KR101391794B1 - probe unit and probe card - Google Patents

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KR101391794B1 KR1020070141780A KR20070141780A KR101391794B1 KR 101391794 B1 KR101391794 B1 KR 101391794B1 KR 1020070141780 A KR1020070141780 A KR 1020070141780A KR 20070141780 A KR20070141780 A KR 20070141780A KR 101391794 B1 KR101391794 B1 KR 101391794B1
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Abstract

메인 기판에서 프로브까지의 신호 전달 경로를 줄임으로써 외부에서 인가되는 잡음 신호에 대한 영향이 적게 하고, 고집적화된 디바이스에 대응할 수 있는 프로브 카드가 개시된다. 프로브 카드(100)는 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브(110); 프로브(110)를 지지하는 제1 가이드(120) - 제1 가이드(120)에는 프로브(110)가 삽입되어 관통되는 홀(122)이 형성되어 있음 -; 프로브(110)의 소정 부분을 수용하는 제2 가이드(130); 제1 가이드(120)를 관통한 프로브(110)를 수용하면서 제1 가이드(120)를 지지하는 바(140); 및 프로브(110)에 전기 신호가 전달되도록 프로브(110)와 연결되는 메인 기판(150)을 포함하며, 프로브(110)는 메인 기판(150)에 형성되어 있는 단자(152)에 직접 연결되는 것을 특징으로 한다. There is disclosed a probe card capable of reducing a signal transmission path from a main substrate to a probe so as to have less influence on an external noise signal and coping with highly integrated devices. The probe card 100 includes a probe 110 contacting the electrode pad of the semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective or not. A first guide 120 for supporting the probe 110; a first guide 120 having a hole 122 through which the probe 110 is inserted; A second guide 130 for receiving a predetermined portion of the probe 110; A bar 140 supporting the first guide 120 while receiving the probe 110 passing through the first guide 120; And a main substrate 150 connected to the probe 110 to transmit an electric signal to the probe 110. The probe 110 is directly connected to the terminal 152 formed on the main substrate 150 .

프로브 카드, 프로브 Probe card, probe

Description

프로브 유닛 및 프로브 카드{Probe Unit And Probe Card}[0001] PROBE UNIT AND PROBE CARD [0002]

본 발명은 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브 카드에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 메인 기판에서 프로브까지의 신호 전달 경로를 줄임으로써 외부에서 인가되는 잡음 신호에 대한 영향을 적게 받을 수 있는 프로브 카드에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a probe card that is in contact with an electrode pad of a semiconductor chip to determine whether or not a semiconductor chip is defective. More particularly, the present invention relates to a probe card capable of reducing a signal transmission path from a main substrate to a probe, thereby receiving less influence on an external noise signal.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 상에 패턴을 형성시키는 패브리케이션(fabrication) 공정과 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해 제조되며, 이와 같은 패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에서는 웨이퍼를 구성하는 칩 각각의 전기적 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting) 공정을 수행한다.Generally, a semiconductor device is fabricated through a fabrication process for forming a pattern on a wafer and an assembly process for assembling a wafer on which a pattern is formed to each chip, and between such a fabrication process and an assembly process An electrical dicing (EDS) process is performed to check the electrical characteristics of each chip constituting the wafer.

EDS 공정은 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서도 특히 불량 칩을 판별하기 위한 공정으로, 즉 웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩들에 전기적 신호를 인가하여 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호에 의해서 불량 여부를 판단하도록 하는 것이며, 이를 위해서는 웨이퍼 상의 각 칩들의 패턴과 직접적으로 접촉되면서 전기적 신호를 인가하는 프로브를 포함하는 프로브 카드의 구비가 필수적이다.The EDS process is a process for discriminating defective chips among the chips constituting the wafer, that is, an electric signal is applied to each chip constituting the wafer, and it is judged whether or not the defect is caused by a signal checked from the applied electric signal For this purpose, it is necessary to provide a probe card including a probe which directly contacts the pattern of each chip on the wafer and applies an electrical signal.

통상적으로, 프로브 카드는 메인 기판, 서브 기판[또는 공간 변형기(space transformer)라고 하는 세라믹 기판], 메인 기판과 서브 기판(또는 프로브)을 인터페이스 하는 인터페이스 수단, 전기적 신호를 반도체 칩의 직접 전달하는 프로브를 기본적인 구성으로 하여 이루어진다. Generally, the probe card includes a main substrate, a sub-substrate (or a ceramic substrate called a space transformer), an interface means for interfacing a main substrate and a sub-substrate (or a probe), a probe As shown in Fig.

최근 반도체 디바이스는 점점 고집적화 되고 있으며 이에 따라 고집적 반도체 디바이스용 프로브 카드의 개발이 필수적이다. 고집적 반도체 디바이스용 프로브 카드에서는 메인 기판과 서브 기판을 연결해 주는 인터페이스 수단의 역할이 상당히 중요하다. 인터페이스 수단은 메인 기판으로부터 서브 기판으로 점차 회로 패턴은 축소되도록 하면서도 메인 기판으로부터 서브 기판으로의 전기적 신호 전달이 정확하게 이루어질 수 있도록 해야 한다. Recently, semiconductor devices are increasingly highly integrated, and accordingly, development of probe cards for highly integrated semiconductor devices is essential. In the probe card for a highly integrated semiconductor device, the interface means for connecting the main substrate and the sub substrate is very important. The interface means should be such that the circuit pattern is gradually reduced from the main substrate to the sub-substrate while accurate electrical signal transmission from the main substrate to the sub-substrate is required.

기존의 프로브 카드에서 인터페이스 수단은 통상 단면이 원형 또는 타원형인 봉이나 와이어로서 그 상단부와 하단부를 메인 기판과 서브 기판에 각각 용접이나 납땜에 의해 연결함으로써 전기적 신호가 전달되도록 하고 있다. 그러나. 이러한 기존의 인터페이스 수단은 접속 유연성이 거의 없기 때문에 프로브와 패드의 접촉 과정에서 발생할 수 있는 충격에 의해 손상(즉, 기판과 인터페이스 수단간의 용접이나 납땜 부위의 손상)이 발생되는 문제점이 있었다. In the conventional probe card, the interface means is usually a rod or a wire having a circular or elliptical cross section, and its upper and lower ends are connected to the main board and the sub board by welding or soldering, respectively, so that an electrical signal is transmitted. But. Such conventional interface means has a problem in that damage due to an impact that may occur during the contact process between the probe and the pad (i.e., welding or soldering between the substrate and the interface unit) may occur due to the lack of connection flexibility.

