KR101387558B1 - 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CMOS 이미지센서에 있어서 각 픽셀별로 차이날 수 있는 투과율이 최적화하고, CMOS 이미지센서의 광효율을 향상시키기 위해 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법을 개시한 것이다.
Description
본 발명은 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CMOS 이미지센서 구조와 내부 물질의 굴절률 차이에 따라 발생하는 간섭 효과를 고려하여 높은 투과율을 얻을 수 있도록 레드, 그린, 블루 각 칼라픽셀이 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체장치로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device; CCD)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소(pixel)수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 이미지센서는 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부 상부에 칼라 필터가 배열되어 있으며, 칼라필터어레이(Color Filter Array; CFA)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다.
또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부와 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다.
따라서, 광감도를 높여주기 위하여 광감지부 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼라필터 상에 마이크로렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
한편, 종래의 전면광(Front-Side Illumination, 이하 "FSI" 라 함) 방식을 사용하는 이미지 센서는 배선 형성층에 의한 간섭에 의해 광감도가 떨어지거나, 크로스토크(crosstalk) 현상들이 발생하는 문제점이 있었고, 이를 개선하기 위하여 최근에는 배면광 (Back-Side Illumination, 이하 "BSI" 라 함) 방식의 이미지 센서가 사용되고 있다.
도 1은 통상적인 배면광 방식의 CMOS 이미지센서의 단위화소(Unit Pixel)를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이 배면광 방식의 CMOS 이미지센서의 단위화소는 금속배선층(110), 실리콘 광감지층(120), 반사방지막(130), 컬러필터 어레이(140), 오버코팅층(150) 및 마이크로렌즈층(160)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
기본적으로 색을 표현하기 위해 CMOS 이미지센서는 R(Red:적),G(Green:녹),G(Green:녹) 및 B(Blue:청)의 4개의 픽셀(Pixel)이 하나의 단위를 이룬다.
본 발명이 해결하려는 기술적과제는, CMOS 이미지센서 구조와 내부 물질의 굴절률 차이에 따라 발생하는 간섭 효과를 고려하여 레드, 그린, 블루 각 칼라픽셀의 오버코팅층의 두께를 서로 달리함에 의해 높은 투과율을 얻을 수 있도록 하고, 나아가 이미지센서 전체의 광효율을 향상시킬 수 있는 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지센서는, 반도체 기판에 형성되며, 제1칼라의 광을 수광하기 위한 제1포토다이오드, 제1칼라 보다 긴 파장의 제2칼라의 광을 수광하기 위한 제2포토다이오드 및 제2칼라 보다 긴 파장의 제3칼라의 광을 수광하기 위한 제3포토다이오드를 포함하는 광감지층; 상기 광감지층의 상부에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막의 상부에 형성되며, 상기 제1포토다이오드, 제2포토다이오드 및 제3포토다이오드에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터를 포함하는 칼라필터층; 상기 칼라필터층의 상부에 형성되며, 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1오버코팅층, 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층을 포함하는 오버코팅층; 및 상기 오버코팅층의 상부에 형성되며, 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1마이크로렌즈, 제2마이크로렌즈및 제3마이크로렌즈를 포함하는 마이크로렌즈층을 구비하되, 상기 제1오버코팅층은 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층과 그 두께를 달리하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지센서의 제조방법은, 반도체 기판에, 제1칼라의 광을 수광하기 위한 제1포토다이오드, 제1칼라 보다 긴 파장의 제2칼라의 광을 수광하기 위한 제2포토다이오드 및 제2칼라 보다 긴 파장의 제3칼라의 광을 수광하기 위한 제3포토다이오드를 포함하는 광감지층을 형성하는 단계; 상기 광감지층의 상부에 금속 배선층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판을 뒤집어 상기 금속 배선층이 형성된 반대 면에 반사방지막을 형성하는 단계; 상기 반사방지막의 상부에 상기 제1포토다이오드, 제2포토다이오드 및 제3포토다이오드에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터를 포함하는 칼라필터층을 형성하는 단계; 상기 칼라필터층의 상부에 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1오버코팅층, 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층을 포함하는 오버코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 오버코팅층의 상부에 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1마이크로렌즈, 제2마이크로렌즈및 제3마이크로렌즈를 포함하는 마이크로렌즈층을 형성하는 단계;를 구비하되, 상기 오버코팅층을 형성하는 단계에서, 상기 제1오버코팅층의 두께를 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층의 두께와 다르게 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 각 픽셀의 칼라에 따라 오버코팅층의 두께를 달리 조절하여 레드픽셀 및 블루픽셀의 투과율을 개선함으로써 CMOS 이미지센서의 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다
도 1은 종래의 배면광 방식의 CMOS 이미지센서의 단위화소(Unit Pixel)를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 1.4㎛ 제조공정에서 CMOS 이미지센서의 픽셀이 개별적으로 존재할 때와, 서로 인접하도록 합쳐졌을 때의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 3은 1.1㎛ 제조공정에서 CMOS 이미지센서의 픽셀이 개별적으로 존재할 때와, 서로 인접하도록 합쳐졌을 때의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서에 있어서 1.4㎛ 제조공정의 경우의 최적화 전후의 투과 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서에 있어서 1.1㎛ 제조공정의 경우의 최적화 전후의 투과 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 1.4㎛ 제조공정의 경우에 오버코팅층이 모두 같을 경우 및 블루픽셀의 오버코팅층이 최적화되었을 경우를 나타내는 도면이다.
