KR101285897B1 - Apparatus and method for polishing wafer - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 웨이퍼 연마장치 및 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer polishing apparatus and a method of polishing a wafer.
종래의 웨이퍼의 제조방법으로서, 실리콘웨이퍼의 제조방법을 예로 설명하면 우선, 쵸크랄스키법(CZ법) 등에 의하여 실리콘 단결정 잉고트를 육성하고, 얻어진 실리콘 단결정잉고트를 슬라이스하여 실리콘 웨이퍼를 제작한 후, 이 실리콘 웨이퍼에 대하여 면취하고, 래핑, 에칭의 각공정이 순차적으로 이루어지고, 다음에 적어도 웨이퍼의 일주면을 경면화하는 연마공정이 실시된다.As a conventional method for manufacturing a wafer, a method for manufacturing a silicon wafer will be described as an example. First, a silicon single crystal ingot is grown by the Czochralski method (CZ method) or the like, and the obtained silicon single crystal ingot is sliced to produce a silicon wafer. The silicon wafer is chamfered, each step of lapping and etching is performed sequentially, and then a polishing step of mirror-mirroring at least one main surface of the wafer is performed.
이 웨이퍼의 연마공정에 있어서, 예를 들면 실리콘 웨이퍼의 양면을 연마하는 경우에, 양면연마장치가 이용되는 되는 경우가 있다.이 양면연마장치로서는 통상, 중심부의 선기어와 외주부의 인터널 기어의 사이에 웨이퍼를 유지한 캐리어 플레이트가 배치된 유성치차구조를 갖는 소위 3웨이 또는 소위 4웨이 방식의 양면연마장치가 사용되고 있다.In the polishing step of this wafer, for example, when polishing both sides of a silicon wafer, a double-side polishing device may be used. As the double-side polishing device, usually between the sun gear in the center and the internal gear in the outer circumferential part is used. A so-called three-way or so-called four-way double-side polishing apparatus having a planetary gear structure in which a carrier plate holding a wafer is disposed on the substrate is used.
3웨이와 4웨이와의 차이는 상정반의 회전여부에 의하여 구분되며, 3웨이는 상정반의 회전이 없이 가공압력만을 가하는 구조이며, 4웨이 상정반이 회전하는 특성을 가진다. The difference between the three-way and four-way is divided by whether the top plate is rotated, the three-way structure is to apply only the processing pressure without the rotation of the top plate, and the four-way top plate has the characteristic of rotating.
이 양면연마장치는 웨이퍼 유지공이 형성된 복수의 캐리어 플레이트에 실리콘 웨이퍼를 삽입, 유지하고, 유지된 실리콘 웨이퍼의 상방향에서 연마슬러리를 공급하면서 웨이퍼의 대향면에 연마포가 부착(貼付)된 상부정반 및 하부정반을 각각 웨이퍼의 표리면에 압부하여 상대방향으로 회전시키고, 그것과 동시에 캐리어 플레이트를 선기어와 인터널 기어에 의하여 자전 및 공전시키는 것으로서, 실리콘 웨이퍼의 양면을 동시에 연마하는 것이 가능하다.This double-side polishing apparatus includes a top plate with a polishing cloth attached to an opposite surface of the wafer while inserting and holding a silicon wafer into a plurality of carrier plates on which wafer holding holes are formed, and supplying a polishing slurry from above the held silicon wafer. And the lower surface plate are respectively pressed against the front and back surfaces of the wafer to rotate in the relative direction, and at the same time, the carrier plate is rotated and revolved by the sun gear and the internal gear, so that both surfaces of the silicon wafer can be polished simultaneously.
이때, 상부정반이 흔들릴 수 있고, 이에 따라서, 웨이퍼의 품질이 저하될 수 있다.At this time, the upper surface plate may shake, and accordingly, the quality of the wafer may be degraded.
실시예는 웨이퍼를 효과적으로 연마하는 웨이퍼 연마장치 및 웨이퍼를 연마하는 방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a wafer polishing apparatus for effectively polishing a wafer and a method for polishing a wafer.
일 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 하정반; 상기 하정반 상에 배치되는 상정반; 상기 하정반 및 상기 상정반 사이에 배치되는 캐리어; 상기 캐리어를 구동하고, 상기 상정반의 주위에 배치되는 기어부; 및 상기 기어부에 배치되고, 상기 상정반의 외곽에 접촉되는 지지부를 포함한다.Wafer polishing apparatus according to an embodiment includes a lower plate; An upper plate disposed on the lower plate; A carrier disposed between the lower table and the upper table; A gear part for driving the carrier and arranged around the upper plate; And a support part disposed on the gear part and in contact with an outer side of the upper plate.
일 실시예에 따른 웨이퍼를 연마하는 방법은 서로 대향되는 상정반 및 하정반 사이에 캐리어를 배치시키고, 상기 캐리어 내에 웨이퍼를 배치시키는 단계; 상기 캐리어를 구동하기 위한 기어부를 구비하는 단계; 상기 기어부에 고정되는 지지부를 상기 상정반의 외곽에 접촉시키는 단계; 및 상기 지지부가 상기 상정반의 외곽에 접촉된 상태에서, 상기 기어부를 통하여 상기 캐리어를 구동시켜서, 상기 웨이퍼를 연마하는 단계를 포함한다.According to one or more exemplary embodiments, a method of polishing a wafer includes disposing a carrier between a top plate and a bottom plate opposed to each other, and placing the wafer in the carrier; Providing a gear unit for driving the carrier; Contacting the support part fixed to the gear part to an outer side of the upper plate; And grinding the wafer by driving the carrier through the gear part while the support part is in contact with the outer surface of the upper plate.
실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 상정반의 외곽과 접촉되는 지지부를 포함한다. 이에 따라서, 상기 상정반은 상기 지지부에 의해서 지지된다. 또한, 상기 상정반은 상기 지지부에 의해서 고정될 수 있다. 이에 따라서, 상기 지지부는 상기 상정반의 흔들림을 방지할 수 있다.The wafer polishing apparatus according to the embodiment includes a support portion in contact with the outside of the upper surface plate. Accordingly, the upper plate is supported by the support portion. In addition, the upper plate may be fixed by the support. Accordingly, the support portion can prevent the shaking of the upper plate.
따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 효과적으로 상기 상정반의 흔들림을 방지하고, 상기 상정반 및 상기 하정반 사이의 웨이퍼에 가해지는 불균일한 가공 압력을 줄여 정밀하게 연마할 수 있다.Therefore, the wafer polishing apparatus according to the embodiment can effectively prevent the shaking of the upper plate and reduce the non-uniform processing pressure applied to the wafer between the upper plate and the lower plate to precisely polish.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치를 도시한 평면도이다.
도 3은 지지부를 도시한 사시도이다.
도 4는 지지부의 동작으로 도시한 평면도이다.
도 5는 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치의 일 단면을 도시한 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment.
2 is a plan view illustrating a wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment.
3 is a perspective view showing the support.
4 is a plan view showing the operation of the support.
5 is a cross-sectional view showing one cross section of the wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 부, 부재, 장치 또는 프레임 등이 각 부, 부재, 장치, 또는 프레임 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, in the case where each part, member, apparatus or frame is described as being formed "on" or "under" of each part, member, apparatus or frame, etc. , "On" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치를 도시한 사시도이다. 도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치를 도시한 평면도이다. 도 3은 지지부를 도시한 사시도이다. 도 4는 지지부의 동작으로 도시한 평면도이다. 