KR101306228B1 - 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러 - Google Patents

에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러 Download PDF

Info

Publication number
KR101306228B1
KR101306228B1 KR1020100046340A KR20100046340A KR101306228B1 KR 101306228 B1 KR101306228 B1 KR 101306228B1 KR 1020100046340 A KR1020100046340 A KR 1020100046340A KR 20100046340 A KR20100046340 A KR 20100046340A KR 101306228 B1 KR101306228 B1 KR 101306228B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
handler
coupled
susceptor
robot
Prior art date
Application number
KR1020100046340A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110126857A (ko
Inventor
최용규
한석빈
Original Assignee
주식회사 선반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 선반도체 filed Critical 주식회사 선반도체
Priority to KR1020100046340A priority Critical patent/KR101306228B1/ko
Publication of KR20110126857A publication Critical patent/KR20110126857A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101306228B1 publication Critical patent/KR101306228B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B08B5/023—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B25J15/0675—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum of the ejector type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

웨이퍼 핸들링의 자유도와 자동화의 확대로 반도체 제조 공정의 생산성과 품질개선 효과가 있고, 서셉터의 클리닝 작업에 의해 이물질에 의한 웨이퍼의 결함을 최소화 할 수 있는 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러가 개시된다. 본 발명에 따른 웨이퍼 핸들러는 챔버의 이웃한 일측에 구비되는 로봇과, 로봇에 결합되어 선회되는 핸들러 아암과, 핸들러 아암의 단부에 결합되어 웨이퍼를 집는 그립퍼와, 서셉터를 관찰하는 영상장치와, 챔버, 로봇 및 영상장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하여 구성된다. 이때, 그립퍼는 웨이퍼의 가장자리 일부만을 접촉시키는 정도로 로딩/언로딩 될 수 있게 된다. 또한, 로봇에 결합되어 선회되는 클리닝 아암과, 클리닝 아암의 단부에 결합되는 덕트와, 덕트의 내부에 결합되는 로라와, 덕트내의 공기를 빨아들이는 흡입관으로 구성되는 클리너를 더 포함하여 컨트롤러에 의해 제어될 수도 있게 된다.

Description

에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러{A wafer handler used to Epi-layer}
본 발명은 에피층(Epi-layer) 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 서셉터위에 올리고 내리는 작업을 자동으로 수행할 수 있고, 작업후에는 서셉터의 이물질을 제거할 수 있도록 클리닝 작업을 수행할 수 있으며, 서셉터를 자동으로 이동시킬 수 있도록 할 수 있는 웨이퍼 핸들러에 관한 것이다.
화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정에 이용되는 화학 기상 증착장치는, 석영(quartz)으로 제작된 반응기 챔버(chamber)와, 그 내부에 장착된 서셉터(susceptor) 및 웨이퍼(wafer)와, 그리고 챔버의 상, 하부에 구비된 가열램프(heating lamp)를 포함하여 구성된다.
서셉터는 탄소(graphite) 재질로 된 판에 SiC로 코팅된 것으로서, 가열램프로부터 열에너지를 공급받아 인젝터(injector)로부터 분무된 반응가스가 서셉터 윗면에서 원활히 화학반응이 일어나는 공정온도(약 1,100℃)를 유지시키게 된다.
이러한 공정을 통해 웨이퍼 윗면에 표면반응이 일어나게 되며, 그 결과 일정한 두께의 실리콘 에피층(Epi-layer)이 형성되게 된다.
현재의 Epi 성장 공정은 웨이퍼를 작업자가 Vacuum pickup을 이용하여 loading 및 unloading한다. 웨이퍼내의 균일한 온도가 중요함으로 서셉터 표면과 웨이퍼 사이에 vacuum tweezer 등이 들어갈 공간을 만들 수 없는 상태이기에 기존 웨이퍼 핸들러(Wafer Handling) 장치를 사용할 수 없게 된다.
따라서 종래기술의 장비는 도 1에서 보는 것과 같이 서셉터 자체의 이동으로 수작업이 편한 상태를 의미하고, LED 제품의 전기적, 광학적 특성은 Epi layer의 품질에 의해 주로 좌우되며, 현재 결정 결함 밀도는 108 order 수준에서 제품이 동작함으로 인해 핸들링 등에 의한 결함 증가 영향이 무시되어 왔다.