도 8은 1.1㎛ 제조공정의 경우에 오버코팅층이 모두 같을 경우 및 블루픽셀의 오버코팅층이 최적화되었을 경우를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법의 공정 흐름도이다.
도 2는 1.4㎛ 제조공정에서 CMOS 이미지센서의 픽셀이 개별적으로 존재할 때와, 서로 인접하도록 합쳐졌을 때의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 3은 1.1㎛ 제조공정에서 CMOS 이미지센서의 픽셀이 개별적으로 존재할 때와, 서로 인접하도록 합쳐졌을 때의 투과율 변화를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서에 있어서 1.4㎛ 제조공정의 경우의 최적화 전후의 투과 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서에 있어서 1.1㎛ 제조공정의 경우의 최적화 전후의 투과 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 1.4㎛ 제조공정의 경우에 오버코팅층이 모두 같을 경우 및 블루픽셀의 오버코팅층이 최적화되었을 경우를 나타내는 도면이다.
도 8은 1.1㎛ 제조공정의 경우에 오버코팅층이 모두 같을 경우 및 블루픽셀의 오버코팅층이 최적화되었을 경우를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법의 공정 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하도록 한다.
각 칼라별로 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖게 하는 과정을 좀 더 구체적으로 살펴본다. 이 과정은, 본 발명을 가능케 하는 하나의 방법일 뿐이고, 본 발명의 기술적인 사상이 이로 한정되는 것은 물론 아니다.
먼저, 픽셀을 최적화하기 이전에 픽셀을 제조하는 제조공정에 대한 여러 파라미터는 미리 결정되어 있다고 가정한다. 이러한 가정은 매우 유효하다. 픽셀의 최적화함에 있어서는 각 회사마다 달리하는 제조 공정에 따라 최적화의 결과가 달라질 수 있기 때문이다. 여기서 각 사별 제조 공정이란 칼라필터의 성능, 각 층의 재질이나 두께 등 모든 공정변수가 포함되어 있고, 각 사별로 허용하는 최소의 설계 룰도 포함된 의미임을 유의하여야 한다.
예를 들어 어떤 회사의 1.4㎛ 선폭의 반도체 제조 공정의 설계 룰(design rule)에 맞는 각 픽셀이 개별적으로 존재할 경우와, 블루(B), 그린(G) 및 레드(R) 4개의 픽셀이 합쳐져 있을 경우에는 서로 투과율이 달라진다. 이러한 상황을 도 2에 도시하였다. 4개의 픽셀이 개별적으로 존재할 경우의 투과율은 점선으로, 4개의 픽셀이 합쳐져 있을 경우의 투과율은 실선으로 도시되었다. 관심있는 모든 파장 영역에서 4개의 픽셀로 합쳐졌을 경우에, 블루(B)픽셀의 투과율이 낮아진다. 이러한 저감현상은 각 픽셀간의 간섭으로 인한 것이다.
투과율의 변화는 항상 일정한 성질을 가지는 것은 아니다. 예를 들어, 도3에 도시된 것과 같이 선폭이 1.1㎛ 로 축소된 제조공정에서는 합쳐진 블루(B) 픽셀의 투과율이 오히려 높아진다. 그러므로 이는 각 제조공정에 따라 합쳐진 픽셀의 투과율이 얼마든지 서로 달라질 수 있음을 의미하며, 각 제조공정에 걸맞게 각 픽셀의 투과율이 면밀히 최적화 될 필요가 있음을 나타낸다.