도 5는 실시예에 따른 웨이퍼 양면 연마장치의 일 단면을 도시한 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment. 2 is a plan view illustrating a wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment. 3 is a perspective view showing the support. 4 is a plan view showing the operation of the support. 5 is a cross-sectional view showing one cross section of the wafer double-side polishing apparatus according to the embodiment.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 하정반(100), 상정반(200), 캐리어(C), 선 기어부(400), 외곽 기어부(500) 및 복수의 지지부들(600)을 포함한다.1 to 5, the wafer polishing apparatus according to the embodiment includes a
상기 하정반(100)은 상기 캐리어(C)를 지지한다. 상기 하정반(100)은 원형 플레이트 형상을 가진다. 상기 하정반(100)은 제 1 연마패드를 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 연마 패드는 웨이퍼(W)의 하면과 직접 접촉될 수 있다.The
상기 하정반(100)은 모터 등과 같은 구동 수단에 의해서 회전할 수 있다. 상기 하정반(100)이 회전함에 따라서, 상기 제 1 연마 패드도 함께 회전될 수 있다.The
상기 상정반(200)은 상기 하정반(100) 상에 배치된다. 상기 상정반(200)은 상기 하정반(100)과 이격되며, 상기 하정반(100)에 대향된다. 즉, 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100)은 서로 마주본다.The
상기 상정반(200)은 원형 플레이트 형상을 가진다. 상기 상정반(200)은 제 2 연마패드를 포함할 수 있다. 상기 제 2 연마패드는 상기 웨이퍼(W)의 상면과 직접 접촉될 수 있다.The
상기 상정반(200)은 회전되지 않고, 상부에 배치되는 몸체(미도시) 등에 고정될 수 있다. 더 자세하게, 상기 상정반(200)은 제 1 플레이트(240)에 직접 고정되고, 와이어(230) 등을 통하여, 제 2 플레이트(220)에 고정될 수 있다. 또한, 상기 제 2 플레이트(220)는 지지봉(210) 등을 통하여, 상기 몸체에 고정될 수 있다. 이때, 상기 와이어(230) 대신에 리지드한 바 등이 사용될 수 있다.The
즉, 상기 상정반(200)은 상기 제 1 플레이트(240), 상기 와이어(230) 및 상기 제 2 플레이트(220)에 의해서, 상부에, 상기 몸체에 고정될 수 있다. 이때, 상기 와이어(230)의 길이가 적절하게 조절되어, 상기 상정반(200)의 수평이 조절될 수 있다. 즉, 상기 제 2 플레이트(220) 및 상기 제 1 플레이트(240)에는 상기 와이어(230)의 길이를 조절할 수 있는 롤러(미도시) 등이 배치될 수 있다.That is, the
상기 캐리어(C)는 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200) 사이에 개재된다. 상기 캐리어(C)는 상기 웨이퍼(W)를 수용한다. 상기 캐리어(C)는 플레이트 형상을 가진다. 상기 캐리어(C)의 두께는 약 500㎛ 내지 약 1000㎛일 수 있다. 상기 캐리어(C)의 두께는 이에 한정되지 않고, 형성하고자 하는 웨이퍼(W)의 두께에 따라서 다양하게 조절될 수 있다.The carrier C is interposed between the
상기 캐리어(C)는 금속 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 캐리어(C)는 스테인레스 스틸 또는 에폭시 글래스로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 캐리어(C)는 에폭시 글래스로 형성될 수 있다.The carrier C may include metal or plastic. In more detail, the carrier C may be formed of stainless steel or epoxy glass. In more detail, the carrier C may be formed of epoxy glass.
상기 캐리어(C)는 상기 선 기어부(400) 및/또는 상기 외곽 기어부(500)에 의해서 구동될 수 있다. 즉, 상기 캐리어(C)는 상기 선 기어부(400) 및/또는 상기 외곽 기어부(500)에 의해서 구동력을 전달받아아서, 상기 선 기어부(400)를 중심으로 공전하고, 자전할 수 있다.The carrier C may be driven by the
도면에는 도시되지 않았지만, 상기 캐리어(C)는 상기 선 기어부(400)와 기어 결합할 수 있다. 또한, 상기 캐리어(C)는 상기 외곽 기어부(500)와 기어 결합할 수 있다. 상기 캐리어(C)의 외곽 영역에는 다수 개의 톱니들(313)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 캐리어(C)는 상기 웨이퍼(W)를 수용함과 동시에, 동력을 전달받는 기어일 수 있다.Although not shown in the drawings, the carrier C may be in gear coupling with the
상기 캐리어(C)는 웨이퍼 수용홈 및 슬러리 수용홈들을 포함한다.The carrier C includes a wafer accommodating groove and a slurry accommodating groove.
상기 웨이퍼 수용홈은 상기 웨이퍼(W)를 수용한다. 상기 웨이퍼 수용홈은 상기 웨이퍼(W)와 대응되는 형상을 가지는 관통홈이다. 즉, 상기 웨이퍼 수용홈은 원 형상을 가지며, 상기 웨이퍼(W)의 직경과 실질적으로 동일한 직경을 가질 수 있다.The wafer accommodating groove accommodates the wafer (W). The wafer receiving groove is a through groove having a shape corresponding to the wafer (W). That is, the wafer receiving groove may have a circular shape and may have a diameter substantially the same as the diameter of the wafer (W).
상기 웨이퍼 수용홈의 중심은 상기 캐리어(C)의 중심에 대하여 편심될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 수용홈의 중심은 상기 캐리어(C)의 중심과 일치하지 않는다. 이에 따라서, 상기 캐리어(C)가 회전하는 경우, 상기 웨이퍼 수용홈에 수용된 웨이퍼(W)는 편심 회전할 수 있다.The center of the wafer receiving groove may be eccentric with respect to the center of the carrier (C). That is, the center of the wafer receiving groove does not coincide with the center of the carrier (C). Accordingly, when the carrier C is rotated, the wafer W accommodated in the wafer accommodating groove may be eccentrically rotated.
상기 슬러리 수용홈들은 상기 슬러리를 임시 저장한다. 상기 슬러리 수용홈들은 상기 웨이퍼 수용홈의 주위에 형성된다. 상기 슬러리 수용홈들은 관통홈들일 수 있다. 이때, 상기 슬러리 수용홈들은 서로 다른 직경을 가질 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 상기 슬러리 수용홈들이 원형상을 가지는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 상기 슬러리 수용홈들은 다양한 형상을 가질 수 있다.The slurry receiving grooves temporarily store the slurry. The slurry receiving grooves are formed around the wafer receiving groove. The slurry receiving grooves may be through grooves. In this case, the slurry receiving grooves may have different diameters. In addition, although the slurry receiving grooves are shown as having a circular shape in the present embodiment, the present invention is not limited thereto, and the slurry receiving grooves may have various shapes.
상기 선 기어부(400)는 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200) 사이에 개재된다. 상기 선 기어부(400)는 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200)의 중심에 위치한다. 상기 선 기어부(400)의 중심은 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200)의 중심과 실질적으로 일치한다.The
상기 선 기어부(400)는 상기 상정반(200) 및/또는 상기 하정반(100)과 함께 구동될 수 있다. 즉, 상기 선 기어부(400)는 상기 상정반(200) 및/또는 상기 하정반(100)에 고정될 수 있다.The
이와는 다르게, 상기 선 기어부(400)는 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100)과 따로 구동될 수 있다. 예를 들어, 상기 선 기어부(400)는 상기 상정반(200) 또는 상기 하정반(100)에 형성된 홀을 통과하는 회전축과 결합되어 회전할 수 있다.Unlike this, the
상기 선 기어부(400)는 상기 캐리어(C)과 기어 결합될 수 있다. 즉, 상기 선 기어부(400)의 회전에 의해서, 상기 캐리어(C)이 구동된다. 상기 선 기어부(400)는 상기 캐리어(C)에 구동력을 인가할 수 있다.The
상기 외곽 기어부(500)는 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100) 사이에 배치된다. 상기 외곽 기어부(500)는 상기 선 기어부(400) 및 상기 캐리어(C)을 둘러싼다. 상기 외곽 기어부(500)는 상기 캐리어(C)과 기어 결합되어, 상기 캐리어(C)에 동력을 전달한다. 즉, 상기 캐리어(C)의 외주면과 상기 외곽 기어부(500)의 내주면이 서로 기어 결합된다. 상기 외곽 기어부(500)의 회전에 의해서, 상기 캐리어(C)이 구동된다.The
상기 선 기어부(400) 및 상기 외곽 기어부(500)의 회전에 의해서, 상기 캐리어(C)이 회전하면서, 상기 선 기어부(400)의 주위를 이동한다. 즉, 상기 캐리어(C)은 상기 선 기어부(400) 및 상기 외곽 기어부(500)로부터 동력을 전달받아, 자체적으로 회전하면서, 이동될 수 있다.By the rotation of the
상기 선 기어부(400) 및 상기 외곽 기어부(500)는 같은 방향으로 회전할 수 있고, 다른 방향으로 회전할 수 있다. 또한, 상기 선 기어부(400) 및 상기 외곽 기어부(500)는 같은 각속도로 회전하거나, 다른 각속도로 회전할 수 있다. 결과적으로 상기 선 기어부(400) 및 상기 외곽 기어부(500)는 다양한 방식으로 회전하여, 상기 캐리어(C)를 구동한다. 즉, 상기 선 기어부(400) 및 상기 외곽 기어부(500)은 상기 캐리어(C)을 상기 하정반(100) 및 상기 상정반(200)에 대하여 상대 회전시키는 구동부이다.The
상기 외곽 기어부(500)는 상기 상정반(200)이 고정되는 몸체(미도시)에 회전 가능하도록 고정될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 외곽 기어부(500)는 다른 부재 등에 회전 가능하도록 고정될 수 있다. 더 자세하게, 상기 외곽 기어부(500)는 상기 하정반(100)을 지지하는 부재 등에 회전 가능하도록 고정될 수 있다.The
상기 지지부들(600)은 상기 외곽 기어부(500)에 배치된다. 상기 지지부들(600)은 상기 외곽 기어부(500)에 고정된다. 더 자세하게, 상기 지지부들(600)은 상기 외곽 기어부(500)에 힌지 구동될 수 있도록 고정될 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지부들(600)은 상기 외곽 기어부(500)에 고정되는 축을 중심으로 힌지 구동될 수 있다.The
상기 지지부들(600)은 상기 상정반(200)의 측면을 지지한다. 더 자세하게, 상기 지지부들(600)은 상기 상정반(200)의 측면과 직접 접촉되고, 상기 상정반(200)의 측면 및 상기 외곽 기어부(500) 사이의 간격을 일정하게 할 수 있다. 즉, 상기 상정반(200) 및 상기 외곽 기어부(500)는 상기 지지부들(600)에 의해서, 서로 상대적으로 고정될 수 있다. 즉, 상기 지지부들(600)에 의해서, 상기 상정반(200) 및 상기 외곽 기어부(500) 사이의 간격이 서로 일정하게 유지될 수 있다.The
상기 지지부들(600)은 서로 실질적으로 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 즉, 상기 지지부들(600) 사이의 간격은 서로 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 지지부들(600) 사이의 간격은 약 0.01㎜ 내지 약 5㎜의 오차를 가지면서, 서로 동일할 수 있다.The
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 지지부(600)는 롤러부(610), 힌지부(620) 및 힌지축(640)을 포함한다.3 to 5, the
상기 롤러부(610)는 상기 힌지부(620)에 연결된다. 상기 롤러부(610)는 상기 힌지부(620)에 롤링되도록 연결된다. 상기 롤러부(610)는 상기 힌지부(620)에 배치되는 회전축을 중심으로 회전될 수 있다. 더 자세하게, 상기 롤러부(610)는 상기 힌지부(620)의 끝단에 배치되는 회전축을 중심으로 회전될 수 있다.The
상기 롤러부(610)는 상기 상정반(200)과 직접 접촉될 수 있다. 더 자세하게, 상기 롤러부(610)의 외주면은 상기 상정반(200)의 측면, 즉, 상기 상정반(200)의 외주면과 직접 접촉될 수 있다. 상기 롤러부(610)는 상기 상정반(200)의 측면을 따라서 롤링될 수 있다.The
상기 힌지부(620)는 상기 외곽 기어부(500)에 고정된다. 더 자세하게, 상기 힌지부(620)는 상기 외곽 기어부(500)에 힌지 구동될 수 있도록 고정될 수 있다. 상기 힌지부(620)는 상기 힌지축(640)을 중심으로 힌지 구동될 수 있다. 상기 힌지부(620)는 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 힌지부(620)는 상기 힌지축(640)으로부터 상기 상정반(200)의 중심을 향하여 연장될 수 있다.The
상기 힌지축(640)은 상기 외곽 기어부(500)에 고정된다. 상기 힌지축(640)은 상기 외곽 기어부(500)의 상면에 고정될 수 있다. 상기 힌지축(640)은 상기 힌지부(620) 및 상기 롤러부(610)를 힌지 구동시킬 수 있다.The
또한, 상기 외곽 기어부(500)에는 스톱퍼(630)가 배치된다. 상기 스톱퍼(630)는 상기 외곽 기어부(500)에 고정된다. 상기 스톱퍼(630)는 상기 힌지부(620)의 측면에 배치된다. 상기 스톱퍼(630)는 상기 힌지부(620)의 측면을 지지한다. 즉, 상기 스톱퍼(630)는 상기 힌지부(620)가 상기 상정반(200)의 중심을 향하도록 가이드한다.In addition, a
상기 스톱퍼(630)는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 스톱퍼(630)는 상기 상정반(200)의 중심을 향하여 연장되는 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 스톱퍼(630)는 볼트 등에 의해서, 상기 외곽 기어부(500)에 고정될 수 있다.The
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 지지부(600)는 상기 외곽 기어부(500)에 고정되면서, 동시에 힌지 구동된다. 이때, 상기 스톱퍼(630)는 상기 롤러부(610)가 상기 상정반(200)의 외주면에 접촉된 상태로, 상기 지지부(600)를 가이드할 수 있다.As shown in FIG. 4, the
즉, 상기 지지부(600)는 상기 상정반(200)의 외주면으로부터 이탈되었다가, 상기 상정반(200)의 중심을 향하도록 힌지구동될 수 있다. 이때, 상기 지지부(600)는 상기 스톱퍼(630)에 직접 접촉되면서, 상기 롤러부(610)는 상기 상정반(200)의 외주면과 직접 접촉될 수 있다.That is, the
실시예에 따른 웨이퍼 연마장치에 의해서, 웨이퍼(W)가 다음과 같은 공정에 의해서, 연마될 수 있다.By the wafer polishing apparatus according to the embodiment, the wafer W can be polished by the following process.
먼저, 상기 캐리어(C)의 웨이퍼 수용홈에 웨이퍼(W)들이 배치된다. 이후, 상기 캐리어(C) 및 상기 웨이퍼(W)들은 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100) 사이에 개재된다.First, wafers W are disposed in a wafer receiving groove of the carrier C. Thereafter, the carrier C and the wafers W are interposed between the
이후, 상기 지지부들(600)은 힌지 구동되어, 상기 상정반(200)을 지지한다. 즉, 상기 지지부들(600)은 상기 상정반(200)의 외곽에 접촉된다. 즉, 상기 지지부들(600)은 상기 스톱퍼(630)에 의해서 가이드되고, 상기 롤러부(610)는 상기 상정반(200)의 외주면에 직접 접촉된다.Thereafter, the
이후, 상기 외곽 기어부(500) 및/또는 상기 선 기어부(400)에 의해서, 상기 캐리어(C)가 구동된다. 이때, 상기 롤러부(610)는 상기 상정반(200)의 외주면을 따라서 롤링될 수 있다. 즉, 상기 지지부들(600)이 상기 상정반(200)에 접촉된 상태에서, 상기 캐리어(C)는 상기 외곽 기어부(500) 및/또는 상기 선 기어부(400)에 의해서 구동된다.Thereafter, the carrier C is driven by the
이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 상정반(200) 및/또는 상기 하정반(100)에 의해서, 연마될 수 있다.Accordingly, the wafer W may be polished by the
이때, 상기 상정반(200)은 상기 지지부들(600)에 의해서 지지된다. 또한, 상기 상정반(200)은 상기 지지부(600)에 의해서 고정될 수 있다. 이에 따라서, 상기 지지부들(600)은 상기 상정반(200)의 흔들림을 방지할 수 있다.In this case, the
따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 효과적으로 상기 상정반(200)의 흔들림을 방지하고, 상기 상정반(200) 및 상기 하정반(100) 사이의 웨이퍼(W)를 정밀하게 연마할 수 있다.Therefore, the wafer polishing apparatus according to the embodiment can effectively prevent the shake of the
결국, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 상기 지지부들(600)을 사용하여, 상기 외곽 기어부(500)에 대한, 상기 상정반(200)의 상대적인 이동을 효과적으로 제어할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 상기 상정반(200)의 흔들림에 의한, 웨이퍼(W)에 대한, 마찰을 줄일 수 있다. 즉, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 상기 상정반(200)의 흔들림에 따른, 원하지 않는 마찰을 감소시킬 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 정확하게 상기 웨이퍼(W)를 연마할 수 있다.As a result, the wafer polishing apparatus according to the embodiment may effectively control the relative movement of the
또한, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 상기 상정반(200)의 흔들림에 따른 전단 응력(shear stress)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 상기 웨이퍼(W)에 대한 상기 상정반(200)의 비틀림을 최소화할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 상기 상정반(200) 및 상기 웨이퍼(W) 사이에 마찰력을 균일하게 할 수 있고, 상기 웨이퍼(W)를 전체적으로 균일하게 연마할 수 있다.In addition, the wafer polishing apparatus according to the embodiment may reduce the shear stress caused by the shaking of the
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
하정반(100)
상정반(200)
캐리어(C)
선 기어부(400)
외곽 기어부(500)
지지부들(600)Bottom plate (100)
Top plate (200)
Carrier (C)
Outer gear part (500)
Claims (7)
상기 하정반 상에 배치되는 상정반;
상기 하정반 및 상기 상정반 사이에 배치되는 캐리어;
상기 캐리어를 구동하고, 상기 상정반의 주위에 배치되는 선 기어부 및 외곽 기어부; 및
상기 외곽 기어부에 배치되고, 상기 상정반의 외곽에 접촉되는 지지부를 포함하고,
상기 지지부는 상기 상정반의 측면을 따라 롤링하면서 상기 상정반을 지지하는 웨이퍼 연마장치.Lower plate;
An upper plate disposed on the lower plate;
A carrier disposed between the lower table and the upper table;
A sun gear unit and an outer gear unit for driving the carrier and arranged around the upper plate; And
It is disposed in the outer gear portion, and includes a support portion in contact with the outside of the upper plate,
And the support part supports the top plate while rolling along the side surface of the top plate.
상기 외곽 기어부에 대하여 힌지 구동 가능하도록 고정되는 힌지부;
상기 힌지부에 회전 가능하도록 고정되는 롤러부; 및
상기 힌지부의 끝단에 배치되고, 상기 외곽 기어부에 고정되는 힌지축을 포함하는 웨이퍼 연마장치.The method of claim 1, wherein the support portion
A hinge part fixed to a hinge drive with respect to the outer gear part;
A roller unit fixed to the hinge unit to be rotatable; And
And a hinge shaft disposed at an end of the hinge portion and fixed to the outer gear portion.
상기 캐리어를 구동하기 위한 선 기어부 및 외곽 기어부를 구비하는 단계;
상기 외곽 기어부에 고정되는 지지부를 상기 상정반의 외곽에 접촉시키는 단계; 및
상기 지지부는 상기 상정반의 측면을 따라 롤링하면서 상기 상정반을 지지하도록 배치되며, 상기 선 기어부 및 외곽 기어부를 통하여 상기 캐리어를 구동시켜서, 상기 웨이퍼를 연마하는 단계를 포함하는 웨이퍼를 연마하는 방법.Disposing a carrier between the upper and lower plates opposed to each other, and disposing a wafer in the carrier;
Having a sun gear portion and an outer gear portion for driving the carrier;
Contacting the support part fixed to the outer gear part with an outer side of the upper plate; And
And the support is arranged to support the top plate while rolling along the side of the top plate, and driving the carrier through the sun gear portion and the outer gear portion to polish the wafer.
상기 외곽 기어부에 대하여 힌지 구동 가능하도록 고정되는 힌지부;
상기 힌지부에 회전 가능하도록 고정되고, 상기 상정반의 외곽에 접촉되는 롤러부; 및
상기 힌지부의 끝단에 배치되고, 상기 외곽 기어부에 고정되는 힌지축을 포함하고,
상기 롤러부가 상기 상정반의 외주면을 따라서 롤링되면서, 상기 선 기어부 및 외곽 기어부가 상기 캐리어를 구동하는 웨이퍼를 연마하는 방법.The method of claim 6, wherein the support portion
A hinge part fixed to a hinge drive with respect to the outer gear part;
A roller part fixed to the hinge part to be rotatable and in contact with an outer side of the upper plate; And
A hinge shaft disposed at an end of the hinge portion and fixed to the outer gear portion;
And the roller portion is rolled along the outer circumferential surface of the upper surface plate, wherein the sun gear portion and the outer gear portion drive the carrier.
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2012
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