KR101393357B1 - Laser processing method using patterned optic mirror - Google Patents

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Abstract

패턴이 형성된 광학 미러를 이용한 레이저 가공방법이 개시된다. 광학 미러를 이용한 레이저 가공방법에 있어서, 가공대상물에 형성하고자 하는 패턴의 각도에 따라서 가공대상물을 패턴 형성 이전에 일정 영역으로 구분하는 단계와, 구분된 각 영역별로 스폿 형상의 레이저빔을 광학 미러에 조사하여 스캐닝을 실시하는 단계를 포함하고, 스캐닝을 실시하는 단계는, 스폿 형상의 레이저빔을 가공대상물에 형성하고자 하는 패턴의 각도와 동일한 방향으로 광학 미러 상에서 이동시켜서, 패턴을 가공 대상물에 형성하는 것을 특징으로 한다. A laser processing method using an optical mirror having a pattern is disclosed. A laser processing method using an optical mirror, the method comprising the steps of: dividing an object to be processed into a predetermined region before pattern formation according to an angle of a pattern to be formed; And performing scanning, wherein the step of performing scanning includes moving a spot-shaped laser beam on an optical mirror in the same direction as the angle of a pattern to be formed on the object, thereby forming a pattern on the object to be processed .

Description

패턴이 형성된 광학 미러를 이용한 레이저 가공방법{LASER PROCESSING METHOD USING PATTERNED OPTIC MIRROR}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a laser processing method using an optical mirror having a pattern formed thereon,

본 발명은 패턴이 형성된 광학 미러(Patterned Optic Mirror)를 이용한 레이저 가공방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing method using a patterned optical mirror.

메탈, 절연막, 유기막 또는 투명 전도막(transparent conductive oxide) 등과 같은 박막(thin film)의 패턴 형성 및 제거는 일반적으로 포토 리소그라피(photo lithography) 공정을 통해서 포토 레지스트(photo resist) 코팅, 노광, 현상, 건식 또는 습식 에칭(wet or dry etching) 및 박리의 순서를 통해서 이루어지게 된다. 그러나 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display) 공정 및 터치패널(touch panel) 공정의 경우 기판의 크기가 증가하고 미세패턴 형성이 필요함에 따라서 시설 투자비와 기판 시설 비용이 급격하게 증가하고 있으며, 에칭 과정에서 발생하는 화학물질의 중화 처리 및 환경 오염 문제로 인해 레이저를 이용한 박막 제거 및 미세한 패터닝(patterning) 기술이 계발되고 있는 추세에 있다.Pattern formation and removal of a thin film such as a metal, an insulating film, an organic film or a transparent conductive oxide is generally performed through a photolithography process such as photo resist coating, , Dry or wet etching (wet or dry etching), and peeling. However, in the case of the flat panel display process and the touch panel process, since the size of the substrate increases and fine pattern formation is required, the facility investment cost and the substrate facility cost are rapidly increasing, Due to the neutralization of chemical substances and environmental pollution problems, thin film removal and fine patterning techniques using laser have been developed.

도 1은 종래의 레이저 가공장치(10)에 대한 도면이고, 도 2는 도 1의 가공장치(10)에 의해 가공대상물(20) 상의 각각 다른 영역인 A, B, C 영역에 패턴(22, 24, 26)이 형성된 상태에 대한 도면이다.Fig. 1 is a view of a conventional laser machining apparatus 10, and Fig. 2 is a plan view of a laser machining apparatus 10 shown in Fig. 1, in which patterns 22, 24, and 26 are formed.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 종래의 레이저 가공장치(10)는, 레이저발진기(12)에서 나온 레이저빔이 빔 익스팬더(beam expander)(14), 호모지나이저(homogenizer)(16)를 거쳐서 스캐너(scanner)(18)로 들어간다. 스캐너(18)에 입사한 레이저빔은 상하 및 좌우로 회전하는 광학 반사 미러(도면부호 없음)에 의해 반사되어 가공대상물(20)의 표면에 일정한 면적으로 조사되어 패턴(22, 24, 26)을 형성하게 된다. 1 and 2, a conventional laser machining apparatus 10 includes a laser beam generator 12, a laser beam generator 14, a beam expander 14, a homogenizer 16, And enters the scanner 18. The laser beam incident on the scanner 18 is reflected by an optical reflection mirror (not shown) rotating vertically and horizontally to be irradiated with a constant area on the surface of the object 20 to form the patterns 22, 24, Respectively.

도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 가공대상물(20) 상의 B 영역에 대해 A 및 C 영역에 조사된 레이저빔은 일정한 반사각(α, β)을 갖기 때문에 패턴(22, 26)의 크기가 B 영역의 패턴(24)의 크기에 대해 오차가 발생하게 된다. 그리고 이와 같은 오차는 스캐너(18) 내부에 구비된 미러의 각도 및 미러를 구동하는 기계적인 정밀도 등의 한계 등에 의해서도 발생하게 된다. 또한, 종래의 레이저 가공장치(10)는 광학계로서 프로젝션 렌즈(도시하지 않음)를 이용하는데, 프로젝션 렌즈의 수차에 의해서 패턴의 가공정밀도가 저하될 수 있다. 2, since the laser beams irradiated on the areas A and C with respect to the area B on the object 20 have a certain reflection angle (alpha, beta), the sizes of the patterns 22 and 26 are equal to the area B An error occurs with respect to the size of the pattern 24 of FIG. Such an error also occurs due to limitations such as the angle of the mirror provided inside the scanner 18 and the mechanical precision for driving the mirror. In addition, a conventional laser processing apparatus 10 uses a projection lens (not shown) as an optical system, but the processing accuracy of the pattern may be lowered due to the aberration of the projection lens.

상기와 같은 오차 및 왜곡 현상을 보완하기 위해서 텔레센트릭 렌즈(telecentric lens)를 이용하지만, 고가의 광학계와 스캔영역(Scanning Area)의 한계로 대면적 대응에 어려움이 있다.In order to compensate for the above-mentioned error and distortion, a telecentric lens is used, but it is difficult to cope with a large area due to the limitation of an expensive optical system and a scanning area.