상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 프로브 카드가 대한민국 실용신안등록공보 제0394134 호에 개시된 바 있다. A probe card for solving the above-mentioned problems has been disclosed in Korean Utility Model Registration No. 0394134.

도 1은 종래기술에 따른 프로브 카드의 구성을 나타내는 도면이다. 그리고 도 2는 도 1의 프로브 카드에 적용되는 니들 블록의 구성을 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a configuration of a probe card according to the related art. And FIG. 2 is a view showing a configuration of a needle block applied to the probe card of FIG.

도시한 바와 같이, 종래의 프로브 카드는 메인 기판 부재(10), 메인 기판 부재(10)에 착탈 가능하게 결합되는 플렉시블 기판 부재(20), 상부 보강판 부재(30), 플렉시블 기판 부재(20)가 통과할 수 있도록 다수의 장공을 일정 간격으로 형성되도록 한 가이드판 부재(40), 플렉시블 기판 부재가 관통하며 양측 단부는 가이드판 부재(40)에 스크류 결합되도록 하는 복수의 소켓 부재(50); 상부와 하부측 접속 단부는 각각 미세하게 상하향 돌출되도록 다수의 니들(62)이 내장되는 니들 블록(60), 플렉시블 기판 부재의 타단측 패턴과 접속되는 회로 패턴이 형성되며 하부면에는 니들 블록 상부면이 접합되면서 니들 블록의 니들(62)의 상향 돌출되는 접속 단부와 전기적으로 접속되도록 접속 패턴이 형성되고, 상부면과 하부면의 접속패턴은 상호 통전 가능하게 연결된 서브 기판 부재(70), 및 하부 보강판 부재(80)로 구성되어 있다.The conventional probe card includes a main substrate member 10, a flexible substrate member 20 detachably coupled to the main substrate member 10, an upper stiffening plate member 30, a flexible substrate member 20, A plurality of socket members 50 through which the flexible substrate member passes and both side ends thereof are screwed to the guide plate member 40; A needle block 60 having a plurality of needles 62 embedded therein so as to protrude finely up and down respectively, a circuit pattern connected to the other end side pattern of the flexible substrate member is formed, A connecting pattern is formed so as to be electrically connected to the upwardly projecting connection end of the needle 62 of the needle block while the connecting pattern of the upper and lower surfaces is electrically connected to each other, And a reinforcing plate member (80).

그러나, 상기와 같이 구성되는 종래의 프로브 카드는 반도체의 고집적화 추세에 적절하게 대응하기 어려운 문제점이 있었다. 즉, 고집적화 반도체 검사용 프로브 카드에서는 검사해야 될 웨이퍼의 영역이 증가함에 따라 프로브의 밀도가 증가할 수 밖에 없게 되는데, 이 경우 인터페이스 수단으로서 플렉시블 기판을 사용하게 되면 프로브와 메인 기판과의 전기적 연결에 한계가 있다는 문제점이 있었다.However, the conventional probe card configured as described above has a problem that it is difficult to appropriately cope with the tendency of high integration of semiconductors. That is, in the probe card for highly integrated semiconductor inspection, the density of the probe increases as the area of the wafer to be inspected increases. In this case, if a flexible substrate is used as the interface means, There is a problem that there is a limit.

또한, 프로브와 메인 기판 부재간에 신호를 전달함에 있어서 전달 매개체로서 플렉시블 기판을 사용함으로써 신호 전달 경로가 길어지기 때문에 신호가 전달되는 동안 노이즈가 발생하거나 외부의 노이즈로부터 영향을 받을 수 있다는 문제점이 있었다. In addition, since a flexible substrate is used as a propagation medium in transmitting a signal between the probe and the main substrate member, there is a problem in that a signal propagation path becomes long, so that noise may be generated or external noise may be affected during signal transmission.

또한, 프로브 카드에서 사용하는 플렉시블 기판마다 개별적으로 소켓을 필요로 하기 때문에 사용되는 소켓이 차지하는 공간이 커져 고집적화된 디바이스에는 적용하기 어려운 문제점이 있었다. In addition, since a socket is required for each flexible board used in the probe card, the space occupied by the socket used becomes large, which is difficult to apply to a highly integrated device.

이에 본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 프로브로부터 메인 기판까지의 신호 전달 경로를 축소하여 잡음 신호의 영향을 최소화할 수 있는 프로브 카드를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a probe card capable of minimizing the influence of a noise signal by reducing a signal transmission path from a probe to a main substrate.

또한, 본 발명은 기존의 프로브 카드와는 달리 플렉시블 기판과 소켓을 사용하지 않도록 하여 고집적화된 디바이스에 사용할 수 있는 프로브 카드를 제공하는 것을 목적으로 한다. It is another object of the present invention to provide a probe card which can be used in highly integrated devices by not using a flexible substrate and a socket unlike a conventional probe card.

또한, 본 발명은 기존의 프로브 유닛과는 달리 프로브가 가이드에 의해 고정 지지됨으로써 프로브의 위치 제어를 미세하게 조절할 수 있어서 고집적 디바이스의 단자에 프로브가 용이하게 접촉할 수 있는 프로브 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a probe unit in which a probe can be easily brought into contact with a terminal of a highly integrated device because the position control of the probe can be finely adjusted by fixing the probe fixedly supported by the guide, unlike the conventional probe unit .

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 프로브 카드는 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; 상기 프로브를 지지하는 제1 가이드 - 상기 제1 가이드에는 상기 프로브가 삽입되어 관통되는 홀이 형성되어 있음 -; 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 제2 가이드; 상기 제1 가이드를 관통한 프로브를 수용하면서 상기 제1 가이드를 지지하는 바; 및 상기 프로브에 전기 신호가 전달되도록 상기 프로브와 연결되는 메인 기판을 포함하며, 상기 프로브는 상기 메인 기판에 형성되어 있는 단자에 직접 연결되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a probe card comprising: a probe which contacts an electrode pad of a semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective; A first guide for supporting the probe, the first guide having a hole through which the probe is inserted; A second guide for receiving a predetermined portion of the probe; A bar supporting the first guide while receiving a probe penetrating the first guide; And a main substrate connected to the probe so that an electric signal is transmitted to the probe, wherein the probe is directly connected to a terminal formed on the main substrate.

