KR101386563B1 - Method for fabricating flexible display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플렉서블 표시장치 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는, 서스기판상에 형성된 게이트전극, 스토리지전극, 게이트패드; 상기 게이트전극, 스토리지전극 및 게이트패드상에 형성된 제1절연막; 상기 게이트전극상의 제1절연막상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층을 포함한 제1절연막상에 형성된 소스전극과 드레인전극 및 데이터패드; 상기 기판 전체에 형성되고, 상기 드레인전극, 스토리지전극 및 데이터패드, 그리고 서스기판의 일부를 각각 노출시키는 복수개의 콘택부를 구비한 제2절연막; 및 상기 제2절연막상에 형성되고, 상기 복수개의 콘택부를 통해 상기 드레인전극, 스토리지전극 및 데이터패드, 그리고 서스기판과 각각 전기적으로 연결되는 화소전극, 게이트패드전극, 데이터패드전극 및 서스기판접촉전극을 포함하여 구성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a flexible display device. The flexible display device includes: a gate electrode, a storage electrode, and a gate pad formed on a sus substrate; A first insulating layer formed on the gate electrode, the storage electrode and the gate pad; A semiconductor layer formed on the first insulating film on the gate electrode; A source electrode, a drain electrode, and a data pad formed on the first insulating layer including the semiconductor layer; A second insulating layer formed on the entire substrate and having a plurality of contact portions respectively exposing the drain electrode, the storage electrode and the data pad, and a part of the sus substrate; And a pixel electrode formed on the second insulating layer and electrically connected to the drain electrode, the storage electrode and the data pad, and a sus substrate through the plurality of contact parts, respectively. It is configured to include.

서스(Sus)기판, 게이트패드, 데이터패드, 기판접촉부 Sus board, gate pad, data pad, board contact

Description

플렉서블 표시장치 제조방법{METHOD FOR FABRICATING FLEXIBLE DISPLAY DEVICE}Flexible display device manufacturing method {METHOD FOR FABRICATING FLEXIBLE DISPLAY DEVICE}

도 1은 종래기술의 일실시예에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 구조 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to an exemplary embodiment of the prior art.

도 2는 종래기술의 다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 구조 단면도.2 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to another exemplary embodiment of the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 구조 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to the present invention.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 공정 단면도.4A to 4F are cross-sectional views illustrating a flexible display device according to the present invention.

- 도면의 주요부분에 대한 부호설명 -DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS -

101 : 하부기판 103 : 버퍼층 105 : 게이트전극 107 : 스토리지전극 101: lower substrate 103: buffer layer 105: gate electrode 107: storage electrode

109 : 게이트패드 111 : 제1절연막109: gate pad 111: first insulating film

113 : 액티브층패턴 115 : 소스전극113: active layer pattern 115: source electrode

117 : 드레인전극 119 : 데이터패드117: drain electrode 119: data pad

121 : 보호막 123 : 제2절연막121: protective film 123: second insulating film

125a : 제1콘택부 125b : 제2콘택부125a: first contact portion 125b: second contact portion

125c : 제3콘택부 125d : 제4콘택부125c: third contact portion 125d: fourth contact portion

127 : 화소전극 129 : 게이트패드전극127: pixel electrode 129: gate pad electrode

131 : 데이터패드전극 133 : 기판접촉전극131: data pad electrode 133: substrate contact electrode

본 발명은 플렉서블 표시장치 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플렉서블(flexible) 기판과 상부전극사이에 전하 충전으로 인하여 영상이 어두어지거나 대비비(contrast ratio)가 낮아지는 현상을 감소시킬 수 있는 플렉서블 표시장치 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a flexible display device, and more particularly, a phenomenon in which an image becomes dark or a contrast ratio is lowered due to charge charging between a flexible substrate and an upper electrode. A method of manufacturing a flexible display device.

최근의 정보화 사회에서 디스플레이는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 더 한층 강조되고 있으며, 향후 주요한 위치를 선점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다.In today's information society, display is more important as a visual information transmission medium, and in order to preoccupy a major position in the future, it is necessary to satisfy requirements such as low power consumption, thinness, light weight, and high definition.

