KR101376494B1 - 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터 - Google Patents

유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터 Download PDF

Info

Publication number
KR101376494B1
KR101376494B1 KR1020080129436A KR20080129436A KR101376494B1 KR 101376494 B1 KR101376494 B1 KR 101376494B1 KR 1020080129436 A KR1020080129436 A KR 1020080129436A KR 20080129436 A KR20080129436 A KR 20080129436A KR 101376494 B1 KR101376494 B1 KR 101376494B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
organic semiconductor
organic
solution
polymer
Prior art date
Application number
KR1020080129436A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100070749A (ko
Inventor
조길원
츄롱첸
이위형
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to KR1020080129436A priority Critical patent/KR101376494B1/ko
Priority to EP09833545.8A priority patent/EP2377178B1/en
Priority to US13/140,612 priority patent/US8692236B2/en
Priority to PCT/KR2009/001881 priority patent/WO2010071267A1/en
Publication of KR20100070749A publication Critical patent/KR20100070749A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101376494B1 publication Critical patent/KR101376494B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 박막 트랜지스터 제조에 사용되는 유기 반도체 박막 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 반도체와 절연성 고분자를 혼합하여 제조되는 유기반도체/절연성 고분자 블렌드 박막과 이를 이용하여 제조되는 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 유기 반도체 박막은 유기 반도체 나노 섬유가 절연성 고분자 층 내에 네크워크 형태로 분산되어 있다. 이러한 유기 반도체 박막은 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 유기반도체의 한계성 용매에 용해시켜, 용해도를 조절하여 코팅함으로써 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 유기반도체/절연성 고분자 블렌드 박막은 3중량% 정도의 유기 반도체를 포함하면서도 유기 반도체만 사용한 박막과 동일한 수준의 전기적 특성을 나타낸다. 더불어 절연성 고분자를 유기 박막 트랜지스터의 보호층으로 사용할 수 있기 때문에 보호층 형성 공정을 줄일수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 유기반도체, 블렌드, 한계성 용매, 유기반도체 나노 섬유