그리고 마스크를 이용하는 종래의 가공방법은, 패턴이 있는 영역을 일정 방향으로 전체 영역을 스캔하면, 택타임(tack time)의 증가와 패턴이 형성된 부분의 각도와 스캐닝 방향의 영향으로, 패턴의 선예도(sharpness)가 저하되는 문제점이 있다.In the conventional machining method using a mask, when the whole area is scanned in a certain direction in the patterned area, the sharpness of the pattern (the tilt angle of the pattern) there is a problem that the sharpness is lowered.

따라서 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 패턴 형성시 가공 오차를 줄일 수 있는 레이저 가공방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide a laser processing method capable of reducing processing errors during pattern formation.

또한, 본 발명은 공정 시간을 줄이고 선예도를 높일 수 있는 레이저 가공방법을 제공하고자 한다. The present invention also provides a laser processing method capable of reducing processing time and increasing sharpness.

본 발명의 다른 목적들은 이하에 서술되는 실시예를 통하여 더욱 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become more apparent through the embodiments described below.

광학 미러를 이용한 레이저 가공방법에 있어서, 가공대상물에 형성하고자 하는 패턴의 각도에 따라서 가공대상물을 패턴 형성 이전에 일정 영역으로 구분하는 단계와, 구분된 각 영역별로 스폿 형상의 레이저빔을 광학 미러에 조사하여 스캐닝을 실시하는 단계를 포함하고, 스캐닝을 실시하는 단계는, 스폿 형상의 레이저빔을 가공대상물에 형성하고자 하는 패턴의 각도와 동일한 방향으로 광학 미러 상에서 이동시켜서, 패턴을 가공 대상물에 형성하는 것을 특징으로 한다. A laser processing method using an optical mirror, the method comprising the steps of: dividing an object to be processed into a predetermined region before pattern formation according to an angle of a pattern to be formed; And performing scanning, wherein the step of performing scanning includes moving a spot-shaped laser beam on an optical mirror in the same direction as the angle of a pattern to be formed on the object, thereby forming a pattern on the object to be processed .

본 발명은 패턴 형성시 가공 오차를 줄이고 선예도를 높일 수 있는 레이저 가공방법을 제공할 수 있다.The present invention can provide a laser machining method capable of reducing machining errors and increasing sharpness during pattern formation.

또한, 본 발명은 공정 시간을 줄일 수 있는 레이저 가공방법을 제공할 수 있다. In addition, the present invention can provide a laser processing method capable of reducing processing time.

도 1은 종래의 레이저 가공장치에 대한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 레이저 가공장치에 의해 가공대상물의 각각 다른 영역에 형성된 패턴에 대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치에 대한 도면이다.
도 4는 도 3에 예시된 마스크에 대한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 제작하는 방법을 순차적으로 예시한 단면도이다.
도 6은 가공대상물을 패턴의 특성에 따라서 영역1~영역3으로 구분한 상태를 예시하는 평면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 도 6에 예시된 영역1~영역3에 대해 영역별로 스캐닝을 실시하는 공정을 예시하는 도면이다.
도 8은 스캐너가 마스크에 형성된 패턴 방향에 따라 이동하면서 패터닝하는 상태를 예시하는 도면이다.1 is a view of a conventional laser machining apparatus.
Figs. 2A to 2C are cross-sectional views of a pattern formed in different regions of a workpiece by a conventional laser machining apparatus. Fig.
3 is a diagram of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the mask illustrated in Fig.
5A to 5D are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view illustrating a state in which the object to be processed is divided into regions 1 to 3 according to the pattern characteristics.
Figs. 7A to 7C are diagrams illustrating a process of performing scanning on a region-by-region basis for the regions 1 to 3 illustrated in Fig.
8 is a diagram illustrating a state in which the scanner is patterned while moving along the pattern direction formed on the mask.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout the specification and claims. The description will be omitted.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴이 형성된 광학 미러(Patterned Optic Mirror, POM)(160)를 이용한 레이저 가공장치(100)를 예시하는 도면이고, 도 4는 도 3에 예시된 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 대한 단면도이다.3 is a diagram illustrating a laser machining apparatus 100 using a patterned optical mirror (POM) 160 in which a pattern is formed according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross- Sectional view of the optical mirror 160 formed.

도 3 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴이 형성된 광학 미러(160)를 이용한 레이저 가공장치(100)는, 레이저 발진기(110), 빔익스팬더(120), 호모지나이저(130), 스캐너(140), 렌즈(150) 및 패턴이 형성된 광학 미러(160)를 포함하고, 가공대상물(180)에 레이저빔을 이용하여 일정한 패턴(도시하지 않음)을 형성한다.3 to 4, a laser processing apparatus 100 using a patterned optical mirror 160 according to an embodiment of the present invention includes a laser oscillator 110, a beam expander 120, A scanner 140, a lens 150 and a patterned optical mirror 160 to form a predetermined pattern (not shown) on the object to be processed 180 using a laser beam.

본 실시예에 따른 레이저 가공장치(100)는, 가공대상물(180)에 레이저빔을 이용하여 패턴을 형성하기 위해서, 패턴의 형상에 대응하게 형성된 패턴이 형성된 광학 미러(160)를 이용한다. 패턴이 형성된 광학 미러(160)는 레이저빔이 투과하는 투과부(170a, 170b, 170c)와, 레이저빔이 반사되는 반사부(166)를 구비하는데, 투과부(170a, 170b, 170c)는 스캐너(140)의 반사각(α, β)에 따라서 그 크기가 다르게 형성된다. 이와 같이, 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 대한 오프셋(offset) 보정으로 인해서 레이저빔의 반사각(α, β)에도 불구하고 원하는 크기 및 형상을 갖는 패턴(180a, 180b, 180c)을 형성할 수 있게 되는 것이다.The laser machining apparatus 100 according to the present embodiment uses an optical mirror 160 in which a pattern formed corresponding to the shape of a pattern is formed in order to form a pattern on the object to be processed 180 using a laser beam. The patterned optical mirror 160 includes transmissive portions 170a, 170b and 170c through which the laser beam is transmitted and a reflective portion 166 through which the laser beam is reflected. The transmissive portions 170a, 170b, ) Of the light-shielding film (2). As a result, the pattern 180a, 180b, 180c having the desired size and shape can be formed despite the reflection angles alpha and beta of the laser beam due to the offset correction of the optical mirror 160 on which the pattern is formed. It will be.