그러므로 도 4에서와 같이, 각 픽셀의 오버코팅층을 서로 달리하는 CMOS 이미지 센서를 제작하는 것이 바람직하다.
도 4를 참고하면 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서는 금속배선층(310), 광감지층(320), 반사방지막(330), 컬러필터층(340), 오버코팅층(350) 및 마이크로렌즈층(360)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
상기 광감지층(320)은 반도체 기판에 형성되며, 제1칼라의 광을 수광하기 위한 제1포토다이오드(PD_1), 제2칼라의 광을 수광하기 위한 제2포토다이오드(PD_2) 및 제3칼라의 광을 수광하기 위한 제3포토다이오드(PD_3)를 포함한다.
여기서 상기 제1칼라, 제2칼라 및 제3칼라는 각각 블루칼라, 그린칼라 및 레드칼라를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 보색인 시안(Cyan), 마젠타(Magenta) 및 옐로우(Yellow)를 사용할 수도 있다.
상기 반사방지막(330)은 광감지층(320)의 상부에 형성된다.
상기 컬러필터층(340)은 상기 반사방지막(330)의 상부에 형성되며, 상기 제1포토다이오드(PD_1), 제2포토다이오드(PD_2) 및 제3포토다이오드(PD_3)에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1칼라필터(CF_1), 제2칼라필터(CF_2) 및 제3칼라필터(CF_3)를 포함하며, 폴리머 계열의 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 오버코팅층(350)은 상기 칼라필터층(340)의 상부에 형성되며, 상기 제1칼라필터(CF_1), 제2칼라필터(CF_2) 및 제3칼라필터(CF_3)에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1오버코팅층(OC_1), 제2오버코팅층(OC_2) 및 제3오버코팅층(OC_3)을 포함한다. 오버코팅층의 재질로는 예를 들어서, 반도체 제조공정에서 흔히 쓰이는 포토 레지스트(Photo Resist, PR)가 이용될 수도 있는데, 투명한 재질이면 더욱 바람직하다.
상기 제1오버코팅층(OC_1), 제2오버코팅층(OC_2) 및 제3오버코팅층(OC_3)은 두께를 조절하여 칼라의 따른 각 픽셀의 투과율을 조절할 수 있다.
상기 마이크로렌즈층(360)은 상기 오버코팅층(350)의 상부에 형성되며, 상기 제1칼라필터(CF_1), 제2칼라필터(CF_2) 및 제3칼라필터(CF_3)에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1마이크로렌즈(ML_1), 제2마이크로렌즈(ML_2) 및 제3마이크로렌즈(ML_3)를 포함한다.
금속배선층(310)은 상기 광감지층(320)의 하부에 위치하며 전기적 연결을 위한 메탈라인이 형성되어 있다.
본 발명에 따른 CMOS 이미지센서의 경우 금속배선층(310)이 상기 광감지층(320)의 상부에 위치하는 종래의 전면광 이미지센서와 달리 금속배선층(310)이 상기 광감지층(320)의 하부에 위치함으로써 입사되는 빛이 금속배선층(310)에 의한 간섭 없이 광감지층(320)의 포토다이오드에서 수광됨으로써 이미지센서의 광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 앞에서 언급한 바와 같이 본 발명에 따른 CMOS 이미지센서는 각 칼라별로 픽셀의 오버코팅층(350)의 두께를 서로 달리하고 있다. 이는 픽셀의 내부 구조와 각 층이 가지는 굴절률 차이로 인해 파장에 따라 간섭현상이 생기기 때문이다. 앞서 언급한 바와도 같이, 종래에는 이를 고려하지 않은 채, 마이크로 렌즈층을 형성하기 이전에, 단지 평탄화할 목적으로만 칼라필터 상부의 오버코팅층을 활용하였다. 본 발명에서는 이러한 문제점을 고려하여 투과율을 향상시키고자 각 픽셀별로 오버코팅층의 두께를 달리하여 광효율을 개선한 것이다.
