KR101287264B1 - 산 가스 세정 공정을 위한 장애 사이클릭 폴리아민 및 이의염 - Google Patents

산 가스 세정 공정을 위한 장애 사이클릭 폴리아민 및 이의염 Download PDF

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Abstract

장애 사이클릭 폴리아민 및 이의 염은 산 가스 처리 공정에 유용한 흡수제이다.

Description

산 가스 세정 공정을 위한 장애 사이클릭 폴리아민 및 이의 염{HINDERED CYCLIC POLYAMINES AND THEIR SALTS FOR ACID GAS SCRUBBING PROCESS}
본 발명은, 흡수제 조성물; 및 상기 흡수제 조성물을 사용하여, H2S를 H2S-함유 가스로부터 선택적으로 흡수하는 방법에 관한 것이다.
당해 분야에서는 기체 및 액체, 예컨대 CO2, H2S, CS2, HCN, COS, 및 C1 내지 C4 탄화수소의 산소 및 황 유도체를 비롯한 산성 기체를 함유한 혼합물을 아민 용액으로 처리하여 이들 산성 기체를 제거하는 것이 공지되어 있다. 아민은 일반적으로 아민을 함유하는 수용액으로서 산성 기체 및 액체와 흡수기 탑에서 접촉하며, 이때 수성 아민 용액은 산성 유체와 역방향으로 접촉한다.
특히 CO2 및 H2S를 함유하는 산 가스 혼합물을 아민 용액으로 처리하면, 전형적으로 상당량의 CO2 및 H2S 둘다가 동시에 제거된다. 예를 들면, 개략적으로 "수성 아민 공정"으로 지칭되는 이러한 하나의 공정에서, 비교적 농축된 아민 용액들이 이용된다. 이 공정의 최근의 개선점은, 미국 특허 제4,112,052호에 기재된 바와 같은 입체 장애 아민을 사용하여 CO2 및 H2S와 같은 산 가스를 거의 완전히 제거하는 것을 포함한다. 이 유형의 공정은 CO2 및 관련 가스의 분압이 낮은 경우 사용될 수 있다. CO2의 분압이 극히 높고/높거나 많은 산 가스, 예컨대 H2S, COS, CH3SH 및 CS2가 존재하는 경우인 특수 용도를 위해 종종 사용되는 또다른 공정은, 일반적으로 아민을 물리적 흡수제와 조합하여 사용하는 것을 포함하며, 이는 "비수성 용매 공정"으로서 지칭된다. 이 공정 상의 개선점은 미국 특허 제4,112,051호에 기재된 바와 같은 물리적 흡수제로서의 유기 용매 및 입체 장애 아민의 사용을 포함한다.
그러나, CO2 및 H2S 둘다를 함유하는 산 가스 혼합물로부터 H2S를 선택적으로 제거하여 CO2의 제거를 최소화하기 위해 상기 산 가스 혼합물을 처리할 것이 종종 요망된다. H2S의 선택적인 제거로 인해 분리된 산 가스 중의 H2S/CO2 비가 비교적 높게 되며, 이로 인해 클라우스(Claus) 공정을 사용하여 H2S를 황 원소로 전환시키는 것이 간소화된다.
수성 2차 및 3차 아민의 CO2 및 H2S와의 전형적인 반응은 다음과 같다:
Figure 112008016968305-pct00001
Figure 112008016968305-pct00002
Figure 112008016968305-pct00003
Figure 112008016968305-pct00004
Figure 112008016968305-pct00005
Figure 112008016968305-pct00006
상기 식에서,
각각의 R은 동일하거나 상이할 수 있고 하이드록시 기로 치환될 수 있는 유기 라디칼이다.
상기 반응은 가역적이고, 따라서 CO2 및 H2S 둘다의 분압은 상기 반응이 진행되는 정도를 결정하는데 있어서 중요하다.
선택적인 H2S 제거는 혈암(shale) 열분해로부터의 탄화수소 기체, 낮은 H2S/CO2 비를 갖는 정유 가스 및 천연 가스의 처리를 비롯한 다수의 기체 처리 조작에 적용 가능하지만, 이는 H2S의 분압이 CO2의 분압에 비해 비교적 낮은 경우의 기 체의 처리에 특히 요망되며, 이는 후자 유형의 기체로부터 H2S를 흡수하는 아민의 용량이 매우 낮기 때문이다. H2S의 분압이 비교적 낮은 기체의 예로는 석탄 가스화(coal gasification)에 의해 제조된 합성 가스, 황 플랜트 테일(plant tail) 가스, 및 중질의 잔유가 더욱 낮은 분자량의 액체 및 기체로 열 전환되는 정련에서 생성되는 낮은 주울(Joule)의 연료 가스가 포함된다.
1차 및 2차 아민, 예컨대 모노에탄올아민(MEA), 다이에탄올아민(DEA), 다이프로판올아민(DPA) 및 하이드록시에톡시에틸아민(DGA)의 용액이 H2S 및 CO2 기체를 모두 흡수하는 것으로 공지되어 있지만, 이들은 CO2를 제외할 만큼 H2S의 우선적인 흡수에 대해 특별히 만족스러운 것으로 입증되지는 않았는데, 이는 아민이 CO2와 쉽게 반응되어서 반응식 5 및 반응식 6에 제시된 바와 같이 카밤에이트를 형성하기 때문이다.
다이아이소프로판올아민(DIPA)은, H2S 및 CO2를 함유하는 기체로부터 H2S를 선택적으로 제거하기 위해 단독으로 또는 설폴레인과 같은 물리적 용매와 함께 산업적으로 사용되어 왔지만, 상기 반응식 2 및 4에 제시된 CO2 반응 속도에 비해 H2S와 아민의 더욱 신속한 반응의 이점을 얻기 위해 접촉 시간이 비교적 짧게 유지되어야 한다는 점에서 2차 아미노알콜 중에서도 비교적 탁월하다.