그리고 스캐너(140)는 가공대상물(180)의 패턴의 각도에 따라서 가공대상물(180)을 일정한 영역으로 구분하고, 구분된 각 영역별로 스캐닝을 한다. 이로 인해, 본 실시예에 따른 레이저 가공장치(100)는 패턴의 선예도(sharpness)를 향상할 수 있다. 또한, 스캐너(140)에는 패턴이 형성된 광학 미러(160)를 제작할 때 사용되는 오리지널 데이터가 입력되어, 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 형성된 투과부(170a, 170b, 170c)의 형상에 대응하여 이동을 하게 됨으로써, 불필요한 영역에 대한 스캐닝 시간을 줄여서 전체적인 공정 시간(tack time)을 줄일 수 있다.The scanner 140 divides the object 180 into a predetermined area according to the angle of the pattern of the object 180, and performs scanning for each divided area. As a result, the laser machining apparatus 100 according to the present embodiment can improve the sharpness of the pattern. Original data used in manufacturing the optical mirror 160 in which the pattern is formed is input to the scanner 140 so as to be moved in correspondence with the shape of the transmissive portions 170a, 170b, and 170c formed in the optical mirror 160 in which the pattern is formed. The scanning time for the unnecessary area can be reduced, thereby reducing the overall processing time (tack time).

레이저 발진기(110)는 스폿(spot) 형상의 레이저빔을 형성한다. 레이저 발진기(110)로는 자외선, 가시광선 또는 적외선을 발진하는 것이 가능한 레이저 발진기를 사용할 수 있다. 레이저 발진기는 KrF, ArF, XeCl, Xe 등의 엑시머 레이저 발진기, He, He-Cd, Ar, He-Ne, HF 등의 기체 레이저 발진기, YAG, GdVO4, YVO4 , YLF, YAlO3 등의 결정에 Cr, Nd, Er, Ho, Ce, Co, Ti 또는 Tm을 도프한 결정을 사용한 고체 레이저 발진기, GaN, GaAs, GaAlAs, InGaAsP 등의 반도체 레이저 발진기를 사용할 수 있다. 또한, 레이저 발진기(110)로부터 사출되는 레이저빔의 형상이나 레이저빔의 진로를 조정하기 위해서 셔터, 미러 또는 하프 미러 등의 반사체(도시하지 않음), 실린드리컬 렌즈나 볼록렌즈 등의 의해서 구성되는 광학계(도시하지 않음)가 설치될 수도 있다. The laser oscillator 110 forms a laser beam in the form of a spot. As the laser oscillator 110, a laser oscillator capable of emitting ultraviolet rays, visible rays, or infrared rays can be used. Examples of the laser oscillator include excimer laser oscillators such as KrF, ArF, XeCl and Xe, gas laser oscillators such as He, He-Cd, Ar, He-Ne and HF, crystals such as YAG, GdVO 4 , YVO 4 , YLF and YAlO 3 A solid laser oscillator using a crystal doped with Cr, Nd, Er, Ho, Ce, Co, Ti or Tm, or a semiconductor laser oscillator such as GaN, GaAs, GaAlAs or InGaAsP. In order to adjust the shape of the laser beam emitted from the laser oscillator 110 and the course of the laser beam, a reflector (not shown) such as a shutter, a mirror or a half mirror, a cylindrical lens or a convex lens An optical system (not shown) may be provided.

레이저 발진기(110)에서 발생하는 레이저빔의 펄스폭은 피코초(ps)일 수 있다. The pulse width of the laser beam generated by the laser oscillator 110 may be picosecond (ps).

레이저 발진기(110)에서 사출된 레이저빔은 빔익스팬더(120)에 의해 그 스폿 사이즈(spot size)가 확대된 후 호모지나이저(130)로 입사하게 된다. 호모지나이저(130)를 통과한 레이저빔은 에너지 분포가 균일하게 된다. The spot size of the laser beam emitted from the laser oscillator 110 is enlarged by the beam expander 120, and the laser beam is incident on the homogenizer 130. The energy distribution of the laser beam passing through the homogenizer 130 becomes uniform.

스캐너(140)는 호모지나이저(130)를 통과한 후 입사된 레이저빔을 일정한 크기 및 형상을 갖는 스폿 형상의 레이저빔으로 형성하고, 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 상부에서 일정한 패턴에 의해 이동하면서 레이저빔을 패턴이 형성된 광학 미러(160) 상에 조사한다. 스캐너(140)에서 출사된 레이저빔은, 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 투과부(170a, 170b, 170c)를 통과하여 가공대상물(180)의 표면에 도달하여 일정한 패턴을 형성하고, 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 반사부(166)에 입사된 레이저빔은 반사되어 가공대상물(180)의 표면에 도달하지 않게 된다. After passing through the homogenizer 130, the scanner 140 forms an incident laser beam into a spot-shaped laser beam having a predetermined size and shape, and irradiates the laser beam on the upper portion of the patterned optical mirror 160 with a predetermined pattern The laser beam is irradiated onto the patterned optical mirror 160 while moving. The laser beam emitted from the scanner 140 passes through the transmission portions 170a, 170b and 170c of the optical mirror 160 on which the pattern is formed and reaches the surface of the object to be processed 180 to form a constant pattern, The laser beam incident on the reflecting portion 166 of the optical mirror 160 is reflected and does not reach the surface of the object to be processed 180.

