KR101360627B1 - Method for manufacturing of substrate for semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing of substrate for semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR101360627B1
KR101360627B1 KR1020120133812A KR20120133812A KR101360627B1 KR 101360627 B1 KR101360627 B1 KR 101360627B1 KR 1020120133812 A KR1020120133812 A KR 1020120133812A KR 20120133812 A KR20120133812 A KR 20120133812A KR 101360627 B1 KR101360627 B1 KR 101360627B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gallium nitride
nitride film
gallium
substrate
source
Prior art date
Application number
KR1020120133812A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
심광보
이성국
Original Assignee
한양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한양대학교 산학협력단 filed Critical 한양대학교 산학협력단
Priority to KR1020120133812A priority Critical patent/KR101360627B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101360627B1 publication Critical patent/KR101360627B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

A method for manufacturing a substrate for a semiconductor device is provided. The method includes a step of generating cracks in a first gallium nitride layer by cooling a base substrate after the first gallium nitride layer is grown on the base substrate by supplying a nitrogen source and a gallium source, and a step of growing a second gallium nitride layer on the first gallium nitride layer by supplying the nitrogen source and the gallium source. The second nitrogen source and a gallium source is grown by supplying the nitrogen source and a gallium source with a V/III group rate of 3:1-20:1 in order to cover the cracks. Therefore, a high quality gallium nitride layer where the generation of crack or warpage is minimized can be obtained by simply controlling a process condition without an additional process.

Description

반도체 소자용 기판의 제조방법{Method for manufacturing of substrate for semiconductor device}Method for manufacturing of substrate for semiconductor device

본 발명은 반도체 소자용 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 질화갈륨 단결정 기판의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a substrate for semiconductor devices, and more particularly, to a method for producing a gallium nitride single crystal substrate.

반도체 소자는 반도체 공정 기술을 이용하여 소정의 기판 상에 발광 소자 등의 전자 소자를 구현한 전자 부품의 하나이다. 상기 발광 소자 중에서도, 친환경 및 녹색 성장 산업의 성장과 더불어 발광 다이오드(LED) 및 레이저 다이오드(LD)가 크게 각광받고 있다. A semiconductor device is one of electronic components that implements electronic devices such as a light emitting device on a predetermined substrate by using semiconductor process technology. Among the light emitting devices, light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) are attracting much attention along with the growth of eco-friendly and green growth industries.

한편, 질화갈륨(GaN)은 우르자이트(wurzite) 구조를 가지는 질화물 반도체의 일종이다. 질화갈륨은 3.4 eV의 에너지 밴드갭을 가져, 에너지 밴드갭이 1.9 eV인 질화인듐(InN) 또는 에너지 밴드갭이 6.2 eV인 질화알루미늄(AlN)과 밴드갭 엔지니어링이 가능한 이점이 있어, 가시광선 영역에서부터 자외선 영역까지 넓은 파장 영역을 가지는 발광 소자 제조에 응용되고 있다.On the other hand, gallium nitride (GaN) is a kind of nitride semiconductor having a wurtzite structure. Gallium nitride has an energy bandgap of 3.4 eV, allowing indium nitride (InN) having an energy bandgap of 1.9 eV or aluminum nitride (AlN) having an energy bandgap of 6.2 eV, and thus allowing bandgap engineering. It is applied to the manufacture of a light emitting device having a wide wavelength range from to the ultraviolet region.

고품위의 질화갈륨막을 성장시키기 위해서는 격자 상수 및 열팽창계수가 동일한 동종 기판인 질화갈륨 단결정 기판이 필요하다. 그러나, 질화갈륨 단결정 기판은 매우 고가이며, 질화갈륨의 높은 융점과 질소의 높은 평형 증기압으로 인해 동종 기판 상에서 질화갈륨막을 성장시키는 호모에피택시(homoepitaxy) 기술로는 고품위의 질화갈륨막 성장이 어려운 문제점이 있다. In order to grow a high quality gallium nitride film, a gallium nitride single crystal substrate, which is a homogeneous substrate having the same lattice constant and thermal expansion coefficient, is required. However, gallium nitride single crystal substrates are very expensive, and due to the high melting point of gallium nitride and the high equilibrium vapor pressure of nitrogen, it is difficult to grow high-quality gallium nitride films by homoepitaxy technology that grows gallium nitride films on homogeneous substrates. There is this.

따라서, 현재는 질화갈륨과 격자 상수 및 열팽창계수의 차이가 비교적 큰 사파이어나 실리콘 카바이드 등과 같은 이종 기판 상에 질화갈륨막을 성장시키는 헤테로에피택시(heteroepitaxy) 기술이 주로 이용되고 있다.Therefore, at present, heteroepitaxy techniques are mainly used in which gallium nitride films are grown on dissimilar substrates such as sapphire, silicon carbide, or the like, in which the difference in lattice constant and lattice constant and thermal expansion coefficient is relatively large.

그러나, 이종 기판 상에 성장된 단결정 질화갈륨막은 격자 상수와 열팽창계수의 차이에 의해 크랙(crack)이나 휨(bowing)이 발생하고, 높은 전위 밀도(dislocation density)로 인해 격자 결함이 발생하므로, 이러한 질화갈륨막 상에 제조되는 반도체 소자의 성능 불균일, 불량 또는 수명 저하 등을 가져오는 문제점이 있다. However, a single crystal gallium nitride film grown on a heterogeneous substrate has cracks or bowing due to a difference in lattice constant and coefficient of thermal expansion, and lattice defects occur due to high dislocation density. There is a problem that the performance of the semiconductor device fabricated on the gallium nitride film, non-uniformity, poor or reduced life.

도 1은 사파이어 기판 상에 성장된 질화갈륨막을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a gallium nitride film grown on a sapphire substrate.

도 1을 참조하면, 질화갈륨막의 a축 격자 상수는 3.189Å이고, 사파이어 기판의 a축 격자 상수는 4.758Å로 약 16%의 격자 부정합을 나타낸다. 또한, 사파이어 기판과 질화갈륨막은 열팽창계수도 약 25% 차이를 보인다. 이러한 격자 부정합과 열팽창계수의 차이는, 사파이어 기판 상에 질화갈륨막 성장 후 냉각시, 사파이어 기판과 질화갈륨막의 계면에서 응력(strain)을 발생시킨다. Referring to Fig. 1, the a-axis lattice constant of the gallium nitride film is 3.189 GPa, and the a-axis lattice constant of the sapphire substrate is 4.758 GPa, which shows about 16% lattice mismatch. In addition, the coefficient of thermal expansion of the sapphire substrate and the gallium nitride film shows a difference of about 25%. The difference between the lattice mismatch and the coefficient of thermal expansion causes stress at the interface between the sapphire substrate and the gallium nitride film upon cooling after the growth of the gallium nitride film on the sapphire substrate.

보다 구체적으로, 사파이어 기판에는 인장 응력(tensile strain)이, 질화갈륨막에는 압축 응력(compressive strain)이 야기된다. 이로 인해, 사파이어 기판 상에 성장되는 질화갈륨막은 응력에 견디지 못하고, 크랙이 발생하는 문제점이 있다. More specifically, tensile stress is caused on the sapphire substrate, and compressive stress is caused on the gallium nitride film. For this reason, the gallium nitride film grown on the sapphire substrate does not tolerate stress and cracks occur.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 이종 기판 상에 질화갈륨막을 성장하기 전에 질화알루미늄막 등과 같은 같은 완충층을 이용하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 기술은 500℃ ∼ 600℃의 저온에서 완충층을 반드시 사용하여야 하므로, 공정이 복잡해질 뿐 아니라, 후막 성장을 위해 다시 온도를 높여야 하는 번거로움이 있다. 또한, 완충층을 사용하면 격자 부정합에 의한 크랙 또는 휨의 발생은 일부 방지할 수 있으나, 열팽창계수 차이에 의한 크랙 또는 휨의 발생은 여전히 개선되지 않는 문제점이 있다.In order to solve this problem, a technique using a buffer layer such as an aluminum nitride film or the like is disclosed before growing a gallium nitride film on a dissimilar substrate. However, this technique must use a buffer layer at a low temperature of 500 ℃ to 600 ℃, not only the process is complicated, but also hassle to increase the temperature again for thick film growth. In addition, the use of the buffer layer may prevent the occurrence of cracks or warpage due to lattice mismatch, but there is a problem that the occurrence of cracks or warpage due to the difference in thermal expansion coefficient is still not improved.

KR 10-2001-0022369 B1KR 10-2001-0022369 B1

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이종 기판 상에 질화갈륨막 성장시 크랙이나 휨의 발생을 최소화하여 고품위의 질화갈륨막을 얻을 수 있는 반도체 소자용 기판의 제조방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a substrate for a semiconductor device, which can obtain a high quality gallium nitride film by minimizing the occurrence of cracks and warpage when growing a gallium nitride film on a dissimilar substrate.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 반도체 소자용 기판의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 베이스 기판 상에 제1 질화갈륨막을 성장시킨 후, 상기 베이스 기판을 냉각하여 상기 제1 질화갈륨막에 크랙을 발생시키는 단계 및 질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 상기 제1 질화갈륨막 상에 제2 질화갈륨막을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 제2 질화갈륨막을 성장시키는 단계는 3:1 ∼ 20:1의 V/III족 비율로 질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 상기 크랙을 덮는 제2 질화갈륨막을 성장시키는 단계이다.One aspect of the present invention to achieve the above object provides a method of manufacturing a substrate for a semiconductor device. The manufacturing method includes supplying a nitrogen source and a gallium source to grow a first gallium nitride film on a base substrate, cooling the base substrate to generate cracks in the first gallium nitride film, and a nitrogen source and a gallium source. And supplying to grow a second gallium nitride film on the first gallium nitride film, wherein growing the second gallium nitride film includes a nitrogen source and gallium at a Group V / III ratio of 3: 1 to 20: 1. Supplying a source to grow a second gallium nitride film covering the crack.

상기 제1 질화갈륨막 및 상기 제2 질화갈륨막의 성장은 HVPE법을 이용하여 수행할 수 있다.The growth of the first gallium nitride film and the second gallium nitride film may be performed using the HVPE method.

상기 베이스 기판은 질화갈륨보다 열팽창계수가 큰 사파이어 기판일 수 있다.The base substrate may be a sapphire substrate having a larger coefficient of thermal expansion than gallium nitride.

상기 제2 질화갈륨막의 측방성장속도는 수직성장속도보다 빠를 수 있다.The lateral growth rate of the second gallium nitride film may be faster than the vertical growth rate.

상기 제1 질화갈륨막의 두께는 2㎛ 이하일 수 있다. 상기 제2 질화갈륨막의 두께는 3㎛ ∼ 30mm일 수 있다.The first gallium nitride layer may have a thickness of 2 μm or less. The thickness of the second gallium nitride film may be 3 μm to 30 mm.

상기 질소 소스는 암모니아(NH3) 가스이고, 상기 갈륨 소스는 염화갈륨(GaCl) 가스일 수 있다.The nitrogen source may be ammonia (NH 3 ) gas, and the gallium source may be gallium chloride (GaCl) gas.

상기 질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 상기 제1 질화갈륨막 상에 제2 질화갈륨막을 성장시키는 단계 이후, 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include separating the base substrate after supplying the nitrogen source and the gallium source to grow a second gallium nitride film on the first gallium nitride film.

본 발명에 따르면, 별도의 추가 공정 없이, 공정 조건의 조절만으로 간단하게 크랙이나 휨 발생이 최소화된 고품위의 질화갈륨막을 얻을 수 있다. 또한, 저렴하고 용이하게 대면적의 질화갈륨막을 얻을 수 있다. According to the present invention, it is possible to obtain a high quality gallium nitride film in which the occurrence of cracks or warpage is minimized simply by adjusting the process conditions without any additional process. In addition, a large area gallium nitride film can be obtained inexpensively and easily.

더욱이, 이러한 질화갈륨막을 기판으로 이용하는 반도체 소자의 제조시, 기판의 휨이 적게 발생하므로 소자층을 비교적 두껍게 형성하더라도 기판 핸들링이 용이하다. 따라서, 후속 공정을 원활하게 수행할 수 있고, 반도체 소자의 불량률을 최소화할 수 있다.In addition, when manufacturing a semiconductor device using such a gallium nitride film as a substrate, since the warpage of the substrate is less generated, even if the element layer is formed relatively thick, handling of the substrate is easy. Therefore, the subsequent process can be performed smoothly, and the defect rate of the semiconductor device can be minimized.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 사파이어 기판 상에 성장된 질화갈륨막을 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자용 기판의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 비교예에 따른 질화갈륨막의 광학현미경 사진 및 2인치 사진이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨막의 광학현미경 사진 및 2인치 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 의도적으로 크랙을 형성한 질화갈륨막 표면의 광학 현미경 사진이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따라 질화갈륨막 재성장시 Ⅴ/Ⅲ족 비율에 따른 질화갈륨막 표면의 광학 현미경 사진들이다. 1 is a cross-sectional view showing a gallium nitride film grown on a sapphire substrate.
2A through 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a substrate for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are optical micrographs and 2-inch photographs of gallium nitride films according to Comparative Examples.
4A and 4B are optical micrographs and 2-inch photographs of a gallium nitride film according to an embodiment of the present invention.
5 is an optical photomicrograph of the surface of a gallium nitride film intentionally formed cracks according to an embodiment of the present invention.
6A and 6B are optical micrographs of a gallium nitride film surface according to a group V / III ratio during gallium nitride film regrowth according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms and includes all equivalents and alternatives falling within the spirit and scope of the present invention.

본 명세서에서 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나, 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 위쪽, 상(부), 상면 등의 방향적인 표현은 그 기준에 따라 아래쪽, 하(부), 하면 등의 의미로 이해될 수 있다. 즉, 공간적인 방향의 표현은 상대적인 방향으로 이해되어야 하며 절대적인 방향을 의미하는 것으로 한정 해석되어서는 안 된다.When a layer is referred to herein as being "on" another layer or substrate, it may be formed directly on another layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween. In the present specification, directional expressions of the upper side, upper side, upper side, and the like can be understood as meaning lower, lower, lower, and the like according to the standard. That is, the expression of the spatial direction should be understood in the relative direction and should not be construed as limiting in the absolute direction.

도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장 또는 생략된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
In the drawings, the thicknesses of the layers and regions may be exaggerated or omitted for the sake of clarity. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자용 기판의 제조방법을 나타내는 단면도들이다.2A through 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a substrate for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 베이스 기판(10)을 준비한다. 상기 베이스 기판(10)은 질화갈륨과 상이한 물질로 이루어진 이종 기판일 수 있다. 일 예로, 상기 베이스 기판(10)은 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si) 또는 실리콘 카바이드(SiC) 기판일 수 있다. 이중에서도, 상기 베이스 기판(10)은 질화갈륨보다 열팽창계수가 큰 사파이어 기판인 것이 바람직하다. 이는 후술하는 바와 같이, 크랙을 의도적으로 발생시키는 경우 베이스 기판(10)이 깨질 우려가 적기 때문이다. Referring to FIG. 2A, a base substrate 10 is prepared. The base substrate 10 may be a heterogeneous substrate made of a material different from gallium nitride. For example, the base substrate 10 may be a sapphire (Al 2 O 3 ), silicon (Si) or silicon carbide (SiC) substrate. In particular, the base substrate 10 is preferably a sapphire substrate having a larger coefficient of thermal expansion than gallium nitride. This is because, as will be described later, the base substrate 10 is less likely to break when cracks are intentionally generated.

도 2b를 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 제1 질화갈륨막(20)을 성장시킨 후, 냉각하여 상기 제1 질화갈륨막(20)에 크랙을 발생시킨다.Referring to FIG. 2B, after the first gallium nitride film 20 is grown on the base substrate 10, it is cooled to cause cracks in the first gallium nitride film 20.

일 예로, 상기 제1 질화갈륨막(20)의 성장은 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법을 이용하여 수행할 수 있다. 그러나, 상기 제1 질화갈륨막(20)을 성장시키는 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 통상의 기상 성장법을 이용할 수 있다. For example, the growth of the first gallium nitride layer 20 may be performed by using a hybrid vapor phase epitaxy (HVPE) method. However, the method of growing the first gallium nitride film 20 is not limited thereto, and a general vapor phase growth method may be used.

보다 구체적으로, 상기 제1 질화갈륨막(20)의 성장은 상기 베이스 기판(10)을 HVPE 챔버 내에 장입하고, 질소 소스 및 갈륨 소스를 상기 챔버 내에 공급하여 반응시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 챔버 내의 온도는 850℃ ∼ 1100℃로 유지할 수 있다. 상기 질소 소소는 암모니아(NH3) 가스일 수 있고, 상기 갈륨 소스는 염화갈륨(GaCl) 가스일 수 있다. 이 때, 상기 염화갈륨(GaCl) 가스는 갈륨(Ga) 금속과 염화수소(HCl) 가스를 반응시켜 형성할 수 있다. 상기 제1 질화갈륨막(20)은 2㎛ 이하의 두께를 가지도록 성장시킬 수 있다. More specifically, the growth of the first gallium nitride film 20 may be performed by loading the base substrate 10 into an HVPE chamber, supplying a nitrogen source and a gallium source into the chamber and reacting the same. The temperature in the chamber can be maintained at 850 ℃ to 1100 ℃. The nitrogen source may be ammonia (NH 3 ) gas, and the gallium source may be gallium chloride (GaCl) gas. In this case, the gallium chloride (GaCl) gas may be formed by reacting a gallium (Ga) metal and hydrogen chloride (HCl) gas. The first gallium nitride film 20 may be grown to have a thickness of 2 μm or less.

이후, 상기 제1 질화갈륨막(20)이 성장된 베이스 기판(10)을 냉각시켜, 상기 제1 질화갈륨막(20)에 의도적으로 크랙을 형성한다. 상기 냉각은 상온에서 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 냉각은 HVPE 챔버 내에 장입된 상기 베이스 기판(10)을 상기 챔버의 외부로 꺼냄으로써 수행될 수 있다. Thereafter, the base substrate 10 on which the first gallium nitride film 20 is grown is cooled to intentionally form cracks in the first gallium nitride film 20. The cooling may be at room temperature. For example, the cooling may be performed by taking the base substrate 10 loaded in the HVPE chamber out of the chamber.

상기 냉각을 통해 제1 질화갈륨막(20)에는 크랙이 발생할 수 있다. 일 예로, 상기 크랙은 상기 베이스 기판(10)의 표면에 대하여 평행하거나 경사진 방향으로 형성될 수 있다.Cracks may occur in the first gallium nitride layer 20 through the cooling. For example, the crack may be formed in a direction parallel or inclined with respect to the surface of the base substrate 10.

또한, 상기 냉각을 통해 열팽창계수가 상대적으로 큰 베이스 기판(10)에는 인장 응력(tensile stress)이 발생하고, 열팽창계수가 상대적으로 작은 제1 질화갈륨막(20)에는 압축 응력(compressive stress)이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 제1 질화갈륨막(20)이 성장된 베이스 기판(10)에는 휨(bowing)이 나타날 수 있다. 상기 휨은 위로 볼록한 형상으로 나타날 수 있다. In addition, a tensile stress is generated in the base substrate 10 having a relatively large thermal expansion coefficient through the cooling, and a compressive stress is generated in the first gallium nitride film 20 having a relatively small thermal expansion coefficient. May occur. Accordingly, bowing may occur in the base substrate 10 on which the first gallium nitride film 20 is grown. The warpage may appear in a convex shape upward.

도 2c를 참조하면, 크랙이 발생된 제1 질화갈륨막(20) 상에 제2 질화갈륨막(30)을 성장시킨다.Referring to FIG. 2C, a second gallium nitride film 30 is grown on the first gallium nitride film 20 where cracks are generated.

일 예로, 상기 제2 질화갈륨막(30)의 성장은 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법을 이용하여 수행할 수 있다. 그러나, 상기 제2 질화갈륨막(30)을 성장시키는 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 통상의 기상 성장법을 이용할 수 있다. For example, the growth of the second gallium nitride layer 30 may be performed by using a hybrid vapor phase epitaxy (HVPE) method. However, the method of growing the second gallium nitride film 30 is not limited thereto, and a general vapor phase growth method may be used.

보다 구체적으로, 상기 제2 질화갈륨막(30)의 성장은 크랙이 발생된 제1 질화갈륨막(20)이 형성된 베이스 기판(10)을 HVPE 챔버 내에 장입하고, 질소 소스 및 갈륨 소스를 상기 챔버 내에 공급하여 반응시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 챔버 내의 온도는 850℃ ∼ 1100℃로 유지할 수 있다. More specifically, the growth of the second gallium nitride film 30 loads the base substrate 10 on which the cracked first gallium nitride film 20 is formed into an HVPE chamber, and a nitrogen source and a gallium source are added to the chamber. It can be made by supplying and reacting inside. The temperature in the chamber can be maintained at 850 ℃ to 1100 ℃.

상기 질소 소소는 암모니아(NH3) 가스일 수 있고, 상기 갈륨 소스는 염화갈륨(GaCl) 가스일 수 있다. 이 때, 상기 염화갈륨(GaCl) 가스는 갈륨(Ga) 금속과 염화수소(HCl) 가스를 반응시켜 형성할 수 있다. 상기 제2 질화갈륨막(30)은 3㎛ ∼ 30mm의 두께를 가지는 비교적 두꺼운 후막으로 성장시킬 수 있다. The nitrogen source may be ammonia (NH 3 ) gas, and the gallium source may be gallium chloride (GaCl) gas. In this case, the gallium chloride (GaCl) gas may be formed by reacting a gallium (Ga) metal and hydrogen chloride (HCl) gas. The second gallium nitride film 30 may be grown into a relatively thick thick film having a thickness of 3 μm to 30 mm.

상기 제2 질화갈륨막(30)은 상기 제1 질화갈륨막(20)의 크랙을 덮도록 형성될 수 있다. 이를 위해, 질소 소스와 갈륨 소스의 비율, 즉 V/III족 비율을 조절할 수 있다. 상기 V/III족 비율의 조절은 챔버 내로 공급되는 질소 소스와 갈륨 소스의 부피비를 조절로 달성할 수 있다. 일 예로, 상기 V/III족 비율의 조절은 암모니아(NH3) 가스의 유량을 조절하여 달성할 수 있다. The second gallium nitride film 30 may be formed to cover cracks of the first gallium nitride film 20. To this end, the ratio of the nitrogen source and the gallium source, that is, the group V / III ratio can be adjusted. The control of the Group V / III ratio can be achieved by adjusting the volume ratio of the nitrogen source and the gallium source supplied into the chamber. For example, the adjustment of the group V / III ratio can be achieved by adjusting the flow rate of the ammonia (NH 3 ) gas.

상기 V/III족 비율은 3:1 ∼ 20:1인 것이 바람직하다. 상기 V/III족 비율이 5:1을 초과하면, 막의 수직성장속도(vertical growth rate)가 측방성장속도(lateral growth rate)보다 우세하게 되어, 크랙이 덮이지 않고 연속적으로 성장하여 제2 질화갈륨막(30)의 표면에 잔존하게 된다. 이 때, 수직성장속도는 결정의 성장이 베이스 기판(10)의 (0001)면에 수직한 방향으로 이루어지는 속도를 의미하며, 측방성장속도는 결정의 성장이 (0001)면과 90°를 이루는 모든 방향에서 이루어지는 속도를 의미한다.It is preferable that the said Group V / III ratio is 3: 1-20: 1. When the group V / III ratio exceeds 5: 1, the vertical growth rate of the film becomes superior to the lateral growth rate, so that cracks are continuously grown without covering the second gallium nitride. It remains on the surface of the film 30. In this case, the vertical growth rate refers to the rate at which the growth of the crystal is made in the direction perpendicular to the (0001) plane of the base substrate 10, and the lateral growth rate refers to all of which the crystal growth forms 90 ° with the (0001) plane. It means the speed in the direction.

반면, 상기 V/III족 비율이 3:1 ∼ 20:1 인 경우, 측방성장속도가 수직성장속도보다 빠를 수 있다. 따라서, 상기 제2 질화갈륨막(30)은 상기 제1 질화갈륨막(20)의 크랙 발생 부위를 덮으면서 성장할 수 있다. 또한, 상기 제2 질화갈륨막(30) 성장 초기에 상기 제1 질화갈륨막(20)에 형성된 크랙이 덮이면서, 베이스 기판(10)과의 사이에서 발생하는 응력이 완화될 수 있다. 따라서, 상기 제2 질화갈륨막(30)의 휨과 크랙 발생이 최소화될 수 있다. 상기 제2 질화갈륨막(30)이 성장된 베이스 기판(10)은 발광 소자 등의 반도체 소자용 기판으로 사용할 수 있다. On the other hand, when the V / III group ratio is 3: 1 to 20: 1, the lateral growth rate may be faster than the vertical growth rate. Therefore, the second gallium nitride film 30 may be grown while covering the crack generation portion of the first gallium nitride film 20. In addition, while the crack formed in the first gallium nitride film 20 is covered at the beginning of the growth of the second gallium nitride film 30, the stress generated between the base substrate 10 and the base substrate 10 may be relaxed. Therefore, warpage and crack generation of the second gallium nitride film 30 can be minimized. The base substrate 10 on which the second gallium nitride film 30 is grown can be used as a substrate for semiconductor devices such as a light emitting device.

이후, 베이스 기판(10)을 분리하여 질화갈륨 자립형 기판으로 사용할 수도 있다. 상기 베이스 기판(10)은 성장된 제2 질화갈륨막(30)의 두께가 200㎛ 이상일 경우 분리할 수 있다. 일 예로, 상기 베이스 기판(10)은 레이저 리프트-오프(laser lift-off), 식각 또는 연마 등을 통해 분리해 낼 수 있다.
Thereafter, the base substrate 10 may be separated and used as a gallium nitride freestanding substrate. The base substrate 10 may be separated when the thickness of the grown second gallium nitride layer 30 is 200 μm or more. For example, the base substrate 10 may be separated by laser lift-off, etching, or polishing.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, preferred examples will be given to facilitate understanding of the present invention. It should be understood, however, that the following examples are intended to aid in the understanding of the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.

실험예Experimental Example

HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 챔버 내의 온도를 승온하되, 가스반응 영역은 850℃, 성장 영역은 1050℃까지 승온한 후, 사파이어 기판을 상기 챔버 내에 장입하였다. 이후, 상기 온도에서, 갈륨(Ga) 금속과 HCl 가스를 반응시켜 형성된 염화갈륨(GaCl) 가스와 암모니아(NH3) 가스를 소스로 하고, 질소(N2)를 캐리어 가스로 공급하면서 2 ㎛ 이하의 두께를 가지는 질화갈륨막을 성장시켰다. 이후, 질화갈륨막이 성장된 사파이어 기판을 200mm/min의 속도로 챔버 외부로 꺼내어 급냉시켰다. 이후, 상기 기판을 다시 챔버 내로 장입하여 1050℃에서 3㎛, 10㎛, 50㎛, 400㎛, 1mm, 4mm의 두께를 가지는 질화갈륨막을 재성장시켰다. 이 때, 염화갈륨(GaCl) 가스/암모니아(NH3) 가스의 비율, 즉 Ⅴ/Ⅲ족 비율을 3:1 ∼ 20:1로 변화시켜가며 공급하였다.
After raising the temperature in the HVPE chamber, the gas reaction region was heated up to 850 ° C. and the growth region was raised to 1050 ° C., and then a sapphire substrate was charged in the chamber. Subsequently, at this temperature, a gallium chloride (GaCl) gas and ammonia (NH 3 ) gas formed by reacting a gallium (Ga) metal with HCl gas are used as a source, and nitrogen (N 2 ) is supplied as a carrier gas to 2 μm or less. A gallium nitride film having a thickness of was grown. Thereafter, the sapphire substrate on which the gallium nitride film was grown was taken out of the chamber at a rate of 200 mm / min and quenched. Subsequently, the substrate was charged back into the chamber to regrow a gallium nitride film having a thickness of 3 μm, 10 μm, 50 μm, 400 μm, 1 mm, or 4 mm at 1050 ° C. At this time, the ratio of gallium chloride (GaCl) gas / ammonia (NH 3 ) gas, that is, the group V / III ratio, was supplied while changing from 3: 1 to 20: 1.

비교예Comparative Example

HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 챔버 내의 온도를 850℃ ∼ 1050℃까지 승온한 후, 사파이어 기판을 상기 챔버 내에 장입하였다. 이후, 상기 온도에서, 갈륨(Ga) 금속과 HCl 가스를 반응시켜 형성된 염화갈륨(GaCl) 가스와 암모니아(NH3) 가스를 소스로 하고, 질소(N2)를 캐리어 가스로 공급하면서 질화갈륨막을 성장시켰다.After raising the temperature in the HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) chamber to 850 ° C to 1050 ° C, a sapphire substrate was charged in the chamber. Subsequently, at this temperature, a gallium nitride film is formed by using a gallium chloride (GaCl) gas and an ammonia (NH 3 ) gas formed by reacting a gallium (Ga) metal with an HCl gas, and supplying nitrogen (N 2 ) as a carrier gas. Grown.

도 3a 및 도 3b는 비교예에 따른 질화갈륨막의 광학현미경 사진 및 2인치 사진이다. 3A and 3B are optical micrographs and 2-inch photographs of gallium nitride films according to Comparative Examples.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 질화갈륨막의 표면에 크고 작은 크랙들이 다수 발생한 것을 확인할 수 있다. 이 때, 비교적 큰 크기의 크랙은 질화갈륨막 성장 초기 사파이어 기판과 질화갈륨막의 격자 부정합으로 인해 발생한 것이고, 잔 크랙은 성장 후 챔버 외부로 꺼냈을 때 사파이어 기판과 질화갈륨막의 열팽창계수 차이로 인해 발생한 것으로 풀이된다. 3A and 3B, it can be seen that a large number of large and small cracks are generated on the surface of the gallium nitride film. In this case, cracks of relatively large size were caused by lattice mismatch between the sapphire substrate and the gallium nitride film in the early stage of gallium nitride film growth, and residual cracks were caused by the difference in thermal expansion coefficient between the sapphire substrate and the gallium nitride film when it was taken out of the chamber after growth. It becomes a pool.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨막의 광학현미경 사진들이다.4A and 4B are optical micrographs of a gallium nitride film according to an embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 사파이어 기판 상에 질화갈륨막을 성장시킨 후, 의도적으로 크랙을 형성하고 질화갈륨막을 재성장시키면, 크랙이나 휨이 거의 없고 결정성이 우수한 질화갈륨막을 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B, after the gallium nitride film is grown on the sapphire substrate, if a crack is intentionally formed and the gallium nitride film is regrown, it is confirmed that the gallium nitride film having excellent crystallinity with little crack or warpage can be obtained. Can be.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 의도적으로 크랙을 형성한 질화갈륨막 표면의 광학 현미경 사진이다.5 is an optical photomicrograph of the surface of a gallium nitride film intentionally formed cracks according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 냉각을 통해 질화갈륨막에 크랙이 발생된 것을 확인할 수 있다. 또한, 상기 크랙은 사파이어 기판의 표면에 대하여 평행하거나 경사진 방향으로 형성된 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5, it can be seen that cracks are generated in the gallium nitride film through cooling. In addition, it may be confirmed that the crack is formed in a direction parallel or inclined with respect to the surface of the sapphire substrate.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따라 질화갈륨막 재성장시 Ⅴ/Ⅲ족 비율에 따른 질화갈륨막 표면의 광학 현미경 사진들이다. 6A and 6B are optical micrographs of a gallium nitride film surface according to a group V / III ratio during gallium nitride film regrowth according to an embodiment of the present invention.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 질화갈륨막의 재성장시 Ⅴ/Ⅲ족 비율을 20:1 이상으로 한 경우, 표면에 크랙이 잔존하는 것을 확인할 수 있다(도 6a). 이는 막의 수직성장속도(vertical growth rate)가 측방성장속도(lateral growth rate)보다 우세하게 되어, 크랙이 덮이지 않고 연속적으로 성장하기 때문인 것으로 풀이된다. 반면에, Ⅴ/Ⅲ족 비율을 10:1로 한 경우, 의도적으로 발생시킨 크랙이 덮여 표면이 매끄러운 질화갈륨막을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다(도 6b). 이는 질화갈륨막의 재성장 초기에 질화갈륨막에 형성되었던 크랙이 덮이면서, 사파이어 기판과의 사이에서 발생하는 응력이 완화되기 때문인 것으로 풀이된다.
6A and 6B, it can be seen that cracks remain on the surface when the group V / III ratio is 20: 1 or more during regrowth of the gallium nitride film (FIG. 6A). This is because the vertical growth rate of the film becomes superior to the lateral growth rate, so that the cracks grow continuously without being covered. On the other hand, when the group V / III ratio is set to 10: 1, it can be seen that a gallium nitride film having a smooth surface is obtained by intentionally generating cracks (FIG. 6B). This is because the cracks formed in the gallium nitride film at the beginning of the regrowth of the gallium nitride film are covered and the stress generated between the sapphire substrate is relaxed.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, This is possible.

10: 베이스 기판 20: 제1 질화갈륨막
30: 제2 질화갈륨막10 base substrate 20 first gallium nitride film
30: second gallium nitride film

Claims (8)

질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 베이스 기판 상에 제1 질화갈륨막을 성장시킨 후, 상기 베이스 기판을 냉각하여 상기 제1 질화갈륨막에 크랙을 발생시키는 단계; 및
질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 상기 제1 질화갈륨막 상에 제2 질화갈륨막을 성장시키는 단계를 포함하고,
상기 제2 질화갈륨막을 성장시키는 단계는 3:1 ∼ 20:1의 V/III족 비율로 질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 제2 질화갈륨막의 측방성장속도를 수직성장속도보다 빠르게 하여 상기 크랙을 덮는 단계인 반도체 소자용 기판의 제조방법.Supplying a nitrogen source and a gallium source to grow a first gallium nitride film on the base substrate, and cooling the base substrate to generate cracks in the first gallium nitride film; And
Supplying a nitrogen source and a gallium source to grow a second gallium nitride film on the first gallium nitride film,
The growing of the second gallium nitride film includes supplying a nitrogen source and a gallium source at a V / III group ratio of 3: 1 to 20: 1 to make the crack grow faster than the vertical growth rate of the second gallium nitride film. Method of manufacturing a substrate for a semiconductor device that is covering. 제1항에 있어서,
상기 제1 질화갈륨막 및 상기 제2 질화갈륨막의 성장은 HVPE법을 이용하여 수행하는 반도체 소자용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
A method of manufacturing a substrate for a semiconductor device, wherein the first gallium nitride film and the second gallium nitride film are grown using an HVPE method. 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판은 질화갈륨보다 열팽창계수가 큰 사파이어 기판인 반도체 소자용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
And the base substrate is a sapphire substrate having a larger coefficient of thermal expansion than gallium nitride. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 질화갈륨막의 두께는 2㎛ 이하인 반도체 소자용 기판의 제조방법. The method of claim 1,
The first gallium nitride film has a thickness of 2 µm or less. 제1항에 있어서,
상기 제2 질화갈륨막의 두께는 3㎛ ∼ 30mm인 반도체 소자용 기판의 제조방법. The method of claim 1,
The second gallium nitride film has a thickness of 3 µm to 30 mm. 제1항에 있어서,
상기 질소 소스는 암모니아(NH3) 가스이고, 상기 갈륨 소스는 염화갈륨(GaCl) 가스인 반도체 소자용 기판의 제조방법. The method of claim 1,
The nitrogen source is ammonia (NH 3 ) gas, the gallium source is gallium chloride (GaCl) gas manufacturing method for a semiconductor device substrate. 제1항에 있어서,
상기 질소 소스 및 갈륨 소스를 공급하여 상기 제1 질화갈륨막 상에 제2 질화갈륨막을 성장시키는 단계 이후, 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자용 기판의 제조방법.The method of claim 1,
And supplying the nitrogen source and the gallium source to grow a second gallium nitride film on the first gallium nitride film, then separating the base substrate.
KR1020120133812A 2012-11-23 2012-11-23 Method for manufacturing of substrate for semiconductor device KR101360627B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120133812A KR101360627B1 (en) 2012-11-23 2012-11-23 Method for manufacturing of substrate for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120133812A KR101360627B1 (en) 2012-11-23 2012-11-23 Method for manufacturing of substrate for semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101360627B1 true KR101360627B1 (en) 2014-02-10

Family

ID=50270367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120133812A KR101360627B1 (en) 2012-11-23 2012-11-23 Method for manufacturing of substrate for semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101360627B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH111399A (en) * 1996-12-05 1999-01-06 Lg Electron Inc Production of gallium nitride semiconductor single crystal substrate and gallium nitride diode produced by using the substrate
KR19990001289A (en) * 1997-06-13 1999-01-15 구자홍 Method of manufacturing gallium nitride single crystal substrate
US20060108573A1 (en) 2004-11-23 2006-05-25 Changho Lee Single crystalline gallium nitride thick film having reduced bending deformation
KR20070031249A (en) * 2005-09-14 2007-03-19 삼성코닝 주식회사 Preparation of single crystalline gallium nitride thick film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH111399A (en) * 1996-12-05 1999-01-06 Lg Electron Inc Production of gallium nitride semiconductor single crystal substrate and gallium nitride diode produced by using the substrate
KR19990001289A (en) * 1997-06-13 1999-01-15 구자홍 Method of manufacturing gallium nitride single crystal substrate
US20060108573A1 (en) 2004-11-23 2006-05-25 Changho Lee Single crystalline gallium nitride thick film having reduced bending deformation
KR20070031249A (en) * 2005-09-14 2007-03-19 삼성코닝 주식회사 Preparation of single crystalline gallium nitride thick film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4529846B2 (en) III-V nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same
JP4335187B2 (en) Nitride semiconductor device manufacturing method
KR100969812B1 (en) Manufacturing Method of Gallium Nitride Single Crystalline Substrate Using Self-Split
JP5371430B2 (en) Semiconductor substrate, method for manufacturing a self-supporting semiconductor substrate by hydride vapor phase epitaxy, and mask layer used therefor
JP3550070B2 (en) GaN-based compound semiconductor crystal, growth method thereof and semiconductor substrate
JP5244487B2 (en) Gallium nitride growth substrate and method for manufacturing gallium nitride substrate
KR101672213B1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2006232639A (en) Gas phase growth method of nitride-based semiconductor, nitride-based semiconductor epitaxial substrate, self-standing substrate, and semiconductor device
JP5238924B2 (en) Single crystal substrate and method for producing nitride semiconductor single crystal
JP2009208991A (en) Method for producing nitride semiconductor substrate
JP2013087053A (en) Method for producing gallium nitride film
JP2009023853A (en) Group iii-v nitride semiconductor substrate, method for manufacturing the same, and group iii-v nitride semiconductor device
KR19990016925A (en) Baline single crystal manufacturing method
KR20100104997A (en) Nitride semiconductor substrate having dislocation blocking layer and manufacturing method thereof
KR101142567B1 (en) Substrate for producing semiconductor device and Method for producing semiconductor device
KR101117189B1 (en) Self separation method of gan thick film from sapphire wafer
KR101335937B1 (en) Method for fabricating gan wafer using llo(laser lift-off) process
KR20130035995A (en) Structural body, and method for producing semiconductor substrate
JP2011037704A (en) Method for manufacturing group iii nitride crystal substrate
KR101360627B1 (en) Method for manufacturing of substrate for semiconductor device
KR101137909B1 (en) Gallium nitride substrate and method of manufacturing the same
JP2005057064A (en) Group iii nitride semiconductor layer and growth method thereof
KR101379290B1 (en) Method for manufacturing gan wafer using in-situ grown aln nucleation layer
KR100839224B1 (en) Method for manufacturing thick film of gan
JP2013173652A (en) Method for manufacturing self-standing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 6