KR101327874B1 - Cooling-heating apparatus of semi-conductor liquid - Google Patents

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KR101327874B1
KR101327874B1 KR1020130059623A KR20130059623A KR101327874B1 KR 101327874 B1 KR101327874 B1 KR 101327874B1 KR 1020130059623 A KR1020130059623 A KR 1020130059623A KR 20130059623 A KR20130059623 A KR 20130059623A KR 101327874 B1 KR101327874 B1 KR 101327874B1
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semiconductor processing
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cooling heating
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고윤환
김종현
김성래
장민제
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주식회사 셀빛
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Abstract

Disclosed is a device for cooling and heating a semiconductor processing solution. The device for cooling and heating the semiconductor processing solution comprises a chamber which is filled with a fluorine resin plate; a cover member which covers both sides of the chamber; a protective plate which is laminated on the cover member; a cooling-heating module which is connected to the protective plate; a plurality of horizontal plates which divides the chamber and is arranged to be separated to each other; a vortex rib which is protruded from a horizontal plate; and penetration holes which is formed in the horizontal plates and is formed in a zigzag shape.

Description

반도체 처리액 냉각가열장치{Cooling-heating apparatus of semi-conductor liquid}Cooling-heating apparatus for semiconductor processing liquid

본 발명은 반도체 처리액 냉각가열장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 처리액을 효과적으로 냉각하거나 가열할 수 있는 반도체 처리액 냉각가열장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus, and more particularly, to a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus capable of effectively cooling or heating a processing liquid.

반도체 공정에 사용되는 반도체 처리액은 반도체 공정에서 효과적으로 사용되기 위하여 정밀한 온도가 제어되어야 한다. 따라서, 도 1의 단면도와 같은 반도체 처리액 냉각가열장치(10)에 반도체 처리액을 통과시켜, 온도를 유지한다.The semiconductor treatment liquid used in the semiconductor process must be controlled at a precise temperature in order to be effectively used in the semiconductor process. Therefore, the semiconductor processing liquid is passed through the semiconductor processing liquid cooling heating device 10 as shown in the cross-sectional view of FIG. 1 to maintain the temperature.

도 1의 반도체 처리액 냉각가열장치(10)는 테프론 수지로 사방이 막혀 있고, 마주 보는 두개의 면은 열려있는 챔버(11)와, 상기 챔버(11)의 열린면을 커버하여 밀폐하는 그래파이트 플레이트(graphite plate,12)와, 그래파이트 플레이트(12)를 보호하기 위하여 커버하는 알루미늄판(13)과, 알루미늄판(13)에 결합된 냉각가열모듈(14)로 이루어져 있다. 냉각가열모듈(14)은 열전소자로 이루어져 있으며, 열전소자에 전류의 흐름을 변환함으로써, 냉각 및 가열이 가능하다.The semiconductor processing liquid cooling heating device 10 of FIG. 1 is covered with Teflon resin in all directions, and two opposite surfaces are open to the chamber 11 and a graphite plate covering and sealing the open surface of the chamber 11. (graphite plate 12), the aluminum plate 13 to cover to protect the graphite plate 12, and the cooling heating module 14 coupled to the aluminum plate (13). Cooling heating module 14 is composed of a thermoelectric element, by converting the flow of current to the thermoelectric element, it is possible to cool and heat.

그라파이트는 실제 Si(silicon), Quartz, 소결SiC, Glass Carbon, amorphous 카본(amorphous carbon) 층에서 커버하게 되는 그래파이트(graphite) 등의 소재를 사용할 수 있다.Graphite may be made of materials such as graphite (Si), quartz, sintered SiC, Glass Carbon, and graphite which is covered in an amorphous carbon layer.

반도체 처리액은 유입관(16)을 통해서 챔버(11)의 내부에 유입되고, 유출관(17)을 통하여 유출된다. 반도체 처리액이 챔버(11)에 머무는 동안, 그래파이트 플레이트(12)를 통하여 열교환이 이루어진다.The semiconductor processing liquid flows into the chamber 11 through the inflow pipe 16 and flows out through the outflow pipe 17. While the semiconductor processing liquid stays in the chamber 11, heat exchange takes place through the graphite plate 12.

그러나, 그래파이트 플레이트(12)의 표면과 인접한 부분에 위치한 반도체 처리액에만 열전달이 이루어져, 챔버(11)의 중심부에 위치한 반도체 처리액에는 열이 잘 전달되지 않는 문제가 있다.
However, heat transfer is made only to the semiconductor processing liquid located at a portion adjacent to the surface of the graphite plate 12, so that heat is not easily transferred to the semiconductor processing liquid located at the center of the chamber 11.

본 발명은 챔버 내부에 반도체 처리액이 장시간 머물도록 하면서, 미로로 구획된 챔버의 내부 영역을 흐르도록 하여 열교환이 효과적으로 일어나도록 하는 반도체 처리액 냉각가열장치를 제공하고자 한다. The present invention is to provide a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus for allowing the semiconductor processing liquid to stay inside the chamber for a long time, while flowing the internal region of the chamber partitioned by the labyrinth so that heat exchange takes place effectively.

또한, 본 발명은 반도체 처리액이 챔버 내부를 흐르는 동안 와류를 일으켜, 측면과 중심부의 열교환이 효과적으로 일어나도록 하는 반도체 처리액 냉각가열장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus for causing a vortex while the semiconductor processing liquid flows through the chamber, so that heat exchange between the side and the center occurs effectively.

본 발명의 일 측면에 따르면, According to an aspect of the present invention,

불소수지판으로 사방이 막혀있는 챔버와;A chamber in which all sides are blocked by a fluorine resin plate;

오픈된 상기 챔버의 양면을 각각 커버하는 커버부재와;A cover member respectively covering both sides of the open chamber;

상기 커버부재에 각각 적층된 보호판과;Protective plates laminated on the cover members, respectively;

상기 보호판 각각에 결합된 냉각가열모듈과;A cooling heating module coupled to each of the protective plates;

상기 챔버를 구획하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 가로판과;A plurality of horizontal plates which partition the chamber and are spaced apart from each other;

상기 가로판에 돌출된 와류리브를 포함하되,Including a vortex rib protruding from the horizontal plate,

상기 복수의 가로판에는 관통홀이 각각 형성되어 있으며, 상기 관통홀은 서로 지그재그로 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 냉각가열장치가 제공된다.Through-holes are formed in the plurality of horizontal plates, and the through-holes are provided with a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus, wherein the through-holes are zigzagly positioned.

본 발명의 다른 측면에 따르면,According to another aspect of the present invention,

불소수지판으로 사방이 막혀있는 챔버와;A chamber in which all sides are blocked by a fluorine resin plate;

오픈된 상기 챔버의 양면을 각각 커버하는 커버부재와;A cover member respectively covering both sides of the open chamber;

상기 커버부재에 각각 적층된 보호판과;Protective plates laminated on the cover members, respectively;

상기 보호판 각각에 결합된 냉각가열모듈과;A cooling heating module coupled to each of the protective plates;

상기 챔버의 중심부에 위치하며, 가장자리가 상기 불소수지판과 결합되어 상기 챔버를 공간적으로 나누는 중심판과;A center plate positioned at the center of the chamber and having an edge coupled to the fluororesin plate to spatially divide the chamber;

상기 중심판과 교차되어 상기 챔버를 구획하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 가로판을 포함하되,And a plurality of horizontal plates arranged to be spaced apart from each other and to partition the chamber by crossing the center plate,

상기 복수의 가로판에는 관통홀이 각각 형성되어 있으며, 상기 관통홀은 서로 지그재그로 위치하며, 상기 중심판에는 와류리브가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 냉각가열장치가 제공된다.
Through-holes are formed in the plurality of horizontal plates, respectively, and the through-holes are zigzag with each other, and the center plate is provided with a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus, wherein vortex ribs are formed.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, According to another aspect of the present invention,

불소수지판으로 사방이 막혀있는 챔버와; A chamber in which all sides are blocked by a fluorine resin plate;

오픈된 상기 챔버의 양면을 각각 커버하는 커버부재와;A cover member respectively covering both sides of the open chamber;

상기 커버부재에 각각 적층된 보호판과;Protective plates laminated on the cover members, respectively;

상기 보호판 각각에 결합된 냉각가열모듈과;A cooling heating module coupled to each of the protective plates;

상기 챔버의 중심부에 위치하며, 가장자리가 상기 불소수지판과 결합되어 상기 챔버를 공간적으로 나누는 중심판과;A center plate positioned at the center of the chamber and having an edge coupled to the fluororesin plate to spatially divide the chamber;

상기 중심판과 교차되어 상기 챔버를 구획하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 가로판을 포함하되,And a plurality of horizontal plates arranged to be spaced apart from each other and to partition the chamber by crossing the center plate,

상기 복수의 가로판에는 관통홀이 각각 형성되어 있으며, 상기 관통홀은 서로 지그재그로 위치하며, 상기 중심판에는 와류홀이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 냉각가열장치.
The through-holes are formed in the plurality of horizontal plates, respectively, the through-holes are zigzag each other, the center plate is a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus, characterized in that the vortex holes are formed.

이상과 같이, 본 발명은 챔버 내부에 반도체 처리액이 장시간 머물도록 하면서, 미로로 구획된 챔버의 내부 영역을 흐르도록 하여 열교환이 효과적으로 일어나도록 하는 반도체 처리액 냉각가열장치를 제공한다. As described above, the present invention provides a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus which allows the heat treatment to occur effectively by allowing the semiconductor processing liquid to stay inside the chamber for a long time and flowing the internal region of the chamber partitioned into the labyrinth.

또한, 본 발명은 반도체 처리액이 챔버 내부를 흐르는 동안 와류를 일으켜, 측면과 중심부의 열교환이 효과적으로 일어나도록 하는 반도체 처리액 냉각가열장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus for causing a vortex while the semiconductor processing liquid flows inside the chamber so that heat exchange between the side and the center occurs effectively.

도 1은 종래기술에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 분리 사시도(냉각가열모듈 제외).
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부에 중심판과 가로판이 결합된 형태).
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부의 중심판으로 부터 가로판이 분리된 상태).
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부에 중심판과 가로판이 결합된 형태).
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부에 중심판과 가로판이 분리된 형태).
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 일부분의 분리 사시도.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부의 가로판이 결합된 상태).
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부의 가로판이 분리된 상태).
1 is a cross-sectional view of a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to the prior art.
Figure 2 is an exploded perspective view of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to an embodiment of the present invention (excluding the cooling heating module).
Figure 3 is a perspective view of the chamber of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to an embodiment of the present invention (in the form of a center plate and a horizontal plate coupled to the chamber).
Figure 4 is a perspective view of the chamber of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to an embodiment of the present invention (a horizontal plate is separated from the center plate inside the chamber).
Figure 5 is a perspective view of the chamber of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to another embodiment of the present invention (in the form of the center plate and the horizontal plate coupled to the chamber).
Figure 6 is a perspective view of a chamber of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to another embodiment of the present invention (a center plate and a horizontal plate is separated inside the chamber).
Figure 7 is an exploded perspective view of a portion of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a perspective view of a chamber of a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to still another embodiment of the present invention (a state in which a horizontal plate inside the chamber is coupled).
Figure 9 is a perspective view of a chamber of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to another embodiment of the present invention (the horizontal plate inside the chamber is separated).

이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조로 상세하게 설명하되, 이는 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로써 본 발명의 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout. , Thereby not limiting the spirit and scope of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 분리 사시도(냉각가열모듈 제외)이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부에 중심판과 가로판이 결합된 형태)이며, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부의 중심판으로 부터 가로판이 분리된 상태)이다.
2 is an exploded perspective view (excluding the cooling heating module) of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view of a chamber of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to an embodiment of the present invention ( The center plate and the horizontal plate is coupled to the inside of the chamber), and FIG. 4 is a perspective view (a state in which the horizontal plate is separated from the central plate inside the chamber) of the chamber of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to the embodiment of the present invention. .

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치(20)는, 불화수소산(불산,Hydrofluoric acid), 버퍼드 불화수소산(Buffered hydrogen fluoride),불질산(Hydrofluoric acid and Nitric acid mixture), 질산(발연 질산은 제외,Nitric acid), 염산(Hydrochloric acid), 황산동 수용액(Copper sulfate solution), 황산(발연 황산은 제외, Sulfuric acid), 오존수(Ozone), 암모니아수(Ammonium hydroxide), 암모니아 과산화수소수(Ammonium hydrogen peroxide solution), 수산화 나트륨(Sodium hydroxide), 순수(DI water),초순수(Ultra pure water) 등과 같은 반도체 처리액(약품)에 적용이 가능하다.The semiconductor processing liquid cooling heating device 20 of the present embodiment includes hydrofluoric acid (Hydrofluoric acid), buffered hydrogen fluoride, hydrofluoric acid and nitric acid mixture, and nitric acid (excluding fuming nitric acid). Nitric acid, Hydrochloric acid, Copper sulfate solution, Sulfuric acid (except fuming sulfuric acid), Sulfuric acid, Ozone, Ammonium hydroxide, Ammonium hydrogen peroxide solution, It can be applied to semiconductor treatment liquids (drugs) such as sodium hydroxide, DI water, ultra pure water and the like.

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치(20)는, 불소수지판(211)으로 사방이 막혀있는 챔버(21)와; 오픈된 상기 챔버(21)의 양면을 각각 커버하는 커버부재(22)와; 상기 커버부재(22)에 각각 적층된 보호판(23)과; 상기 보호판(23) 각각에 결합된 냉각가열모듈(미도시)과; 상기 챔버(21)의 중심부에 위치하며, 가장자리가 상기 불소수지판(211)과 결합되어 상기 챔버(21)를 공간적으로 나누는 중심판(24)과; 가장자리가 상기 커버부재(22)과 결합되고, 상기 중심판(24)과 교차되어 상기 챔버(21)를 구획하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 가로판(25)을 포함하되, 상기 복수의 가로판(25)에는 관통홀(251)이 각각 형성되어 있으며, 상기 관통홀(251)은 서로 지그재그로 위치하며, 상기 중심판에는 와류홀(241)이 형성된 것을 특징으로 한다.
The semiconductor processing liquid cooling heating apparatus 20 of this embodiment includes: a chamber 21 blocked on all sides by a fluorine resin plate 211; A cover member 22 respectively covering both sides of the open chamber 21; Protective plates 23 respectively laminated on the cover member 22; A cooling heating module (not shown) coupled to each of the protective plates 23; A center plate 24 positioned at the center of the chamber 21 and having an edge coupled to the fluorine resin plate 211 to spatially divide the chamber 21; An edge coupled to the cover member 22 and intersecting the center plate 24 to define the chamber 21, and including a plurality of horizontal plates 25 spaced apart from each other, wherein the plurality of horizontal plates Through-holes 251 are formed in the plate 25, and the through-holes 251 are zigzagly positioned, and the vortex hole 241 is formed in the center plate.

도 2와 같이, 챔버(21)는 불소수지판(211)으로 사방이 막혀 있고, 양면은 오픈되어 있다. 오픈된 양면에는 커버부재(22)가 각각 적층된다. 커버부재(22)는 CVC-SiC 또는 유사한 물성을 가진 것으로 이루어지는 것이 좋다. 반도체 처리액은 황산이나 질산과 같은 강산성 액체이다. 따라서, 이러한 강산에 녹지 않는 불소수지판(211)으로 챔버(21)의 사방을 막았다. 불소수지판(211)은 스테인레스판의 표면에 불소수지를 코팅한 것일 수도 있다. 또한, 불소수지판(211)은 각종 금속판에 불소수지를 코팅한 것일 수도 있다.As shown in Fig. 2, the chamber 21 is blocked on all sides by the fluororesin plate 211, and both sides are open. The cover members 22 are stacked on both sides of the open side. The cover member 22 is preferably made of CVC-SiC or similar physical properties. The semiconductor processing liquid is a strong acid liquid such as sulfuric acid or nitric acid. Accordingly, the chamber 21 is blocked on all sides with the fluorine resin plate 211 insoluble in such strong acid. The fluorine resin plate 211 may be coated with a fluorine resin on the surface of the stainless plate. In addition, the fluorine resin plate 211 may be coated with a fluorine resin on various metal plates.

그러나, 불소수지판(211)은 열전도율이 좋지 않다. 따라서, 열전도율이 좋으면서 황산이나 질산에 녹지 않는 소재인 그래파이트나 CVD-SiC를 커버부재(22)로 이용하였다. CVD-SiC는 흑연(Graphite)에 화학적 기상증착법(Chemical Vapor Deposition)으로 SiC를 코팅처리한 것이다. However, the fluorine resin plate 211 has a poor thermal conductivity. Therefore, graphite or CVD-SiC, which is a material having good thermal conductivity and insoluble in sulfuric acid or nitric acid, was used as the cover member 22. CVD-SiC is a coating of SiC on graphite by Chemical Vapor Deposition.

그래파이트나 CVD-SiC는 불소수지판(211) 보다는 열전도율이 좋다. 한편, 그래파이트나 CVD-SiC 소재의 커버부재(22)는 외부충격에 약하다. 따라서, 커버부재(22)를 보호하기 위하여 보호판(23)이 커버부재(22)에 적층되어 있다. 커버부재(22)는 황산이나 질산 등과 같은 물질에 내화학성이 있는 재질이면 다른 것을 사용하여도 무방하다.Graphite or CVD-SiC has better thermal conductivity than the fluorine resin plate 211. On the other hand, the cover member 22 of graphite or CVD-SiC material is weak to external impact. Therefore, the protective plate 23 is laminated on the cover member 22 to protect the cover member 22. The cover member 22 may be used as long as it is a material having chemical resistance to a substance such as sulfuric acid or nitric acid.

보호판(23)는 열전도성이 좋은 재질이어야 하며, 알루미늄 소재를 사용하는 것이 좋다. 보호판(23)에는 냉각가열모듈(미도시)이 결합된다. 보호판(23)은 커버부재(22)를 외부 충격으로부터 보호하는 역할을 한다. 따라서, 알루미늄뿐만 아니라, 높은 열전도율을 가진 재료를 사용할 수도 있다.
Protective plate 23 should be made of a good thermal conductivity, it is preferable to use an aluminum material. The protection plate 23 is coupled to a cooling heating module (not shown). The protective plate 23 serves to protect the cover member 22 from external impact. Therefore, not only aluminum but also a material with high thermal conductivity can be used.

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치(20)는 챔버(21)를 기준으로 양측으로 대칭적인 구조이다.
The semiconductor processing liquid cooling heating apparatus 20 of this embodiment has a symmetrical structure on both sides with respect to the chamber 21.

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치(20)는 챔버(21)의 내부는 절반으로 구획되어 있다. 반도체 처리액은 구획된 공간을 흐른다. 아울러, 반도체 처리액은 와류를 일으키면서 흐르기 때문에, 챔버(21) 중심에 있는 반도체 처리액과 커버부재(22)에 인접한 반도체 처리액의 위치가 수시로 바뀌어 열교환이 잘 일어난다.
In the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus 20 of this embodiment, the inside of the chamber 21 is divided into half. The semiconductor processing liquid flows through the partitioned space. In addition, since the semiconductor processing liquid flows while causing the vortex, the positions of the semiconductor processing liquid in the center of the chamber 21 and the semiconductor processing liquid adjacent to the cover member 22 are frequently changed, so that heat exchange occurs well.

도 3과 같이, 반도체 처리액은 유입관(26)을 통하여 유입되어, 붉은색 선으로 이루어진 경로를 따라 최종적으로 유출관(27)을 통해서 유출된다. 도 3의 사시도는 챔버(21) 내부의 한쪽면만 보여지나, 보이지 않는 반대면도 대칭적인 형상을 이룬다.
As shown in FIG. 3, the semiconductor processing liquid flows in through the inflow pipe 26, and finally flows out through the outflow pipe 27 along a path formed of a red line. 3 shows only one side of the inside of the chamber 21, but the opposite side of the chamber 21 also has a symmetrical shape.

챔버(21)의 중심부에는 중심판(24)이 결합된다. 중심판(24)의 가장자리는 불소수지판(211)과 결합된다. 아울러, 가로판(25)은 중심판(24)과 교차되도록 결합된다. 가로판(25)의 가장자리는 커버부재(22)에 밀착된다. 가로판(25)은 복수로 이루어지며, 서로 이격되어 배치된다. 가로판(25)의 말단부에는 관통홀(251)이 형성되어 있다. 서로 이웃하는 가로판(25)의 관통홀(251)은 서로 지그재그 형태로 배치된다. 한편, 중심판(24)도 조립이 가능한 형태의 구조일 수 있다.The center plate 24 is coupled to the center of the chamber 21. The edge of the center plate 24 is combined with the fluororesin plate 211. In addition, the horizontal plate 25 is coupled to intersect the center plate 24. The edge of the horizontal plate 25 is in close contact with the cover member 22. Horizontal plate 25 is made of a plurality, are spaced apart from each other. The through hole 251 is formed at the distal end of the horizontal plate 25. The through holes 251 of the horizontal plates 25 adjacent to each other are arranged in a zigzag form. On the other hand, the center plate 24 may also be of a structure that can be assembled.

유입관(26)을 통하여 유입된 반도체 처리액은 하단에 있는 가로판의 하부를 채운후, 관통홀(241)을 통하여 상부로 이동한다. 따라서, 도 3의 붉은색 화살표와 같은 형태로 반도체 처리액은 흐르게 된다.
The semiconductor processing liquid introduced through the inflow pipe 26 fills the lower portion of the horizontal plate at the bottom and then moves upward through the through hole 241. Therefore, the semiconductor processing liquid flows in the form of a red arrow in FIG. 3.

이때, 반도체 처리액이 흐르는 경로상의 중심판(24)에 와류홀(241)을 복수로 형성하여, 와류홀(241)을 지나는 반도체 처리액에 와류가 일어나도록 한다. 그 결과, 중심판(24)에 인접해 있던 반도체 처리액이 커버부재(22)로 이동하게 되고, 커버부재(22)에 인접해 있던 반도체 처리액은 다시 중심판(24)으로 이동이 일어난다. 결과적으로, 커버부재(22)를 통하여 열교환이 골고루 잘 일어나게 된다.
At this time, a plurality of vortex holes 241 are formed in the center plate 24 on the path through which the semiconductor processing liquid flows, so that vortices occur in the semiconductor processing liquid passing through the vortex hole 241. As a result, the semiconductor processing liquid adjacent to the center plate 24 moves to the cover member 22, and the semiconductor processing liquid adjacent to the cover member 22 again moves to the center plate 24. As a result, heat exchange occurs evenly through the cover member 22.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부에 중심판과 가로판이 결합된 형태)이며, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부에 중심판과 가로판이 분리된 형태)이며,도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 일부분의 분리 사시도이다. 본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치는 도 2내지 도 4의 반도체 처리액 냉각가열장치(20)의 구조와 거의 동일하다. 아울러, 대응되는 구성은 그 기능도 동일하다. 따라서, 차이점 위주로 설명한다.
FIG. 5 is a perspective view of a chamber of a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to another embodiment of the present invention, in which a center plate and a horizontal plate are coupled to each other, and FIG. 6 is a semiconductor processing liquid according to another embodiment of the present invention. A perspective view of a chamber of a cooling heating device (in which a center plate and a horizontal plate are separated inside a chamber), and FIG. 7 is an exploded perspective view of a portion of a semiconductor processing liquid cooling heating device according to another embodiment of the present invention. The semiconductor processing liquid cooling heating apparatus of this embodiment is almost the same as the structure of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus 20 of FIGS. In addition, the corresponding structure is also the same function. Therefore, the explanation will be mainly focused on differences.

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치는 챔버(31)의 중심부에 위치하는 중심판(34)에 복수의 와류리브(341)가 돌출되어 형성되어 있다. 와류리브(341)는 반도체 처리액의 흐름을 차단하지는 않는다. 단지, 반도체 처리액의 흐름을 방해하는 장애물 역할을 하며, 흐르는 반도체 처리액이 와류리브(341)에 부딛쳐 와류가 일어나도록 한다. 그 결과, 중심판(34)에 있는 반도체 처리액을 커버부재 방향으로 이동하게 한다. 즉, 와류리브(341)로 인하여, 반도체 처리액의 열교환이 잘 일어나게 된다.In the semiconductor processing liquid cooling heating device of the present embodiment, a plurality of vortex ribs 341 protrude from the center plate 34 positioned at the center of the chamber 31. Vortex ribs 341 do not block the flow of the semiconductor processing liquid. However, it serves as an obstacle for preventing the flow of the semiconductor processing liquid, and the flowing semiconductor processing liquid strikes the vortex rib 341 to cause vortex. As a result, the semiconductor processing liquid in the center plate 34 is caused to move in the direction of the cover member. That is, due to the vortex ribs 341, heat exchange of the semiconductor processing liquid occurs well.

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치의 경우도, 복수의 가로판(35)이 이격되어 배치되어 있고, 지그재그로 배치된 관통홀(351)을 따라 반도체 처리액이 흐른다. 이때, 와류리브(341)에 의해서 와류가 일어난다.
Also in the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus of this embodiment, the plurality of horizontal plates 35 are spaced apart from each other, and the semiconductor processing liquid flows along the through holes 351 arranged in a zigzag. At this time, the vortex is caused by the vortex rib 341.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부의 가로판이 결합된 상태)이며, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 처리액 냉각가열장치의 챔버의 사시도(챔버 내부의 가로판이 분리된 상태)이다.8 is a perspective view of a chamber of a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus according to another embodiment of the present invention (a state in which a horizontal plate is coupled inside the chamber), and FIG. 9 is a semiconductor processing liquid cooling according to another embodiment of the present invention. It is a perspective view of the chamber of a heating apparatus (the horizontal board inside a chamber was isolate | separated).

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치는 도 2내지 도 4의 반도체 처리액 냉각가열장치(20)의 구조와 거의 동일하다. 아울러, 대응되는 구성은 그 기능도 동일하다. 따라서, 차이점 위주로 설명한다.
The semiconductor processing liquid cooling heating apparatus of this embodiment is almost the same as the structure of the semiconductor processing liquid cooling heating apparatus 20 of FIGS. In addition, the corresponding structure is also the same function. Therefore, the explanation will be mainly focused on differences.

본 실시예의 반도체 처리액 냉각가열장치는 챔버(41)를 가로로 구획하는 복수의 가로판(45)이 배치되어 있다. 가로판(45)에는 와류리브(441)가 돌출되어 있다. 와류리브(441)는 반도체 처리액의 흐름을 차단하지는 않는다. 단지, 반도체 처리액의 흐름을 방해하는 장애물 역할을 하며, 흐르는 반도체 처리액이 와류리브(441)에 부딛쳐 와류가 일어나도록 한다. 그 결과, 중심부를 흐르는 반도체 처리액을 커버부재 방향으로 이동하게 한다. 즉, 와류리브(441)로 인하여, 반도체 처리액의 열교환이 잘 일어나게 된다.In the semiconductor processing liquid cooling heating device of the present embodiment, a plurality of horizontal plates 45 for horizontally partitioning the chamber 41 are arranged. Vortex ribs 441 protrude from the horizontal plate 45. The vortex ribs 441 do not block the flow of the semiconductor processing liquid. However, it serves as an obstacle for preventing the flow of the semiconductor processing liquid, and the flowing semiconductor processing liquid strikes the vortex rib 441 to cause the vortex to occur. As a result, the semiconductor processing liquid flowing through the central portion is moved in the direction of the cover member. That is, due to the vortex rib 441, heat exchange of the semiconductor processing liquid occurs well.

복수의 가로판(45)은 이격되어 배치되어 있고, 지그재그로 배치된 관통홀(451)을 따라 반도체 처리액이 흐른다. 이때, 와류리브(441)에 의해서 와류가 일어난다.
The plurality of horizontal plates 45 are spaced apart from each other, and the semiconductor processing liquid flows along the through holes 451 arranged in zigzag. At this time, the vortex is caused by the vortex rib 441.

이상에서 본 발명의 실시예에 대해서 상세히 설명하였으나, 이는 하나의 실시예에 불과하며, 이로써 본 발명의 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다. 본 실시예를 바탕으로 균등한 범위까지 당업자가 변형 및 추가하는 범위도 본 발명의 권리범위에 속한다 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Modifications and additions by those skilled in the art to an equivalent range based on the embodiments will also fall within the scope of the present invention.

반도체 처리액 냉각가열장치(20) 불소수지판(211)
챔버(21) 커버부재(22)
보호판(23) 중심판(24)
가로판(25) 와류홀(241)
Semiconductor Treatment Liquid Cooling Heating Device (20) Fluorine Resin Plate (211)
Chamber 21, Cover member 22
Protective Plate (23) Center Plate (24)
Horizontal plate (25) Vortex hole (241)

Claims (3)

삭제delete 불소수지판으로 사방이 막혀있는 챔버와;
오픈된 상기 챔버의 양면을 각각 커버하는 커버부재와;
상기 커버부재에 각각 적층된 보호판과;
상기 보호판 각각에 결합된 냉각가열모듈과;
상기 챔버의 중심부에 위치하며, 가장자리가 상기 불소수지판과 결합되어 상기 챔버를 공간적으로 나누는 중심판과;
상기 중심판과 교차되어 상기 챔버를 구획하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 가로판을 포함하되,
상기 복수의 가로판에는 관통홀이 각각 형성되어 있으며, 상기 관통홀은 서로 지그재그로 위치하며, 상기 중심판에는 와류리브가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 냉각가열장치.
A chamber in which all sides are blocked by a fluorine resin plate;
A cover member respectively covering both sides of the open chamber;
Protective plates laminated on the cover members, respectively;
A cooling heating module coupled to each of the protective plates;
A center plate positioned at the center of the chamber and having an edge coupled to the fluororesin plate to spatially divide the chamber;
And a plurality of horizontal plates arranged to be spaced apart from each other and to partition the chamber by crossing the center plate,
The through-holes are formed in the plurality of horizontal plates, respectively, and the through-holes are located in a zigzag pattern, and the central plate has a vortex rib formed therein.
불소수지판으로 사방이 막혀있는 챔버와;
오픈된 상기 챔버의 양면을 각각 커버하는 커버부재와;
상기 커버부재에 각각 적층된 보호판과;
상기 보호판 각각에 결합된 냉각가열모듈과;
상기 챔버의 중심부에 위치하며, 가장자리가 상기 불소수지판과 결합되어 상기 챔버를 공간적으로 나누는 중심판과;
상기 중심판과 교차되어 상기 챔버를 구획하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 가로판을 포함하되,
상기 복수의 가로판에는 관통홀이 각각 형성되어 있으며, 상기 관통홀은 서로 지그재그로 위치하며, 상기 중심판에는 와류홀이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 냉각가열장치.


 A chamber in which all sides are blocked by a fluorine resin plate;
A cover member respectively covering both sides of the open chamber;
Protective plates laminated on the cover members, respectively;
A cooling heating module coupled to each of the protective plates;
A center plate positioned at the center of the chamber and having an edge coupled to the fluororesin plate to spatially divide the chamber;
And a plurality of horizontal plates arranged to be spaced apart from each other and to partition the chamber by crossing the center plate,
The through-holes are formed in the plurality of horizontal plates, respectively, the through-holes are zigzag each other, the center plate is a semiconductor processing liquid cooling heating apparatus characterized in that the vortex holes are formed.
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