그러나 LED 소자의 광량을 높이기 위해 Current가 높아질수록 낮은 수준의 결정 결함이 요구되고 있다. 때문에 수작업에 의한 결함 발생 가능성을 제어하여야 할 필요성이 높은 실정이다.
수작업을 모사한 자동화는 수작업시 생기는 웨이퍼와 서셉터간의 정교하게 센싱(sensing)할 수 있는 저가의 장치 개발이 어려워 Epi 장비의 Loader 자동화가 미뤄져 왔다.
특히 Epi 장비의 저생산성(1일 3회 이하의 TAT) 때문에 자동화에 따른 효과가 가려져 왔다.
또한, SiC Coating된 Graphite susceptor는 Loading/Unloading 시의 웨이퍼와의 접촉을 통해 micro scratch가 누적되어 서셉터 결함의 원인이 되고, 이로부터 발생한 이물에 의한 Epi층 결함이 LED 제품 품질에 영향을 주는 문제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 웨이퍼를 서셉터위에 올리고 내리는 작업을 자동으로 수행할 수 있는 웨이퍼 핸들러를 제공하는데 있다.
또한, 웨이퍼 핸들러에 클리닝 장치를 부가하여 작업을 마친 서셉터상에 이물질을 제거할 수 있도록 제공하는데 있다.
또한, 서셉터의 이동을 자동으로 수행할 수 있도록 제공하는데 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위해 본 발명은,
웨이퍼의 에피층(Epi-layer) 성장을 위해 내부에 서셉터가 설치된 챔버에 웨이퍼를 자동으로 로딩/언로딩 시키는 웨이퍼 핸들러에 있어서,
챔버의 이웃한 일측에 구비되는 로봇과;
로봇에 결합되어 선회되는 핸들러 아암과;
핸들러 아암의 단부에 결합되어 웨이퍼를 집는 그립퍼와;
서셉터를 관찰하는 영상장치와;
챔버, 로봇 및 영상장치를 제어하는 컨트롤러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 핸들러를 제공한다.
이때, 그립퍼는 하부가 개방되면서 핸들러 아암의 단부에 결합되는 하우징과, 하우징의 하단부 가장자리에 장착되어 수평운동하는 다수의 안착핀과, 하우징의 중앙부를 상,하로 관통하여 에어를 공급하는 에어공급파이프와, 에어공급파이프의 하단에 수평하게 장착되는 흡착판과, 에어공급파이프에 인접하게 상,하로 관통되어 공급된 에어를 다시 빨아들이는 흡입로로 구성되어 웨이퍼의 가장자리 일부만을 접촉시키는 정도로 로딩/언로딩 될 수 있게 된다.
또한, 로봇에 결합되어 선회되는 클리닝 아암과, 클리닝 아암의 단부에 결합되는 덕트와, 덕트의 내부에 결합되는 로라와, 덕트내의 공기를 빨아들이는 흡입관으로 구성되는 클리너를 더 포함하여 컨트롤러에 의해 제어될 수도 있다.
또한, 로봇에 장착되어 회전되는 메인샤프트와, 이 메인샤프트의 상단에 어느 일측이 결합되는 무빙아암과, 이 무빙아암의 타측에 장착되어 회전되는 서브샤프트와, 서브샤프트의 상단에 결합되어 서셉터를 집도록 서로 오므라 들었다 벌어졌다 하는 조우로 구성되는 서셉터 핸들러를 더 포함하여 컨트롤러에 의해 제어될 수도 있게 된다.
전술한 바와 같이 형성된 웨이퍼 핸들러는 웨이퍼 핸들링의 자유도와 자동화의 확대로 반도체 제조 공정의 생산성과 품질개선 효과가 기대된다.
또한, 서셉터의 클리닝 작업에 의해 이물질에 의한 웨이퍼의 결함을 최소화 할 수 있게 된다.
