KR101363880B1 - 스퍼터링 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟; 상기 스퍼터링 타겟의 일 측면에 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되어 피처리체가 안착되는 피처리체 지지부; 및 상기 스퍼터링 타겟을 사이에 두고, 상기 스퍼터링 타겟의 타 측면에 배치되는 제1 마그네트 모듈과, 상기 제1 마그네트 모듈과의 상호 작용에 의해 자계를 형성하도록 상기 스퍼터링 타겟의 일 측면에 배치되는 제2 마그네트 모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 종래의 마그네트 구조에서 발생하는 홈(Trench)이 제거되어 제1 마그네트 모듈과 제2 마그네트 모듈이 위치하는 영역의 스퍼터링 타겟의 전면에서 스퍼터링 물질이 고르게 소모됨으로써, 스퍼터링 타겟의 사용 효율을 증가시킬 수 있게 된다.

Description

스퍼터링 장치{SPUTTERING APPARATUS}
본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 스퍼터링 타겟의 전면에 균일한 자계가 형성되어 스퍼터링 타겟의 사용 효율을 현저히 높일 수 있는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
일반적으로 스퍼터링(Sputtering) 공정은 반도체 직접회로, LCD(Liquid Crystal Display), 태양 전지 등을 구성하는 도체나 부도체의 소재로 박막을 증착하는 주된 방법으로 널리 사용되고 있다. 특히, 대면적의 박막을 증착하기 위한 평면 마그네트론 스퍼터링 방식이 일반적으로 사용되고 있다.
평면 마그네트론 스퍼터링 방식은 평판 형상의 스퍼터링 타겟(Target) 후방에 한 쌍의 자극들을 가진 마그네트를 배치시켜 스퍼터링 타겟의 전면에 평행한 자계가 형성되도록 한다. 이러한 자계에 의해 마그네트에 인접한 영역에 고밀도의 플라즈마가 형성되어 스퍼터링 공정 속도가 향상된다.
도 1은 종래의 스퍼터링 장치(100)를 도시한 도면이다. 종래의 스퍼터링 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(110), 스퍼터링 타겟(130), 피처리체 지지부(120) 및 복수의 자석 부재(141,142a,142b)를 포함한다.
챔버(110)는 스퍼터링 공정의 대상물인 피처리체(W)를 외부와 격리시켜 스퍼터링 공정이 수행되는 진공된 밀폐 공간을 제공한다. 여기서, 챔버(110)에는 피처리체(W)가 챔버(110) 내부에 유입 및 반출되기 위한 도어(미도시), 공정 가스의 유입 및 배출을 위한 유입구(112) 및 배기구(111)가 마련된다.
스퍼터링 타겟(130)은 피처리체(W)로부터 일정 간격 이격된 상태로 위치하도록 챔버(110) 내부에 배치된다. 여기서, 스퍼터링 타겟(130)은 백킹 플레이트(131)에 의해 지지되어 피처리체(W)로부터 이격된 상태로 위치하게 된다.
피처리체 지지부(120)는 스퍼터링 타겟(130)의 일 측면에 이격된 상태로 대향하게 배치된다. 따라서, 반도체 웨이퍼, LCD(Liquid Crystal Display), 태양 전지와 같은 피처리체(W)가 피처리체 지지부(120)에 안착됨에 따라, 피처리체(W)가 스퍼터링 타겟(130)으로부터 이격된 상태로 챔버(110) 내부에 수용될 수 있다.
자석 부재(141,142a,142b)는 요크 플레이트(143)에 의해 지지되어 스퍼터링 타겟(130)의 후방, 즉 스퍼터링 타겟(130)을 중심으로 피처리체(W)의 반대편에 위치한다. 그리고, 자석 부재(141,142a,142b)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 중심에 제1 자석 부재(141)가 배치되고, 양측에 한 쌍의 제2 자석 부재(142a,142b)가 배치된다.