본 실시예에 따른 레이저 가공장치(100)는, 패턴이 형성된 광학 미러(160)를 이용하기 때문에 가공대상물(180)에 형성하고자 하는 패턴 중에서 가장 작은 패턴의 최소 직경과 같거나 크기가 큰 스폿 사이즈를 갖는 레이저빔을 조사할 수 있다. The laser machining apparatus 100 according to the present embodiment uses the optical mirror 160 with the pattern formed thereon so that the spot size that is equal to or larger than the minimum diameter of the smallest pattern among the patterns to be formed on the object to be processed 180 The laser beam can be irradiated.

일반적으로, 터치패널 분야에서의 가공대상물 액티브 영역(active area)은 20~50㎛, 메탈 배선부는 20~50㎛ 또는 50~100㎛ 그리고 기타 부분은 1~10mm의 정도의 패턴 크기를 갖는데, 종래의 레이저 가공장치는 최소 패턴의 1/2~1/3에 해당하는 5~10㎛의 스폿 사이즈의 레이저빔을 이용하여 전체 영역을 스캐닝 해야 하기 때문에, 공정 시간이 많이 소요되고 대면적 부분에서 레이저 패터닝 잔사에 의한 쇼트(short) 문제, 많은 오버랩(overlap)에 의한 열 영향(thermal effect)로 패턴 형성 및 서브스트레이트(substrate)에 악영향을 줄 수 있다. Generally, in the touch panel field, the active area of the object to be processed has a pattern size of 20 to 50 탆, the metal wiring part has a pattern size of 20 to 50 탆 or 50 to 100 탆, and the other part has a pattern size of 1 to 10 mm, The laser processing apparatus of this embodiment requires scanning of the entire area using a laser beam having a spot size of 5 to 10 mu m corresponding to 1/2 to 1/3 of the minimum pattern. Short problems due to patterning residues, thermal effects due to a lot of overlap, and can adversely affect pattern formation and substrate.

그러나 본 실시예에 따른 레이저 가공장치(100)는, 레이저빔의 스폿 사이즈를 최소 패턴의 직경과 같거나 크게 하더라도 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 의해 패터닝 하고자 하는 영역만 레이저빔이 투과하기 때문에, 스폿 사이즈를 크게 형성하여 공정 시간을 줄일 수 있게 된다.However, even if the spot size of the laser beam is equal to or larger than the diameter of the minimum pattern, the laser beam machining apparatus 100 according to the present embodiment transmits the laser beam only to the region to be patterned by the optical mirror 160 in which the pattern is formed , It is possible to reduce the process time by increasing the spot size.

가공대상물은 터치패널 분야의 투명전도막(Transparent Conductive Oxide) 또는 미세 전극 패턴 중 어느 하나일 수 있다. 투명전도막은, Indium Tin Oxide(ITO), Indium Zinc Oxide(IZO), Indium Zinc Gallium Oxide(IGZO), 알루미늄산화아연(Al-doped Zinc Oxide), 은 나노와이어(Ag NanoWire), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(Graphene) 및 전도성 고분자로 이루어지는 그룹에서 선택되는 한 가지일 수 있다. 그리고 미세 전극 패턴은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 탄소(C), 망간(Mn), 주석(Sn), 마그네슘(Mg), 납(Pb), 나이오븀(Nb), 탄탈륨(Ta)으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 한가지로 형성되는 단일막이거나, 적어도 두 가지 이상으로 형성되는 복수막(Multi-Layer)일 수 있다.The object to be processed may be either a transparent conductive oxide film or a fine electrode pattern in the touch panel field. The transparent conductive film may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc gallium oxide (IGZO), aluminum-doped zinc oxide, silver nano wire, ), Graphene, and a conductive polymer. The fine electrode pattern may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), silver (Ag), aluminum (Al), copper (Cu), chromium (Cr), nickel (Ni), neodymium (Nd), carbon (C) (Sn), magnesium (Mg), lead (Pb), niobium (Nb), tantalum (Ta), or a plurality of Multi-Layer).

스캐너(140)에서 나온 레이저빔은 광학계(150)에 입사되어 일정한 반사각(α, β)을 갖고 가공대상물(180)에 입사할 수 있다. 반사각(α, β)을 갖는 레이저빔이 도달한 가공대상물(180)에는 패턴(180a, 180c)이 형성된다. 그리고 반사각을 갖지 않는 레이저빔이 도달한 가공대상물(180)에는 패턴(180b)이 형성된다. 본 실시예에 따른 레이저 가공장치(100)는 패턴이 형성된 광학 미러(160)에서 레이저빔이 투과하는 투과부(170a, 170b, 170c)의 크기가, 입사되는 레이저빔의 반사각(α, β)에 따라서 다르게 형성되어 있기 때문에, 반사각(α, β)에도 불구하고 동일한 크기를 갖는 패턴(180a, 180b, 180c)을 형성할 수 있는 점에 특징이 있다. The laser beam emitted from the scanner 140 is incident on the optical system 150 and can enter the object to be processed 180 with a certain angle of reflection alpha and beta. Patterns 180a and 180c are formed on the object 180 to which the laser beam having the reflection angles? And? Reaches. A pattern 180b is formed on the object 180 to which the laser beam having no reflection angle reaches. The laser machining apparatus 100 according to the present embodiment is designed such that the size of the transmissive portions 170a, 170b and 170c transmitted by the laser beam in the patterned optical mirror 160 is smaller than the reflection angles? Therefore, it is characterized in that patterns 180a, 180b, and 180c having the same size can be formed despite the reflection angles alpha and beta because they are formed differently.

