KR101349891B1 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR101349891B1
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전수근
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주식회사 세미콘라이트
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Abstract

The present invention relates to a semiconductor light emitting device comprising; multiple semiconductor layers having a first semiconductor layer having first conductivity, a second semiconductor layer having second conductivity which is different with the first conductivity, and an active layer which is placed between the first and second semiconductor layers and produces light through the re-combination of an electron and a hole; a first bonding pad which is electrically connected to the second semiconductor layer; a second bonding pad which is electrically connected to the first semiconductor layer which is exposed by eliminating the second semiconductor layer and the active layer; a first branch electrode (81) which is electrically connected to the second bonding pad and is extended along at least a fourth side; a second branch electrode (82) which is electrically connected to the second bonding pad and is extended along at least a second side; a third branch electrode (71) which is electrically connected to the first bonding pad and is extended along a first side, a second side, a third side, and a fourth side to surround the first branch electrode (81) and the second branch electrode (82); and first and second branched branches (72B, 72C) which are electrically connected to the first bonding pad. The first and second branched branches (72B, 72C) face each other between the first and second branch electrodes (81, 82) and are extended along the fourth side and the second side, respectively.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}  Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 소자내 전류 확산을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present disclosure generally relates to semiconductor light emitting devices, and more particularly, to semiconductor light emitting devices having improved current diffusion in the devices.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100; 예; 사파이어 기판), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(300), n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(500), p형 3족 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 전류확산 전극(600), 전류확산 전극(600) 위에 형성되는 p측 패드 전극(700), 그리고, p형 3족 질화물 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 패드 전극(800)를 포함한다. 전류확산 전극(600)은 p형 3족 질화물 반도체층(500) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비된다. 전류확산 전극(600)은 p형 3족 질화물 반도체층의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며, 예를 들어, ITO 또는 Ni 및 Au를 사용하여 투광성 전극으로 형성될 수 있다. p측 패드 전극(700)과 n측 패드 전극(800)은 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 메탈 전극으로서, 예를 들어, 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, Cr/Ni/Au로 형성될 수 있다. 반도체 발광소자가 대면적화함에 따라, p측 패드 전극(700) 및/또는 n측 패드 전극(800)에 가지 전극이 추가로 구비될 수 있다.1 is a view illustrating an example of a conventional group III nitride semiconductor light emitting device, wherein the group III nitride semiconductor light emitting device includes a substrate 100 (eg, a sapphire substrate), a buffer layer 200 grown on the substrate 100, and a buffer layer ( N-type III-nitride semiconductor layer 300 grown on 200, an active layer 400 grown on n-type III-nitride semiconductor layer 300, and p-type III-nitride semiconductor layer 500 grown on active layer 400 ), the current diffusion electrode 600 formed on the p-type group III nitride semiconductor layer 500, the p-side pad electrode 700 formed on the current diffusion electrode 600, and the p-type group III nitride semiconductor layer 500. ) And the n-type pad electrode 800 formed on the n-type group III nitride semiconductor layer 300 exposed by mesa etching. The current spreading electrode 600 is provided so that the current is well supplied to the entire p-type group III nitride semiconductor layer 500. The current spreading electrode 600 is formed over almost the entire surface of the p-type group III nitride semiconductor layer, and may be formed as a light transmissive electrode using, for example, ITO or Ni and Au. The p-side pad electrode 700 and the n-side pad electrode 800 are metal electrodes for supplying current and wire bonding to the outside, for example, nickel, gold, silver, chromium, titanium, platinum, palladium, and rhodium. And iridium, aluminum, tin, indium, tantalum, copper, cobalt, iron, ruthenium, zirconium, tungsten, molybdenum, or any combination thereof. For example, it may be formed of Cr / Ni / Au. As the semiconductor light emitting device has a larger area, branch electrodes may be further provided on the p-side pad electrode 700 and / or the n-side pad electrode 800.

도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자가 대면적화됨에 따라 p측 패드 전극(700)와 n측 패드 전극(800) 각각에, 가지 전극(710)과 가지 전극(810)이 구비되어 있다. 가지 전극(710)과 가지 전극(810)은 등간격으로 평행하게 뻗어 있으며, 이러한 구성을 통해 반도체 발광소자 전체로의 전류확산을 도모한다.FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the electrode structure described in US Pat. No. 6,307,218. As the semiconductor light emitting device becomes larger, the branch electrodes 710 are respectively formed on the p-side pad electrode 700 and the n-side pad electrode 800. ) And branch electrodes 810 are provided. The branch electrode 710 and the branch electrode 810 extend in parallel at equal intervals, and through this configuration, current diffusion to the entire semiconductor light emitting device is achieved.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 제1 변과 제1 변과 대향하는 제3 변, 그리고 제2 변과 제2 변과 대향하는 제4 변으로 된 네 개의 변과, 제1 변과 제4 변이 만나는 제1 모서리와, 제1 변과 제3 변이 만나는 제2 모서리와, 제2 변과 제3 변이 만나는 제3 모서리와, 제3 변과 제4 변이 만나는 제4 모서리로 된 네 개의 모서리를 가지는 복수의 반도체층; 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드; 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 본딩 패드; 제2 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 적어도 제4 변을 따라 이어진 제1 가지 전극(81); 제2 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 적어도 제2 변을 따라 이어진 제2 가지 전극(82); 제1 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 가지 전극(81)과 제2 가지 전극(82)을 둘러싸도록 제1 변, 제2 변, 제3변 및 제4 변을 따라 이어진 제3 가지 전극(71); 그리고, 제1 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 가지 전극(81)과 제2 가지 전극(82) 사이에서 서로 마주보면서 제4 변과 제2 변을 따라 각각 이어지는 제1 분지된 가지(72B) 및 제2 분지된 가지(72C);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes, comprising: a first side and a third side facing the first side; Four sides of the second side and the fourth side opposite the second side, a first edge where the first side and the fourth side meet, a second edge where the first side and the third side meet, and a second side and the second side A plurality of semiconductor layers having four corners each having a third corner where three sides meet and a fourth corner where the third and fourth sides meet; A first bonding pad electrically connected to the second semiconductor layer; A second bonding pad electrically connected to the exposed first semiconductor layer by removing the second semiconductor layer and the active layer; A first branch electrode 81 electrically connected to the second bonding pad and extending along at least a fourth side; A second branch electrode 82 electrically connected to the second bonding pad and extending along at least a second side; A third branch electrically connected to the first bonding pad and extending along the first side, the second side, the third side, and the fourth side to surround the first branch electrode 81 and the second branch electrode 82; Electrode 71; A first branched branch electrically connected to the first bonding pad and facing each other between the first branch electrode 81 and the second branch electrode 82 may be formed along the fourth and second sides. 72B) and a second branched branch (72C); there is provided a semiconductor light emitting device comprising a.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자의 A-A'라인을 따른 단면의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 도 3에 도시된 반도체 발광소자의 실제 예를 나타내는 도면.FIG. 1 is a view showing an example of a conventional Group III nitride semiconductor light emitting device,
2 is a view showing an example of an electrode structure described in US Pat. No. 6,307,218;
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a cross section taken along line AA ′ of the semiconductor light emitting device of FIG. 3;
5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 6 is a view showing a practical example of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 p측 본딩 패드(70)와 n측 본딩 패드(80)를 구비하며, p측 본딩 패드(70)와 n측 본딩 패드(80) 각각이 가지 전극(71,72)과 가지 전극(81,82)을 구비한다. p측 본딩 패드(70)와 n측 본딩 패드(80)는 양자 사이에 전류 쏠림을 해소하기 위해, 변 측이 아니라, 변(S1)과 변(S4)이 만나는 모서리(C1)와 변(S2)과 변(S3)이 만나는 모서리(C3) 즉, 대각선 방향으로 위치한다. 다만, n측 본딩 패드(80)는 가지 전극(71)에 의해 둘러싸여 있으므로, p측 본딩 패드(70)가 모서리(C1)에 대해 위치하는 것보다 모서리(C3)에 대해 안쪽에 위치한다. 변(S1)은 변(S3)과 대향하며, 변(S2)은 변(S4)과 대향한다. 변(S1)과 변(S3)이 만나는 모서리가 C2이고, 변(S3)과 변(S4)가 만나는 모서리가 C4이다.3 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The semiconductor light emitting device includes a p-side bonding pad 70 and an n-side bonding pad 80, and the p-side bonding pad 70 and n. Each of the side bonding pads 80 includes branch electrodes 71 and 72 and branch electrodes 81 and 82. The p-side bonding pad 70 and the n-side bonding pad 80 have edges C1 and sides S2 where the sides S1 and S4 meet, not the sides, in order to eliminate current draw between them. ) And the edge (S3) where the intersection (C3), that is located in the diagonal direction. However, since the n-side bonding pad 80 is surrounded by the branch electrode 71, the p-side bonding pad 70 is located inward with respect to the edge C3 than with respect to the edge C1. The side S1 faces the side S3, and the side S2 faces the side S4. The edge where the side S1 and the side S3 meet is C2, and the edge where the side S3 and the side S4 meet is C4.

가지 전극(71)은 p측 본딩 패드(70)와 전기적으로 연결되어 있으며, 변(S1,S2,S3,S4)을 따라 이어져서 폐루프를 형성하며, 반도체 발광소자 전체로 전류(정공)가 원활히 공급되도록 한다. 반드시 폐루프를 형성해야 하는 것은 아니며, 모서리(C3) 및/또는 모서리(C3) 측에서 그 연결이 끊어져서 형성될 수 있지만, 바람직하지는 않다.The branch electrode 71 is electrically connected to the p-side bonding pad 70, and is formed along the sides S1, S2, S3, and S4 to form a closed loop, and a current (hole) is applied to the entire semiconductor light emitting device. Ensure a smooth supply. It is not necessary to form a closed loop and may be formed by breaking the connection at the edge C3 and / or the edge C3 side, but this is not preferable.

가지 전극(81)은 n측 본딩 패드(80)와 전기적으로 연결되어 있으며, 변(S3)과 변(S4)을 따라 이어져서, 마주하는 가지 전극(71) 사이에서 전류확산을 도모한다.The branch electrode 81 is electrically connected to the n-side bonding pad 80, and is connected along the side S3 and the side S4 so as to spread current between the opposite branch electrodes 71.

가지 전극(82)은 n측 본딩 패드(80)와 전기적으로 연결되어 있으며, 변(S2)을 따라 이어지고, 바람직하게는 모서리(C2)에서 변(S1)을 향해 휘어져 있다. 변(S2)에서 마주하는 가지 전극(71)과 전류확산을 도모한다.The branch electrode 82 is electrically connected to the n-side bonding pad 80 and extends along the side S2, and is preferably curved toward the side S1 at the edge C2. Current spreading is performed with the branch electrode 71 facing at the side S2.

가지 전극(72)은 p측 본딩 패드(70)와 전기적으로 연결되어 있으며, 모서리(C1)로부터 모서리(C3)를 향해 반도체 발광소자의 내부를 향해 외가지(72A; Sole Finger)로 이어지다가(반드시 모서리(C3)를 정확하게 향할 필요는 없다.), 분지되어 분지된 가지(72B; Branched Finger)와 분지된 가지(72C)를 가진다. 분지된 가지(72B)는 변(S4)을 따라 이어져서 마주하는 가지 전극(81)과 나란히 뻗어 전류확산을 도모한다. 분지된 가지(71C)는 변(S2)을 따라 이어져서 마주하는 가지 전극(82)과 나란히 뻗어 전류확산을 도모한다. 외가지(71A)는 p측 본딩 패드(70)와 n측 본딩 패드(80)가 모서리(C1)와 모서리(C3)에 위치하여, 분지된 가지(72B)와 가지 전극(81) 사이의 전류 확산, 분지된 가지(72C)와 가지 전극(82) 사이의 전류 확산을 위해 p측 본딩 패드(70)로부터 반도체 발광소자 내부를 향해 이어져야 한다. 분지된 가지(72B) 및 분지된 가지(72C)와, n측 본딩 패드(80) 사이의 원활한 전류확산을 위해, 분지된 가지(72B)가 변(S4) 또는 변(S2)을 따라, 변(S3)을 향해, 분지된 가지(72C)보다 더 길게 이어져서, 분지된 가지(72B)와 n측 본딩 패드(80) 간의 간격과 분지된 가지(72C)와 n측 본딩 패드(80) 간의 간격의 균형을 유지시킨다. 분지된 가지(72B,72C)와 가지 전극(81,82)은 나란히 뻗어 있는 것으로 족하며, 반드시 등간격을 유지하면서, 일직선으로 뻗어 있을 필요는 없다. 외가지(72A)와의 전류확산을 도모하기 위해, 바람직하게는 가지 전극(82)의 끝이 외가지(72A)와 나란한 방향으로 이어진다. 또한 분지된 가지(72C)의 시작 부분도 마찬가지다.The branch electrode 72 is electrically connected to the p-side bonding pad 70 and extends from the edge C1 to the edge C3 toward the inside of the semiconductor light emitting device toward the inside of the semiconductor light emitting device 72A (Sole Finger) ( It is not necessary to face the edge C3 exactly), branched branches 72B and branched branches 72C. The branched branch 72B extends along the side S4 and extends in parallel with the branch electrode 81 facing each other to achieve current diffusion. The branched branch 71C extends along the side S2 and extends in parallel with the branch electrode 82 facing each other to achieve current diffusion. The outer branch 71A has a p-side bonding pad 70 and an n-side bonding pad 80 located at the edge C1 and the edge C3, and the current between the branched branch 72B and the branch electrode 81. It must run from the p-side bonding pad 70 toward the inside of the semiconductor light emitting device for diffusion of current between the branched branch 72C and the branch electrode 82. Branched branch 72B is along side S4 or side S2 for smooth current spreading between branched branch 72B and branched branch 72C and n-side bonding pad 80. Towards S3, it extends longer than branched branches 72C, so that the distance between branched branches 72B and n-side bonding pads 80 and between branched branches 72C and n-side bonding pads 80 Balance the gap. The branched branches 72B, 72C and the branch electrodes 81, 82 are sufficient to extend side by side, and do not necessarily extend in a straight line while maintaining equal intervals. In order to spread current with the outer branches 72A, the ends of the branch electrodes 82 are preferably connected in the direction parallel to the outer branches 72A. The same applies to the beginning of the branched branch 72C.

분지된 가지(72B)와 분지된 가지(72C)를 구비함으로써, 반도체 발광소자의 대면적화, 특히 변(S1) 또는 변(S3)을 따라 소자가 길어지는 경우에도 반도체 발광소자 전체로의 전류확산을 도모할 수 있게 된다. 또한 도 2에 도시된 반도체 발광소자에서는, 가지 전극(71)과 가지 전극(81)이 깍지와 같이 서로 교대로 배치되지만, 본 개시에서는 p측 본딩 패드(70)에 전기적으로 연결된 2개 이상의 분지된 가지(72B,72C)를 반도체 발광소자의 중심부에 위치시킴으로써, 반도체 발광소자 중심부에서의 전류쏠림을 방지하여, 반도체 발광소자 전체로의 전류확산을 도모하고 있다.By providing the branched branch 72B and the branched branch 72C, a large area of the semiconductor light emitting device can be achieved, and in particular, current spreading to the entire semiconductor light emitting device even when the device is long along the sides S1 or S3. It becomes possible to plan. In addition, in the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2, the branch electrodes 71 and the branch electrodes 81 are alternately arranged like a pod, but in the present disclosure, two or more branches electrically connected to the p-side bonding pad 70. By arranging the branches 72B and 72C at the center of the semiconductor light emitting element, current draw at the center of the semiconductor light emitting element is prevented, and current spreading is performed to the entire semiconductor light emitting element.

p측 본딩 패드(70)와 n측 본딩 패드(80)의 위치가 바뀔 수 있지만, 반도체 발광소자의 외곽을 따라, 식각이 이루어지므로, 반도체 발광소자의 발광 영역이 줄어들어는 단점이 있어 바람직하지는 않다.Although the positions of the p-side bonding pads 70 and the n-side bonding pads 80 may be changed, etching is performed along the periphery of the semiconductor light emitting device, so that the light emitting area of the semiconductor light emitting device is reduced, which is not preferable. .

도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자의 A-A'라인을 따른 단면의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(10; 예; 사파이어 기판), 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(30), n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(50), p형 3족 질화물 반도체층(50) 위에 형성되는 전류확산 전극(60), 전류확산 전극(60) 위에 형성되는 p측 패드 전극(70), 그리고, p형 3족 질화물 반도체층(50)과 활성층(40)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 패드 전극(80)을 포함한다. 기판(10)은 반도체층(20,30,40,50)의 성장 후에 제거될 수 있으며, 버퍼층(20)과 전류확산 전극(60)은 바람직하지는 않지만 생략될 수 있다. 전류확산 전극(60) 위에 가지 전극(71,72)도 도시되어 있다.FIG. 4 is a view showing an example of a cross section along the line A-A 'of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3, and will be described using a group III nitride semiconductor light emitting device as an example. The group III nitride semiconductor light emitting device includes a substrate 10 (eg, a sapphire substrate), a buffer layer 20 grown on the substrate 10, an n-type group III nitride semiconductor layer 30 grown on the buffer layer 20, and an n-type 3 The current diffusion electrode formed on the active layer 40 grown on the group nitride semiconductor layer 30, the p-type group III nitride semiconductor layer 50 grown on the active layer 40, and the p-type group III nitride semiconductor layer 50 ( 60), the p-side pad electrode 70 formed on the current spreading electrode 60, and the n-type III-nitride semiconductor layer in which the p-type III-nitride semiconductor layer 50 and the active layer 40 are mesa-etched and exposed. And an n-side pad electrode 80 formed over 30. The substrate 10 may be removed after the growth of the semiconductor layers 20, 30, 40, and 50, and the buffer layer 20 and the current spreading electrode 60 may be omitted, although not preferred. Branch electrodes 71 and 72 are also shown above current spreading electrode 60.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 p측 본딩 패드(70)와 n측 본딩 패드(80)가 각각 변(S1)과 변(S3) 측에 위치하며, 외가지(72A; 도 3 참조)가 생략되어 있다. p측 본딩 패드(70)에 전기적으로 연결된 분지된 가지(72B,72C)가 변(S2) 또는 변(S4)을 따라 반도체 발광소자의 중심부에서 이어져서, 반도체 발광소자 중심부에서의 전류쏠림을 방지하여, 반도체 발광소자 전체로의 전류확산을 도모하고 있다는 점에서, 도 3에 도시된 반도체 발광소자와 원리를 같이한다. 외가지(72A) 없이, 분지된 가지(72B,72C)를 구비해야 하므로, 분지된 가지(72B,72C)가 각각 변(S4)과 변(S2)을 향해 휘어진 형상을 가지며, 바람직하게는 가지 전극(81,82)과 가지 전극(71)도 이에 맞추어 휘어진 형상을 가진다. 필요에 따라 가지 전극(81,82)의 끝이 p측 본딩 패드(70)를 향하게 한다.5 is a view illustrating another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the p-side bonding pad 70 and the n-side bonding pad 80 are disposed on the sides S1 and S3, respectively. The outer branches 72A (see Fig. 3) are omitted. Branched branches 72B and 72C electrically connected to the p-side bonding pad 70 extend from the center of the semiconductor light emitting element along the side S2 or the side S4 to prevent the current from flowing in the center of the semiconductor light emitting element. Therefore, the principle is similar to the semiconductor light emitting device shown in FIG. Since the branched branches 72B and 72C should be provided without the outer branch 72A, the branched branches 72B and 72C have a curved shape toward the side S4 and the side S2, respectively. The electrodes 81 and 82 and the branch electrode 71 also have a bent shape accordingly. If necessary, the ends of the branch electrodes 81 and 82 face the p-side bonding pads 70.

도 6은 도 3에 도시된 반도체 발광소자의 실제 예를 나타내는 도면이다. 반도체 발광소자는 가로 800㎛, 세로 700㎛의 크기를 가진다. FIG. 6 is a diagram illustrating a practical example of the semiconductor light emitting device illustrated in FIG. 3. The semiconductor light emitting device has a size of 800 μm in width and 700 μm in length.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 제1 변과 제1 변과 대향하는 제3 변, 그리고 제2 변과 제2 변과 대향하는 제4 변으로 된 네 개의 변과, 제1 변과 제4 변이 만나는 제1 모서리와, 제1 변과 제3 변이 만나는 제2 모서리와, 제2 변과 제3 변이 만나는 제3 모서리와, 제3 변과 제4 변이 만나는 제4 모서리로 된 네 개의 모서리를 가지는 복수의 반도체층; 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드; 제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 본딩 패드; 제2 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 적어도 제4 변을 따라 이어진 제1 가지 전극(81); 제2 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 적어도 제2 변을 따라 이어진 제2 가지 전극(82); 제1 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 가지 전극(81)과 제2 가지 전극(82)을 둘러싸도록 제1 변, 제2 변, 제3변 및 제4 변을 따라 이어진 제3 가지 전극(71); 그리고, 제1 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 가지 전극(81)과 제2 가지 전극(82) 사이에서 서로 마주보면서 제4 변과 제2 변을 따라 각각 이어지는 제1 분지된 가지(72B) 및 제2 분지된 가지(72C);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 일반적으로 n형 반도체층(30)이 아래에 놓이지만, n형 반도체층(30)과 p형 반도체층(50)의 위치는 바뀔 수 있다.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having electrons and holes A plurality of semiconductor layers having an active layer that generates light through recombination of the first and fourth sides opposing the first and third sides, and the fourth and second sides opposing the second and second sides. Side, first corner where the first and fourth sides meet, second corner where the first and third sides meet, third corner where the second and third sides meet, and third and fourth sides meet. A plurality of semiconductor layers having four corners having fourth corners; A first bonding pad electrically connected to the second semiconductor layer; A second bonding pad electrically connected to the exposed first semiconductor layer by removing the second semiconductor layer and the active layer; A first branch electrode 81 electrically connected to the second bonding pad and extending along at least a fourth side; A second branch electrode 82 electrically connected to the second bonding pad and extending along at least a second side; A third branch electrically connected to the first bonding pad and extending along the first side, the second side, the third side, and the fourth side to surround the first branch electrode 81 and the second branch electrode 82; Electrode 71; A first branched branch electrically connected to the first bonding pad and facing each other between the first branch electrode 81 and the second branch electrode 82 may be formed along the fourth and second sides. 72B) and a second branched branch (72C). In general, although the n-type semiconductor layer 30 is disposed below, the positions of the n-type semiconductor layer 30 and the p-type semiconductor layer 50 may be changed.

(2) 제1 본딩 패드가 제1 모서리 측에 위치하고, 제2 본딩 패드가 제1 본딩 패드가 대각 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) A semiconductor light emitting element, characterized in that the first bonding pad is located at the first edge side and the second bonding pad is located at the diagonal direction of the first bonding pad.

(3) 제1 본딩 패드와, 제1 분지된 가지(72B) 및 제2 분지된 가지(72C)를 이어주는 외가지(72A);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And (3) an outer branch (72A) connecting the first bonding pad, the first branched branch (72B), and the second branched branch (72C).

(4) 제1 분지된 가지(72B)가 제2 분지된 가지(72C)보다 제3 변을 향하여 더 길게 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) A semiconductor light emitting element, characterized in that the first branched branch (72B) extends longer toward the third side than the second branched branch (72C).

(5) 제2 가지 전극(82)의 끝이 외가지(72A)와 나란한 방향으로 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) A semiconductor light emitting element characterized in that the end of the second branch electrode 82 extends in the direction parallel to the outer branch 72A.

(6) 제1 가지 전극(81)이 제1 분지된 가지(72B)와 제4 변을 따라 나란히 이어지고, 제2 가지 전극(82)이 제2 분지된 가지(72C)와 제2 변을 따라 나란히 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The first branch electrode 81 is parallel to the first branched branch 72B along the fourth side, and the second branch electrode 82 is along the second branched branch 72C and the second side. Semiconductor light emitting device characterized in that the side by side.

(7) 제1 분지된 가지(72B)가 제2 분지된 가지(72C)보다 제3 변을 향하여 더 길게 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting element, characterized in that the first branched branch (72B) extends longer toward the third side than the second branched branch (72C).

(8) 제2 가지 전극(82)의 끝이 외가지(72A)와 나란한 방향으로 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) A semiconductor light emitting element characterized in that the end of the second branch electrode 82 extends in the direction parallel to the outer branch 72A.

(9) 제1 본딩 패드가 제1 변 측에 위치하고, 제2 본딩 패드가 제3 변 측에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) A semiconductor light emitting element, wherein the first bonding pad is located at the first side and the second bonding pad is located at the third side.

(10) 복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) A semiconductor light emitting device, characterized in that the plurality of semiconductor layers are made of a group III nitride semiconductor.

n형 반도체층: 30 활성층: 40 p형 반도체층: 50n-type semiconductor layer: 30 active layer: 40 p-type semiconductor layer: 50

Claims (10)

반도체 발광소자에 있어서,
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 제1 변과 제1 변과 대향하는 제3 변, 그리고 제2 변과 제2 변과 대향하는 제4 변으로 된 네 개의 변과, 제1 변과 제4 변이 만나는 제1 모서리와, 제1 변과 제3 변이 만나는 제2 모서리와, 제2 변과 제3 변이 만나는 제3 모서리와, 제3 변과 제4 변이 만나는 제4 모서리로 된 네 개의 모서리를 가지는 복수의 반도체층;
제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드;
제2 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 본딩 패드;
제2 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 적어도 제4 변을 따라 이어진 제1 가지 전극(81);
제2 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 적어도 제2 변을 따라 이어진 제2 가지 전극(82);
제1 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 가지 전극(81)과 제2 가지 전극(82)을 둘러싸도록 제1 변, 제2 변, 제3변 및 제4 변을 따라 이어진 제3 가지 전극(71); 그리고,
제1 본딩 패드에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 가지 전극(81)과 제2 가지 전극(82) 사이에서 다른 가지 전극(all the other branched fingers)과 교대로 배치되지 않고 서로 마주보면서 제4 변과 제2 변을 따라 각각 이어지는 제1 분지된 가지(72B) 및 제2 분지된 가지(72C);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generating light through recombination of electrons and holes A plurality of semiconductor layers comprising: a first side and a third side facing the first side, and four sides having a second side and a fourth side facing the second side, and a first side and a fourth side The four corners of the first corner where the sides meet, the second corner where the first and third sides meet, the third corner where the second and third sides meet, and the fourth corner where the third and fourth sides meet. A plurality of semiconductor layers;
A first bonding pad electrically connected to the second semiconductor layer;
A second bonding pad electrically connected to the exposed first semiconductor layer by removing the second semiconductor layer and the active layer;
A first branch electrode 81 electrically connected to the second bonding pad and extending along at least a fourth side;
A second branch electrode 82 electrically connected to the second bonding pad and extending along at least a second side;
A third branch electrically connected to the first bonding pad and extending along the first side, the second side, the third side, and the fourth side to surround the first branch electrode 81 and the second branch electrode 82; Electrode 71; And,
A fourth side that is electrically connected to the first bonding pad, and is not alternately disposed with all the other branched fingers between the first branch electrode 81 and the second branch electrode 82 and faces each other; And a first branched branch (72B) and a second branched branch (72C) respectively extending along the second side and the second side. 청구항 1에 있어서,
제1 본딩 패드가 제1 모서리 측에 위치하고,
제2 본딩 패드가 제1 본딩 패드가 대각 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The first bonding pad is located at the first corner side,
The second bonding pad is a semiconductor light emitting device, characterized in that the first bonding pad is located in a diagonal direction. 청구항 2에 있어서,
제1 본딩 패드와, 제1 분지된 가지(72B) 및 제2 분지된 가지(72C)를 이어주는 외가지(72A);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 2,
And an outer branch (72A) connecting the first bonding pad, the first branched branch (72B), and the second branched branch (72C). 청구항 3에 있어서,
제1 분지된 가지(72B)가 제2 분지된 가지(72C)보다 제3 변을 향하여 더 길게 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 3,
And the first branched branch (72B) extends longer toward the third side than the second branched branch (72C). 청구항 3에 있어서,
제2 가지 전극(82)의 끝이 외가지(72A)와 나란한 방향으로 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 3,
The end of the second branch electrode (82) is a semiconductor light emitting device, characterized in that in the direction parallel to the outer branch (72A). 청구항 3에 있어서,
제1 가지 전극(81)이 제1 분지된 가지(72B)와 제4 변을 따라 나란히 이어지고,
제2 가지 전극(82)이 제2 분지된 가지(72C)와 제2 변을 따라 나란히 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 3,
The first branch electrode 81 is connected in parallel with the first branched branch 72B along the fourth side,
A second light emitting element, characterized in that the second branch electrode (82) extends in parallel with the second branched branch (72C) along the second side. 청구항 6에 있어서,
제1 분지된 가지(72B)가 제2 분지된 가지(72C)보다 제3 변을 향하여 더 길게 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 6,
And the first branched branch (72B) extends longer toward the third side than the second branched branch (72C). 청구항 7에 있어서,
제2 가지 전극(82)의 끝이 외가지(72A)와 나란한 방향으로 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 7,
The end of the second branch electrode (82) is a semiconductor light emitting device, characterized in that in the direction parallel to the outer branch (72A). 청구항 1에 있어서,
제1 본딩 패드가 제1 변 측에 위치하고,
제2 본딩 패드가 제3 변 측에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The first bonding pad is located on the first side,
And a second bonding pad is located on the third side. 청구항 1 내지 청구항 9 중의 어느 한 항에 있어서,
복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the plurality of semiconductor layers are made of a group III nitride semiconductor.
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