상기 디스플레이는 자체가 빛을 내는 브라운관(cathode ray tube; CRT), 전계발광소자(Electro Luminescence; EL), 발광소자(Light Emitting Diode; LED), 진공형광표시장치(Vacuum Fluorescent Display; VFD), 전계방출디스플레이(Field Emission Display; FED), 플라즈마디스플레이패널(Plasma Display panel; PDP) 등의 발광형과 액정표시장치(Liquid Crytal Display; LCD)와 같이 자체가 빛을 내지 못하는 비발광형으로 나눌 수 있다.The display itself is a cathode ray tube (CRT), an electroluminescent element (EL), a light emitting diode (LED), a vacuum fluorescence display (VFD), an electric field It can be divided into emission type such as field emission display (FED), plasma display panel (PDP), and non-emission type such as liquid crystal display (LCD). .

한편, 표시장치를 접거나 말아서 넣더라도 손상되지 않는 플렉서블 디스플레 이(Flexible Display)가 디스플레이 분야의 새로운 기술로 떠오를 것으로 전망하고 있다. Meanwhile, it is predicted that a flexible display that will not be damaged even when the display device is folded or rolled up will emerge as a new technology in the display field.

현재는 플렉서블 디스플레이 구현에 다양한 장애들이 존재하고 있지만, 기술개발과 함께 박막트랜지스터 액정표시장치, 유기 EL(Organic Light Emitting Diodes; OLED)과 전기영동(Electrophoretic)기술이 주류를 이루게 될 것이다.Currently, there are various obstacles to the implementation of flexible displays, but with the development of technology, thin film transistor liquid crystal display, organic light emitting diodes (OLED) and electrophoretic technologies will become mainstream.

상기 액정표시장치 및 유기 EL을 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해서는 플라스틱 기판과 같은 유연한 기판을 사용해야 한다.In order to implement a flexible display using the liquid crystal display and the organic EL, a flexible substrate such as a plastic substrate must be used.

이러한 관점에서, 종래기술에 따른 플렉서블 디스플레이 제조방법에 대해 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.In this regard, the flexible display manufacturing method according to the related art will be described with reference to FIG. 1 as follows.

도 1은 종래기술의 일실시예에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 구조 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to an exemplary embodiment of the prior art.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 플렉서블 표시장치는, 유리기판(11)상에 오버코트층(13)을 증착한후 그 위에 도전성 물질층을 증착하고 이어 상기 도전성 물질층을 선택적으로 패터닝하여 TFT 채널부와 스토리지부에 각각 게이트전극(15)과 스토리지전극(17)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극(15) 형성시에 게이트패드 (미도시)도 함께 형성된다.Referring to FIG. 1, in the flexible display device according to the related art, a TFT is formed by depositing an overcoat layer 13 on a glass substrate 11 and then depositing a conductive material layer thereon, and then selectively patterning the conductive material layer. The gate electrode 15 and the storage electrode 17 are formed in the channel portion and the storage portion, respectively. In this case, a gate pad (not shown) is also formed when the gate electrode 15 is formed.

그다음, 상기 게이트전극(15)과 스토리지전극(17)을 포함한 기판전체에 제1절연막(19)과 반도체층(미도시)을 차례로 증착한다.Next, a first insulating layer 19 and a semiconductor layer (not shown) are sequentially deposited on the entire substrate including the gate electrode 15 and the storage electrode 17.

이어서, 상기 반도체층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트전극 (15)상측에 반도체층패턴(21)을 형성한다. Subsequently, the semiconductor layer (not shown) is selectively patterned to form a semiconductor layer pattern 21 on the gate electrode 15.

그다음, 상기 반도체층패턴(21)을 포함한 제1절연막(19)상에 도전성 물질층을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 서로 일정간격 즉, 채널길이만큼 이격된 소스전극(23)과 드레인전극(25)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(23)과 드레인전극(25) 형성시에 데이터패드(미도시)도 함께 형성된다. 이때, 상기 드레인전극(25)은 상기 스토리지전극(17)상측에도 오버랩되어 있다. 따라서, 상기 드레인전극(25)의 일부는 캐패시터의 상부전극으로도 사용된다.Next, a conductive material layer is deposited on the first insulating layer 19 including the semiconductor layer pattern 21 and then selectively patterned to form a source electrode 23 and a drain electrode spaced apart from each other by a predetermined distance, that is, a channel length. 25). In this case, a data pad (not shown) is also formed when the source electrode 23 and the drain electrode 25 are formed. In this case, the drain electrode 25 also overlaps the storage electrode 17. Therefore, part of the drain electrode 25 is also used as the upper electrode of the capacitor.

