KR101319307B1 - 발광 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발광층의 열화를 방지할 수 있는 발광 표시장치와 그 제조 방법에 관한 것이다

본 발명에 따른 발광 표시장치는 적어도 하나의 트랜지스터와 캐패시터를 포함하는 복수의 구동부가 형성된 하판과; 상기 하판의 외곽부에 형성된 제 1 실재와; 상기 제 1 실재를 감싸도록 상기 하판에 형성된 제 2 실재와; 상기 제 1 및 제 2 실재에 의해 상기 하판과 합착되며 상기 각 구동부에 접속되어 상기 구동부에 의해 발광되는 복수의 발광부가 형성된 상판과; 상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 형성된 투습 방지제를 포함하여 구성된다.

이러한 구성에 의하여 본 발명은 투습 방지제를 두어 수분과 산소의 침투를 차단하여 발광층의 열화현상을 방지할 수 있다.

DOD, 듀얼 플레이트, 액상, 투습 방지제, 발광 표시장치

Description

발광 표시장치 및 이의 제조방법{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD TEREROF}

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타낸 단면도.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 투습 방지제 적하를 나타낸 도면.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 실재와 투습 방지제 사이에 상전이를 나타낸 도면.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치의 제조방법을 단계적으로 나타낸 도면.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치의 제조공정을 나타낸 단면도.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 다른 투습 방지제 주입 방법을 나타낸 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 >

100 : 하판 110, 210 : 절연 기판

112 : 게이트 전극 114 : 제 2 전원 라인

116 : 하부 게이트 패드 118, 128 : 더미 패턴

120 : 게이트 절연막 122 : 반도체층

124 : 소스 전극 126 : 드레인 전극

130 : 하부 데이터 패드 132 : 보호막

134, 136, 138, 140 : 컨택홀 142 : 제 1 컨택 전극

144 : 제 2 컨택 전극 146 : 상부 게이트 패드

148 : 상부 데이터 패드 150 : 게이트 패드

152 : 데이터 패드 200 : 제 2 기판

212 : 보조 전극 214 : 제 2 전극

218 : 버퍼막 220 : 세퍼레이터

222 : 컨택 스페이서 230 : 발광층

232 : 제 1 전극 234 : 제 3 컨택 전극

300 : 실재 300a : 제 1 실재

300b : 제 2 실재 310 : 투습 방지제

320 : 홀

본 발명은 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히 발광층의 열화를 방지할 수 있는 발광 표시장치와 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근 다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 다양한 표시 장치들 중 종이와 같이 박막화가 가능한 발광 표시장치(Light Emitting Display Device)가 주목받고 있 다. 발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 액정 표시장치와 비교하여 저소비전력, 박형, 자발광 등의 장점을 갖고 있다.

이러한 발광 표시장치는 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 되고, 각 서브 화소는 발광 셀과 그 발광 셀을 독립적으로 구동하는 구동부를 구비한다.

발광 셀은 구동부와 접속된 화소 전극 및 그라운드와 접속된 공통 음극과, 화소 전극과 공통 음극 사이에 형성된 발광소자로 구성된다.

구동부는 스캔 신호가 공급되는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호가 공급되는 데이터 라인 및 공통 구동전원이 공급되는 전원 라인 사이에 접속된 2개의 트랜지스터와 하나의 스토리지 커패시터로 구성되어 발광 셀의 화소 전극을 구동한다.

그리고, 구동부와 발광부가 형성된 기판은 흡습제가 부착된 패키징기판과 실재를 통해 합착된 인캡슐레이션(Encapsulation) 구조로 그 기판을 통해 빛을 방출한다.

그러나, 종래의 발광 표시장치는 외부로부터 침투되는 수분 및 산소에 의한 발광층이 열화되어 수명이 짧은 문제점이 있다.

따라서 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 발광층의 열화를 방지하여 수명을 연장 시킬 수 있도록 한 발광 표시장치와 그 제조 방법을 제공하는데 있다.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 적어도 하나의 트랜지스터와 캐패시터를 포함하는 복수의 구동부가 형성된 하판과; 상기 하판의 외곽부에 형성된 제 1 실재와; 상기 제 1 실재를 감싸도록 상기 하판에 형성된 제 2 실재와; 상기 제 1 및 제 2 실재에 의해 상기 하판과 합착되며 상기 각 구동부에 접속되어 상기 구동부에 의해 발광되는 복수의 발광부가 형성된 상판과; 상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 형성된 투습 방지제를 포함하여 구성된다.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타낸 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 적어도 하나의 트랜지스터와 캐패시터를 포함하는 복수의 구동부가 형성된 하판(100)과; 상기 하판(100)의 외곽부에 형성된 제 1 실재(300a)와; 상기 제 1 실재(300a)를 감싸도록 상기 하판(100)에 형성된 제 2 실재(300b)와; 상기 제 1 및 제 2 실재(300a, 300b)에 의해 상기 하판(100)과 합착되며 상기 각 구동부에 접속되어 상기 구동부에 의해 발광되는 복수의 발광부가 형성된 상판(200)과; 상기 제 1 및 제 2 실재(300a, 300b) 사이에 형성된 투습 방지제(310)를 포함하여 구성된다.

하판(100)은 절연 기판(110)에 형성된 다수의 신호 라인과 박막 트랜지스터(TTF)를 포함하는 구동부를 포함한다. 구동부는 2중 실재(300)에 의해 밀봉되는 하판(100)의 내부영역(IF)에 형성된다. 하판(100)은 실재(300)가 형성된 실링영역(SF)을 기준으로 내부영역(IF)과 외부영역(OF)으로 구분될 수 있다.

각 서브화소에 형성된 구동부는 제 1 및 제 2 트랜지스터와 하나의 커패시터를 포함한다. 예를 들면, 게이트 라인의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 신호를 공급하는 제 1 트랜지스터와, 제 1 트랜지스터로부터의 데이터 신호에 응답하여 발광부에 흐르는 전류량을 제어하는 제 2 트랜지스터와, 제 1 트랜지스터가 턴-오프되더라도 제 2 트랜지스터를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 스토리지 커패시터를 포함한다. 이러한 구동부에서 도 1에 도시된 박막 트랜지스터(TFT)는 발광부와 접속된 제 2 트랜지스터에 대응하는 것이고, 제 1 트랜지스터는 제 2 트랜지스터와 같은 단면 구조를 가지므로 생략한다.

제 2 트랜지스터(TFT)는 절연 기판(110) 위에 형성된 게이트 전극(112)과, 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 게이트 전극(112)과 중첩된 반도체층(122)과, 반도체층(122)을 채널로 이용하는 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)을 포함하고, 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)과 반도체층(122) 사이에는 불순물 반도체층, 즉 오믹 컨택층(미도시)이 추가로 포함된다.

제 2 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(112)은 제 1 트랜지스터의 드레인 전극(미도시)과 접속되고, 소스 전극(124)은 제 2 전원 라인(미도시)과 접속되며, 드레인 전극(126)은 제 1 컨택 전극(142)을 통해 상판(200)에 형성된 발광부, 즉 발광부의 제 1 전극(232)과 접속된다. 여기서 제 1 트랜지스터의 게이트 전극(미도시)은 게이트 라인(미도시)과, 소스 전극은 데이터 라인(미도시)과 접속된다.

제 1 컨택 전극(142)은 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하는 보호막(132)을 관통하는 컨택홀(134)을 통해 드레인 전극(126)과 접속된다. 제 1 컨택 전극(142)은 상판(200)에 형성된 발광부의 제 1 전극(232)과 접촉하여 전기적으로 연결된다.

그리고, 하판(100)은 실재(300)에 의해 밀봉되는 내부영역(IF) 중 구동부의 주변부에 게이트 전극(112)과 함께 형성된 제 1 전원 라인(114)과, 제 1 전원 라인(114)과 접속된 제 2 컨택 전극(144)을 더 포함한다.

제 1 전원 라인(114)은 하판(100)에 형성된 제 2 컨택 전극(144)과 상판(200)에 형성된 제 3 컨택 전극(234)을 경유하여 상판(200)에 형성된 발광부의 제 2 전극(214)과 접속된다.

제 2 컨택 전극(144)은 보호막(132) 및 게이트 절연막(120)을 관통하는 컨택홀(136)을 통해 제 1 전원 라인(114)과 접속된다. 그리고, 제 2 컨택 전극(144)은 상판(200)에 형성된 제 3 컨택 전극(234)과 접촉하여 전기적으로 연결된다. 이때, 제 2 컨택 전극(144)의 하부에는 상판(200)과 접촉하는 제 2 컨택 전극(144)의 표면 높이를 제 1 컨택 전극(142)과 맞추기 위하여 다수의 더미 패턴들(118, 122, 128)이 형성된다. 예를 들면, 다수의 더미 패턴들(118, 122, 128)은 게이트 전극(112)과 함께 형성된 더미 패턴(118)과, 게이트 절연막(120) 위의 반도체층(122)과, 소스/드레인 전극(124,126)과 함께 보호막(132) 아래에 형성된 더미 패턴(128)을 포함하고, 반도체층(122)과 더미 패턴(128) 사이에는 불순물 반도체층(미도시)이 더 포함된다.

또한, 하판(100)에서 실재(300)가 형성된 실링영역(SF)을 기준으로 외부영 역(OF)에는 게이트 라인(미도시)과 접속된 게이트 패드(150)와, 데이터 라인(미도시)과 접속된 데이터 패드(152)가 형성된 패드 영역이 마련된다.

게이트 패드(150)는 게이트 전극(112)과 함께 형성되어 게이트 라인으로부터 연장된 하부 게이트 패드(116)와, 보호막(132) 및 게이트 절연막(120)을 관통하는 컨택홀(138)을 통해 하부 게이트 패드(116)와 접속된 상부 게이트 패드(146)를 포함한다.

데이터 패드(152)는 소스/드레인 전극(124, 126)과 함께 형성되어 데이터 라인으로부터 연장된 하부 데이터 패드(130)와, 보호막(132)을 관통하는 컨택홀(140)을 통해 하부 데이터 패드(130)와 접속된 상부 데이터 패드(148)를 포함한다. 여기서, 상부 게이트 패드(146)와 상부 데이터 패드(148)는 투명 도전층으로 형성된다.

상판(200)은 하판(100)의 구동부와 접속된 제 1 전극(232)과, 제 2 전원 라인(114)과 접속된 제 2 전극(214)과, 제 1 및 제 2 전극(232, 214) 사이에 형성된 발광층(230)을 포함하는 발광부가 절연 기판(210)에 형성된 구조를 갖는다. 발광부는 산소와 수분 등에 의해 열화되는 특성을 갖으므로 실재(300)에 의해 밀봉되는 상판(200)의 내부영역(IF)에 형성된다.

발광부의 제 2 전극(214)은 절연 기판(210)에 형성되고, 발광층(230)으로부터의 빛을 투과시키기 위하여 투명 도전층으로 형성된다. 제 2 전극(214)은 발광부를 모두 포함하는 판형으로 형성되어 제 2 전원 라인(114)으로부터의 제 2 전원을 발광부에 공통으로 공급한다. 그리고, 제 2 전극(214)과 절연 기판(210) 사이에는 투명 도전층의 저항 성분을 보상하기 위한 보조 전극(212)이 금속층으로 형성된다. 보조 전극(212)은 발광층(230)의 비발광 영역에 형성된다.

제 2 전극(214)이 형성된 후 각 서브화소 단위로 발광층(230)의 발광 영역을 마련하는 버퍼막(218)이 발광층(230)의 비발광 영역에 형성된다. 버퍼막(218)에 의해 마련된 발광층(230)의 발광 영역들은 매트릭스 형태로 배열된다. 다시 말하여, 버퍼막(218)은 각 서브화소의 발광층이 형성될 발광 영역을 마련한다.

버퍼막(218)이 형성된 후 발광층(230)과 제 1 전극(232)을 서브화소 단위로 분리시키는 세퍼레이터(Separator)(220)와, 제 1 전극(232)을 하판(100)과 접속시키기 위하여 상대적으로 높은 컨택 스페이서(222)가 형성된다.

세퍼레이터(220)는 각 서브화소를 감싸는 격벽 형태로 형성되고, 컨택 스페이서(222)는 상하판(200, 100)에서 전기적인 접속이 필요한 부분, 즉 구동부와 발광부의 접속 부분에만 정렬되어 기둥 형태로 형성된다. 또한, 세퍼레이터(220)의 측면은 그 위에 적층되는 발광층(230)과 제 1 전극(232)의 분리를 위하여 컨택 스페이서(222)와 반대되는 역테이퍼를 갖는다. 다시 말하여, 컨택 스페이서(222)는 버퍼막(218)과 접촉하는 밑면으로부터 위로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하여 순방향의 경사면을 갖지만, 세퍼레이터(220)는 버퍼막(218)과 접촉하는 밑면으로부터 위로 갈수록 폭이 점진적으로 증가하여 역방향의 경사면을 갖는다.

그리고, 버퍼막(218)과 세퍼레이터(220) 및 컨택 스페이서(222)가 형성된 제 2 전극(214) 위에 발광층(230)이 형성되고, 발광층(230) 위에 제 1 전극(232)이 형성된다. 발광층(230)과 제 1 전극(232)은 세퍼레이터(220)의 역 경사면에 의해 서브화소 단위로 분리된다.

발광층(230)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함한다. 이러한 발광층(230)은 서브화소 단위로 적, 녹, 청색광을 방출한다.

제 1 전극(232)은 컨택 스페이서(222)에 의해 상하판(200, 100) 합착시 하판(100)과 접촉할 수 있는 높이를 갖는다.

컨택 스페이서(222)는 하판(100)의 제 1 컨택 전극(142)과 정렬되어 위치한다. 이에 따라, 컨택 스페이서(222)를 덮는 제 1 전극(232)은 제 1 컨택 전극(142)과 접촉하면서 전기적으로 연결된다. 이 결과 각 서브화소의 제 1 전극(232)은 각 서브화소 구동부의 박막 트랜지스터(TFT)로부터의 구동 신호를 제 1 컨택 전극(142)을 경유하여 공급받는다.

그리고, 상판(200)의 제 2 전극(214)은 발광부 주변부까지 연장되어 제 3 컨택 전극(234)을 통해 하판(100)으로부터의 제 2 전원 신호를 공급받는다. 제 2 전극(214)과 접속된 제 3 컨택 전극(234)을 제 1 전극(232)과 유사한 높이로 하판(100)과 접촉시키기 위하여 제 2 전극(214)과 제 3 컨택 전극(234) 사이에는 버퍼막(218)과 컨택 스페이서(222)가 형성된다. 여기서, 버퍼막(218)과 컨택 스페이서(222)는 하판(100)의 제 2 컨택 전극(144)과 정렬되어 위치한다. 이에 따라, 버퍼막(218) 및 컨택 스페이서(222)를 덮는 제 3 컨택 전극(234)은 상하판(200, 100) 합착시 하판(100)의 제 2 컨택 전극(144)과 접촉하면서 전기적으로 연결된다. 이 결과, 제 2 전극(214)은 제 2 전원 라인(114)로부터의 제 2 전원 신호를 제 2 컨택 전극(144) 및 제 3 컨택 전극(234)을 경유하여 공급받는다. 여기서, 제 3 컨택 전 극(234)은 제 1 전극(232)과 함께 형성되며 세퍼레이터(220)에 의해 제 1 전극(232)과 분리된다.

하판(100)에서 제 1 전원 라인(미도시)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(124)으로 구동 전압(VDD) 및 그라운드 전압(GND) 중 어느 하나의 전원 신호를 공급하고, 제 2 전원 라인(114)은 나머지 전원 신호를 공급한다. 따라서, 상판(200)에서 발광부의 제 1 전극(232)은 양극 및 음극 중 어느 하나의 전극으로 이용되고, 제 2 전극(214)은 나머지 전극으로 이용된다.

실링영역(SF)은 제 1 실재(300a), 제 2 실재(300b), 투습 방지제(310)로 형성되어 상하판(200, 100)을 합착시킨다.

실재(300)는 비화소영역에 상하판(200,100)이 합착되도록 형성된 주실재(300a)와 제 1 실재를 감싸도록 기판의 외곽에 형성된 더미실재(300b) 형성된다. 이때, 실재(300)는 자외선을 통해 경화되고, 상하판(200, 100)의 절연 기판(210, 110)과 부착된다.

투습 방지제(310)는 실재(300)와 상하판(200, 100)이 합착되기 이전에 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 실재(300a, 300b) 사이의 빈공간을 정확히 채울 수 있을 정도의 정확한 양을 일정한 간격으로 적하한다. 이때, 투습 방지제(310)로는 실리콘 오일(Silicon Oil), 액상의 탄화수소물(IPA, 헵탄, 핵산 등), 액정 등이 이용된다.

이러한, 투습 방지제(310)는 산소와 수분 흡수율이 매우 낮고 제 1 실재(300a)와 제 2 실재(300b) 사이에 주입함으로써 도 3에 도시한 바와 같이, 패널 외부 대기중에 존재하는 산소와 수분의 농도(C1)와 진공상태인 패널 내부의 산소와 수분의 농도(C4)의 차로 인해 산소와 수분이 패널 내부로 침투하는 확산의 힘을 줄여주는 역할을 한다. 이때, 패널 외부에서 제 2 실재(300b)로 통과되어 들어오는 산소와 수분의 농도(C2)는 투습 방지제(310)를 통과하면, 상전이 현상으로 인해 제 2 실재(300b)를 통과한 산소와 수분의 농도(C2)는 투습 방지제(310)를 통과한 산소와 수분의 농도(C3)와 같이 낮아져 산소와 수분이 패널 내부로 침투하는 것을 방지한다.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치의 제조방법을 단계적으로 도시한 흐름도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 발광 표시장치의 형성단계는 하판을 형성하는 제 1 단계( S1-1 내지 S1-6 ), 상판을 형성하는 제 2 단계( S2-1 내지 S2-7 ) 및 상판 및 하판을 합착하는 제 3 단계( S3-1 내지 S3-3 )로 구성된다.

먼저, 도 5a를 참조하면, 제 1 단계는 하판(100)의 절연 기판(110) 위에 게이트 라인(미도시)과 함께 게이트 전극(112), 제 2 전원 라인(114), 더미 패턴(118)과 하부 게이트 패드(116)를 포함하는 제 1 금속 패턴군이 형성된다. 구체적으로 제 1 금속 패턴군은 절연 기판(110) 위에 제 1 금속층이 스퍼터링(Spurttering) 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토 공정과 식각 공정으로 패터닝 된다. 이때, 제 1 금속층으로는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 등과 이들의 합금이 단일층 또는 복층 구조로 이용된다. 제 1-1 단계 (S1-1)

이어, 제 1 금속 패턴군이 형성된 절연 기판(110) 위에 게이트 절연막(120)이 형성되고, 그 위에 반도체층(122)과 불순물 반도체층(미도시)이 적층된다. 구체적으로, 게이트 절연막(120) 및 반도체층(122)과 불순물 반도체층은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법으로 적층된다. 이때, 게이트 절연막(120)으로는 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx) 등의 무기 절연물이 이용된다. 여기서, 반도체층(122)은 비정질 실리콘층(a-Si)이, 불순물 반도체층으로는 n+이온이 도핑된 비정질 실리콘층(n+ a-Si)이 적층된 구조로 이용된다. 그 다음 포토 공정과 식각 공정으로 불순물 반도체층 및 반도체층(122)이 패터닝됨으로써 게이트 절연막(120) 위에 반도체층(122) 및 불순물 반도체층이 부분적으로 존재하게 된다. 제 1-2 단계(S1-2)

이어, 반도체층(122)이 형성된 게이트 절연막(120) 위에 데이터 라인(미도시) 및 제 1 전원 라인(미도시)과 함께 소스 전극(124), 드레인 전극(126), 더미 패턴(128)과 하부 데이터 패드(130)을 포함하는 제 2 금속 패턴군이 형성된다. 구체적으로 제 2 금속 패턴군은 반도체층(122)이 형성된 게이트 절연막(120) 위에 제 2 금속층이 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토 공정과 식각 공정으로 패터닝 된다. 그리고 소스 전극(124)과 드레인 전극(126)을 마스크로 이용한 식각 공정으로 노출된 불순물 반도체층이 제거된다. 제 2 금속층으로는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 등과 이들의 합금이 단일층 또는 복층 구조로 이용된다. 제 1-3 단계(S1-3)

한편, 전술한 반도체층(122) 및 불순물 반도체층과 제 2 금속 패턴군은 회절 노광을 이용한 회절 노광 마스크 또는 반투과를 이용한 하프톤(Half-tone) 마스크를 이용하여 하나의 마스크 공정으로 형성되기도 한다.

이어, 제 2 금속 패턴군이 형성된 게이트 절연막(120) 위에 다수의 컨택홀들(134, 136, 138, 140)을 포함하는 보호막(132)이 형성된다. 보호막(132)은 CVD 등의 증착 방법으로 제 2 금속 패턴군이 형성된 게이트 절연막(120) 위에 형성된다. 그 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 보호막(132)이 패터닝됨으로써 드레인 전극(126)의 일부를 노출시키는 컨택홀(134), 게이트 절연막(120)까지 관통하여 제 2 전원 라인(114)의 일부를 노출시키는 컨택홀(136) 및 하부 게이트 패드(116)을 노출시키는 컨택홀(138), 하부 데이터 패드(130)를 노출시키는 컨택홀(140)이 형성된다. 보호막(132)으로는 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx) 등의 무기 절연물이 이용된다. 이와 달리, 보호막(132)으로는 스핀 코팅 또는 스핀리스 코팅 등의 코팅 방법을 이용하는 유기 절연물이 이용되기도 한다. 제 1-4 단계(S1-4)

이어, 보호막(132) 위에 제 1 및 제 2 컨택 전극(142, 144)이 형성된다. 제 1 및 제 2 컨택 전극(142, 144)은 보호막(132) 위에 제 3 금속층이 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 패터닝 된다. 제 1 컨택 전극(142)은 컨택홀(134)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(126)과 접속되고, 제 2 컨택 전극(144)은 컨택홀(136)을 통해 제 2 전원 라인(114)과 접속된다. 이때, 제 3 금속층으로는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 등과 이들의 합금이 단일층 또는 복층 구조로 이용된다. 제 1-5 단계(S1-5)

이어, 보호막(132) 위에 컨택홀(138, 140) 각각을 경유하는 상부 게이트 패드(146) 및 상부 데이터 패드(148)가 형성된다. 상부 게이트 패드(146) 및 상부 데이터 패드(148)는 보호막(132) 위에 투명 도전층이 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 패터닝 된다. 상부 게이트 패드(146)는 컨택홀(138)을 통해 하부 게이트 패드(116)와 접속되고, 상부 데이터 패드(148)는 컨택홀(140)을 통해 하부 데이터 패드(130)와 접속된다. 이때, 투명 도전층으로는 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO 등이 이용된다. 제 1-6 단계(S1-6)

한편, 제 1-5 단계(S1-5)와 단계 2-1(S2-1)의 공정 순서는 바뀔 수 있다.

이러한 제 1 단계를 통해 도 5a에 도시된 하판(100)이 완성된다.

그리고, 도 5b를 참조하면,제 2단계는 절연 기판(210) 위에 보조 전극(212)이 형성된다. 보조 전극(212)은 절연 기판(210)에 금속층이 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 패터닝 된다. 이때, 보조 전극(212)의 금속으로는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 등과 이들의 합금이 단일층 또는 복층 구조로 이용된다. 제 2-1 단계(S2-1)

이어, 보조 전극(212)이 형성된 절연 기판(210) 위에 제 2 전극(214)이 형성된다. 제 2 전극(214)은 보조 전극(212)이 형성된 절연 기판(210) 위에 투명 도전층이 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 패터닝 된다. 투명 도전층으로는 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO 등이 이용된다. 제 2-2 단계(S2-2)

이어, 제 2 전극(214) 위에 버퍼막(218)이 형성된다. 버퍼막(218)은 절연 물질이 제 2 전극(214) 위에 PECVD 등의 증착 방법으로 형성된 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 패터닝 된다. 버퍼막(218)으로는 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx) 등의 무기 절연물이 이용된다. 이와 달리, 보호막(218)으로는 스핀 코팅 또는 스핀리스 코팅 등의 코팅 방법을 이용하는 유기 절연물이 이용되기도 한다. 제 2-3 단계(S2-3)

이어, 버퍼막(218) 위에 세퍼레이터(220)가 형성된다. 세퍼레이터(220)는 유기 절연물이 버퍼막(218) 위에 스핀 코팅 또는 스핀리스 코팅 등의 코팅 방법으로 형성된 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 패터닝되어 역경사면을 갖도록 형성된다. 제 2-4 단계(S2-4)

이어, 버퍼막(218) 위에 컨택 스페이서(222)가 형성된다. 컨택 스페이서(222)는 유기 절연물이 버퍼막(218) 위에 스핀 코팅 또는 스핀리스 코팅 등의 코팅 방법으로 형성된 다음 포토 공정 및 식각 공정으로 패터닝 된다. 제 2-5 단계(S2-5)

한편, 컨택 스페이서(222)는 세퍼레이터(220)가 형성되기 이전에 버퍼막(218) 위에 형성되기도 한다.

이어, 컨택 스페이서(222) 및 세터레이터(220)와 버퍼막(218)이 형성된 제 2 전극(214) 위에 발광층(230)이 형성된다. 발광층(230)은 새도우 마스크를 이용한 증착 공정을 반복하여 적, 녹, 청색의 발광층(230)이 해당 영역에 순차적으로 형성된다. 이러한 발광층(230)은 세퍼레이터(220)에 의해 서브화소 단위로 분리된다. 제 2-6 단계(S2-6)

이어, 발광층(230) 위에 제 1 전극(232)이 형성되고, 제 2 전극(214) 위에 제 3 컨택 전극(234)이 형성된다. 제 2 전극(214) 및 제 3 컨택 전극(234)은 금속 물질이 열증착(Thermal Evaporation) 등의 증착 방법을 통해 발광층(230) 위에 증착됨으로써 형성된다. 제 2 전극(214)은 세퍼레이터(220)에 의해 서브화소 단위로 분리되고, 제 3 컨택 전극(234)은 세퍼레이터(220)에 의해 제 2 전극(232)과 분리된다. 이때, 제 2 전극(232) 및 제 3 컨택 전극(234)의 금속으로는 Al, MgAg, Ca, Ba 등이 이용된다. 제 2-7 단계(S2-7)

이러한, 제 2-1 단계(S2-1) 내지 제 2-7 단계(S2-7)을 통해 도 5b에 도시된 상판(200)이 완성된다.

이어, 도 5c를 참조하면, 하판(100)의 비화소영역에 제 1 실재(300a)와 제 1 실재(300a)를 감싸도록 밀폐된 제 2 실재(300b)가 형성된다. 이때, 실재(300)는 스크린 인쇄법과 디스펜스 인쇄법을 이용하여 형성된다. 제 3-1 단계(S3-1)

이어, 제 1 실재(300a)와 제 2 실재(300b) 사이에 투습 방지제(310)는 제 1 및 제 2 실재(300a, 300b) 사이의 빈공간을 정확히 채울 수 있을 정도의 정확한 양을 일정한 간격으로 적하한다. 이때, 적하되는 투습 방지제(310)는 실리콘 오일(Silicon Oil), 액상의 탄화수소물(IPA, 헵탄, 핵산 등), 액정 등이 이용된다. 제 3-2 단계(S3-2)

이어, 도 5d를 참조하면, 상판(200)을 하판(100)과 마주하게 정렬한 다음 상하판(200, 100)을 진공 합착한다. 이때, 상판(200)에 가해지는 압력에 의해 상 판(200)의 컨택 스페이서(222)가 형성된 부분이 하판(100)과 접촉함으로써 컨택 스페이서(222) 위의 제 2 전극(232) 및 제 3 컨택 전극(234)은 하판(100)의 제 1 컨택 전극(142) 및 제 2 컨택 전극(144)과 각각 전기적으로 접속된다. 제 3-3 단계(S3-3)

한편, 도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 표시장치의 제조방법을 나타낸 도면이다.

도 6을 참조하면, 상기와 같이 동일한 구조의 상하판(200, 100)이 형성된 후 제 3-1 단계인 실재(300)형성단계에서 비화소영역에 제 1 실재(300a)를 형성하고, 제 2 실재(300b)에 투습 방지제(310)를 주입할 수 있는 홀(320)을 형성한다.

그리고, 제 3-3 단계(S3-3)로 상하판(200, 100)을 합착하고 합착된 상하판(200, 100)을 진공 상태를 유지하면서 홀(320)을 통해 모세관 현상과 압력차이를 이용하여 투습 방지제(310)를 주입한 후 홀(320)을 밀봉재로 경화시켜 형성될 수 있다.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

상기와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 투습 방지제를 두어 수분과 산소의 침투를 차단하여 발광층의 열화현상을 방지할 수 있다.

Claims (14)

1. 적어도 하나의 트랜지스터와 캐패시터를 포함하는 복수의 구동부가 형성된 하판과;

   상기 하판의 외곽부에 형성된 제 1 실재와;

   상기 제 1 실재를 감싸도록 상기 하판에 형성된 제 2 실재와;

   상기 제 1 및 제 2 실재에 의해 상기 하판과 합착되며 상기 각 구동부에 접속되어 상기 구동부에 의해 발광되는 복수의 발광부가 형성된 상판; 및

   상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 형성된 투습 방지제를 포함하여 구성되고,

   상기 투습 방지제는 상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 일정 간격으로 적하된 후 상기 상판 및 상기 하판의 합착에 의한 가압에 의해 상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 충전되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 투습 방지제는 액체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 투습 방지제는 실리콘 오일, 액상의 탄화수소물 및 액정 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.
5. 하판에 적어도 하나의 트랜지스터와 캐패시터를 포함하는 복수의 구동부를 형성하는 단계와;

   상기 하판의 외곽부에 형성된 제 1 실재를 형성하는 단계와;

   상기 제 1 실재를 감싸도록 상기 하판에 제 2 실재를 형성하는 단계와;

   상기 제 1 및 제 2 실재 사이의 상기 하판에 투습 방지제를 형성하는 단계; 및

   상기 제 1 및 제 2 실재를 통해 상기 상판 및 상기 하판을 합착시켜 상기 각 구동부와 발광부를 접속시키는 단계를 포함하여 구성되고,

   상기 투습 방지제는 상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 일정 간격으로 적하된 후 상기 상판 및 상기 하판의 합착에 의한 가압에 의해 상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 충전되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 제조방법.
6. 삭제
7. 제 5 항에 있어서,

   상기 투습 방지제는 액체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 제 조방법.
8. 삭제
9. 하판에 적어도 하나의 트랜지스터와 캐패시터를 포함하는 복수의 구동부를 형성하는 단계와;

   상기 하판의 외곽부에 형성된 제 1 실재를 형성하는 단계와;

   상기 제 1 실재를 감싸도록 상기 하판에 제 2 실재를 형성하는 단계와;

   상기 제 1 및 제 2 실재를 통해 상기 상판 및 상기 하판을 합착시켜 상기 각 구동부와 발광부를 접속시키는 단계; 및

   상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 투습 방지제를 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,

   투습 방지제를 형성하는 단계는, 상기 제 2 실재에 홀을 형성하는 단계와;

   상기 홀을 통해 투습 방지제를 충전하는 단계; 및 상기 홀을 밀봉재로 밀봉하는 단계를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 제조방법.
10. 삭제
11. 제 9 항에 있어서,

    상기 투습 방지제는 액체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 제조방법
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 투습 방지제는 실리콘 오일, 액상의 탄화수소물 및 액정 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 제조방법.
13. 제 9 항에 있어서,

    상기 제 2 실재는 홀을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 제조방법.
14. 제 9 항에 있어서,

    상기 투습 방지제를 형성하는 단계는

    상기 홀을 통해 상기 제 1 및 제 2 실재 사이에 상기 투습 방지제를 충전하는 단계와,

    상기 홀을 밀봉하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 제조방법.

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