KR101360997B1 - Preparing method of chacogenide metal thin film - Google Patents

Preparing method of chacogenide metal thin film Download PDF

Info

Publication number
KR101360997B1
KR101360997B1 KR1020120024922A KR20120024922A KR101360997B1 KR 101360997 B1 KR101360997 B1 KR 101360997B1 KR 1020120024922 A KR1020120024922 A KR 1020120024922A KR 20120024922 A KR20120024922 A KR 20120024922A KR 101360997 B1 KR101360997 B1 KR 101360997B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
metal
method
metal chalcogenide
chalcogenide thin
Prior art date
Application number
KR1020120024922A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130103913A (en
Inventor
이창구
안종현
이진환
이영빈
Original Assignee
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 성균관대학교산학협력단 filed Critical 성균관대학교산학협력단
Priority to KR1020120024922A priority Critical patent/KR101360997B1/en
Publication of KR20130103913A publication Critical patent/KR20130103913A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101360997B1 publication Critical patent/KR101360997B1/en

Links

Images

Abstract

본원은 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의하여 제조되는 금속 칼코게나이드 박막 및 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 관한 것이다. Herein relates to a method for transferring a thin film metal chalcogenides and metal chalcogenide thin film to be produced by the production method, the production method of a metal chalcogenide thin film.

Description

금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법{PREPARING METHOD OF CHACOGENIDE METAL THIN FILM} Method of producing a metal chalcogenide thin film {PREPARING METHOD OF CHACOGENIDE METAL THIN FILM}

본원은 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의하여 제조되는 금속 칼코게나이드 박막 및 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 관한 것이다. Herein relates to a method for transferring a thin film metal chalcogenides and metal chalcogenide thin film to be produced by the production method, the production method of a metal chalcogenide thin film.

칼코게나이드 물질들은 칼코겐 원소 및 전기적 또는 구조적 특성들을 변형하도록 작용하는 일반적으로 하나 또는 그 이상의 추가적인 원소들을 포함하는 물질들이다. Chalcogenide materials are those materials that comprise generally one or more additional element acting to transform the chalcogen elements, and electrical or structural characteristics. 최근에 이르러, 칼코게나이드 물질은 발광 소자, 광검출기, 촉매, 화학 센서, 생물학적 마커(biological marker), 비선형 광학 물질 등의 다양한 제조 분야에서 응용되고 있다. Recently it came to, chalcogenide material has been applied in various fields such as manufacturing the light emitting device, a photodetector, a catalyst, a chemical sensor, a biological marker (biological marker), the non-linear optical material. 다양한 제조 분야의 응용을 위해 칼코게나이드 물질은 칼코게나이드 물질의 넓은 밴드갭 특성 및 단파장 광 방출을 제공하는 잠재성 때문에 널리 연구되어 왔다. Chalcogenide material for application in various manufacturing fields, has been widely studied because of the potential to provide a wide band gap and a short wavelength light-emitting characteristics of a chalcogenide material. 미국 등록특허 제6,875,661호 및 미국특허공개 제2005/0009225호는 금속 칼코게나이드 및 하이드라진 화합물을 포함한 전구체 용액을 이용한 금속 칼코게나이드 막의 용액 증착에 관하여 개시하고 있다. U.S. Patent No. 6,875,661 and U.S. Patent Publication No. 2005/0009225 discloses with respect to a metal chalcogenide film solution deposition using a precursor solution including a metal chalcogenide and a hydrazine compound. 여기에서는 가용성의 칼코게나이드 하이드라지늄 염을 제조하여 스핀 코팅 방법으로 박막을 형성한다. Here, by preparing a chalcogenide hydroxy large iodonium salt soluble to form a thin film by the spin coating method. 그러나, 이와 같은 칼코게나이드 하이드라지늄 염은 화학적으로 불안정하여 용액의 장기 안정성이 저하되는 문제를 안고 있어 실제 소자 제조 라인에 적용하기 어려운 단점이 있다. However, the chalcogenide hydroxy large iodonium salt such're chemically unstable and has a problem that the long-term stability of the solution was lowered it is difficult to apply to an actual device manufacturing line disadvantages.

본원은 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의하여 제조되는 금속 칼코게나이드 박막 및 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법을 제공한다. Herein provides a method for transferring a thin film metal chalcogenides and metal chalcogenide thin film to be produced by the production method, the production method of a metal chalcogenide thin film.

그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. However, not limited to the assignment problem to be solved by the present application are referred to above, and other problems that are not mentioned will be understood clearly to those skilled in the art from the following description.

본원의 제 1 측면은, 하기를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법을 제공할 수 있다: A first aspect of the present application may provide a method of manufacturing a metal chalcogenide thin film comprising the following:

기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계; Forming a metal thin film on a substrate;

상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계; Then supplying a gas containing-chalcogen atom on the metal foil; And

상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계: The metal and the chalcogen atom-containing gas comprising: reacting the metal to form a chalcogenide thin film represented by Formula 1:

[화학식 1] Formula 1

M a X b M a X b

상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po In the formula, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b are each independently an integer of 1 to 3.

본원의 제 2 측면은, 본원의 제 1 측면에 따른 제조 방법에 의하여 제조되는, 금속 칼코게나이드 박막을 제공할 수 있다. Second aspect of the present application, it is possible to provide a metal chalcogenide thin film to be produced by the production method according to the first aspect of the present application.

본원의 제 3 측면은, 본원의 제 2 측면에 따른 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는, 소자를 제공할 수 있다. A third aspect of the present application, it is possible to provide a device, comprising a metal chalcogenide thin film according to the second aspect of the present application.

본원의 제 4 측면은, 하기를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법을 제공할 수 있다: A fourth aspect of the present application may provide a method for transferring a metal chalcogenide thin film comprising the following:

기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계; Forming a metal thin film on a substrate;

상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계; Then supplying a gas containing-chalcogen atom on the metal foil;

상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계; Comprising: reacting a gas containing a thin film form a metal chalcogenide represented by the general formula (1), wherein the metal and the chalcogen atom;

상기 기재 및 상기 금속 박막을 제거함으로써 상기 금속 칼코게나이드 박막을 분리하는 단계; Separating the metal chalcogenide thin film by removing the substrate and the metal thin film; And

상기 분리된 상기 금속 칼코게나이드 박막을 목적 기재 상에 전사하는 단계 Transferring the separated the metal chalcogenide thin films on a substrate purpose

를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법: Method for transferring a metal chalcogenide thin film, comprising:

[화학식 1] Formula 1

M a X b M a X b

식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po Wherein, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb , Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b are each independently an integer of 1 to 3.

본원의 제 5 측면은, 본원의 제 2 측면에 따른 금속 칼코게나이드 박막을 단수 또는 다수의 층으로서 포함하는 금속 칼코게나이드 박막 적층체를 제공할 수 있다. A fifth aspect of the present application, it is possible to provide a metal chalcogenide thin film laminate comprising a metal chalcogenide thin film according to the second aspect of the present application as a single or multiple layers.

본원에 의하여, 화학 기상 증착 방법을 이용하여 금속 칼코게나이드 박막을 용이하게 제조할 수 있으며, 화학 기상 증착 방법을 이용하여 금속 칼코게나이드 박막을 단층부터 복층까지 형성할 수 있다. By the present application, using a chemical vapor deposition method can easily produce a metal chalcogenide thin film, and has a metal chalcogenide thin film using a chemical vapor deposition method can be formed from a single layer to double layer. 또한, 본원의 금속 칼코게나이드 박막은 전계효과 트랜지스터, 광학 센서, 발광소자, 광검출기, 광자기 메모리 소자, 광촉매, 평면 디스플레이, 플렉서블 소자, 태양전지 등 다양한 응용분야에 적용될 수 있다. In addition, the metal chalcogenide thin film of the present application can be applied to the field effect transistor, an optical sensor, a light emitting device, a photodetector, a magneto-optical memory device, a photocatalyst, a flat-panel display, a flexible element, a solar cell including a variety of applications.

도 1은 본원의 일 구현예에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법을 나타내는 공정도이다. 1 is a process chart showing a manufacturing method of a metal chalcogenide thin film according to one embodiment of the present application.
도 2는 본원의 일 구현예에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 전사방법을 나타내는 공정도이다. Figure 2 is a process chart showing a method for transferring a metal chalcogenide thin film according to one embodiment of the present application.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 제조를 위해 사용된 장비의 사진이다. 3 is a photograph of the equipment used for the production of metal chalcogenide thin film according to an embodiment of the present application.
도 4는 본원의 일 실시예에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 제조 과정을 나타낸 것이다. 4 illustrates the manufacturing process of the metal chalcogenide thin film according to an embodiment of the present application.
도 5는 본원의 일 실시예에 있어서, Mo-S 계의 2성분 상 다이어그램(binary phase diagram)을 나타낸 것이다. 5 is according to one embodiment of the present disclosure, illustrating a two-component phase diagram of the Mo-S-based (binary phase diagram).
도 6은 본원의 일 실시예에 따른 MoS 2 박막의 광학현미경 이미지(a) 및 라만 맵핑 이미지(b)를 나타낸 것이다. Figure 6 shows a light microscopy image of (a) and Raman mapping image (b) of MoS 2 thin film according to an embodiment of the present application.
도 7은 본원의 일 실시예에 따른 MoS 2 박막의 평균 스펙트럼을 나타낸 그래프(a) 및 균일도를 나타낸 그래프(b)이다. 7 is a graph (b) showing a graph (a) showing the uniformity and the average spectrum of MoS 2 thin film according to an embodiment of the present application.
도 8은 본원의 일 실시예에 따른 MoS 2 박막 상에 미량의 가스 주입 후 MoS 2 박막의 광학현미경 이미지(a) 및 라만맵핑이미지(b)를 나타낸 것이다. Figure 8 shows a gas after injecting a small amount of an optical microscope image (a) and Raman mapping image of MoS 2 thin film (b) on the MoS 2 thin film according to an embodiment of the present application.
도 9는 본원의 일 실시예에 따른 MoS 2 박막 상에 미량의 가스 주입 후 MoS 2 박막의 평균 스펙트럼을 나타낸 그래프(a) 및 균일도를 나타낸 그래프(b)이다. 9 is a graph (b) showing an average graph (a) showing the spectrum and uniformity of MoS 2 thin film after injecting a small amount of gas to the MoS 2 thin film according to an embodiment of the present application.
도 10은 본원의 일 실시예에 따른 MoS 2 박막의 균일도 측정을 위한 MoS 2 박막의 특정 위치(position)를 나타낸 광학 현미경 이미지이다. 10 is a light microscope image showing a location (position) of MoS 2 thin film for the uniformity measurement of MoS 2 thin film according to an embodiment of the present application.
도 11은 본원의 일 실시예에 따른 MoS 2 박막의 광학 현미경 이미지(a) 및 스펙트럼을 나타낸 그래프(b)이다. 11 is a graph (b) showing an optical microscope image (a) and a spectrum of MoS 2 thin film according to an embodiment of the present application.
도 12는 본원의 일 실시예에 따른 MoS 2 박막의 광학 현미경 이미지(a) 및 스펙트럼을 나타낸 그래프(b)이다. 12 is a graph (b) showing an optical microscope image (a) and a spectrum of MoS 2 thin film according to an embodiment of the present application.
도 13은 본원의 일 구현예에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 전사 과정을 나타낸 공정도이다. 13 is a process chart showing a transfer process of a metal chalcogenide thin film according to one embodiment of the present application.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. With reference to the accompanying drawings the invention will be described in detail the implementation of the present examples and embodiments are to facilitate self ordinary skill in the art to practice belongs.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. However, the present application is not be implemented in many different forms, only certain embodiments and embodiments set forth herein. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. And the part not related to the description in order to clearly describe the present invention in the figures was in nature and not restrictive. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout the present specification, when that any part is "connected" with another part, which includes the case that the case that is "directly connected to", as well as, interposed between the other element or intervening "electrically connected" do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. Throughout the present specification, when any member that is the other member "in the" situated, which also includes the case that any member that is another member exists between the two members, as well as when in contact with the other member.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the present specification, assuming that any part "includes" a certain component, which is not to exclude other components not specifically described against which means that it is possible to further include other components.

본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. The term "about" in degree, as used herein, as "substantially", etc. are to be presented is produced and material tolerances inherent in the stated meaning used in the figure or in the figure adjacent means for, aid in the understanding of the present accurate or is used to prevent the use of unfair self absolute figures of the unscrupulous referred to the disclosure violations. 또한, 본원 명세서 전체에서, "~ 하는 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다. Further, throughout the present specification, "~ the method comprising," or "step-in" does not mean "step for".

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다. As that throughout the present specification, do the term "combinations thereof" included in the representation of the comb type refers to one or more of the mixture or combination is selected from the group consisting of the components described in the representation of the town comb form, the component It is meant to include at least one selected from the group consisting of.

이하, 본원의 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의한 금속 칼코게나이드 박막 및 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 대하여 구현예 및 실시예와 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. Below with reference to the embodiments and examples and the drawings with respect to the method for producing a metal chalcogenide thin film of the present application, a transfer method of a metal chalcogenide thin film and the metal chalcogenide film by the above method to be described in detail. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다. However, it is not limited to such embodiments and the present embodiment and the drawings.

본원의 제 1 측면은, 하기를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법을 제공할 수 있다: A first aspect of the present application may provide a method of manufacturing a metal chalcogenide thin film comprising the following:

기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계; Forming a metal thin film on a substrate;

상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계; Then supplying a gas containing-chalcogen atom on the metal foil; And

상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계: The metal and the chalcogen atom-containing gas comprising: reacting the metal to form a chalcogenide thin film represented by Formula 1:

[화학식 1] Formula 1

M a X b M a X b

상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po In the formula, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b are each independently an integer of 1 to 3.

도 1은 본원의 일 구현예에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법을 나타내는 공정도이다. 1 is a process chart showing a manufacturing method of a metal chalcogenide thin film according to one embodiment of the present application.

먼저, 도 1(a)에 도시된 바와 같이, 기재(10) 상에 금속 박막(20)을 형성할 수 있다. First, it is possible to form the metal thin film 20 on the substrate 10 as shown in Figure 1 (a).

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재(10)는 Si, SiO 2 , Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3 , LiAlO 3 , MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the substrate 10 is Si, SiO 2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3, LiAlO 3, MgO, glass, quartz, sapphire, graphite yes it is to include those selected from the group consisting of the pins, and combinations thereof, but is not limited to this.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 박막(20)은 Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po According to one embodiment of the invention, the metal thin film 20 is Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga , Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. And it could be to include those selected from the group consisting of the combinations thereof, but is not limited to this.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 박막(20)은 스퍼터링 방법, 전자빔 증착(E-beam evaporator) 방법, 열증착(thermal evaporation) 방법, 이온클러스터빔(ion cluster beam), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD) 방법 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 상기 기재 상에 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the metal thin film 20 is a sputtering method, an electron beam evaporation (E-beam evaporator) method, thermal deposition (thermal evaporation) method, an ion cluster beam (ion cluster beam), pulsed laser deposition (pulsed laser deposition; PLD) method and by a method selected from the group consisting of the combinations thereof, but may be formed on the substrate, without being limited thereto.

이어서, 도 1(b)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 박막(20) 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하여 금속 칼코게나이드 박막(30)을 형성할 수 있다. Then, the, the metal thin film on the chalcogen atom 20, as shown in Figure 1 (b) - may form a supplying-containing gas to a metal chalcogenide thin film 30.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 칼코겐 원자-함유 기체는 S 2 , Se 2 , Te 2 , H 2 S, H 2 Se, H 2 Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the present application, the chalcogen atom-containing gas S 2, Se 2, Te 2 , H 2 S, H 2 Se, H 2 Te, and can be selected from the group consisting of the combinations thereof, but , without being limited thereto.

상기 칼코겐 원자-함유 기체의 공급에 의해 상기 금속 박막(20) 상에 상기 금속 박막(20) 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체가 반응하여 M a X b (상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po The chalcogen atom-by-containing feed of the base of the metal thin film 20 and the chalcogen atoms on the metal thin film (20) to the contained gas reaction M a X b (In the formula, M = Mo, W , Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd , Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임)의 화학식으로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막(30)이 형성될 수 있다. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b have to be formed each independently from 1 to 3 metal chalcogenide thin film (30 represented by the formula integer) in).

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 박막(20) 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체가 반응하는 반응온도는 약 20℃ 내지 약 1,800℃, 약 100℃ 내지 약 1,700℃, 약 200℃ 내지 약 1,600℃, 약 300℃ 내지 약 1,500℃, 약 400℃ 내지 약 1,400℃, 약 500℃ 내지 약 1,300℃, 약 600℃ 내지 약 1,200℃, 약 700℃ 내지 약 1,100℃, 약 800℃ 내지 약 1,000℃, 약 900℃ 내지 약 1,000℃, 약 400℃ 내지 약 1,800℃, 약 400℃ 내지 약 1,700℃, 약 400℃ 내지 약 1,500℃, 약 400℃ 내지 약 1,300℃, 약 400℃ 내지 약 1,000℃, 약 500℃ 내지 약 1,700℃, 약 500℃ 내지 약 1,500℃, 약 500℃ 내지 약 1,300℃, 약 500℃ 내지 약 1000℃, 약 100℃ 내지 약 1,800℃, 약 100℃ 내지 약 1,700℃ 또는 약 100℃ 내지 약 1,600℃일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the metal thin film 20 and the chalcogen atom-containing reaction temperature for the gas reaction is from about 20 ℃ to about 1,800 ℃, about 100 ℃ to about 1,700 ℃, about 200 ℃ to about 1,600 ℃, about 300 ℃ to about 1,500 ℃, about 400 ℃ to about 1,400 ℃, about 500 ℃ to about 1,300 ℃, about 600 ℃ to about 1,200 ℃, about 700 ℃ to about 1,100 ℃, about 800 ℃ to about 1,000 ℃, about 900 ℃ to about 1,000 ℃, about 400 ℃ to about 1,800 ℃, about 400 ℃ to about 1,700 ℃, about 400 ℃ to about 1,500 ℃, about 400 ℃ to about 1,300 ℃, about 400 ℃ to about 1,000 ℃, 500 ℃ to about 1,700 ℃, about 500 ℃ to about 1,500 ℃, about 500 ℃ to about 1,300 ℃, about 500 ℃ to about 1000 ℃, about 100 ℃ to about 1,800 ℃, about 100 ℃ to about 1,700 ℃ or to about 100 ℃ It may be an approximately 1,600 ℃, but is not limited thereto.

상기 금속 칼코게나이드 박막(30)은 용도에 맞게 적절한 층수로 조절하여 금속 칼코게나이드 박막을 추가적으로 형성하여 다수층으로 적층된 황화 칼코게나이드 적층체(미도시)를 형성할 수 있다. The metal chalcogenide thin film 30 can be adjusted to appropriate Number of floors according to the application form the sulfide chalcogenide laminate (not shown) stacked in multiple layers by forming a further metal chalcogenide thin film. 구체적으로, 상기 본원에 따른 금속 칼코게나이드 박막(30)의 다수층으로 적층되어 있는 황화 칼코게나이드 적층체의 제조 방법에 있어서, 상기 금속 칼코게나이드 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하여 추가 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 것을 1회 이상 수행하는 것을 더 포함하여 금속 칼코게나이드 박막의 층수 또는 두께를 손쉽게 조절할 수 있다. Specifically, the method of manufacturing a sulfide chalcogenide stack body that are stacked in multiple layers of metal chalcogenide thin film 30 according to the present application, chalcogen atoms on the metal chalcogenide thin film-containing feed gas additional metal chalcogenide number of floors of a metal chalcogenide thin film further includes performing at least once to form a thin film or thick and can be easily adjusted.

다수층으로 적층되어 있는 금속 칼코게나이드 박막은 단층의 금속 칼코게나이드 박막 두께인 약 1 층부터 약 100 층에 이르는 두께를 가지는 것이 가능할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Metals that are stacked in multiple layers of chalcogenide thin film is not be possible to have a thickness of up to about 100 layers from about 1 layer of a metal chalcogenide film thickness of a single layer, but limited.

본원의 제 2 측면은, 상기 본원의 제 1 측면에 따른 방법에 의하여 제조되는, 금속 칼코게나이드 박막을 제공할 수 있다. Second aspect of the present application is to be produced by the method according to the first aspect of the present application, it is possible to provide a metal chalcogenide thin film.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 칼코게나이드 박막을 적층하여 약 1 층 내지 약 100 층의 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, but may be laminated to the metal chalcogenide thin film including a metal chalcogenide thin film of about 1 layer to about 100 layers, but is not limited thereto.

본원의 제 3 측면은, 상기 본원의 제 2 측면에 따른 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는, 소자를 제공할 수 있다. A third aspect of the present application, it is possible to provide a device, comprising a metal chalcogenide thin film according to the second aspect of the present application.

상기 금속 칼코게나이드 박막은 다양한 용도에 활용할 수 있다. The metal chalcogenide thin film can be utilized for a variety of uses. 상기 금속 칼코게나이드 박막을 반도체층으로서 활용하는 경우, 전계효과 트랜지스터, 광학 센서, 발광소자, 광검출기, 광자기 메모리 소자, 광촉매, 평면 디스플레이, 플렉서블 소자, 태양전지 등을 제조하는 것이 가능해진다. When utilizing the metal chalcogenide thin film as a semiconductor layer, it is possible to manufacture the field-effect transistor, an optical sensor, a light emitting device, a photodetector, a magneto-optical memory device, a photocatalyst, a flat-panel display, a flexible element, a solar cell or the like.

본원의 제 4 측면은, 하기를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법을 제공할 수 있다: A fourth aspect of the present application may provide a method for transferring a metal chalcogenide thin film comprising the following:

기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계; Forming a metal thin film on a substrate;

상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계; Then supplying a gas containing-chalcogen atom on the metal foil;

상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계; Comprising: reacting a gas containing a thin film form a metal chalcogenide represented by the general formula (1), wherein the metal and the chalcogen atom;

상기 기재 및 상기 금속 박막을 제거함으로써 상기 금속 칼코게나이드 박막을 분리하는 단계; Separating the metal chalcogenide thin film by removing the substrate and the metal thin film; And

상기 분리된 상기 금속 칼코게나이드 박막을 목적 기재 상에 전사하는 단계: Transferring the separated the metal chalcogenide thin films on a substrate purpose:

[화학식 1] Formula 1

M a X b M a X b

상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po In the formula, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b are each independently an integer of 1 to 3.

도 2는 본원의 일 구현예에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법을 나타내는 공정도이다. Figure 2 is a process chart showing a manufacturing method of a metal chalcogenide thin film according to one embodiment of the present application.

먼저, 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 기재(10) 상에 금속 박막(20)을 형성할 수 있다. First, it is possible to form the metal thin film 20 on the substrate 10 as shown in Figure 2 (a).

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재(10)는 Si, SiO 2 , Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3 , LiAlO 3 , MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the substrate 10 is Si, SiO 2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3, LiAlO 3, MgO, glass, quartz, sapphire, graphite yes it is to include those selected from the group consisting of the pins, and combinations thereof, but is not limited to this.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 박막(20)은 Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the metal thin film 20 is Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga , Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, It is to include those selected from the group consisting of Pb, Po, and combinations thereof, but is not limited to this. 본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 박막(20)은 스퍼터링 방법, 전자빔 증착(E-beam evaporator) 방법, 열증착(thermal evaporation) 방법, 이온클러스터빔(ion cluster beam), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD) 방법 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the metal thin film 20 is a sputtering method, an electron beam evaporation (E-beam evaporator) method, thermal deposition (thermal evaporation) method, an ion cluster beam (ion cluster beam), pulsed laser deposition (pulsed laser deposition; PLD) method, and but may be formed by a method selected from the group consisting of the combinations thereof, but is not limited thereto.

이어서, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 박막(20) 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하여, 상기 칼코겐 원자-함유 기체의 공급에 의해 상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체가 반응하여 M a X b (상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po Next, FIG. 2 (b)] As such, the chalcogen atom on the metal thin film 20 shown in - supplying a containing gas, the chalcogen atom-containing the metal and the knife by the supply of gas Kogen atoms by a containing gaseous reaction M a X b (in the formula, M = Mo, W, Bi , Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl , Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임)의 화학식으로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막(30)이 형성될 수 있다. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b have to be formed each independently from 1 to 3 metal chalcogenide thin film (30 represented by the formula integer) in). 상기 칼코겐 원자-함유 기체는 예를 들어, S 2 , Se 2 , Te 2 , H 2 S, H 2 Se, H 2 Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The chalcogen atom-containing gas, for example, S 2, Se 2, Te 2, H 2 S, H 2 Se, H 2 Te, and but may be selected from the group consisting of the combinations thereof, limited to It is not.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 박막(20) 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체가 반응하는 반응온도는 약 20℃ 내지 약 1,800℃, 약 100℃ 내지 약 1,700℃, 약 200℃ 내지 약 1,600℃, 약 300℃ 내지 약 1,500℃, 약 400℃ 내지 약 1,400℃, 약 500℃ 내지 약 1,300℃, 약 600℃ 내지 약 1,200℃, 약 700℃ 내지 약 1,100℃, 약 800℃ 내지 약 1,000℃, 약 900℃ 내지 약 1,000℃, 약 400℃ 내지 약 1,800℃, 약 400℃ 내지 약 1,700℃, 약 400℃ 내지 약 1,500℃, 약 400℃ 내지 약 1,300℃, 약 400℃ 내지 약 1,000℃, 약 500℃ 내지 약 1,700℃, 약 500℃ 내지 약 1,500℃, 약 500℃ 내지 약 1,300℃, 약 500℃ 내지 약 1000℃, 약 100℃ 내지 약 1,800℃, 약 100℃ 내지 약 1,700℃ 또는 약 100℃ 내지 약 1,600℃일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the metal thin film 20 and the chalcogen atom-containing reaction temperature for the gas reaction is from about 20 ℃ to about 1,800 ℃, about 100 ℃ to about 1,700 ℃, about 200 ℃ to about 1,600 ℃, about 300 ℃ to about 1,500 ℃, about 400 ℃ to about 1,400 ℃, about 500 ℃ to about 1,300 ℃, about 600 ℃ to about 1,200 ℃, about 700 ℃ to about 1,100 ℃, about 800 ℃ to about 1,000 ℃, about 900 ℃ to about 1,000 ℃, about 400 ℃ to about 1,800 ℃, about 400 ℃ to about 1,700 ℃, about 400 ℃ to about 1,500 ℃, about 400 ℃ to about 1,300 ℃, about 400 ℃ to about 1,000 ℃, 500 ℃ to about 1,700 ℃, about 500 ℃ to about 1,500 ℃, about 500 ℃ to about 1,300 ℃, about 500 ℃ to about 1000 ℃, about 100 ℃ to about 1,800 ℃, about 100 ℃ to about 1,700 ℃ or to about 100 ℃ It may be an approximately 1,600 ℃, but is not limited thereto.

이어서, 도 2(c)에 도시된 바와 Then, shown in Figure 2 (c) 같이, 상기 금속 칼코게나이드 박막(30) 상에 폴리머 지지층(40)을 형성할 수 있다. Thus, it is possible to form the polymer support layer 40 on the metal chalcogenide thin film 30.

상기 금속 칼코게나이드 박막(30)을 최종적으로 응용되는 소자에 적용하기 위하여 상기 금속 박막(20)을 제거할 필요가 발생할 수 있다. It is necessary to remove the metal thin film 20 may occur in order to apply the element to be applied to the metal chalcogenide thin film 30 finally. 상기 상기 금속 박막(20)은 습식 또는 건식 등의 에칭 방법에 의하여 제거되는데, 예를 들어, 습식 에칭의 경우 상기 금속 박막(20)은 에천트인 산과 반응하여 제거된다. Wherein the metal thin film 20 are removed by an etching method such as wet or dry, for example, in the case of wet etching the metal thin film 20 is removed by etchant open acid reaction. 이와 같은 상기 금속 박막(20) 제거 과정에서 금속 칼코게나이드 박막(30)이 손상될 우려가 있다. Thus there is such the metal thin film 20, the removal process a fear that a metal chalcogenide thin film 30 is damaged in. 따라서, 폴리머 지지층(40)은 에칭 공정으로부터 금속 칼코게나이드 박막(30)을 보호하기 위해 형성될 수 있다. Thus, the polymer support layer 40 can be formed to protect the metal chalcogenide thin film 30 from the etch process.

상기 폴리머 지지층(40)은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate; PMMA), 폴리디메틸실록산(poly-dimethylsiloxanes; PDMS), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol; PVA), 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride; PVC), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene; PTFE), 벤질메타-아크릴레이트(benzylmetha-acrylate), 열박리 테이프, UV 박리 테이프 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The polymeric support layer 40 is polymethyl methacrylate (polymethylmethacrylate; PMMA), polydimethylsiloxane (poly-dimethylsiloxanes; PDMS), polyvinyl alcohol (polyvinylalcohol; PVA), polyvinyl chloride (polyvinyl chloride; PVC), polycarbonate (polycarbonate; PC), polytetrafluoroethylene (polytetrafluoroethylene; PTFE), benzyl-meta-acrylate (benzylmetha-acrylate), can be to include those selected from the group consisting of thermal release tape, UV release tape, and combinations thereof However, without being limited thereto.

이어서, 도 2(d)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 박막(20)을 제거함으로써 상기 금속 칼코게나이드 박막(30)을 분리할 수 있다. Then, it is possible to separate the metal chalcogenide thin film 30 by, as shown in Fig. 2 (d), removing the metal thin film 20. 상기 금속 박막(20)의 제거는, 예를 들어, RIE(reactive ion etching), ICP-RIE(inductively coupled plasma RIE), ECR-RIE(electron cyclotron resonance RIE), RIBE(reactive ion beam etching) 또는 CAIBE(chemical assistant ion beam etching)와 같은 에칭 장치를 이용한 건식에칭; Removal of the thin metal film 20 is, for example, RIE (reactive ion etching), ICP-RIE (inductively coupled plasma RIE), ECR-RIE (electron cyclotron resonance RIE), RIBE (reactive ion beam etching) or CAIBE dry etching using an etching device, such as a (chemical assistant ion beam etching); KOH(potassium hydroxide), TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide), EDP(ethylene diamine pyrocatechol), BOE(burrered oxide etch), FeCl 3 , Fe(NO 3 ) 3 , HF, H 2 SO 4 , HNO 3 , HPO 4 , HCL, NaF, KF, NH 4 F, AlF 3 , NaHF 2 , KHF 2 , NH 4 HF 2 , HBF 4 및 NH 4 BF 4 와 같은 에천트를 이용한 습식 에칭; KOH (potassium hydroxide), TMAH ( tetra methyl ammonium hydroxide), EDP (ethylene diamine pyrocatechol), (burrered oxide etch) BOE, FeCl 3, Fe (NO 3) 3, HF, H 2 SO 4, HNO 3, HPO 4 , HCL, NaF, KF, NH 4 F, AlF 3, NaHF 2, KHF 2, NH 4 HF 2, HBF wet etching using an etchant, such as 4 and NH 4 BF 4; 또는 산화막 식각제를 이용한 화학기계적 연마 공정;을 실시하여 수행할 수 있다. Or a chemical mechanical polishing process using an oxide etching agent; can be carried out by carrying out.

이어서, 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 칼코게나이드 박막(30) 및 상기 폴리머 지지층(40)은 목적 기재(50) 상에 전사되어 형성될 수 있다. Then, the said metal chalcogenide thin film 30 and the polymeric support layer 40 as shown in Figure 2 (e) can be formed is transferred onto the object substrate (50). 상기 목적 기재(50)는 다양한 소재의 기재로서, 유리, 석영, 사파이어, SiC, MgO, 플라스틱, 세라믹, 고무 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. It is used as the substrate of different material is the object substrate 50, a glass, but could be to include those selected from quartz, sapphire, SiC, MgO, plastics, ceramics, rubber and the group consisting of the combinations thereof, limited to no.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 목적 기재(50)는 투명 기재, 플렉서블 기재, 또는 투명 플렉서블 기재일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the invention, the object substrate 50 may be a transparent substrate, a flexible substrate, or a transparent flexible substrate, but is not limited thereto. 구체적으로, 상기 목적 기재는, 예를 들어, 유리, 석영, 사파이어, SiC, MgO 등의 투명한 무기물 기재, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 폴리이미드(PI), 폴리염화비닐(PVC), 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌(PE) 등의 투명 플렉서블한 유기물 기재 또는 Si, Ge, GaAs, InP, InSb, InAs, AlAs, AlSb, CdTe, ZnTe, ZnS, CdSe, CdSb, GaP 등의 기재를 사용할 수 있다. More specifically, the object is such that, for example, glass, quartz, sapphire, SiC, transparent inorganic substrate of MgO or the like, polyethylene terephthalate (PET), polystyrene (PS), polyimides (PI), polyvinylchloride (PVC ), polyvinylpyrrolidone (PVP), polyethylene (PE) substrate transparent flexible organic material such as or Si, Ge, GaAs, InP, InSb, InAs, AlAs, AlSb, CdTe, ZnTe, ZnS, CdSe, CdSb, GaP It can be used a base, such as. 디바이스용 기재로 PET와 같은 플라스틱 기재를 사용하면 전자 소자를 유연성 있는 디바이스로 제조할 수 있다. Using a plastic substrate such as PET as the base material for the device can be made of a flexible device to the electronic device.

이어서, 도 2(f)에 도시된 바와 같이, 상기 금속 칼코게나이드 박막(30) 상에 형성했던 상기 폴리머 지지층(40)을 제거할 수 있다. It can then be subjected to 2, as shown in (f), removing the polymer support layer 40 was formed on the metal chalcogenide thin film 30. 상기 금속 칼코게나이드 박막(30)을 상기 목적 기재(50)로의 전사 공정 이후에, 상기 금속 칼코게나이드 박막(20)의 에칭 공정 동안 상기 금속 칼코게나이드 박막(30)을 보호하기 위하여 상기 금속 칼코게나이드 박막(30) 상에 형성했던 상기 폴리머 지지층(40)은 아세톤 등에 의해 제거될 수 있다. The metal chalcogenide thin film 30 after the transfer process to the object base material 50, the metal in order for the etching process of the metal chalcogenide thin film 20 is to protect the metal chalcogenide thin film 30 the polymeric support layer was formed on the chalcogenide thin film 30, 40 can be removed by acetone.

상기 본원의 제 1 측면에 따른 방법에 대하여 기술된 내용은 모두 상기 본원의 제 2 측면 내지 제 4 측면에 대하여 적용될 수 있으며, 편의 상 그의 중복 기재를 생략한다. The contents described for the method according to the first aspect of the present application are all omitted, can be applied to the second side to the fourth aspect of the present application, convenience thereof overlapping base.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본원의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. One to more specifically describe the present invention to the following embodiments, the following examples will simply for purposes of illustration are not intended to limit the scope of the present application.

[ 실시예 1] Example 1

도 3의 도시된 장비를 이용하여 Si/SiO 2 기판 상에 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방법을 이용하여 금속 Mo를 3 nm 증착하였다. An electron beam evaporation (e-beam evaporation) method was used to deposit a metal Mo 3 nm on a Si / SiO 2 substrate by using the equipment shown in Fig. 이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 약 750℃의 온도에서 H 2 S를 1 시간 동안 주입하고, 아르곤 분위기에서 급냉하여 MoS 2 층을 형성하였다. Then, the H 2 S at a temperature of about 750 ℃ was charged for one hour, followed by rapid cooling in an argon atmosphere to form a MoS 2 layer as shown in Fig. Mo-S의 2성분 상 다이어그램(binary phase diagram)을 도 5에 나타내었다. A two-component phase diagram for Mo-S (binary phase diagram) is shown in Fig. 도 5 는 Mo와 S의 2상 상태도이다. Figure 5 is a two-phase state diagram of Mo and S. CVD에 의해 MoS 2 가 형성되는 영역을 표시 도 5 상에 표시하였다. An area in which MoS 2 is formed are shown in the display 5 by CVD. 온도가 약 0℃ 내지 약 550℃ 범위이고, S 함량이 약 65% 이하일 때 Mo및 MoS 2 가 생성됨을 확인할 수 있다. A temperature in the range of about 0 to about 550 ℃ ℃, can check the S content is about 65% or less when Mo and MoS 2 is generated. 또한, 온도가 약 444.6℃ 내지 약 1750±50℃ 범위이고, S 함량이 약70% 이상일 때 MoS 2 와 1 기압의 기체가 생성됨을 확인할 수 있다. In addition, the temperature in the range of about 444.6 to about 1750 ± 50 ℃ ℃, when there is approximately 70% S content than the body of MoS 2 and the atmospheric pressure can check the edited. 여기서, 상기 S 함량은 Mo원자와 S 원자 전체를 100% 로 하였을 때 S 원자 함량을 의미한다. Here, the S content means a content of S atom when the total Mo atom and S atom to be 100%. 형성된 MoS 2 층은 평균 약 5층이 관찰되었다 (하기 도 7 참조). Formed MoS 2 layer is approximately 5 layers were observed mean (see Fig. 7).

도 6(a)는 기판과 MoS 2 의 광학 현미경 사진으로서, 왼쪽 상단의 작은 부분이 기판 표면을 나타낸다. Figure 6 (a) shows a small part of the substrate surface at the top of an optical microphotograph of the substrate and the MoS 2, left side. MoS 2 MoS 2 표면의 하얀색의 균열이 관찰되었으며, 상기 균열을 확인하기 위하여, 상기 MoS 2 The white of a crack on the surface was observed, to confirm the crack, the MoS 2 표면의 라만 맵핑 이미지(도 6(b))를 분석하였다. Raman mapping image (Fig. 6 (b)) of the surface analyzed. 도 6(a)의 MoS 2 MoS 2 in Fig. 6 (a) 표면의 하얀색 균열은 도 6(b)에서도 관찰되었다. White crack of the surface was also observed in Figure 6 (b). 왼쪽 상단의 기판 표면은 피크가 전혀 검출되지 않았기 때문에 검은색으로 표시되었고, 상기 MoS 2 표면의 균열은 색의 차이가 있지만 피크가 검출된 것으로 보아, 상기 균열은 전사과정 중에 남은 PMMA등에 의하여 표면이 가려져 있어 형성된 것임을 확인할 수 있었다. Since the substrate surface in the upper left side was not a peak is detected at all were shown in black, the crack of the MoS 2 surface has a difference in color, but when viewed as a peak is detected, the crack is the surface by such remaining PMMA during the transfer process it was confirmed that the formed blocked.

도 7(a) Figure 7 (a) is 도 6(b)의 평균 스펙트라를 나타낸 것으로서, E 1 2g 피크 와 A 1 1g 피크 사이의 거리로서 MoS 2 의 원자 As the average spectra shown in Fig. 6 (b), atoms of MoS 2 as the distance between E 1 and 2g peak A 1g peak 1 층수를 추정할 수 있다. It is possible to estimate the number of layers. 도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 갈라져 있는 부분에서도 또렷하게 피크가 관찰되었다. The peaks were observed as shown in Fig. 7 (a), clearly divided in parts. 도 7(b) Figure 7 (b) is 참고문헌(출처 C.Lee ACS References (Source C.Lee ACS Nano , 4(5), 2695 , (2011))의 MoS 2 박막의 균일도를 나타낸 그래프이다. Nano, 4 (5), 2695 , (2011) is a graph showing the uniformity of the thin film of MoS 2). 도 7(b) 를 참고할 때, 상기 E 1 2g 피크와 A 1 1g 피크 사이의 거리는 약 24.5 cm -1 로서, MoS 2 의 원자 Figure 7 (b) the reference time, the E 2g peak 1 and A 1 a distance of about 24.5 cm -1 between 1g peak, atoms of MoS 2 층이 5층임을 추정할 수 있다. It can be estimated that the layer is the fifth floor. 도 7(b) 의 사각형은 E 1 2g 의 피크 포지션이고 삼각형은 A 1 1g 의 피크 포지션을 나타낸다(왼쪽 눈금). FIG square of 7 (b) is the peak position 1 in E 2g and triangle represents the peak position 1 in the A 1g (left scale). 붉은색은 피크 간 거리를 나타낸다 (오른쪽 눈금). Red represents a peak-to-peak distance (right scale).

도 8은 MoS 2 박막 상에 미량의 H 2 S 가스를 주입한 후 MoS 2 박막의 광학현미경 이미지(a) 및 라만맵핑 이미지(b)를 나타내며, H 2 S 가스를 아주 미량으로 주입한 경우에도 도 8과 같이 균일한 균열이 형성되었다. Figure 8, even if after injecting the H 2 S gas in a very small amount on the MoS 2 thin film shows a light microscopy image of (a) and Raman mapping image (b) of MoS 2 thin film, injecting the H 2 S gas in a very small amount the uniform crack as shown in Figure 8 was formed. 도 8(a) Figure 8 (a) 상단 부분이 기판 표면을 나타내고, 하단 부분이 MoS 2 The upper part shows a surface of the substrate, the lower part 2 MoS 박막을 나타낸다 (합성조건 H2S 1sccm, 10 min). It indicates the thin film (synthetic conditions H2S 1sccm, 10 min). 붉은색 사각형은 도 8(b)를 측정한 위치를 의미한다. The red squares indicate where one measures the 8 (b). 도 8(b) 의 Of Figure 8 (b) 검은색으로 표시된 부분이 기판 표면을 나타내고, 노란 부분이 MoS 2 박막을 나타낸다. Parts shown in black represents the surface of the substrate, the yellow part shows the MoS 2 thin film. 피크가 고르게 나오는것으로 보아, MoS 2 박막이 균일하게 형성된 것으로 추정할 수 있다. Seen as a peak appearing evenly, MoS 2 thin film can be estimated to be uniformly formed.

도 9(a)는 도 8(b)의 평균 스펙트라를 나타낸 것으로서, E 1 2g 피크 와 A 1 1g 피크 사이의 거리로서 MoS 2 의 원자 Figure 9 (a) is shown as the average of the spectra 8 (b) also, the atoms of MoS 2 as the distance between E 1 and 2g peak A 1g peak 1 층수를 추정할 수 있다. It is possible to estimate the number of layers. 도 9(b)는 참고문헌(출처 C.Lee ACS Figure 9 (b) is a reference (source ACS C.Lee Nano , 4(5), 2695 , (2011))의 MoS 2 박막의 균일도를 나타낸 그래프이다. Nano, 4 (5), 2695 , (2011) is a graph showing the uniformity of the thin film of MoS 2). 도 9(b) 를 참고할 때, 상기 E 1 2g 피크와 A 1 1g 피크 사이의 거리는 약 22 cm - 1 로서, MoS 2 의 원자 Figure 9 (b) the reference time, the distance is about 22 cm between the E 1 1 A 1g 2g peak and peak-as 1 atom of MoS 2 층이 2층임을 추정할 수 있다. It can be estimated that the layer is a second layer. 도 9(b) 의 사각형은 E 1 2g 의 피크 포지션이고 삼각형은 A 1 1g 의 피크 포지션을 나타낸다(왼쪽 눈금). FIG rectangle of 9 (b) is the peak position 1 in E 2g and triangle represents the peak position 1 in the A 1g (left scale). 붉은색은 피크 간 거리를 나타낸다 (오른쪽 눈금). Red represents a peak-to-peak distance (right scale).

도10은MoS 2 박막의 균일도 측정을 위한 MoS 2 박막의 특정 위치(position)를 나타낸 광학 현미경 이미지이다. 10 is a light microscope image showing a location (position) of MoS 2 thin film for the uniformity measurement of MoS 2 thin film. 도 6과 같은 시편으로 임의의 3점에서 E 1 2g 피크와 A 1 1g 피크 간 거리를 측정하였다. The specimen as shown in Fig. 6 was measured distance between E 1 and A 1 1g 2g peak peak at arbitrary three points. 도 10(a) (샘플 1) 및 도 10(b) (샘플 2) 에 표시된 각 포인트별 피크 간의 거리를 하기 표 1에 나타내었다. Figure 10 (a) (Sample 1) and are shown in Figure 10 (b) (Sample 2) to the distance between the respective points by peaks shown in Table 1.

Figure 112012019657915-pat00001

균일도 측면에서 두 번째 샘플이 2층으로 피크 사이의 거리가 재현성이 나타났다. The second sample is the distance between the reproducibility of the peak was in two layers in terms of uniformity. 따라서 본 실시예에 따른 화학 기상 증착 방법을 응용하면, 얇은 필름상에서 성장이 가능하다는 것을 알 수 있다. Therefore, the application of chemical vapor deposition method according to the present embodiment, it can be seen that growth is possible on the thin film. 이와 같이 합성된 샘플을 이용하여 FET에 응용할 수 있다. Using the sample synthesized in this way can be applied to the FET.

[ 실시예 2] Example 2

Mo 호일에서 750℃의 온도에서 H 2 S를 15 분 동안 동안 주입하여 MoS 2 층을 형성하였다. In the Mo foil at a temperature of 750 ℃ injection during the H 2 S for 15 min to form a MoS 2 layer. 도 11(a)는 상기 MoS 2 샘플의 광학현미경 사진이다. Figure 11 (a) is an optical micrograph of the MoS 2 samples. 오른쪽 부근에 보라색이 기판 표면이다. Purple is the substrate surface in the vicinity of the right. 상기 형성된 MoS 2 가 상기 Mo 호일의 표면 상태에 상당한 영향을 받은 것을 확인할 수 있다. It can be confirmed that the so formed MoS 2 received a significant effect on the surface state of the Mo foil. 도 11(a) 상의 붉은색 십자 표시는 가장 얇은 층으로 추측되는 지점을 표시한 것이다. FIG red cross-hair on the 11 (a) is to display the point to be inferred as the thinnest layer. 상기 붉은색의 십자 표시 부분을 라만 측정하여 도 11(b) 에 나타내었다. The cross-hair portion of the red color is shown in 11 (b) also by measuring the Raman. E 1 2g 피크 와 A 1 1g 피크 사이의 거리는 23.5 cm - 1 로서, 도 7(b) 또는 도 9(b)를 참고할 때, 상기 형성된 MoS 2 가 3층임을 추정할 수 있다. 23.5 cm distance between E 1 and A 1 1g 2g peak peak - a 1, it is possible to estimate that the Figure 7 (b) or even when the reference 9 (b), the MoS 2 is formed on the third floor.

도 12(a) 또한 상기 MoS 2 샘플의 광학현미경 사진이다. Figure 12 (a) is also an optical micrograph of the MoS 2 samples. 도 12(a) 상의 붉은색 십자 표시는 가장 얇은 층으로 추측되는 지점을 표시한 것이다. Figure 12 (a) red cross-hair on the display is the point at which the speculation as the thinnest layer. 상기 붉은색의 십자 표시 부분을 라만 측정하여 도 12(b) 에 나타내었다. The cross-hair portion of the red color is shown. 12 (b) by measuring the Raman. E 1 2g 피크 와 A 1 1g 피크 사이의 거리는 약 22 cm - 1 로서, 도 7(b) 또는 도 9(b)를 참고할 때, 상기 형성된 MoS 2 가 2층임을 추정할 수 있다. The distance of about 22 cm between E 1 and A 1 1g 2g peak peak - a 1, it is possible to estimate that the Figure 7 (b) or even when the reference 9 (b), the formed MoS 2 is a double-layer.

[ 실시예 3] Example 3

도 13은 금속 칼코게나이드 박막의 전사 과정을 나타낸 Figure 13 shows the transfer process of a thin film metal chalcogenides 공정도이다. A process diagram. Si/SiO 2 기판 상에 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방법을 이용하여 금속 Mo를 3 nm 증착하였다. Si / SiO by using electron beam evaporation (e-beam evaporation) method on the second substrate was deposited a metal Mo 3 nm. 이어서, next, 도 13에 도시된 바와 같이, 750℃의 온도에서 H 2 S를 15 분 동안 주입하여 MoS 2 층을 형성하였다. As it is shown in Figure 13, with the H 2 S at a temperature of 750 ℃ injected for 15 minutes to form a MoS 2 layer. MoS 2 층 상에 폴리머 지지층으로서 PMMA를 코팅하고, KOH 용액(~15 M)을 사용하여 Mo 층 및 기재 SiO 2 를 에칭하여 MoS 2 층을 분리하였다. MoS coated with PMMA as the polymer support layer on the second layer, and by etching the Mo layer and a SiO 2 substrate by using KOH solution (~ 15 M) was isolated the MoS 2 layer. 분리된 MoS 2 층/PMMA 층을 목적기재 상에 전사하였다. The separated layer MoS 2 / PMMA layer was transferred onto the object substrate. 전사 후 PMMA층을 아세톤을 이용하여 제거하였다. After the transfer was removed with acetone the PMMA layer.

이상, 구현예 및 실시예를 들어 본원을 상세하게 설명하였으나, 본원은 상기 구현예 및 실시예들에 한정되지 않으며, 여러 가지 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 본원의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함이 명백하다. Or more, for although detailed description of the present application the implementation and embodiments, the present application is not limited to the embodiments and examples, it can be modified in various different forms, conventional in the art within the technical scope of the present by the knowledge of a person having it is apparent that various modifications may be many.

Claims (15)

  1. 기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계; Forming a metal thin film on a substrate;
    상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계; Then supplying a gas containing-chalcogen atom on the metal foil; And
    상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계 Comprising: reacting a gas containing a thin film form a metal chalcogenide represented by the general formula (1), wherein the metal and the chalcogen atoms
    를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법에 있어서, A manufacturing method of a metal chalcogenide thin film containing,
    상기 금속 박막은 Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것이며, The metal thin film is Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, consisting of Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, in Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, and the combination thereof intended to include those selected from the group,
    상기 칼코겐 원자-함유 기체는 S 2 , Se 2 , Te 2 , H 2 S, H 2 Se, H 2 Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, A phosphorus-containing gas comprises is selected from the group consisting of S 2, Se 2, Te 2 , H 2 S, H 2 Se, H 2 Te, and combinations thereof, wherein the chalcogen atom
    금속 칼코게나이드 박막의 제조방법. Method of producing a metal chalcogenide thin film.
    [화학식 1] Formula 1
    M a X b M a X b
    상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po In the formula, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b are each independently an integer of 1 to 3.
  2. 삭제 delete
  3. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 금속 박막은 스퍼터링 방법, 전자빔 증착(E-beam evaporator) 방법, 열증착(thermal evaporation) 방법, 이온클러스터빔(ion cluster beam), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition; PLD) 방법 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법. The metal thin film is a sputtering method, an electron beam evaporation (E-beam evaporator) method, thermal deposition (thermal evaporation) method, an ion cluster beam (ion cluster beam), pulsed laser deposition; s (pulsed laser deposition PLD) method, and combinations thereof a method for producing a metal chalcogenide thin film is formed by a method selected from the group consisting of.
  4. 삭제 delete
  5. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 금속 칼코게나이드 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하여 금속 칼코게나이드 박막을 추가 형성하는 것을 1회 이상 수행하는 것을 더 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법. The method of supplying a gas containing further include performing one or more times to further form a metal chalcogenide thin film, metal chalcogenide thin film, wherein the metal chalcogenide chalcogen atom on the thin film.
  6. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 기재는 Si, SiO 2 , Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3 , LiAlO 3 , MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법. The substrate is the group consisting of Si, SiO 2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3, LiAlO 3, MgO, glass, quartz, sapphire, graphite, graphene, and combinations thereof method of producing a metallic thin film containing a chalcogenide is selected from.
  7. 제 1 항, 제 3 항, 제 5 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는, 금속 칼코게나이드 박막. Of claim 1, claim 3, claim 5, and 6 of the metal to be produced by a method according to any one of the preceding, wherein of the chalcogenide film.
  8. 제 7 항에 따른 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 소자. Device comprising a metal chalcogenide thin film according to claim 7.
  9. 기재 상에 금속 박막을 형성하는 단계; Forming a metal thin film on a substrate;
    상기 금속 박막 상에 칼코겐 원자-함유 기체를 공급하는 단계; Then supplying a gas containing-chalcogen atom on the metal foil;
    상기 금속 및 상기 칼코겐 원자-함유 기체를 반응시켜 하기 화학식 1 로 표시되는 금속 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계; Comprising: reacting a gas containing a thin film form a metal chalcogenide represented by the general formula (1), wherein the metal and the chalcogen atom;
    상기 금속 칼코게나이드 금속 박막을 형성한 후에 상기 금속 칼코게나이드 박막 상에 폴리머 지지층을 형성하는 단계; Forming a polymer support layer on the metal chalcogenide thin film after forming said metal chalcogenide thin metal film;
    상기 기재 및 상기 금속 박막을 제거함으로써 상기 폴리머 지지층이 형성된 금속 칼코게나이드 박막을 분리하는 단계; Separating the metal chalcogenide thin film is the polymeric support layer is formed by removing the substrate and the metal thin film; And
    상기 분리된 폴리머 지지층이 형성된 금속 칼코게나이드 박막을 목적 기재 상에 전사하는 단계 Transferring the discrete polymeric support layer is a metal chalcogenide thin film formed on the object base material
    를 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법: Method for transferring a metal chalcogenide thin film, comprising:
    [화학식 1] Formula 1
    M a X b M a X b
    상기 식 중, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, 또는 Po In the formula, M = Mo, W, Bi, Mg, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Po, or 이고, X = S, Se, 또는 Te 이고, 및, a 및 b 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수임. And, wherein X = S, Se, or Te, and, a and b are each independently an integer of 1 to 3.
  10. 삭제 delete
  11. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 폴리머 지지층이 형성된 금속 칼코게나이드 박막을 목적 기재 상에 전사하는 단계 이후, 상기 폴리머 지지층을 제거하는 단계를 추가 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법. After the step of transferring a metal chalcogenide thin film is the polymer support layer formed on the object base material, a transfer method, a metal chalcogenide film including adding and removing the polymer support layer.
  12. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 폴리머 지지층은 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate; PMMA), 폴리디메틸실록산(poly-dimethylsiloxanes; PDMS), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol; PVA), 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride; PVC), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene; PTFE), 벤질메타-아크릴레이트(benzylmetha-acrylate), 열박리 테이프, UV 박리 테이프 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법. It said polymeric support layer is a polymethyl methacrylate (polymethylmethacrylate; PMMA), polydimethylsiloxane (poly-dimethylsiloxanes; PDMS), polyvinyl alcohol (polyvinylalcohol; PVA), polyvinyl chloride (polyvinyl chloride; PVC), polycarbonate (polycarbonate; PC), polytetrafluoroethylene (polytetrafluoroethylene; PTFE), benzyl-meta-acrylate (benzylmetha-acrylate), thermal release tape, the UV release tape and comprises is selected from the group consisting of metal knife method for transferring a thin film chalcogenides.
  13. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 기재는 Si, SiO 2 , Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3 , LiAlO 3 , MgO, 유리, 석영, 사파이어, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법. The substrate is the group consisting of Si, SiO 2, Ge, GaN, AlN, GaP, InP, GaAs, SiC, Al 2 O 3, LiAlO 3, MgO, glass, quartz, sapphire, graphite, graphene, and combinations thereof method for transferring a metallic thin film containing a chalcogenide is selected from.
  14. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 목적 기재는 유리, 석영, 사파이어, SiC, MgO, 플라스틱, 세라믹, 고무 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법. The above object substrate transfer method of a metal chalcogenide thin film comprises is selected from the group consisting of glass, quartz, sapphire, SiC, MgO, plastics, ceramics, rubber and the combination thereof.
  15. 제 7 항에 따른 금속 칼코게나이드 박막을 단수 또는 복수의 층으로서 포함하는, 금속 칼코게나이드 박막 적층체. Metal chalcogenide thin film laminate comprising a metal chalcogenide thin film according to claim 7, wherein a single or plural layers.
KR1020120024922A 2012-03-12 2012-03-12 Preparing method of chacogenide metal thin film KR101360997B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120024922A KR101360997B1 (en) 2012-03-12 2012-03-12 Preparing method of chacogenide metal thin film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120024922A KR101360997B1 (en) 2012-03-12 2012-03-12 Preparing method of chacogenide metal thin film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130103913A KR20130103913A (en) 2013-09-25
KR101360997B1 true KR101360997B1 (en) 2014-02-11

Family

ID=49452849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120024922A KR101360997B1 (en) 2012-03-12 2012-03-12 Preparing method of chacogenide metal thin film

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101360997B1 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101529788B1 (en) * 2013-12-10 2015-06-29 성균관대학교산학협력단 Chacogenide metal thin film and manufacturing method thereof
KR101523172B1 (en) * 2014-01-13 2015-05-26 포항공과대학교 산학협력단 Method for manufacturing metal-chalcogenides thin film and metal-chalcogenides thin film prepared thereby
KR20150098904A (en) * 2014-02-21 2015-08-31 엘지전자 주식회사 Method for manufacturing metal chalcogenide film and the film manufactured by the same
KR101591833B1 (en) * 2014-05-12 2016-02-04 엘지전자 주식회사 Method for manufacturing doped metal chalcogenide film and the film manufactured by the same
KR101662890B1 (en) * 2014-07-29 2016-10-06 서울대학교산학협력단 Gas sensor operable at room temperature and preparation method thereof
KR101638121B1 (en) * 2015-01-26 2016-07-08 성균관대학교산학협력단 Method of forming transition metal dichalcogenide and apparatus of forming transition metal dichalcogenide
KR101655898B1 (en) * 2015-03-27 2016-09-08 연세대학교 산학협력단 The method for controlling thickness of heterostructured in-plane transition metal chalcogenide thin film
KR101682307B1 (en) * 2015-07-09 2016-12-05 연세대학교 산학협력단 Method of growing transition metal dichalcogenide in large scale and apparatus for the method
KR101703814B1 (en) 2015-09-16 2017-02-08 한국과학기술연구원 Method for controlling thickness of two dimensional material thin film using seeding promoter and solvent
KR101851722B1 (en) * 2015-11-19 2018-06-11 세종대학교산학협력단 Chalcogen-containing film and producing method of the same
WO2018186535A1 (en) * 2017-04-06 2018-10-11 한국해양대학교 산학협력단 Method for preparing two-dimensional material by using adsorption inhibitory surface treatment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500520B1 (en) * 1996-08-27 2005-07-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 A transferring method and a method for manufacturing an active matrix substrate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500520B1 (en) * 1996-08-27 2005-07-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 A transferring method and a method for manufacturing an active matrix substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130103913A (en) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kim et al. Synthesis of patched or stacked graphene and hBN flakes: a route to hybrid structure discovery
Choi et al. Recent development of two-dimensional transition metal dichalcogenides and their applications
Qian et al. Gallium nitride-based nanowire radial heterostructures for nanophotonics
Luo et al. Effect of substrate roughness and feedstock concentration on growth of wafer-scale graphene at atmospheric pressure
Willander et al. Zinc oxide nanorod based photonic devices: recent progress in growth, light emitting diodes and lasers
Diebold et al. Atomic-scale properties of low-index ZnO surfaces
Weatherup et al. Kinetic control of catalytic CVD for high-quality graphene at low temperatures
Kalantar-zadeh et al. Biosensors based on two-dimensional MoS2
Wood et al. Selection of metal oxide charge transport layers for colloidal quantum dot LEDs
Deb et al. Faceted and vertically aligned GaN nanorod arrays fabricated without catalysts or lithography
Lee et al. Synthesis of wafer-scale uniform molybdenum disulfide films with control over the layer number using a gas phase sulfur precursor
AU2014250839B2 (en) Inorganic and organic transient electronic devices
Hsu et al. Generally applicable self-masked dry etching technique for nanotip array fabrication
US7638345B2 (en) Method of manufacturing silicon nanowires and device comprising silicon nanowires formed by the same
Juhasz et al. Controlled fabrication of silicon nanowires by electron beam lithography and electrochemical size reduction
Shi et al. Synthesis of few-layer hexagonal boron nitride thin film by chemical vapor deposition
Goetting et al. Microcontact printing of alkanephosphonic acids on aluminum: Pattern transfer by wet chemical etching
Park et al. Large-area monolayer hexagonal boron nitride on Pt foil
RU2565336C2 (en) Alloying graphene with holes
Pan et al. Molten gallium as a catalyst for the large-scale growth of highly aligned silica nanowires
Li et al. Two-dimensional GaSe/MoSe2 misfit bilayer heterojunctions by van der Waals epitaxy
Lupina et al. Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Xu et al. Synthesis and transfer of large-area monolayer WS2 crystals: moving toward the recyclable use of sapphire substrates
Liu et al. Controllable and rapid synthesis of high-quality and large-area Bernal stacked bilayer graphene using chemical vapor deposition
Loan et al. Graphene/MoS2 heterostructures for ultrasensitive detection of DNA hybridisation

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180201

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190128

Year of fee payment: 6