KR101312276B1 - 백래쉬 측정 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

백래쉬(backlash) 측정 장치는, 입사된 광을 브래그(Bragg) 회절시키는 단색기; 상기 단색기에 의해 회절된 광이 입사되며, 입사된 광을 브래그 회절시키는 분석기; 상기 단색기 또는 상기 분석기에 연결된 구동부를 제어하여, 상기 단색기 또는 상기 분석기를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 제어부; 및 상기 단색기 또는 상기 분석기가 회전하는 동안 상기 분석기에 의해 회절 또는 투과된 광을 검출하며, 검출된 광을 이용하여 상기 구동부의 백래쉬를 측정하는 검출기를 포함할 수 있다. 상기 백래쉬 측정 장치에 의하면, 중성자광, X-레이 등을 이용하여 백래쉬를 초각 이하(subarcsecond) 또는 나노미터 이하(subnanometer) 단위까지 측정할 수 있다.

Description

백래쉬 측정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING BACKLASH}
실시예들은 백래쉬(backlash) 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 중성자광 또는 X-레이를 이용하여 백래쉬를 초각 이하(subarcsecond) 또는 나노미터 이하(subnanometer) 단위까지 측정할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다.
기계적으로 구동되는 시스템은 대부분 기어 또는 유사한 기계 부품과, 이를 구동시키는 전기전자동력 장치를 포함한다. 일반적으로 한 쌍의 기어가 맞물리는 경우에는 주동 기어(일차적인 움직임이 발생하는 기어)와 종동 기어(일차적인 움직임에 따른 이차적인 움직임이 발생하는 기어)가 서로 맞물리는 톱니 사이에 약간의 이격을 갖는 틈새가 필요하다. 이러한 틈새의 목적은, 기어 톱니 사이의 틈새 내부에 윤활유를 도입함으로써 두 기어의 접촉 시 마찰을 감소시키는 것과, 톱니 재질에 의한 열팽창을 흡수할 수 있는 공간을 제공하는 것에 있다.
기어 간에 서로 맞물려서 형성되는 기어 쌍이 한 방향으로만 움직일 경우에는 이러한 틈새는 큰 문제가 되지 않는다. 그러나 기어 쌍이 반대 방향으로 되돌아올 경우에는 기어 톱니간의 접촉이 떨어져 순간적으로 동력이 전달되지 않아 위치 오차가 생기게 된다. 이때, 일정 위치로 이동된 구동체가 다시 원위치로 돌아오는 정도를 백래쉬(backlash)라고 한다.
기계적인 구동 시스템에서 백래쉬는 구동의 정밀도를 높이는 데에 중요한 인자이다. 예를 들어, 회전판은 기어, 선형 액추에이터(actuator), 엔코더(encoder) 등의 조합 또는 이와 유사한 조합으로 이루어지는데, 이들 모두 또는 일부에서의 기계적인 오차는 백래쉬 정도에 영향을 준다. 또한, 백래쉬는 모터의 성능, 기어 가공의 정밀성, 기어 가공에 사용되는 공구의 정밀성, 온도, 습도, 마모 정도 등에 영향을 받을 수 있다. 예컨대, 백래쉬는 전술한 것과 같이 위치 오차의 원인이 될 뿐만 아니라, 이러한 예측 가능한 오차 외에도, 물리적, 기술적인 한계 때문에 기어 제작에서 오는 가공 오차를 수반할 수 있으며 이는 예측 불가능한 오차이다. 설령 가공 오차를 없앤다고 하더라도, 장시간 사용에 의한 마모나, 마찰열 또는 온도 변화에 의한 불규칙적인 열팽창, 습도 등의 영향도 백래쉬에 영향을 준다.
따라서, 모터 등으로 구동되는 기어 시스템에서 위치 정밀도를 높이기 위해서는, 백래쉬를 정밀하고 재현성 있게 측정하는 방법이 필요하다. 특히, 고도의 정밀도를 요구하는 자동화 시스템, 정밀 제어, 로봇 등의 산업체에서는 구동 시스템의 작은 오차도 최소화하는 것이 필요하므로, 백래쉬를 정밀하게 측정하는 것이 매우 중요하다. 또한, 반복적인 작업을 정밀하게 수행하는 것이 요구되는 기술 분야에서는 구동 시스템이 재현성을 갖고 시작점으로 되돌아가는 것이 필요하다. 토크와 회전각 측정, 또는 레이저 인터페로미터(interferometer) 등을 이용한 백래쉬 측정 기법이 보고되고 있으나, 현재까지 가장 정밀하게 백래쉬를 측정할 수 있는 단위는 분(minute) 단위에 불과한 단점이 있다.
공개특허공보 제10-2010-0005330호
본 발명의 일 측면에 따르면, 자동화 시스템, 정밀 제어 및 로봇 등 고정밀을 요구하는 산업 분야에서 구동부의 백래쉬(backlash)를 높은 정밀도로 측정할 수 있는 백래쉬 측정 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
일 실시예에 따른 백래쉬(backlash) 측정 장치는, 입사된 광을 브래그(Bragg) 회절시키는 단색기; 상기 단색기에 의해 회절된 광이 입사되며, 입사된 광을 브래그 회절시키는 분석기; 상기 단색기 또는 상기 분석기에 연결된 구동부를 제어하여, 상기 단색기 또는 상기 분석기를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 제어부; 및 상기 단색기 또는 상기 분석기가 회전하는 동안 상기 분석기에 의해 회절 또는 투과된 광을 검출하며, 검출된 광을 이용하여 상기 구동부의 백래쉬를 측정하는 검출기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 백래쉬 측정 방법은, 단색기에 의하여 광을 브래그 회절시키는 단계; 상기 단색기에 의하여 회절된 광을, 분석기에 입사시키는 단계; 상기 분석기에 의하여 광을 브래그 회절시키는 단계; 상기 단색기 또는 상기 분석기에 연결된 구동부를 제어하여, 상기 단색기 또는 상기 분석기를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 단계; 및 상기 단색기 또는 상기 분석기가 회전하는 동안 상기 분석기에 의해 회절 또는 투과된 광을 검출하여 상기 구동부의 백래쉬를 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 백래쉬(backlash) 측정 장치 및 방법을 이용하면, 위치제어, 속도제어, 토크제어, 스텝제어 등 반복적인 작업이 이루어지는 정밀제어 분야에서 제품 생산에 영향을 미치는 구동 시스템의 위치제어의 정밀도를 정량적으로 측정할 수 있다. 상기 백래쉬 측정 장치 및 방법에 의하면 백래쉬를 초각 이하(subarcsecond) 또는 나노미터 이하(subnanometer) 단위까지 측정할 수 있으며, 기계적인 구동 시스템뿐만 아니라 이를 이루는 개별 구동부품의 백래쉬를 측정할 수 있다. 그 결과, 기계생산 공구, 기어, 전자 등 정밀제어 분야의 발전에 공헌할 수 있고, 공회전을 일으키는 최소스텝 및 최소이동구간, 구동속도 등 공정 조건의 개발에 기여할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 일 실시예에 따라 회절 모드(diffraction mode) 또는 투과 모드(transmission mode)로 백래쉬(backlash)를 측정할 수 있는 백래쉬 측정 장치의 개략도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 백래쉬 측정 장치에서 단색기 및 분석기의 단결정 부재를 나타내는 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 백래쉬 측정 장치를 이용하여 구동부의 백래쉬를 회절 모드로 측정한 예를 나타내는 그래프이다.
도 4는 일 실시예에 따른 백래쉬 측정 장치를 이용하여 구동부의 백래쉬를 투과 모드로 측정한 예를 나타내는 그래프이다.
이하에서, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 상세히 살펴본다.
도 1은 일 실시예에 따라 회절 모드(diffraction mode) 또는 투과 모드(transmission)로 백래쉬(backlash)를 측정할 수 있는 백래쉬 측정 장치의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 백래쉬 측정 장치는 단색기(monochromator)(20), 분석기(analyzer)(40), 구동부(50)를 제어함으로써 단색기(20) 또는 분석기(40)를 회전시키기 위한 제어부(60)를 포함할 수 있다. 상기 백래쉬 측정 장치가 회절 모드로 동작하는 경우, 백래쉬 측정 장치는 검출기(70)를 더 포함할 수도 있다. 또한, 상기 백래쉬 측정 장치가 투과 모드로 동작하는 경우, 백래쉬 측정 장치는 검출기(80)를 더 포함할 수도 있다.
일 실시예에서, 백래쉬 측정 장치는 선행단색기(premonochromator)(미도시)를 더 포함할 수도 있다. 선행단색기는 이등방성의 흑연, 실리콘, 게르마늄(Ge), 염화칼슘(NaCl), 리튬불소(LiF), 칼슘카보네이트(CaCO3), 납(Pb), 구리(Cu), 다이아몬드(diamond), 석영(quartz), 갈륨비소(GaAs), 사파이어(sapphire)(Al2O3), 베를리늄(Be) 또는 다른 적당한 물질과 같이 브래그 회절을 일으키는 재료로 이루어진 단결정 부재일 수 있다. 선행단색기는 광로 상에 위치하여, 광로를 통해 전파되는 광 중 특정 파장의 성분만을 선택적으로 단색기(20)로 유도하여 초점을 맞출 수 있다. 예를 들어, 선행단색기는 광로의 중성자광(N1)을 단색기(20)로 향하도록 브래그(Bragg) 회절시킬 수 있다. 일 실시예에서, 백래쉬 측정에 사용되는 광은 중성자광 또는 X-레이일 수 있다. 본 명세서에서는 중성자광을 기준으로 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하나, 실시예들에서 사용될 수 있는 광의 종류는 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 선행단색기에 의하여 회절된 중성자광은 초거울 유도관(미도시)을 통하여 단색기(20)에 입사될 수도 있다. 초거울 유도관은 브래그 반사가 일어나는 중성자의 이동 통로로서, 임계각보다 작은 각도로 입사된 중성자광은 초거울 유도관의 표면에서 전반사되어 이동하여 유량 손실이 방지될 수 있다.
단색기(20)는 이등방성의 흑연, 실리콘, 게르마늄(Ge), 염화칼슘(NaCl), 리튬불소(LiF), 칼슘카보네이트(CaCO3), 납(Pb), 구리(Cu), 다이아몬드, 석영, 갈륨비소(GaAs), 사파이어(Al2O3), 베를리늄(Be) 또는 다른 적당한 물질과 같이 브래그 회절을 일으키는 재료로 이루어진 단결정 부재일 수 있다. 단색기(20)는 초거울 유도관에 대하여 일정 각도 기울어져 배치되며, 단색기(20)에 입사된 중성자의 일부는 브래그 회절하고 일부는 투과된다. 단색기(20)의 단결정으로부터 회절되는 중성자광은, 결정격자면 사이의 간격, 광의 파장 및 입사각이 브래그 조건(Bragg's law)을 만족할 경우 피크(peak)를 나타낸다. 단색기(20)는, 브래그 조건을 만족하는 입사각으로 광이 입사되는 특정 각도를 포함하는 각도 범위에서 회전 가능하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 단색기(20)는 BHA 단색기(Bonse-Hart-Agamalian monochromator)일 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
분석기(40)는, 단색기(20)와 이격되며, 단색기(20)와 마주보도록 배치될 수 있다. 단색기(20)에서 회절된 중성자광은 분석기(40)에 입사될 수 있다. 단색기(20)와 마찬가지로, 분석기(40)는 이등방성의 흑연, 실리콘, 게르마늄(Ge), 염화칼슘(NaCl), 리튬불소(LiF), 칼슘카보네이트(CaCO3), 납(Pb), 구리(Cu), 다이아몬드, 석영, 갈륨비소(GaAs), 사파이어(Al2O3), 베를리늄(Be) 또는 다른 적당한 물질과 같이 브래그 회절을 일으키는 재료로 이루어진 단결정 부재일 수 있다. 분석기(40)가 단색기(20)와 정렬되어 대칭적으로 배치될 경우, 즉, 단색기(20)에서 브래그 각도로 회절된 중성자광이 동일한 각도로 분석기(40)에 입사되도록 배치될 경우, 분석기(40)에 입사된 중성자광은 분석기(40)에서 다시 브래그 회절된다. 분석기(40)는, 분석기(40)가 단색기(20)와 정렬되어 대칭적으로 배치되는 각도를 포함하는 각도 범위에서 회전 가능하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 분석기(40)는 BHA 분석기(Bonse-Hart-Agamalian analyzer)일 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 중성자광이 통과하는 광로는 진공으로 유지될 수도 있다. 예를 들어, 단색기(20) 및 분석기(40)는 하나의 진공 챔버(미도시) 내에 배치될 수 있으며, 또는 단색기(20)와 분석기(40)가 각각 상이한 진공 챔버 내에 배치되고 이들 진공 챔버들이 진공 펌프에 의하여 서로 연결될 수도 있다. 일 예로, 단색기(20) 및 분석기(40) 각각이 위치하는 챔버의 내부의 압력은 약 10-3torr 내지 약 10-2torr의 범위로 유지될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 필요할 경우 더 고진공으로 유지될 수도 있다.
단색기(20) 및 분석기(40) 각각은 복수 개의 벽면을 구비하여 복수 개의 벽면 사이에 중성자광의 통로가 형성되는 오목요철형 구조를 가질 수 있다. 또는, 단일 벽면을 갖는 단색기(20) 및/또는 분석기(40)를 사용할 수도 있다. 본 명세서에는 복수 개의 반사면을 갖는 오목요철형 단색기 및 분석기인 경우의 예가 기재되었으나, 실시예들에서 사용될 수 있는 단색기 및 분석기의 구성은 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 도 2는 일 실시예에 따른 백래쉬 측정 장치에서 단색기(20)의 단결정 부재를 나타내는 사시도이다.
도 2를 참조하면, 단색기(20)는 제1 벽면(23) 및 제2 벽면(24)을 구비하며 이들 벽면 사이에 중성자광의 통로가 형성되는 오목요철형 구조를 가질 수 있다. 제1 벽면(23)에는 제1 및 제2 슬릿(23d, 23e)이 형성되어 제1 벽면(23)이 제1 내지 제3 세그먼트(23a, 23b, 23c)로 구분될 수 있다. 제2 벽면(24)의 중앙에는 제3 슬릿(24c)이 형성되어, 제2 벽면(24c)이 제4 및 제5 세그먼트(24a, 25b)로 분리될 수 있다. 제1 내지 제3 슬릿(23d, 23e, 24c)에는 차폐체가 채워져 중성자광이 각 세그먼트를 투과하지 못하도록 할 수 있다. 차폐체로는 카드뮴 또는 가돌리늄 등 중성자 차폐 물질이 사용될 수 있다. 중성자광은 제1 세그먼트(23a), 제4 세그먼트(24a), 제2 세그먼트(23b), 제5 세그먼트(24b) 및 제3 세그먼트(23c)에 차례로 반사되며 진행된다. 따라서, 중성자광이 단색기(20)를 통과하는 동안 5번 반사가 이루어진다. 중성자광의 반사수가 많을수록 검출기(70; 도 1)에서 검출되는 로킹 곡선(rocking curve)의 폭이 감소하므로, 단색기(20)의 단결정 부재에서 중성자를 여러 번 반사시키는 것이 노이즈 감소 등에 있어서 유리하다.
도 2에서는 단색기(20)의 제1 및 제2 벽면(23, 24) 내에서 중성자광이 5번 반사되는 단색기(20)의 구조가 도시되었다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 단색기(20)는 중성자광을 6번 이상 반사시키는 구조를 가지거나, 또는 중성자광을 4번 이하로 반사시키는 구조를 가질 수도 있으며, 특정 개수의 벽면 또는 세그먼트로 이루어진 구조에 한정되지 않는다.
또한, 도 2에서는 실시예들에 따른 백래쉬 측정 장치에서 단색기(20)에 사용되는 단결정 부재의 구성을 예시적으로 설명하였다. 그러나 전술한 단결정 부재는 단색기(20) 뿐만 아니라 분석기(40)의 단결정 부재에도 동일하게 적용될 수 있음이 통상의 기술자에게 용이하게 이해될 것이다.
다시 도 1을 참조하면, 일 실시예에서 백래쉬 측정 장치가 회절 모드로 동작하는 경우 백래쉬 측정 장치는 검출기(70)를 포함할 수 있다. 검출기(70)는 분석기(40)에 의하여 회절된 중성자광을 검출할 수 있다. 검출기(70)에 의하여 검출되는 중성자광은, 단색기(20)와 분석기(40)가 대칭적으로 배치되는 경우, 즉, 단색기(20)에 의하여 소정의 브래그 각도로 회절된 중성자광이 동일한 각도로 분석기(40)에 입사되는 경우 피크를 나타낸다. 검출기(70)는 검출된 광의 로킹 곡선을 측정하고, 로킹 곡선의 피크 위치를 측정할 수 있다.
일 실시예에서, 검출기(70)는 브래그 산란된 중성자 수를 측정하는 중성자 계측기일 수 있다. 예를 들어, 검출기(70)는 헬륨(III) 가스로 채워진 알루미늄 원통을 포함할 수 있다. 중성자가 알루미늄 원통에 입사되면, 중성자가 헬륨(III) 가스와 반응함에 따라 헬륨(III) 가스가 3중수소와 양성자 및 764KeV의 에너지로 변환될 수 있다. 검출기(70)는 발생된 에너지를 고전압으로 증폭시켜 중성자의 수를 측정할 수 있다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 검출기(70)는 다른 상이한 검출 원리에 의하여 중성자광의 세기를 측정하기 위한 다른 상이한 구성을 가질 수도 있다.
제어부(60)는, 단색기(20) 또는 분석기(40)에 연결된 회전 구동 수단을 제어함으로써, 단색기(20) 및 분석기(40) 중 어느 하나를 회전시킬 수 있다. 이하에서는, 제어부(60)가 분석기(40)에 연결된 구동부(50)를 제어하여 분석기(40)를 회전시키는 경우의 예에 대하여 설명한다. 그러나, 본 발명의 원리는 분석기(40) 대신 단색기(20)를 회전시키는 경우에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다는 점이 통상의 기술자에게 용이하게 이해될 것이다.
구동부(50)는 분석기(40)를 회전시키기 위한 회전 구동 수단을 포함할 수 있다. 예를 들어, 구동부(50)는 회전판(51) 및 스피널(spinel)(52)로 이루어지며, 회전판(51) 상에 분석기(40)가 배치되어, 스피널(52)의 끝 부분이 전진 및 후진하는 것에 의하여 회전판(51) 및 회전판(51)상의 분석기(40)가 양 방향으로 회전하도록 구성될 수 있다. 그러나 이는 예시적인 것으로서, 다른 실시예에서 구동부(50)는 모터(motor) 등 분석기(40)를 양 방향으로 회전시킬 수 있는 임의의 다른 회전 구동 수단으로 이루어질 수도 있다.
제어부(60)는, 단색기(20)와 분석기(40)가 서로 정렬되어 대칭적으로 배치되어 단색기(20)에 의해 브래그 회절된 광이 분석기(40)에 의해 다시 브래그 회절되는 소정의 각도(본 명세서에서는, 이를 "제1 각도"라 지칭한다)를 포함하는 각도 범위에서 분석기(40)를 양 방향으로 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 제어부(60)는, 제1 각도보다 작은 제2 각도에서 제1 각도보다 큰 제3 각도까지 분석기(40)를 양의 방향으로 회전시킨 후, 다시 반대 방향(즉, 음의 방향)으로 제3 각도에서 제2 각도까지 분석기(40)를 역회전시킬 수 있다. 그러나 분석기(40)의 양 방향으로의 회전 각도는 반드시 동일할 필요는 없으며, 피크가 검출될 제1 각도를 양 방향으로 통과하는 회전 범위에서 임의의 각도로 분석기(40)를 회전시킬 수 있다.
검출기(70)는, 분석기(40)가 제2 각도에서 제3 각도까지 회전하는 동안 분석기(40)에 의하여 회절된 중성자광(N2)을 검출하여, 제1 로킹 곡선을 측정할 수 있다. 또한 검출기(70)는, 분석기(40)가 반대 방향으로 제3 각도에서 제2 각도까지 음의 방향으로 역회전하는 동안 분석기(40)에 의하여 회절된 중성자광(N2)을 검출하여, 제2 로킹 곡선을 측정할 수 있다. 검출기(70)는, 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 제2 로킹 곡선의 피크 위치를 비교함으로써, 분석기(40)를 회전시키는 구동부(50)의 백래쉬를 측정할 수 있다.
예를 들어, 제1 각도를 0°로 하고 초기 음의 각도에서부터 0°를 지나 양의 각도까지 분석기(40)를 회전시키면서 로킹 곡선을 측정하고, 로킹 곡선의 피크 위치 Pf1를 측정할 수 있다. 분석기(40)가 일정한 양의 각도 이상에 도달하면, 이를 역방향으로 회전시켜 0°를 지나 초기 음의 각도까지 회전시키면서 다시 로킹 곡선을 측정하고, 로킹 곡선의 피크 위치 Pr2를 측정할 수 있다. Pr2와 Pf1의 차이(즉, Pr2 - Pf1)가 구동부(50)의 역방향 백래쉬로 정의될 수 있다.
한편 일 실시예에서는, 역방향으로 시작점까지 회전된 분석기(40)를 다시 정방향으로 회전시키면서 로킹 곡선을 측정하고, 로킹 곡선의 피크 위치 Pf2를 측정할 수 있다. 이때, Pf1과 Pf2의 차이(즉, Pf2 - Pf1)가 정방향 백래쉬로 정의될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 실시예에 따른 백래쉬 측정 장치를 이용하여 구동부의 백래쉬를 회절 모드(diffraction mode)로 측정한 예를 나타내는 그래프이다.
도 3은 단색기를 초기 음의 각도에서 양의 각도까지 정방향으로 회전시키면서 광의 세기를 측정한 측정 값(기호 O)으로 제1 로킹 곡선을 나타내며, 단색기를 초기 음의 각도까지 원위치 시킨 후 다시 동일한 방향으로 회전시키면서 광의 세기를 측정한 측정 값(기호 +)으로 제2 로킹 곡선을 나타낸다. 또한, 각각의 기호(O, +)에 인접한 실선은 각각의 측정 값을 정규분포함수(Gaussian function)로 피팅(fitting)한 결과를 나타낸다. 도시되는 바와 같이, 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 제2 로킹 곡선의 피크 위치에 차이가 있으며, 이는 정방향으로 회전시켰다가 역방향으로 회전시켜 원위치로 돌아오는 과정에서 단색기를 회전시키는 구동부가 온전히 원위치로 돌아오지 않았다는 것을 의미한다. 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 제2 로킹 곡선의 피크 위치를 비교함으로써, 회전 구동부의 백래쉬를 측정할 수 있다.
백래쉬 측정에 있어 측정된 로킹 곡선을 그대로 사용할 수도 있으나, 필요할 경우에는, 도 3 및 도 4에 실선으로 도시된 것과 같이 로킹 곡선에서 정규분포함수 등으로 일정 구간을 피팅하여 더 정확한 피크 위치 값을 얻을 수도 있다. 측정된 백래쉬는 회전 구동부의 종류에 따라 액츄에이터, 스피널 기어 등이 직선 운동한 길이 또는 회전한 각도로 산출될 수 있으며, 직선 길이와 회전 각도 사이에는 상호 변환이 가능하다. 예를 들어, 구동부가 이동한 직선 길이를 회전 반경으로 나눈 결과에 arctan를 적용하여 회전 각도를 얻을 수 있다. 도 3에 도시된 그래프에서 구동부의 형태를 고려하면 백래쉬는 0.2㎛ 또는 0.4 arcsec로 측정되었다.
이상에서 도 1 내지 도 3을 참조하여 전술한 방법을 통하여, 구동부(50) 내의 기어 톱니 사이의 틈새 및/또는 구동부(50) 내의 액츄에이터(actuator) 및 엔코더(encoder) 등에 의한 백래쉬를 초각 이하(subarcsecond) 또는 나노미터 이하(subnanometer) 단위까지 정밀하게 측정할 수 있다. 한편, 구동부(50)는 복수 개의 부품의 조합으로 이루어질 수도 있다. 이 경우, 전술한 방법에 의해 측정되는 백래쉬는 구동부(50) 전체의 백래쉬이므로, 구동부(50)의 개별 부품을 순차적으로 교환해가면서 백래쉬를 측정함으로써 개별 부품의 백래쉬를 측정할 수 있다.
또한 이상에 기재한 검출기(70)의 동작을 통하여, 동력 전달 시스템의 운전 가능한 최소 스텝 및 반복 운동에 필요한 최소 변위 등의 측정이 가능하다. 스텝 증가가 너무 작거나, 미세 각도 또는 미세 거리 이동 후 원위치 시킬 경우에 모터, 액츄에이터, 기어 및 회전판 등으로 동력 전달이 안되는 경우가 있다. 구동 제어부에서는 동력 전달 신호를 보내어 기계적인 시스템이 구동되는 것으로 인식할 수 있으나, 실제로는 기어 틈새 상에서 미끄러짐(slip) 현상이 있어 기계가 헛도는 현상이 있을 수 있다. 그러나, 본 실시예에서는 검출부(70)에서 로킹 곡선을 측정함으로써, 백래쉬를 포함하여 동력 전달 여부를 알 수 있다. 즉, 동력 전달이 안되는 경우에는 검출부(70)에 검출되는 중성자광 또는 X-레이의 세기 변화가 없게 된다.
한편, 전술한 실시예에서는 제어부(60)가 구동부(50)를 통해 분석기(40)를 회전시키면서 구동부(50)의 백래쉬를 측정하는 동작에 대하여 예시적으로 설명하였으나, 분석기(40)가 아닌 단색기(20)를 회전시키는 경우에도 동일한 원리에 의해 백래쉬를 측정할 수 있다. 즉, 백래쉬 측정 장치는 단색기(20)에 연결된 회전판 및 스피널 등 회전 구동 수단(미도시)을 포함할 수 있다. 제어부(60)는 상기 회전 구동 수단을 통해 단색기(20)를 회전시킬 수 있으며, 단색기(20)가 회전되는 동안 검출기(70)에 검출된 로킹 곡선의 피크 위치의 변화를 이용하여 단색기(20)의 회전 구동 수단의 백래쉬를 측정할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 일 실시예에서 백래쉬 측정 장치가 투과 모드로 동작하는 경우 백래쉬 측정 장치는 검출기(80)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 검출기(80)는, 분석기(40)에 의하여 회절된 중성자광이 아니라 분석기(40)를 투과한 중성자광(N3)을 검출하는 점에서 도 1을 참조하여 전술한 검출기(70)와 차이점이 있다. 즉, 검출기(80)는 투과율 모니터의 기능을 할 수 있다. 이를 위하여, 검출기(80)는 분석기(40)에 입사되는 중성자광의 광로를 분석기(40)를 관통하여 연장한 연장선상에 배치될 수 있다. 검출기(80)를 통한 검출 과정은 도 1을 참조하여 전술한 검출기(70)의 동작으로부터 용이하게 이해될 수 있다. 다만, 단색기(20)와 분석기(40)가 대칭적으로 배치되는 경우, 단색기(20)에서 브래그 회절된 중성자광은 분석기(40)에서브래그 회절되어 검출기(70)쪽으로 대부분 진행되므로, 투과율 검출기(80)에 의하여 검출되는 로킹 곡선은 최소값을 갖는 피크를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 실시예에 따른 백래쉬 측정 장치를 이용하여 구동부의 백래쉬를 투과모드로 측정한 예를 나타내는 그래프이다.
도 4는 분석기를 초기 음의 각도에서 임의의 양의 각도까지 정방향으로 회전시키면서 광의 세기를 측정한 측정값(기호 O)으로 제1 로킹 곡선을 나타내며, 임의의 양의 각도로부터 분석기를 초기 음의 각도까지 원위치 시킨 후 다시 동일한 방향으로 회전시키면서 광의 세기를 측정한 측정값(기호 +)으로 제2 로킹 곡선을 나타낸다. 또한, 각각의 기호(O, +)에 인접한 실선은 각각의 측정 값을 정규분포함수로 피팅한 결과를 나타낸다. 도시되는 바와 같이, 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 제2 로킹 곡선의 피크 위치에 차이가 있으며, 이로부터 분석기를 회전시키는 회전 구동부의 백래쉬를 측정할 수 있다.
이상에 기재한 실시예들에 따른 백래쉬 측정 장치 및 방법을 이용하면, 위치제어, 속도제어, 토크제어, 스텝제어 등 반복적인 작업이 이루어지는 정밀제어 분야에서 제품 생산에 영향을 미치는 구동 시스템의 위치제어의 정밀도를 정량적으로 측정할 수 있다. 상기 백래쉬 측정 장치 및 방법에 의하면 백래쉬를 초각 이하(subarcsecond) 또는 나노미터 이하(subnanometer) 단위까지 측정할 수 있어, 기계생산 공구, 기어, 전자 등 정밀제어 분야의 발전에 공헌할 수 있다.
예컨대, 종래에 모터의 정밀한 운동을 조율하기 위해 스텝을 작게하는 경우, 스텝이 너무 작거나 변위거리가 너무 작으면 기어가 헛도는 경우가 있는데, 실시예들에 따른 백래쉬 측정 장치 및 방법을 이용하여 공회전을 일으키는 최소스텝 및 최소이동구간을 측정할 수 있다. 나아가, 구동 시스템의 이동 속도 또한 물리적인 한계를 가지고 있어 이동 속도가 너무 빠르거나 너무 느리면 구동 시스템의 오차가 커질 수 있는데, 실시예들에 따른 백래쉬 측정 장치 및 방법을 이용하여 적정 구동속도를 측정할 수 있다.
이상에서 살펴본 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러나, 이와 같은 변형은 본 발명의 기술적 보호범위 내에 있다고 보아야 한다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 입사된 광을 브래그 회절시키는 단색기;
    상기 단색기에 의해 회절된 광이 입사되며, 입사된 광을 브래그 회절시키는 분석기;
    상기 단색기 또는 상기 분석기에 연결된 구동부를 제어하여, 상기 단색기 또는 상기 분석기를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 제어부; 및
    상기 단색기 또는 상기 분석기가 회전하는 동안 상기 분석기에 의해 회절 또는 투과된 광을 검출하며, 검출된 광을 이용하여 상기 구동부의 백래쉬를 측정하는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 단색기 또는 상기 분석기의 회전 각도가 제1 각도일 때 상기 단색기 및 상기 분석기가 서로 정렬되어 대칭적으로 배치되며,
    상기 제어부는, 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 제2 각도로부터 제3 각도까지 상기 제1 방향으로 회전시키고, 상기 제3 각도로부터 상기 제2 각도까지 상기 제2 방향으로 회전시키되,
    상기 제1 각도는 상기 제2 각도 및 상기 제3 각도 사이에 위치하는 백래쉬 측정 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 검출기는, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제1 로킹 곡선을 측정하며, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제2 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제2 로킹 곡선을 측정하고, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 검출기는 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 검출기는 상기 분석기를 투과한 광을 검출하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 상기 제1 방향, 상기 제2 방향 및 상기 제1 방향으로 순차적으로 회전시키며,
    상기 검출기는, 상기 단색기 또는 상기 분석기가 두 차례 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 각각 제1 로킹 곡선 및 제2 로킹 곡선을 측정하고, 상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 검출기는 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 검출기는 상기 분석기를 투과한 광을 검출하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 검출된 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 단색기 및 상기 분석기 각각은, 흑연, 실리콘, 게르마늄(Ge), 염화칼슘(NaCl), 리튬불소(LiF), 칼슘카보네이트(CaCO3), 납(Pb), 구리(Cu), 다이아몬드, 석영, 갈륨비소(GaAs), 사파이어(Al2O3), 또는 베를리늄(Be)을 포함하는 단결정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 광은 중성자광 또는 X-레이인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 장치.
  11. 단색기에 의하여 광을 브래그 회절시키는 단계;
    상기 단색기에 의하여 회절된 광을, 분석기에 입사시키는 단계;
    상기 분석기에 의하여 광을 브래그 회절시키는 단계;
    상기 단색기 또는 상기 분석기에 연결된 구동부를 제어하여, 상기 단색기 또는 상기 분석기를 제1 방향 및 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키는 단계; 및
    상기 단색기 또는 상기 분석기가 회전하는 동안 상기 분석기에 의해 회절 또는 투과된 광을 검출하여 상기 구동부의 백래쉬를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 회전시키는 단계는,
    상기 단색기 또는 상기 분석기를, 제2 각도로부터 제3 각도까지 상기 제1 방향으로 회전시키는 단계; 및
    상기 단색기 또는 상기 분석기를, 상기 제3 각도로부터 상기 제2 각도까지 상기 제2 방향으로 회전시키는 단계를 포함하되,
    상기 제2 각도 및 상기 제3 각도 사이에, 상기 단색기 및 상기 분석기가 서로 정렬되어 대칭적으로 배치되는 제1 각도가 위치하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 백래쉬를 측정하는 단계는,
    상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계;
    상기 단색기 또는 상기 분석기가 상기 제2 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계; 및
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기를 투과한 광을 검출하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 회전시키는 단계는, 상기 단색기 또는 상기 분석기를, 상기 제1 방향, 상기 제2 방향 및 상기 제1 방향으로 순차적으로 회전시키는 단게를 포함하되,
    상기 백래쉬를 측정하는 단계는,
    상기 단색기 또는 상기 분석기가 첫 번째로 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계;
    상기 단색기 또는 상기 분석기가 두 번째로 상기 제1 방향으로 회전하는 동안 광을 검출하여 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계; 및
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 위치와 상기 제2 로킹 곡선의 피크 위치의 차이로부터 상기 백래쉬를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기에 의하여 회절된 광을 검출하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최대가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 제1 로킹 곡선을 측정하는 단계 및 상기 제2 로킹 곡선을 측정하는 단계 각각은, 상기 분석기를 투과한 광을 검출하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 로킹 곡선의 피크 및 상기 제2 로킹 곡선의 피크는 광의 세기가 최소가 되는 지점인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  19. 제 11항에 있어서,
    상기 단색기 및 상기 분석기 각각은, 흑연, 실리콘, 게르마늄(Ge), 염화칼슘(NaCl), 리튬불소(LiF), 칼슘카보네이트(CaCO3), 납(Pb), 구리(Cu), 다이아몬드, 석영, 갈륨비소(GaAs), 사파이어(Al2O3) 또는 베를리늄(Be)을 포함하는 단결정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
  20. 제 11항에 있어서,
    상기 광은 중성자광 또는 X-레이인 것을 특징으로 하는 백래쉬 측정 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020111660A1 (ko) * 2018-11-28 2020-06-04 한국과학기술연구원 핵 산란과 자기 산란의 분리 장치 및 이를 포함하는 극소각 중성자 산란장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101360906B1 (ko) * 2012-11-16 2014-02-11 한국표준과학연구원 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법
US10629318B1 (en) * 2014-10-28 2020-04-21 Michelle Corning Neutron beam diffraction material treatment system
US9823165B2 (en) * 2016-01-21 2017-11-21 Easy Link Mechanical Technology Company LTD. Apparatus and method for measuring backlash
CN110822073B (zh) * 2019-11-20 2023-02-10 上海新时达机器人有限公司 齿隙调节方法及调节装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258366A (ja) 1999-03-05 2000-09-22 Rigaku Corp 微小部ｘ線回折装置
JP2001221752A (ja) 2000-02-04 2001-08-17 Rigaku Industrial Co 波長分散型蛍光ｘ線分析装置
KR20060002591A (ko) * 2004-07-02 2006-01-09 한국원자력연구소 2개의 편극 중성자 초거울을 이용한 편극 중성자 반사율측정 장치
KR20120021874A (ko) * 2010-08-20 2012-03-09 한국과학기술연구원 극소각 중성자 산란 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3345613A (en) * 1964-11-12 1967-10-03 Sylvania Electric Prod X-ray diffractometer control system
JP2000266567A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Canon Inc ロータリエンコーダ
US6255645B1 (en) * 1999-06-04 2001-07-03 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for optically measuring drive train backlash
JP4228132B2 (ja) * 2002-10-18 2009-02-25 株式会社トプコン 位置測定装置
KR100982236B1 (ko) 2008-07-07 2010-09-14 엘아이지넥스원 주식회사 백래쉬 측정 장치 및 방법
FR2961772B1 (fr) 2010-06-23 2013-03-15 Peugeot Citroen Automobiles Sa Procede de changement de rapport de vitesse montant sous couple avec detection des jeux de boite de vitesses

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258366A (ja) 1999-03-05 2000-09-22 Rigaku Corp 微小部ｘ線回折装置
JP2001221752A (ja) 2000-02-04 2001-08-17 Rigaku Industrial Co 波長分散型蛍光ｘ線分析装置
KR20060002591A (ko) * 2004-07-02 2006-01-09 한국원자력연구소 2개의 편극 중성자 초거울을 이용한 편극 중성자 반사율측정 장치
KR20120021874A (ko) * 2010-08-20 2012-03-09 한국과학기술연구원 극소각 중성자 산란 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2020111660A1 (ko) * 2018-11-28 2020-06-04 한국과학기술연구원 핵 산란과 자기 산란의 분리 장치 및 이를 포함하는 극소각 중성자 산란장치

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