Description

유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터{Fabricating low-cost polymer thin-film transistors via formation of semiconducting nanofibrillar network in semiconducting/insulating polymer blends}
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 제조에 사용되는 유기 반도체 박막 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 반도체와 절연성 물질을 혼합하여 제조되는 유기 반도체 나노섬유분산체 박막과 이를 이용하여 제조되는 고성능 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터(OTFT, organic thin film transistor)는 차세대 디스플레이장치의 구동소자로서 활발한 연구가 진행되고 있다. 유기 박막 트랜지스터는 반도체층으로 실리콘막 대신에 유기막을 사용하는 것으로서, 유기막의 재료에 따라 올리고티오펜(oligothiophene), 펜타센(pentacene) 등과 같은 저분자 유기 박막 트랜지스터와 폴리티오펜(polythiophene) 계열 등과 같은 고분자 유기 박막 트랜지스터로 분류된다.
이러한 유기 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 사용하는 유기 전계 발광표시 장치는 기판상에 다수의 화소가 매트릭스 형태로 배열되고, 각 화소는 2개의 유기박막 트랜지스터, 예를 들어 하나의 스위칭 유기 박막 트랜지스터 및 하나의 구동 유기 박막 트랜지스터와 하나의 캐패시터 그리고 상, 하부전극사이에 유기막층이 개재된 유기전계 발광소자를 구비한다.
통상적으로, 플렉서블 유기전계 발광표시장치는 기판으로 플렉서블 기판을 사용하고, 상기 플렉서블 기판은 플라스틱 기판을 포함한다. 플라스틱 기판은 열안정성이 매우 취약하여 저온공정을 이용하여 유기 전계 발광표시장치를 제조하는 것이 요구되고 있다.
이에 따라 반도체층으로 유기반도체박막을 사용하는 유기 박막 트랜지스터는 저온공정이 가능하므로, 플렉서블 유기전계 발광표시장치의 스위칭소자로서 각광을 받고 있다.
그러나, 이러한 유기 반도체층 구성하는 재료들은 상대적으로 비싸다는 문제가 있다. 이런 이유로 값비싼 유기 반도체를 소량 사용하여 유기 박막 트랜지스터의 제조 단가를 낮추는 방법에 대한 요구가 계속되고 있다.
또한, 유기 반도체 물질이 표면에 노출될 경우 환경적 요인에 그 특성들이 변형될 수 있어, 이를 보호하기 위한 보호층이 추가로 필요하다. 하지만 용액공정으로 유기반도체층 위에 보호층을 제조할 경우 후속 공정의 용매가 이미 형성된 하부층을 손상시키는 문제가 발생되므로, 보다 효과적인 용액 공정을 구현하기 위해서 다층 박막을 한 번의 코팅 공정을 통해 구현하고자 하는 연구가 진행되고 있다.
이에 따라, 유기 반도체용 고분자와 절연성 고분자를 혼합하여 유기 반도체 의 전기적인 특성과 절연성 고분자의 기계적인 물성, 값싼 재료 특성을 결합하는 연구로써 진행되고 있다.
최근, 영국의 H. Sirringhaus그룹에서는 유기반도체의 한 종류인 폴리3헥실티오펜 (poly 3-hexyl thiophene, P3HT)와 절연성 고분자인 폴리스티렌 (polystyrene, PS), 폴리에틸렌 (polyethylene, PE)를 블렌드하여서 P3HT의 양을 3wt%정도만 넣어도 전하이동도가 유지가 되는 소자를 만드는데 성공하여, Nature Materials, 5, 956 (2006) 논문과 WO 2008/001123 A1에 PCT 특허를 발표를 하였다. 하지만, 이 방법의 경우, 섞어주는 절연성 고분자가 결정성 고분자로서, 예로서 이소태틱-PS나 고밀도-PE를 이용하는 경우에만 적은 양의 P3HT로도 전하이동도가 유지가 되는 소자를 제조할 수 있었다. 그렇게 되는 원인은 P3HT가 결정화가 되면서 기판에 먼저 깔리고, 그 위에 절연성 고분자가 형성되면서, 기판에 P3HT층과 절연성 고분자층이 수직으로 상분리 된 구조를 얻을 수 있고, 이러한 원리로 적은 양의 P3HT로도 쏘스와 드레인 전극 사이에 전하가 이동될 수 있는 통로를 만들 수 있게 된다. 그렇지만 이 방법의 경우 P3HT를 결정화하고 나서, 절연성 고분자를 고화시켜야하는 복잡한 과정을 거쳐야하기 때문에 상용화로서의 많은 제약이 따른다. 또한 이때 사용하는 공정이 drop-casting이기 때문에 대면적에 균일한 필름을 도포하여 소자를 만들기에는 제약이 따른다.
한편, P3HT와 폴리메틸메타아크릴레이트 (poly methyl methacrylate, PMMA) 블렌드를 이용하여, P3HT와 PMMA를 기판에 수직으로 상분리 시켜서 P3HT층 위에 PMMA가 오게 해서 PMMA층을 P3HT층의 보호층으로 쓰는 연구가 Palo Alto Research Center에 A. Arias 에 의해서 이루어졌다 (Adv. Mater. 19, 2900 (2006)). 하지만, 이 연구에서는 PMMA를 보호층으로만 쓸 수 있는 한계점을 가지고 있으며, 또한 P3HT를 40%까지 넣어 주어야 하기 때문에 유기반도체의 절약 측면에서는 바람직하지 못하다.
그리고, 최근 본 연구 그룹에서는 P3HT와 PMMA를 블렌드하여서 기판에 PMMA를 아래로 오게 하고, P3HT를 위로 오게하여 기판에 수직으로 상분리를 시켜서, PMMA를 유기박막 트랜지스터의 유전층으로 쓰는 연구를 수행하였다 (Adv. Mater. 20, 1141 (2008)). 이를 이용할 경우 3wt%의 P3HT만 섞어도 100wt%의 P3HT를 이용한 것과 동일한 성능의 유기박막트랜지스터를 제조할 수 있었다. 그리고, 제조공정은 스핀 캐스팅 공정이기 때문에 H. Sirringhaus그룹의 연구결과보다 상용화에 장점을 가지고 있다.
위에서 언급한 모든 결과가 기판에 수직으로 상분리를 시켜서 유기반도체/절연성 고분자 블렌드에서 적은양의 유기 반도체를 넣더라도 수평방향으로 전하가 이동하는 통로가 유지가 되도록 한 연구 결과이다. 그렇지만, 수직방향으로 상분리를 시키는데 있어서 여러 가지 다른 요소 (용매증발속도, 기판의 표면에너지, 용액의 농도 등)가 관여를 하기 때문에 기판에 수직방향으로 상분리를 시키는 데는 많은 제약이 따른다. 또한 고분자 블렌드에서 수직방향으로 상분리가 되는 힘과 더불어, 수평방향으로 상분리가 되는 힘이 동시에 존재하므로 대면적에 균일하게 수직방향 상분리를 시키기가 힘들다.
따라서, 소량의 유기반도체 물질을 포함하면서도 뛰어난 전기적 특성과 물리 적 특성을 가지면서도 제작이 용이한 새로운 유기반도체/절연성 고분자 블렌드 박막의 제조 방법에 대한 요구가 계속되고 있다.
본 특허에서는 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용하여 유기 반도체 나노 섬유가 절연성 고분자 층 내에 네크워크 형태로 분산되어 있는 신 기능성 박막을 제조할 수 있는 방법과 이를 응용하여 적은 양의 유기반도체로도 우수한 성능을 가지는 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 기술을 출원하고자 한다.
본 발명의 목적은 소량의 유기 반도체 물질을 포함하는 고성능 고분자 박막을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 소량의 유기 반도체 물질을 포함하는 고성능 고분자 박막을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 소량의 유기반도체 물질을 포함하는 고성능 고분자 박막을 형성할 수 있는 코팅액을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 유기 반도체 나노 섬유가 상호 연결되도록 분산된 층을 포함하는 트랜지스터를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 유기 반도체 나노 섬유가 상호 연결되도록 분산된 층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 반도체 박막은 고분자 매트릭스에 유기 반도체가 상호 연결되도록 분산되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 반도체 박막은 고분자 매트릭스에 유기 반도체 나노 섬유가 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 반도체 나노섬유는 네트워크 형태로 서로 연결되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시에 있어서, 상기 유기 반도체 나노 섬유는 고분자 형태로서, 용해도 저하로 석출될 때 나노 섬유형태로 석출될 수 있는 반결정성 고분자인 것이 좋다. 예를 들어, 상기 고분자는 P3HT, PQT-12 등이다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 반도체 나노섬유는 네트워크 형태로 상호 연결되어 있어, 상기 박막 전체의 무게를 기준으로 상기 유기 반도체 나노 섬유는 10 중량% 이하, 바람직하게는 5 중량% 이하, 보다 바람직하게는 2중량% 정도에서도 충분한 전하 이동특성을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 네트워크 형태로 분산된 반도체 나노섬유를 외부 환경으로부터 보호할 수 있으며, 다양한 무정형의 열가소성 또는 열경화성 고분자를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 폴리스티렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 에폭시 등이다.
본 발명에 있어서, 상기 반도체 나노섬유는 고분자 매트릭스의 상면, 중간부분 및 하면에 전체적으로 분산되어 있다.
본 발명은 일 측면에서, 반도체 박막을 제조함에 있어서, 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 유기반도체의 한계성 용매에 용해시켜, 용해도를 저하시켜 유기 반도체 나노섬유가 절연성 고분자에 분산되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 반도체는 용액상태에서 용해도 저하에 의해 석출될 때, 나노섬유형태로 석출되는 유기반도체를 사용할 수 있으며, 일예로 반결정성 고분자인 P3HT를 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 용액의 용해도 저하는 다양한 방식으로 이루어질 수 있다. 발명의 일 실시에 있어서, 상기 용액은 냉각에 의해서 용액의 용해도가 저하 될 수 있다. 바람직하게는 상기 용액의 용매가 고온에서 유기 반도체를 완전히 용해되고 상온에서 유기 반도체가 석출되는 한계성 용매일 경우, 별도의 냉각공정 없이, 상온에서 코팅 공정을 진행하여 나노 섬유를 형성할 수 있다. 바람직한 한계성 용매는 일예로 P3HT의 경우, 디클로메탄이다.
본 발명의 다른 실시에 있어서, 상기 용액은 난용매의 첨가에 의해 용액의 용해도가 저하되어, 유기 반도체가 석출될 수 있다. 용매는 코팅온도에서 유기 반도체가 완전히 녹을 정도의 용해도를 가지는 것이 좋으며, 난용매는 코팅온도에서 유기 반도체가 녹지 않는 용해도를 가지는 것이 좋다. 일 예로 반도체 물질로 P3HT를 사용할 경우, 용매는 클로로포름, 클로로벤젠 등을 사용할 수 있고, 난용매로는 디옥산, 아세토니트릴, 에탄올등을 사용할 수 있다. 사용하는 난용매는 보조 용매로 사용하는 것이 바람직하며, 50 중량%를 넘기지 않아야 한다.
본 발명에 있어서, 상기 용액은 유기 반도체와 매트릭스용 고분자는 각각 0.1-50중량%와 50-99.9 중량%로 혼합해서 1중량% 내외의 농도로 용해되어 코팅될 수 있다. 상기 코팅은 스핀 코팅과 같은 공지된 코팅법에 의해서 이루어질 수 있으며, 특별한 제한은 없다.
본 발명은 일 측면에서, 용해도의 저하에 의해 나노 섬유형태로 석출되는 유기 반도체 물질과 매트릭스용 고분자 물질이 용해되어 있는 코팅액을 제공한다. 용해도의 저하에 의해 용액에서 나노섬유로 석출되는 유기 반도체 물질은 일예로 P3HT, PQT-12와 같은 반결정성 고분자 물질이 좋다.
상기 유기 반도체의 함량은 코팅 후 적절한 반도체 특성을 나타낼 수 있는 한 적게 사용하는 것이 좋으며, 바람직하게는 박막을 이루는 반도체 물질과 매트릭스용 고분자의 전체 중량에 0.1 중량% 이상, 바람직하게는 1 중량%이상 사용하는 것이 좋으며, 경제적인 공정을 구현하기 위해서 10 중량%이하로 사용하는 것이 좋다. 상기 코팅액의 농도는 통상적인 스핀 코팅에서 사용되는 농도를 사용할 수 있으며, 예를 들어 1 중량% 내외이다.
본 발명은 일 측면에서, 기판상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연시키는 게이트 절연막; 소스 전극과 드레인 전극; 상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 고분자 매트릭스에 유기 반도체 나노 섬유가 분산된 박막을 구비하는 유기 박막 트랜지스터로 이루어진다.
본 발명에 있어서, 상기 유기 반도체 나노 섬유는 박막 형태의 고분자 매트릭스에서 네트워크 형태로 상호 연결되도록 박막의 표면, 내부, 하면 및 절연막과의 계면 등에 분산되어, 소스와 드레인 전극 사이를 연결한다.
이론적으로 한정된 것은 아니지만, 네트워크 형태로 상호 연결되어 있어 박막에서 0.1 중량%, 바람직하게는 1 중량% 정도만 함유되어 있어도, 순수한 유기 반도체로 이루어진 박막층과 동일한 수준의 전기적 특성을 나타낼 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 분산된 나노섬유를 열적변형, 수분, 산소, 굴곡 스트레스에 대한 내구성을 가지도록 형성되며, 폴리스티렌, PMMA와 같은 열가소성 물질뿐만 아니라, 에폭시와 같은 열경화성 수지를 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 게이트, 소스, 및 드레인 전극과 절연층은 공지된 유기 박막 트랜지스터 제조과정을 통해서 형성될 수 있으며, 특별한 제한은 없다.
본 발명은 일 측면에 있어서, 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극과 절연시키는 게이트 절연막을 구비하는 단계; 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 유기 반도체 물질과 절연성 고분자가 용해된 용액을 반도체 나노 섬유가 석출되도록 용해도를 저하시켜 코팅하여, 상기 소스와 드레인을 연결하는 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 있어서, 상기 용액의 용해도는 용액의 온도가 낮아질 경우 저하되게 되며, 바람직하게는 40 ℃정도의 따뜻한 온도에서는 유기 반도체와 매트릭스용 고분자가 완전히 용해되고, 상온에서는 유기 반도체만 석출되는 한계성 용매(marginal solvent)를 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상온에서 진행되는 코팅과정에서 유기 반도체가 네트워크 형태의 나노 섬유로 형성될 수 있다. 발명의 실시에 있어서, 반도체 물질로 P3HT, PQT-12와 같은 반결정성 고분자성분이 적용될 경우, 디클로로메탄과 같은 한계성 용매를 사용하는 것이 좋다.
본 발명에 있어서, 상기 용액에 유기 반도체와 절연성 고분자가 녹아있는 용액에 유기 반도체가 녹지 않는 난용매를 첨가할 경우 용해도가 저하되어 유기 반도체가 상호 연결된 나노섬유 형태로 석출되게 된다. 발명의 일 실시에 있어서, 유기 반도체 재료로 P3HT를 사용할 경우, 난용매는 디옥산, 아세토니트릴, 또는 에탄올과 같은 물질을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 유기반도체 박막은 주로 전하 수송 물질, 요소 또는 디바이스에 사용할 수 있으며, 이를 이용해서 얻어지는 광학, 전자광학 또는 전자 디바이스, 트랜지스터, 집적 회로(IC), 태양전지 또는 유기발광소자에도 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 고분자 매트릭스에 유기 반도체 나노섬유가 분산된 박막들은 평면 디스플레이용 트랜지스터, 트랜지스터 어레이, 전파 식별(RFID) 태그, 전기발광 디스플레이, 백라이트, 전계효과 트랜지스터, 직접회로, 박막 트랜지스터 또는 유기 발광소자에 광범위하게 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 반도체 박막은 매트릭스 절연성 고분자에 반도체 나노섬유가 상호 연결되도록 분산되어 있어, 유기 반도체 물질을 소량 포함하면서도 고성능의 전기적 특성을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 박막은 매트릭스 절연성 고분자에 분산되어 있어, 산소, 수분, 열적 스트레스 또는 굴곡 스트레스에 뛰어난 내구성을 나타낸다.
또한, 본 발명에 따른 유기 반도체 박막과 트랜지스터 제조 방법은 유기 반도체 박막과 보호층을 한번의 공정으로 구현할 수 있어, 경제적인 제조 공정의 구현이 가능하다.
실시예
트랜지스터 제조
실시예 1
게이트 유전층으로 300 nm 두께의 열산화된 SiO2(capacitance= 10.8nFcm-2)층이 있는 과도핑된 n-type Si웨이퍼를 게이트 전극으로 이용한 하부게이트 하부-접 촉 구조를 가지는 전계 효과 트랜지스터를 제조하였다. SiO2 표면은 피라나 용액과 증류수로 세척하여 진공 오븐에서 보관하였다. 여기에, 금으로 소스 및 드레인 전극(2 nm 의 티타늄 접착층위에 100 nm)층을 쉐도우 마스크를 통해 증착하였다. 채널의 길이와 폭은 100 마이크론과 800 마이크론으로 각각 제조하였다.
여기에, 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT)(Mw=40 kg/mol) 와 무정형 폴리스티렌(PS)(Mw=240 kg/mol)을 여러 개의 상이한 비율 (P3HT/PS: 100%/0% ~ 0.1%/99.9%)로 디클로메탄에 용해시켜 0.5 부피% 농도로 코팅용 용액을 제조하고, 용액을40 ℃ 온도를 가해서 샘플이 잘 녹게 만들고, 이를 스핀코팅하여 박막을 형성하였다. 디클로로메탄 대신 클로로포름 용액을 사용한 샘플을 동일한 공정으로 제조하고 박막 특성 및 유기 박막 트랜지스터 성능을 비교하였다.
