JP6325057B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 82
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 claims description 71
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 62
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 34
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 29
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910016467 AlCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、より詳細には、薄膜蒸着工程を含む半導体素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film deposition process.
半導体素子の薄膜は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法、蒸気蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）方法、ＣＶＤ方法、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下、ＡＬＤ）方法などによって半導体基板上に形成される。このような方法を行うための薄膜蒸着装置は、通常、チャンバと、チャンバ内部に各種のガスを供給するガスラインと、チャンバ内部に各種のガスを噴射するシャワーヘッドと、半導体基板を載置させるためのサセプタと、を含む。 A thin film of a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate by a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, an atomic layer deposition (ALD) method, or the like. A thin film deposition apparatus for performing such a method usually mounts a chamber, a gas line for supplying various gases into the chamber, a shower head for injecting various gases into the chamber, and a semiconductor substrate. And a susceptor for.
ところで、薄膜蒸着装置を用いて薄膜形成工程を進行する間に、薄膜形成処理時に生成される反応生成物は、半導体薄膜の表面だけではなく、チャンバ内部表面にも堆積（付着）されてしまう。半導体量産用薄膜蒸着装置は、多量の半導体基板を処理するために、チャンバ内部に反応生成物が付着された状態で薄膜形成処理を続けば、反応生成物が剥離されてパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生する。 By the way, during the thin film forming process using the thin film deposition apparatus, the reaction product generated during the thin film forming process is deposited (attached) not only on the surface of the semiconductor thin film but also on the inner surface of the chamber. In the semiconductor mass production thin film deposition apparatus, if the reaction product is attached to the inside of the chamber in order to process a large amount of semiconductor substrates, the reaction product is peeled off and particles are generated. To do.
このようなパーティクルは、蒸着工程の不良を引き起こし、半導体基板に付着されて半導体素子の収率を低下させることがある。このために、一定時間または一定枚数の半導体基板蒸着工程が終了した後には、チャンバ内部を洗浄しなければならない。最近、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を用いたインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）洗浄方法が使われている。しかし、洗浄工程以後に残留するフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を効果的に除去することができなければ、基板にチャージング（ｃｈａｒｇｉｎｇ）を誘発し、基板上にパーティクルを誘導する問題点が発生する。 Such particles cause defects in the vapor deposition process, and may adhere to the semiconductor substrate and reduce the yield of the semiconductor element. For this reason, the chamber interior must be cleaned after a predetermined time or a predetermined number of semiconductor substrate deposition steps. Recently, an in-situ cleaning method using fluorine (F) or chlorine (Cl) has been used. However, if fluorine (F) or chlorine (Cl) remaining after the cleaning process cannot be effectively removed, charging may be induced on the substrate and particles may be induced on the substrate. Occur.
本発明は、前記問題点を含んで多様な問題点を解決するためのものであって、パーティクルの発生を減少させ、工程再現性を確保することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。しかし、このような課題は、例示的なものであって、これにより、本発明の範囲が限定されるものではない。 The present invention is for solving various problems including the above-mentioned problems, and provides a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing the generation of particles and ensuring process reproducibility. Objective. However, such a problem is exemplary and does not limit the scope of the present invention.
前記課題を解決するための本発明の一観点による半導体素子の製造方法が提供される。前記半導体素子の製造方法は、プロセスチャンバに蒸着された薄膜を除去するために、真空状態を保持しながら、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を含有するガスを用いてインサイチュクリーニングを行う段階と、前記プロセスチャンバ内部にシーズニング層（ｓｅａｓｏｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を形成する段階と、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階と、前記プロセスチャンバ内部に配された基板上に対象膜を形成する段階と、を含む。 A method for manufacturing a semiconductor device according to an aspect of the present invention for solving the above-described problems is provided. The method of manufacturing a semiconductor device includes performing in-situ cleaning using a gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl) while maintaining a vacuum state in order to remove a thin film deposited in a process chamber. Forming a seasoning layer inside the process chamber, and activating a gas containing hydrogen (H) but not carbon to remove residues of fluorine (F) or chlorine (Cl). Removing, and forming a target film on a substrate disposed in the process chamber.
前記半導体素子の製造方法で、前記フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を含有するガスは、ＮＦ３またはＣｌＦ３を含みうる。
前記半導体素子の製造方法で、前記水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスは、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ２、ＮＨ３またはＨ２を含みうる。
前記半導体素子の製造方法で、前記シーズニング層を形成する段階は、前記プロセスチャンバ内部にシリコン酸化膜を形成する段階を含みうる。
前記半導体素子の製造方法で、前記シーズニング層を形成する段階は、前記プロセスチャンバ内部にシリコン酸化膜を形成する段階、及び前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する段階を含みうる。
前記半導体素子の製造方法で、前記フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階は、前記シーズニング層を形成する段階の以前に行われるか、以後に行われるか、または以前と以後の両方で行われる。
In the method for manufacturing a semiconductor device, the gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl) may include NF 3 or ClF 3 .
In the semiconductor device manufacturing method, the gas containing hydrogen (H) but not containing carbon may contain SiH 4 , B 2 H 2 , NH 3, or H 2 .
In the method of manufacturing a semiconductor device, forming the seasoning layer may include forming a silicon oxide film inside the process chamber.
In the method of manufacturing a semiconductor device, forming the seasoning layer may include forming a silicon oxide film inside the process chamber and forming a silicon nitride film on the silicon oxide film.
In the method of manufacturing a semiconductor device, the step of removing the fluorine (F) or chlorine (Cl) residue may be performed before, after, or before the step of forming the seasoning layer. It will be done both later.
前記課題を解決するための本発明の他の観点による半導体素子の製造方法が提供される。前記半導体素子の製造方法は、シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスを用いてプロセスチャンバ内に配された基板上に対象膜を蒸着する段階と、前記プロセスチャンバ内部に蒸着された薄膜を除去するために、真空状態を保持しながら、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を含有するガスを用いてインサイチュクリーニングを行う段階と、前記プロセスチャンバ内部に酸化膜からなるシーズニング層を形成する段階と、を含む単位サイクルを少なくとも一回以上行う。 A method for manufacturing a semiconductor device according to another aspect of the present invention for solving the above-described problems is provided. The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of depositing a target film on a substrate disposed in a process chamber using a gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl), and a vapor deposition in the process chamber. In order to remove the thin film, in-situ cleaning is performed using a gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl) while maintaining a vacuum state, and a seasoning layer made of an oxide film is formed inside the process chamber. And a unit cycle including the step of forming at least once.
前記半導体素子の製造方法で、前記酸化膜からなる前記シーズニング層を形成する段階は、前記プロセスチャンバ内部にシリコン（Ｓｉ）を含有するが、塩素（Ｃｌ）を含有しないガスを用いてシリコン酸化膜からなるシーズニング層を形成する段階を含みうる。
前記半導体素子の製造方法で、前記単位サイクルは、前記シリコン酸化膜からなるシーズニング層を形成する段階以後に、シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスと水素（Ｈ）を含有するガスとを活性化して、前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜からなるシーズニング層を形成する段階をさらに含みうる。
前記半導体素子の製造方法で、前記対象膜と前記シリコン窒化膜とからなるシーズニング層は、同じガスを用いて形成された同じ物質からなりうる。
In the method of manufacturing a semiconductor device, the step of forming the seasoning layer made of the oxide film includes forming a silicon oxide film using a gas containing silicon (Si) but not chlorine (Cl) inside the process chamber. Forming a seasoning layer comprising:
In the method of manufacturing a semiconductor device, the unit cycle includes a gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl) and hydrogen (H) after the step of forming a seasoning layer made of the silicon oxide film. The method may further include activating a gas to form a seasoning layer made of a silicon nitride film on the silicon oxide film.
In the method for manufacturing a semiconductor device, the seasoning layer including the target film and the silicon nitride film may be made of the same material formed using the same gas.
前記半導体素子の製造方法で、前記シリコン酸化膜からなるシーズニング層を形成する段階で、前記シリコン（Ｓｉ）を含有するが、塩素（Ｃｌ）を含有しないガスは、シラン（ＳｉＨ４）を含み、前記シリコン窒化膜からなるシーズニング層を形成する段階で、前記シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスは、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）またはＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６）を含み、前記水素（Ｈ）を含有するガスは、ＮＨ３を含み、前記対象膜を蒸着する段階で、前記シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスは、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）またはＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６）を含みうる。
前記半導体素子の製造方法で、前記単位サイクルは、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階をさらに含むが、前記フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階は、前記シーズニング層を形成する段階の以前に行われるか、以後に行われるか、または以前と以後の両方で行われる。
In the semiconductor device manufacturing method, in the step of forming a seasoning layer made of the silicon oxide film, the gas containing silicon (Si) but not containing chlorine (Cl) contains silane (SiH4), In the step of forming a seasoning layer made of a silicon nitride film, the gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl) includes DCS (SiH 2 Cl 2 ) or HCDS (Si 2 Cl 6 ), and the hydrogen The gas containing (H) contains NH 3, and the gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl) is DCS (SiH 2 Cl 2 ) or HCDS (at the stage of depositing the target film. Si 2 Cl 6 ).
In the method for manufacturing a semiconductor device, the unit cycle further includes activating a gas containing hydrogen (H) but not carbon to remove residues of fluorine (F) or chlorine (Cl). The step of removing the fluorine (F) or chlorine (Cl) residue may be performed before, after, or both before and after the step of forming the seasoning layer. Is called.
前記のようになされた本発明の一実施形態によれば、インサイチュ洗浄工程後に残留する不純物を十分に除去し、チャンバ内の基板上に対象膜を形成するに当って、パーティクルの発生を減少させ、ウェーハ間の工程再現性を確保することができる。もちろん、このような効果によって、本発明の範囲が限定されるものではない。 According to the embodiment of the present invention as described above, the impurities remaining after the in-situ cleaning process are sufficiently removed, and the generation of particles is reduced in forming the target film on the substrate in the chamber. , Process reproducibility between wafers can be ensured. Of course, the scope of the present invention is not limited by such effects.
以下、添付図面を参照して、本発明の多様な実施形態を例示的に説明する。
明細書の全体に亘って、膜、領域または基板のような１つの構成要素が、他の構成要素“上に”位置すると言及する時は、前記１つの構成要素が、直接に前記他の構成要素“上に”接触するか、その間に介在されるさらに他の構成要素が存在することができると解釈されうる。一方、１つの構成要素が、他の構成要素“直接上に”位置すると言及する時は、その間に介在される他の構成要素が存在しないと解釈される。
以下、本発明の実施形態は、本発明の理想的な実施形態を概略的に図示する図面を参照して説明する。図面において、例えば、製造技術及び／または公差（ｔｏｌｅｒａｎｃｅ）によって、示された形状の変形が予想される。したがって、本発明思想の実施形態は、本明細書に示された領域の特定形状に制限されたものと解釈されてはならず、例えば、製造上招かれる形状の変化を含まねばならない。また、図面で、各層の厚さやサイズは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたものであり得る。同じ符号は、同じ要素を指称する。
本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法で言及される薄膜は、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ）または原子層蒸着法（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などとして具現可能である。一方、本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法で言及される‘励起（ｅｘｃｉｔｅ）’とは、プラズマや熱によって活性化された状態を意味する。
Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described by way of example with reference to the accompanying drawings.
Throughout the specification, when one component, such as a film, region or substrate, is referred to as being “on” another component, the one component directly refers to the other component. It can be construed that there can be still other components in contact with or intervening between the elements. On the other hand, when one component is referred to as being “directly on” another component, it is interpreted that there are no other components interposed therebetween.
In the following, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically illustrating an ideal embodiment of the present invention. In the drawings, deformations of the indicated shape are expected, for example, due to manufacturing techniques and / or tolerances. Therefore, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the specific shape of the region shown in this specification, and must include, for example, a change in shape that is incurred in manufacturing. In the drawings, the thickness and size of each layer may be exaggerated for convenience of description and clarity. The same symbols refer to the same elements.
The thin film referred to in the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention can be implemented as a chemical vapor deposition method (CVD) or an atomic layer deposition method (ALD). On the other hand, “excite” referred to in the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention means a state activated by plasma or heat.
図１は、本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を図解する図面である。
図１を参照すれば、本発明の実施形態による半導体素子の製造方法は、プロセスチャンバ内部に蒸着された物質を除去するために、真空状態を保持しながら、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を含有するガスを用いてインサイチュクリーニングを行う段階（ステップＳ１００）と、前記プロセスチャンバ内部にシーズニング層を形成する段階（ステップＳ３００）と、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階（ステップＳ２００、ステップＳ４００）と、前記プロセスチャンバ内部に配された基板上に対象膜を形成する段階（ステップＳ５００）と、を含む。
薄膜蒸着装置を用いて薄膜形成工程を進行する間に、薄膜形成処理時に生成される反応生成物は、半導体薄膜の表面だけではなく、チャンバ内部表面にも堆積（付着）されてしまう。半導体量産用薄膜蒸着装置は、多量の半導体基板を処理するために、チャンバ内部に反応生成物が付着された状態で薄膜形成処理を続けば、反応生成物が剥離されてパーティクルが発生する。このようなパーティクルは、蒸着工程の不良を引き起こし、半導体基板に付着されて半導体素子の収率を低下させることができる。このために、一定時間または一定枚数の半導体基板蒸着工程が終了した後には、チャンバ内部を洗浄しなければならない。
FIG. 1 is a diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes fluorine (F) or chlorine (Cl) while maintaining a vacuum to remove a material deposited in a process chamber. A step of performing in-situ cleaning using a gas containing hydrogen (step S100), a step of forming a seasoning layer inside the process chamber (step S300), and a gas containing hydrogen (H) but not carbon. A step of activating to remove fluorine (F) or chlorine (Cl) residues (step S200, step S400), and a step of forming a target film on a substrate disposed in the process chamber (step S500). And including.
During the thin film formation process using the thin film deposition apparatus, reaction products generated during the thin film formation process are deposited (attached) not only on the surface of the semiconductor thin film but also on the inner surface of the chamber. In a thin film deposition apparatus for mass production of semiconductors, in order to process a large amount of semiconductor substrates, if the thin film forming process is continued with the reaction product attached to the inside of the chamber, the reaction product is peeled off to generate particles. Such particles cause defects in the vapor deposition process, and can adhere to the semiconductor substrate and reduce the yield of the semiconductor element. For this reason, the chamber interior must be cleaned after a predetermined time or a predetermined number of semiconductor substrate deposition steps.
インサイチュクリーニングを行う段階（ステップＳ１００）は、薄膜を形成した以後に真空を保持した状態でプロセスチャンバ内部を洗浄する段階であって、薄膜蒸着装置を用いて薄膜形成工程を進行する間に、チャンバ内部（例えば、チャンバ内壁、サセプタ、シャワーヘッド）表面に意図しないように形成（付着）された反応生成物及び／または以前蒸着工程で反応し、チャンバ内部に残っている残留物を除去するために行われる。インサイチュクリーニングを行う段階（ステップＳ１００）は、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を含有する洗浄ガスを用いて行われうるが、例えば、ＮＦ３またはＣｌＦ３を含みうる。その他にも、洗浄ガスは、Ｃ３Ｆ８、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＳｉＦ４、及びＦ２のうち何れか１つの洗浄ガスを含みうる。 The step of performing in-situ cleaning (step S100) is a step of cleaning the inside of the process chamber in a state where a vacuum is maintained after the thin film is formed, while the thin film deposition process is performed using the thin film deposition apparatus. In order to remove unintentionally formed (adhered) reaction products and / or residues previously deposited in the interior (eg, chamber inner wall, susceptor, showerhead) surface, and residues remaining inside the chamber Done. The step of performing in-situ cleaning (step S100) may be performed using a cleaning gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl), and may include, for example, NF 3 or ClF 3 . In addition, the cleaning gas may include any one of C 3 F 8 , CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , SiF 4 , and F 2 .
フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）が含有されたガスを用いてクリーニングを行えるならば、設備内部に残っている薄膜や不純物を除去するために、オーバーエッチ（ｏｖｅｒ ｅｔｃｈ）を進行する。オーバーエッチが進行しながら、クリーニングガスに含まれていたフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）元素がチャンバ内壁やシャワーヘッドまたはヒーティングブロックに積層されて、クリーニング以後進行する工程に対して厚さ減少（ｄｒｏｐ）や異常蒸着現象を起こしうる。
例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）をメイン蒸着する工程において、クリーニング段階で、洗浄ガスとしてＮＦ３を使えるが、ＮＦ３ガスは、通常の熱的反応によってクリーニングされることではなく、リモートプラズマジェネレーター（Ｒｅｍｏｔｅ Ｐｌａｓｍａ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ；ＲＰＧ）を通じてプラズマで励起させて、チャンバ内に残っているシリコン窒化膜を除去する。クリーニング工程でチャンバ内に残っているシリコン窒化物が全部除去された時、オーバーエッチングによってプラズマで励起されたフッ素（Ｆ）がチャンバ内部表面に残っており、チャンバ内に残っているフッ素（Ｆ）が後続のメイン蒸着工程でシリコン窒化膜の蒸着を妨害して、初期蒸着されるシリコン窒化膜の厚さを減少させる問題点を誘発する恐れがある。
If cleaning can be performed using a gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl), an over etch is performed in order to remove the thin film and impurities remaining inside the facility. While over-etching progresses, fluorine (F) or chlorine (Cl) elements contained in the cleaning gas are stacked on the inner wall of the chamber, shower head, or heating block, reducing the thickness of the process that proceeds after cleaning. (Drop) and abnormal vapor deposition phenomenon may occur.
For example, in the process of main vapor deposition of silicon nitride (SiN), NF 3 can be used as a cleaning gas in the cleaning stage, but the NF 3 gas is not cleaned by a normal thermal reaction, but a remote plasma generator ( The silicon nitride film remaining in the chamber is removed by excitation with plasma through a remote plasma generator (RPG). When all of the silicon nitride remaining in the chamber is removed in the cleaning process, fluorine (F) excited by plasma by overetching remains on the inner surface of the chamber, and fluorine (F) remaining in the chamber. However, it may interfere with the deposition of the silicon nitride film in the subsequent main deposition process, thereby causing a problem of reducing the thickness of the initially deposited silicon nitride film.
このような問題点を解消するために、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階（ステップＳ２００、ステップＳ４００）と、前記プロセスチャンバ内部にシーズニング層を形成する段階（ステップＳ３００）と、を行うことができる。
水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスは、例えば、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ２、ＮＨ３またはＨ２を含みうる。このようなガスをプラズマや熱によって活性化させれば、励起された水素（Ｈ）が、チャンバ内に残留するフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）と反応してチャンバから除去される。例えば、励起された水素（Ｈ）が、チャンバ内に残留するフッ素（Ｆ）と反応すれば、ガス状のＨＦで生成されてチャンバから除去され、励起された水素（Ｈ）が、チャンバ内に残留する塩素（Ｃｌ）と反応すれば、ガス状のＨＣｌで生成されてチャンバから除去される。
In order to solve such a problem, a step of activating a gas containing hydrogen (H) but not containing carbon to remove residues of fluorine (F) or chlorine (Cl) (step S200, Step S400) and a step of forming a seasoning layer in the process chamber (Step S300) may be performed.
The gas containing hydrogen (H) but not carbon can include, for example, SiH 4 , B 2 H 2 , NH 3 or H 2 . When such a gas is activated by plasma or heat, the excited hydrogen (H) reacts with fluorine (F) or chlorine (Cl) remaining in the chamber and is removed from the chamber. For example, if excited hydrogen (H) reacts with fluorine (F) remaining in the chamber, it is generated by gaseous HF and removed from the chamber, and the excited hydrogen (H) enters the chamber. If it reacts with residual chlorine (Cl), it is produced with gaseous HCl and removed from the chamber.
一方、チャンバ内部の洗浄後に、後続して蒸着される物質と同じ物質で、後続工程進行時にも落ちない接着性が強い物質またはパーティクルが発生するとしても、後続して蒸着される薄膜に影響を大きく及ぼさない物質でチャンバ内部をシーズニング処理することによって、チャンバ洗浄以後、チャンバの雰囲気を最適の条件で構成して安定した半導体装置の生産を図りうる。本発明で、シーズニング層は、シリコン酸化膜からなる単一シーズニング層であるか、シリコン酸化膜及び前記シリコン酸化膜上のシリコン窒化膜からなる複合シーズニング層であり得る。 On the other hand, even after the chamber is cleaned, even if a material or particles that are the same as the material to be subsequently deposited and have strong adhesion that does not drop during the subsequent process are generated, the thin film to be subsequently deposited will be affected. By subjecting the inside of the chamber to a material that does not greatly affect, the chamber atmosphere can be configured under optimum conditions after the chamber cleaning, and a stable semiconductor device can be produced. In the present invention, the seasoning layer may be a single seasoning layer made of a silicon oxide film, or a composite seasoning layer made of a silicon oxide film and a silicon nitride film on the silicon oxide film.
本発明の一実施形態によれば、図１の（ａ）のように、クリーニング段階（ステップＳ１００）後に、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階（ステップＳ２００）は、シーズニング層を形成する段階（ステップＳ３００）の以前に行われる。
本発明の他の実施形態によれば、図１の（ｂ）のように、クリーニング段階（ステップＳ１００）後に、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階（ステップＳ４００）は、シーズニング層を形成する段階（ステップＳ３００）の以後に行われる。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図１の（ｃ）のように、クリーニング段階（ステップＳ１００）後に、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階（ステップＳ２００、ステップＳ４００）は、シーズニング層を形成する段階（ステップＳ３００）の以前及び以後にいずれも行われることもある。
According to one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1A, after the cleaning step (step S100), a gas containing hydrogen (H) but not carbon is activated to produce fluorine (F ) Or removing the chlorine (Cl) residue (step S200) is performed before the seasoning layer forming step (step S300).
According to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1B, after the cleaning step (step S100), a gas containing hydrogen (H) but not carbon is activated to produce fluorine ( The step of removing the residue of F) or chlorine (Cl) (step S400) is performed after the step of forming the seasoning layer (step S300).
According to yet another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1C, after the cleaning step (step S100), a gas containing hydrogen (H) but not carbon is activated to generate fluorine. The step of removing the residue of (F) or chlorine (Cl) (step S200, step S400) may be performed before and after the step of forming the seasoning layer (step S300).
図２は、図１に示された各実施形態による半導体素子の製造方法で形成される対象膜に対してウェーハ間の厚さ差を示すグラフである。横軸は、実験例の条件を区分し、縦軸は、メイン蒸着工程で最初の基板に蒸着した薄膜の厚さと二番目の基板に蒸着した薄膜の厚さとの差を示す。縦軸で示される厚さ差が小さいほど、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の除去効果が高いと理解することができる。クリーニング以後に、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の除去効果が高いほど、基板にソースが吸着される確率を高めて蒸着率が向上し、パーティクルの発生を低減して工程再現性を確保することができるためである。
図２を参照すれば、条件１は、水素（Ｈ）を含有するガスを用いてフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階（ステップＳ２００、ステップＳ４００）は行わず、インサイチュクリーニングを行う段階（ステップＳ１００）とシーズニング層を形成する段階（ステップＳ３００）のみを行った実験例である。条件２は、図１の（ａ）に該当する実験例であり、条件３は、図１の（ｂ）に該当する実験例であり、条件４は、図１の（ｄ）に該当する実験例である。
FIG. 2 is a graph showing a difference in thickness between wafers with respect to a target film formed by the method of manufacturing a semiconductor device according to each embodiment shown in FIG. The horizontal axis shows the conditions of the experimental example, and the vertical axis shows the difference between the thickness of the thin film deposited on the first substrate and the thickness of the thin film deposited on the second substrate in the main vapor deposition step. It can be understood that the smaller the thickness difference shown on the vertical axis, the higher the effect of removing fluorine (F) or chlorine (Cl). After cleaning, the higher the effect of removing fluorine (F) or chlorine (Cl), the higher the probability that the source will be adsorbed to the substrate, the better the deposition rate, and the reduction of particles to ensure process reproducibility. Because it can.
Referring to FIG. 2, the condition 1 is that the step of removing the fluorine (F) or chlorine (Cl) residue (step S200, step S400) using a gas containing hydrogen (H) is not performed, but in situ. This is an experimental example in which only the stage of cleaning (step S100) and the stage of forming a seasoning layer (step S300) were performed. Condition 2 is an experiment example corresponding to FIG. 1A, condition 3 is an experiment example corresponding to FIG. 1B, and condition 4 is an experiment corresponding to FIG. It is an example.
これら実験例よれば、メイン蒸着工程で、最初の基板に蒸着した薄膜の厚さと二番目の基板に蒸着した薄膜の厚さとの差が、条件１では０．４１Å、条件２では０．３８Å、条件３では０．１３Å、条件４では０．０２Åであることを確認した。
すなわち、水素（Ｈ）含有ガスを用いて処理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）する段階をシーズニング段階前後に進行した場合、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の除去効果が最も高く、水素（Ｈ）含有ガスを用いて処理する段階が、シーズニング段階以前に行うよりも以後に行う場合、相対的にフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の除去効果が高かった。
以下、前述した本発明の技術的思想を反映したものであって、本発明の理解のために、さらに具体的な例をあげて説明する。
According to these experimental examples, in the main vapor deposition step, the difference between the thickness of the thin film deposited on the first substrate and the thickness of the thin film deposited on the second substrate is 0.41 mm in condition 1 and 0.38 mm in condition 2. It was confirmed that the condition 3 was 0.13 mm and the condition 4 was 0.02 mm.
That is, when the treatment stage using the hydrogen (H) -containing gas proceeds before and after the seasoning stage, the removal effect of fluorine (F) or chlorine (Cl) is the highest, and the hydrogen (H) -containing gas is used. In the case where the treatment step is performed after that before the seasoning step, the effect of removing fluorine (F) or chlorine (Cl) is relatively high.
In the following, the technical idea of the present invention will be reflected, and a more specific example will be described for the understanding of the present invention.
本発明の具体的な実施形態による半導体素子の製造方法は、プロセスチャンバ内に配された基板上に対象膜を蒸着する段階と、前記プロセスチャンバ内部に蒸着された物質を除去するために、真空状態を保持しながら、インサイチュクリーニングを行う段階と、前記プロセスチャンバ内部にシリコン酸化膜からなるシーズニング層を形成する段階と、を含む単位サイクルを少なくとも一回以上行う。 A method of manufacturing a semiconductor device according to a specific embodiment of the present invention includes a step of depositing a target film on a substrate disposed in a process chamber, and a vacuum for removing a material deposited in the process chamber. At least one unit cycle including the step of performing in-situ cleaning while maintaining the state and the step of forming a seasoning layer made of a silicon oxide film inside the process chamber is performed at least once.
さらに具体的に、対象膜は、シリコン窒化膜であり、シリコン窒化膜は、シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスとをプラズマを用いて形成しうる。シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスは、ＤＣＳ（Ｄｉｃｈｌｏｒｏ ｓｉｌａｎｅ、ＳｉＨ２Ｃｌ２）またはＨＣＤＳ（Ｈｅｘａｃｈｌｏｒｏ ｄｉｓｉｌａｎｅ、Ｓｉ２Ｃｌ６）などを含みうる。 More specifically, the target film is a silicon nitride film, and the silicon nitride film can be formed by using a plasma containing a gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl) and ammonia (NH 3 ) gas. . The gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl) may include DCS (Dichroro Silane, SiH 2 Cl 2 ) or HCDS (Hexachloro disilane, Si 2 Cl 6 ).
メイン蒸着工程で、基板上にシリコン窒化物薄膜を形成する工程を繰り返す過程で蒸着反応生成物は、基板表面だけではなく、チャンバ内部表面にも意図しないように形成（付着）されてパーティクルが発生し、蒸着工程の不良を引き起こす。したがって、チャンバ内部に蒸着された物質を除去するために、真空状態を保持しながら、ＮＦ３またはＣｌＦ３のようなフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を含有するガスを用いてインサイチュクリーニングを行う。
クリーニング工程以後にも、残留するフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）で起因する問題点を防止するために、チャンバ内部にシーズニング層を形成する。シーズニング層は、シリコン酸化膜からなる単一膜であるか、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなる複合膜であり得る。
During the main vapor deposition process, the process of forming a silicon nitride thin film on the substrate is repeated, and the vapor deposition reaction product is unintentionally formed (attached) not only on the substrate surface but also on the inner surface of the chamber, generating particles. This causes a defect in the vapor deposition process. Therefore, in order to remove the material deposited inside the chamber, in-situ cleaning is performed using a gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl) such as NF 3 or ClF 3 while maintaining a vacuum state. .
In order to prevent problems caused by remaining fluorine (F) or chlorine (Cl) after the cleaning process, a seasoning layer is formed inside the chamber. The seasoning layer may be a single film made of a silicon oxide film or a composite film made of a silicon oxide film and a silicon nitride film.
シーズニング層が単一膜である場合、シリコン窒化膜よりはシリコン酸化膜で構成されることが望ましい。もし、シーズニング層が対象膜と同じシリコン窒化膜の単一膜である場合、シリコン窒化膜のソースガスに含まれる塩素（Ｃｌ）成分がチャンバ内の部品を構成するアルミニウム（Ａｌ）と反応して、ＡｌＣｌ４のような不純物が形成されるためである。特に、チャンバ内のシャワーヘッドのフレームにＡｌＣｌ４のような不純物が形成される場合、蒸着工程の工程再現性が著しく不良になることを確認した。一方、シリコン酸化膜は、シラン（ＳｉＨ４）と亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）とをプラズマを用いて形成されうるので、チャンバ内の部品を構成するアルミニウム（Ａｌ）との反応問題が発生しない。また、シリコン酸化膜は、シリコン窒化膜よりもパーティクルの発生防止に有利であり、実際にシリコン酸化膜でシーズニング層を構成する場合、パーティクルの発生個数が初期から著しく減少することを確認することができた。 When the seasoning layer is a single film, it is preferable that the seasoning layer is composed of a silicon oxide film rather than a silicon nitride film. If the seasoning layer is a single film of the same silicon nitride film as the target film, the chlorine (Cl) component contained in the source gas of the silicon nitride film reacts with aluminum (Al) constituting the components in the chamber. This is because impurities such as AlCl 4 are formed. In particular, when impurities such as AlCl 4 are formed in the frame of the shower head in the chamber, it has been confirmed that the process reproducibility of the vapor deposition process becomes extremely poor. On the other hand, since the silicon oxide film can be formed using silane (SiH 4 ) and nitrous oxide (N 2 O) using plasma, there is no problem of reaction with aluminum (Al) constituting the components in the chamber. . In addition, silicon oxide film is more advantageous for preventing generation of particles than silicon nitride film, and when the seasoning layer is actually composed of silicon oxide film, it can be confirmed that the number of generated particles is significantly reduced from the beginning. did it.
一方、本発明者は、シリコン酸化膜からなる単一シーズニング層を形成した後に、別途の他の処理をせず、メイン蒸着工程の薄膜を形成する場合、形成された前記薄膜の表面で少量の塩素（Ｃｌ）が検出されることもあるということを確認した。このような塩素（Ｃｌ）は、以前単位サイクルでのメイン蒸着工程を行い、残留する塩素（Ｃｌ）であるか、現単位サイクルでのインサイチュクリーニングで発生した塩素（Ｃｌ）であると推定される。 On the other hand, the inventor forms a single seasoning layer made of a silicon oxide film, and then forms a thin film for the main vapor deposition process without performing any other process, and a small amount is formed on the surface of the thin film. It was confirmed that chlorine (Cl) may be detected. Such chlorine (Cl) is presumed to be the chlorine (Cl) remaining after the main vapor deposition process in the previous unit cycle, or generated in situ cleaning in the current unit cycle. .
このような理由で、シーズニング層は、シリコン酸化膜を１次で形成した後に、前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を２次で形成した複合シーズニング層で構成することもできる。シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなる複合シーズニング層を導入する場合、メイン蒸着工程で形成した薄膜から塩素（Ｃｌ）が検出される問題が表われないことを確認した。シリコン酸化膜からなる１次シーズニング層の表面上に存在する塩素（Ｃｌ）は、シリコン窒化膜を形成する過程でプラズマ状態のアンモニア（ＮＨ３）と反応して、ガス状のＨＣｌで除去されるためである。 For this reason, the seasoning layer may be composed of a composite seasoning layer in which a silicon oxide film is first formed and then a silicon nitride film is secondarily formed on the silicon oxide film. When a composite seasoning layer composed of a silicon oxide film and a silicon nitride film was introduced, it was confirmed that the problem of detecting chlorine (Cl) from the thin film formed in the main vapor deposition process did not appear. Chlorine (Cl) present on the surface of the primary seasoning layer made of a silicon oxide film reacts with ammonia (NH 3 ) in a plasma state in the process of forming the silicon nitride film, and is removed by gaseous HCl. Because.
それを検討すれば、シリコン酸化膜からなる単一シーズニング層を形成した後に、シリコン窒化膜からなる追加的なシーズニング層を形成せず、水素（Ｈ）を含有するガスを活性化して、シリコン酸化膜からなる単一シーズニング層上に供給することによって、塩素（Ｃｌ）を除去するという類似した効果が期待されることが分かる。シリコン酸化膜からなる１次シーズニング層の表面上に存在する塩素（Ｃｌ）は、活性化された水素（Ｈ）を含有するガスと反応して、ガス状のＨＣｌで除去されるためである。前記水素（Ｈ）を含有するガスは、例えば、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ２、ＮＨ３またはＨ２を含みうる。ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ２またはＮＨ３ガスは、プラズマや熱を用いて励起し、例えば、ＮＨ３ガスは、６５０℃以上の高温で励起され始める。一方、Ｈ２ガスは、熱によって励起することは実質的に難しく、プラズマを用いて励起することができる。 Considering that, after forming a single seasoning layer made of a silicon oxide film, an additional seasoning layer made of a silicon nitride film is not formed, and a gas containing hydrogen (H) is activated to form a silicon oxide layer. It can be seen that a similar effect of removing chlorine (Cl) is expected by feeding on a single seasoning layer of film. This is because chlorine (Cl) present on the surface of the primary seasoning layer made of a silicon oxide film reacts with a gas containing activated hydrogen (H) and is removed by gaseous HCl. The gas containing hydrogen (H) may include, for example, SiH 4 , B 2 H 2 , NH 3, or H 2 . SiH 4 , B 2 H 2 or NH 3 gas is excited using plasma or heat. For example, NH 3 gas starts to be excited at a high temperature of 650 ° C. or higher. On the other hand, H 2 gas is substantially difficult to be excited by heat, and can be excited using plasma.
前述した、水素（Ｈ）を含有するガスを活性化して処理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）する工程は、図１の段階（ステップＳ２００）及び／または段階（ステップＳ４００）と理解され、シーズニング段階（ステップＳ３００）の前、後または前後に行われる。もちろん、シーズニング段階（ステップＳ３００）で形成されるシーズニング層は、シリコン酸化膜からなる単一シーズニング層であるか、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜からなる複合シーズニング層であり得る。 The process of activating and treating the gas containing hydrogen (H) described above is understood to be the stage (step S200) and / or the stage (step S400) of FIG. 1, and is performed in the seasoning stage (step S300). Before, after or before and after. Of course, the seasoning layer formed in the seasoning step (step S300) may be a single seasoning layer made of a silicon oxide film or a composite seasoning layer made of a silicon oxide film and a silicon nitride film.
図３は、本発明の実験例による半導体素子の製造方法でシーズニング層条件によって対象膜にフッ素不純物が残留する程度を比較したグラフであり、図４は、本発明の実験例による半導体素子の製造方法でシーズニング層条件によって対象膜に塩素不純物が残留する程度を比較したグラフである。
図３及び図４で、‘Ｎｏ Ｓｅａｓｏｎｉｎｇ’条件は、シーズニング層を形成していない場合であり、‘ＳｉＮ １Ｋ’条件は、厚さ１０００Åのシリコン窒化膜からなる単一シーズニング層を形成した場合であり、‘ＰＥ−ＯＸ ２Ｋ’条件は、ＰＥＣＶＤ工程で形成した厚さ２０００Åのシリコン酸化膜からなる単一シーズニング層を形成した場合であり、‘ＰＥ−ＯＸ ２Ｋ＋ＳｉＮ １００Å’条件は、ＰＥＣＶＤ工程で形成した厚さ２０００Åのシリコン酸化膜とＰＥＡＬＤ工程で形成した厚さ１００Åのシリコン窒化膜とからなる複合シーズニング層を形成した場合である。
FIG. 3 is a graph comparing the degree to which fluorine impurities remain in a target film according to seasoning layer conditions in a method for manufacturing a semiconductor device according to an experimental example of the present invention. FIG. It is the graph which compared the extent to which a chlorine impurity remains in an object film | membrane by seasoning layer conditions by a method.
3 and 4, the “No Seasoning” condition is a case where a seasoning layer is not formed, and the “SiN 1K” condition is a case where a single seasoning layer made of a silicon nitride film having a thickness of 1000 mm is formed. Yes, the “PE-OX 2K” condition is a case where a single seasoning layer made of a silicon oxide film having a thickness of 2000 mm formed in the PECVD process is formed, and the “PE-OX 2K + SiN 100 mm” condition is formed in the PECVD process. This is a case where a composite seasoning layer made of the silicon oxide film having a thickness of 2000 mm and the silicon nitride film having a thickness of 100 mm formed by the PEALD process is formed.
‘Ｎｏ Ｓｅａｓｏｎｉｎｇ’条件によれば、フッ素（Ｆ）が残留検出され、‘ＰＥ−ＯＸ ２Ｋ’条件では、塩素（Ｃｌ）が残留検出され、‘ＳｉＮ １Ｋ’条件では、シーズニングタイムロス（ｓｅａｓｏｎｉｎｇ ｔｉｍｅ ｌｏｓｓ）が表われることが分かり、‘ＰＥ−ＯＸ ２Ｋ＋ＳｉＮ １００Å’条件では、残留されるフッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）がほとんどなく、シーズニング時間改善効果もあることを確認することができる。 According to the “No Seasoning” condition, residual fluorine (F) is detected, under the “PE-OX 2K” condition, chlorine (Cl) is detected, and under the “SiN 1K” condition, seasoning time loss (seasoning time loss). It can be confirmed that under the condition of “PE-OX 2K + SiN 100Å”, there is almost no residual fluorine (F) or chlorine (Cl), and there is an effect of improving the seasoning time.
本発明は、図面に示された実施形態を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されるべきである。 Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, this is merely an example, and those skilled in the art can make various modifications and equivalent other embodiments. You will understand that. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the claims.
本発明は、半導体素子の製造方法関連の分野に適用可能である。 The present invention is applicable to fields related to semiconductor device manufacturing methods.
Claims (10)
前記プロセスチャンバ内部にシーズニング層を形成する段階と、
水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階と、
前記プロセスチャンバ内部に配された基板上に対象膜を形成する段階と、
を含み、
前記フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階は、前記シーズニング層を形成する段階の以後に行われるか、または以前と以後の両方で行われる、
半導体素子の製造方法。 Performing in-situ cleaning using a gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl) while maintaining a vacuum state in order to remove substances deposited inside the process chamber;
Forming a seasoning layer within the process chamber;
Activating a gas containing hydrogen (H) but not carbon to remove fluorine (F) or chlorine (Cl) residues;
Forming a target film on a substrate disposed in the process chamber;
Only including,
The step of removing the fluorine (F) or chlorine (Cl) residue is performed after the step of forming the seasoning layer, or is performed both before and after.
A method for manufacturing a semiconductor device.
前記プロセスチャンバ内部に蒸着された物質を除去するために、真空状態を保持しながら、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）を含有するガスを用いてインサイチュクリーニングを行う段階と、
前記プロセスチャンバ内部に酸化膜からなるシーズニング層を形成する段階と、
を含む単位サイクルを少なくとも一回以上行い、
前記単位サイクルは、水素（Ｈ）を含有するが、炭素を含有しないガスを活性化して、フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階をさらに含むが、
前記フッ素（Ｆ）または塩素（Ｃｌ）の残留物を除去する段階は、前記シーズニング層を形成する段階の以後に行われるか、または以前と以後の両方で行われる、
半導体素子の製造方法。 Depositing a target film on a substrate disposed in a process chamber using a gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl);
Performing in-situ cleaning using a gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl) while maintaining a vacuum state in order to remove a material deposited inside the process chamber;
Forming a seasoning layer made of an oxide film inside the process chamber;
Have at least one more line the unit cycle, including,
The unit cycle further includes activating a gas containing hydrogen (H) but not carbon to remove fluorine (F) or chlorine (Cl) residues,
The step of removing the fluorine (F) or chlorine (Cl) residue is performed after the step of forming the seasoning layer, or is performed both before and after.
A method for manufacturing a semiconductor device.
前記シリコン窒化膜からなるシーズニング層を形成する段階で、前記シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスは、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）またはＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６）を含み、前記水素（Ｈ）を含有するガスは、ＮＨ３を含み、
前記対象膜を蒸着する段階で、前記シリコン（Ｓｉ）と塩素（Ｃｌ）とを含有するガスは、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２）またはＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６）を含む請求項９に記載の半導体素子の製造方法。 In the step of forming a seasoning layer made of the silicon oxide film, the gas containing silicon (Si) but not containing chlorine (Cl) contains silane (SiH 4 ),
In the step of forming a seasoning layer made of the silicon nitride film, the gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl) includes DCS (SiH 2 Cl 2 ) or HCDS (Si 2 Cl 6 ), The gas containing hydrogen (H) includes NH 3 ,
The semiconductor according to claim 9 , wherein the gas containing silicon (Si) and chlorine (Cl) includes DCS (SiH 2 Cl 2 ) or HCDS (Si 2 Cl 6 ) in the step of depositing the target film. Device manufacturing method.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2015-0163271 | 2015-11-20 | ||
| KR1020150163271A KR102058106B1 (en) | 2015-11-20 | 2015-11-20 | Method of fabricating semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017098543A JP2017098543A (en) | 2017-06-01 |
| JP6325057B2 true JP6325057B2 (en) | 2018-05-16 |
Family
ID=58817331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016217692A Active JP6325057B2 (en) | 2015-11-20 | 2016-11-08 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6325057B2 (en) |
| KR (1) | KR102058106B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7198327B2 (en) | 2017-01-25 | 2022-12-28 | 株式会社オービック | Invoice data generation device, invoice data generation method and invoice data generation program |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102706039B1 (en) * | 2017-10-31 | 2024-09-11 | 램 리써치 코포레이션 | Methods and devices for increasing reactor processing batch size |
| KR20210048568A (en) * | 2018-09-21 | 2021-05-03 | 램 리써치 코포레이션 | Method for conditioning a plasma processing chamber |
| US10950416B2 (en) * | 2018-11-16 | 2021-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Chamber seasoning to improve etch uniformity by reducing chemistry |
| JP6999616B2 (en) * | 2019-08-07 | 2022-01-18 | 株式会社Kokusai Electric | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing device and program |
| KR102628653B1 (en) * | 2019-09-23 | 2024-01-25 | 주식회사 원익아이피에스 | Method of forming thin film |
| CN114901859B (en) * | 2019-11-01 | 2024-10-18 | 应用材料公司 | Deposition process for reducing defects |
| KR102674234B1 (en) * | 2019-11-12 | 2024-06-12 | 주식회사 원익아이피에스 | Processing Method for Semiconductor Manufacturing apparatus |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3112880B2 (en) * | 1998-02-06 | 2000-11-27 | 鹿児島日本電気株式会社 | Cleaning method for CVD equipment |
| JP4382219B2 (en) * | 1999-10-29 | 2009-12-09 | 日本電気株式会社 | Method of hydrogenating polycrystalline silicon film and method of manufacturing thin film transistor |
| EP1154036A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Applied Materials, Inc. | Gas reactions to eliminate contaminates in a CVD chamber |
| KR101057877B1 (en) * | 2006-09-19 | 2011-08-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma cleaning method and plasma CD method |
| JP5632687B2 (en) * | 2010-09-10 | 2014-11-26 | 株式会社日立国際電気 | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus |
-
2015
- 2015-11-20 KR KR1020150163271A patent/KR102058106B1/en active IP Right Grant
-
2016
- 2016-11-08 JP JP2016217692A patent/JP6325057B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7198327B2 (en) | 2017-01-25 | 2022-12-28 | 株式会社オービック | Invoice data generation device, invoice data generation method and invoice data generation program |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102058106B1 (en) | 2019-12-20 |
| JP2017098543A (en) | 2017-06-01 |
| KR20170059211A (en) | 2017-05-30 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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