KR101354253B1 - 평면 및 3차원의 ｐｅｃｖｄ 코팅에 있어서의 국부화된 부분 압력을 제어하기 위한 국부화된 선형 마이크로파 소스 어레이 펌핑 - Google Patents
평면 및 3차원의 ｐｅｃｖｄ 코팅에 있어서의 국부화된 부분 압력을 제어하기 위한 국부화된 선형 마이크로파 소스 어레이 펌핑 Download PDFInfo
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Abstract
기판 상의 박막 증착을 제어하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 일 실시예는 진공 챔버; 진공 챔버 내에 위치된 복수의 소스; 및 복수의 가스관을 포함하고, 상기 복수의 가스관 각각은 프리커서 가스를 전달하기 위한 제1 볼륨 및 펌핑을 제공하기 위한 제2 볼륨을 포함한다.
화학 기상 증착, 진공 챔버, PECVD
Description
관련 출원
본 출원은 본건과 동시에 출원되었으며 본원에 참조로서 포함된 발명의 명칭이 "System and Method for Chemical Vapor Deposition Process Control"인 공동으로 소유되고 지정된 국제 출원 번호 [아직 지정되지 않음]에 관련된 것이다.
저작권
본 특허 문헌의 개시물의 일부는 저작권 보호를 받는 자료를 포함한다. 이 저작권 소유자는 특허청의 서류 및 기록에서 볼 수 있는 바와 같이, 어떤이에 의한 것일지라도 본 특허 개시물의 복사에 의한 재생에 대하여 이의를 제기하지 않지만, 그 외의 모든 저작권을 보유한다.
본 발명은 기상 증착(vapor deposition) 공정을 관리하고 기판에 박막을 증착시키기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
각종 기판 상에 비-도전성 필름 및 도전성 필름을 증착시키는 데에 화학 기 상 증착 공정(Chemical vapor deposition; CVD)이 이용된다. 화학 CVD 공정은 플라즈마를 이용함으로써 강화되고 있다. 이 공정은 플라즈마 강화 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)이라 칭한다. 이 PECVD 공정은 일반적으로 산업적인 응용에 이용된다.
PECVD 시스템은 통상적으로 마이크로파(microwave), 고주파, 초단파(very high frequency) 및 무선 주파수 전력 공급부(power supplies)를 포함하는 높은 전력 공급부에 의해 구동된다. PECVD 공정에 의해 생산된 박막의 특징은 실질적으로 변화하며 전력 공급부 유형, 전력 공급부 출력, 캐리어 가스 유속(carrier gas flow rates), 프리커서 가스 유속(precursor gas flow rates), 부분 기압, 및 기판의 전제조건(pre-conditioning)을 변화시킴으로써 제어될 수 있다. 이들 파라미터를 변화시킴으로써, 서로 다른 화학적 성질(chemistries) 및 두께를 가진 막이 생성될 수 있다.
통상적인 PECVD 시스템은 소정의 면에 통상적으로 고정된 캐소드, 애노드, 또는, 안테나라고도 칭하는 복수의 소스를 포함한다. 이들 안테나 각각은 전력 공급부에 접속되어 전자기 방사(electromagnetic radiation)를 방출하거나 전자기장을 생성하여 PECVD 공정에서 플라즈마 발생에 이용되는 전자를 생산한다. 이들 안테나는 통상적으로 단일면에 배치되고 평면 기판 상에 박막을 증착시키는 데에 이용된다. 이들 안테나의 평면 어레이에서는 기판이 작을수록 두께가 균일하고 막이 균일하게 되는 경향이 있다.
불행하게도, 이들 평면 안테나 어레이는 커브형(curved) 기판 및 대형 평면 기판에 대해서는 비효율적인 경향이 있다. 예를 들면, 현행 PECVD 시스템은 대형 기판의 가장자리(edge) 주위의 기압 및 가스 유동(gas flow)을 제어하는 데에 어려움이 있다. 이러한 제어의 어려움은 기판면에 걸쳐 캐리어 가스 및 프리커서 가스의 불균일한 집중, 즉, 가장자리 주변에는 집중도가 낮게 한다. 예를 들면, 통상적인 PECVD 시스템은 과잉 가스(excess gas)와 폐기물을 기판면으로부터 펌핑(pump)한다. 통상적으로, 이 폐기 가스는 기판의 후방으로부터 펌핑되는데, 이는 폐기 가스의 유동이 기판면을 따라 가장자리 주변으로 진행함을 의미한다. 대형 기판들의 경우, 이 가스가 기판의 가장자리에 집중되어 그 가장자리에서의 막 특성(properties) 및 증착율(deposition rates)을 급격하게 변동시킬 수 있다. 따라서, PECVD 공정을 보다 잘 제어하여 보다 균일한 막을 생산하기 위한 시스템 및 방법이 필요하다.
도면에 도시된 본 발명의 예시적인 실시예는 아래와 같이 요약된다. 이들 및 다른 실시예들은 발명의 상세한 설명 부분에서 보다 완전히 기술된다. 그러나, 이러한 본 발명의 요약이나 발명의 상세한 설명에 기술된 특정 형태로 본 발명을 제한하고자 함이 아니라고 이해되어야 한다. 당업자는 청구항에 나타난 본 발명의 사상 및 범위 내에 포함되는 다양한 수정, 동등물 및 대안적인 구성이 있음을 인식할 수 있다.
기판 상의 박막 증착을 제어하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 일 실시예는 진공 챔버; 진공 챔버 내에 위치된 복수의 소스; 및 복수의 가스관을 포함하고, 복수의 가스관 각각은 프리커서 가스를 전달하기 위한 제1 볼륨 및 펌핑을 제공하기 위한 제2 볼륨을 포함한다.
본 발명의 여러 가지 목적 및 이점과 보다 완전한 이해는 첨부된 도면에 관련하여 이루어진 이하 상세한 설명 및 첨부된 특허 청구 범위를 참조하여 명백해지고 보다 쉽게 인식될 것이다.
도 1은 PECVD 시스템의 단면도.
도 2는 커브형 기판을 코팅하기 위한 PECVD 시스템의 블록도.
도 3은 가장자리 영향을 최소화하고 증착 공정을 보다 잘 제어하도록 설계된 PECVD 시스템의 블록도.
도 4는 도 3에 도시된 PECVD 시스템의 내부의 정면도.
도 5는 PECVD 시스템의 다른 실시예를 도시한 도면.
도 6은 도 5의 PECVD 시스템의 정면도.
도 7은 드롭관(drop tube)의 구성요소(component)의 일 실시예를 도시한 도면.
도 8은 듀얼 볼륨 프리커서 드롭관(dual volume precursor drop tubes)을 이용하는 PECVD 시스템의 정면도.
도 9는 커브형 기판 또는 평면 기판의 듀얼-사이드 코팅에 이용될 수 있는 PECVD 시스템의 다른 실시예를 도시한 도면.
도 10은 전력 컨투어링(power contouring)을 이용하는 PECVD 시스템의 다른 실시예를 도시한 도면.
도 11은 전력 컨투어링을 이용하는 PECVD 시스템의 다른 실시예를 도시한 도면.
이제 도면들을 참조해 보면, 유사하거나 동일한 구성요소들은 여러 도면 전반에 걸쳐 동일한 참조 번호가 지정되고, 구체적으로 도 1을 참조해 보면, 이 도 1은 PECVD 시스템(100)의 단면을 도시한다. 이 시스템은 기판(105), 캐리어 가스 공급부(110), 프리커서 가스 공급부(115), 펌프(120), 및 3개의 소스(125)를 포함한다. 당업자들은 이 시스템이 또한 전력원, 진공 시스템, 공정 챔버벽, 진공 챔버 및 기판 캐리어(substract carrier)를 또한 포함할 수 있음을 이해한다. 명료함을 위하여, 이 요소들은 도 1에 도시되지 않는다.
동작시에, 기판(105)은 진공 챔버 내부에 위치된다. 전력이 3개의 소스(125)에 공급된다. 앞서 언급한 바와 같이, 이 전력은 RF, HF, VHF 등을 포함하는 고-에너지 전력 공급부 중 어느 유형이라도 될 수 있다. 통상적으로 석영과 같은 유전체들로 둘러싸여 있는 소스(125)는 캐리어 가스 공급부를 통해 도입되는 캐리어 가스 분자들(molecules)과 충돌하는 전자를 생성한다. 이러한 충돌들은 캐리어 가스 분자를 프랙션화하여, 라디칼들(radicals)을 생산하고 소스 근처에 플라즈마를 형성한다. 라디칼은 다른 캐리어 가스 분자와 충돌함으로써 일련의 다단 반응(cascade reaction)을 일으켜, 훨씬 많은 라디칼을 형성한다. 그 다음 이들 라디칼은 프리커서 가스 공급부를 통해 도입되는 프리커서 가스 분자와 충돌하여, 프 리커서 가스 분자를 프랙션화한다. 프리커서 가스 분자의 일부가 기판(105) 상에 증착된다. 프리커서 가스 분자의 폐기 부분은 기판(105)의 후면측에 위치된 펌프(120)에 의해 기판(105)으로부터 펌핑된다(pumped away). 이 펌프(120)는 또한 과잉 캐리어 가스 분자도 펌핑한다.
도 1의 화살표는 캐리어 가스, 프리커서 가스, 및 폐기 가스의 대략적인 유동 경로를 나타낸다. 예를 들면, 유동 경로(130)는 캐리어 가스가 따를 수 있는 경로를 나타내며, 유동 경로(135)는 프리커서 가스가 따를 수 있는 유동 경로를 나타내며, 유동 경로(140)는 펌핑하여 내보내진(pumped off) 폐기 가스가 기판(105)으로부터 펌프(120)로 이동하는 경로를 나타낸다. 프리커서 및 캐리어 가스를 포함하는 가스의 집중도는 가장자리 주변이 기판의 중앙에서의 집중도보다 낮다.
이제 도 2를 참조해 보면, 이 도 2는 커브형 기판(150)을 코팅하기 위한 PECVD 시스템(145)의 블록도이다. 이 시스템은 커브형 기판(150), 캐리어 가스 공급부(155), 프리커서 가스 공급부(160), 및 커브형 기판(150)의 후면측에 위치된 펌프(165)를 포함한다.
커브형 기판은 균일한 막을 증착시키는 어려움 때문에 박막 산업계에서 특히 어려움이 나타난다. 이 실시예는 서로 다른 길이의 프리커서 가스 공급부들(160)을 제공함으로써 커브형 기판을 보완하려 하였다. 서로 다른 길이의 공급부들의 목적은 기판의 표면으로부터 고정된 거리로 프리커서 가스를 살포(release)하는 것이다. 이 고정된 거리는 기판에 걸친 막 두께가 평탄하게 되는 것을 촉진하는 것을 돕는다. 가변 길이의 프리커서 가스 공급관을 이용한다고 해도, 이 시스템은 여전히 후면측 펌핑에 의해 발생하는 가장자리 영향의 피해를 받는다. 즉, 가스 유속 및 가스 집중도가 이 커브형 기판의 중앙에서보다 기판의 가장자리에서 더 낮아진다. 따라서, 막 두께 및 화학적 성질은 기판의 가장자리에서 다르게 된다.
이제 도 3을 참조해 보면, 가장자리 영향을 최소화하고 증착 공정을 더 잘 제어하도록 설계된 PECVD 시스템(170)의 블록도를 도시한다. 이 시스템은 캐리어 가스원(175), 실드(180), 3개의 소스(185), 프리커서 가스원(190)(소정 유형의 가스관), 펌프(195), 및 기판(200)을 포함한다.
이러한 PECVD 시스템의 실시예에서, 후면 펌프는 기판면과 대향하는 펌프(195)(및 대응하는 배출구 및 도관공사)으로 대체된다. 본 문헌의 목적을 위하여, 이러한 일반적인 스타일의 펌핑을 전면 펌핑(front-side pumping)이라 칭한다. 이는 후면 펌핑(back-side pumping)과 독립적으로 또는 이와 연관되어 이용될 수 있다.
후면 펌핑만을 이용하기 보다는 전면 펌핑을 이용함으로써, 기판(200)이 보다 미세하게 제어될 수 있는 국부화된(localized) 영역으로 효과적으로 분리된다. 이 예에서, 펌핑이 프리커서 가스가 살포되는 곳과 폐기 입자가 형성되는 곳에 비교적 가까운 곳에서 수행되기 때문에 에지 효과들이 크게 줄어든다.
이 실시예에서, 캐리어 가스 공급부(175)는 소스(185)를 일부 둘러싸는 실드(180) 내에 위치된다. 이 실드(180)내에 캐리어 가스 공급부(175)를 배치함으로써, 캐리어 가스 집중도 및 기압이 보다 미세하게 제어될 수 있다. 또한, 실드(180)는 실드(180)를 포함하지 않은 시스템에 비하여 캐리어 가스의 프랙션화 퍼 센트(fractionalization percentage)를 높이는 것을 돕는다. 유전체 재료를 포함하거나 유전체 재료로 코팅된 이 구성요소는 라디칼화된 종(the radicalized species)들의 재결합을 줄여서 공정에 이용가능한 라디칼을 더 늘려준다.
도 3의 유동 화살표는 캐리어 가스, 프리커서 가스, 및 폐기 가스의 유동 경로를 나타내는 것을 돕는다. 유동 화살표(265)는 캐리어 가스가 캐리어 가스 공급부로부터 기판으로 이동한 다음 펌프로 돌아가는 경로를 나타낸다. 유동 화살표(210)는 프리커서 가스가 프리커서 가스 공급부로부터 기판(200)을 향하여 이동하고 펌프(195)로 돌아가는 경로를 나타낸다. 마지막으로, 유동 화살표(215)는 기판(200)으로부터 및 PECVD 챔버 밖으로 펌핑되고 있는 결합된 폐기 가스를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 PECVD 시스템(170)의 내부의 정면을 도시한다. 이 도면은 프리커서 가스 공급부(190)가 기판(200)과 평행하게 되어 있고 대략 소스(185)의 길이임을 보여준다. 3개의 소스(185)만이 도시되었지만, 당업자들은 임의의 개수의 소스 및 가스 공급부가 이용될 수 있다고 이해할 것이다.
이제 도 5를 참조해 보면, 이 도 5는 PECVD 시스템(220)의 다른 실시예를 도시한다. 이 시스템은 3개의 소스(225), 3개의 실드, 캐리어 가스 공급부(235), 프리커서 가스 공급부(240), 상부측 펌프(245), 및 기판(250)을 포함한다. 이 실시예에서, 프리커서 가스 공급부(240)는 일련의 선형관(linear tube)이기 보다는 일련의 드롭관(drop tubes)이다. 가스관의 한 유형인 이들 드롭관은 기판면 주변 영역으로 프리커서 가스를 전달하는 데에 있어 훨씬 더 정밀해질 수 있다. 이 실시 예는 또한 도 4의 실시예에 포함된 정면측 펌핑에 대해 다른 구성도 포함한다.
이제 도 6을 참조해 보면, 이 도 6은 도 5의 PECVD 시스템의 정면도를 도시하는데, 구체적으로, 이 정면도는 기판의 폭을 따라 복수의 프리커서 드롭관(240)이 이용될 수 있음을 보여준다. 이들 관들은 기판과 수직이다. 특정 실시예에서, 이들 드롭관은 재결합을 최소화하고 플라즈마에 의한 에칭을 방지하며, 이 관 상의 증착을 최소화하기 위하여 유전체로 코팅된다.
이제 도 7을 참조해 보면, 이 도 7은 드롭관의 구성요소의 일 실시예를 도시한다. 구체적으로, 도 7은 프리커서 가스를 전달하는 데에 이용될 수 있는 듀얼-볼륨 드롭관(260)을 도시한다. 이 실시예는 기판면으로 프리커서 가스를 전달하는 제1 볼륨(265) 및 기판면 주변으로부터 폐기 가스를 제거하기 위한 펌핑을 제공하는 제2 볼륨(270)을 포함한다. 이 실시예는 또한 제1 볼륨(265)을 통하는 프리커서 가스의 유동을 변경하기 위하여 수동으로 또는 컴퓨터로 제어될 수 있는 유동성 조절기(275)를 포함한다. 이 실시예는 폐기 가스가 펌핑되어 나갈 수 있도록 많은 관들이 접속될 수 있는 방전 볼륨(280)을 더 포함한다. 이러한 듀얼-볼륨 드롭관(260)의 이용은 상당히 국부화된 프리커서 전달 및 펌핑을 제공한다. 이러한 상당히 국부화된 전달 및 펌핑을 제공함으로써, 대형 기판 및 커브형 기판에 대한 막의 화학적 성질 및 두께가 정확하게 제어될 수 있다.
도 8은 듀얼 볼륨 프리커서 드롭관을 이용하는 PECVD 시스템(285)의 정면도를 도시한다. 이 실시예는 일련의 분할된(spilt) 소스(295) 및 듀얼 볼륨 드롭관의 어레이(300)에 접속된 전력 발생기(290)를 포함한다. 일 실시예에서 이들 드롭 관 각각은 부착된 유동성 조절기에 의해 개별적으로 제어될 수 있다. 대안으로, 드롭관의 그룹들이 각각 유동성 조절기에 의해 제어될 수 있다. 독립적인 제어는 막 특성의 국부화된 제어를 할 수 있게 하여 가장자리 영향을 크게 줄여준다.
도 9는 커브형 기판 또는 평면 기판의 듀얼-사이드 코팅에 이용될 수 있는 PECVD 시스템(305)의 다른 실시예를 도시한다. 이 시스템은 기판의 양측 상에 복수의 듀얼-볼륨 드롭관을 포함할 가능성이 있다. 일 실시예에서 듀얼 볼륨 드롭관(310)은 서로 엇갈리는(staggered) 길이를 가진다. 즉, 드롭관의 어떤 부분은 이 드롭관의 다른 부분과 길이가 다르다. 이 가변 길이는 펌핑 영향을 변경하는 데에 이용될 수 있다. 일부 실시예에서 드롭관은 상부측 펌핑에 관련하여 이용될 수 있다.
이 PECVD 시스템(305)은 복수의 드롭관(310), 배기 펌프(exhaust pump; 315), 이 드롭관(310)과 배기 펌프(315)에 접속된 배기부(320), 일련의 유동성 조절기(322), 프리커서 가스 공급부(325), 및 이 유동성 조절기에 연결된 컴퓨터 시스템(330)을 포함한다. 이 실시예는 또한 배기 펌프의 충격(impact)을 조절하기 위한 버터플라이 밸브(butterfly valves; 366)를 포함한다.
이제 도 10 및 도 11을 참조해 보면, 이들 도면은 PECVD 시스템의 다른 실시예를 도시한다. 이들 실시예에서, 가스 공급부 및 펌프가 도시되지 않았지만, 당업자들은 이러한 요소들이 존재한다고 이해한다. 도 10의 실시예는 공정 챔버(340), 전력 공급부(345), 커브형 기판(350), 및 소스(355)들의 어레이를 도시한다.
도 11을 참조해 보면, 소스(360)는 서로 다른 전력량으로 구동된다. 앞서 기술한 바와 같이, 증착율(deposition rate) 및 막의 화학적 성질이 소스에 인가되는 전력을 다르게함으로써 달라질 수 있다. 통상적인 시스템에서, 전력은 소스 어레이 내의 모든 소스들에 걸쳐 균일하게 인가된다. 그러나, 이 시스템에서 전력은, 예를 들면, 기판(365)의 표면으로부터의 소스까지의 거리에 기초하여 각 소스마다 변경된다. 예를 들면, 이 실시예에서는, 소스(360A)가 소스(360B)보다 기판에서 멀리 떨어져 있기 때문에 소스(360A)는 소스(360B)에서보다 더 높은 전력으로 동작한다.
이 시스템은 또한 사용자가 설정한 구성에 따라 각 소스에 인가되는 전력을 변경하도록 구성된 전력 조절기(370)를 포함한다. 따라서, 이러한 시스템은 어떠한 유형의 커브형 기판이라도 평탄하게 코팅하도록 빠르게 재구성될 수 있다. 마찬가지로, 이러한 가변적인 소스 전력 구성은, 예를 들면, 기판의 중앙에 있는 소스에 인가되는 것보다 가장자리 근처의 소스에 더 적은량의 전력을 인가함으로써 평평한 기판을 코팅하고 가장자리 영향을 보완하는 데에 이용될 수 있다.
개개의 소스에 인가되는 정확한 전력량은 프리커서-가스 유형, 지지-가스(supporting-gas) 유형, 기판 유형, 원하는 막 특성, 진공 챔버 압력, 특정 코팅 기계의 특징 등에 따라 달라질 것이다. 당업자들은 원하는 막 유형을 생성하기 위하여 전력량을 쉽게 선택할 수 있다. 기계 코팅 및 다른 특징에 있어서의 변동 때문에 일부 실험이 필요할 가능성이 있을 것이다.
이러한 가변적인 전력 실시예는 그 자체로 이용될 수 있거나 이전에 기술한 프리커서 가스 전달 시스템 및 과잉 가스 펌핑 시스템과 결합하여 이용될 수 있다.
결론적으로, 본 발명은, 다른 것들 중에서도 특히, 화학 기상 증착 공정을 제어하기 위한 시스템 및 방법을 제공한다. 당업자들은 본 발명에 다양한 변경 및 대체가 이루어질 수 있으며, 그 용도 및 구성은 본원에 기술된 실시예에 의해 수행된 것과 실질적으로 동일한 결과를 수행하는 위한 것임을 쉽게 인식할 수 있다. 따라서, 개시된 예시적인 형태로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 많은 변형, 수정, 및 대안적인 구성은 특허 청구 범위에 나타난 바와 같이 개시된 본 발명의 범위 및 사상 내에 포함된다.
Claims (18)
- 기판 상에 막을 증착시키기 위한 기상 증착 시스템(vapor deposition system)으로서,진공 챔버;상기 진공 챔버 내부에 위치된 복수의 소스; 및복수의 듀얼-볼륨 드롭관(dual-volume drop tube) - 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 각각은 프리커서 가스(precursor gas)를 전달하기 위한 제1 볼륨 및 펌핑(pumping)을 제공하기 위한 제2 볼륨을 포함함 -을 포함하는 기상 증착 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 적어도 하나의 듀얼-볼륨 드롭관에 접속된 유동성 조절기(flow regulator)를 더 포함하고,상기 유동성 조절기는 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 상기 적어도 하나의 듀얼-볼륨 드롭관의 제1 볼륨으로 흐르는 프리커서 가스의 양을 조절하도록 구성되는 기상 증착 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 적어도 하나의 듀얼-볼륨 드롭관의 제2 볼륨에 접속된 펌프(pump)를 더 포함하는 기상 증착 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 제1 듀얼-볼륨 드롭관에 접속된 제1 유동성 조절기 - 상기 제1 유동성 조절기는 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 상기 제1 듀얼-볼륨 드롭관의 제1 볼륨으로 흐르는 프리커서 가스량을 조절하도록 구성됨 - ; 및상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 제2 듀얼-볼륨 드롭관에 접속된 제2 유동성 조절기 - 상기 제2 유동성 조절기는 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 상기 제2 듀얼-볼륨 드롭관의 제1 볼륨으로 흐르는 프리커서 가스량을 조절하도록 구성됨 -를 더 포함하는 기상 증착 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 적어도 하나의 듀얼-볼륨 드롭관의 제2 볼륨에 접속된 제2 유동성 조절기 - 상기 제2 유동성 조절기는 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 상기 적어도 하나의 듀얼-볼륨 드롭관의 제2 볼륨으로부터 펌핑되는(pumped out of) 배기 가스의 양을 조절하도록 구성됨 -를 더 포함하는 기상 증착 시스템.
- 제4항에 있어서,상기 제1 유동성 조절기 및 상기 제2 유동성 조절기와 통신하는 컴퓨터 - 상기 컴퓨터는 상기 제1 유동성 조절기 및 상기 제2 유동성 조절기를 조정함으로써, 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 상기 제1 듀얼-볼륨 드롭관의 제1 볼륨 및 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 중 상기 제2 듀얼-볼륨 드롭관의 제1 볼륨으로 흐르는 프리커서 가스의 양을 조정하도록 구성됨 -를 더 포함하는 기상 증착 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 소스는 제1의 복수의 소스이고, 상기 복수의 듀얼-볼륨 드롭관은 제1의 복수의 듀얼-볼륨 드롭관이며, 상기 제1의 복수의 소스 및 상기 제1의 복수의 듀얼-볼륨 드롭관은 상기 기판의 제1면에 인접하게 위치되고,상기 기상 증착 시스템은,상기 진공 챔버 내부에 위치된 제2의 복수의 소스; 및제2의 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 - 상기 제2의 복수의 듀얼-볼륨 드롭관 각각은 프리커서 가스를 전달하기 위한 제1 볼륨 및 펌핑을 제공하기 위한 제2 볼륨을 포함함 -을 더 포함하고,상기 제2의 복수의 소스 및 상기 제2의 복수의 듀얼-볼륨 드롭관은 상기 기판의 제2면에 인접하게 위치되는 기상 증착 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 소스 중 적어도 하나를 부분적으로 둘러싸는 실드(shield); 및상기 실드 내부에 위치된 캐리어 가스 공급부(carrier gas supply)를 더 포함하는 기상 증착 시스템.
- 제1항에 있어서,복수의 실드 - 상기 복수의 실드 각각은 상기 복수의 소스 중 대응하는 소스를 부분적으로 둘러싸도록 구성됨 - ;복수의 캐리어 가스원 - 상기 복수의 캐리어 가스원 각각은 상기 복수의 실드 중 대응하는 실드의 내부에 위치됨 - ;상부측 펌핑 배출구(top-side pumping vent); 및상기 상부측 펌핑 배출구에 접속된 펌프를 더 포함하는 기상 증착 시스템.
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- 제9항에 있어서,상기 상부측 펌핑 배출구는,복수의 상부측 펌핑 배출구; 및상기 복수의 상부측 펌핑 배출구를 접속시키는 배관(duct)을 포함하는 기상 증착 시스템.
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