1950년에, 프라지어(Frazier) 및 코흘(Kohl)의 문헌 [Ind. and Eng. Chem., 42, 2288 (1950)]에는 3차 아민, 메틸다이에탄올아민(MDEA)이 CO2에 비해 H2S 흡수 에 대해 높은 선택도를 가지는 것으로 제시되어 있다. 이러한 더욱 큰 선택도는 H2S의 신속한 화학 반응과 비교할 경우 3차 아민과 CO2의 비교적 느린 화학 반응에 기인하는 것이다. 그러나, MDEA의 상업적 유용성은 제한되는데, 이는 H2S 적재에 대한 그의 용량이 제한되고, 낮은 압력에서 H2S 함량을 일정 수준으로 감소시키는 능력(이는 예컨대 석탄 가스화에 의해 제조된 합성 가스를 처리하는데 필수적임)이 제한되기 때문이다.
최근, 쉘(Shell)의 영국 특허출원 공개 제2,017,524A호에는 다이알킬모노알칸올아민의 수용액, 특히 다이에틸모노에탄올아민(DEAE)의 수용액이 MDEA 용액에 비해 높은 적재 수준에서 H2S 제거에 대한 더욱 높은 선택도와 용량을 갖는다고 개시되었다. 그럼에도 불구하고, DEAE 조차도 산업 분야에서 빈번히 맞닥뜨리게 되는 낮은 H2S 적재율에 대해 그다지 효과적이지 않다. 또한, DEAE는 161℃의 비점을 갖고, 그 자체로 이는 낮은 비점의, 비교적 고도의 휘발성 아미노 알콜임을 특징으로 한다. 대부분의 가스 세정 조건 하에서의 이러한 고 휘발성은 다량의 재료 손실을 일으켜 결과적으로 경제적 손해를 초래한다.
미국 특허 제4,405,581호, 제4,405,583호 및 제4,405,585호에는 CO2의 존재하에 H2S의 선택적 제거를 위해 상당한 입체 장애 아민 화합물을 사용함이 개시되어 있다. 수성 메틸다이에탄올아민(MDEA)에 비해, 상당한 입체 장애 아민은 높은 H2S 적재 하에 더욱 높은 선택도를 유도한다.
미국 특허 제4,112,052호는 아민 세정 수용액을 사용하여 산 가스로부터 CO2를 제거하는 방법에 관한 것이다. 사용된 아민은 2차 또는 3차 탄소원자에 부착된 하나 이상의 2차 아민 기, 또는 3차 탄소원자에 부착된 1차 아미노 기를 함유하는 입체 장애 아민이다. 상기 아민은 사용 용매, 즉 물 중에 적어도 부분적으로 가용성이도록 선택된다.
미국 특허 제4,376,102호는, CO2가 함유된 산 가스를 통상적인 가스 혼합물로부터, (1) 하기 식의 하나 이상의 다이아미노알콜 및 (2) 아미노 산을 함유하는 염기 알칼리 금속 염 또는 수산화물이 포함된 수용액을 사용하여 상기 CO2를 상기 가스 혼합물로부터 흡수시킴으로써, 제거하는 것에 대해 개시하고 있다. 상기 염기 알칼리 금속 염 또는 수산화물은 알칼리 금속 바이카본에이트, 카본에이트, 하이드록사이드, 보레이트, 포스페이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. (또한, 미국 특허 제4,376,101호, 미국 특허 제4,581,209호 및 미국 특허 제4,217,238호 참조)
Figure 112008016968305-pct00007
상기 식에서,
R 및 R1은 각각 독립적으로 C1-C6 알킬 기이고;
R 또는 R1 또는 R 및 R1 모두는 펜던트 하이드록실 기이다.
미국 특허 제4,525,294호는 아미노산 혼합물, 이들의 알칼리 금속 염 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 상기 방법은 환원제(예: 수소) 및 촉매 효과량의 수소화 촉매의 존재 하에서 케톤을 사용하는 글라이신 또는 알라닌 및 이들의 알칼리 금속 염의 환원적 축합을 포함한다. 따라서, 다음과 같은 반응이 개시되어 있다:
Figure 112008016968305-pct00008
상기 식에서,
R은 수소 또는 메틸이고;
X는 수소 또는 알칼리 금속, 예컨대 나트륨 또는 칼륨이고;
R' 및 R"는, a) 1 내지 20개의 탄소를 갖는 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, b) 3 내지 6개의 탄소원자를 각각 갖고 조합되어 사이클릭 고리를 형성하는 치환 또는 비치환된 알킬렌 라디칼, c) 4 내지 8개의 고리 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 사이클로알킬 라디칼, d) 1 내지 20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형 하이드록실 알킬 라디칼, 및 e) 7 내지 20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴알킬 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고;
RZ는 수소, 또는 1 내지 20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 선형 알킬 라디칼, 또는 수소와 상기 알킬 라디칼의 혼합이다.
미국 특허 제4,759,866호는 산 가스 세정에서 알칼리 금속 염을 위한 촉진제로서 사용하는 하기 식의 1차 입체 장애 아미노산을 개시하고 있다:
Figure 112008016968305-pct00009
상기 식에서,
R1 및 R2는 독립적으로 CH3, C2H5 및 C3H7로부터 선택되고;
R3 및 R4는 독립적으로 수소 및 CH3이고;
n은 0, 2 또는 3이다.
미국 특허 제5,602,279호는 2-아미노-2-메틸-1-프로판올을 KOH와 반응시키고, 물로 희석시키고, K2CO3 및 바나듐 부식 억제제를 첨가함으로써 제조되는 가스 처리 조성물에 관한 것이다. 산 가스 세정 용액은 하기 식의 화합물을 함유한다:
Figure 112008016968305-pct00010
미국 특허 제4,618,481호는, 기체상 혼합물로부터 H2S를 흡수하기 위한, 고도의 장애 아미노 화합물 및 아민 염을 포함하는 흡수제 조성물에 관한 것이다. 상기 고도의 장애 아미노 화합물은 2차 아미노 에터 알콜, 다이-2차 아미노 에터 및 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 아민 염은 상기 고도의 장애 아미노 화합물, 3차 아미노 화합물, 예컨대 3차 알칸올아민, 트라이에탄올 아민 및 이들의 혼합물 및 강산의 반응 생성물, 또는 강산의 열 분해성 염, 즉 암모늄 염, 또는 강산을 형성할 수 있는 성분 및 이들의 혼합물일 수 있다. 적합한 강산은 무기 산, 예컨대 황산, 아황산, 인산, 아인산, 피로포스포르산, 유기 산, 예컨대 아세트산, 폼산, 아디프산, 벤조산 등을 포함한다. 이들 산의 적합한 염은 암모늄 염, 예컨대 암모늄 설페이트, 암모늄 설파이트, 암모늄 포스페이트 및 이들의 혼합물을 포함한다. 바람직하게는, 암모늄 설페이트(염) 또는 SO2(산의 전구체)는 아민과의 반응물로서 사용된다. 적합한 아민 염은 흡수제 조성물을 재생시키는데 사용되는 조건 하에서 비휘발성이다.