상기 프로브는 상기 제1 가이드를 관통하는 "ㄱ" 형상의 바디부; 상기 바디부 일단에 형성되는 포스트부; 및 상기 포스트부의 일단에 형성되어 반도체 칩의 패드에 접촉되는 팁부를 포함하며, 상기 바디부의 측면에는 상기 바디부가 상기 제1 가이드로부터 하향 이탈하지 않도록 하는 돌출부가 형성될 수 있다. Wherein the probe comprises a body having an "a" shape passing through the first guide; A post portion formed at one end of the body portion; And a tip portion formed at one end of the post portion and contacting a pad of the semiconductor chip. A protrusion may be formed on a side surface of the body portion so that the body portion is not separated downward from the first guide.

상기 바디부 및 상기 돌출부는 상기 제1 가이드와 에폭시로 고정될 수 있다. The body and the protrusion may be fixed to the first guide with an epoxy.

상기 바디부의 하단에 형성된 접촉부가 상기 단자에 형성되어 있는 홈에 삽입됨으로써 상기 프로브와 상기 메인 기판이 연결될 수 있다.The probe and the main substrate may be connected by inserting a contact portion formed at a lower end of the body portion into a groove formed in the terminal.

상기 제1 및 제2 가이드의 재질은 실리콘을 포함할 수 있다. The materials of the first and second guides may include silicon.

상기 바의 재질은 인바(invar)를 포함할 수 있다. The material of the bar may include invar.

상기 메인 기판에는 상기 메인 기판의 변형을 방지하는 보강 부재가 연결될 수 있다. A reinforcing member for preventing deformation of the main board may be connected to the main board.

그리고, 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 프로브 카드는 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 가이드; 상기 프로브에 전기 신호가 전달되도록 상기 프로브와 연결되는 세라믹 기판; 상기 세라믹 기판으로 전기 신호가 전달되도록 상기 세라믹 기판과 연결되는 상호 접속체를 포함하고 있는 인터포저; 및 상기 인터포저로 전기 신호가 전달되도록 상기 인터포저의 상호 접속체와 연결되는 메인 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to accomplish the above object, a probe card according to the present invention includes: a probe which is brought into contact with an electrode pad of a semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective; A guide for receiving a predetermined portion of the probe; A ceramic substrate connected to the probe so that an electric signal is transmitted to the probe; An interposer including an interconnect body connected to the ceramic substrate to transmit electrical signals to the ceramic substrate; And a main substrate connected to the interposer of the interposer so that an electric signal is transmitted to the interposer.

그리고, 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 프로브 유닛은 반 도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; 상기 프로브를 지지하는 제1 가이드 - 상기 제1 가이드에는 상기 프로브가 삽입되어 관통되는 홀이 형성되어 있음 -; 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 제2 가이드; 및 상기 제1 가이드를 관통한 프로브를 수용하면서 상기 제1 가이드를 지지하는 바를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a probe unit according to the present invention includes: a probe which is brought into contact with an electrode pad of a semiconductor chip to determine whether a semiconductor chip is defective; A first guide for supporting the probe, the first guide having a hole through which the probe is inserted; A second guide for receiving a predetermined portion of the probe; And a bar supporting the first guide while receiving a probe passing through the first guide.

상기 프로브는 상기 제1 가이드를 관통하는 "ㄱ" 형상의 바디부; 상기 바디부 일단에 형성되는 포스트부; 및 상기 포스트부의 일단에 형성되어 반도체 칩의 패드에 접촉되는 팁부를 포함하며, 상기 바디부의 측면에는 상기 바디부가 상기 제1 가이드로부터 하향 이탈하지 않도록 하는 돌출부가 형성될 수 있다.Wherein the probe comprises a body having an "a" shape passing through the first guide; A post portion formed at one end of the body portion; And a tip portion formed at one end of the post portion and contacting a pad of the semiconductor chip. A protrusion may be formed on a side surface of the body portion so that the body portion is not separated downward from the first guide.

그리고, 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 프로브 유닛은 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; 및 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 가이드를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a probe unit according to the present invention includes: a probe which is brought into contact with an electrode pad of a semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective; And a guide for receiving a predetermined portion of the probe.

상기 프로브는 "ㄱ" 형상의 바디부; 상기 바디부 일단에 형성되는 포스트부; 및 상기 포스트부의 일단에 형성되어 반도체 칩의 패드에 접촉되는 팁부를 포함할 수 있다.The probe includes a body portion having an "a" shape; A post portion formed at one end of the body portion; And a tip portion formed at one end of the post portion and contacting a pad of the semiconductor chip.

본 발명에 따르면, 프로브에 연결되어 있는 신호선이 서브 기판으로 연결되기 때문에 플렉시블 기판을 사용하는 기존의 기술보다 신호의 전달 경로가 짧아져 외부 잡음의 영향을 덜 받는 효과가 있다. According to the present invention, since the signal line connected to the probe is connected to the sub-substrate, the propagation path of the signal is shorter than that of the conventional technology using the flexible substrate, thereby reducing the influence of external noise.

또한, 본 발명에 따르면, 기존의 프로브 카드와는 달리 플렉시블 기판과 플렉시블 기판을 위한 소켓을 사용하지 않기 때문에 전체적인 크기가 감소하므로 고집적화된 디바이스에서 사용할 수 있는 효과가 있다. In addition, unlike the conventional probe card, since the flexible substrate and the socket for the flexible substrate are not used, the present invention can be used in a highly integrated device because the overall size is reduced.

또한, 본 발명에 따르면, 기존의 프로브 유닛과는 달리 프로브가 가이드에 의해 고정 지지됨으로써 프로브의 위치 제어를 미세하게 조절할 수 있어서 고집적 디바이스의 단자에 프로브가 용이하게 접촉할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, since the probe is fixedly supported by the guide, unlike the conventional probe unit, the position control of the probe can be finely controlled, so that the probe can easily contact the terminal of the highly integrated device.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention. do.

도 3과 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드(100)의 구성을 나타내는 단면도와 분해 사시도이다. 3 and 4 are a cross-sectional view and an exploded perspective view showing the configuration of the probe card 100 according to an embodiment of the present invention.

도 3과 도 4를 참조하면, 프로브 카드(100)는 프로브(110), 제1 및 제2 가이드(120, 130), 바(140), 메인 기판(150) 및 보강 부재(160)를 주요 구성으로 한다.3 and 4, the probe card 100 includes a probe 110, first and second guides 120 and 130, a bar 140, a main substrate 150, and a reinforcing member 160, Respectively.

프로브(110)는 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉된다. 여기서, 프로브(110)의 제작에 사용되는 재질은 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈-코발트(Ni-Co) 합금, 베릴륨-구리(Be-Cu) 등을 포함할 수 있다. The probe 110 is brought into contact with the electrode pads of the semiconductor chip to determine whether or not the semiconductor chip is defective. Here, the material used for manufacturing the probe 110 may include tungsten (W), copper (Cu), nickel-cobalt (Ni-Co) alloy, beryllium-copper (Be-Cu)

본 발명에서 프로브(110)는 바디부(112), 포스트부(114), 팁부(116) 및 돌출 단자부(118)를 포함하여 구성되어 있다.In the present invention, the probe 110 includes a body portion 112, a post portion 114, a tip portion 116, and a protruding terminal portion 118.

바디부(112)는 수직부(112a)와 수평부(112b)가 서로 연결되어 "ㄱ" 형태로 형성되고, 수평부(112b)의 단부에는 소정의 길이를 갖는 포스트부(114)가 형성되며, 포스트부(114)의 단부에는 수평 단면적이 점차 축소되면서 그 단부가 다각뿔 또는 원뿔 형상으로 형성되어 반도체 칩의 패드에 직접 접촉되는 팁부(116)가 형성된다. 바디부(112)의 중간 부근에는 바디부(112)에서 돌출된 돌출 단자부(118)가 형성된다. 돌출 단자부(118)는 프로브(110)의 바디부(112)를 기준으로 서로 반대 방향으로 돌출 형성된다. 돌출 단자부(118)는 동일한 형태와 크기로 형성되는 것이 바람직하다. The body portion 112 is formed in a shape of "A" in which the vertical portion 112a and the horizontal portion 112b are connected to each other and a post portion 114 having a predetermined length is formed at the end of the horizontal portion 112b The end portion of the post portion 114 is formed in a polygonal pyramid or a conical shape with the horizontal cross-sectional area being gradually reduced to form a tip portion 116 that is in direct contact with the pad of the semiconductor chip. A protruding terminal portion 118 protruding from the body portion 112 is formed near the middle of the body portion 112. The protruding terminal portions 118 protrude in opposite directions from each other with respect to the body portion 112 of the probe 110. The protruding terminal portions 118 are preferably formed in the same shape and size.

프로브(110)를 구성하는 바디부(112), 포스트부(114), 팁(116) 및 돌출 단자부(118)는 전기 도금법 또는 미세 패턴 가공법 등을 이용하여 일체로 제작된다. 프로브(110)는 두께가 30 내지 50 ㎛의 범위가 되도록 제작되는 것이 바람직하다.The body part 112, the post part 114, the tip part 116 and the projecting terminal part 118 constituting the probe 110 are integrally formed by using an electroplating method or a fine patterning method. The probe 110 is preferably fabricated to have a thickness ranging from 30 to 50 mu m.

그리고, 프로브(110)를 구성하는 바디부(112)의 수직부(112a) 단부에는 프로브(110)와 후술할 메인 기판(150)의 돌출 단자(152)와 접촉할 수 있도록 오목하게 접촉부(112c)가 형성되어 있다. The probes 110 and the protruding terminals 152 of the main substrate 150 to be described later are concavely engaged with the ends of the vertical portion 112a of the body portion 112 constituting the probe 110, Is formed.

제1 가이드(120)는 프로브(110)를 고정 지지하는 역할을 한다. 도 4를 참조하면, 복수개의 프로브(110)는 2 열로 제1 가이드(120)에 삽입되어 설치되며, 각 열의 프로브(110)는 대향 구조를 취하고 있다.The first guide 120 serves to fix and support the probe 110. Referring to FIG. 4, a plurality of probes 110 are inserted into the first guide 120 in two rows, and the probes 110 in each column are opposed to each other.

일반적으로 프로브 카드에서 사용하는 가이드는 프로브와 반도체 칩의 전극 패드가 서로 접촉할 때 발생되는 압력에 의해 프로브가 X축 또는 Y축 방향으로 이동하여 원래 위치에서 이탈되는 것을 방지하기 위해 프로브를 고정 지지해 주는 역할을 하고, 반도체 칩이 고집적화 됨에 따라 반도체 칩의 패드 간의 간격이 감소하 며 이에 따라 프로브 간의 간격이 감소되어 프로브 간의 전기적 접촉이 발생할 수 있으므로 가이드가 프로브 간의 절연막 역할을 할 수도 있다. Generally, a guide used in a probe card is fixed and fixed to prevent the probe from moving in the X-axis or Y-axis direction due to the pressure generated when the probe and the electrode pad of the semiconductor chip come into contact with each other, As the semiconductor chip is highly integrated, the spacing between the pads of the semiconductor chip is reduced. As a result, the spacing between the probes may be reduced to cause electrical contact between the probes, so that the guide may serve as an insulating film between the probes.

제1 가이드(120)에는 바디부(112)의 수직부(112a)가 관통홀(122)을 통하여 관통되어 지지된다. 이때, 돌출 단자부(118)가 제1 가이드(120)의 상부면과 접촉함으로써 프로브(110)의 관통 정도가 제한되며, 그 결과 프로브(110)가 제1 가이드(120)로부터 하향 이탈하지 않게 된다. 돌출 단자부(118)는 에폭시 몰딩(170)에 의하여 제1 가이드(120)의 상부면에 견고히 고정되며, 이 과정에서 에폭시 몰딩(170)은 바디부(112)와도 접하게 됨으로써 프로브(110)가 제1 가이드(120)에 더욱 견고하게 고정 지지될 수 있다. 돌출 단자부(118)가 제1 가이드(120)에 고정된 상태에서 수평부(112b)는 제1 가이드(120)의 상부면과 이격되어 있다.The vertical portion 112a of the body portion 112 is penetrated through the through hole 122 and supported by the first guide 120. [ At this time, since the protruding terminal portion 118 contacts the upper surface of the first guide 120, the degree of penetration of the probe 110 is limited, and as a result, the probe 110 does not drop downward from the first guide 120 . The protruding terminal portion 118 is firmly fixed to the upper surface of the first guide 120 by the epoxy molding 170. In this process, the epoxy molding 170 is brought into contact with the body portion 112, 1 guide 120, as shown in Fig. The horizontal portion 112b is spaced apart from the upper surface of the first guide 120 in a state where the projecting terminal portion 118 is fixed to the first guide 120. [

한편, 본 발명에서 제1 가이드(120)는 복수개로 설치되고 각각의 제1 가이드(120)에는 복수개의 프로브(110)가 고정 지지될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 가이드(120)에 5개의 DUT(Device Under Test), 즉 5개의 반도체 칩의 전기적 특성을 측정할 수 있는 복수개의 프로브(110)가 삽입 수용되도록 하고, 이러한 제1 가이드(120)를 복수개 조립하여 프로브 카드를 제조할 수 있다. 이로써 일부 프로브가 파손된 경우라도 해당 프로브가 설치되어 있는 가이드만 프로브 카드에서 분리할 수 있으므로 프로브 카드의 수리가 용이하다는 이점이 있다. In the present invention, a plurality of first guides 120 may be provided, and a plurality of probes 110 may be fixedly supported on the first guides 120. For example, five DUTs (Device Under Test), that is, a plurality of probes 110 capable of measuring the electrical characteristics of five semiconductor chips are inserted and accommodated in one first guide 120, A plurality of guides 120 may be assembled to manufacture a probe card. As a result, even if some probes are broken, only the guide in which the probes are installed can be separated from the probe card, which makes it easy to repair the probe card.

제2 가이드(130)는 프로브(110)의 거동 가능 범위를 제한하여 프로브(110)간의 간섭을 최소화시키는 역할을 한다. 제2 가이드(130)는 바디부(112)의 수평부(112b)와 제1 가이드(120)의 상부면 사이의 이격되어 있는 공간에 배치되고, 특 히 팁부(116)가 전극 패드에 접촉될 때 프로브(110)의 소정 부분이 용이하게 수용될 수 있도록 팁부(116)의 직하방에 설치된다. 제2 가이드(130)에는 프로브(110)의 소정 부분, 즉 수평부(112b)와 포스트부(114)의 일부분이 수용되는 수용홈(132)이 형성된다. 즉, 프로브(110)는 제2 가이드(130)의 수용홈(132)에 소정 부분이 수용되어 있음으로써 움직일 수 있는 범위가 제한된다. 특히, 프로브(110)가 반도체 칩의 전극 패드와 접촉될 때 좌우 방향으로 움직이는 것을 최대한 억제할 수 있어서 프로브(110) 간의 영향을 최소화시킬 수 있다. 또한, 제2 가이드(130)에 의하여 프로브(110)가 반도체 칩의 전극 패드와 접촉될 때 받는 충격을 완화시킬 수 있다. 이와 같이, 본 발명에서는 프로브(110)가 제1(120) 및 제2 가이드(120)에 의하여 고정 지지됨으로써 프로브의 위치 제어를 미세하게 조절할 수 있어서 고집적 디바이스의 단자에 프로브가 용이하게 접촉할 수 있는 이점이 있다.The second guide 130 serves to minimize the interference between the probes 110 by limiting the movable range of the probes 110. The second guide 130 is disposed in a spaced space between the horizontal portion 112b of the body portion 112 and the upper surface of the first guide 120 and particularly the tip portion 116 is in contact with the electrode pad A predetermined portion of the probe 110 can be easily accommodated. The second guide 130 is formed with a receiving groove 132 in which a predetermined portion of the probe 110, that is, the horizontal portion 112b and a portion of the post portion 114, is accommodated. That is, since the probe 110 is accommodated in the receiving groove 132 of the second guide 130, the range of the probe 110 can be limited. Particularly, when the probes 110 are brought into contact with the electrode pads of the semiconductor chip, it is possible to suppress the movement in the left and right directions as much as possible, thereby minimizing the influence between the probes 110. In addition, the second guide 130 can mitigate the impact when the probe 110 comes into contact with the electrode pads of the semiconductor chip. As described above, according to the present invention, since the probe 110 is fixedly supported by the first 120 and the second 120, the position control of the probe can be finely controlled, so that the probe can easily contact the terminal of the highly integrated device There is an advantage.

제1 및 제2 가이드(120, 130)의 재질은 실리콘을 사용하는 것이 바람직하다. 이는 실리콘이 미세 가공이 가능하여 마이크로 미터급 단위 구조물 제작이 가능하고 프로브 카드와 같은 전자 디바이스에 적용시 혹시 필요할 수도 있는 절연막 형성이 용이하기 때문이다.The first and second guides 120 and 130 are preferably made of silicon. This is because micrometer-scale unit structures can be fabricated because silicon can be microfabricated, and it is easy to form an insulating film, which may be needed in an electronic device such as a probe card.

제1 및 제2 가이드(120, 130)는 각각 별개로 제조된 후 서로 결합 설치할 수도 있으며 일체로 제조될 수도 있다. 전자의 경우에 제1 및 제2 가이드(120, 130)는 에폭시 몰딩(미도시)을 이용하여 접합된다.The first and second guides 120 and 130 may be manufactured separately and then joined together or may be integrally manufactured. In the former case, the first and second guides 120 and 130 are bonded using an epoxy molding (not shown).

바(140)는 제1 가이드(120)를 관통한 프로브(110)를 수용하면서 제1 가이드(120)를 지지하는 역할을 한다. 바(140)는 제1 가이드(120)의 하측에 배치되며 바(140)에는 프로브(110)가 수용될 수 있도록 하는 홀(142)이 형성된다. 여기서, 홀(142)의 직경은 바디부(112)의 수직부(112a)의 크기보다 충분히 크게 형성하여 바디부(112)의 수직부(112a) 외주와 홀(142)의 내주가 이격되도록 하는 것이 바람직하다. 바(140)는 제1 가이드(120)에 에폭시 몰딩(170)을 이용하여 접합된다.The bar 140 serves to support the first guide 120 while receiving the probe 110 passing through the first guide 120. The bar 140 is disposed below the first guide 120 and the bar 140 is formed with a hole 142 through which the probe 110 can be received. The diameter of the hole 142 is formed to be sufficiently larger than that of the vertical portion 112a of the body portion 112 so that the outer circumference of the vertical portion 112a of the body portion 112 is spaced from the inner circumference of the hole 142 . The bar 140 is bonded to the first guide 120 using an epoxy molding 170.

바(140)의 재질은 인바(Invar)를 사용하는 것이 바람직하다. 이는 온도 변화에 따른 프로브 카드의 제반 특성 변화를 최소화할 수 있기 때문이다. 바(140)는 제1 가이드(120)의 하부에 에폭시 몰딩(170)을 이용하여 접합된다.The material of the bar 140 is preferably Invar. This is because the variation of the probe card characteristics according to the temperature change can be minimized. The bar 140 is bonded to the lower portion of the first guide 120 using an epoxy molding 170.

이와 같이, 본 발명에서는 프로브(110)에 형성되는 접촉부를 통해 후술하는 메인 기판과 직접 연결해 줌으로써 플렉시블 기판을 사용하는 종래의 프로브 카드보다 신호의 전달 경로가 짧아져 외부 잡음의 영향을 덜 받는 이점이 있다. 또한, 본 발명은 플렉시블 기판을 사용하지 않기 때문에 소켓이 불필요하여 미세 피치의 전극 패드에 대응이 가능하여 고집적화 디바이스에 적용할 수 있다.As described above, in the present invention, since the signal transmission path is shorter than that of the conventional probe card using a flexible substrate by directly connecting to a main substrate to be described later through a contact portion formed on the probe 110, there is an advantage of being less affected by external noise have. Further, since the flexible substrate is not used in the present invention, a socket is not required, so that it can be applied to electrode pads having a fine pitch, so that the present invention can be applied to highly integrated devices.

도 5는 프로브 유닛(110A)의 구성을 나타내는 사시도로서, 프로브 유닛(110A)의 일단부를 도시하고 있다. 도시한 바와 같이, 프로브 유닛(110A)은 복수개의 프로브(110)/제1 및 제2 가이드(120, 130)/바(140)로 구성되는, 프로브 카드(100)를 구성하는 기본 유닛이다. 즉, 프로브 카드(100)는 복수개의 프로브 유닛(110A)이 후술하는 메인 기판(150)에 조립되어 제작된다.5 is a perspective view showing the configuration of the probe unit 110A, and shows one end of the probe unit 110A. As shown in the figure, the probe unit 110A is a basic unit constituting the probe card 100, which is composed of a plurality of probes 110 / first and second guides 120 and 130 / bars 140. That is, the probe card 100 is manufactured by assembling a plurality of probe units 110A to a main substrate 150 to be described later.

메인 기판(150)은 예를 들어, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board; PCB)에 해당하는 것으로서 프로브(110)에 전기 신호를 인가할 수 있도록 하는 회로 패턴이 형성되어 있는 기판이다.The main substrate 150 corresponds to, for example, a printed circuit board (PCB), and is a substrate on which a circuit pattern for applying an electrical signal to the probe 110 is formed.

메인 기판(150)의 상부에는 볼록한 형상의 접촉 단자(152)가 형성되어 있어, 프로브(110)의 하단에 형성되는 접촉부(112c)에 접촉된다. 접촉부(112c)와 접촉 단자(152)의 접촉성을 향상시키기 위해서는 접촉부(112c)와 접촉 단자(152)는 서로 결합되었을 때, 밀착되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. A convex shaped contact terminal 152 is formed on the main substrate 150 and contacts the contact portion 112c formed at the lower end of the probe 110. [ In order to improve the contactability of the contact portion 112c and the contact terminal 152, it is preferable that the contact portion 112c and the contact terminal 152 are formed in a close contact shape when they are coupled to each other.

본 발명의 실시예에서는 접촉부(112c)와 접촉 단자(152)가 동일한 곡률을 갖는 반원형으로서, 접촉부(112c)는 오목한 홈 형태로 형성되고, 접촉 단자(152)는 볼록한 형태로 형성되어 있음을 도시하고 있으나, 서로 결합될 수 있다면 다른 형태로도 형성될 수 있다. 즉, 도 6에 도시한 바와 같이, 프로브(110)의 수직부(112a) 하단을 수평 하게 형성하고 접촉 단자(152)에는 프로브(110)의 수직부(112a)의 두께에 해당하는 폭을 갖는 직선 형태의 홈을 형성한 후, 수직부(112a)의 하단을 상기 홈에 삽입하면, 수직부(112a)의 하단이 홈에 삽입된 후 밀착되어 접촉 단자(152)를 통해 신호가 전달될 수 있게 된다. In the embodiment of the present invention, the contact portion 112c is formed in a concave groove shape and the contact terminal 152 is formed in a convex shape in a semicircular shape in which the contact portion 112c and the contact terminal 152 have the same curvature But they can be formed in other forms as long as they can be combined with each other. 6, the lower end of the vertical part 112a of the probe 110 is horizontally formed and the contact terminal 152 has a width corresponding to the thickness of the vertical part 112a of the probe 110 When the lower end of the vertical part 112a is inserted into the groove after the straight groove is formed, the lower end of the vertical part 112a is inserted into the groove and then closely contacted with the signal through the contact terminal 152 .

이와 같이, 프로브의 하단이 접촉 단자와 서로 결합된 후 밀착이 이루어져 신호가 전달될 수 있다면 다른 형태로 형성되어도 무방하다. In this way, the probe may be formed in a different shape as long as the lower end of the probe is coupled to the contact terminal and then closely contacted with each other so that the signal can be transmitted.

접촉 단자(152)는 메인 기판(150) 내부에 개재된 도선에 의해 메인 기판(150)의 회로 패턴(미도시)과 연결된다.The contact terminal 152 is connected to a circuit pattern (not shown) of the main board 150 by a lead wire interposed in the main board 150.

따라서, 프로브 유닛(110A)과 메인 기판(150)을 접촉부(112c)와 접촉 단자(152)를 개재하여 결합시키면, 접촉부(112c)와 접촉 단자(152)가 가압 접촉되어 신호 구간을 형성하게 된다. Therefore, when the probe unit 110A and the main board 150 are coupled to each other via the contact portion 112c and the contact terminal 152, the contact portion 112c and the contact terminal 152 are pressed against each other to form a signal section .

이로써 프로브 카드(110)에서 전기 신호는 메인 기판(150)의 회로 패턴/메인 기판(150)의 접촉 단자(152)/프로브(110)를 통하여 최종적으로 반도체 칩의 전극 패드에 인가된다.The electrical signal from the probe card 110 is finally applied to the electrode pad of the semiconductor chip through the circuit pattern of the main board 150 / the contact terminal 152 of the main board 150 / probe 110.

메인 기판(150)의 하부에는 메인 기판(150)을 지지하여 외력에 의해 메인 기판이 하향하여 절곡되는 것을 방지하는 보강 부재(160)가 배치된다. 보강 부재(160)는 메인 기판(150)에 볼트(162)를 이용하여 결합된다.A reinforcing member 160 for supporting the main substrate 150 and preventing the main substrate from being bent down due to external force is disposed under the main substrate 150. The reinforcing member 160 is coupled to the main board 150 using bolts 162.

도 7은 프로브 유닛(110A)과 메인 기판(150)의 결합 상태를 나타내는 사시도이다. 도시한 바와 같이, 프로브 유닛(110A)은 메인 기판(150)에 볼트(162)로 결합된다.FIG. 7 is a perspective view showing a state in which the probe unit 110A and the main board 150 are engaged. As shown in the figure, the probe unit 110A is coupled to the main board 150 with a bolt 162.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드(100)의 최종 완성 상태를 나타내는 사시도이다. 도시한 바와 같이, 프로브 카드(100)는 프로브 카드의 사양에 맞는 복수개의 프로브 유닛(110A)이 메인 기판(150)에 조립되어 제작된다.FIG. 8 is a perspective view showing a final completed state of the probe card 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the probe card 100 is manufactured by assembling a plurality of probe units 110A matching the specifications of the probe card on the main board 150. [

한편, 상술한 본 발명의 실시예에 따르면 프로브(110)가 직접 메인 기판(150)에 연결되는 것으로 되어 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 경우에 따라서는 프로브(110)가 다층 세라믹 기판(200)에 직접 부착되고 다층 세라믹 기판(200)은 인터포저(300)를 통하여 메인 기판(400)에 연결되는 구성을 취할 수도 있다(도 9 참조). 여기서, 다층 세라믹 기판(200)은 메인 기판(400)으로부터의 전기 신호가 프로브(110)에 전달되도록 메인 기판(400)의 회로 패턴을 더욱 조밀하면서 고집적, 고밀도로서 형성되게 하는 기판으로서 프로브(110)를 고정시키는 역할도 한다. 또한, 인터포저(300)는 다층 세라믹 기판(200)과 메인 기판(400)을 인터페이스 하는 수단으로서, 메인 기판(400)으로부터의 전기 신호가 다층 세라믹 기 판(200)에 전달되도록 하는 중간 신호 전달 매체의 역할을 하는 상호 접속체(320)를 포함한다. 이때, 다층 세라믹 기판(200)과 메인 기판(400)에는 상호 접속체(320)와 연결되는 접속 단자(320)와 개구형 회로 패턴(420)이 각각 설치된다. 프로브가 다층 세라믹 기판을 통하여 메인 기판에 연결되는 프로브 카드 조립체에 관한 것은 공지의 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 본 명세서에서는 생략하기로 한다. 만일 본 발명의 다른 실시예로서 프로브(110)/다층 세라믹 기판(200)/인터포저(300)/메인 기판(400)으로 구성되는 프로브 카드에서는 프로브(110)의 소정 부분을 수용하는 제2 가이드(130)만 설치할 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment of the present invention, the probes 110 are directly connected to the main substrate 150, but the present invention is not limited thereto. The probe 110 may be directly attached to the multilayer ceramic substrate 200 and the multilayer ceramic substrate 200 may be connected to the main substrate 400 through the interposer 300 ). Here, the multilayer ceramic substrate 200 is a substrate for forming the circuit pattern of the main substrate 400 to be more dense and highly integrated and high-density so that an electric signal from the main substrate 400 is transmitted to the probe 110, ). The interposer 300 is a means for interfacing the multilayer ceramic substrate 200 and the main substrate 400. The interposer 300 is a means for interfacing the main substrate 400 to the multilayer ceramic substrate 200, And an interconnect body 320 serving as a medium. At this time, the connection terminal 320 connected to the interconnecting body 320 and the opening circuit pattern 420 are provided on the multilayer ceramic substrate 200 and the main substrate 400, respectively. A probe card assembly in which probes are connected to a main board through a multilayer ceramic substrate is a well-known technology, and a detailed description thereof will be omitted herein. In another embodiment of the probe card of the present invention, which comprises probe 110, multi-layer ceramic substrate 200, interposer 300, and main substrate 400, (130).

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니 하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Various variations and modifications are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

도 1은 종래기술에 따른 프로브 카드의 구성을 나타내는 도면. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a configuration of a probe card according to the related art; Fig.

도 2는 도 1의 프로브 카드에서 사용하는 니들 블록의 구성을 나타내는 도면.Fig. 2 is a view showing a configuration of a needle block used in the probe card of Fig. 1; Fig.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 구성을 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a configuration of a probe card according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 구성을 나타내는 분해 사시도.4 is an exploded perspective view showing a configuration of a probe card according to an embodiment of the present invention;

도 5는 프로브 유닛의 구성을 나타내는 사시도. 5 is a perspective view showing a configuration of a probe unit;

도 6은 프로브와 메인 기판의 연결 관계를 나타내는 도면.6 is a view showing a connection relation between a probe and a main substrate;

도 7은 프로브 유닛과 메인 기판의 결합 상태를 나타내는 사시도. 7 is a perspective view showing a state in which the probe unit and the main board are engaged;

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드의 최종 완성 상태를 나타내는 사시도. FIG. 8 is a perspective view showing a final completed state of a probe card according to an embodiment of the present invention; FIG.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 카드의 구성을 나타내는 분해 사시도.9 is an exploded perspective view showing a configuration of a probe card according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100: 프로브 카드100: Probe card

110: 프로브110: Probe

110A: 프로브 유닛110A: Probe unit

112: 바디부112:

114: 포스트부114: Post part

116: 팁부116: Tip

118: 돌출 단자부118: projecting terminal portion

120: 제1 가이드120: First guide

122: 관통홀122: Through hole

130: 제2 가이드130: Second Guide

132: 수용홈 132: receiving groove

140: 바140: Bar

142: 홀142: hole

150, 400: 메인 기판150, 400: main substrate

152: 돌출 단자152: protruding terminal

160: 보강 부재160: reinforcing member

162: 볼트162: Bolt

170: 에폭시 몰딩170: Epoxy Molding

200: 다층 세라믹 기판200: multilayer ceramic substrate

220: 접속 단자220: connection terminal

300: 인터포저300: interposer

320: 상호 접속체320:

420: 개구형 회로패턴420: Open circuit pattern

Claims (12)

반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; A probe contacting the electrode pad of the semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective; 상기 프로브를 지지하는 제1 가이드 - 상기 제1 가이드에는 상기 프로브가 삽입되어 관통되는 홀이 형성되어 있음 -; A first guide for supporting the probe, the first guide having a hole through which the probe is inserted; 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 제2 가이드;A second guide for receiving a predetermined portion of the probe; 상기 제1 가이드를 관통한 프로브를 수용하면서 상기 제1 가이드를 지지하는 바; 및A bar supporting the first guide while receiving a probe penetrating the first guide; And 상기 프로브에 전기 신호가 전달되도록 상기 프로브와 연결되는 메인 기판; A main substrate connected to the probe so that an electric signal is transmitted to the probe; 을 포함하며, / RTI &gt; 상기 프로브는 상기 메인 기판에 형성되어 있는 단자에 직접 연결되되,Wherein the probe is directly connected to a terminal formed on the main substrate, 상기 프로브는,Wherein the probe comprises: 상기 제1 가이드를 관통하는 "ㄱ" 형상의 바디부;An "a" shaped body portion passing through the first guide; 상기 바디부 일단에 형성되는 포스트부; 및A post portion formed at one end of the body portion; And 상기 포스트부의 일단에 형성되어 반도체 칩의 패드에 접촉되는 팁부를 포함하며,And a tip portion formed at one end of the post portion and contacting a pad of the semiconductor chip, 상기 바디부의 측면에는 상기 바디부가 상기 제1 가이드로부터 하향 이탈하지 않도록 하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드. Wherein a protrusion is formed on a side surface of the body so that the body is not separated from the first guide. 삭제delete 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 바디부 및 상기 돌출부는 상기 제1 가이드와 에폭시로 고정되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드. Wherein the body and the protrusion are fixed to the first guide by epoxy. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 바디부의 하단에 형성된 접촉부가 상기 단자에 형성되어 있는 홈에 삽입됨으로써 상기 프로브와 상기 메인 기판이 연결되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And the probe is connected to the main substrate by inserting a contact portion formed at a lower end of the body portion into a groove formed in the terminal. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 및 제2 가이드의 재질은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Wherein the material of the first and second guides comprises silicon. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 바의 재질은 인바(invar)를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.Wherein the bar material comprises invar. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt; 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 메인 기판에는 상기 메인 기판의 변형을 방지하는 보강 부재가 연결되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.And a reinforcing member for preventing deformation of the main board is connected to the main board. 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; A probe contacting the electrode pad of the semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective; 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 가이드;A guide for receiving a predetermined portion of the probe; 상기 프로브에 전기 신호가 전달되도록 상기 프로브와 연결되는 세라믹 기판;A ceramic substrate connected to the probe so that an electric signal is transmitted to the probe; 상기 세라믹 기판으로 전기 신호가 전달되도록 상기 세라믹 기판과 연결되는 상호 접속체를 포함하고 있는 인터포저; 및An interposer including an interconnect body connected to the ceramic substrate to transmit electrical signals to the ceramic substrate; And 상기 인터포저로 전기 신호가 전달되도록 상기 인터포저의 상호 접속체와 연결되는 메인 기판A main substrate connected to the interposer of the interposer so that an electric signal is transmitted to the interposer; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.The probe card comprising: 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; A probe contacting the electrode pad of the semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective; 상기 프로브를 지지하는 제1 가이드 - 상기 제1 가이드에는 상기 프로브가 삽입되어 관통되는 홀이 형성되어 있음 -; A first guide for supporting the probe, the first guide having a hole through which the probe is inserted; 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 제2 가이드; 및A second guide for receiving a predetermined portion of the probe; And 상기 제1 가이드를 관통한 프로브를 수용하면서 상기 제1 가이드를 지지하는 바A probe supporting the first guide while receiving a probe penetrating the first guide; 를 포함하되,, &Lt; / RTI & 상기 프로브는 상기 제1 가이드를 관통하는 "ㄱ" 형상의 바디부; Wherein the probe comprises a body having an "a" shape passing through the first guide; 상기 바디부 일단에 형성되는 포스트부; A post portion formed at one end of the body portion; 및 상기 포스트부의 일단에 형성되어 반도체 칩의 패드에 접촉되는 팁부를 포함하며, And a tip portion formed at one end of the post portion and contacting a pad of the semiconductor chip, 상기 바디부의 측면에는 상기 바디부가 상기 제1 가이드로부터 하향 이탈하지 않도록 하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 유닛.And a protrusion is formed on a side surface of the body so that the body is not separated from the first guide. 삭제delete 반도체 칩의 불량 여부를 판정하기 위하여 반도체 칩의 전극 패드에 접촉되는 프로브; 및A probe contacting the electrode pad of the semiconductor chip to determine whether the semiconductor chip is defective; And 상기 프로브의 소정 부분을 수용하는 가이드A guide for receiving a predetermined portion of the probe 를 포함하되,, &Lt; / RTI & 상기 프로브는,Wherein the probe comprises: "ㄱ" 형상의 바디부;An "a" shaped body portion; 상기 바디부 일단에 형성되는 포스트부; 및A post portion formed at one end of the body portion; And 상기 포스트부의 일단에 형성되어 반도체 칩의 패드에 접촉되는 팁부를 포함하며,And a tip portion formed at one end of the post portion and contacting a pad of the semiconductor chip, 상기 바디부의 측면에는 상기 바디부가 상기 가이드로부터 하향 이탈하지 않도록 하는 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 유닛.Wherein a protrusion is formed on a side surface of the body so that the body is not separated downward from the guide. 삭제delete
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