KR101325531B1 - 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법 - Google Patents

오엘이디 모듈 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101325531B1
KR101325531B1 KR1020120093405A KR20120093405A KR101325531B1 KR 101325531 B1 KR101325531 B1 KR 101325531B1 KR 1020120093405 A KR1020120093405 A KR 1020120093405A KR 20120093405 A KR20120093405 A KR 20120093405A KR 101325531 B1 KR101325531 B1 KR 101325531B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
layer
odl
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020120093405A
Other languages
English (en)
Inventor
서정현
주성후
Original Assignee
대진대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 대진대학교 산학협력단 filed Critical 대진대학교 산학협력단
Priority to KR1020120093405A priority Critical patent/KR101325531B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101325531B1 publication Critical patent/KR101325531B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31058—After-treatment of organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법에 관한 것으로서 투명기판과, 투명기판 상에 형성된 투명한 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 일측을 노출시키고 타측을 측면을 포함하여 덮으면서 가운데 부분을 발광 모양으로 노출시키도록 형성된 절연층과, 상기 제 1 전극 상의 상기 발광 모양으로 노출된 부분에 형성된 적어도 발광층을 포함하는 유기물층과, 상기 절연층 상에 상기 유기물층을 덮으며 인접하는 화소의 상기 제 1 전극 일측의 노출된 부분과 접촉되게 형성된 제 2 전극을 포함으로 이루어진 N(N은 자연수)개의 오엘이디가 직렬로 연결되어 교류 전원에 의해 구동되게 구성된다. 따라서, 교류 전압으로 동작하므로 별도의 교류/직류 변환장치(AC-DC Converter)가 필요하지 않게 되어 제조 원가가 감소될 뿐만 아니라 구동시 소비 전력을 감소시킬 수 있다.

Description

오엘이디 모듈 및 그의 제조방법{OLED MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명은 조명장치로 사용할 수 있는 오엘이디 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 오엘이디(OLED : Organic Light Emitting Diode)는 LCD(Liquid Crystal Display)와 달리 자체 발광이 가능하며 낮은 전압에서 구동이 가능하고 얇은 박형으로 만들 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각과 빠른 응답 속도를 가지므로 차세대 디스플레이 소자로 각광받고 있다. 또한, 오엘이디는 소비 전력이 적으면서 자연광에 가까운 빛을 발광하므로 최근에는 조명 장치에 사용하기 위한 연구 개발이 진행되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 일반적인 오엘이디의 단면도이다.
오엘이디는 투명 기판(1) 상에 양의 전극(2)이 형성되고, 이 양의 전극(2) 상에 유기물층(3)이 형성된다. 그리고, 유기물층(3) 상에 음의 전극(4)이 형성된다. 상기에서 유기물층(3)은 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 발생하는 발광층(Light emitting layer)이 포함되어야 하는데, 이 발광층의 발광 효율을 향상시키기 위하여 양의 전극(2) 측에 정공주입층(Hole Injection Layer) 및 정공수송층(Hole Transport Layer)이, 그리고, 음의 전극(4) 측에 전자수송층(Electron Transport Layer) 및 전자주입층(Electron Injection Layer)이 순차적으로 형성될 수 있다.
상기에서 양의 전극(2)에 (+) 전압을 인가하고 음의 전극(4)에 (-)전압을 인가하면 유기물층(3)을 구성하는 발광층에서 빛이 발생하여 투명 기판(1)을 통해 외부로 빛을 방출한다. 즉, 양의 전극(2) 및 음의 전극(4) 각각에 인가되는 (+) 및 (-) 전압에 의해 정공주입층 및 정공수송층과 전자수송층 및 전자주입층을 통해 발광층에 각각 정공 및 전자가 주입되며, 이 발광층에서 주입된 정공과 전자가 재결합되어 빛이 발생된다. 발광층에서 발생된 빛은 투명 기판(1)을 통해 외부로 방출되어 주위를 조명하게 된다.
상술한 구조의 오엘이디의 다수 개로 이루어진 조명용으로 사용되는 오엘이디 모듈은 직류 전압에 의해 구동된다. 즉, 조명용으로 사용되는 오엘이디 모듈은 외부에서 입력되는 상용 전원인 교류(AC) 110/220V가 교류/직류 변환장치(AC-DC Converter)를 포함하는 직류 전압 공급부에 의해 변환되어 공급되는 수 볼트의 직류(DC) 전압으로 구동된다.
그러나, 종래 기술에 따른 조명용으로 사용되는 오엘이디 모듈은 직류 전압 공급부가 필요하므로 제조 원가가 증가되는 문제점이 있었다. 또한, 외부로 부터 입력되는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하여 공급하는 직류 전압 공급부를 구동하여야 하므로 소비 전력이 증가되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 교류 전압으로 동작할 수 있는 조명용으로 사용되는 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 제조 원가가 감소되는 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 구동시 소비 전력을 감소시킬 수 있는 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 오엘이디 모듈은 투명기판과, 투명기판 상에 형성된 투명한 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 일측을 노출시키고 타측을 측면을 포함하여 덮으면서 가운데 부분을 발광 모양으로 노출시키도록 형성된 절연층과, 상기 제 1 전극 상의 상기 발광 모양으로 노출된 부분에 형성된 적어도 발광층을 포함하는 유기물층과, 상기 절연층 상에 상기 유기물층을 덮으며 인접하는 화소의 상기 제 1 전극 일측의 노출된 부분과 접촉되게 형성된 제 2 전극을 포함으로 이루어진 N(N은 자연수)개의 오엘이디가 직렬로 연결되어 교류 전원에 의해 구동되게 구성된다.
상기에서 오엘이디의 양측 끝단에 전기적으로 연결된 브리지 정류기를 더 포함한다.
상기에서 브리지 정류기가 상기 투명기판 상에 형성된다.
상기에서 브리지 정류기가 칩 형태 또는 박막 형태로 별도로 제작되어 상기 투명기판 상에 부착되고 도전성(導電性) 접착제를 사용하여 상기 양측 끝단의 오엘이디와 전기적으로 연결된다.
상기에서 브리지 정류기가 상기 N개의 오엘이디와 함께 제조되는 별도의 오엘이디로 형성된다.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 오엘이디 모듈의 제조방법은 투명기판 상에 형성된 투명 전도성 물질로 N(N은 자연수)개의 제 1 전극을 형성하는 공정과, 상기 N개의 제 1 전극 상의 각각에 일측을 노출하고 타측을 측면을 포함하여 덮으면서 가운데 부분을 발광 모양으로 노출하는 절연층을 형성하는 공정과, 상기 발광 모양을 형성하기 위해 상기 N개의 제 1 전극 상의 각각 노출된 부분에 형성된 적어도 발광층을 포함하는 유기물층을 형성하는 공정과, 상기 절연층 상에 상기 유기물층을 덮으며 인접하는 화소의 상기 제 1 전극 일측의 노출된 부분과 접촉되는 제 2 전극을 형성한다.
상기에서 제 1 전극을 ITO, TO, IZO, ZO, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)의 투명 전도성 물질로 형성한다.
상기에서 절연층을 포토레지스트 및 폴리이미드의 유기물질 중 어느 하나, 또는, 산화실리콘 및 질화실리콘의 무기물질 중 어느 하나로 형성한다.
상기에서 유기물층을 상기 제 1 전극 상의 상기 발광 모양을 형성하기 위해 상기 절연층에 의해 노출된 부분을 노출시키는 쉐도우 마스크(shadow mask)을 사용하고 진공 증착하여 형성한다.
따라서, 본 발명에 따른 오엘이디 모듈은 교류 전압으로 동작하므로 별도의 교류/직류 변환장치(AC-DC Converter)가 필요하지 않게 되어 제조 원가가 감소될 뿐만 아니라 구동시 소비 전력을 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 오엘이디의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 오엘이디 모듈의 단면도.
도 3은 도 2의 등가 회로도.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 오엘이디 모듈의 등가 회로도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시 예에 따른 오엘이디 모듈의 제조 공정도.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 오엘이디 모듈의 단면도이고, 도 3은 도 2의 등가 회로도이다.
본 발명의 실시 예에 따른 오엘이디 모듈은 투명기판(11), 제 1 전극(13), 절연층(15), 유기물층(17) 및 제 2 전극(19)으로 이루어져 단위 화소를 구성하는 N(N은 자연수)개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)가 직렬로 연결된다.
상기에서 투명기판(11)은 폴리이미드(Polyimide), 페트(Polyethylene Terephthalate) 또는 폴리카보네이트(Polycarbonate) 등의 잘 휘어지도록 연성을 갖는 투명한 합성수지로 100 ∼ 200㎛ 정도의 두께로 형성된다. 상기에서 투명기판(11)은 0.5 ∼ 0.7㎜ 정도의 두께를 갖는 유리로 형성될 수도 있다.
제 1 전극(13)은 투명기판(11) 상에 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZO(Zinc Oxide), CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene) 등의 투명 전도성 물질로 0.05 ∼ 1㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기에서 제 1 전극(13)은 화소를 구성하는 오엘이디가 N개의 화소로 이루어진 모듈을 구성하기 위해 N개가 형성된다.
절연층(15)은 포토레지스트 및 폴리이미드 등의 유기물질 중 어느 하나, 또는, 산화실리콘 및 질화실리콘 등의 무기물질 중 어느 하나로 제 1 전극(13) 상에 발광 모양을 형성하도록 0.3 ∼ 2.5㎛ 정도의 두께로 형성된다. 상기에서 절연층(15)은 제 1 전극(13) 상에 발광 모양을 형성하기 위해 이 제 1 전극(13)의 가운데 부분을 노출시키도록 형성된다. 또한, 절연층(15)은 제 1 전극(13)의 일측이 노출되고 타측이 측면을 포함하여 노출되지 않도록 형성된다.
유기물층(17)은 제 1 전극(13) 상의 발광 모양을 형성하기 위해 노출된 부분 상에 형성된다. 상기에서 유기물층(17)은 적어도 발광층을 포함하며 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함할 수 있다. 상기에서 제 1 전극(13)이 양의 전극인 경우 유기물층(17)을 구성하는 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층이 순차적으로 적층되어 형성된다. 유기물층(17)은 TPD, PBD, m-MTDATA 또는 TCTA 등으로 형성될 수 있다.
제 2 전극(19)은 유기물층(17)을 덮도록 절연층(15) 상에 알루미늄, 구리, 금, 은 및 불소화리듐(LiF) 중에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 합금으로 0.05 ∼ 0.4㎛ 정도의 두께로 형성된다. 상기에서 첫 번째 내지 N-1 번째의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1)를 구성하는 제 2 전극(19)은 각각 타측에 인접되는 두 번째 내지 N 번째의 오엘이디(10-2, 10-3 … 10-N)를 구성하는 제 1 전극(13)의 노출된 일측과 접촉되게 형성된다. 상기에서 절연층(15)은 제 2 전극(19)이 동일한 화소를 이루는 제 1 전극(13)과 접촉되어 전기적으로 단락되는 것을 방지한다.
상기에서 제 1 전극(13)이 양의 전극이면 제 2 전극(19)은 음의 전극이 되는 것으로 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 각각 단위 화소를 이루는 것으로 직렬로 연결되어 모듈을 이룬다.
상술한 구성의 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 제 1 전극(13)과 제 2 전극(19) 양단에 연결된 교류 전원(21)으로 부터 교류 전원이 양(+) 전압의 어느 방향으로 인가되면 제 1 전극(13)과 제 2 전극(19)을 통해 정공 및 전자가 유기물층(17)에 각각 주입된다. 상기에서 제 1 전극(13)과 제 2 전극(19)을 통해 유기물층(17)에 각각 주입된 정공과 전자는 발광층(도시되지 않음)에서 재결합하여 빛을 발광한다. 발광층에서 발광된 빛은 제 1 전극(13) 및 투명기판(11)을 통해 외부로 방출되어 주변을 조명한다.
상기에서 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 교류 전압으로 동작하므로 별도의 교류/직류 변환장치(AC-DC Converter)가 필요하지 않게 되어 제조 원가가 감소될 뿐만 아니라 구동시 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명에 따른 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)가 직렬로 연결된 모듈의 등가 회로도이다.
본 발명의 실시 예에 따른 각각 단위 화소를 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 직렬 연결되어 모듈을 구성하며 교류 전압에 의해 구동된다. 즉, 첫 번째 오엘이디(10-1)의 제 1 전극(13)과 N 번째 오엘이디(10-N)의 제 2 전극(19)은 교류 110V 또는 교류 220V의 교류 전원(21)에 직접 연결되어 구동된다. 상기에서 모듈을 이루는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 교류 전원(21)의 양(+) 전압과 음(-) 전압이 교호하여 인가되도록 직렬로 연결된다.
상기에서 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 순방향 바이어스일 때, 즉, 첫 번째 오엘이디(10-1)의 제 1 전극(13)과 N 번째 오엘이디(10-N)의 제 2 전극(19)에 교류 전원(21)의 양(+) 전압과 음(-) 전압이 각각 인가될 때 유기물층(17)의 발광층에서 전자와 정공의 재결합에 의해 발광한다. 그러나, 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 역방향 바이어스일 때, 즉, 첫 번째 오엘이디(10-1)의 제 1 전극(13)과 N 번째 오엘이디(10-N)의 제 2 전극(19)에 교류 전원(21)의 음(-) 전압과 양(+) 전압이 각각 인가될 때 유기물층(17)의 발광층에서 전자와 정공의 재결합이 이루어지지 않으므로 발광하지 않는다. 상기에서 유기물층(17)의 발광층에서 발광 모양을 갖고 발광된 광은 투명한 제 1 전극(13)과 투명기판(11)을 투과하여 외부로 방출된다.
상기에서 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N) 각각은 동일한 전압에 의해 구동되어 유기물층(17)을 구성하는 발광층에서 균일한 휘도의 광을 발광한다. 즉, N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)로 구성된 모듈에 교류 전압을 인가하면 첫 번째 오엘이디(10-1)의 제 1 전극(13)을 통해 주입되는 정공은 제 2 전극(19)을 통해 주입되는 전자와 유기물층(17)을 구성하는 발광층에서 모두 재결합되지 않고 제 2 전극(19)을 통해 두 번째 오엘이디(10-2)의 제 1 전극(13)에 전압이 인가된다.
상기에서 두 번째 오엘이디(10-2)의 제 1 전극(13)에 인가되는 전압은 첫 번째 오엘이디(10-1)의 구동 전압 만큼 강하된 전압이 인가된다. 상기에서 이러한 동작은 나머지 오엘이디(10-3 … 10-N-1, 10-N)에서도 발생된다. 그러므로, 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N) 각각은 유기물층(17)을 구성하는 발광층에서 균일한 휘도의 광을 방출한다.
상기에서 직렬로 연결되는 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)의 갯수는 교류 전원(21)으로 부터 인가되는 교류 전압의 세기에 따라 비례될 수 있다. 즉, 직렬로 연결되는 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)의 갯수는 교류 전원(21)으로 부터 교류 110V이 인가될 때 보다 교류 220V가 인가되면 2배가 증가될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 오엘이디 모듈의 등가 회로도이다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 오엘이디 모듈은 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)과 교류 전원(21) 사이에 브리지 정류기(23)가 연결된다. 상기에서 브리지 정류기(23)는 교류 전원(21)에서 인가되는 교류 전압이 양(+) 전압 또는 음(-) 전압의 어느 방향으로 인가되어도 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)에는 항상 양(+) 전압이 인가된다. 그러므로, 오엘이디 모듈은 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 교류 전원(21)으로 부터 어떠한 극성의 전압이 인가되어도 항상 점등된다.
상기에서 브리지 정류기(23)는 오엘이디 모듈을 구성하는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)와 함께 투명기판(11) 상에 형성된다. 브리지 정류기(23)는 칩 형태 또는 박막 형태로 별도로 제작되어 투명기판(11) 상에 부착한 후 도전성(導電性) 접착제를 사용하여 양 끝단의 오엘이디(10-1)(10-N)와 전기적으로 연결할 수 있다. 또한, 브리지 정류기(23)는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)와 함께 제조되는 별도의 오엘이디로 형성될 수도 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시 예에 따른 오엘이디 모듈의 제조 공정도이다.
도 5a를 참조하면, 투명기판(11) 상에 제 1 전극(13)을 형성한다. 상기에서 제 1 전극(13)은 투명기판(11) 상에 ITO, TO, IZO, ZO, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene) 등의 투명 전도성 물질을 진공증착, 화학기상증착법(Chemical Vapour Deposition) 또는 스퍼터링 등의 방법으로 0.05 ∼ 1㎛ 정도의 두께를 갖도록 증착하고 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 형성한다. 상기에서 제 1 전극(13)은 N개의 화소를 갖는 모듈을 구성하기 위해 N개가 형성된다.
도 5b를 참조하면, 투명기판(11) 및 제 1 전극(13) 상에 절연층(15)을 형성한다. 상기에서 절연층(15)은 포토레지스트 및 폴리이미드 등의 유기물질 중 어느 하나, 또는, 산화실리콘 및 질화실리콘 등의 무기물질 중 어느 하나로 제 1 전극(13) 상에 발광 모양을 갖도록 패터닝되어 0.3 ∼ 2.5㎛ 정도의 두께로 형성한다.
상기에서 절연층(15)을 투명기판(11) 상에 포토레지스트 및 폴리이미드 등의 유기물질 중 어느 하나를 도포하거나, 또는, 산화실리콘 및 질화실리콘 등의 무기물질 중 어느 하나를 화학기상증착 방법으로 증착한 후 패터닝하여 형성할 수 있다. 절연층(15)을 포토레지스트 및 폴리이미드 등의 유기물질 중 어느 하나로 형성하는 경우 도포된 유기물질을 마스크를 사용하여 노광한 후 세정하여 형성할 수 있다. 또한, 절연층(15)을 산화실리콘 및 질화실리콘 등의 무기물질 중 어느 하나로 형성하는 경우 증착된 무기물질을 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 형성할 수 있다.
절연층(15)은 발광 모양을 형성하기 위해 이 제 1 전극(13)의 가운데 부분을 노출시키도록 형성된다. 또한, 절연층(15)은 제 1 전극(13)의 일측이 노출되고 타측이 측면을 포함하여 노출되지 않도록 형성된다.
도 5c를 참조하면, 제 1 전극(13) 상의 각각에 발광 모양을 형성하기 위해 절연층(15)에 의해 노출된 가운데 부분에 유기물층(17)을 형성한다. 유기물층(17)을 TPD, PBD, m-MTDATA 또는 TCTA 등으로 형성할 수 있는데, 이 유기물층(17)은 적어도 발광층을 포함하며 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함할 수 있다.
상기에서 유기물층(17)을 진공 증착 방법으로 형성할 수 있는데, 이 유기물층(17)을 형성하기 위한 진공 증착시 제 1 전극(13) 상의 발광 모양을 형성하기 위해 절연층(15)에 의해 노출된 부분을 노출시키는 쉐도우 마스크(shadow mask : 도시되지 않음)을 사용한다. 이에 의해, 유기물층(17)을 제 1 전극(13) 상의 발광 모양을 형성하기 위해 절연층(15)에 의해 노출된 가운데 부분에만 형성할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 유기물층(17)을 덮도록 절연층(15) 상에 N개의 제 2 전극(19)을 형성한다. 상기에서 제 2 전극(19) 각각을 투명기판(11) 상에 절연층(15) 및 유기물층(17)을 덮으면서 제 1 전극(13)의 일측의 노출된 부분과 접촉되게 알루미늄, 구리, 금, 은 및 불소화리듐(LiF) 중에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 합금을 진공증착, 화학기상증착법(Chemical Vapour Deposition) 또는 스퍼터링 등의 방법으로 0.05 ∼ 0.4㎛ 정도의 두께를 갖도록 증착하고 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 형성한다. 이 때, 제 2 전극(19)을 타측에 인접되는 화소의 제 1 전극(13)의 노출된 일측과 접촉되게 형성한다. 그러므로, 각각의 화소가 되는 N개의 오엘이디(10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N)는 직렬로 연결된다.
상기에서 설명한 바와 같이 본 발명은 실시 예에 불과한 것으로, 본 발명은 상술한 실시 예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
10-1, 10-2, 10-3 … 10-N-1, 10-N : 오엘이디
11 : 투명기판 13 : 제 1 전극
15 : 절연층 17 : 유기물층
19 : 제 2 전극 21 : 교류 전원
23 : 브리지 정류기

Claims (9)

  1. 투명기판과,
    투명기판 상에 형성된 투명한 제 1 전극과,
    상기 제 1 전극 상에 일측을 노출시키고 타측을 측면을 포함하여 덮으면서 가운데 부분을 발광 모양으로 노출시키도록 형성된 절연층과,
    상기 제 1 전극 상의 상기 발광 모양으로 노출된 부분에 형성된 적어도 발광층을 포함하는 유기물층과,
    상기 절연층 상에 상기 유기물층을 덮으며 인접하는 화소의 상기 제 1 전극 일측의 노출된 부분과 접촉되게 형성된 제 2 전극을 포함으로 이루어진 N(N은 자연수)개의 오엘이디가 직렬로 연결되어 교류 전원에 의해 구동되게 구성된 오엘이디 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서 상기 오엘이디의 양측 끝단에 전기적으로 연결된 브리지 정류기를 더 포함하는 오엘이디 모듈.
  3. 청구항 2에 있어서 상기 브리지 정류기가 상기 투명기판 상에 형성되는 오엘이디 모듈.
  4. 청구항 3에 있어서 상기 브리지 정류기가 칩 형태 또는 박막 형태로 별도로 제작되어 상기 투명기판 상에 부착되고 도전성(導電性) 접착제를 사용하여 상기 양측 끝단의 오엘이디와 전기적으로 연결되는 오엘이디 모듈.
  5. 청구항 3에 있어서 상기 브리지 정류기가 상기 N개의 오엘이디와 함께 제조되는 별도의 오엘이디로 형성되는 오엘이디 모듈.
  6. 투명기판 상에 형성된 투명 전도성 물질로 N(N은 자연수)개의 제 1 전극을 형성하는 공정과,
    상기 N개의 제 1 전극 상의 각각에 일측을 노출하고 타측을 측면을 포함하여 덮으면서 가운데 부분을 발광 모양으로 노출하는 절연층을 형성하는 공정과,
    상기 발광 모양을 형성하기 위해 상기 N개의 제 1 전극 상의 각각 노출된 부분에 형성된 적어도 발광층을 포함하는 유기물층을 형성하는 공정과,
    상기 절연층 상에 상기 유기물층을 덮으며 인접하는 화소의 상기 제 1 전극 일측의 노출된 부분과 접촉되는 제 2 전극을 형성하는 오엘이디 모듈의 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서 상기 제 1 전극을 ITO, TO, IZO, ZO, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(graphene)의 투명 전도성 물질로 형성하는 오엘이디 모듈의 제조방법.
  8. 청구항 6에 있어서 상기 절연층을 포토레지스트 및 폴리이미드의 유기물질 중 어느 하나, 또는, 산화실리콘 및 질화실리콘의 무기물질 중 어느 하나로 형성하는 오엘이디 모듈의 제조방법.
  9. 청구항 6에 있어서 유기물층을 상기 제 1 전극 상의 상기 발광 모양을 형성하기 위해 상기 절연층에 의해 노출된 부분을 노출시키는 쉐도우 마스크(shadow mask)을 사용하고 진공 증착하여 형성하는 오엘이디 모듈의 제조방법.
KR1020120093405A 2012-08-27 2012-08-27 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법 KR101325531B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120093405A KR101325531B1 (ko) 2012-08-27 2012-08-27 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120093405A KR101325531B1 (ko) 2012-08-27 2012-08-27 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101325531B1 true KR101325531B1 (ko) 2013-11-07

Family

ID=49856787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120093405A KR101325531B1 (ko) 2012-08-27 2012-08-27 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101325531B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060020089A (ko) * 2004-08-31 2006-03-06 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자
KR100635346B1 (ko) 2005-11-15 2006-10-18 서울옵토디바이스주식회사 색변환 물질층을 갖는 교류용 발광 다이오드 칩 및 그것을제조하는 방법
JP2009181752A (ja) 2008-01-29 2009-08-13 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌデバイス
JP2009295487A (ja) 2008-06-06 2009-12-17 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060020089A (ko) * 2004-08-31 2006-03-06 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자
KR100635346B1 (ko) 2005-11-15 2006-10-18 서울옵토디바이스주식회사 색변환 물질층을 갖는 교류용 발광 다이오드 칩 및 그것을제조하는 방법
JP2009181752A (ja) 2008-01-29 2009-08-13 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌデバイス
JP2009295487A (ja) 2008-06-06 2009-12-17 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ照明装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6751459B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス照明パネル、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP5635699B2 (ja) 有機発光装置
WO2015165189A1 (zh) 有机发光器件及制造方法和有机发光显示装置及驱动方法
US9219101B2 (en) Organic EL device and method for manufacturing organic EL device
US10760747B2 (en) Lighting apparatus
TWI434598B (zh) 有機發光二極體模組
KR20150070466A (ko) 조명용 오엘이디 모듈
KR101325531B1 (ko) 오엘이디 모듈 및 그의 제조방법
JP5964415B2 (ja) 有機発光素子及びこれを含む発光装置
CN103151367B (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
US9853239B2 (en) Surface light-emitting unit
WO2021008027A1 (zh) 一种电致发光的显示和照明装置及其制备方法
US10077890B2 (en) Light-emitting device
JP2010225975A (ja) 有機ｅｌ素子
KR101512218B1 (ko) 유기 발광 소자
US20140111084A1 (en) Oled lighting device
KR101081539B1 (ko) Ｏｌｅｄ 조명등용 패널장치
KR20120097665A (ko) 유기 발광 다이오드 장치
KR100784708B1 (ko) 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법
JP2012049062A (ja) 照明装置
JP2018067493A (ja) 面発光装置
TW201517687A (zh) 交流驅動式有機電激發光二極體網絡
JP2002164174A (ja) 有機電界発光素子
JP2012099519A (ja) 照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171025

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181017

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191023

Year of fee payment: 7