KR101388573B1 - Chemical Mechanical Polisher - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것으로써, 특히 슬러리가 공급되는 상태에서 연마패드와 웨이퍼 표면 간의 마찰에 의해 연마하고자 하는 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지도록 하는 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
본 발명의 화학적 기계적 연마장치는,상면에 웨이퍼가 배치되는 연마패드와; 상기 연마패드의 상부에 배치되는 연마헤드와, 상기 연마헤드의 하부에 장착되어 상기 연마패드의 상면에 배치된 웨이퍼를 유지하는 리테이너링으로 구성된 헤드어셈블리와; 상기 헤드어셈블리의 외곽에 링 형상으로 배치되는 슬러리저장링과; 상기 헤드어셈블리와 상기 슬러리저장링 사이에 슬러리를 공급하는 슬러리공급관을 포함하여 이루어지되, 상기 리테이너링의 하면에는 상기 슬러리공급관을 통해 공급된 슬러리가 상기 웨이퍼에 공급되도록 하는 유동홈이 형성되어 있고, 상기 슬러리저장링은 상기 헤드어셈블리에 대하여 독립적으로 상하방향으로 이동하며, 상기 슬러리저장링의 하면은 상기 슬러리가 공급되는 동안 상기 연마패드의 상면에 밀착되어 상기 슬러리가 상기 슬러리저장링의 외부로 유출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, to a chemical mechanical polishing apparatus for polishing a surface of a wafer to be polished by friction between a polishing pad and a surface of a wafer while a slurry is supplied.
The chemical mechanical polishing apparatus of the present invention includes: a polishing pad having a wafer disposed on an upper surface thereof; A head assembly comprising a polishing head disposed on an upper portion of the polishing pad, and a retainer ring mounted below the polishing head to hold a wafer disposed on an upper surface of the polishing pad; A slurry storage ring disposed in a ring shape on the outside of the head assembly; It comprises a slurry supply pipe for supplying a slurry between the head assembly and the slurry storage ring, the lower surface of the retaining ring is formed with a flow groove for supplying the slurry supplied through the slurry supply pipe to the wafer, The slurry storage ring moves up and down independently of the head assembly, and the lower surface of the slurry storage ring is in close contact with the upper surface of the polishing pad while the slurry is supplied so that the slurry flows out of the slurry storage ring. It is characterized by preventing that.

Description

화학적 기계적 연마장치 { Chemical Mechanical Polisher } Chemical Mechanical Polishing Machine {Chemical Mechanical Polisher}

본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것으로써, 특히 슬러리가 공급되는 상태에서 연마패드와 웨이퍼 표면 간의 마찰에 의해 연마하고자 하는 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지도록 하는 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, to a chemical mechanical polishing apparatus for polishing a surface of a wafer to be polished by friction between a polishing pad and a surface of a wafer while a slurry is supplied.

최근, 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되고 있다.
이에 따라 반도체 소자의 제조공정 중에는 반도체 웨이퍼의 각 층의 평탄화를 위한 연마 공정이 필수적으로 포함된다.
이러한 연마공정을 수행하기 위한 다양한 연마 방법들이 제시되고 있으며, 이들 중 웨이퍼를 화학적, 그리고 기계적인 연마를 동시에 실시하는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, 이하 'CMP')장치가 널리 사용된다.2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have become more multilayered in structure with higher integration.
Accordingly, a polishing process for planarizing each layer of the semiconductor wafer is essentially included in the manufacturing process of the semiconductor device.
Various polishing methods for performing such a polishing process have been proposed. Among them, chemical mechanical polishing (hereinafter, referred to as 'CMP') devices for simultaneously carrying out chemical and mechanical polishing of wafers are widely used.

일반적으로 화학적 기계적 연마 공정은 연마패드에 슬러리(Slurry)를 흘려주면서, 연마패드 위에 연마하고자 하는 웨이퍼 표면을 위치시킨 상태에서 웨이퍼에 소정의 하중을 가하고, 웨이퍼와 연마패드를 회전시킴으로써, 연마패드와 웨이퍼 표면간의 마찰에 의해 연마하고자 하는 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지게 된다.
연마하고자 하는 막질의 종류에 따라 소정의 슬러리를 사용한다.In general, a chemical mechanical polishing process is performed by applying a predetermined load to a wafer while placing a surface of a wafer to be polished on a polishing pad while flowing a slurry onto the polishing pad, and rotating the wafer and the polishing pad. The wafer surface to be polished is polished by friction between the wafer surfaces.
According to the kind of film to be polished, a predetermined slurry is used.

도 1은 종래 화학적 기계적 연마 방법을 도식적으로 나타낸 것으로써, 도 1(a)는 측면도이고, 도 1(b)는 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 회전하는 원판(11) 상에 연마패드(12)를 부착하고 웨이퍼(미도시)는 가공하고자 하는 면이 연마패드(12)에 향하도록 위치한다.
상기 웨이퍼는 도 1에 도시되지는 않았지만 종래에 공지된 일반적인 방법과 같이 상기 연마헤드(15)에 부착된 리테이너 링(14)에 의해서 안쪽에 유지된다.
상기 연마패드(12)는 제1구동축(17)에 의해 회전하며, 상기 연마헤드(15)는 제2구동축(16)에 의해서 회전한다.
슬러리(18)는 슬러리공급관(19)을 통해서 상기 연마패드(12)의 상면에 공급된다.
이때, 상기 슬러리는 회전하는 연마패드(12)의 상면에 공급되어 일부만 화학적 기계적 연마 공정에 기여하고, 대부분은 회전하는 연마패드(12)의 원심력에 의해 빠져나가기 때문에, 슬러리의 사용량이 많아 비용이 증가하고, 환경오염을 유발하게 하는 등의 문제가 있었다.
Figure 1 schematically shows a conventional chemical mechanical polishing method, Figure 1 (a) is a side view, Figure 1 (b) is a plan view.
As shown in FIG. 1, the polishing pad 12 is attached onto the rotating disc 11 and the wafer (not shown) is positioned so that the surface to be processed faces the polishing pad 12.
Although not shown in FIG. 1, the wafer is held inward by retainer rings 14 attached to the polishing head 15 as in a conventional method known in the art.
The polishing pad 12 is rotated by the first drive shaft 17, and the polishing head 15 is rotated by the second drive shaft 16.
The slurry 18 is supplied to the upper surface of the polishing pad 12 through the slurry supply pipe 19.
At this time, the slurry is supplied to the upper surface of the rotating polishing pad 12 to contribute to the chemical mechanical polishing process, and most of the slurry escapes due to the centrifugal force of the rotating polishing pad 12, And causing environmental pollution, and the like.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 연마패드에 공급되는 슬러리가 회전하는 연마패드의 원심력에 의해 외부로 빠져나가는 것을 최소화할 수 있는 화학적 기계적 연마장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
An object of the present invention is to provide a chemical mechanical polishing apparatus that can minimize the outflow of the slurry supplied to the polishing pad to the outside by the centrifugal force of the rotating polishing pad.

