KR101342594B1 - 금속 나노결정의 제조 방법 - Google Patents

금속 나노결정의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101342594B1
KR101342594B1 KR1020060041071A KR20060041071A KR101342594B1 KR 101342594 B1 KR101342594 B1 KR 101342594B1 KR 1020060041071 A KR1020060041071 A KR 1020060041071A KR 20060041071 A KR20060041071 A KR 20060041071A KR 101342594 B1 KR101342594 B1 KR 101342594B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
ptcl
group
nanocrystals
nanocrystal
Prior art date
Application number
KR1020060041071A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070108702A (ko
Inventor
박진환
김한수
두석광
조재필
이효진
권유정
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060041071A priority Critical patent/KR101342594B1/ko
Priority to US11/652,703 priority patent/US7780758B2/en
Publication of KR20070108702A publication Critical patent/KR20070108702A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101342594B1 publication Critical patent/KR101342594B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/81—Of specified metal or metal alloy composition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

금속 나노결정 전구체 및 환원제를 백금 촉매 존재하에 용액상에서 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법을 개시한다.
본 발명의 제조 방법은 간단하면서도 높은 수율로 금속 나노결정을 제조하는 것이 가능하다.
금속 나노결정, 용액법

Description

금속 나노결정의 제조 방법{Method for preparing metal nanocrystal}
본 발명은 금속 나노결정의 제조 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 간단하면서도 높은 수율로 금속 나노결정을 제조하는 방법에 관한 것이다.
금속 나노결정은 양자점으로도 불리며, 보어(Bohr) 엑시톤 반경보다 더 작은 크기 즉, 수 나노 미터의 크기를 가지며 상기 양자점 내에 많은 수의 전자를 가지지만 자유 전자의 수는 1 내지 100 개 정도로 제한된다.
이 경우 상기 전자들이 가지는 에너지 준위가 불연속적으로 제한되어 연속적인 밴드를 형성하는 벌크(bulk) 상태의 금속과는 다른 전기적 및 광학적 특성을 나타낸다.
예를 들어 종래에는 일정한 밴드갭을 가지는 반도체를 얻기 위해서 여러 가지 도체 및 부도체를 혼합하여야 했었지만 반도체 양자점은 그 크기에 따라 에너지 준위가 달라지기 때문에 단순히 크기를 바꾸어 줌으로써 밴드갭을 조절할 수 있다. 또한, 벌크 상태의 반도체와 달리 전자를 추가하는데 드는 에너지가 균일하지 않고 서로 단계적으로 변하게 되어 기존에 존재하는 하나의 전자가 새로운 전자의 추가를 방해하는 소위 쿨롱 봉쇄(coulomb blockade) 효과가 발생하기도 한다.
따라서, 이러한 금속 나노결정의 새로운 성질에 의해 광자기적(magnetooptic), 열전적(thermoelectric), 전기자기적(magnetoelectric) 기능의 구현이 가능하며 보다 구체적으로는 정보 저장 매체, 단전자 소자, 발광 소자(LED), 생체 분자 라벨링 및 태양 전지 등 다양한 분야에서 이용이 가능하다.
금속 나노결정의 제조 방법으로는 기상법, 액상법 등이 있으며 기상법으로는 유기금속 화학증착(MOCVD: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 또는 분자선 에피택시(MBE: molecular Beam Epitaxy) 등의 방법이 있다. 그러나, 기상법은 나노결정의 결정성은 높지만 나노 결정의 밀도 및 균일도를 조절하기 어려운 문제가 있다.
이에 반해 액상법은 화학적 습식 합성 방법으로서 유기 용매상에서 결정을 성장시키는 방법으로서 반응 조건에 따라 나노결정의 물성을 제어하기가 용이하고 제조가 간단하여 많은 연구의 대상이 되어 왔다.
그러나, 상기 액상법에 의할 경우 얻어지는 금속 나노결정의 수율이 낮은 것이 문제로 지적되어 왔다. 따라서 높은 수율로 금속 나노결정을 합성할 수 있는 방법이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 높은 수율로 금속 나노결정을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
금속 나노결정 전구체 및 환원제를 백금 촉매 존재하에 용액상에서 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 백금 촉매가 H2PtCl6, (NH4)2PtCl4, (NH4)2PtCl6, K2PtCl4, 및 K2PtCl6 로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 금속 나노결정 전구체의 금속이 2족 금속, 3족 금속, 또는 4족 금속인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 금속 나노결정 전구체의 금속이 Si, Sn, Ge, Al, 및 Pb로 이루어진 군에서 선택되는 1이 상의 금속인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 금속 나노결정 전구체의 금속이 리튬과 반응하지 않는 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 리튬과 반응하지 않는 금속이 Co, Fe, Ni, Cu 및 Ti 로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 금속인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법 에서 상기 금속 나노결정 전구체가 금속 할로겐화물 로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 환원제가 유기금속 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 유기금속 화합물이 나트륨 나프탈렌화물, 칼륨 나프탈렌화물, 나트륨 안트라센화물 및 칼륨 안트라센화물 로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 용액에 상기 금속 나노결정을 캡핑하는 작용기를 포함하는 화합물이 첨가되는 단계를 추가적으로 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 금속 나노결정을 캡핑하는 작용기가 탄소수 2 내지 10 의 알킬, 탄소수 3 내지 10 의 아릴알킬, 탄소수 3 내지 10 의 알킬아릴, 또는 탄소수 2 내지 10의 알콕시인 것이 바람직하다.
본 발명의 금속 나노결정 제조 방법은 수율이 낮은 종래 방법과 달리 백금 촉매를 사용하여 높은 수율로 금속 나노결정을 제조하는 것이 가능하다.
이하 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
본 발명은 금속 나노결정 전구체 및 환원제를 백금 촉매 존재하에 용액상에 서 반응시켜 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법을 제공한다. 상기 백금 촉매는 금속 나노결정의 형성 반응을 촉진시키는 역할을 한다. 즉, 금속 나노결정 전구체로부터 결정이 성장하는 속도를 증가시켜 얻어지는 금속 나노결정의 수율을 향상시킨다.
보다 구체적으로 상기 백금 촉매는 H2PtCl6, (NH4)2PtCl4, (NH4)2PtCl6, K2PtCl4, 및 K2PtCl6 등이 바람직하나, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니며 당해 기술분야에서 사용할 수 있는 다른 백금 촉매도 가능하다.
상기 금속 나노결정 전구체에서 전구체의 금속이 2족 금속, 3족 금속, 또는 4족 금속인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는 Si, Sn, Ge, Al, 또는 Pb 등이 바람직하다.
또한, 상기 금속 나노결정 전구체의 금속이 리튬과 반응하지 않는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 상기 리튬과 반응하지 않는 금속이 Co, Fe, Ni, Cu 및 Ti 등이 바람직하다.
상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 금속 나노결정 전구체는 금속 할로겐화물 등이 바람직하다. 보다 구체적으로는 SiCl4, SnCl4, 및 GeCl4 등이 바람직하나 반드시 이들로 한정되는 것은 아니며 금속 나노결정의 금속을 제공할 수 있는 전구체로서 당해 기술 분야에서 사용 가능한 것이라면 어떠한 전구체라도 가능하다.
한편 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 환원제는 유기금속 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예에 의하면, 상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 유기금속 화합물이 나트륨 나프탈렌화물(Sodium Naphthalenide), 칼륨 나프탈렌화물(Potassium Naphthalenide), 나트륨 안트라센화물 (Sodium Anthracenide) 및 칼륨 안트라센화물(Potassium Anthracenide) 등이 바람직하다.
상기 캡핑된 금속 나노결정 제조 방법에서 상기 용액에 상기 금속 나노결정을 캡핑하는 작용기를 포함하는 화합물이 첨가되는 단계를 추가적으로 포함하는 것이 바람직하다. 상기 금속 나노결정을 캡핑하는 작용기는 탄소수 2 내지 10 의 알킬, 탄소수 3 내지 10 의 아릴알킬, 탄소수 3 내지 10 의 알킬아릴, 또는 탄소수 2 내지 10의 알콕시인 것이 바람직하다.
상기의 방법에 의해 고수율로 얻어진 캡핑된 금속 나노결정은 그 물성이 유용한 모든 분야에 사용 가능하다.
특히, 상기 방법에 따라 제조된 캡핑된 금속 나노결정을 비활성 분위기에서 소성시켜 얻어지는 금속 나노결정 복합체를 얻을 수 있다.
이러한 금속 나노결정 복합체는 예를 들어 상기 금속 나노결정 복합체가 입경 20nm 이하의 금속 나노결정 및 상기 금속 나노결정의 표면 상에 형성된 탄소 코팅층으로 이루어진 복합체 제 1 입자를 포함할 수 있다. 그리고, 복수개의 상기 복합체 제 1 입자가 상기 탄소 코팅층을 매개로 서로 연결되어 형성된 복합체 제 2 입자를 포함하는 것도 가능하다.
이러한 금속 나노결정 복합체는 전지의 음극 활물질로 사용가능하며 전지 등에 사용할 수 있다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
캡핑된 금속 나노결정 제조
실시예 1
50ml의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 6.82g의 SiCl4가 용해된 용액을 교반하면서 상기 용액에 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 소듐 나프탈라이드 가 용해된 용액(상기 소듐 나프탈라이드 용액은 100 ml의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 소듐 5.4g 및 나프탈렌 19.38g을 첨가하고 밤새 교반하여 제조되었다)을 캐뉼러(cannula)를 통하여 재빨리 첨가하였다. 이어서 3.4g의 H2PtCl6를 첨가하였다. 상기 첨가에 의하여 진한 갈색 분산액이 얻어졌고 이러한 분산액을 30분 동안 추가적으로 교반하였다. 그런 다음, 상기 분산액에 60ml의 부틸리튬을 첨가하였다. 그 결과, 진한 갈색 용액이 즉시 얻어졌다. 이어서, 회전증발기(rotary evaporator)를 사용하여 가열된 수조에서 감압하에 용매와 나프탈렌을 제거하였다. 그리고, 상기 용매 등을 제거한 결과물인 흑갈색 고체는 헥산으로 추출하여 증류수로 세 차례 세척하였다. 이어서, 용매를 제거하고 점성을 가진 연한 노란색 고체가 얻어졌다. 이렇게 하여 캡핑된 금속 나노결정 분말 3.38g 이 얻어졌다. 상기 캡핑된 금속 나노결정 내의 Si 양을 TGA 분석을 통하여 측정하고, 이를 출발 물질 내의 Si양과 비교하여 계산한 수율이 19.3%였다.
실시예 2
50ml의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 3.41g의 SiCl4 및 5.26g의 SnCl4가 용해된 용액을 교반하면서 상기 용액에 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 소듐 나프탈라이드 가 용해된 용액(상기 소듐 나프탈라이드 용액은 100 ml의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 소듐 5.4g 및 나프탈렌 19.38g을 첨가하고 밤새 교반하여 제조되었다)을 캐뉼러(cannula)를 통하여 재빨리 첨가하였다. 이어서 3.4g의 H2PtCl6를 첨가하였다. 상기 첨가에 의하여 진한 갈색 분산액이 얻어졌고 이러한 분산액을 30분 동안 추가적으로 교반하였다. 그런 다음, 상기 분산액에 60ml의 부틸리튬을 첨가하였다. 그 결과, 흑갈색 용액이 즉시 얻어졌다. 이어서, 회전증발기(rotary evaporator)를 사용하여 가열된 수조에서 감압하에 용매와 나프탈렌을 제거하였다. 그리고, 상기 용매 등을 제거한 결과물인 연한 노란색 고체는 헥산으로 추출하여 증류수로 세 차례 세척하였다. 이어서, 용매를 제거하고 점성을 가진 연한 노란색 고체가 얻어졌다. 이렇게 하여 캡핑된 금속 나노결정 분말 6.5g 이 얻어졌다.
실시예 3
50ml의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 8.6g의 GeCl4 가 용해된 용액을 교반하면서 상기 용액에 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 소듐 나프탈라이드 가 용해된 용액(상기 소듐 나프탈라이드 용액은 100 ml의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르에 소듐 5.4g 및 나프탈렌 19.38g을 첨가하고 밤새 교반하여 제조되었다)을 캐뉼러(cannula)를 통하여 재빨리 첨가하였다. 이어서 3.4g의 H2PtCl6를 첨가하였다. 상 기 첨가에 의하여 진한 갈색 분산액이 얻어졌고 이러한 분산액을 30분 동안 추가적으로 교반하였다. 그런 다음, 상기 분산액에 60ml의 부틸리튬을 첨가하였다. 그 결과, 진한 갈색 용액이 즉시 얻어졌다. 이어서, 회전증발기(rotary evaporator)를 사용하여 가열된 수조에서 감압하에 용매와 나프탈렌을 제거하였다. 그리고, 상기 용매 등을 제거한 결과물인 연한 노란색 고체는 헥산으로 추출하여 약산성의 증류수로 세 차례 세척하였다. 이어서, 용매를 제거하고 점성을 가진 연한 노란색 고체가 얻어졌다. 이렇게 하여 캡핑된 금속 나노결정 분말 5.5g 이 얻어졌다.
비교예 1
H2PtCl6를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 캡핑된 금속 나노결정 내의 Si 양을 TGA 분석을 통하여 측정하고, 이를 출발 물질 내의 Si양과 비교하여 계산한 수율이 3.5%였다.
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예에서 얻어진 금속 나노결정의 합성 수율을 하기 표 1 에 나타내었다.
사용된 음극활물질 합성조건 합성 수율(%)
실시예 1 촉매 사용(H2PtCl6) 19.3
실시예 2 촉매 사용(H2PtCl6) 24.6
실시예 3 촉매 사용(H2PtCl6) 21.2
비교예 1 촉매 사용 않음 3.5
상기 실시예들의 경우에 비교예에 비해 5배 이상 향상된 수율을 나타내었다.
본 발명의 제조 방법은 간단하면서도 높은 수율로 금속 나노결정을 제조하는 것이 가능하다.

Claims (11)

  1. 금속 나노결정 전구체 및 환원제를 백금 촉매 존재하에 용액상에서 반응시키는 단계를 포함하며,
    상기 금속 나노결정 전구체가 금속 할로겐화물로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화합물이며,
    상기 환원제가 유기금속 화합물이며,
    상기 백금 촉매가 H2PtCl6, (NH4)2PtCl4, (NH4)2PtCl6, K2PtCl4, 및 K2PtCl6 로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 화합물이며,
    상기 금속 나노결정 전구체의 금속이 Si, Sn, Ge, Al, 및 Pb로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 금속 및 리튬과 반응하지 않는 Co, Fe, Cu 및 Ti 로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 금속으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금속 나노결정 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 유기금속 화합물이 나트륨 나프탈렌화물, 칼륨 나프탈렌화물, 나트륨 안트라센화물 및 칼륨 안트라센화물로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 나노결정 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 용액에 상기 금속 나노결정을 캡핑하는 작용기를 포함하는 화합물이 첨가되는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노결정 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 금속 나노결정을 캡핑하는 작용기가 탄소수 2 내지 10 의 알킬, 탄소수 3 내지 10 의 아릴알킬, 탄소수 3 내지 10 의 알킬아릴, 또는 탄소수 2 내지 10의 알콕시인 것을 특징으로 하는 금속 나노결정 제조 방법.
KR1020060041071A 2006-05-08 2006-05-08 금속 나노결정의 제조 방법 KR101342594B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060041071A KR101342594B1 (ko) 2006-05-08 2006-05-08 금속 나노결정의 제조 방법
US11/652,703 US7780758B2 (en) 2006-05-08 2007-01-09 Method of preparing metal nanocrystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060041071A KR101342594B1 (ko) 2006-05-08 2006-05-08 금속 나노결정의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070108702A KR20070108702A (ko) 2007-11-13
KR101342594B1 true KR101342594B1 (ko) 2013-12-17

Family

ID=38822496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060041071A KR101342594B1 (ko) 2006-05-08 2006-05-08 금속 나노결정의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7780758B2 (ko)
KR (1) KR101342594B1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009111488A2 (en) * 2008-03-04 2009-09-11 Lockheed Martin Corporation Tin nanoparticles and methodology for making same
KR20180100248A (ko) 2010-04-23 2018-09-07 픽셀리전트 테크놀로지스 엘엘씨 나노결정의 합성, 캐핑 및 분산
US8920675B2 (en) 2010-10-27 2014-12-30 Pixelligent Technologies, Llc Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
US9359689B2 (en) 2011-10-26 2016-06-07 Pixelligent Technologies, Llc Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
US20130206225A1 (en) 2012-02-10 2013-08-15 Lockheed Martin Corporation Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof
WO2013120110A1 (en) 2012-02-10 2013-08-15 Lockheed Martin Corporation Nanoparticle paste formulations and methods for production and use thereof
US8951892B2 (en) 2012-06-29 2015-02-10 Freescale Semiconductor, Inc. Applications for nanopillar structures
WO2014210328A1 (en) * 2013-06-26 2014-12-31 Applied Materials, Inc. Methods of depositing a metal alloy film

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040200318A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Metallic nickel powders, method for preparing the same, conductive paste, and MLCC
US20050070106A1 (en) * 2001-09-19 2005-03-31 Kauzlarich Susan M. Method for preparing group IV nanocrystals with chemically accessible surfaces

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2991884B2 (ja) * 1993-02-16 1999-12-20 シャープ株式会社 非水系二次電池
US6676729B2 (en) * 2002-01-02 2004-01-13 International Business Machines Corporation Metal salt reduction to form alloy nanoparticles
WO2004051768A1 (ja) * 2002-11-29 2004-06-17 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 非水電解液二次電池用負極及びその製造方法並びに非水電解液二次電池
JP2004259475A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Osaka Gas Co Ltd リチウム二次電池用負極材とその製造方法、及びそれを用いたリチウム二次電池

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050070106A1 (en) * 2001-09-19 2005-03-31 Kauzlarich Susan M. Method for preparing group IV nanocrystals with chemically accessible surfaces
US20040200318A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Metallic nickel powders, method for preparing the same, conductive paste, and MLCC

Also Published As

Publication number Publication date
US20070287288A1 (en) 2007-12-13
KR20070108702A (ko) 2007-11-13
US7780758B2 (en) 2010-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101342594B1 (ko) 금속 나노결정의 제조 방법
Deng et al. Novel inorganic− organic-layered structures: crystallographic understanding of both phase and morphology formations of one-dimensional CdE (E= S, Se, Te) nanorods in ethylenediamine
US9321651B2 (en) Catalyst composition for the synthesis of multi-walled carbon nantubes
Wang et al. Synthesis and characterization of CuO nanowhiskers by a novel one-step, solid-state reaction in the presence of a nonionic surfactant
EP3044287B1 (en) Synthesis of metal oxide semiconductor nanoparticles from a molecular cluster compound
KR101881304B1 (ko) 고균일 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법
KR20180101222A (ko) 연속식 공정을 이용한 다중벽 탄소나노튜브의 제조방법
CN108525679B (zh) 一种以金属有机框架为前驱体制备硫化锌量子点与还原氧化石墨烯复合物的方法
Yang et al. Ultrathin molybdenum disulfide (MoS2) film obtained in atomic layer deposition: A mini-review
KR100499274B1 (ko) 이종접합구조의 산화아연계 나노선 및 그 제조방법
KR100456016B1 (ko) 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노선
US20070281481A1 (en) Controlled growth of gallium nitride nanostructures
KR101357630B1 (ko) 탄소나노튜브 합성용 담지촉매 및 그 제조방법
KR101679693B1 (ko) 탄소나노튜브 제조방법 및 하이브리드 탄소나노튜브 복합체
Yang et al. Density-controlled growth of ZnO nanorods using ZnO nanocrystals-embedded polymer composite
CN111710745B (zh) 一种锰掺杂纯无机钙钛矿-Au纳米晶异质结及其制备方法和应用
KR101586792B1 (ko) 그래핀을 이용한 나노와이어 구조체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 나노와이어 구조체
KR101494764B1 (ko) 질화물 반도체 나노 구조체 및 이의 제조 방법
Yunus et al. Transition‐Metal Dichalcogenides for Photoelectrochemical Hydrogen Evolution Reaction
CN110835098A (zh) 氮化硼纳米片/碳纳米管复合材料及其制备方法
CN114538388B (zh) 一种组成可控的硒化锌纳米线的制备方法
CN115404460B (zh) 一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法
KR101353924B1 (ko) 크기 제어된 ＣｏＳｂ２ 나노입자 및 그 제조방법
CN113809244B (zh) 复合物及其制备方法、量子点发光二极管
KR101265979B1 (ko) 고순도 탄소나노튜브 대량 합성방법 및 이에 의하여 제조되는 탄소나노튜브

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee