KR101288528B1 - Inspect Analyzer for detecting defect in cylinder shape crystal - Google Patents
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Abstract
실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정 방법이 개시된다. 결함 측정 방법은 레이저를 상기 결정체의 평면에 조사하는 단계; 상기 레이저가 조사된 상태에서 상기 결정체의 측면 전체 이미지를 획득하는 단계; 및 상기 전체 이미지 내에서 상기 레이저가 산란되어 나타나는 밝은 결함 스팟을 검출하는 단계;를 포함한다. 따라서, 보다 신속하고, 신뢰성 있게 실린더 내의 결함을 측정할 수 있도록 한다.Disclosed is a defect measuring method in a cylindrical transparent crystal. The defect measuring method comprises the steps of irradiating a plane of the crystal with a laser; Acquiring a full side image of the crystal while the laser is irradiated; And detecting a bright defect spot in which the laser is scattered in the entire image. Therefore, it is possible to measure defects in the cylinder more quickly and reliably.
Description
본 발명은 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투명 결정체 내의 기포, 불순물 등의 결함을 측정할 수 있는 투명 결정체 내의 결합측정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect measuring method in a cylindrical crystal, and more particularly, to a bonding measuring method in a transparent crystal capable of measuring defects such as bubbles and impurities in the transparent crystal.
반도체 직접회로, 발광 다이오드, 데이터 저장 장치, 광 탐지기등 현대의 정밀한 전자 제품에 소요되는 많은 소자들은 일반적으로 단결정으로부터 제조된다. 예를 들면, 반도체 직접회로는 단결정 실리콘 기판에서 제조되며, 발광다이오드, 데이터 저장장치, 광 탐지기 등과 같은 소자들은 일반적으로 투명한 사파이어 단결정 기판으로부터 제조된다. Many devices for modern precision electronics, such as semiconductor integrated circuits, light emitting diodes, data storage devices, and photodetectors, are typically manufactured from single crystals. For example, semiconductor integrated circuits are fabricated on single crystal silicon substrates, and devices such as light emitting diodes, data storage devices, photodetectors and the like are generally fabricated from transparent sapphire single crystal substrates.
이러한, 기판들은 잉곳이라고 불리는 덩어리를 절단하여 형성된다. 즉, 큰덩어리의 잉곳을 실린더 형상으로 절단하며, 절단된 실린더를 웨이퍼 형상으로 절단을 하게 된다. 이때 실린더 내부에는 기포, 불순물 등의 형태의 결함이 존재하게 되며, 웨이퍼 절단시 이러한 기포등의 결함이 발생된 부위를 제외하게 되므로, 웨이퍼를 절단하지 않고 실린더 형상으로 매매가 될때에는 실린더 내부에 결함이 발생된 부위를 제외한 부분만이 양품에 포함되게 된다. These substrates are formed by cutting agglomerates called ingots. That is, a large ingot is cut into a cylindrical shape, and the cut cylinder is cut into a wafer shape. In this case, defects in the form of bubbles, impurities, etc. exist inside the cylinder, and when the wafer is cut, the defects such as bubbles are excluded. Therefore, defects in the cylinder when trading in a cylindrical shape without cutting the wafer are eliminated. Only the part except the generated part will be included in the good.
종래에 사파이어와 같은 투명한 단결정 실린더에서 결함을 사람의 육안으로만 검출하였다. 그러나, 이러한 방법은 정확성이 떨어질 뿐만 아니라, 사람의 경험에 의존한다는 단점이 있다. 따라서, 실린더 형상의 내부의 결함을 보다 신뢰성 있게 검출할 수 있는 결함측정방법의 개발이 절실한 실정이다.In the prior art, defects were only detected by the human eye in a transparent single crystal cylinder such as sapphire. However, this method is disadvantageous in that it not only decreases accuracy but also depends on human experience. Therefore, there is an urgent need to develop a defect measuring method capable of more reliably detecting a defect in the cylinder shape.
본 발명의 실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 실린더 형상의 투명 결정체 내에서 기포와 같은 결함을 보다 신뢰성 있고 신속하게 검출할 수 있는 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정방법을 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention have been made to solve the above problems, and provides a defect measuring method in a cylindrical transparent crystal that can detect defects such as bubbles in the cylindrical transparent crystal more reliably and quickly. I would like to.
