KR101279391B1 - Demounting system for wafer - Google Patents

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KR101279391B1
KR101279391B1 KR1020110143286A KR20110143286A KR101279391B1 KR 101279391 B1 KR101279391 B1 KR 101279391B1 KR 1020110143286 A KR1020110143286 A KR 1020110143286A KR 20110143286 A KR20110143286 A KR 20110143286A KR 101279391 B1 KR101279391 B1 KR 101279391B1
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최세훈
김경순
문영희
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주식회사 엘지실트론
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Abstract

PURPOSE: A wafer demounting system is provided to prevent the rough surface of a wafer and a clustered laser light scattering failure by preventing foreign materials from being deposited on the wafer. CONSTITUTION: A loading unit (110) loads a wafer block on a fixing block. A demounting unit (130) heats the wafer block transferred from the loading unit with a wet method. The demounting unit divides the heated wafer block into a wafer and the fixing block. An unloading unit (150) transfers the wafer and the fixing block divided by the demounting unit and receives the wafer and the fixing block in a cassette and a block cart. The demounting unit includes a heating bath (131) and a demounting stage (141) with a knife.

Description

웨이퍼 디마운트 시스템{Demounting System For Wafer}Demounting System For Wafer

본 발명은 경면처리 공정 이후 웨이퍼와 웨이퍼 고정을 위한 고정블럭을 분리하는 웨이퍼 디마운트 시스템에 관한 것으로 특히, 디마운팅 공정에 있어서 웨이퍼 및 웨이퍼가 접합된 세라믹 블럭을 초순수 수조에 담긴 상태에서 가열하여, 가열에 따른 웨이퍼 표면 건조 및 이로 인한 웨이퍼 표면에의 이물질 고착을 방지함과 아울러, 나이프에 의한 웨이퍼의 분리시 칼날 부분에 초순수를 분사하도록 함으로써, 웨이퍼의 분리를 용이하게 진행하도록 하고, 이물질의 웨이퍼 고착을 방지하여 군집성 레이저 광 산란 불량 및 웨이퍼 표면의 거칠어짐을 방지하도록 한 웨이퍼 디마운트 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer demount system for separating a wafer and a fixed block for fixing a wafer after a mirror surface treatment process. In particular, in a demounting process, a ceramic block in which a wafer and a wafer are bonded is heated in an ultrapure water bath. It prevents the wafer surface from drying and sticking to the wafer surface due to heating, and sprays ultrapure water to the blade part when the wafer is separated by the knife, thereby facilitating the separation of the wafer. The present invention relates to a wafer demount system that prevents sticking to prevent clustering laser light scattering defects and roughness of a wafer surface.

웨이퍼의 제조를 위해서는 웨이퍼 평탄화 및 경면처리 공정이 필수적이다. 이러한 평탄화 및 경면처리를 위해 폴리싱(Polishing) 공정을 거치게 된다. 이러한 폴리싱 공정에 의해 웨이퍼를 처리하기 위해서는 웨이퍼를 고정하는 과정이 반드시 필요하다. 때문에 폴리싱 공정은 웨이퍼를 포켓에 넣어 가공하는 템플레이트(Template)방식과 세라믹 플레이트에 왁스로 웨이퍼를 접착하는 왁스 접착 방식이 주로 이용된다. 특히, 템플레이트 방식에 비해 왁스 접착 방식이 웨이퍼의 가공 품질면에서 우수하여 폴리싱 공정에 빈번하게 이용되고 있다.Wafer planarization and mirror processing are essential for the manufacture of wafers. A polishing process is performed for the planarization and mirror surface treatment. In order to process the wafer by such a polishing process, a process of fixing the wafer is necessary. Therefore, the polishing process mainly uses a template method of putting a wafer into a pocket and a wax bonding method of adhering the wafer with wax to a ceramic plate. In particular, the wax bonding method is superior to the template method in terms of processing quality of the wafer and is frequently used in the polishing process.

다만, 왁스 접착 방식은 폴리싱 처리가 이루어진 후 웨이퍼를 세라믹 플레이트에서 분리하는 디마운팅 공정이 반드시 수반된다. 디마운팅 공정에서는 세라믹 플레이트(또는 블럭)을 가열하고, 세라믹 플레이트 및 왁스가 가열된 상태에서 PVC 나이프를 웨이퍼와 세라믹 플레이트 사이로 슬라이딩시켜 웨이퍼를 세라믹 플레이트로부터 분리하는 방법이 주로 이용되고 있다.However, the wax bonding method necessarily involves a demounting process of separating the wafer from the ceramic plate after the polishing process is performed. In the demounting process, a method of separating a wafer from a ceramic plate by heating a ceramic plate (or block) and sliding a PVC knife between the wafer and the ceramic plate while the ceramic plate and the wax are heated is mainly used.

하지만, 이와 같이 나이프를 이용한 웨이퍼 디마운팅 방법은 왁스에 의한 웨이퍼 접착시 높은 베이킹(baking) 온도와 왁스의 강한 접착강도로 인해 상온에서 웨이퍼의 디마운팅이 이루어지지 않는 문제점이 있다. 더욱이, 디마운팅을 위해 세라믹 블럭을 가열하는 경우 웨이퍼 표면에 왁스 잔존물 또는 이물질이 고착되고, 세정 공정을 진행한 후에도 잔존물이 세정되지 않아 군집성 LLS(Laser Light Scatering)가 발생하고, 마이크로 러프니스의 저하가 발생하는 문제점이 있다.However, the wafer demounting method using a knife as described above has a problem in that the wafer is not mounted at room temperature due to the high baking temperature and the strong adhesive strength of the wax when the wafer is bonded by wax. Furthermore, when heating the ceramic block for demounting, wax residues or foreign matters adhere to the surface of the wafer, and the residues are not cleaned even after the cleaning process, resulting in clustered laser light scattering (LLS), and deterioration of micro roughness. There is a problem that occurs.

또한, 세라믹 블럭을 가열하는 동안 웨이퍼 표면의 과도한 건조로 인해 군집성 LLS가 심화되고, 표면 거칠기가 심화되어 이후의 공정에서 수율이 저하되는 문제점이 있다.In addition, due to excessive drying of the wafer surface while heating the ceramic block, the clustering LLS is intensified, the surface roughness is intensified, and the yield is lowered in a subsequent process.

따라서, 본 발명은 디마운팅 공정에 있어서 웨이퍼 및 웨이퍼가 접합된 세라믹 블럭을 초순수 수조에 담긴 상태에서 가열하여, 가열에 따른 웨이퍼 표면 건조 및 이로 인한 웨이퍼 표면에의 이물질 고착을 방지함과 아울러, 나이프에 의한 웨이퍼의 분리시 칼날 부분에 초순수를 분사하도록 함으로써, 웨이퍼의 분리를 용이하게 진행하도록 하고, 이물질의 웨이퍼 고착을 방지하여 군집성 레이저 광 산란 불량 및 웨이퍼 표면의 거칠어짐을 방지하도록 한 웨이퍼 디마운트 시스템을 제공하는 것이다.Therefore, in the demounting process, the present invention heats a ceramic block to which the wafer and the wafer are bonded in an ultrapure water bath, thereby preventing drying of the wafer surface due to heating and adhesion of foreign matter to the wafer surface, and also a knife. Ultra-pure water is injected into the blade portion when the wafer is separated by the wafer, and the wafer is detached to facilitate the separation of the wafer, and the wafer is prevented from adhering to the wafer to prevent defects in clustering laser light scattering and roughness of the wafer surface. To provide.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 디마운팅 시스템은 고정블럭 상에 접착왁스를 이용하여 웨이퍼를 접착한 웨이퍼블럭을 로딩하는 로딩부; 상기 로딩부로부터 전달되는 상기 웨이퍼블럭을 습식 가열하고, 가열된 상기 웨이퍼블럭을 상기 웨이퍼와 상기 고정블럭으로 분리하는 디마운트부; 및 상기 디마운트부에 의해 분리된 상기 웨이퍼와 상기 고정블럭 각각을 이송하여 카세트와 블럭카트에 수납하는 이송부;를 포함하여 구성된다.In order to achieve the above object, a demounting system according to the present invention includes a loading unit for loading a wafer block bonded to a wafer using adhesive wax on a fixed block; A demount unit configured to wet-heat the wafer block transferred from the loading unit and separate the heated wafer block into the wafer and the fixed block; And a transfer unit which transfers each of the wafer and the fixed block separated by the demount unit to be stored in a cassette and a block cart.

상기 디마운트부는 상기 웨이퍼블럭을 초순수에 수침시킨 상태에서 가열하기 위한 가열배스; 및 가열된 상기 웨이퍼블럭으로 상기 웨이퍼를 분리하기 위한 나이프를 구비하는 디마운트 스테이지;를 포함하여 구성된다.The demount unit includes a heating bath for heating the wafer block in the state of immersion in ultrapure water; And a demount stage including a knife for separating the wafer into the heated wafer block.

상기 디마운트부는 상기 가열배스의 바닥면에 설치되어 수침된 상기 웨이퍼블럭을 가열하는 가열플레이트를 더 포함하여 구성된다.The demount unit may further include a heating plate installed at the bottom of the heating bath to heat the wafer block which is immersed.

상기 디마운트 스테이지는 상기 웨이퍼 블럭을 고정하고, 상기 웨이퍼 블럭 상의 상기 웨이퍼를 분리 위치로 회전 이동시키는 인덱스부를 포함하여 구성된다.The demount stage is configured to include an index unit that fixes the wafer block and rotates the wafer on the wafer block to a separation position.

상기 인덱스부는 고정된 상기 웨이퍼 블럭을 가열한다.The index unit heats the fixed wafer block.

상기 디마운트부는 상기 나이프와 상기 웨이퍼블럭의 접촉부위에 상기 초순수를 분사하기 위한 분사노즐 및 상기 분사노즐에 가열된 초순수를 공급하기 위한 초순수 공급부를 더 포함하여 구성된다.The demount unit further includes an injection nozzle for injecting the ultrapure water to a contact portion of the knife and the wafer block, and an ultrapure water supply unit for supplying heated ultrapure water to the injection nozzle.

상기 언로딩부는 상기 디마운트 스테이지와 이웃하여 설치되는 상기 카세트; 상기 고정블럭을 상기 블럭카트에 수납하기 위한 블럭언로딩부; 및 상기 디마운트 스테이지로부터 전달되는 상기 고정블럭을 냉각하여 상기 블럭언로딩부에 전달하기 위해 에어나이프, 팬 및 냉각수 공급부를 가지는 이송부;를 포함하여 구성된다.The cassette, wherein the cassette is installed adjacent to the demount stage; A block unloading unit for storing the fixed block in the block cart; And a transfer unit having an air knife, a fan, and a coolant supply unit for cooling the fixed block transferred from the demount stage and transferring the fixed block to the block unloading unit.

상기 디마운트부는 상기 가열배스에 가열된 초순수를 공급하기 위한 초순수 탱크를 더 포함하여 구성된다.The demount unit further includes an ultrapure water tank for supplying the ultrapure water heated to the heating bath.

본 발명에 따른 웨이퍼 디마운트 시스템은 디마운팅 공정에 있어서 웨이퍼 및 웨이퍼가 접합된 세라믹 블럭을 초순수 수조에 담긴 상태에서 가열하여, 가열에 따른 웨이퍼 표면 건조 및 이로 인한 웨이퍼 표면에의 이물질 고착을 방지함과 아울러, 나이프에 의한 웨이퍼의 분리시 칼날 부분에 초순수를 분사하도록 함으로써, 웨이퍼의 분리를 용이하게 진행하도록 하고, 이물질의 웨이퍼 고착을 방지하여 군집성 레이저 광 산란 불량 및 웨이퍼 표면의 거칠어짐을 방지하도록 하는 것이 가능하다.The wafer demounting system according to the present invention heats a ceramic block in which a wafer and a wafer are bonded in an ultrapure water bath in a demounting process, thereby preventing drying of the wafer surface due to heating and adhesion of foreign matter to the wafer surface. In addition, by spraying ultrapure water to the blade portion during separation of the wafer by the knife, the separation of the wafer to facilitate the progress, and to prevent the adhesion of the wafer to the foreign matter to prevent poor clustering laser light scattering and roughness of the wafer surface It is possible.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 디마운트 시스템의 구성을 도시한 구성예시도.
도 2는 도 1의 웨이퍼 디마운트 시스템의 일부 구성을 좀 더 상세하게 도시한 구성도.
도 3 내지 도 7은 도 1 및 도 2의 디마운트 시스템의 실제 구현예에 대한 이미지로서,
도 3은 가열배스의 예시적 이미지.
도 4 및 도 5는 디마운트 스테이지의 예시적 이미지.
도 6은 카세트의 예시적 이미지.
도 7은 블럭언로딩부의 예시적 이미지.
도 8 내지 도 11은 건식 디마운트 시스템과 본 발명의 습식 디마운트 시스템의 차이점을 설명하기 위한 예시도들로서,
도 8은 웨이퍼 표면의 LLS 분포를 각각 박스플롯으로 도시한 예시도.
도 9는 웨이퍼 표면의 LLS 분포를 LLS 맵 형태로 도시한 예시도.
도 10은 웨이퍼 표면의 마이크로 러프니스를 박스플로 형태로 도시한 예시도.
도 11은 웨이퍼 표면 마이크로 러프니스를 나타낸 이미지.1 is a configuration example showing the configuration of a wafer demount system according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating in more detail some components of the wafer demount system of FIG. 1; FIG.
3-7 are images of actual implementations of the demount system of FIGS. 1 and 2;
3 is an exemplary image of a heating bath.
4 and 5 are exemplary images of the demount stage.
6 is an exemplary image of a cassette.
7 is an exemplary image of a block unloading unit.
8 to 11 are exemplary views for explaining the difference between the dry demount system and the wet demount system of the present invention.
8 is an exemplary diagram showing LLS distributions on a wafer surface in box plots, respectively.
9 illustrates an LLS distribution on a wafer surface in the form of an LLS map.
10 is an exemplary diagram showing micro roughness of a wafer surface in a box flow form.
11 is an image showing wafer surface micro roughness.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 설명하기로 한다. 첨부된 도면들에서 구성에 표기된 도면번호는 다른 도면에서도 동일한 구성을 표기할 때에 가능한 한 동일한 도면번호를 사용하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지의 기능 또는 공지의 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고 도면에 제시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대 또는 축소 또는 단순화된 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. In the accompanying drawings, it should be noted that the same reference numerals are used in the drawings to designate the same configuration in other drawings as much as possible. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known function or known configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. And certain features shown in the drawings are to be enlarged or reduced or simplified for ease of explanation, and the drawings and their components are not necessarily drawn to scale. However, those skilled in the art will readily understand these details.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 디마운트 시스템의 구성을 도시한 구성예시도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 디마운트 시스템의 일부 구성을 좀 더 상세하게 도시한 구성도이다.1 is a configuration example showing a configuration of a wafer demount system according to the present invention, Figure 2 is a configuration diagram showing a part of the configuration of the wafer demount system of Figure 1 in more detail.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 다른 웨이퍼 디마운트 시스템(10)은 로딩부(110), 디마운트부(130) 및 언로딩부(150)를 포함하여 구성된다.1 and 2, another wafer demount system 10 according to the present invention includes a loading unit 110, a demount unit 130, and an unloading unit 150.

로딩부(110)는 웨이퍼 분리가 필요한 웨이퍼 블럭(여기서, 웨이퍼와 블럭이 접합된 상태의 블럭을 '웨이퍼 블럭', 웨이퍼가 분리된 상태의 블럭을 '고정블럭'이라 하기로 한다.)의 대기 및 대기 중인 웨이퍼블럭(99)을 이송하여 디마운트부(130)에 공급하는 역할을 한다. 이를 위해 로딩부(110)는 웨이퍼블럭대기부(111)와 로딩리프트(112)를 포함하여 구성된다.The loading unit 110 waits for a wafer block requiring wafer separation (herein, a block in which the wafer and the block are bonded is called a 'wafer block' and a block in which the wafer is separated is called a 'fixed block'). And a wafer block 99 that is waiting to be supplied to the demount unit 130. To this end, the loading unit 110 includes a wafer block standby unit 111 and a loading lift 112.

웨이퍼블럭대기부(111)는 폴리싱 공정이 종료된 웨이퍼블럭(99)이 임시로 거치되고, 로딩리프트(112)로 거치된 웨이퍼블럭(99)을 공급하는 역할을 한다. 이를 위해 웨이퍼블럭대기부(111)는 하나 이상의 웨이퍼블럭(99)이 임시로 거치되는 공간이 마련되며, 웨이퍼블럭(99)을 로딩리프트(112)로 전달하기 위한 이송롤러(미도시) 또는 컨베이어 장치가 구비된다.The wafer block standby unit 111 serves to temporarily supply the wafer block 99 on which the polishing process is completed and is mounted on the loading lift 112. To this end, the wafer block standby part 111 is provided with a space in which one or more wafer blocks 99 are temporarily mounted, and a transfer roller (not shown) or a conveyor for transferring the wafer block 99 to the loading lift 112. The device is provided.

로딩리프트(112)는 웨이퍼블럭대기부(111)에 보관되는 웨이퍼블럭(99)을 웨이퍼블럭대기부(111)로부터 제공받아 디마운트부(130)로 이송하는 역할을 한다. 이를 위해 로딩리프트(112)는 이송롤러(122)를 포함하여 구성되며, 웨이퍼블럭(99)을 이송롤러(122)에 의해 디마운트부(130)의 가열배스(131)로 이송한다.
The loading lift 112 receives the wafer block 99 stored in the wafer block waiting unit 111 from the wafer block waiting unit 111 and transfers the wafer block 99 to the demount unit 130. To this end, the loading lift 112 includes a transfer roller 122, and transfers the wafer block 99 to the heating bath 131 of the demount unit 130 by the transfer roller 122.

디마운트부(130)는 웨이퍼블럭(99)을 가열하여 웨이퍼와 고정블럭 사이의 접착왁스가 연화되도록 함과 아울러, 접착왁스가 연화된 웨이퍼블럭(99)으로부터 웨이퍼를 분리한다. 이를 위해 본 발명의 디마운트부(130)는 웨이퍼블럭(99)을 접착왁스의 연화점인 약 100℃까지 가열하고, 가열된 웨이퍼블럭(99)을 합성수지 재질의 나이프(142)를 이용하여 고정블럭으로부터 분리한다. 특히, 본 발명의 디마운트부(130)는 웨이퍼블럭(99)의 가열시 웨이퍼 표면이 건조되어 웨이퍼 표면에 접착 왁스의 고착, 이물질의 고착이 발생하지 않도록 초순수(DI : Deionized Water)가 담긴 수조에서 웨이퍼블럭(99)을 가열하여 접착왁스의 연화점까지 웨이퍼블럭(99)의 온도를 상승시키게 된다. 그리고, 디마운트부(130)는 연화점까지 온도가 상승한 웨이퍼블럭(99)을 합성수지 재질의 나이프를 웨이퍼와 고정블럭 사이로 슬라이딩시켜 웨이퍼와 고정블럭을 분리하게 된다. 이후 디마운트부(130)는 웨이퍼를 분리와 동시에 언로딩부(150)의 카세트(151)로 이송시킴과 아울러, 고정블럭은 언로딩부(150)의 이송부(161)로 전달하게 된다. 이를 위해, 디마운트부(130)는 가열배스(131)와 디마운트스테이지(141)를 포함하여 구성된다.The demount unit 130 heats the wafer block 99 to soften the adhesive wax between the wafer and the fixed block, and separates the wafer from the wafer block 99 on which the adhesive wax is softened. To this end, the demount unit 130 of the present invention heats the wafer block 99 to about 100 ° C., which is the softening point of the adhesive wax, and fixes the heated wafer block 99 using a knife 142 made of synthetic resin. To separate from. In particular, the demount unit 130 of the present invention is a bath containing ultra pure water (DI: Deionized Water) so that the surface of the wafer is dried when the wafer block 99 is heated, so that adhesion wax and adhesion of foreign matter do not occur on the wafer surface. The wafer block 99 is heated to increase the temperature of the wafer block 99 to the softening point of the adhesive wax. In addition, the demount unit 130 separates the wafer and the fixed block by sliding the wafer block 99 having the temperature increased to the softening point between the wafer and the fixed block. Thereafter, the demount unit 130 separates and transfers the wafer to the cassette 151 of the unloading unit 150, and the fixed block is transferred to the transfer unit 161 of the unloading unit 150. To this end, the demount unit 130 is configured to include a heating bath 131 and the demount stage 141.

가열배스(131)는 로딩리프트(112)로부터 이송되는 웨이퍼블럭(99)의 온도를 접착왁스의 연화점까지 상승시키는 역할을 한다. 특히, 가열배스(131)는 웨이퍼블럭(99)의 온도를 상승시키는 동안 웨이퍼의 표면이 건조해지는 것을 방지하기 위해, 웨이퍼블럭(99)을 초순수에 수침(水浸)한 상태에서 가열하게 된다. 이를 통해 가열배스(131)는 웨이퍼 표면 건조에 따른 이물질의 웨이퍼 면 고착 및 웨이퍼와 고정블럭의 분리 후 접착 왁스가 웨이퍼 표면에 잔류하는 것을 방지하게 된다. 특히 가열배스(131)는 웨이퍼블럭(99)을 가열된 초순수에 수침시켜 웨이퍼블럭(99)의 온도를 상승시킴과 아울러, 가열배스(131)의 바닥면에 가열플레이트(132)를 두어 웨이퍼블럭(99)의 온도를 빠른 시간내에 연화점까지 상승시키게 된다. 이러한 가열배스(131)는 로딩리프트(112)에 비해 가열플레이트(132) 면이 낮게 형성되고 가장자리에 벽체를 두어 가열된 초순수가 저수될 수 있게 한다. 이러한 가열배스(131)는 이송롤러(123)의 승강 및 하강에 의해 웨이퍼블럭(99)을 초순수에 담그거나, 초순수에 담긴 웨이퍼블러(99)을 상승시켜 디마운트스테이지(141)에 전달하게 된다. 한편, 가열배스(131)는 이송롤러(123)의 회전, 승강 및 하강의 구동을 위한 모터를 포함하여 구성된다. 또한, 가열배스(131)는 초순수 탱크(181)와 연결되어 초순수 탱크(181)로부터 가열된 초순수를 공급받게 된다. The heating bath 131 increases the temperature of the wafer block 99 transferred from the loading lift 112 to the softening point of the adhesive wax. In particular, the heating bath 131 heats the wafer block 99 in the state of immersion in ultrapure water in order to prevent the surface of the wafer from drying while raising the temperature of the wafer block 99. Through this, the heating bath 131 prevents the adhesive wax from remaining on the surface of the wafer after the wafer surface is fixed and the separation of the wafer and the fixed block due to the foreign matter caused by the wafer surface drying. In particular, the heating bath 131 immerses the wafer block 99 in the heated ultrapure water to increase the temperature of the wafer block 99, and also places the heating plate 132 on the bottom surface of the heating bath 131. The temperature of 99 is raised to the softening point in a short time. The heating bath 131 has a lower surface of the heating plate 132 than the loading lift 112, and has a wall at the edge to store the heated ultrapure water. The heating bath 131 immerses the wafer block 99 in ultrapure water by raising and lowering the transfer roller 123, or raises the wafer blur 99 contained in the ultrapure water to the demount stage 141. . On the other hand, the heating bath 131 is configured to include a motor for driving the rotation, lifting and lowering of the feed roller 123. In addition, the heating bath 131 is connected to the ultrapure water tank 181 to receive the ultrapure water heated from the ultrapure water tank 181.

디마운트스테이지(141)는 가열배스(131)에서 가열된 웨이퍼블럭(99)을 웨이퍼와 고정블럭으로 분리하는 역할을 한다. 이를 위해 디마운트스테이지(141)는 웨이퍼와 고정블럭의 분리를 위한 나이프(142) 및 인덱스부(143)를 포함하여 구성된다. 아울러, 디마운트스테이지(141)는 분리된 웨이퍼는 카세트(151)로 이송하고, 고정블럭은 이송부(161)로 전달하게 된다.The demount stage 141 separates the wafer block 99 heated in the heating bath 131 into a wafer and a fixed block. To this end, the demount stage 141 includes a knife 142 and an index unit 143 for separating the wafer and the fixed block. In addition, the demount stage 141 transfers the separated wafer to the cassette 151 and transfers the fixed block to the transfer unit 161.

나이프(142)는 인덱스부(143) 상에 고정된 웨이퍼블럭(99)의 웨이퍼와 고정블럭 사이를 슬라이딩하여 웨이퍼와 고정블럭을 분리한다. 이를 위해 나이프(142)는 PVC(Polyvinyl chloride), 스테인레스 스틸, PEEK(Polyether Etherketone)와 같은 합성수지, 합금에 의해 형성된다. 특히, 나이프(142)에는 웨이퍼와 고정블럭의 분리시 나이프(142)와 왁스의 접착부에 초순수를 분사하기 위한 초순수 공급부와 노즐이 포함되어 구성된다.The knife 142 separates the wafer and the fixed block by sliding between the fixed block and the wafer of the wafer block 99 fixed on the index unit 143. To this end, the knife 142 is formed of polyvinyl chloride (PVC), stainless steel, synthetic resins such as PEEK (Polyether Etherketone), and alloys. In particular, the knife 142 includes an ultrapure water supply unit and a nozzle for injecting ultrapure water into the bonding portion between the knife 142 and the wax when the wafer and the fixed block are separated.

인덱스부(143)는 웨이퍼블럭(99)을 고정하여 나이프(142)에 의한 웨이퍼 탈부착과정이 진행될 수 있게 한다. 특히, 인덱스부(143)는 웨이퍼블럭(99) 상에 고정된 여러 장의 웨이퍼가 순차적으로 분리될 수 있도록, 분리 대상 웨이퍼를 나이프(142)의 진행방향에 위치시키는 역할을 한다. 이를 위해, 인덱스부(143)는 진공흡착에 의해 웨이퍼블럭(99)을 고정하며, 고정된 웨이퍼블럭(99)을 회전시키는 역할을 한다. 특히, 인덱스부(143)는 필요에 따라 웨이퍼블럭(99)의 경사도를 조절하여 나이프(142)에 의한 웨이퍼 분리가 용이하게 이루어지도록 함과 아울러, 분리된 웨이퍼가 용이하게 카세트(151)로 이동할 수 있게 한다. 또한, 인덱스부(143)는 웨이퍼와 고정블럭의 분리시 웨이퍼블럭(99)의 온도가 하강하여, 접착왁스가 재경화되는 것을 방지하기 위해 웨이퍼블럭(99)을 디마운팅 과정 동안 가열하는 역할을 한다. 이러한 인덱스부(143)는 분리 대상 웨이퍼가 작업위치로 이동했는지의 여부를 확인하기 위한 센서부 도는 마킹 감지부를 포함하여 구성된다.
The index unit 143 fixes the wafer block 99 to allow the wafer detachment process by the knife 142 to proceed. In particular, the index unit 143 serves to position the wafer to be separated in the advancing direction of the knife 142 so that a plurality of wafers fixed on the wafer block 99 can be sequentially separated. To this end, the index unit 143 fixes the wafer block 99 by vacuum adsorption and rotates the fixed wafer block 99. In particular, the index unit 143 adjusts the inclination of the wafer block 99 as necessary to facilitate the separation of the wafer by the knife 142 and to easily move the separated wafer to the cassette 151. To be able. In addition, the index unit 143 serves to heat the wafer block 99 during the demounting process so that the temperature of the wafer block 99 drops when the wafer and the fixed block are separated, thereby preventing the adhesive wax from being hardened again. do. The index unit 143 includes a sensor unit or a marking detector for checking whether the wafer to be separated has moved to the working position.

언로딩부(150)는 디마운트부(130)에서 분리된 웨이퍼와 고정블럭을 언로딩하여 수납 또는 이송하는 역할을 한다. 이를 위해 언로딩부(150)는 카세트(151), 이송부(161) 및 블럭언로딩부(171)를 포함하여 구성된다.The unloading unit 150 serves to store or transport the wafer and the fixed block separated from the demount unit 130. To this end, the unloading unit 150 includes a cassette 151, a transfer unit 161, and a block unloading unit 171.

카세트(151)는 디마운트부(130)의 디마운트스테이지(141)와 이웃하여 배치되고, 디마운트스테이지(141)의 나이프(142)에 의해 분리되는 웨이퍼를 분리와 동시에 전달받아 수납한다. 이를 위해, 카세트(151)는 나이프(142)의 진행방향 즉, 나이프(142)가 웨이퍼 분리를 위해 고정블럭과 웨이퍼 사이에서 이동하는 방향의 연장선에 배치된다.The cassette 151 is disposed adjacent to the demount stage 141 of the demount unit 130 and receives and receives the wafer separated by the knife 142 of the demount stage 141 at the same time as the separation. To this end, the cassette 151 is disposed at an extension line in the direction of travel of the knife 142, that is, the direction in which the knife 142 moves between the fixed block and the wafer for wafer separation.

이송부(161)는 디마운트부(130)의 디마운트스테이지(141)와 이웃하여 배치되고, 디마운트스테이지(141)로부터 이송되는 고정블럭을 이송함과 동시에 후처리를 진행한다. 구체적으로 이송부(161)는 디마운트스테이지(141)와 블럭언로딩부(171) 사이에 배치되며, 고정블럭이 디마운트스테이지(141)로부터 블럭언로딩부(171)로 이송되는 동안 냉각, 세척, 건조의 후처리를 진행하게 된다. 이를 위해 이송부(161)는 팬(162), 에어나이프(163), 냉각수공급부(164)을 포함하여 구성된다. 팬(162)은 고정블럭의 냉각을 위한 공기를 고정블럭에 공급하는 역할을 하며, 에어나이프(163)는 고정블럭 표면의 이물질을 고압의 압축공기를 분사하여 제거하는 역할을 한다. 또한, 냉각수공급부(163)는 디마운트부(130)를 거치는 동안 가열된 고정블럭을 냉각수에 의해 냉각하는 역할을 한다.The transfer unit 161 is disposed adjacent to the demount stage 141 of the demount unit 130, and transfers the fixed block transferred from the demount stage 141 and performs post-processing. Specifically, the transfer unit 161 is disposed between the demount stage 141 and the block unloading unit 171, and the fixed block is cooled and washed while the fixed block is transferred from the demount stage 141 to the block unloading unit 171. And the post-treatment of drying is performed. To this end, the transfer unit 161 includes a fan 162, an air knife 163, and a coolant supply unit 164. The fan 162 serves to supply air for cooling the fixed block to the fixed block, and the air knife 163 serves to remove foreign matter on the surface of the fixed block by spraying high pressure compressed air. In addition, the coolant supply unit 163 serves to cool the fixed block heated by the coolant while passing through the demount unit 130.

블럭언로딩부(171)는 이송부(161)와 이웃하여 설치되며, 이송부(161)에 의해 후처리 및 이송이 이루어진 고정블럭을 전달받아 블럭 카트(미도시)에 순차적으로 수납하는 역할을 한다.
The block unloading unit 171 is installed adjacent to the transfer unit 161, and receives the fixed block in which post-processing and transfer are performed by the transfer unit 161 and sequentially stores the block unloading unit in a block cart (not shown).

도 3 내지 도 7은 도 1 및 도 2의 디마운트 시스템의 실제 구현예에 대한 이미지로서, 도 3은 가열배스의 예시적 이미지이며, 도 4 및 도 5는 디마운트 스테이지의 예시적 이미지이고, 도 6은 카세트의 예시적 이미지이다. 또한, 도 7은 블럭언로딩부의 예시적 이미지이다.3-7 are images of actual implementations of the demount system of FIGS. 1 and 2, FIG. 3 is an exemplary image of a heating bath, FIGS. 4 and 5 are exemplary images of a demount stage, 6 is an example image of a cassette. 7 is an exemplary image of the block unloading unit.

도 3을 참조하면, 전술한 바와 같이 가열배스(131)는 웨이퍼블럭(99)의 이송을 위한 이송롤러(123)가 설치된다. 이러한 이송롤러(123)는 상승 및 하강이 가능하도록 구성되어, 웨이퍼블럭(99)을 로딩리프트(112)로부터 전달받거나, 가열배스(131) 내의 웨이퍼블럭(99)을 디마운트스테이지(141)로 전달하는 경우 상승하고, 웨이퍼블럭(99)을 가열배스(131)에 수침시키는 경우 하강하게 된다.Referring to FIG. 3, as described above, the heating bath 131 is provided with a transfer roller 123 for transferring the wafer block 99. The transfer roller 123 is configured to be raised and lowered to receive the wafer block 99 from the loading lift 112 or to transfer the wafer block 99 in the heating bath 131 to the demount stage 141. It rises when it is delivered, and falls when the wafer block 99 is immersed in the heating bath 131.

아울러, 가열배스(131)의 바닥면은 열전달이 효과적으로 이루어질 수 있도록 금속, 합금재질의 플레이트로 구성되고, 플레이트의 하부면에 가열수단이 구비된다. 특히, 가열플레이트(132)는 웨이퍼블럭(99)의 바닥 면적보다 넓은 면적을 가열하도록 하여 초순수의 가열 및 온도 저하를 방지하게 된다. 이러한 가열플레이트(132)는 가열배스(131)의 바닥면 역할을 하여 가열대상인 웨이퍼블럭(99)의 거치를 위한 공간으로 이용되며, 초순수를 담는 용기의 역할을 한다. 이러한 가열배스(131)는 수조벽(133)이 구성되어 일정량의 가열된 초순수가 담길 수 있게 된다.In addition, the bottom surface of the heating bath 131 is composed of a plate made of metal, alloy material so that heat transfer can be effectively performed, the heating means is provided on the lower surface of the plate. In particular, the heating plate 132 to heat the area larger than the bottom area of the wafer block 99 to prevent the heating of the ultrapure water and the temperature drop. The heating plate 132 serves as a bottom surface of the heating bath 131 and serves as a space for mounting the wafer block 99 to be heated, and serves as a container for ultrapure water. The heating bath 131 is a tank wall 133 is configured to contain a certain amount of heated ultrapure water.

도 4 및 도 5를 참조하면, 웨이퍼블럭(99)으로부터 웨이퍼와 고정블럭을 분리하기 위한 나이프(142)가 구성된다. 나이프(142)는 구동암(147)에 구동되어 고정블럭과 웨이퍼 사이의 고정블럭 표면을 슬라이딩 함으로써 웨이퍼를 고정블럭으로부터 분리하게 된다. 이때 인덱스부(143)에 의해 웨이퍼블럭(99)은 지속적으로 가열되어 접착왁스의 경화를 방지하게 된다. 또한, 나이프(142)에 의해 웨이퍼가 분리되는 과정에서는 노즐(145) 및 초순수 공급부(146)에 의해 나이프(142) 날 부분으로 고온의 초순수가 공급되어, 분리시 접착왁스가 웨이퍼의 표면에 고착되는 것을 방지하게 된다. 4 and 5, a knife 142 for separating the wafer and the fixed block from the wafer block 99 is configured. The knife 142 is driven by the driving arm 147 to separate the wafer from the fixed block by sliding the surface of the fixed block between the fixed block and the wafer. At this time, the wafer block 99 is continuously heated by the index unit 143 to prevent hardening of the adhesive wax. In addition, in the process of separating the wafer by the knife 142, high temperature ultrapure water is supplied to the blade portion of the knife 142 by the nozzle 145 and the ultrapure water supply unit 146, and the adhesive wax adheres to the surface of the wafer during separation. To prevent it.

도 6 및 도 7을 참조하면, 웨이퍼블럭(99)에서 분리된 웨이퍼는 분리와 동시에 나이프(142)에 의해 카세트(151)로 이동된다. 또한, 고정블럭은 이송부(161)를 거쳐 블럭언로딩부(171)로 이송되고, 블럭언로딩부(171)에 의해 블럭카트에 수납된다.
6 and 7, the wafer separated from the wafer block 99 is moved to the cassette 151 by the knife 142 at the same time as the separation. In addition, the fixed block is transferred to the block unloading unit 171 via the transfer unit 161 and is stored in the block cart by the block unloading unit 171.

도 8 내지 도 11은 건식 디마운트 시스템과 본 발명의 습식 디마운트 시스템의 차이점을 설명하기 위한 예시도들로서, 도 8은 웨이퍼 표면의 LLS 분포를 각각 박스플롯으로 도시한 예시도이고, 도 9는 웨이퍼 표면의 LLS 분포를 LLS 맵 형태로 도시한 예시도이다. 또한 도 10은 웨이퍼 표면의 마이크로 러프니스를 박스플로 형태로 도시한 예시도이며, 도 11은 웨이퍼 표면 마이크로 러프니스를 나타낸 이미지이다.8 to 11 are exemplary diagrams for explaining the difference between the dry demount system and the wet demount system of the present invention. FIG. 8 is an exemplary diagram showing LLS distributions on the wafer surface in box plots. It is an exemplary figure which shows the LLS distribution of the wafer surface in LLS map form. FIG. 10 is an exemplary view showing the micro roughness of the wafer surface in the form of a box flow, and FIG. 11 is an image showing the micro surface roughness of the wafer surface.

도 8 및 도 9를 참조하면, 각각 좌측(a)의 경우 기존 건식 디마운트 시스템에 의해 분리된 웨이퍼 표면의 LLS 상태를 나타낸 것이고, 우측(b)는 본 발명의 디마운트 시스템에 의해 분리된 웨이퍼 표면의 LLS 상태를 나타낸 것이다. 도 8 및 도 9에서 알 수 있는 바와 같이, 초순수를 이용한 가열 및 분리시 초순수를 웨이퍼 표면에 분사함으로서, 웨이퍼 표면에 접착 왁스의 잔류를 방지할 수 있게 되고, 이를 통해 웨이퍼의 표면이 깨끗한 상태로 고정블럭과 분리가 가능하다. 이로 인해, 본 발명의 디마운트 시스템에 의한 디마운팅 방법은 웨이퍼 표면의 이물질 고착 및 표면 거칠기의 증대로 발생하는 LLS 군집성 분포가 현저히 감소하는 효과를 얻을 수 있게 된다.8 and 9, the left side (a) shows the LLS state of the wafer surface separated by the existing dry demount system, respectively, and the right side (b) shows the wafer separated by the demount system of the present invention. It shows the LLS state of the surface. As can be seen in Figures 8 and 9, by spraying the ultrapure water on the wafer surface during heating and separation using the ultrapure water, it is possible to prevent the remaining of the adhesive wax on the wafer surface, through which the surface of the wafer is clean It can be separated from the fixed block. Therefore, the demounting method by the demounting system of the present invention can obtain the effect of significantly reducing the LLS clustering distribution caused by the adhesion of foreign matter on the wafer surface and the increase of the surface roughness.

또한, 도 10 및 도 11을 참조하면, 습식 방식을 이용하여 접착왁스의 잔류를 억제하고, 웨이퍼 표면과 나이프의 마찰에 의한 손상을 방지하게 됨으로써, 표면의 거칠기가 일정해지고, 표면도 거칠어 지지 않는 효과를 얻게 된다.
In addition, referring to Figures 10 and 11, by using a wet method to suppress the residual of the adhesive wax and to prevent damage caused by friction between the wafer surface and the knife, the surface roughness is constant, the surface is not rough You get an effect.

이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 실시 예로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시 예와 동일한 구성 및 작용에만 국한되지 않고, 여러가지 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 실시될 수 있다. 따라서, 그와 같은 변형도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의해 결정되어야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, . ≪ / RTI > Accordingly, such modifications are deemed to be within the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be determined by the following claims.

10 : 디마운트 시스템 99 : 웨이퍼블럭
110 : 로딩부 111 ; 웨이퍼블럭 대기부
112 : 로딩리프트 122, 123 ; 이송롤러
130 : 디마운트부 131 : 가열배스
132 : 가열플레이트 141 : 디마운트 스테이지
142 : 나이프 143 : 인덱스부
145 : 노즐 146 : 초순수 공급부
147 : 구동암 150 ; 언로딩부
151 : 카세트 161 : 이송부
162 ; 팬 163 : 에어나이프
164 : 냉각수 공급부 171 : 블럭언로딩부
181 : 초순수탱크10: demount system 99: wafer block
110: loading section 111; Wafer Block Waiting Area
112: loading lift 122, 123; Feed roller
130: demount unit 131: heating bath
132: heating plate 141: demount stage
142: knife 143: index portion
145: nozzle 146: ultrapure water supply
147: driving arm 150; Unloading Section
151: cassette 161: transfer unit
162; Fan 163: Air Knife
164: cooling water supply unit 171: block unloading unit
181: Ultrapure Water Tank

Claims (8)

고정블럭 상에 접착왁스를 이용하여 웨이퍼를 접착한 웨이퍼블럭을 로딩하는 로딩부;
상기 로딩부로부터 전달되는 상기 웨이퍼블럭을 습식 가열하고, 가열된 상기 웨이퍼블럭을 상기 웨이퍼와 상기 고정블럭으로 분리하는 디마운트부; 및
상기 디마운트부에 의해 분리된 상기 웨이퍼와 상기 고정블럭 각각을 이송하여 카세트와 블럭카트에 수납하는 언로딩부;를 포함하고,
상기 디마운트부는
상기 웨이퍼블럭을 초순수에 수침시킨 상태에서 가열하기 위한 가열배스; 및
가열된 상기 웨이퍼블럭으로 상기 웨이퍼를 분리하기 위한 나이프를 구비하는 디마운트 스테이지;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 시스템.A loading unit which loads a wafer block to which the wafer is bonded using adhesive wax on the fixed block;
A demount unit configured to wet-heat the wafer block transferred from the loading unit and separate the heated wafer block into the wafer and the fixed block; And
And an unloading unit for transporting each of the wafer and the fixed block separated by the demount unit to be stored in a cassette and a block cart.
The demount portion
A heating bath for heating the wafer block in the state of immersion in ultrapure water; And
And a demount stage including a knife for separating the wafer into the heated wafer block. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 디마운트부는
상기 가열배스의 바닥면에 설치되어 수침된 상기 웨이퍼블럭을 가열하는 가열플레이트를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 시스템.The method of claim 1,
The demount portion
Wafer demount system, characterized in that it further comprises a heating plate for heating the wafer block is immersed in the bottom surface of the heating bath. 제 1 항에 있어서,
상기 디마운트 스테이지는
상기 웨이퍼 블럭을 고정하고, 상기 웨이퍼 블럭 상의 상기 웨이퍼를 분리 위치로 회전 이동시키는 인덱스부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 시스템.The method of claim 1,
The demount stage
And an index unit which fixes the wafer block and rotates the wafer on the wafer block to a separation position. 제 4 항에 있어서,
상기 인덱스부는
고정된 상기 웨이퍼 블럭을 가열하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 시스템.The method of claim 4, wherein
The index unit
Wafer demount system, characterized in that for heating the fixed wafer block. 제 1 항에 있어서,
상기 디마운트부는
상기 나이프와 상기 웨이퍼블럭의 접촉부위에 상기 초순수를 분사하기 위한 분사노즐; 및
상기 분사노즐에 가열된 초순수를 공급하기 위한 초순수 공급부를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 시스템.The method of claim 1,
The demount portion
An injection nozzle for injecting the ultrapure water into a contact portion between the knife and the wafer block; And
And an ultrapure water supply unit for supplying the ultrapure water heated to the injection nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 언로딩부는
상기 디마운트 스테이지와 이웃하여 설치되는 상기 카세트;
상기 고정블럭을 상기 블럭카트에 수납하기 위한 블럭언로딩부; 및
상기 디마운트 스테이지로부터 전달되는 상기 고정블럭을 냉각하여 상기 블럭언로딩부에 전달하기 위해 에어나이프, 팬 및 냉각수 공급부를 가지는 이송부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 시스템.The method of claim 1,
The unloading unit
The cassette installed adjacent to the demount stage;
A block unloading unit for storing the fixed block in the block cart; And
And a transfer unit having an air knife, a fan, and a coolant supply unit for cooling the fixed block transferred from the demount stage and transferring the fixed block to the block unloading unit. 제 1 항에 있어서,
상기 디마운트부는
상기 가열배스에 가열된 초순수를 공급하기 위한 초순수 탱크를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 시스템.The method of claim 1,
The demount portion
Wafer demount system, characterized in that further comprises an ultrapure water tank for supplying the ultra-pure water heated to the heating bath.
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