패턴이 형성된 광학 미러(160)에서, 반사각을 갖지 않는 레이저빔이 입사하는 투과부(170b)의 크기가, 반사각(α, β)을 갖는 투과부(170a, 170c)의 크기에 비해 크게 형성되어 있다. 이와 같이, 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 형성되는 투과부(170a, 170b, 170c)의 크기는, 스캐너(140)에서 나오는 레이저빔의 반사각에 따라서 그 크기 및 형상이 오프셋(offset) 보정되고, 이로 인해 가공대상물(180)에 원하는 형상 및 크기를 갖는 패턴을 오차 없이 정확하게 형성할 수 있게 된다.The size of the transmissive portion 170b on which the laser beam having no reflection angle is incident is formed to be larger than the transmissive portions 170a and 170c having the reflective angles alpha and beta in the patterned optical mirror 160. [ The size of the transmissive portions 170a, 170b, and 170c formed on the patterned optical mirror 160 is offset and corrected in size and shape according to the reflection angle of the laser beam emitted from the scanner 140, This makes it possible to accurately form a pattern having a desired shape and size on the object 180 without any error.

패턴이 형성된 광학 미러(160)는 스캐너(140)와 가공대상물(180) 사이에 위치하면서, 스캐너(140)에서 출사되는 레이저빔의 일부는 투과시키고 나머지 일부는 반사시킨다. 패턴이 형성된 광학 미러(160)는 레이저빔이 투과되는 투과부(170a, 170b, 170c)와, 레이저빔이 투과되지 않고 반사되는 반사부(166)를 포함한다. 그리고 투과부(170a, 170b, 170c)는 베이스기판(162)에 형성된 매립홈(164)에 매립되어 있다. The patterned optical mirror 160 is positioned between the scanner 140 and the object to be processed 180 to transmit a part of the laser beam emitted from the scanner 140 and reflect the remaining part of the laser beam. The patterned optical mirror 160 includes transmissive portions 170a, 170b, and 170c through which a laser beam is transmitted, and a reflective portion 166 that reflects the laser beam without transmitting the laser beam. The transmissive portions 170a, 170b, and 170c are buried in the buried grooves 164 formed in the base substrate 162.

도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 투과부(170a, 170b, 170c) 중에서, 반사각(α, β)을 갖는 레이저빔이 입사되는 투과부(170a, 170c)의 크기는, 반사각을 갖지 않는 레이저빔이 입사되는 투과부(170b)에 비해 다르게 형성됨을 알 수 있다. As can be seen from FIG. 4, among the transmissive portions 170a, 170b and 170c of the patterned optical mirror 160, the sizes of the transmissive portions 170a and 170c to which the laser beam having the reflection angles? And the transmissive portion 170b on which the laser beam having no reflection angle is incident.

도 5a 내지 도 5d는 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 제작 과정을 순차적으로 예시하는 도면이다.FIGS. 5A to 5D sequentially illustrate a manufacturing process of the optical mirror 160 in which the pattern is formed.

도 5a를 참조하면, 베이스기판(162) 상에 희생막(168)을 우선 형성한다. 베이스기판(162)은 레이저빔을 투과시키는 재질로 구성되며, 유리기판, 용융 실리카(fused silica) 기판, 석영(Quartz) 기판, 합성 석영(Synthetic Quartz) 기판 또는 CaF2 기판 등이 사용될 수 있다. 또한, 베이스기판(162)의 저면, 즉 레이저빔이 입사되는 면에는 반사방지막(Anti-Refection Coating; ARC)이 추가로 형성될 수 있으며, 이를 통해 베이스기판(162)의 투과영역에서 레이저빔의 투과율을 향상시킴으로써 식각 효율을 높일 수 있다.Referring to FIG. 5A, a sacrificial layer 168 is first formed on a base substrate 162. The base substrate 162 is made of a material that transmits a laser beam. A glass substrate, a fused silica substrate, a quartz substrate, a synthetic quartz substrate, a CaF 2 substrate, or the like can be used. An anti-reflection coating (ARC) may be additionally formed on the bottom surface of the base substrate 162, that is, the surface to which the laser beam is incident, through which the laser beam The etching efficiency can be increased by improving the transmittance.

베이스기판(162) 상에 형성되는 희생막(168)은, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 금(Au) 등의 금속 물질 중 한 가지 또는 적어도 두 가지 이상의 서로 다른 금속층의 적층 구조에 의해 형성될 수 있다. The sacrificial layer 168 formed on the base substrate 162 is formed of one or at least two of metal materials such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), copper (Cu) And can be formed by stacking structures of different metal layers.

도 5b를 참조하면, 베이스기판(162)에서 레이지빔의 반사 영역으로 예정된 영역에 대한 식각 공정을 통해서 희생막(168)의 일부와 베이스기판(162)을 리세스(recess) 하여, 희생막패턴(169) 및 예정된 레이저빔의 반사 영역에 일정 깊이의 매립홈(164)을 형성한다. 이때, 매립홈(164)은 포토레지스트 패터닝 공정이나 레이저를 이용한 패터닝 공정을 통해서 형성될 수 있다. 포토레지스트 패터닝 공정을 통해서 매립홈(164)을 형성하는 경우에는, 희생막(168)의 상부에 포토레지스트 패턴(도시하지 않음)을 형성한 후 희생막(168)을 식각하여 반사 영역으로 예정된 영역을 노출시키는 희생막패턴(169)을 형성하고, 포토레지스트 패턴 및 희생막패턴(169)을 식각 마스크로 사용하여 베이스기판(162)을 식각함으로써 형성된다. 이때, 희생막패턴(169)은 매립홈(164)을 형성하기 위한 하드 마스크로 사용된다.Referring to FIG. 5B, a portion of the sacrificial layer 168 and the base substrate 162 are recessed through an etching process for a predetermined area of the base substrate 162 to be a reflection area of the lasing beam, (169) and a buried groove (164) having a predetermined depth in a reflection region of a predetermined laser beam. At this time, the buried grooves 164 can be formed through a photoresist patterning process or a laser patterning process. A photoresist pattern (not shown) is formed on the sacrificial layer 168 and then the sacrificial layer 168 is etched to form a predetermined region And then etching the base substrate 162 using the photoresist pattern and the sacrificial film pattern 169 as an etching mask. At this time, the sacrificial film pattern 169 is used as a hard mask for forming the buried grooves 164.