이어서, 상기 소스전극(23)과 드레인전극(25)을 포함한 기판전체에 제2절연막인 층간절연막(27)을 두껍게 증착하고 이어 상기 층간절연막(27)위에 보호층(29)을 증착한다. Subsequently, a thick interlayer insulating film 27, which is a second insulating film, is deposited on the entire substrate including the source electrode 23 and the drain electrode 25, and then a protective layer 29 is deposited on the interlayer insulating film 27.

그다음, 상기 보호층(29)과 층간절연막(27)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(25)의 일부를 노출시키는 드레인콘택홀(31)을 형성한다. Next, the protective layer 29 and the interlayer insulating layer 27 are selectively patterned to form a drain contact hole 31 exposing a part of the drain electrode 25.

이어서, 상기 드레인콘택홀(31)을 포함한 보호층(29)상에 ITO와 같은 투명성 물질을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(25)과 전기적으로 연결되는 화소전극(33)을 형성한다. Subsequently, a transparent material such as ITO is deposited on the protective layer 29 including the drain contact hole 31 and then selectively patterned to form a pixel electrode 33 electrically connected to the drain electrode 25. do.

그러나, 상기 종래기술의 일실시예에 의하면, 유리기판(11)상에 E-북 TFT를 제작하는 경우, 유리의 절연성때문에 유리기판(11)과 TFT 사이에 전하가 충전되지 않는다. 즉, 기생캐패시터가 상기 캐패시터의 스토리지전극(17)과 드레인전극(25)의 일부인 상부전극 사이와, 상기 상부전극과 화소전극(33)사이에 생성되지만, 유리기판(11)과 캐패시터의 스토리지전극(17) 사이에서는 생성되지 않게 된다.However, according to one embodiment of the prior art, when an E-book TFT is fabricated on the glass substrate 11, no charge is charged between the glass substrate 11 and the TFT because of the insulating property of the glass. That is, the parasitic capacitor is generated between the storage electrode 17 of the capacitor and the upper electrode which is a part of the drain electrode 25 and between the upper electrode and the pixel electrode 33, but the storage electrode of the glass substrate 11 and the capacitor. It is not generated between (17).

한편, 이러한 문제점을 해결하기 위해 제안된 종래기술의 다른 실시예에 따 른 플렉서블 표시장치에 대해 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, a flexible display device according to another embodiment of the related art proposed to solve this problem will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 종래기술의 다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 구조 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to another exemplary embodiment of the prior art.

도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 플렉서블 표시장치는, 유리대신에 서스(sus) 기판(51)상에 오버코트층(53)을 증착한후 그 위에 도전성 물질층을 증착하고 이어 상기 도전성 물질층을 선택적으로 패터닝하여 TFT 채널부와 스토리지부에 각각 게이트전극(55)과 스토리지전극(57)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극 (55) 형성시에 게이트패드(미도시)도 함께 형성된다.Referring to FIG. 2, in the flexible display device according to the related art, an overcoat layer 53 is deposited on a sus substrate 51 instead of glass, and then a conductive material layer is deposited thereon, followed by the conductive material layer. Is selectively patterned to form a gate electrode 55 and a storage electrode 57 in the TFT channel portion and the storage portion, respectively. In this case, a gate pad (not shown) is also formed when the gate electrode 55 is formed.

그다음, 상기 게이트전극(55)과 스토리지전극(57)을 포함한 기판전체에 제1절연막(59)과 반도체층(미도시)을 차례로 증착한다.Next, a first insulating layer 59 and a semiconductor layer (not shown) are sequentially deposited on the entire substrate including the gate electrode 55 and the storage electrode 57.

이어서, 상기 반도체층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트전극 (55)상측에 반도체층패턴(61)을 형성한다. Subsequently, the semiconductor layer (not shown) is selectively patterned to form a semiconductor layer pattern 61 on the gate electrode 55.

그다음, 상기 반도체층패턴(61)을 포함한 제1절연막(59)상에 도전성 물질층을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 서로 일정간격 즉, 채널길이만큼 이격된 소스전극(63)과 드레인전극(65)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(63)과 드레인전극(65) 형성시에 데이터패드(미도시)도 함께 형성된다. 이때, 상기 드레인전극(65)은 상기 스토리지전극(57)상측에도 오버랩되어 있다. 따라서, 상기 드레인전극(65)의 일부는 캐패시터의 상부전극으로도 사용된다.Next, a conductive material layer is deposited on the first insulating layer 59 including the semiconductor layer pattern 61 and then selectively patterned to form a source electrode 63 and a drain electrode spaced apart from each other by a predetermined distance, that is, a channel length. 65). In this case, a data pad (not shown) is also formed when the source electrode 63 and the drain electrode 65 are formed. At this time, the drain electrode 65 also overlaps the upper side of the storage electrode 57. Therefore, part of the drain electrode 65 is also used as the upper electrode of the capacitor.

이어서, 상기 소스전극(63)과 드레인전극(65)을 포함한 기판전체에 제2절연막인 층간절연막(67)을 두껍게 증착하고 이어 상기 층간절연막(67)위에 보호층(69) 을 증착한다. Subsequently, a thick insulating interlayer 67 is deposited on the entire substrate including the source electrode 63 and the drain electrode 65, and then a protective layer 69 is deposited on the interlayer insulating layer 67.

그다음, 상기 보호층(69)과 층간절연막(67)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(65)의 일부를 노출시키는 드레인콘택홀(31)을 형성한다. Next, the protective layer 69 and the interlayer insulating layer 67 are selectively patterned to form a drain contact hole 31 exposing a part of the drain electrode 65.

이어서, 상기 드레인콘택홀(71)을 포함한 보호층(69)상에 ITO와 같은 투명성 물질을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(65)과 전기적으로 연결되는 화소전극(73)을 형성한다. Subsequently, a transparent material such as ITO is deposited on the protective layer 69 including the drain contact hole 71 and then selectively patterned to form a pixel electrode 73 electrically connected to the drain electrode 65. do.

그러나, 상기 종래기술의 다른 실시예에 의하면, 종래기술의 일실시예와 달리, 서스기판(51)상에 E-북 TFT를 제작하는 경우, 서스(sus)의 도전성때문에 서스기판(51)과 TFT 사이에 전하가 충전되게 된다. 즉, 상기 캐패시터의 스토리지전극 (57)과 드레인전극(65)의 일부인 상부전극 사이와, 상기 상부전극과 화소전극(73)사이 및 서스기판(51)과 캐패시터의 스토리지전극(57)사이에 기생 캐패시터가 생성된다.However, according to another embodiment of the prior art, unlike the embodiment of the prior art, when manufacturing the E-book TFT on the sus substrate 51, the sus substrate 51 and the sus substrate due to the conductivity of the sus (sus). The charge is charged between the TFTs. That is, parasitics between the storage electrode 57 of the capacitor and the upper electrode which is part of the drain electrode 65, between the upper electrode and the pixel electrode 73, and between the sus substrate 51 and the storage electrode 57 of the capacitor. The capacitor is created.

이렇게 기판의 도전성때문에 전극과 기판사이에 전하가 충전되었으며, 서스기판은 전기적으로 단선되어 있어 플로팅(floating)되어 있다.Due to the conductivity of the substrate, electric charges are charged between the electrode and the substrate, and the sus substrate is electrically disconnected and is floating.

그러므로, 불안정한 서스기판에 의해 상부의 스토리지전극 전압이 일정하지 않게 된다.Therefore, the voltage of the upper storage electrode is not constant due to the unstable suspend substrate.