본 발명의 기술적인 사상을 검증하기 위해, 도2 및 도3의 경우와 같이 레드픽셀의 투과율을 조절할 필요가 있는 경우, 레드픽셀에 대응되는 오버코팅층의 두께를 그린픽셀에 대응되는 오버코팅층의 두께와 같게 하여 최적화한 경우를 살펴본다. 먼저, 도 5에 도시된 그림은 1.4㎛ 제조공정에서 오버코팅층의 두께를 최적화한 것으로 최적화 이전과 비교하여 볼 때, 블루칼라의 투과율은 유지되지만 레드칼라의 투과율은 10% 이상 증가하여 최적화가 면밀하게 잘 진행되었음을 보여주고 있다. 도 6은 1.1㎛ 제조공정에서 오버코팅층의 두께를 최적화한 경우를 나타낸 것이다.
앞서 설명하였듯이, 본 발명은 꼭 블루픽셀의 오버코팅층만이 다른 픽셀에 비하여 그 두께가 두꺼워지거나 얇아짐을 의미하지 않는다. 각 회사별로 픽셀의 제조방법 및 조건이 모두 다르므로 어떤 픽셀의 오버코팅층이 달라질지는 미리 정해지지 않으며, 어떤 픽셀의 오버코팅층이라도 그 두께가 나머지 픽셀들과는 서로 달라질 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조로 하여, 블루픽셀의 오버코팅층의 두께를 다른 픽셀의 오버코팅층과 달리하기 위한 최적화과정을 보다 상세하게 설명한다.
도 7은 1.4㎛ 제조공정의 경우에 각 칼라별 오버코팅층의 두께가 모두 같을 경우 및 블루픽셀의 오버코팅층만이 최적화되었을 경우를 나타내는 도면으로, 블루 파장 영역인 0.42㎛ ~ 0.48㎛ 영역을 확대하여 도시한 것이다. 모든 오버코팅층의 두께가 각각 403㎚, 423㎚, 443㎚, 463㎚ 일 때, 블루픽셀의 투과율 곡선은 도시된처럼 변화한다. 이때, 블루픽셀의 오버코팅층의 두께를 다른 오버코팅층의 두께와 달리하면 그림에서 도시된 것과 같이 블루(B)의 투과율을 최적화할 수 있다. 최적화된 경우, 투과율의 최고치는 파장이 0.45㎛ 부근에서 일어난다.
도 8 역시 도 7의 경우와 같되 제조공정이 1.1㎛를 적용하였을 경우를 나타낸 것이다. 이때 최적화된 블루(B) 칼라의 투과율의 최고치는 파장이 0.44㎛ 부근에서 일어난다. 이와 같은 면밀한 실험을 통하여 어떤 칼라의 오버코팅층이라도 다른 칼라의 오버코팅층의 두께와는 다르게 최적화할 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법의 공정 흐름도이다.
도 9에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법은 광감지층 형성단계(S100), 금속배선층 형성단계(S200), 반사방지막 형성단계(S300), 칼라필터층 형성단계(S400), 오버코팅층 형성단계(S500) 및 마이크로렌즈층 형성단계(S600)를 구비한다.
상기 광감지층 형성단계(S100)에서는 반도체 기판에, 제1칼라의 광을 수광하기 위한 제1포토다이오드, 제1칼라 보다 긴 파장의 제2칼라의 광을 수광하기 위한 제2포토다이오드 및 제2칼라 보다 긴 파장의 제3칼라의 광을 수광하기 위한 제3포토다이오드를 포함하는 광감지층을 형성한다.
상기 금속배선층 형성단계(S200)에서는 상기 광감지층의 일면에 금속 배선층을 형성한다.
상기 반사방지막 형성단계(S300)에서는 금속배선층이 형성된 상기 반도체 기판을 뒤집어 상기 금속 배선층이 형성된 반대 면에 반사방지막을 형성한다.
상기 칼라필터층 형성단계(S400)에서는 상기 반사방지막의 상부에 제1포토다이오드, 제2포토다이오드 및 제3포토다이오드에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터를 포함하는 칼라필터층을 형성한다.
상기 오버코팅층 형성단계(S500)에서는 상기 칼라필터층의 상부에 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1오버코팅층, 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층을 포함하는 오버코팅층을 형성한다.
상기 마이크로렌즈층 형성단계(S600)에서는 상기 오버코팅층의 상부에 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1마이크로렌즈, 제2마이크로렌즈및 제3마이크로렌즈를 포함하는 마이크로렌즈층을 형성한다.