본 발명의 실시예는 상기와 같은 과제를 해결하고자, 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정 방법에 관한 것으로서, 레이저를 상기 결정체에 조사하는 단계; 상기 레이저가 조사된 상태에서 상기 레이저가 조사되는 방향의 수직방향의 상기 결정체의 전체 이미지를 획득하는 단계; 및 상기 전체 이미지 내에서 상기 레이저가 산란되어 나타나는 밝은 결함 스팟을 검출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정 방법을 제공한다.Embodiment of the present invention, to solve the above problems, relates to a defect measuring method in a transparent crystal of the cylindrical shape, the step of irradiating a laser to the crystal; Acquiring an entire image of the crystal in a direction perpendicular to the direction in which the laser is irradiated while the laser is irradiated; And detecting a bright defect spot in which the laser is scattered in the whole image.
여기서, 상기 레이저를 상기 결정체에 조사하는 단계는, 상기 투명 결정체의 평면에 상기 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.Here, in the step of irradiating the laser to the crystal, it is preferable to irradiate the laser on the plane of the transparent crystal.
상기 레이저는 단면의 면적이 상기 평면의 넓이와 실질적으로 동등한 것이 효과적이다.The laser is effective that the area of the cross section is substantially equal to the area of the plane.
상기 결함 스팟을 검출하는 단계 이후에, 검출된 상기 결함 스팟의 위치를 상기 결정체에 표시하는 점유율 표시 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.After the detecting of the defect spot, the occupancy display step of displaying the detected position of the defect spot on the crystal; preferably further comprises a.
상기 결함 스팟을 검출하는 단계는, 상기 결정체 전체 이미지를 복수의 분할 영역으로 분할하는 단계; 각각의 상기 분할 영역의 평균 밝기를 구하는 단계; 및 상기 분할 영역 내에서 상기 분할 영역의 평균 밝기보다 일정수준 이상 밝은 스팟을 상기 결함 스팟으로 지정하는 단계;를 포함하는 것이 효과적이다.The detecting of the defect spot may include: dividing the entire crystal image into a plurality of divided regions; Obtaining an average brightness of each of the divided regions; And designating a spot brighter than a mean brightness of the divided area as the defect spot in the divided area.
한편, 본 발명의 다른 범주로, 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함 측정 방법에 사용되는 실린더 형상의 투명 결정체 결함측정용 레이저 측정장치가 개시된다. 실린더 형상의 투명 결정체 결함측정용 레이저 측정장치는, 점 레이저를 발진하는 발진장치; 및 상기 발진장치에서 조사되는 점 레이저를 확산하여, 상기 평면의 평행한 레이저로 변환하는 평행렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, in another category of the present invention, a laser measuring apparatus for measuring a cylindrical transparent crystal defect used in a defect measuring method in a cylindrical transparent crystal is disclosed. The laser measuring apparatus for measuring a transparent crystal defect of a cylindrical shape includes: an oscillating apparatus for oscillating a point laser; And a parallel lens that diffuses the point laser irradiated from the oscillator and converts the point laser into a parallel laser in the plane.
또한, 상기 발진 장치에서 조사되는 상기 점레이저의 단면 중심부만 관통할 수 있는 크기의 조리개가 형성된 스크린; 및 상기 조리개를 통과한 레이저를 상기 평행렌즈를 향해 확산시키는 볼록렌즈;를 더 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the screen is formed with a diaphragm sized to penetrate only the center of the end face of the point laser irradiated from the oscillation device; And a convex lens for diffusing the laser beam passing through the aperture toward the parallel lens.
이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명의 과제해결 수단에 의하면 다음과 같은 사항을 포함하는 다양한 효과를 기대할 수 있다. 다만, 본 발명이 하기와 같은 효과를 모두 발휘해야 성립되는 것은 아니다.As described above, according to the present invention, various effects including the following can be expected. However, the present invention does not necessarily achieve the following effects.
본 발명의 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함 측정방법은 보다 신속하고, 신뢰성 있게 실린더 내의 결함을 측정할 수 있도록 한다.The defect measuring method in the cylindrical transparent crystal of the present invention enables to measure defects in the cylinder more quickly and reliably.
또한, 측정된 이미지를 복수의 분할 영역으로 분할 한 후 밝기의 평균값을 기준으로 결함부위를 검출함으로서, 모서리 등에서 발생할 수 있는 빛의 산란 등의 영향을 최소화 할 수 있다는 장점도 있다.In addition, by dividing the measured image into a plurality of divided regions and detecting defects based on the average value of brightness, there is an advantage that it is possible to minimize the effects of light scattering, etc. that may occur in the corners.
도 1은 본발명의 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정방법에 사용되는 레이저 측정장치의 개념도
도 2는 본 발명의 일실시예의 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정 방법을 도시한 블록도
도 3 내지 도 5는 결함 스팟을 검출하는 단계를 순차적으로 나타낸 사진
도 6은 점유율이 표시된 실린더의 측면도1 is a conceptual diagram of a laser measuring device used in a defect measuring method in a transparent crystal of a cylindrical shape of the present invention;
Fig. 2 is a block diagram showing a defect measuring method in a transparent crystal of cylindrical shape in one embodiment of the present invention.
3 to 5 are photographs sequentially showing steps of detecting a defect spot
6 is a side view of the cylinder with the occupancy indicated;
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본발명의 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정방법에 사용되는 레이저 측정장치의 개념도를 도시한 것이다.1 shows a conceptual diagram of a laser measuring apparatus used in a defect measuring method in a cylindrical crystal of the present invention.
먼저, 본 발명에 있어서, 투명 결정체란 사파이어와 같이 빛이 투과할 수 있는 결정체를 의미하는 것으로 반드시 사파이어에 한정되는 것은 아니나, 본 발명의 실시예에서는 사파이어를 예시하였다. 실린더 형상이라 함은 사전 그대로의 기둥형상을 말한다. 본 발명의 실시예에서는 원기둥을 예시로 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 타원기둥 혹은 다각기둥 등 다양한 형상이 사용될 수 있으나, 결함측정의 정확성은 각이 있는 기둥보다 각이 없는 원기둥, 타원기둥 등이 더 좋다.First, in the present invention, transparent crystals refer to crystals through which light can pass, such as sapphire, and are not necessarily limited to sapphire, but examples of the present invention include sapphire. The cylinder shape means a column shape as it is before. In the embodiment of the present invention, the cylinder has been cited as an example, but is not limited thereto. Various shapes such as an elliptic cylinder or a polygonal cylinder may be used, but the accuracy of defect measurement may be a cylinder without an angle, an elliptic cylinder, etc. This is better.
결함이라함은 공정의 특성으로 보았을 때, 대부분이 기포에 해당되나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 함유된 불순물등이 포함될 수 있음은 당연하다.Defects are, in view of the nature of the process, most of the bubbles, but is not necessarily limited to this, it is natural that impurities can be included.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예의 투명 결정체 결함측정용 레이저 측정장치는, 점 레이저를 발진하는 발진장치(10)와, 상기 발진장치(10)에서 조사되는 점 레이저를 확산하여, 상기 평면의 평행한 레이저로 변환하는 평행렌즈(40)와, 상기 발진 장치에서 조사되는 상기 점레이저의 단면 중심부만 관통할 수 있는 크기의 조리개(21)가 형성된 스크린(20)과, 상기 조리개(21)를 통과한 레이저를 상기 평행렌즈(40)를 향해 확산시키는 볼록렌즈(30)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the laser measuring apparatus for measuring a transparent crystal defect of an embodiment of the present invention includes an
발진장치(10)는 단면이 점형상의 레이저를 발생시키는 장치이다. 이와 같은 발진장치는 일반적으로 많이 알려져 있으므로, 자세한 설명은 생략한다. The
조리개(21)는 점형상의 레이저의 직경보다 직경이 작게 형성된다. 따라서, 스크린은, 간섭 등의 노이즈의 영향이 있는 점형상의 레이저의 외주부를 거른 후, 중심부만 통과시켜 주는 역할을 한다.The
볼록렌즈(30)는 조리개(21)를 통과한 레이저를 확대하는 역할을 한다. 평행렌즈(40)는 볼록렌즈(30)에서 조사된 레이저를 실린더(50)에 평행한 빛으로 변환한다. 즉, 실린더의 단부인 평면(52)에 수직으로 조사되어, 측면(51)의 길이방향과 평행한 빛이 조사되도록 한다. 결과적으로, 실린더의 일 평면(52) 전체에 균일한 레이저가 수직으로 조사된 후, 실린더를 통과하여 타 평면(52)을 통해서 방출된다.The
이하에서는, 전술한 측정장치를 이용하여, 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정 방법에 대해 기술한다.Hereinafter, the defect measuring method in the transparent crystal of cylindrical shape is described using the above-mentioned measuring apparatus.
도 2는 본 발명의 일실시예의 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정 방법을 도시한 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram showing a defect measuring method in the transparent crystal of the cylindrical shape of one embodiment of the present invention.
실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정방법은 레이저를 상기 결정체의 평면(52)에 조사하는 단계(100)와, 레이저가 조사된 상태에서 상기 결정체의 측면(51) 전체 이미지를 획득하는 단계(200)와, 전체 이미지 내에서 상기 레이저가 산란되어 나타나는 밝은 결함 스팟을 검출하는 단계(300)와, 상기 결함 스팟을 검출하는 단계(300) 이후에, 검출된 상기 결함 스팟의 위치를 상기 결정체의 측면에 표시하는 점유율 표시단계(400)를 포함한다.In the defect measuring method in the cylindrical transparent crystal, the method includes irradiating a laser onto the
결정체의 평면(52)에 레이저를 조사하는 단계(100)는 도 1과 같이, 레이저 측정장치를 이용하여, 레이저를 결정체의 평면(52)에 조사하는 것을 말한다. 상기 레이저를 상기 결정체의 평면(52)에 조사하는 단계는, 단면의 면적이 상기 평면의 넓이보다 크거나, 실질적으로 동등한 면적을 가진 평행한 레이저를 상기 평면에 수직으로 조사한다. 즉, 도 1과 같은 레이저 측정장치를 이용하여, 레이저를 동시에 실린더 전체에 투사되도록 함으로써, 결함을 검출하는 시간을 줄여줄 뿐만 아니라, 실린더의 길이방향 전체에 균일하게 레이저가 투사됨으로써, 결함을 보다 쉽게 검출할 수 있도록 한다. 이때, 평면(52)과 실질적으로 동등한 단면적을 가진 레이저를 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 레이저의 단면적이 크게 작은 경우, 결정체 전체의 영상을 한번에 얻기가 힘들며, 단면적의 면적이 큰 경우, 결정체 주변부에서 간섭효과로 인한 노이즈가 발생하기 때문이다.Irradiating the laser onto the
결정체의 측면(51) 전체 이미지를 획득하는 단계(200)는 도 3과 같이, 암실에서 레이저가 관통된 실린더 측면(51)의 전체의 이미지를 획득하는 것을 말한다. 이때, 흑백 이미지를 얻는 것이 분해능을 높이기 위해서 바람직하다.Acquiring an entire image of the
도 3에서 알 수 있듯이, 결정체의 평면(52)에 평행한 레이저가 조사되면, 평면(52)에 인접한 모서리 및 결함이 있는 부위(54)에서 레이저가 산란되어 다른 부위에 비해서 밝게 빛나게 된다. 이때, 단순히 밝은 부위를 결함으로 인식을 하게 되면, 평면(52)에 인접한 모서리 부분은 모두 결함으로 인식되는 오류가 발생하게 된다.As can be seen in FIG. 3, when a laser parallel to the
이를 해소하기 위해서, 결함 스팟을 검출하는 단계(300)는, 상기 측면(51) 전체 이미지를 복수의 분할 영역(51a)으로 분할하는 단계(도 4)와, 각각의 상기 분할 영역(51a)의 평균 밝기를 구하는 단계와, 분할 영역 내에서 상기 분할 영역의 평균 밝기보다 일정수준 이상 밝은 스팟(54)을 상기 결함 스팟으로 지정하는 단계(도 5)를 포함한다.In order to solve this problem, the step 300 of detecting the defect spot includes dividing the entire image of the
분할 영역으로 분할하는 단계는 도 4와 같이, 미세한 분할영역으로 분할하는 것을 의미한다. 분할영역(51a)의 평균 밝기를 구하는 단계는, 각각의 분할영역(51a)의 평균밝기를 구한 후, 상기 평균 밝기를 배경으로 지정한다. 즉, 평면(52)이 인접한 모서리 부분의 평균밝기를 구한 후, 그 밝기의 정도를 배경인 검은색으로 조정을 한다. 이와 같이 모든 분할 영역의 평균 밝기를 구한 후 이를 조정하는 경우, 도 5와 같이, 결함 부위를 제외한 나머지 영역이 모두 균일한 밝기로 조절이된다.The dividing into divided regions means dividing into fine divided regions as shown in FIG. 4. In the calculating of the average brightness of the divided
그 다음, 배경보다 일정수준 이상 밝은 스팟(54)을 결함 스팟으로 지정하게된다. 이와 같이, 본 발명의 결함 스팟을 검출하는 방법은 경계부의 모서리에 발생할 수 있는 빛의 산란등의 영향을 제거하고 순수 결함만 검출할 수 있게 된다.Then, the
점유율을 표시하는 단계는, 도 6과 같이, 검출된 결함 부위에 최종적으로 표식(57)을 하는 것을 말한다. 이와 같이 점유율을 표시하는 단계는 사용자가 할 수도 있으나, 자동화된 플로터 등으로 수행함으로써, 정확도를 더욱 증대시킬 수 있다.The step of displaying the occupancy refers to finally marking 57 on the detected defect site, as shown in FIG. As such, the displaying of the occupancy rate may be performed by the user, but the accuracy may be further increased by performing an automated plotter or the like.
상기와 같이, 본 발명의 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함 측정방법은 보다 신속하고, 신뢰성 있게 실린더 내의 결함을 측정할 수 있도록 한다.As described above, the defect measuring method in the cylindrical transparent crystal of the present invention enables to measure the defect in the cylinder more quickly and reliably.
또한, 측정된 이미지를 복수의 분할 영역으로 분할 한 후 밝기의 평균값을 기준으로 결함부위를 검출함으로서, 모서리 등에서 발생할 수 있는 빛의 산란 등의 영향을 최소화 할 수 있다는 장점도 있다.In addition, by dividing the measured image into a plurality of divided regions and detecting defects based on the average value of brightness, there is an advantage that it is possible to minimize the effects of light scattering, etc. that may occur in the corners.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
100: 레이저 조사단계 200: 이미지를 획득하는 단계
300: 결함 스팟을 검출하는 단계 52: 평면
51a: 분할 영역 10: 발진장치
40: 평행렌즈 21: 조리개
20: 스크린 30: 볼록렌즈DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS
100: laser irradiation step 200: obtaining an image
300: step 52 of detecting a defect spot: plane
51a: partition 10: oscillator
40: parallel lens 21: aperture
20: screen 30: convex lens
Claims (7)
레이저를 상기 결정체에 조사하는 단계;
상기 레이저가 조사된 상태에서 상기 레이저가 조사되는 방향의 수직방향의 상기 결정체의 전체 이미지를 획득하는 단계; 및
상기 전체 이미지 내에서 상기 레이저가 산란되어 나타나는 밝은 결함 스팟을 검출하는 단계;
를 포함하며,
상기 결함 스팟을 검출하는 단계는,
상기 결정체 전체 이미지를 복수의 분할 영역으로 분할하는 단계;
각각의 상기 분할 영역의 평균 밝기를 구하는 단계; 및
상기 분할 영역 내에서 상기 분할 영역의 평균 밝기보다 일정수준 이상 밝은 스팟을 상기 결함 스팟으로 지정하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함측정 방법.
The present invention relates to a defect measuring method in a transparent crystal of cylindrical shape,
Irradiating a laser onto the crystals;
Acquiring an entire image of the crystal in a direction perpendicular to the direction in which the laser is irradiated while the laser is irradiated; And
Detecting bright defect spots that appear to be scattered within the entire image;
Including;
Detecting the defect spot,
Dividing the entire crystal image into a plurality of divided regions;
Obtaining an average brightness of each of the divided regions; And
Designating a spot brighter than the average brightness of the divided area as the defect spot in the divided area;
Defect measurement method in the transparent crystal of the cylindrical shape comprising a.
상기 레이저를 상기 결정체에 조사하는 단계는, 상기 투명 결정체의 평면에 상기 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함 측정방법.
The method of claim 1,
And irradiating the laser to the crystals, irradiating the laser onto a plane of the transparent crystals.
상기 레이저는 단면의 면적이 상기 평면의 넓이와 실질적으로 동등한 것을 특징으로 하는 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함 측정방법.
3. The method of claim 2,
And wherein the laser has a cross-sectional area substantially equal to the width of the plane.
상기 결함 스팟을 검출하는 단계 이후에, 검출된 상기 결함 스팟의 위치를 상기 결정체에 표시하는 점유율 표시 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실린더 형상의 투명 결정체 내의 결함 측정방법.
The method of claim 1,
An occupancy display step of displaying the position of the detected defect spot on the crystal after detecting the defect spot;
The defect measuring method in the transparent crystal of the cylindrical shape characterized by further including.
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KR940002504B1 (en) * | 1989-11-10 | 1994-03-25 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | Detecting device for extremely small defect of thin wire |
JPH08261927A (en) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Nippon Steel Corp | Intra-crystal flaw detecting device |
JP2005337851A (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | Flaw inspection method and flaw inspection device |
JP2011038789A (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Toyo Glass Co Ltd | Method and device for inspecting mouth part of glass bottle |
-
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- 2011-07-25 KR KR1020110073800A patent/KR101288528B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940002504B1 (en) * | 1989-11-10 | 1994-03-25 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | Detecting device for extremely small defect of thin wire |
JPH08261927A (en) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Nippon Steel Corp | Intra-crystal flaw detecting device |
JP2005337851A (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | Flaw inspection method and flaw inspection device |
JP2011038789A (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Toyo Glass Co Ltd | Method and device for inspecting mouth part of glass bottle |
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