상기와 같이 목적을 달성하기 위한 본 발명의 화학적 기계적 연마장치는, 상면에 웨이퍼가 배치되는 연마패드와; 상기 연마패드의 상부에 배치되는 연마헤드와, 상기 연마헤드의 하부에 장착되어 상기 연마패드의 상면에 배치된 웨이퍼를 유지하는 리테이너링으로 구성된 헤드어셈블리와; 상기 헤드어셈블리의 외곽에 링 형상으로 배치되는 슬러리저장링과; 상기 헤드어셈블리와 상기 슬러리저장링 사이에 슬러리를 공급하는 슬러리공급관을 포함하여 이루어지되, 상기 리테이너링의 하면에는 상기 슬러리공급관을 통해 공급된 슬러리가 상기 웨이퍼에 공급되도록 하는 유동홈이 형성되어 있고, 상기 슬러리저장링은 상기 헤드어셈블리에 대하여 독립적으로 상하방향으로 이동하며, 상기 슬러리저장링의 하면은 상기 슬러리가 공급되는 동안 상기 연마패드의 상면에 밀착되어 상기 슬러리가 상기 슬러리저장링의 외부로 유출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.
상기 슬러리저장링이 상기 헤드어셈블리와 이격되도록 상기 슬러리저장링과 상기 헤드어셈블리를 연결하는 연결부재를 더 포함하여 이루어진다.
상기 슬러리저장링에는 연결홈이 형성되고, 상기 슬러리저장링은 상기 연결부재에 의해 상하방향으로 이동된다.
또는, 상기 슬러리저장링에 결합되어 상기 슬러리저장링을 상하방향으로 이동시켜, 상기 슬러리저장링의 하면이 상기 연마패드의 상면에 밀착 또는 이격되도록 하는 상하구동부를 더 포함하여 이루어진다.
Chemical mechanical polishing apparatus of the present invention for achieving the object as described above, the polishing pad is disposed on the upper surface wafer; A head assembly comprising a polishing head disposed on an upper portion of the polishing pad, and a retainer ring mounted below the polishing head to hold a wafer disposed on an upper surface of the polishing pad; A slurry storage ring disposed in a ring shape on the outside of the head assembly; It comprises a slurry supply pipe for supplying a slurry between the head assembly and the slurry storage ring, the lower surface of the retaining ring is formed with a flow groove for supplying the slurry supplied through the slurry supply pipe to the wafer, The slurry storage ring moves up and down independently of the head assembly, and the lower surface of the slurry storage ring is in close contact with the upper surface of the polishing pad while the slurry is supplied so that the slurry flows out of the slurry storage ring. It is characterized by preventing that.
The slurry storage ring further comprises a connecting member connecting the slurry storage ring and the head assembly so as to be spaced apart from the head assembly.
A connection groove is formed in the slurry storage ring, and the slurry storage ring is moved up and down by the connection member.
Or, it is coupled to the slurry storage ring further comprises a vertical drive to move the slurry storage ring in the vertical direction, the lower surface of the slurry storage ring to be in close contact or spaced apart from the upper surface of the polishing pad.

본 발명에 의하면, 연마패드의 회전시 슬러리저장링에 의해 슬러리가 외부로 유출되는 것을 최소화함으로써, 슬러리의 사용량을 줄여, 연마공정의 비용을 절감하고, 환경오염을 줄일 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, by minimizing the outflow of the slurry to the outside by the slurry storage ring during the rotation of the polishing pad, the amount of the slurry is reduced, the cost of the polishing process, and the environmental pollution can be reduced.

도 1은 종래 화학적 기계적 연마 방법을 도식적으로 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 화학적 기계적 연마장치의 구조도,
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 화학적 기계적 연마장치의 구조도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a diagrammatic representation of a conventional chemical mechanical polishing process,
2 is a structural diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
3 is a structural diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention;


제1실시예

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 화학적 기계적 연마장치의 구조도로써, 도 2(a)는 측면도이고, 도 2(b)는 평면도이다.
본 발명의 화학적 기계적 연마장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 연마패드(112)와, 헤드어셈블리(120)와, 슬러리저장링(130)과, 연결부재(140)와, 슬러리공급관(150)을 포함하여 이루어진다.
상기 연마패드(112)는 원판(111) 상에 장착되어 있고, 상면에는 가공하고자 하는 웨이퍼(미도시)가 배치된다.
이러한 상기 연마패드(112)는 구동축에 의해 회전된다.
상기 헤드어셈블리(120)는 연마헤드(121)와, 리테이너링(122)을 포함하여 이루어진다.
상기 연마헤드(121)는 상기 연마패드(112)의 상부에 배치되고, 구동축에 의해 회전된다.
상기 리테이너링(122)은 상기 연마헤드(121)의 하부에 장착되어 상기 연마패드(112)의 상면에 배치된 상기 웨이퍼를 유지한다.
그리고, 상기 리테이너링(122)의 하면에는 상기 슬러리공급관(150)을 통해 공급된 슬러리(151)가 상기 웨이퍼에 공급되도록 하는 유동홈이 형성되어 있다.
이러한 상기 연마패드(112) 및 헤드어셈블리(120)는 종래의 공지된 구성과 동일한 바, 이에 대한 보다 자세한 설명은 생략한다.
상기 슬러리저장링(130)은 상부 및 하부가 개방된 중공 링 형상으로 형성되어, 상기 헤드어셈블리(120)의 외곽에 배치된다.
상기 슬러리저장링(130)은 상기 헤드어셈블리(120)와 이격되어, 그 사이에 공간이 형성되도록 한다.
이러한 상기 슬러리저장링(130)은 상기 헤드어셈블리(120)에 대하여 독립적으로 상하방향으로 이동한다.
즉, 상기 슬러리저장링(130)은 상기 헤드어셈블리(120)가 승강되지 않더라도 상하방향으로 이동할 수 있다.
상기 연결부재(140)는 도 2(b)에 도시된 바와 같이 다수개로 이루어져 상기 슬러리저장링(130)과 헤드어셈블리(120) 사이에 배치되고, 상기 슬러리저장링(130)의 내주면과 상기 헤드어셈블리(120)의 외주면에 연결되어 있다.
따라서, 상기 슬러리저장링(130)은 상기 연결부재(140)에 의해 상기 헤드어셈블리(120)의 외주면으로부터 이격되어 그 사이에 공간을 형성하게 된다.
상기 슬러리공급관(150)은 상기 헤드어셈블리(120)와 상기 슬러리저장링(130) 사이의 빈공간에 슬러리(151)를 공급하도록 설치되어 있다.
상기 슬러리공급관(150)을 통해 상기 슬러리(151)가 상기 슬러리저장링(130)과 상기 헤드어셈블리(120) 사이의 빈공간에 공급되는 동안 상기 슬러리저장링(130)의 하면은 상기 연마패드(112)의 상면에 밀착되어 상기 슬러리(151)가 상기 슬러리저장링(130)의 외부로 유출되는 것을 방지한다.
따라서, 상기 연마패드(112)의 회전시 상기 연마패드(112)의 원심력에 의해 슬러리(151)가 상기 슬러리저장링(130)의 외부로 유출되지 않도록 할 수 있어, 슬러리(151)의 사용량을 줄일 수 있다.
이때, 상기 연마패드(112)의 상면에 형성된 홈을 통해 상기 슬러리저장링(130)의 안쪽에 존재하는 슬러리(151)의 극소량이 외부로 빠져나갈 수도 있으나, 그 양은 매우 작다.
한편, 상기 슬러리저장링(130)에는 연결홈(131)이 형성되고, 상기 슬러리저장링(130)은 상기 연결부재(140)에 의해 상기 헤드어셈블리(120)에 대하여 독립적으로 상하방향으로 이동된다.
따라서, 작업완료 후 상기 연결부재(140)에 의해 상기 슬러리저장링(130)을 상방향으로 들어올림으로써, 상기 연마패드(112)의 상면을 세정할 수 있다.

제2실시예

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 화학적 기계적 연마장치의 구조도로써, 도 3(a)는 측면도이고, 도 3(b)는 평면도이다.
본 발명의 화학적 기계적 연마장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 연마패드(112)와, 헤드어셈블리(120)와, 슬러리저장링(130)과, 상하구동부(135)와, 슬러리공급관(150)을 포함하여 이루어진다.
제2실시예는 제1실시예와 비교하여, 상기 상하구동부(135)에 차이가 있는 이를 중심으로 설명한다.
상기 상하구동부(135)는 에어장치 등으로 이루어져 상기 슬러리저장링(130)에 결합되고, 상기 상하구동부(135)의 작동에 의해 상기 슬러리저장링(130)은 상기 헤드어셈블리(120)에 대하여 독립적으로 상하방향으로 이동된다.
본 실시예에서는 상기 헤드어셈블리(120)와 슬러리저장링(130)을 연결하는 수단없이 상호 이격되어 있다.
상기 상하구동부(135)에 의해 상기 슬러리저장링(130)의 하면은 상기 연마패드(112)의 상면에 밀착 또는 이격되게 된다.
따라서, 상기 상하구동부(135)에 의해 상기 슬러리저장링(130)이 하강하여 상기 슬러리저장링(130)의 하면이 상기 연마패드(112)의 상면에 밀착된 상태에서 상기 슬러리공급관(150)을 통해 슬러리(151)를 공급하게 되면, 상기 연마패드(112)의 회전시 상기 슬러리(151)가 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
그 외 다른 사항은 제1실시예와 동일 유사한 바, 자세한 설명은 생략한다.
First Embodiment

