KR101282104B1 - Automatic demounting apparatus and method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 자동 디마운팅 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 자동 디마운팅 장치는 웨이퍼, 세라믹 원판 및 웨이퍼와 세라믹 원판이 왁스로 본딩된 워크피스(workpiece)를 이동시키는 트랜스퍼 유닛(Transfer Unit), 워크피스를 가열하여 왁스를 용융시키는 히팅 유닛(Heating Unit)-여기서, 왁스가 용융된 상태에서 상기 트랜스퍼 유닛이 웨이퍼를 진공 흡착하여 세라믹 원판으로부터 분리하여 디마운팅함-, 웨이퍼 및 세라믹 원판 중 적어도 하나에 잔존하는 왁스를 제거하는 클리닝 유닛(Cleaning Unit) 및 자동으로 웨이퍼가 세라믹 원판으로부터 디마운팅되도록 상기 트랜스퍼 유닛, 상기 히팅 유닛 및 상기 클리닝 유닛의 동작을 제어하는 콘트롤러를 포함한다.The present invention relates to an automatic demounting apparatus and method. The automatic demounting apparatus according to the present invention includes a transfer unit for moving a wafer, a ceramic disc and a workpiece bonded with a wax and a ceramic disc, and a heating unit for heating the workpiece to melt the wax ( Heating unit), wherein the transfer unit vacuum-adsorbs the wafer to remove the wax from the ceramic disc while the wax is molten, and demounts the cleaning unit. The cleaning unit removes the wax remaining on at least one of the wafer and the ceramic disc. And a controller that controls the operation of the transfer unit, the heating unit and the cleaning unit to automatically demount the wafer from the ceramic disc.

Figure R1020110026252
Figure R1020110026252

Description

자동 디마운팅 장치 및 방법{AUTOMATIC DEMOUNTING APPARATUS AND METHOD THEREOF}AUTOMATIC DEMOUNTING APPARATUS AND METHOD THEREOF}

본 발명은 연마가 종료된 씬 웨이퍼(thin wafer)를 본딩된 세라믹 원판으로부터 디마운팅하는 자동 디마운팅 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 가열에 의하여 왁스를 용융시켜 디마운팅을 수행하며 씬 웨이퍼 및 세라믹 원판에 부착된 잔여 왁스를 클리닝하며, 전 공정을 자동으로 수행하는 자동 디마운팅 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic demounting apparatus and method for demounting a polished thin wafer from a bonded ceramic disc. In particular, the present invention relates to a thin wafer and a ceramic disc. The present invention relates to an automatic demounting apparatus and method for cleaning residual wax adhered to and automatically performing the entire process.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 제조 등에 사용되는 웨이퍼, 특히 사파이어는 제조 공정상 두께가 100㎛ 정도로 얇게 연마(thinning)될 필요가 있다. 사파이어 웨이퍼(Sapphire Wafer)를 얇게 연마하기 위하여, 우선 사파이어 웨이퍼에 비하여 크기가 큰 세라믹 원판(Ceramic Plate)에 사파이어 웨이퍼를 본딩(bonding)하는 과정이 선행된다. 본딩이 완료된 사파이어 웨이퍼는 연마를 위한 별도의 장치로 이동된 후, 연마 과정이 수행된다. 사파이어 웨이퍼를 얇게 연마하기 위한 연마 과정은 통상적으로 그라인딩(grinding) 과정, 랩핑(lapping) 과정 및 폴리싱(polishing) 과정을 포함할 수 있다. 그라인딩 과정은 개별적으로 동작하는 그라인딩 장치에서 수행되며, 랩핑 과정은 개별적으로 동작하는 랩핑 장치에서 수행되며, 폴리싱 과정은 개별적으로 동작하는 폴리싱 장치에서 수행될 수 있다.Wafers used in the manufacture of light emitting diodes (LEDs), in particular sapphire, need to be thinned to a thickness of about 100 μm in the manufacturing process. In order to grind the sapphire wafer thinly, a process of first bonding the sapphire wafer to a ceramic plate having a larger size than that of the sapphire wafer is preceded. After the bonding is completed, the sapphire wafer is moved to a separate device for polishing, and then a polishing process is performed. The polishing process for thinly polishing the sapphire wafer may typically include a grinding process, a lapping process, and a polishing process. The grinding process may be performed in the individually operating grinding apparatus, the lapping process may be performed in the individually operating lapping apparatus, and the polishing process may be performed in the individually operating polishing apparatus.

도 1은 종래의 웨이퍼를 얇게 연마하기 위하여, 웨이퍼가 세라믹 원판에 본딩된 상태를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 2는 종래의 웨이퍼를 세라믹 원판에 본딩하기 위한 웨이퍼 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a state in which a wafer is bonded to a ceramic disc to thinly polish a conventional wafer, and FIG. 2 is a view schematically showing a wafer bonding apparatus for bonding a conventional wafer to a ceramic disc.

사파이어 웨이퍼를 얇게 연마하기 위하여, 웨이퍼 본딩 과정이 선행되는 바, 이는 도 2에 도시된 바와 같은 웨이퍼 본딩 장치에 의하여 수행될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같은 웨이퍼 본딩 장치는 왁스(wax) 공급부(11), 가압부(15) 및 핫플레이트(10)를 포함한다. 핫플레이트(10)의 상면에는 웨이퍼(2)가 본딩되는 세라믹 원판(1)이 놓여진다. 핫플레이트(10)는 웨이퍼(2)와 세라믹 원판(1)이 왁스(18)에 의하여 본딩될 때, 본딩 효율을 높이기 위하여 가열될 수 있다. 왁스 공급부(11)는 왁스(18)를 보관하는 왁스 보관함(12), 왁스 보관함(12)에 보관된 왁스(18)를 핫플레이트(10)에 놓인 세라믹 원판(1)에 분사하기 위한 왁스 분사 노즐(13) 및 왁스 보관함(12) 및 왁스 분사 노즐(13)을 지지하는 지지부재(14)를 포함한다. 왁스 공급부(11)는 왁스(18)를 왁스 분사 노즐(13)을 통하여 세라믹 원판(1)의 소정의 위치에 분사될 수 있도록, 좌우로 이동할 수 있는 구조를 갖는다. 가압부(15)는 웨이퍼(2)가 왁스(18)가 분사된 세라믹 원판(1)에 접촉한 상태에서 일정 시간 동안 일정 압력을 제공하여, 웨이퍼(2)가 세라믹 원판(1)에 본딩되도록 하는 가압판(16)과 가압판(16)을 지지하는 지지부재(17)를 포함한다. 가압부(15)는 웨이퍼(2)가 세라믹 원판(1)에 본딩될 수 있도록, 상하로 이동할 수 있는 구조를 갖는다.In order to thinly polish the sapphire wafer, a wafer bonding process is preceded, which can be performed by a wafer bonding apparatus as shown in FIG. The wafer bonding apparatus as shown in FIG. 2 includes a wax supply 11, a press 15, and a hot plate 10. On the upper surface of the hot plate 10 is placed a ceramic disc 1 on which the wafer 2 is bonded. The hot plate 10 may be heated to increase the bonding efficiency when the wafer 2 and the ceramic disc 1 are bonded by the wax 18. The wax supply unit 11 sprays wax for spraying the wax holder 12 for storing the wax 18, the wax 18 stored in the wax holder 12 on the ceramic disc 1 placed on the hot plate 10. And a support member 14 for supporting the nozzle 13, the wax depository 12, and the wax spray nozzle 13. The wax supply part 11 has a structure which can move left and right so that the wax 18 may be injected to the predetermined position of the ceramic disc 1 through the wax spray nozzle 13. The pressing unit 15 provides a predetermined pressure for a predetermined time while the wafer 2 is in contact with the ceramic disc 1 on which the wax 18 is injected, so that the wafer 2 is bonded to the ceramic disc 1. And a support member 17 for supporting the pressure plate 16 and the pressure plate 16. The pressing unit 15 has a structure that can move up and down so that the wafer 2 can be bonded to the ceramic disc 1.

도 2에 도시된 바와 같이 종래의 웨이퍼 본딩 장치에서 수행되는 웨이퍼 본딩 과정을 살펴보면, 먼저 세라믹 원판(1)을 핫플레이트(10)의 상면에 놓는다. 이후, 웨이퍼 본딩 장치의 왁스 공급부(11)에 의하여, 왁스 보관함(12)에 보관된 왁스(18)가 왁스 분사 노즐(13)을 통하여 세라믹 원판(1)의 소정 위치에 분사된다. 이후, 사파이어 웨이퍼(2)가 왁스(18)가 분사된 세라믹 원판(1)에 접촉된다. 웨이퍼 본딩 장치의 가압부(15)에 의하여, 웨이퍼(2)가 왁스(18)가 분사된 세라믹 원판(1)에 접촉한 상태에서 하방으로 이동한 가압판(16)이 일정 시간동안 일정 압력을 제공하여 웨이퍼(2)가 세라믹 원판(1)에 본딩되도록 한다. 종래의 웨이퍼 본딩 장치에 의하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(2)가 웨이퍼(2)에 비하여 면적이 넓은 세라믹원판(1)의 소정 위치에 본딩될 수 있다. 웨이퍼(2)가 세라믹 원판(1)에 본딩된 상태로 별도로 위치하며, 동작하는 복수의 연마 장치를 통하여 두께를 얇게하는 연마 과정이 수행된다.Referring to the wafer bonding process performed in the conventional wafer bonding apparatus as shown in FIG. 2, first, the ceramic disc 1 is placed on the top surface of the hot plate 10. Thereafter, the wax 18 stored in the wax container 12 is injected to the predetermined position of the ceramic master plate 1 through the wax spray nozzle 13 by the wax supply unit 11 of the wafer bonding apparatus. Thereafter, the sapphire wafer 2 is brought into contact with the ceramic disc 1 to which the wax 18 is injected. By the pressing portion 15 of the wafer bonding apparatus, the pressing plate 16 moved downward while the wafer 2 is in contact with the ceramic master plate 1 on which the wax 18 is sprayed provides a constant pressure for a predetermined time. Thus, the wafer 2 is bonded to the ceramic master plate 1. By the conventional wafer bonding apparatus, as shown in FIG. 1, the wafer 2 can be bonded to a predetermined position of the ceramic disc 1 having a larger area than the wafer 2. The wafer 2 is separately placed in the state bonded to the ceramic master plate 1, and a polishing process for thinning the thickness is performed through a plurality of operating polishing apparatuses.

웨이퍼(2)가 세라믹 원판(1)에 본딩된 상태를 워크피스(workpiece)라 칭한다.The state where the wafer 2 is bonded to the ceramic master plate 1 is called a workpiece.

워크피스 상태로 본딩된 후 연마된 씬 웨이퍼(thin wafer)는 세라믹 원판(1)으로부터 분리되는 디마운팅 과정이 수행된다. 종래의 디마운팅 방법으로서, 가열에 의하여 왁스를 용융시켜 씬 웨이퍼를 세라믹 원판으로부터 분리하거나, 왁스를 디마운팅 용액을 이용하여 화학적으로 녹여서 씬 웨이퍼를 세라믹 원판으로부터 분리하거나, 날카로운 칼날 등을 이용하여 씬 웨이퍼를 세라믹 원판으로부터 분리하는 방법 등이 사용되어 왔다. 그러나 종래의 디마운팅 방법은 전 공정 또는 일부의 공정이 수동으로 진행되었다. 종래의 수동 디마운팅 방법에 따라서, 작업의 정확도가 떨어지며, 작업 속도 및 효율이 낮은 문제점이 있었다. 특히 작업자의 비숙련도는 디마운팅 과정에서 씬 웨이퍼의 파손 등을 초래하는 치명적인 문제점을 빈번하게 유발한다.The thin wafer polished after being bonded to the workpiece state is subjected to a demounting process that is separated from the ceramic disc 1. Conventional demounting method, wherein the wax is melted by heating to separate the thin wafer from the ceramic disc, or the wax is chemically melted using the demounting solution to separate the thin wafer from the ceramic disc, or the thin blade is used for the thin blade. A method of separating the wafer from the ceramic disc and the like have been used. However, in the conventional demounting method, all or some of the processes are performed manually. According to the conventional manual demounting method, there is a problem that the accuracy of the work is lowered, the work speed and efficiency is low. In particular, the unskill of the operator frequently causes a fatal problem that causes breakage of the thin wafer during the demounting process.

상술한 문제점을 극복하기 위하여 본 발명의 목적은 전 공정을 자동으로 수행하는 자동 디마운팅 장치 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to overcome the above problems, it is an object of the present invention to provide an automatic demounting apparatus and method for automatically performing the entire process.

본 발명의 다른 목적은 가열에 의하여 왁스를 용융시켜 디마운팅하는 자동 디마운팅 장치 및 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an automatic demounting apparatus and method for melting and demounting wax by heating.

본 발명의 또 다른 목적은 디마운팅된 씬 웨이퍼 및 세라믹 원판에 부착된 잔여 왁스를 클리닝하는 자동 디마운팅 장치 및 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an automatic demounting apparatus and method for cleaning residual wax attached to a demounted thin wafer and a ceramic disc.

상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼, 세라믹 원판 및 웨이퍼와 세라믹 원판이 왁스로 본딩된 워크피스(workpiece)를 이동시키는 트랜스퍼 유닛(Transfer Unit), 워크피스를 가열하여 왁스를 용융시키는 히팅 유닛(Heating Unit), 히팅유닛에서 가열에 의하여 왁스가 용융된 상태에서 상기 트랜스퍼 유닛이 웨이퍼를 진공 흡착하여 세라믹 원판으로부터 분리하여 디마운팅하는 디마운팅 유닛, 웨이퍼 및 세라믹 원판 중 적어도 하나에 잔존하는 왁스를 제거하는 클리닝 유닛(Cleaning Unit) 및In order to achieve the above objects, according to an aspect of the present invention, a wafer, a transfer unit for transferring a workpiece and a workpiece bonded to the wafer and the ceramic disc wax, the workpiece by heating the wax Heating unit for melting the at least one of the de-mounting unit, the wafer and the ceramic disc, the transfer unit is vacuum-adsorbed the wafer in the state that the wax is melted by heating in the heating unit to separate and demount the wafer from the ceramic disc Cleaning unit for removing wax remaining in the

자동으로 웨이퍼가 세라믹 원판으로부터 디마운팅되도록 상기 트랜스퍼 유닛, 상기 히팅 유닛 및 상기 클리닝 유닛의 동작을 제어하는 콘트롤러를 포함하는 자동 디마운팅 장치를 제공할 수 있다.It is possible to provide an automatic demounting apparatus including a controller for controlling the operation of the transfer unit, the heating unit and the cleaning unit so that the wafer is automatically demounted from the ceramic disc.

바람직한 실시예에서, 상기 웨이퍼는 사파이어인 것을 특징으로 한다. 또한 상기 히팅 유닛은 상기 워크피스가 안착하는 히팅 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 클리닝 유닛은 웨이퍼에 잔존하는 왁스를 제거하는 웨이퍼 클리닝 유닛 및 세라믹 원판에 잔존하는 왁스를 제거하는 세라믹 원판 클리닝 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 상기 트랜스퍼 유닛은 상기 워크피스를 로딩하는 로딩 유닛, 로딩된 워크피스를 진공 흡착한 후, 상기 히팅 유닛으로 이동시켜 진공 흡착을 해제하여 안착시키는 워크피스 P＆P 유닛, 상기 히팅 유닛에서 가열에 의하여 왁스가 용융된 상태에서 상기 웨이퍼를 진공 흡착하여 상기 세라믹 원판으로부터 분리하여 디마운팅하는 디마운팅 유닛, 분리된 상기 웨이퍼 및 상기 세라믹 원판 중 적어도 하나를 상기 클리닝 유닛으로 이송하는 인덱스 유닛 및 상기 클리닝 유닛에서 잔존하는 왁스가 제거된 상기 웨이퍼 및 상기 세라믹 원판 중 적어도 하나를 언로딩하는 언로딩 유닛 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the wafer is sapphire. In addition, the heating unit is characterized in that it comprises a heating plate on which the workpiece is seated. In addition, the cleaning unit is characterized in that it comprises a wafer cleaning unit for removing the wax remaining on the wafer and a ceramic disc cleaning unit for removing the wax remaining on the ceramic disc. The transfer unit may include a loading unit for loading the workpiece, a workpiece P & P unit for vacuum-adsorbing the loaded workpiece, and then moving to the heating unit to release vacuum suction, and seating the wax by heating in the heating unit. Remaining in the cleaning unit and the index unit for transferring at least one of the separated wafer and the ceramic disc to the cleaning unit by vacuum adsorption of the wafer in a molten state to separate and demount the wafer from the ceramic disc. And at least one of an unloading unit for unloading at least one of the wafer and the ceramic disc from which the wax has been removed.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 세라믹 원판과 웨이퍼가 왁스에 의하여 본딩된 워크피스를 로딩하는 단계, 워크피스를 히팅하여 왁스가 용융된 상태에서 웨이퍼를 세라믹 원판으로부터 분리하여 디마운팅하는 단계, 웨이퍼 및 세라믹 원판 중 적어도 하나에 잔존하는 왁스를 제거하는 단계 및 잔존하는 왁스가 제거된 웨이퍼 및 세라믹 원판 중 적어도 하나를 언로딩하는 단계를 포함하는 자동 디마운팅 방법을 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of loading a workpiece in which a ceramic disc and a wafer are bonded by wax, heating the workpiece to separate and demount the wafer from the ceramic disc in a state where the wax is melted, the wafer and It is possible to provide an automatic demounting method comprising removing wax remaining on at least one of the ceramic discs and unloading at least one of the wafer and the ceramic disc from which the residual wax has been removed.

바람직한 실시예에서, 상기 웨이퍼는 사파이어인 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the wafer is sapphire.

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be expected.

본 발명에 의하여, 전 공정을 자동으로 진행함으로써, 작업의 정확도를 높일 수 있으며, 작업 속도 및 효율을 향상시킬 수 있는 자동 디마운팅 장치 및 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an automatic demounting apparatus and method capable of increasing the accuracy of the work and improving the working speed and efficiency by automatically proceeding the entire process.

본 발명에 의하여, 가열에 의하여 왁스를 용융시켜 디마운팅하며, 디마운팅된 씬 웨이퍼 및 세라믹 원판에 부착된 잔여 왁스를 클리닝하는 공정을 자동으로 수행함으로써, 작업 효율을 보다 향상시킬 수 있는 자동 디마운팅 장치 및 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, an automatic demounting can be performed by melting and demounting wax by heating and automatically performing a process of cleaning the remaining wax attached to the demounted thin wafer and the ceramic disc, thereby further improving work efficiency. An apparatus and method can be provided.

도 1은 종래의 웨이퍼를 얇게 연마하기 위하여, 웨이퍼가 세라믹 원판에 본딩된 상태를 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 종래의 웨이퍼를 세라믹 원판에 본딩하기 위한 웨이퍼 본딩 장치를 개략적으로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자동 디마운팅 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자동 디마운팅 장치의 외관을 개략적으로 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자동 디마운팅 과정을 개략적으로 나타낸 순서도.1 is a view schematically showing a state in which a wafer is bonded to a ceramic disc in order to thinly polish a conventional wafer.
2 schematically shows a wafer bonding apparatus for bonding a conventional wafer to a ceramic disc.
Figure 3 is a block diagram schematically showing the configuration of an automatic demounting apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 4 schematically shows the appearance of the automatic demounting device according to a preferred embodiment of the present invention.
5 is a flow chart schematically showing an automatic demounting process according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 3a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자동 디마운팅 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이며, 도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 트랜스퍼 유닛의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이며, 도 4a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자동 디마운팅 장치의 외관을 개략적으로 나타낸 사시도이며, 도 4b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자동 디마운팅 장치의 유닛 배치를 나타낸 도면이다.Figure 3a is a block diagram schematically showing the configuration of an automatic demounting apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3b is a block diagram schematically showing the configuration of a transfer unit according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 4a 4 is a perspective view schematically showing the appearance of the automatic demounting apparatus according to the preferred embodiment of the present invention, and FIG.

도 3a 내지 도 4b를 참조하면, 본 발명에 따른 자동 디마운팅 장치(100)는 트랜스퍼 유닛(Transfer Unit, 110), 히팅 유닛(Hitting Unit, 120), 클리닝 유닛(Cleaning Unit, 130), 콘트롤러(Controller, 140), 디스플레이(Display, 150), 카세트 로딩 유닛(Cassette Loading Unit, 160) 및 카세트 언로딩 유닛(Cassette Unloading Unit, 170)을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 자동 디마운팅 장치(100)는 외부와의 통신을 위한 통신 유닛(Communicate Unit, 미도시) 등을 더 포함할 수 있다.3A to 4B, the automatic demounting apparatus 100 according to the present invention includes a transfer unit 110, a heating unit 120, a cleaning unit 130, and a controller ( The controller may include a controller 140, a display 150, a cassette loading unit 160, and a cassette unloading unit 170. The automatic demounting apparatus 100 according to the present invention may further include a communication unit (not shown) for communicating with the outside.

본 발명에 따른 디마운팅 공정이 수행될 워크피스는 카세트 로딩 유닛(160)의 카세트(Cassette)에 수납되어 로딩된다. 상기 워크피스에 있어서, 세라믹 원판에 본딩된 웨이퍼가 그라인딩(grinding) 과정, 랩핑(lapping) 과정 및 폴리싱(polishing) 과정을 포함하는 소정 공정의 수행에 따라 얇게 연마된 상태이다. 따라서 워크피스로부터 씬 웨이퍼를 디마운팅하는 과정에서, 씬 웨이퍼의 파손 등이 발생하지 않도록 공정이 자동으로 진행되도록 관리될 필요가 있다. 카세트의 개수 및 카세트 개수의 변경은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 채택할 수 있는 사항일 것이다. 본 발명에 따른 카세트에는 바코드가 부착되어 피부착 대상의 정보가 인식되는 것이 바람직하다. 본 발명의 다른 실시예에서 카세트에는 피부착 대상의 정보를 저장하는 RFID 칩이 내장되어, RFID 리더에 의하여 해당 정보가 추출될 수 있다.The workpiece on which the demounting process according to the present invention is to be performed is stored in a cassette of the cassette loading unit 160 and loaded. In the workpiece, the wafer bonded to the ceramic disc is thinly polished by performing a predetermined process including a grinding process, a lapping process, and a polishing process. Therefore, in the process of demounting the thin wafer from the workpiece, it is necessary to manage the process so that the thin wafer is not broken. Changing the number of cassettes and the number of cassettes will be easily adopted by those skilled in the art. It is preferable that the cassette according to the present invention is attached with a barcode so that the information of the object to be attached is recognized. In another embodiment of the present invention, the cassette has a built-in RFID chip that stores the information of the deposition target, the information can be extracted by the RFID reader.

트랜스퍼 유닛(110)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 작동되며, 로딩 유닛(Loading Unit, 111), 워크피스 P＆P(pick and place) 유닛(Workpiece P＆P Unit, 112), 디마운팅 유닛(Demounting Unit, 113), 인덱스 유닛(Index Unit, 114) 및 언로딩 유닛(Unloading Unit, 115)을 포함할 수 있다. 트랜스퍼 유닛(110)에 포함되는 로딩 유닛(111), 워크피스 P＆P 유닛(112), 디마운팅 유닛(113), 인덱스 유닛(114) 및 언로딩 유닛(115) 중 적어도 하나는 WTR 로봇(Wafer Transfer Robot), 플립 로봇(Flip Robot), X-Y 로봇 등으로 구현될 수 있다. 로딩 유닛(111)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 이동 대상인 워크피스를 카세트 로딩 유닛(160)으로부터 로딩한다. 워크피스 P＆P 유닛(112)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 로딩된 워크피스를 진공으로 흡착한 후 히팅 유닛(120)으로 이동시키며, 이동시킨 대상물인 워크피스에 대한 진공 흡착을 해제하여 이동 대상을 미리 정해진 목적지인 히팅 유닛(120)에 안착시키는 기능을 수행한다. 디마운팅 유닛(113)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 히팅 유닛(120)에서 가열에 의하여 왁스가 용융된 상태에서 씬 웨이퍼를 진공 흡착을 수행하여 워크피스로부터 씬 웨이퍼를 분리한다. 인덱스 유닛(114)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 분리된 씬 웨이퍼 또는 세라믹 원판을 클리닝 유닛(130)으로 이송한다. 언로딩 유닛(115)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 잔존하는 왁스가 제거된 씬 웨이퍼 또는 세라믹 원판을 카세트 언로딩 유닛(170)의 카세트에 언로딩하는 기능을 수행한다.The transfer unit 110 is operated under the control of the controller 140, and includes a loading unit 111, a workpiece P & P unit 112, a demounting unit, and the like. 113, an index unit 114, and an unloading unit 115. At least one of the loading unit 111, the workpiece P & P unit 112, the demounting unit 113, the index unit 114, and the unloading unit 115 included in the transfer unit 110 may be a WTR robot. Robot, Flip Robot, XY robot or the like can be implemented. The loading unit 111 loads the workpiece to be moved from the cassette loading unit 160 under the control of the controller 140. The workpiece P & P unit 112 suctions the loaded workpiece with vacuum under the control of the controller 140 and then moves the heated workpiece 120 to the heating unit 120. To seat the heating unit 120 as a predetermined destination. The demounting unit 113 separates the thin wafer from the workpiece by performing vacuum suction on the thin wafer while the wax is melted by heating in the heating unit 120 under the control of the controller 140. The index unit 114 transfers the separated thin wafer or ceramic disc to the cleaning unit 130 under the control of the controller 140. The unloading unit 115 performs a function of unloading the thin wafer or the ceramic original plate from which the remaining wax has been removed to the cassette of the cassette unloading unit 170 under the control of the controller 140.

히팅 유닛(120)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 작동되며, 히팅 플레이트 등을 포함할 수 있다. 히팅 유닛(120)은 효율적인 디마운팅 과정을 수행하기 위하여 워크피스가 히팅 플레이트에 안착되기 전에 예열할 수 있다. 또한 히팅 유닛(120)은 디마운팅 과정을 안정적으로 진행하기 위하여 워크피스가 히팅 플레이트에 안착된 상태에서 점진적으로 승온시킬 수 있다. 히팅 유닛(120)의 가열에 의하여 워크피스 내의 왁스가 용융하며, 왁스가 용융된 상태에서 트랜스퍼 유닛(110)의 디마운팅 유닛(113)이 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 씬 웨이퍼를 진공 흡착함으로써 씬 웨이퍼를 세라믹 원판으로부터 분리하여 디마운팅한다. 트랜스퍼 유닛(110)의 인덱스 유닛(114)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 분리된 씬 웨이퍼, 세라믹 원판을 클리닝 유닛(130)으로 이동시켜 안착시킨다.The heating unit 120 is operated under the control of the controller 140 and may include a heating plate. The heating unit 120 may preheat the workpiece before it is seated on the heating plate in order to perform an efficient demounting process. In addition, the heating unit 120 may gradually increase the temperature in a state in which the workpiece is seated on the heating plate in order to stably proceed with the demounting process. The wax in the workpiece is melted by the heating of the heating unit 120, and the demounting unit 113 of the transfer unit 110 vacuum-adsorbs the thin wafer under the control of the controller 140 while the wax is melted. The thin wafer is separated from the ceramic disc and demounted. The index unit 114 of the transfer unit 110 moves the separated thin wafer and the ceramic disc to the cleaning unit 130 according to the control of the controller 140 and seats them.

클리닝 유닛(130)은 트랜스퍼 유닛(110)의 인덱스 유닛(114)에 의하여 이송되는 씬 웨이퍼 또는 세라믹 원판에 잔존하는 왁스를 세정하는 기능을 수행하며, 웨이퍼 클리닝 유닛(132) 및 세라믹 원판 클리닝 유닛(134)을 포함할 수 있다. 웨이퍼 클리닝 유닛(132)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 작동되며, 트랜스퍼 유닛(110)의 인덱스 유닛(114)에 의하여 이동되어 안착되는 씬 웨이퍼에 잔존하는 왁스를 제거한다. 세라믹 원판 클리닝 유닛(134)은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 작동되며, 트랜스퍼 유닛(110)의 인덱스 유닛(114)에 의하여 이동되어 안착되는 세라믹 원판에 잔존하는 왁스를 제거한다. 클리닝 유닛(130)에 의하여 잔존하는 왁스가 제거된 웨이퍼 또는 세라믹 원판은 콘트롤러(140)의 제어에 따라서 트랜스퍼 유닛(110)의 언로딩 유닛(115)에 의하여 카세트 언로딩 유닛(170)의 카세트에 언로딩된다.The cleaning unit 130 performs a function of cleaning the wax remaining on the thin wafer or the ceramic disc transferred by the index unit 114 of the transfer unit 110, and the wafer cleaning unit 132 and the ceramic disc cleaning unit ( 134). The wafer cleaning unit 132 operates under the control of the controller 140, and removes the wax remaining in the thin wafer that is moved and seated by the index unit 114 of the transfer unit 110. The ceramic disc cleaning unit 134 is operated under the control of the controller 140 and removes the wax remaining on the ceramic disc which is moved and seated by the index unit 114 of the transfer unit 110. The wafer or ceramic disc from which the wax remaining by the cleaning unit 130 is removed is transferred to the cassette of the cassette unloading unit 170 by the unloading unit 115 of the transfer unit 110 under the control of the controller 140. It is unloaded.

디스플레이(150)는 작업자가 공정 과정을 인식하거나, 공정 조건을 입력할 수 있도록 공정 과정에 대한 정보, 레시피 등의 공정 조건 정보 등을 표시하는 기능을 수행한다. 통신 유닛은 외부와의 통신 기능을 수행한다. 또한 본 발명의 콘트롤러(140)는 트랜스퍼 유닛(110), 히팅 유닛(120), 클리닝 유닛(130), 디스플레이 유닛(150), 카세트 로딩 유닛(160), 카세트 언로딩 유닛(170) 통신 유닛 등을 제어하며, 본 발명에 따른 자동 디마운팅 과정을 수행한다.The display 150 performs a function of displaying information on the process, process condition information such as a recipe, and the like so that an operator may recognize the process or input process conditions. The communication unit performs a communication function with the outside. In addition, the controller 140 of the present invention includes a transfer unit 110, a heating unit 120, a cleaning unit 130, a display unit 150, a cassette loading unit 160, a cassette unloading unit 170, and a communication unit. Control, and performs an automatic demounting process according to the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자동 디마운팅 과정을 개략적으로 나타낸 순서도이다. 도 5를 참조하면, 트랜스퍼 유닛의 로딩 유닛은 콘트롤러의 제어에 따라서 이동 대상인 워크피스를 카세트 로딩 유닛으로부터 자동으로 로딩한다(단계 501). 트랜스퍼 유닛의 워크피스 P＆P 유닛은 콘트롤러의 제어에 따라서 로딩된 워크피스를 진공으로 흡착한 후 히팅 유닛으로 이동시키며, 이동시킨 대상물인 워크피스에 대한 진공 흡착을 해제하여 히팅 유닛에 안착시킨다. 히팅 유닛은 콘트롤러의 제어에 따라서 안착된 워크피스에 대하여 히팅하여 왁스를 용융시키며, 왁스가 용융된 상태에서 트랜스퍼 유닛의 디마운팅 유닛이 콘트롤러의 제어에 따라서 히팅 유닛에서 가열에 의하여 왁스가 용융된 상태에서 씬 웨이퍼를 진공 흡착을 수행하여 워크피스로부터 씬 웨이퍼를 분리하여 디마운팅한다(단계 503). 트랜스퍼 유닛의 인덱스 유닛이 콘트롤러의 제어에 따라서 분리된 씬 웨이퍼 또는 세라믹 원판을 클리닝 유닛으로 이송시켜 안착시킨다. 클리닝 유닛의 웨이퍼 클리닝 유닛은 콘트롤러의 제어에 따라서 웨이퍼에 잔존하는 왁스를 제거한다(단계 505). 클리닝 유닛의 세라믹 원판 클리닝 유닛은 콘트롤러의 제어에 따라서 세라믹 원판에 잔존하는 왁스를 제거한다(단계 506). 트랜스퍼 유닛의 언로딩 유닛이 콘트롤러의 제어에 따라서 클리닝 유닛에 의하여 잔존하는 왁스가 제거된 웨이퍼 또는 세라믹 원판을 카세트 언로딩 유닛의 카세트에 언로딩한다(단계 507, 508).5 is a flowchart schematically illustrating an automatic demounting process according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the transfer unit of the transfer unit automatically loads the workpiece to be moved from the cassette loading unit under the control of the controller (step 501). The workpiece P & P unit of the transfer unit sucks the loaded workpiece into the vacuum unit and moves the vacuum to the heating unit under the control of the controller. The workpiece P & P unit releases vacuum suction on the workpiece, which is the object to be moved, and seats the heating unit on the heating unit. The heating unit melts the wax by heating the workpiece seated under the control of the controller, and the wax is molten by heating in the heating unit by the demounting unit of the transfer unit under the control of the controller while the wax is molten. The thin wafer is subjected to vacuum adsorption to separate and demount the thin wafer from the workpiece (step 503). The index unit of the transfer unit transfers the separated thin wafer or the ceramic original plate to the cleaning unit under the control of the controller. The wafer cleaning unit of the cleaning unit removes the wax remaining on the wafer under the control of the controller (step 505). The ceramic disc cleaning unit of the cleaning unit removes the wax remaining on the ceramic disc under the control of the controller (step 506). The unloading unit of the transfer unit unloads the wafer or ceramic disc from which the wax remaining by the cleaning unit has been removed by the cleaning unit into the cassette of the cassette unloading unit (steps 507 and 508).

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 자동 디마운팅 장치 110 : 트랜스퍼 유닛
111 : 로딩 유닛 112 : 워크피스 P＆P 유닛
113 : 디마운팅 유닛 114 : 인덱스 유닛
115 : 언로딩 유닛 120 : 히팅 유닛
130 : 클리닝 유닛 132 : 웨이퍼 클리닝 유닛
134 : 세라믹 원판 클리닝 유닛 140 : 콘트롤러
150 : 디스플레이 160 : 카세트 로딩 유닛
170 : 카세트 언로딩 유닛100: automatic demounting device 110: transfer unit
111: loading unit 112: workpiece P & P unit
113: demounting unit 114: index unit
115: unloading unit 120: heating unit
130: cleaning unit 132: wafer cleaning unit
134: ceramic disc cleaning unit 140: controller
150: display 160: cassette loading unit
170: cassette unloading unit

Claims (7)

웨이퍼, 세라믹 원판 및 웨이퍼와 세라믹 원판이 왁스로 본딩된 워크피스(workpiece)를 카세트에 로딩하는 카세트 로딩 유닛;
상기 워크피스를 이동시키는 트랜스퍼 유닛(Transfer Unit);
상기 워크피스를 가열하여 왁스를 용융시키는 히팅 유닛(Heating Unit);
상기 웨이퍼 및 세라믹 원판 중 적어도 하나에 잔존하는 왁스를 제거하는 클리닝 유닛(Cleaning Unit);
상기 웨이퍼가 상기 세라믹 원판으로부터 자동으로 디마운팅(demounting)되도록 상기 트랜스퍼 유닛, 상기 히팅 유닛 및 상기 클리닝 유닛의 동작을 제어하는 콘트롤러;
작업자가 공정 과정을 인식하거나 공정조건을 입력할 수 있도록 표시하는 디스플레이; 및
외부와 통신기능을 수행하는 통신유닛을 포함하는 자동 디마운팅 장치에 있어서,
상기 트랜스퍼 유닛은,
로딩된 상기 워크피스를 진공 흡착한 후, 상기 히팅 유닛으로 이동시켜 진공 흡착을 해제하여 안착시키는 워크피스 P＆P(pick and place) 유닛;
상기 히팅 유닛에서 가열에 의하여 왁스가 용융된 상태에서 상기 웨이퍼를 진공 흡착하여 상기 세라믹 원판으로부터 분리하여 디마운팅하는 디마운팅 유닛;
분리된 상기 웨이퍼 및 상기 세라믹 원판 중 적어도 하나를 상기 클리닝 유닛으로 이송하는 인덱스 유닛; 및
상기 클리닝 유닛에서 잔존하는 왁스가 제거된 상기 웨이퍼 및 상기 세라믹 원판 중 적어도 하나를 언로딩하는 언로딩 유닛을 포함하고,
상기 카세트 로딩 유닛의 카세트에는 바코드 또는 RFID칩이 부착되어 있고,
상기 히팅 유닛은 상기 워크피스가 안착되고 히팅 플레이트(heating plate)를 가열하여 상기 워크피스의 왁스를 용융하는 것을 특징으로 하는 자동 디마운팅 장치.A cassette loading unit for loading a wafer, a ceramic disc, and a workpiece on which the wafer and the ceramic disc are wax bonded;
A transfer unit to move the workpiece;
A heating unit for heating the workpiece to melt wax;
A cleaning unit for removing wax remaining on at least one of the wafer and the ceramic master plate;
A controller for controlling the operation of the transfer unit, the heating unit and the cleaning unit such that the wafer is automatically demounted from the ceramic disc;
A display for displaying a process so that an operator can recognize a process or input process conditions; And
In the automatic demounting apparatus including a communication unit for performing a communication function with the outside,
The transfer unit,
A workpiece P & P unit that vacuum-adsorbs the loaded workpiece, and then moves to the heating unit to release vacuum suction and seat the workpiece;
A demounting unit which vacuum-adsorbs the wafer in a state in which the wax is melted by heating in the heating unit to separate and demount the wafer from the ceramic disc;
An index unit for transferring at least one of the separated wafer and the ceramic disc to the cleaning unit; And
An unloading unit for unloading at least one of the wafer and the ceramic disc from which the wax remaining in the cleaning unit has been removed;
The cassette of the cassette loading unit is attached to a barcode or RFID chip,
And the heating unit is seated on the workpiece and heats a heating plate to melt the wax of the workpiece. 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼는 LED 제조용 사파이어인 것을 특징으로 하는 자동 디마운팅 장치.The method of claim 1,
The wafer is an automatic demounting device, characterized in that the sapphire for manufacturing LED. 제1항에 있어서,
상기 히팅 유닛은 상기 워크피스가 안착되기 전에 예열하거나, 안착된 상태에서 점진적으로 승온시키는 것을 특징으로 하는 자동 디마운팅 장치.The method of claim 1,
And the heating unit warms up before the workpiece is seated or gradually warms up in the seated state. 제1항에 있어서,
상기 클리닝 유닛은
웨이퍼에 잔존하는 왁스를 제거하는 웨이퍼 클리닝 유닛 및
세라믹 원판에 잔존하는 왁스를 제거하는 세라믹 원판 클리닝 유닛
을 포함하는 것을 특징으로 하는 자동 디마운팅 장치.The method of claim 1,
The cleaning unit
A wafer cleaning unit for removing wax remaining on the wafer;
Ceramic disc cleaning unit to remove wax remaining on ceramic disc
Automatic demounting device comprising a. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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