도 5c를 참조하면, 희생막패턴(169) 및 매립홈(164)이 형성되어 있는 베이스기판(162)의 상부에 레이저빔을 반사시키는 반사부(166)를 형성하는데, 반사부(166)는 제1반사막(166a)과, 제1반사막(166a)에 비해 굴절율이 높은 제2반사막(166b)을 매립홈(164)이 완전히 매립될 때까지 교대로 반복해서 수 내지 수십층 적층함으로써 형성된다.Referring to FIG. 5C, a reflective portion 166 for reflecting a laser beam is formed on a base substrate 162 on which a sacrificial pattern 169 and a buried groove 164 are formed. The reflective portion 166 The first reflective film 166a and the second reflective film 166b having a higher refractive index than the first reflective film 166a are alternately repeatedly formed by laminating several to several tens of layers until the embedding grooves 164 are completely embedded.

제1반사막(166a)은 굴절율이 낮은 SiO2막이 사용될 수 있으며, 제2반사막(166b)은 제1반사막(166a)에 비해 굴절율이 높은 MgF2막, TiO2막, Al2O3막, Ta2O5막, Cerium fluoride막, Zinc sulfide막, AlF3막, Halfnium oxide막 또는 Zirconium oxide막 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 반사부(166)는 MgF2막/SiO2막, Ta2O5막/SiO2막 등의 적층 구조를 반복적으로 수 내지 수십층 적층함으로써 형성될 수 있으며, MgF2막/SiO2막의 경우에는 5J/cm2~8J/cm2, Ta2O5막/SiO2막의 경우에는 10 J/cm2 정도의 에너지를 갖는 레이저빔에 견딜 수 있도록 형성된다.The first reflective film 166a may be a SiO 2 film having a low refractive index and the second reflective film 166b may be a MgF 2 film, a TiO 2 film, an Al 2 O 3 film, a Ta 2 O 5 film, Cerium fluoride film, Zinc sulfide film, AlF 3 film, Halfnium oxide film or Zirconium oxide film can be used. For example, the reflection portion 166 may be formed by repeatedly laminating several to several ten layers of a lamination structure of MgF 2 film / SiO 2 film, Ta 2 O 5 film / SiO 2 film, etc., and MgF 2 film / SiO when the film 2 in the case 5J / cm 2 ~ 8J / cm 2, Ta 2 O 5 layer / SiO 2 film is formed to withstand the laser beam having a degree of 10 J / cm 2 energy.

제1반사막(166a) 및 제2반사막(166b)은 각각 기상증착(evaporative deposition), 이온보조증착(ion beam assisted deposition), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 이온증착(ion beam deposition), 분자선 결정성장법(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 스퍼터 증착(sputter deposition) 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. The first and second reflective films 166a and 166b may be formed by evaporative deposition, ion beam assisted deposition, chemical vapor deposition (CVD), ion beam deposition, , Molecular Beam Epitaxy (MBE), sputter deposition, or the like.

도 5d를 참조하면, 적층된 제1반사막(166a) 및 제2반사막(166b)의 표면에 슬러리가 함유된 연마액을 공급하면서 베이스기판(162)의 표면을 연마 종점으로 하는 화학기계연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정을 수행하여 희생막패턴(169)과, 희생막패턴(169)의 상부에 적층된 반사부(166)를 연마하여 매립홈(164)에 매립된 반사부(166)를 형성한다. 5D, a polishing liquid containing slurry is supplied to the surfaces of the stacked first reflective film 166a and the second reflective film 166b, while the surface of the base substrate 162 is polished as a chemical polishing finish The sacrificial layer pattern 169 and the reflective portion 166 stacked on the sacrificial layer pattern 169 are polished to form the reflective portion 166 embedded in the embedding groove 164 .

그리고 베이스기판(162) 상에 잔류하는 희생막패턴(169)을 제거하기 위한 습식식각공정을 수행한다. 이는, 화학기계연마 공정에서 연마 편차에 의해 희생막패턴(169)이 제거되지 않는 부분이 발생할 수 있으므로, 베이스기판(162) 상에 존재하는 희생막패턴(169)을 습식식각 공정을 통해서 완전히 제거함으로써 이후 패턴이 형성된 광학 미러(160)를 이용한 레이저 패터닝 공정에서 희생막패턴(169)에 의해 불량이 발생되는 것을 방지하기 위한 것이다.Then, a wet etching process for removing the sacrificial layer pattern 169 remaining on the base substrate 162 is performed. This is because the sacrificial film pattern 169 can not be removed by the polishing deviation in the chemical mechanical polishing process, so that the sacrificial film pattern 169 existing on the base substrate 162 is completely removed through the wet etching process Thereby preventing defects from being generated by the sacrificial pattern 169 in the laser patterning process using the optical mirror 160 on which the pattern is formed.

이후, 베이스기판(162) 및 반사부(166)의 상부에 소정의 두께를 갖는 보호막(도시하지 않음)을 형성함으로써, 패턴이 형성된 광학 미러(160)를 이용하여 가공대상물(180)을 패터닝할 때, 패턴이 형성된 광학 미러(160)와 가공대상물(180) 사이에 유입되는 식각 용액에 의해서 패턴이 형성된 광학 미러(160)와 가공대상물(180)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. Thereafter, a protective film (not shown) having a predetermined thickness is formed on the base substrate 162 and the reflective portion 166 to pattern the object 180 using the optical mirror 160 having the pattern formed thereon It is possible to prevent the optical mirror 160 and the object 180 in which the pattern is formed from being damaged by the etching solution flowing between the patterned optical mirror 160 and the object to be processed 180.