Figure 2 is a structural diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 (a) is a side view, Figure 2 (b) is a plan view.
As shown in FIG. 2, the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention includes a polishing pad 112, a head assembly 120, a slurry storage ring 130, a connection member 140, and a slurry supply pipe 150. It is made, including.
The polishing pad 112 is mounted on the disc 111, and a wafer (not shown) to be processed is disposed on an upper surface thereof.
The polishing pad 112 is rotated by a drive shaft.
The head assembly 120 includes a polishing head 121 and a retainer ring 122.
The polishing head 121 is disposed above the polishing pad 112 and is rotated by a drive shaft.
The retainer ring 122 is mounted under the polishing head 121 to hold the wafer disposed on the top surface of the polishing pad 112.
In addition, a lower surface of the retainer ring 122 is provided with a flow groove through which the slurry 151 supplied through the slurry supply pipe 150 is supplied to the wafer.
The polishing pad 112 and the head assembly 120 are the same as the conventional known configuration, and a detailed description thereof will be omitted.
The slurry storage ring 130 is formed in a hollow ring shape of the upper and lower openings, it is disposed on the outside of the head assembly 120.
The slurry storage ring 130 is spaced apart from the head assembly 120, so that a space is formed therebetween.
The slurry storage ring 130 moves up and down independently of the head assembly 120.
That is, the slurry storage ring 130 may move in the vertical direction even if the head assembly 120 is not lifted.
As shown in FIG. 2 (b), the connecting member 140 is disposed between the slurry storage ring 130 and the head assembly 120, and the inner circumferential surface of the slurry storage ring 130 and the head are formed. It is connected to the outer circumferential surface of the assembly 120.
Therefore, the slurry storage ring 130 is spaced apart from the outer circumferential surface of the head assembly 120 by the connecting member 140 to form a space therebetween.
The slurry supply pipe 150 is installed to supply the slurry 151 to the empty space between the head assembly 120 and the slurry storage ring 130.
While the slurry 151 is supplied to the empty space between the slurry storage ring 130 and the head assembly 120 through the slurry supply pipe 150, the bottom surface of the slurry storage ring 130 is the polishing pad ( It is in close contact with the upper surface of the 112 to prevent the slurry 151 from flowing out of the slurry storage ring 130.
Therefore, the slurry 151 may be prevented from flowing out of the slurry storage ring 130 by the centrifugal force of the polishing pad 112 when the polishing pad 112 is rotated, so that the amount of the slurry 151 used may be reduced. Can be reduced.
At this time, a very small amount of the slurry 151 existing inside the slurry storage ring 130 may escape through the groove formed on the upper surface of the polishing pad 112, but the amount is very small.
Meanwhile, a connection groove 131 is formed in the slurry storage ring 130, and the slurry storage ring 130 is moved up and down independently of the head assembly 120 by the connection member 140. .
Therefore, by lifting the slurry storage ring 130 in the upward direction by the connecting member 140 after the completion of work, it is possible to clean the upper surface of the polishing pad 112.

Second Embodiment

Figure 3 is a structural diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention, Figure 3 (a) is a side view, Figure 3 (b) is a plan view.
As shown in FIG. 3, the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention includes a polishing pad 112, a head assembly 120, a slurry storage ring 130, a vertical driving unit 135, and a slurry supply pipe 150. It is made, including.
The second embodiment will be described with reference to the difference in the vertical drive unit 135, compared with the first embodiment.
The vertical driving unit 135 is composed of an air device, etc., coupled to the slurry storage ring 130, and by operating the vertical driving unit 135, the slurry storage ring 130 is independent of the head assembly 120. Is moved up and down.
In this embodiment, the head assembly 120 and the slurry storage ring 130 is spaced apart from each other without a means for connecting.
The lower surface of the slurry storage ring 130 is in close contact or spaced apart from the upper surface of the polishing pad 112 by the vertical driving part 135.
Therefore, the slurry storage ring 130 is lowered by the up and down driving part 135 so that the slurry supply pipe 150 is closed while the lower surface of the slurry storage ring 130 is in close contact with the upper surface of the polishing pad 112. When the slurry 151 is supplied through the slurry 151, the slurry 151 may be prevented from flowing out when the polishing pad 112 is rotated.
Other details are the same as in the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.

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111 : 원판, 112 : 연마패드,
120 : 헤드어셈블리, 121 : 연마헤드, 122 : 리테이너링,
130 : 슬러리저장링, 131 : 연결홈, 135 : 상하구동부,
140 : 연결부재,
150 : 슬러리공급관, 151 : 슬러리,111: disc, 112: polishing pad,
120: head assembly, 121: polishing head, 122: retainer ring,
130: slurry storage ring, 131: connecting groove, 135: up and down driving part,
140: connecting member,
150: slurry supply pipe, 151: slurry,

Claims (6)

상면에 웨이퍼가 배치되는 연마패드와;
상기 연마패드의 상부에 배치되는 연마헤드와, 상기 연마헤드의 하부에 장착되어 상기 연마패드의 상면에 배치된 웨이퍼를 유지하는 리테이너링으로 구성된 헤드어셈블리와;
상기 헤드어셈블리의 외곽에 링 형상으로 배치되는 슬러리저장링과;
상기 헤드어셈블리와 상기 슬러리저장링 사이에 슬러리를 공급하는 슬러리공급관을 포함하여 이루어지되,
상기 리테이너링의 하면에는 상기 슬러리공급관을 통해 공급된 슬러리가 상기 웨이퍼에 공급되도록 하는 유동홈이 형성되어 있고,
상기 슬러리저장링은 상기 헤드어셈블리에 대하여 독립적으로 상하방향으로 이동하며,
상기 슬러리저장링의 하면은 상기 슬러리가 공급되는 동안 상기 연마패드의 상면에 밀착되어 상기 슬러리가 상기 슬러리저장링의 외부로 유출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.A polishing pad having a wafer disposed on an upper surface thereof;
A head assembly comprising a polishing head disposed on an upper portion of the polishing pad, and a retainer ring mounted below the polishing head to hold a wafer disposed on an upper surface of the polishing pad;
A slurry storage ring disposed in a ring shape on the outside of the head assembly;
It comprises a slurry supply pipe for supplying a slurry between the head assembly and the slurry storage ring,
The lower surface of the retaining ring is formed with a flow groove for supplying the slurry supplied through the slurry supply pipe to the wafer,
The slurry storage ring is moved up and down independently of the head assembly,
The lower surface of the slurry storage ring is in close contact with the upper surface of the polishing pad while the slurry is supplied to prevent the slurry from flowing out of the slurry storage ring, characterized in that the chemical mechanical polishing apparatus. 청구항1에 있어서,
상기 슬러리저장링이 상기 헤드어셈블리와 이격되도록 상기 슬러리저장링과 상기 헤드어셈블리를 연결하는 연결부재를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.The method according to claim 1,
And a connection member connecting the slurry storage ring to the head assembly such that the slurry storage ring is spaced apart from the head assembly. 청구항2에 있어서,
상기 슬러리저장링에는 연결홈이 형성되고,
상기 슬러리저장링은 상기 연결부재에 의해 상하방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.The method of claim 2,
The slurry storage ring is formed with a connection groove,
The slurry storage ring is a chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that moved by the connecting member in the vertical direction. 청구항1에 있어서,
상기 슬러리저장링에 결합되어 상기 슬러리저장링을 상하방향으로 이동시켜, 상기 슬러리저장링의 하면이 상기 연마패드의 상면에 밀착 또는 이격되도록 하는 상하구동부를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.The method according to claim 1,
Is coupled to the slurry storage ring to move the slurry storage ring in the vertical direction, the mechanical mechanical polishing characterized in that it further comprises a lower and lower driving portion to be in close contact or spaced apart from the upper surface of the polishing pad. Device. 삭제delete 삭제delete
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