실시예 2
플렉서블 트랜지스터를 제조하기 위해서 폴리아릴레이트 기판에 PEDOT/PSS 수계 잉크를 게이트 전극으로 스핀코팅하였다. 다음, 11 중량%의 폴리-4-비닐페놀 (PVP,Mw=20,000g/mol) 와 중량%의 폴리 (멜라민-co-포름알데히드) 메틸레이티드(PMF)(Mw=20,000g/mol)를 포함하는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)용액을 (~2,000 rpm)스핀코팅하고, 진공 오븐에서 180 ℃에서 1시간 동안 가교하여, 600 nm (capacitance = 6.6 nFcm-2)의 유전층을 형성하였다. 금으로 소스 및 드레인 전극을 형성하였다.
여기에, P3HT/PS 를 여러 개의 상이한 비율로 디클로메탄에 용해시켜 0.5 부 피% 농도로 코팅용 용액을 제조하고, 용액을40 ℃ 온도를 가해서 샘플이 잘 녹게 만들고, 이를 스핀코팅하여 박막을 형성하였다.
실시예 3
게이트 유전층으로 300 nm 두께의 열산화된 SiO2(capacitance= 10.8nFcm-2)층이 있는 과도핑된 n-type Si웨이퍼를 게이트 전극으로 이용한 하부게이트 하부-접촉 구조를 가지는 전계 효과 트랜지스터를 제조하였다. SiO2 표면은 피라나 용액과 증류수로 세척하여 진공 오븐에서 보관하였다. 여기에, 금으로 소스 및 드레인 전극(2 nm 의 티타늄 접착층위에 100 nm)층을 쉐도우 마스크를 통해 증착하였다. 채널의 길이와 폭은 100 마이크론과 800 마이크론으로 각각 제조하였다.
여기에, P3HT/PS 를 여러 개의 상이한 비율 (P3HT/PS: 100%/0% ~ 0.1%/99.9%) 로 상이한 비율의 클로로포름/디옥산 (클로로포름/디옥산: 100%/0% ~ 50%/50%) 혼합용매를 써서 0.5 부피% 농도로 코팅 용액을 제조하고, 이를 스핀코팅하여 박막을 형성하였다.
성능측정
실시예 1과 실시예 2에서 제조된 트랜지스터들의 성능을 측정하여 이를 도 1 내지 도 8에 도시하였으며, 실시예 3에서 제조된 트랜지스터들의 성능은 도 10에 도시하였다. 트랜지스터의 성능은 상온에서 Keithley 4200 and 236 source/measure 장치를 이용해서 측정하였다. 캐패시턴스는 Agilent 4284 precision LCR meter를 이용해서 측정하였다. 필름 모폴리지는 atomic force microscope (AFM) (Digital Instruments Multimode), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM, Hitachi S-4800)를 이용하여 관찰하였다. 2D Grazing-incidence X-ray diffraction (GIXRD) 측정은 포항가속기의4C2 빔라인을 이용하여 측정하였다.
본 연구는 교육과학기술부 21세기 프론티어 연구개발사업인 '나노소재기술개발사업단'의 지원(과제번호:2009K000417)으로 수행 되었습니다.
도 1은 CH2Cl2와 CHCl3 용액으로부터 P3HT/PS 블렌드의 전계효과 트랜지스터 성능이다. IDS는 드레인-소스 전류, VDS는 드레인-소스 전압, 및 VGS는 게이트-소스 전압. (a) CH2Cl2 용액으로부터 P3HT/PS(10/90) 박막과 CHCl3 용액으로부터 P3HT/PS(20/90) 박막에 기반한 장치의 전형적인 이송 특성. (b) CH2Cl2 용액으로부터 P3HT/PS(10/90)에 기반한 장치의 출격 특성. (c) 블렌드에서 P3HT의 함량의 함수로서 포화 영역으로부터 측정되는 평균 전계효과 이동도. (d) P3HT/PS(10/90)블렌드의 전계효과 이동도에 대한 CH2Cl2/CHCl3 혼합용매에서 CHCl3 함량의 효과.
도 2는 CHCl3, CH2Cl2, 이들의 혼합용매로부터 스핀 캐스팅으로 제조되는 다양한 P3HT함량을 가지는 P3HT/PS 필름을 사이클로헥산으로 PS를 선택적으로 용해시킨 후의 SEM 이미지. (a,b) 상이한 P3HT 함량을 가지는 CHCl3로부터 스핀캐스팅:(a) 60%, (b) 10%; (c,d) 상이한 P3HT 함량을 가지는 CH2Cl2로부터 스핀캐스팅:(c) 10%, (d) 5%; (e,f) 상이한CHCl3/CH2Cl2 혼합용매의 조성을 가지는 P3HT/PS(10/90) 블렌드를 스핀캐스팅: (e) 5/95 (f) 10/90. 스케일바는 1마이크론.
도 3은 (a) CHCl3 와 (b) CH2Cl2 용액으로부터 스핀캐스팅된 P3HT/PS(10/90)필름의 2D grazing incidence X-ray 회절(GIXRD). (a)에서 삽입도는 2D 패턴으로부터 추출된 1D out-of-plane x-레이 프로파일을 나타낸다.
도 4는 0.5 부피% P3HT/PS(10/90) CH2Cl2 용액의 온도에 따른 흡수 스펙트럼, 삽입도는 ~40℃에서의 용액 사진과 상온에서의 사진을 나타낸다.
도 5 는 P3HT/PS (5/95) 필름의 (a) 표면, (b) 기판과 맞닿은면, (c) 사이클로헥산으로 PS를 선택적으로 용해시킨 후의 AFM 이미지.
도 6 은 P3HT/PS 블렌드를 이용하여 절연성 고분자 네트워크에 유기 반도체 나노섬유가 분산되어 있는 구조체를 제작하는 개략도이다.
도 7은 CH2Cl2용액으로부터 스핀캐스팅된 (a) P3HT와 (b) P3HT/PS(10/90) 블렌드 필름의 공기 노출 시간에 따른 전송 특성의 변화.
도 8은 플렉시블 기판 위에 CH2Cl2 로부터 P3HT/PS(10/90) 블렌드 스핀-캐스팅에 기반한 TFT의 (a)전형적 이송특성과 (b) 출격특성. (a)의 삽입도는 개략적인 단면도이며, (b) 삽입도는 플렉시블 기판 위에서 P3HT/PS TFT를 구현한 디지털카메라 이미지이다.
도 9는 P3HT/PS(5/95)를Dioxane/CHCl3혼합용매를 이용하여 블렌드 용액을 제조하고, 스핀-캐스팅하여 형성되는 박막 필름을 PS를 선택적으로 제거시킨 후의 SEM 이미지. 도면안의 숫자는 Dioxane/CHCl3의 비율.
도 10은 P3HT/PS(5/95)를 Dioxane/CHCl3 (10/90) 혼합용매를 이용하여 블렌드 용액을 제조하고, 스핀 캐스팅하여 박막을 형성시킨 TFT 장치의 (a)전형적 이송특성과 (b) 출격특성.

Claims (42)

  1. 고분자 매트릭스 내에 폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체가 섬유상을 이루면서 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 섬유상 유기 반도체는 나노 섬유인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  4. 제3항에 있어서, 상기 나노 섬유는 고분자 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  5. 제4항에 있어서, 상기 고분자는 반결정성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기 반도체는 용해도의 저하에 따라 섬유상으로 석출되는 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 상기 유기 반도체는 박막에 0.1 중량% 이상 함유된 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  9. 제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 절연성 고분자 매트릭스인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  10. 제9항에 있어서, 상기 절연성 고분자 매트릭스는 폴리스티렌, PMMA, 또는 에폭시인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막.
  11. 폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체와 절연성 고분자가 용해된 용액의 용해도를 저하시켜, 상기 유기 반도체가 섬유상을 이루면서 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 고분자 박막을 형성하는 것을 특징으로 유기 반도체 박막 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유기 반도체는 나노 섬유형태로 분산되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 용액을 냉각하여 용해도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 용액은 한계성 용매를 이용한 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 유기 반도체가 상온에서 석출되는 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 용액을 난용성 용매와 혼합하여 용해도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 유기 반도체는 반결정성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법.
  18. 삭제
  19. 제17항에 있어서, 상기 박막은 스핀 캐스팅, 또는 드랍 캐스팅 에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 기판상에 형성된 게이트 전극;
    상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막;
    상기 절연막 위에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및
    상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하며, 고분자 매트릭스에 폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체 나노 섬유가 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 박막;
    을 구비하는 유기 박막 트랜지스터.
  25. 삭제
  26. 제24항에 있어서, 상기 나노 섬유는 반결정성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  27. 삭제
  28. 제24항에 있어서, 상기 나노 섬유는 박막 대비 0.1-50 중량% 함유된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  29. 제24항에 있어서, 상기 박막은 절연성 고분자인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  30. 제24항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  31. 제24항에 있어서, 상기 나노 섬유는 박막의 상면, 중간층 및 하면에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  32. 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막을 제공하는 단계;
    상기 절연막 위에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 박막을 형성하는 단계로서, 폴리3헥실티오펜(P3HT)인 유기 반도체 물질과 비전도성 고분자가 용해된 용액을 코팅하고 용해도를 저하시켜, 반도체 나노 섬유가 상호 연결되어 네트워크 형태로 분산되어 있는 박막을 형성하는 단계;
    를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
  33. 삭제
  34. 제32항에 있어서, 상기 용액의 온도를 낮추어 용해도를 저하시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 용액은 상온에서 반도체 나노섬유가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법.
  36. 제32항에 있어서, 상기 용액의 용해도는 상기 용액에 난용매를 첨가하여 저하되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 난용매는 디옥산, 아세토니트릴, 또는 에탄올인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
  38. 제32항에 있어서, 상기 유기 반도체는 박막의 0.1-50 중량%인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
  39. 제32항에 있어서, 상기 용액은 스핀 캐스팅, 또는 드랍 캐스팅되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법.
  40. 제32항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 제조 방법.
  41. 제1항, 제3항 내지 제6항 및 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 유기 반도체 박막을 포함하는 전기 장치.
  42. 제1항, 제3항 내지 제6항 및 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 유기 반도체 박막을 포함하는 구조체.
KR1020080129436A 2008-12-18 2008-12-18 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터 KR101376494B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080129436A KR101376494B1 (ko) 2008-12-18 2008-12-18 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터
EP09833545.8A EP2377178B1 (en) 2008-12-18 2009-04-13 Method of manufacturing organic semiconductor nanofibrillar network dispersed in insulating polymer using a blend of organic semiconductor/insulating polymer and organic thin film transistor using the same
US13/140,612 US8692236B2 (en) 2008-12-18 2009-04-13 Method of manufacturing organic semiconductor nanofibrillar network dispersed in insulating polymer using a blend of organic semiconductor/insulating polymer and organic thin film transistor using the same
PCT/KR2009/001881 WO2010071267A1 (en) 2008-12-18 2009-04-13 Method of manufacturing organic semiconductor nanofibrillar network dispersed in insulating polymer using a blend of organic semiconductor/insulating polymer and organic thin film transistor using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080129436A KR101376494B1 (ko) 2008-12-18 2008-12-18 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100070749A KR20100070749A (ko) 2010-06-28
KR101376494B1 true KR101376494B1 (ko) 2014-03-19

Family

ID=42268919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080129436A KR101376494B1 (ko) 2008-12-18 2008-12-18 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8692236B2 (ko)
EP (1) EP2377178B1 (ko)
KR (1) KR101376494B1 (ko)
WO (1) WO2010071267A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519100B1 (ko) * 2014-04-03 2015-05-12 동국대학교 산학협력단 탄성물질이 포함된 반도체 활성층, 게이트 절연막 및 이들을 포함한 박막트랜지스터
US11283023B2 (en) 2017-06-08 2022-03-22 Corning Incorporated Doping of other polymers into organic semi-conducting polymers

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI460238B (zh) * 2011-12-15 2014-11-11 Ind Tech Res Inst 自組塗裝塗料、散熱板及其製造方法
KR101450514B1 (ko) * 2013-01-18 2014-10-15 연세대학교 산학협력단 전자 소자의 광활성층 형성용 용액을 현장에서 대량 생산하기 위한 방법 및 3차원 부직 구조를 갖는 광활성층을 포함하는 전자 소자
CN104183703A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 中国科学院大连化学物理研究所 纳米结构的全聚合物太阳电池及其制备方法
US10741766B2 (en) * 2016-05-12 2020-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device
KR101730389B1 (ko) * 2016-07-13 2017-04-26 광주과학기술원 공액 고분자와 절연체 고분자를 이용한 복합고분자 반도체 및 이의 제조방법
KR102065960B1 (ko) * 2017-12-07 2020-01-14 단국대학교 산학협력단 셀룰로오스 나노위스커를 포함하는 유기 반도체 소자 형성용 조성물 및 이를 포함하는 유기 트랜지스터
CN109004088A (zh) * 2018-07-07 2018-12-14 河南大学 一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040039425A (ko) * 2001-09-27 2004-05-10 도레이 가부시끼가이샤 유기 반도체 소재 및 이것을 사용한 유기 반도체 소자
KR20070121892A (ko) * 2006-06-23 2007-12-28 홍익대학교부설과학기술연구소 유-무기 혼합 절연체를 사용한 유기 박막 트랜지스터
JP2008147225A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005078770A2 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 The Regents Of The University Of California Active electronic devices with nanowire composite components
TWI228833B (en) * 2004-05-04 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Method for enhancing the electrical characteristics of organic electronic devices
US7351606B2 (en) * 2004-06-24 2008-04-01 Palo Alto Research Center Incorporated Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer
US20100127241A1 (en) 2005-02-25 2010-05-27 The Regents Of The University Of California Electronic Devices with Carbon Nanotube Components
GB0612929D0 (en) 2006-06-29 2006-08-09 Univ Cambridge Tech High-performance organic field-effect transistors based on dilute, crystalline-crystalline polymer blends and block copolymers
KR20080013297A (ko) 2006-08-08 2008-02-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040039425A (ko) * 2001-09-27 2004-05-10 도레이 가부시끼가이샤 유기 반도체 소재 및 이것을 사용한 유기 반도체 소자
KR20070121892A (ko) * 2006-06-23 2007-12-28 홍익대학교부설과학기술연구소 유-무기 혼합 절연체를 사용한 유기 박막 트랜지스터
JP2008147225A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタ

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
G. Lu et al, "Enhanced electrical conductivity of highly crystalline polythiophene/Insulating polymer composite", Macromolecules, Vol.40, pp.6579-6584, 2007.8.14. *
G. Lu et al, "Enhanced electrical conductivity of highly crystalline polythiophene/Insulating polymer composite", Macromolecules, Vol.40, pp.6579-6584, 2007.8.14.*

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519100B1 (ko) * 2014-04-03 2015-05-12 동국대학교 산학협력단 탄성물질이 포함된 반도체 활성층, 게이트 절연막 및 이들을 포함한 박막트랜지스터
US11283023B2 (en) 2017-06-08 2022-03-22 Corning Incorporated Doping of other polymers into organic semi-conducting polymers

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100070749A (ko) 2010-06-28
EP2377178B1 (en) 2014-07-16
EP2377178A1 (en) 2011-10-19
EP2377178A4 (en) 2013-05-22
US20120018708A1 (en) 2012-01-26
US8692236B2 (en) 2014-04-08
WO2010071267A1 (en) 2010-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101376494B1 (ko) 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터
Kang et al. Effective Use of Electrically Insulating Units in Organic Semiconductor Thin Films for High‐Performance Organic Transistors
Gaikwad et al. Identifying orthogonal solvents for solution processed organic transistors
Lu et al. Stretchable polymer dielectrics for low-voltage-driven field-effect transistors
Jung et al. A TIPS-TPDO-tetraCN-based n-type organic field-effect transistor with a cross-linked PMMA polymer gate dielectric
Baeg et al. Controlled charge transport by polymer blend dielectrics in top-gate organic field-effect transistors for low-voltage-operating complementary circuits
Khim et al. High performance and stable N-channel organic field-effect transistors by patterned solvent-vapor annealing
Yin et al. Vertical phase separation structure for high‐performance organic thin‐film transistors: Mechanism, optimization strategy, and large‐area fabrication toward flexible and stretchable electronics
WO2014136953A1 (ja) 有機半導体薄膜の作製方法
Li et al. Highly anisotropic P3HT film fabricated via epitaxy on an oriented polyethylene film and solvent vapor treatment
Bharti et al. Phase separation induced high mobility and electrical stability in organic field-effect transistors
Pan et al. Multicomponent blend systems used in organic field-effect transistors: charge transport properties, large-area preparation, and functional devices
Zhao et al. Engineering intrinsic flexibility in polycrystalline molecular semiconductor films by grain boundary plasticization
KR20100070652A (ko) 유기반도체/절연성 고분자 블렌드의 상분리를 이용한 다층 박막 제조방법 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
Park et al. Control of concentration of nonhydrogen-bonded hydroxyl groups in polymer dielectrics for organic field-effect transistors with operational stability
Li et al. Organic heterojunctions formed by interfacing two single crystals from a mixed solution
Han et al. Solvent-dependent electrical properties improvement of organic field-effect transistor based on disordered conjugated polymer/insulator blends
TWI752198B (zh) 有機半導體組成物、有機薄膜及有機薄膜電晶體
US9070881B2 (en) Method of manufacturing an organic semiconductor thin film
Chen et al. Microfluidic solution-processed organic and perovskite nanowires fabricated for field-effect transistors and photodetectors
Watanabe et al. Microcrystallization of a Solution-Processable Organic Semiconductor in Capillaries for High-Performance Ambipolar Field-Effect Transistors
Pan et al. Solvent vapor-assisted magnetic manipulation of molecular orientation and carrier transport of semiconducting polymers
Brandao et al. Solventless processing of conjugated polymers—A review
KR20100031036A (ko) 유기반도체/절연성 고분자 블렌드의 상분리를 이용한 유기 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막트랜지스터
TWI712602B (zh) 有機半導體組合物及包含其之有機薄膜、與其用途

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20120918

Effective date: 20140218

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee