KR101384571B1 - 방착판 지지부재 및 이것을 구비한 이온원 - Google Patents

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닛신 이온기기 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은 플라즈마 생성용기에의 방착판의 장착, 분리에 관한 작업 효율을 개선하는 것이다.
플라즈마 처리장치나 이온빔 조사장치에서 이용되는 플라즈마 생성용기(4) 내에 배치되는 방착판 지지부재(15)로서, 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 적어도 일부가 접촉하는 본체부(16)와, 본체부(16)에서 연장된 단부(17)를 가지는 동시에, 플라즈마 생성용기(4)에 방착판 지지부재(15)를 조립했을 때, 단부(17)가 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에서 이간되어 있는 방착판 지지부재를 이용한다.

Description

방착판 지지부재 및 이것을 구비한 이온원{SUPPORTING PARTS FOR DEPOSITION PREVENTIVE PLATES AND THE ION SOURCE WITH THEREOF}
본 발명은 플라즈마 처리장치나 이온빔 조사장치에서 이용되는 플라즈마 생성용기 내부에 방착판을 장착하기 위한 방착판 지지부재, 나아가서는 상기 방착판 지지부재를 구비하는 이온원에 관한 것이다.
플라즈마 CVD 장치나 PLAD라고 불리는 플라즈마 도핑 장치 등의 플라즈마 처리장치나 이온주입장치나 이온빔 배향장치 등의 이온빔 조사장치에는 플라즈마 생성용기 내벽의 부식 방지나 플라즈마 생성용기 내의 세정을 효율적으로 실시하기 위해, 플라즈마 생성용기 내벽을 따라 특허문헌 1의 도 3에 개시되어 있는 것과 같은 착탈 가능한 라이닝(라이너, 방착판이라고도 부름)이 마련되어 있다.
일본국 공개특허공보 평5-182623호(도 3)
장치의 운전 상황에 따라, 방착판은 교환이 필요하게 된다. 예를 들어 어느 정도의 기간 동안 장치를 운전시키면, 방착판 상에 퇴적물이 부착된다. 또한 플라즈마 생성용기 내부의 열로 인해 방착판이 열 변형되어 버리는 경우가 있다. 이 상태를 방치해 두면 장치 운전에 지장을 초래할 수 있으므로, 예를 들면 정기적으로 방착판을 교환하고 있다.
통상 방착판은 플라즈마 생성용기의 내벽에 대하여 볼트로 고정되어 있다. 그 때문에, 방착판을 플라즈마 생성용기의 내벽에 장착하거나, 플라즈마 생성용기의 내벽에서 떼어내거나 할 때에는 방착판을 고정하는 모든 볼트를 장착, 분리해야 해서, 이러한 작업에 장시간이 소요되었다. 또한 이러한 작업이 정기적으로 발생하면, 장치의 유지 보수에 소요되는 시간이 길어져 장치 가동률에도 영향을 끼칠 수 있다.
최근에는 피(被)처리 대상물의 사이즈가 해마다 커지고 있다. 예를 들어 이온빔 조사장치에서는 피처리 대상물이 유리 기판일 경우 그 크기가 대략 2200mm×2600mm에 달한다. 이러한 기판의 대형화에 따라 플라즈마 생성용기의 치수도 커지고 있다.
이러한 대형 플라즈마 생성용기를 이용했을 경우, 그만큼 방착판의 치수도 커진다. 그 때문에, 큰 방착판을 장착하기 위해서는 보다 많은 볼트가 필요하게 되어, 방착판의 장착이나 분리 작업에 소요되는 시간이 더욱 길어진다. 또한 큰 방착판의 장착이나 분리 작업을 하기 위해서는 엄청난 노동력을 요하게 된다.
그래서 본 발명에서는 플라즈마 생성용기에의 방착판의 장착, 분리에 관한 작업 효율을 개선하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명의 방착판 지지부재는 플라즈마 처리장치나 이온빔 조사장치에서 이용되는 플라즈마 생성용기 내에 배치되는 방착판 지지부재로서, 플라즈마 생성용기의 내벽에 적어도 일부가 접촉하는 본체부와, 상기 본체부에서 연장된 단부를 가지는 동시에, 플라즈마 생성용기에 방착판 지지부재를 조립했을 때, 상기 단부가 플라즈마 생성용기의 내벽에서 이간되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 방착판 지지부재를 사용하면, 방착판의 플라즈마 생성용기에의 장착, 분리에 관한 작업 효율을 개선할 수 있다.