미국 특허 제4,892,674호는, 비장애 아민 및 고도의 장애 아민 염 및/또는 고도의 장애 아미노산의 첨가제를 함유하는 알칼리 흡수제 용액을 포함하는 흡수제 조성물; 및 기체상 스트림으로부터 H2S를 선택적으로 제거하기 위한 상기 흡수제의 용도에 관한 것이다. 상기 아민 염은 알칼리 고도의 장애 아미노 화합물과 강산의 반응 생성물, 또는 강산의 열 분해성 염, 즉 암모늄 염이다. 적합한 강산은 무기 산, 예컨대 황산, 아황산, 인산, 아인산, 피로포스포르산, 유기 산, 예컨대 아세트산, 폼산, 아디프산, 벤조산 등을 포함한다. 적합한 염은 암모늄 염, 예컨대 암모늄 설페이트, 암모늄 설파이트, 암모늄 포스페이트 및 이들의 혼합물을 포함한다.
미국 특허 제4,240,922호는, (a) 입체 장애 아민 50몰% 이상 및 3차 아민 알콜 약 10몰% 이상을 포함하되, 상기 입체 장애 아민은 고리의 일부분인 하나 이상의 2차 아민 기를 함유하며 2차 또는 3차 탄소원자, 또는 3차 탄소원자에 부착된 1차 아미노 기에 부착되는 아민 혼합물; 및 (b) 설폰, 설폭사이드, 글라이콜, 그의 모노 및 다이에터로부터 선택된 상기 아민 혼합물을 위한 비반응성 용매를 포함하는 아민-용매 액체 조성물을 개시하고 있으며, 1,3-다이옥소 화합물은 5원 내지 6원 헤테로사이클릭 고리, 방향족 에터, 방향족 탄화수소, 피롤리딘, 피페리돈 및 이들의 혼합물임을 특징으로 한다.
미국 특허 제4,405,578호는 알칼리 금속 염 또는 수산화물 10 내지 약 40중량%, 저급 지방족 일치환된 아미노산 약 2 내지 20중량% 및 입체 장애 다이아민 또는 트라이아민 화합물 2 내지 약 20중량%를 포함하되, 상기 다이아미노 화합물이 하기 식인 수성 산 가스 세정 화합물을 개시하고 있다:
Figure 112008016968305-pct00011
상기 식에서,
R9 내지 R13은 수소, C1-C3 알킬, C1-C3 아미노 알킬, C1-C3 하이드록시-알킬 또는 C1-C3 카복시 알킬 라디칼이되, 기 R10 및 R12 중 하나 이상은 수소가 아니다.
미국 특허 제4,405,580호는 3차 아미노 아자바이사이클릭 알콜로서 정의되는 아미노 화합물의 흡수제 용액을 개시하고 있다. 이들 화합물은 하나 이상의 측부를 나누는 2개의 융합된 고리를 갖되, 각각은 4 내지 10개, 바람직하게는 4 내지 7개의 고리원자를 가지며, 이들 중 하나의 고리원자는 질소이다. 각각의 고리는 치환 또는 비치환될 수 있으며, 상기 화합물의 3차 아미노 부분을 형성하는 질소원자는 가교 헤드에서 또는 새로운 가교 헤드 고리 위치에서 바이사이클릭 골격 내에서 포화된다. 알콜인 경우 하이드록실 기는 고리에 직접 연결될 수 있거나, 또는 선형 또는 분지 방식으로 배열된 탄소 쇄에 부착되고, 고리 질소 또는 고리 탄소를 통해 헤테로사이클에 연결될 수 있다.
미국 특허 제4,483,833호는, H2S 및 CO2를 함유하는 통상적인 기체상 혼합물로부터 H2S를 선택적으로 흡수하고, 약 8.6 이상의 pKa를 갖는 아미노 화합물을 포함하고, 질소 헤테로사이클릭 3차 아미노 알콜 또는 질소 헤테로사이클릭 3차 아미노에터 알칸올, 및 상기 아미노 화합물을 용해시키고 물리적 흡수제인 용매를 포함하기 위한 세정 용액을 개시하고 있다. 개시된 화합물들 중 일부는 다음과 같다:
Figure 112011054461354-pct00061
도 1은 H2S 및 CO2를 함유한 기체상 스트림으로부터 H2S를 선택적으로 제거하기 위한 흡수-재생 유닛을 나타내는 흐름도이다.
발명의 요약
장애 사이클릭 폴리 아민은 산 가스 처리 공정에 유용한 흡수제이다. 이러한 장애 사이클릭 폴리 아민의 염은 수성 공정 매질에서 실시되는 산 가스 처리 공정에 특히 유용한 흡수제이다. 유사하게, 산소 작용화된 장애 사이클릭 폴리 아민은 수성 공정 매질에서 실시되는 산 가스 처리 공정에 유용한 흡수제이다.
발명의 설명
본 발명은 하기 화학식 I, 화학식 II, 이의 모든 이성질체, 즉 화학식 IIa, 화학식 IIb, 화학식 IIc, 화학식 IId, 화학식 IIe 및 화학식 IIf, 화학식 III, 이의 모든 이성질체, 즉 화학식 IIIa 및 화학식 IIIb, 화학식 IV, 이의 모든 이성질체, 즉 화학식 IVa, 화학식 IVb 및 화학식 IVc, 및 화학식 V의 장애 폴리 사이클릭 폴리아민 흡수제에 관한 것이다:
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상기 식에서,
R1 및 R2는 동일하거나 상이하고, 수소, 메틸, 에틸, C3-C9 직쇄 또는 분지쇄 알킬, 알켄일, 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택되고;
X1 내지 X8은 동일하거나 상이하고, 수소, 메틸, 에틸, C3-C9 직쇄 또는 분지쇄 알킬, 알켄일, 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴, 아릴알킬, 및 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기로부터 선택되고, 바람직하게는 X1 내지 X8 중 하나 이상은 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기이고, 더욱 바람직하게는 X1 내지 X8은
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및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고;
X9 및 X10은 동일하거나 상이하고, -+(HO3SR4), -+(HO3PR4),
Figure 112011054461354-pct00031
, 설폰에이트, 설페이트, 설파이트, 포스페이트, 포스파이트, 포스폰에이트, C1-C9 알킬레이트(예: 아세테이트, 폼에이트), 아디페이트 및 벤조에이트로부터 선택되고;
X11 및 X12는 동일하거나 상이하고, 수소, 및 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기로부터 선택되고, 바람직하게는 X1 내지 X8에서 정의한 바와 같되, R1 및/또는 R2가 C2 이상인 경우, 치환기 X11 또는 X12는 H가 아닌 경우 2번 이상의 위치의 탄소 상에 존재하며, 즉 X11 또는 X12가 H가 아닌 경우, X11 또는 X12는 질소에 직접 부착된 탄소 상에 존재하지 않음을 의미하고;
y는 0 또는 1이고;
z는 0 또는 1이고;
X1 내지 X8, X11 및 X12가 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기가 아닌 경우, y 및 z 중 하나 이상은 1이고; X1 내지 X8, X11 및 X12 중 하나 이상이 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기인 경우, 바람직하게는 y 및 z는 모두 0이며, 이 경우 질소는 염기성 아민 중심이 되고;
X1 내지 X8, X11 및 X12 중 어느 하나가 단일 산소를 함유하는 작용기(예컨대
Figure 112011054461354-pct00032
)인 경우, X1 내지 X8, X11 및 X12 중 2개 이상은 이러한 단일 산소를 함유하는 작용기이고;
R3 및 R4는 독립적으로 C1-C9 알킬, C2-C9 알켄일, C3-C9 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택되고;
금속 양이온은 음이온 또는 음이온 클러스터의 원자가 요건을 충족시키기에 충분한 하나 이상의 1가, 2가 또는 3가 금속 양이온, 바람직하게는 I족 알칼리 금속(1가), II족 알칼리 토 금속(2가), 알루미늄 또는 철, 가장 바람직하게는 I족 알칼리 금속 또는 II족 알칼리 토 금속이다.
2가 양이온으로부터 형성된 염은 반-염 또는 완전-염일 수 있다. 3가 양이온으로부터 형성된 염은 1/3-염, 2/3-염 또는 완전-염일 수 있다. 음이온 클러스터는 2 이상의 음이온을 의미하며, 그의 원자가 요건은 예컨대 단일한 2가 또는 3가 금속 양이온에 의해 충족된다.
앞서 기재된 흡수제는 H2S 및 다른 기체상 산성 성분에 대해 상기 산성 성분들, 기체상 비-산성 성분들 및 CO2의 통상적인 기체상 혼합물로부터 높은 선택도를 나타내고, 이들의 높은 선택도 및 적재 용량을 재생 후에도 유지한다.
전술된 흡수제 중 하나 이상은, 하기 단계들을 포함하는, 산성 성분, 특히 H2S를 상기 산성 성분, 특히 H2S, 및 비-산성 성분 및 CO2를 함유하는 통상적인 기체상 혼합물로부터 선택적으로 흡수하는 공정에 사용된다:
(a) 상기 통상적인 기체상 혼합물을, 상기 혼합물로부터 H2S를 선택적으로 흡수할 수 있음을 특징으로 하는 흡수제 용액과 접촉시키는 단계;
(b) H2S를 함유하는 상기 흡수제 용액을 적어도 부분적으로 재생시키는 단계; 및
(c) H2S를 선택적으로 흡수하기 위해, 상기 재생된 용액을 단계 (a)에서와 같이 접촉시킴으로써 재순환시키는 단계.
바람직하게는, 재생 단계는 가열 및 스트리핑(stripping)에 의해, 더욱 바람직하게는 스팀에 의한 가열 및 스트리핑에 의해 수행된다.
본원에서 사용될 경우 "흡수제 용액"이라는 용어는, 제한되는 것은 아니지만, 아미노 화합물이 물 또는 물리적 흡수제 또는 이의 혼합물로부터 선택되는 용매에 용해된 용액을 포함한다. 물리적 흡수제(화학적 흡수제인 아미노 화합물에 반대됨)인 용매는, 예를 들면 미국 특허 제4,112,051호(이의 전체 개시내용은 본원에 참고로 인용되어 있음)에 기재되어 있고, 예를 들면 지방족 산 아미드, N-알킬화 피롤리돈, 설폰, 설폭사이드, 글라이콜 및 이의 모노- 및 다이에터가 포함된다. 본원에서 바람직한 물리적 흡수제는 설폰이고, 가장 특별히는 설폴레인이다. 바람직한 액체 매질은 물을 포함한다.
흡수제 용액은 일반적으로 총 용액 1 ℓ당 약 0.1 내지 6몰, 바람직하게는 1 내지 4몰/ℓ의 아미노 화합물의 농도를 가지며, 이는 주로 사용되는 특정 아미노 화합물 및 이용되는 용매 시스템에 따라 달라진다. 용매 시스템이 물 및 물리적 흡수제의 혼합물이라면, 사용되는 물리적 흡수제의 전형적인 효과량은 총 용액 1 ℓ당 0.1 내지 5몰, 바람직하게는 0.5 내지 3몰/ℓ로 다양할 수 있고, 이는 주로 이용되는 아미노 화합물의 유형에 따라 달라진다. 사용되는 특정 화합물에 대한 아미노 화합물의 농도의 의존성은 중요한데, 그 이유는 아미노 화합물의 농도를 증가시키면 흡수제 용액의 염기성이 감소하여, 특히 아미노 화합물이 특이적 수성 용해도 제한성(이는 상기 제공된 범위내의 최대 농도 수준을 결정할 것임)을 가질 경우 H2S 제거에 대한 그의 선택도에 부정적인 영향을 미치기 때문이다. 따라서, 만족스러운 결과를 확보하도록 각각의 특정 아미노 화합물에 대한 적절한 농도 수준을 유지시키는 것이 중요하다.
본 발명의 용액은 선택적 기체 제거 공정에서 전형적으로 사용되는 다양한 첨가제, 예컨대 소포제, 항산화제, 부식 억제제 등을 포함할 수 있다. 이러한 첨가제의 양은 전형적으로 이들이 효과적인 양, 즉 효과량일 것이다.
또한, 본원에 기재된 아미노 화합물은 다른 아미노 화합물과의 배합물로서 혼합될 수 있다. 개개의 아미노 화합물의 비율은 매우 광범위할 수 있고, 예를 들면 1 내지 99중량%의 본원에 기재된 아미노 화합물이다.
본원에서 H2S 제거를 위한 아미노 화합물의 효능을 결정하는데 있어서 궁극적으로 중요한 3가지 특징은 "선택도", "적재" 및 "용량"이다. 명세서 전반에 걸쳐 사용되는 "선택도"라는 용어는 하기 몰비 분율로서 정의된다:
액체상 중 (H2S의 몰/CO2의 몰)/기체상 중 (H2S의 몰/CO2의 몰)
분율이 높을 수록, 기체 혼합물 중 H2S에 대한 흡수제 용액의 선택도는 더 크다.
"적재"라는 용어는 아민 1몰당 기체의 몰수로 표시되는, 흡수제 용액에 물리적으로 용해되고 화학적으로 결합된 H2S 및 CO2 기체의 농도를 의미한다. 최적 아미노 화합물은 비교적 높은 적재 수준까지 양호한 선택도를 나타내는 화합물이다. 전형적으로 본 발명의 실행시 사용되는 아미노 화합물은 아미노 화합물 1몰당 H2S 및 CO2의 0.1몰의 "적재"에서 실질적으로 10 이상의 "선택도", 바람직하게는 H2S 및 CO2의 0.2몰 이상의 적재에서 실질적으로 10 이상의 "선택도"를 갖는다.
"용량"은 흡수 단계의 끝에 흡수제 용액에 적재된 H2S의 몰수에서 탈착 단계의 끝에 흡수제 용액에 적재된 H2S의 몰수를 뺀 값으로 정의된다. 높은 용량은 순환되는 아민 용액의 양을 감소시키고 재생 동안 열 또는 스팀을 덜 사용할 수 있도록 한다.
본원에서 산 가스 혼합물은 필수적으로 H2S를 포함하고, 선택 가능하게 다른 기체, 예컨대 CO2, N2, CH4, H2, CO, H2O, COS, HCN, C2H4, NH3 등을 포함할 수 있다. 종종 이러한 기체 혼합물은 연소 가스, 정유 가스, 도시 가스, 천연 가스, 합성 가스, 수성 가스, 프로페인, 프로필렌, 중질 탄화수소 가스 등에서 발견된다. 본원에서 흡수제 용액은 기체상 혼합물이 기체이고, 예를 들면 혈암 오일 레토르트(retort), 석탄 액화 또는 가스화, 중질 오일의 스팀, 공기/스팀 또는 산소/스팀에 의한 가스화, 중질 잔유의 저분자량 액체 및 기체, 예컨대 유체 코크스, 플렉시코크스(Flexicoker) 또는 지연된 코크스로의 열적 전환으로부터, 또는 황 플랜트 테일 가스 정화 조작으로부터 수득될 경우 특히 효과적이다.
일반적으로 본 발명의 흡수 단계는 통상적인 기체상의 스트림을 임의의 적합한 접촉 용기에서 흡수제 용액과 접촉시킴을 포함한다. 이러한 공정에서, H2S 및 다른 산성 성분들, 예컨대 카본 다이설파이드, 카본일 설파이드 및 C1 내지 C4 탄화수소의 산소 및 황 유도체가 선택적으로 제거될 수 있는 H2S 및 CO2를 함유하는 통상적인 기체상의 혼합물은, 통상의 수단, 예를 들면 고리 또는 체 판이 패킹된 탑 또는 용기, 또는 버블 반응기를 사용하여 흡수제 용액과 친밀히 접촉될 수 있다. 다른 산 기체상 성분들이 또한 제거될 것이다.
본 발명을 실행하는 전형적인 방식에서, 흡수 단계는 통상적인 기체상의 혼합물을 흡수 탑의 하위 부분으로 공급하면서 신선한 흡수제 용액을 탑의 상위 영역으로 공급함으로써 수행된다. H2S로부터 크게 자유롭게 된 기체상 혼합물은 탑의 상위 부분으로부터 빠져나오고, 선택적으로 흡수된 H2S를 함유하는 적재된 흡수제 용액은 그의 바닥부 근처 또는 바닥부에서 이탈된다. 바람직하게는, 흡수 단계 동안 흡수제 용액의 주입 온도는 약 20℃ 내지 약 100℃, 더욱 바람직하게는 30℃ 내지 약 60℃의 범위이다. 압력은 광범위하게 다양할 수 있고, 허용 가능한 압력은 흡수기에서 5 내지 2000 psia, 바람직하게는 20 내지 1500 psia, 가장 바람직하게는 25 내지 1000 psia이다. 접촉은 H2S가 용액에 의해 선택적으로 흡수되도록 하는 조건 하에 수행된다. 흡수 조건 및 장치는, 최대량의 H2S 기체를 흡수하기 위해 기체 혼합물과 액체의 체류 시간을 충분히 유지시키는 동시에 CO2 흡수를 감소시키기 위해 흡수기에서 액체의 체류 시간을 최소화하도록 고안된다. 소정의 H2S 제거를 수득하기 위해 순환될 필요가 있는 액체의 양은 아미노 화합물의 화학 구조 및 염기성, 및 공급 기체중의 H2S의 분압에 따라 달라진다. 낮은 분압을 갖는 기체 혼합물, 예컨대 열 전환 공정에서 볼 수 있는 혼합물은 혈암 오일 레토르트 기체와 같이 더욱 높은 분압을 갖는 기체에 비해 동일한 흡수 조건 하에서 더욱 많은 액체를 필요로 할 것이다.
공정의 선택적 H2S 제거 상을 위한 전형적인 절차는 복수개의 트레이를 함유하는 칼럼 중에서 H2S 및 CO2를 함유하는 기체상 혼합물을 아미노 화합물의 용액과 낮은 온도, 예컨대 45℃ 미만에서 약 0.3ft/초("활성' 또는 천공된 트레이 표면을 기준으로 함) 이상의 기체 속력으로, 기체의 작동 압력에 의존하여 역방향으로 접촉시킴으로써 H2S를 선택적으로 흡수함을 포함하고, 이때 상기 트레이 칼럼은 20개 미만의 접촉 트레이를 갖고, 전형적으로 4 내지 16개의 트레이가 사용된다.
통상적인 기체상 혼합물을 흡수제 용액과 접촉시킨 후(용액은 H2S로 포화되거나 부분적으로 포화되어 짐), 용액은 흡수기로 다시 재순환될 수 있도록 적어도 부분적으로 재생될 수 있다. 흡수의 경우와 같이, 재생은 단일 액체 상에서 발생할 수 있다. 흡수제 용액의 재생 또는 탈착은, 통상의 수단에 의해, 예컨대 흡수된 H2S가 신속히 제거되는 지점으로 용액의 압력을 감소시키거나 온도를 증가시킴, 또는 용기의 상위 부분에서 흡수 단계에서 사용되는 용기와 유사한 구조의 용기로 용액을 우회시키고, 불활성 기체, 예컨대 공기 또는 질소, 또는 바람직하게는 스팀을 용기를 통해 상향으로 통과시킴으로써 달성될 수 있다. 재생 단계 동안 용액의 온도는 약 50℃ 내지 약 170℃, 바람직하게는 약 80℃ 내지 120℃의 범위이고, 재생시 용액의 압력은 약 0.5 내지 약 100 psia, 바람직하게는 1 내지 약 50 psia의 범위이어야 한다. H2S 기체의 적어도 일부분이 세정된 이후 흡수제 용액은 흡수 용기로 재순환될 수 있다. 필요에 따라 보충(makeup) 흡수제가 첨가될 수 있다.
바람직한 재생 기법에서, H2S-다량함유 용액은 재생기로 전달되고, 이때 흡수된 성분들은 용액의 재가열에 의해 생성된 스팀에 의해 스트리핑된다. 플래쉬 드럼 및 스트리퍼(stripper)에서의 압력은 일반적으로 1 내지 약 50 psia, 바람직하게는 15 내지 약 30 psia이고, 온도는 전형적으로 약 50℃ 내지 170℃, 바람직하게는 약 80℃ 내지 120℃의 범위에 속한다. 스트리퍼 및 플래쉬 온도는 물론 스트리퍼 압력, 즉 약 15 내지 30 psia의 스트리퍼 압력에 따라 달라질 것이고, 온도는 탈착 동안 약 80℃ 내지 약 120℃일 것이다. 재생되는 용액의 가열은 저압 스팀에 의한 간접적 가열에 의해 매우 적절히 실행될 수 있다. 그러나, 스팀의 직접 주입을 사용할 수도 있다.
본원에서 전체 공정을 실행하기 위한 한 실시양태에서, 도 1에 예시된 바와 같이, 정제될 기체 혼합물은 기체-액체 역방향 접촉 칼럼(2)의 하위 부분으로 라인(1)을 통해 도입되고, 이때 상기 접촉 칼럼은 하위 구간(3) 및 상위 구간(4)을 갖는다. 상위 및 하위 구간은 원할 경우 하나 또는 복수개의 패킹된 층에 의해 분리될 수 있다. 상기 기재된 바와 같은 흡수제 용액은 파이프(5)를 통해 칼럼의 상위 부분으로 도입된다. 칼럼의 바닥으로 흐르는 용액은 역방향으로 흐르는 기체와 만나고, 우선적으로 H2S를 용해시킨다. 대부분의 H2S로부터 자유로운 기체는 파이프(6)를 통해 최종 용도를 위해 빠져나간다. 주로 H2S 및 일부 CO2를 함유하는 용액은 칼럼의 바닥 부분을 향해 흐르고, 이로부터 용액은 파이프(7)를 통해 방출된다. 용액은 선택적인 펌프(8)를 경유하여 파이프(7)에 배치된 냉각기(9) 및 선택적인 열 교환기를 통해 펌핑되고, 이는 재생기(12)로부터의 고온 용액이 에너지 보존을 위해 흡수제 칼럼(2)으로부터의 냉각 용액과 열 교환할 수 있게 한다. 용액은 라인(13)으로 구부러진 라인(도시되지 않음)이 구비된 플래쉬 드럼(10)으로 파이프(7)를 통해 유입된 다음, 파이프(11)에 의해 재생기(12)의 상위 부분으로 도입되는데, 이는 수개의 플레이트가 구비되어 있고 용액에 수반되는 H2S 및 CO2 기체의 탈착을 수행한다. 상기 산 가스는 파이프(13)를 통해 응축기(14)로 통과되고, 이때 기체로부터의 물 및 아민 용액의 냉각 및 응축이 초래된다. 이어서, 기체는 분리기(15)로 유입되고, 이때 추가의 응축이 수행된다. 응축된 용액은 파이프(16)를 통해 재생기(12)의 상위 부분으로 되돌아간다. H2S 및 CO2를 함유한, 응축되지 않고 남은 기체는 최종 폐기를 위해 파이프(17)를 통해 제거된다[예를 들면 H2S를 황으로 전환시키는 배출구, 소각로 또는 장치, 예컨대 클라우스(Claus) 유닛 또는 스트레트포드(Stretford) 전환 유닛(도시되지 않음)으로].
용액은 재생기(12)를 통해 아래로 흐르는 동안 이것이 함유하는 대부분의 기체로부터 자유로워지고, 재가열기(19)에 전달되기 위해 재생기의 바닥에서 파이프(18)를 통해 빠져나온다. 외부 열원(예컨대 파이프(20)를 통해 주입되는 스팀 및 제 2 파이프(도시되지 않음)를 통해 빠져나오는 응축물)이 구비된 재가열기(19)는 상기 용액(주로 물)의 일부를 기화시켜 이로부터 추가의 H2S를 몰아낸다. 제거 된 H2S 및 스팀은 파이프(21)를 통해 재생기(12)의 하위 구간으로 되돌아가고, 기체 처리의 응축 단계로 진입하기 위해 파이프(13)를 통해 빠져나간다. 재가열기(19)에 잔류한 용액은 파이프(22)를 통해 뽑혀져, 열 교환기(9)에서 냉각되고, 펌프(23)의 작용을 거쳐(압력이 충분히 높을 경우 선택 가능함) 파이프(5)를 통해 흡수기 칼럼(2)으로 도입된다.
전형적으로, 중질 잔유의 열 전환을 위한 장치로부터의, 1:10의 H2S:CO2 몰비를 갖는 처리될 기체상 스트림, 또는 1:10 미만의 H2S:CO2 몰비를 갖는 루기(Lurgi) 석탄 가스는 본 발명의 방법에 의해 처리된 후 약 1:1의 H2S:CO2 몰비를 갖는 산 가스를 산출할 것이다. 본원에서 이 방법은 또다른 H2S 선택적 제거 공정과 함께 사용될 수 있지만, 아미노 화합물이 H2S의 우선적 흡수에 있어서 그 자체에 의해 극히 효과적이므로, 본 발명의 방법 자체만 수행하는 것이 바람직하다.
일반 실험 절차
테트라데카하이드로-페나자인(TDP)의 반-염의 제조
벤젠 설폰산 0.204g(1.291밀리몰), 톨루엔 1.2g 및 메탄올 0.11g을 3-드램(dram) 바이알 내에 첨가하였다. 투명한 무색의 액체가 수득되었다.
테트라데카하이드로-페나자인(TDP) 0.499g(2.58밀리몰), 톨루엔 4.18g 및 메탄올 0.14g을 제 2의 3-드램 바이알 내에 첨가하였다. 혼합물을 35℃까지 가열하였으며, 투명한 무색의 액체가 수득되었다. 자석 교반 바아를 TDP 용액에 첨가하였다. 35℃에서 자석 교반하면서, 벤젠 설폰산 용액을 TDP 용액에 첨가하였다. 투명한 무색의 액체가 35℃에서 수득되었으며, 이를 실온까지 냉각시켰다. 실온에서, 일부 결정화가 발생하였다. 용액을 10℃까지 냉각시켜 추가 생성물을 수득하였다. 투명한 무색의 액체를 따라 버려 결정화된 생성물을 수득하였다. 나머지 고체를 차가운 톨루엔으로 세척하였다(2 x 3 ml). 과도한 톨루엔을 실온 고진공 하에서 제거하였다. 백색 결정 생성물 500mg을 수득하였다.
1. 흡수 시험을 35℃에서 흡수제의 0.15M 수용액 상에서 89:10:1의 질소:이산화탄소:황화수소의 기체 혼합물을 사용하여 2시간 동안 수행하였다.
2. 탈착을 시험 기체 혼합물과 동일한 유동 속도에서 2시간 동안 85℃에서 유동하는 N2중에서 작업하였다.
Figure 112008016968305-pct00033
(1) 벤젠 설폰산과의 반-염 테트라데카하이드로-페나자인(TDP)
(2) 벤젠 설폰산과의 N,N-다이메틸테트라데카하이드로-페나자인(DMTDP)의 반-염

Claims (16)

  1. 하나 이상의 산성 성분을, 상기 산성 성분 및 CO2를 함유하는 통상적인 기체상 혼합물로부터 선택적으로 제거하는 방법으로서,
    상기 통상적인 기체상 혼합물을, 상기 혼합물로부터 기체상의 하나 이상의 산성 성분을 선택적으로 제거하기에 적당한 조건 하에서, 하기 화학식 I의 물질, 하기 화학식 II의 물질 및 이의 모든 이성질체, 하기 화학식 III의 물질 및 이의 모든 이성질체, 하기 화학식 IV의 물질 및 이의 모든 이성질체, 및 하기 화학식 V의 물질 중 하나 이상을 포함하는 아미노-함유 흡수제와 접촉시키는 것을 포함하는 방법:
    화학식 I
    Figure 112013006099710-pct00034
    화학식 II
    Figure 112013006099710-pct00066
    화학식 III
    Figure 112013006099710-pct00036
    화학식 IV
    Figure 112013006099710-pct00037
    화학식 V
    Figure 112013006099710-pct00038
    상기 식에서,
    R1 및 R2는 동일하거나 상이하고, 수소, 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄 C3-C9 알킬, 알켄일, 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택되고;
    X1 내지 X8은 동일하거나 상이하고, 수소, 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄 C3-C9 알킬, 알켄일, 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴, 아릴알킬, 및 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기로부터 선택되고;
    X9 및 X10은 동일하거나 상이하고, -(HO3SR4)+, -(HO3PR4)+,
    Figure 112013006099710-pct00039
    , 설폰에이트, 설페이트, 설파이트, 포스페이트, 포스파이트, 포스폰에이트, C1-C9 알킬레이트, 아디페이트 및 벤조에이트로부터 선택되고;
    X11 및 X12는 동일하거나 상이하고, 수소, 및 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기로부터 선택되되, R1 및/또는 R2가 C2 이상인 경우, 치환기 X11 또는 X12는 H가 아닌 경우 2번 이상의 위치의 탄소 상에 존재하고;
    y는 0 또는 1이고;
    z는 0 또는 1이고;
    X1 내지 X8, X11 및 X12가 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기가 아닌 경우, y 및 z 중 하나 이상은 1이고;
    X1 내지 X8, X11 및 X12 중 어느 하나가 단일 산소를 함유하는 작용기인 경우, X1 내지 X8, X11 및 X12 중 2개 이상은 이러한 단일 산소를 함유하는 작용기이고;
    R4는 C1-C9 알킬, C2-C9 알켄일, C3-C9 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택된다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    흡수제가 하기 화학식 I의 물질을 1종 이상 포함하는 방법:
    화학식 I
    Figure 112013006099710-pct00040
  3. 제 1 항에 있어서,
    흡수제가 하기 화학식 II의 물질 및 이의 모든 이성질체 중 하나 이상을 포함하는 방법:
    화학식 II
    Figure 112013006099710-pct00067
  4. 제 1 항에 있어서,
    흡수제가 하기 화학식 III의 물질 및 이의 모든 이성질체 중 하나 이상을 포함하는 방법:
    화학식 III
    Figure 112011054461354-pct00042
  5. 제 1 항에 있어서,
    흡수제가 하기 화학식 IV의 물질 및 이의 모든 이성질체 중 하나 이상을 포함하는 방법:
    화학식 IV
    Figure 112011054461354-pct00043
  6. 제 1 항에 있어서,
    흡수제가 하기 화학식 V의 물질을 1종 이상 포함하는 방법:
    화학식 V
    Figure 112013006099710-pct00044
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X1 내지 X8, X11 및 X12 중 하나 이상이 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기인 경우, y 및 z가 모두 0인 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X1 내지 X8이
    Figure 112013006099710-pct00045
    Figure 112013006099710-pct00063
    및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되되, R3이 C1-C9 알킬, C2-C9 알켄일, C3-C9 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택되고, 금속 양이온이 음이온 또는 음이온 클러스터의 원자가 요건을 충족시키기에 충분한 하나 이상의 1가, 2가 또는 3가 금속 양이온인 방법.
  9. 하나 이상의 산성 성분, 비-산성 성분 및 CO2를 함유하는 통상적인 기체상 혼합물로부터 기체상의 하나 이상의 산성 성분을 선택적으로 제거하기에 적당한 조건 하에서, 상기 혼합물로부터 선택적으로 하나 이상의 산성 성분을 제거하기 위한 흡수제로서,
    이때, 상기 흡수제가 하기 화학식 I의 물질, 하기 화학식 II의 물질 및 이의 모든 이성질체, 하기 화학식 III의 물질 및 이의 모든 이성질체, 하기 화학식 IV의 물질 및 이의 모든 이성질체, 및 하기 화학식 V의 물질 중 하나 이상을 갖는 흡수제:
    화학식 I
    Figure 112013006099710-pct00047
    화학식 II
    Figure 112013006099710-pct00068
    화학식 III
    Figure 112013006099710-pct00049
    화학식 IV
    Figure 112013006099710-pct00050
    화학식 V
    Figure 112013006099710-pct00051
    상기 식에서,
    R1 및 R2는 동일하거나 상이하고, 수소, 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄 C3-C9 알킬, 알켄일, 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택되고;
    X1 내지 X8은 동일하거나 상이하고, 수소, 메틸, 에틸, 직쇄 또는 분지쇄 C3-C9 알킬, 알켄일, 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴, 아릴알킬, 및 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기로부터 선택되고;
    X9 및 X10은 동일하거나 상이하고, -(HO3SR4)+, -(HO3PR4)+,
    Figure 112013006099710-pct00052
    , 설폰에이트, 설페이트, 설파이트, 포스페이트, 포스파이트, 포스폰에이트, C1-C9 알킬레이트, 아디페이트 및 벤조에이트로부터 선택되고;
    X11 및 X12는 동일하거나 상이하고, 수소, 및 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기로부터 선택되되, R1 및/또는 R2가 C2 이상인 경우, 치환기 X11 또는 X12는 H가 아닌 경우 2번 이상의 위치의 탄소 상에 존재하고;
    y는 0 또는 1이고;
    z는 0 또는 1이고;
    X1 내지 X8, X11 및 X12가 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기가 아닌 경우, y 및 z 중 하나 이상은 1이고;
    X1 내지 X8, X11 및 X12 중 어느 하나가 단일 산소를 함유하는 작용기인 경우, X1 내지 X8, X11 및 X12 중 2개 이상은 이러한 단일 산소를 함유하는 작용기이고;
    R4는 C1-C9 알킬, C2-C9 알켄일, C3-C9 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택된다.
  10. 제 9 항에 있어서,
    하기 화학식 I의 물질을 갖는 흡수제:
    화학식 I
    Figure 112013006099710-pct00053
  11. 제 9 항에 있어서,
    하기 화학식 II의 물질 또는 이의 모든 이성질체를 갖는 흡수제:
    화학식 II
    Figure 112013006099710-pct00069
  12. 제 9 항에 있어서,
    하기 화학식 III의 물질 또는 이의 모든 이성질체를 갖는 흡수제:
    화학식 III
    Figure 112013006099710-pct00055
  13. 제 9 항에 있어서,
    하기 화학식 IV의 물질 또는 이의 모든 이성질체를 갖는 흡수제:
    화학식 IV
    Figure 112013006099710-pct00056
  14. 제 9 항에 있어서,
    하기 화학식 V의 물질을 갖는 흡수제:
    화학식 V
    Figure 112013006099710-pct00057
  15. 제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X1 내지 X8, X11 및 X12 중 하나 이상이 하나 이상의 산소를 함유하는 작용기인 경우, y 및 z가 모두 0인 흡수제.
  16. 제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X1 내지 X8이
    Figure 112013006099710-pct00058
    Figure 112013006099710-pct00064
    및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되되, R3이 C1-C9 알킬, C2-C9 알켄일, C3-C9 사이클로알킬, C6-C9 아릴, 알킬아릴 및 아릴알킬로부터 선택되고, 금속 양이온이 음이온 또는 음이온 클러스터의 원자가 요건을 충족시키기는 하나 이상의 1가, 2가 또는 3가 금속 양이온인 흡수제.
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