 기판이다. GaAs 기판은 광 흡수성이기 때문에 활성층(30)으로부터 하방으로 나온 광은 GaAs 기판에 의해 흡수되어 발광 효율이 저하된다. 따라서, 도면에 도시되지 않았지만, 기판(10)과 하부 제한층(20) 사이에는 활성층(30)으로부터 기판(10) 방향으로 방출되는 광을 반사시키기 위한 DBR 같은 반사층이 형성될 수 있다.
상부 제한층(40) 위에 형성된 윈도우층(50)은 본질적으로 전류 확산을 위한 층으로서 투명하고 비저항이 작은 재료로 증착 형성된다. 이러한 재료에는 p형 AlGaAs, p형 GaAsP, p형 GaP 등이 있으나, 그 위에 성장될 DBR(60)과의 격자 정합을 위해 p형 AlGaAs인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 DBR(60)의 형성을 위해, 상기 윈도우층(50) 상에는 예컨대 GaAs(L1)/AlAs(L2)로 이루어진 DBR(60)이 발광다이오드의 기본 구조의 성장에 사용된 증착법, 바람직하게는 MOCVD 기술에 의해 성장된다. 상기 DBR(60)은 상기 윈도우층(50)과의 격자 부정합으로 인해 성장이 문제되지 않는 한 그 재료에 제한이 없다. 예컨대 하기 표 1에 기재된 바와 같이 여러 재료가 그 구성 물질의 조성비에 따라 특정 파장의 반사를 위한 DBR의 성장에 적용될 수 있다.
Material system Low reflective index High reflective index Bragg wavelength
Al0.5In0.5P/GaAs 3.13 3.90 590nm
Al0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P 3.13 3.74 590nm
Al0.5In0.5P/(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P 3.08 3.45 615nm
Al0.5In0.5P/(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P 3.13 3.47 590nm
Al0.5In0.5P/(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P 3.15 3.46 570nm
AlAs/GaAs 2.97 3.54 900nm
AlAs/Al0.3Ga0.7As 2.97 3.45 590~620nm
AlAs/Al0.08Ga0.92As 2.97 3.54 850nm

상기 DBR(60)이 AlAs/AlxGa1-xAs로 형성되는 경우, AlxGa1-xAs에서 Al과 Ga의 조성비에 따른 반사 파장과 반사율의 관계를 도 4 및 도 5에 나타내었다. 도시된 바와 같이, Al의 비율이 줄어듦에 따라 피크 파장이 장파장 쪽으로 이동하고 아울러 그 대역이 넓어지는 것을 알 수 있다. 도 6는 AlAs/AlGaAs DBR의 적층 쌍 개수에 따른 반사율의 변화를 나타내는데, 층 수가 증가할수록 반사율이 증가하고, 18개의 적층 쌍에서는 반사율이 95% 이상, 24층의 적층 쌍에서는 반사율이 거의 100%에 가까움을 확인할 수 있다.
상기 DBR(60)의 최상부에는 그 위에 형성될 상부 전극(EU)과 DBR(60)의 오믹 콘택을 위해 GaAs층이 의도적으로 성장된다. 상기 DBR의 구성 재료 중 AlAs에서는 Al이 산소와 쉽게 결합되므로 AlAs층이 DBR의 최상부에 형성될 경우 상부 전극의 형성을 어렵게 한다.
DBR(60)의 성장 후 그 위에는 상부 전극(EU)이 성장되고 기판(10) 아래에는 하부 전극(EB)이 성장된다. 상기 상부 전극(EU)과 하부 전극(EB)으로는 AlGaInP계 오믹 콘택 재료인 AuBe와 AuGe이 각각 사용될 수 있고, 추가적인 전극 재료의 예는 당해 기술분야에서 잘 알려져 있다.
전극층의 성장 후, 원하는 사이즈의 상부 전극(EU)과 DBR(60)을 형성하기 위해, 포토레지스터(11)와 마스크(12)를 이용한 포토 공정을 진행하여 원하는 포토 패턴을 얻고, 메탈 에칭과 DBR 에칭 공정을 통해 원하는 최종적인 DBR(8)을 가진 상부 전극(EU)을 얻을 수 있다.
비록 본 발명이 대표적인 실시예에 관하여 기술하고 있지만, 본 발명은 특허청구범위에 기재된 청구항의 모든 범위에서 보호받을 권리가 있음이 이해되어야 할 것이다.
1: 상부 전극 2: 방출 영역 3: p형 층 4: 활성층 5: n형 층 6: n형 기판 7: 하부 전극 10: 기판 20: 하부 제한층 30: 활성층 40: 상부 제한층 50: 윈도우층 60: DBR EU: 상부 전극 EB: 하부 전극

Claims (7)

  1. 상부 전극을 포함하는 발광다이오드에 있어서, 상기 상부 전극의 하면에 분산 브래그 반사기(DBR)가 위치하고,
    여기서 상기 분산 브래그 반사기는 AlAs와 AlGaAs가 교대로 적층되며, 상기 AlGaAs에서 Ga의 함량이 Al의 함량 보다 많은 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 발광다이오드는 GaAs계, AlGaAs계, GaP계, GaAsP계 또는 AlGaInP계 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 DBR은 상부 제한층의 상면에 또는 p형 AlGaAs층인 윈도우층의 상면에 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 DBR은 최상부층이 GaAs층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어, 상기 DBR은 상기 상부 전극과 사이즈가 동일하거나 그보다 작은 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  6. 기판 위에 발광다이오드 구조를 성장시키는 단계;
    상기 발광다이오드 구조 위에 분산 브래그 반사기(DBR)를 성장시키는 단계,
    여기서 상기 분산브래그 반사기는 AlAs층과 AlGaAs가 교대로 적층되며, 상기 AlGaAs에서 Ga의 함량이 Al의 함량보다 많으며;
    상기 DBR 위에 상부 전극을 성장시키는 단계; 및
    상기 상부 전극과 DBR을 소정의 패턴으로 에칭하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 방법은 상기 발광다이오드 구조 위에 p형 AlGaAs 윈도우층을 성장시키는 단계를 더 포함하고, 상기 DBR은 상기 윈도우층 위에 성장되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 방법.
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