도 2는 종래의 스퍼터링 장치(100)에서 스퍼터링 타겟(130)의 전면에 형성된 자계(MF)를 나타낸 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 스퍼터링 장치(100)에서는 스퍼터링 타겟(130)의 전면의 모든 영역에 균일한 자계(MF)가 형성되지 않아, 소위 레이스트랙(Racetrack)이라 불리는 홈(Trench)이 형성된다. 이와 같은 레이스트랙은 스퍼터링 공정이 진행될수록 크기가 점차적으로 켜져 스퍼터링 타겟(130)의 특정 부분만을 소모시키게 되는데, 이는 스퍼터링 타겟(130)의 다른 부분에 충분한 스퍼터링 물질이 존재하더라도 더 이상 스퍼터링 타겟(130)을 사용할 수 없게 하는 문제를 야기한다.
이와 같은 이유로 스퍼터링 타겟(130)의 사용 효율은 40%를 넘지 못한 상태에서 교체되는데, 이는 스퍼터링 타겟(130)에 소요되는 비용을 증가시킬 뿐만 아니라, 잦은 스퍼터링 타겟(130)의 교체로 인해 공정 시간 또한 증가시키게 된다. 또한, 불균일한 자계(MF)에 의해 피처리체(W)의 표면에 증착되는 박막의 균일도도 저하되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 스퍼터링 타겟(130)의 후방에 배치되는 자석 부재(141,142a,142b)를 이동시켜서 균일한 자계(MF)를 형성하는 방법과 같이 스퍼터링 타겟(130)의 효율을 증가시키기 위한 연구가 지속되고 있으며, 본 발명의 출원인에 의해 출원되어 기 등록된 한국등록특허 제1053054호에 개시된 '마그네트론 스퍼터링 장치'에서도 상하 방향으로 상대 이동하는 내측 마그네트와 외측 마그네트 구조를 제안한 바 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 스퍼터링 타겟의 전면에 균일한 자계가 형성되어 스퍼터링 타겟의 사용 효율을 현저히 높일 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 고 에너지 입자에 의한 피처리체의 손상을 최소화시킬 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟; 상기 스퍼터링 타겟의 일 측면에 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되어 피처리체가 안착되는 피처리체 지지부; 및 상기 스퍼터링 타겟을 사이에 두고, 상기 스퍼터링 타겟의 타 측면에 배치되는 제1 마그네트 모듈과, 상기 제1 마그네트 모듈과의 상호 작용에 의해 자계를 형성하도록 상기 스퍼터링 타겟의 일 측면에 배치되는 제2 마그네트 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 제1 마그네트 모듈 및 상기 제2 마그네트 모듈 중 어느 하나는 상기 스퍼터링 타겟과 이격 배치되는 적어도 하나의 제1 자석 부재를 포함하고, 상기 제1 마그네트 모듈과 상기 제2 마그네트 모듈 중 다른 하나는 상기 제1 자석 부재의 개수보다 많으며, 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 상호 이격 배치되는 복수의 제2 자석 부재를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 자석 부재 및 상기 제2 자석 부재의 상기 스퍼터링 타겟과 마주하는 측의 극성은 상호 반대가 되도록 배치될 수 있다.
그리고, 상기 제1 자석 부재는 상기 스퍼터링 타겟을 사이에 두고 상호 인접한 상기 제2 자석 부재 사이에 위치할 수 있다.
여기서, 상기 제1 마그네트 모듈은 상기 챔버의 외부에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1 마그네트 모듈은 상기 챔버의 내부에 배치될 수도 있다.
그리고, 상기 피처리체 지지부는 상기 챔버 내부에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향을 따라 왕복 이동 가능하게 설치될 수 있다.
그리고, 상기 제1 마그네트 모듈 및 상기 제2 마그네트 모듈 중 적어도 어느 하나는 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 왕복 이동 가능하게 마련될 수 있다.