도 1은 종래기술에 따른 에피층 성장에 사용되는 챔버를 나타낸 사진이고,
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 핸들러를 나타낸 개략도이고,
도 3은 도 2의 그립퍼를 나타낸 도면이고,
도 4a 내지 도 4e는 그립퍼에 의해 웨이퍼가 로딩 되는 모습을 순차적으로 나타낸 도면들이고,
도 5a 내지 도 5c는 그립퍼에 의해 웨이퍼가 언로딩 되는 모습을 순차적으로 나타낸 도면들이고,
도 6은 본 발명 웨이퍼 핸들러에 클리너가 더 구성된 모습을 나타낸 개략도이고,
도 7은 도 6의 클리너를 보다 상세히 보인 도면이고,
도 8은 본 발명 웨이퍼 핸들러에 부가적으로 사용될 수 있는 서셉터 핸들러의 모습을 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 9는 도 8에 도시된 조우의 작용을 보인 평면도이고,
도 10a 내지 10j는 본 발명의 영상장치에서 촬영된 이미지를 이용하여 좌표값을 얻는 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 Epi 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러에 대해 설명한다.
도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 핸들러(100)는 내부에 서셉터(20)가 설치된 챔버(10)에 인접하게 구비되는 로봇(110)과, 이 로봇(110)에서 분기되어 선회되는 다관절 핸들러 아암(111)과, 핸들러 아암(111)의 단부에 장착되는 그립퍼(120)와, 챔버(10)를 관찰하는 영상장치(140)를 포함한다.
로봇(110)은 핸들러 아암(111)이나 그립퍼(120)를 조작시키는 메인 몸체로서, 챔버(10)와 연동될 수 있도록 컨트롤러(130)에 의해 제어된다.
핸들러 아암(111) 및 그립퍼(120)는 웨이퍼(W)를 챔버(10)로 loading/unloading 시키는 작업 주체로서, 웨이퍼(W)의 주요부분인 중앙부를 비접촉으로 이동시킬 수 있도록 구성된다.
이러한 그립퍼(120)는 도 3에서 보는 바와 같이, 하부가 개방되면서 핸들러 아암(111)의 단부에 결합되는 하우징(121)과, 하우징(121)의 하단부 가장자리에 장착되어 수평운동하는 다수의 안착핀(122)과, 하우징(121)의 중앙부를 상,하로 관통하는 에어공급파이프(123)와, 에어공급파이프(123)의 하단에 수평하게 장착되는 흡착판(Quartz Plate, 124)과, 에어공급파이프(123)에 인접하게 상,하로 관통되는 흡입로(125)로 구성된다.
여기에서, 안착핀(122)은 웨이퍼(W)를 들어올린 후, 웨이퍼(W)의 가장자리를 받쳐주는 수단으로서, 하우징(121) 내측으로 수평운동하여 웨이퍼(W)를 받쳐준 후, 그립퍼(120)가 이동을 하게 되고, 그립퍼(120)의 이동후에는 안착핀(122)이 하우징(121) 외측으로 수평운동하여 웨이퍼(W)를 내려 놓게 된다.
에어공급파이프(123) 및 흡입로(125)는 서로 상반되는 작용을 하는 것으로, 에어공급파이프(123)는 콤프레셔와 연결되고, 흡입로(125)는 진공펌프와 연결된다.
에어공급파이프(123), 흡착판(124) 및 흡입로(125)는 웨이퍼(W)를 비접촉에 의해 끌어올리는 작업을 수행하는 수단으로, 에어공급파이프(123)를 통해 순수한 공기(Dry Air)나 나이트로젠 가스(Dry N2)를 흘려 보내면서 흡입로(125)에서 이 에어를 흡입하게 되면, 서셉터(20)위에 올려져 있던 웨이퍼(W)가 베르누이 효과에 의해 들어 올려지고, 올려진 상태에서 안착핀(122)이 작용을 하여 웨이퍼(W)를 받치게 된다.
즉, 에어공급파이프(123)에서 분출되는 에어는 흡착판(124)을 돌아 흡입로(125)로 순환하기 때문에 흡착판(124)의 아래쪽은 베르누이 정리에 의해 주위보다 압력이 낮아지게 되고, 이로 인해 서셉터(20)의 포켓(21)에 있던 웨이퍼(W)가 저기압쪽으로 이동하여 부상된다.
이러한 그립퍼(120)는 웨이퍼(W)를 로딩(loading)시킬때에는 안착핀(122)에 의해서만 작업을 수행하며, 웨이퍼(W)를 언로딩(unloading)시킬때에는 안착핀(122) 및 기압차에 의해 작업을 수행하게 된다.
그립퍼(120)의 로딩/언로딩 모습을 도면을 보면서 자세하게 설명해 본다.
먼저, 로딩모습을 설명한다.
웨이퍼(W)의 로딩은 도 4a에서 보는 바와 같이 그립퍼(120)를 카세트(C)위로 이동한 후, 로딩할 웨이퍼(W)위에 그립퍼(120)가 위치된다.
로딩할 웨이퍼(W)위에 그립퍼(120)가 위치되면, 도 4b에서 보는 것과 같이 그립퍼(120)의 안착핀(122)을 안쪽으로 수평이동하여 안착핀(122)이 로딩할 웨이퍼(W)의 가장자리 하부쪽을 받치게 한다.
로딩할 웨이퍼(W)를 집은 후, 핸들러 아암(111)을 선회시켜 챔버(10)의 서셉터(20)위로 그립퍼(120)를 이동시킨 후, 도 4c에서 보는 것과 같이 웨이퍼(W)가 로딩될 서셉터(20)의 포켓(21)위에 정위치시킨다.
그립퍼(120)를 정위치 시킨 후, 도 4d에서 보는 것과 같이 안착핀(122)중 어느 하나를 작동시켜 웨이퍼(W)의 일부가 포켓(21)에 내려앉게 하며, 순차적으로 나머지 안착핀(122)들을 작동시켜 도 4e에서 보는 것과 같이 로딩을 완료한다.
다음은 언로딩을 설명한다.
웨이퍼의 언로딩은 도 5a에서 보는 것과 같이, 그립퍼(120)를 언로딩할 웨이퍼(W)위에 위치시킨 후, 에어공급파이프(123)로 순수한 에어를 분출시키면서 흡입로(125)로 이 분출된 에어를 다시 빨라들이면, 도 5b에서 보는 것과 같이 포켓(21)에 있던 웨이퍼(W)가 기압차에 의해 부상된다.
부상된 언로딩 웨이퍼(W)는 에어공급파이프(123)에서 에어가 계속해서 분출되기 때문에 흡착판(124)과 접촉되지 않는 범위내에서 계속 부상하게 되며, 부상된 상태에서 도 5c에서 보는 것과 같이 안착핀(122)이 작동하여 웨이퍼(W)를 받친 후, 에어공급파이프(123) 및 흡입로(125)의 작용이 멈춘 후, 언로딩된다.
본 발명에 따른 웨이퍼 핸들러(100)는 서셉터(20)의 클리닝을 수행할 수 있도록 클리너가 더 구성될 수 있다.
도 6 및 도 7을 참고하면, 클리너(150)는 로봇(110)에서 분기된 클리닝 아암(151)과, 이 클리닝 아암(151)의 단부에 장착된 덕트(152)와, 덕트(152)내에 장착되는 로라(153)와, 덕트(152)내의 공기를 빨아들이는 흡입관(154)으로 구성된다.
물론, 클리너(150)는 로봇(100)과 컨트롤러(130) 및 영상장치(140)의 제어에 의해 작동된다. 이때, 로라(153)는 고무나 스펀지 등과 같은 탄력이 있는 막대로서, 적어도 하나 이상이 장착될 수 있고, 흡입관(154)의 흡입력으로 인해 로라(153)나 서셉터(20) 또는 덕트(152)내의 이물질 및 분진 등을 포집하게 된다.
이때, 클리닝 아암(151)은 작동의 편리상 다관절로 구성됨이 좋을 것이고, 클리닝 아암(151)과 덕트(152)의 결합부위도 조인트에 의해 손목처럼 자유롭게 움질일 수 있도록 설계됨이 바람직할 것이다. 또한, 흡입관(154)은 그립퍼(120)의 흡입로(125)에서 작용된 것과 같이 외부의 진공펌프와 연결된다.
본 발명에 따른 웨이퍼 핸들러(100)에는 서셉터 핸들러를 더 포함할 수 있다.
서셉터(20)는 교체 및 가공(예 : 열처리)을 위해 특정장소로 이동시켜야 되는데, 이러한 작업을 서셉터 핸들러를 통해 자동으로 수행할 수 있게 된다.
도 8 및 도 9를 참고하면, 본 발명에 따른 서셉터 핸들러(160)는 로봇(110)에 장착되는 메인샤프트(161)와, 이 메인샤프트(161)의 상단에 어느 일측이 결합되어 회전되는 무빙아암(162)과, 이 무빙아암(162)의 타측에 장착되는 서브샤프트(163)와, 서브샤프트(163)의 상단에 결합되어 회전되는 조우(164)로 구성된다.