또한 작업 효율을 더욱 개선시키기 위해서는, 상기 단부는 상기 방착판 지지부재가 장착되는 플라즈마 생성용기의 내벽을 따라 연장되어 있는 것이 바람직하다.
그렇게 하면 방착판의 장착, 분리를 원활하게 실시할 수 있다.
또한 상기 방착판 지지부재는 비(非)자성체와 자성체로 구성되어 있어도 된다.
본 발명의 방착판 지지부재를 구비한 이온원으로서는, 플라즈마 생성용기 내에서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마로부터 이온빔을 발생시켜서, 상기 이온빔을 소정 방향으로 진행시키는 이온원으로서, 상기 플라즈마 생성용기 내에, 적어도 일부가 플라즈마 생성용기의 내벽에 접촉하는 본체부와, 상기 본체부에서 연장된 단부를 가지는 동시에, 플라즈마 생성용기에 조립했을 때, 상기 단부가 플라즈마 생성용기의 내벽에서 이간되어 있는 방착판 지지부재가 복수개 배치되어 있는 동시에, 상기 이온빔의 진행방향에 대략 수직인 평면에 있어서, 상기 방착판 지지부재의 단부가 상기 플라즈마 생성용기의 내벽을 따라 서로 대향 배치되고, 대향 배치된 상기 방착판 지지부재의 단부 사이에 방착판이 배치되어 있는 구성이면 된다.
또한 본 발명의 이온원의 다른 구성으로는, 주위에 복수개의 영구 자석이 배치된 플라즈마 생성용기 내에서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마로부터 이온빔을 발생시켜서, 상기 이온빔을 소정 방향으로 진행시키는 이온원으로서, 상기 플라즈마 생성용기 내에, 적어도 일부가 플라즈마 생성용기의 내벽에 접촉하는 본체부와, 상기 본체부에서 연장된 단부를 가지는 동시에, 플라즈마 생성용기에 조립했을 때, 상기 단부가 플라즈마 생성용기의 내벽에서 이간되어 있는 자성체와 비자성체로 이루어지는 방착판 지지부재가 복수개 배치되어 있는 동시에, 상기 이온빔의 진행방향에 대략 수직인 평면에 있어서, 상기 방착판 지지부재의 단부가 상기 플라즈마 생성용기의 내벽을 따라 서로 대향 배치되고, 대향 배치된 상기 방착판 지지부재의 단부 사이에 방착판이 배치되어 있으며, 또한 상기 방착판 지지부재를 구성하는 자성체의 적어도 일부가 상기 플라즈마 생성용기의 벽면을 사이에 두고 상기 플라즈마 생성용기의 주위에 배치된 영구 자석에 대향 배치되어 있는 구성이어도 된다.
플라즈마 생성용기 내에 방착판 지지부재를 배치하고, 방착판 지지부재에 대하여 방착판을 슬라이딩시킴으로써 장착과 분리를 실시할 수 있게 되므로, 방착판의 위치 결정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한 방착판의 단부가 방착판 지지부재에 의해 지지되고 있으므로, 방착판 자체를 고정하는 볼트의 개수를 줄일 수 있다. 나아가 방착판 자체의 고정에 이용하는 볼트의 개수가 줄어들기 때문에, 방착판의 장착, 분리시에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 이온원의 한 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 선 A-A로 X방향을 따라 플라즈마 생성용기를 절단했을 때의 단면도이다.
도 3은 방착판 지지부재를 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 1, 도 2에 기재된 플라즈마 생성용기의 내부에, 방착판 지지부재를 더 추가했을 때의 모습을 나타낸다.
도 5는 도 4의 구성으로 추가된 방착판 지지부재를 나타내는 사시도이다.
도 6은 플라즈마 생성용기 주위에 마련된 영구 자석의 배치예를 나타낸다. (a)는 지면 비스듬하게 뒷방향으로 Z방향을 향했을 때의 모습을 나타내고, (b)는 지면 비스듬하게 앞방향으로 Z방향을 향했을 때의 모습을 나타낸다.
도 7은 도 6에 기재된 플라즈마 생성용기 내부의 단부에 자성체와 비자성체 로 이루어지는 방착판 지지부재가 배치되는 모습을 나타내는 사시도로서, 도 7(a)는 도시된 화살표 IB 방향을 따라, 비자성체와 자성체가 번갈아 배치된 방착판 지지부재의 예를 나타내며, 도 7(b)는 비자성체의 내부에 복수개의 자성체가 배치된 방착판 지지부재의 예를 나타낸다.
도 8은 도 7(a)에 기재된 방착판 지지부재를 나타내는 사시도로, (a)는 방착판 지지부재 전체를 나타내고, (b)는 방착판 지지부재를 구성하는 자성체와 비자성체를 분해했을 때의 모습을 나타낸다.
도 9는 도 7(b)에 기재된 방착판 지지부재를 나타내는 사시도로, (a)는 방착판 지지부재 전체를 나타내고, (b)는 방착판 지지부재를 구성하는 자성체와 비자성체를 분해했을 때의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 5에 기재된 방착판 지지부재의 변형예이고, (a)는 방착판 지지부재 전체를 나타내고, (b)는 방착판 지지부재를 구성하는 자성체와 비자성체를 분해했을 때의 모습을 나타낸다.
도 11은 방착판 지지부재의 그 밖의 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 1에는 이온빔 조사장치에서 이용되는 이온원(1)의 한 실시형태를 나타내는 단면도가 기재되어 있다. 이 이온원(1)은 이른바 버킷(bucket)형 이온원이라고 불리는 타입의 이온원의 일종이다.
이 이온원(1)은 직육면체형상의 플라즈마 생성용기(4)를 구비하고 있으며, 플라즈마 생성용기(4)로부터 대략 리본형상의 이온빔(3)이 인출된다.
플라즈마 생성용기(4)에는 도시되지 않은 밸브를 통해 가스원(2)이 장착되어 있고, 이 가스원(2)으로부터 이온빔(3)의 원료가 되는 가스의 공급이 이루어진다. 한편 이 가스원(2)에는 도시되지 않은 가스 유량 조절기(매스 플로우 컨트롤러)가 접속되어 있으며, 이로 인해 가스원(2)으로부터 플라즈마 생성용기(4) 내부로의 가스의 공급량이 조정되고 있다.
플라즈마 생성용기(4)의 일측면에는 Y방향을 따라 복수의 U자형 필라멘트(10)가 장착되어 있다. 이 필라멘트(10)들은 필라멘트(10)의 단자 사이에 접속되는 전원 VF를 이용해서, 각 필라멘트(10)에 흘려보내는 전류량을 조정할 수 있도록 구성되어 있다. 이러한 구성으로 해 둠으로써, 이온원(1)으로부터 인출되는 이온빔(3)의 전류밀도분포 조정이 가능해진다.
필라멘트(10)에 전류를 흘려보내 필라멘트(10)를 가열시킴으로써, 거기에서 전자가 방출된다. 이 전자가, 플라즈마 생성용기(4)의 내부에 공급된 가스(PH3나 BF3 등)에 충돌하여 가스의 전리를 일으켜, 플라즈마 생성용기(4) 내에 플라즈마(9)가 생성된다.
이 이온원(1)에는 플라즈마 생성용기(4)의 주위에 복수의 영구 자석(12)이 장착되어 있다. 이 영구 자석(12)에 의해 플라즈마 생성용기(4)의 내부영역에 커스프 자장이 형성되고, 필라멘트(10)로부터 방출된 전자가 소정 영역 내에 갇힌다. 한편 복수의 영구 자석(12)은 도시되지 않은 홀더에 몇 개씩 수납된 상태로 플라즈마 생성용기(4)에 장착되어 있다.
이온원(1)은 인출 전극계로서 4장의 전극을 가지고 있으며, 플라즈마 생성용기(4)에서 이온빔(3)의 인출방향(도시된 Z방향)을 따라 가속 전극(5), 인출 전극(6), 억제 전극(7), 접지 전극(8) 순으로 배치되어 있다. 각 전극과 플라즈마 생성용기(4)의 전위는 복수의 전원(V1~V4)에 의해 각각 다른 값으로 설정되어 있으며, 각 전극은 절연 플랜지(11)에 전기적으로 독립해서 장착되어 있다.
인출 전극계로서 이용되는 각 전극에는 예를 들면 X방향으로 긴 복수의 슬릿형상 개구부(22)가 마련되어 있으며, 이 슬릿형상 개구부(22)들을 통해 이온빔(3) 인출이 이루어진다. 한편 인출 전극계로서 4장의 전극을 가지는 구성의 이온원(1)이 기재되어 있지만, 이에 한정하지 않으며, 전극의 매수는 적어도 1장 이상이면 된다. 또한 필라멘트(10)의 개수도 복수개가 아니라 1개여도 무방하다.
이 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 이온원(1)에는 플라즈마 생성용기(4)의 내벽을 따라 방착판(20)이 배치되어 있다. 이 방착판(20)은 비자성체 재료이며, 예를 들면 오스테나이트(austenite)계 스테인리스 혹은 몰리브덴 등의 고융점 금속이다. 플라즈마 생성용기(4)의 내벽을 따라 배치된 방착판(20)의 단부는 도시되지 않은 방착판 지지부재에 의해 지지되어 있다. 이 방착판 지지부재의 구성에 대하여, 이하에 설명한다.
도 2에는 도 1에 기재된 A-A선으로 X방향을 따라 플라즈마 생성용기(4)를 절단했을 때의 단면의 모습이 도시되어 있다. 도시되어 있는 바와 같이, 이 예에서는 플라즈마 생성용기(4)의 모서리 부분에 방착판 지지부재(15)가 배치되어 있다. 이 방착판 지지부재(15)는 도시되지 않은 볼트를 이용해서 플라즈마 생성용기(4)에 고정되어 있다. 그리고 방착판 지지부재(15)의 단부는 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에서 이간되어 있어, 상기 단부와 내벽 사이에는 틈(21)이 형성되어 있다. 이 틈(21)에 대하여 Z방향을 따라, 방착판(20)이 슬라이딩에 의해 장착된다. 이 때문에, 플라즈마 생성용기(4)에 대한 방착판(20)의 위치 결정 작업이 간단해진다.
방착판(20)은 플라즈마 생성용기(4)에 볼트를 이용해서 고정되지만, 방착판(20)의 단부가 방착판 지지부재(15)에 의해 지지되고 있으므로, 그만큼 방착판(20)을 고정하기 위한 볼트의 개수를 줄일 수 있다. 볼트의 개수를 줄일 수 있으므로, 방착판(20)을 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 장착하거나 분리할 때의 시간을 단축할 수 있다.
도 3에는 도 2에 기재된 방착판 지지부재(15)의 사시도가 기재되어 있다. 도시되어 있는 바와 같이, 방착판 지지부재(15)는 적어도 일부가 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 접촉되는 본체부(16)와 상기 본체부(16)에서 연장된 단부(17)를 가지고 있다.
본체부(16)의 일부를 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 접촉시켜 두면, 접촉된 부분에서, 볼트를 이용해서 방착판 지지부재(15)를 플라즈마 생성용기(4)에 용이하게 고정시킬 수 있다. 또한 플라즈마 생성용기(4)가 냉각 기구를 구비하고 있을 경우, 플라즈마 생성용기(4)를 통해 방착판 지지부재(15)의 냉각을 실시할 수 있고, 나아가서는 방착판 지지부재(15)의 열에 의한 변형을 억제시킬 수 있게 된다. 또한 바람직하게는, 본체부(16)에서 연장된 단부(17)를, 플라즈마 생성용기(4)의 내벽을 따라 연장시켜 둔다. 방착판(20)의 형상은 플라즈마 생성용기(4)의 내벽을 따른 형상이 되므로, 방착판 지지부재(15)의 단부(17)의 연장방향을 플라즈마 생성용기(4)의 내벽을 따르도록 해 두면, 방착판(20)의 장착이나 분리를 원활하게 실시할 수 있게 된다.
플라즈마 생성용기(4)가 대형이 되면, 방착판(20)의 치수도 커진다. 큰 방착판(20)을 장착하거나 분리하려면 엄청난 노동력을 요하므로, 방착판(20)을 분할하는 방법을 생각할 수 있다. 이 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 생성용기(4)의 X방향에 위치하는 측면에도 방착판 지지부재(15)를 추가해 두는 방법을 생각할 수 있다.
도 5에는 도 4의 구성으로 추가된 방착판 지지부재(15) 전체를 나타내는 사시도가 도시되어 있다. 이 방착판 지지부재(15)도 앞선 예와 마찬가지로, 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 적어도 일부가 접촉되는 본체부(16)와 상기 본체부(16)에서 연장된 단부(17)를 가지고 있다.
도 1에 기재된 이온원(1)과 같이, 플라즈마 생성용기(4) 주위에 복수의 영구 자석(12)이 배치되어 있을 경우, 이 영구 자석(12)을 이용해서 방착판 지지부재(15)를 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 지지시키는 구성을 생각할 수 있다.
도 6(a), 도 6(b)에는 도 1에 기재된 이온원(1)의 플라즈마 생성용기(4) 주위에 배치된 복수개의 영구 자석(12)의 자석 배치예가 도시되어 있다. 도 6(a)와 도 6(b)는 동일한 구조물을 다른 시점에서 그린 것이다. 한편 Y방향 반대측에 위치하는 플라즈마 생성용기(4)의 면에도 복수의 영구 자석(12)이 배치되어 있지만, Y방향측에 위치하는 플라즈마 생성용기(4)의 면에 마련된 영구 자석 배치와 같은 구성이 되기 때문에, 여기서는 그 도시를 생략하고 있다.
플라즈마 생성용기(4) 주위에 이러한 영구 자석 배치가 이루어져 있을 경우, 방착판 지지부재(15)의 구성으로는 도 7(a)와 도 7(b)에 기재된 구성을 생각할 수 있다. 이 도면들에서 영구 자석(12)과 방착판 지지부재(15)의 위치 관계를 명확히 하기 위해, 플라즈마 생성용기(4)의 도시를 생략하였다. 또한 플라즈마 생성용기(4)의 내부에는 복수개의 방착판 지지부재(15)가 배치되어 있지만, 다른 장소에 배치되는 방착판 지지부재(15)의 구성도 도시된 것과 같기 때문에, 여기서는 그 도시를 생략하였다.
도 7(a), 도 7(b)에 도시된 바와 같이, 여기서는 방착판 지지부재(15)가 자성체(13)(예를 들면 페라이트계 스테인리스)와 비자성체(14)로 구성되어 있고, 자성체(13)는 그 일부가, 플라즈마 생성용기(4)의 벽면을 사이에 두고 영구 자석(12)과 대향하는 위치에 배치되어 있다.
도 7(a)에서는 도면 중에 화살표로 나타내는 IB방향을 따라, 비자성체(14)와 자성체(13)가 번갈아 배치되어 있다. 또한 도 7(b)에서는 큰 비자성체(14)의 내측 영역에 복수의 자성체(13)가 배치되어 있다.
도 8(a)에는 도 7(a)에 도시된 방착판 지지부재(15) 전체를 나타내는 사시도가 도시되어 있다. 자성체(13)가 마련되어 있는 점을 제외하고는, 도 3에 그려진 구성과 같이, 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 적어도 일부가 접촉되는 본체부(16)와 상기 본체부(16)에서 연장된 단부(17)를 가지고 있다.
도 8(b)에는 도 8(a)에 그려진 방착판 지지부재(15)를 구성하는 자성체(13)와 비자성체(14)를 분해했을 때의 모습이 도시되어 있다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 비자성체(14)에 형성된 구멍(18)에 자성체(13)의 측면에 세워서 마련된 핀(19)이 삽입됨으로써 양쪽 부재의 조립이 이루어진다. 한편 도 8(b)에 그려져 있는 비자성체(14)의 양 측면에는 각각 구멍(18)이 형성되어 있지만, 방착판 지지부재(15)의 단부에 마련된 비자성체(14)에 있어서, 자성체(13)가 배치되지 않는 측의 측면에는 구멍(18)이 형성되어 있지 않다.
도 9(a)에는 도 7(b)에 도시된 방착판 지지부재(15) 전체를 나타내는 사시도가 도시되어 있다. 이 방착판 지지부재(15)도 자성체(13)가 배치되어 있는 점을 제외하고는, 도 3에 그려진 구성과 같이, 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 적어도 일부가 접촉되는 본체부(16)와 상기 본체부(16)에서 연장된 단부(17)를 가지고 있다.
도 9(b)에는 도 9(a)에 그려진 방착판 지지부재(15)를 구성하는 자성체(13)와 비자성체(14)를 분해했을 때의 모습이 도시되어 있다. 이 도면에 도시되어 있는 바와 같이, 자성체(13)는 비자성체(14)에 마련된 구멍에 압입됨으로써, 양쪽 부재의 조립이 이루어진다.
이러한 자성체(13)를 방착판 지지부재(15)에 마련해 두면, 자성체(13)의 부분이 영구 자석(12)에 의해 흡착됨으로써, 방착판 지지부재(15)를 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 흡착 지지시킬 수 있게 된다. 또한 이 흡착력이 약할 경우에는, 도시되지 않은 볼트를 이용해서 플라즈마 생성용기(4)의 내벽에 고정해도 된다. 단 그 경우에도 영구 자석(12)에 의한 흡착력이 존재하고 있기 때문에, 방착판 지지부재(15)를 고정시키기 위해 사용되는 볼트는 큰 것이 아니라 작은 것을 이용할 수 있다. 또한 볼트의 크기는 변함이 없다고 해도, 방착판 지지부재(15)를 고정하는 볼트 자체의 개수를 적게 할 수 있다.
<기타 변형예>
지금까지의 실시형태에서는 플라즈마 생성용기(4)의 형상이 직육면체인 것에 대하여 설명해 왔지만, 플라즈마 생성용기(4)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 원기둥형상이어도 된다.
또한 지금까지의 실시형태에서 설명한 방착판 지지부재(15)의 구성 이외에, 플라즈마 생성용기(4)의 형상에 따라, 도 11(a)~(d)에 그려진 것과 같은 구성을 이용해도 된다.
나아가 방착판 지지부재(15)는 방착판(20)의 단부 전역에 걸쳐 방착판(20)을 지지하고 있을 필요는 없으며, 방착판(20)의 단부를 부분적으로 지지하고 있으면 된다.
지금까지의 실시형태에서는 이온빔 조사장치를 예로 들어 설명했지만, 본 발명의 방착판 지지부재는 플라즈마 처리장치에도 적용할 수 있다. 또한 도 1에서 말한 이온원(1)의 인출 전극계를 구성하는 각 전극에는, X방향으로 긴 복수의 슬릿형상 개구부(22)가 마련되어 있는 예에 대하여 기술했지만, 개구부의 형상은 다른 형상이어도 된다. 예를 들면 Z방향에서 각 전극의 표면을 보았을 때에, 복수의 원형상의 동그란 구멍이 마련되어 있어도 된다. 이러한 전극은 다공(多孔) 전극이라고 불리고 있으며, 종래부터 이용되고 있다.
상술한 것 이외에, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 개량 및 변경을 가해도 되는 것은 물론이다.
1 이온원
4 플라즈마 생성용기
10 필라멘트
12 영구 자석
13 자성체
14 비자성체
15 방착판 지지부재
16 본체부
17 단부
20 방착판
21 틈

Claims (5)

  1. 플라즈마 처리장치나 이온빔 조사장치에서 이용되는 플라즈마 생성용기 내에 배치되는 방착판 지지부재로서,
    플라즈마 생성용기의 내벽에 적어도 일부가 접촉하는 본체부와,
    상기 본체부에서 연장된 단부를 가지는 동시에, 플라즈마 생성용기에 방착판 지지부재를 조립했을 때, 상기 단부가 플라즈마 생성용기의 내벽에서 이간되어 있고,
    대향 배치된 상기 방착판 지지부재의 단부 사이에 방착판이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 방착판 지지부재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단부는 상기 방착판 지지부재가 장착되는 플라즈마 생성용기의 내벽을 따라 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 방착판 지지부재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 방착판 지지부재는 비자성체와 자성체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 방착판 지지부재.
  4. 플라즈마 생성용기 내에서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마로부터 이온빔을 발생시켜서, 상기 이온빔을 소정 방향으로 진행시키는 이온원으로서,
    상기 플라즈마 생성용기 내에 제1항 또는 제2항에 기재된 방착판 지지부재가 복수개 배치되어 있는 동시에, 상기 이온빔의 진행방향에 수직인 평면에 있어서, 상기 방착판 지지부재의 단부가 상기 플라즈마 생성용기의 내벽을 따라 서로 대향 배치되고, 대향 배치된 상기 방착판 지지부재의 단부 사이에 방착판이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온원.
  5. 주위에 복수의 영구 자석이 배치된 플라즈마 생성용기 내에서 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마로부터 이온빔을 발생시켜서, 상기 이온빔을 소정 방향으로 진행시키는 이온원으로서,
    상기 플라즈마 생성용기 내에 제3항에 기재된 방착판 지지부재가 복수개 배치되어 있는 동시에, 상기 이온빔의 진행방향에 수직인 평면에 있어서, 상기 방착판 지지부재의 단부가, 상기 플라즈마 생성용기의 내벽을 따라 서로 대향 배치되고, 대향 배치된 상기 방착판 지지부재의 단부 사이에 방착판이 배치되어 있으며, 또한 상기 방착판 지지부재를 구성하는 자성체의 적어도 일부가 상기 플라즈마 생성용기의 벽면을 사이에 두고 상기 플라즈마 생성용기의 주위에 배치된 영구 자석에 대향 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온원.
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