따라서, 종래기술에 의하면, 플렉서블 디스플레이를 서스기판 위에 제작시에 서스기판(51)과 스토리지전극(57) 사이에 전하가 충전되므로 인해 영상이 어두어지거나 콘트라스트비가 낮아지는 현상 즉, 킥백(kick back) 현상(밝았다가 어두어지는 현상)이 발생한다.Therefore, according to the prior art, since the charge is charged between the sus substrate 51 and the storage electrode 57 when the flexible display is manufactured on the sus substrate, the image is dark or the contrast ratio is lowered, that is, kick back. ) Phenomenon (a bright and dark phenomenon) occurs.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 서스기판과 스토리지전극 사이에 전하 충전으로 인하여 영상이 어두어지거나 콘트라스트비(contrast ratio)가 낮아지는 현상을 개선시킬 수 있는 플레서블 표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, the image is dark due to the charge charge between the sus substrate and the storage electrode, the contrast ratio (contrast ratio) can be improved that can be reduced It is an object of the present invention to provide a sub display.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는, 서스기판상의 오버코트층 상에 형성된 게이트전극, 스토리지전극, 게이트패드; 상기 게이트전극, 스토리지전극 및 게이트패드상에 형성된 제1절연막; 상기 게이트전극상의 제1절연막상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층을 포함한 제1절연막상에 형성된 소스전극과 드레인전극 및 데이터패드; 상기 기판 전체에 형성되고, 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 서스기판의 일부를 각각 노출시키는 복수개의 콘택부를 구비한 제2절연막; 및 상기 제2절연막 상에 형성되고, 상기 복수개의 콘택부를 통해 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 서스기판과 각각 전기적으로 연결되는 화소전극, 게이트패드전극, 데이터패드전극 및 서스기판접촉전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a flexible display device including: a gate electrode, a storage electrode, and a gate pad formed on an overcoat layer on a sus substrate; A first insulating layer formed on the gate electrode, the storage electrode and the gate pad; A semiconductor layer formed on the first insulating film on the gate electrode; A source electrode, a drain electrode, and a data pad formed on the first insulating layer including the semiconductor layer; A second insulating layer formed on the entire substrate and having a plurality of contact portions respectively exposing the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a part of the sus substrate; And a pixel electrode, a gate pad electrode, a data pad electrode, and a substrate contact electrode formed on the second insulating layer and electrically connected to the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a sus substrate, respectively, through the plurality of contact parts. Characterized in that comprises a.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치 제조방법은, 서스기판상의 오버코트층 상에 게이트전극, 스토리지전극 및 게이트패드를 형성하는 단계; 상기 게이트전극, 스토리지전극 및 게이트패드를 포함한 상기 오버코트층 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트전극상의 제1절연막상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층을 포함한 제1절연막 상에 소스전극과 드레인전극 및 데이터패드를 형성하는 단계; 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 서스기판의 일부를 각각 노출시키는 복수개의 콘택부를 구비한 제2절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연막상에 상기 복수개의 콘택부를 통해 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 서스기판과 각각 전기적으로 연결되는 화소전극, 게이트패드전극, 데이터패드전극 및 서스기판접촉전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.In addition, a method of manufacturing a flexible display device according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of forming a gate electrode, a storage electrode and a gate pad on an overcoat layer on a sus substrate; Forming a first insulating layer on the overcoat layer including the gate electrode, the storage electrode and the gate pad; Forming a semiconductor layer on the first insulating film on the gate electrode; Forming a source electrode, a drain electrode, and a data pad on the first insulating layer including the semiconductor layer; Forming a second insulating layer having a plurality of contact portions exposing the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a part of the suspend substrate, respectively; And forming a pixel electrode, a gate pad electrode, a data pad electrode and a sustain substrate contact electrode electrically connected to the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a sus substrate, respectively, through the plurality of contact parts on the second insulating layer. Characterized in that comprises a step.

이하, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a flexible display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 구조 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to the present invention.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 설명하기 위한 공정 단면도이다.4A to 4F are cross-sectional views illustrating a flexible display device according to the present invention.

본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는, 도 3 및 도 4a를 참조하면, 먼저 스텐레스-스틸 재질의 서스기판(SUS)(101)상에 오버코트층(103)을 증착한후 그 위에 도전성 물질층을 증착하고 이어 상기 도전성 물질층을 선택적으로 패터닝하여 TFT 채널부와 스토리지부에 각각 게이트전극(105)과 스토리지전극(107)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극((105) 형성시에 게이트패드(109)도 함께 형성된다.In the flexible display device according to the present invention, referring to FIGS. 3 and 4A, first, an overcoat layer 103 is deposited on a stainless steel-sustained substrate (SUS) 101, and then a conductive material layer is deposited thereon. Subsequently, the conductive material layer is selectively patterned to form a gate electrode 105 and a storage electrode 107 in the TFT channel portion and the storage portion, respectively. At this time, the gate pad 109 is also formed when the gate electrode 105 is formed.

그다음, 도 4b를 참조하면, 상기 게이트전극(105)과 스토리지전극(107)을 포함한 기판전체에 제1절연막(111)과 반도체층(미도시)을 차례로 증착한다.Next, referring to FIG. 4B, a first insulating layer 111 and a semiconductor layer (not shown) are sequentially deposited on the entire substrate including the gate electrode 105 and the storage electrode 107.

이어서, 상기 반도체층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트전극 (105)상측에 반도체층패턴(113)을 형성한다. Subsequently, the semiconductor layer (not shown) is selectively patterned to form a semiconductor layer pattern 113 on the gate electrode 105.

그다음, 도 4c를 참조하면, 상기 반도체층패턴(113)을 포함한 제1절연막 (111) 상에 도전성 물질층을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 서로 일정간격 즉, 채널길이만큼 이격된 소스전극(115)과 드레인전극(117)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(115)과 드레인전극(117) 형성시에 데이터패드(119)도 함께 형성된다. 이때, 상기 드레인전극(117)은 상기 스토리지전극(107)상측에도 오버랩되어 있다. 따라서, 상기 드레인전극(117)의 일부는 캐패시터의 상부전극으로도 사용된다.Next, referring to FIG. 4C, after depositing a conductive material layer on the first insulating layer 111 including the semiconductor layer pattern 113 and selectively patterning the conductive material layer, source electrodes spaced apart from each other by a predetermined distance, that is, a channel length ( 115 and a drain electrode 117 are formed. In this case, the data pad 119 is also formed when the source electrode 115 and the drain electrode 117 are formed. In this case, the drain electrode 117 also overlaps the storage electrode 107. Therefore, part of the drain electrode 117 is also used as the upper electrode of the capacitor.

이어서, 도 4d를 참조하면, 상기 소스전극(115)과 드레인전극(117)을 포함한 기판 전체에 BCB재질로 제2절연막인 층간절연막(121)을 두껍게 증착하고 이어 상기 층간절연막 (121)위에 보호층(123)을 증착한다. Subsequently, referring to FIG. 4D, a thick interlayer insulating film 121, which is a second insulating film, is deposited on the entire substrate including the source electrode 115 and the drain electrode 117, and then protected on the interlayer insulating film 121. Deposit layer 123.

그다음, 도 4e를 참조하면, 상기 보호층(123)과 층간절연막(121)을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(117), 게이트패드(109), 데이터패드(119) 및 서스기판(101) 일부를 각각 노출시키는 제1, 2, 3, 4 콘택부(125a, 125b, 125c, 125d) 를 형성한다. Next, referring to FIG. 4E, a portion of the drain electrode 117, the gate pad 109, the data pad 119, and the sustain substrate 101 may be selectively patterned by the protective layer 123 and the interlayer insulating layer 121. First, second, third, and fourth contact portions 125a, 125b, 125c, and 125d exposing the first and second contact portions 125a, 125b, 125c, and 125d, respectively.

이어서, 도 4f를 참조하면, 상기 제1, 2, 3, 4 콘택부(125a, 125b, 125c, 125d)를 포함한 보호층(123)상에 ITO와 같은 투명성 물질을 증착한후 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극(117)과 전기적으로 연결되는 화소전극(127), 게이트패드전극(129), 데이터패드전극(131), 기판접촉전극(133)을 형성한다. 이때, TCP 채널인 상기 기판접촉전극(133)을 통해 상기 서스기판(101)을 회로적으로 접지시킨다.4F, a transparent material such as ITO is deposited on the protective layer 123 including the first, second, third and fourth contact portions 125a, 125b, 125c, and 125d, and then selectively patterned. The pixel electrode 127, the gate pad electrode 129, the data pad electrode 131, and the substrate contact electrode 133 are electrically connected to the drain electrode 117. In this case, the sus substrate 101 is circuitically grounded through the substrate contact electrode 133 which is a TCP channel.

한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상부기판(미도시)상에 블랙매트릭스와 컬러필터층이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스는 액정분자가 동작하지 않는 영역 으로 광이 누설되는 것을 방지하는 역할을 하며, 박막트랜지스터(미도시) 영역 및 화소와 화소 사이 (즉, 게이트라인 및 데이타라인 영역)에 주로 형성된다. 또한, 상기 컬러필터층(미도시)은 R(Red), B(Blue), G(Green)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다.Although not shown in the figure, a black matrix and a color filter layer are formed on an upper substrate (not shown). The black matrix serves to prevent light leakage into a region in which the liquid crystal molecules do not operate, and is mainly formed in a thin film transistor region and between the pixel and the pixel (ie, the gate line and the data line region). In addition, the color filter layer (not shown) is composed of R (Red), B (Blue), G (Green) to implement the actual color.

그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 서스기판과 상부기판사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 플렉서블 표시장치(미도시)가 완성된다.Although not shown in the drawings, a liquid crystal layer (not shown) is formed between the sus substrate and the upper substrate to complete the flexible display (not shown).

상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the method of manufacturing the flexible display device according to the present invention has the following effects.

본 발명에 따른 플렉서블 표시장치 제조방법에 의하면, 소스전극 또는 게이트 TCP의 더미부를 그라운드에 접지시키는 것이 가능하며, 이로 인하여 서스 기판과 스토리지전극 사이에 전하가 충전되어 나타내는 킥백(kick back) 현상을 줄여 영상 밝기나 콘택트라스트비(contrast ratio)를 향상시킬 수 있다.According to the method of manufacturing the flexible display device according to the present invention, it is possible to ground the dummy portion of the source electrode or the gate TCP to the ground, thereby reducing the kickback phenomenon in which charge is charged between the sus substrate and the storage electrode. Image brightness or contrast ratio can be improved.

한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. And changes may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

Claims (9)

서스기판 상에 형성된 오버코트층;An overcoat layer formed on the sus substrate; 상기 서스기판의 오버코트층 상에 형성된 게이트전극, 스토리지전극, 게이트패드;A gate electrode, a storage electrode, and a gate pad formed on the overcoat layer of the sus substrate; 상기 게이트전극, 스토리지전극 및 게이트패드를 포함한 상기 오버코트층 상에 형성된 제1절연막;A first insulating layer formed on the overcoat layer including the gate electrode, the storage electrode and the gate pad; 상기 게이트전극상의 제1절연막상에 형성된 반도체층;A semiconductor layer formed on the first insulating film on the gate electrode; 상기 반도체층을 포함한 상기 제1절연막 상에 형성된 소스전극과 드레인전극 및 데이터패드;A source electrode, a drain electrode, and a data pad formed on the first insulating layer including the semiconductor layer; 상기 서스기판 전체에 형성되고, 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 상기 서스기판의 일부를 각각 노출시키는 복수 개의 콘택부를 구비한 제2절연막; 및A second insulating layer formed on the entirety of the sus substrate and having a plurality of contact portions exposing the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a part of the sus substrate, respectively; And 상기 제2절연막상에 형성되고, 상기 복수개의 콘택부를 통해 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 서스기판과 각각 전기적으로 연결되는 화소전극, 게이트패드전극, 데이터패드전극 및 서스기판접촉전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치. A pixel electrode, a gate pad electrode, a data pad electrode, and a sustain substrate contact electrode formed on the second insulating layer and electrically connected to the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a sus substrate through the plurality of contact units, respectively; Flexible display device comprising a. 제1항에 있어서, 상기 드레인전극은 상기 스토리지전극 상의 오버코트층 상부에 형성되어 캐패시터의 상부전극으로 사용되는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치.The flexible display device of claim 1, wherein the drain electrode is formed on an overcoat layer on the storage electrode and used as an upper electrode of a capacitor. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막과 화소전극, 게이트패드전극, 데이터패드전극 및 서스기판접촉전극사이에는 보호막이 형성된 것을 특징으로하는 플렉서블 표 시장치.The flexible table market value of claim 1, wherein a passivation layer is formed between the second insulating layer and the pixel electrode, the gate pad electrode, the data pad electrode, and the sustain substrate contact electrode. 제1항에 있어서, 상기 서스기판과 합착되고, 복수개의 컬러필터층이 구비된 상부기판과, 상기 서스기판과 상부기판사이에 형성된 액정층;을 더 포함하는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치.The flexible display device of claim 1, further comprising: an upper substrate bonded to the sus substrate and having a plurality of color filter layers, and a liquid crystal layer formed between the sus substrate and the upper substrate. 서스기판상에 오버코트층을 형성하는 단계;Forming an overcoat layer on the sus substrate; 상기 오버코트층 상에 게이트전극, 스토리지전극 및 게이트패드를 형성하는 단계;Forming a gate electrode, a storage electrode, and a gate pad on the overcoat layer; 상기 게이트전극, 스토리지전극 및 게이트패드를 포함한 상기 오버코트층 상에 제1절연막을 형성하는 단계;Forming a first insulating layer on the overcoat layer including the gate electrode, the storage electrode and the gate pad; 상기 게이트전극상의 제1절연막상에 반도체층을 형성하는 단계;Forming a semiconductor layer on the first insulating film on the gate electrode; 상기 반도체층을 포함한 상기 제1절연막 상에 소스전극과 드레인전극 및 데이터패드를 형성하는 단계;Forming a source electrode, a drain electrode, and a data pad on the first insulating layer including the semiconductor layer; 상기 소스전극과 드레인전극 및 데이터패드를 포함한 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 단계;Forming a second insulating film on the first insulating film including the source electrode, the drain electrode, and the data pad; 상기 제2 절연막과 그 아래의 상기 제1 절연막에 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 서스기판의 일부를 각각 노출시키는 복수개의 콘택부를 형성하는 단계; 및Forming a plurality of contact portions on the second insulating layer and the first insulating layer below to expose the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a part of the suspend substrate, respectively; And 상기 제2절연막 상에 상기 복수개의 콘택부를 통해 상기 드레인전극, 게이트패드 및 데이터패드, 그리고 서스기판과 각각 전기적으로 연결되는 화소전극, 게이트패드전극, 데이터패드전극 및 서스기판접촉전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치 제조방법. Forming a pixel electrode, a gate pad electrode, a data pad electrode and a sustain substrate contact electrode electrically connected to the drain electrode, the gate pad and the data pad, and a sus substrate, respectively, through the plurality of contact parts on the second insulating layer; Flexible display device manufacturing method comprising a. 제5항에 있어서, 상기 드레인전극은 상기 스토리지전극 상의 오버코트층 상부에 형성되어 캐패시터의 상부전극으로 사용되는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치 제조방법.The method of claim 5, wherein the drain electrode is formed on the overcoat layer on the storage electrode and used as an upper electrode of the capacitor. 제5항에 있어서, 상기 화소전극, 게이트패드전극, 데이터패드전극 및 서스기판접촉전극을 형성하기 전에 상기 제2절연막상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치 제조방법.The method of claim 5, further comprising forming a passivation layer on the second insulating layer before forming the pixel electrode, the gate pad electrode, the data pad electrode, and the sustain substrate contact electrode. . 제5항에 있어서, 상기 복수개의 콘택부는 동시에 형성되는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치 제조방법.The method of claim 5, wherein the plurality of contact parts are formed at the same time. 제5항에 있어서, 복수개의 컬러필터층을 구비한 상부기판을 제공하는 단계와, 상기 서스기판과 상부기판을 합착하는 단계와, 상기 서스기판과 상부기판사이에 액정층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로하는 플렉서블 표시장치 제조방법.The method of claim 5, further comprising: providing an upper substrate having a plurality of color filter layers, bonding the sus substrate and the upper substrate to each other, and forming a liquid crystal layer between the sus substrate and the upper substrate; Flexible display device manufacturing method comprising a.
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