KR101357785B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

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KR101357785B1
KR101357785B1 KR1020120100458A KR20120100458A KR101357785B1 KR 101357785 B1 KR101357785 B1 KR 101357785B1 KR 1020120100458 A KR1020120100458 A KR 1020120100458A KR 20120100458 A KR20120100458 A KR 20120100458A KR 101357785 B1 KR101357785 B1 KR 101357785B1
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이창원
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피에스케이 주식회사
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract

본 발명은 기판 처리 방법을 개시한다. 그의 방법은, 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법으로서, 챔버 내에 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 제공하여 상온보다 높은 제 1 온도에서 상기 포토레지스트 패턴 상의 제 1 표피 층을 제거하는 단계와, 상기 제 1 반응가스 또는 상기 제 2 반응가스 중 어느 하나를 상기 챔버 내에 제공하고, 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 상기 포토레지스트 패턴 상의 제 2 표피 층을 제거하는 단계와, 상기 제 2 반응가스를 상기 챔버 내에 지속적으로 공급하면서 상기 제 2 온도 이상의 제 3 온도에서 상기 포토레지스트 패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 포함한다.

Description

기판 처리 방법{method for treating substrate}
본 발명은 반도체 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로, 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 증착 공정 및/또는 이온주입공정의 단위 공정에 의해 제조될 수 있다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정이다. 포토레지스트 패턴은 기판을 선택적으로 노출시키는 마스크 패턴으로 사용될 수 있다. 포토레지스트 패턴은 이온주입공정 또는 식각공정 후에 에싱과 같은 기판 처리 방법으로 제거될 수 있다.
그러나, 이온주입공정에서는 포토레지스트 패턴 상에 식각공정에서보다 많은 양의 부산물이 유발될 수 있다. 예컨대, 포토레지스트 패턴 상에 도전성 불순물 층 또는 실리콘 산화막이 유발된다. 도전성 불순물 층 또는 실리콘 산화막은 종래의 기판 처리 방법으로 포토레지스트 패턴 상에서 깨끗이 제거되지 못하고 있는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 포토레지스트 패턴 상의 도전성 불순물 층 또는 실리콘 산화막을 신뢰성 있게 제거할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법으로서, 챔버 내에 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 제공하여 상온보다 높은 제 1 온도에서 상기 포토레지스트 패턴 상의 제 1 표피 층을 제거하는 단계; 상기 제 1 반응가스 또는 상기 제 2 반응가스 중 어느 하나를 상기 챔버 내에 제공하고, 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 상기 포토레지스트 패턴 상의 제 2 표피 층을 제거하는 단계; 및 상기 제 2 반응가스를 상기 챔버 내에 지속적으로 공급하면서 상기 제 2 온도 이상의 제 3 온도에서 상기 포토레지스트 패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 포함한다. 여기서, 제 1 표피 층의 제거 단계는, 상기 제 1 온도 미만의 온도에서 상기 제 1 반응 가스와 상기 제 2 반응 가스를 상기 제 1 표피 층에 반응시켜 상기 제 2 표피 층 상에 부산물을 형성하는 단계; 및 상기 기판을 제 1 온도까지 가열하여 상기 부산물을 승화시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 온도는 80도일 수 있다. 상기 제 1 표피 층은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.
삭제
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 2 온도는 80도 내지 140도일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 3 온도는 140도일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 1 반응가스는 불산, 삼불화 질소, 또는 육불화 황을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 2 반응 가스는 수소 또는 암모늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 제 1 표피 층의 제거 단계는 상기 챔버 내에 상기 제 1 반응 가스와 혼합되는 질소 가스가 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 제 2 표피 층의 제거 단계는 상기 제 2 반응가스와 혼합되는 산소 가스가 제공될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 기판 상의 제 1 표피 층을 상온 보다 높은 제 1 온도에서 불소 성분의 제 1 반응 가스로 제고하고, 상기 제 1 표피 층 아래의 제 2 표피 층을 제 1 온도 보다 높은 제 2 온도에서 암모늄 또는 수소의 제 2 반응 가스로 제거하고, 제 2 표피 층 아래의 포토레지스트 패턴을 제 2온도보다 높은 제 3 온도에서 상기 제 2 반응 가스로 제거할 수 있다. 제 1 표피 층은 신리콘 산화막을 포함할 수 있다. 제 1 반응 가스의 불소 성분은 제 1 표피 층의 실리콘 산화막을 기판, 제 2 표피 층 및 포토레지스트 패턴에 비해 높은 선택비로 제거시킬 수 있다. 이후, 제 2 표피 층 및 포토레지스트 패턴은 제 2 반응 가스에 의해 기판 상에서 말끔히 제거될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 실리콘 산화막을 신뢰성 있게 제거시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 플로우 챠트이다.
도 3 내지 도 7은 도 2의 기판 처리 방법에 의해 제거되는 포토레지스트 패턴, 제 2 표피 층 및 제 1 표피 층을 나타낸 공정 단면도들이다.
도 8 및 도 9는 클러스터 타입의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서 영역, 반경, 거리등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "연속되어", "연결되어", 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "연속되어", "연결되어", 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 연속되어", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 면적들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 면적들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 면적과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 면적은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 면적을 지칭할 수 있다.
또한, "이웃" 또는 "인접"과 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는, 처리 챔버(100), 가스 공급부(200) 및 제어부(300)를 포함할 수 있다.
처리 챔버(100)는 외부로부터 밀폐된 공간을 제공한다. 진공 펌프(140)는 처리 챔버(100) 내부의 공기를 펌핑한다. 처리 챔버(100)는 히터(110), 리프트 핀(120), 및 격벽(baffle, 130)을 포함할 수 있다. 히터(110)는 기판(112)을 가열할 수 있다. 기판(112)은 리프트 핀(120)에 의해 히터(110) 상에 안착(loading)될 수 있다. 리프터(120)는 언로딩 시에 기판(112)을 히터(110)로부터 승강시킬 수 있다.
베플(130)은 처리 챔버(100)를 활성 영역(132)과 반응 영역(134)으로 분리할 수 있다. 활성 영역(132)은 활성 가스, 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스가 제공되는 영역이다. 활성 영역(132)는 상부 영역(131)과 하부 영역(133)으로 구분될 수 있다. 상부 영역(131)은 플라즈마 발생 영역이다. 활성 가스, 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스는 고주파 파워에 의해 상부 영역(131)에서 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 하부 영역(133)은 활성 가스, 제 1 반응 가스 또는 제 2 반응 가스의 혼합 영역이다. 반응 영역(134)은 기판(112)의 처리 영역이다. 기판(112)은 활성 가스와 제 1 및 제 2 반응 가스에 의해 에싱 처리될 수 있다.
가스 공급부(200)는 활성 가스 공급부(210), 제 1 반응 가스 공급부(220), 제 2 반응 가스 공급부(230)를 포함할 수 있다. 활성 가스는 질소(N2) 또는 산소(O2)를 포함할 수 있다. 제 1 반응 가스는 불산(HF), 삼불화 질소(NF3), 육불화 황(SF6)을 포함할 수 있다. 제 2 반응 가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다. 가스 공급부(200)에서 활성 영역(132)에 연결되는 배관들에 밸브들(240)이 배치될 수 있다. 밸브들(240)은 제어부(300)의 제어 신호에 따라 가스 공급부(200)의 가스 공급을 조절할 수 있다. 제어부(300)는 온도 센서(미도시)의 감지 신호에 응답하여 히터(110)의 온도를 제어할 수 있다.
이와 같이 구성된 기판 처리 장치를 이용한 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 플로우 챠트이다.
도 3 내지 도 6은 도 2의 기판 처리 방법에 의해 제거되는 포토레지스트 패턴(114), 제 2 표피(crust) 층(116) 및 제 1 표피 층(118)을 나타낸 공정 단면도들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판(112)을 히터(110) 상에 로딩한다(S100). 기판(112)은 단결정 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 포토레지스트 패턴(114)은 기판(112)에 이온주입되는 도전성 불순물을 부분적으로 차단하는 마스크막이다. 이온주입공정은 포토레지스트 패턴(114) 상에 제 2 표피 층(116)과 제 1 표피 층(118)을 형성시킬 수 있다. 제 1 표피 층(118)은 실리콘 산화막 또는 도전성 불순물 층을 포함할 수 있다. 실리콘 산화막은 이온주입공정에서 기판(112) 표면에서 비상되는 실리콘에 의해 생성될 수 있다. 제 1 표피 층(118)은 약 20Å정도의 두께를 가질 수 있다. 제 2 표피 층(116)은 포토레지스트 패턴(114) 최외곽의 탄소 화합물 층을 포함할 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 히터(110)는 기판(112)을 제 1 온도까지 가열하고, 가스 공급부(200)는 처리 챔버(100) 내에 활성 가스, 제 1 반응 가스, 및 제 2 반응 가스를 공급한다(S200). 활성 가스는 질소 가스를 포함할 수 있다. 제 1 반응 가스는 불산(HF), 삼불화 질소(NF3), 육불화 황(SF6)를 포함할 수 있다. 제 2 반응 가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다. 제 1 표피 층(118)은 실리콘 산화막 또는 도전성 불순물 층을 포함할 수 있다. 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스는 포토레지스트 패턴 상의 제 1 표피 층(118)에 선택적으로 반응될 수 있다. 제 1 반응 가스와 제 2 반응 가스는 활성 영역(132)에서 혼합되어 기판(112) 상에 유동(flow)될 수 있다. 활성 가스 또는 제 2 반응 가스는 상부 영역(131)으로 제공되고, 제 1 반응 가스는 상부 영역(131) 아래의 하부 영역(133)으로 제공될 수 있다. 활성 가스, 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스는 상부 영역(131)으로 제공되어 플라즈마 반응으로 혼합된 후에 기판(112)에 유동될 수 있다. 이때, 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스는 제 2 표피 층(116) 및 포토레지스트 패턴(114)와 전혀 반응되지 않는다. 따라서, 제 1 표피 층(118)은 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스에 의해 부산물 층(117)으로 변화될 수 있다. 부산물 층(117)은 실리콘, 수소, 질소, 불소 및 산소 성분을 포함할 수 있다. 이때, 기판(112)은 상온에서 80℃의 제 1 온도 미만까지 가열될 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 히터(110)는 기판(112)을 제 1 온도 이상으로 가열하여 부산물 층(117)을 승화시킨다(S300). 부산물 층(117)은 열에너지에 의해 제 1 표피 층(116)에서 비상하여 반응 후 가스로 제거될 수 있다. 마찬가지로, 반응 후 가스는 수소, 질소, 실리콘, 불소 및 산소를 포함할 수 있다. 반응 후 가스는 80℃이상으로 가열되면 기판 상에서 제거될 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 6를 참조하면, 히터(110)는 기판(112)을 제 2 온도까지 가열하고, 가스 공급부(200)는 처리 챔버(100) 내에 제 1 반응 가스 또는 제 2 반응 가스 중 어느 하나와, 활성 가스를 제공한다(S400). 제 2 표피 층(116)은 제 1 반응 가스, 또는 제 2 반응 가스는 제 2 표피 층(116)을 제거할 수 있다. 기판(112)은 히터(110)에 의해 약 130℃이하로 가열될 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 7을 참조하면, 히터(110)는 기판(112)을 제 3 온도 이상으로 가열하고, 가스 공급부(200)는 처리 챔버(100) 내에 활성 가스 및 제 2 반응 가스를 제공한다(S500). 제 2 반응 가스 및 활성 가스는 포토레지스트 패턴(114)을 제거할 수 있다. 기판(112)는 히터(110)에 의해 약 140℃이상으로 가열될 수 있다. 활성 가스는 산소를 포함할 수 있다. 제 2 반응 가스는 암모니아(NH3), 또는 수소(H2)를 포함할 수 있다. 제 1 표피 층(118)이 잔존할 경우, 포토레지스트 패턴(114)은 제 2 반응 가스에 의해 완벽히 제거되지 않을 수 있다. 상술한 바와 같이, 제 1 표피 층(118)이 제 1 반응가스에 의해 먼저 제거되었기 때문에, 포토레지스트 패턴(114)은 제 2 반응 가스에 의해 기판(112) 상에서 제거될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 기판(112) 상의 포토레지스트 패턴(114)과 같은 피 처리물을 말끔히 제거할 수 있다.
일반적으로 제 1 표피 층(118), 제 2 표피 층(116) 및 포토레지스트 패턴(114)은 약 240℃ 정도의 고온에서 일괄 제거될 수 있으나, 제 1 표피 층(118)의 잔존으로 인한 에싱 불량이 유발될 수 있었다. 본 발명의 실시 예에서 제 1 표피 층(118), 제 2 표피 층(116) 및 포토레지스트 패턴(114)은 약 140℃이하의 각기 다른 온도에서 순차적으로 제거될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제 1 표피 층(118)은 약 80℃이하에서 먼저 제거되고, 후속하여 제 2 표피 층(116) 및 포토레지스트 패턴(114)이 약 140℃이하에서 제거될 수 있다.
이때, 본 발명의 기판 처리 방법은 하나의 처리 챔버(100) 내에서 인시츄로 수행될 수 있다. 또한, 제 1 표피 층(118)과 제 2 표피 층(116)은 복수개의 처리 챔버(100)에서 구분되어 순차적으로 제거될 수 있다. 제 2 표피 층(116)과 포토레지스트 패턴(114)는 동일한 처리 챔버(100) 내에서 제거될 수 있다.
도 8 및 도 9는 클러스터 타입(cluster type) 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3, 도 8 및 도 9를 참조하면, 기판 처리 시스템은 기판 이송 모듈(EFEM: Equipment Front End module, 400)과, 로드락 챔버들(500)과, 이송 챔버(600)와, 제 1 처리 챔버들(150), 및 제 2 처리 챔버들(160)을 포함할 수 있다.
기판 이송 모듈(400)은 생산 라인(fabrication line) 내에서 풉(FOUP: front opening unified pod, 410)을 대기(standby)시킬 수 있다. 풉(410)은 복수개의 기판들(112)을 일괄하여 이동시킬 수 있다. 복수개의 기판들(112)은 기판 이송 모듈(400)에서 로드락 챔버들(500)에 낱개로 취출될 수 있다.
로드락 챔버들(500)은 이송 챔버(600)의 진공압을 완충하는 챔버이다. 이송 챔버(600)는 로드락 챔버들(500), 제 1 및 제 2 처리 챔버들(150, 160)와 공통으로 연결된다. 이송 챔버(600)는 기판(112)을 전달하는 로봇암(610)을 포함할 수 있다.
제 1 처리 챔버들(150)과 제 2 처리 챔버들(160)은 도 1의 처리 챔버(100)와 동일한 구조를 갖는다. 제 1 처리 챔버들(150)은 로드락 챔버들(500)과 이웃하여 배치될 수 있다. 제 1 표피 층(118)은 제 1 처리 챔버들(150)에서 제거될 수 있다. 제 1 처리 챔버들(150)은 기판(112)에 제 1 반응 가스와 활성 가스를 제공할 수 있다.
제 2 처리 챔버들(160)은 기판(112)에 제 2 반응 가스와 활성 가스를 제공할 수 있다. 제 2 반응 가스와 활성 가스는 제 2 표피 층(116) 및 포토레지스트 패턴(114)을 제거할 수 있다. 제 2 처리 챔버들(160)은 제 1 처리 챔버들(150)에 이웃하여 배치될 수 있다. 제 1 표피 층(118)과 제 2 표피 층(116)은 제 1 처리 챔버들(150)과 제 2 처리 챔버들(160)에서 순차적으로 제거될 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템은 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 처리 챔버 110: 히터
112: 기판 114; 포토래지스트 패턴
116: 제 2 표피 층 118: 제 1 표피 층
150: 제 1 처리 챔버 160: 제 2 처리 챔버
200: 가스 공급부 300: 제어부
400: 기판 이송 모듈 500: 로드락 챔버들
600: 이송 챔버

Claims (10)

  1. 기판 상의 포토레지스트 패턴을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
    챔버 내에 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 제공하여 상온보다 높은 제 1 온도에서 상기 포토레지스트 패턴 상의 제 1 표피 층을 제거하는 단계;
    상기 제 1 반응가스 또는 상기 제 2 반응가스 중 어느 하나를 상기 챔버 내에 제공하고, 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도에서 상기 포토레지스트 패턴 상의 제 2 표피 층을 제거하는 단계; 및
    상기 제 2 반응가스를 상기 챔버 내에 지속적으로 공급하면서 상기 제 2 온도 이상의 제 3 온도에서 상기 포토레지스트 패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하되,
    제 1 표피 층의 제거 단계는,
    상기 제 1 온도 미만의 온도에서 상기 제 1 반응 가스와 상기 제 2 반응 가스를 상기 제 1 표피 층에 반응시켜 상기 제 2 표피 층 상에 부산물을 형성하는 단계; 및
    상기 기판을 제 1 온도까지 가열하여 상기 부산물을 승화시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 온도는 80도인 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표피 층은 실리콘 산화막을 포함하는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 온도는 80도 내지 140도인 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 온도는 140도인 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반응가스는 불산, 삼불화 질소, 또는 육불화 황을 포함하는 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반응 가스는 수소 또는 암모늄을 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표피 층의 제거 단계는 상기 챔버 내에 상기 제 1 반응 가스와 혼합되는 질소 가스가 제공되는 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 표피 층의 제거 단계는 상기 제 2 반응가스와 혼합되는 산소 가스가 제공되는 기판 처리 방법.
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