그리고, 상기 피처리체 지지부와 상기 제2 마그네트 모듈 사이에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 이격 배치되고, 상호 상이한 극성이 마주하도록 배치되는 복수의 쉴드 자석 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 구성에 의해 본 발명에 따르면, 종래의 마그네트 구조에서 발생하는 홈(Trench)이 제거되어 제1 마그네트 모듈과 제2 마그네트 모듈이 위치하는 영역의 스퍼터링 타겟의 전면에서 스퍼터링 물질이 고르게 소모됨으로써, 스퍼터링 타겟의 사용 효율을 증가시킬 수 있게 된다.
또한, 스퍼터링 타겟과 피처리체 사이에 복수의 제2 자석 부재가 배치됨에 따라, 제2 자석 부재 사이에 형성되는 자계 영역에 의해, 높은 에너지를 갖는 입자가 해당 자계 영역에 의해 구속되고 낮은 에너지를 갖는 중성 입자들만이 피처리체의 표면으로 이동 가능하게 되어, 별도의 추가적인 구성없이 높은 에너지의 입자가 피처리체의 표면과 충돌하여 발생하는 박막 손상을 방지할 수 있어, 박막 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 종래의 스퍼터링 장치를 도시한 도면이고,
도 2는 종래의 스퍼터링 장치에서 스퍼터링 타겟의 전면에 형성된 자계를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 구성을 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서 제1 마그네트 모듈과 제2 마그네트 모듈에 의해 형성되는 자계를 나타낸 도면이고,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 구성을 도시한 도면이고,
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 구성을 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명에 따른 스퍼터링 장치에서 제1 자석 부재와 한 쌍의 제2 자석 부재의 구성의 예를 도시한 도면이고,
도 8은 본 발명에 따른 스퍼터링 장치의 제1 마그네트 모듈과 제2 마그네트 모듈의 구성의 예들을 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(10), 스퍼터링 타겟(30), 피처리체 지지부(20), 제1 마그네트 모듈(40) 및 제2 마그네트 모듈(50)을 포함한다.
챔버(10)는 스퍼터링 공정의 대상물인 피처리체(W)를 외부와 격리시켜 스퍼터링 공정이 수행되는 진공된 밀폐 공간을 제공한다. 여기서, 챔버(10)에는 피처리체(W)가 챔버(10) 내부에 유입 및 반출되기 위한 도어(미도시), 공정 가스의 유입 및 배출을 위한 유입구(12) 및 배기구(11)가 마련된다. 이외에도, 챔버(10)의 구성은 기 공지된 다양한 형태로 구성될 수 있는 바, 본 발명에서는 그 상세한 설명을 생략한다.
스퍼터링 타겟(30)은 피처리체(W)로부터 일정 간격 이격된 상태로 위치하도록 챔버(10) 내부에 배치된다. 여기서, 스퍼터링 타겟(30)은 백킹 플레이트(31)에 의해 지지되어 피처리체(W)로부터 이격된 상태로 위치하게 된다.
피처리체 지지부(20)는 스퍼터링 타겟(30)의 일 측면에 이격된 상태로 대향하게 배치된다. 따라서, 반도체 웨이퍼, LCD(Liquid Crystal Display) 제조 기판, 태양 전지 제조 기판과 같은 피처리체(W)가 피처리체 지지부(20)에 안착됨에 따라, 피처리체(W)가 스퍼터링 타겟(30)으로부터 이격된 상태로 챔버(10) 내부에 수용될 수 있다.
제1 마그네트 모듈(40)은 스퍼터링 타겟(30)의 타 측면에 배치되고, 제2 마그네트 모듈(50)은 스퍼터링 타겟(30)의 일 측면에 배치된다. 보다 구체적으로 설명하면, 제2 마그네트 모듈(50)은 스퍼터링 타겟(30)과 피처리체 지지부(20) 사이에 배치되고, 제1 마그네트 모듈(40)은 스퍼터링 타겟(30)을 중심으로 제2 마그네트 모듈(50)의 반대편에 배치된다. 즉, 제1 마그네트 모듈(40)과 제2 마그네트 모듈(50)이 스퍼터링 타겟(30)을 사이에 두고 양측에 배치된다.
본 발명에서는 제1 마그네트 모듈(40)이 하나의 제1 자석 부재(41)로 구성되고, 제2 마그네트 모듈(50)이 한 쌍의 제1 자석 부재(41)로 구성되는 것을 예로 한다. 그리고, 제1 자석 부재(41)와 제2 자석 부재(51,52)는 각각 요크 플레이트(43,53a,53b)에 의해 지지된다.
여기서, 제1 마그네트 모듈(40)의 제1 자석 부재(41)와, 제2 마그네트 모듈(50)의 제2 자석 부재(51,52)는 스퍼터링 타겟(30)과 마주하는 측의 극성이 상호 반대가 되도록 배치된다. 본 발명에서는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 자석 부재(41)의 N극이 스퍼터링 타겟(30)을 향하도록 배치되고, 반대로 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52)의 S극이 스퍼터링 타겟(30)을 향하도록 배치된다.
또한, 제1 자석 부재(41)는 스퍼터링 타겟(30)을 사이에 두고 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52) 사이에 위치하도록 배치된다. 이에 따라, 제1 자석 부재(41)와 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52) 사이에는, 도 4에 도시된 바와 같이 자계(MF)가 형성되어 스퍼터링 타겟(30)의 전면에 걸쳐 플라즈마 영역(FAZ)이 형성된다.
상기와 같은 구성에 따라, 도 1 및 도 2에 도시된 종래의 마그네트 구조에서 발생하는 홈(Trench)이 제거되어 제1 마그네트 모듈(40)과 제2 마그네트 모듈(50)이 위치하는 영역의 스퍼터링 타겟(30)의 전면에서 스퍼터링 물질이 고르게 소모됨으로써, 스퍼터링 타겟(30)의 사용 효율을 증가시킬 수 있게 된다.
또한, 스퍼터링 타겟(30)과 피처리체(W) 사이에 복수의 제2 자석 부재(51,52)가 배치됨에 따라, 제2 자석 부재(51,52) 사이에 형성되는 자계 영역(SA)에 의해, 높은 에너지를 갖는 입자가 해당 자계 영역(SA)에 의해 구속되고 낮은 에너지를 갖는 중성 입자들만이 피처리체(W)의 표면으로 이동 가능하게 되어, 별도의 추가적인 구성없이 높은 에너지의 입자가 피처리체(W)의 표면과 충돌하여 발생하는 박막 손상을 방지할 수 있어, 박막 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)에서, 스퍼터링 타겟(30)을 중심으로 피처리체(W)의 반대편에 배치되는 제1 마그네트 모듈(40)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 외부에 배치되는 것을 예로 하고 있다. 반면, 제1 마그네트 모듈(40)이 챔버(10)의 내부에 배치되도록 구성 가능함은 물론이다.
또한, 도 3에 도시된 스퍼터링 장치(1)에서는 피처리체 지지부(20)가 스퍼터링 타겟(30)의 판면 방향으로 왕복 이동 가능하게 챔버(10) 내부에 설치되고, 제1 마그네트 모듈(40)과 제2 마그네트 모듈(50)이 고정된 예를 도시하고 있다. 여기서, 피처리체 지지부(20)는 볼 스크루(21)의 회전에 따라 왕복 이동하는 방식과 같이, 기 공지된 다양한 구조의 왕복 이동 수단에 의해 챔버(10) 내부에 왕복 이동 가능하게 설치될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버(10) 내부의 제2 마그네트 모듈(50)의 위치가 고정된 상태에서 제1 마그네트 모듈(40)의 제1 자석 부재(41)가 제2 마그네트 모듈(50)의 제2 자석 부재(51,52) 사이에서 왕복 이동하도록 마련될 수 있다. 따라서, 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52)와 제1 자석 부재(41) 간의 위치에 따라 발생하는 자기장의 세기의 차이를 제1 자석 부재(41)의 왕복 이동을 통해 최소화시킬 수 있다.
이하에서는, 도 5를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1a)에 대해 설명한다. 도 5에 도시된 스퍼터링 장치(1a)는, 도 3에 도시된 스퍼터링 장치(1)의 변형된 실시예로서, 상호 대응하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하여 설명하며, 차별화되는 구성을 중심으로 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1a)는 높은 에너지의 입자를 구속하기 위한 쉴드부(60)를 더 포함할 수 있다. 본 발명에서는 쉴드부(60)가 복수의 쉴드 자석 부재(61)로 구성되는 것을 예로 하며, 피처리체 지지부(20)와 제2 마그네트 모듈(50) 사이에 배치되는 것을 예로 한다. 여기서, 복수의 쉴드 자석 부재(61)는 스퍼터링 타겟(30)의 판면 방향으로 이격 배치되는데, 도 5에 도시된 바와 같이, 상호 상이한 극성이 마주하도록 배치된다.
이에 따라, 인접한 쉴드 자석 부재(61) 사이에는 자계가 형성되고, 쉴드 자석 부재(61)들 사이에서의 자계 영역에 의해 높은 에너지의 입자가 구속되어 피처리체(W)의 표면과 충돌하여 발생하는 박막 손상을 방지할 수 있어 박막 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1b)의 구성을 도시한 도면이다. 여기서, 도 6에 도시된 스퍼터링 장치(1b)는 피처리체 지지부(20)가 챔버(10) 내부에 고정된 상태로 배치되고, 스퍼터링 타겟(30)이 피처리체(W)의 사이즈에 대응하는 사이즈로 마련되는 것을 예로 하고 있다.
그리고, 대면적의 피처리체(W)의 전체 표면에 박막이 형성될 수 있도록, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 마그네트 모듈(40)과 제2 마그네트 모듈(50)이 상호 동기되어 스퍼터링 타겟(30)의 판면 방향으로 왕복 이동 가능하게 마련될 수 있다. 여기서, 제1 마그네트 모듈(40)과 제2 마그네트 모듈(50)의 왕복 이동은 볼 스크루 방식을 이용한 왕복 이동 구조가 적용될 수 있으며, 기 공지된 다양한 왕복 이동 구조가 적용 가능함은 물론이다. 또한, 제1 마그네트 모듈(40)과 제2 마그네트 모듈(50) 중 어느 하나만이 스퍼터링 타겟(30)의 판면 방향으로 왕복 이동 가능하게 마련될 수도 있다.
여기서, 도 6에 도시된 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1b)의 미 설명 구성요소는 도 3 및 도 5에 도시된 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1,1a)의 구성요소에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략하며, 당업자라면 도 3 및 도 5에 도시된 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1,1a)에 적용된 기술적 사상이 도 6에 도시된 실시예에 따른 스퍼터링 장치(1b)에도 적용 가능함을 알 수 있을 것이다.
한편, 도 7은 본 발명에 따른 제1 자석 부재(41)와 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52)의 구성의 예를 도시한 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52), 즉, 스퍼터링 타겟(30)과 피처리체 지지부(20) 사이에 배치되는 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52)는 상호 연결된 환 형상의 레이스트랙 형태로 마련될 수 있다. 이에 대응하여, 제2 요크 플레이트(53a,53b) 또한 환 형상의 레이스트랙 형태로 마련된다.
그리고, 제1 자석 부재(41)는 바 형태로 마련되어, 스퍼터링 타겟(30)과 백킹 플레이트(31)를 사이에 두고 제2 자석 부재(51,52)의 반대측에 배치되는데, 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52)의 사이, 즉 레이스트랙의 내부 측에 배치된다.
도 7에서는 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52)가 일체로 형성된 레이스트랙 형태로 마련되는 것을 예로 하여 설명하였으나, 상호 분리된 상태로 적용 가능함은 물론이다.
전술한 실시예에서는 스퍼터링 타겟(30)과 피처리체 지지부(20) 사이에 위치하는 제2 마그네트 모듈(50)이 한 쌍의 제2 자석 부재(51,52)로 구성되고, 스퍼터링 타겟(30)을 중심으로 반대편에 위치하는 제1 마그네트 모듈(40)이 하나의 제1 자석 부재(41)로 구성되는 것을 예로 하고 있다.
이외에도, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 제2 마그네트 모듈(50a)이 하나의 자석 부재로 구성되고, 제1 마그네트 모듈(40a)이 한 쌍의 자석 부재로 구성되도록 마련될 수 있다.
또한, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 마그네트 모듈(40b)이 3개의 자석 부재로 구성되고, 제2 마그네트 모듈(50b)이 2개의 자석 부재로 구성되거나, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 마그네트 모듈(40c)이 2개의 자석 부재로 구성되고, 제2 마그네트 모듈(50c)이 3개의 자석 부재로 구성될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치(1)에서, 제1 마그네트 모듈(40,40a,40b,40c)과 제2 마그네트 모듈(50,50a,50b,50c) 중 어느 하나는 스퍼터링 타겟(30)의 판면 방향으로 상호 이격 배치되는 적어도 하나의 자석 부재를 포함하고, 제1 마그네트 모듈(40,40a,40b,40c)과 제2 마그네트 모듈(50,50a,50b,50c) 중 다른 하나는 개수가 더 많은 복수의 자석 부재로 구성되고 스퍼터링 타겟(30)의 판면 방향으로 상호 이격 배치되도록 마련될 수 있다.
여기서, 스퍼터링 타겟(30)의 양측에 배치되는 자석 부재들은, 도 8에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 타겟(30)과 마주하는 극성이 상호 반대가 되도록 배치됨에 따라, 스퍼터링 타겟(30)의 일 측면의 자석 부재와, 타 측면의 상호 인접한 한 쌍의 자석 부재 사이에서, 도 4에 도시된 바와 같은 자계(MF)가 형성될 수 있다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
1 : 스퍼터링 장치 10 : 챔버
20 : 피처리체 지지부 30 : 스퍼터링 타겟
31 : 백킹 플레이트 40 : 제1 마그네트 모듈
41 : 제1 자석 부재 50 : 제2 마그네트 모듈
51,52 : 제2 자석 부재

Claims (9)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟;
    상기 스퍼터링 타겟의 일 측면에 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되어 피처리체가 안착되는 피처리체 지지부; 및
    상기 스퍼터링 타겟을 사이에 두고, 상기 스퍼터링 타겟의 타 측면에 배치되는 제1 마그네트 모듈과, 상기 제1 마그네트 모듈과의 상호 작용에 의해 자계를 형성하도록 상기 스퍼터링 타겟의 일 측면에 배치되는 제2 마그네트 모듈을 포함하며,
    상기 제1 마그네트 모듈과 상기 제2 마그네트 모듈은 상호 동기되어 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 왕복 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마그네트 모듈 및 상기 제2 마그네트 모듈 중 어느 하나는 상기 스퍼터링 타겟과 이격 배치되는 적어도 하나의 제1 자석 부재를 포함하고,
    상기 제1 마그네트 모듈과 상기 제2 마그네트 모듈 중 다른 하나는 상기 제1 자석 부재의 개수보다 많으며, 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 상호 이격 배치되는 복수의 제2 자석 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 자석 부재 및 상기 제2 자석 부재의 상기 스퍼터링 타겟과 마주하는 측의 극성은 상호 반대가 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 자석 부재는 상기 스퍼터링 타겟을 사이에 두고 상호 인접한 상기 제2 자석 부재 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마그네트 모듈은 상기 챔버의 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마그네트 모듈은 상기 챔버의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 피처리체 지지부는 상기 챔버 내부에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향을 따라 왕복 이동 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 피처리체 지지부와 상기 제2 마그네트 모듈 사이에서 상기 스퍼터링 타겟의 판면 방향으로 이격 배치되고, 상호 상이한 극성이 마주하도록 배치되는 복수의 쉴드 자석 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
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