여기에서도 서셉터 핸들러(160)는 로봇(110), 컨트롤러(130) 및 영상장치(140)에 의해 제어되고, 메인샤프트(161) 및 서브샤프트(163)는 전동에 의해 회전가능하게 되며, 조우(164)는 서셉터(20)를 죄거나 풀기위해 서로 마주보도록 오므라들거나 벌어지게 작동된다.
다음은, 영상장치(140)에 의해 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩될 좌표를 구하기 위한 방법을 설명한다.
영상장치(140)는 서셉터(20)를 촬영한후, 이 촬영된 이미지를 이용해 웨이퍼(W) 또는 포켓(21)의 중심값을 구한다. 이때, 영상장치(140)에서 판독한 좌표가 핸들러 아암(111)의 좌표가 될 수 있도록 옵셋 보정을 통해 미리 설정작업을 해 놓는다.
영상장치(140)는 도 10a에서 보는 것과 같이 서셉터(20)의 이미지를 촬영하고, 이 촬영된 이미지를 컨트롤러(130)으로 송출하여 연산을 수행한다.
가) 먼저, 촬영된 이미지는 도 10b에서 보는 것과 같이 그레이스케일(gray scale)로 이미지 변환을 하고,
나) 도 10c에서 보는 것과 같이 변환된 그레이스케일 이미지의 노이즈를 제고하고,
다) 도 10d에서 보는 것과 같이 이미지 히스토그램(image histogram)을 이용하여 중간값을 구한 후,
라) 도 10e에서 보는 것과 같이 흑백이미지(black & white, binary image, segmentation)로 변환하여,
마) 도 10f에서 보는 것과 같이 각 흑백영역의 작은 영역을 제거하고,
바) 도 10g에서 보는 것과 같이 반전(reversed image)을 한 후,
사) 다시 도 10h에서 보는 것과 같이 작은 영역 제거를 하여,
아) 원형의 각 영역에 할당된 픽셀을 연산을 통해 도 10i와 같이 면적을 구한 후,
자) 도 10j와 같이 각 영역의 중심점을 찾아 그 중심점의 현재 좌표를 얻게 된다.
따라서 영상장치(140)의 현재좌표가 옵셋 보정에 의해 입력된 핸들러 아암(111)의 좌표와 일치하도록 맞추어 놓았기 때문에 컨트롤러(130)의 지시에 의해 핸들러 아암(111)을 정확하게 이동시킬 수 있게 된다.
이와 같이 영상장치(140)에 의해 좌표를 구하고 핸들러를 이동시키는 기술은 각종 로봇 및 제어 기술에서 많이 사용되는 통상의 기술로, 본 발명에서 새롭게 개발된 것은 아님을 밝혀 둔다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 숙련된 당업자는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 챔버 11 : 챔버커버
20 : 서셉터 21 : 포켓
100 : 웨이퍼 핸들러 110 : 로봇
111 : 핸들러 아암 120 : 그립퍼
121 : 하우징 122 : 안착핀
123 : 에어공급파이프 124 : 흡착판
125 : 흡입로 130 : 컨트롤러
140 : 영상장치 150 : 클리너
151 : 클리닝 아암 152 : 덕트
153 : 로라 154 : 흡입관
160 : 서셉터 핸들러 161 : 메인샤프트
162 : 무빙아암 163 : 서브샤프트
164 : 조우

Claims (4)

  1. 웨이퍼(W)의 에피층(Epi-layer) 성장을 위해 내부에 서셉터(20)가 설치된 챔버(10)에 상기 웨이퍼(W)를 자동으로 로딩/언로딩 시키는 웨이퍼 핸들러에 있어서,
    상기 챔버(10)의 이웃한 일측에 구비되는 로봇(110)과;
    상기 로봇(110)에 결합되어 선회되는 핸들러 아암(111)과;
    상기 핸들러 아암(111)의 단부에 결합되어 상기 웨이퍼(W)를 집는 그립퍼(120)와;
    상기 서셉터(20)를 관찰하는 영상장치(140)와;
    상기 챔버(10), 로봇(110) 및 영상장치(140)를 제어하는 컨트롤러(130);를 포함하는 웨이퍼 핸들러로서, 상기 그립퍼(120)는 하부가 개방되면서 핸들러 아암(111)의 단부에 결합되는 하우징(121)과, 상기 하우징(121)의 하단부 가장자리에 장착되어 수평운동하는 다수의 안착핀(122)과, 상기 하우징(121)의 중앙부를 상,하로 관통하여 에어를 공급하는 에어공급파이프(123)와, 상기 에어공급파이프(123)의 하단에 수평하게 장착되는 흡착판(Quartz Plate, 124)과, 상기 에어공급파이프(123)에 인접하게 상,하로 관통되어 공급된 에어를 다시 빨아들이는 흡입로(125)로 구성되며, 상기 로봇(110)에 결합되어 선회되는 클리닝 아암(151)과, 상기 클리닝 아암(151)의 단부에 결합되는 덕트(152)와, 상기 덕트(152)의 내부에 결합되는 로라(153)와, 상기 덕트(152)내의 공기를 빨아들이는 흡입관(154)으로 구성되는 클리너(150)를 더 포함하여 상기 컨트롤러(130)에 의해 제어됨을 특징으로 하는 웨이퍼 핸들러.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
KR1020100046340A 2010-05-18 2010-05-18 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러 KR101306228B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100046340A KR101306228B1 (ko) 2010-05-18 2010-05-18 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100046340A KR101306228B1 (ko) 2010-05-18 2010-05-18 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120087851A Division KR101306229B1 (ko) 2012-08-10 2012-08-10 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러
KR1020120087850A Division KR101306227B1 (ko) 2012-08-10 2012-08-10 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110126857A KR20110126857A (ko) 2011-11-24
KR101306228B1 true KR101306228B1 (ko) 2013-09-06

Family

ID=45395738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100046340A KR101306228B1 (ko) 2010-05-18 2010-05-18 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101306228B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9735704B2 (en) 2012-04-23 2017-08-15 Infineon Technologies Korea Co. Ltd. Apparatus for controlling inverter current and method of operating the same
CN104511450A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 富鼎电子科技(嘉善)有限公司 吹气清扫装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156651A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Kyushu Electron Metal Co Ltd ウエーハのハンドリング装置
JP2005123551A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Cxe Japan Kk シリンダー型半導体エピタキシャル成長装置
JP2007329447A (ja) 2006-05-09 2007-12-20 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008118019A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Mitsubishi Electric Corp ウェハ保持装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156651A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Kyushu Electron Metal Co Ltd ウエーハのハンドリング装置
JP2005123551A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Cxe Japan Kk シリンダー型半導体エピタキシャル成長装置
JP2007329447A (ja) 2006-05-09 2007-12-20 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008118019A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Mitsubishi Electric Corp ウェハ保持装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110126857A (ko) 2011-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI478265B (zh) Substrate handling device and longitudinal heat treatment device
JP6080118B2 (ja) 壊れたウェーハ回収システム
US6874515B2 (en) Substrate dual-side processing apparatus
TWI417984B (zh) 自動排序之多方向性直線型處理裝置
JP4244555B2 (ja) 被処理体の支持機構
US20100296903A1 (en) End effector for handling substrates
TWI784283B (zh) 用於確定處理套件環損耗的檢測器及設備及其操作方法
KR101396469B1 (ko) 공작물 전달 시스템 및 방법
TW201320167A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI801456B (zh) 搬送裝置之教導方法及基板處理系統
KR101306229B1 (ko) 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러
KR101306228B1 (ko) 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러
KR101306227B1 (ko) 에피층 성장에 사용되는 웨이퍼 핸들러
KR20130120857A (ko) 기판 이송 로봇 및 이를 이용한 멀티 챔버 기판 처리 장치와 그 제어 방법
JP2005294378A (ja) 半導体ウエーハの両面研磨装置及び両面研磨方法
KR20120131105A (ko) 손상된 웨이퍼 복구 시스템
JP4791379B2 (ja) 基板処理装置、基板搬送方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
TWI840890B (zh) 一種晶圓傳送裝置、氣相沉積系統及使用方法
TW201946197A (zh) 用於半導體製程之基板傳送機構及成膜裝置
TW201404699A (zh) 用以運送晶圓狀物件之設備及方法
US20240222185A1 (en) Substrate transfer system
JP2006196676A (ja) 処理装置および処理方法
JP4380135B2 (ja) 基板処理装置
CN114450439A (zh) 具有存储室的处理装置和外延反应器
KR20070009077A (ko) 웨이퍼 매핑 센서를 갖는 로봇 유니트를 포함하는 반도체제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee