KR101373635B1 - Apparatus for isolating and discharging noxious gas of semiconductor equipment - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 장비의 챔버에 안착되는 하우징 내에 복수개의 에어유도판에 의하여 유해가스 차단영역과 유해가스 배출경로를 형성하고, 유해가스 차단영역에 유해가스 차단용 에어를 분사하여 차단막을 형성함으로써 공정 완료 후 덮개를 열고 세척작업을 진행하는 과정에서 하우징 내에 잔류하는 유해가스가 작업자에게 직접 노출되지 않아 세척작업을 안전하게 진행할 수 있도록 한 것이다. 또한 본 발명은 챔버 내에 잔류하는 유해가스의 차단 및 배출과 동시에 세척작업을 진행할 수 있어 공정 멈춤 시간을 최소화하고, 공정효율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a device for blocking and discharging harmful gases for semiconductor equipment. The present invention forms a harmful gas blocking region and a harmful gas discharge path by a plurality of air induction plates in a housing seated in a chamber of a semiconductor device, and injects harmful gas blocking air into the harmful gas blocking region to form a blocking film. When the cover is opened after the completion of the cleaning process, no harmful gas remaining in the housing is directly exposed to the worker so that the cleaning process can be safely performed. In addition, the present invention can proceed with the cleaning operation simultaneously with the blocking and discharge of harmful gas remaining in the chamber to minimize the process down time, it is possible to improve the process efficiency.

Description

반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치{Apparatus for isolating and discharging noxious gas of semiconductor equipment}Apparatus for isolating and discharging noxious gas of semiconductor equipment}

본 발명은 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 반도체 장비에서의 공정 진행 과정에서 발생하여 챔버 내에 잔존하는 폴리머를 수작업으로 세척하는 과정에서 챔버 내에 잔류하는 유해가스가 작업자에게 직접 노출되지 않도록 함으로써 세척작업을 안전한 작업을 수행할 수 있도록 한 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for blocking and discharging harmful gases for semiconductor equipment, and more particularly, to remove hazardous gases remaining in a chamber during manual cleaning of polymers generated in a process of semiconductor equipment and remaining in the chamber. The present invention relates to a harmful gas blocking and discharging device for semiconductor equipment, in which cleaning can be performed safely by not being directly exposed to water.

종래 반도체 장비는 도 4에 도시한 바와 같이, 상단개구부(1a)를 가지는 챔버(1)와, 상기 챔버(1)의 상단 개방부를 개폐하는 덮개(2)와, 상기 챔버(1)의 내부 하측에 구비된 정전척(3)을 포함한다.As shown in FIG. 4, a conventional semiconductor device includes a chamber 1 having an upper opening 1 a, a lid 2 opening and closing an upper opening of the chamber 1, and an inner lower side of the chamber 1. It includes an electrostatic chuck (3) provided in.

상기 반도체 장비에는 챔버(1) 내에 발생되는 유해가스를 배출시키기 위한 이동식 배기포트(4)가 구비된다. 상기 이동식 배기포트(4)는 상기 챔버(1)의 상단 개구부(1a)를 감싸는 흡입부(4a)와, 상기 흡입부(4a)를 반도체 제조 공장에 구비된 배기라인(미도시)에 연결하는 가요성 연결관(4b)으로 구성된다(도 4의 점선 표시 부분 참조).The semiconductor equipment is provided with a movable exhaust port 4 for discharging the noxious gas generated in the chamber 1. The movable exhaust port 4 connects the suction part 4a surrounding the upper opening 1a of the chamber 1 and the suction part 4a to an exhaust line (not shown) provided in a semiconductor manufacturing factory. It consists of a flexible connector 4b (see dotted line in FIG. 4).

이러한 종래의 반도체 장비는 상기 챔버(1) 내의 정전척(3)에 안착된 웨이퍼를 가공하는 공정을 수행한다. 반도체 공정이 진행되는 동안 상기 이동식 배기포트(4)는 챔버(1)의 일측에 위치하게 된다.Such conventional semiconductor equipment performs a process of processing a wafer seated on the electrostatic chuck 3 in the chamber 1. The mobile exhaust port 4 is located at one side of the chamber 1 during the semiconductor process.

반도체 공정에서는 챔버(1)의 내부공간에 폴리머가 잔존하게 되고, 일정한 회차의 공정이 진행되면 챔버(1)의 내부공간에 잔존하는 폴리머를 제거하기 위한 세척작업을 진행하게 된다.In the semiconductor process, the polymer remains in the interior space of the chamber 1, and when a constant turn is performed, a cleaning operation for removing the polymer remaining in the interior space of the chamber 1 is performed.

세척작업에서는 덮개(2)를 개방하고 작업자가 수세미와 DI 워터와 에탄올을 사용한 수작업으로 챔버(1) 내에 잔존하는 폴리머를 세척한다.In the cleaning operation, the cover 2 is opened and the worker washes the polymer remaining in the chamber 1 by hand using a loofah, DI water and ethanol.

한편, 반도체 공정에서는 치명적인 유해가스와 분진(이하, '유해가스'로 통칭함)이 발생하게 되므로 덮개(2)를 개방하고 작업자가 수작업으로 챔버(1) 내에 잔존하는 폴리머를 세척하는 과정에서 작업자가 치명적인 유해가스에 노출되어 치명적인 피해를 입을 염려가 있다.On the other hand, in the semiconductor process, fatal harmful gas and dust (hereinafter referred to as 'harmful gas') are generated, so that the worker opens the cover 2 and the worker manually cleans the remaining polymer in the chamber 1. May cause fatal damage due to exposure to deadly harmful gases.

따라서 종래에는 세척작업을 시작하기 전에 상기 이동식 배기포트(4)의 흡입부(4a)를 챔버(1)의 상단 개구부(1a)에 씌워서 챔버(1) 내에 잔류하는 유해가스가 흡입부(4a) 및 연결관(4b)을 통해 배기라인을 통해 배출되도록 한 다음, 이동식 배기포트(4)를 원위치시키고 상단 개구부(1a)를 통해 세척작업을 진행한다.Therefore, conventionally, the intake portion 4a of the movable exhaust port 4 is covered with the upper opening portion 1a of the chamber 1 before starting the cleaning operation so that noxious gas remaining in the chamber 1 is sucked in the intake portion 4a. And it is discharged through the exhaust line through the connecting pipe (4b), and then the mobile exhaust port (4) to the original position and proceeds to the cleaning operation through the upper opening (1a).

그러나 이동식 배기포트(4)를 통한 유해가스의 배출은 많은 시간이 소요될 뿐만 아니라 완벽한 배출이 이루어지지 않기 때문에 세척작업을 수행하는 작업자가 치명적인 유해가스에 의한 피해를 완전히 배제할 수 없다.However, the exhaust of the harmful gas through the mobile exhaust port 4 takes a lot of time, and because the perfect discharge is not achieved, the worker performing the cleaning operation can not completely exclude the damage caused by the deadly harmful gas.

특히 세척작업을 하기 위해서는 작업자가 상단개구부(1a)를 통해 챔버(1) 내부를 들여다보면서 작업을 수행하게 되는데 작업자의 얼굴 부분이 챔버(1)의 직상부에 근접한 상태로 작업을 수행하게 되므로 마스크를 착용하기는 하지만 작업자가 유해가스로부터 안전할 수는 없다.In particular, in order to perform the cleaning work, the operator looks into the inside of the chamber 1 through the upper opening 1a, and the work is performed while the face of the worker is near the upper portion of the chamber 1 so that the mask is performed. Although worn, the worker is not safe from harmful gases.

통계에 따르면 2009년 2~7월까지 6개월간 국내의 한 반도체 제조업체에서는 공장 생산라인 가스 검지기 경보가 46회 발생하였으며, 가스 누출 시간은 10분 이내가 약 89%이고, 최고 5729초(1시간 35분)까지 진행된 예도 있으며, 46건의 경보 발생에 대한 원인을 파악한 결과 세척작업시 SOP(표준 작업 절차서)를 지켰다고 하더라도 잔류 유해가스의 영향으로 가스 경보가 발생한 것은 25건 54%에 달하는 것으로 달하는 것으로 분석되었다.According to the statistics, for six months from February to July 2009, a Korean semiconductor manufacturer generated 46 gas detector alarms for the factory production line, and the gas leak time was about 89% within 10 minutes, up to 5729 seconds (1 hour 35). In the case of 46 alarms, the cause of 46 alarms was identified. Even if the SOP (standard work procedure) was observed during the cleaning operation, 25% of gas alarms occurred due to the influence of residual harmful gas. Analyzed.

또한 종래의 반도체 장비에서는 세척작업을 위하여 이동식 배기포트(4)에 의해 유해가스를 배출시키는 데에 소요되는 시간이 길어지는 만큼 공정 멈춤 시간이 길어지게 되어 공정 효율이 저하되는 문제점이 있다.In addition, the conventional semiconductor equipment has a problem in that the process stop time is increased as the time required for discharging the noxious gas by the mobile exhaust port 4 for the cleaning operation becomes longer, thereby lowering the process efficiency.

따라서 본 발명의 목적은 반도체 장비에서의 공정 진행 과정에서 발생하여 챔버 내에 잔존하는 폴리머를 수작업으로 세척하는 과정에서 챔버 내에 잔류하는 유해가스가 작업자에게 직접 노출되지 않도록 함으로써 세척작업을 안전한 작업을 수행할 수 있도록 한 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치를 제공하려는 것이다.Therefore, an object of the present invention is to perform a safe operation by preventing the harmful gas remaining in the chamber is not directly exposed to the worker in the process of manually cleaning the polymer remaining in the chamber generated during the process in the semiconductor equipment. It aims to provide harmful gas blocking and discharging devices for semiconductor equipment.

본 발명의 다른 목적은 챔버 내에 잔류하는 유해가스의 차단 및 배출과 동시에 세척작업을 진행할 수 있어 공정 멈춤 시간이 최소화되고 공정효율이 향상되도록 한 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치를 제공하려는 것이다.Another object of the present invention is to provide a harmful gas blocking and discharging device for semiconductor equipment to minimize the process down time and improve the process efficiency can be carried out simultaneously with the blocking and discharge of harmful gas remaining in the chamber.

본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 덮개에 의해 개폐되는 상단개구부를 가지며 내부 하측에 정전척이 구비되는 반도체 장비용 챔버의 상면에 안착되며 상기 상단개구부에 대응하는 하단개구부와 상단에 형성된 상단개구부를 가지는 하우징과; 상기 하우징 내에 설치되어 상기 하우징의 내부공간을 내측의 유해가스 차단영역과 상기 하우징의 외벽과의 사이의 유해가스 배출경로로 구획하며, 상기 유해가스 차단영역과 유해가스 배출경로를 연통시키는 연통공이 구비되는 복수개의 에어유도판과; 상기 하우징에 설치되어 상기 유해가스 차단영역에 유해가스 차단용 에어를 분사하는 에어분사노즐과; 상기 하우징의 일측벽에 형성되는 배기공; 및 상기 유해가스 배기공에 연결되는 배기관을 포함하여 구성되는 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention has an upper opening that is opened and closed by a cover, and is mounted on an upper surface of a chamber for a semiconductor equipment provided with an electrostatic chuck on a lower side thereof, and an upper opening formed at an upper end and a lower opening corresponding to the upper opening. A housing having an opening; It is installed in the housing and partitions the inner space of the housing to the harmful gas discharge path between the harmful gas blocking area and the outer wall of the inside, there is provided a communication hole for communicating the harmful gas blocking area and the harmful gas discharge path. A plurality of air induction plates; An air injection nozzle installed in the housing for injecting harmful gas blocking air into the harmful gas blocking area; An exhaust hole formed in one side wall of the housing; And it provides a harmful gas blocking and discharge device for semiconductor equipment comprising an exhaust pipe connected to the harmful gas exhaust hole.

상기 에어유도판은 상기 하우징의 상단개구부의 중심을 기준으로 하여 회전대칭형으로 배열되며, 배열직경은 상기 챔버의 상단개구부 내경보다 크게 하는 것이 바람직하다.The air guide plate is arranged in a rotationally symmetrical type with respect to the center of the upper opening of the housing, the array diameter is preferably larger than the inner diameter of the upper opening of the chamber.

상기 에어유도판은 안쪽으로 오목한 만곡형으로 형성하는 것이 바람직하다.The air induction plate is preferably formed in a curved concave inward.

상기 에어유도판 중 상기 배기공에 대응하는 에어유도판에는 유해가스 배출경로를 유동하는 유해가스를 배기공으로 유도하기 위한 배기유도부를 형성하는 것이 바람직하다.In the air induction plate of the air induction plate corresponding to the exhaust hole, it is preferable to form an exhaust induction part for guiding the harmful gas flowing in the harmful gas discharge path to the exhaust hole.

상기 에어분사노즐은 상기 에어유도판을 관통하여 상기 유해가스 차단영역에 유해가스 차단용 에어를 분사하도록 설치할 수 있다.The air injection nozzle may be installed to penetrate the air induction plate to inject harmful gas blocking air into the harmful gas blocking area.

상기 에어분사노즐은 상기 에어유도판의 연통공을 통해 상기 유해가스 차단영역에 유해가스 차단용 에어를 분사하도록 설치할 수 있다.The air injection nozzle may be installed to inject harmful gas blocking air to the harmful gas blocking area through the communication hole of the air induction plate.

본 발명은 반도체 장비의 하우징 내에 복수개의 에어유도판에 의하여 유해가스 차단영역과 유해가스 배출경로를 형성하고, 유해가스 차단영역에 유해가스 차단용 에어를 분사하여 차단막을 형성함으로써 공정 완료 후 덮개를 열고 세척작업을 진행하더라도 하우징 내에 잔류하는 유해가스가 작업자에게 직접 노출되지 않아 공정을 안전하게 진행할 수 있다.The present invention forms a harmful gas blocking region and a harmful gas discharge path by a plurality of air induction plate in the housing of the semiconductor equipment, and sprays the air for harmful gas blocking to the harmful gas blocking region to form a blocking film, thereby completing the cover. Even if the opening and cleaning work is carried out, the harmful gas remaining in the housing is not directly exposed to the worker, so the process can be safely performed.

또한 본 발명은 챔버 내에 잔류하는 유해가스의 차단 및 배출과 동시에 세척작업을 진행할 수 있어 공정 멈춤 시간을 최소화하고, 공정효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can proceed with the cleaning operation simultaneously with the blocking and discharge of harmful gas remaining in the chamber to minimize the process down time, it is possible to improve the process efficiency.

도 1 내지 도 3은 본 발명에 의한 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치의 바람직한 실시예를 보인 것으로,
도 1은 반도체 장비용 챔버 위에 안착한 상태를 보인 사시도,
도 2는 하우징의 상판을 분리한 상태의 분해 사시도,
도 3은 횡단 평면도,
도 4는 종래 반도체 장비용 챔버의 사시도이다.1 to 3 shows a preferred embodiment of the harmful gas blocking and exhaust device for semiconductor equipment according to the present invention,
1 is a perspective view showing a state seated on a chamber for semiconductor equipment,
2 is an exploded perspective view of a state in which the upper plate of the housing is separated;
3 is a cross-sectional plan view,
4 is a perspective view of a chamber for a conventional semiconductor equipment.

이하, 본 발명에 의한 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the harmful gas blocking and exhaust device for semiconductor equipment according to the present invention will be described in detail.

도 1 내지 도 3은 본 발명에 의한 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치의 바람직한 실시예를 보인 것이다.1 to 3 show a preferred embodiment of the harmful gas blocking and exhaust device for semiconductor equipment according to the present invention.

본 실시예에 따른 유해가스 차단 및 배출장치가 적용된 반도체 장비는 상단개구부(1a)를 가지는 챔버(1)와; 상기 챔버(1)의 개구부(1a)를 개폐하는 덮개(2)와; 상기 챔버(1)의 내부 하측에 구비되는 정전척(3)을 포함하여 구성된다.(도 1 및 도 4 참조).The semiconductor device to which the noxious gas blocking and discharging device according to the present embodiment is applied includes: a chamber 1 having an upper opening 1a; A cover (2) for opening and closing the opening (1a) of the chamber (1); It is configured to include an electrostatic chuck (3) provided in the lower side of the chamber (1) (see Figs. 1 and 4).

본 실시예에 따른 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치는, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 장비용 챔버(1)의 상면에 안착되며 상기 상단개구부(1a)에 대응하는 하단개구부(11)와 상단에 형성된 상단개구부(12)를 가지는 하우징(10)과; 상기 하우징(10) 내에 설치되어 상기 하우징(10)의 내부공간을 내측의 유해가스 차단영역(A)과 상기 하우징(10)의 외벽과의 사이의 유해가스 배출경로(P)로 구획하며, 상기 유해가스 차단영역(A)과 유해가스 배출경로(P)를 연통시키는 연통공(21)이 구비되는 복수개(도면에서는 4개)의 에어유도판(20)과; 상기 하우징(10)에 설치되어 상기 유해가스 차단영역(A)에 유해가스 차단용 에어를 분사하는 에어분사노즐(30)과; 상기 하우징(10)의 일측벽에 형성되는 배기공(40); 및 상기 유해가스 배기공(40)에 연결되는 배기관(50)을 포함한다.As shown in FIGS. 1 to 3, the harmful gas blocking and discharging device for semiconductor equipment according to the present embodiment is seated on the upper surface of the chamber 1 for semiconductor equipment and corresponds to the lower opening 1a. A housing 10 having an upper end opening 12 formed at an upper end thereof; Is installed in the housing 10 and partitions the internal space of the housing 10 into a harmful gas discharge path (P) between the harmful gas blocking area (A) of the inner side and the outer wall of the housing 10, A plurality of air induction plates 20 having four communicating holes 21 for communicating the harmful gas blocking area A and the harmful gas discharge path P; An air spray nozzle (30) installed in the housing (10) for injecting harmful gas blocking air into the hazardous gas blocking area (A); An exhaust hole 40 formed in one side wall of the housing 10; And an exhaust pipe 50 connected to the harmful gas exhaust hole 40.

상기 하우징(10)은 반도체 장비의 챔버(1)에서 공정이 완료된 후 상기 챔버(1)의 덮개(2)를 개방하고 챔버(1)의 상면에 안착시켰을 때 그 내부공간이 상기 하단개구부(11)가 챔버(1)의 상단개구부(1a)를 통해 챔버(1)의 내부공간에 연통되는 것이며, 공정이 진행되는 동안에는 챔버(1)와는 별도의 위치에서 대기하게 된다.When the housing 10 has completed the process in the chamber 1 of the semiconductor equipment, when the cover 2 of the chamber 1 is opened and seated on the upper surface of the chamber 1, the inner space thereof is the lower opening 11. ) Is to communicate with the inner space of the chamber 1 through the upper opening (1a) of the chamber (1), while the process is in progress to stand in a separate position from the chamber (1).

상기 에어유도판(20)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 상기 하우징(10)의 상단개구부(12)의 중심을 기준으로 하여 회전대칭형으로 배열되며, 배열직경은 상기 챔버(1)의 상단개구부(1a) 내경보다 크게 하는 것이 바람직하다.The air induction plate 20 is arranged in a rotationally symmetrical type with respect to the center of the upper opening 12 of the housing 10 as shown in Figures 1 to 3, the array diameter of the chamber (1) It is preferable to make it larger than the inside diameter of the upper opening part 1a.

상기 에어유도판(20)은 유해가스 차단영역(A)의 형성과 유해가스 배출경로(P)에서의 유해가스 유동이 효과적으로 이루어지도록 하기 위하여 안쪽으로 오목한 만곡형으로 형성하는 것이 바람직하다.The air induction plate 20 is preferably formed in a concave curving shape in order to effectively form the harmful gas blocking region (A) and the harmful gas flow in the harmful gas discharge path (P).

상기 에어유도판(20) 중 상기 배기공(40)에 대응하는 에어유도판(20)의 일단에는 상기 유해가스 배출경로(P)를 따라 유동하는 유해가스가 배기공(40) 측으로 유동방향을 변경할 때 유동저항을 최소화하기 위한 배기유도부(22)를 형성하는 것이 바람직하다.At one end of the air induction plate 20 of the air induction plate 20 corresponding to the exhaust hole 40, noxious gas flowing along the harmful gas discharge path P is directed toward the exhaust hole 40. When changing, it is preferable to form the exhaust induction part 22 to minimize the flow resistance.

상기 에어분사노즐(30)은 상기 하우징(10)의 내부공간의 상층에 유해가스 차단용 에어를 분사할 수 있도록 배치된다.The air spray nozzle 30 is disposed to inject harmful gas blocking air into the upper layer of the inner space of the housing 10.

상기 에어분사노즐(30)의 노즐공은 원형 구멍으로 형성할 수도 있으나 분사되는 유해가스 차단용 에어가 넓은 차단막을 형성할 수 있도록 하기 위하여 수평 방향으로 기다란 장방형 또는 장원형으로 형성할 수도 있다.The nozzle hole of the air injection nozzle 30 may be formed in a circular hole, but may be formed in an elongated rectangular or oblong shape in the horizontal direction so as to form a wide shielding film for the harmful gas blocking air to be injected.

상기 에어분사노즐(30)은 도시예와 같이 상기 에어유도판(20)의 연통공(21)에 위치시킬 수도 있으나, 상기 에어유도판(20)을 관통하도록 위치시킬 수도 있다.The air injection nozzle 30 may be positioned in the communication hole 21 of the air induction plate 20 as shown in the example, or may be positioned to penetrate the air induction plate 20.

상기 에어분사노즐(30)은 유해가스 차단용 에어 공급원(미도시)에 에어공급라인(미도시)을 통해 연결된다.The air injection nozzle 30 is connected to an air supply source (not shown) for blocking harmful gas through an air supply line (not shown).

상기 배기관(50)은 통상적인 진공펌프 등의 배기펌프(미도시)에 연결된다.The exhaust pipe 50 is connected to an exhaust pump (not shown), such as a conventional vacuum pump.

이하, 본 발명에 의한 반도체 장비의 유해가스 차단 및 배출장치의 작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the harmful gas blocking and discharging device of the semiconductor equipment according to the present invention will be described.

본 발명에 의한 유해가스 차단 및 배출장치가 적용된 반도체 장비에 의하여 반도체 공정을 진행함에 있어서는 챔버(1)의 내부공간에 폴리머가 잔존하게 됨과 아울러 치명적인 유해가스가 발생하게 되며, 일정 회차만큼 공정이 진행되면, 덮개(2)를 개방하고 세척작업을 진행하게 된다.In the process of semiconductor processing by the semiconductor equipment to which the noxious gas blocking and discharging device according to the present invention is applied, the polymer remains in the interior space of the chamber 1 and the fatal harmful gas is generated, and the process proceeds by a certain turn. When the cover 2 is opened, the washing operation is performed.

본 발명에 의한 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치를 이용하여 세척작업을 수행함에 있어서는 챔버(1)의 덮개(2)를 개방하고, 챔버(1) 위에 상기 하우징(10)을 안착시켜 하우징(10)의 하단개구부(11)와 챔버(1)의 상단개구부(1a)를 통해 챔버(1)의 내부공간과 하우징(10)의 내부공간이 연통하게 한 상태에서 상단개구부(12)와 하우징(10)의 내부공간, 하단개구부(11) 및 챔버(1)의 상단개구부(1a)를 통해 챔버(1) 내부공간에 잔존하는 폴리머를 작업자가 수작업으로 세척한다.In performing the cleaning operation using the harmful gas blocking and discharging device for semiconductor equipment according to the present invention, the cover 2 of the chamber 1 is opened, and the housing 10 is seated on the chamber 1 so as to provide a housing ( 10 through the lower opening 11 and the upper opening 1a of the chamber 1 in a state where the internal space of the chamber 1 and the internal space of the housing 10 communicate with each other. An operator manually washes the polymer remaining in the internal space of the chamber 1 through the internal space of the internal space 10, the lower opening 11, and the upper opening 1a of the chamber 1.

이때, 상기 에어분사노즐(30)을 통하여 유해가스 차단용 에어를 분사하면, 유해가스 차단용 에어가 하우징(10) 내부공간의 유해가스 차단영역(A)에 차단막을 형성하게 되고, 챔버(1) 내에 잔류하고 있는 유해가스가 상승하게 되더라도 상기 유해가스 차단용 에어에 의해 형성된 차단막에 의하여 차단되어 작업자가 유해가스에 노출되는 일이 없게 된다.At this time, when the harmful gas blocking air is injected through the air injection nozzle 30, the harmful gas blocking air forms a blocking film in the harmful gas blocking area A of the inner space of the housing 10, the chamber (1) Even if the harmful gas remaining in the) rises, it is blocked by the blocking film formed by the harmful gas blocking air so that the worker is not exposed to the harmful gas.

상기 에어분사노즐(30)에서 분사되는 유해가스 차단용 에어는 하우징(10)의 내부공간에 차단막을 형성함과 아울러 배기공(40)과 배기관(50)에 연결된 배기펌프(미도시)의 흡인력에 의하여 유해가스 차단영역(A)에서 연통공(21)을 통해 유해가스 배출경로(P)로 유입되고, 유해가스 배출경로(P)로 유입된 유해가스 차단용 에어는 배기공(40)과 배기관(50)을 통해 배기된다.The harmful gas blocking air injected from the air injection nozzle 30 forms a blocking film in the inner space of the housing 10, and a suction force of an exhaust pump (not shown) connected to the exhaust hole 40 and the exhaust pipe 50. By the harmful gas blocking area (A) is introduced into the harmful gas discharge path (P) through the communication hole (21), the harmful gas blocking air flows into the harmful gas discharge path (P) is the exhaust hole (40) and It is exhausted through the exhaust pipe 50.

또한 상기 챔버(1) 내에 잔류하는 유해가스가 챔버(1)의 상단개구부(1a)와 하우징(10)의 하단개구부(11)를 통해 하우징(10)의 내부공간으로 상승한 경우, 상술한 유해가스 차단용 에어에 의해 형성된 차단막에 의해 차단됨과 아울러 유해가스 차단용 에어와 함께 배기공(40) 및 배기관(50)을 통해 배기되므로 작업자가 유해가스에 노출될 염려가 없게 된다.In addition, when the noxious gas remaining in the chamber 1 rises to the internal space of the housing 10 through the upper opening 1a of the chamber 1 and the lower opening 11 of the housing 10, the above-mentioned harmful gas In addition to being blocked by the blocking film formed by the blocking air, the exhaust gas is discharged through the exhaust hole 40 and the exhaust pipe 50 together with the harmful gas blocking air, so that the worker may not be exposed to the harmful gas.

한편, 상기 유해가스 배출경로(P)로 유입된 유해가스는 배기공(40)에 이르렀을 때 배기유도부(22)에 의해 안내되어 배기공(40)으로 유도되므로 유해가스의 배기가 원활하게 이루어지게 된다.On the other hand, the harmful gas introduced into the harmful gas discharge path (P) is guided by the exhaust induction part 22 when it reaches the exhaust hole 40 is guided to the exhaust hole 40, the exhaust of the harmful gas is made smoothly You lose.

따라서 상기 하우징(10) 내에 유해가스가 잔류하는 경우에도 상기 덮개(20)를 열고 세척작업을 진행하더라도 유해가스가 상단개구부(12)를 통해 유출되지 않고 에어분사노즐(30)에서 분사된 유해가스 차단용 에어에 의해 형성된 차단막에 의해 차단된 상태에서 유해가스 배출경로(P)와 배기공(40) 및 배기관(50)을 통해 배기되므로 작업자가 유해가스에 직접 노출될 염려가 없어 세척작업을 안전하게 수행할 수 있게 된다.Therefore, even when noxious gas remains in the housing 10, even if the cover 20 is opened and the cleaning operation is performed, noxious gas is injected through the air spray nozzle 30 without being discharged through the upper opening 12. Since it is exhausted through the harmful gas discharge path (P), the exhaust hole 40 and the exhaust pipe 50 in the state blocked by the blocking film formed by the blocking air, the worker does not have to worry about being directly exposed to the harmful gas. It can be done.

또한 챔버(1) 내에 잔류하는 유해가스의 차단 및 배출과 동시에 세척작업을 진행할 수 있어 공정 멈춤 시간을 최소화하고, 공정효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the cleaning operation can be performed at the same time as the blocking and discharging of harmful gas remaining in the chamber 1, thereby minimizing process downtime and improving process efficiency.

한편, 상기 에어분사노즐(30)에서 분사되는 유해가스 차단용 에어가 하우징(10) 내에서 난류를 형성하는 경우에는 하우징(10) 내의 유해가스가 유해가스 차단용 에어와 혼합되면서 개구부(11)를 통해 외부로 유출될 수 있으므로 유해가스 차단용 에어가 난류를 형성하지 않도록 분사하는 것이 바람직하다.On the other hand, when the harmful gas blocking air injected from the air injection nozzle 30 forms a turbulent flow in the housing 10, the harmful gas in the housing 10 is mixed with the harmful gas blocking air opening 11 Since it may be leaked to the outside through the harmful gas blocking air is preferably sprayed so as not to form turbulence.

이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

1 : 챔버 1a : 상단개구부
10 : 하우징 11 : 하단개구부
12 : 상단개구부 20 : 에어유도판
21 : 연통공 22 : 배기유도부
30 : 에어분사노즐 40 : 배기공
50 : 배기관 A : 유해가스 차단영역
P : 유해가스 배출경로1: Chamber 1a: Top Opening
10: housing 11: lower opening
12: upper opening 20: air induction plate
21: communication hole 22: exhaust guide portion
30: air spray nozzle 40: exhaust hole
50: exhaust pipe A: hazardous gas blocking area
P: Hazardous Gas Emission Path

Claims (6)

덮개(2)에 의해 개폐되는 상단개구부(1a)를 가지며 내부 하측에 정전척(3)이 구비되는 반도체 장비용 챔버(1)의 상면에 안착되며 상기 상단개구부(1a)에 대응하는 하단개구부(11)와 상단에 형성된 상단개구부(12)를 가지는 하우징(10)과;
상기 하우징(10) 내에 설치되어 상기 하우징(10)의 내부공간을 내측의 유해가스 차단영역(A)과 상기 하우징(10)의 외벽과의 사이의 유해가스 배출경로(P)로 구획하며, 상기 유해가스 차단영역(A)과 유해가스 배출경로(P)를 연통시키는 연통공(21)이 구비되는 복수개의 에어유도판(20)과;
상기 하우징(10)에 설치되어 상기 유해가스 차단영역(A)에 유해가스 차단용 에어를 분사하는 에어분사노즐(30)과;
상기 하우징(10)의 일측벽에 형성되는 배기공(40); 및
상기 유해가스 배기공(40)에 연결되는 배기관(50)을 포함하여 구성되는 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치.The lower opening (10a) is mounted on the upper surface of the chamber (1) for semiconductor equipment having an upper opening (1a) that is opened and closed by the cover (2) and is provided with an electrostatic chuck (3) in the lower side (the lower opening (1a) 11) and a housing 10 having an upper opening 12 formed at an upper end thereof;
Is installed in the housing 10 and partitions the internal space of the housing 10 into a harmful gas discharge path (P) between the harmful gas blocking area (A) of the inner side and the outer wall of the housing 10, A plurality of air induction plates 20 having communication holes 21 communicating the harmful gas blocking area A and the harmful gas discharge path P;
An air spray nozzle (30) installed in the housing (10) for injecting harmful gas blocking air into the hazardous gas blocking area (A);
An exhaust hole 40 formed in one side wall of the housing 10; And
A harmful gas blocking and discharging device for semiconductor equipment, comprising an exhaust pipe (50) connected to the harmful gas exhaust hole (40). 제1항에 있어서,
상기 에어유도판(20)은 상기 하우징(10)의 상단개구부(12)의 중심을 기준으로 하여 회전대칭형으로 배열되며, 배열직경은 상기 챔버(1)의 상단개구부(1a) 내경보다 크게 한 것을 특징으로 하는 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치.The method of claim 1,
The air induction plate 20 is arranged in a rotationally symmetrical type with respect to the center of the upper opening 12 of the housing 10, the array diameter is larger than the inner diameter of the upper opening (1a) of the chamber (1) Hazardous gas blocking and discharge device for semiconductor equipment. 제1항에 있어서,
상기 에어유도판(20)은 안쪽으로 오목한 만곡형으로 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치.The method of claim 1,
The air induction plate 20 is a harmful gas blocking and exhaust device for semiconductor equipment, characterized in that formed in a concave curved shape inward. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에어유도판(20) 중 상기 배기공(40)에 대응하는 에어유도판(20)에는 유해가스 배출경로(P)를 유동하는 유해가스를 배기공(40)으로 유도하기 위한 배기유도부(22)가 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
In the air induction plate 20 of the air induction plate 20 corresponding to the exhaust hole 40, an exhaust induction part 22 for inducing harmful gas flowing in the harmful gas discharge path P to the exhaust hole 40. ) Harmful gas blocking and exhaust device for semiconductor equipment, characterized in that formed. 제1항에 있어서,
상기 에어분사노즐(30)은 상기 에어유도판(20)을 관통하여 상기 유해가스 차단영역(A)에 유해가스 차단용 에어를 분사하도록 설치됨을 특징으로 하는 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치.The method of claim 1,
The air injection nozzle (30) penetrates through the air induction plate (20) harmful gas blocking and discharge device for semiconductor equipment, characterized in that it is installed to spray the harmful gas blocking air to the harmful gas blocking area (A). 제1항에 있어서,
상기 에어분사노즐(30)은 상기 에어유도판(20)의 연통공(21)을 통해 상기 유해가스 차단영역(A)에 유해가스 차단용 에어를 분사하도록 설치됨을 특징으로 하는 반도체 장비용 유해가스 차단 및 배출장치.The method of claim 1,
The air injection nozzle 30 is a harmful gas for semiconductor equipment, characterized in that it is installed to inject the harmful gas blocking air to the harmful gas blocking area (A) through the communication hole 21 of the air induction plate 20. Shutdown and discharge device.
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