KR101358188B1 - Electrode of CVD chamber and method for recycling thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상기 고정부의 표면을 1차로 절삭 가공하는 단계; 상기 1차로 절삭된 고정부의 표면을 동으로 도금하는 단계; 상기 동으로 도금된 고정부의 표면을 정해진 치수로 2차로 절삭 가공하는 단계: 및 상기 2차로 절삭된 고정부의 표면을 은으로 도금하는 단계를 포함하는 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법과 이에 의해 재생된 CVD 챔버의 일렉트로드에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, CVD 챔버의 일렉트로드에서 그라파이트 전극이 고정되는 고정부가 손상되더라도, 고정부에 대한 재생을 통해서 일렉트로드 전체에 대한 폐기를 방지하여 비용을 절감하도록 하고, 고정부의 재생에 소요되는 비용과 노력을 최소화하면서도 뛰어난 품질을 제공하며, 이로 인해 재생 일렉트로드의 신뢰성을 높일 수 있다.
The present invention comprises the steps of primarily cutting the surface of the fixing portion; Copper plating the surface of the first cut part; Secondary cutting the surface of the copper plated fixture to a predetermined dimension; and plating the surface of the secondary cut fixture with silver; To an electroload of an integrated CVD chamber.
According to the present invention, even if the fixing portion to which the graphite electrode is fixed in the electrorod of the CVD chamber is damaged, the regeneration of the fixing portion is prevented, thereby reducing the cost and reducing the cost. It provides superior quality while minimizing cost and effort, which increases the reliability of the regenerative electroload.

Description

CVD 챔버의 일렉트로드 및 이의 재생 방법{Electrode of CVD chamber and method for recycling thereof}Electrode of CVD chamber and method for recycling thereof

본 발명은 CVD 챔버의 일렉트로드 및 이의 재생 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 CVD 챔버의 일렉트로드에서 그라파이트가 고정되는 고정부가 손상되더라도, 고정부에 대한 재생을 통해서 일렉트로드 전체에 대한 폐기를 방지하여 비용을 절감하도록 하고, 고정부의 재생에 소요되는 비용과 노력을 최소화하면서도 뛰어난 품질을 제공하기 위한 CVD 챔버의 일렉트로드 및 이의 재생 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electroload of a CVD chamber and a method for regenerating the same, and more particularly, even if the fixing part to which graphite is fixed in the electroload of the CVD chamber is damaged, regeneration of the fixing part prevents disposal of the entire electrorod. The present invention relates to an electroload of a CVD chamber and a method of regenerating the same to provide a high quality while minimizing the cost and effort required for regeneration of the fixing part.

일반적으로, 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition, 이하, 'CVD'라 함) 공정은 화학 반응을 이용하여 반도체 웨이퍼 등의 기판을 포함하는 피증착체에 박막을 형성하는 공정으로서, 진공으로 이루어진 챔버 내에서 가열된 기판에 증기압이 높은 반응가스를 보내어 그 반응가스의 막을 기판에 성장시키도록 하는 공정이다. In general, chemical vapor deposition (hereinafter, referred to as CVD) is a process of forming a thin film on a deposit including a substrate such as a semiconductor wafer by using a chemical reaction. Is a step of sending a reaction gas having a high vapor pressure to the heated substrate in order to grow a film of the reaction gas on the substrate.

이러한 CVD 공정은 고순도 폴리실리콘을 제조하는 방법에도 사용되는데, 예를 들면, 모노실란, 디클로로실란, 트리클로로실란 등의 실란가스류의 단독 또는 2종류 이상의 혼합가스를 수소와 혼합 분위기하에서 고온의 시드 필라멘트와 접촉시켜 시드 필라멘트의 표면에 실리콘을 증착시킬 수도 있다.Such a CVD process is also used in a method for producing high-purity polysilicon. For example, a high-temperature seed in a mixed atmosphere of hydrogen or a mixture of silane gases such as monosilane, dichlorosilane, trichlorosilane, etc., with hydrogen is mixed under a high atmosphere. Silicon may also be deposited on the surface of the seed filament by contacting the filament.

종래의 CVD 공정을 수행하기 위한 CVD 챔버는 내측에 플라즈마 생성을 위한 일렉트로드가 마련되는데, 이를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. A CVD chamber for performing a conventional CVD process is provided with an electrorod for generating plasma therein, which will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 기술에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an electrorod of a CVD chamber according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드(10)는 크게, 일렉트로드 바디(11)와, 가이드튜브 어셈블리(12)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the electrorod 10 of the CVD chamber according to the prior art largely includes an electrorod body 11 and a guide tube assembly 12.

일렉트로드 바디(11)는 CVD 공정을 수행하기 위한 챔버 바디에 고정되기 위한 고정부(11a)가 끝단에 마련되고, 일측을 통해 개방되는 중공부(11b)가 내측에 형성되며, 중공부(11b)에 냉각수를 공급 및 배출시키기 위한 제 1 및 제 2 홀(11c,11d)이 각각 형성된다. Electrode body 11 has a fixing portion (11a) is provided at the end to be fixed to the chamber body for performing the CVD process, the hollow portion 11b that is opened through one side is formed inside, the hollow portion 11b ) Are formed with first and second holes 11c and 11d for supplying and discharging cooling water, respectively.

고정부(11a)는 폴리실리콘 제조를 위한 그라파이트(Graphite) 전극이 고정된다. 또한 중공부(11b)는 원통으로 이루어진 일렉트로드 바디(11)의 내측에 길이방향을 따라 형성될 수 있고, 고정부(11a)의 반대측이 개방되도록 형성될 수 있다. 또한 제 1 및 제 2 홀(11c,11d)은 제 1 홀(11c)이 냉각수의 공급구가 될 수 있고, 제 2 홀(11d)이 냉각수의 배출구가 될 수 있는데, 이에 한하지 않고, 공급구와 배출구가 반대로 형성될 수 있다. 한편, 고정부(11a)는 그라파이트 전극에 나사 결합되기 위한 수나사부가 형성되는 컨버터 타입(Converter type)과 그라파이트 전극에 삽입 결합되기 위하여 꼭지점이 생략된 원뿔 형상의 리액터 타입(Reactor type)으로 나뉘어질 수 있다.The fixing part 11a is fixed with a graphite electrode for producing polysilicon. In addition, the hollow portion 11b may be formed in the longitudinal direction inside the cylindrical rod body 11 and may be formed so that the opposite side of the fixing portion 11a is opened. In addition, the first and second holes 11c and 11d may be the supply holes for the cooling water, and the second hole 11d may be the discharge port for the cooling water, but the present invention is not limited thereto. The sphere and the outlet can be formed in reverse. Meanwhile, the fixing part 11a may be divided into a converter type in which a male screw part is formed to be screwed to the graphite electrode, and a reactor type of conical shape in which a vertex is omitted so as to be inserted into the graphite electrode. have.

가이드튜브 어셈블리(12)는 중공부(11b)에 유격을 가지도록 삽입되는 가이드튜브(12a)가 마련되고, 가이드튜브(12a)의 끝단에 일체로 마련되는 가이드 베이스(12c)가 중공부(11b)의 개방측에 밀폐를 위해 접합되며, 제 1 및 제 2 홀(11c,11d) 중 어느 하나에 밀착되어 통하도록 연결홀(12b)이 측부에 형성될 수 있다. The guide tube assembly 12 has a guide tube 12a inserted into the hollow portion 11b to have a clearance, and the guide base 12c integrally provided at the end of the guide tube 12a has a hollow portion 11b. The connection hole 12b may be formed at the side portion to be joined to the open side of the c) for sealing and to be in close contact with one of the first and second holes 11c and 11d.

가이드튜브(12a)는 연결홀(12b)을 통해 공급되는 냉각수가 일단의 개방측을 통해 중공부(11b)로 공급되도록 하거나, 중공부(11b)로부터 일단의 개방측을 통해 공급되는 냉각수가 연결홀(12b)을 통해 배출되도록 하는 냉각수의 이동 경로를 제공하는데, 본 실시예에서처럼 연결홀(12b)이 제 1 홀(11c)에 연결된다. 또한, 가이드튜브(12a)의 끝단 둘레에는 중공부(11b)의 내측면에 밀착되기 위한 밀착부(12f)가 돌출되도록 형성될 수 있으며, 가이드 베이스(12c)에는 전류의 공급을 위한 전기부스바가 볼트 등으로 고정되도록 일례로 암나사부로 이루어진 다수의 결합부(12d)가 일면에 마련될 수 있다. The guide tube 12a allows the coolant supplied through the connection hole 12b to be supplied to the hollow portion 11b through the open side of one end, or the coolant supplied from the hollow portion 11b through the one end of the open side is connected. It provides a movement path of the coolant to be discharged through the hole 12b, and as in the present embodiment, the connection hole 12b is connected to the first hole 11c. In addition, the contact portion 12f may be formed around the end of the guide tube 12a to be in close contact with the inner surface of the hollow portion 11b, and the electric guide bar for supplying current may be provided at the guide base 12c. For example, a plurality of coupling parts 12d formed of a female screw part may be provided on one surface to be fixed by a bolt or the like.

일렉트로드 바디(11)와 가이드튜브 어셈블리(12)는 중공부(11b)의 개방측과 가이드 베이스(12c)가 필러 메탈(filler metal)을 충진하여 열을 가함으로써 브레이징(brazing)에 의해 접합된다.The electrorod body 11 and the guide tube assembly 12 are joined by brazing by applying heat by filling the filler metal with the open side of the hollow part 11b and the guide base 12c. .

그러나, 종래의 기술에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드에서 그라파이트 전극이 고정되는 고정부(11a)가 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 화학적, 기계적 또는 스파크로 인해 손상되고, 이 경우 일렉트로드(10) 전체를 폐기해야 하는 문제점을 가지고 있었다.However, the fixing portion 11a to which the graphite electrode is fixed in the electrorod of the CVD chamber according to the prior art is damaged due to chemical, mechanical or spark as shown in FIGS. 2 and 3, in which case the electrorod ( 10) had the problem of discarding the whole.

상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 CVD 챔버의 일렉트로드에서 그라파이트 전극이 고정되는 고정부가 손상되더라도, 고정부에 대한 재생을 통해서 일렉트로드 전체에 대한 폐기를 방지하여 비용을 절감하도록 하는데 목적이 있다.In order to solve the conventional problems as described above, the present invention, even if the fixing portion to which the graphite electrode is fixed in the electrorod of the CVD chamber is damaged, by reducing the cost to reduce the disposal of the entire electrode through the regeneration of the fixing portion to reduce the cost The purpose is to help.

본 발명의 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Other objects of the present invention will become readily apparent from the following description of the embodiments.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 그라파이트 전극이 고정되기 위한 고정부가 손상된 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법으로서, 상기 고정부의 표면을 1차로 절삭 가공하는 단계; 상기 1차로 절삭된 고정부의 표면을 동으로 도금하는 단계; 상기 동으로 도금된 고정부의 표면을 정해진 치수로 2차로 절삭 가공하는 단계: 및 상기 2차로 절삭된 고정부의 표면을 은으로 도금하는 단계를 포함하는 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법이 제공된다.In order to achieve the above object, according to an aspect of the present invention, a method for electrorod regeneration of a CVD chamber in which a fixing portion for fixing a graphite electrode is damaged, the method comprising: first cutting the surface of the fixing portion; Copper plating the surface of the first cut part; A second step of cutting the surface of the copper plated fixing part to a predetermined dimension; and plating the surface of the second cut fixing part with silver is provided.

상기 1차 및 2차 절삭 가공은, 상기 고정부를 끝단으로 갈수록 직경이 감소되는 테이퍼 형상으로 절삭할 수 있다.The primary and secondary cutting may be cut into a tapered shape in which the diameter decreases toward the end of the fixing part.

상기 1차 및 2차 절삭 가공은, 상기 고정부의 외주면에 수나사가 형성되도록 절삭할 수 있다.The said primary and secondary cutting processes can be cut so that an external thread may be formed in the outer peripheral surface of the said fixed part.

상기 1차 절삭 가공은, 상기 고정부의 표면을 2∼6㎜ 절삭할 수 있다.The said primary cutting process can cut the surface of the said fixed part 2-6 mm.

상기 2차 절삭 가공은, 상기 고정부의 가공 치수를 상기 은 도금에 의해 형성되는 은도금층을 고려하여 상기 고정부의 최종적인 치수보다 작게 형성할 수 있다.In the secondary cutting, the machining dimension of the fixing part may be smaller than the final dimension of the fixing part in consideration of the silver plating layer formed by the silver plating.

상기 1차 절삭 가공을 마치고 상기 고정부를 1차로 클리닝하는 단계와, 상기 2차 절삭 가공을 마치고 상기 고정부를 2차로 클리닝하는 단계를 더 포함하고, 상기 1차 및 2차 클리닝 단계는, 상기 고정부에 대하여 순수, 세제, 침적탈지액, IPA 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 세척할 수 있다.Cleaning the fixing unit firstly after finishing the first cutting process, and cleaning the fixing unit secondly after finishing the second cutting process, the first and second cleaning steps include: The fixing unit may be washed using any one of pure water, detergent, immersion degreasing solution, IPA, or a combination thereof.

고정부의 표면을 1차로 절삭 가공하는 단계; 상기 1차로 절삭된 고정부의 표면을 동으로 도금하는 단계; 상기 동으로 도금된 고정부의 표면을 정해진 치수로 2차로 절삭 가공하는 단계: 및 상기 2차로 절삭된 고정부의 표면을 은으로 도금하는 단계를 포함하는 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법에 의해 재생되는 CVD 챔버의 일렉트로드가 제공된다.Primarily cutting the surface of the fixture; Copper plating the surface of the first cut part; Secondary cutting the surface of the copper plated fixture to a predetermined dimension; and plating the surface of the secondary cut fixture with silver; An electroload of the CVD chamber is provided.

본 발명에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드 및 이의 재생 방법에 의하면, CVD 챔버의 일렉트로드에서 그라파이트 전극이 고정되는 고정부가 손상되더라도, 고정부에 대한 재생을 통해서 일렉트로드 전체에 대한 폐기를 방지하여 비용을 절감하도록 하고, 고정부의 재생에 소요되는 비용과 노력을 최소화하면서도 뛰어난 품질을 제공하며, 이로 인해 재생 일렉트로드의 신뢰성을 높일 수 있다.According to the electroload of the CVD chamber and the regeneration method thereof according to the present invention, even if the fixing portion to which the graphite electrode is fixed in the electrorod of the CVD chamber is damaged, regeneration of the fixing portion prevents the disposal of the entire electrorod, thereby reducing costs. This provides high quality while minimizing the cost and effort required for the regeneration of the fixture, thereby increasing the reliability of the regenerative electrorod.

도 1은 종래의 기술에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드를 도시한 단면도이고,
도 2 및 도 3은 종래의 기술에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드에서 손상된 고정부를 나타낸 이미지이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법을 도시한 흐름도이고,
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a cross-sectional view showing an electrorod of a CVD chamber according to the prior art,
2 and 3 are images showing a damaged fixture in the electrorod of the CVD chamber according to the prior art,
4 is a flowchart illustrating an electroload regeneration method of a CVD chamber according to an embodiment of the present invention;
5 to 7 are diagrams for describing an electroload regeneration method of a CVD chamber according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고, 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니고, 본 발명의 기술 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 식으로 이해 되어야 하고, 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but is to be understood to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention, And the scope of the present invention is not limited to the following examples.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하며, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대해 중복되는 설명을 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations thereof will be omitted.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating an electroload regeneration method of a CVD chamber according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법은 그라파이트(Graphite) 전극이 고정되기 위한 고정부가 손상된 일렉트로드의 재생 방법으로서, 고정부의 표면을 1차 절삭 가공하는 단계(S11)와, 고정부의 표면을 동으로 도금하는 단계(S13)와, 고정부의 표면을 2차 절삭 가공하는 단계(S14)와, 고정부의 표면을 은으로 도금하는 단계(S16)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, an electrorod regeneration method of a CVD chamber according to an embodiment of the present invention is a regeneration method of an electrorod in which a fixing portion for fixing a graphite electrode is damaged. Cutting (S11), plating the surface of the fixing part with copper (S13), cutting the surface of the fixing part (S14), and plating the surface of the fixing part with silver It may include (S16).

고정부의 표면을 1차 절삭 가공하는 단계(S11)에 의하면, 일렉트로드의 바디를 스크래치가 발생하지 않도록 지그(Jig)로 고정시킨 상태에서 NC 선반을 이용하여 손상된 고정부의 표면을 1차로 절삭 가공하게 되는데, 이전에 고정부에 대한 재생 가능 여부를 판단하여 재생 가능으로 판단되는 경우에 실시하게 된다. 이때, 절삭되는 치수는 2∼6mm이내일 수 있다. 즉, 고정부를 2mm 미만으로 절삭 가공할 경우 손상 부위의 절삭이 제대로 이루어지지 않으며, 6mm 초과하여 절삭 가공할 경우 후속하는 동 도금과 은 도금에 의해 최종 치수를 만족시킬 수 없을 뿐만 아니라 제품의 품질을 만족시킬 수 없다. According to the step S11 of first cutting the surface of the fixing part, the surface of the damaged fixing part is first cut by using an NC lathe while the body of the electrode is fixed with a jig to prevent scratching. Processing is performed, and it is performed when it is determined that the reproducibility is possible for the fixing unit before. In this case, the dimension to be cut may be within 2 to 6mm. In other words, when cutting the fixed part less than 2mm, cutting of the damaged part is not done properly, and when cutting more than 6mm, the final dimensions cannot be satisfied by the subsequent copper plating and silver plating, and also the product quality. Cannot satisfy.

고정부의 표면에 대한 1차 절삭 가공을 마치면, 고정부를 1차로 클리닝하는 단계(S12)를 실시할 수 있다. 여기서, 1차로 클리닝하는 단계(S12)는 고정부에 대하여 순수, 세제, 침적 탈지액, IPA(Iso Propyl Alcohol) 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 세척할 수 있다. 이때, 세제는 순수가 혼합된 혼합액으로 사용될 수 있다.After finishing the first cutting process on the surface of the fixing unit, it is possible to perform the first step of cleaning the fixing unit (S12). Here, the first step of cleaning (S12) may be cleaned using any one or a combination of pure water, detergent, immersion degreasing solution, IPA (Iso Propyl Alcohol) for the fixing portion. In this case, the detergent may be used as a mixed liquid of pure water.

1차로 클리닝하는 단계(S12)는 일례로, 고정부에 대하여 세제와 순수의 혼합물을 에어건(Air gun)으로 고압 분사하고, 다시 에어건을 이용하여 순수로 클리닝할 수 있으며, 그런 다음 침적 탈지액을 이용하여 침적 탈지를 실시할 수 있고, 이후 IPA 및 초음파 세척기를 이용하여 초음파 세척을 실시할 수 있으며, 이를 마치면 순수를 이용하여 클리닝을 마칠 수 있다.First cleaning step (S12) is, for example, a high-pressure spraying a mixture of detergent and pure water to the fixed portion with an air gun (Air gun), and again can be cleaned with pure water using an air gun, and then the deposition degreasing liquid Deposition degreasing can be carried out using, and then ultrasonic cleaning can be performed using IPA and an ultrasonic cleaner, and when it is finished, cleaning can be completed using pure water.

고정부의 표면을 동으로 도금하는 단계(S13)에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 절삭되어 1차 클리닝을 마친 고정부의 표면을 동으로 도금하게 된다. 이를 위해 먼저, 일렉트로드의 상부를 고정부를 제외한 나머지 부분에 대하여 도금액이 침투하지 않도록 마스킹(Masking)한 다음, 도금장치를 이용하여 고정부의 표면에 대한 동 도금을 실시하되, 도금두께가 정해진 두께에 도달할 때까지 도금을 실시한다. 한편, 도 5에서 (a)는 고정부가 컨버터 타입(Converter type)인 것을 나타내고, (b)는 고정부가 리액터 타입(Reactor type)인 것을 나타낸다.According to the step (S13) of plating the surface of the fixing part with copper, as shown in FIG. 5, the surface of the fixing part which has been cut and finished the first cleaning is plated with copper. To this end, first mask the upper part of the electrode to prevent penetration of the plating solution to the remaining portions except the fixing part, and then copper plating the surface of the fixing part using a plating apparatus, but the plating thickness is determined. Plating is carried out until the thickness is reached. In FIG. 5, (a) shows that the fixed part is a converter type, and (b) shows that the fixed part is a reactor type.

고정부의 표면을 2차 절삭 가공하는 단계(S14)에 의하면, 도 6의 컨버터 타입의 고정부(a)와 리액터 타입의 고정부(b)를 나타낸 바와 같이, 동으로 도금된 고정부의 표면을 정해진 치수로 2차로 절삭 가공하게 되며, 이를 위해 일렉트로드의 바디를 스크래치 유발하지 않도록 지그를 이용하여 NC 선반에 고정시킨 다음, NC 선반을 이용하여 고정부의 동도금된 표면을 절삭 가공한다. According to the step (S14) of the surface of the fixing part, the surface of the fixing part plated with copper, as shown in the converter type fixing part (a) and the reactor type fixing part (b) of FIG. The secondary cutting process to a predetermined dimension, for this purpose is fixed to the NC lathe using a jig so as not to scratch the body of the electrorod, and then the copper plated surface of the fixed portion is cut using the NC lathe.

한편, 1차 및 2차 절삭 가공 단계(S11,S14)는 고정부의 외주면에 수나사가 형성되도록 절삭할 수 있으며, 이는 도 5 내지 도 7의 (a)에서와 같이 컨버터 타입의 고정부를 재생하기 위한 절삭 가공에 적용되며, 이와 달리, 고정부를 끝단으로 갈수록 직경이 감소되는 테이퍼 형상으로 절삭할 수 있으며, 이는 도 5 내지 도 7의 (b)에서와 같은 리액터 타입의 고정부를 재생하기 위한 절삭 가공에 적용된다.On the other hand, the first and second cutting step (S11, S14) can be cut so that the male thread is formed on the outer peripheral surface of the fixing portion, which is to reproduce the converter-type fixing portion as shown in Figs. It is applied to a cutting process for cutting, otherwise, it is possible to cut into a tapered shape in which the diameter decreases toward the end of the fixing part, which is to reproduce the reactor type fixing part as shown in (b) of FIGS. Is applied to the cutting process.

또한, 2차 절삭 가공하는 단계(S14)는 고정부의 가공 치수를 은 도금하는 단계(S16)에 의해 형성되는 은도금층을 고려하여 고정부의 최종적인 치수, 즉 제품으로서 납품되는 최종 치수보다 100∼150㎛ 보다 작게 형성될 수 있고, 이 경우 컨버터 타입의 고정부인 경우 최종 치수보다 100㎛ 작게 절삭 가공할 수 있으며, 리액터 타입의 고정부인 경우 최종 치수보다 150㎛ 작게 절삭 가공할 수 있다.In addition, the step S14 of the secondary cutting process takes into account the silver plated layer formed by the step S16 of silver-plating the processing dimension of the fixing part, which is more than the final dimension of the fixing part, that is, the final dimension delivered as a product. It can be formed smaller than ~ 150㎛, in this case can be a cutting process 100㎛ smaller than the final dimension in the case of the converter-type fixing part, and can be cut 150㎛ smaller than the final dimension in the case of the reactor-type fixing part.

고정부의 표면에 대한 2차 절삭 가공을 마치면, 고정부를 2차로 클리닝하는 단계(S15)를 실시할 수 있다. 2차로 클리닝하는 단계(S15)는 고정부에 대하여 순수, 세제, 침적탈지액, IPA 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 세척할 수 있으며, 1차 클리닝 단계(S12)와 동일하게 실시할 수 있다.After finishing the second cutting process on the surface of the fixing unit, it is possible to perform the step (S15) of cleaning the fixing unit secondary. The second cleaning step (S15) may be cleaned using any one or a combination of pure water, detergent, immersion degreasing solution, IPA, or a combination thereof for the fixing part, and may be performed in the same manner as the first cleaning step (S12). have.

고정부의 표면을 은으로 도금하는 단계(S16)에 의하면, 도 7의 컨버터 타입의 고정부(a)와 리액터 타입의 고정부(b)를 나타낸 바와 같이, 2차 절삭 가공 및 2차 클리닝을 마친 고정부의 표면을 도금 장치를 사용하여 은으로 도금하게 된다. 이때, 일렉트로드의 상부에서 고정부를 제외한 부분을 마스킹한 다음, 은 도금을 실시하게 되고, 원하는 도금두께층을 얻을 때까지 통전에 의한 은도금을 실시하게 된다. 여기서, 은 도금에 의해 형성되는 은도금층은 동도금의 산화를 방지할 뿐만 아니라, 불순물의 확산을 방지하여 CVD 챔버의 오염을 방지하고, 콘택트 특성을 높이도록 한다.According to the step (S16) of plating the surface of the fixing part with silver, as shown in the converter type fixing part (a) and the reactor type fixing part (b) of FIG. 7, secondary cutting and secondary cleaning are performed. The surface of the fixed part is plated with silver using a plating apparatus. At this time, after masking the portion of the upper portion of the electrode except for the fixing part, silver plating is performed, and silver plating by energization is performed until a desired plating thickness layer is obtained. Here, the silver plating layer formed by silver plating not only prevents oxidation of copper plating, but also prevents diffusion of impurities to prevent contamination of the CVD chamber and improve contact characteristics.

고정부에 대한 은 도금을 마치면, 제품으로서 최종 치수를 가지도록 가공하는 단계(S17)를 실시할 수 있다. 이 경우 선반을 이용하거나 폴리싱 등의 다양한 방법을 이용할 수 있다.After the silver plating on the fixing part, processing (S17) to have a final dimension as a product can be carried out. In this case, a variety of methods such as using a lathe or polishing may be used.

본 발명의 일 실시예에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드는 상기한 바와 같은 재생 방법에 의하여 고정부를 재생한 일렉트로드로서, CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법에 대해서는 앞서 상세히 설명하였으므로 그 설명을 생략하기로 한다.The electrorod of the CVD chamber according to an embodiment of the present invention is an electrorod regenerated by the regeneration method as described above. Since the electrorod regeneration method of the CVD chamber has been described in detail above, the description thereof will be omitted. .

이와 같은 본 발명에 따른 CVD 챔버의 일렉트로드 및 이의 재생 방법에 의하면, CVD 챔버의 일렉트로드에서 그라파이트 전극이 고정되는 고정부가 손상되더라도, 고정부에 대한 재생을 통해서 일렉트로드 전체에 대한 폐기를 방지하여 비용을 절감하도록 하고, 고정부의 재생에 소요되는 비용과 노력을 최소화하면서도 뛰어난 품질을 제공하며, 이로 인해 재생 일렉트로드의 신뢰성을 높일 수 있다.According to the electroload of the CVD chamber and the regeneration method thereof according to the present invention, even if the fixing portion to which the graphite electrode is fixed in the electrorod of the CVD chamber is damaged, regeneration of the fixing portion is prevented, thereby preventing disposal of the entire electrorod. This reduces costs and provides superior quality while minimizing the cost and effort of regenerating the fixture, thereby increasing the reliability of the regenerative electroload.

이와 같이 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이러한 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the following claims.

Claims (7)

그라파이트 전극이 고정되기 위한 고정부가 손상된 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법으로서,
상기 고정부의 표면을 1차로 절삭 가공하는 단계;
상기 1차로 절삭된 고정부의 표면을 동으로 도금하는 단계;
상기 동으로 도금된 고정부의 표면을 정해진 치수로 2차로 절삭 가공하는 단계: 및
상기 2차로 절삭된 고정부의 표면을 은으로 도금하는 단계;를 포함하고,
상기 1차 및 2차 절삭 가공은,
상기 고정부를 끝단으로 갈수록 직경이 감소되는 테이퍼 형상으로 절삭하고,
상기 고정부의 외주면에 수나사가 형성되도록 절삭하고,
상기 2차 절삭 가공은,
상기 고정부의 가공 치수를 상기 은 도금에 의해 형성되는 은도금층을 고려하여 상기 고정부의 최종적인 치수보다 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법.
A method of electroload regeneration of a CVD chamber in which a fixing portion for fixing a graphite electrode is damaged,
Primarily cutting the surface of the fixing part;
Copper plating the surface of the first cut part;
Secondly cutting the surface of the copper plated fixing part to a predetermined dimension; and
And plating the surface of the second cut part with silver;
The primary and secondary cutting processing,
Cutting into a tapered shape in which the diameter decreases toward the end of the fixing part,
Cutting to form a male screw on the outer peripheral surface of the fixing portion,
The secondary cutting process,
And the processing dimension of the fixing portion is smaller than the final dimension of the fixing portion in consideration of the silver plating layer formed by the silver plating.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 1차 절삭 가공은,
상기 고정부의 표면을 2∼6㎜ 절삭하는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법.
The method of claim 1, wherein the primary cutting process,
And cutting the surface of the fixing part by 2 to 6 mm.
삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 1차 절삭 가공을 마치고 상기 고정부를 1차로 클리닝하는 단계와, 상기 2차 절삭 가공을 마치고 상기 고정부를 2차로 클리닝하는 단계를 더 포함하고,
상기 1차 및 2차 클리닝 단계는,
상기 고정부에 대하여 순수, 세제, 침적탈지액, IPA 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 세척하는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법.
2. The method of claim 1, further comprising: cleaning the fixing unit firstly after the first cutting process, and cleaning the fixing unit secondly after the second cutting process;
The first and second cleaning step,
The fixed part is washed with any one or a combination of pure water, detergent, immersion degreasing solution, IPA or a combination thereof.
제 1 항, 제 4 항, 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 CVD 챔버의 일렉트로드 재생 방법에 의해 재생되는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 일렉트로드.The electroload of the CVD chamber, which is regenerated by the electroload regeneration method of the CVD chamber according to any one of claims 1, 4 and 6.
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