한편, 상기 오버코팅층 형성단계(S500)에서는 어느 하나의 오버코팅층이 나머지 다른 오버코팅층의 두께와 달리 형성하여도 되고, 각 오버코팅층의 두께가 모두 서로 달라도 무방하다. 오버코팅층의 두께가 모두 동일하다면 이들 오버코팅층은 한 공정 내에서 동일하게 형성할 수 있지만, 오버코팅층의 두께를 달리 하기 위해서는 서로 다른 공정조건에서 형성하여야 함은 당연하다. 이 공정은 도포, 증착 등 여러 가지 방법을 사용할 수 있다.
제1칼라, 제2칼라 및 제3칼라는 각각 블루칼라, 그린칼라 및 레드칼라를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 보색인 시안(Cyan), 마젠타(Magenta) 및 옐로우(Yellow)를 사용할 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 각 픽셀별로 오버코팅층의 두께를 달리하여, 투과율이 상대적으로 낮은 픽셀의 투과율을 개선시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면 독립적으로 최적화된 각 픽셀을 RGGB의 형태로 결합한 상태에서 각 픽셀에 따른 오버코팅층의 두께를 조절함으로써 각 픽셀별로 차이날 수 있는 투과율을 최적화하여 개선시키고 CMOS 이미지센서 전체의 광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
Claims (9)
- 반도체 기판에 형성되며, 제1칼라의 광을 수광하기 위한 제1포토다이오드, 제1칼라 보다 긴 파장의 제2칼라의 광을 수광하기 위한 제2포토다이오드 및 제2칼라 보다 긴 파장의 제3칼라의 광을 수광하기 위한 제3포토다이오드를 포함하는 광감지층;
상기 광감지층의 상부에 형성된 반사방지막;
상기 반사방지막의 상부에 형성되며, 상기 제1포토다이오드, 제2포토다이오드 및 제3포토다이오드에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터를 포함하는 칼라필터층;
상기 칼라필터층의 상부에 형성되며, 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1오버코팅층, 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층을 포함하는 오버코팅층; 및
상기 오버코팅층의 상부에 형성되며, 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1마이크로렌즈, 제2마이크로렌즈및 제3마이크로렌즈를 포함하는 마이크로렌즈층;을 구비하되
투과율이 상대적으로 낮은 픽셀의 투과율을 개선하기 위하여 상기 제1오버코팅층, 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층의 두께를 달리하는 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,
상기 광감지층의 하부에 전기적 연결을 위한 메탈라인이 형성된 금속 배선층을 구비하는 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제1오버코팅층의 두께는
상기 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층의 두께가 동일한 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제1칼라, 제2칼라 및 제3칼라는
각각 블루칼라, 그린칼라 및 레드칼라인 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제1칼라, 제2칼라 및 제3칼라는
각각 시안(Cyan), 마젠타(Magenta) 및 옐로우(Yellow)인 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서.
- 반도체 기판에, 제1칼라의 광을 수광하기 위한 제1포토다이오드, 제1칼라 보다 긴 파장의 제2칼라의 광을 수광하기 위한 제2포토다이오드 및 제2칼라 보다 긴 파장의 제3칼라의 광을 수광하기 위한 제3포토다이오드를 포함하는 광감지층을 형성하는 단계;
상기 광감지층의 상부에 금속 배선층을 형성하는 단계;
상기 반도체 기판을 뒤집어 상기 금속 배선층이 형성된 반대 면에 반사방지막을 형성하는 단계;
상기 반사방지막의 상부에 상기 제1포토다이오드, 제2포토다이오드 및 제3포토다이오드에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터를 포함하는 칼라필터층을 형성하는 단계;
상기 칼라필터층의 상부에 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1오버코팅층, 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층을 포함하는 오버코팅층을 형성하는 단계; 및
상기 오버코팅층의 상부에 상기 제1칼라필터, 제2칼라필터 및 제3칼라필터에 각각 대응되는 위치에 형성된 제1마이크로렌즈, 제2마이크로렌즈및 제3마이크로렌즈를 포함하는 마이크로렌즈층을 형성하는 단계;를 구비하되
상기 오버코팅층을 형성하는 단계는,
투과율이 상대적으로 낮은 픽셀의 투과율을 개선하기 위하여 상기 제1오버코팅층, 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층의 두께를 다르게 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 오버코팅층을 형성하는 단계는 ,
상기 제1오버코팅층의 두께를 상기 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층의 두께보다 두껍게 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 오버코팅층을 형성하는 단계는,
상기 제2오버코팅층 및 제3오버코팅층의 두께를 동일하게 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 서로 다른 두께의 오버코팅층을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
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