베이스기판(162) 상부에 형성된 희생막패턴(169)과, 희생막패턴(169)의 상부에 형성된 반사부(166)는 화학기계연마 공정 대신 레이저빔을 이용한 리프트 오프 공정에 의해서 제거할 수도 있다. 즉, 희생막패턴(169) 및 매립홈(164)이 형성되어 있는 베이스기판(162)의 상부에 제1반사막(166a) 및 제2반사막(166b)을 적층하고, 베이스기판(162)의 저면 방향에서 베이스기판(162)에 레이저빔을 조사하여 매립홈(164) 이외의 영역 즉, 레이저빔의 비반사영역 상에 형성된 희생막패턴(169) 및 반사부(166)를 리프트 오프시킴으로써 매립홈(164) 내부에 매립되어 제1반사막(166a) 및 제2반사막(166b)으로 이루어지는 반사부(166)를 형성할 수 있다. The sacrificial layer pattern 169 formed on the base substrate 162 and the reflective portion 166 formed on the sacrificial layer pattern 169 may be removed by a lift-off process using a laser beam instead of the chemical mechanical polishing process . That is, the first reflective film 166a and the second reflective film 166b are stacked on the base substrate 162 on which the sacrificial pattern 169 and the buried grooves 164 are formed, and the bottom surface of the base substrate 162 The laser beam is irradiated to the base substrate 162 in the direction of the laser beam to lift off the sacrificial pattern 169 and the reflecting portion 166 formed on the region other than the buried groove 164, The reflective portion 166 formed of the first reflective layer 166a and the second reflective layer 166b may be formed in the recessed portion 164. [

이와 같이, 베이스기판(162)의 저면 방향으로부터 베이스기판(162)에 레이저빔을 조사하면, 매립홈(164)의 내부에 형성되는 반사부(166)에서는 대부분의 레이저빔을 반사시키지만, 매립홈(164) 이외의 영역에 형성된 희생막패턴(169)에서는 레이저빔의 반사가 이루어지지 않아서, 흡수되는 레이저빔의 에너지에 의해서 희생막패턴(169)이 가열된다. 이때, 희생막패턴(169)을 구성하고 있는 크롬 또는 몰리브덴 등은 과열되면 부서지기 쉬운(brittle) 물질로서, 레이저빔에 의해 과열되어 부서지면서 그 상부에 적층된 반사부(제1반사막(166a) 및 제2반사막(166b)으로 이루어짐)와 함께 베이스기판(162)으로부터 분리되는 것이다. When the laser beam is irradiated to the base substrate 162 from the bottom surface direction of the base substrate 162 in this way, most of the laser beam is reflected by the reflecting portion 166 formed in the buried groove 164, The laser beam is not reflected in the sacrificial film pattern 169 formed in the region other than the sacrificial film pattern 169 and the sacrificial film pattern 169 is heated by the energy of the laser beam to be absorbed. At this time, the chromium or molybdenum constituting the sacrificial film pattern 169 is a brittle material that is broken when it is overheated, and the reflector (the first reflective film 166a), which is overheated by the laser beam, And the second reflective film 166b) are separated from the base substrate 162.

도 6은 가공대상물(180)을 패턴의 특성에 따라서 영역1~영역3으로 구분한 상태를 예시하는 평면도이고, 도 7a 내지 도 7c는 도 6에 예시된 영역1~영역3에 대해 각 영역별로 스캐닝을 실시하는 공정을 예시하는 도면이다.Fig. 6 is a plan view illustrating a state in which the object to be processed 180 is divided into regions 1 to 3 according to pattern characteristics. Figs. 7A to 7C are diagrams Fig. 8 is a diagram illustrating a step of performing scanning. Fig.

도 6 그리고 도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 형성하고자 하는 패턴의 각도에 따라서 영역1~영역3으로 가공대상물(180)을 분할하였다. 영역1은 수직 방향으로 패턴을 형성하고자 하는 영역에 해당하고, 영역3은 수평 방향으로 패턴을 형성하고자 하는 영역에 해당한다. 그리고 영역2는 일정한 각도를 갖는 사선 방향으로 패턴을 형성하고자 하는 영역에 해당한다.6 and 7A to 7C, the object to be processed 180 is divided into regions 1 to 3 according to the angle of the pattern to be formed. Region 1 corresponds to an area where a pattern is to be formed in a vertical direction, and Area 3 corresponds to an area where a pattern is to be formed in a horizontal direction. And region 2 corresponds to an area where a pattern is to be formed in a diagonal direction having a constant angle.

이와 같이, 가공대상물(180)에 형성하고자 하는 패턴의 방향이 다른 경우, 스캐너(140)가 일정 방향으로만 이동하면서 레이저빔을 조사하는 경우, 패턴의 선예도(sharpness)가 저하될 수 있다. 즉, 영역2에서는 사선 방향으로 패턴을 형성하고자 하는데, 스캐너(140)가 수평 방향으로 이동하면서 레이저빔을 주사하는 경우, 이동 과정에서 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 형성된 투과부(170a, 170b, 170c)의 형성 각도와 스캐닝 각도(scanning angle)와의 영향으로 인해 패턴의 선예도 차이가 발생하게 된다.In this way, when the pattern to be formed on the object to be processed 180 is different in direction, the sharpness of the pattern may be lowered when the scanner 140 irradiates the laser beam while moving in only a certain direction. That is, in the region 2, a pattern is formed in a diagonal direction. When the scanner 140 scans a laser beam while moving in the horizontal direction, the transmissive portions 170a, 170b, and 170c formed in the optical mirror 160, The sharpness of the pattern varies due to the influence of the forming angle and the scanning angle.

따라서 가공대상물(180)에 형성하고자 하는 패턴의 각도에 대응하여 가공대상물을 다수 개의 영역(영역1 내지 영역3)으로 구분한 후, 구분된 영역(영역1 내지 영역3)별로 스캐닝을 수행한다. 이로 인해, 패턴의 선예도를 일정 정도 향상할 수 있게 된다. Accordingly, the object to be processed is divided into a plurality of regions (regions 1 to 3) corresponding to the angle of the pattern to be formed on the object to be processed 180, and then scanning is performed for each of the divided regions (regions 1 to 3). As a result, the sharpness of the pattern can be improved to a certain degree.

스캐너(140)가 레이저빔을 가공대상물(180)에 조사하는 스캔영역은 중첩될 수 있다. 스캔영역이 중첩되는 부분에 해당하는 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 투과부는 중첩 정도에 따라서 크기가 다르게 형성될 수 있는데, 예를 들면 스캔영역의 중첩 정도가 많을수록 투과부의 크기가 축소될 수 있다. The scan area where the scanner 140 irradiates the object 180 with the laser beam can be overlapped. The transmissive portion of the optical mirror 160 in which the pattern corresponding to the overlapping portion of the scan region is formed may be formed to have a different size depending on the degree of overlap. For example, as the overlap degree of the scan region increases, the size of the transmissive portion may be reduced .

그리고 스캐너(140)를 가공대상물(180) 상에 형성하고자 하는 패턴과 동일한 패턴 즉, 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 형성된 투과부(170a, 170b, 170c)의 패턴과 동일하게 이동시키면서 스캐닝을 수행할 수도 있다. Scanning is performed while moving the scanner 140 in the same pattern as the pattern to be formed on the object to be processed 180, that is, the pattern of the transmissive portions 170a, 170b, and 170c formed in the optical mirror 160 in which the pattern is formed You may.

도 8은 스캐너(140)가 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 형성된 투과부(170a, 170b, 170c)의 패턴 방향에 따라 이동하면서 패터닝하는 상태를 예시하는 도면이다. 참고로, 도 8에서 화살표는 패턴 방향과 동일한 스캐닝 방향을 나타낸다.8 is a diagram illustrating a state in which the scanner 140 is patterned while moving along the pattern direction of the transmissive portions 170a, 170b, and 170c formed in the optical mirror 160 on which the pattern is formed. For reference, arrows in FIG. 8 indicate the same scanning direction as the pattern direction.

도 8을 참조하면, 스캐너(140)는 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 형성된 투과부(170a, 170b, 170c)의 패턴 방향에 따라 순차적으로 이동하면서 가공대상물(180)을 패터닝할 수 있다. 캐드 데이터(Cad data), 거버 데이터(Gerber data) 및 GDS 데이터 등의 오리지널 데이터(original data)를 이용하여 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 투과부(170a, 170b, 170c)를 형성하고, 오리지널 데이터를 스캐너(140)에 제공하여 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 투과부(170a, 170b, 170c)의 패턴에 대응하여 스캐너(140)가 이동하면서 레이저 스캔을 실시할 수 있다. Referring to FIG. 8, the scanner 140 may pattern the object 180 while sequentially moving along the pattern direction of the transmissive portions 170a, 170b, and 170c formed in the patterned optical mirror 160. FIG. The transmission portions 170a, 170b and 170c are formed in the optical mirror 160 in which the pattern is formed by using original data such as Cad data, Gerber data and GDS data, 170b and 170c of the optical mirror 160 on which the pattern is formed so that the scanner 140 can be scanned while the scanner 140 is moving.

이와 같이, 패턴이 형성된 광학 미러(160)에 형성된 투과부(170a, 170b, 170c) 패턴의 형상에 대응하여 스캐너(140)가 스캐닝을 실시하는 경우, 레이저빔의 조사가 필요한 부분(즉, 투과부(170a, 170b, 170c))에만 스캐닝을 실시하고 불필요한 부분(즉, 패턴이 형성된 광학 미러(160)의 반사부(166))에는 스캐닝을 실시하지 않기 때문에, 공정 시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 패턴의 선예도를 향상할 수 있게 된다.In this way, when the scanner 140 performs scanning in accordance with the shape of the pattern of the transmissive portions 170a, 170b, and 170c formed on the patterned optical mirror 160, the portion where the laser beam is irradiated 170a, 170b, and 170c), and scanning is not performed on unnecessary portions (i.e., the reflecting portion 166 of the optical mirror 160 in which the pattern is formed), so that not only the processing time can be shortened, Sharpness can be improved.

상기에서는 본 발명의 일 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. It will be understood that the invention may be varied and varied without departing from the scope of the invention.

100: 레이저 가공장치 110: 레이저 발진기
120: 빔익스팬더 130: 호모지나이저
140: 스캐너 150: 광학계
160: 패턴이 형성된 광학 미러 180: 가공대상물100: laser processing device 110: laser oscillator
120: beam expander 130: homogenizer
140: scanner 150: optical system
160: optical mirror with pattern formed 180: object to be processed

Claims (4)

광학 미러를 이용한 레이저 가공방법에 있어서,
가공대상물에 형성하고자 하는 패턴의 각도에 따라서 상기 가공대상물을 상기 패턴 형성 이전에 일정 영역으로 구분하는 단계; 및
구분된 상기 각 영역별로 스폿 형상의 레이저빔을 상기 광학 미러에 조사하여 스캐닝을 실시하는 단계를 포함하고,
상기 스캐닝을 실시하는 단계는, 상기 스폿 형상의 레이저빔을 상기 가공대상물에 형성하고자 하는 상기 패턴의 각도와 동일한 방향으로 상기 광학 미러 상에서 이동시켜서, 상기 패턴을 상기 가공 대상물에 형성하는 것을 특징으로 하는 광학 미러를 이용한 레이저 가공방법.
A laser processing method using an optical mirror,
Dividing the object into a predetermined region before forming the pattern according to an angle of the pattern to be formed on the object; And
And irradiating the optical mirror with a spot-shaped laser beam for each of the divided regions to perform scanning,
Wherein the step of performing scanning comprises moving the spot-shaped laser beam on the optical mirror in the same direction as the angle of the pattern to be formed on the object to form the pattern on the object to be processed Laser processing method using optical mirror.
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